COMOPORTAMIENTO OPTICO DE LOS MATERIALES 20.2.

EL ESPECTRO ELECTROMAGNTICO Un material puede emitir energa o radiaciones en forma de ondas o partculas, llamadas fotones. Las caractersticas importantes de los fotones estn relacionadas mediante la siguiente ecuacin

Donde c es la velocidad de la luz (3x1010 cm/s) y h es la constante de Planck (6.62x10-34 J.s). Esta ecuacin permite considerar el fotn como una partcula de energa E o como una onda, con longitud de onda y frecuencia caractersticas. Dependiendo del origen de los fotones, se pueden producir radiaciones en una gran gama de longitudes de onda; la totalidad del espectro de las radiaciones electromagnticas aparecen en la figura 20-1.

20.3. EJEMPLOS Y USOS DE LOS FENMENOS DE EMISIN Rayos gamma-interacciones nucleares Los rayos gamma son emitidos durante la descomposicin radiactiva de ncleos inestables de ciertos tomos. Por tanto, la energa de los rayos gamma depende de la estructura del ncleo del tomo y vara segn los distintos materiales.

Los rayos gamma pueden utilizarse como fuente de radiacin para detectar defectos dentro de un material. Rayos X- interacciones en las capas internas de electrones Los rayos X, que tienen una energa ligeramente menos que los rayos gamma, se producen al estimular los electrones de las capas internas de un tomo. Se producen rayos X de espectro continuo y espectro caracterstico. Suponga que un electrn de alta energa golpea un material. Cada vez que el electrn golpea un tomo, cede una parte adicional de su energa. Cada interaccin puede ser mas o menos severa, produciendo fotones de longitudes de onda diferentes (figura 20-2). Se produce un espectro continuo(la porcin continua de las curvas en la figura 20-3). Si el electrn perdiera toda su energa en un solo impacto, la longitud de onda mnima de los fotones emitidos seria el equivalente a la energa original del estimulo. La longitud de onda mnima de los rayos X producida se conoce como limite de longitud de onda corta swl

El estimulo de llegada tambin puede tener energa suficiente para excitar un electrn de una nivel inferior de energa y pasarlo a uno superior. Este proceso propicia la emisin de un espectro caracterstico de rayos X que es diferente para cada tipo de tomo. Cuando un electrn baja de un nivel a otro nivel, emita un foton que tiene energa y longitud de onda particulares. Este efecto se ilustra en la figura 20-4. Si se excita un electrn de la capa K, el hueco puede llenarse con electrones provenientes de cualquier capa exterior. Asi se emitirn fotones con energa E=EK-EL (rayos X K) o E = EKEM(rayos X K). Cuando un electrn de la capa M llena la capa L, se emite un fotn de energa E = EL-EM (rayos X L). Observe que para producir rayos X K se necesita un estimulo mas enrgico que para producir rayos X L.

Como consecuencia de la emisin de fotones con una longitud de onda caracterstica, sobre el espectro continuo se sobreponen una seria de picos (figura 20-3). Las longitudes de onda a las cuales ocurren estos picos son caractersticas de cada tipo de tomo. Tambin es posible medir la intensidad de los picos caractersticos. Comparando las intensidades medidas con las normales, se puede calcular el porcentaje de cada tipo de tomo dentro del material y de ah, estimar su composicin. En la tabla 20-1 se incluyen ejemplos de una porcin de los espectro caractersticos de diversos elementos.

Luminiscencia Interacciones de las capas exteriores de electrones La luminiscencia es la conversin de radiaciones y otras formas de energa en luz visible. La luminiscencia ocurre cuando una radiacin incidente excita electrones de la banda de valencia para pasar a travs de la brecha de energa y hacindolos llegar finalmente a la banda de conduccin. Cuando los electrones regresan a la banda de valencia, emiten fotones. Si la longitud de onda de estos fotones est dentro del espectro de luz visible, aparecer la luminiscencia. Sin embargo, esta no ocurre en los metales. Los electrones simplemente son excitados para pasar a niveles superiores de energa dentro de la banda de valencia no totalmente ocupada y, cuando el electrn excitado regresa al nivel inferior de energa, el fotn producido tiene una energa muy pequea y una longitud de onda muy larga y superior a la de la luz visible [ver figura 20-6 (a)].

