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TECNOLOGIE E MATERIALI AEROSPAZIALI

CAP.33 – MATERIALI COMPOSITI: LEGGE COSTITUTIVA ORTOTROPA

CAPITOLO

33

MATERIALI COMPOSITI: RIGIDEZZA E RESISTENZA DEI LAMINATI

33.1 Introduzione

Le strutture aerospaziali impiegano i materiali compositi avanzati in forme molteplici applicando diversi tipi di tecnologie. In molti casi, tuttavia, la

forma di utilizzo prevede la realizzazione in composito

di elementi di spessore relativamente piccolo rispetto

alle dimensioni superficiali. La geometria dell’elemento è quindi descrivibile attraverso una superficie media, a ogni punto della quale può essere attribuito uno spessore. Anche elementi allungati, pensabili come generati da una traslazione di una

sezione lungo un asse, possono ricadere nella descrizione precedente a condizione che la sezione sia,

in effetti, una parete sottile rappresentabile attraverso la

sua linea media e dall’andamento dello spessore lungo tale linea. La Figura 33. 1 fornisce un esempio di parti strutturali descrivibili in questo modo.

un esempio di parti strutturali descrivibili in questo modo. Figura 33. 1 – Esempi di elementi

Figura 33. 1 – Esempi di elementi in parete sottile in una costruzione aerospaziale, realizzati con laminati in composito

I materiali compositi offrono la possibilità di progettare

le caratteristiche di rigidezza e resistenza di tali

elementi scegliendo opportunamente la tipologia delle fibre di rinforzo e la distribuzione delle direzioni di rinforzo. Tale possibilità permette di adattare le

caratteristiche di rigidezza e resistenza in funzione dei carichi applicati e dei requisiti strutturali. Si ottiene, quindi, una distribuzione di rinforzo multi-direzionale sulla superficie dell’elemento che può essere pensato come una stratificazione di lamine ortotrope, ciascuna delle quali occupa una piccola frazione dello spessore.

La classica tecnologia per la produzione di tali

elementi è la laminazione, che si basa sulla deposizione

di lamine, con un rinforzo, organizzato in forma

unidirezionale o tessuto, pre-impregnato da una resina.

Gli

spessori di tali lamine sono dell’ordine dei decimi

di

millimetro. L’elemento ottenuto è chiamato

laminato. Elementi con le stesse caratteristiche dei laminati possono tuttavia essere prodotte attraverso processi tecnologici diversi dalla laminazione. Il laminato è dunque un’unita strutturale fondamentale nelle strutture in materiale composito e si pone a livello intermedio fra il materiale omogeneizzato (la lamina ortrotropa) e la struttura vera e propria (il pannello o il corrente, come nell’esempio in Figura 33. 1). La

rigidezza e la resistenza degli elementi in materiale composito possono pertanto essere studiate in modo efficace solo considerando questo livello.

Lo studio dei laminati presuppone la conoscenza del

comportamento strutturale di elementi sottili che è trattato, in generale, dalla teoria delle piastre. Il par. 32.2, pertanto, fornisce i cenni essenziale di tale teoria, valida sia per elementi in materiale isotropo che per laminati ottenuti dalla stratificazione di lamine ortotrope. In seguito sarà presentata la Teoria Classica della Laminazione che costituisce lo strumento

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analitico fondamentale per progettare le caratteristiche

di rigidezza del laminato e per calcolare, note le forze

che sollecitano il laminato, lo stato di sforzo nei diversi strati del laminato stesso.

La possibilità di calcolare gli stati di sforzo agenti nelle

lamine che costituiscono un laminato, permette di introdurre i criteri di resistenza per i materiali compositi, cui è dedicato il par. 3.4.

33.2 Cenni di teoria delle piastre

Una piastra è un elemento strutturale inizialmente piatto, che presenta uno spessore molto piccolo rispetto

alle altre dimensioni. Il piano medio della piastra è parallelo alle facce e la suddivide in due parti di uguale spessore. La formulazione più semplice della teoria delle piastre è adatta a descrivere il comportamento di piastre sottili, in cui gli spostamenti normali al piano della piastra sono esclusivamente di origine flessionale. Nel caso di piastre spesse l’azione delle deformazioni a taglio acquista un ruolo non più trascurabile. Per materiali isotropi un rapporto fra spessore e minima dimensione del piano inferiore a 1/20 può essere indicato come confine fra piastre sottili e piastre spesse. In questo capitolo, piastre isotrope e laminati in composito saranno trattate in base alla teoria delle piastre sottili (o piastre di Kirchoff). Le assunzione di base della teoria delle piastre sottili, note come assunzioni di Kirchoff, sono le seguenti:

