2

I.

PAINEL FOTOVOLTAICO

Uma Clula Fotovoltaica (CF) basicamente um diodo semicondutor cuja juno p-n exposta a luz. Clulas fotovoltaicas so feitas de vrios tipos de semicondutores usando diferentes processos de manufatura. O sistema fotovoltaico converte, diretamente, luz solar em eletricidade. O dispositivo bsico do sistema fotovoltaico a CF [6]. As CF podem ser agrupadas para formar painis ou matrizes. A tenso e corrente disponvel nos terminais do dispositivo fotovoltaico pode alimentar diretamente pequenas cargas como sistema de iluminao e motores DC. Aplicaes mais sofisticadas requerem conversores eletrnicos. Esses conversores podem ser usados para controlar a tenso e corrente na carga, para controlar o fluxo de potncia na rede conectada e principalmente para manter o ponto de mxima potncia do dispositivo. A possibilidade de antecipar o comportamento de uma planta fotovoltaica em vrias condies de radiao, temperatura e carga muito importante para o dimensionamento da planta e seu conversor, bem como o projeto do seguidor de mxima potncia e a estratgia de controle [7]. Existem vrios mtodos na literatura para extrair os parmetros do painel. A maioria dos mtodos baseada em medies da curva I-V ou outras caractersticas do painel [7] [8] [9].

1.1. Modelo do mdulo fotovoltaico A clula ou mdulo fotovoltaico normalmente representado por um modelo exponencial simples ou exponencial duplo. O modelo exponencial simples apresentado na Figura 1 [1]. A corrente expressa em termos da tenso e outros parmetros como mostra a equao (1). Embora este modelo seja largamente empregado e aceito em simulaes e testes de mdulos fotovoltaicos, o modelo exponencial duplo mais preciso, porm sua soluo requer maior esforo computacional [5]. Neste trabalho adotado o modelo exponencial simples.

Figura 1: Circuito equivalente da clula fotovoltaica

Modelando o sistema da Figura 1 de acordo com [4], temos a seguinte equao:

( )

(1)

onde: : corrente da carga (A); : corrente fotogerada (A); : corrente do diodo (A); : corrente shunt (A); : corrente de saturao reversa do diodo (A); , : resistncia srie e shunt, respectivamente ();

: tenso da carga ( ); : Fator de qualidade da juno p-n; : Constante de Boltzmanns ( : Temperatura da juno ( ); : Carga do eltron ( ). );

A equao (1) implcita e no linear [5]. Alm disso, os parmetros ( ,

e ) variam com a temperatura e radiao e dependem da tcnica de

fabricao.

1.1.1. Determinao dos parmetros em condies padro de teste A potncia de sada de um painel fotovoltaico depende da radiao solar incidente, da temperatura da CF e da resistncia da carga. Os fabricantes fornecem tipicamente somente dados limitados de operao para painis fotovoltaicos, tais como: tenso de circuito aberto, corrente de curto circuito, corrente e tenso de mxima potncia, coeficientes de temperatura para tenso de circuito aberto e corrente de curto circuito, alm da temperatura da CF em operao nominal. Esses dados so fornecidos somente para uma condio padro de teste [11]. Essas condies produz alta potncia de sada, mas raramente so encontradas em condies reais. Diante desses dados possvel determinar os valores de referncia dos cinco parmetros da equao (1) para uma condio especificada de operao, e dessa forma, reproduzir a curva I-V fornecida pelo fabricante. Para determinar as cinco incgnitas da equao (1) necessrio o mesmo nmero de equaes contento essas variveis desconhecidas, que por sua vez so resolvidas simultaneamente a fim de obter os parmetros. Existem trs pontos chaves na curva I-V da CF: o ponto de curto circuito ( e ), o ponto de mxima potncia ( e e ). na equao (1) para o ponto de curto e )eo

ponto de circuito aberto ( Substituindo os valores de

circuito, obtm-se a primeira equao { } (2)

Repetindo o mesmo procedimento para os pontos de mxima potncia e circuito aberto, obtm-se duas outras equaes

(3)

} ) tem-se
)

(4)

Derivando a equao (1) com relao tenso ( { ( )

(

(5)

Substituindo os valores de

na equao Error! Reference source not

found. para os pontos de circuito aberto e curto circuito, possvel obter as duas equaes seguintes
| { ( | ) } ( | )