En materiales luminiscentes se observan dos efectos distintos: la fluorescencia y la fosforescencia. En la fluorescencia, todos los electrones excitados vuelven a la banda de valencia y los fotones correspondientes son emitidos una fraccin de segundo despus de haberse eliminado el estimulo [figura 20-6(b)]. Las lmparas fluorescentes, que estn recubiertas de un material fluorescente, se comportan de esta forma. Al desconectar la energa, de inmediato la lmpara dejara de emitir luz. Los materiales fosforescentes tiene impurezas, que introducen un nivel de donante dentro de la brecha de energa [figura 20-6 (c)]. Los electrones estimulados bajan primero al nivel donante y quedan atrapados. Existe un retardo antes de que los fotones sean emitidos. Cuando se elimina la fuente, los electrones en las trampas escapan gradualmente, emitiendo luz a lo largo de una cierto periodo. La intensidad de la luminiscencia est dada por

Donde es el tiempo de relajacin, que es una constante del material. Despus del tiempo t posterior a la eliminacin de la fuente, la intensidad de la luminiscencia bajara de Io a I. Los materiales fosforescentes son muy importantes para la operacin de las pantallas de televisin.

Diodos emisores de luz- Electroluminiscencia La luminiscencia se puede utilizar con ventaja para la creacin de diodos emisores de luz (LED). Los LED son dispositivos de unin p-n diseados de tal manera que Eg se de en el espectro visible (a menudo rojo). Un voltaje aplicado al diodo en la direccin de la polarizacin directa hace que en la unin se recombinen huecos y electrones y emitan fotones (figura 20-7). El GaAs, el GaP, el GaAlAs y el GaAsP son materiales tpicos para los LED.

Laser Amplificacion de la luminiscencia El laser (siglas en ingles de light amplification by simulated emission of radiation, o amplificacin de la luz mediante emisin estimulada de radiacin). En ciertos materiales, los electrones excitados por un estimulo (como el tubo de centelleo mostrado en la figura 20-8) producen fotones, los cuales a su vez excitan otros fotones con longitud de onda idntica. En consecuencia, los fotones emitidos en el material se amplifican. Los rayos laser son tiles en el tratamiento trmico y la fusin de los metales; en soldadura, ciruga y cartografia; en la transmisin y el procesamiento de la informacin, y en otras aplicaciones, incluso en la lectura de discos compactos con grabaciones estereofnicas libres de ruido.

Para la produccin del laser se utiliza una diversidad de materiales. El rubi, que es Al2O3 dopado con una pequea cantidad de Cr2O3, y el granate de itrio aluminio (YAG) dopado con neodimio, son dos laser comunes de estados solido. Otros laser se basan en gas de CO2.

Tambin se utilizan rayos laser semiconductores como el GaAs. La figura 20-9 ilustra como podra operar un laser semiconductor. Al excitar el semiconductor mediante un voltaje aplicado al dispositivo, los electrones saltan de la banda de valencia hacia la banda de conduccin. Cuando un electrn vuelve a la banda de valencia recombinandose con un hueco, se produce un fotn. Este fotn estimula otro electrn, para que baje de la banda de conduccin hacia la banda de valencia. En uno de los extremos del cristal del laser un espejo refleja todos los fotones, atrapndolos dentro del semiconductor. Los fotones reflejados estimulan aun mas recombinaciones, hasta que se produce una onda intensa de fotones, estos llegan al otro extremo del cristal, que tambin tiene un espejo. Parte de los fotones emerge del cristal como un haz monocromtico coherente, en tanto que el resto se queda en el cristal para estimular recombinaciones adicionales. La figura 20-10 muestra de manera esquemtica un diseo de un laser semiconductor.

Emisin trmica Al calentarse un material, los electrones se excitan trmicamente hasta llegar a niveles de energticos superiores, particularmente en los niveles superiores de energa, donde los electrones estn menos fuertemente unidos al ncleo. De inmediato, estos regresan a sus niveles normales, liberando fotones, fenmeno conocido como emisin trmica. Conforme se incrementa la temperatura, la agitacin trmica aumenta y tambin la mxima energa de los fotones emitidos. Se emite un espectro continuo de radiacin, con una longitud de onda mnima y una distribucin de intensidad dependientes de la temperatura. Los fotones pueden incluir longitudes de onda del espectro visible; en consecuencia, el color del material cambiara con la temperatura. A temperaturas bajas, la longitud de onda de la radiacin es demasiado larga para ser visible. Conforme la temperatura aumenta, los fotones emitidos son de longitudes de onda mas cortas. A 700C se empieza a ver un tinte rojizo; a 1500C se emiten longitudes de onda naranja y roja (figura 20-11). A temperaturas todava superiores se producen todas las longitudes de onda visibles, y el espectro emitido es una luz blanca. Midiendo con un pirmetro la intensidad de una banda estrecha de las longitudes de onda emitidas, se puede estimar la temperatura del material.

