INTRODUCCCION

En esencia, telecomunicaciones electrnicas son la transmisin, recepcin y procesamiento de informacin usando circuitos electrnicos. La informacin se define como el conocimiento, la sabidura o la realidad y puede ser en forma analgica (proporcional o continua), tal como la voz humana, informacin sobre una imagen de vdeo, o msica, o en forma digital (etapas discretas), tales como nmeros codificados en binario, cdigos alfanumricos, smbolos grficos, cdigos operacionales del microprocesador o informacin de base de datos. Toda la informacin debe convertirse a energa electromagntica, antes de que pueda propagarse por un sistema de comunicaciones electrnicas. Las comunicaciones de RF juegan un papel muy importante, especialmente en las comunicaciones Civiles. Son mltiples las aplicaciones, en la transmisin de emisoras de Radio, TV y radio aficionados. En la radiodifusin utilizamos un receptor superheterodino el cual es un receptor de ondas de radio que utiliza un proceso de mezcla de frecuencias o heterodinacin para convertir la seal recibida en una frecuencia intermedia fija, que puede ser ms convenientemente elaborada (filtrada y amplificada) que la frecuencia de radio de la portadora original. Prcticamente todos los receptores modernos de radio y televisin utilizan el principio superheterodino. La finalidad de la etapa de frecuencia intermedia (FI), es la de obtener a su salida ya demoduladas las seales de audito y vdeo, una por cada lado para seguir cada una sus respectivos circuitos. La Frecuencia intermedia (FI) a la Frecuencia que en los aparatos de radio se emplean el principio superheterodino se obtiene de la mezcla de la seal sintonizada en antena con una frecuencia variable generada localmente en el propio aparato mediante un oscilador local (OL) y que guarda con ella una diferencia constante. Esta diferencia entre las dos frecuencias es precisamente la frecuencia intermedia.

Qu implica el termino RF?

El trmino RF se refiere a la abreviacin de Radiofrecuencia, en telecomunicaciones usamos es trmino bsicamente una emisin electromagntica que se produce mediante un circuito oscilador que genera frecuencias superiores a las ultrasnicas, antena, que es decir, ser la por encima de de 30 KHz. Estas Esa oscilaciones se amplifican elctricamente y se trasladan a una encargada liberarla. radiofrecuencia (RF) deber ser modulada por circuitos electrnicos de forma que nos sea til para transportar la informacin que precisemos, sean datos digitales, tonos o voz. Tambin ser necesario un equipo receptor, compuesto de una antena, el propiamente denominado receptor, adecuado a la frecuencia a recibir, y un circuito demodulador para obtener la informacin de la seal de RF la informacin que nos es transmitida. La potencia de transmisin de RF ser adecuada a la distancia que nos encontremos del receptor, as como de las condiciones que influyen en la transmisin.

Espectro de trabajo para las RF

Qu es un amplificador de RF?

Los amplificadores son circuitos que se utilizan para aumentar el valor de la seal de entrada generalmente muy pequea y as obtener una seal a la salida con una amplitud mucho mayor a la seal original, En los amplificador RF se produce la elevacin de la potencia de la seal, generada de otra etapa precedente, hasta los niveles requeridos por el diseo para ser aplicada a la antena. En esta etapa de amplificacin es tambin donde se aplica la seal moduladora, obtenida a la salida del amplificador modulador para finalmente obtener la seal de antena. Algunas veces su uso puede causar que la seal a la salida del amplificador salga distorsionada causada por una amplificacin muy grande o por efectos propios del amplificador. Estos amplificadores tambin pueden encontrarse en la primera etapa de los receptores.

Qu caractersticas tiene un amplificador de RF?

