Diodos

Diodos e Transistores Bipolares: Teoria e Prticas de Laboratrio
Fabiola Fernandes Andrade Francisco Jos Alves de Aquino
Fabiola Fernandes Andrade Francisco Jos Alves de Aquino
Diodos e Transistores Bipolares: Teoria e Prticas de Laboratrio
IFCE Fortaleza, 2010
Sumrio
CAPTULO 1 SEMICONDUTORES .........................................................................................................................7 Introduo .....................................................................................................................................................................7 1.1 Materiais semicondutores ......................................................................................................................................7 1.1.1 O tomo de silcio ...........................................................................................................................................8 1.1.2 O tomo de germnio .....................................................................................................................................9 Exerccios ...................................................................................................................................................................10 1.1.3 Semicondutores do tipo P e N ......................................................................................................................11 1.1.4 O diodo ..........................................................................................................................................................12 1.2 Polarizao do diodo............................................................................................................................................13 1.2.1 Polarizao direta..........................................................................................................................................14 1.2.2 Polarizao reversa .......................................................................................................................................14 Exerccios ...................................................................................................................................................................15 1.3 Informaes Prticas............................................................................................................................................16 Exerccios ...................................................................................................................................................................18 Experincia no Laboratrio .......................................................................................................................................19 CAPTULO 2 TEORIA DOS DIODOS ....................................................................................................................21 Introduo ...................................................................................................................................................................21 2.1 Curva caracterstica do diodo ..............................................................................................................................21 2.2 Polarizao Direta ................................................................................................................................................22 2.3 Polarizao Reversa ........................................................................................................................................22 2.4 Modelos Do Diodo...............................................................................................................................................22 2.4.1 Diodo Ideal ....................................................................................................................................................22 2.4.3 Modelo linearizado .......................................................................................................................................24 Exerccios ...................................................................................................................................................................24 Experincia no Laboratrio .......................................................................................................................................25 CAPTULO 3 CIRCUITOS COM DIODOS ............................................................................................................29 Introduo ...................................................................................................................................................................29 3.1 Tenso Senoidal ...................................................................................................................................................29 3.2 Transformador ......................................................................................................................................................30 3.3 Circuito Retificador de Meia-Onda ....................................................................................................................31 3.4 Circuito Retificador de Onda Completa .............................................................................................................35 3.5 Retificador Em Ponte...........................................................................................................................................40 3.6 Comparao Entre As Frequncias Dos Circuitos Retificadores .....................................................................43 Exerccios ...................................................................................................................................................................44 Experincia no Laboratrio .......................................................................................................................................47 Capacitor varivel ......................................................................................................................................................49 CAPTULO 4 - CIRCUITOS RETIFICADORES COM FILTRO ............................................................................50 Introduo ...................................................................................................................................................................50 4.1 Circuito Retificador de Meia-Onda com Filtro Capacitivo ...............................................................................50 4.2 Circuito Retificador de Onda Completa com Derivao Central e Filtro Capacitivo .....................................53 4.3 Retificador em Ponte com Filtro .........................................................................................................................56 Exerccios ...................................................................................................................................................................59 Experincia no Laboratrio .......................................................................................................................................62 CAPTULO 5 OUTRAS APLICAES PARA O DIODO ...................................................................................66 Introduo ...................................................................................................................................................................66 5.1 Rdio elementar ...................................................................................................................................................66 5.2 Diodo nos circuitos de proteo ..........................................................................................................................66 5.3 Circuito Tanque....................................................................................................................................................67 5.3.1 Propriedades do indutor....................................................................................................................................67
5.4 Circuito ressonante ..............................................................................................................................................68 5.5 Circuito tanque na gerao de sinais de rdio ....................................................................................................70 Exerccios ...................................................................................................................................................................71 Experincia no Laboratrio .......................................................................................................................................71 CAPTULO 6 - CIRCUITOS LIMITADORES (CEIFADORES) E GRAMPEADORES.......................................74 Introduo ...................................................................................................................................................................74 6.1 Circuitos Limitadores ..........................................................................................................................................74 6.2 Circuitos Grampeadores ......................................................................................................................................80 Exerccios ...................................................................................................................................................................84 Experincia no Laboratrio .......................................................................................................................................85 CAPTULO 7 DIODOS ESPECIAIS ........................................................................................................................88 Introduo ...................................................................................................................................................................88 7.1 Diodo Zener..........................................................................................................................................................88 7.2 Diodo Emissor De Luz (LED) ............................................................................................................................92 7.3 Diodo Tnel..........................................................................................................................................................94 7.4 Diodo Varicap (Varactor ou VVC).....................................................................................................................96 Reviso........................................................................................................................................................................97 Experincia no Laboratrio .....................................................................................................................................100 CAPTULO 8- TRANSISTOR BIPOLAR ................................................................................................................105 Introduo .................................................................................................................................................................105 8.1 Constituio de um transistor bipolar ...............................................................................................................105 8.2 Polarizao do Transistor ..................................................................................................................................106 8.3 Configuraes Bsicas do Transistor ...............................................................................................................109 8.3.1 Configurao Emissor comum...................................................................................................................109 8.3.2 Configurao Base comum ........................................................................................................................112 8.4 Transistor como Chave ......................................................................................................................................125 8.5 Transistor como Fonte de Corrente ..................................................................................................................126 Exerccios .................................................................................................................................................................131 Experincia no Laboratrio .....................................................................................................................................138 Alarme para porta com transistor ............................................................................................................................140 Alarme de passagem ................................................................................................................................................141 CAPTULO 9 - OUTROS COMPONENTES ELETRNICOS ..............................................................................143 Introduo .................................................................................................................................................................143 9.1 Transistor de Unijuno (TUJ) .........................................................................................................................143 9.1.1 Funcionamento............................................................................................................................................143 9.1.2 Aplicao tpica: oscilador de relaxao ...................................................................................................144 9.2 DIODO DE QUATRO CAMADAS ................................................................................................................145 9.2.1 Funcionamento............................................................................................................................................145 9.3 Diodo controlado de silcio (SCR)....................................................................................................................147 9.3.1 Estrutura e funcionamento do SCR ...........................................................................................................147 9.3.2 Aplicaes em CC tpicas para o SCR ......................................................................................................148 9.4 Diac .....................................................................................................................................................................149 9.5 Triac ....................................................................................................................................................................150 9.4.2 Aplicaes tpicas para o TRIAC ..............................................................................................................151 Exerccios .................................................................................................................................................................154 BIBLIOGRAFIA CONSULTADA ............................................................................................................................155
CAPTULO 1 SEMICONDUTORES
Introduo
Antes de iniciar o estudo sobre materiais semicondutores, vamos compreender a sua importncia e exemplos de aplicaes dos componentes que ser abordado neste livro. O homem contemporneo utiliza no seu dia a dia muitos equipamentos eletrnicos, tais como celular, computador, televiso e vrios outros dispositivos. Todos estes equipamentos, no qual o homem faz uso constituda a base de materiais semicondutores. Como ocorreu a descoberta destes materiais? Na dcada de 1940, um grupo de pesquisadores que trabalham no laboratrio Bell Telephone, nos Estados Unidos, estudava um dispositivo eletrnico para substituir os rels que eram utilizados no sistema telefnico. O grupo era formado pelo fsico William Schockey, o engenheiro eletricista Jonh Bardeen e o fsico Walter Brattain. Este grupo observou que alguns materiais no se comportavam nem como condutores nem como isolantes, ou seja, ora conduzia corrente eltrica ora a bloqueava. Aps a descoberta dos materiais semicondutores, foi possvel a implementao de diodos, transistores, CIs, etc. Os pases que investiram em materiais semicondutores tiveram um grande avano em sua economia, uma vez que, constitui em um dos setores mais ativo da indstria. Com exemplo, podemos citar Taiwan, no qual, antes da dcada de 1970 era uma economia agrcola, produzia arroz, cana-de acar e abacaxi. A partir da dcada de 1970 investiu em tecnologia, especialmente em semicondutores. A sua estratgica para o desenvolvimento de uma poltica industrial e tecnolgica foi baseada na experincia de parques tecnolgicos (vale do silcio). Na dcada de 2000, a China inspirou-se no modelo de Taiwam e tambm investiu em semicondutores com o objetivo de tornar a China o lder mundial em semicondutores em 2010. Compreender a estrutura qumica dos materiais semicondutores de total importncia para que possamos entender o funcionamento dos principais componentes da eletrnica como o diodo e o transistor que ser abordado com detalhes neste livro. Manter a liderana dos EUA em micoreletrnica criticamente importante para a economia e a segurana nacional dos EUA
Chinas Emerging Semiconductor Industry, Documento da Semiconductor Industry Association, outubro de 2003.
1.1 Materiais semicondutores

Para o perfeito entendimento sobre os materiais semicondutores, iniciamos fazendo uma reviso sobre a estrutura atmica. Um tomo formado por eltrons que giram ao redor de um ncleo composto por prtons e nutrons.
Os eltrons giram em rbitas ou nveis bem-definidos, conhecidos com K, L, M, N, O, P e Q, que representa o modelo atmico de Bohr, como mostra a Figura 1.1.
Q
M L K
ncleo
Quanto maior a energia do eltron, maior o seu raio.
rbitas
Figura 1.1 - Estrutura do tomo
A ltima rbita de um tomo define a sua valncia, ou seja, a quantidade de eltrons desta rbita que pode se libertar do tomo atravs do bombardeio de energia externa (calor, luz ou outro tipo de radiao) ou se ligar a outro tomo atravs de ligaes covalentes (compartilhamento dos eltrons da camada de valncia com os eltrons da camada de valncia de outro tomo). Os materiais semicondutores apresentam 4 eltrons na sua camada de valncia (tetravalentes). No sendo classificados como bons isolantes, nem como bons condutores. Os semicondutores mais utilizados so o silcio e o germnio. 1.1.1 O tomo de silcio O tomo de silcio contm 14 prtons e 14 eltrons distribudos como indicado na Figura 1.2.
1 rbita 2 eltrons 2 rbita 8 eltrons 3 rbita 4 eltrons
+14
Figura 1.2
tomo de silcio
1.1.2 O tomo de germnio O tomo de germnio contm 32 prtons e 32 eltrons assim distribudos:
+32
1 rbita 2 rbita 3 rbita 4 rbita
2 eltrons 8 eltrons 18 eltrons 4 eltrons
Figura1.3- tomo de gemnio
Devido os tomos de silcio e de germnio serem tetravalentes, ou seja, possuir quatro eltrons na ltima camada, para conseguir a configurao de gs nobre necessitam de mais 4 eltrons para a sua estabilidade. Quando se tem vrios tomos de silcio, cada tomo compartilha 4 eltrons com seus tomos vizinhos atravs da ligao covalente formando uma estrutura molecular forte.
Forma-se ento uma estrutura cristalina.
Figura 1.4 - Ligao dos tomos de silcio
Uma estrutura cristalina caracterizada quando os tomos ficam bem organizados, ou seja, em uma forma bem definida. Se a forma fosse desorganizada seria chamada estrutura amorfa. Quando o cristal de silcio colocado em uma temperatura superior ao zero absoluto (273 C), alguns eltrons da camada de valncia se tornam eltrons livres, ou seja, passam para a camada de conduo (banda de conduo), sendo capazes de se movimentar pelo material. So estes eltrons livres que, sob a ao de um campo eltrico, formam a corrente eltrica. O eltron ao se tornar livre deixa no lugar um buraco (lacuna). Na temperatura ambiente um cristal puro, ou seja, formado apenas por um tipo de tomo, ocorre a formao de eltrons livres e lacunas, porm a quantidade de eltrons livres igual ao nmero de lacunas, por isso, a neutralidade deste cristal se mantm. (O nmero de cargas positivas igual ao nmero de cargas negativas). Em um cristal formado por germnio na temperatura ambiente a quantidade de eltrons livres e lacunas so maiores do que no cristal de silcio. Vale ressaltar que a formao de eltrons livres chamada de GERAO, e quando se tem um cristal puro, ele chamado de semicondutor INTRNSECO. Em um semicondutor intrnseco, como existem eltrons livres e lacunas formadas pela energia trmica, os eltrons livres se movem randomicamente atravs do cristal, que ocasionalmente ocupa uma lacuna (sendo atrado pela lacuna). Quando isto ocorre temos o que chamado de RECOMBINAO. A recombinao o fenmeno que ocorre quando eltrons livres ocupam a lacuna, neste caso, o desaparecimento da carga negativa acompanhado pelo desaparecimento da carga positiva. A neutralidade do cristal, deste modo mantida. O tempo entre a gerao e a recombinao chamado de TEMPO DE VIDA. Em um semicondutor com o aumento da temperatura temos uma diminuio de sua resistividade, dizemos que estes materiais possuem coeficiente negativo de temperatura, ou seja, qualquer aumento de temperatura corresponde a uma diminuio de sua resistncia. Sendo, portanto, diferente do comportamento eltrico dos metais comuns, uma vez que com o aumento da temperatura a corrente ter maior dificuldade de passar, j que o nmero de eltrons livres bastante elevado e qualquer aumento da temperatura no causar a libertao de muitos eltrons a mais, mas contribuir de modo acentuado para um aumento da agitao trmica dos tomos. Nos metais com o aumento da temperatura a resistncia aumenta. Os metais tm, portanto, coeficiente positivo de temperatura.
Exerccios
1. Complete a) Os semicondutores mais utilizados e mais comuns so o ______________ e o _____________. b) O tomo de slicio contm ______________eltrons. Com _______eltrons na camada de valncia. c) O tomo de germnio contm_____________eltrons. Com________eltrons na camada de valncia.
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d) Os tomos de silcio e de germnio por serem _____________, necessitam de mais________ eltrons para conseguir a configurao de gs nobre. e) Cada tomo compartilha ______eltrons com seus tomos vizinhos atravs da ligao ___________________. f) Na temperatura ambiente, alguns eltrons da camada de valncia se tornam ____________________________. g) A formao de eltrons livres chamada ________________________. h) A ocupao de um eltron livre na lacuna chamada __________________________. i) O tempo entre a gerao e recombinao chamado ______________________.
1.1.3 Semicondutores do tipo P e N Em um semicondutor podem-se acrescentar impurezas para se obter excesso de eltrons livres ou excesso de lacunas. O silcio e o germnio so tetravalentes, isto possuem 4 eltrons na camada de valncia. Quanto substncias pentavalentes (possuem 5 eltrons na camada de valncia), so adicionadas ao cristal puro, a configurao de gs nobre no obtida, como se observa na Figura 1.5.
Eltron livre
Si
Si
Sb
Si
Si
Figura 1.5
Estrutura de silcio dopada com antimnio (Sb).
A cada tomo pentavalente que adicionado, sobra um eltron, pois apenas 4 eltrons se ligam aos tomo de silcio, pois o silcio possui 4 eltrons e s necessita de mais 4 eltrons para conseguir a configurao de gs nobre.
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Nesse semicondutor temos o chamado material tipo N, pois em toda a sua estrutura, a quantidade de eltrons livres superior quantidade de lacunas, como indica a Figura 1.6.
Figura 1.6
Material tipo N.
Como a quantidade de eltrons livres maior do que a quantidade de lacunas, os eltrons livres so chamados portadores majoritrios e as lacunas portadores minoritrios. Se, no entanto, acrescentarmos impurezas trivalentes, para que ocorra a estabilidade, ir faltar um eltron, ou seja, sobra uma lacuna, como mostra a Figura 1.7. Temos a formao de um material tipo P, onde as lacunas so os portadores majoritrios e os eltrons livres portadores minoritrios.
Si Lacuna
Si
Si
Si
Figura 1.7
(a) Estrutura de silcio dopada com boro (B), (b) material tipo P correspondente.
1.1.4 O diodo Ao unir um semicondutor tipo P com um semicondutor tipo N, temos a formao do componente eletrnico chamado diodo, como mostra a Figura 1.8. Componente este que ser de grande importncia para a construo de fontes de alimentao e muitas outras aplicaes posteriormente discutidas.
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+ + +
_ _ _
Juno PN Figura 1.8 Diodo formado pela juno dos materiais tipo N e tipo P.
Na juno PN os eltrons livres do material tipo N atrado pelas lacunas do material tipo P. Ento alguns eltrons passa do material tipo N para o material tipo P, os tomo que perde o eltron fica ionizado positivamente (ctions) e os que recebem ficam ionizado negativamente (nions). Na juno cria-se um campo eltrico impedindo que outros eltrons passem do material tipo N para o material tipo P. Observe que no material tipo N, embora tenham eltrons livres em excesso quem perde eltrons so os tomos, e como no tomo o nmero de lacunas ficar maior que o nmero de eltrons, ficar ionizado positivamente. Na juno PN, temos o que chamado de camada de depleo, ou seja, a camada de depleo definida como a juno PN onde se encontra os ctions e nions. Devido camada de depleo, ocorre a barreira de potencial, diferena de potencial na juno. A barreira de potencial na temperatura de 25C de aproximadamente 0,7V para os diodos de silcio e 0,3V para os diodos de germnio. Simbologia do diodo mostrada na Figura 1.9.
anodo
Anodo- material tipo P Catodo material tipo N

catodo
Figura 1.9
Smbolo do diodo de juno PN.
1.2 Polarizao do diodo

Para o seu funcionamento, o diodo precisa ser polarizado. Diferentemente do que ocorre com um resistor, na operao do diodo essencial saber a polaridade da fonte de tenso.
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1.2.1 Polarizao direta Na polarizao direta, o potencial positivo da fonte ligado ao anodo (material tipo P) e o potencial negativo da fonte ligado ao catodo (material tipo N), como mostra a Figura 1.10. O potencial negativo repele os eltrons do material tipo N, onde se a tenso da fonte de alimentao for maior do que a barreira de potencial os eltrons atravessam a juno PN, passa pelo material tipo P e atrado pelo potencial positivo da fonte. Ao polarizar diretamente um diodo ideal ele se comporta como uma chave fechada, isto , ir circular uma corrente eltrica pelo dispositivo.
N + + + _ _ _ P
Figura 1.10
Diodo polarizado diretamente.
1.2.2 Polarizao reversa Na polarizao reversa o potencial positivo da fonte ligado ao catodo (material tipo N) e o potencial negativo da fonte ligado ao anodo (material tipo P), como mostra a Figura 1.11. Na polarizao reversa um diodo ideal se comporta como uma chave aberta. No entanto, na prtica, temos duas pequenas correntes que circulam no diodo. A corrente de saturao e a corrente de fuga de superfcie. A corrente de saturao existe devido energia trmica uma vez que so gerados pares de eltrons livres e lacunas. Os portadores minoritrios podem dentro da camada depleo, atravessar a juno ocasionando uma pequena corrente. A corrente de fuga de superfcie ocorre na camada mais externa do diodo. Os tomos na superfcie no possuem vizinhos para fazer a ligao covalente, esta quebra forma na superfcie lacunas se comportando como um material tipo P. Por isso, os eltrons podem entrar no material N atravessar toda a superfcie do diodo passado pelo material tipo P indo para a polaridade positiva da fonte.
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N + + + _ _ _
Figura 1.11
Diodo polarizado inversamente.
Exerccios
1. Dado os circuitos, indique qual das lmpadas ir acender. a)
b)
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1.3 Informaes Prticas

