UNIVERSIDAD DE GUADALAJARA CENTRO UNIVERSITARIO DE CIENCIAS EXACTAS E INGENIERAS

PRCTICA 1 CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO

NOMBRE: RAMIRO AVALOS VEGA RITA AMADOR CARRILLO NOMBRE DEL PROFESOR: ING. CARLOS JESAHEL VEGA GOMEZ MATERIA: ELECTRNICA 1 FIRMA ________________ FECHA DE ENTREGA: 25 DE JUNIO DE 2012

CALIFICACIN________________

OBJETIVO:
Construir a partir del diseo de 2 circuitos la curva caracterstica del diodo en polarizacin directa y en inversa.

MATERIAL: Baquelitas Marcador Diodo 1N4001 LED Verde Resistencias Cautn Cloruro Frrico EQUIPO: Fuente de voltaje variable Perforadora Multmetro

INTRODUCCIN:
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que solamente permite el paso de la corriente en un sentido, est formado por la unin de un material tipo P y un tipo N cuando esta polarizado directamente se comporta como un circuito cerrado y cuando se polariza inversamente como un circuito abierto.

Polarizacin directa
Cuando aplicamos una tensin directa V a una unin p-n, es decir, una tensin positiva del lado p y negativa del lado n como se muestra en la figura 1. En primer lugar, la anchura de la zona de carga disminuye, disminuyendo tambin la barrera de potencial que aparece en dicha zona. Esta tensin aplicada rompe el equilibrio establecido entre las fuerzas que sobre los portadores ejerce el campo elctrico y las fuerzas que tienden a producir la difusin de los portadores minoritarios.

Figura 1 Polarizacin directa del diodo

Para valores pequeos de la tensin de polarizacin (valores de tensin menores que la barrera de potencial) la circulacin de corriente no ser apreciable. Esto se debe a que el campo elctrico que aparece en la zona de carga es ms fuerte que el campo exterior aplicado, por lo tanto los portadores mayoritarios no podrn atravesar la zona de carga.

Polarizacin inversa
Para polarizar inversamente una unin p-n colocamos una tensin continua con el lado negativo de la misma en la zona p y el lado positivo de la tensin en la zona n como se muestra en la figura 2. La polaridad aplicada de esta manera es tal que tiende alejar a los h+ de la zona p y a los e- de la zona n de la unin. De esta manera, la zona de cargas fijas negativas se extender hacia el interior de la zona p y de forma anloga la zona de cargas positivas tender a penetrar en la zona n

Figura 2 Polarizacin inversa del diodo

Curva del diodo

Cuando el diodo est en polarizacin directa salvo para un pequeo margen en las proximidades del origen, la corriente aumenta exponencialmente con la tensin. Cuando polarizamos el diodo en inversa con una tensin cuyo mdulo sea varias veces superior a VT tendremos que ID - IS para cualquier valor de VD hasta que el valor de la tensin inversa sea igual al valor de ruptura entonces el diodo comienza a conducir intensamente

Tensin Umbral V
Tambin es conocida como tensin de codo. Para valores de tensin inferiores a V la corriente es muy pequea (an en polarizacin directa). El diodo no conduce bien hasta que la tensin aplicada sobrepasa la barrera de potencial. Por esto, para las primeras decenas de voltio la corriente es muy pequea. A medida que nos acercamos al valor de V los portadores mayoritarios de las respectivas zonas (e- de la zona n y h+ de la zona p) comienzan a atravesar la unin en grandes cantidades, por lo que la corriente crece rpidamente Para tensiones superiores a la tensin umbral, pequeos aumentos de tensin producen grandes aumentos de corriente como se muestra en la figura 3. El valor de esta tensin de 0,7 V para el Si y de 0,3 V para el Ge.

Figura 3 Curva caracterstica del diodo

Tensin de ruptura
Cuando en un diodo aplicamos una tensin inversa, a su travs circula la corriente inversa de saturacin (IS) y en la zona de carga aparece una tensin igual a la tensin inversa aplicada. Sin embargo, esta tensin no puede aumentarse todo lo

que se desee ya que existe un valor de tensin (tensin de ruptura) a partir del cual el diodo comienza a conducir intensamente. Para pequeos aumentos de tensin inversa se tienen grandes incrementos de corriente. Si no conseguimos evacuar toda la potencia calorfica generada por efecto Joule, el diodo se rompe (figura 4).

Figura 4 Curva del diodo en polarizacin inversa

DESARROLLO:
Se construy un circuito en serie que contaba con un diodo y una resistencia como se muestra en la figura 5

Figura 5 Circuito polarizacin directa

Este circuito se hizo en la baquelita para lo cual se tuvo que limpiar , dibujar las pistas con marcador y despus ponerla en el cloruro frrico hasta que se borrara el cobre que no se necesit una vez hecho esto se perforo y se le soldaron los componentes necesarios.

con el fin de construir la curva del diodo en polarizacin directa se conect una fuente variable de voltaje y se midieron la corriente del diodo (Id), voltaje del diodo (Vd) , voltaje en la resistencia (Vr) y el voltaje de la fuente (E) los datos obtenidos se muestran en la tabla 1

Tabla 1 Datos de las mediciones del circuito en polarizacin directa

Medicin 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31

E (volts) 0.16 0.25 0.38 0.44 0.51 0.60 0.71 1.08 1.40 1.55 1.60 1.73 1.92 2.45 3.0 3.6 4.1 5.0 5.7 6.5 7.8 9.0 10.50 11.84 13.21 15.1 16.73 18.0 19.30 20.2 24.0

Vd (volts) 0.154 0.225 0.291 0.311 0.329 0.347 0.364 0.401 0.423 0.431 0.433 0.44 0.448 0.467 0.484 0.5 0.511 0.53 0.543 0.557 0.557 0.595 0.615 0.633 0.65 0.672 0.691 0.705 0.719 0.729 0.769

