CM Cap 5 Mai 2012 Propriedades CM Bergmann Vania 1

1
Captulo 5 Captulo 5 --
Relao entre Relao entre
Estrutura e Estrutura e
Propriedades Propriedades
Prof. C. P. Bergmann Prof. C. P. Bergmann DEMAT DEMAT -- EE EE UFRGS UFRGS -- 2011 2011
Cincia dos Materiais-DEMAT-EE-UFRGS
5. RELAO ENTRE ESTRUTURA E 5. RELAO ENTRE ESTRUTURA E
PROPRI EDADES PROPRI EDADES
55--1 INTRODUO 1 INTRODUO
55--2 PROPRIEDADES MECNICAS 2 PROPRIEDADES MECNICAS
55--3 PROPRIEDADES ELTRTICAS 3 PROPRIEDADES ELTRTICAS
55--4 PROPRIEDADES TRMICAS 4 PROPRIEDADES TRMICAS
55--5 PROPRIEDADES MAGNTICAS 5 PROPRIEDADES MAGNTICAS
55--6 PROPRIEDADES TICAS 6 PROPRIEDADES TICAS
55-- 1 I NTRODUO 1 I NTRODUO
Os materiais apresentam aplicabilidade limitada devido seu
comportamento frente as propriedades de interesse
APLICAO COMPORTAMENTO
ESTRUTURAL mecnico: RM, E, o
y
, ductilidade
TRMICA trmico: k, C
P
, C
V
, o
ELTRICA eltrico: R, o, semi-conduo, isolante,
ferroeltrico, piezoeltrico
TICA tico: transparente, opaco, translcido
MAGNTICA magntico:
r
, _
m
, diamagntico,
paramagntico, ferromagntico,
ferrimagntico, antiferromagntico
Propriedades de interesse na utilizao de materiais
55-- 1 I NTRODUO 1 I NTRODUO
OBJETIVO OBJETIVO
Compreender a engenharia pela relao
ESTRUTURA PROPRIEDADES
PROCESSO DE FABRICAO
CINCIA DOS MATERIAIS
Apresentar as principais propriedades de materiais
Relacionar propriedades com estrutura
Cincia dos Materiais
ESTRUTURA
- ATMICA
- CRISTALINA
- MICRO-
ESTRUTURA
- MACRO-
ESTRUTURA
MECNICAS
FSICAS
QUMICAS
FUNDIO
LAMINAO
EXTRUSO
METALURGIA DO P
PRENSAGEM
COLAGEM
2
55-- 2 PROPRI EDADES MECNI CAS 2 PROPRI EDADES MECNI CAS
5.2.1 INTRODUO 5.2.1 INTRODUO
5.2.2 DIAGRAMA TENSO X DEFORMAO 5.2.2 DIAGRAMA TENSO X DEFORMAO
5.2.3 RELAO COM A ESTRUTURA 5.2.3 RELAO COM A ESTRUTURA
5.2.3.1 DUREZA 5.2.3.1 DUREZA
5.2.3.2 FADIGA 5.2.3.2 FADIGA
5.2.3.3 FLUNCIA 5.2.3.3 FLUNCIA
5.2.3.4 IMPACTO 5.2.3.4 IMPACTO
carga aplicada - trao
- compresso
- cisalhamento
forma de aplicao varivel com o tempo
tempo de aplicao - curto
- longo
condies do meio - constante com o tempo
- temperatura
- umidade
5.2.1 I ntroduo 5.2.1 I ntroduo
Diagrama o x c
Fadiga
Impacto
Fluncia
Fluncia
Fadiga esttica
Fadiga trmica
PROPRIEDADES MECNICAS: comportamento do material quando sujeito esforos
mecnicos: capacidade de resistir a estes esforos sem romper e sem se deformar de
forma incontrolvel estabelecidas por ensaios
5.2.2 Diagrama tenso x deformao 5.2.2 Diagrama tenso x deformao
RESISTNCIA TRAO
Medida submetendo-se o material uma carga ou fora de trao
crescente, que promove uma deformao progressiva de aumento de
comprimento do CP.
Diagrama tenso x deformao (tpico em metais)
CURVAS o x c CARACTERSTICAS DE METAIS, POLMEROS E
CERMICOS
Cermicos Flexo
Mquina de ensaios
Duct ilidade
Elongao(%)= ((lf-lo)/lo) x 100
Def. Elstica
Def. Plstica
max
o
ruptura
escoamento
Resilincia Tenacidade
Informaes importantes a partir do diagrama o x c
Mdulo de
resilincia
Ur= oy
2
/2E
Energia
absorvida at a
ruptura
Mxima
tenso=F/Ao
Tenses > oescoamento
Irreversvel (tomos deslocados
permanentemente de suas posies)
No desaparece quando a tenso
removida
Curva de engenharia e verdadeira
Precede def.
plstica
reversvel:
desaparece quando a
tenso removida
praticamente
proporcional tenso
aplicada (lei de Hooke)
Capacidade de ummaterial resistir
deformaoplstica
Na curva a, no observa-se nitidamente o
fenmeno de escoamento, a tenso de
escoamento corresponde tenso necessria
para promover uma deformao permanente
de 0,2%.
Na curva b , o limite de escoamento bem
definido (o material escoa- deforma-se
plasticamente- sem praticamente aumento da
tenso). Oserrilhado ocorre dev ido interao
entre tomos de soluto (no caso dos aos, C e
N principalmente) e as discordncias, ainda
em pequeno nmero. Principalmente em
metais recozidos.
Resistncia ao escoamento escoamento
No ocorre
escoamento
Escoamento Lei de Hooke: = E cc
3
11
aa
REGI O DO DI AGRAMA REGI O DO DI AGRAMA oo xx cc
Regio elstica:
Deformao elstica
Mdulo de elasticidade
Coeficiente de Poisson
Mdulo de Cisalhamento
5.2.2.1 Regio elstica
COEFICIENTEDE POISSON
Qualquer elongao ou compresso de uma
estrutura cristalina em uma direo produz um
ajustamento nas dimenses perpendiculares
direo da fora. Depende da rigidez do material.
= -cx/cz
E= 2 G (1 + ) MDULO DE CISALHAMENTO
Tenses de cisalhamento produzem deslocamento de um
plano de tomos em relao ao plano adjacente . Relao entre a
tenso de cisalhamento e a deformao elstica de
cisalhamento.
Mdulo de elasticidade E= o/ c (GPa)
5.2.2.1 Regio elstica Quanto maior o E, mais rgido o material ou
menor a sua def. elstica para uma dada tenso
Relao com nveis da estrutura
-Atmica energia de ligao
-Cristalina densidade plana/linear
-Microestrutural homogeneidade
e imperfeies
Polmeros
(a) Aumento do comprimento das ligaes
(b) Endireitamento das ligaes
Mx Mn Aleatrio
Al CFC 75 60 70
Au CFC 110 40 80
CoHC 195 70 110
FeCCC 280 125 205
WCCC 345 345 345
E (GPa) Cristais Inicos
Mx Mn Aleatrio
MgOCFC 341 249 315
NaCl 33 44 37
E (GPa) Cristais Metlicos
Microestrutura
DEFORMAOPLSTICA
Estrutura cristalina
Energia de ligaes
E=E0(1-1,9P+0,9P2)
POROSIDADE
Exemplos:
whiskers em cermicos
areia no asfalto, fibra empolmero
segunda fase de grosfinos
metlicos emumuma matriz metlica
REFOROPOR FIBRAS Efibra = ofibra
Ematriz omatriz
ISOTROPIA / ANISOTROPIA
RELAODEE COM TEMPERATURA
Fe
Cu
Al
Mg
No modifica o E
do material (apenas
aductilidade)
E1 = E2 = E3 = E4 = ...E9
METAIS CERMICOS
[GPa]
Magnsio 45
Al umnio 69
Lato 97
Ti tnio 107
Cobr e 110
N quel 207
Ao 207
Tungstnio 407

E de alguns metais
CRISTAIS DEFORMAM-SE PELO DESLIZAMENTO DE PLANOS
CRISTALINOS EM RELAO AOS DEMAIS. Escala microscpica:
deformao plstica resulta do movimento dos tomos devido tenso
aplicada. Durante este processo ligaes so quebradas e outras refeitas.
22
aa
Regio plstica:
Deformao plstica
Resistncia mxima
Ductilidade
Ponto de ruptura
1
a
Hiptese: ruptura simultnea das ligaes. Aresistncia mecnica seria
extremamente elevada comparada obtida na prtica (1000 x!).
2
a
Hiptese: deslizamento de planos at a ruptura.
QUESTO FUNDAMENTAL: COMO OS MATERIAIS DEFORMAM (e ROMPEM)?
metais podem ser solicitados por
trao, compresso ou cisalhamento,
que podem ser decompostas em tenses
de cisalhamento puras. Cristais
apresentam menor resistncia ao
cisalhamento que trao e
compresso, logo esta a solicitao
responsvel pela deformao destes
materiais.
3a Hiptese: O DESLIZAMENTODEPLANOSCRISTALINOS FACILITADOPELO
MOVIMENTODEDISCORDNCIAS: resistncia mecnica da mesma ordem de
grandeza da prtica!
No entanto, a resistncia mecnica ainda bastante elevada (E/20!). Metais
no so to resistentes. Outro mecanismo!
Monocristal
TENSO CRTICADE CISALHAMENTO
Odeslizamento ocorre mais facilmente ao longo de certas direes e planos
MAIS POVOADOS. O NMERO DE SISTEMAS (plano + direo) VARIA COM
AESTRUTURA CRISTALINA
5.2.2.2 Regio Plstica
Exerccio 1: Calcule a tenso tangencial resolvida no sistema de deslizamento (111)[011] de uma clula unitria de um monocristal CFC
de nquel, quando aplicada uma tenso de 13,7 MPa segundo a direo [001] da clula unitria.
5.2.2.2 Regio plstica
Deslizamento em monocristal
Soluo:
Clula unitria CFC onde est aplicada uma tenso de traosegundoa direo [001], que originauma tenso tangencial
resolvida no sistema de deslizamento (111) [011]
Na figura: = 45 Sistema cbico: [hkl] direo plano (hkl) Direo normal ao plano (111), o plano de deslizamento [111]
cos| = a = 1 ou | = 54,74
a 3

3
tr = o cos cos| =
tr = (13,7MPa) (cos45) (cos 54,74)
tr = 5,6MPa
4
MOVI MENTO DE DI SCORDNCI Aemcunha origina umdegrau unitrio de deslizamento.
Mecanismo de deslizamento associado a discordncias
Mista
Discordncia mista em um
cristal. Discordncia AB:
hlice quando entra no
cristal, e cunha quando sai
Cunha
Hlice
Nos metais deformados plasticamente cerca de 5% da energia
retida internamente, o restante dissipado na forma de calor. A maior
parte desta energia armazenada est associada s tenses devido s
discordncias. Presena de discordncias promove uma distoro da
rede cristalina: algumas regies ficam compridas e outras
tracionadas.
IMPORTNCIA PARA AS PROPRIEDADES MECNICAS
DENSIDADES DE DISCORDNCIAS TPICAS
Materiais solidificados lentamente = 10
3
discord./mm
2
Materiais deformados= 10
9
-10
10
discord./mm
2
Materiais deformados e tratados termicamente= 10
5
- 10
6
discord./mm
2
Campos de deformao em torno (a) de uma discordncia em cunha (b) de uma
discordncia emhlice
REPULSO
ATRAO
Odeslizamento facilitado pelo movimento de uma discordncia. A
ENERGIA(E) necessria depende:
- comprimento da discordncia (l)
- mdulo de cisalhamento (G)
- quadrado do vetor de deslizamento(b
2
)
ElGb
2
Discordncias mais sujeitas gerao e expanso, para propiciar a
deformao plstica, esto associadas ao MENOR valor de b (MAIOR
densidade linear) e MENOR valor de G(MAIOR densidade atmica planar).