Diodo de germnio
Este tipo de diodo utilizado com correntes muito fracas, mas pode operar em velocidades muito altas, assim ele utilizado principalmente na deteco de sinais de altas frequncias (rdio). Tipos conhecidos desta famlia so o 1N34, 1N60, OA79 etc. Estes diodos so especificados segundo uma codificao: para os diodos de origem americana temos a sigla 1N , enquanto que para os diodos de origem europia temos a sigla AO ou ainda BA . Diodo de silcio de uso geral
So diodos de silcio fabricados para o trabalho com correntes de pequena intensidade, da ordem de no mximo 200mA e tenses inversas que no vo alm dos 100 V. So utilizados em circuitos lgicos, circuitos de proteo de transistores, polarizao etc. O 1N4148 um dos tipos mais populares deste grupo de silcio de uso geral. Diodos retificadores de silcio
Estes so destinados conduo de correntes intensas e tambm operam com tenses relativamente elevadas que podem chegar a 1000V ou 1200V, quando polarizando reversamente. Uma srie muito importante destes diodos a formada pelo 1N4000 e que comea com o 1N4001. Todos os diodos da srie podem conduzir uma corrente direta de at 1 A, mas a tenso reversa vai aumentando medida que o nmero do componente tambm aumenta. A Tabela 1 indica essa variao. A Figura 1.12 mostra a pgina de um datasheet do fabricante Fairchild para esta srie de diodos.
Tabela 1. Diodos Retificadores. Tipo PIV 1N4001 50V 1N4002 100V 1N4003 200V 1N4004 400V 1N4005 600V 1N4006 800V 1N4007 1000V
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Figura 1.12. Caractersticas eltricas dos diodos da srie 1N4000.
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Exerccios
1.Complete a) Quando tomos pentavalentes so adicionados ao cristal puro, temos a formao de um semicondutor do tipo __________. b) Quando tomos trivalentes so adicionados ao cristal puro, temos a formao de um semicondutor do tipo ___________. c) No material do tipo P as lacunas so portadores________________________. d) No material do tipo N as lacunas so portadores_______________________. e) Na juno PN temos a camada de ___________________. f) Na camada de depleo origina a barreira de _________________________. g) Se o diodo for de silcio a barreira de potencial de_______________V. h) Se o diodo dor de germnio a barreira de potencial de___________V. j) Na polarizao direta o diodo ideal se comporta como uma_____________________. k) Na polarizao reversa o diodo ideal se comporta como ________________________. l) Na polarizao reversa, na prtica temos duas correntes a corrente de ____________________________ e a corrente _________________________. 2.(CHESF 2002) Dispositivos eltricos e eletrnicos so construdos com os mais variados tipos de materiais eltricos e magnticos. Os diodos e os transistores, sejam os bipolares de juno ou os de efeito de campo, utilizam materiais semicondutores em sua estrutura. A respeito de materiais semicondutores e de dispositivos eletrnicos, julgue os itens subseqentes. I Ao longo da histria da eletrnica, o germnio e o silcio podem ser citados como importantes materiais semicondutores. II Cristal semicondutor do tipo n tem as lacunas como principais portadores mveis de carga. III Cristal semicondutor extrnseco aquele dopado com elementos denominados impurezas. IV Um transistor bipolar de juno basicamente caracteriza-se por possuir trs junes pn. V O diodo semicondutor apresenta uma juno pn. Esto certos apenas os itens
A I, II e IV. B I, II e V. C I, III e V. D II, III e IV. E III, IV e V.
2. (ELETRONORTE 2006) Considerando que os diodos D1, D2 e D3 do circuito abaixo so ideais, possvel afirmar que:
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a. b. c. d. e.
D1, D2 e D3 esto cortados; D1, D2 e D3 esto conduzindo; D1 e D2 esto conduzindo e D3 est cortado; D1 est cortado e D2 e D3 esto conduzindo; D1 est conduzindo e D2 e D3 esto cortados.
Experincia no Laboratrio
Experincia 1 Compreendendo a polarizao em um diodo
Neste circuito, devem-se identificar os terminais anodo e catodo em um diodo com o auxlio de um multmetro digital. Posteriormente, deve-se montar um circuito simples para compreender a polarizao em um diodo. Material necessrio: - 1 diodo 1N4001 (ou equivalente); - 1 led; - 1 resistor de 470W; w - 1 Fonte de alimentao de 6V; - 1 multmetro digital.
Procedimento 1: Identificao dos terminais anodo e catodo 1. Coloque a chave seletora do multmetro na indicao do diodo. 2. Segure uma ponta de prova do multmetro em perna do diodo. 3. Observe que: Se o valor que aparecer no display for de 600mV, significa que voc est polarizando diodo diretamente, logo, onde est ponta de prova vermelha refere-se ao anodo e a ponta de prova preta ao catodo. Se o valor que aparece no display se refere o infinito, significa que voc est polarizando diodo reversamente, logo, onde est ponta de prova vermelha refere-se ao catodo e a ponta de prova preta ao anodo. Procedimento 2: Compreendendo a polarizao direta e reversa em um diodo 1. Monte o circuito da figura 1.12
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Figura 1.12 Polarizao reversa
2. Inverta o diodo, veja a figura 1.13.
Figura 1.13 Polarizao direta
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CAPTULO 2 TEORIA DOS DIODOS

Introduo
A tenso que chega a nossas residncias uma tenso alternada de 220V (regio nordeste do Brasil). No entanto, a maioria dos equipamentos eletrnicos necessita de uma tenso contnua para funcionar. O que fazer? A tenso para alimentar a grande maioria dos equipamentos deve passar por uma fonte de alimentao. Esta fonte transforma o sinal que alternado em uma tenso contnua, como mostra a Figura 2.1.
Figura 2.1 Fonte de alimentao DC
Uma das principais aplicaes do diodo, no qual, iremos estudar servir para a montagem de uma fonte de alimentao.
2.1 Curva caracterstica do diodo

A curva caracterstica do diodo um grfico(figura 2.2), no qual, relaciona a tenso que aplicada com a corrente que circula pelo diodo.
Polarizao reversa ruptura
Polarizao direta
Joelho (0,7V) para diodo de silcio
Figura 2.2 Curva caracterstica do diodo
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2.2 Polarizao Direta

Na polarizao direta, ser aplicada uma fonte de tenso contnua no diodo, no qual, o plo positivo da fonte ser ligado ao anodo do diodo e o plo negativo da fonte ao catodo, como mostra a figura 2.3.
Figura 2.3 Polarizao direta
Observe no grfico(figura 2.2), do lado direito, a polarizao direta. Quando a tenso for maior do que a barreira de potencial (@0,7V para o diodo de silcio), a corrente circula livremente.
2.3 Polarizao Reversa

Na polarizao reversa, ser aplicada uma fonte de tenso contnua no diodo, no qual, o plo positivo da fonte ser ligado ao catodo do diodo e o plo negativo da fonte ao anodo como mostra a figura 2.4.
Figura 2.4 Polarizao reversa
Na polarizao reversa, o diodo funciona basicamente como uma chave aberta, existindo apenas duas pequenas correntes, como j foi visto no captulo1, a corrente de saturao e a corrente de fuga da superfcie. Se continuarmos aumentando a tenso da fonte, ir chegar um instante em que o diodo no suporta e termina queimando (ruptura) ento a corrente passa a circular livremente. Esta tenso mxima em que o diodo suporta denominada tenso de pico inversa (PIV).
2.4 Modelos Do Diodo

2.4.1 Diodo Ideal Um diodo ideal, na polarizao direta, a barreira de potencial e a resistncia de corpo no so considerados. Na polarizao reversa, a corrente de fuga de superfcie e a corrente de saturao so desprezados.
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Na polarizao direta um diodo ideal se comporta como uma chave fechada e na polarizao reversa como uma chave aberta, como mostra a figura 2.5b e 2.6b. POLARIZAO DIRETA Na figura 2.5(a), temos o circuito em que o diodo est polarizado diretamente, na figura 2.5(b), o circuito equivalente com o diodo polarizado diretamente.
Figura 2.5(a) Polarizao direta, (b)Circuito equivalente do diodo na polarizao direta
POLARIZAO REVERSA
Figura 2.6(a) Polarizao reversa, (b)Circuito equivalente do diodo na polarizao reversa
2.4.2 Modelo Simplificado Considera-se a barreira de potencial. Para o silcio a barreira de potencial de 0,7V e para o germnio a barreira de potencial de 0,3V.
POLARIZAO DIRETA
Na figura 2.7(a), temos o circuito em que o diodo est polarizado diretamente e a figura 2.7(b), o circuito equivalente para a polarizao direta, no qual foi considerado a barreira de potencial de 0,7V para o diodo de silcio.
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0.7V
Figura 2.7(a) Polarizao direta
(b) Circuito polarizao direta para o segundo modelo do diodo
POLARIZAO REVERSA Na figura 2.8(a), temos o circuito em que o diodo est polarizado reversamente e a figura 2.8(b), o circuito equivalente para a polarizao reversa.
Figura 2.8(a) Polarizao reversa (b) Circuito polarizao reversa para o segundo modelo do diodo
2.4.3 Modelo linearizado Considera-se a barreira de potencial e a resistncia de corpo. Como a resistncia de corpo so valores muito baixos, podendo variar de 0,1 a 10W dependendo da dopagem. No iremos usar este modelo neste livro.
Exerccios
1. Considere o segundo modelo para o diodo, calcule a corrente que passa no ampermetro (Figura 2.9).
5,6KW
2. 3. 4.
5V
3,9KW
Figura 2.9
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2. Considerando o segundo modelo para o diodo, calcule a tenso que o voltmetro deve indicar (Figura 2.10).
Figura 2.10
3.Considere o diodo ideal, calcule a tenso no resistor de 1kW (Figura 2.11).
Figura 2.11
Experincia 1- A curva do Diodo Nesta experincia, vamos montar o circuito bsico com o diodo e polarizar diretamente e reversamente para que possamos medir a tenso e a corrente e, consequentemente desenhar a curva caracterstica do diodo. Material necessrio: - 1 Fonte de alimentao cc varivel de 0 a 10V; - 1 diodo 1N4001 (ou equivalente); - 1 resistor de 10K , 0,25W; - 1 multmetro (analgico ou digital);
25
Procedimento: 1- Monte o circuito abaixo (Figura 2.12):
Figura 2.12
2- Preencha a tabela abaixo:
VF 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
26
Monte o circuito abaixo:
Figura 2.13
4- Preencha a tabela abaixo:
VF 1 2 3 4 5
DIVERTINDO-SE COM A ELETRNICA

Sequncia de Leds
Neste circuito, voc ir observar atravs de leds a influncia da barreira de potencial em cada diodo. Matrial necessrio: -1 bateria de 12 V; - 1 capacitor de 2200mF, 16V; - 1 resistor de 1,2KW; 1/4W; - 4 leds; - 4 diodo 1N4001. O circuito apresentado na Figura 2.14.
27
Figura 2.14
Neste circuito, quando a chave estiver na posio 1 o capacitor deve carregar instantaneamente. Ao colocar a chave na posio 2 os quatros leds devem acender, a medida que o capacitor ir de descarregar os led iro apagar na sequncia 4,3,2 e 1.
28
CAPTULO 3 CIRCUITOS COM DIODOS

Introduo
Neste captulo, vamos estudar os circuitos retificadores que serviro para a montagem de uma fonte de alimentao.
3.1 Tenso Senoidal

Uma tenso senoidal pode ser representada graficamente de duas formas: nos domnios temporal e angular como mostram as Figuras 3.1 e 3.2, respectivamente.
Vp T(s) T/2 -Vp T
Figura 3.1 Domnio temporal
Vp Wt = q(rd) p -Vp 2p
Figura 3.2 Domnio Angular
Onde: Vp tenso de pico (amplitude mxima positiva ou negativa, que a tenso senoidal pode atingir). Vpp Tenso de pico a pico (amplitude total, entre os valores mximos positivo e negativo).
29
Matematicamente, os grficos da tenso senoidal nos domnios temporal e angular podem ser representados, respectivamente, por: V(T) = Vpsen wt Onde: V(t) = V(q) = valor da tenso no instante t ou para o ngulo q (em V) e V(q) = Vp senqt
3.2 Transformador
O transformador um dispositivo que permite modificar a amplitude de uma tenso alternada, aumentando ou diminuindo-a. Pode-se tambm utilizar para isolar o circuito do lado do primrio, do circuito do lado do secundrio, neste caso, a amplitude no ser alterada. Ele consiste em duas bobinas isoladas eletricamente, montadas em um mesmo ncleo de ferro (usado para concentrar as linhas de campo).
Voc sabe o que flybacks? Os flybacks so transformadores de alta tenso presentes nos televisores comuns de todos os tipos e tambm nos monitores de vdeo de computadores.
Vp
Vs
Figura 3.3 transformador Na figura 3.3, observamos que a bobina no qual recebe a tenso a ser transformada (Vp) denomina-se primrio, e segunda bobina, no qual foi criado a tenso induzida (Vs) denomina-se secundrio.
Funcionamento. Ele funciona a partir do fenmeno da induo mtua. Quando uma corrente alternada ou pulsante passa no enrolamento primrio o fluxo magntico varivel que ele cria envolve as espiras do enrolamento secundrio, causando o aparecimento de uma f.e.m induzida nos terminais do secundrio. Em um transformador ideal (que no possui perdas), a potncia entregue ao primrio(Pp) igual potncia que o secundrio (Ps) entrega carga, ou seja:
30
Ps = Pp Pp = Vp.Ip Logo: Vp.Ip = Vs.Is Vp/Vs = Np/Ns e Is/Ip = Np/Ns
Valor eficaz
Para sinais senoidais, existe um conceito muito importante denominado valor eficaz ou rms. O valor eficaz Vef ou Vrms de uma tenso alternada a tenso que equivale a uma tenso contnua, de tal forma que, ao aplicar uma tenso contnua a uma resistncia faria com que ela dissipasse a mesma potncia mdia caso fosse aplicado essa tenso alternada. Vp = 2 Veficaz
3.3 Circuito Retificador de Meia-Onda

