Transmisores y Receptores

Invierno 2012
1
2. Generacin de Seales


Un generador de seales
1
, es un dispositivo electrnico de laboratorio que genera patrones de
seales peridicas o no peridicas tanto analgicas como digitales. Los circuitos generadores de seales
se pueden dividir en: osciladores, generadores de funciones, sintetizadores de frecuencia, y
sintetizadores digitales de seales. Los generadores son equipos de laboratorio utilizados para el
diseo, prueba, y reparacin de circuitos electrnicos. Sin embargo, muchos sistemas o equipos
electrnicos (de comunicaciones, de control, etc.) de una manera u otra utilizan alguna etapa de
generacin de seales.

Los osciladores son circuitos electrnicos que generan una seal peridica ya sea cuadrada,
sinusoidal, triangular, diente de sierra, etc. Los circuitos osciladores ms comunes son los osciladores
de onda sinusoidal y los osciladores de onda cuadrada. La mayora de los sistemas de comunicaciones
analgicos utilizan un oscilador de onda sinusoidal mientras que los sistemas de comunicaciones
digitales utilizan osciladores de onda cuadrada.

Existen dos tipos de circuitos osciladores: osciladores armnicos y osciladores de relajacin. Los
osciladores armnicos generan una seal sinusoidal mientras que los osciladores de relajacin generan
una seal no sinusoidal.

Los osciladores de relajacin se basan en la carga y descarga de un capacitor o un inductor por
medio de un circuito no lineal de disparo que puede ser un comparador, un Schmidt trigger, o un
elemento con resistencia negativa (diodo Gunn, diodo de tnel, UJT, etc.).

Bsicamente, un oscilador sinusoidal es un circuito que genera una seal sinusoidal en base a
mecanismos de amplificacin y retroalimentacin. La amplificacin es efectuada por medio de un
componente activo (p. e., un transistor o FET) y la frecuencia est determinada por un circuito
sintonizado (o cristal piezoelctrico) en la trayectoria de retroalimentacin.

Aunque existen muchos tipos de osciladores; algunos de los factores que influyen en la seleccin
de un circuito para una aplicacin en particular incluyen:
Frecuencia de operacin
Amplitud de salida
Estabilidad de frecuencia
Estabilidad de amplitud
Impedancia de salida
Pureza de la forma de onda
Modos de oscilacin no deseados.

Existen tambin circuitos que no son osciladores pero que tienden a oscilar. En el caso de
amplificadores, la oscilacin es algo no deseable. De hecho, se pueden utilizar los mismos criterios de
diseo de circuitos amplificadores para el diseo de osciladores.


1
Tomado de Wikipedia, the free encyclopedia, http://en.wikipedia.org/wiki/Signal_generator.
Transmisores y Receptores
Invierno 2012
2
Criterio de oscilacin

El criterio de oscilacin, o condiciones para que un circuito oscilador oscile, se puede expresar
rigurosamente de varias maneras equivalentes:
1. Un oscilador que contenga un dispositivo activo de dos puertos debe tener una trayectoria de
retroalimentacin por medio de la cual parte de la salida es retroalimentada a la entrada. Si la seal
retroalimentada es mayor y est en fase con la seal de entrada, las oscilaciones iniciarn y crecern
en amplitud hasta que la ganancia del bucle sea limitada debido a la saturacin del elemento activo.

Por lo tanto, un circuito oscilar cuando tenga una trayectoria de retroalimentacin con al menos
una ganancia de lazo unitaria con una fase de 0 (Criterio de Barkhausen).

Con referencia a la siguiente figura, sea ( )
o
A j la ganancia del elemento activo y ( )
o
j la
ganancia de la red de atenuacin (o de retroalimentacin, o defasadora) a una frecuencia
o
. La
ganancia de lazo cerrado est dada por:
0 =
A(]o)
1-A(]o)[(]o)
.
El criterio de Barkhausen se puede expresar como:
arg( ( ) ( )) 0
( ) ( ) 1
o o
o o
A j j
A j j


=
=

Entonces, si se cumplen estas dos ecuaciones, la frecuencia de oscilacin es
o
y los polos de la
ganancia de lazo cerrado son j
o
.



Diagrama a bloques de un oscilador Polos

La condicin |A(])[(])| = 1 es slo la condicin mnima para la oscilacin. En la prctica la
condicin |A(])[(])| > 1 tiene el efecto de hacer que la oscilacin inicie ms fcilmente. Entonces
las oscilaciones continuarn a crecer hasta que, debido a las no linealidades del amplificador, la
ganancia se reduce hasta que la ganancia de lazo abierto sea |A(])[(])| = 1.

o
j +
o
j



Entrada
Salida
Red atenuadora
) ( j
) ( j A
Transmisores y Receptores
Invierno 2012
3
2. Conceptualmente, un circuito que tenga una trayectoria de retroalimentacin es un amplificador que
puede generar su propia entrada. Este es precisamente un amplificador inestable que por lo regular
se busca evitar en el diseo de circuitos amplificadores. Por lo tanto, un segundo criterio de
oscilacin es: el factor de estabilidad de Stern K del circuito oscilador debe ser menor que 1.
2 2
11 22
12 21
1 det
1
2
s s S
K
s s
+
= <

donde s
ij
son los parmetros de dispersin y S es la matriz de dispersin.
3. Cuando un circuito cumple cualquiera de los dos criterios anteriores, el determinante de la matriz
del sistema de ecuaciones de nodo o de malla es cero. Este es el tercer criterio de oscilacin, y
aporta un mtodo matemtico conveniente para calcular la frecuencia de oscilacin en caso de que
se pueda resolver la ecuacin involucrada.
4. Si cualquier circuito oscilador puede ser separado en porcin activa y carga, la impedancia de salida
de la parte activa tendr parte real negativa cuando se cumplan las condiciones de oscilacin. Esta
es una condicin para la oscilacin aunque no es una condicin suficiente.

Aunque el criterio de resistencia negativa es particularmente til para explicar circuitos osciladores
de microondas que usan diodos con resistencia negativa (diodos de tnel, Gunn, IMPATT, y
TRAPATT), puede ser tambin aplicado a osciladores con dispositivos activos de dos puertos.

Es necesario aclarar que cualquier circuito oscilador puede cumplir con todos los criterios
anteriores. Pero, alguno de ellos puede ser ms fcil de aplicar que los otros a un circuito oscilador
dado.


Osciladores de Onda Sinusoidal

Los osciladores de onda sinusoidal se dividen en: osciladores de resistencia negativa y
osciladores retroalimentados.

Osciladores de resistencia negativa

Los osciladores de resistencia negativa constan de una red resonante LC y una resistencia R
t

conectada en paralelo con una resistencia negativa r
n
. Algunos dispositivos como los diodos de tnel,
diodos Gunn, transistores UJT, y ciertas combinaciones de dos o ms transistores BJT presentan
resistencia negativa dentro de cierto ancho de banda finito.
Transmisores y Receptores
Invierno 2012
4

Oscilador de resistencia negativa.




Caracterstica de resistencia negativa de un diodo activo.

Osciladores retroalimentados

Los osciladores retroalimentados ms comunes son: osciladores de desplazamiento de fase,
osciladores sintonizados o LC, osciladores de puente de Wien, y osciladores de cristal. Los osciladores
sintonizados ms comunes son: oscilador Colpitts, oscilador Hartley, oscilador Clapp, oscilador de
salida sintonizada, oscilador de entrada sintonizada.

Oscilador de salida sintonizada

El oscilador de salida sintonizada contiene un circuito resonante LC como carga a la salida del
elemento amplificador como se muestra en la siguiente figura. En este caso, el circuito resonante acta
como filtro pasabanda, la seal de entrada es defasada 180 por el transistor, luego es atenuada y
defasada otros 180 al pasar al secundario del transformador (note la posicin de los puntos en el
transformador). El factor de atenuacin est dado por la razn de vueltas del transformador, por lo tanto
el secundario debe tener menos vueltas que el primario.