20.4. INTERACCIN DE LOS FOTONES CON UN MATERIAL Al interactuar con la estructura electrnica o cristalina de un material, los fotones crean varios fenmenos pticos (figura 20-12).

Refraccin cuando un fotn es trasmitido provoca que se polaricen electrones en el material y, al interactuar con el material polarizado, pierde parte de su energa. La velocidad de la luz se puede relacionar con la facilidad con la cual un material se polariza tanto elctricamente(permisividad) como magnticamente (permeabilidad)

Dado que la velocidad de los fotones disminuye, cuando el haz entra en el material cambia de direccin (figura 20-12). Suponga que un haz de fotones viaja en el vacio e incide sobre un material. Si y son los ngulos que los haces incidentes y refractados tienen con el plano de superficie entonces

La relacin n es el ndice de refraccin, c es la velocidad de la luz en el vacio y v la velocidad de la luz dentro del material. En la tabla 20-2 se enlistan valores tpicos de ndices de refraccin para varios materiales.

Si en vez del vaco los fotones viajan en el material 1 y de ah pasan al material 2, las velocidades de los haces incidentes y refractados dependen de la relacin entre sus ndices de refraccin, haciendo de nuevo que el haz cambie de direccin.

Cuando el material se polariza con facilidad habr aun ms interaccin de fotones con la estructura electrnica del material. En consecuencia, se espera encontrar una relacin entre el ndice de refraccin y la constante dielctrica del material. Para materiales no magnticos:

Reflexin Cuando un haz de fotones golpea un material, estos interactan con los electrones de valencia y ceden su energa. La reflectividad R da la fraccin del haz incidente que se refleja y esta relacionada con el ndice de refraccin. Si el material esa en el vacio o en el aire:

Si el material esta en algn otro medio, con un ndice de refraccin ni, entonces: ( )

Los materiales con alto ndice de refraccin tienen mayor reflectividad que los de ndice bajo. La reflectividad y el ndice de refraccin varian con la longitud de onda de los fotones. En los metales, la reflectividad es tpicamente del orden de 0.9 a 095, en tanto que la reflectividad de los vidrios tpicos es ms prxima a 0.05. Absorcin aquella porcin de haz incidente no reflejada por el material es absorbida o transmitida a travs del mismo. La intensidad del haz, despus de pasar a travs del material, esta dada por

Donde x es la trayectoria a travs de la cual se mueven los fotones (el espesor del material), es el coeficiente lineal de absorcin del material para los fotones, I0 es la intensidad del haz, despus de reflejarse de la superficie delantera, e I es la intensidad del haz cuando llega a la superficie trasera. El efecto fotoelctrico se presentara cuando la energa del fotn se consuma al romperse la unin entre el electrn y su ncleo. Conforme la energa del fotn aumenta (o se reduce la longitud de onda, vea figura 20-14), ocurrir menos absorcin, hasta que el fotn tenga una energa igual a la de la unin. A este nivel de energa, el coeficiente de absorcin se incrementa de manera significativa. La energa o longitud de onda a la que esto ocurre se conoce como el margen de absorcin. En la figura 20-14 el cambio brusco en el coeficiente de absorcin corresponde a la energa que requiere para quitar un electrn de la capa K del tomo; este margen de absorcin es importante en ciertas tcnicas analticas de rayos X.

En los metales, el coeficiente de absorcin tiende a ser grande [figura 20-16(a)]. Dado que en los metales no hay brecha de energa. Los aislantes por el contrario, dejan una brecha de energa muy grande entre las bandas de valencia y de conduccin. Si la potencia de los fotones incidentes es menor a la brecha de energa no ocurrir absorcin [figura 20-16(b)]. Cuando los fotones no interactan con imperfecciones en el material, se dice que este es transparente (vidrio, muchos materiales cermicos cristalinos de alta pureza y polmeros amorfos como el acrlico). En los semiconductores, la brecha de energa es menor que la de los aislantes. En los semiconductores intrnsecos, habr absorcin si la energa del fotn excede la brecha de energa Ed; en tanto, los fotones con menos potencia pasan por el proceso de trasmisin [figura 20-16(b)]. En los semiconductores extrnsecos, la absorcin se presenta cuando los fotones tienen energias superiores a Ea o a Ed [figura 20-16(c)].