1. La deflessione del piano medio è piccola rispetto allo spessore della piastra;

2. Il piano medio della piastra rimane in deformato in un processo di deformazione flessionale;

3. Le sezioni della piastra inizialmente piane e normali al piano medio, rimangono piane e normali al piano medio in un processo di deformazione flessionale;

4. Gli sforzi normali agenti su piani paralleli alle

facce della piastra sono trascurabili; Le assunzioni 1 e 2 sono fondamentalmente relative alla possibilità di usare il tensore delle deformazioni infinitesime per descrivere lo stato di deformazione della piastra e metterlo in relazione al cambiamento di configurazione durante una flessione. La Figura 33. 2 mostra la deflessione di un elemento di piastra e mostra come un deflessione comporti lo spostamento in direzione verticale w. Nella figura, la scala di questo spostamento è amplificata. E’ indicata anche una sezione inizialmente piana e normale al piano medio, A-A, e la sua posizione dopo la deflessione. L’assunzione 3, che caratterizza il comportamento della piastre di Kirchoff, ha importanti conseguenze per lo sviluppo della teoria. Nelle piastre spesse, le assunzioni 3 e 4 non sono più applicabili. Come è evidenziato dalla Figura 33. 2 e Figura 33. 3, per la terza assunzione di Kirchoff, l’angolo di rotazione nel piano xz della sezione A-A equivale all’angolo fra la retta tangente alla linea media della piastra, che rappresenta la proiezione del superficie media deformata su xz, e l’asse x. Tale angolo è

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pertanto uguale alla derivata dello spostamento del piano medio in direzione z, w 0 , rispetto alla coordinata x. Analogamente l’angolo di rotazione delle sezioni nel piano yz è pari alla derivata di w 0 rispetto a y.

X, u

Z, w Y, v
Z, w
Y, v
alla derivata di w 0 rispetto a y . X, u Z, w Y, v X
alla derivata di w 0 rispetto a y . X, u Z, w Y, v X
alla derivata di w 0 rispetto a y . X, u Z, w Y, v X
alla derivata di w 0 rispetto a y . X, u Z, w Y, v X
X A w 0 A A ∂ w 0 Z A ∂ X r x
X
A
w 0
A
A
∂ w
0
Z
A
∂ X
r x

Figura 33. 2 – deflessione di una piastra sottile

A ∂ w 0 ∂ X z u A ∂ w 0 u = −
A
∂ w
0
∂ X
z
u
A
∂ w
0
u
= −
u
z
0
∂ X

Figura 33. 3 – Spostamenti dovuti alla deflessione della piastra

A

partire dalle precedenti considerazioni, le assunzioni

di

Kirchoff danno la possibilità di esprimere lo stato di

deformazione in funzione dei parametri di spostamento del piano medio: u 0 , v 0 e w 0 . Se la piastra non si flette, infatti, tutti gli spostamenti del continuo deformabile

corrispondente alla piastra sono uguali a quelli del suo piano medio. Se la piastra si flette, invece, agli spostamenti del piano medio si aggiungono dei termini

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che possono essere espressi in funzione degli angoli di rotazione delle sezioni e, in definitiva, delle derivate di w 0 . Con riferimento alla Figura 33. 3, dove z rappresenta la distanza indeformata del generico punto della piastra dal piano medio, è possibile esprimere gli spostamenti di un punto alla distanza z dal piano medio, in funzione degli spostamenti e delle derivate degli spostamenti valutati sul piano medio, in corrispondenza del punto stesso:

(

(

u X

v X

0

0

Y

0

, ,

,

Y

0

,

(

w X

0

, Y

0

Eq. 33. 1

Z

Z

)(

)(

X

=

=

u

0

v

0

X

0

0

,

Z

)(

w

0

X

,

,

0

Y

0

)

Y

0

)

,

Y

0

)

w

0

z

w

X

0

Y

z

L’Eq. 33. 1 è valida se gli angoli di rotazione sono piccoli, in modo che si possano approssimare le tangenti con i valori degli angoli in radianti e il coseni dell’angolo di rotazione, il cui valore andrebbe a determinare una differenza fra lo spostamento vertcale w 0 e w, è approssimabile all’unità. La prima assunzione di Kirchoff garantisce che gli angoli di rotazione siano piccoli e che si possa utilizzare il tensore delle deformazioni infinitesime, le cui componenti risultano:

ε

γ

XX

YZ

=

=

u

X

;

v

Z

+

Eq. 33. 2

v

YY

w

Y

;

γ

ZX

Y

=

ε

=

;

ε

ZZ

=

w

X

+

u

Z

w

;