Dispositivo
con resistencia
negativa
Transmisores y Receptores
Invierno 2012
5

Oscilador de salida sintonizada.

En este caso, la frecuencia de oscilacin est dada por:
=
1
2nIC

El factor de atenuacin de la red de atenuacin est dado por:
[ =
n
s
n
p

Donde n
s
y n
p
son los nmeros de vueltas del primario y secundario respectivamente.

Oscilador Colpitts

El oscilador Colpitts tiene, como red defasadora, un circuito resonante formado por una red que
consta de dos capacitores y un inductor. La figura siguiente muestra un oscilador Colpitts con un
transistor en configuracin de emisor comn. La seal de entrada es amplificada y defasada por el
transistor, luego es atenuada y defasada de nuevo por la red defasadora de manera que el defasamiento
neto es igual a 0. La bobina de choque o RFC se utiliza en este circuito para evitar cortocircuitar en
alta frecuencia a tierra el colector, ya que es la salida del oscilador.






RE
RB2
RB1
CE
CB
C
Circuito sintonizado

n
s
n
p

L
Transmisores y Receptores
Invierno 2012
6


Oscilador Colpitts con BJT de emisor comn.

La frecuencia de oscilacin est dada por:
=
1
2nIC
seiie

donde
C
seiie
=
C
1
C
2
C
1
+C
2


En la prctica, la frecuencia de oscilacin es tambin funcin de las capacitancias parsitas del
transistor y de la carga aplicada.

La figura siguiente muestra un oscilador Colpitts con FET en la configuracin de drenaje comn.



Oscilador Colpitts con FET.
100n
C3
820p
C2
3.3k
R1
J310
Q1
820p
C1 1.1u
L1
5
Vo
RE
RB
CE
CB
C2
L
C1
RFC

Red atenuadora
Bobina de choque
Transmisores y Receptores
Invierno 2012
7

La siguiente figura muestra un oscilador prctico a una frecuencia de 35MHz con una potencia de
salida de 10 mW (10dBm).




Oscilador Hartley

El oscilador Hartley tiene como red defasadora un circuito resonante formado por una red que
consta de dos inductores y un capacitor. La figura siguiente muestra un oscilador Hartley con un
transistor en configuracin de emisor comn. La seal de entrada es amplificada y defasada por el
transistor y luego es atenuada y defasada de nuevo por la red defasadora de manera que el defasamiento
neto es igual a 0. La bobina de choque se utiliza en este circuito para evitar cortocircuitar en alta
frecuencia el colector a tierra, ya que es la salida del oscilador.

Transmisores y Receptores
Invierno 2012
8

Oscilador Hartley con BJT de emisor comn.

La frecuencia de oscilacin est dada por:
=
1
2n(I
1
+I
2
)C


En la prctica, la frecuencia de oscilacin es tambin funcin de las capacitancias parsitas del
transistor y de la carga aplicada, por lo tanto este es el problema principal de este tipo de oscilador.

Oscilador Clapp

El oscilador Clapp es una variante del oscilador Colpitts en la cual se conecta un capacitor en
serie con el inductor de la red . En el oscilador Colpitts, la frecuencia de oscilacin es afectada por las
capacitancias parsitas del transistor. En cambio, en el oscilador Clapp, la frecuencia de oscilacin es
ms estable debido al capacitor en serie con el inductor. Con referencia a la figura siguiente, la
capacitancia C
3
es usualmente ms pequea que las capacitancias C
1
y C
2
. Por lo tanto, la frecuencia de
oscilacin prcticamente slo depende de C
3
y L.
RE
RB2
CE
CB
RFC
C
L2 L1
RB1
CA
Red atenuadora

Bobina de choque
Transmisores y Receptores
Invierno 2012
9

Oscilador Clapp con BJT en emisor comn.

La frecuencia de oscilacin est dada por:
=
1
2nIC
seiie

donde
C
seiie
=
1
1
C
1
+
1
C
2
+
1
C
3

es la capacitancia en serie de tres capacitores.

Modelo del transistor en alta frecuencia

En la regin de alta frecuencia, las capacitancias parsitas juegan un papel importante en la respuesta
en frecuencia del transistor. La figura siguiente muestra las capacitancias parsitas del transistor (C
be
,
C
bc
y C
ce
) incluyendo las capacitancias de las terminales C
wi
y C
wo
.
VCC
Q
Rc R1
R2
Re
Ce
C2 C1
L
C3
Red
atenuadora

Usar bobina
de choque
Transmisores y Receptores
Invierno 2012
10

La siguiente figura muestra el modelo equivalente completo de pequea seal del transistor bipolar y
en la que sigue se muestra el circuito equivalente de un transistor en particular mostrando los valores de
los componentes.





En la figura siguiente se muestra un modelo simplificado conocido como modelo hbrido- de alta
frecuencia del transistor, el cual incorpora las resistencias del modelo de baja frecuencia, excepto por la
resistencia r

que es bastante grande ( 10 M), as como las capacitancias parsitas del transistor.
Observe que tampoco se han incluido las resistencias r
c
, y r
ex
.


Transmisores y Receptores
Invierno 2012
11



La capacitancia C

incluye las capacitancias C

wi
y C
be
. La capacitancia C
o
incluye las capacitancias C
wo

y C
ce
. En general, la capacitancia C
be
es la mayor de todas las capacitancias parsitas mientras que C
ce

es la menor. La capacitancia C
be
comprende dos capacitancias: la capacitancia de difusin C
b
que es
proporcional a la corriente de DC y la capacitancia de la capa de agotamiento C
je
que depende del
voltaje V
BE
. La capacitancia C

o C
bc
o C
jc
comprende slo la capacitancia de agotamiento que depende
del voltaje V
CB
. Para la mayora de los transistores, C

est en el rango de unos cuantos picofaradios a

algunas decenas de picofaradios, C

est en el rango de fracciones de picofaradios a algunos

picofaradios, y C
o
est en el rango de unos cuantos picofaradios.

Las capacitancias de las uniones semiconductoras dependen del punto de operacin en el que se opere
el transistor. Si
CE C JC
V F V < , la capacitancia C
jc
est dada por:
1
JC
JC
jc
m
CB
JC
C
C
V
V
=


-

en caso contrario,
1
1 (1 )
(1 )
JC
CB
C JC JC
JC
jc JC
m
C
V
F m m
V
C C
F
+
- + +
=
-

donde m
JC
es un factor que depende de la unin (vale para una unin abrupta o para una gradual),
V
JC
es el potencial de contacto de la unin (tiene un valor tpico de 0.8) y C
JC
es la capacitancia de la
unin a 0 volts, F
C
es un coeficiente para la capacitancia de transicin cuando est polarizada
directamente, por default vale 0.5.