Transmisin La fraccin del haz no reflejada o absorbida se transmite a travs del material. Utilizando los pasos siguientes se puede determinar la fraccin del haz que se ha transmitido (vea la figura 20-17):

1. Si la intensidad incidente es I0 entonces la perdida debida a reflexin en la cara frontal del material es RI0. La fraccin de haz incidente que realmente entre en el material es I0 RI0=(1-R)I0. 2. Una porcin del haz que entra en el material se pierde por absorcin. La intensidad del haz despus de pasar a travs de una material con un espesor x es: Idespues de la absorcin=(1-R)I0exp(-x) 3. Antes de que el rayo parcialmente absorbido salga del material, ocurrir una reflexin en la superficie trasera. La fraccin del haz que llega a la superficie trasera y que se refleja es: Ireflejado de la superficie trasera= R(1-R)I0exp(-x) 4. En consecuencia, la fraccin del haz que se transmite totalmente a travs del material es: Itransmitida= Idespues de la absorcin- Ireflejado de la superficie trasera Itransmitida= (1-R)I0exp(-x) - R(1-R)I0exp(-x) It = I0 (1-R)2exp(-x) La intensidad del haz transmitido tambin depende de caractersticas microestructurales. La porosidad en los vidrios dispersa los fotones. Los precipitados cristalinos, particularmente aquellos que tienen un ndice de refraccin muy distinto al material de la matriz, tambin causan dispersin. Estos opacificadores cristalinos provocan que un vidrio, que normalmente tendra excelente transparencia, se convierta en traslucido e incluso opaco. Por lo general , precipitados o poros ms pequeos generan una mayor reduccin en la transmisin de los fotones. Absorcin, transmisin o reflexin selectivas Cuando los fotones son absorbidos, transmitidos o reflejados de manera selectiva, se observa un comportamiento ptico fuera de lo comn.

En ciertos materiales, el reemplazo de iones normales por elementos de transicin o de tierras raras produce un campo cristalino, el cual creo nuevos niveles de energa dentro de la estructura. Este fenmeno ocurre cuando en Al2O3 los iones Cr+3 reemplazan a los Al+3. Los nuevos niveles de energa absorben luz visible en las proporciones violeta y verdeamarillo del espectro. Las longitudes de onda color rojo son transmitidas, dando as el color rub. Por esta razn, los laser producidos a partir de rub dopado con cromo producen un haz caracterstico rojo. Tambin se pueden dopar los vidrios con iones para que produzcan absorciones y transmisiones selectivas (tabla 20-3). Por ejemplo, el vidrio policromtico, utilizado para los lentes de sol contiene tomos de plata. El vidrio oscurece a la luz del sol, pero se hace transparente en la oscuridad. A la luz brillante, cada ion de plata gana un electrn excitado por los fotones y se reduce de Ag+ a tomos de plata metlica. Por tanto se presenta la absorcin de fotones. Cuando la luz incidente disminuye la intensidad, la plata vuelve a convertirse en iones sin que haya absorcin.

Fotoconduccin En los semiconductores ocurre la fotoconduccion si el material forma parte de un circuito elctrico. Es este caso, los electrones estimulados producen una corriente en vez de una emisin (figura 20-18). Si la energa de una fotn incidente es suficiente, se excitara un electrn y pasara a la banda de conduccin, o se creara un hueco en la banda de valencia, y el electrn o el hueco transportaran carga a travs del circuito. La longitud de onda mxima del fotn incidente requerido para que exista Fotoconduccin est relacionada con la brecha de energa del material semiconductor.

Las celdas solares son uniones p-n diseadas de tal manera que los fotones exciten electrones para hacerlos pasar a la banda de conduccin. Los electrones se mueven hacia el lado n de la unin, en tanto que los huecos se mueven al lado p de la misma. Este movimiento produce un voltaje de contacto debido al desequilibrio de cargas. Si el

dispositivo de unin es conectado a un circuito elctrico, la unin funcionara como una batera para dar energa.

20.5. SISTEMAS Y MATERIALES FOTONICOS Los sistemas fotonicos utilizan la luz para transmitir informacin. Los sistemas telefnicos de comunicacin, por ejemplo, utilizan fibras pticas como medio para transmitir mas mensajesque los que se pueden transmitir con tcnicas convencionales. Un sistema fotonico debe generar una seal de luz desde alguna otra fuente, como una seal elctrica; luego transmitir la luz a un receptor, procesar los datos recibidos y convertirlos en una forma til (figura 20-19).