Un Amplificador RF determina la sensibilidad del receptor, es decir, establece el umbral de seal, es el principal generador de ruido y por consiguiente es un factor predominante para determinar la cifra de ruido del receptor Las Principales caractersticas de un amplificador ideal de RF son: Bajo ruido trmico. Recordemos que el ruido trmico es elctrico y es causado por la energa interna de la materia. Para explicar este fenmeno, el movimiento browniano nos indica que las partculas producen energa que en general se disipa en modo de calor. Pero una parte de ella funciona como interferencia elctrica. Nyquist, de los laboratorios Bell, observ en 1928 que la interferencia elctrica era proporcional a la agitacin de electrones proveniente de lo que denomin energa browniana, y estableci la base para el clculo. Entre las caractersticas ms sobresalientes del ruido trmico, prevalecen que es aleatorio, porque los electrones agitados por la energa browniana tienen un movimiento aleatorio; es blanco, denominacin que recibe por analoga con la luz blanca, al estar presente en todas las frecuencias; y es resistivo, porque depende lineal y directamente de la resistividad del material. El ruido trmico recibe el nombre alternativo de ruido plano, porque su respuesta es plana

 Baja figura de ruido. La magnitud del ruido generado por un dispositivo electrnico, por ejemplo un amplificador, se puede expresar mediante el denominado factor del ruido (F), que es el resultado de dividir la relacin seal/ruido en la entrada (S/R) por la relacin seal/ruido en la salida (S/R)sal, cuando los valores del seal y el ruido se expresan en nmero simples:

El factor del ruido se expresa en decibelios y se llama figura del ruido, a travs de la formula:

Ganancia de moderada a alta. Es una magnitud que expresa la relacin entre la amplitud de una seal de salida respecto a la seal de entrada. Por lo tanto, la ganancia es una magnitud adimensional que se mide en decibelios. Selectividad moderada. Es un parmetro con el que se mide la capacidad de este para aceptar una determinada banda de frecuencias y rechazar las dems. Una de las formas mas frecuentes de describir la selectividad es simplemente es especificar el ancho de banda en los puntos de -3db.

Cual es el objetivo de utilizar un amplificador de RF?

Un amplificador es un elemento encargado de aumentar la amplitud de la onda idealmente sin modificarla en absoluto, en su entrada tenemos una seal con ciertas caractersticas elctricas y a la salida deberamos tener una seal con las mismas caractersticas usados excepto en en su de amplitud. radiocontrol, Los se amplificadores circuitos

encargan de llevar la seal hasta que pueda ser captada alrededor de 1,5Km sin distorsin. Para ello a veces se usan2 o 3 etapas amplificadoras de RF una vez que la seal fue generada en el oscilador. Los circuitos amplificadores solo se encargan de elevar la potencia de salida del transmisor como dijimos y solo hasta un nivel apropiado por varias razones. 1.- Un amplificador es la etapa que mas corriente consume, mientras ms potencia queremos a la salida menos tiempo de batera tendremos, as que hay que encontrar un punto de equilibrio. 2. El amplificador debe ser lo mas lineal posible para evitar la generacin de armnicos y provocar interferencias hacia los dems receptores circundantes. Al usar el termino Lineal nos referimos a que no debe introducir en absoluto una deformacin en la seal amplificada.

3. Tiene que tener potencia suficiente como para poder recibir la seal a 1,5Km, normalmente alrededor de los 750mW

Cuales son las caractersticas de un transistor de RF?

Las etapas amplificadoras de RF cuando se usa transistor amplifican la seal de RF a un nivel suficientemente elevado para operar la antena. Son comunes dos tipos de etapas amplificadoras de RF los amplificadores de voltaje y los amplificadores de poder. Los amplificadores de voltaje preceden a los amplificadores de poder y generalmente sirven para un doble propsito: (1) aslan o amortiguan la fuente de RF del amplificador de poder para impedir que el ltimo cargue al primero, y (2) suministran una amplificacin de voltaje para operar el amplificador de poder. Por lo general los amplificadores de voltaje operan como amplificadores de clase A debido a que la linealidad es un factor importante en el propsito para el que sirven. Los amplificadores de poder de RF son las ltimas etapas activas antes de la antena de transmisin. Suministran toda la amplificacin de potencia necesaria para radiar la seal de RF al espacio. La eficiencia es de importancia primaria en las etapas amplificadoras de poder, ya que toda potencia perdida o no desarrollada