Id (mA) 0 0.0024 0.0088 0.012 0.018 0.025 0.034 0.067 0.097 0.111 0.116 0.129 0.147 0.198 0.251 0.309 0.358 0.446 0.515 0.594 0.722 0.84 0.988 1.12 1.25 1.44 1.6 1.72 1.85 1.94 2.32

Vr(volts) 0.006 0.025 0.089 0.129 0.181 0.253 0.346 0.679 0.977 1.119 1.167 1.29 1.472 1.983 2.516 3.1 3.589 4.47 5.157 5.943 7.243 8.405 9.885 11.207 12.56 14.428 16.039 17.295 18.581 19.471 23.231

Se obtuvo la grfica de la curva del diodo graficando los datos obtenidos de Vd e Id, la grfica se realiz en el programa MATLAB se muestra en la figura 6

Grfica de la curva del diodo 2.5

corriente(mA)

1.5

0.5

0 0.1

0.2

0.3

0.4 0.5 voltaje (Volts)

0.6

0.7

0.8

Figura 6 Curva del diodo obtenida con los datos de las mediciones en polarizacin directa

Para trazar la grfica en polarizacin inversa Se construy un circuito en serie que contaba con un LED y una resistencia como se muestra en la figura 7

Este circuito se hizo en la baquelita exactamente igual que como se describe para el circuito de polarizacin directa

Figura 7 Circuito polarizacin inversa

con el fin de construir la curva del diodo en polarizacin inversa se conect una fuente variable de voltaje y se midieron la corriente del diodo (Id), voltaje del diodo (Vd) , voltaje en la resistencia (Vr) y el voltaje de la fuente (E) los datos obtenidos se muestran en la tabla 2
Tabla 2 Datos de las mediciones del circuito en polarizacin inversa

E (volts) 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 8 9 11 15 20 26

Vd (volts) 0.5 1 1.5 1.99 2.49 2.98 3.45 3.84 3.96 3.98 4 4 4.01 4.02 4.03 4.04 4.06 4.10 4.14 4.20

Id (mA) 0.00534 0.0116 0.0194 0.0298 0.0453 0.0730 0.140 0.49 1.65 3.08 4.56 6.04 7.54 9.04 12 15 21 33 48.1 66.1

Vr (volts) 0 0 0 0 0.01 0.02 0.05 0.16 0.54 1.02 1.5 2 2.49 2.98 3.97 4.96 6.94 10.9 15.9 21.8

Se obtuvo la grfica de la curva del diodo graficando los datos obtenidos de Vd e Id, la grfica se realiz en el programa MATLAB se muestra en la figura 8
Grfica de la curva del diodo polarizacion inversa 0

-10

-20

corriente(mA)

-30

-40

-50

-60

-70 -4.5

-4

-3.5

-3

-2.5 -2 voltaje (Volts)

-1.5

-1

-0.5

Figura 8 Curva del diodo obtenida con los datos de las mediciones en polarizacin inversa

CONCLUSIONES:
La curva del diodo construida a partir de los circuitos realizados nos muestra que estando polarizado directamente el diodo se comporta como circuito cerrado(o como un conductor) pero para eso tiene que superarse cierto nivel de voltaje que para nuestro diodo de silicio est cercano al 0.7 v donde a partir de ese nivel un pequeo aumento de voltaje de polarizacin provoc un gran aumento de la

corriente, lo que no ocurra antes de pasar el voltaje de los 0.7 v en el diodo. La resistencia de carga al ser grande tiene una gran cada de tensin por lo que se necesit que el voltaje de la fuente se grande para poder hacer que el diodo llegara a su tensin umbral. La curva del diodo para la polarizacin inversa nos muestra que el diodo se comporta como un aislante (o como circuito abierto) ya que conduce una corriente demasiado pequea pero cuando el valor del voltaje de polarizacin es el suficiente para hacer que el diodo rompa (en nuestro diodo este valor fue cercano a los 3.5 v) entonces el diodo empieza a conducir mucha corriente.

CUESTIONARIO:
1.- Qu ocurre con el diodo al polarizarlo directamente? La zona de carga disminuye por lo que al aplicarle una tensin al diodo que sea superior a la de la barrera de potencial se producir una corriente a travs del diodo ocasionada por los portadores mayoritarios, en esta polarizacin el diodo se comporta como circuito cerrado.

2.- Qu ocurre con el diodo al polarizarlo inversamente? La zona de carga aumenta lo que provoca que no pueda haber corriente de portadores mayoritarios, en esta polarizacin el diodo se comporta como circuito abierto.

3.- de acuerdo con la curva del diodo cmo se comporta la corriente? En polarizacin directa la corriente aumenta exponencialmente para valores pequeos de voltaje una vez que se pasa el voltaje de la barrera de potencial, para polarizacin inversa la corriente siempre es pequea incluso para grandes valores de voltaje, hasta que se logra el voltaje de ruptura donde la corriente aumenta demasiado.

4.- Qu es la tensin umbral? Es la tensin que tiene que superarse para que el diodo polarizado directamente se comporte como conductor, en el silicio esta tensin es aproximadamente 0.7 v y para el germanio 0.3 v.

5.- Qu es la tensin de ruptura? Es la tensin que hace que un diodo polarizado inversamente llegue a su ruptura es decir donde conduce intensamente.

BIBLIOGRA FA:
http://ingeniatic.euitt.upm.es/index.php/tecnologias/item/432-diodo http://ocw.ehu.es/ensenanzas-tecnicas/electronica-general/teoria/tema2-teoria http://www.allaboutcircuits.com/vol_3/chpt_3/1.html