TEMA 7

TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO

(Guía de Clases)

Asignatura: Dispositivos Electrónicos I

Dpto. Tecnología Electrónica
 CONTENIDO

INTRODUCCIÓN

JFET: CURVAS CARACTERÍSTICAS

Símbolos de los JFET
Esquema básico de polarización
Curvas características

ZONAS DE FUNCIONAMIENTO
Región óhmica
Región de contracción
Región de saturación
Región de corte
Región de ruptura

EL TRANSISTOR MOS: ESTRUCTURA Y TIPOS

CURVAS CARACTERÍSTICAS

SÍMBOLOS GRÁFICOS

EL MOS EN CONMUTACIÓN

INVERSORES MOS Y CMOS

Transistores de efecto campo. Guía de clases pg. 1

INTRODUCCIÓN
Transistor de efecto de campo (FET) son dispositivos semiconductores donde el control de la corriente se
realiza mediante un campo eléctrico. Tienen las siguientes características:
- Dispositivo unipolar: un único tipo de portadores de carga
- Ocupa menos espacio en un circuito integrado que el bipolar, lo que supone una gran ventaja
para aplicaciones de microelectrónica
- Tienen una gran impedancia de entrada (del orden de MΩ)

Existen dos tipos de transistores de efecto campo:

- De unión: JFET o simplemente FET
- De puerta aislada: IGFET, MOS, MOST o MOSFET

Estructura de los JFET

- Barra semiconductora con contactos óhmicos en los extremos
- Puerta o elemento de control muy impurificado con portadores distintos a los de la barra
- Elementos: Fuente o surtidor (S), Drenador (D), Puerta (G), y Canal (región situada entre las dos
difusiones de puerta
- La tensión puerta surtidor (VGS) polariza inversamente las uniones

La corriente entre Drenador (D) y Fuente (S) se controla mediante el campo creado por la polarización
inversa aplicada a la puerta (G).

ANOTACIONES
Transistores de efecto campo. Guía de clases pg. 2

JFET: CURVAS CARACTERÍSTICAS

Símbolos de los JFET:

D D
G G

S S
Canal N Canal P

Esquema básico de polarización:

+
IG ID

VDS
+ VDD
IS
VGG VGS

_ _

Para canal P el esquema es idéntico con polaridades invertidas

ANOTACIONES
Transistores de efecto campo. Guía de clases pg. 3

Curvas características: ID = f (VDS, VGS)

Para VGS = 0:
• VDS pequeña (<VP ): Canal casi completamente abierto => resistencia pequeña y aproximadamente
constante => comportamiento aproximadamente lineal => REGIÓN ÓHMICA
• VDS cercana a VP : canal se va cerrando por un punto y la resistencia aumenta con la tensión =>
comportamiento no lineal => REGIÓN DE CONTRACCIÓN
• VDS > VP : La resistencia rds es grande y aproximadamente constante => JFET fuente de corriente =>
REGIÓN DE SATURACIÓN
• VDS muy elevada: Conducción inversa en las uniones, ID se dispara y se produce fácilmente la
destrucción del JFET => REGIÓN DE RUPTURA

ANOTACIONES
Transistores de efecto campo. Guía de clases pg. 4

ZONAS DE FUNCIONAMIENTO

ÓHMICA: |VDS| < ||Vp| - |VGS||

ID CONTRACCIÓN: |VDS| ≈ ||Vp| - |VGS||

SATURACIÓN: |VDS| > ||Vp| - |VGS||

VGS = 0

RUPTURA:
VDS elevada

|VGS|= |Vp|
VDS

CORTE: |VGS| > |Vp|

Región óhmica
Valores pequeños de VDS |VDS| < | |Vp| – |VGS| |

1 L
Resistencia óhmica: rds =
q. N D . µ n 2ac

Valores usuales de la resistencia: de 100 Ω a 100 KΩ -> rds > Rcesat (transistor bipolar)
ID = f(VDS) -> función lineal
Cada VGS define un valor de resistencia distinto

ANOTACIONES
Transistores de efecto campo. Guía de clases pg. 5

Región de contracción
|VDS| ≈ | |Vp| – |VGS| |
Al elevar VDS, ID deja de crecer linealmente -> se entra en la zona de contracción.