Generacin de la seal A fin de transmitir y procesar informacin de la mejor manera, la luz debe ser coherente y monocromtica. Por tanto un mtodo ideal para la

generacin de fotones es una laser. Semiconductores del III-V como el GaAs, GaAlAs e InGaAsP tienen brechas de energa que proveen fotones en el espectro visible. Los laser construidos con sabe en estos materiales pueden energizarse mediante un voltaje para generar un haz laser. Otro mtodo para producir fotones es utilizar diodos emisores de luz. Trasmisor del haz Guias de ondas formadas con fibras de vidrio transmiten la luz desde la fuente hasta el receptor. A fin de que las fibras pticas transmitan eficientemente la luz a largas distancias, el vidrio debe tener una transparencia excepcional y no debe fugarse nada de luz. El ndice de refraccin es importante al considerar las prdidas por fugas. La diferencia de ndices de refraccin ayuda a conservar el haz en el interior del ncleo y este haz recorre la trayectoria que se muestra en la figura 20-20.

Recepcin de seal Los diodos emisores de luz que se utilizan para generar seales o los diodos semiconductores de silicio ms convencionales, tambin pueden recibir la seal. Cuando un fotn llega al diodo p-n, un electrn se excita y pasa a la banda de conduccin, dejando atrs un hueco. Si al diodo se le aplica un voltaje, la pareja electrn-hueco crea una corriente que se amplifica y posteriormente se procesa. Procesamiento de la seal normalmente la seal recibida es de inmediato convertida en una seal electrnica y a continuacin se procesa, utilizando dispositivos semiconductores convencionales basados en silicio. Sin embargo, ciertos materiales como el LiNbO3 tienen una respuesta ptica no lineal. Cuando se recibe un haz de fotones provenientes de este tipo de material, este puede actuar como un transistor, amplificando seal; como un conmutador (o como una compuerta lgica en una computadora) y controlar la trayectoria del haz. El desarrollo de transistores fotonicos pudiera resultar en una computadora de funcionamiento ptico.

PROPIEDADES PTICAS Y MATERIALES SUPERCONDUCTORES LA LUZ Y EL ESPECTRO ELECTROMAGNTICO La luz visible es una forma de radiacin electromagntica con longitudes de onda que se extienden desde aproximadamente 0,40 a 0,75 m. La energa E, la longitud de onda y la frecuencia de los fotones se relacionan mediante la ecuacin fundamental, en la que h es la constante de Planck(6,62 x 10-34 J.s) y c es la velocidad de la luz en el vaco (3 x 108 m/s)

REFRACCIN DE LA LUZ ndice de refraccin: La figura 1 muestra cmo un rayo de luz que se transmite en el aire disminuye su velocidad cuando entra en un medio ms denso como es un vidrio; as, el ngulo de incidencia para el rayo de luz es mayor que el ngulo refractado para este caso.

La velocidad relativa de la luz que pasa a travs de un medio es expresada por el ndice de refraccin(n) que se define como el cociente entre la velocidad de la luz en el vaco (c) y a velocidad en el medio considerado (v).

Ley de Snell de la refraccin de la luz: los ndices de refraccin para la luz que pasa de un medio de ndice n a otro de ndice n estn relacionados con los ngulos de incidencia y de refraccin por la relacin

Cuando la luz pasa e un medio a otro con un ndice de refraccin mas bajo, existe un ngulo critico de incidencia c corresponde a (refraccin) = 90, por definicin.

ABSORCIN, TRANSMISIN Y REFLEXIN DE LA LUZ La fraccin de luz transmitida por un material determinado depende la cantidad de luz reflejada y absorbida por el mismo. Para una determinada longitud de onda , la suma de las fracciones de la luz incidente que es reflejada, absorbida y transmitida es igual a 1. (fraccin reflejada) + (fraccin absorbida) + (fraccin transmitida) = 1

Metales: Excepto para secciones muy finas, los metales reflejan y/o absorben fuertemente la radiacin incidente desde longitudes de ondas largas hasta la mitad del rango ultravioleta. Vidrios de slice fundido: Reflexin de luz desde una superficie de vidrio. La porcin de luz incidente que se refleja en una superficie de una placa de vidrio pulido es muy pequea. Esta cantidad depende principalmente del ndice de refraccin del vidrio y del ngulo de incidencia de la luz sobre el vidrio. Para una incidencia de luz normal, la fraccin de luz reflejad R (reflectividad) se determina por la relacin: ( )

Absorcin de luz por una lmina de vidrio. La relacin entre la fraccin de luz incidente, I0 , y la fraccin de luz emergente, I, de una lmina o placa de vidrio de espesor t y que est libre de centros de dispersin es:

Plsticos Muchos plsticos no cristalinos tienen excelentes transparencias; sin embargo en algunos hay regiones cristalinas que tienen mayor ndice de refraccin que las regiones no cristalinas. Las mltiples reflexiones internas en las regiones cristalinas reducen la transparencia de los plsticos parcialmente cristalinos.