significa menos potencia disponible para la radiacin. La mayora de los amplificadores de potencia de RF operan en clase C debido a que tiene mayor eficiencia que la clase A o la clase B. Los amplificadores clase C estn polarizados, de manera que normalmente estn en corte. La seal de entrada debe ser suficientemente positiva (suponiendo un transistor NPN) para llevar el amplificador del corte a la conduccin. Antes de que la seal de entrada complete los 180 grados del semiciclo positivo, el amplificador regresa al corte y permanece as durante toda la alternacin negativa. La corriente de salida queda en forma de pulso de duracin corta, que fluye durante menos de 180 grados de la seal de entrada. Durante este tiempo se entrega energa al circuito de carga. De esa manera, el transistor est cortado casi todo el tiempo o est operando en la saturacin o prximo a ella. En el estado de conduccin cae poco voltaje a travs del transistor. Se sigue que la eficiencia es mejor en la operacin en clase C ya que el tiempo de encendido es corto en comparacin con el tiempo de apagado, y en el transistor se consume muy poca potencia durante la conduccin. Los amplificadores de clase C, utilizados como amplificadores de poder de RF, generalmente operan a una carga reactiva o sintonizada. El propsito es que la carga pueda suministrar su propia energa mientras el transistor est en corte, especialmente si se desea una onda simtrica de salida. Los circuitos reactivos o sintonizados son los nicos circuitos

elctricos capaces de almacenar energa y entregarla a una carga cuando se quita la fuente de energa.

Impedancia de entrada e impedancia de salida del transistor y amplificador RF

La impedancia es una magnitud que establece la relacin (cociente) entre la tensin y la intensidad de corriente. Tiene especial importancia si la corriente vara en el tiempo, en cuyo caso, sta, la tensin y la propia impedancia se describen con nmeros complejos o funciones del anlisis armnico. Su mdulo (a veces impropiamente llamado impedancia) establece la relacin entre los valores mximos o los valores eficaces de la tensin y de la corriente. La parte real de la impedancia es la resistencia y su parte imaginaria es la reactancia. Entre el amplificador final de poder y la antena de transmisin se utiliza una red de acoplamiento integrado por componentes reactivos. El propsito de esta red es igualar la impedancia de salida del amplificador de poder a la impedancia de la antena

y viceversa, para que se transfiera la mxima potencia a la carga acoplada, se puede considerar a la red de acoplamiento como un transformador de impedancias. Por ejemplo, supongamos que la impedancia de salida del amplificador de poder es de 1 K ohm y que la impedancia de la antena es de 50 ohm, La red de acoplamiento hace que la impedancia de la antena de 50 ohm le parezca de 1 K ohm al amplificador de poder y al mismo tiempo hace que la impedancia del amplificador de potencia de 1 K ohm parezca como de 50 omh a la antena.

De esta manera, a cada uno le parece que el otro esta acoplado a su impedancia caracterstica y opera con la mnima prdida de potencia y mxima eficiencia. Se considera que la red de acoplamiento es parte de la etapa amplificadora de potencia ya que generalmente forma parte del circuito sintonizado. Debido a que est diseada para operar dentro de una banda especfica de frecuencias, la red de acoplamiento tambin sirve para filtrar o suprimir seales indeseables. Esta caracterstica es especialmente benfica cuando se utiliza con los amplificadores de clase C, que debido a su salida de tipo de pulsos, generan un gran nmero de armnicas.

Modelo hbrido para el transistor de RF El modelo hibrido viene dada por la siguiente configuracin:

As como resistencias, condensadores, y los inductores puede ser modelado por un circuito equivalente a frecuencias de radio, el comportamiento del transistor tambin puede ser mejor descrito por ejemplo un circuito como se muestra en la figura. A primera vista, el modelo hbrido PI parece ser