Como en el anterior caso, si
BE C JE
V F V < entonces la capacitancia C
je
est dada por:
1
JE
JE
je
m
BE
JE
C
C
V
V
=


-

en caso contrario,
1
1 (1 )
(1 )
JE
BE
C JE JE
JE
je JE
m
C
V
F m m
V
C C
F
+
- + +
=
-



d
p
v

q
d
t
d
2

L
c
P
T
U
donde m
JE
e
potencial de
volts.
b
r es
ancho de la
que los tran
frecuencia.

r
p
es
emisor:
donde b es
trmico equi
donde K =
1.6 1 q =
26 mV.
La figura si
cortocircuito
Podemos ve
Tambin, po
Usando esta
es el factor
e contacto de
la resistenci
base. Por lo
nsistores de
la resistenc
s la gananci
ivalente dad
1.38 10
-
=
19
0 C
-
es la
iguiente mu
o para el clc
er que la corr
odemos ver q
as dos ecuaci
de la unin
e la unin (t
ia de la bas
o regular los
e baja frecu
cia de la uni
ia de corrien
do por:
23
J/K
-
es
carga del el
uestra el mod
culo de la ga
riente de col
i
que
b
v
i
r

=
iones, podem
c
fe
b
i
h
i
=
(vale pa
tiene un valo
e (usualmen
transistores
uencia, por
in base-em
nte en DC d
s la consta
lectrn. A te
delo hbrido
anancia de co
ector i
c
es
c m
i g v s

=
sC v s

+ +
mos llegar a
1
m
c
b
g s
sC
r

=
+
ara una unin
or tpico de
nte de 10 a
de alta frec
lo que
b
r
misor y es in
T
E
V
r
I
p
b
=
del transisto
T
KT
V
q
=
ante de Bo
emperatura a
o- del trans
orriente en c
(
m
sC v g

=
1
( sC v
r

= +
que el parm
(
1
sC
sC

=
+
+
n abrupta o
0.8), C
JE
es
50 ) que
cuencia tiene
es ms peq
nversamente

or (parmetr
T

oltzman, T
ambiente (30
sistor en em
cortocircuito
) sC v


) sC sC

+ +
metro h
fe
est
( )
( )
m
g sC r
s C sC

+
Transm
para una
s la capacitan
es directame
en anchos de
queo para
e proporcion
ro h
fe
en DC
es la tem
00 K),
T
V e
misor comn
o h
fe
.
)v

dado por:
)r

misores y Re
Invier
a gradual), V
ncia de la u
ente proporc
e base ms p
transistores
nal a la corr
C).
T
V es e
mperatura a
es aproxima
n con el col

eceptores
rno 2012
12
V
JE
es el
unin a 0
cional al
pequeos
de alta
riente de
l voltaje
absoluta,
damente
lector en
Transmisores y Receptores
Invierno 2012
13
Para las frecuencias a las que es vlido el modelo hbrido-,
m
g C

>> . Por lo tanto, esa ecuacin se

puede simplificar a
1 ( )
m
fe
g r
h
s C C r

=
+ +
.
De aqu se puede concluir que el parmetro h
fe
tiene un comportamiento de filtro pasabajas con un solo
polo a una frecuencia
1
2 ( )
f
C C r

=
+
y un solo cero a una frecuencia
0
2
m
g
f
C

= .
La magnitud del parmetro h
fe
est dada por
2 2 2 2 2
2 2 2
1 ( )
m
fe
g r C r
h
C C r

+
=
+ +

Para baja frecuencia el parmetro h
fe
est dado por
fe m
h g r

= =

La siguiente figura muestra una grfica de
fe
h en funcin de la frecuencia. En sta se pueden apreciar
tres frecuencias importantes, f

, f
T
y f
0
.


La frecuencia a la cual la magnitud del parmetro h
fe
es unitaria es llamada frecuencia de transicin
(ancho de banda de ganancia unitaria de corriente) f
T
. La frecuencia de corte f

es la frecuencia a la cual
la ganancia de corriente h
fe
cae 3dB de su valor a bajas frecuencias (0.7071 de su valor).

De la ecuacin anterior tenemos que la frecuencia de transicin f
T
est dada por:
2 2 2
2 2 2 2
1 1 1 1
2 ( ) 2 ( ) 2 ( )
m m
T
g r g
f
C C r C C r C C

= =
+ + +

Ya que el parmetro h
fe
en DC es igual al parmetro , entonces
m
g r

= .
Por otro lado, la frecuencia de transicin f
T
y la frecuencia de corte f

estn relacionadas por

T
f f

=
La frecuencia de transicin f
T
(producto ganancia por ancho de banda, o ancho de banda de ganancia
unitaria) es usualmente especificada en las hojas de datos del transistor. Algunas veces, f
T
es
Transmisores y Receptores
Invierno 2012
14
especificada en funcin de I
C
y V
CE
. El valor de f
T
va usualmente de unos 100 MHz a unos cuantos
GHz.

La capacitancia C C

+ puede calcularse por medio de
2
m
T
g
C C
f

+ .
La capacitancia C

puede medirse directamente entre colector y base en el punto de operacin deseado.

En general, el valor de la frecuencia de corte f
T
es funcin de I
C
y V
CE
. Para bajas corrientes, f
T
crece
linealmente con el valor de I
C
, pero a altas corrientes cae debido al efecto Kirk, que consiste en el
aumento de la anchura de la zona neutra efectiva de la base al superarse una determinada corriente de
colector. La siguiente figura muestra la variacin de la frecuencia de corte para un voltaje de colector-
emisor constante.


La siguiente figura ilustra mejor la dependencia entre la corriente de colector y el voltaje de colector
emisor para el transistor 2N2401. En realidad, la frecuencia de corte tambin depende de V
CE
.


Transmisores y Receptores
Invierno 2012
15
El modelo hbrido- slo es vlido para frecuencias
5
T
f
f . En vez de usar f
T
para determinar qu tan
buena respuesta en frecuencia tiene un transistor, es mejor usar un parmetro ms realista como lo es la
frecuencia mxima de operacin f
max
dada por
max
8
T
b
f
f
C r

.

Ejemplos del clculo de los parmetros del modelo hbrido-pi


1. Calcular los parmetros del modelo hbrido-pi del transistor 2N3904 a una corriente de colector de
2 mA y un voltaje de colector emisor de 5V.

Frmulas:
c c
m
T
q I I
g
kT V
= = para bajas corrientes.
(1 )
c
m
q I
g
m kT
=

para un transistor NPN en alta corriente

(1 )
c
m
q I
g
m kT
=
+
para un transistor PNP en alta corriente

0.3 m = para germanio y 0.45 m = para silicio.
T
kT
V
q
= es aproximadamente 26 mV a 27C
2 2
2 2
1 1
2 ( ) 2 ( )
m m
T
g r g
f
C C r C C

=
+ +

max
8
T
b
f
f
C r

1 1
2
T
T T
f

= = (tiempo de transicin)
1
m m
b je
T T T e
g g
C C C C
r


= + =
b je je
T F
m m m
C C C C C C C
g g g


+ + + +
= = = +
b
F
m
C
g
= (tiempo de trnsito en sentido directo)
si
1
JC
JC
jc CE C JC
m
CB
JC
C
C V F V
V
V
= <


-

Transmisores y Receptores
Invierno 2012
16
1
1 (1 )
(1 )
JC
CB
C JC JC
JC
jc JC
m
C
V
F m m
V
C C
F
+
- + +
=
-

si
1
JE
JE
je BE C JE
m
BE
JE
C
C V F V
V
V
= <


-

1
1 (1 )
(1 )
JE
BE
C JE JE
JE
je JE
m
C
V
F m m
V
C C
F
+
- + +
=
-


A A
o ce
c m
V qV
r r
I kTg
= = =
e
m
r r
g

= =
1
e
m E
kT
r
g qI
=

Solucin:
De la hoja de datos de Fairchild tenemos que:
0
0
10 ohms
230
74.03
2 pF
2 mA
300K
4.493pF
3.638pF
0.75V
0.75V
0.2593
0.3085
0.68V
301.2ps
b
A
c
A
je
jc
je
jc
je
jc
BE
F
r
V
C
I
T
C
C
V
V
m
m
V

=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=

1
2mA
0.077
25mV
c
m
T
I
g
V

= =
230
2987
0.077
m
r
g

= =
Transmisores y Receptores
Invierno 2012
17
0.3085
3.638
2.01pF
4.32
1 1
0.75
JC
JC
jc
m
CB
JC
C
C
V
V
= = =