PLANOS MAIS COMPACTOS NAS DIREES MAIS COMPACTAS
- Regio onde encontra-se a
discordncia dei xa a rede
comprimida
- Regio abaixo da discordncia a
rede fica tracionada
- Quando a tenso de
cisalhamento aplicada, planos
interatmicos so deslocados at
quebrar, forma-se um novo plano
atmico no cristal
Oserrilhado (ex.: metais recozidos) ocorre devido interao entre
tomos de soluto (no caso dos aos, C e N principalmente) e as
discordncias. Quando a tenso atinge um nvel suficiente para vencer
as barreiras (bandas de Lders ou linhas de distenso) que retm as
discordncias, define-se o limite de escoamento superior. A tenso
ento cai at o limite de escoamento inferior. A faixa se propaga ao
longo do corpo, causando alongamento durante o escoamento. Durante
esta propagao, outras barreiras aprisionam as discordncias, exigindo que a tenso
novamente venha a subir e assim sucessivamente, gerando o serrilhado.
Cincia dos Materiais-DEMAT-EE-UFRGS Cincia dos Materiais-DEMAT-EE-UFRGS
MACLAGEM OU MACLAO
Outro mecanismo, menos comum: maclas . Deformao plstica em metais CFC, como o cobre, comum ocorrer por maclao.
Produo de maclas: uma fora cisalhante age ao longo do contorno de gro,
causando o deslocamento de tomos para novas posies.
Uma parte da rede atmica deforma-se originando a sua transformao a
imagem, numespelho plano, da parte no deformada da rede que lhe fica adjacente.
PLANO DE MACLA: plano cristalogrfico que separa as regies deformada e no
deformada da rede.
DIREO DE MACLAGEM: direo especfica em que ocorre a maclagem.
tomos se movem em distncias proporcionais s
respectivas distncias ao plano de macla
deslizamento MACLAGEM
estrutura cristalina
microestrutura
Contorno de maclas interfere no escorregamento e | RM
Diferena bsica entre o efeito do deslizamento e da maclagem
na topografia da superfcie de um material metlico deformado.
Deformao plstica em materiais cermicos 5.2.2.2 Regio plstica
Cermicos cristalinos em elevadas temperaturas:
necessidade de cinco sistemas de deslizamento ativos
Ex. Al2O3 disponvel a 1550C
Plano no NaCl onde os
ons esto alinhados
(pode ocorrer
deslizamento).
Dificuldade de
deslocamento em
cermicos com
carter inico
(repulso).
Cermicos no-cristalinos (amorfos):
-estrutura atmica no regular
-- deformam-se como um fluxo viscoso semelhante aos lquidos
Representao de um fluxo viscoso de um lquido ou fluido
vtreo em razo de uma fora aplicada.
Plano no MgO mostrando a direo de cisalhamento
A deformao plstica ocorre por deslizamento das cadeias moleculares umas
sobre as outras, quebrando e refazendo as foras de ligao secundrias
apolares.
Deformao plstica em materiais polimricos
Curvas de tenso x deformao do
polimetacrilato de metilo, obtidas em ensaio de
trao realizados a vrias temperaturas . A transio
dctil/frgil ocorre entre 86 e 104C.
Ausncia de deformao
plstica
Deformao plstica
Curvas de tenso x deformao da borracha
natural vulcanizada e no-vulcanizada. A
formao de ligaes cruzadas entre as cadeias
polimricas pelos tomos de enxofre aumenta a
resistncia mecnica da borracha vulcanizada.
REFORO POR AUMENTO DE
CRISTALINIDADE
Curvas de tenso x deformao do
polietileno expandido de baixa e alta
densidade. O polietileno de alta
densidade mais resistente, porque
tem maior grau de cristalinidade.
REFORO POR LIGAES CRUZADAS
5
Curva da resistncia mecnicaem funoda temperatura
para diferentes materiais
Cincia dos Materiais-DEMAT-EE-UFRGS Cincia dos Materiais-DEMAT-EE-UFRGS
EFEITO DA TEMPERATURA
Exemplo em cermicos: alumina
EFEITO DA POROSIDADE
33
aa
OCORREDE MANEIRA DCTIL OU FRGIL E DE FORMADIFERENCIADA PARA CADATIPO DE MATERIAL
5.2.2.3 Ruptura
METAIS: Ocorre, normalmente de maneira dctil: h um aviso do
material antes do rompimento.
Afratura dctil pode ser:
-transgranular (crescimento plstico fratura em taa ou cone)
-intergranular (presena de vazios nos contornos de gro)
-cisalhamento
-formao de um pescoo (deformao plstica)
Afratura frgil (geralmente T muito baixas):
-clivagem
-intergranular
Etapas da formao de uma fratura dctil em taa e cone. Fissurao interna
na zona de estrico de um corpo policristalino de cobre de elevada pureza.
FRATURADCTIL TRANSGRANULAR
CERMICOS: Tipicamente frgil
Transgranular Intergranular
Dctil Frgil
OBSTRUO DO DESLIZAMENTO por:
1. Solubilizao de um segundo elemento na rede
2. Precipitao de uma segunda fase
3. Contorno de gro
4. Deformao plstica (excesso de discordncias)
5.2.3 Controle Propriedades Mecnicas 5.2.3 Controle Propriedades Mecnicas
Controle do deslizamento = controle de propriedades mecnicas
- movimento de discordncias dificultado
- segundo elemento a barreira para tal movimento
- maior a quantidade, maior o efeito
- quanto maior a diferena de tamanho de tomos, mais
acentuado o efeito
INTERAO DE DISCORDNCIAS EM SOLUES SLIDAS
Quando um tomo de uma impureza est presente, o movimento da discordncia
fica restringido, ou seja, deve-se fornecer energia adicional para que continue
havendo escorregamento.
solues slidas de metais so sempremais resistentes que metais
puros de seus constituintes
6
- Presena de um ELEMENTO INTERSTICIAL /
SUBSTITUCIONAL reduz a mobilidade de movimento de
discordncias aumenta a resistncia mecnica
-Discordncia: regiescomprimidas e regies tracionadas
- Elemento intersticial compensa a regio tracionada,
aumentandoa resistncia mecnica;
-Elemento substitucional maior
compensa a regio tracionada,
- Elemento substitucional menor
compensa a regio comprimida,
- Para deformar o material com o segundo elemento
necessita-se de maior energia. Levando ao aumento da
resistncia ao escoamento
Resistncia ao escoamento do metal puro
SOLUES SLIDAS SO MAIS RESISTENTES
QUE O METAL PURO
2. Precipitao de uma segunda fase
- movimento de discordncias dificultado
- segunda fase a barreira para tal movimento
- maior a quantidade, maior o efeito
- comportamento similar a presena de um segundo elemento na rede
Resistncia ao
escoamento do
metal puro
Aumento da resistncia
ao escoamento do metal
devido precipitao de
uma segunda fase |
devido formao de
uma soluo slida o
MICROESTRUTURAS POLIFSICAS SO
MAIS RESISTENTES QUE O METAL PURO
Efeito da adio de P em uma ligaAl-Si. (a) Si primrio, grosseiro
e (b) Si primrio refinado com fsforo.
Efeito do contedo de silcio e
modificao da tenso de trao e %
elongao para uma liga silcio-
alumnio
O contorno de gro interfere no movimentodas discordncias. Devido s diferentes orientaescristalinas presentes,
resultantes do grandenmero de gros, as direes de escorregamento dasdiscordncias variamde gropara gro.
3. Contorno de gro
o
y
= o
o
+ k . d
-1/ 2
k - constante do material
oy - resistncia ao escoamento
oo - resistncia inicial
d - dimetro mdio do contornode gro
o
y
o
o
d
-1/ 2
EQUAO DE HALL PETCH
menor tamanhode gro, mais descontinuidades para
travar o movimento de discordncias
gros adjacentestem diferentes orientaes
cristalogrficas
devido formao de
euttico
4. Deformao plstica
ENCRUAMENTO E MICROESTRUTURA
Antes da deformao
Depois da deformao
%CW= % de trabalho a frio
Ao = rea inicial
Af = rea final
% CW = [ (Ao - Af )/ Ao] * 100
QUANTIFICAO DA DEFORMAO PLSTICA
-a existncia de muitas discordncias impede o movimento de outras
(encruamento)
-- pode-se ter tantas discordncias que nenhuma se move e o
material rompe de forma frgil
- movimentao de discordncias aumenta a resistncia
deformao plstica
- durante a movimentao de discordncias, ocorre a multiplicao
das discordncias
o fenmeno no qual um material endurece devido
deformao plstica (realizado pelo trabalho frio)
Esse endurecimento d-se devido ao aumento de
discordncias e imperfeies promovidas pela deformao, que
impedem o escorregamento dos planos atmicos
medida que se aumenta o encruamento maior a fora
necessria para produzir uma maior deformao
Oencruamento pode ser removido por tratamento trmico
(recristalizao)
7
Deformao a frio em funo da tenso de
ruptura e extenso at a fratura do Cu.
4. Deformao plstica
Deformao a frio em funo da tenso de
ruptura e extenso at fratura da liga 40%Cu
30%Zn.
4. Deformao plstica ENCRUAMENTO E MICROESTRUTURA
MECANISMO QUE OCORRE NO AQUECIMENTO DE UM MATERIAL ENCRUADO
ESTGIOS:
RECUPERAO
H um alvio das tenses internas armazenadas durante a deformao devido ao
movimento das discordncias resultante da difuso atmica. Reduo do nmero de
discordncias e seu rearranjo.
depois da recuperao, os gro ainda esto um pouco tensionados
diminuio da dureza. Cristais plasticamente deformados tem mais energia que os
no deformados, devido a presena de discordncias e imperfeies
tomos se reacomodam sob temperatura elevada, atravs de recozimento
ocorre um rearranjo dos tomos em gros menos deformados em temperaturas
elevadas, a recristalizao, com o crescimento do gro
o nmero de discordncias reduz ainda mais e as propriedades mecnicas voltam
ao seu estado original
Atemperatura de recristalizao dependente do tempo e est entre 1/2 e 1/3 da
temperatura absoluta de fuso
RECRISTALIZAO - (Processo de Recozimento para Recristalizao)
CRESCIMENTO DE GRO
Depois da recristalizao se o material permanecer por mais tempo em temperaturas
elevadas o gro continuar crescer
Em geral, quanto maior o tamanho de gro mais mole o material e menor sua
resistncia
TEMPERATURAS DE RECRISTALIZAO
Chumbo - 4C
Estanho - 4C
Zinco 10C
Alumnio de alta pureza 80C
Cobre de alta pureza 120C
Nquel 370C
Ferro 450C
Tungstnio 1200C
Deformao a quente: quando a deformao mecnico
realizado acima da temperatura de recristalizao do
material.
Deformao a frio: a baixo.
5.2.4 Relao com a estrutura 5.2.4 Relao com a estrutura
5.2.4.1 Dureza
Medida da resistncia penetrao (ou ao risco). Varia com o mtodo empregado (propriedade emprica).
Metais: mede-se profundidade e largura da identao. Cermicos: mede-se microfissuras da identao.
Material Dureza Knoop
Diamante 7000
B4C 2800
SiC 2500
WT 2100
Al2O3 2100
Quartzo (SiO2) 800
Vidro 550
Falha que ocorre em estruturas submetidas a tenses dinmicas(cclicas) e flutuantes (trao,
compresso, toro). Ocorre aps determinadonmero de ciclos em tensesinferiores a
tenses estticas suportveis. Ocorrem em eixos, barrasde ligao, engrenagens, etc. Variao
da tenso com o tempo: (a) tenses contrrias; (b) tenses repetidas; (c) tenses aleatrias.
5.2.4.2 Fadiga
ENSAI OPARA DETERMI NAO DARESI STNCI AFADI GA
FATORES QUE AFETAM A RESISTNCIA FADIGA
1. Concentrao de tenso: a resistncia fadiga reduzida por
concentradores de tenso como: entalhes; irregularidades; poros.
2. Ambiente: o ataque ou interaes de natureza qumico acelera a
velocidade com que a trinca de fadiga se propaga: UMIDADE para
cermicos
8
INCIO em pontos de concentrao de tenso: incluses, porosidade acentuada, defeitos de solidificao, como segregao,
concentrao de defeitos na estrutura cristalina devido a processos de conformao e pontos de corroso.
5.2.4.2 Fadiga
Elementos de
nucleao de trincas
em componentes
sujeitos a esforos
cclicos e
concentradores de
tenso esto na parte
inferior
PROPAGAO FASE I: aps aplicao de um determinado nmero
de ciclos de carregamento, formam-se extruses e intruses, onde
intensa a concentrao de tenses. Taxa de crescimento de trinca:
muito baixa (10
-10
m/ciclo).