bastante formidable para fines de anlisis. Despus de definir cada componente del modelo. Definiendo parmetros: Rbb Base de propagacin de resistencia: Esta es una resistencia inevitable que se produce en la unin entre el terminal de base o de contacto y el semiconductor que compone la base. Su valor es por lo general en las decenas de ohmios. Transistores ms pequeos tienden a mostrar valores ms grandes de la rbb. Rbe : resistencia de entrada. La resistencia que se produce en la unin base-emisor de un transistor de polarizacin. Los valores tpicos oscilan alrededor de 10000 ohmios. Rbc La resistencia de realimentacin. Esta es una muy grande (EJ 5 mega ohmios) Resistencia base hasta el colector del transistor. Rce Resistencia de salida. Como su nombre implica, esto es simplemente la resistencia vista mirando hacia atrs en el colector del transistor. Un valor tpico de un transistor sera de alrededor de 1OOK. Ce emisor capacidad de difusin. Esta capacitancia es realmente la suma de la capacitancia difusin del emisor y la capacidad de la unin emisor, ambos de los cuales estn asociados con la fsica de la unin de semiconductores en s y que est ms all del alcance de este libro. Se existe, sin aparecer desde la

embargo, y dado que la capacidad de la unin es tan pequea, C, se suele denominar capacidad de difusin con un valor tpico de 100 pF. Cc capacitancia retroalimentacin. Este componente est formado en la polarizacin inversa de colector a base de unin del transistor. Como la frecuencia de funcionamiento de los aumentos de transistor, Cc puede comenzar a tener un efecto muy pronunciado en la operacin del transistor. Un valor tpico para este componente puede ser 3 pF.

Realimentacin

Los componentes retroalimentacin del circuito equivalente del transistor son los que se muestra en la figura. rb'c y Cc, De los dos Cc es la ms importante, ya que es el elemento cuyo valor cambia con frecuencia. El rb'c cantidad, por otro lado, es muy grande y constante y contribuye muy poco a las caractersticas de Retroalimentacin del dispositivo. Como la frecuencia de operacin por unos aumentos de transistor, CC se vuelve ms y ms importante para el diseador del circuito

porque, por supuesto, su reactancia est disminuyendo. Por lo tanto, ms y ms la seal de colector se realimenta a la base. A bajas frecuencias, que realimentacin no es generalmente un gran problema porque CC, .. junto con otras capacidades parsitas ubicadas dentro y alrededor del rea del circuito o de circuito impreso, no suele ser suficiente para causar inestabilidad. A frecuencias altas, sin embargo, reactancias parsitas acoplado con Cc,. podra actuar para producir un cambio de fase de 180 desde el colector a la base en la seal realimentada. Este cambio de fase, cuando se aade para el desplazamiento de fase de 180 que se produce en la inversin de seal normal de base-colector durante la amplificacin, puede convertirse en un amplificador de un oscilador muy rpidamente. otro problema asociado con la alimentacin interna del transistor es el hecho de que el colector no est realmente aislado de la circuitera de la base. Por lo tanto, cualquier cambio en la resistencia de carga del colector en los circuitos afecta directamente a la impedancia de entrada del transistor. O bien, de manera similar, cualquier cambio en la resistencia de la fuente en el circuito de base afecta directamente a la salida. Esta hecho es especialmente importante para considerar cuando se desee realizar un diseo para realizar una adaptacin de impedancia en la entrada y la salida del transistor simultneamente. Si, por ejemplo, por primera vez el nivel de entrada del transistor impedancia de la fuente y

luego coincide con la carga al transistor impedancia de salida, la salida correspondiente de red har que la impedancia del transistor de entrada cambie a su valor original. Por lo tanto, la entrada red de adaptacin ya no es vlida y tiene que volver a ser diseado. Una vez que redisear la entrada correspondiente red trabajo, sin embargo, este cambio de impedancia reflejar a travs de al colector causando una impedancia de salida cambiar lo que invalida el resultado neto correspondiente trabajar. Por lo tanto, si se ignoran totalmente los comentarios componentes en el circuito equivalente del transistor en el diseo de redes de adaptacin de impedancia, no podr obtener una combinacin perfecta para el transistor. No obstante, si Cc, es pequeo, el partido en la entrada y el salida podra ser tolerable en muchos casos.

Estabilidad Es posible predecir el grado de estabilidad (o su ausencia) de un transistor antes colocar el dispositivo en un circuito. Esto se hace a travs de un clculo del factor de la estabilidad Linvill, C.