Z

γ

XY

=

u

Y

+

v

X

L’introduzione delle ipotesi sul processo di defomrmazione, formalizzate nelle Eq. 33. 1, nelle espressioni delle componenti del tensore di deformazione, riporta in Eq. 33. 2, fornisce:

ε

XX

=

u

0

X

z

2

w

0

X

2

u

0

=

Y

2

w

0

Y

2

ε

ε

YY

z

= 0

 

=

∂ ⎜ ⎛ v

0

(

X

0

,

Z

w

0

∂ ⎛

=

 

X

u

Z

v

 

=

0

+ 0

γ

γ

zz

YZ

ZX

γ XY

Y

+

X

Y

0

)

z

w ⎞ ⎟+

0

Y

X

u

0

2 z

0

,

2

Y

0

w

0

∂ ∂

X

Y

(

)

z

w

0

Y

w

0

Y

∂ Y

w

0

=−

w ⎞ ⎟=

0

X

X

Eq. 33. 3

w

0

+ = 0

Y

w

0

X

= 0

Le Eq. 33. 3 comportano che tutte le componenti agenti su piani paralleli alle facce della piastra, quindi

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normali all’asse z sono nulli. In particolare sono nulli gli scorrimenti a taglio γ YZ e γ ZX . Tale risultato è diretta conseguenza del fatto che la sezione ruota senza deformarsi. Le altre componenti dello stato di deformazione, ε XX , ε YY e γ XY sono la somma di due contributi, come evidenziato nelle Eq. 33. 4.

ε

ε

XX

YY

γ XY

u

0

=

X

v

0

0

2

w

0

X

w

2

2

0

Y

v

0

2

=

ε

= ε

0

XX

2

w

0

X

w

2

2

0

z

z

= − z

Y

u

0 YY

z

2

w 0

X

∂ ∂

Y

=

Y

2

γ

0 XY

= 2

+

Y

X

z

Eq. 33. 4

2

z

2

w 0

X

∂ ∂

Y

I contributi constanti nello spessore, ε 0XX , ε 0YY e γ 0XY , si definiscono membranali e sono rappresentati dallo stato di deformazione del piano medio della piastra. Vi sono poi contributi flessionali, che dipendono dalla distanza z dal piano medio e dalle derivate seconde dello spostamento verticale w 0 . Tali derivate seconde hanno un’interpretazione geometrica, poiché la variazione della derivata di una curva, corrisponde alla sua curvatura, cioè all’inverso del raggio di curvatura

1/r. La Figura 33. 2 mostra il raggio di curvatura nel piano xz, r x , il cui inverso è rappresentato dalla derivata seconda dello spostamento w rispetto a x.

Analogamente è possibile individuare un raggio di

curvatura nel piano yz, r y , pari all’inverso della derivata seconda dello spostamento w rispetto a y. La derivata seconda mista di w rispetto a x e y è collegata a una deformazione di torsione della piastra, che è qualitativamente rappresentata in Figura 33. 4.

che è qualitativamente rappresentata in Figura 33. 4. Figura 33. 4 – Torsione della piastra, rappresentabile

Figura 33. 4 – Torsione della piastra,

rappresentabile attraverso la derivata seconda

mista di w rispetto a x e y

E’ possibile definire quindi tre parametri di curvatura

κ X , κ Y e κ XY nel modo seguente:

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κ

X

=−

X

⎛ ∂ w ⎞ ⎟=−

X

2

w

X

2

κ

Y

=−

Y

⎛ ∂ w

⎟=−

Y

2

w

Y

2

κ

XY

=−

Eq. 33. 5

∂ ⎛ ∂ w ⎞ ∂ ⎛ ∂ w ⎞ ⎤

⎟+

Y

⎟ =−

Y

X

X

2

2

w

X

∂ ∂

Y

Lo stato di deformazione in un generico punto della piastra, potrà essere pertanto espresso mediante la deformazione del piano medio della piastra cui si somma un contributo flesso-torsionale, dipendente dalle curvature e dalla distanza del punto dal piano medio, z. Introducendo le definizioni in Eq. 33. 5 nelle Eq. 33. 4 si ha:

ε

ε

XX

YY

= + z

ε

0

XX

ε

0

YY

= + z

κ

X

κ

Y

γ

XY

= γ

0

XY

Eq. 33. 6

+ z

κ

XY

Definendo i vettori di deformazione del piano medio e il vettore dei parametri di curvatura, la Eq. 33. 6 è esprimibile in forma compatta:

{}ε ={ε }+ z{}κ

0

Eq. 33. 7

33.3 La teoria classica della laminazione

33.3.1

riferimento

Sequenze

di

laminazione

e

sistemi

di

L’Eq. 33. 7 sintetizza le assunzioni di Kirchoff e costituisce la base della teoria delle piastre. Essa, infatti, identifica 6 parametri generalizzati di spostamento (o di deformazione), rappresentati dalle tre componenti di deformazione del piano medio e dalle tre curvature che permettono di descrivere completamente la configurazione deformata di una piastra. Un laminato in composito, di spessore non elevato, può essere efficacemente studiato come una piastra, il cui stato di deformazione è descritto dall’Eq. 33. 7 in un sistema di riferimento denominato assi laminato. Il laminato è composto da N lamine, ciascuna delle quali possiede un riferimento coincidente con gli assi di simmetria del materiale, che definiscono gli assi lamina. Gli assi lamina sono ruotati, rispetto agli assi laminato, nel piano XY, come mostrato in Figura 33. 5.

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X Y x 1 x i-1 x i Z
X
Y
x
1
x
i-1
x i
Z
Y x α i X
Y
x
α
i
X
Figura 33. 5 – Assi lamina e assi laminato 1 z 0 2 z 1
Figura 33. 5 – Assi lamina e assi laminato
1
z 0
2
z 1
TH/2
z i-i
z i
i-1
i
Z
z N-1
z N
N

Figura 33. 6 – Posizione delle lamine rispetto al piano medio del laminato

La Figura 33. 6 riporta la convenzione normalmente utilizzata per individuare la posizione delle lamine nello spessore del laminato. L’asse Z ha origine nel piano medio ed è diretto verso il basso. La quota Z i si riferisce al bordo della lamina più vicino al piano medio. Detto TH lo spessore del laminato e th i quello dell’i-esima lamina, valgono le seguenti relazioni:

th

TH

i

=

Z

i

=

Z

th

i 1

i

i

=

1,

N

Eq. 33. 8

E’ possibile definire una quota z i indicativa della posizione del piano medio della lamina:

z

i

=

Z i + Z

i 1

2

Eq. 33. 9

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Detto α l’angolo misurato dall’asse X del laminato al corrispondente asse x lamina, la sequenza di laminazione di N laminati è definita con la notazione seguente:

[α 1 ] [α 2 ]… [α i-1 ] [α i ]…. [α N ]

Le sequenza di laminazione si possono esprimere in forme più sintetiche, facendo uso di alcune convenzioni. Ad esempio, se la sequenza prevede n lamine adiacenti con identico angolo α h rispetto agli assi laminato si potrà scrivere:

[α 1 ] … [α h ] n

[α N ]

La notazione può estendersi a un gruppo di lamine, [α h ] [α k ] [α l ] ripetuto n volte:

[α 1 ] … ([α h ] [α k ] [α l ]) n

[α N ]

Un’ulteriore semplificazione è data la possibilità di indicare una sequenza di laminazione simmetrica rispetto al piano medio. Infatti se:

α alla quota z , α alla quota z

i

i

ll laminato si dice simmetrico. La sequenza di laminazione di un laminato simmetrico può essere descritta indicando fra parentesi la metà sequenza da una parte del piano medio ed usando il pedice S dopo la parentesi:

([α 1 ] … [α i-1 ] [α i ]… [α N/2 ]) S

33.3.2 Stati di sforzo e deformazione nelle lamine e nel laminato

Applicando le assunzioni di Kirchoff, lo stato di deformazione nello spessore del laminato è completamente determinato nota la deformazione nel piano medio ed i parametri di curvatura. Pertanto, è noto lo stato di deformazione di ciascuna lamina, che occupa la porzione di spessore compresa fra Z i-1 e Z i . Tale stato di deformazione è noto nel sistema di riferimento in assi laminato e non negli assi lamina. Attraverso la matrice di rigidezza della lamina ruotata nel piano, tuttavia, definita in Eq. 32.21 del capitolo precedente, è possibile calcolare direttamente lo stato di sforzo nella singola lamina.

σ

σ

τ

XX

YY

XY

i

Q

dove Z

=

11

Q

21

Q

61

i

=

[]

Q

Q

12

Q

22

Q

62

1

<

z

i

Eq. 33. 10

XX

YY

XY

ε

ε

γ

Q

16

Q

26

Q

66

<

Z

i

=

i

({

ε

0

}

+ z

{})

κ

CAP.33 – MATERIALI COMPOSITI: LEGGE COSTITUTIVA ORTOTROPA

CAP.33 – MATERIALI COMPOSITI: LEGGE COSTITUTIVA ORTOTROPA Figura 33. 7 – Stati di deformazione e sforzo