O circuito retificador de meia-onda constitudo por um transformador, um diodo e a carga, como mostra a Figura 3.4.
Figura 3.4 Circuito retificador de mei-onda
Funcionamento No semiciclo positivo, o diodo conduz (polarizao direta) e a tenso no resistor a mesma do secundrio do transformador. Observe as Figuras 3.5(a) e3.5(b).
31
Figura 3.5 (a)Circuito retificador de meia-onda, (b) Forma de onda no resistor no semiciclo positivo.
No semiciclo negativo o diodo estar reversamente polarizado, portanto funcionando como uma chave aberta, logo a corrente no passar no resistor e a tenso na carga ser zero, como mostra as Figura 3.6(a) e 3.6(b).
Figura 3.6 (a)Circuito retificador de meia-onda, (b) Forma de onda no resistor.
Observe que a onda na qual era alternada no secundrio do transformar ao passar pelo diodo fica contnua, mais precisamente contnua pulsante. A finalidade deste circuito transformar a tenso que era alternada(primrio do transformador) em contnua( sinal na carga). Qual valor o multmetro indicar ao ler a tenso no resistor, j que a tenso pulsante.? O multmetro indicar o valor mdio, calculado da seguinte forma:
Vmed =
1 T
f (t )dt
T 0
32
onde Logo:
Vdc =
f(t) = Vp senq
no intervalo de 0 a p e o perodo de 2p
1 2p
2p
Vpsenwtdt
Wt = q
dwt dq = dt dt
logo: dt =
dq w
Vdc =
1 p VpsenJdJ 2pw 0
w=
2p , T
e T = 2p, logo w = 1
Vdc =
Vdc =
Vp J - cos J I 0 2p
Vp [-[ cos J - cos 0] 2p
Vdc =
Vp
Exemplo: 1) Em um circuito retificador de meia-onda, a tenso no secundrio do transformador 12V. Calcule a tenso no resistor. Soluo: Vst refere-se a tenso no secundrio do transformador Vp = 2 2 Vst
Vp = Vdc = Vp p
. 12 = 16,97V Vdc = 16,97

p
Vdc = 5,4V
33
ESPECIFICAES DO DIODO Qual diodo poder ser colocado neste circuito? O diodo dever suportar a tenso mxima que ficar nele quando reversamente polarizado e a corrente mdia quando diretamente polarizado. Logo temos duas especificaes: PIV Tenso de pico inversa Io Quantidade de corrente que o diodo deve suportar
PIV O diodo quando reversamente polarizado (semiciclo negativo), funcionar como uma chave aberta, com mostra a Figura 3.7.
Figura 3.7
Circuito equivalente no diodo para o semiciclo negativo
Toda a tenso do secundrio do transformador deve estar no diodo.
PIV = Vpst (Tenso de pico do secundrio do transformador) Determinao do Io Io - a corrente mdia, quando o diodo est diretamente polarizado, logo a corrente que passa por ele igual a corrente que passa no resistor. No semiciclo positivo o diodo conduz. Tem corrente passando no diodo e tem corrente no resistor. No semiciclo negativo o diodo no conduz. No tem corrente passando no diodo e tambm no tem corrente no resistor.
34
Logo: Io = Idc A quantidade de corrente que passa no diodo igual a quantidade de corrente que passa no resistor. Logo: Idc = Vdc/R Exemplo: 1)Em um circuito retificador de meia-onda a tenso no secundrio do transformador 9V. Calcule as especificaes do diodo. Dado: R= 3.9KW Soluo: Vp = 2 2 Vst
Vp = Vdc = Vp p
. 9 = 12,72V Vdc = 12,72

p
Vdc = 4,05V
PIV = 12,72V
Io = Idc = Vdc R Io = 4,05 = 1,03mA 3,9K
3.4 Circuito Retificador de Onda Completa

No circuito retificador de onda completa com derivao central(Figura3.8), deve-se utilizar um transformador com derivao central, dois diodos e a carga.
Rl
Figura 3.8 Circuito retificador de onda-completa com derivao central
35
Na montagem do circuito, utiliza-se de um transformador com derivao central, conhecido tambm como tomada central ou, em ingls central tap ( Figura 3.9). Nestes transformadores, o enrolamento secundrio apresenta uma derivao no centro. Esta derivao far com que a tenso fique dividida igualmente da metade para uma das estremidades. Ex:
9V 18V 9V
Figura 3.9 Transformador com derivao central
Funcionamento do circuito
No semiciclo positivo D1 conduz e D2 abre, como mostram as Figura 3.8(a) e 3.8(b).
Vst
+
Vdc
Figura 3.10 (a) Circuito retificador de onda completa com derivao central, (b) Forma de onda no resistor no semiciclo positivo.
A tenso no resistor ser a metade da tenso total do transformador. No semiciclo negativo D1 abre e D2 conduz, como mostra as Figuras 3.11(a) e 3.11(b).
36
Vst
+ +
Vdc
Figura 3.11(a) Circuito retificador de onda completa com derivao central, (b) Forma de onda no resistor no semiciclo negativo
Observe que a polaridade no resistor permanece a mesma e a freqncia em relao a tenso no secundrio do transformador o dobro pois o perodo a metade.
A tenso Vdc ser:
Vdc =
onde:
1 T
f (t )dt
T 0
f(t) = Vp senq para o intervalo de 0 a p e Vp senq para o intervalo de p a 2 p
Devemos integrar o sinal at 2p, logo W = 2 pf = 1
Vdc =
2p 1 p VpsenJ + - VpsenJ p 2p 0
Vdc =
Vp [2 + 2] 2p
logo: Vdc = 2
Vp
37
OBS: Como apenas a metade da tenso no secundrio ir para o resistor temos que:
Vp =
2 . Vst 2
Exemplo; 1) Em um circuito retificador de onda completa com derivao central a tenso no secundrio do transformador 16V. Calcule a tenso no resistor de 5,6KW. Soluo:
Vp =
2 . Vst 2
2 2
. 16
Vp = 11,31V Vdc = 2.(11,31)/p = 7,2V
ESPECIFICAES DO DIODO PIV Quando D1 est aberto D2 est conduzindo e a tenso que fica em D1 a tenso total do secundrio do transformador.
+
Figura 3.12 Circuito equivalente do circuito retificador de onda completa com derivao central no semiciclo positivo
38
PIV = Vpst
Io No semiciclo positivo D1 conduz e tem corrente no resistor, no semiciclo negativo D1 estar aberto mais D2 conduz e existir corrente no resistor logo: A quantidade de corrente que passa no diodo a metade da quantidade de corrente que passa do resistor.
Io = Idc 2 Exemplo: 1) Em um circuito retificador de onda completa com derivao central , a tenso no secundrio do transformador 12V . Calcule as especificaes do diodo para um resistor de 2,7 KW. Soluo:
Vp =
2 . Vst 2
2 2
. 12
Vp = 8,48V Vdc = 2.(8,48)/p = 5,4V PIV = 2 . 12 = 16,97V Idc = 5,4/2,7K = 2mA
Io = Idc 2
Io = 2m/2 = 1mA
39
3.5 Retificador Em Ponte

No circuito retificador em ponte (Figura 3.13), ser utilizado quatro diodos para aproveitar os dois semiciclos(positivo e negativo) do sinal alterado. Outrosim, toda a tenso do secundrio do transformador chegue na carga.
D1
D2
D3 D4
Rl
Figura 3.13 Circuito retificador em ponte
Durante o semiciclo positivo D2 e D3 conduzem e D1 e D4 funcionaro como uma chave aberta, como mostram as Figuras 3.14(a) e 3.14(b).
Figura 3.14 (a)Circuito retificador em ponte, (b) Forma de onda no semiciclo positivo
Durante o semiciclo negativo D1 e D4 conduzem, D2 e D3 funcionaro como uma chave aberta, como mostram as Figura 3.15(a) e 3.15(b).
40
Figura 3.15 (a) Circuito retificador em ponte, (b) Forma de onda no semiciclo negativo
Como a forma de onda igual a do circuito retificador de onda completa com derivao central, o clculo da tenso Vdc igual.
Vdc = 2Vp
p
A vantagem do circuito retificador em ponte em relao ao circuito retificador de onda completa com derivao central que no necessita de um transformador com derivao central e a tenso total do transformador aproveitada. Exemplo:
1) Em um circuito retificador em ponte a tenso no secundrio do transformador de 12V. Calcule a tenso na carga. Soluo:
Vdc = 2VP/p Vp =
2
. 12 = 16,97V
Vdc = 2.16,97/p = 10,8V
41
ESPECIFICAES DO DIODO So duas as especificaes do diodo: Tenso mxima de pico que fica no diodo quando o mesmo est inversamente polarizado, denominado PIV(Tenso de pico inversa) e o valor mdio a corrente no diodo quando o mesmo est diretamente polarizado, denominado Io. PIV- No semiciclo positivo D1 est funcionando como uma chave aberta e D3 est conduzindo, observe na Figura 3.12, que a tenso em D1 igual a tenso total do secundrio do transformador.
PIV = Vpst
Io Durante o semiciclo positivo a corrente no passa sobre D1, mas tem corrente no resistor. No semiciclo negativo tem corrente no diodo e tambm tem corrente no resistor, logo:
Io = Idc 2 Exemplo 1)Em um circuito retificador em ponte, a tenso no secundrio do transformador 9V. Calcule as especificaes do diodo sabendo que o resistor de 2,7KW. Soluo: Vdc = 2VP/p Vp =
2
. 9 = 12,72V
Vdc = 2.12,72/p = 8,1V PIV = 12,72V Io = Idc/2 Io = 3m/2 = 1,5mA Idc = Vdc/R = 8,1/2,7K = 3mA
42
3.6 Comparao Entre As Frequncias Dos Circuitos Retificadores

Para compreender a freqncia do sinal na carga, vamos analisar o perodo entre o sinal no secundrio do transformador e o sinal na carga. Na comparao entre o perodo do sinal no secundrio do transformador e o perodo do sinal na carga em um circuito retificador de meia-onda, observando a Figura 3.16, verificamos que o perodo do sinal no secundrio do transformador ter o mesmo perodo do sinal no resistor em um circuito retificador de meia-onda.
Vst
+
p
FORMA DE ONDA DA LINHA

T
2p
Vdc p
FORMA DE ONDA NO RESISTOR PARA O CIRCUITO RETIFICADOR DE MEIA-ONDA

2p
Figura 3.16 Comparao entre o perodo da onda no secundrio do transformador e na carga no circuito retificador de meia onda.
Na Figura 3.16, verificamos que ao comparar o perodo do sinal da linha com a do circuito retificador de meia-onda , o perodo permanece o mesmo, ou seja 2p. Logo, a frequncia, a mesma . Se a frequncia da linha for de 60Hz, em um circuito retificador de meia-onda, a frequncia tambm ser de 60Hz.
Na comparao entre o perodo do sinal no secundrio do transformador e o perodo do sinal na carga em um circuito retificador de onda completa, (Figura 3.17) iremos fazer a seguinte anlise:
43
Vst
+
p
FORMA DE ONDA DA LINHA.

T
2p
Vdc T p 2p
FORMA DE ONDA NO CIRCUITO RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA COM TAP CENTRAL E RETIFICADOR EM PONTE.
Figura 3.17 Comparao entre o perodo da onda no secundrio do transformador e na carga no circuito retificador de onda-completa.
O perodo da linha 2p, porm, nos circuitos retificadores de onda completa, no
resistor, o perodo p, logo, a frequncia no circuito retificador de onda completa o dobro da frequncia da linha. Exemplificando, se na linha a frequncia for de 60Hz, em um circuito retificador de onda completa a freqncia na carga ser de 120Hz.
Exerccios
1. Preencha os espaos em branco. A . Em um circuito retificador de meia-onda a tenso no resistor ser calculado pela seguinte equao: Vdc =___________ B . Em um circuito retificador de meia-onda PIV = _____________ e Io = __________ C . Em um circuito retificador de onda completa com derivao central a tenso no resistor ser calculado pela seguinte equao: Vdc =__________, onde Vp = _________ da tenso no secundrio do transformador. D . Em um circuito retificador de onda completa com derivao central temos: PIV = ___________ e Io = ______________. E . Em um circuito retificador em ponte a tenso no resistor ser calculado pela seguinte equao: Vdc = ______________ F . Em um circuito retificador em ponte temos: PIV = ___________ e Io = ___________ G . Se a frequencia da linha for de 50Hz, em um circuito retificador de meia-onda a frequncia ser de _____________ no circuito retificador de onda completa com derivao central a frequncia ser de _________e no circuito retificador em ponte a frequncia ser de ___________.
44
2. Em um circuito retificador de meia-onda a tenso no secundrio do transformador de 18V, sabendo que Rl = 6,8KW. Calcule as especificaes do diodo. 3. Em um circuito retificador de onda-completa com derivao central a tenso no secundrio do transformador de 25V. Sabendo que Rl = 5,6KW. Calcule as especificaes do diodo. 4. Em um circuito retificador em ponte a tenso no secundrio do transformador de 16V, sabendo que Rl = 8,2KW. Calcule as especificaes do diodo. 5. Um aluno montou em laboratrio o circuito da Figura 3.18, no qual verificou a forma de onda no resistor com o osciloscpio, como mostra a figura. Se o aluno utilizasse o multmetro para medir a tenso no resistor, qual tenso ele iria ler?
Figura 3.18
6. Dado o circuito(Figura 3.19) determine a tenso V1. Dado: Vst = 25V, R1 = 10kW, R2 = 15kW e R3 = 22KW.
Figura 3.19
7. Dado o circuito (Figura 3.20), determine a tenso V1 e as especificaes do diodo. Dado: Vst = 26V, R1 = 1KW, R2 = 3,3KW e R3 = 5,7KW
45
V1
Figura 3.20
8- Dado o circuito (Figura 3.21), determine a forma de onda no diodo D1.
Figura 3.21
9. Um aluno montou em laboratrio o circuito (Figura 3.22), no qual observou a forma de onda com o osciloscpio no resistor, como mostra a figura. Determine a tenso que ele ir ler ao medir a tenso no resistor com o multmetro.
Figura 3.22
46
Experincia 2 Circuito retificador de meia-onda
Neste circuito, deve-se montar um circuito retificador de meia-onda, para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscpio e medir a tenso Vdc. Material necessrio: - 1 transformador, 110V/220V 9V, 500mA - 1 diodo 1N4001 (ou equivalente); - 1 resistor de 10K , 0,25W; - 1 multmetro (analgico ou digital); - 1 Osciloscpio. Procedimento: 1- Monte o circuito da Figura 3.23:
Figura 3.23
2345-
Com o uso do osciloscpio, observe a forma de onda no resistor. Utilize as expresses matemticas e calcule a tenso Vdc. Com o multmetro mea a tenso no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado. Inverta o diodo e observe a forma de onda no resistor.
Experincia 3
Circuito retificador de onda completa com derivao central
Neste circuito, deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivao central, para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscpio e medir a tenso Vdc. Material necessrio:
47
- 1 transformador com derivao central, 110V/220V 12V+12V, 500mA - 2 diodos 1N4001 (ou equivalente); - 1 resistor de 10K , 0,25W; - 1 multmetro (analgico ou digital); - 1 Osciloscpio. Procedimento: 1.Monte o circuito da Figura 3.24:
Rl
Figura 3.24
2. 3. 4. 5.
Com o uso do osciloscpio, observe a forma de onda no resistor. Utilize as expresses matemticas e calcule a tenso Vdc. Com o multmetro mea a tenso no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado. Inverta os diodos e observe a forma de onda no resistor.
Experincia 4
Circuito retificador em Ponte
Neste circuito, deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivao central, para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscpio e medir a tenso Vdc. Material necessrio: - 1 transformador -110V/220V ,9V, 500mA - 4 diodos 1N4001 (ou equivalente); - 1 resistor de 10K , 0,25W; - 1 multmetro (analgico ou digital); - 1 Osciloscpio.
48
Procedimento: 1.Monte o circuito da Figura 3.25:

D1 D2
D3 D4
Rl
Figura 3.25
2.Com o uso do osciloscpio, observe a forma de onda no resistor. 3.Utilize as expresses matemticas e calcule a tenso Vdc. 4.Com o multmetro mea a tenso no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado. 5.Inverta os diodos e observe a forma de onda no resistor.