+ -





1 1.2593
0.68
1 (1 )
1 0.5(1 0.2593) 0.2593
0.75
(4.493) 6.512pF
(1 0.5) (1 )
JE
BE
C JE JE
JE
je JE
m
C
V
F m m
V
C C
F
+
- + +
- + +
= = =
- -

301.2(0.077) 23.2pF
b F m
C g = = =
23.2 6.512 29.71pF
b je
C C C

= + = + =
3
74.03
37K
2 10
A
o ce
c
V
r r
I

= = = =

12
0.077
386MHz
2 ( ) 2 (2 29.71) 10
m
T
g
f
C C



=
+ +

6
max 12
384 10
874MHz
8 8 (2 10 )(10)
T
b
f
f
C r

2. Calcular los parmetros del modelo hbrido-pi del transistor 2N3904 a una corriente de colector de
10 mA y un voltaje de colector emisor de 10V.
De la hoja de datos de Fairchild tenemos que:

0
0
10 ohms
225
74.03
2 pF
10 mA
300K
4.493pF
3.638pF
0.75V
0.75V
0.2593
0.3085
0.72V
301.2ps
b
A
c
A
je
jc
je
jc
je
jc
BE
F
r
V
C
I
T
C
C
V
V
m
m
V

=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=

1
10mA
0.4
25mV
c
m
T
I
g
V

= =
225
562.5
0.4
m
r
g

= =

Transmisores y Receptores
Invierno 2012
18
0.3085
3.638
1.63pF
9.28
1 1
0.75
JC
JC
jc
m
CB
JC
C
C
V
V
= = =


+ -





1 1.2593
0.72
1 (1 )
1 0.5(1 0.2593) 0.2593
0.75
(4.493) 6.66pF
(1 0.5) (1 )
JE
BE
C JE JE
JE
je JE
m
C
V
F m m
V
C C
F
+
- + +
- + +
= = =
- -

301.2(0.4) 120.48pF
b F m
C g = = =

120.48 6.66 127.14pF
b je
C C C

= + = + =
3
74.03
7.4K
10 10
A
o ce
c
V
r r
I

= = = =

12
0.4
493MHz
2 ( ) 2 (2 127.14) 10
m
T
g
f
C C



=
+ +



Parmetros hbridos o h

Los parmetros hbridos (parmetros bipuerta) son muy populares y ampliamente utilizados para
modelar transistores en baja frecuencia o a una frecuencia fija debido a que se pueden medir fcilmente
y que son capaces de dar resultados exactos.

La siguiente figura muestra el modelo equivalente de pequea seal en trminos de parmetros hbridos
de una red bipuerta.


E
p


L

L
t
r
En la sigu
parmetros

Los parmet
Los parme
admitancia.
transconduc
razn por la
iente figura
hbridos de
tros hbridos
etros hbrido
Por ejemp
ctancia, h
11
e
que esos pa
a se muest
e un transis
s se pueden c
os son una m
lo, h
21
es g
es impedanc
armetros son
tra el mode
stor bipolar
calcular a pa
11
h =
12
h =
21
h =
22
h =
mezcla de p
ganancia de
cia de entrad
n llamados p
elo equival
en la config
artir de las si
0
ce
be
ie
b
v
v
h
i
=
= =
0
b
be
re
ce
i
v
h
v
=
= =
0
ce
c
fe
b
v
i
h
i
=
= =
0
b
c
oe
ce
i
i
h
v
=
= =
parmetros d
e corriente,
da, h
22
es ad
parmetros h
lente de pe
guracin de
iguientes ecu
0

0

0

0

de diferentes
h
12
es gan
dmitancia de
hbridos.
Transm
equea se
e emisor com
uaciones:
s tipos: gana
nancia inver
e salida. Esta
misores y Re
Invier
al en trm
mn.
ancia, imped
rsa de volta
a es precisam
eceptores
rno 2012
19
minos de
dancia y
aje o de
mente la
Transmisores y Receptores
Invierno 2012
20
Los valores de los parmetros hbridos varan con el punto de operacin y la frecuencia. Sin embargo,
es posible calcularlos a cualquier frecuencia por medio del modelo hbrido-pi para un punto de
operacin dado. Por ejemplo, las siguientes ecuaciones dan un valor aproximado de los parmetros
hbridos para cualquier frecuencia
5
T
f
f .
11
1 ( )
ie
r
h h
j C C r
p
p m p
w
= =
+ +

21
( )
1 ( )
m
fe
r g j C
h h
j C C r
p m
p m p
w
w
-
= =
+ +

12
1 ( )
re
j C r
h h
j C C r
m p
p m p
w
w
= =
+ +

22
(1 )
1
1 ( )
m
oe
o
j C g r j C r
h h
r j C C r
m p p p
p m p
w w
w
+ +
= = +
+ +


Ejemplo: Calcular los parmetros h del transistor 2N3904 para una corriente de colector de 10 mA y
un voltaje de colector emisor de 10 V y a una frecuencia de 100 MHz.

Solucin:
1
10mA
0.4
25mV
c
m
T
I
g
V

= =
225
562.5
0.4
m
r
g

= =

120.48 6.66 127.14pF
b je
C C C

= + = + =

0.3085
3.638
1.63pF
9.28
1 1
0.75
JC
JC
jc
m
CB
JC
C
C C
V
V
m
= = = =


+ -





6 12
562.5
12.36 88.7
1 ( ) 1 2 (100 10 )(127.14 1.63)10 (562.5)
ie
r
h
j C C r j
p
p m p
w p
-
= = = W -
+ + + +

6 12
6 12
( )
562.5(0.4 2 (100 10 )(1.63 10 ))
4.94 88.9
1 ( ) 1 2 (100 10 )(127.14 1.63)10 (562.5)
m
fe
r g j C
j
h
j C C r j
p m
p m p
w
p
w p
-
-
-
-
= = = -
+ + + +


Medicin en laboratorio de los parmetros H

Transmisores y Receptores
Invierno 2012
21
Medicin de los parmetros h
ie
y h
fe


El circuito para medir estos parmetros se muestra en la siguiente figura. En sta, R
B
es una resistencia
de valor grande que sirve para fijar I
B
, la resistencia R
C
sirve para fijar V
CE
en el punto de operacin, y
R
L
es una resistencia de valor muy pequeo que sirve para medir la corriente de AC del colector. El
capacitor C
1
es de valor grande y junto con R
L
hacen que, en AC, el colector est efectivamente
cortocircuitado a tierra de modo que
o
c o
L
v
i i
R
=

Si R
B
y C
2
son de valor grande, entonces toda la corriente de AC de la fuente v
s
fluye hacia la entrada
del transistor de modo que
b i
S
v
i i
R
=
El voltaje v
b
puede ser medido directamente de modo que los parmetros h
ie
y h
fe
pueden ser calculados
por medio de
b
ie
b
v
h
i
= y
c
fe
b
i
h
i
= .


Medicin de h
re


Para medir este parmetro se utiliza el circuito de la figura siguiente. Como se puede ver, se utiliza una
fuente de AC y un capacitor C
1
de valor grande para excitar el circuito del lado del colector. Se mide
directamente el voltaje v
b
. Si la resistencia R
B
tiene un valor mucho ms grande que la resistencia en
AC de base/emisor del transistor, el parmetro h
re
puede ser calculado mediante
b
re
c
v
h
v
= .
Transmisores y Receptores
Invierno 2012
22


Medicin del parmetro h
oe


El mismo circuito anterior puede ser utilizado para medir este parmetro. Para esto se inserta en serie
con la fuente v
c
una resistencia de valor pequeo para medir su cada de voltaje de AC y as calcular la
corriente que circula a travs de ella. Luego, se calcula el parmetro h
oe
por medio de
c
oe
c
i
h
v
= .