Figura 33. 7 – Stati di deformazione e sforzo in un laminato

L’Eq. 33. 10 vale nella porzione di spessore occupato dall’i-esima lamina. Il laminato, infatti, non può essere considerato di materiale omogeneo e la sua rigidezza varia nello spessore. L’andamento dello stato di sforzo

e deformazione del laminato, in assi laminato, è

schematizzato in Figura 33. 7. Lo stato di deformazione varia linearmente nello spessore, in presenza di curvature non nulle, come prescritto dall’Eq. 33. 7. Ogni strato ha una diversa rigidezza,

come indicato in Figura 33. 7 dall’andamento del modulo caratteristico. Lo stato di sforzo nella lamina si ottiene applicando l’Eq. 33. 10 e dipende, pertanto, dall’andamento della deformazione nel laminato e dalle rigidezze locali della lamina. Le distribuzioni di sforzo agenti nello spessore del laminato danno luogo ad azioni risultanti nello spessore che caratterizzano lo stato di sollecitazione del laminato nel suo insieme. Se le componenti di sforzo nel piano delle lamine, espresse in assi laminato, sono integrate nello spessore sono integrate nello spessore,

si ottengono i seguenti flussi di forze, con dimensioni

pari a quelle di una forza per unità di larghezza:

TH 2 = N X ∫ dz σ XX − TH 2 TH 2 N
TH
2
=
N X
dz
σ XX
TH
2
TH
2
N
=
dz
Y
σ YY
TH
2
TH
2
=
dz
N XY
τ XY
− TH
2

Eq. 33. 11

Per la simmetria del tensore degli sforzi, l’integrale di τ XY , che individua il flusso di forza di taglio agente nella sezione del laminato normale all’asse X, è pari all’integrale dello sforzo τ YX , che individua il flusso della forza di taglio agente nella sezione del laminato normale all’asse Y.

Y

X N X N XY N XY Z N Y
X
N X
N XY
N XY
Z
N Y

Figura 33. 8 – Flussi di forza agenti sul laminato

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CAP.33 – MATERIALI COMPOSITI: LEGGE COSTITUTIVA ORTOTROPA

Analogamente, si definiscono dei flussi di momento, calcolando i momenti delle componenti di sforzo rispetto
Analogamente, si definiscono dei flussi di momento,
calcolando i momenti delle componenti di sforzo
rispetto al piano medio della piastra. Le espressioni di
tali azioni, che hanno dimensioni pari a momenti per
unità di larghezza della piastra, sono riportate in Eq.
33. 12. La Figura 33. 9 schematizza le sollecitazioni di
momento agenti sulle facce del laminato. L’integrale
dei momenti degli sforzi di taglio τ XY rappresenta una
sollecitazione torsionale per il laminato. A causa della
simmetria del tensore degli sforzi tale integrale, che dà
luogo al momento M XY è identico se eseguito su facce
perpendicolari all’asse X o Y.
Infatti, per la piastra il legame elastico per stati di
sforzo piano è caratterizzato dalle seguenti matrici di
flessibilità e rigidezza:
1
v
0
E
vE
0
2
2
E E
− v
1
− v
⎢ 1
v 1
vE
E
[
]
= ⎢ −
0
;
[
]
=
0
S iso
Q iso
2
2
E
E
1
− v
1
− v
1
0
0
G ⎥
0
0
⎢ ⎣
G ⎦
⎥ ⎦
Eq. 33. 13
TH
2
=
zdz
M X
σ XX
TH
2
TH
2
M
= ∫
zdz
Y
σ YY
TH
2
La matrice di rigidezza [Q iso ] introdotta in Eq. 33. 13,
caratterizza il legame elastico fra sforzi e deformazioni
e queste ultime posso essere espresse in funzione delle
componenti generalizzate di deformazione, in base alla
teoria delle piastre. Si ottiene pertanto l’Eq. 33. 14,
che, per una piastra in materiale isotropo, consente di
esprimere lo stato di sforzo nella piastra, in modo
analogo all’Eq. 33. 10.
TH
2
=
zdz
E vE
M XY
τ XY
0
2
2
− TH
2
σ
1
− v
1
− v
ε
XX
XX ⎫
Eq. 33. 12
vE
E
σ
=
0
ε
=
YY
YY
2
2
1
− v
1
− v
M X
τ
γ
XY
0
0
G
⎥ ⎩
XY ⎭
X
⎣ ⎢
M Y
E vE
0
Y
2
1
− v
2 1
− v
vE
E
=
0
({ε } {}κ)
+ z
0
2
2
1
− v
1
− v
M XY
M XY
0
0
G
Z
Eq. 33. 14

Figura 33. 9 – Flussi di momento agenti sul laminato

Le azioni generalizzate definite nelle Eq. 33. 11 e Eq. 33. 12, possono essere rappresentate con notazione vettoriale, definendo i vettori {N} e {M}. Tali vettori descrivono lo stato di sollecitazione a livello dell’intero laminato e possono essere considerate, per lo stato di sforzo, analoghe ai vettori {ε 0 } e {κ} ,che descrivono lo stato di deformazione.

