SISTEMASDIGITALES

TEMA7:MemoriasSemiconductoras TEMA 7: Memorias Semiconductoras

Tema7:MemoriasSemiconductoras Tema 7: Memorias Semiconductoras

1. 2. 3. 4. Introduccin. MemoriasRAM Memorias RAM MemoriasROM Memoriasdeaccesosecuencial

SistemasDigitales

Tema7:MemoriasSemiconductoras Tema 7: Memorias Semiconductoras

1. 2. 3. 4. Introduccin. MemoriasRAM Memorias RAM MemoriasROM Memoriasdeaccesosecuencial

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7. MemoriasSemiconductoras
Introduccin a las memorias
Los registros se utilizan como elementos de almacenamiento en sistemas especializados donde el nmero de bits a memorizar es pequeo y donde es necesario acceder simultneamente a toda la informacin que contienen los registros.

Cuando C ando la cantidad de informacin a memori ar es ele ada y, en especial c ando el memorizar elevada especial, cuando sistema digital de proceso es programable y han de memorizarse las instrucciones del programa adems de los datos, nunca se necesita tener acceso a toda la informacin simultneamente simultneamente. En estos casos se utilizan las llamadas unidades de memoria o memorias. stas estn constituidas por un conjunto de elementos de almacenamiento dispuestos de tal manera que solamente es posible simultneamente la escritura o lectura en un grupo reducido de ellos.

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7. MemoriasSemiconductoras
Introduccin a las memorias

Memorias magnticas

Memorias semiconductoras i d t

Memorias pticas
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7. MemoriasSemiconductoras
Introduccin a las memorias
La cantidad de informacin que puede almacenar una memoria se denomina capacidad. Las memorias almacenan palabras (conjuntos de bits) en diferentes posiciones o direcciones de memoria. La capacidad total de una memoria se suele indicar mediante el nmero de posiciones y el nmero de bits que constituye cada posicin. Por ejemplo, una memoria de 32 Kbytes almacena palabras de 8 bits (1 byte), y almacena en este caso 32x1024. Cuidado!! Cuando se trata con memorias, Kilo, Mega, Giga, etc tienen otro significado. 1K = 210, 1M=220, 1G=230. A la operacin de seleccionar una determinada posicin de memoria se denomina direccionamiento. A l bit que seleccionan l di di i i t los bits l i la direccin en l memoria se l d i la i los denomina i bits de direccin. Cuando se nombra una determinada posicin de memoria es habitual hacerlo en cdigo memoria, hexadecimal.
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7. MemoriasSemiconductoras
Introduccin a las memorias: clasificacin de memorias semiconductoras. semiconductoras
MEMORIAS

ACCESO ALEATORIO

MODO DE ACCESO

OTROS ACCESOS

Lectura-escritura

Slo lectura

RAM

ROM

Secuencial

Estticas

Dinmicas

De mscara

Programables por el usuario PROM SistemasDigitales

Prog/borrables por el usuario EPROM / Flash

FIFO

LIFO

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1. 2. 3. 4. Introduccin. MemoriasRAM Memorias RAM MemoriasROM Memoriasdeaccesosecuencial

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7. MemoriasSemiconductoras
Memorias RAM
Las memorias de acceso aleatorio RAM (Random Access Memory) son aquellas en las que el tiempo de lectura y escritura es el mismo para todas las direcciones. Las memorias RAM son voltiles, por lo que la informacin que almacenan se perder ,p q q p cuando dichas memorias dejen de estar alimentadas. g g p Las memorias RAM se dividen en dos grandes grupos: RAM estticas o SRAM: La celda en la que se almacenan cada uno de los bits est formada por un biestable. Su densidad de capacidad (informacin que puede almacenar el chip) es menor, pero son ms rpidas. Se utilizan como memorias cachs de los microprocesadores. RAM dinmicas o DRAM: La celda en la que se almacena cada uno de los bits se basa en un condensador, que es el elemento que estando cargado o descargado almacena el 1 el 0 lgico. Tienen mayores densidades de capacidad (almacenan ms informacin para un chip d id ti t hi de idntico tamao), pero son ms l t S utilizan en l memorias ) lentas. Se tili las i principales de los ordenadores.
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7. MemoriasSemiconductoras
Memorias SRAM (RAM estticas)
Celda RAM
I W S D CERROJO DINMICO E Q O
O S
Seleccin de bit (leer)