Donde yr = la admitancia inversa de transferencia, yf = el ingreso hacia el transferencia, gi = la entrada de la conductancia, go = la conductancia de salida, Re = la parte real del producto dentro de parntesis. cuando C es menor que 1, el transistor es incondicionalmente Estable en el punto de polarizacin que ha elegido. Esto significa que usted puede elegir cualquier combinacin posible de la fuente y la impedancia de carga para el dispositivo, y el amplificador se mantendra estable siempre que no existen caminos de realimentacin externos que no han tenido en cuenta. Si C es mayor que 1, el transistor es potencialmente inestable y oscilar para ciertos valores de fuente y la impedancia de carga. un mayor factor C de 1 no indica. sin embargo, que el transistor no puede ser utilizado como un amplificador. Parmetros y Para calcular los parmetros Y iniciaremos con la

configuracin emisor comn.

Los parmetros Y del circuito para la configuracin de 2 puertos es:

Se Realiza el equivalente hibrido pi para el transistor en emisor comn

Teniendo en cuenta lo anterior hallamos:

Parmetros S Parmetros de dispersin o parmetros-S son propiedades usadas en ingeniera elctrica, ingeniera electrnica, e ingeniera de sistemas de comunicacin y se utilizan para describir el comportamiento elctrico de redes elctricas lineales cuando se someten a varios estmulos de rgimen permanente por pequeas seales.

los parmetros-S son usados principalmente para redes que operan en radiofrecuencia (RF) y frecuencias de microondas, ya que representan parmetros que son de utilidad particular en RF. En general, para redes prcticas, los parmetros-S cambian con la frecuencia a la que se miden, razn por la cual sta debe especificarse para cualquier medicin de parmetros-S, junto con la impedancia caracterstica o la impedancia del sistema. Los parmetros-S se representan en una matriz y por lo tanto obedecen las reglas del lgebra de matrices. Muchas propiedades elctricas tiles de las redes o de componentes pueden expresarse por medio de los parmetros-S, como por ejemplo la ganancia, prdida por retorno, relacin de onda estacionaria de tensin (ROEV), coeficiente de reflexin y estabilidad de amplificacin. Para la definicin de una red multi-puerto genrica, se asume que todos los puertos salvo el que se encuentra bajo consideracin o el par de puertos bajo consideracin tienen una carga conectada a ellos idntica a la impedancia del sistema y que cada puerto tiene asignado un entero 'n' que vara de 1 a N, donde N es el nmero total de puertos. Para un puerto n, la definicin de parmetros-S asociados se realiza en funcin de 'ondas de potencia' incidente y reflejada, respectivamente. Ondas de potencia son y versiones

normalizadas de las ondas viajeras de tensin incidente y reflejada correspondientes, y respectivamente, de

acuerdo a la teora de lneas de transmisin. stas estn

relacionadas con la impedancia del sistema Zo de la siguiente manera:

Para todos los puertos de la red, las ondas de potencia reflejadas pueden definirse en trminos de la matriz de parmetros-S y las ondas de potencia incidentes a travs de la siguiente ecuacin:

Los

elementos

de

los

parmetros-S

se

representan

individualmente con la letra mayscula 'S' seguida de dos subndices enteros que indican la fila y la columna en ese orden de la posicin del parmetro-S en la matriz de parmetros-S. La fase de un parmetro-S es la fase espacial a la frecuencia de prueba, y no la fase temporal (relacionada con el tiempo). Qu implica el termino FI? La finalidad de la etapa de frecuencia intermedia (FI), es la de obtener a su salida ya demoduladas las seales de audito y vdeo, una por cada lado para seguir cada una sus respectivos circuitos. La Frecuencia intermedia (FI) a la Frecuencia que en

los aparatos de radio se emplean el principio superheterodino se obtiene de la mezcla de la seal sintonizada en antena con una frecuencia variable generada localmente en el propio aparato mediante un oscilador local (OL) y que guarda con ella una diferencia constante. Esta diferencia entre las dos frecuencias es precisamente la frecuencia intermedia. Su funcin es amplificar y seleccionar, es decir eliminar los armnicos indeseables que se generan en el proceso de heterodinaje. Consiste en una serie de amplificadores y uno o varios filtros pasa-banda. En esta etapa se logra la mayor parte de la selectividad y la ganancia del receptor,. La frecuencia central y el BW de IF son fijas, para todas las estaciones de AM. es la misma (450KHZ a 460KHZ). Es ms fcil y ms barato construir amplificadores estables de alta ganancia.