(6)

(7)

Uma sexta equao pode ser obtida se considerar que a potncia transferida da CF em qualquer ponto de operao dada por (8) Derivando a equao (8) em relao tenso ( ) (9)

Para encontrar o valor de

no ponto de mxima potncia, faz-se

substituindo este valor na equao (9), tem-se

(10)

Substituindo a equao (10) em (5), obtm-se

( )

(11)

Os parmetros (

e ) podem ser determinados empregando um

mtodo iterativo de soluo de equaes no lineares como Newton-Raphson para resolver as equaes anteriores. Os valores de | e | , , , ,

so obtidos atravs do datasheet do fabricante. As , , , e ) podem ser obtidas

condies iniciais dos parmetros (

atravs de expresses similares aquelas empregadas nos mtodos analticos [8] [10]. Tais equaes so apresentadas a seguir:

(12)

(13)

(14)

(15)

(16)

onde
|

1.1.2. Dependncia dos parmetros das condies de operao Como mencionado, os parmetros determinados na seo anterior referem-se a uma condio especfica de operao. Dessa forma, esses parmetros devem ser corrigidos para diferentes situaes de operao. Segundo [11], o fator de qualidade da juno p-n depende apenas da temperatura (em Kelvin) da CF e pode ser corrigido de acordo com a equao (17). (17) onde e so a temperatura da CF e o fator de qualidade da juno p-n e so a temperatura da CF e o

em condies padro de teste, enquanto

fator de qualidade para a nova condio de operao. A corrente de saturao no depende das condies de radiao, mas mostra forte dependncia com a temperatura, que pode ser aproximada como [12]

( onde

)]

(18)

a corrente de saturao em condies normais de teste e

energia da banda do semicondutor utilizado na CF.

A corrente fotogerada

aproximadamente uma funo linear da radiao

solar. De acordo com [11], a corrente fotogerada para quaisquer condies de operao [ onde , ( )] (19)

so o nvel de radiao solar incidente na placa e a corrente o coeficiente de

fotogerada em condies normais de teste. Finalmente, temperatura de corrente de curto circuito.

A resistncia srie influncia ligeiramente na curva I-V prximo ao ponto de mxima potncia [11]. Sendo assim, srie em condies normais de teste. A resistncia shunt controla a inclinao da curva I-V perto do ponto de . Onde a resistncia

curto circuito. Ela inversamente proporcional radiao absorvida [11].

(20)

Quanto temperatura da CF, a equao (21) usada para aproximar a temperatura da superfcie desta atravs da temperatura ambiente. Ento, sob condies arbitrrias de operao (radiao temperatura de trabalho da CF dada por (21) onde a temperatura normal de operao da CF definida como a e temperatura ambiente ), a

temperatura desta sob uma radiao solar de 800 W/m2, uma temperatura ambiente de 20C e uma velocidade do vento menor que 1m/s.

1.2. Validao do modelo implementado A fim de validar o modelo apresentado na seo 1.1, essa seo reproduz as curvas I-V do mdulo BP SX 120 atravs das caractersticas eltricas

fornecidas pelo fabricante no datasheet [13]. As curvas apresentadas na Figura 2 so fornecidas pelo fabricante juntamente com os dados apresentados na Tabela I.1.

Figura 2: Curvas I-V do mdulo BP SX 120 Tabela I.1 - Caractersticas eltricas do mdulo BP SX 120

Mxima potncia ( Tenso em Corrente em ( ( )

120W 33,7V

3,56 110W ) ) 3,87 42,1V (0,0650,015)%/C -(16010)mV/C -(0,50,05)%/C 472C

mnimo garantido Corrente de curto-circuito ( Tenso de circuito-aberto (

Coeficiente de temperatura de Coeficiente de temperatura de Efeito aproximado da temperatura sobre a potncia NOCT

10

Tenso mxima do sistema

600V

Os dados da Tabela I.1 representam o desempenho tpico do mdulo quando medido em seu terminal sem considerar o efeito de equipamentos adicionais como diodo e cabos. Tais valores foram obtidos sob condies nominais de teste: irradiao solar de 1kW/m2 e temperatura da clula de 25C. Aplicando as equaes apresentadas na seo 1.1.1 possvel determinar os parmetros ( , , , e ) para a condio padro de teste, a Tabela I.2

mostra os valores encontrados.