PROPAGAOFASE II: ocorre a propagaode uma trinca bem
definida com velocidadeelevada (ordem de m), surgindo estrias
com o avano da trinca. Taxa de crescimento de trinca: muito
elevada!
FRATURAFINAL (CATASTRFICA!): trinca percorreu uma rea
suficiente e o material no consegue suportar a carga aplicada,
ocorre a fratura.
Cobre:: extruses e intruses na superf cie
MATERIAISCERMICOS: no deformao plstica, no h
deslizamentode planos h baixastemperaturas. No entanto, devido
baixa resistncia a esforos trativos (concetradores de tenso) os
materiais cermico podem romper por esforpos cclicos
(mecanismos?).
FADIGATRMICA: corpo slido aquecidoe resfriado: oo = = oo E E AATT
5.2.4.2 Fadiga Mecanismos de Reforo em Materiais Cermicos
Distribuio da temperatura e
tenso para uma amostra
submetida a fadiga trmica.
FADIGAESTTICA: rompimento do material sob um estado de
tenses constante, durante um certo tempo em ambientes midos.
Visualizao de um mecanismoalternativopara explicar a
influnciada umidade no crescimento subcrtico de trincas.
FLUNCIA: Material submetido a uma carga ou tenso
constante pode sofrer uma deformao plstica ao longo do
tempo. Variao do comprimento do corpo-de-prova ao longo
do tempo em funo do tempo.
Curva de FLUNCIA: 3 estgios
I - Alongamento inicial instantneo do corpo-de-prova: taxa de fluncia
diminui ao longo do tempo;
II Inclinao da curva de fluncia a taxa de fluncia, que constante
nesta fase;
III Taxa de fluncia aumenta rapidamente com o tempo at a ruptura
5.2.4.3 Fluncia
DEFORMAO AALTASTEMPERATURAS: Acima de temperaturas
em que os tomos iniciam o movimento de difuso O contorno de
gro uma ponte de fraqueza para o material.
Trao numa direo, contrao na outra. tomos ao longo dos
contornos verticais so aglomerados; tomos ao longo dos contornos
horizontais sofrem aumento no seu espaamento. Ocorre a difuso dos
contornos verticais para os horizontais e o efeito global a mudana na
forma do metal.
Gros menores, maior rea de contorno, fluncia mais rpida: existem
mais alapes para os tomos ao longo dos contornos horizontais e mais
fontes de tomos de contornos verticais
Materiais de granulometria fina as distncias de difuso so bem
menores.
Este mecanismo no ocorre a bai xas temperaturas, pois o movimento dos
tomos so desprezveis
Temperatura onde ocorre desses efeitos do tamanho de gro funo do
tempo, da resistncia e de impurezas
Fluncia menos susceptvel em
uma palheta de turbina de um
nico cristal
5.2.4.3 Fluncia
TEMPERATURAS DE RECRISTALIZAO
Chumbo - 4C
Estanho - 4C
Zinco 10C
Alumnio de alta pureza 80C
Cobre de alta pureza 120C
Nquel 370C
Ferro 450C
Tungstnio 1200C
9
5.2.4.4 I mpacto
IMPACTO: Quantidade de energia (TENACIDADE) que o material absorve at a ruptura.
Influenciado pela presena de imperfeies superficiais (trincas, ENTALHES,
concentradores de tensese pela temperatura (TEMPERATURAde TRANSIO).
TEMPERATURA DE TRANSIO: Temperatura onde
ocorre a transio dctil-frgil
Baixas temperaturas: trinca se propaga mais
velozmente que os mecanismos de deformao
plstica: pouca energia absorvida
Temperaturas elevadas: fratura precedida de uma
deformao que consome energia
Mudana brusca no comportamento caracterstico
de metais CCC
Causa: aumento da temperatura transio numa junta
de solda devido ao crescimento de gro
EFEITO DO ENTALHE
ENSAIO
Transio dctil/frgil de um ao em
funo do teor de C.
55-- 3 PROPRI EDADES ELTRI CAS 3 PROPRI EDADES ELTRI CAS
5.3.2 MECANISMOS DE CONDUO E BANDAS DE ENERGIA 5.3.2 MECANISMOS DE CONDUO E BANDAS DE ENERGIA
5.3.3 RESISTIVIDADE ELTRICA DOS METAIS E LIGAS 5.3.3 RESISTIVIDADE ELTRICA DOS METAIS E LIGAS
5.3.4 CONDUTIVIDADE ELTRICA DOS MATERIAIS INICOS 5.3.4 CONDUTIVIDADE ELTRICA DOS MATERIAIS INICOS
5.3.5 CONDUTIVIDADE ELTRICA DOS MATERIAIS COVALENTES 5.3.5 CONDUTIVIDADE ELTRICA DOS MATERIAIS COVALENTES
5.3.6 SEMICONDUTORES 5.3.6 SEMICONDUTORES
5.3.7 SUPERCONDUTIVIDADE 5.3.7 SUPERCONDUTIVIDADE
5.3.8 COMPORTAMENTO DIELTRICO 5.3.8 COMPORTAMENTO DIELTRICO
As propriedades eltricas servem para distinguir os materiais:
- geral: metal / no-metal
- especfico: supercondutor ou no
Compreender as propriedades eltricas
METAIS
TEORIA DE BANDAS CONDUTORES
SEMICONDUTORES
ISOLANTES
Classificao
geral dos
materiais
segundo suas
propriedades
eltricas
1 Introduo 1 Introduo
Condutividade eltrica: o movimento de cargas
eltricas (eltrons ou ons) de uma posio para
outra.
o= condutividade eltrica (ohm
-1
.cm
-1
)
= resistividade eltrica (ohm.cm)
n= nmero de portadores de carga por cm
3
q= carga carregada pelo portador (coulombs) [q
do eltron= 1,6x10
-19
coulombs]
= mobilidade dos portadores de carga (cm
2
/V.s)
. .
1
q n = =
1 Introdu 1 Introduo o
Para o conhecimento da teoria de bandas alguns conceitos devem estar presentes:
Resistncia eltrica (R) de
um fluxo de corrente
determinada pelas
dimenses do material e por
sua resistividade.
Conceitos:
A
l
R . =
. .
1
q n = =
10
Resistividades eltricas e condutividades eltricas de alguns materiais
RESUMINDO
Metais: o > 104 O
-1
m
-1
Semicondutores: o10
-3
a 10
4
O
-1
m
-1
Isolantes: o <10
-3
O
-1
m
-1
O diagrama mostra o range de
condutividade eltrica para alguns
materiais, bem como sua classificao.
2 Mecanismos de conduo e bandas de energia 2 Mecanismos de conduo e bandas de energia
A condutividade eltrica o do material depende:
- nde condutores ou transportadores de cargas por unidade de
volume (n)
- da carga de cada condutor (q)
- da mobilidade do condutor (m)
n e m dependem da temperatura
condutores podem ser: nions
ctions
eltrons
holes
. .q n =
Caminho livre mdio
(distncia mdia que um eltron pode caminhar sem defletir a
onda)
- eltrons de valncia se movem atravs do metal como ondas
permanentes
- no h transporte de carga na ausncia de campo eltrico
- ondas se movem atravs de estruturas peridicas sem interrupo
- cristal ordenado - excelente meio para movimentos eletrnicos
- irregularidade- deflete a onda
defeito- reduz velocidade efetiva (mobilidade,
reduz a condutividade e aumenta a resistividade
Transportadores de carga
Metais - transportadores de carga so os eltrons
individuais
Materiais inicos - carga pode ser transportada por
ons que se difundem
Eltrons e nions - transportadores de carga
negativa
Ctions e buraco eletrnico - transportadores
positivo
11
LQUIDOS condutividade inica
SLIDOS principais transportadores de carga so os eltrons
tomo isolado e
-
em nveis e subnveis de energia
cristal nveis de energia se superpem BANDAS
Origem das bandas de energia devido a aproximao dos tomos.
Abanda de energia corresponde a um
nvel de energia de um tomo isolado
- As bandas de energia nem
sempre se sobrepem
- As bandas de energia podem
comportar no mximo dois
eltrons
Estrutura da banda de energia dos slidos
Magnitude da condutividade eltrica - depende do
nmero de eltrons que est disponvel para participar no
processo de conduo.
Nmero de eltrons disponvel para a conduo eltrica
em um material est relacionado ao arranjo dos estados
ou nveis eletrnicos em relao a energia, e como esses
estados so ocupados pelos eltrons.
Bandas de energia
Slido - consiste de um grande nmeros de N
tomos inicialmente separados uns dos outros
so agrupados e
ligados
tomos
o arranjo atmico ordenado
(material cristalino)
Bandas
- eltrons sentem a ao
dos eltrons e ncleos
dos tomos adjacentes ou
so perturbados por eles.
- cada tomo
independente
- ter nveis de
energia atmica e
configurao
eletrnica que
teria se estivesse
isolado.
tomos
separados
tomos se aproximam
Logo cada estado atmico
distinto se divide em uma srie
de estados eletrnicos
aproximadamente espaados no
slido.
Formando a banda de energia
eletrnica
12
Bandas
- dentro de cada banda os estados de energia so
discretos
- no espaamento entre as bandas adjacentes -
as energias no esto disponveis para ocupao
de eltrons
Extenso da
diviso
-dependeda separao interatmica
-comea com as camadas eletrnicas
mais externas
Bandas de energia:
banda de valncia
banda proibida Eg: energia do gap
- o espao entre as bandas de energia
- o que distingue um semicondutor de um condutor ou isolante
banda de conduo
Nvel de Fermi (E
F
): definido como o
nvel de energia abaixo do qual todos os
estados de energia esto ocupados a 0K.
EF
Probabilidade 0,0 1,0
Banda de
valncia
Eeltron
2 Mecanismos de condu 2 Mecanismos de conduo e bandas de energia o e bandas de energia
Tipos caractersticos de estruturas de bandas de energia em slidos
Condutor
metlico(Cu)
Banda de
conduo
parcialmente
ocupada
Condutor
metlico (Mg)
Superposio da
banda de valncia
com a banda de
conduo vazia
Isolante
Semicondutor
Metal monovalente Metal bivalente
Apresentam banda proibida
E
g
isolante > E
g
semicondutor
13
METAIS
- eltrons no preenchem todos os estados possveis da banda de valncia e
a conduo ocorre na banda de valncia alta condutividade eltrica, bandas
energia parcialmente preenchidas
- vazios entre os estados ocupados campo acelera e
-
e produz
eltrico corrente eltrica
- passagem de e- da banda de valncia para de conduo fcil
- dificultar o movimento de e- significa reduzir a
condutividade eltrica.
Ex.: - vibrao trmica
- solutos
- defeitos cristalinos
Nvel de fermi
Banda de
valncia
incompleta
SEMICONDUTORES
- banda de valncia preenchida e banda de conduo vazia
- largura da banda proibida pequena e pode ser suplantada facilmente levando e
-

banda de conduo ativao trmica
dopantes
- exemplos de largura de diamante - 6eV
banda proibida: SiC - 3eV
silcio - 1,1eV
germnio - 0,7ev
InSb - 0,18eV
estanho cinzento - 0,08eV
Nvel de fermi
BANDA
DE
CONDUO
BANDA
DE
VALNCIA
GAP DE ENERGIA
ISOLANTES
- polmeros
- cermicos
- banda proibida muito larga
e difcil de ser suplantada
CONDUTIVIDADE ELTRICA
MUITO BAIXA
Nvel de fermi
BANDA
DE
CONDUO
BANDA
DE
VALNCIA
GAP DE ENERGIA
- metais: diminui a condutividade eltrica a agitao trmica reduz o livre percurso
mdio dos eltrons, a mobilidade dos mesmos
e como conseqncia a condutividade.
- semicondutores
- isolantes
Efeito da condutividade
eltrica em vrios
materiais
O aumento da temperatura fornece energia que
liberta transportadores de cargas adicionais.