Qu es un amplificador de FI? Normalmente, los amplificadores de FI, emplean transistores de alta frecuencia conectados en configuracin de emisor

comn en donde el inductor se sintoniza mediante su propia autocapacidad.

Un amplificador de emisor comn tiene baja impedancia de entrada que deriva la seal de entrada desde la etapa previa; este efecto se conoce como efecto amortiguador. Para minimizar esto, se utiliza un acoplamiento por condensador con derivaciones o un acoplamiento por inductor con tomas, la cadena de condensadores C3/C4 acta como red de acoplamiento por condensador con derivaciones para reducir el efecto amortiguador en el circuito sintonizado L2\C2.Una vez seleccionada la frecuencia que se quiere recibir a la seal se aplica al amplificador de frecuencia intermedia. sintonizador, mejorando su relacin seal ruido. Este bloque se encarga de amplificar la seal entregada por el

Qu caractersticas tiene un amplificador de FI?

Los

amplificadores

de

frecuencia

intermedia

(FI)

son

amplificadores sintonizados, con ganancia relativamente alta, muy parecidos a los amplificadores de RF, pero los de FI trabajan dentro de una banda de frecuencias fija y relativamente angosta. En consecuencia, son fciles de disear y fabricar para que sean estables, no irradien y se neutralicen con facilidad. Como los amplificadores de FI trabajan dentro de una banda fija de frecuencias, se pueden acoplar los amplificadores sucesivos en forma inductiva con circuitos de doble resonancia (en los circuitos de doble resonancia, los lados primario y secundario del transformador son circuitos tanque sintonizados).

Cual es el objetivo de utilizar un amplificador de FI?

La funcin de los amplificadores de F. I. consiste en amplificar una banda de frecuencias de un ancho de 10 Khz, 5 Khz. a cada lado de la frecuencia intermedia nominal. Esto quiere decir que si la frecuencia intermedia es 455, las frecuencias que deben de pasar estn en un rango de 450 y 460 Khz., si no fuese as, la calidad de reproduccin se vera afectada. Se determina este ancho de banda debido a que las emisoras transmiten en ese ancho (10 Khz.). El objetivo del amplificador de aumentar requiere la sensibilidad del etapas sintonizadas frecuencia receptor y intermedia puesto que aumenta es se la

tambin

Selectividad. La principal ventaja consiste en que las etapas amplificadoras se sintonizan una sola vez en el montaje de las mismas Cuales son las caractersticas de un transistor de FI? Las etapas amplificadoras de FI generalmente constan de dos o tres transistores en configuracin emisor comn, lo cual obliga a utilizar circuitos de neutralizacin en dependencia del diseo utilizado. Estos transistores tiene caractersticas similares a los transistores de RF, su frecuencia de trabajo debe ser varias veces superior al valor de fa frecuencia intermedia.

Impedancia de entrada e impedancia de salida del transistor y amplificador de FI Al igual que los amplificadores de Rf para compensar los efectos de la baja impedancia de entrada y la alta impedancia de salida de los los transistores transistores sobre de FI los circuitos taps de o acoplamiento, emplean

derivaciones en sus devanados. Para evitar posibles interferencias por la radiacin de la seal desde los ltimos pasos hacia los de entrada, se suele utilizar blindajes en los transformadores de FI. Linvill Describiremos un proceso sistemtico y matemtico para el diseo de amplificadores de RF de pequea seal. Es un procedimiento exacto. Las posibles fuente de error en el diseo ser la incertidumbre de las medidas y de la dispersin en los parmetros de los transistores del mismo modelo. Usaremos resultados obtenidos en el trabajo de Linvill (Transistors and Active Circuits., by Linvill and Gibbons, McGraw-Hill, 1961), Stern (Stability and Power Gain of Tuned Transistor Amplifiers. By Arthur P. Stern, Proc.IRE, March, 1957 ). El requerimiento habitual es el de una ganancia especfica a una frecuencia dada. Otros objetivos pueden ser ancho de banda, estabilidad, aislacin entrada-salida y bajo ruido.