Tabela I.2 - Parmetros do mdulo BP SX 120 (S=1000W/m2 e Tc=25C)

3,871A 7,9672e-7A 0,3996 1.500,8 1,4776

Para determinar os parmetros para uma temperatura de clula diferente de 25C necessrio fazer a correo destes de acordo com as equaes da seo 1.1.2. As curvas I-V do mdulo BP SX 120 encontradas atravs do modelo descrito so apresentadas na Figura 3. Comparando com as curvas da Figura 2 verifica-se que o modelo capaz de reproduzir curvas muito prximas das obtidas atravs de ensaio.

11

Figura 3 - Curvas I-V do mdulo BP SX 120 obtidas com o modelo descrito

1.3. Modelo em regime permanente Devido caracterstica particular da CF necessrio desenvolver esquemas para extrair a potncia mxima do painel, que depende de vrios parmetros como foi apresentado. No entanto, uma CF tem um mdulo responsvel por atingir o ponto de operao correspondendo condio de mxima extrao de potncia. Este mdulo denominado seguidor de ponto de mxima potncia (Maximum Power Point Tracker - MPPT) [3]. Ele um conversor DC/DC controlado por um algoritmo adequado que possibilita o sistema fotovoltaico alcanar o ponto de mxima potncia. Basicamente, o sistema fotovoltaico consiste da matriz fotovoltaica conectada ao MPPT e um conversor DC/AC para conectar o sistema fotovoltaico a rede. Este sistema representado na Figura 4.

Figura 4: Configurao do sistema fotovoltaico

Adotando as seguintes premissas:

12

Todas as clulas do mdulo fotovoltaico so idnticas e elas trabalham com o mesmo nvel de radiao e na mesma temperatura; O mdulo fotovoltaico e o sistema MPPT no tem perdas; O mdulo fotovoltaico est sempre trabalhando no ponto de mxima potncia para uma dada condio de radiao solar e temperatura ambiente;

Se as condies de radiao solar e/ou temperatura ambiente mudar, o modelo instantaneamente muda seu ponto de mxima potncia; A temperatura da clula solar depende exclusivamente da radiao solar e da temperatura ambiente.

Sob estas hipteses, a sada do mdulo de mxima potncia

pode ser

estimada usando a temperatura ambiente e a radiao solar como entradas: [ Onde: : potncia mxima do mdulo nas condies padro de teste ( ); : variao mxima da potncia do mdulo com a temperatura ( ); ( )] (22)

Na prtica, as condies de operao do sistema fotovoltaico diferem das condies padro de teste. Ento, substituindo a equao (21) em (22), o ponto de mxima potncia da matriz fotovoltaica com N mdulos , portanto dado por: [ ( )] (23)

13

II.
[1]

Referncias
Katsanevakis, M.; Modelling the photovoltaic module, 2011 IEEE International Symposium on Industrial Electronics (ISIE), June de 2011, pp. 1414-1419.

[2]

J. A. Duffie; W. A. Beckman, "Solar engineering of thermal processes", John Wiley & Sons, 2nd Edition, 1991, ISBN 0-471-51056-4. C. C. L. Moreira, Identification and Development of Microgrids Emergency Control Procedures, Tese de D.Sc., FEUP, Porto Portugal, 2008.

[3]

[4] [5]

Lasnier, F. and Ang, T. G. (1990). Photovoltaic Engineering Handbook. Adam Hilger. C. M. J. A. Gow, Development of a photovoltaic array model for use in powerelectronics simulation studies, in Electric Power Applications, IEE Proceedings, vol. 146, pp. 193-200, March 1999. M.G. Villalva; J.R. Gazoli; E.R. Filho, Comprehensive Approach to Modeling and Simulation of Photovoltaic Arrays, in IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 24, No. 5, pp. 1198-1208, 2009.

[6]

[7]

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[8]

[9]

[10]

[11]

[12]

Azevedo G. M. S.; Cavalcanti M. C.; Oliveira K. C.; Neves F. A. S.; Lins Z. D.; Comparative Evaluation of Maximum Power Point Tracking Methods for Photovoltaic Systems. Journal of solar energy engineering, vol. 131, no. 3, pp. 031006.1-031006.8, Aug. 2009.

[13]

http://www.partsonsale.com/bpsx120. Acessado em 28/09/2012.