Capacitor varivel
Neste circuito ser construdo um capacitor varivel de estado slido, servindo para substituir capacitores variveis comuns em circuito de sintonia. Material necessrio: 2 baterias de 12V; 1 resistor de 8,2KW 1/4W; 1 resistor de 1MW; 1 potencimetro de 1MW; 1 diodo varicap ( qualquer um serve); 1 capacitor 10nF Circuito da Figura 3.26:
Figura 3.26
49
CAPTULO 4 - CIRCUITOS RETIFICADORES COM FILTRO

Introduo
Nos circuitos retificadores visto at agora, verificamos que a tenso j contnua, no entanto, o sinal continua pulsando. O prximo passo para construirmos uma fonte de alimentao aplicar um filtro capacitivo, para que o sinal fique o mais prximo de uma tenso contnua constante.
4.1 Circuito Retificador de Meia-Onda com Filtro Capacitivo

No circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo, foi introduzido um capacitor em paralelo a carga como mostra a Figura 4.1
Figura 4.1 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo
No semiciclo positivo do diodo conduz e o capacitor comea a carregar at atingir a tenso de pico no secundrio do transformador. Quando a tenso do secundrio do transformador diminuir (sendo menor do que Vp) o diodo abre, pois a tenso no capacitor ser maior do que a tenso no secundrio do transformador (o diodo estar polarizado reversamente). Ento o capacitor comea a descarregar pelo resistor, para este circuito utilizado-se valores relativamente altos para C, de tal forma que t = RC, ser maior do que o perodo da onda no secundrio do transformador (T= 1/60 s). Durante o semiciclo negativo o diodo est polarizado reversamente e o capacitor continua descarregando pelo resistor. Novamente no semiciclo positivo, quando Vst > Vc (tenso no secundrio do transformador maior do que a tenso no capacitor) , o diodo conduz e o capacitor carrega at atingir a tenso de pico do secundrio do transformador, como mostra a Figura 4.2.
50
Vst T
Vdc T
Figura 4.2 Forma de onda no resistor
Vdc = Vp - Vond 2
Vond =
I FC
De: I = C dV dt
dV = Vond
Onde: I = Corrente no resistor, no entanto iremos aproximar a Vp/R F = frequncia da forma de onda no resistor C = Capacitncia
Obs: Quanto maior t = RC, menor ser a tenso de ondulao, logo maior ser a tenso Vdc e mais contnua ser a forma de onda no resistor.
51
ESPECIFICAES DO DIODO So duas as especificaes do diodo: Tenso mxima de pico que fica no diodo quando o mesmo est inversamente polarizado, denominado PIV(Tenso de pico inversa) e o valor mdio a corrente no diodo quando o mesmo est diretamente polarizado, denominado Io.
PIV A tenso no diodo ter o maior valor, quando em um circuito o capacitor tiver um valor muito elevado no tendo tempo para descarregar e a tenso no secundrio do transformador estiver no semiciclo negativo como mostra Figura 4.3.
Figura 4.3 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo no semiciclo negativo
Ao fechar a malha, a tenso mxima que chegar ao diodo ser:
PIV= 2Vps
Io A quantidade de corrente que passa no diodo ser a maior possvel quando em um circuito o valor da resistncia e o valor do capacitor forrem muito baixo, de tal forma que o capacitor de descarrega quase que totalmente, ficando a forma de onda muito parecida com a do circuito retificador de meia-onda.
Io = Idc
Exemplo: 1)Dado o circuito, calcule a tenso Vdc e as especificaes do diodo. Dado: Vst = 12V e Flinha = 60Hz
52
Figura 4.4 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo
Soluo: Vdc = Vp - Vond

2
onde : Vond = I
FC
Para o circuito retificador de meia-onda a frequncia da onda no resistor igual a frequncia da linha logo: F= 60Hz Vp =
2
. 12 = 16,97V
I @ Vp/R = 16,97/5,6K = 3mA Vond = 3

60.100m
= 0,5V
Vdc = 16,97
0,5/2 = 16,7V
PIV = 2(16,97) = 33,94V Io = Idc = 16,7/5,6K = 2,98mA
4.2 Circuito Retificador de Onda Completa com Derivao Central e Filtro Capacitivo
No circuito retificador de onda completa com derivao central e filtro capacitivo, foi introduzido um capacitor em paralelo com a carga como mostra Figura 4.5.
53
D1
C Rl D2
Figura 4.5 Circuito retificador de onda completa com derivao central e filtro capacitivo
Durante o primeiro semiciclo positivo, D1 conduz e o capacitor comea a carregar at atingir a tenso no secundrio do transformador. Quando Vst diminui D1 abre e o capacitor comea a descarregar pelo resistor. No semiciclo negativo, quando Vst > Vc , D2 conduz e o capacitor carrega at atingir Vpst. Quando Vst for menor do que Vpst, D2 abre e o capacitor novamente comea a descarregar pelo resistor. No semiciclo positivo quando Vst > Vc, D1 conduz e o capacitor carrega at atingir Vpst. Novamente quando Vst< Vp, o diodo abre e o capacitor comea a descarregar pelo resistor e assim sucessivamente como mostra Figura 4.6.
Vst T
Vdc T
54
Logo:
Vdc = Vp - Vond 2
OBS: A frequncia o dobro da frequncia da linha
PIV = Vpst
Io = Idc 2
Exemplo: 1) Dado o circuito, calcule a tenso Vdc e as especificaes do diodo. Dado: Vst = 12V Flinha = 60Hz
D1
5,6KW D2
100mF
Figura 4.7
55
Soluo:
2 . Vst Vp = 2 =
. 12 2
Vp = 8,48V
I = Vp/R = 8,48/5,6K = 1,51mA
Vond =
1,51m
120.100m
= 0,12V
Vdc = 8,48 0,12/2 = 8,41V PIV = Io = Idc/2

2
. 12 = 16,97V Idc = Vdc/R = 8,41/5,6K = 1,5mA
Io = 1,5m/2 = 0,75mA
4.3 Retificador em Ponte com Filtro

No circuito retificador em ponte com filtro capacitivo, foi introduzido um capacitor em paralelo a carga como mostra a Figura 4.8.
D1
D2
D3 D4
Rl
Figura 4.8 Circuito retificador em ponte com filtro capacitivo

56
No incio do primeiro semiciclo positivo D2 e D3 conduzem, logo o capacitor comea a carregar at atingir a tenso de pico do secundrio do transformador. Quando Vst<Vpst, D2 e D3 abrem e o capacitor comea a descarregar pelo resistor. No semiciclo negativo, quando Vst > Vc, D1 e D4 conduzem e o capacitor comea a carregar at atingir Vpst. Novamente, quando Vst < Vp, D1 e D4 abrem e o capacitor comea a descarregar pelo resistor. No semiciclo positivo, quando Vst> Vc, D2 e D3 conduzem e o capacitor carrega at atingir Vpst, quando Vst<Vp =Vc, D2 e D3 abrem e o capacitor comea a descarregar pelo resistor e assim sucessivamente. como mostra a Figura 4.9.
Vst T
Vdc T
Logo:
Vdc = Vp - Vond 2
OBS: A frequncia o dobro da frequncia da linha
57
PIV = Vpst
Io = Idc 2 Exemplo: 1)Dado o circuito, calcule a tenso Vdc e as especificaes do diodo. Dado: Vst = 12V Flinha = 60Hz
D1
D2
D3 D4
5,6KW
100mF
Figura 4.10
Soluo: Vp = 2 . Vst = 2 . 12
Vp = 16,97V
I = Vp/R = 16,97/5,6K = 3 mA
58
Vond =
3m
120.100m
= 0,25V
Vdc = 16,97 PIV = Io = Idc/2

2
0,25/2 = 16.84V . 12 = 16,97V Idc = Vdc/R = 16,84/5,6K = 3mA
Io = 3m/2 = 1,5mA
Exerccios
1. Preencha os espaos em branco. A . Em todos os circuitos retificadores com filtro, observa-se que a forma de onda a mesma sendo calculado a tenso Vdc pela seguinte equao_________________________ Onde Vond = ________________ B . O que difere os circuitos retificadores com filtro como o circuito retificador de meia-onda do circuito retificador de onda completa a __________________________ C. Em um circuito retificador de meia-onda com filtro se a frequncia da linha for de 60Hz, a frequncia ser_________ e no circuito retificador de onda completa a frequncia ser__________________. D. O PIV para o circuito retificador de meia-onda com filtro ser igual a ______________ E . O PIV para os circuito retificadores de onda completa com filtro ser igual a__________ F. O Io para o circuito retificador de meia-onda com filtro igual a____________ G.O Io dos circuitos retificadores de onda completa com filtro ser igual a ___________ 2. Dado os circuitos das Figura 4.11, 4.12 e 4.12, calcule a tenso Vdc e as especificaes do diodo. Dado: Vst = 18V e Flinha = 60Hz
a)
2,7 KW 47mF
Figura 4.11
59
b)
D1
2,7KW D2
47mF
Figura 4.12
c)
D1
D2
D3 D4
2,7KW
47mF
Figura 4.13
3. Dado o circuito da Figura 4.14, determine Vdc. Dado: Vst= 24sen100t, Rl = 15KW e C= 1mF
Figura 4.14
4. Dado o circuito da Figura 4.15, determine a tenso Vdc e as especificaes do diodo.
60
Dado: Vst = 40V, Rl = 3,9KW.
Figura 4.15
5. A Figura 4.16, mostra dois circuitos retificadores de onda completa com carga RL idnticas, alimentados por fontes de tenso senoidal V(t), com mesmas especificaes e utilizando diodos considerados ideais. Medidas de tenso e freqncias foram efetuadas nas sadas dos circuitos em cima das cargas Rl, obtendo: V1 e f1 para C1 V2 e f2 para C2 Com relao s medidas obtidas, correto afirmar que: a) V2 = 2V1 e f2 = f1 b) V2 = 2V1 e f2 = 2f1 c) V2 = 0,5 e f2 = f1 d) V2 = 0,5 e f2 = 0,5f1 e) V2 = V1 e f2 = f1
Figura 4.16
61
Experincia 5 Circuito retificador de meia-onda com filtro capacitivo
Neste circuito, deve-se montar um circuito retificador de meia-onda com filtro capacitivo, no qual, ser observado como a tenso de sada ser influenciada de acordo com o valor do capacitor. Material necessrio: - 1 transformador, 110V/220V 9V, 500mA - 1 diodo 1N4001 (ou equivalente); - 1 resistor de 10K , 0,25W; - 3 Capacitores; 1 F,10 F,47 F; - 1 multmetro (analgico ou digital); - 1 Osciloscpio. Procedimento: 1.Monte o circuito da Figura 4.17, primeiramente, utilize o capacitor de 1 F.
Figura 4.17
2.Com o uso do osciloscpio, observe a forma de onda no resistor. 3.Utilize as expresses matemticas e calcule a tenso Vdc. 4.Com o multmetro mea a tenso no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado. 5.Troque o capacitor pelo valor de 10 F e novamente observe a forma de onda no resistor. 6. Troque o capacitor pelo valor de 47 F e novamente observe a forma de onda no resistor
62
Experincia 6 capacitivo
Circuito retificador de onda completa com derivao central com filtro
Neste circuito, deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivao central, para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscpio e medir a tenso Vdc. Material necessrio: - 1 transformador com derivao central, 110V/220V 12V+12V, 500mA - 2 diodos 1N4001 (ou equivalente); - 1 resistor de 10K , 0,25W; - 3 Capacitores; 1 F,10 F,47 F; - 1 multmetro (analgico ou digital); - 1 Osciloscpio. Procedimento: 1.Monte o circuito da Figura 4.18.
Figura 4.18
63
Experincia 7
Circuito retificador em Ponte com filtro capacitivo
Neste circuito, deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivao central, para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscpio e medir a tenso Vdc. Material necessrio: - 1 transformador -110V/220V ,9V, 500mA - 4 diodos 1N4001 (ou equivalente); - 1 resistor de 10K , 0,25W; - 1 multmetro (analgico ou digital); - 1 Osciloscpio. Procedimento: 1.Monte o circuito da Figura 4.19.
D1 D2
D3 D4
Rl
Figura 4.19
64

Acendendo um led com energia elica
O estado do Cear vem se tornando referncia no Brasil, como geradora de fonte de energia limpa e renovvel, a energia elica. Neste circuito, temos um exemplo da utilizao da energia elica para acender um led.
Parque Elico na Prainha, em Aquiraz, a maior usina do gnero da Amrica Latina e produz 10 Megawatts . (Foto: Fco. Fontenele)
Material necessrio: 1- Alternador ( pode ser um dnamo para bicicleta); 1- capacitor eletroltico de 220mF,16V; 1- resistor 470 , 1/8W; 1 led; 4- diodos 1N4001 ou equivalente. Circuito da Figura 4.20.
Figura 4.20
Neste circuito, a energia elica fornecida pelo ventilador, servir para mover um alternador e desta forma gerar energia eltrica. Como a tenso gerada pelo dnamo uma tenso alternada de baixo valor (aproximadamente 6V), ao passar pelo circuito retificador em ponte com filtro capacitivo, a tenso servir para acender um led.
65
CAPTULO 5 OUTRAS APLICAES PARA O DIODO

Introduo
Existem muitas outras aplicaes para os diodos alm da retificao. Os diodos de pequena capacidade de corrente, por exemplo, chamados de diodo de sinal podem ser usados como detectores de envolvente em circuitos de rdio.
5.1 Rdio elementar

Como exemplo, utilizaremos o circuito de rdio elementar mostrado na Figura 5.1.
antena
Diodo detector
CV
filtro
fone
Figura 5.1. Rdio elementar ou rdio de galena.
A antena capta os sinais emitidos pela estao, havendo ento a induo de uma corrente de alta frequncia, que deve circular em direo terra passando pela bobina e capacitor que formam o circuito de sintonia: Este circuito se caracteriza por impedir a passagem dos sinais de uma nica frequncia, ou seja, da estao sintonizada, que so desviados para o diodo. O diodo funciona como retificador de alta frequncia, deixando passar apenas os semiciclos positivos do sinal, ou seja, fazendo sua deteco. Este sinal que composto de duas partes, uma de alta frequncia que a portadora , e outra baixa que a modulada , pode ser levado a um processo de separao. O capacitor depois do diodo filtra o sinal, desviando para a terra a componente de alta frequncia e deixando apenas a envolvente, ou seja, a modulada, que corresponde justamente ao som que captado nos microfones da emissora ou obtido de um toca-disco ou toca-fitas. Aplicando este sinal de baixa frequncia a um fone de ouvido ou ento a um amplificador, podemos ouvir os sons transmitidos pela estao de rdio.
5.2 Diodo nos circuitos de proteo

Outra funo importante do diodo nos circuitos de proteo. Quando uma carga indutiva como, por exemplo, a bobina de um rel ou ainda um pequeno motor acionado, criado um forte campo magntico. Ao ser desligado, com a contrao magntica, induzida na carga uma tenso oposta.
66
(+) Diodo de proteo Circuito de comutao
Carga indutiva
Figura 5.2. Diodo usado como proteo em circuitos indutivos.
Dependendo do tipo de carga, ou seja, de sua indutncia quando no desligamento pode ser muitas vezes maior do que a aplicada quando ligamos. O componente que faz o acionamento pode ento ser danificado com a presena desta tenso, com a ligao de um diodo, temos uma proteo contra este fenmeno.
Leitura Complementar
5.3 Circuito Tanque
O estudo do circuito tanque ser de grande importncia para que possamos compreender os circuitos utilizados para a sintonia de rdio, alm de alguns circuitos osciladores e outras aplicaes no qual se faz o uso de um circuito indutor capacitor. Iniciamos fazendo uma reviso sobre as propriedades do indutor.
5.3.1 Propriedades do indutor

O indutor consiste basicamente em um bobina formada por voltas de fio esmaltado. Quando uma corrente contnua circula por um indutor ou bobina criado um campo magntico, no qual cria uma tenso induzida na bobina. Como experincia podemos mostrar a Figura 5.3. No qual o indutor funciona como eletrom sendo capaz de atrair materiais condutores.
Figura 5.3. Atrao de um prego (material ferromagntico) pelo indutor
67
Ao abrir o circuito da Figura 5.4. A energia armazenada no indutor volta ao circuito. A tenso criada uma tenso auto-induzida que pode atingir valores extremamente altos, mesmo com a tenso na bobina de valor baixo.
Figura 5.4. Circuito RL srie
De acordo com a expresso 1, ao abrir o circuito, ocorre uma variao bastante alta da corrente em pouqussimo tempo (abertura da chave).
v=-L Di Dt
(1)
Exemplo: Se L= 10H, R = 3W, VF= 12V, temos: Durante o perodo no qual a chave est fechada, im = VF/R = 12/3 = 4. Aps a abertura da chave e decorrido 0,00004 segundos, a corrente no circuito foi reduzida para: t = L/R = 10/3 = 3,33s
il = ime
t
= 4e
0,0004 3,33
= 3,999A
Logo: Di = 4-3,999=1mA Dt = 0,00004s A tenso auto-induzida ser:
v=-
LDi = -250V Dt
Uma tenso bastante elevada nos contatos da chave.
5.4 Circuito ressonante

O capacitor e o indutor possuem a caracterstica de armazenar energia eltrica. A associao em paralelo da indutncia com a capacitncia conhecida como circuito tanque. A Figura 5.5 ilustra um exemplo de circuito tanque.
68
Figura 5.5. Circuito tanque.
O funcionamento de um circuito tanque consiste na troca de energia entre a capacitncia e a indutncia. Quando uma tenso momentaneamente aplicada a um circuito tanque, ocorre o procedimento descrito a seguir. C se carrega a esse valor de tenso; removendo-se a tenso aplicada, C se descarrega atravs de L, e a corrente de descarga cria um campo magntico em torno de L. Esse campo, possui polarizada oposta ao que originou (lei de Lenz). Quando C tiver se descarregado, o campo magntico se anula e essa variao induz uma corrente no mesmo sentido da corrente que originou o campo. Portanto, essa corrente carregar o capacitor no sentido oposto ao anterior. Quando o campo em torno de L desaparecer, C ir se descarregar novamente, mas a corrente ser oposta em relao primeira descarga. Essa corrente de descarga originar, novamente, um campo magntico em torno de L; este, quando se anular, far com que C se carregue novamente, no mesmo sentido da primeira carga. A Figura 5.6 resume toda essa explicao.
Figura 5.6. Troca de energia entre o indutor e o capacitor em um circuito tanque.
A troca de energia e a corrente circulante continuariam, indefinidamente, produzindo uma srie de onda senoidais, se o circuito tanque fosse ideal e no apresentasse resistncia. Entretanto, a resistncia est sempre presente, fazendo com que a corrente circulante diminua gradativamente, devido dissipao de energia no circuito na forma de calor. Isto faz com que a corrente senoidal seja amortecida e desaparea, aps um nmero finito de oscilaes. Se aplicarmos, novamente, um pulso de tenso ao circuito, o processo voltar a se estabelecer. A onda senoidal que se estabelece entre C e L possui uma freqncia, no qual, denominado freqncia de ressonncia. A frequncia de ressonncia a nica frequncia, no qual a reatncia capacitiva igual a reatncia indutiva. Xc = Xl 1/(2 FrC) = 2 FrL Fr = 1/(2 LC)1/2
69
Na frequncia de ressonncia, a impedncia infinita, ou seja, a oposio passagem de corrente infinita. Ao aplicar um sinal alternado ao circuito tanque, observamos que medida que nos aproximamos da freqncia de ressonncia, a oposio comea a crescer at atingir o mximo no valor exato desta freqncia. Depois deste ponto, a oposio comea novamente a diminuir. Este circuito utilizado num receptor de rdio em que deve ser feita a separao dos sinais da estao que queremos ouvir de todos dos demais sinais que chegam antena. Se o sinal corresponde freqncia para o qual o circuito est sintonizado, ele encontra forte resistncia e desviado para as etapas que fazem seu processamento. J se o sinal no corresponde a esta freqncia, ela no encontra nenhuma oposio do circuito e curtocircuitado para o terra. Na Figura 5.7, temos um sintonizador de rdio simples.
Figura 5.7- Sintonizador LC.
Das milhares de ondas senoidais de diferentes estaes de rdio que chegam antena, a onda senoidal que corresponde freqncia de ressonncia ser amplificada, sendo as demais desviadas para o terra. Em um rdio, o circuito tanque possui um capacitor varivel, no qual, ao girar o boto que altera o valor do capacitor, muda a freqncia de ressonncia e, portanto, muda a freqncia da onda senoidal que o ressonador amplifica. desta forma que este circuito sintoniza as diferentes estaes no rdio.
5.5 Circuito tanque na gerao de sinais de rdio