2 Mecanismos de condu 2 Mecanismos de conduo e bandas de energia o e bandas de energia
| T aumenta a
condutividade
eltrica
14
3 Resistividade eltrica de metais e ligas 3 Resistividade eltrica de metais e ligas
- alta condutividade eltrica grande nde e
-
livres podem ser
promovidos acima de E
F
- rede cristalina sem defeitos e vibraes (0 K) nula
- resistncia eltrica resulta do espalhamento de e- devido:
vibraes da rede
tomos de impureza
defeitos cristalinos
- resistividade eltrica de um material monofsico (Matthiessen)
t
vibraes trmicas
i
impurezas
d
deformao
=
t
+
i
+
d
EFEITO DA TEMPERATURA E DA ESTRUTURA NA RESISTIVIDADE DO
MATERIAL
Variao da resistividade eltrica com a
temperatura para o Cu puro e trs solues slidas
Cu-Ni. O efeito da deformao na resistividade da
liga Cu 1,2Ni tambm apresentado.
- contribuio dos tomos de soluto em soluo slida descrita por Nordheim
i
= Ac
i
(1-c
i
)
A - constante
c
i
- frao atmica de soluto
Variao da resistividade eltrica
com a composio para o sistema
Ag-Au, para trs diferentes
temperaturas.
Obs.:Em ligas bifsicas
uma propriedade
aditiva
EFEITO DA TEMPERATURA E DA ESTRUTURA NA RESISTIVIDADE DO MATERIAL
EFEITO DA TEMPERATURA E DA ESTRUTURA DO MATERIAL NA
RESISTIVIDADE
ESTRUTURA PERFEITA A
BAIXA TEMPERATURA
MOVIMENTO DOS ELTRONS A MAIS
ALTA TEMPERATURA
MOVIMENTO DOS ELTRONS
EM UMA ESTRUTURA COM IMPUREZAS
15
4 Condutividade eltrica dos materiais inicos 4 Condutividade eltrica dos materiais inicos
- resultado das contribuies eletrnica e inica
- importncia de cada contribuio pureza e temperatura
- modelo de bandas vlido, porm o n de e
-
na banda de
conduo muito baixo portanto predomina a inica
- difuso dos ons depende da presena de defeitos pontuais
- condutividade eltrica de slidos inicos | temperatura
| abruptamente na
fuso
o
i
= Ne
2
D/kT = (Ne
2
/kT) D
0
exp(-Q/kT)
N - nde posies inicas de um mesmo sinal por unidade de volume
e - carga do eltron
D - difusividade
k - constante de Boltzman
T - temperatura em K
Q - energia de ativao para a difuso
4 Condutividade eltrica dos materiais inicos 4 Condutividade eltrica dos materiais inicos
Condutividade inica: o
i
- estrutura em bandas de polmeros tpica dos isolantes
o - 10
-10
a 10
-17
O
-1
m
-1
- polmeros de alta pureza a conduo eletrnica
- conduo inica pode ser ativada pela presena de impurezas
restos de monmeros
catalisadores
aumento da temperatura
- aditivos condutores podem aumentar o entre 1 e 50 O
-1
m
-1
como
em borrachas de silicones
- exemplos de polmeros condutores: poliacetileno e polianilina
5 Condutividade eltrica dos materiais covalentes 5 Condutividade eltrica dos materiais covalentes
GRAFITA: comportamento eltrico diferenciado
- plano basal (0001) o ~ de condutores metlicos
- na direo c (0001) o 10
5
vezes menor
- conduo eletrnica origem na
mobilidade eletrnica da cada anel hexagonal de
tomos de C, ao longo de cada camada
- introduo de tomos estranhos entre as camadas
aumenta o nmero de transportadores de carga e a
condutividade eltrica
5 Condutividade eltrica dos materiais covalentes 5 Condutividade eltrica dos materiais covalentes
16
PROPRIEDADES: Temresistividade entre metais e isolantes
10
-6
-10
-4
O.cm 10
10
-10
20
O.cm
- A condutividade aumenta com o aumento de temperatura (ao contrrio dos
metais)
- Acondutividade aumenta coma adio de certas dopantes (impurezas)
- Acondutividade diminui coma presena de imperfeies nos cristais.
6 Semicondutores 6 Semicondutores Condutividade eletrnica Condutividade eletrnica
EXEMPLOSDE SEMICONDUTORES
- silcio, germnio (Grupo IV da Tabela Peridica)
- GaAs, GaN, InP, InSb, etc. (Grupo III-V da Tabela Peridica)
- PbS, CdTe, galena, (Grupo II-VI da Tabela Peridica)
Observe: 95%dos dispositivos eletrnicos so fabricados comsilcio
65%dos dispositivos de semicondutores do grupo III-V so para uso militar
Num semicondutor, os eltrons podem ser excitados para a banda de conduo por
energia eltrica, trmica ou ptica (fotoconduo)
e
-
excitado banda de conduo
buraco ou uma vacncia na banda de valncia
contribui para a corrente
Dois tipos de conduo
conduo intrnseca semicondutor intrnseco
conduo extrnseca semicondutor extrnseco
vai para
deixa
UTILIZAO: FABRICAO DE DISPOSITIVOS ELETRNICOS E
OPTOELETRNICOS
- Transistor
- LEDS
- Clulas solares
- Diodos
-Circuito integrado
Conduo resultante dos movimentos eletrnicos nos materiais puros
Um semicondutor pode ser tipo "p" ( conduo devido aos buracos)
tipo "n" (conduo devidos aos eltrons)
Este tipo de conduo se origina devido presena de uma imperfeio
eletrnica ou devido presena de impurezas residuais intrnsecas.
CONDUO INTRNSECA (SEMICONDUTOR INTRNSECO)
CONDUO INTRNSECA
Ex: Ge, Si (0.7 e 1,1 eV) - grupo IV , Grupo IIIA e VA - Arseneto de glio (GaAs),
antimoneto de ndio (InSb)
Semiconduo intrnseca - o comportamento eltrico se
baseia na estrutura eletrnica inerente ao metal puro.
- BV completamente
preenchida, separada de uma
banda de conduo vazia por
uma zona proibida de
espaamento estreito (<2ev).
(Figura d anterior)
17
- Portadores de cargas-
eltrons livres e buracos
- para cada eltron livre
excitado p/ a BC deixado um
eltron que fica faltando em
uma das ligaes covalentes( ou
um estado vazio na BV -
buraco)
Semiconduo Intrnseca
Quando adiciona-se intencionalmente uma impureza dopante para
proporcionar eltrons ou buracos extras.
Os semicondutores extrnsecos podem ser:
Tipo p: com impurezas que proporcionam buracos extras
Tipo n: com impurezas que proporcionam eltrons extras
Os processos utilizados para dopagem so: difuso
implantao inica
Deve-se considerar:
Os eltrons tem maior mobilidade que os buracos
A presena de impurezas pode alterar o tamanho do gap de energia do
semicondutor
CONDUO EXTRNSECA (SEMICONDUTOR EXTRNSECO)
SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO P
Quando adiciona-se intencionalmente uma impureza dopante
buracos extras
Impurezas tipo "p" ou aceitadores proporcionamburacos extra
Exemplo: Dopagemdo Si (valncia 4) comboro (valncia 3)
BORO UM DOPANTE TIPO P PARA
O SILCIO PORQUE PROPORCIONA
BURACOS EXTRA
NIVEL DE FERMI
Nvel aceitador
18
Semiconduo extrnseca do
tipo p (portadores de carga
buracos)
- Ex: Si na rede de elementos do Grupo
IIIA -trivalentes-Al, B, Ga
- ligaes deficientes de em um eltron -
buraco fracamente ligado ao tomo de
impureza- buraco liberado pela
transferncia de um eltron de uma
ligao - eltron e buraco trocam de
lugar.
- buraco criado na BV pela
excitao trmica do e na BV
para esse estado eletrnico da
impureza - buraco em
movimento
-cada tomo de impureza
introduz um nvel de energia
dentro do espaamento entre as
bandas - porm muito prximo
da BV
En. p/ (e) saltar da BV -
Er<<E(Bv-BV)
SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO N
Quando adiciona-se intencionalmente uma impureza dopante
Impurezas tipo n" ou doadores proporcionameltrons extra
Exemplo: Dopagemdo Si (valncia 4) comfsforo (valncia 5)
FSFORO UM DOPANTE TIPO N
PARA O SILCIO PORQUE
PROPORCIONA ELTRONS EXTRA
NIVEL DE FERMI
Eltrons doadores
Semiconduo extrnseca
do tipo n (portadores de carga
eltrons)
(eltron que no forma ligao fica
levemente preso ao redor do tomo de
impureza (atrao eletrosttica fraca) -
facilmente removido tornando-se eltron
livre ou de conduo Ex: Elementos do
Grupo VA(Ni, P, As, Sb) na rede do Si
Exemplos de materiais cermicos
semicondutores extrnsecos tipo n, p e
anfteros.
Tipo n
TiO2 Nb2O5 CdS Cs2Se BaTiO3 Hg2S
V2O5 MnO2 CdSe BaO PbCrO4 ZnF2
U3O8 CdO SnO2 Ta2O5 Fe3O4
ZnO Ag2S Cs2S WO3
Tipo p
Ag2O CoO Cu2O SnS Bi2Te3 MoO2
Cr2O3 SnO Cu2S Sb2S3 Te Hg2O
MnO NiO Pr2O3 CuI Se
Anftero
Al2O3 SiC PbTe Si Ti2S
Mn3O4 PbS UO2 Ge
Co3O4 PbSe IrO2 Sn
CONDUO EXTRNSECA (SEMICONDUTOR EXTRNSECO)
Anftero- variam seu comportamento com
a presena de bases, cido forte.
Quando prximo de base forte, se
comporta como xido de cido.
Quando prximo de cido forte, se
comporta como xido base.
19
APLICAO
Dispositivos eletrnicos como
transistores, circuitos integrados, chips,
usam a combinao de semicondutores
extrnsecos tipo p e tipo n
DIODO umdispositivo que permite a
corrente fluir em um sentido e no em outro.
construdo juntando um semicondutor tipo
n e tipo p.
JUNO P-N
- Quando uma voltagem aplicada como no
esquema (b), os dois tipos de cargas se movero em
direo juno onde se recombinaro. Acorrente
eltrica ir fluir.
- No esquema (c), a voltagem causar o movimento
de cargas para longe da juno. A corrente no ir
fluir no dispositivo.
- ocorre quando a resistividade do material for nula
- temperatura crtica (T
c
) resistividade torna-se bruscamente nula
- at 1986 melhores supercondutores T
c
< 23 K material
deveria ser resfriado em hlio lquido para tornar-se supercondutor
- mais tarde: supercondutores cermicos com T
c
mais altas:
Y
1
Ba
2
Cu
3
O
7-x
T
c
~ 100K
nitrognio lquido suficiente para resfriar
- supercondutividade desaparece: acima da T
c
campo magntico
corrente eltrica
7 Supercondutividade eltrica 7 Supercondutividade eltrica
PARMETROS QUE DEFINEM
UM SUPERCONDUTOR
- MATERIAL DIELTRICO: material isolante
- RIGIDEZ DIELTRICA: tenso mxima que o material pode suportar antes de perder as
caractersticas de ser isolante para vidros, polmeros e cermicos ~ 10 a 40 V/mm
Constantedieltrica:
Capacitor constitudo de duas placas metlicas paralelas separadas por uma distncia
"d" e de rea "A".
capacitnciamedida da habilidadede armazenar uma carga eltrica.
adio de um dieltrico aumenta a capacitncia por um
fator k, proporcionalmente.
C = k c A k: constante dieltrica
d e: permeabilidade do meio
Propriedades Bsicas dos Materiais Dieltricos
8 Comportamento dieltrico 8 Comportamento dieltrico
Capacitor com vcuo entre
as placas paralelas
C = co A / l
A - rea das placas
l - distncia entre elas
co - permicividade do
vcuo
(Figura 19.26 pg. 437)
Capacitor com material
dieltrico entre as placas paralelas
(>densidade de cargas nas placas)
C = c A / l
c - permicividade do meio
dieletrico
Permicividade relativa -
constante dieltrica (cr)
cr = c / co
Representa o aumento na capacidade de
armazenamento de cargas pela insero do
meio dieltrico entre as placas
20
Apresentam momento dipolar espontneo,
ou seja, so polarizados mesmo na ausncia
de qualquer campo eltrico.
Polarizao espontnea- conseqncia do
posicionamento dos ons na clula unitria.
O momento de dipolo resulta dos
deslocamentos dos ons das suas posies
simtricas.