Semiconductores Los semiconductores son opacos a los fotones de energas altas e intermedias y transparentes a fotones de baja energa(largas longitudes de onda).

LUMINISCENCIA La luminiscencia puede ser definida como el proceso por el cual una sustancia absorbe energa y despus, espontneamente, emite radiacin en el espectro visible cercano a ste. Si la emisin tiene lugar dentro de 10-8 s despus de la excitacin, se llama fluorescencia, y si dura ms de 10-8 s se denomina fosforescencia.

La luminiscencia se produce por materiales llamados fosforescentes que son capaces de absorber radiaciones de onda corta y alta energa, y emitir espontneamente radiacin luminosa de longitud de onda ms larga y energa ms baja. El espectro de emisin de los materiales luminiscentes se controla industrialmente aadiendo impurezas llamadas activadores. Fotoluminiscencia En una lmpara fluorescente normal, la fotoluminiscencia convierte radiacin ultravioleta de un arco de mercurio de baja presin en luz visible usando un material fosforescente halofosfatado.

Un halofosfato de calcio con cerca del 20% de los iones F sustituidos por iones Cl -, es utilizado como material fosforescente husped en la mayora de las lmparas. Ctodo luminiscencia Este tipo de luminiscencia es producido por un ctodo energizado que genera un haz de electrones de alta energa. Entre las aplicaciones de este proceso tenemos el microscopio electrnico, el osciloscopio de rayos catdicos, y las pantallas de televisin en color. Los materiales que se utilizan normalmente para los colores son sulfuro de zinc con un aceptor de Ag+ y un donante de Cl para el color azul, (Zn, Cd)S con un aceptor de Cu+ y un donante de Cl3+ para el color verde, y oxisulfuro de itrio con un 3% de europio para el color rojo. Los materiales fosforescentes deben conservar algunos brillos de imagen hasta el siguiente barrido, pero no deben conservar demasiados ya que quedara borrosa la imagen. La intensidad de luminiscencia, , se da por: ln =

EMISIN ESTIMULADA DE RADIACIN Y LSER En estas fuentes, los tomos emiten fotones de longitudes de onda similares, pero independientemente y al azar. Consecuentemente, la radiacin emitida est en direcciones aleatorias y los frentes de onda estn desfasados entre s. Este tipo de radiacin se llama

incoherente. Por el contrario, una fuente de luz llamada lser produce un haz de radiacin cuyas emisiones de fotones estn en fase, es decir, son coherentes y adems son paralelas, direccionales y monocromticas (o cuasimonocromticas). La palabra lser es una abreviatura de las primeras letras de los trminos en ingls que se usan para la descripcin de este tipo de radiacin: Light Ampification by Stimulated Emission of Radiation, que viene a ser Amplificacin luminosa por emisin estimulada de radiacin El lser de rub mostrado esquemticamente en la Figura, es un monocristal de xido de aluminio que contiene aproximadamente 0,05% de iones Cr3+ . Los iones Cr3+ ocupan sitios en la estructura del Al2O3 cristalino y son responsables del color rosa de la barra del lser. Estos iones actan como centros fluorescentes que cuando estn excitados caen a niveles de menor energa, originando emisiones de fotones a longitudes de onda especficas.

Una lmpara de destello de xenn proporciona la energa suficiente para excitar los electrones del in Cr3+; sta accin se denomina bombardear al lser. El rayo lser producido por la barra de cristal de xido de aluminio con impurezas de Cr3+ (rub) tienen una longitud de onda de 694,3 nm, que es una lnea visible roja. Este tipo de lser, que puede funcionar intermitentemente en rfagas, es conocido como tipo pulsado. Por el contrario, la mayora de los lseres funcionan como un haz continuo y se denominan lseres de onda continua.