Aprendemos que em um circuito tanque, ao aplicar uma onda senoidal, ocorre uma troca de energia entre o capacitor e o indutor, produzindo uma oscilao amortecida, com a alternncia de campo eltrico em magntico. Se este circuito for ligado a uma antena, a energia gerada neste sistema pode ser irradiada na forma de onda eletromagntica, ou seja, ondas de rdio. Para que a produo destas oscilaes continue, deve-se repor a energia que vai sendo perdida em cada ciclo de carga e descarga do capacitor, quer seja porque irradiada por uma antena, quer seja porque perde em calor nos prximos elementos do circuito. Isto pode ser feito com um amplificador.
70
Exerccios
1. (ELETRONORTE 2006) A rede abaixo(Figura 5.8):
Figura 5.8
(A) um oscilador ideal; (B) tem fator de qualidade unitrio; (C) tem ressonncia na freqncia de 1 Hz; (D) na ressonncia tem impedncia equivalente a um circuito aberto; (E) na ressonncia tem impedncia equivalente a um curto-circuito.
Experincia 8 Rdio elementar ou rdio Galena
Neste circuito, vamos montar um rdio bastante simples. O rdio um dos meios de comunicaes mais utilizado pelo homem moderno. Compreender o funcionamento de um simples rdio ajudar a compreenso dos rdios mais complexos e mais bem elaborado. O rdio Galena foi o primeiro rdio inventado pelo homem. Foi implementado na Frana por Radiguet e Massiot. O rdio Galena bastante simples, os resultados obtidos na prtica no so muito satisfatrios, pois no apresenta uma etapa para a amplificao do sinal captado pela antena. A idia fundamental em um rdio Galena captar ondas eletromagnticas por um receptor eltrico simples e reproduzir em um fone de ouvido. De onde vm estas ondas eletromagnticas? As estaes de rdio produzem uma quantidade bastante elevadas de ondas eletromagnticas em diversas freqncias. Material necessrio 1 Diodo de Germnio ( qualquer tipo de diodo de Germnio); 1 Fone de cristal; 1 capacitor varivel; 1 indutor 10mH; 1 antena.
71
Procedimento: 1.Monte o circuito da Figura 5.9.
Figura 5.9
2. Varie o valor do capacitor para sintonizar o rdio.

Rdio artesanal elementar
Neste circuito voc ir montar um rdio, no qual a bobina ser artesanal. Material necessrio: 1 Diodo de Germnio ( qualquer tipo de diodo de Germnio); 1 Fone de cristal (fone de alta impedncia acima de 2000W); 100 gramas de fio esmaltado com nmero AWG entre 18 e 24 (dimetros entre 1,0 a 0,5 mm) para a bobina; 1 cabo de vassoura (madeira ou plstico) para enrolar a bobina de 18cm; 1 capacitor polister de 1nF; 1 antena. Fazendo a bobina Pegue o cabo de vassoura e deixe um espao de um centmetro de cada lado. Prenda no incio, o fio com fita isolante deixando sobrar 10cm de fio. Comece a enrolar, prestando ateno para que os fios fiquem encostados um ao lado do outro e no passe por cima. Enrole para que ainda sobre 1cm de cabo e 10cm de fio. Lixe o esmalte do fio que est sobrando os 10cm de cada lado.
72
Deixe um espao de mais ou menos um centmetro de cada lado do tubo ou pedao do cabo de vassoura e comece a enrolar o fio. As voltas devem ficar bem prximas uma da outra, encostadas mesmo, e uma volta no pode passar por cima da outra. Caso voc esteja usando o tubo, faa um ou dois furos para prender o fio antes de comear a enrolar e mais um ou dois furos para prender na outra extremidade (oriente-se pelo desenho do rdio acima). Se voc est usando o cabo de vassoura, prenda o incio e o fio do enrolamento com uma fita isolante. Deixe sobrar de cada lado entre oito e dez centmetros de fio. Antena Como o rdio no possui uma etapa de amplificao, a antena deve ser bastante comprida para captar o mximo de energia da estao. Pode ser um fio esticado de 10m de comprimento.
Faa a seguinte montagem (Figura 5.10).
Figura 5.10
A seta que est ligada na bobina deve ser mvel e percorrer toda a bobina para sintonizar em uma determinada frequncia.
73
CAPTULO 6 - CIRCUITOS LIMITADORES (CEIFADORES) E GRAMPEADORES

Introduo
Os circuitos limitadores ou ceifadores limitam a tenso de sada, sendo til em circuitos no qual o sinal de sada necessita ser limitado. Os circuitos grampeadores possuem como objetivo, acrescentar um nvel DC ao sinal alterando, deslocando o sinal para cima ou para baixo do eixo referencial. Uma das utilizaes do circuito grampeador em um amplificador classe C.
6.1 Circuitos Limitadores

As aplicaes incluem a limitao de amplitude excessivas formao de ondas e o controle da quantidade de potncia entregue a uma carga.
Na Figura 6.1(a), temos um limitador positivo, no qual limita a tenso positiva, s deixa passar a tenso negativa, como mostra a Figura 6.1(b). Observe que o funcionamento igual ao circuito retificador de meia-onda.
Vent R +Vp T
Vent
Rl
Vsada -Vp Vsada
-Vp
Figura 6.1 (a) Circuito limitador positivo, (b) Forma de onda na carga
74
Anlise do circuito limitador positivo No semiciclo positivo o diodo conduz logo: Vsada =0 No semiciclo negativo o diodo abre, logo : Vsada @Vent , uma vez que Rl >> R
Na Figura 6.2(a), temos um outro limitador positivo, no qual foi inserida uma fonte de tenso em serie com o diodo. A limitao da tenso ser para tenses acima de V como mostra a Figura 6.2(b).
R Vent Vp Vent V Rl Vsada T
-Vp
Vsada V -Vp T
Figura 6.2 (a) Circuito limitador positivo polarizado, (b) Forma de onda na carga
Anlise do Circuito limitador positivo polarizado No semiciclo positivo, quando vent > V o diodo conduz , logo: Vsada = V No semiciclo como o diodo est sempre aberto, pois V e Vent polarizam reversamente o diodo temos: Vsada = Vent - Outros circuitos limitadores Nas Figuras 6.3, 6.4, 6.5, 6.6, 6.7, 7.8, 6.9 e 6.10 temos exemplos de outros circuitos limitadores e as suas respectivas formas de onda na carga., no qual o funcionamento semelhante aos circuitos j analisados.
75
Vent Vp T Vent Rl Vsada -Vp
Vsada T
Figura 6.3 (a) Circuito limitador negativo, (b) Forma de onda na carga
Vent +Vp Vent Vsada T
Rl
-Vp Vsada
Figura 6.4 (a) Circuito limitador positivo, (b) Forma de onda na carga
76
Vent +Vp T
Vent
Rl
Vsada
-V -Vp
T -V - Vp -V
Vent +Vp
T Vent Rl Vsada -Vp Vsada -V+Vp -V
Figura 6.6 (a) Circuito limitador negativo polarizado, (b) Forma de onda na carga
77
Vent +Vp T
Vent
Rl
Vsada -Vp Vsada T +V-Vp
Vent +Vp T
Vent
Rl
Vsada
-Vp
Vsada +Vp T
Figura 6.8 (a) Circuito limitador negativo, (b) Forma de onda na carga
78
Vent +Vp T
Vent V
Rl
Vsada -Vp Vsada +Vp V T
Figura 6.9 (a) Circuito limitador polarizado, (b) Forma de onda na carga
Vent R +Vp T Vent V1 V2 Rl Vsada
-Vp Vsada V2 T
V1
Figura 6.10 (a) Associao de limitadores, (b) Forma de onda na carga
79
6.2 Circuitos Grampeadores

Algumas vezes, um projeto de circuito requer a combinao de uma tenso CA com uma tenso CC. Em vez de mudar o aspecto da forma de onda, a operao modifica o nvel da tenso de referncia CC. Chamamos esse processo de grampeamento ou restaurao CC. Em todas as anlises iremos admitir que a carga de um capacitor atinja o valor final em cinco constantes e tempo.
Na Figura 6.11(a), temos um circuito grampeador positivo, no qual no sinal CA(Vent) adicionado uma tenso CC, com a polarizao do capacitor. O sinal deslocado para acima do eixo como mostra a Figura 6.11(b).
Vent +Vp C T Vent
Rl
Vsada
-Vp Vsada +2Vp T
Figura 6.11 (a) Circuito grampeador positivo, (b) Forma de onda na carga
O capacitor se carrega no semiciclo negativo com Vp, posteriormente no se descarrega mais, uma vez que o diodo ir permanecer sempre aberto e a constante de tempo RC>>Tentrada, no havendo condies de descarregar por Rl. O circuito se resume como mostra a Figura 6.12.
80
Vp +
Vent
Rl
Vsada
Figura 6.12 Circuito grampeador positivo
Anlise do circuito grampeador positivo
No semiciclo positivo: Vsada = Vc + Vent Quando Vent = 0 Vsada = Vc = Vp Quando Vent aumenta a tenso de sada tambm aumenta. Quando Vent = Vp. Vsada = 2Vp Quando Vent diminui , Vsada diminui at Vp
No semiciclo negativo: Vsada = Vc Vent
Quando Vent diminui, Vsada diminui Quando Vent = - Vp , Vsada = 0 Quando Vent aumenta, Vsada tambm aumenta.
Outros Circuitos grampeadores
Nas Figuras 6.13, 6.14, 6.15, 6.16 e 6.17, temos mais exemplos de circuitos grampeadores e as suas respectivas formas de onda na carga. A anlise semelhante as anlises j realizadas.
81
Vent +Vp C T Vent -Vp Vsada
Vsada
-2Vp
Figura 6.13 (a) Circuito grampeador negativo, (b) Forma de onda na carga
Vent C +Vp T Vent V R Vsada -Vp Vsada V T -2Vp+V
Figura 6.14 (a) Circuito grampeador negativo polarizado, (b) Forma de onda na carga
82
Obs: O capacitor se carrega com - ( Vp
V)
Vent
+Vp T
Vent V
Vsada -Vp Vsada +2Vp+V
Figura 6.15 (a) Circuito grampeador positivo polarizado, (b) Forma de onda na carga
Vent +Vp C T
Vent V
Vsada
-Vp Vsada
-V
-V-2Vp
Figura 6.16 (a) Circuito grampeador negativo polarizado, (b) Forma de onda na carga
83
Vent C Vp
T Vent V R Vsada Vsada
+ 2Vp -V T
-V
Figura 6.17 (a) Circuito grampeador positivo polarizado, (b) Forma de onda na carga
Exerccios
1- Dado o circuito determine a forma de onda na sada.
Vent 30V
Vent 4V
Rl
Vsada
-30V 7V
Vsada T
Figura 6.18
2- Dado da Figura 6.19, determine a forma de onda na sada.
84
Figura 6.19
Experincia 9 Circuito Grampeador
Neste circuito, deve-se montar um circuito grampeador, com o objetivo de analisar e observar o sinal do resistor com o uso do osciloscpio. Material necessrio: - 1 gerador de udio - 1 diodo 1N4001 (ou equivalente); - 1 resistor de 1M , 0,25W; - 1 capacitor 470 F; - 1 multmetro (analgico ou digital); - 1 Osciloscpio. Procedimento: 1. Monte o circuito da Figura 6.20, no qual vent corresponde o sinal do gerador de udio em 1KHz e amplitude de 5V.
85
Vent
Vsada
Figura 6.20
2. Com o uso do osciloscpio observe a forma de onda do resistor e analise o que acontece com o sinal se o valor do capacitor ou do resistor diminuir.
Fonte de alimentao para CIs da famlia TTL

Neste circuito, voc ir montar uma fonte de alimentao para alimentar CIs da famlia TTL. Os CIs da famlia TTL necessitam de uma fonte de 5V. Material necessrio - 1 transformador -110V/220V ,12V, 500mA; - 4 diodos 1N4001 (ou equivalente); - 1 capacitor de 220mF; - 1 capacitor 0,01mF; - 1 CI 7805. Circuito da Figura 6.21.
86
Figura 6.21
87
CAPTULO 7 DIODOS ESPECIAIS

Introduo
O diodo zener um diodo especial, no qual, a sua principal aplicao regular a tenso na carga, ou seja, mantm a tenso constante na carga. Constitui o ltimo componente em uma fonte de alimentao.
7.1 Diodo Zener

O diodo zener um dispositivo semicondutor, fabricado especialmente para trabalhar na regio de ruptura o que no ocorre nos diodos retificadores e de pequeno sinal.
anodo
catodo
Figura 7.1- Smbolo do diodo zener.
Na figura 7.2, temos o grfico que relaciona a corrente e a tenso para o diodo zener, ou seja, este grfica representa o funcionamento do diodo zener.
Polarizao reversa
I
Ruptura ou Vz
Polarizao direta
v
Iz(mn) Iz(mx)
Figura 7.2- Curva caracterstica de um diodo zener.
88
Quando se polariza diretamente o diodo zener, ele se comporta da mesma forma que um diodo retificador, ou seja, conduz a partir do momento em que vence a barreira de potencial. Na polarizao reversa, enquanto a tenso que est sendo aplicada for menor do que a tenso de zener , ele funciona como uma chave aberta. Quando a tenso que est sendo aplicado ao diodo zener for maior do que a tenso de zener, ele passa a conduzir, observando que a tenso nele permanece a mesma aumentando apenas a corrente que passa por ele, e existe a corrente mxima que o diodo zener suporta, maior do que esta corrente o diodo zener ser danificado. CIRCUITO BSICO
O menor circuito para a montagem com o diodo zener apresentado na Figura 7.3, constituindo de uma fonte de alimentao e um resistor
Rs
Ve = RsIs +Vz
Ve Vz
Figura 7.3
Exemplo: Se montssemos o circuito da Figura 7.4, e medssemos a tenso no diodo zener e a corrente que passa por ele ao aplicar a tenso V, montaramos a tabela 7.1. Esta tabela importante para que possamos compreender o funcionamento do diodo zener. Tabela 7.1
1KW
Ve
5V6
Vz
Figura 7.4
Quando Ve = 1V Quando Ve = 2V Quando Ve = 3V Quando Ve = 4V Quando Ve = 5V Quando Ve = 6V Quando Ve = 7V Quando Ve = 8V Quando Ve = 9V Quando Ve = 10V
Vz = 1V e Is = 0 Vz = 2V e Is = 0 Vz = 3V e Is = 0 Vz = 4V e Is = 0 Vz = 5V e Is = 0 Vz = 5,6V e Is = 0,4m A Vz = 5,6V e Is = 1,4mA Vz = 5,6V e Is = 2,4mA Vz = 5,6V e Is = 3,4mA Vz = 5,6V e Is = 4,4mA
89
Is = Ve- Vz
Rs
Especificao do diodo zener Pz(mx) = Vz .Iz(mx)
CIRCUITO REGULADOR DE TENSO A Figura 7.4, mosta o circuito regulador de tenso, para que possamos fazer uma anlise matemtica e poder calcular as corrente que circulam no circuito.
Is Rs
Ve
Vz
Iz
Rl
Il
Vl
Figura 7.5 Circuito regulador de tenso
Clculo da tenso de Thevenin Vamos calcular a tenso que chega ao diodo zener, fazendo o equivalente de Thevenim. ( retira o diodo zener do circuito e calcula a tenso visto a apartir do diodo zener ou seja para este circuito ser a tenso no resistor Rl )
Vth =
R1
.Ve
Rl + Rs
Se Vth > Vz (significa que o diodo zener est operando)

90
Logo: Is = Il + Iz Onde: Il = Vl
Rl
Vl = Vz
Is = Ve - Vz
Rs
Ex: Dado o circuito (Figura 7.6), calcule Is, Iz e Il
Is 2,7KW
15V
3V2
Iz
5,6KW
Il
Figura 7.6
Soluo: Vth = R1 .Ve Vth = 5,6K

5,6K+2,7K
. 15
Rl + Rs
Vth = 10V
Vth > Vz logo: O diodo zener est regulando.
Il = 3,2/5,6K = 0,57mA
Is = 15
3,2
Is = 4,3mA
2,7K
Is = Il + Iz
Iz = Is
Il = 4,3m
0,57m = 3,73 mA
91
Aplicao do Diodo Zener Uma das principais aplicaes do diodo zener na construo de fonte de alimentao pelo qual servir para manter a tenso na carga constante. A Figura 7.7, mostra uma fonte de alimentao.
D1 D2 Rs
D3 D4
Vz
Rl
Figura 7.7 Fonte de alimentao
Exemplo: 1)Se a tenso no capacitor oscilada de 5,6V 6,3V e o diodo zener de 3,2V, considerando que a queda em Rs seja de 0,8V ou seja a tenso que chega no diodo zener 4,8 5,5V, ento a tenso depois que passa pelo diodo zener ser constante em 3,2V.
7.2 Diodo Emissor De Luz (LED)