FERROELTRICOS
FERROELTRICOS
- no tm um centro de simetria formam um momento dipolar
- polarizao permanente propriedades PIEZOLETRICAS
Estrutura do BaTiO
3
. (a) Acima de 120C cbica. (b) Abaixo de 120C levemente tetragonal,
apresentando um momento dipolar eltrico.
- materiais dieltricos onde a polarizao pode ser induzida pela aplicao de
foras
Esquema dos dipolos eltricos em um material piezoeltrico.
(a) Material em condies normais. (b) Tenso compressiva causa uma ddp.
(c) A aplicao de uma voltagem causa uma diferena dimensional.
PIEZOELTRICOS
(a)
(b)
(c)
PROPRIEDADES MAGNTICAS PROPRIEDADES MAGNTICAS
1 INTRODUO 1 INTRODUO
2 CONCEITOS BSICOS 2 CONCEITOS BSICOS
3 COMPORTAMENTO MAGNTICO DOS MATERIAIS 3 COMPORTAMENTO MAGNTICO DOS MATERIAIS
4 DIAMAGNETISMO 4 DIAMAGNETISMO
5 PARAMAGNETISMO 5 PARAMAGNETISMO
6 FERROMAGNETISMO 6 FERROMAGNETISMO
7 FERRIMAGNETISMO 7 FERRIMAGNETISMO
8 ANTIFERROMAGNETISMO 8 ANTIFERROMAGNETISMO
9 MATERIAIS MAGNTICOS MOLES E DUROS 9 MATERIAIS MAGNTICOS MOLES E DUROS
21
Magnetismo
Fenmeno pelo qual os materiais
exercem foras de atrao e de
repulso uns sobre os outros
Esta definio, embora til e pratica, apresenta algumas limitaes, por exemplo: o
estado magntico de um material no constante e pode ser alterado de diversas
maneiras.
A magnetita o nico material que ocorre naturalmente no estado magntico.
PROPRIEDADES MAGNTICAS
Materiais magnticos apresentam grande uso no cotidiano:
- fita K 7 (fita magntica)
- carto magntico
- componentes de computadores
- geradores e transformadores de eletricidade
- motores eltricos
Vantagem deste tipo de material: armazenam muita informao em pouco espao
Propriedades magnticas esto relacionadas com a mobilidade dos eltrons, por isso
propriedades eltricas e magnticas so relacionadas.
Fe, alguns aos, magnetita (Fe
3
O
4
) materiais magnticos
Propriedades magnticas so determinadas pela estrutura: eletrnica
cristalina
microestrutura
tomos podem ou no apresentar momento magntico
Materiais diferem em resposta a um campo eltrico e a um campo magntico
- Relaes entre o campo magntico aplicado (H) e a intensidade do campo magntico
induzido (B)
Em (a) H gerado pela passagem de uma corrente i por
uma espira cilndrica de comprimento l e contendo N
voltas, B medido em termos de fluxo magntico no
vcuo B
0
(Wb/m
2
)
B
0
=
0
H
0
- permeabilidade magntica no vcuo (4t 10
-7
H/m)
B - dado em Tesla (T)
Em (b) a densidade de fluxo magntico b dentro do
slido : B = H
Permeabilidade Magntica ()
- a intensidade de magnetizao
- varia em funo da intensidade do
campo
- caracterstica do material
= tg u B/H
- As propriedades magnticas de um material podem ser medidas por diferentes
parmetros
Ex.: permeabilidademagnticarelativa
r
=
0
e
r
medem a facilidade com que um
campo magntico B pode ser introduzido
em um material sob a ao de um campo
externo H
Ex.: suscetibilidade magntica relativa (_
m
)
_
m
=
r
- 1
- Permeabilidademagntica relativa (
r
) de alguns materiais
Fe puro (0,1% impurezas) 0,5 . 10
3
Ao silcio (4,25% Si) 1,5 . 10
3
Ao silcio (3,25% Si) com gro orientados (textura) 2,0 . 10
3
Supermalloy (79%Ni; 16%Fe; 5%Mo) 1,0 . 10
4
Ferrita cermica (Mn, Zn)Fe
2
O
4
1,5 . 10
3
Ferrita cermica (Ni, Zn)Fe
2
O
4
0,3 . 10
3
22
- Materiais tendem a diferir sua resposta quando em presena de
umcampo magntico
- Efeitos magnticos so originados em correntes eltricas
associadas a eltrons em rbitas atmicas ou a spins de
eltrons
- Classificao de materiais quanto ao comportamento magntico:
Diamagnticos
Paramagnticos
Ferromagnticos
Ferrimagnticos
Antiferromagntico
TEMPERATURA DE CURIE T
C
X TEMPERATURA DE NEL T
N
a temperatura na qual os domnios
magnticos so destrudos.
Materiais ferro e
ferrimagnticos
Materiais
antiferromagnticos
Geralmente, os materiais ferromagnticos acima da T
C
apresentam
comportamento paramagntico.
DOMNIOS MAGNTICOS
So regies da estrutura do material
onde todos os tomos cooperam
magneticamente, ouseja, so zonas de
magnetizao espontnea(momentum
magntico).
Quando umcampo magntico
aplicado, os domnios magnticos
tendema se alinhar como campo e,
ento, o material exibe propriedades
magnticas.
2 Diamagnetismo 2 Diamagnetismo
-Comportamento diamagntico ocorre quando o tomo (sem um momento magntico) aceita um
alinhamento no campo magntico, sendo a magnitude muito pequena ede direo oposta ao do
campo aplicado
-Forma muito fraca de magnetismo: persiste enquanto um campo magntico externo for aplicado:
ausncia de campo externo momento magntico nulo
-Todos materiais so diamagnticos muito fracos: observa-se quando no h outro tipo de
magnetismo.
-Susceptibilidade de materiais diamagnticos(_m): -10
-6
a -10
-5
(no varia com a T)
Configurao de dipolos de um material
diamagnticos. (a) na ausncia de um campo
externo. (b) na presena de um campo externo.
Al2O3 -1,81 10
-5
Cobre -0,96 10
-5
Ouro -3,44 10
-5
Silcio -0,41 10
-5
NaCl -1,41 10
-5
- Susceptibilidade magntica (_
m
) de diamagnticos negativa(dipolos se
ope ao H, causa magnetizao negativa(_
m
<0)
- Diamagnticos no apresentamT
c
- Supercondutores tem comportamentodiamagntico
23
3 Paramagnetismo 3 Paramagnetismo
- tomos individuais possuem momentos magnticos:
orientaes ao acaso magnetizao nula para
um grupo de tomos
Dipolos podem
ser alinhados
na direo do
campo aplicado
Configurao de dipolos em
um material paramagntico:
a) na ausncia de campo
externo; b) com campo
externo aplicado
- Paramagnetismo: forma muito fraca de magnetismo sem aplicao prtica
- Paramagnetismo observado: metais (ex.: Cr, Mn), gases diatmicos (O
2
e NO), ons de metais
de transio, terras raras, seus sais e xidos.
- Susceptibilidade magntica: 10
-5
a 10
-3
(positiva e diminui com a temperatura)
_
m
= K
T
K= constante
T = temperatura
- Paramagnticos no apresentam Tc
Representao
esquemtica dos
momentos
magnticos de um
material
paramagntico.
Alumnio 2,07 10
-5
Cromo 3,13 10
-4
Cloreto de cromo 1,51 10
-3
Sulfato de Mn 3,70 10
-3
Molibdnio 1,19 10
-4
Sdio 8,48 10
-6
Titnio 1,81 10
-4
Zircnio 1,09 10
-4
- Materiais metlicos com momento magntico na ausncia de campo externo
- Exemplos: Feo
(CCC)
, cobalto, nquel, gadolneo, ligas de mangans como MnBi e Cu
2
MnAl
m
) alta de ~ 10
6
- Temperatura crtica temperatura de currie (u
c
), acima desta perdem o
ferromagnetismoe tornam-se paramagnticos
- u
c
varia conforme o material: Fe (770C), Ni (358C), Co (1130C), Gd (20C), SmCo
5
(720C) e
Nd2Fe14B (312C).
m
) diminui com o aumento da temperatura
6 Ferromagnetismo 6 Ferromagnetismo
(a) Configurao de dipolos de um material
ferromagnticos na ausncia de um campo
externo. (b) Configurao de dipolos no ferro o.
_
m
= C
T- u
C = constante
T = temperatura
u aproximadamente igual a uc
As caractersticas de um material ferromagntico variam bastante com a
temperatura.
Quando a temperatura aumenta, a energia trmica aumenta a mobilidade
das paredes dos domnios magnticos tornando a magnetizao e
desmagnetizao mais fceis.
Se a temperatura, excede a temperatura de Curie, o comportamento
ferromagntico desaparece.
Ferromagnetismo
Alta temperatura
Temperatura mdia
Baixa temperatura
Campo magntico
Densidade de fluxo
Temperatura
Temperatura de Curie
M
a
g
n
e
t
i
z
a
o

d
e

s
a
t
u
r
a
o
> T causa desalinhamento dos dipolos independente do H reduzindo a
Magnetizao
7 Ferrimagnetismo 7 Ferrimagnetismo
Ferrimagnetismo ocorre em alguns materiais cermicos que apresentam forte magnetizao
permanenteferritas (frmula geral: MFe
2
O
4
, e M um elemento metlico)
Prottipo das ferritas: Fe
3
O
4
= Fe
++
O
- -
(Fe
+++
)
2
(O
- -
)
3
- Momentos
magnticos dos 2
tipos de ons no se
cancelam totalmente e
o material apresenta
magnetismo
permanente
ction Fe++ interstcios octadricos
ction Fe+++ interstcios tetradricos
e octaedricos
nion O- - magneticamente neutro
MAGNETITA
Configurao
dos momentos
magnticos na
ferrita
- Temperatura crtica
m
)
diminui com o aumento da
temperatura (T)
_
m
~ K
T u
K = constante
T = temperatura
u diferente de uc
Ex: Fe, Ni, Mn, Co, Cu, e Mg
NiFe2O
4
, (Mn, Mg)Fe
2
O
4
24
Stios Tetraedrais- 4 lados e 4 vrtices
Stios Octaedrais- 8 lados e seis vrtices
FERRIMAGNETISMO
Ferrimagnetismo ocorre em alguns materiais cermicos que apresentam
forte magnetizao permanente. Ferritas (frmula geral: MFe2O4, e M
um elemento metlico).
Prottipo das ferritas: Fe
3
O
4
= Fe
++
O
- -
(Fe
+++
)
2
(O
- -
)
3
Ex: Fe, Ni, Mn, Co, Cu, e Mg,
NiFe2O
4
, (Mn,Mg)Fe
2
O
4
MAGNETITA
Fe
3+
(octadricos)-momentos de
spin de todos ons Fe
3+
alinhados
paralelamente, porm em posio
oposta aos dos ons Fe
3+
(tetradricos) que tambm esto
alinhados paralelamente.
Leva pareamento antiparalelo de
ons de Fe adjacente- momentos de
spin de todos ons Fe
3+
se
cancelam.No contribuem para
magnetizao lquida
Todos ons Fe
2+
possuem os
momentos alinhados na mesma
direo. Cujo momento total
responsvel pela magnetizao
lquida do slido
FERRIMAGNETISMO FERRIMAGNETISMO
25
- Prottipo deste caso o MnO material cermico, com carter inico e
estrutura cristalina CFC tipo NaCl
- momento magntico O
- -
zero
- momento magntico M
++
permanente num arranjo
que forma momentos opostos ou antiparalelo
8 Antiferromagnetismo 8 Antiferromagnetismo
Diagrama esquemtico mostrando a
configurao de momentos magnticos no MnO
- O material como todo no apresenta momento magntico
- Alguns compostos de metais de transio apresentam este comportamento: MnO, CoO,
NiO, Cr
2
O
3
, MnS, MnSe e CuCl
2
- Temperatura crtica temperatura de Nel (u
n
)
m
) da ordem dos
materiais paramagnticos e diminui com o aumento
da temperatura (T)
_
m
~ C
T u
C = constante
T = temperatura
u diferente de u
n
9 Comparao 9 Comparao
Dependncia da temperatura na susceptibilidade magntica (a) paramagntico, (b)
ferromagntico (mostrando a transio para paramagntico), (c) antiferromagntico
(mostrando a transio para paramagntico).
a b c
(cermicos)
(cermicos)
(cermicos)
(metais)
(metais)
CURVA DE MAGNETIZAO OU DE HISTERESE
Induo residual (Br) - a induo
magntica que se conserva no corpo
magnetizado, depois de anulada a
intensidade do campo. (Gauss)
Fora coercitiva (Hc)- a intensidade de
campo que tem de ser aplicado para
desmagnetizar. (Oersted)
Material com elevado Hc: consome
energia para alinhar os domnios
magnticos, de uma direo para outra. A
quantidade de energia necessria para
magnetizar proporcional a rea do ciclo
de histerese.