Frmulas de conversin para los parmetros H

Usualmente los fabricantes de transistores proporcionan los parmetros h de la configuracin de emisor
comn. Sin embargo, en la prctica el transistor es utilizado en cualquiera de sus tres configuraciones.
Por lo tanto, es necesario calcular los parmetros h a partir de los parmetros h del transistor en emisor
comn.

La tabla siguiente muestra las frmulas aproximadas de conversin de los parmetros h, bajo la
suposicin de que 1
re
h << y 1
oe ie
h h << .



c
d
t
Diseo de
La fig
comn. La r
de la seal
transistor. C

A fin
frecuencia. L
frecuencia d
e un oscil
gura siguient
red de atenu
de alta frecu
3
C permite el
de analizar
La figura sig
donde se han
ador Colp
e muestra un
uacin est fo
uencia hacia
l paso de la s
este circuito
guiente mue
n sustituido R
pitts
n oscilador C
formada por
a la aliment
seal de AC
o, reemplaza
estra el circu
R
1
y R
2
por s
Colpitts con
1
C ,
2
C y L
tacin.
1
R y
C hacia la red
amos el tran
uito equivale
su equivalent
n un transisto
1
L . La bobina
y
2
R determ
d de atenuaci
nsistor por s
nte de peque
te en paralel
Transm
or en la conf
a de choque
minan el pun
in y bloque

su modelo e
ea seal de
lo
1
R R =
misores y Re
Invier

figuracin de
e
2
L bloquea
nto de opera
ea la DC.
equivalente p
el oscilador p
2
R .
eceptores
rno 2012
23
e emisor
a el paso
acin del
para alta
para alta
Transmisores y Receptores
Invierno 2012
24




El sistema de ecuaciones de nodo es:
1 1
1 1
1 1 1 1 1
1
1 1 1
1 1 1
2
0
0
0
bb bb
bb bb be
L
B R r j L r j L
be bc bc r r r
C m bc bc j L j L R
j C V
j C j C j C V
V g j C j C j C
w w
p
w w
w
w w w
w w w

+ + + - -


- + + + - =


- - + + +




Para que ocurra la oscilacin, el determinante de la matriz del sistema de ecuaciones debe ser
igual a cero.
0 D =
Por lo tanto, la parte real e imaginaria del determinante deben ser cero:
Re{ } 0 D =
Im{ } 0 D =
Resolviendo esas dos ecuaciones para
m
g y w y haciendo r
bb
= u, y R
L
muy grande, tenemos:
2
1
( )
( )
be
m
be be
R r C
g
Rr C C
+

+

o bien la ganancia de corriente de DC debe ser:
2 2
1 1
( )
1
( )
be be
be be
R r C r C
R C C R C C
b

+

= +

+ +

Resolviendo ahora para la frecuencia de oscilacin tenemos que:
1
C
R
bb
r
be
C
be
r
bc
C
m
g V
p
V
p
2
C
C B
1
L
L
R
Transmisores y Receptores
Invierno 2012
25
1 1 2
1 1 1
2 ( ) ( )( )( )
bc serie L be bc serie be
f
L C C R R r C C C C C p
= +
+ + + +


donde
serie
1 2
1
1 1
be
C
C C C
=
+
+

es la capacitancia serie de C
1
+C
be
y C
2
.

Si suponemos que R
L
es grande, tenemos que:
1
1
2 ( )
bc serie
f
L C C p
=
+



Segn las ecuaciones anteriores, la frecuencia de oscilacin tiende a disminuir debido a las
capacitancias parsitas del transistor. Tambin, la frecuencia de oscilacin vara debido al efecto de
carga. Si suponemos que las capacitancias C
bc
y C
be
son mucho menores que C
1
y C
2
, la frecuencia de
oscilacin se simplifica a:
= _
C
1
+C
2
I
1
C
1
C
2
=
1
I
1
C
seiie

Por lo tanto, el criterio de arranque se reduce a:
g
m
(1 +
r
bc
R
)r
bc
C
2
C
1

o bien, en trminos de la ganancia de corriente de DC,
[ (1 +

bc
R
)
C
2
C
1
.

Estabilidad de frecuencia

La estabilidad de frecuencia es la habilidad de un oscilador para permanecer a una frecuencia fija
y es de mxima importancia en los sistemas de comunicacin. La estabilidad de frecuencia a menudo
se considera de corto o largo plazo. La estabilidad de corto plazo se ve afectada principalmente por
fluctuaciones en los voltajes de operacin de CD, mientras que la estabilidad a largo plazo es una
funcin de la edad de los componentes y los cambios de temperatura as como la humedad del
ambiente. En los osciladores de circuito tanque LC y desplazamiento de fase RC discutidos
anteriormente, la estabilidad de frecuencia es inadecuada para la mayora de las aplicaciones utilizadas
en radio comunicaciones. Esto es porque los osciladores de desplazamiento de fase RC son susceptibles
a variaciones tanto de corto como de largo plazo. Adems, los factores de calidad Q de los circuitos
tanque son relativamente bajos, permitiendo que el circuito tanque resonante oscile sobre una amplia
gama de frecuencias

La estabilidad de frecuencia se da generalmente como un porcentaje de cambio en frecuencia
(tolerancia) del valor deseado. Por ejemplo, un oscilador operando a 100 KHz con una estabilidad de
5% operar a una frecuencia de 100 KHz 5 KHz o entre 95 y 105 KHz. Las estaciones comerciales
Transmisores y Receptores
Invierno 2012
26
de radiodifusin en FM deben mantener sus frecuencias portadoras dentro de 2 KHz de su frecuencia
asignada, que es aproximadamente una tolerancia de 0.002%. En la radiodifusin comercial en AM el
cambio mximo permisible en la frecuencia portadora es slo de 20 Hz.

Varios factores afectan la estabilidad de un oscilador. Los ms obvios son aqullos que afectan
directamente el valor de los componentes para determinar la frecuencia. Estos incluyen cambios en
valores de la inductancia, capacitancia y resistencia Debido a variaciones ambientales en temperatura,
humedad y los cambios en el punto de operacin de los transistores. Tambin afecta la estabilidad el
voltaje de rizo de las fuentes alimentacin de DC. La estabilidad de frecuencia en los osciladores RC o
LC puede mejorarse enormemente regulando la fuente de alimentacin de DC y minimizando las
variaciones ambientales. Tambin pueden utilizarse componentes especiales independientes de la
temperatura.

La FCC (COFETEL) ha establecido reglas estrictas en relacin con las tolerancias de las
portadoras de radiofrecuencia. Cada vez que se utiliza el espacio areo como medio de transmisin, es
posible que las transmisiones de una fuente puedan interferirse con las transmisiones de otras fuentes si
su frecuencias de transmisin y las bandas de transmisin de traslapan. Por lo tanto, es importante que
las fuentes mantengan su frecuencia de operacin dentro de una tolerancia especfica.

Osciladores a cristal

Los cristales de cuarzo exhiben el efecto piezoelctrico, esto significa que al aplicarle un voltaje en dos
de sus caras opuestas ste se deforma y viceversa. Un cristal de cuarzo es una pequea pieza de cuarzo
con dos caras opuestas metalizadas para hacer contacto elctrico. El tipo de corte del cristal determina
la frecuencia y el modo de resonancia del cristal. Un cristal de corte AT es un cristal en el que las dos
caras son paralelas o ligeramente convexas. La frecuencia de resonancia del cristal es inversamente
proporcional a la distancia entre las caras paralelas. La frecuencia de resonancia de los cristales con
corte AT va aproximadamente de 800 KHz hasta 30 MHz, por lo que son los ms populares. Los
cristales de corte CT y DT tienen frecuencias de resonancia ms bajas que van de 100 a 500 KHz. Los
cristales de corte MT tienen una frecuencia de resonancia en el rango de 50 a 100 KHz mientras que los
de corte NT tienen una frecuencia de resonancia abajo de 50 KHz. Al aplicar un potencial a las dos
caras metalizadas, el cristal tiende a desplazarse hacia los lados de forma sesgada como se puede
observar en la siguiente figura.