Estructura real de una celda RAM

WS Seleccin de bit (escribir)

Datos

Celda RAM
W S O

Bloque que Bl representa la celda RAM

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I0 R0 I I CELDA O W 02 S CE ELDA O W 00 S S R1 I CE ELDA O W 10 S R2 I CE ELDA O W 20 S R3 A2 I CE ELDA O W 30 S R4 I CE ELDA O W 40 S R5 I CE ELDA 50 O W S R6 I CE ELDA O W 60 S R7 I CE ELDA O W 70 S D DECODIFICADOR I CELDA O W 71 S I CELDA O W 72 S I W S I CELDA O W 61 S I CELDA O W 62 S I W S I CELDA 51 O W S I CELDA 52 O W S I W S I CELDA O W 41 S I CELDA O W 42 S I W S A1 A0 I CELDA O W 31 S I CELDA O W 32 S I W S I CELDA O W 21 S I CELDA O W 22 S I W S CELDA O W 11 S I I CELDA O W 12 S I W S CELDA O W 01 I I W S

I 1

I2

I3

CELDA 03 O

CELDA 13 O

CELDA 23 O

CELDA 33 O

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WE CS

CELDA 43 O

CELDA 53 O

CELDA 63 O

CELDA 73 O

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O0 O1 O2 O3

7. MemoriasSemiconductoras
Memorias SRAM (RAM estticas)
La anterior memoria, se puede representar del siguiente modo: Con el fin de reducir el nmero de patillas externas del p chip, se suelen utilizar terminales de entrada/salida comunes. Es posible, ya que cuando se lee de la memoria no se escribe, y cuando se escribe no se lee. Se puede hacer del siguiente modo:
R7 I
CELDA W 70 O

I0 A2 A1 A0

I1

I2

I3 CS WE

RAM 8x4 bits

O0 O1 O2 O3

I
CELDA W 71 O

I
CELDA W 72 O

I W S
CELDA 73 O

DECODIFICADOR
WE

A2 A1 A0

RAM 8x4 bits

CS WE

CS

D0 D 1 D2 D 3
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D0 D1 D2

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D3

7. MemoriasSemiconductoras
Memorias SRAM (RAM estticas)
Conexin de memorias RAM para aumentar el tamao de palabra (manteniendo el nmero de direcciones):
CS WE

A2 A1 A0

A2,1 A1,1 , A0,1

A2,2

RAM 1 8x4 bi bits

CS1 WE1

A1,2 , A0,2

RAM 2 8x4 bi bits

CS2 WE2

D0,1 D1,1 D2,1 D3,1

D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7

D0,2 D1,2 D2,2 D3,2

BUS de 8 bits

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7. MemoriasSemiconductoras
Memorias SRAM (RAM estticas)
Conexin de memorias RAM para aumentar el nmero de direcciones (manteniendo el tamao de la palabra):
CS WE A
3

A
2

A
2,1 21

A
2,2 22

A
1

CS A
1,1

CS
1

RAM 1 8x4 bits

WE

A
1,2

RAM 2 8x4 bits

WE

A
0

A
0,1

A
1 0,2

D
0,1

D
1,1

D
2,1

D
3,1

D
0,2

D
1,2

D
2,2

D
3,2

BUS de 4 bits

D D D D
0 1 2 3

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7. MemoriasSemiconductoras
Memorias DRAM (RAM dinmicas)
Celda RAM Mayor densidad de integracin, ya que se utiliza nicamente un transistor por celda. La capacidad slo puede almacenar informacin durante un tiempo del orden de ili d milisegundos, ya que el condensador d l d d acaba por descargarse. Es necesario volver a escribir la informacin (refresco de memoria). Se necesita circuitera adicional. Son ms lentas: durante el tiempo que dura el refresco de la memoria, no pueden ser ledas ni escritas escritas.
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7. MemoriasSemiconductoras
Tiempos de conmutacin de memorias RAM
Pasos a seguir para leer una direccin de una RAM: Aplicar la direccin binaria de la palabra que se desea leer. Activar la entrada de control CS.