33.3.3 Legame fra componenti generalizzate di sforzo e deformazione per una piastra isotropa

Le

componenti

generalizzate

dello

stato

di

sollecitazione,

rappresentate

dai

flussi

di

forza

e

momento {N} e {M}, e dello stato di deformazione, rappresentate dalle deformazioni nel piano medio e dalle curvature {ε 0 } e {κ}, possono essere messe in relazione applicando il legame elastico. Il caso di una piastra in materiale isotropo permette di illustrare come sia possibile ottenere tale relazione, che permette di definire un vero e proprio legame costitutivo per la piastra, in campo elastico.

Integrando nello spessore entrambi i membri dell’Eq. 33. 14 si ottiene:

TH / 2

TH / 2

XX

σ

σ

τ

YY

XY

dz

=

TH / 2

TH / 2

[

Q

=

TH / 2

[

Q iso

TH / 2

]({

ε

0

} {})

+

z

κ

dz

iso

{}

{}

N

N

=

=

[

Q

iso

]

z

TH / 2 TH / 2

TH Q

[ ]{} 0

iso

ε

Eq. 33. 15

{}

ε

0

+

]

XX

ε

ε

γ

YY

XY

1 [ 2
1
[
2

Q

iso

dz =

]

z

2

TH / 2

TH / 2

{} κ

L’Eq. 33. 15 mostra come, in una piastra isotropa, le deformazioni del piano medio {ε 0 } sono direttamente legate ai flussi di forza {N} attraverso una matrice di rigidezza membranale della piastra, pari a [Q iso ]TH. In modo analogo è possibile derivare un’equazione che lega i flussi di momento ai parametri di curvatura. A tale scopo, è sufficiente moltiplicare entrambi i membri dell’Eq. 33. 14 per z ed integrare nello spessore. Si ha:

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⎧ σ TH / 2 XX ⎫ TH / 2 ⎪ ⎪ 2 ∫ ⎨
σ
TH / 2
XX ⎫
TH / 2
2
σ
zdz
=
[ Q
]({ } {})
z
ε
+
z
κ
dz
YY
iso
0
TH / 2
τ
TH / 2
XY ⎭
TH / 2
TH / 2
1
1
⇒ }
{
M
=
[
]
2
{}
[
3
Q
z
ε
+
Q
]
z
{} κ
iso
0
iso
2
3
TH / 2
− TH / 2
3
TH
⇒ }
{
M
=
[ ]{κ}
Q
iso
12
Eq. 33. 16

L’Eq. 33. 16 mostra come le curvature {κ} siano direttamente legate ai flussi di momento {M} attraverso una matrice di rigidezza flessionale della piastra, che si ottiene moltiplicando la matrice di rigidezza del materiale per il fattore TH 3 /12.

33.3.4 Matrici di rigidezza e flessibilità di un laminato ortotropo

Le operazioni di integrazione che hanno permesso di derivare le Eq. 33. 15e Eq. 33. 16 per la piastra isotropa possono essere applicate al caso del laminato, nel quale lo stato di sforzo è descritto dall’Eq. 33. 10. Una fondamentale differenza con la piastra isotropa è tuttavia rappresentata dalla non omogeneità del laminato nello spessore. Gli integrali, pertanto, dovranno essere spezzati in N integrali, ciascuno dei quali si riferirà alla porzione di spessore occupato da una singola lamina. Integrando nello spessore le componenti di sforzo si ottiene la seguente equazione:

TH /2

TH / 2

σ

σ

τ

XX

YY

XY

dz =

Z

∑∫ N

i

i = 1

Z

i 1

Q

Q

11

21

Q

61

Q

12

Q

22

Q

62

⎜ ⎛ = ⎜

⎜ ⎝

Z


Q

11

Q

12

Q

16

Q

Q

62

Q

12

Q

22

62

A

A

A

{κ}


⎥ ⎦


A

A

A


i

dz

⎜ ⎛ + ⎜

∑∫ N

i

i = 1

Z i 1

Z

∑∫ N

i

i = 1

Z

i 1



Q 21

Q 61

Q

11

Q

21

Q

61

Q

N ⎫ ⎪

X

N

+

N

B

B

B

11

21

61

Y

XY

B

B

B

=

12

22

62

A

A

⎢ ⎣ A

11

21

61

B

B

B

16

26

66

22

Q

26

Q

66

Q

16

Q

26

Q

66

12

22

62

{

ε 0

}

zdz

i


16

26

66

{

ε

0

{}

κ

}

+

Eq. 33. 17

Q

16

Q

26

Q

66

+

i

({

ε

0

}

+

z

{})