Transmisores y Receptores
Invierno 2012
27

La figura siguiente muestra los ngulos de corte de cristales de corte At y BT con respecto a un cristal
de cuarzo.


El circuito equivalente del cristal se muestra en la siguiente figura. La inductancia L y la capacitancia
C
s
representan los elementos del cristal que son sensibles a la frecuencia. La capacitancia C
p
es la
capacitancia entre las dos caras metalizadas o electrodos, su valor va de 2 a 15 pF. La resistencia R
s
es
la resistencia serie del cristal o bien representa las prdidas del cristal, su valor va de 10 ohms a 20
MHz hasta algunos cientos de ohms a 1MHz, hasta algunos miles de ohms a 100KHz y 200K ohms a
1KHz.


C
s R
s
L
C
p
Cristal
Electrodos
metalizados
(ambos lados)
Movimiento
Smbolo

L
r
E
c

L
y

L
E
U
r
d
d
p
L
r
c
L
c
o
m

Los cristale
resonancia m
el modo de
Elctricamen
con una ind
equivalente
supone que
La frecuenci
y la frecuenc
La diferenci
El factor de
Usualmente
reactancia en
de impedanc
de la frecu
previniendo
Los fabrican
resonancia p
capacitancia
Los cristales
sea en reson
cual es siem
sobretono es
oscilador a
mezcladoras
s pueden vi
ms baja es l
e sobretono,
nte, en cada
ductancia g
del cristal p
estn tan lej
ia de resonan
cia de resona
ia entre esas
calidad del c
f
p
es menos
ntre esas do
cia causa qu
uencia de o
de esta man
ntes especific
paralelo. La
a en paralelo
s para frecue
nancia serie
mpre resonan
st cerca de
ms baja
s.
ibrar a un ci
llamado fund
, la frecuen
a resonancia
grande y un
para un solo
os de la reso
ncia serie de
ancia en par
dos frecuen
cristal est d
s del 1% m
s frecuencia
ue se estabili
scilacin ca
nera cambios
can las frecu
frecuencia d
o llamada cap
encias hasta
o resonanci
nte en serie
e 150 MHz.
frecuencia
ierto nmero
damental; lo
ncia de reso
mecnica, e
n factor de
o modo. La
onancia que
el cristal ocu
s
f =
alelo ocurre
p
f
ncias de reson
p
f f f =
dado por:
f
Q
2
=
s grande qu
as. Cuando e
ice la frecue
ausara un g
s en la frecue
uencias de re
dada para el
pacitancia de
cerca de 15
ia paralelo.
. La mxim
Para obtene
seguido de
o de modos
os modos de
onancia del
el cristal se
calidad alto
as dems ram
su efecto es

urre a la frecu
s
LC 2
1
=

a la frecuen
p
s
C
C
s
f + = 1
nancias est
(
s
f + = 1 1
s s s
R
f
C R f

2 1
=

ue f
s
., y el c
l cristal es u
ncia del osc
gran increm
encia de osc

esonancia pa
l modo de re
e carga, cuyo
MHz opera
Arriba de 1
ma frecuencia
er frecuencia
una o m
s mecnicos.
ms alto ord
cristal pue
comporta c
o. La figura
mas que rep
despreciable
uencia:
ncia:
dada por:
)
s C
C
f
p
s
+ 1
s
s s
R
L f

ristal presen
utilizado en u
cilador debid
mento de la
cilacin.
ara el modo d
esonancia pa
o valor tpic
an normalme
5 MHz se u
a que puede
as arriba de
s etapas m
Transm
. El modo c
den son llam
de llegar h
omo un circ
a siguiente
presentan a
e.
nta una varia
un oscilador
do a que un c
a fase de la
de resonanci
aralelo es me
o es de 30pF
ente en el mo
utiliza el mo
e ser obtenid
150 MHz,
multiplicador
misores y Re
Invier
con la frecue
mados sobreto
hasta los 20
cuito resonan
muestra el
los otros m
acin muy r
r, este rpido
cambio sign
a retroalime
ia serie o el m
edida utiliza
F.
odo fundam
odo de sobre
da por un c
se puede ut
as de frecu
eceptores
rno 2012
28
encia de
onos. En
00 MHz.
nte serie
modelo
modos se
pida de
o cambio
nificativo
entacin,
modo de
ando una
ental, ya
etono, el
cristal de
ilizar un
uencia o
Transmisores y Receptores
Invierno 2012
29
En la mayora de los circuitos osciladores a cristal la frecuencia de operacin se sita entre las
frecuencias de resonancia serie y paralelo donde la reactancia del cristal es inductiva. La frecuencia del
cristal puede ser ajustada ligeramente por la adicin de capacitores de ajuste en paralelo o en serie con
el cristal. Un capacitor en paralelo disminuye la frecuencia de resonancia paralelo mientras que un
capacitor en serie no tiene prcticamente ningn efecto sobre la frecuencia de resonancia serie.



La frecuencia de resonancia de un cristal se ve afectada relativamente por la temperatura. La relacin
entre el cambio de frecuencia f (Hz) de un cristal y un cambio de temperatura T (C) est dada por:
= kI +k
1
(I)
2
+k
2
(I)
3

donde k (Hz/MHz/C), k
1
(Hz/MHz/C
2
), k
2
(Hz/MHz/C
3
) son los coeficientes de temperatura del
cristal y f (MHz) es su frecuencia de resonancia.

Los cristales de corte GT tienen coeficientes de temperatura k de cero que son tan bajos como -1 a 1
Hz/MHz/C. La figura siguiente muestra el valor de para cristales de corte AT para temperaturas
de -70 a 120 C.
Resonancia
paralelo
I
m
p
e
d
a
n
c
i
a
s
s
LC
f
2
1
=
p L
p L
C C
C C
L
L
f
+
=
2
1
p s
p s
C C
C C
p
L
f
+
=
2
1
Resonancia
serie
Transmisores y Receptores
Invierno 2012
30


Uno de los osciladores ms comunes es el oscilador a cristal Pierce que se muestra en la siguiente
figura. Este es bsicamente un oscilador Colpitts de fuente comn con el cristal formando un circuito
resonante con las capacitancias C
G
, C
D
y las capacitancias parsitas del FET. Los valores de las
capacitancias C
G
, C
D
deben ser 10 a 20 veces ms grandes que las capacitancias parsitas del FET para
eliminar la dependencia del dispositivo utilizado. Para una resistencia de carga R
D
fija, R
G
y el
parmetro g
fs0
del FET deben ser escogidos de manera que se cumpla el criterio de oscilacin dado por:
g
]s0
>
1
R
u
+
1
R

De manera muy aproximada, la amplitud pico-pico de salida del oscilador se puede considerar como la
mitad del voltaje de alimentacin.


Transmisores y Receptores
Invierno 2012
31



La figura siguiente muestra un oscilador Colpitts con el cristal en el modo de resonancia serie. La
frecuencia de resonancia tiene lugar a la frecuencia de resonancia serie del cristal y a esta frecuencia el
cristal se comporta como una pequea resistencia. Este circuito es particularmente til para muy altas
frecuencias (VHF) a las que se debe usar un cristal de sobretono.