10 Magnticos moles e duros 10 Magnticos moles e duros
Ferromagnticos e Ferrimagnticos
Curva de histerese ferromagntica.
26
CURVA HISTERTICA PARA LIGAS MAGTICAS DURAS E MACIAS
- Ligas magnticas macias significa
que fcil de ser magnetizado e
desmagnetizado
- Ligas magnticas durassignifica
que ele permanece magntico ou
um magneto permanente
MAGNTICOSMACIOS MAGNTICOSDUROS
MATERIAL MAGNETO MOLE: Apresentam Hc de baixo valor e pequenas perdas de
histerese e baixo Br. A rea do ciclo de histerese e a perda de energia por ciclo so pequenas.
Opera na presena de um campo magntico.
- So ligas organizadas. Geralmente metais puros com boa qualidade estrutural.
- So empregadas como ligas a serem submetidas magnetizao alternada (ncleos de
transformadores) Ex.: geradores, motores eltricos e transformadores (para estas aplicaes
necessrio materiais magnticos moles, de baixa remanncia, como: Fe puro, ao ao silcio,
supermalloy e ferritas cbicas do tipo espinlio).
EFEITO DA TEMPERATURA:
As caractersticas de um ferromagntico (material
magntico mole) variam com a T
|T |energia trmica | mobilidade das paredes
de Bloch dos domnios
magnticos
Paredes de Bloch: fronteira entre domnios vizinhos, regio de transio, espessura
~ 100 nm, onde a direo de magnetizao muda gradualmente, um defeito bidimensional
MAGNETIZAO E DESMAGNETIZAO: So facilitadas: T > u
C
comportamento ferromagntico desaparece
Efeitos da T (a) ciclo de histerese, (b)
magnetizao de saturao.
MATERIAL MAGNETO MOLE: Apresentam Hc de baixo valor e pequenas perdas de
histerese e baixo Br. A rea do ciclo de histerese e a perda de energia por ciclo so pequenas.
magnetizado durante a fabricao e deve reter o magnetismo
aps a retirada do campo magntico.
Se caracterizam pelo grande valor de Hc e alto Br
Importante: resistncia a desmagnetizao (rea BH
maximizada)
Apresenta um ciclo de histerese grande.
So ligas endurecidas com estruturas
desequilibradas, dispersas
So utilizadas na fabricao de ims permanentes
Aplicaes: refrigeradores e fones de ouvido,
utilizando- se: ferritas cermicas, SmCo
5
, Sm
2
Co
17
e
NdFeB
Magnetos duros so constitudos de ferromagnticos,
e algumas ferritas hexagonais
MATERIAL MAGNETO DURO:
Aumento da eficincia (energia
magntica mxima) dos
magnetos permanentes no
sculo XX.
27
magnetizado durante a fabricao e deve reter o magnetismo aps a retirada do campo magntico.
MATERIAL MAGNETO DURO:
EFEITO DOS ELEMENTOS LIGA
Aumentam a fora coercitiva ou dureza magntica
Diminuem o tamanho de gro
A formao de uma segunda fase, pela adio de elementos de liga (acima
do limite de solubilidade),contribui para o aumento do Hc. Quanto mais elevada a
disperso da segunda fase maior o Hc.
O endurecimento causado pela transformaes de fase ou pela diminuio
do tamanho de gro aumentam o Hc, porque evitam a redistribuio ao acaso
dos domnios magnticos.
Porosidade
A porosidade intergranular (no contorno de gro) impede
o movimento da parede de domnios comprometendo as
propriedades.
Porosidade
28
Tamanho de gro x Permeabilidade
A magnetizao e a permeabilidade
aumentam pela facilidade do
deslocamento reversvel da parede
dos domnios, e, para ocorrer esse
deslocamento necessrio que a
energia do campo externo aplicado
seja maior que a energia de fixao
da parede.
Quanto maior o tamanho de gro,
menor ser a rea de contorno de
gro e mais fcil ser o deslocamento
da parede de domnios;
conseqentemente, maior ser a
magnetizao e a permeabilidade.
55-- 5 PROPRI EDADES TRMI CAS 5 PROPRI EDADES TRMI CAS
5.5.2 CAPACIDADE TRMICA 5.5.2 CAPACIDADE TRMICA
5.5.3 EXPANSO TRMICA 5.5.3 EXPANSO TRMICA
5.5.4 CONDUTIVIDADE TRMICA 5.5.4 CONDUTIVIDADE TRMICA
Propriedades trmicas resposta ou reao de um material
aplicao do calor
Slido absorve calor sua temperaturaaumenta
sua energiainterna aumenta
Dois principaistipos de energia trmica emumslido:
energiavibracional dos tomos ao redor de suas
posiesde equilbrio
energiacintica dos eltrons livres
Propriedades crticas p/ utilizar
um slido
Capacidade calorfica ou capacidade
trmica
Expanso trmica
Condutividade trmica
29
5.5.2 Capacidade trmica ou Capacidade 5.5.2 Capacidade trmica ou Capacidade
Calorfica Calorfica
Propriedade que indica a aptido do material em absorver calor do meio
externo
Representa a quantidade de energia necessria para aumentar a
temperaturade umcorpo emuma unidade. Matematicamente:
Calor especfico representa a capacidade trmica por unidade de massa.
Pode ser determinado mantendo-se o volume do material constante (c
v
), ou
mantendo-sea presso externa constante (c
p
).
C = dQ
dT
C = capacidade trmica (J/molK, cal/molK)
dQ = energia necessria para produzir uma mudana dT
de temperatura
C
V
= ( dS/dT)
V
e C
P
= (dH/dT)
P
E a energia interna
H a entalpia
Capacidade calorfica vibracional
Materiais
slidos
Principal modalidade de assimilao de energia trmica
Aumento de energia vibracional
Vibrao coordenadas
(produz)
Ondas elsticas ou sonoras
reticulares que se propagam
atravs do cristal
Energia trmica vibracional
Srie dessas ondas elsticas, que possuem
uma variedade de distribuies e freqncias
Apenas certos valores de energia so permitidos (energia
quantizada) e um nico quantum de energia vibracional chamado
de fnon.
OBS: As prprias ondas vibracionais so chamadas de fnons
(fnon anlogo a um quantumde radiao eletromagntica)
Cp X temperatura
> T > Cp Cv = A T
3
> habilidade das ondas reticulares em elevar a sua energia mdia em resposta a um campo
aplicado.
. Este aumento est diretamente associado com o consumo de combustvel para aquecer um
material cermico.
Temperatura (C) Silico aluminoso Silica Alumina MgO
20 0,167 0,211 0,192 0,233
500 0,228 0,240 0,245 0,263
700 0,245 0,249 0,259 0,272
900 0,256 0,257 0,268 0,281
1050 0,261 0,262 0,272 0,286
30
A capacidade calorfica molar no depende da microestrutura do material,
porm a capacidade calorfica volumtrica depende da porosidade:
> Porosidade massa de um material / volume
Energia requerida para aquecer um material poroso menor que para um
denso.
Em outras palavras, um forno revestido com tijolos porosos pode ser
aquecido com menor consumo de energia
A capacidade calorfica molar e do calor especfico apresentam importncia
significativa para:
calculo do consumo de energia
tcnicas analtica (anlise trmica diferencial)
avaliar a resistncia ao choque trmico, pois materiais com baixa capacidade
calorfica, permitem rpida equalizao da temperatura evitando as tenses
trmicas
5.5.2 Capacidade trmica 5.5.2 Capacidade trmica
Energia trmica vibracional conjunto de ondas elsticas
em uma faixa de freqncias
a energia quantizada
FNON
Contribuio eletrnica significativa em materiais
com eltrons livres como ocorre:
absoro de energia pelos e
-
aumentando E
cintica
Condutores: e
-
com energia ~ nvel de Fermi podem ser excitados
e super-lo.
Isolantes: contribuio eletrnica muito pequena ausncia de e
-
livres
5.5.2 Capacidade trmica 5.5.2 Capacidade trmica
Capacidade trmica depende da temperatura?
Experimentos de Einstein e Debye:
O calor especfico aumenta at uma certa temperatura
(temperatura de Debye =u
D
) (> habilidade das ondas
reticulares em aumentar a energia mdia)
e T> u
D
~ constante. 3R ~ 6cal/molK
No h correlao entre u
D
e o PF dos materiais
Capacidade trmica depende pouco da estrutura e da microestrutura do material
Porosidade influncia prtica
Material poroso exige uma menor quantidade de calor para
atingir uma determinada temperatura, que uma cermica isenta de poros.
Variao da capacidadetrmica com a
temperatura para vrios materiais
cermicos policristalinos.
> Porosidade massa de um material / volume
5.5.3 Expanso trmica 5.5.3 Expanso trmica
Slidos aumento de dimensesdurante o aquecimento e
contrao no resfriamento, se no ocorrer transformaes de
fases
o
L
= l
f
- l
i
l
i
(T
f
-T
i
)
l
i
= comprimento inicial
l
f
= comprimento final
T
i
= temperatura inicial
T
f
= temperatura final
Coeficiente de dilatao trmica volumtrica
o
V
= V
f
- V
i
V
i
(T
f
-T
i
)
V
i
= volume inicial
V
f
= volume final
T
i
= temperatura inicial
T
f
= temperatura final
MATERIAIS
ISOTRPICOS:
o
V
~3o
L
Coeficiente de dilatao trmica linear
31
Variao da expanso trmica com o
aumento da temperatura de alguns
materiais.
Variao da expanso trmica com o
aumento da temperatura para o
silcio.
Porosidade no influenciana expanso
trmica (o poro dilata como se fosse
o prprio material que o contm)
Correlao entre o e a energia de ligao (E
L
)
Materiais com ligaes qumicas fortes apresentam + o
Ex.: cermicos e metais com elevado PF (Mo, W)
Correlao entre o e o PF de alguns materiais
Muitos materiais cristalinos apresentam
anisotropia quanto a dilatao trmica, como
alumina, titnia, quartzo.
Exemplo extremo: grafita o 27 vezes mais
baixo no plano basal que na direo a ele
Dilatao trmica dos slidos tem origem na
variao assimtrica da E
L
ou F
L
com a distncia
interatmica.
Aquecimento: tomos aumentam a freqncia e
amplitude de vibrao, e como Fr > Fa, a
distncia mdia entre os tomos aumenta
Correlao entre o e a energia de ligao (E
L
)
(a) E
L
x a: aumento na separao interatmica com o aumento da temperatura. Com o
aquecimento, a separao interatmica aumenta de r
0
para r
1
, para r
2
.
(b) Para uma curva hipottica de E
L
x a: simetria.
No h
variao
lquida ou
global na sep.
Interat .(o=0)
Dilatao ou expanso trmica
Expanso deriva
-Curvatura assimtrica e no das vibraes dos
tomos > T;
-Curva simtrica no h variao lquida ou
global na separao interatmica no h
expanso
> Energia de ligao atmica:
mais profundo e estreito o poo
- Menor expanso
-> T > coef. de expanso
Polmeros e metais > expanso ( polmeros lineares e com ramificaes lig.
Intermoleculares fracas) Tabela
Cermicas ligaes fortes baixo coef. de expanso trmica
32
O coeficiente de expanso trmica apresenta uma relao inversamente proporcional
temperatura de fuso. Materiais com alta temperatura de fuso apresentam um poo de
energia mais estreito e profundo, devido a necessidade de um superior nvel de energia
trmica para superar as foras de atrao entre os tomos.
