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Breakdown: moltiplicazione a valanga ed effetto tunnel

Nella precedente lezione si introdotto il concetto di tensione massima inversa sopportabile dalla
giunzione senza che scorra corrente in essa. Qui si intende approfondire la fisica del dispositivo quando si
in condizione di breakdown. Si noti, ancor prima di iniziare la discussione, che la condizione di breakdown
non distruttiva per il diodo, a meno che la potenza dissipata (cio tensione per corrente) in esso non superi
un valore limite oltre il quale gli effetti di riscaldamento dovuti alla dissipazione termica diventano
eccessivi.
La fisica del breakdown dipende da due meccanismi fisici distinti, che in taluni casi sono coesistenti nel
dispositivo. Essi sono leffetto di moltiplicazione a valanga e leffetto tunnel.
La moltiplicazione a valanga pu essere compresa considerando che un portatore libero che si venisse a
trovare nella zona di carica spaziale subisce leffetto del campo elettrico, che gli fornisce energia. Si
supponga dunque che ad esempio per effetto di generazione termica si sia generata una coppia lacuna
elettrone in zona di carica spaziale. Lelettrone viene accelerato dal campo verso il catodo, la buca verso
lanodo (si noti che la polarizzazione inversa). A bassi campi elettrici, i portatori vengono accelerati, ma
cedono successivamente la loro energia cinetica al reticolo scambiando con esso un quanto di vibrazione
reticolare (detto fonone). Man mano che la tensione inversa viene aumentata, man mano il campo elettrico
aumenta, dunque aumenta lenergia che il campo fornisce ai portatori. Quando si supera un certo valore di
campo elettrico, lo scambio di energia col reticolo tramite fononi diventa insufficiente e dunque lenergia
cinetica del portatore aumenta a tal punto che supera il valore del gap. In tal caso diventa possibile che il
portatore urtando il reticolo ceda ad esso una energia sufficiente a promuovere un eletrrone dalla banda di
valenza a quella di conduzione, fenomeno che prende il nome di ionizzazione per impatto. Si genera
dunque in questo caso una ulteriore coppia lacuna elettrone. Lelettrone uscente continua a discendere il
campo elettrico, ma la buca viaggia in direzione opposta. Qualora anchessa ionizzi, essa generer
unulteriore coppia lacuna elettrone. Lelettrone scender il campo, ionizzer a sua volta generando una
buca che risalir il campo e cos via. Si avr dunque una retroazione positiva allinterno del dispositivo.
Qualora la probabilit di ionizzazione sia sufficientemente elevata, il guadagno danello di questa
retroazione sar maggiore di uno e la corrente elettrica tender a divergere (di fatto sar limitata da altri
fenomeni, ad esempio effetti resistivi nelle zone neutre del semiconduttore).
Leffetto tunnel un effetto quantomeccanico e pu essere compreso solo considerando la caratteristica
ondulatoria dellelettrone. Si consideri dunque un diodo drogato in modo molto elevato.Lestensione della
zona di carica spaziale sar molto piccola.
Un elettrone in banda di valenza (dunque fisso, vincolato spazialmente ad un orbitale localizzato) vede
alla medesima sua energia, ma spazialmente separato dalla distanza x, vedi figura, degli stati in banda di
conduzione, dunque non localizzati spazialmente. Classicamente, cio considerando lelettrone come una
pallina, non c possibilit significativa che lelettrone possa spostarsi sullo stato libero, in quanto dovrebbe
superare un monte di energia pari al gap (la zona rossa nel disegno). Al contrario, da un punto di vista
quantistico, la probabilit che lelettrone si sposti a destra della barriera maggiore. Infatti la soluzione
dellequazione donda per un elettrone libero allenergia della banda di valenza d luogo ad una funzione
donda (x) oscillatoria a sinistra del vincolo, simile ad un esponenziale nella regione rossa e ancora
oscillatoria a destra della zona rossa. Va notato che questa non la vera funzione donda dellelettrone,
almeno per quanto riguarda la zona a sinistra, in quanto nella realt esso vincolato spazialmente, ma in
questa rappresentazione evidente come si possa considerare quantisticamente possibile il superamento
della barriera senza fornire energia allelettrone. La probabilit di superamento dipende sia dalla costante
caratteristica dellesponenziale che (esponenzialmente) dalla lunghezza della regione x. Ora la lunghezza
della regione x funzione sia del drogaggio che della tensione inversa applicata, come ovvio ricordando
le caratteristiche di un diodo in inversa. Di conseguenza, per alti drogaggi e tensioni inverse
sufficientemente elevate, elettroni in banda di valenza possono superare per effetto tunnel la barriera in
rosso nel disegno, e quindi essendo diventati mobili, possono produrre corrente elettrica. Dato che i campi
elettrici sono di norma elevati anche possibile che successivamente essi, nel muoversi, ionizzino per
impatto. Si avr cos la coesistenza dei due fenomeni che producono il breakdown.
Un punto importante da valutare la dipendenza dalla temperatura di V
B
. La presenza di due meccanismi
fisici diversi fa s che essa cambi a seconda della tensione di breakdown. Per tensioni piccole (<5V) la
dipendenza dalla temperatura negativa, cio al crescere della temperatura la tensione di breakdown
decresce: domina leffetto Tunnel. A tensioni di breakdown >5V, domina invece la moltiplicazione a
valanga e il coefficiente di temperatura positivo, tanto maggiore quanto maggiore la tensione di
Breakdown. Nel particolare caso V
B
5V, si ha una dipendenza (quasi) nulla dalla temperatura: questi diodi
possono essere cos impiegati come riferimenti di tensione stabili.
Fotodiodi e fotodiodi a valanga
Un altro impiego di un diodo operante in polarizzazione inversa quello di fotorivelatore. Si consideri
dunque un diodo in tali condizioni operative e su du esso si faccia incidere un fascio ottico. Come noto un
fascio ottico consiste in un flusso di fotoni ciascuno dei quali possiede unenergia che dipende dal colore
della luce:

hc
h E
ph

dove h la costante di Planck; c la velocit della luce; la frequenza della radiazione luminosa e la
lunghezza donda corrispondente.
Se lenergia del fotone maggiore di quella del gap: E
ph
>E
G
, il fotone pu essere assorbito dal materiale e
la sua energia utilizzata per promuovere un elettrone dalla banda di valenza a quella di conduzione. Si
dunque ottenuta una generazione di portatori liberi, in numero proporzionale al flusso ottico incidente sul
dispositivo. Se i portatori liberi sono stati generati otticamente nella zona di carica spaziale di un diodo, essi
subiranno linflusso del campo elettrico nella zona svuotata: gli elettroni si muoveranno in direzione
opposta alle buche e dunque la ricombinazione sar inibita in quanto elettroni e buche si troveranno
spazialmente separati fra loro. Inoltre il movimento di questi portatori, ciascuno dei quali trasporta una
carica elementare q, comporta linstaurarsi di una corrente di entit proporzionale allintensit ottica
incidente. In formula:
( ) ( )
ph
opt
ph d
E
P
q N q I
dove N
ph
il numero di fotoni incidenti nellunit di tempo; P
opt
la potenza ottica incidente e E
ph
lenergia
di un fotone. invece rappresenta la probabilit che un fotone che incide sul dispositivo venga assorbito in
zona di carica spaziale: questa quantit ovviamente zero per fotoni a lunghezza donda troppo elevata, in
quanto essi non sono in grado di fornire energia sufficiente per la generazione di una coppia elettrone
lacuna (il materiale a queste lunghezze donda trasparente) mentre alla altre lunghezze donda dipende sia
appunto dalla lunghezza donda della luce che dalla geometria del dispositivo stesso.
Prima di dare qualche indicazione sulla dipendenza di dalla geometria del dispositivo, vale la pena di
sottolineare che:
1. Per far funzionare correttamente un qualunque diodo che non debba rivelare la radiazione luminosa
occorre mantenerlo al buio (tipicamente questo ottenuto incapsulando il dispositivo in un contenitore
impermeabile alla luce);
2. Un fotodiodo pu essere considerato circuitalmente un generatore di corrente proporzionale al flusso
luminoso entrante, purch venga fatto operare correttamente polarizzato, cio mantenuto in condizioni
di polarizzazione inversa.
Diamo ora qualche indicazione sul valore di .
Lassorbimento della luce in silicio non un fenomeno di superficie, ma di volume: quando un fotone
incide sul semiconduttore ha una probabilit finita P(x) di essere assorbito in uno spessore x. La luce
residua, che non stata assorbita con probabilit 1 P(x), ha ancora probabilit P(x) di essere assorbita
nel successivo strato, e cos via. Di conseguenza, posto a 100 il numero di fotoni incidenti, nel primo strato
x ne verranno assorbiti 100 P(x), nel secondo 100 [1-P(x)] P(x) e cos via. Si riconosce dunque che
lassorbimento della luce in funzione della profondit avviene esponenzialmente. La costante caratteristica,
detta lunghezza di assorbimento, L
A
, funzione dellenergia dei fotoni cio della lunghezza donda della
radiazione, il suo colore.
Nel caso del silicio, la lunghezza donda corrispondente allenergia del gap intorno al micron, dunque nel
vicino infrarosso. Man mano la lunghezza donda diminuisce, man mano L
A
diminuisce: dellordine di
15 a 850nm, si riduce a molto meno di un micron allestremit violetta dello spettro visibile.
Se dunque si interessati a rivelare con efficienza elevata una radiazione nel vicino infrarosso, occorre fare
una zona di carica spaziale di estensione molto elevata, cosa che al contrario non di interesse se si vuole
misurare luce visibile di lunghezza donda inferiore. In tal caso, invece, molto importante fare la zona
svuotata il pi vicino possibile alla superficie del dispositivo.
Si supponga infatti (vedere figura) di dover rivelare luce di lunghezza donda elevata. Essa dar luogo ad
esempio al profilo di assorbimento della curva rossa. In tal caso, al fine di massimizzare larea della
funzione, occorre fare molto elevato lo spessore della zona di assorbimento (=svuotata), ma anche se tale
zona non giunge alla superficie non si ha una drastica riduzione dellarea. Al contrario, nel caso di una
lunghezza donda della luce incidente pi piccola, che corrisponde alla curva blu del grafico, non sar
necessario fare la zona svuotata molto estesa, ma se essa si allontana dalla superficie, si ha un calo drastico
dellarea, dunque del valore di .
Quando lintensit luminosa da rivelare molto piccola, pu convenire provvedere ad una prima
amplificazione della fotocorrente direttamente nel fotodiodo. A tal fine si pu ricorrere al fenomeno della
moltiplicazione a valanga. In tal caso, si porta la tensione applicata al fotodiodo nella prossimit della
tensione di breakdown. In tale situazione, si ha una probabilit significativa che un portatore fotogenerato
possa ionizzare per impatto, creando cariche secondarie e dunque un aumento della corrente misurata.
Ovviamente la tensione applicata non deve essere tale da portare il diodo al breakdown.
Diodi p-i-n
Si in precedenza fatto notare che in un diodo che debba resistere a tensioni inverse elevate necessario
rendere poco drogata almeno una delle zone di cui il diodo composto. Dato che una zona poco drogata
corrisponde ad una resisivit elevata del materiale, si deve considerare la presenza di una resistenza
0
0,02
0,04
0,06
0,08
0,1
0,12
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150
Profondit
D
e
n
s
i
t