Os diodos emissores de luz so fabricados a partir do GaAs( arsenieto de glio) acrescidos de fsforo que, dependendo da quantidade, podem irradiar luzes vermelha, laranja, amarela, verde ou azul, so muitos utilizados como sinalizadores em instrumentos eletrnicos ou na fabricao de displays. Enquanto que em um diodo comum na passagem de corrente, ocorre a liberao de energia em forma de calor, em um LED a liberao de energia na forma de luz visvel. A simbologia para o led apresentado na Figura 7.8. SIMBOLOGIA
anodo
catodo
Figura 7.8
92
Na Figura 7.9, temos a curva caracterstica para o led. I

Polarizao reversa Polarizao direta
v
1,5 a 2,5V
Figura 7.9
Os LEDs apresentam as mesmas caractersticas dos diodos comuns, ou seja s conduzem quando polarizados diretamente aplicando uma tenso maior do que a barreira de potencial, no entanto a barreira de potencial varia de 1,5V a 2,5V dependendo da cor. Comercialmente, o led trabalha normalmente com corrente na faixa de 10mA a 50mA. Para se polarizar um LED, deve-se utilizar um resistor limitador de corrente para que o mesmo no se danifique.
CIRCUITO BSICO: O menor circuito que podemos construir com um led apresentado na Figura 7.9. No se deve ligar um led em paralelo com uma fonte de alimentao, pois danifica facilemnte, uma vez que a resistncia da fonte desprezvel e a corrente que passar no led ter valor elevado.
93
Rs
Is = Ve - Vled
Ve Is
Rs
Figura 7.9
OBS: como Vled varia de 1,5 a 2,5V vamos adotar 2V
Exemplo: 1)Determine Rs para que o LED do circuito (Figura 7.10), fique polarizado no seu ponto quiescente (Vled = 2V e Id = 20mA)
6V
Is
Figura 7.10
Soluo:
Rs
= Ve
Vled Is
Rs = 6
2 20m
Rs = 200 W
7.3 Diodo Tnel

Este dispositivo possui uma caracterstica no encontrada em nenhum outro de sua famlia, que a regio negativa. Este fato implica que, se este componente estiver polarizado em uma determinada regio de sua curva caracterstica, se aumentarmos a tenso entre seus terminais, a corrente que atravessa diminuir.
94
Ele foi desenvolvido pelo Dr. Leo Esaki em 1958 e , as vezes chamado de diodo Esaki, em homenagem ao seu descobridor.
SIMBOLOGIAS
7.11 Simbologia para diodo tnel A Figura 7.12, mostra a curva caracterstica para o diodo tnel.
I
Ip Iv V VP Vv
Figura 7.12
Por ser um diodo muito dopado, ao se polarizar diretamente conduz imediatamente, a corrente produz um valor mximo Ip. Um aumento de tenso maior do que Vp produz uma diminuio na corrente e a regio entre os pontos de pico e do vale chamado regio de resistncia negativa. Na polarizao reversa a ruptura ocorre prximo de 0V.
APLICAES As caractersticas de resistncia negativa os tornam teis em circuitos de microondas, amplificadores, conversores, osciladores e circuitos de chaveamentos. O fato deste dispositivo ser mais veloz do que todos os outros dispositivos ativos, faz com que ele seja encontrado tambm em circuitos de alta frequncia e alta velocidade, especialmente em computadores, onde os tempos de comutao so da ordem de nano ou picossegundos. So tambm encontrados em circuitos capazes de converter potncia cc em ca.
95
7.4 Diodo Varicap (Varactor ou VVC)

Este diodo aproveita alm dos efeitos na juno PN utilizados nos diodos comuns, o fato da capacitncia existente na juno ser funo da tenso de polarizao. A Figura 7.14 mostra a simbologia para o diodo varicap.
Figura 7.14 Simbologia
A Figura 7.15, temos a curva caracterstica para o diodo varicap.
Figura 7.15
Na polarizao reversa em circuito de alta frequncia, como o diodo funciona basicamente como um capacitor (as regies P e N so como placas do capacitor e a camada de depleo se compara ao dieltrico) ao aumentar a tenso reversa a capacitncia ir diminuir. APLICAES
O Varactor muito til em diversas aplicaes como em circuitos LC com sintonia por tenso, circuitos ponte autobalanceados e amplificadores paramtricos, dispositivos de controle de frequncia automticos, filtros de banda passante ajustveis etc.
96
Reviso
1. Dado o circuito da Figura 7.16, calcule as correntes Is, Iz e Il.
Is 3,9KW
20V
5V6
Iz
10KW
Il
Figura 7.16
2. Explique o que voc entende por LED. 3. Cite algumas aplicaes do diodo tnel. 4. Cite algumas aplicaes do Varactor.
5. No circuito da Figura 7.18, V1 = 15V e no LED D1, Imin = 1mA, Imx = 25mA e Vled = 2V.
Figura 7.18
Considerando a possibilidade de R1 assumir os valores de 110W, 1400W e 690KW, correto, que o LEd: a) acende normalmente nos 3 casos. b) Acende normalmente para 110W e 1400W, mas no ir acender quando R1 for de 690KW. c) Acende normalmente para 1400W, mas com 690KW no ir acender e quando R1 for de 110 W pode queimar. d) No acende normalmente quando R1 vale 690KW e pode queimar quando R1 for de 110W ou de 1400W. e) No acende normalmente quando R1 for de 1400W ou de 690W e pode queimar quando R1 vale 110W.
97
6. A Figura 7.19, ilustra um circuito alimentado por uma fonte de tenso senoidal da forma Ve(t) = 20sen(wt), onde Z1 um diodo zener de 15V e D1 um diodo ideal. O sinal de sada Vs(t) dever ser, aproximadamente, da forma:
Figura 7.19
7. A Figura 7.120, ilustra um circuito alimentado por uma fonte de tenso senoidal, cujo valor de pico superior tenso de diodo zener Z1, que pode ser considerado ideal. O sinal de tenso Vs(t) dever ter, aproximadamente, a forma:
98
Figura 7.20
8. (ELETRONORTE 2006) Na fonte da Figura 7.21, a tenso de entrada N V no regulada, e varia de 15 a 20 V; o diodo zener tem tenso nominal Z V de 10 V, e requer no mnimo 5 mA de corrente para garantir a regulao; a carga L R variante no tempo, e consome de 0 a 5 mA.
Figura 7.21
Em condies normais de funcionamento: (A) Rl < 2 k ; (B) R > 500 ; (C) se R = 500 , a corrente mxima no diodo zener de 10 mA; (D) se R = 500 , a potncia mxima exigida da fonte no regulada de 400mW; (E) se R = 500 , pode ser um resistor de 1/8 W.
99
Experincia 10 O diodo Zener
Neste circuito, deve-se montar um circuito bsico com o diodo zener para compreender o seu funcionamento. Material necessrio: - 1 Fonte de alimentao varivel (0-15V) - 1 diodo zener 5V6, 0,5W; - 1 resistor de 1K , 0,25W; - 1 multmetro (analgico ou digital); Procedimento: 1.Monte o circuito da Figura 7.22.
Figura 7.22
3. Preencha a tabela abaixo:
Vf 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Vz
100
4. Qual o valor da tenso que se manteve constante? _________
Experincia 11
Fonte de alimentao (eliminador de pilhas)
Neste circuito, vamos montar uma fonte de alimentao.
Material necessrio: - 1 transformador -110V/220V ,9V, 500mA - 4 diodos 1N4001 (ou equivalente); - 1 resistor de 10K , 3,3K e 470 (0,25W); - 1 capacitor de 220mF, 64V - 1 diodo zener 5,6V, 0,5W; - 1 multmetro (analgico ou digital).
Figura 7.23
2. Mea a tenso no resistor de 10KW. 3. Substitua o resistor de 10KW pelo resistor de 470W e um led, como mostra a Figura 7.24.
Figura 7.24
101

Alarme de subtenso
Descreveremos dois circuitos para um alarme de subtenso. No primeiro, quando a tenso diminuir abaixo de 12V um led deve acender. Porm, se a tenso voltar a aumentar o led ir apagar. No segundo circuito, quando a tenso diminuir abaixo de 12V, uma lmpada ir acender, e mesmo que a tenso volte a aumentar, a lmpada permanecer acesa. Circuito 1
Material necessrio -1 fonte de tenso varivel; - 1 diodo 1N4004; - 1 led; - 1 diodo zener 12V, 0,5w; - 1 resistor 470W;5,6KW; 1KW; - 1 transistor BC338.
Circuito da Figura 7.25.
Figura 7.25
O nico componente no estudado at aqui o transistor. Neste circuito, o transistor ir funcionar uma chave.
102
O funcionamento do circuito ser da seguinte forma: Como a tenso de alimentao 14V, o diodo zener estar regulando, ficando 12V no diodo zener e 2V no resistor de 1KW. O transistor, neste caso, estar funcionado como uma chave fechada e toda a corrente passar por ele, como mostra a Figura 7.26.
Figura 7.26
Quando a tenso diminuir, abaixo de 12V, pode-se considerar que a corrente que passa no diodo zener ser zero, logo, a tenso no resistor de 1KW ser zero e o transistor funcionar como uma chave aberta. Toda a corrente passar pelo led e acender. Neste circuito quando a tenso cair abaixo de 12V o led acende, no entanto, se a tenso voltar a aumentar o led apaga. Descrevemos a seguir um circuito no qual, quando a tenso baixar e voltar a aumentar uma lmpada ficar acesa. Material necessrio -1 fonte de tenso varivel; - 1 diodo 1N4004; - 1 lmpada de 12V; - 1 diodo zener 12V, 0,5w; - 1 resistor 2,2K, 10K; - 2 resistores 1K; - 1 transistor BC338; - 1 capacitor 1F, 16V - 1 SCR ( TIC106D); -1 rel 12V.
Circuito 2 (Figura 7.27)
103
Figura 7.27
Neste circuito, figura , foi utilizado um SRC, no qual, quando a tenso cair abaixo de 12V, o transistor funciona como uma chave aberta e toda a corrente desvia para o circuito do capacitor que dispara o SCR. A bobina do rel acionada e o contato normalmente aberto do rel fechado, a lmpada acesa.
104
CAPTULO 8- TRANSISTOR BIPOLAR

Introduo
O transistor um componente eletrnico formado por materiais semicondutores. Foi desenvolvido no laboratrio Bell Telephone e demonstrado em 23 de Dezembro de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain e William Bradford Shockley. Estes foram laureados com o prmio Nobel da Fsica em 1956. O transistor comeou a se popularizar na dcada de 1950 e ocasionou a revoluo da eletrnica na dcada de 1960. As principais aplicaes do transistor so: amplificar sinais eltricos e chavear circuitos.
8.1 Constituio de um transistor bipolar

A Figura 8.1 mostra a constituio do transistor, no qual formado pela combinao de materiais semicondutores dopados com tomos trivalentes ou pentavalentes. A adio de tomos trivalentes no semicondutor constitui a formao do material do tipo P, e a adio de tomos pentavalentes a formao do material do tipo N. Um transistor formado pela combinao do material N+P+N ou P+N+P, o que se denomina transistor NPN (Figura 8.3) e PNP (Figura 8.4), respectivamente (LALOND e ROSS, 1999).
Coletor Base Emissor n Fluxo de lacunas
Fluxo de eltrons
Figura 8.1
Estrutura fsica do transistor de juno bipolar NPN
As extremidades so chamadas emissor e coletor e a camada central denominada base. O emissor fortemente dopado e tem como funo emitir portadores de carga para a base (eltrons no transistor NPN e lacunas no transistor PNP). A base levemente dopada e muito fina. Ela permite que a maioria dos eltrons injetados pelo emissor passe para o coletor. O nvel de dopagem do coletor intermedirio entre a dopagem forte do emissor e fraca da base. O coletor, como o nome diz, recebe os portadores que vm da base. a camada mais extensa, pois nela que se dissipa a maior parte da potncia gerada pelos circuitos transistorizados (BOYLESTAD e NASHELSKY, 1998).
105
. Na Figura 8.2, o transistor foi redesenhado fixar o que foi dito. Comparando as trs camadas do transistor, elas no possui tamanhos iguais, nem apresentam a mesma dopagem. O emissor o mais dopado dos trs, o que significa que, na formao do materal do tipo N, a quantidade de impurezas (tomos pentavelentes) superior a quantidade de impurezas do coletor. Portanto, no emissor temos uma maior quantidade de eltrons livres do que no coletor. A base levemente dopada e o coletor o mais extenso dos trs.
Figura 8.2
Transistor Bipolar
coletor base base
coletor
emissor
emissor
Figura 8.3 - Transistor NPN
Figura 8.4- Transistor PNP
8.2 Polarizao do Transistor

Polarizar um transistor aplicar fontes de alimentao em seus terminais para que possamos analisar o que acontece, e desta forma, compreender o seu funcionamento.
- Polarizao emissor -base reversamente e coletor
base reversamente.
106
Figura 8.5- Polarizao emissor-base reversamente e coletor-base reversamente
Pela Figura 8.5, observa-se que tenso aplicada no emissor para a base (Veb) e a tenso aplicada do coletor para a base (Vcb) polarizam o transistor reversamente. Uma forma de visualizar este tipo de polarizao considerar entre o emissor e a base um diodo em que o catodo est no emissor e o anodo na base. A tenso positiva externa atrae o eltrons do emissor para a extremidade do transistor e o negativo da fonte externa aplicada na base atrae as lacunas, com isto aumenta a camada de depleo. Entre o coletor e base acontece o mesmo procedimento. O positivo da fonte externa atrae os eltrons do coletor e o negativo que est ligado na base atrae as lacunas, aumentando desta forma a barreira de potencial at se igualar a fonte Vcb. Neste tipo de polarizao no haver circulao de corrente se desprezar as corrente de fuga de superfcie e a corrente produzido termicamente. - Polarizao emissor
base diretamente e coletor- base diretamente
.
Figura 8.6 Polarizao emissor base diretamente e coletor- base diretamente
107
Na Figura 8.6, a tenso aplicada no emissor para a base(Veb) e a tenso aplicada do coletor para a base(Vcb) polarizam o transistor diretamente. Neste caso, haver uma grande circulao de corrente circulando pela base do transistor.
- Polarizao emissor
base, diretamente e coletor- base, reversamente
Figura 8.7- Polarizao emissor base, diretamente e coletor- base, reversamente
Este tipo de polarizao o mais utilizado dos trs. A fonte de tenso externa aplicada entre o emissor e a base polariza o transistor diretamente e a tenso aplicada do coletor para a base polariza o transistor reversamente, como mostra a Figura 8.7. A tenso Vcb faz com que aumente a camada de depleo entre a base e o coletor. A tenso Veb ao polarizar o transistor diretamente, faz o menos da fonte repelir os eltrons do emissor. Se a tenso Veb for maior do que a barreira de potencial , os eltrons passam do emissor para a base. Ao chegar na base ocorre o inesperado, a maior parte dos eltrons passam para o coletor , sendo atrado pelos ons positivo. Estes eltrons terminam indo para o positivo da fonte Vcb. Apenas uma pequena parcela desce pela base. Pode-se dizer que, na maioria das vezes aproximadamente de 95% a 99% dos eltrons que passaram do emissor para a base vo para o coletor e apenas 5% a 1% desce pela base. Neste tipo de polarizao verifica-se que o nome coletor est indicando que ele coleta os eltrons e o emissor tem como funo emitir eltrons. O emissor o mais dopado ele tem com funo emitir eltrons.
-Tenses e correntes no transistor

A Figura 8.8 e 8.9 mostram os sentidos das tenses e das correntes em um transistor NPN e PNP respectivamente.
108
Figura 8.8 Transistor NPN
Figura 8.9 Transistor PNP
Podemos tirar as seguinte concluses: Transistor NPN Ie = Ic +Ib Vce = Vcb +Vbe
Transistor PNP Ie = Ic + Ib Vec = Vbc +Veb
8.3 Configuraes Bsicas do Transistor

Os transistores podem ser utilizados em trs configuraes bsicas: base comum, emissor comum e coletor comum. O termo comum se refere ao terminal que ser comum ao sinal de entrada e ao sinal de sada. 8.3.1 Configurao Emissor comum Um transistor encontra-se na configurao emissor comum (Figura8.10), quando o sinal de entrada est na base e o sinal de sada est no coletor. O emissor comum aos sinais de entrada e sada.
109
Figura 8.10 Configurao Emissor comum
Nesta configurao na entrada temos ib, na sada Ic. Ie comum ao sinal de entrada e de sada.
Ganho de corrente
O ganho de corrente relaciona a corrente de sada com relao a corrente de entrada. O ganho de corrente para este tipo de configurao Ic/Ib Como esta configurao a mais utilizada, os manuais dos fabricantes mostram este ganho de corrente, pelo qual simbolizado pela letra beta cc. Logo: b = Ic/Ib Embora este ganho de corrente tenha sido definido para a configurao emissor comum, este parmetro serve tambm para o clculo dos resistores de polarizao para as outras configuraes. Devido a configurao emissor comum ser a mais utilizada, entraremos com mais detalhes estudando as curvas caractersticas de entrada e de sada.
Curva caracterstica do sinal de entrada