Material Dilatao trmica
(cm/cm/C a 0C)
Temperatura de fuso
(C)
NaCl 40 800
Fe2O3 09 1560
SiO2 12 1710
Al2O3 08 2020
ZrO2 10 2700
MgO 09 2800
TiC 07 3190
Relao entre o coeficiente de expanso trmica e a temperatura de fuso
Condutividade trmica a habilidade de ummaterial para
transferir calor. Para um fluxo estacionrio de calor:
5.5.4 Condutividade trmica 5.5.4 Condutividade trmica
onde:
q: fluxo de calor (W) Q: calor transmitido (J)
t: tempo de transmisso de calor (s)
k: condutividade trmica (W/mK)
A: rea perpendicular ao fluxo (m
2
)
T: temperatura (K) x: comprimento na direo do fluxo (m)
x
T
Q
k
x
c
c
=
q= dQ= k A dT
dt dx
Calor transportado nos slidos de
duas maneiras: por fnons e pela
movimentao de e
-
livres
Analogia: eltrons ou fnons livres
como partculas de um gs. A
condutividade trmica diretamente
proporcional ao nmero de eltrons
livres ou de fnons (n); velocidade
mdia das partculas (v); ao calor
especfico (c
v
) e distncia mdia entre
colises ():
k n . v . C
v
.
k
TOTAL
= k
f
+k
e
METAIS
ke >> kf pois os e- tem maior velocidade e
no so espalhados facilmente
pelos defeitos como os fnons
Nestes materiais pode-se relacionar conduo trmica e eltrica
Lei de Wiedemann-Franz:
se a conduo trmica ocorresse apenas por e- livres L seria igual
para todos os metais. Valor real entre 2 e 3 x 10-8 OW/K
2
L = k
oT
L
terico
= 2,44 x 10-8 OW/K
2
k = condutividade trmica
o = condutividade eltrica
T = temperatura
33
Elementos liga e impurezas diminuem a condutividade trmica
funcionam como pontos de espalhamento, piorando a
eficincia do transporte eletrnico
Efeito do zinco em soluo
slida na condutividade
trmica do cobre
METAIS
CERMICOS
ke << kf fnons so facilmente espalhados
pelos defeitos cristalinos, o
transporte de calor menos
eficiente que nos metais
Alguns cristais no metlicos puros e de baixa densidade
apresentamemalgumas faixas de temperatura k ~ metais:
Diamante melhor condutor que Ag de T
amb
a 30K
Safira condutor trmico entre 90 a 25K
Compostos cermicos:
(BeO, SiC, B
4
C) pesos atmicos semelhantes k relativamente alto
(UO
2
, ThO
2
) pesos atmicos diferentes k cerca de 10x menor
(menor interferncia na propagao quando tomos com semelhantes pesos atmicos)
CERMICOS
onde:
k: condutividade trmica
v: volume da fase
Q: kc/kp
P: quantidade de poros
K=v
1
k
1
+v
2
k
2
+...
1/k=v
1
/k
1
+v
2
/k
2
+... k= 1+2P(1-Q/2Q+1)
k
s
1-P(1-Q/2Q+1)
-- Efeito da microestrutura
ons em soluo slida
diminuem acentuadamente k
Fases amorfas so piores
condutoras que cristalinas de
igual composio qumica
Poros diminuem a
condutividade trmica de
cermicos
k
P
= k 1-P
1 - 0,5P
kP = condutividade trmica do
material com poros
P = frao volumtrica de poros
- composio;
- condies de queima;
- quantidade e tipo de porosidade;
- quantidade e tipo de fases;
- forma e orientao de gros;
POLMEROS (Transferncia de energia por vibrao e rotao das
molculas da cadeia)
ke << kf alm disso so parcialmente ou
totalmente amorfos, no tendo e-
livres e so piores condutores que
os materiais cermicos.
Poros emespumas polimricas diminuem ainda mais k
(> cristalinidade e ordenao > condutividade trmica(vibrao coordenada
mais efetiva das cadeias moleculares no estado cristalino)
34
Diferenas de condutividade trmica com a
temperatura no so to acentuadas quanto na
condutividade eltrica.
Materiais cermicos densos sem poros
k com T(>espalhamento das vibraes
dos retculos )
Ex.: BeO, MgO e Al
2
O
3
Explicao: k n . v . C
v
.
Outros cermicos como: ZrO2 estabilizada e
densa, slica fundida e materiais refratrios com
poros k com T
Explicao: k n . v . C
v
.
Efeito da temperatura na condutividade trmica
de vrios materiais
55-- 6 PROPRI EDADES TI CAS 6 PROPRI EDADES TI CAS
5.6.2 CONCEITOS BSICOS 5.6.2 CONCEITOS BSICOS
5.6.3 PROPRIEDADES TICAS DOS MATERIAIS METLICOS 5.6.3 PROPRIEDADES TICAS DOS MATERIAIS METLICOS
5.6.4 PROPRIEDADES TICAS DOS MATERIAIS NO METLICOS 5.6.4 PROPRIEDADES TICAS DOS MATERIAIS NO METLICOS
PROPRI EDADES TI CAS
Como os materiais respondem a uma
radiao eletromagntica externa. Em
particular, a luz visvel.
Assim, um mat er ial pode ser :
Tr anspar ent e
Tr anslcido
Opaco
35
Espectro eletromagntico da rad. abrange larga f aixa desde raios
(emitidos por mat. Radioativos) = 10
-12
m at ondas de rdio
= 10
5
m.
Luz visvel- f aixa
est reit a do espect ro-
= 0,4 m a 0,7 m
1. Introduo
Sensao de cor percebida no crebro-
resulta do efeito de ondas eletromagnticas
numa faixa estreita de freqncias ao incidir
na retina do olho humano
Cor percebida determinada pelo
comprimento de onda
1.Introduo-Sensibilidade Relativa
x Comprimento de onda
Resende, S.M. -A Fsi ca de mat eri ai s e
D i sposi t i vos El et rni cos. 1996
1. Int roduo
-A presena de impurezas (ons) introduz nveis de energia que promovem a
emisso de ftons com diferentes comprimentos de onda, a resultante torna os
materiais coloridos;
Ex:Cristal de alumina de elevada pureza-transparente e incolor
Alumina + xido de Cromo- cristal vermelho -RUBI
36
Propriedades ticas resposta ou reao de um material incidncia de
radiao eletromagntica, e em particular a luz visvel
Luz fenmenoondulatrio
evidncia: ocorrncia de difrao
Trabalho experimental a luz uma onda
eletromagntica
Einstein feixe de luz consiste em pequenos
pacotes de energia
quanta de luz: FTON
Fton incidindo na superfcie de um metal
transfere energia para o eltron,
que pode escapar do material
Radiao eletromagntica
mecnica clssica ondas
mecnica quntica ftons
Formas de radiao eletromagntica: luz,
calor, ondas de radar, ondas de rdio e raios X
Espectro de radiaes eletromagnticas
5.6.2 Conceitos bsicos 5.6.2 Conceitos bsicos
Todos os corpos emitem radiao eletrromagntica movimento trmico de tomos e
molculas
radiao trmica visvel depende de T
Ex.: 300C radiao infravermelha
800C radiao visvel
Luz visvel espectro de radiaes pequeno 0,4m 0,7m CORES
Radiao eletromagntica atravessa o vcuo com a
velocidade da luz
c = velocidade da luz 3x108 m/s
c0= permissividade eltrica no vcuo
0= permeabilidade magntica no vcuo
c = 1
(c
0
0
)
0,40 a 0,45 m violeta

0,45 a 0,50 m azul
0,50 a 0,55 m verde
0,55 a 0,60 m amarelo
0,60 a 0,65 m laranja
0,65 a 0,70 m vermelho Feixe de luz incide no slido comintensidade I0
parte transmitida It
parte absorvida Ia relacionadas por:
parte refletida Ir
I0 = It + Ia + Ir (em W/m
2
)
ou
T + A + R = 1 T= transmitncia (It/I0)
A= absorbncia (Ia/I0)
R = refletncia (Ir/I0)
Se: T >> A+R: materiais transparentes
T << A+R: materiais opacos
T pequeno: materiais translcidos
INTERAES ATM ICAS E ELETRNICAS
A radiao eletromagntica interage com tomos, ons
e/ou eltrons, originando os fenmenos pticos.
Doi s mecani smos i mpor t ant es da int er ao
da luz com a par t cula em um slido so:
A- Polar izao
B- Tr ansio de elt r ons ent r e
dif er ent es nveis de ener gia.
A. Polar izao
Dist or o de uma nuvem de elt r ons
de um t omo por um campo elt r ico.
Alinhament o de dipolos.
Absor o de ener gia
(def or mao elst ica),
r esult ando em aqueciment o
Pr opagao de ondas
elet r omagnt icas
(r adiao elet r omagnt ica)
INTERAES ATM ICAS E ELETRNICAS
A. Pol ar i zao
37
A. POLARIZAO ELETRNICA
Deslocamento da nuvem eletrnica com relao ao ncleo do
tomo com cada mudana de direo do componente do campo
eltrico.
Conseqncias:
Pode haver absoro
Alterao da velocidade das ondas (refrao)
B. TRANSI ES ELETRNI CAS
-Transies eletrnicas
O fton incidente com uma freqncia
caracterstica absorvido pelo eltron,
excitando este para um nvel de maior
energia.
Em seguida, com o decaimento deste
eltron para nveis menores de energia
(liberao E na forma de fton).
PROPRI EDADES PTI CAS DOS METAI S
Conseqncia: OPACIDADE, todas as freqncias do
espectro visvel so absorvidas e reemitidas.
Possuem um estado vazio imediatamente acima do nvel
de Fermi
Rad. incidente com freqncia dentro do espectro visvel,
excita os e para os estados de energia no ocupados
acima da em. de Fermi.
M at er i ai s M et l i cos
-A freqncia de onda absorvida igual a onda emitida devido ao decaimento do
eltron;
-Macroscopicamente a refletividade observada nos metais;
Rad. i nci dent e exci t a os
el t rons p/ os est ados de
energi a vazi os aci ma de
Fer mi
Radi ao
i nci dent e
ABSORVI DA
Rad. Absor vi da Reemitida na f or ma
de l uz vi zvel - com o mesmo
compri ment o de onda , que aparece
como l uz ref l et i da
38
Refletncia dos metais entre 0,90 e 0,95 dissipao do calor
Metais so opacos a radiaes eletromagnticas de |
ondas de rdio, TV, microondas, infravermelho, luz visvel
Metais so transparentes a radiaes eletromagnticas de +
raios X e raios
5.6.4 Propriedades ticas dos materiais metlicos 5.6.4 Propriedades ticas dos materiais metlicos
Cor do metal: distribuio dos comprimentos de onda refletidos
5.6.4 Propriedades ticas dos materiais metlicos 5.6.4 Propriedades ticas dos materiais metlicos
Ex.: o ouro reflete quase que
completamente a luz vermelha e a
amarela e absorve parcialmente
mais curtos. A prata reflete
eficientemente quase todos os
do espectro visvel, por isso sua
cor esbranquiada.
5.6.5 Propriedades ticas dos materiais no 5.6.5 Propriedades ticas dos materiais no--
metlicos metlicos
Cermicos e polmeros no apresentam e- livres (que absorvem ftons de luz) e podem ser
transparentes luz visvel
Fenmenos importantes: Refrao, Transmisso, Reflexo e Absoro
REFRAO(n) E REFLEXO(R)
Velocidade de propagao da luz no slido transparente (v) menor que no ar
feixe de luz muda de direo na interface ar/slido
ndice de refrao: c = permissividade eltrica do material
= permeabilidade magntica do material
n = c = (c)
v (c
0
0
)
ndice de refrao de alguns materiais cermicos

Material ndice de refrao
Vidro de slica 1,458
Vidro pyrex 1,47
Vidro ptico flint 1,65
Al2O3 1,76
MgO (periclsio) 1,74
Quartzo 1,55
R
Quanto maior n do
material, maior R
A magnitude do efeito(grau de dobra) proporcional .
REFRAO
A luz t ransmit ida sofre uma diminuio de velocidade, result ando
em uma dobra na int erface do mat erial.