κ

dz

=

Per il laminato costituito da una stratificazione di lamine ortotrope, non è possibile affermare, in generale, che i flussi di forza non dipendono dalle curvature. Il legame costitutivo, per i flussi {N}, indica

CAP.33 – MATERIALI COMPOSITI: LEGGE COSTITUTIVA ORTOTROPA

che essi sono somma di due contributi. Il primo contributo, caratterizzato dalla sottomatrice di

rigidezza membranale [A], si riferisce ai flussi di forza

legati alla deformazione del piano medio. Esiste, tuttavia, anche un secondo contributo, che si annulla solo sotto determinate condizioni. Tale contributo

rappresenta i flussi di forza dovuti alla curvatura del

laminato ed è caratterizzato da una sottomatrice di accoppiamento membranale-flessionale [B]. Moltiplicando entrambi i membri dell’Eq. 33. 10 per z e integrando si ottiene:

Q

Q

11

Q

21

Q

12

Q

16

TH /2

TH /2

σ

σ

τ

XX

∑∫ N

i

i = 1

Z

i 1

Q

12

Q

22

Q

62

Q

12



⎥ ⎦

B

B

B

26

Q

Q

22

62

{

ε 0

61

z i dz

⎟ ⎠

}

Q

26

Q

66

+

⎟ ⎞

i ⎟ ⎠

z

2

dz

{} κ

16

26

66

{

ε

0

}

+

Z

Q

16

Q

Q

Q

66

16

Z

YY

XY

zdz =

Q


⎣ ⎢

Q


⎢ ⎣

Q

11

Q 21

Q 61

11

= ⎜

+

⎜ ⎝

⎜ ⎛


⎜ ⎝

∑∫ N

i

i = 1

Z

i 1

Z

∑∫ N

i

i = 1

Z i 1

M ⎫ ⎪

X

M

Y

M

XY

Q

21

61

=

B

B

⎢ ⎣ B

Q

22

Q

62

11

21

61

B

B

B

Q

26

Q

66

12

22

62

+

D

D

D

11

21

61

D

D

D

12

22

62

D

D

D

16

26

66

{κ}

Eq. 33. 18

i

({ }

z

ε

0

+

z

2

{})

κ

dz

=

Il legame costitutivo fra i flussi di momento {M} e i

parametri generalizzati di deformazione del laminato

conferma la possibilità di un accoppiamento

membranale-flessionale, attraverso la stessa

sottomatrice [B], individuata in precedenza. I flussi di

momento sono inoltre legati alle curvature attraverso la

sottomatrice di rigidezza flessionale [D]. Analizzando

l’Eq. 33. 17 e l’Eq. 33. 18, ed esplicitando le

operazioni di integrazione, i termini delle sottomatrici

[A], [B] e [D] risultano dalle seguenti espressioni:

N

A Q

hk

=

hk

(

i = 1

)( i

Z

i

B

hk

D

hk

=

=

1

2

1

3

N

= 1

N

i

i

= 1

(

hk

Q

(

hk

Q

Eq. 33. 19

)(

)(

i

i

Z

Z

3

i

2

i

Z

i 1

Z

Z

)

2

i 1

3

i 1

)

)

L’Eq. 33. 17 e l’Eq. 33. 18 riassumo i legami costitutivi, validi sotto di l’ipotesi di comportamento elastico e lineare delle lamine ortotrope che costituiscono i laminati, fra i parametri che descrivono lo stato di deformazione del laminato e le azioni

TECNOLOGIE E MATERIALI AEROSPAZIALI

generalizzate agenti sul laminato stesso. E’ possibile utilizzare una notazione ancora più compatta e definire, così, una matrice di rigidezza del laminato.