d
i

p
r
o
b
a
b
i
l
i
t


d
i

a
s
s
o
r
b
i
m
e
n
t
o
parassita, in serie al diodo, non trascurabile. A sua volta questa resistenza insieme alla capacit di giunzione
pu introdurre un polo nel circuito, che risulter dunque pi lento. Al fine di evitare questo problema, ma
anche per realizzare fotodiodi con zone svuotate di dimensioni elevate, si pu ricorrere alla struttura p-i-n.
La struttura di un diodo p-i-n quella di un diodo, realizzato tipicamente con drogaggi elevati sia nella
zona n che in quella p, con una regione intermedia realizzata con silicio sostanzialmente intrinseco.
In tal caso facile rendersi conto che la dimensione della zona svuotata coincide in pratica con lestensione
della zona intrinseca, il campo elettrico costante in tale zona, la differenza di potenziale applicata al diodo
(in inversa), trascurando il potenziale intrinseco della giunzione, cade tutta sulla zona intrinseca. Di
conseguenza il campo elettrico nella zona intrinseca vale circa V
R
/ x
i
, con ovvio significato dei simboli, e la
tensione di breakdown vale:
i B
x E V
max

Facendo la zona intrinseca di estensione sufficientemente grande, si possono ottenere tensioni di rottura
estremamente elevate. Ad esempio, per avere V
B
=1kV, occorre fare una zona intrinseca di spessore
maggiore di circa 1kV/10
5
V/cm=10
-2
cm=100. Per esercizio, si valuti il drogaggio di una giunzione
unilatera che permetta di resistere a tali tensioni inverse, e se ne valuti la lunghezza della zona svuotata.
Una conseguenza di tale risultato che se si vuole costruire un fotodiodo a valanga con struttura p-i-n
(nella realt la struttura sar pi complessa, per motivi di rumore del processo di moltiplicazione)
ottimizzato per la rivelazione nel vicino infrarosso, occorrer impiegare tensioni di polarizzazione del
fotodiodo molto elevate.
Il diodo in polarizzazione diretta
Ci occuperemo ora del funzionamento del diodo quando la polarizzazione applicata tale da ridurre
laltezza della barriera di potenziale intrinseco della giunzione.
In tale caso, il numero di portatori maggioritari che sono in grado di superare la barriera di potenziale
aumenta in modo significativo e si stabilisce di conseguenza una corrente diretta di valore non
trascurabile.Per valutare quantitativamente lentit di tale corrente occorre stabilire sia il numero di
portatori in grado di superare la barriera sia le loro caratteristiche cinetiche, che dipendono, come vedremo,
dalla agitazione termica dei portatori medesimi. Cominciamo ad occuparci di questultimo problema.
Corrente di diffusione.
Si consideri la figura, dove ogni pallino rappresenta pittoricamente un portatore libero. La densit delle
cariche allascissa x sia (x) (cariche/cm
2
). Alla ascissa x+x essa sar (x+x).
In un tempo T si supponga che le cariche abbiano una probabilit pari a 2P di spostarsi di una quantit x.
Allora la quantit di cariche che si sposter a destra in un tempo T sar P(x) e quella che si sposter a