La siguiente figura muestra otra forma del oscilador Colpitts en la cual se utiliza un cristal de sobretono
(resonante en serie) para aterrizar la base del transistor.
Transmisores y Receptores
Invierno 2012
32



La figura siguiente muestra un oscilador Miller, el cual es similar a un oscilador sintonizado en la
entrada o en la salida. Ambos, el cristal y el circuito tanque se ven como reactancias inductivas a la
frecuencia de oscilacin. Aunque se podra utilizar a la salida slo un inductor, se puede obtener una
reactancia efectiva ms grande con el uso de un circuito resonante. La ventaja de este circuito es que un
lado del cristal y del capacitor de ajuste est aterrizado.



La figura siguiente muestra un circuito prctico de un oscilador Pierce.


L


L
L
La figura sig
La figura sig
La figura sig
guiente mue
guiente mue
guiente mue
stra otro osc
stra un circu
stra un oscil
cilador prcti
uito prctico
lador prctic
ico Colpitts
de un oscila



o Colpitts a




a cristal con
ador Miller.
cristal que l
Transm
n transistor b
leva dos cris
misores y Re
Invier

bipolar.


stales.
eceptores
rno 2012
33

L
c
u
p

B

E
i
m
m
d

L
c
d
m
Los oscilad
embargo, la
cristales de
estn limita
utilizados en
por milln d
Buffers
En todo osc
impedancia
el oscilador
minimizar lo
a la entrada
mucho efec
drenaje com
La figura si
conectado a
desde la sali
multiplicada
ores a crista
a frecuencia
corte GT so
ados a unos
n mrgenes
de -50 a 100
cilador la fr
de la carga.
r y la carga
os efectos de
a y, debe ten
cto en la am
mn satisface
iguiente mue
a un oscilado
ida del oscila
a por el cuad
al son los o
de oscilaci
on virtualme
cuantos ci
amplios de
C.
frecuencia y
Por lo tanto
a. El ampli
e carga, debe
ner baja imp
mplitud de s
en muchos de
estra un buf
or Hartley a
ador (primar
drado de la ra
osciladores
n puede cam
ente insensib
entos de KH
frecuencia
la amplitu
o, es una bue
ificador buf
e ser neutral
pedancia de
salida. Las c
e estas condi
ffer con un
acoplado por
rio del transf
azn de vuel






que present
mbiar debid
bles a camb
Hz. Los cri
con estabilid

d de oscilac
ena prctica
ffer debe te
lizado para q
salida para
configuracio
iciones.
amplificado
r transforma
formador) es
ltas del trans
an la mejor
do a cambios
bios de temp
istales de co
dades en fre
cin son af
incluir una
ener una alt
que las varia
a que las var
ones de amp
or seguidor d
ador. La imp
s igual a la i
sformador.
Transm

r estabilidad
s de tempera
peratura, lam
orte AT son
ecuencia de
fectadas en
etapa amplif
ta impedanc
aciones en la
riaciones de
plificador de
de emisor o
pedancia de
mpedancia d
misores y Re
Invier
d de frecuen
atura. De he
mentablemen
n ms ampl
unos cuanta
cierto grado
ficadora buf
cia de entra
a carga no se
e la carga no
e colector c
o de colector
carga efecti
de entrada d
eceptores
rno 2012
34
ncia. Sin
echo, los
nte stos
liamente
as partes
o por la
ffer entre
ada para
e reflejen
o tengan
comn o
r comn
iva vista
el buffer


E
d

L
d

L
i
d



L
i
En baja frec
donde R = R
La impedanc
donde
La figura sig
igual a 100
de alimentac
La siguiente
impedancia
cuencia, la im
R
5
R
6
, y R
cia en alta fr
Z

i
(
guiente mue
K. El pun
cin mediant
e figura mue
de entrada e
mpedancia de
R

= R (R
R
L
= R
7
o bie
recuencia est
(s) =
1 +(R
estra un circ
nto de operac
te un diodo Z
estra otro cir
es igual a 220
e entrada de
R
L
+ r
n
+g
m
en el paralel
t dada por:
Z

(s)
R
L
+
R
L
C

+[R
L
C
uito buffer p
cin del FET
Zener.
rcuito prcti
0 K.
un seguidor
m
R
L
r
n
) = R
lo de R
7
y la
) = R Z

i
(s
+r
n
+ [R
L
+
C

+ r
n
C
n
+
prctico con
T es manten
ico de un bu
r de emisor e
R (R
L
+ r
n
resistencia d
s)
+ R
L
r
n
C
n
s
+ r
n
C

)s + R
n FET. La im
nido constant
uffer con MO
Transm

est dada po
+ [R
L
)
de carga del
R
L
r
n
C
n
C

s
2

mpedancia d
te contra var
OSFET de d
misores y Re
Invier
r:
seguidor de
de entrada de
riaciones de

doble compu
eceptores
rno 2012
35
e emisor.
el buffer
el voltaje
uerta. La



L


U
d
c
La siguiente
acoplado a u
Oscilador
Un oscilado
depende de u
con el voltaj
e figura mu
un oscilador
res contro
or controlad
un voltaje de
je de control
uestra un ci
Hartley por
olados po
do por voltaj
e control a s
l. La figura s
ircuito prct
medio de un
r voltaje
aje (VCO) e
su entrada. L
siguiente mu
tico de un
n transforma



es un oscila
La frecuencia
uestra la func
buffer con
ador.
ador con un
a de oscilaci
cin de trans
Transm

MOSFET d

a frecuencia
n de un VC
sferencia de
misores y Re
Invier
de doble co
a de oscilac
CO vara line
un VCO.
eceptores
rno 2012
36
ompuerta
cin que
ealmente


L
d
d

L
c
L
c
v
c
c
La funcin d
donde K es
del voltaje d
La figura si
aplicar un v
extremos de
consiguiente
C1 y el vara
La figura si
circuito cont
evita que el
voltaje de R
capacitancia
estos estn c
calidad Q de
de transferen
una constan
de control en
iguiente mue
voltaje de co
el diodo vara
e tambin va
actor.
iguiente mue
tiene dos va
voltaje apli
RF se increm
a de la confi
conectados e
el circuito re
ncia del VCO
nte en Hz/V,
n V.
estra un circ
ontrol de DC
actor (o vari
ara la frecu
estra otro ci
aractores con
icado al vara
menta, la cap
guracin esp
en serie. Est
esonante.
O est dada p

, es un in
cuito prctic
C a la entrad
icap) BB132
uencia de res
ircuito prct
nectados esp
actor sufra f
pacitancia d
palda con es
to hace que l
por:

I
= K
o

ncremento d
co de un VC
da del VCO
2, esto hace
sonancia de
tico de un V
palda con esp
fluctuacione
de un diodo
spalda es la
la resistenci


de frecuenci
CO con MO
O, aparece es
que la capa
la red reson
VCO con FE
palda. La co
s debido a l
se incremen
mitad que la
a de la serie
Transm

a en Hz y
OSFET de d
se mismo vo
acitancia del
nante del VC
ET. En vez
nfiguracin
la seal de R
nta y la del
a de un solo
e se doble af
misores y Re
Invier
I es un inc
doble compu
oltaje aplica
l varicap var
CO formada

de un varac
espalda con
RF, a medid
otro dismin
o diodo debid
fectando el f
eceptores
rno 2012
37
cremento
uerta. Al
ado a los
re y por
a por L1,
ctor, este
n espalda
da que el
nuye. La
do a que
factor de