⎧ ⎧ N

N

⎫ ⎫

X

M

Y

XY

X

M

Y

M

XY

N

{}

{

}

M

N

⎡ ⎡ A

B

⎣ ⎢

B

B

A

A

11

21

61

11

21

61

= ⎢

=

[]

A

B

[]

Eq. 33. 20

A

A

A

B

B

B

12

22

62

12

22

62

A

A

A

B

B

B

16

26

66

16

26

66

[]

B

[]

D

{

}

ε

0

{}

κ

B

B

⎣ ⎢

B

D

⎣ ⎢

D

D

11

21

61

11

21

61

B

B

B

D

12

22

62

12

D

D

22

62

B

B

B

D

D

D

16

26

66

16

26

66

⎥ ⎥

⎥ ⎥

O

XX

O

YY

O

XX

ε

ε

γ

κ

X

κ

Y

κ

XY

La matrice di rigidezza del laminato è quindi costituita dalla tre sottomatrici di rigidezza membranale, flessionale e di accoppiamento membranale- flessionale. Invertendo il legame, è possibile definire una matrice di flessibilità del laminato, con la stessa struttura:

N

=

M

=

[]

Q

La

min

ato

ε

[]

0

1

La

Q

=

κ

SA

SB

[ ][

[ ][

SB ⎤ ⎧

SD

]

]

min

ato

{}

{

N

M

}

ε

0

κ

M

}

{}

}

{

{

}

{}

N

{

{}

{}

{

}

Eq. 33. 21

=

=

[]

A

B

[]

[]

S

La

B

ε

0

κ

ato

N

M

D

min

[]

[]

⎦ ⎩

{

{}

{}

{

}

}

=

33.3.5 Accoppiamenti fra sollecitazioni e parametri di deformazione e casi speciali di laminati

La Figura 33. 10 confronta la matrice di rigidezza di

una piastra isotropa, dedotta dalle espressioni in Eq. 33. 15e in Eq. 33. 16, e la matrice di rigidezza di un laminato in composito. Dal confronto appare evidente, nei laminati in composito, la presenza di accoppiamenti fra sollecitazioni e parametri di deformazione che non esistono nel caso della piastra isotropa.

Il termine di accoppiamento più evidente è dato dalla

sottomatrice [B]. L’accoppiamento membranale- flessionale implica che, applicando una distribuzione di

sforzi con risultante pari a {N} e momento nullo rispetto al piano medio, si ottiene comunque una curvatura del laminato. E’ quindi intuibile che la causa

di tale accoppiamento è in relazione all’asimmetria del

laminato rispetto al piano medio. L’espressione dei termini di [B], data in Eq. 33. 19, indica che i termini di accoppiamento dipendono dal quadrato delle distanze dal piano medio.

B

hk

=

1

2

N

i = 1

(

hk

Q

)(

i

Z

2

i

Z

2

i 1

)

CAP.33 – MATERIALI COMPOSITI: LEGGE COSTITUTIVA ORTOTROPA



{}

N

⎨ ⎩

{ M

}

=

TH

1

0

0

vE TH

v

2

1

0

0

E

v

2

0

TH G

0

0

0

TH

12

TH

12

3 E

1 v

3 vE

1 v

0

2

0

0

TH

TH

12

3 vE

v

3 E

1 v

0

0

0

2 0



{

}


ε 0

{} κ

 

0

0

0

0

0

0

2

2


0


G

3

TH

12

 

Piastra Isotropa

TH

TH

1

E

2

v

⎡ TH ⎢ TH 1 E 2 − v 1 vE − v 2 0 0
⎡ TH ⎢ TH 1 E 2 − v 1 vE − v 2 0 0

1

vE

v

2

0

0

0

0

Accoppiamenti Accoppiamento estensione-taglio membranale-flessionale ⎡ ⎡ A A ⎤ ⎡ B B B ⎤ ⎤
Accoppiamenti
Accoppiamento
estensione-taglio
membranale-flessionale
⎡ ⎡ A
A
B
B
B
11
12
A 11
16
12
16
A
B
B
B
A 21
22
A 21
26
{}
A
A
A
22
26
B
B
{
}
⎧ N ⎫
61
62
66
⎥ ⎦
ε 0
B 61
62
66
= ⎢
⎩ {
M
}
⎡ B
B
B
11
12
16
D
D
D
11
12
16
{} κ ⎭
B
B
D
D
B 21
22
26
D 21
22
26
B
B
D
D
D
⎢ ⎣ B
61
62
66
⎥ ⎦
⎢ ⎣
61
62
66
⎥ ⎦
Accoppiamenti flesso -torsionali
Laminato Composito

Figura 33. 10 – Accoppiamenti fra sollecitazioni e parametri di spostamento nei laminati

Se un laminato è simmetrico, per ogni lamina, con angolo di rotazione α, il cui piano medio si trovi alla quota z i , esiste una lamina simmetrica, con identiche proprietà elastiche, spessore e angolo di rotazione α, posta alla quota –z i . La situazione è schematizzata in Figura 33. 11, che mostra anche i contributi delle due lamine al generico termine B hk della matrice di accoppiamento membranale-flessionale.

i ( Q )( i 2 2 ) Z − Z hk b a Z
i
( Q
)( i
2
2
)
Z
− Z
hk