Los circuitos se pueden categorizar como realimentacin (neutralizacin, unilateralizacin, o sin realimentacin) y adaptacin en las terminales del transistor (admitancias de circuito adaptadas o no a las admitancias de entrada y salida del transistor). USANDO PARMETROS Y Un factor muy importante en el diseo es la estabilidad potencial del transistor. Puede calcularse por el factor de estabilidad de Linvill:

C=

2 g i g o Re( y r y f

yr y f

Donde, = la magnitud del producto entre corchetes yr = admitancia de transferencia reversa, yf = admitancia de transferencia directa, g1 = conductancia de entrada, g0 = conductancia de salida Re = la parte real del producto entre parntesis.

Cuando C<1 el transistor es estable incondicionalmente. Cuando C>1 el transistor es potencialmente inestable.

El factor C es una prueba de estabilidad bajo la condicin de peor caso, es decir con las terminales de entrada y salida del transistor en circuito abierto. Sin realimentacin externa, un transistor estable incondicionalmente no oscilar con ninguna combinacin de de fuente y carga. Por el contrario, si es potencialmente inestable, algunas combinaciones de fuente y carga producirn oscilacin. Se debe tener en cuenta que si C es menor pero cercano a 1, cambios en la polarizacin DC (debidos por ejemplo a la temperatura) pueden causar que pase a ser mayor que 1, tornndose potencialmente inestable. Recordemos que los parmetros Y estn especificados a un punto de polarizacin determinado. Por lo tanto, cuanto menor sea C, mejor es. A pesar de que el factor C puede ser usado para determinar la estabilidad potencial de un transistor, las condiciones de circuito abierto en fuente y carga no son aplicables a un amplificador real. Por ello Stern defini un factor de estabilidad k que toma en cuenta admitancias finitas en fuente y carga conectadas al transistor.

K=

2( g i + G S )( g o + G L ) y r y f + Re ( y r y f

donde, GS = La conductancia de la fuente GL = La conductancia de la carga ECUACIONES GENERALES DE DISEO GANANCIA DE POTENCIA La ecuacin general es:
G = YL + o y yf
2 2

R( YL ) e y y yi r f ) yo + L Y

R( e

Dicha ecuacin se aplica a circuitos sin realimentacin. Tambin puede ser usado con circuitos con realimentacin externa si son usados los parmetros Y compuestos. Se puede apreciar: a) No tiene en cuenta prdidas en la red. No computa

prdidas por desadaptacin a la entrada ni a la salida del transistor. b) La ganancia es independiente de la admitancia de la

fuente.

Si quisiramos incluir los efectos de la adaptacin de la entrada en el clculo de ganancia de potencia podramos contemplar el uso de GT (Ganancia de Transductor). Se la define como la potencia de salida enviada a una carga por el transistor dividida por la mxima potencia de entrada disponible desde la fuente.
4G S G L y f
2 2

GT =

( y i + YS )( y o + YL ) y f y r

YL es la admitancia vista por el transistor hacia la salida. Incluye la red de adaptacin y la carga. Anlogamente YS es la admitancia vista por el transistor hacia la entrada. Definimos Ganancia Mxima Disponible (MAG por su sigla en ingls) como:
yf
2

MAG =

4 gig o

Es la ganancia de potencia terica de un transistor con yr=0 y cuando YL y YS son las conjugadas complejas de yo e yi. yr=0 se debe a que en condiciones normales yr acta como una realimentacin negativa. Teniendo yr=0 no hay realimentacin y por lo tanto la ganancia est al mximo.

En la prctica, no se puede obtener yr=0 y por lo tanto no se puede conseguir una ganancia como la MAG. Por ello la MAG es una figura de mrito. Sin embargo, se obtienen valores cercanos a travs de la adaptacin conjugada simultnea. nos revela como til. TRANSISTOR ESTABLE INCONDICIONALMENTE Cuando el factor de estabilidad de Linvill es menor que uno nos asegura que el transistor es incondicionalmente estable. No van a ocurrir oscilaciones para ninguna combinacin de fuente y carga que sean utilizadas. As que la estabilidad se elimina como un requerimiento para el resto del diseo. AMPLIFICADORES SIN REALIMENTACIN Como el transistor es incondicionalmente estable es lgico pensar en un amplificador sin realimentacin debido a menos componentes y un simple procedimiento de sintonizacin. Para obtener la mxima ganancia elegimos YS e YL adaptados conjugadamente a yi e yo. Lo llamamos adaptacin conjugada simultnea.
BS = jbi +
2 2

