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7 8 3 4 5 10 9
Universidade Estadual Paulista Julio de Mesquita Filho Campus de Sorocaba - Eng. Contr. & Autom.
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10 [k]
3 ID 5
VGG 4
7 VDD
Figura 2: Montagem para o Ensaio 1. VGS [V] VDS = 0,5 [V] ID [mA] VDS = 5 [V] ID [mA]
Discusso a
1. Trace, em um mesmo grco, as curvas de ID em funo de VGS para os dois valores a ca de VDS empregados na obteno da Tabela 1. ca 2. A partir das curvas obtidas, determine o valor da tenso de limiar Vt para o NMOS. a
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VDS [V] 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,8 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 10,0 12,0
Tabela 2: Caracter stica ID VDS para o NMOS. 3. Trace, em um segundo grco, as curvas de ID em funo de VGS para os dois a ca valores de VDS empregados na Tabela 1. A partir das curvas obtidas, detemine o valor do parmetro a W kn L para o NMOS. 4. Trace, em um terceiro grco, as curvas de ID em funo de VDS para os trs a ca e valores de VGS empregados na obteno da Tabela 2. Comente o comportamento ca das curvas, identicando as regies de operao do transistor. o ca 5. Utilizando as guras do grco do item 4, estime a tenso de efeito Early VA . a a
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14 2 ID 10 [k] 3 1 VDD
VGG
Figura 3: Montagem para o Ensaio 2. VGS [V] VDS = 0,5 [V] ID [mA] VDS = 5,0 [V] ID [mA]
Discusso a
1. Trace, em um mesmo grco, as curvas de |ID | em funo de |VGS | para os dois a ca valores de VDS empregados na obteno da Tabela 3. ca 2. A partir das curvas obtidas, determine o valor da tenso de limiar Vt para o NMOS. a 3. Trace, em um segundo grco, as curvas de a
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Universidade Estadual Paulista Julio de Mesquita Filho Campus de Sorocaba - Eng. Contr. & Autom.
VDS [V] 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,8 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 10,0 12,0
Tabela 4: Caracter stica ID VDS para o PMOS. valores de VDS empregados na Tabela 3. A partir das curvas obtidas, detemine o valor do parmetro a W kp L para o PMOS. Compare com o valor do parmetro correspondente ao NMOS. a 4. Trace, em um terceiro grco, as curvas de |ID | em funo de |VDS | para os trs a ca e valores de VGS empregados na obteno da Tabela 4. Comente o comportamento ca das curvas, identicando as regies de operao do transistor. o ca 5. Utilizando as guras do grco do item 4, estime a tenso de efeito Early VA . a a
Referncias e
[1] A. S. Sedra e K. C. Smith. Microeletrnica. Prentice Hall. o [2] P. E. Gray e C. L. Searle. Princ pios de Eletrnica. LTC. o