L
u
c
v

E
T
i
l
c
La figura sig
utiliza 4 di
capacitancia
varactores e
Diodos Va
El varactor e
Todos los d
inverso en s
la capacitan
capacitor co
guiente mue
iodos varac
a del arreglo
stn conecta
aractores
es un diodo
diodos, inclu
u unin sem
ncia por med
omo se mues
estra otro cir
ctores conec
o de varacto
ados en paral
o Varicap
especial cuy
uso las union
miconductora
dio del voltaj
tra enseguid
rcuito prctic
ctados espa
ores es el do
lelo por pare
ps
ya capacitan
nes de los t
a. El varactor
aje inverso. E
da.

co de un VC
alda con es
oble que la d
es.





ncia vara al
transistores v
r es construi
El smbolo d
CO con FET
spalda. El e
de un solo p
aplicarle un
varan su ca
ido especialm
del varactor
Transm
. En vez de
efecto es s
par de diodo
voltaje de p
apacitancia a
mente para m
es el de un
misores y Re
Invier

2 diodos var
implemente
os debido a

polarizacin
al aplicar un
mejorar el co
n diodo junto
eceptores
rno 2012
38
ractores,
que la
a que los
inverso.
n voltaje
ontrol de
o con un

D
v
u
d
L
A
L

Dependiend
voltaje de p
un voltaje d
ecuacin:
donde
La figura sig
Aproximada
La figura s
adems de a
do del tipo, la
olarizacin i
de polarizaci
guiente mue
amente a -20
iguiente mu
algunas de su
N
BB2
BB
KV
KV
MV
a capacitanc
inverso es c
n inverso,
estra la varia
0V, la capaci
uestra algun
us aplicacion
No.
204B
B212
1235
1236
1404
0
C
=1.3
par
j
bi
C
V

cia mxima d
ero, el varac
la capacitan
acin de cap
itancia es 0.5
nos ejemplos
nes.
Rango d
pF/V
42/2.0
560/0.5
450/2.0
450/2.0
120/2.0
( )
j
C V =
apacitancia
3V para G
metro que

de un diodo
ctor presenta
ncia del vara

pacitancia de
5 pF, mientr


s de diodos

de sintona
pF/V
15/12
22/8
30/8.5
30/8.5
9/10.0
0
1
j
C
V

a a cero vol
aAs
depende d
varactor tp
a su mxima
actor disminu

e un diodo e
as que a -1.8
s varactores
D
Du
Sin
Tri
Du
Sin
bi
V
V

lts
de la unin
Transm
ico va de 1 a
a capacitanci
uye de acue

en funcin d
8V la capaci

y sus rang
Descripcin
ual para VHF
ntona de AM
iple para AM
ual para AM
ntona de HF
PN
misores y Re
Invier
a 500 pF. Cu
ia. Cuando s
erdo con la s
e su voltaje
tancia es 1.0
gos de capa
F
M
M
M
F
eceptores
rno 2012
39
uando el
se aplica
siguiente
inverso.
0 pF.
acitancia,

L
c
c
L
m
m
E
c
P
E
P

La figura sig
es aplicado
capacitor co
colocar una
Las aplicaci
modulacin
muestra un c
El rango de
capacitancia
Por ejemplo
Entonces,
Por lo tanto
guiente mue
al varactor
onectado en
capacitancia
iones de los
de FM, mul
circuito tpic
e frecuencia
as mnima y
o, para la sin
la razn de
estra el circu
por medio d
serie con el
a variable, su
s varactores
ltiplicacin
co usado par
as que se pu
mxima del
tona de tod
capacitancia
C(V
T
)
uito bsico d
de una alta i
varactor sirv
u valor debe
s comprende
de frecuenci
ra sintona.
ueden sinto
varactor seg
F
mu
F
m
da la banda d
F
mux
F
mn
=
1u8
88
as mnima de
C
m
C
m
e polarizaci
impedancia
ve para acop
ser mucho m

en: sintona
ia y control

nizar con e
gn la ecuac
ux
n
= _
C
mux
C
mn
de FM tenem
8
8
= _
C
mux
C
mn
el diodo vara
mux
mn
= 1.S1
n del varac
que consta d
plar el varac
ms grande
de AM, FM
de frecuenc
el varactor |
cin siguient

mos que F
mux
= 1.2S
actor que se
Transm
ctor. El volta
de la resiste
ctor al circuit
que la capac

M, TV o re
ia en VCOs

|F
mn
, F
mux
]
te.
x
= 88NBz
requiere es:
V
T
misores y Re
Invier
aje de contro
encia de 150
to donde se
citancia del v
eceptores sa
. La siguient
, es funcin
y F
mux
= 1
eceptores
rno 2012
40
ol de DC
0 K. El
requiere
varactor.
atelitales,
te figura
n de las
u8NBz.

E
v
c
c

L
d


F
v
o
m
r
d

L
u
c
El modelo e
ver, el vara
caracterstic
circuitos res
serie segn l
La figura sig
de dos varac
el efecto de
Multiplica
Frecuenteme
veces por la
oscilador a c
mejor los ci
recuperacin
de frecuenci
La siguiente
una red de
circuitos res
equivalente d
actor presen
ca important
sonantes (o f
la ecuacin:
guiente mue
ctores conec
cancelar las
adores de
ente, se requ
a generacin
cristal. Sea p
ircuitos no l
n escalonada
ias.
e figura mue
acoplamien
sonantes f
i,1
, f
del varactor
nta una com
e del varact
filtros pasaba
estra un circu
ctados por su
variaciones
frecuenc
uieren seale
n de armnic
para bien o p
lineales, por
a y los diod
estra un mult
nto de entrad
f
i,2
, , f
i,M
.
en AC es e
mponente re
tor es su fac
anda) con al

uito prctico
u ctodo (ba
de capacitan
ia
es de alta es
cas de una s
para mal, la
r lo que no
os Schottky
tiplicador de
da y una re
l que se mu
esistiva en
ctor Q. Un
lto Q. El fac
=
1
2nC
]
R
s


o de un VCO
ack to back).
ncia debidas

stabilidad y b
seal muy e
generacin
es de sorpre
se utilicen
e frecuencia
ed de acopla
uestra en la s
serie con u
varactor con
tor Q del va
O que utiliza
. Esta config
s a la seal d
bajo ruido;
stable de m
de armnica
ender que lo
ampliament
que usa un
amiento de
Transm
siguiente fig
una capacita
n alto Q per
aractor depen

a varactores.
guracin de
de AC.
stas se pue
ms baja frec
as es una de
os diodos va
e en los sist
diodo varac
salida, un d
misores y Re
Invier
gura. Como s
ancia variab
rmitir impl
nde de su res
El MV104
dos varactor

eden obtener
uencia, tal c
las cosas qu
aractores, di
temas de gen
ctor. Este con
diodo varact
eceptores
rno 2012
41
se puede
ble. Una
lementar
sistencia
consiste
res tiene
r algunas
como un
ue hacen
iodos de
neracin
nsiste de
tor, y M
Transmisores y Receptores
Invierno 2012
42


La siguiente figura muestra un multiplicador de frecuencia que usa un diodo de recuperacin
escalonada.

La siguiente figura muestra un circuito multiplicador con diodo de recuperacin. El bloque f
N
es un
circuito resonante serie ideal sintonizado a la N-sima armnica.


La siguiente figura muestra un doblador de frecuencia resistivo que utiliza un diodo Schottky. Los
circuitos resonantes se sintonizan a la fundamental y a la segunda armnica respectivamente.



La siguiente figura muestra un doblador de frecuencia activo con transistor bipolar. El transistor Q2
acta como un diodo para generar armnicas, y el transistor Q1 acta como un amplificador. En serie

c


con la salida
seal de cole
a, el circuito
ector no pas
o resonante s
e a la salida
se sintoniza a
(sea atenuad
a 500 MHz,
da).



esto hace qu
Transm
ue la fundam
misores y Re
Invier
mental presen

eceptores
rno 2012
43
nte en la