Por lo que este valor se

Im( y f y r ) 2go

GS =

[2g g
i

Re( y f y r ) y f y r 2go

GL =

[2 g g
i

Re ( y f y r ) y f y r
2

2 g1

GS g o gi

B L = jbo +

Im( y f y r ) 2g i

Donde, GS = la conductancia de la fuente. BS = la susceptancia de la fuente. GL = la conductancia de la carga. BL = la susceptancia de la carga. Im = la parte imaginaria del producto entre parntesis. Agc En el AGC-I, el control de la ganancia depende de la seal de entrada. La compresin comienza cuando el valor del a seal de entrada supera un cierto valor umbral prefijado (TK). Por debajo de este valor la amplificacin es lineal y por encima de este la ganancia disminuye en una relacin denominada relacin de compresin, que puede ser 2:1, 3:1, 4:1,... y que significa que para incrementar 1 decibelio en la salida es necesario que en la entrada se incrementen 2, 3, 4, ...decibelios. En el AGC-O, el control de la ganancia depende de la seal de la salida. Por tanto, la compresin o

disminucin de seal comienza cuando en la salida se detecta una nivel de presin sonora superior a un umbral prefijado. En resumen, la seal se comprime despus de haber sido amplificada. Normalmente los audfonos suelen llevar una slo AGC bien de entrada o de salida. Para vez existe una combinacin de ambos.

Circuito AGC

Circuito SQUELCH Es una funcin que posen algunos circuitos para suprimir una seal salvo que esta sea lo suficientemente fuerte. Es una funcin tambin conocida como "noise gate", que tal como su nombre lo indica, es una puerta para suprimir ruidos, y hacer pasar lo que en verdad nos interesa de una seal. La idea de ajustar el nivel de Squelch, en el caso de una radio, es la de eliminar ruidos e interferencia molesta que provenga del ambiente o frecuencias cercanas; tienes que ir probando hasta encontrar el nivel justo para que puedas escuchar bien las transmisiones sin demasiado ruido de fondo o interferencia - si lo ajustas demasiado alto no escuchas nada, y si est muy bajo hay demasiado ruido de fondo

este prrafo fue extrado del libro del libro Wayne tomasi, Sistemas de comunicaciones electrnicas pagina 187 Conclusin

Los amplificadores de radiofrecuencia y de frecuencia media son amplificadores de voltaje, que aumentan el voltaje de la seal. Los receptores de radio pueden tener una o ms etapas de amplificacin de voltaje de frecuencia audio. Adems, la ltima etapa antes del altavoz tiene que ser de amplificacin de potencia. Un receptor de alta fidelidad contiene los circuitos de sintona y de amplificacin de cualquier radio. Como alternativa, una radio de alta fidelidad puede tener un amplificador y un sintonizador independientes. Las caractersticas principales de un buen receptor de radio son una sensibilidad, una selectividad y una fidelidad muy elevadas y un nivel de ruido bajo. La sensibilidad se consigue en primera instancia mediante muchas etapas de amplificacin y factores altos de amplificacin, pero la amplificacin elevada carece de sentido si no se pueden conseguir una fidelidad aceptable y un nivel de ruido bajo. Los receptores ms sensibles tienen una etapa de amplificacin de radiofrecuencia sintonizada. La selectividad es la capacidad del receptor de captar seales de una emisora y rechazar otras de emisoras diferentes que limitan con frecuencias muy prximas. La selectividad extrema tampoco resulta aconsejable, ya que se precisa un ancho de banda de muchos kilohercios para recibir los componentes de alta frecuencia de las seales de frecuencia audio. Un buen receptor sintonizado a una emisora presenta una respuesta cero a otra emisora que se diferencia en 20 kHz. La

selectividad depende sobre todo de los circuitos en la etapa de la frecuencia intermedia.