Pasos a seguir para escribir una direccin de una RAM: Aplicar l di A li la direccin bi i d l palabra que se d i binaria de la l b desea l leer. Aplicar los datos que se desean escribir en las entradas de datos. Activar la entrada de control CS y WE.

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7. MemoriasSemiconductoras
Tiempos de conmutacin de memorias RAM
Seleccin de pastilla (CS)

Direccin (A i )

Entrada de datos (D j )

Habilitacin de escritura (WE) t WSD t WSA t WSCS tW t WHD t WHA t WHCS

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7. MemoriasSemiconductoras
Memorias ROM
Las memorias de solo lectura ROM (Read Only Memories) son aquellas en las que la informacin se almacena de forma permanente. Las memorias RAM son no voltiles, por lo que la informacin que almacenan no se perder cuando dichas memorias dejen de estar alimentadas. Al igual que las memorias RAM, son de acceso aleatorio (los tiempos de lectura y escritura son idnticos para todas las direcciones). Ya que los datos almacenados no han de cambiar, no es necesario almacenar los bits en biestables, y estas memorias pueden ensamblarse directamente a partir de circuitos combinacionales.

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7. MemoriasSemiconductoras
Matrices lgicas programables: Matriz OR programable

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7. MemoriasSemiconductoras
Matrices lgicas programables: Matriz AND programable. Notacin habitual

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7. MemoriasSemiconductoras
Memorias ROM
Una memoria ROM est formado por un conjunto fijo (no programable) de puertas AND conectadas como un decodificador, junto con una matriz programable AND a la salida.

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7. MemoriasSemiconductoras
Memorias ROM
Ejemplo de memoria ROM
m1 D0
Posicin de Memoria Direccin A2 A1 A0 D3 Datos D2 D1 D0

DECODIFICADOR (matriz AND) m0

(matriz OR)

m2
0 1 1 0 0 1 0 1

m0 m1 m2 m3 m4 m5 m6 m7

0 0 0 0 1 1 1 1

0 0 1 1 0 0 1 1

0 1 0 1 0 1 0 1

0 0 0 1 0 1 1 0

1 0 1 1 1 0 0 1

1 0 0 0 1 1 1 0

m3 A2 A1 A0

m0 m4 m5 m6 m0 m2 m3 m4 m7 m3 m5

D1

m4

D2

m5 D3

m6

m6

m7

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7. MemoriasSemiconductoras
Memorias ROM
Dos tipos de memoria ROM: ROM de mscara: Son programadas en el proceso de fabricacin. Se utilizan en grandes p g p g series. Su proceso de fabricacin es ms caro, pero se rentabiliza si se fabrica un nmero muy elevado de memorias ROM. ROM programables por el usuario: Se entregan con la matriz lgica programable intacta, y es el usuario final quien se encarga de programarlas. Ms econmicas para pequeas series.

Ejemplo d programador Ej l de d

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7. MemoriasSemiconductoras
Memorias EPROM (Erasable Programmable ROM)
Memorias ROM que pueden ser borradas y escritas nuevamente. A diferencia de las RAM, slo se pueden reprogramar un nmero limitado de veces. Adems, el proceso de borrado y reprogramado es mucho ms lento que en las memorias RAM. p g q

UV-EPROM Programacin Borrado Incovenientes

Elctrica

E2PROM
Elctrica

Flash
Elctrica

Exposicin UV Encaps transp a UV (caro) Borrado fuera del sist digital

Elctrico (individual) Borrado Lento

Elctrico (por bloques) ???

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7. MemoriasSemiconductoras
Memorias de acceso secuencial
En estas memorias, las operaciones de lectura y escritura se realizan en serie, es decir, siguiendo un orden secuencial. Existen dos tipos de memorias de acceso secuencial: Memorias FIFO (First input First output) Memorias LIFO (Last input First output)

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