Tipos de lser Lser de rub: Este lser no es muy usado actualmente por las dificultades en la fabricacin de las barras de cristal. Lser de neodimio-YAG: El lser de neodimio-itrio-aluminio-granate se construye combinando Nd en una base de cristales YAG. Este lser tiene una longitud de onda de 1,06 m y con una potencia continua de 250 W. El lser tiene la ventaja de su gran conductividad trmica para eliminar el exceso de calor. Se usan en el procesado de metales tales como cortar, soldar, etc. Lser semiconductor: O diodos lser, tienen el tamao de un grano de sal. Constan de una unin pn con un componente semiconductor como GaAs. Las interfaces aire-cristal producen las reflexiones necesarias para el funcionamiento del lser, debido a las diferencias de ndice de refraccin del aire y el GaAs. El diodo lser consigue la inversin de poblacin con una fuerte polarizacin directa aplicada a una unin pn muy dopada. Se genera entonces un gran nmero de pares electrn hueco, y muchos de estos se recombinan de nuevo para emitir fotones de luz. FIBRAS PTICAS Las fibras pticas (con el espesor de un fino cabello) fabricadas en vidrio de slice(SiO 2) son los elementos fundamentales de los sistemas de comunicacin modernos. Constan esencialmente de un trasmisor(un diodo lser) para convertir las seales elctricas en luminosas, una fibra ptica para transmitir las seales luminosas y un fotodiodo para convertir stas nuevamente a elctricas.

Prdida de luz en fibras pticas: En las fibras pticas la prdida de luz debe ser mnima, y para esto, las impurezas (Fe2+) en el vidrio de SiO2 deben ser muy bajas. La prdida de luz de un material transmisor, en dB/Km, es una transmisin de luz sobre una longitud l, est relacionada con la intensidad luminosa inicial I0 y la final I por la ecuacin: Atenuacin = Fibras pticas monomodo y multimodo La retencin de luz dentro de la fibra es posible porque la luz pasa a travs del ncleo central que tiene un ndice de refraccin mayor que la cubierta de vidrio exterior. En las de tipo monomodo con un ncleo de 8 m de dimetro y una cubierta de 125 m hay un solo camino posible para el haz de luz. En las multimodo pasan muchos tipos de onda simultneamente y por lo tanto la seal de salida es mucho ms dispersa que en la monomodo.

Fabricacin de la fibra ptica El mtodo ms importante es el proceso de deposicin qumica de vapor (MCVD). En este proceso se hace pasar vapor seco de alta pureza de SiCl 4 con varios contenidos de vapor de GeCl4 e hidrocarburos fluorados a lo largo de un tubo rotatorio de slice pura con oxgeno puro. Un quemador exterior de oxihidrgeno se mueve a lo largo del dimetro exterior del tubo permitiendo que los contenidos reaccionen para formar partculas de vidrio de silicio dopadas con las combinaciones deseadas de germanio y flor. El GeO2 incrementa el ndice de refraccin del SiO2 y el fluoruro lo baja. Luego de la regin de reaccin, las partculas de vidrio migran hacia la pared del tubo, donde se depositan. El movimiento del soplete que ha producido la reaccin de formacin de las partculas de vidrio, cuando pasa sobre ellas, las sintetiza en una capa delgada de vidrio dopado. El espesor de la capa dopada depende del nmero de capas que se han depositado en los sucesivos pases del soplete.

La siguiente etapa en el tubo de slice es un calentamiento hasta una temperatura suficientemente alta para que los vidrios se aproximen a su unto de reblandecimiento. La tensin superficial hace que el tubo con las capas depositadas tienda uniformemente a una varilla slida que se llama preforma; la cual despus se introduce en un horno de alta temperatura, para forjarla en una fibra de vidrio alrededor de 125 m. Luego se aplica un recubrimiento de polmeros de 60 m de espesor con el fin de proteger la superficie del vidrio de los posibles daos.

Sistemas de comunicacin por fibra ptica La mayora utilizan fibras monomodo junto con un transmisor de diodo lser de doble heterounin de InGaAsP y un fotodiodo de InGaAs/InP PIN para el detector. Con este