Cálculo de la tensión de contracción Vp

NA >> ND => wn ≈ w >> wp Vj = Vo + VI = (q ND w2)/(2ε)

2ε
w(x) = a – b(x) = (V + V ( x))
q. N D o

Si b = δ ≈ 0 (estrangulamiento) y Vo << V(x) entonces:

2ε
a=
q. N D
( )
Vp ⇒ Vp =
q. N D 2
2ε
a Vp es la VDS que provoca estrangulamiento (estrechez máxima)

en un punto (para VGS=0) o la VGS que corta completamente el canal.

Si VDD = 0 => ID = 0 => Vo + V(x) = |VGS|, independiente de x

2ε 2ε
2
⎛ b⎞
a−b= VGS ⇒ ( a − b) = VGS ⇒ VGS = ⎜ 1 − ⎟ V p
2

q. N D q. N D ⎝ a⎠

ANOTACIONES
Transistores de efecto campo. Guía de clases pg. 6

Región de saturación
|VDS| > | |Vp| – |VGS| |
La anchura mínima del canal es δ. Al aumentar más la tensión entre drenador y fuente VDS, δ permanece
constante y aumenta L’ y se entra en la zona de saturación.
2
⎛ VGS ⎞
I DS = I DSS ⎜ 1 − ⎟ ; siendo IDSS el valor de la corriente de saturación cuando la puerta está
⎜ ⎟
⎝ Vp ⎠
cortocircuitada con la fuente (VGS = 0 )

Región de corte
|VGS| ≥ |Vp| => IDS ≈ 0
El canal desaparece

Región de ruptura
Cuando la tensión drenador fuente VDS es muy grande y entonces la corriente de drenador se eleva mucho y
se llega a la destrucción del FET. |VDS| ≥ BVDS

ANOTACIONES
Transistores de efecto campo. Guía de clases pg. 7

EL TRANSISTOR MOS. ESTRUCTURA Y TIPOS

Los transistores de efecto campo de unión JFET estudiados hasta ahora presentan la característica de que
con VGS = 0, ID no es nula cuando VDS ≠ 0.

Los transistores de efecto campo de puerta aislada (de acumulación) tienen ID nula con VGS = 0, lo cual es
interesante para trabajar en conmutación. Estos transistores de efecto campo de puerta aislada se suelen
llamar MOS (Metal Oxide Sc) y tienen una impedancia de entrada elevada, del orden de 1010 ÷ 1015 Ω

MOSFET de acumulación de canal P

Tipos:
- Canal P -> sustrato N; impurificaciones P+
- Canal N -> sustrato P; impurificaciones N+

Construcción de la zona del canal

- Muy impurificada o enriquecida (enhacement) en los portadores de carga del sustrato -> MOS de
enriquecimiento o acumulación
- Poco impurificada o empobrecida (depletion) en los portadores de carga del sustrato (enriquecida en los
portadores de las impurificaciones de D y S) -> MOS de empobrecimiento o de deplexión

ANOTACIONES
Transistores de efecto campo. Guía de clases pg. 8

Curvas de salida: ID = f(VDS, VGS)

MOS de acumulación

Región de no saturación u óhmica: |VDS| < |VGS - VTH|

|ID| Región de contracción: |VDS| ≈ |VGS - VTH|

Región de saturación: |VDS| > |VGS - VTH|

|VGS|

|VDS|
|BV|
Región de corte: |VGS| < |VTH|
Tensión de ruptura

ANOTACIONES
Transistores de efecto campo. Guía de clases pg. 9

CURVAS CARACTERÍSTICAS

Es la representación de la corriente de drenador ID en función de la tensión entre la puerta y la fuente VGS