sinistra dallascissa x+x sar P(x+x). In totale dunque si sposter verso destra una quantit di carica
pari a:
P[(x) (x+x)]P{(x) [(x)+x(d(x)/dx)]}=Px(d(x)/dx)
Dove si impiegato uno sviluppo in serie di Taylor limitato al primo ordine. Dunque vi sar una densit di
corrente pari a
J=[Px(d(x)/dx)]/T=qD
n
(dn/dx) nel caso degli elettroni (-qD
p
(dp/dx) nel caso delle buche).
La costante D, detta coefficiente di diffusione, ha le dimensioni cm
2
/s ed tipica del materiale. Maggiori
informazioni in seguito, salvo notare fin dora che il coefficiente di diffusione delle buche circa 1/3 di
quello degli elettroni.
Ora possibile passare al diodo in polarizzazione diretta, dove appunto la corrente che circola dipende
dalla diffusione dei portatori.
Condizioni al contorno
Si consideri il disegno e si faccia riferimento per ora alla sola banda di conduzione.
Allequilibrio, la concentrazione degli elettroni in zona p vale n
i
2
/N
a
=N
d
exp(q
i
/kT).
Ora tuttavia laltezza della barriera si ridotta di una quantit V che la tensione applicata dallesterno. Di
conseguenza la quantit di portatori che pu superare la barriera e quindi la concentrazione di minoritari in
zona p vale:
N
p
(0)=N
d
exp[q(
i
V)/kT]
che si pu scrivere:
( )
,
_


,
_

,
_


kT
qV
N
n
kT
qV
kT
q
N n
a
i i
d p
exp exp exp 0
2

Se si suppone che, a distanza W


p
dal bordo della zona svuotata, la concentrazione dei minoritari sia quella
dellequilibrio (ci pu essere dovuto ad esempio dalla presenza di ricombinazione superficiale in
corrispondenza del contatto metallo-semiconduttore), si avr un gradiente di concentrazione di elettroni
nella zona p (e simmetricamente un gradiente di concentrazione di buche in zona n).
Soluzione della equazione di diffusione e corrente
Per risolvere lequazione della diffusione (che, si noti, se derivata nel caso generale una equazione
differenziale a derivate parziali essendo sia spazio- che tempo-dipendente) in questo caso particolare,
monodimensionale e di tempo-indipendenza, sufficiente ricordare che ad ogni sezione del dispositivo la
corrente la stessa (legge di Kirchhoff) quindi il gradiente di concentrazione resta costante lungo tutta la
distanza W
p
. Di conseguenza si avr una corrente:
( ) ( ) ( )
1
]
1


,
_

1 exp
0
2
kT
Vq
N
n
W
AqD
W
W n n
AqD I
a
i
p
n
p
p p p
n n
dove A rappresenta la dimensione della sezione del dispositivo. Si noti che il termine n
p
(0)-n
p
(W
p
)
rappresenta lincremento di elettroni diponibili per la conduzione e rappresentati nel disegno dalla regione
colorata in giallo.
Una simile equazione varr per la corrente di buche, che, si noti, scorrono in direzione opposta ma hanno
anche carica opposta agli elettroni, per cui le due correnti si sommeranno a dare luogo allequazione
fondamentale:
1
]
1


,
_

1 exp
kT
Vq
I I
s
dove

,
_

+
n d
p
p a
n
i s
W N
D
W N
D
Aqn I
2
che lequazione del diodo cosiddetto a base corta.