sistema, las seales pticas pueden ser enviadas hasta unos 40 Km antes de que la seal tenga que ser reenviada. Otro gran avance se ha debido a la introduccin de los amplificadores de fibra ptica erbiodopados (AFEDs). Un AFED es una lente(normalmente sobre 20 a 30 m) de fibra ptica de silicio dopado con un elemento perteneciente al grupo de las tierras raras, el erbio, para mejorar la fibra. Cuando bombeamos pticamente con luz procedente de un lser semiconductor externo, la fibra ptica erbio-dopada aumenta todas las seales que pasan por ella concentradas en 15 m. Sirven como medio para el lser como conductora de luz; tambin pueden usarse en sistemas de transmisiones pticas. MATERIALES SUPERCONDUCTORES El estado superconductor La alta resistividad elctrica de un metal decrece uniformemente mientras disminuye la temperatura. En cambio, la resistividad elctrica del mercurio, cuando su temperatura alcanza 4,2 K, desciende bruscamente hasta un valor muy pequeo. Este fenmeno se conoce con el nombre de superconductividad. La temperatura por debajo de la cual la resistividad elctrica de un material se aproxima a la del cero absoluto se llama temperatura crtica Tc . Por encima de esta temperatura al material se le llama normal y por debajo de esta se dice que es superconductor. El estado de superconductividad tambin depende del campo magntico (B) y la densidad de corriente (J); por lo tanto, para que un material sea superconductor, la Tc , el campo magntico y su densidad de corriente crticas no deben ser superadas. Propiedades magnticas de los superconductores El campo magntico necesario para restablecer la conductividad elctrica normal se llama campo crtico Hc .Hay que mencionar tambin que un densidad de corriente alta puede eliminar la superconductividad en los materiales. La curva de Hc frente a la temperatura puede aproximarse por: [ Donde es el campo crtico a 00K ( ) ]

Segn su comportamiento frente al campo magntico, los superconductores se clasifican en superconductores de tipo I y de tipo II. Si un superconductor del tipo I como el Pb o Sn se coloca en un campo magntico a temperatura ambiente, el campo magntico penetrar normalmente a travs del metal; y si la temperatura se reduce por debajo de Tc y si el campo magntico est por debajo de Hc , el campo magntico ser expulsado del material (Efecto Meisnner)

Los superconductores del tipo II son altamente diamagnticos, por encima de un campo magntico llamado crtico inferior Hc1 , y en estas condiciones el flujo magntico es rechazado del material.

Flujo de corriente y campo magnticos en superconductores Los superconductores del tipo I son malos transportadores de electricidad debido a que el campo magntico slo puede penetrar la capa superficial u la corriente slo puede fluir en esta capa. Lo mismo sucede con los del tipo II debajo de Hc1 , pero en estado mixto (Hc2), cuando se le aplica un campo magntico, el campo atraviesa el superconductor en forma de haces individuales de flujo cuantizado llamados fluxoides.

Superconductores de campo y corriente alta La aleacin Nb-45% en peso de Ti y el compuesto Nb3Sn han llegado a ser los materiales bsicos en la tecnologa actual de superconductores de corriente y campos altos. Los cables comerciales estn hechos de varios filamentos de NbTi de 25 m de dimetro embebidos en una matriz de cobre, con la finalidad de estabilizar el cable superconductor durante la operacin y as el material ya no vuelva a su estado normal. Entre las aplicaciones de los superconductores NbTi y Nb3Sn se incluyen sistemas de imgenes magntico-nucleares para el diagnstico mdico y la levitacin magntica de trenes de alta velocidad. Los imanes superconductores de alto campo se usan en aceleradores de partculas en los campos de fsica de altas energas. xidos superconductores de alta temperatura crtica (Tc) El material de alta Tc ms estudiado ha sido el YBa2Cu3Oy , cuya estructura es la de la perovskita.

Cuando y = 6,9, su Tc es la ms elevada (~ 90K), y para y = 6,65 la superconductividad desaparece. Cuando se enfra lentamente el compuesto YBa2Cu3Oy por encima de 750 oC en presencia de oxgeno, sufre un cambio desde una estructura cristalina tetragonal a ortorrmbica. Para obtener valores altos de Tc, los tomos de oxgeno de los planos (001) debern estar ordenados. La micrografa TEM muestra la colocacin de tomos de Y y Ba en el YBa2Cu3Oy

Micrografa TEM en la direccin [100] a lo largo de las cadenas cobre-oxgeno y las filas de tomos de Ba e Y en la celdad unidad.

Desde el punto de vista ingenieril, los nuevos superconductores de alta Tc se muestran prometedores en la consecucin de avances tcnicos. Con una Tc = 90 K el nitrgeno lquido puede ser usando como refrigerante. Las primeras aplicaciones de stos materiales sern en tecnologas de pelculas finas.

UNIVERSIDAD NACIONAL DE TRUJILLO Facultad De Ingeniera

Escuela de Ing. De Materiales

TEMA

Resumen de comportamiento ptico de los

materiales, propiedades pticas y materiales semiconductores

CURSO
DOCENTE

:
:

Fundamentos de ciencia de materiales III

Ing. Ivn E. Vzquez Alfaro

ALUMNO CICLO

: :

VALDIVIA TORRES, Eduardo VI

FECHA

27 de Octubre

Trujillo Per 2011