ID = f(VGS)

Con VDS constante se varía VGS y se observa ID , obteniéndose curvas diferentes para cada tipo de transistor:

Transistores enriquecidos (enhacement)

CANAL N CANAL P

ID VTH ID
VGS

VGS
VTH

|ID| = K (|VGS| - |VTH|)2 para |VGS| > |VTH|

K = 0’3 mA/V2

Transistores empobrecidos (depletion)

CANAL N CANAL P
ID
ID
Vp VGS

IDSS

IDSS
VGS
-Vp

ID = IDSS(1 - VGS/ Vp)2

ANOTACIONES
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SÍMBOLOS GRÁFICOS

Canal N Canal P

D D
EMPOBRECIDOS O
G DE DEPLEXIÓN G
(DEPLETION)
S S
D D
ENRIQUECIDOS O
G DE ACUMULACIÓN G
(ENHACEMENT)
S S
Otro tipo de símbolo:
D D
DEPLEXIÓN
G G
S S
D D
ACUMULACIÓN

G G
S S
En electrónica digital:

D D
ACUMULACIÓN

G G
S S

ANOTACIONES
Transistores de efecto campo. Guía de clases pg. 11

EL MOS EN CONMUTACIÓN

Se usa el transistor de acumulación. RL ocupa aproximadamente veinte veces más área en un circuito
integrado que el transistor.
Recta de carga: VDD = IDRL + VDS

+VDD

RL

+
D
G Vsal
+
Vent S
_ _

ID

VGS = VDD

V’’’GS > V’’GS

V’’GS > V’GS

V’GS > VTH

VGS = VTH
VDS
≈0 A +VDD

Vent Vsalida -> En lógica digital -> Vent Vsalida

0 +VDD punto A 0 1
+VDD ≈0 punto B 1 0

ANOTACIONES
Transistores de efecto campo. Guía de clases pg. 12

El circuito anterior es un inversor. Símbolos del inversor:

INVERSORES MOS Y CMOS

-VDD
+

Q2 VL = VDS2 = VGS2

_
INVERSOR CON TRANSISTOR DE CARGA
+ CON PUERTA UNIDA A DRENADOR

Q1
Vsal = VDS1
+
Vent = VGS1

_ _

Q2 actúa como la resistencia de carga y se llama FET de carga. Q2 está siempre en saturación
independientemente de Q1 => Q2 tiene siempre el canal formado.

ANOTACIONES
Transistores de efecto campo. Guía de clases pg. 13

ID2

VGS2 = -VDD

Lugar geométrico
donde VGS2 = VDS2

VGS2 = -VTH
VDS2 = VGS2
-VTH -VDD

ID1 = ID2

VGS1 = -VDD

A VGS1 = -VTH

VON -VDD + VTH -VDD VDS1 = -VDD - VDS2

Curva de carga: ID1 = f(VDS1) = f(-VDD – VDS2)

Vent Vsalida -> En lógica digital -> Vent Vsalida
0 -VDD + VTH punto A 0 1
-VDD - VON punto B 1 0

ANOTACIONES
Transistores de efecto campo. Guía de clases pg. 14

-VDD

Q2

INVERSOR CON MOS DIFERENTES

+ (ACUMULACIÓN Y DEPLEXIÓN)

Q1
Vsal = VDS1
+
Vent = VGS1

_ _

VDD

S2
G2
Q2 (PMOS)

D2
INVERSOR CMOS
+ + (MOS DE SIMETRÍA COMPLEMENTARIA)
D1
G1
Q1 (NMOS)
Vent Vsal
S1

_ _

a) Vent = 0 => Q1 está en corte y Q2 en estado de conducción

VGS1 < VT y |VGS2| > |VT| => Vsal ≈ VDD
b) Vent = VDD => Q1 en estado de conducción y Q2 en corte
VGS1 > VT y |VGS2| < |VT| => Vsal ≈ 0

ANOTACIONES