EX: D isperso ou separao de um f eixe de luz branca nas suas
cores respectivas quando passa atravs de um vidro
Cada cor defletida segundo uma intensidade
diferente a medida que a luz passa pelo vidro
RESULTAN D O EM UMA SEPARAO D E
CORES
39
REFRAO
I nd. de refr. Proporcional a ct e dielt rica rel.
r
n ~
1
=
r r
v
c
n

= = =
0 0
r
1 Mat eri ai s l evement e magnt i cos (per meabi l i dade magnt i ca = 1)
q maior nas direes com maior densidade de ons
Ref rao-Propr i edades
R.E
n | n
-ndice de refrao aumenta com o
aumento da densidade atmica;
-A incorporao de ons/tomos em vidros
aumenta o ndice de refrao, isso
devido ao aumento da polarizao
eletrnica;
Ref l exo
Parte da luz que dispersada na interface entre dois
meios, com ndices de refrao diferentes
Quanto maior o ndice de refrao de um slido, maior ser a
refletividade do mesmo;
Quando a l uz t ransmi t i da de um vcuo ou
para i nt eri or de um sl i do(s). (n do ar = 1)
REFRAO(n) E REFLEXO(R)
metlicos metlicos
Se um dos meios for o ar n1 = 1
R = n
2
- n
1
n
2
+n
1
R = n
2
- 1
n
2
+1
Variao das fraes da luz
incidente que so
transmitida, absorvida e
refletida por um determinado
vidro em funo do
comprimento de onda
Cermicos cristalinos Cbicos e vidros ndices de
refraoisotrpicos
Cristais no cbicos ndices de refrao
maior em direes mais densas
Luz passa de um meio n
1
para outro n
2
parte da luz refletida na interface dos meios
Como o n depende de da luz incidente, R tambmdepende de
40
Absoro
Os materiais que absorvem a luz visvel so considerados opacos, pois o
mecanismo depender do gap de energia associado ao material;
IT a intensidade de luz transmitida;
I0 a intensidade de luz no refletida;
o coeficiente de absoro do material;
ABSORO
Materiais com espaamento entre bandas superior a 3,1eV
no absorvem luz visvel e, se forem de alta pureza, tero
aparncia transparente e incolor
Defeitos e impurezas podem introduzir novos nveis
eletrnicos dentro do espaamento entre bandas.
Dois mecanismos:
- Polarizao: importante apenas para radiaes com
freqncias prximas as de relaxao dos eltrons.
- Transio eletrnica: O fton deve possuir energia suficiente
para vencer o gap at a banda de conduo. Forma um par
eltron (BC) buraco (BV).
texto
TRANSM ISSO
a parte da luz incidente que no sofreu absoro nem
reflexo.
( )
l
T
e R I I

=
2
0
1
Onde I
0
a radiao incident e, I
T
a radiao t ransmit ida, R a
reflet ividade, l a espessura do mat erial e bet a o coeficient e de
absoro.
A transmisso tambm depende do comprimento de onda
incidido.
Transmi sso
-Os fenmenos de absoro, reflexo e transmisso podem ser
vistos na imagem abaixo;
41
metlicos metlicos
ABSORO(A) E TRANSMISSO(T)
Maioria dos materiais transparentes so coloridos
a cor dos materiais transparentes uma combinao dos comprimentos transmitidos
Absoro de ftons por e
-
da banda de
valncia promovendo-os banda de conduo
em no-metais tambm possvel, desde que os
e
--
superem a banda proibida.
Energia associada com (E = hc/)
determina-se e E mximos e mnimos cedidos
aos e- pela luz visvel
min
= 0,4 mE
max
= 3,1eV
max
= 0,7mE
min
= 1,8eV
Comprimentos de onda absorvidos (nm) e cores complementares
Concluso: i) a luz pode ser absorvida por materiais com banda proibida
menor que 1,8 eV (SEMICONDUTORES) estes materiais so
opacos ex.:Si, Ge, AsGa
ii) materiais com banda proibida entre 1,8 e 3,1 eV absorvem
apenas alguns comprimentos de ondas estes materiais so
coloridos ex.:GaP, CdS
iii) a luz visvel no pode ser absorvida por este mecanismo em
materiais com banda proibida maior que 3,1 eV
metlicos metlicos
ABSORO(A) E TRANSMISSO(T)
Impurezas podem contribuir para que alguns comprimentos de onda sejam absorvidos
Ex.: safira e rubi
Safira: cristal puro de Al2O3, isolante,
transparente
Rubi: safira onde uma pequena quantidade
de ons Cr
+3
substitui o Al
+3
, causa
absoro na regio de luz azul do espectro
visvel. Cristal resultante: vermelho
Cor dos vidros de slica, cal, soda e chumbo pode ser
modificada pela adio de xidos de elementos de
transio
Ex.: adio de 0,01 a 0,03% de CoO - colorao azulada
adio de 0,2% de NiO - colorao prpura
adio de 1,0% de FeO - amarelo esverdeada
Cor pode ser resultado do desvio da estequiometria
ou da presena de defeitos cristalinos
Ex.: cristais puros de NaCl, KBr e KCl so incolores se
forem recozidos em atmosfera de metais alcalinos ou
irradiados com raios X ou neutrns
colorao: NaCl amarelo
KBr azul
KCl magenta
Criou-se defeitos:
centro de cor
metlicos metlicos
ABSORO (A) E TRANSMISSO (T)
R, A e T dependem do material, do caminho tico, incidente
Defeitos no material espalham a luz e podem torn-lo
transparente, translcido ou opaco
Ex.: monocristal de safira (Al
2
O
3
) transparente
policristal de safira sem poros translcido
policristal de safira com 5% poros opaco
Variao da transmitncia com incidente para diversos materiais.
Exemplo: lmpada de sdio
(1000
o
C) com tubo de alumina
(100 lmens/W convencional 15
lmens/W)
Alumina convencional (opaca) Alumina translcida
porosidade: 3% porosidade: 0,3
55-- 7 EXERC CI OS 7 EXERC CI OS
1 Elementos de liga influem pouco no mdulo de elasticidade. Entretanto, as resistncias mecnicas so
significativamenteafetadas. Porqu?
2 Porque as ligas de metais tm maior resistncia mecnica do que os metais puros?
3 Qual a dificuldade de se empregar deformao plstica para obter-se um aumento de resistncia mecnica para
metais como chumbo, zinco e estanho?
4 Qual o efeito da temperatura sobre o mdulo de elasticidade e sobre a resistncia mecnica de um metal?
5 Qual a diferena entre tenso de cisalhamento crtica e tenso de cisalhamento efetiva?
6 Porque metais com tamanho de gro pequeno possuem a temperatura ambiente maior resistncia mecnica do
que se possussemgros maiores?
7 Porque metais com tamanho de gro grande possuem a elevadas temperaturas maior resistncia mecnica do
que se possussemgros pequenos?
8 Os gros aumentamseu tamanho mdio a altas temperaturas? Porque no diminuema baixas temperaturas?
9 Explique como um tomo de um elemento liga bloqueia uma discordncia emmovimento.
10 Explique os diferentes estgios de fluncia.
11 O que recuperao, rescristalizao e crescimento de gro? Descreva esses fenmenos.
12 Qual a distino entre trabalho a frio e trabalho a quente para um metal. Para o tungstnio, por exemplo, qual
seria a temperatura limite entre um e outro?
13 Descreva a fratura dctil e a fratura frgil.
14 Qual a importncia da temperatura de transio. Que estruturas esto mais susceptveis transformao dctil-
frgil?
15 Explique porqu um metal monocristalino mais macio e dctil que um metal policristalino?
16 Qual a possvel relao entre resistncia mecnica trao de um metal e o resultado de dureza Brinell?
Porqu?
42
17 Qual a possvel relao entre resistncia mecnica e limite fadiga de um metal? Porqu?
18 Em que etapas pode-se dividir o processo de fadiga de um material metlico?
19 A presena de discordncia contribui positivamente ou negativamente para a deformao plstica de um metal?
20 Explique a Figura 1 abaixo.
21 Relacione a estrutura e as propriedades mecnicas apresentadas na Figura 2.
FIGURA 1 FIGURA 2
22 O cloreto de sdio isolante no estado slido. Entretanto no estado lquido, ele um bom condutor. Justifique.
23 As condutividades eltricas da maioria dos metais decrescem gradualmente com a temperatura, mas a
condutividade intrnseca dos esemicondutores sempre cresce rapidamente com a temperatura. Justifique a
diferena.
24 Por que o efeito da temperatura na condutividade eltrica , em geral, mais acentuado em um semicondutor do
que em um isolante?
25 A adio de pequenas quantidades (menos de um ppm) de arsnio no germnio aumenta drasticamente sua
condutividade eltrica (semicondutor do tipo n), enquanto que a adio de pequenas quantidades (menos de um
ppm) de glio no germnio tambm aumenta drasticamente sua condutividade eltrica (semicondutor do tipo p).
Explique estes dois comportamentos.
26 Por que a deformao plstica de um metal ou liga aumenta sua resistividade eltrica e o posterior recozimento
a diminui?
27 Por que pequenas adies de soluto aumentama condutividade eltrica do germnio e diminuema do cobre?
28 Pode um condutor metlico apresentar os fenmenos de ferroeletrecidadee/ou piezoeletrecidade?
29 Qual a diferena entre conduo eletrnica e conduo inica?
30 Em termos de bandas de energia eletrnica, discuta a razo para a diferena na condutividade eltrica entre
metais, semicondutores e isolantes.
31 Quais so as principais diferenas e similaridades entre um material (a) diamagntico e paramagntico e (b)
ferromagntico e ferrimagntico?
32 O que material magntico mole?
33 O que magntico duro?
34 Desenhe um ciclo de histerese para um material magntico mole (por exemplo, ferro) recozido. Como a
deformao plstica a frio altera o ciclo de histerese deste material?
35 Explique porqu materiais ferromagntico podem ser permanentemente magnetizados, enquanto materiais
paramagnticos no podem.
36 Qual a diferena entre a estrutura cristalina espinlio e espinlio inverso?
37 Explique brevemente porqu a magnitude de saturao de magnetizao diminui com o aumento da
temperatura para um material ferromagntico e porque o comportamento ferromagntico cessa acima da
temperatura de Curie.
38 Em um dia frio, as partes metlicas de um carro causam maior sensao de frio que as partes de plstico,
mesmo estando na mesma temperatura. Justifique.
39 Justifique as afirmativas a seguir (a) a condutividade trmica de um policristal ligeiramente menor que a de
um monocristal (do mesmo material). (b) uma cermica cristalina geralmente melhor condutora trmica que uma
cermica amorfa.
40 Defina nvel de Fermi.
41 A condutividade eltrica do alumnio cerca de 20 ordens de grandeza maior que a da alumina. Por outro lado,
a condutividade trmica do alumnio apenas 8 vezes maior que a da alumina. Justifique.
42 A condutividade trmica da alumina maior que a condutividade trmica de um ao inoxidvel austentico do
tipo 316 (Fe-19%Cr-11%Ni-2,5%Mo). Como voc justifica o fato de um material cermico ser melhor condutor de
calor que um material metlico?
43 Explique brevemente a expanso trmica usando a curva do potencial de energia versus a distncia
interatmica.
44 Compare o efeito da temperatura sobre a condutividade trmica e eltrica para materiais cermicos e
metlioco.
45 Para cada um dos pares de material apresentado decida qual deles tem a maior condutividade trmica.
Justifique sua resposta. (a) prata pura; prata esterlina (92,5 Ag e 7,5 Cu % em peso); (b) slica fundida; slica
policristalina.
46 A pele humana relativamente insensvel luz visvel, mas a radiao ultravioleta pode ser-lhe bastante
destrutiva. Isto tem alguma relao com a energia do fton? Justifique.
47 Quais as principais diferenas e similaridades entre um fton e um fnon?
48 Quando um corpo aquecido a uma temperatura muito alta ele se torna luminoso. A medida que a temperatura
aumenta, a sua cor aparente muda de vermelho para amarelo e finalmente para azul. Explique.
49 O silcio no transparente luz visvel mas transparente radiao infravermelha. Justifique
50 Um cristal de KCl irradiado com raios e adquire a cor prpura. O cristal colocado em um dessecador na
temperatura ambiente. Como passar do tempo, o cristal vai perdendo a cor. Justifique este comportamento.
51 Por que alguns materiais transparentes so incolores e outros so coloridos? Por que a adio de zinco muda a
cor do cobre?

CM Cap 5 Mai 2012 Propriedades CM Bergmann Vania 1

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0,40 a 0,45 m violeta

ndice de refrao de alguns materiais cermicos

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