A curva caracterstica do sinal de entrada mostra o comportamento da corrente Ib com relao a tenso Vbe (Figura 8.11).
110
Figura 8.11 Curva caracterstica do sinal de entrada
Entre o emissor e a base existe uma barreira de potencial. Para que os eltrons do emissor passem para a base, deve-se vencer esta barreira. Com o transistor construdo com tomos de silcio o valor da barreira de potencial de 0,7V. O que observamos que quando uma fonte de tenso contnua aplicada entre o emissor e a base, o funcionamento semelhante a de um diodo.
Curva caracterstica de sada

A curva caracterstica do sinal de sada, mostra o comportamento da corrente Ic com relao a tenso Vce (Figura 8.12).
Figura 8.12 Curva caracterstica do sinal na sada
Como a corrente que flui para o coletor depende tambm da quantidade de eltrons que flui do emissor para base, ou seja, da corrente da base, o grfico construdo para os vrios valores da corrente da base.
111
Observamos que, se a tenso entre o emissor e a base for zero, mesmo que a tenso entre o coletor e o emissor seja um valor elevado, como no h corrente na base, tambm no haver corrente no coletor. O fato que, a tenso entre o coletor e base, polariza o coletor e a base reversamente, aumentando a camada de depleo. Quando uma tenso entre o emissor e a base for suficiente para vencer a barreira de potencial e assim a base ter corrente, a maior parte dos eltrons atrada pelo coletor devido aos ctions da camada de depleo. Quanto maior for a corrente que passa para a base, maior ser a corrente que tambm passa para o coletor. Logo, a corrente do coletor no depende somente da tenso Vce, mas tambm da corrente Ib. 8.3.2 Configurao Base comum Nesta configurao, a base est na entrada e na sada do circuito, ou seja, a base o eletrodo comum. (Figura 8.13).
Figura 8.13 Configurao base comum
Definimos como entrada a tenso Vbe e a corrente Ie. Na sada est a tenso Vcb e a corrente Ic.
Ganho de corrente
a = Ic/Ie Definimos o ganho de corrente para este tipo de configurao, pois ser til para anlise de circuitos para outras configuraes.
Circuitos de polarizao tendo como base a configurao emissor comum
Polarizao da base A Figura 8.15, mostra o circuito polarizao da base
112
Figura 8.14 Circuito polarizao da base
Malha de entrada -Vbb + RbIb + Vbe = 0 Adotaremos Vbe sempre igual a 0,7V, qaunto a tenso Vbb for maior do que 0,7V, pois, entre a base e o emissor o transistor comporta-se como um diodo para uma tenso contnua. Logo: Vbb = RbIb + 0,7 Malha de sada - Vce + RcIc + Vce = 0
Exerccio Resolvido Dado o circuito (Figura 8.15). determine Vce e Ic. Dado: Vbb = 6V, Rb = 220K, Rc = 3,3K, Vcc = 12V e o ganho de corrente igual a 100.
Figura 8.15
Soluo:
113
- Malha de entrada 6 = 220KIb + 0,7 Ib = 0,024mA Ic = bIb logo: Ic = 0,024mx 100 Ic = 2,4mA
Malha de sada 12 = Rc.2,4m +Vce 12 = 3,3K. 2,4m + Vce Vce = 4,08V
Reta de carga cc Para saber os pontos de operao do transistor, faz-se necessrio esboar uma reta na curva caracterstica de sada do transistor na configurao emissor comum, que intercepte todos os possveis pontos de operao do transistor. Esta reta definida como reta de carga cc. (Figura 8.16).
Figura 8.16 Reta de carga CC
Regio de corte A regio de corte definida como a regio no qual a corrente da base zero (idealmente) consequentemente, Ic tambm zero. Neste caso, o transistor funciona como uma chave aberta.
114
Exemplo: 1) Dado o circuito (Figura 8.17), determine Ic e Vce. Dado: Vbb = 0,3V, Rb = 10K, Vcc = 10V, Rc = 2,2K e b = 100.
Figura 8.17
Soluo: Malha de entrada Vbb = RbIb + 0,7. onde a tenso Vbb no suficiente para vencer a barreira de potencial, pois entre a base e o emissor, o transistor funciona como um diodo. Logo Ib = 0 Como Ic = bIb e Ib = 0, Ic = 0, mesmo tendo um valor de tenso Vcc. Vce = Vcc = 10V Neste caso, o transistor funciona como uma chave aberta e est operando na regio de corte. Imagina-se o circuito da Figura 8.18.
Figura 8.18
Regio de saturao Um transistor est operando na regio de saturao, quando a corrente Ib for um valor to elevado que o transistor sature funcionando como uma chave fechada. Exemplo - Dado o circuito (Figura 8.19), determine Ic e Vce. Dado: Vbb = 12V, Rb = 3,3K, Vcc = 15V, Rc = 2,2K e b = 100.
115
Figura 8.19
Soluo: Malha de entrada Vbb = RbIb + 0,7. 12 = 3,3KIb +0,7 Ib = 3,42mA
Ic = 100. 3,42m = 342mA Malha de sada 15 = 2,2K. 342m + Vce Vce = - 737,4V
Como um transistor no gera tenso. A nica tenso que temos na malha de sada de 15V para ser divida pelo resistor e transistor. O que temos neste caso, que a corrente da base um valor bastante elevado, sendo suficiente para saturar o transistor. O transistor neste caso funciona como uma chave fechada como mostra a Figura 8.20.
Figura 8.20
A corrente Ic ser igual a Vcc/Rc, j que o transistor funciona como uma chave fechada e desta forma a tenso Vce ser zero. Observe que a corrente que circula no coletor o maior valor possvel para este circuito. Regio ativa A regio ativa a regio intermediria entre a regio de corte e saturao. Na regio de corte a corrente Ic igual a zero e a tenso Vce o valor mximo possvel. Na saturao a tenso Vce igual a zero e a corrente Ic o valor mximo possvel para o circuito. Na regio ativa, existe um valor de corrente Ic e tenso Vce que no so zero e tambm no possui o mximo valor possvel para o circuito.
116
Exemplo 1) Dado o circuito (Figura 8.21).determine Ic e Vce. Dado: Vbb = 10V, Rb = 330K, Vcc = 15V, Rc = 2,2K e b = 100.
Figura 8.21
Soluo: Malha de entrada Vbb = RbIb + 0,7. 10 = 330KIb + 0,7 Ib = 0.028mA Ic = 2,8mA Malha de sada 15 = 2.2K Ic + Vce Vce = 8,84V
Observe que, temos um valor positivo de corrente Ic e tenso Vce, que no so zero nem o mximo, logo, o transistor est operando na regio ativa. O transistor operando na regio ativa ser til na construo de circuitos para amplificar um sinal, ou seja, na construo de amplificadores.
Clculo da reta de carga cc Para o circuito da Figura 8.22, o clculo da reta de carga cc deve ser processado da seguinte forma:
117
Figura 8.22
Para determinar a reta de carga, deve-se calcular dois pontos. Iremos calcular na regio de corte e na regio de saturao. Na regio de corte: Ic = 0 Vce = Vcc
Na regio de saturao Vce= 0 Fechando a malha temos: Vcc = Rc i c + Vce Logo: Vcc = Rc Ic Icsat = Vcc/Rcc
Ex: Dado o circuito(Figura 8.23), determine a reta de carga cc. Dado: Rc= 3,3K; Rb = 270K; Vbb = 4V e Vce = 15V
Figura 8.23
Soluo: Na regio de corte
118
Ic = 0 Vce = 15V
Na regio de Saturao Icsat = 15/3,3K = 4,54mA Vce = 0
A reta de carga cc mostrado na Figura 8.24.
Figura 8.24
Polarizao da base O circuito polarizao da base apresentado na Figura 8.25.
No circuito da Figura 8.25, conhecido como polarizao da base o circuito mais utilizado quando deseja colocar o transistor para que funcione como chave, ou seja, o
119
transistor esteja funcionando na regio de saturao ou na regio de corte. Geralmente, a fonte de alimentao da base a mesma que alimenta o coletor, isto , Vbb = Vcc. O circuito ento, desenhado como mostra a Figura 8.26.
Este tipo de polarizao, porm, no utilizado quando se deseja utilizar o transistor para que opere na regio ativa. Coloca-se o transistor na regio ativa quando deseja construir um circuito para amplificar um sinal ca Ao utilizar o circuito acima, colocando o transistor para operar no meio da reta de carga cc, com o aumento da temperatura o ponto quiescente alterado indo para a saturao. Demonstrao Na primeira malha temos: Vcc = Rb ib + Vbe
Na segunda malha: Vcc = Rc ic + Vce Para que o transistor opere na regio ativa, o ideal que ele opere no meio da reta de carga cc. Para isto deve-se colocar Vce = 0,5Vcc. Com o aumento da temperatura o ganho de corrente aumenta e consequentemente ic tambm aumenta, uma vez que, ic = bib. Da segunda malha como Vcc e Rc so valores fixo, ou seja, no sofrem influncia com a alterao da temperatura ambiente. Para que a equao continue vlida, Vce diminui. Vce diminuindo o ponto quiescente na reta de carga cc deve subir, ou seja, o transistor tende a saturao. Para polarizar o transistor na regio ativa, foram implementados vrios circuitos, at conseguir o circuito mais utilizado, que o circuito polarizao por divisor de tenso. Iremos analisar a evoluo dos circuitos.
Polarizao com realimentao do emissor
120
Na figura 8.27, temos o circuito polarizao com realimentao do emissor,no qual foi inserido um resistor no emissor.
Figura 8.27 Polarizao com realimentao do emissor
Malha I Temos: Vbb = Rb ib + Vbe + Re Ie Malha II temos Vcc = Rc ic + Vce + Re ie Exerccio resolvido Dado o circuito (Figura 8.28), determine Ib, Ie, Ic e Vce. Vcc= 12V, Vbb = 6V, Rb = 470KW, Rc = 2,7KW e Re = 800W, b = 120.
Figura 8.28
121
Soluo: Vbb = RbIb + Vbe Ib = 0,0112mA Ic = bIb Ic = 1,34mA Ie = 1,34m + 0,011m Ie = 1,35mA 6 = 470K ib + 0,7
Ie = Ic + Ib
Vcc = RcIc + Vce + ReIe 12 = 2,7K. 1,34m + Vce + 800. 1,35m Vce = 7,3V
Polarizao por divisor de Tenso
Na Figura 8.29, temos o circuito polarizao por divisor de tenso.
Figura 8.29 Circuito polarizao por divisor de tenso
Para simplificar os clculos, devemos determinar o equivalente de Thevenin, visto da base para o terra. Rth = R1//R2
Rth =
R1.R 2 R1 + R 2
122
Vth =
R2 Vcc R1 + R 2
Circuito aps o equivalente de Thvenin apresentado na Figura 8.30.
Figura 8.30 Circuito equivalente de Thevenin
Malha I Temos: VTh = RTh ib + Vbe + Re Ie Malha II temos Vcc = Rc ic + Vce + Re ie
Exerccios resolvidos 1.Dado o circuito (Figura 8.31), determine Vce e Ic. O ganho de corrente igual a 100
123
Figura 8.31
Soluo: Rth =
33K .3,3K = 3KW 33K + 3,3K

3,3K 12 = 1,09V 33K + 3,3K
Vth =
O circuito pode ser substitudo pelo circuito da Figura 8.32.
Figura 8.32 Circuito equivalente
1,09 = 3K ib + 0,7 + 1,8Kie Ie = ic + ib, onde: ic = bib ou seja ie = 100ib+ ib = 101ib logo:
1,09 = 3Kib + 0,7 + 1,8K( 101ib)
0,39 = 184,8K ib Malha 2
ib = 0,002mA
logo: ic = 0,21mA e ie = 0,213mA
12= 3,3Kic + Vce + 1,8K ie 12 = 3,3K (0,02m) + Vce + 1,8K (0,213m) Vce = 11,55V
124
8.4 Transistor como Chave

A regra para projeto Uma saturao leve significa que levamos o transistor apenas no incio da saturao, isto , a corrente da base o valor exato e suficiente para operar o transistor no extremo superior da reta de carga. No muito utilizado o transistor na saturao leve por causa da variao do ganho de corrente. A saturao forte a utilizada em circuitos, pois o transistor continua na saturao mesmo no pior caso de variao do ganho de corrente com a variao da temperatura. Para colocar o transistor para na saturao forte deve-se fazer com que a corrente da base seja aproximadamente um dcimo do valor da corrente de saturao.
Figura 8.33 Transistor como chave
Analisando a Figura 8.33 temos: Na saturao forte: Ib = 0,1ic Malha de entrada: Vcc = Rb.ib+0,7
Malha de sada Vcc =Rcic + Vce como na saturao Vce = 0, Temos: Vcc = Rc. ic Igualando as duas equaes temos: Rb. Ib + 0 ,7 = Rc.ic
125
Desprezando 0,7V temos; Rb. Ib = Rc. Ic Na saturao forte ib = 0,1ic, logo: Rb. 0,1ic = Rc. Ic , logo: Rb = 10Rc
8.5 Transistor como Fonte de Corrente

Para entender melhor o transistor como fonte de corrente vamos para este problema. - Os leds L-1 e L-2, da figura 9.5.1,necessitam de uma corrente de 10mA para obter uma boa luminosidade. No entanto L-1 proporciona uma queda de 1,5V enquanto l-2 uma queda de 2,5V. Poder o led 2 ter sua luminosidade diminuda por necessitar de mais tenso? (Figura 8.34).
Figura 34. Transistor como fonte de corrente
Observando a Figura 8.34, verificamos que na base existe uma tenso de 3V. Esta tenso faz com que fixe a tenso no emissor de 3- 0,7. ou seja, a base amarra a tenso do emissor. Neste circuito, o transistor est funcionando como fonte de corrente, pois mesmo alterando a queda de tenso nos leds a corrente permanece a mesma.
126
Os clculos a seguir demonstram isto:
Se ambos os leds necessitam de 10mA para o brilho ideal basta fixar a corrente de emissor em 10mA, dimensionando o valor de Re. Re = (3-0,7)/10mA Re = 230W Observe que a fonte da base ligada diretamente na base fixa a corrente ie. Logo, a luminosidade do led2 no ser diminuda.
Leitura Complementar
Modelagem do transistor para anlise CA
O transistor em um circuito eltrico substitudo pela combinao de elementos apropriadamente escolhidos, que se aproximam melhor do funcionamento real, tendo-se o que denominado modelagem do transistor. O objetivo de modelar o transistor facilitar a anlise para sinais alternados em funo das tenses, correntes e freqncias envolvidas. H vrios modelos para representar o transistor em um circuito eltrico. Os mais utilizados so o modelo de Erbers Moll e o modelo hbrido (MALVINO, 1995 ).
8 3 Modelo de Erbers Moll
Ao substituir o transistor pelo modelo de Erbers-Moll, os clculos envolvidos no circuito ficam mais simples, por isto, utilizado com freqncia. O modelo hbrido requer clculos mais complexos, porm sem obtm maior preciso. No modelo de Ebers Moll, tem-se o seguinte circuito equivalente para o transistor (CIPELLI e SANDRINI, 2001).
127
coletor base base
coletor
re` emissor Figura 35 - Transistor NPN emissor Figura 36 - Modelo Erbers Moll
Onde: re = resistncia a passagem do sinal alternado no emissor, pode ser deduzida como segue: A equao da juno PN retangular deduzida por Shockley (substituda pela resistncia re no modelo) : Onde:
Is e
q .V k .T
- 1
(1)
I = corrente total do diodo Is = corrente de saturao reversa V = tenso total atravs da camada de depleo q = carga de um eltron (1,6 10 -19 Coulomb) k = constante de Boltzmann (1,38 10 -23 Joules/Kelvin) T = temperatura absoluta (K) A descrio da Eq.1 no inclui a resistncia de corpo de cada lado da juno, por isso aplicada ao diodo somente quando a tenso atravs da resistncia for desprezvel. temperatura de 25C, q/kT aproximadamente igual a 40 (CIPELLI, SANDRINI, 2001: 98) e a Eq.1 torna-se: I = Is(e 40V 1) Para obter re`, do modelo de Erbers Moll, diferencia-se a Eq.1 com relao a V. dI/dV = 40Ise40V Pode-se escrever na forma dI/dV = 40( I + Is)
128
Tomando-se o inverso resulta o valor de re` re= dV/dI = 1/40( I + Is) = 25mV/ (I + Is) Em um amplificador linear prtico, I muito maior do que Is (caso contrrio a polarizao instvel). Por isso, o valor prtico de re` : re = 25mV/ I Como se est tratando da camada de depleo do emissor, acrescenta-se o ndice e na corrente. re = 25mV/Ie 5.4 Modelo Hbrido No modelo hbrido (MARQUES et al, 1996), o transistor substitudo por um nico dispositivo denominado quadripolo, de tal forma que ele possa ser modelado matematicamente: Variveis: v1 = tenso de entrada v2 = tenso de sada i1 = corrente de entrada i2 = corrente de sada Conveno: Tenso positiva para cima Corrente positiva para dentro
i1
+ v1 _ Circuito Eltrico
i2
+ v2 _
Figura 36 - Quadripolo Genrico
Essas quatro grandezas envolvidas podem ser relacionadas entre si por meio de funes lineares, fixando-se duas variveis dependentes e duas independentes. De acordo com essa escolha, tem-se modelo matemtico de quadripolos. Para o modelamento do transistor, a forma adotada fixar v1 e i2 como variveis dependentes e i1 e v2 como variveis independentes (CUTLER,1997).
129
5.4.1 Modelamento matemtico do quadripolo v1 = f1 (i 1,v2) i2 = f2 (i1, v2) Este tipo de modelo que fixa a tenso de entrada v1 e a corrente de sada i2 como variveis dependentes, e a corrente de entrada i1 e a tenso de sada v2 como variveis independentes, denominado modelo hbrido, exatamente por misturar tenso e corrente como variveis dependentes e independentes (BADHERT, 1995). Para relacionar essas tenses e correntes, o quadripolo deve ser formado por quatro parmetros h internos e constantes, denominados h11, h 12, h21 e h22, definindo as duas funes lineares f1 e f2 da seguinte forma : v1= h11.i 1 + h12.v2 i2 = h21.i1 + h22.v2 Assim, os parmetros h e seus significados fsicos podem ser obtidos fixando-se o valor de uma das variveis independentes, como segue: - h11 e h21 Para v2 = 0. As equaes se reduzem a: v1 =h11.i 1 e i2 = h21.i1 Logo: h 11= v1/i1 (sada em curto) h 11 (hi) a impedncia de entrada quando a sada est em curto. h 21 =i2/i 1 (sada em curto) h 21 (hf) o ganho de corrente quando a sada est em curto. - h12 e h22 Para i1 = 0. As equaes se reduzem a v1 = h12.v2 e i2 = h22.v2 Logo: h 12=v1/v2 (entrada aberta) h 12 (hr) Ganho de tenso reverso com entrada aberta h 22 = i 2/v2 (entrada aberta) h 22 (ho) Admitncia de sada com entrada aberta Conhecidos os parmetros h do quadripolo, seu modelo eltrico fica determinado como segue.
130
i1
+
hi
i2 + v2 _
v1
_
hr v2
hf i1
h0
Figura 37 Modelo hbrido para o transistor
As equaes de Kirchhoff para este modelo so: v1= hi.i1 + hr.v2 i2 = hf.i 1 + ho.v2 Neste modelo eltrico, tem-se na entrada o teorema de Thevenin e na sada o teorema de Norton. No teorema de Thevenin, um circuito com mltiplas malhas reduzido para uma fonte de tenso em srie com uma resistncia . No teorema de Norton, um circuito com muitas malhas substitudo por uma fonte de corrente e uma resistncia em paralelo (MALVINO, 1995).
Exerccios
1. Dado o circuito da Figura 8.38, determine a reta de carga cc e indique o ponto quiescente. Dado: R1= 10KW, R2 = 3,9KW, R3 = 2,2KW , R4 = 820W , Vcc = 12V e beta = 100 .
Figura 8.38
2. Dado o circuito da Figura 8.39, determine a reta de carga cc e indique o ponto quiescente.
131
Dado: Rc = 3,7KW; Rb = 330KW; Re = 820W; Vcc = +12V; Vee = -5V e ganho de corrente de 120
Figura 8.39
3. Considere o circuito da Figura 8.40. O beta na regio ativa de 100. Determine a reta de carga cc , indique o ponto quiescente na reta e determine Vc.
Figura 9.40
4. Dado o circuito da Figura 8.41, determine a corrente Ie2. Dado: Rb = 2,7MW; Re2 = 1,2KW; Vbb = 6V ; Vcc = 12V, b1 = 100 e b2 = 130.
132
figura 8.41 6. Observe o circuito, Figura 8.42 e o grfico, Figura 8.43.
Figura 8.42
Figura 8.43
Sabendo-se, no Transistor Tr1, Beta = 40 e Vbe = 0,6V, qual a corrente, em Amperes, exibida pelo Ampermetro A1, para temperatura de 50C no RTD? 6. A Figura 8.55, mostra um circuito transistorizado operando na regio ativa com Vbe = 0,7V e as curvas caractersticas do transistor com a reta de carga correspondente. Determine: a) O ganho de corrente (bcc). b) Considerando que o circuito apresenta R1 = 110KW, R2 = 40KW e Re = 340W,. Determine os valores aproximadamente de Rc em W, e Ib, em mA.
133
Figura 8.44
7. A figura8.45 ilustra o sinal de tenso de entrada V, submetido no circuito transitorizado. Considere, na curva, os seguintes intervalos de tempo: T1 de 0s a 1s T2 de 1s a 3s T3 de 4s a 6s correto afirmar que os estados do transistor, nos intervalos T1, T2 e T3, respectivamente, so: a) saturado, cortado e operando na regio linear. b) saturado, operando na regio linear e cortado. c) operando na regio linear, cortado e saturado. d) cortado, saturado e operando na regio linear. e) cortado, operando na regio linear e saturado.
Figura 8.45
8. No esquema da Figura 8.46, temos o circuito de um transmissor eletrnico analgico de informao. Nele, a sada est localizada onde est o Ampermetro A1 e a sua entrada S1, que a chave do sensor de fim de curso de uma vlvula.
134
Figura 8.46
Este transmissor deve enviar as seguintes informaes: S1 Aberta = 4mA em A1; S2 Fechada = 20mA em A1; Sabendo que o transistor tem os seguintes dados: beta = 200 e Vbe = 0,7V, Quais os valores dos potencimetros P1 e P2 em KOhms? 9. Foi montado em laboratrio o circuito da Figura 8.47. Algum led ir aceder? Explique o que acontecer. Dado: Vcc = 12V. A barreira de potencial do led1 = 2V e do led 2 = 1,7V. Para que apresente uma boa luminosidade deve passar uma corrente de 10mA em cada led.
Figura 8.47
10. A figura 8.48, mostra um simples provador de continuidade. Determine Vce e Ic no transistor 2 ao medir a continuidade em uma placa de circuito impresso, no qual a placa no apresenta defeito. A continuidade indicada pelo led. Considere a barreira de potencial no led de 2V e o beta para os dois transistores de 100. A chave S1 deve est fechada.
135
Figura 8.48
11. O circuito da figura 8.49, mostra um conversor DC/DC que utiliza um diodo Zener de tenso nominal de 8,2V e um transistor com b = 100 e Vbe = 0,7V. Determine, os valores de tenso de sada Vo, em volts, e da corrente Iz no Zener, em mA.
Figura 8.49
12. Dado o circuito(Figura 8.50), determine a tabela da verdade e indique qual porta lgica o circuito est representando.
Figura 8.50
13- Dado o circuito (Figura 8.51), calcule o valor do resistor da base, para que a corrente que
circule no motor seja de 1mA quando o sensor for ativado. OBS. O ganho de corrente do transistor de 100 e o sensor uma chave reed switch. Existem chaves reed swich normalmente aberta e normalmente fechada. No circuito foi utilizada uma
136
chave normalmente aberta que funciona da seguinte forma: Normalmente est aberta e ao aproximar do im a chave fecha.
Figura 8.51
14- Projete o circuito para que o transistor funcione como chave. No circuito foi utilizado um LDR, no qual com a incidncia de luz a resistncia de 400W e na ausncia de luz a resistncia de 1MW. Para o circuito deseja que com a incidncia de luz o rel seja energizado. A resistncia do rel de 100W. (Figura 8.52).
Figura 8.52
15. Um motor CC opera com tenso de 5V e corrente de 100mA. Ele deve ser acionado por um
circuito de controle que fornece 12V de tenso na sada, conforme o esquema abaixo. Usando a mesma tenso de alimentao do circuito de controle e o transistor Darlington, especifique os resistores Rb eRc. (Figura 8.53). Parmetros do transistor Darlington Ganho de corrente 1500 Ic mx = 150mA Vbe sat = 1.4V Vce sat= 1V
137
Figura 8.53
Experincia 12 Transistor como chave
Neste circuito, deve-se montar o circuito, no qual o transistor ir operar como chave. Material necessrio: - 1 Fonte de alimentao 10V; - 1 transistor NPN (BC338); - 1 resistor de 5,6K , 560 (0,25W); - 1 led; - 1 multmetro (analgico ou digital);
138
Figura 8.54
2. Coloque a chave na posio 1 e mea Ib,Ic,Ie, Vbe,Vce e Vcb; 3. Coloque a chave na posio 2 e mea Ib,Ic,Ie, Vbe,Vce e Vcb.
Experincia 13
Transistor como Fonte de corrente
Neste circuito, deve-se montar o circuito, no qual o transistor ir operar como fonte de corrente. Material necessrio: - 2 Fontes de alimentao 8V; - 1 transistor NPN (BC338); - 1 resistor de 330 (0,25W); - 1 led; - 1 multmetro (analgico ou digital);
Procedimento: 1.Monte o circuito da Figura 8.55, no qual Vbb = 3V e Vcc = 8V:
139
Figura 8.55
2. Aumente progressivamente a tenso na base at igualar a tensoVcc(8). Explique porque o led apagou.

Alarme para porta com transistor
Neste circuito, voc vai montar um alarme para porta, no qual a porta deve estar fechada e ao abri-la, deve acionar um buzzer. Material necessrio: - 4 pilhas em um suporte para 4 pilhas ( duas em srie e duas em paralelo); - 1 Buzzer de 6V; - 1 Chave reed swich (normalmente fechada); - 1 resistor 5,6K (0,25W); -1 Transistor BC338, (ou equivalente).
Circuito (Figura 8.56).
140
Figura 8.56
0 ma deve ficar na porta e o circuito como mostra a Figura 8.57.
Figura 8.57
A chave reed swich normalmente fechada. No circuito, como a porta normalmente est fechada e o im fica prximo a chave reed swich, a chave reed swich fica aberta. Ao abrir a porta, afasta o im da chave reed swich e a chave reed swich fecha, fazendo com que circule corrente na base, desta forma o transistor deve entrar na regio de saturao e acionar o buzzer.
Alarme de passagem
Neste circuito, uma fonte de luz deve sempre estar inserindo no fototransistor, ao bloquear esta emisso de luz, uma lmpada ser acesa. Material necessrio
141
-1 bateria de 12V; - 1 diodo 1N4004; - 1 lmpada de 12V; - 1 resistores de 68KW, 1/4W; - 2 resistores 1K; 1/4W; - 1 transistor BC338; - 1 capacitor 100mF, 16V; - 1 capacitor 0,01mF, 16V; - 1 fototransistor (qualquer um serve); - 1 CI 555; - 1 rel 12V. Circuito
Figura 8.58
Neste circuito (Figura 8.58), uma fonte de luz deve estar inserindo luz no fototransistor, pode ser uma lanterna, e o fototransistor est funcionando como uma chave fechada. A tenso de 12V est sobre o resistor de 1KW. No pino 2 do CI 555, tem-se uma alimentao de 12V. A sada (pino 3)fica em 0V. Quando ocorre o bloqueio da luz sobre o fototransistor, este entra na regio de corte e entra 0V, sobre o pino 2. A sada do CI555(pino 3) sai aproximadamente 12V(na prtica sai uma tenso menor devido as perdas no CI) e o transistor entra na regio de saturao. O rel acionado e a lmpada de 12V acesa. O tempo em que a lmpada permanece acesa calculado pela seguinte expresso: T = 1,1 RC = 1,1x68Kx100m = 7,48s. Aps este tempo a lmpada apaga.
142
CAPTULO 9 - OUTROS COMPONENTES ELETRNICOS

Introduo
Alm dos diodos e transistores bipolares, existem vrios outros componentes eletrnicos. Alguns desses componentes so usados em eletrnica de potncia ou em circuitos osciladores e apresentam comportamentos completamente diferentes daqueles j estudados. Neste captulo iremos explorar alguns desses componentes.
9.1 Transistor de Unijuno (TUJ)

Os transistores de unijuno (TUJ) so projetados para trabalharem em osciladores, circuitos temporizadores e disparadores (triggering). Embora sejam chamados de transistores e possurem trs terminais, sua constituio fsica muito diferente de um transistor bipolar convencional, como podemos verificar na Figura 9.1. Um TUJ dispositivo de baixa potncia, com dissipao mxima de 300 mW. Na Figura 9.2 temos um equivalente eltrico para o TUJ e um circuito de teste. So exemplos de TUJ os seguintes componentes: 2N2646, 2N2647, 2N4870, 2N4871.
Juno pn
B2 B2
E Basto de alumnio
B1 Silcio tipo n B1
(a)
Figura 9.1 TUJ: (a) construo bsica, (b) smbolo.
(b)
9.1.1 Funcionamento Pela Figura 9.2 (a), vemos que se a tenso VE do emissor for menor que 0,7 + VRB1 o diodo se encontrar inversamente polarizado, IE ser praticamente nula e corrente que circula pelo componente ser dada pela tenso de alimentao divida pela resistncia interbase RBB. O valor de RBB fica normalmente entre 4 k e 9 k . Nessa situao, quando IE = 0, a tenso VRB1 calculada por: RB1 VRB1 = VBB = hVBB . RB1 + RB 2
143
B2 RB2 VBB IE E RBB = R B1 + RB2 (IE = 0) VE RB1 VBB B1
(a)
(b)
Figura 9.2 TUJ: (a) equivalente eltrico, (b) circuito de teste.
O valor ( eta ) a razo intrnseca do TUJ, isto , a razo entre RB1 e RBB. O valor de pode variar, tipicamente, entre 0,55 e 0,85. Quando a tenso VE se aproxima de VRB1 mais a tenso de polarizao do diodo do emissor, ocorre uma reduo drstica no valor de RB1 e passa a circular uma corrente maior pelo TUJ. 9.1.2 Aplicao tpica: oscilador de relaxao Na Figura 9.2 (b) temos uma aplicao tpica para o TUJ. Nesse circuito, o capacitor vai se carregando atravs do resistor R1. Quando a tenso do capacitor atinge o valor crtico para a conduo, isto , quando VE > VD + VRB1, ocorre uma injeo de lacunas na regio N correspondente a RB1 e a tenso do emissor cai rapidamente. Isso faz com que o capacitor se descarregue rapidamente atravs do resistor Rb1. A frequncia desse oscilador aproximadamente dada por:
f @
1 . 1 R1C1 ln 1 -h
A deduo dessa frmula envolve algum conhecimento de clculo e de transitrios CC, estando fora do escopo deste livro. Note que na base 1 so gerados pulsos peridicos. Esses pulsos podem ser usados para ativar um outro dispositivo, o SCR (silicon controlled rectifier), que ser estudado mais adiante. Antes, porm, estudaremos um componente mais simples , o diodo de quatro camadas Schockley.
144
9.2 DIODO DE QUATRO CAMADAS

O estudo dos tiristores deve comear pelo dispositivo que origina toda a famlia, o diodo de quatro camadas ou diodo Shockley (no confundir com o diodo Schottky, diodo com duas camadas, usado em aplicaes que exigem altas freqncias, como, por exemplo, em computadores). A Figura 9.3 mostra a simbologia do diodo Shockley (diodo que iremos estudar) e do diodo Schottly.
(a)
Figura 9.3
(c)
(b)
(a) Diodo Schockley (diodo de quatro camadas), (b) representao das quatro camadas PNPN, (c) Diodo Schottly (diodo de duas camadas).
9.2.1 Funcionamento Para entender o funcionamento do diodo Schockley devemos analisar o funcionamento do circuito conhecido como trava ideal , indicado na Figura 9.4.
(a)
Figura 9.4
(b)
(c)
(a) Dispositivo de quatro camadas, (b) modelo de estudo para a trava ideal , (c) trava formada por dois transistores.
145
Analisado a Figura 9.3-(c), observamos que o coletor do transistor PNP ligado na base do transistor NPN. O coletor do transistor NPN ligado na base do transistor PNP. Temos uma realimentao positiva conhecido como regenerao. Se a corrente da base do transistor NPN aumentar, a corrente do coletor do transistor tambm NPN aumentar, consequentemente, a corrente na base do transistor PNP tambm aumentar. A corrente na base do transistor NPN aumentar mais e o ciclo continua at os dois transistores entrarem em saturao, funcionado como uma chave fechada. Por outro lado, se alguma coisa fizer a corrente da base do transistor NPN diminuir, a corrente do coletor tambm diminura. Como conseqncia, a corrente da base do transistor PNP tambm diminuir ocasionando uma diminuio na corrente do coletor do transistor PNP. O ciclo ir se repetir at que os dois transistores entrem na regio de corte. Teremos uma chave aberta. O modo mais comum de disparar do diodo Schockley atravs da interrupo, conhecida como tenso de breakover (UBO). A tenso de breakover significa aplicar uma tenso de alimentao suficientemente grande no emissor do transistor PNP, de forma a saturar os dois transistores. O efeito o mesmo que aplicar um disparo, ou aplicar uma corrente na base do transistor NPN. Desta forma o diodo Schockey ir funcionar como uma chave fechada. O nico modo de abri-lo atravs do desligamento por baixa corrente. Significa reduzir a corrente para um valor abaixo da corrente de manuteno (IH) ou tenso de manuteno (UH). A curva caracterstica do diodo Schockley mostrada na Figura 9.5.
Figura 9.5. Curva caracterstica do diodo de quatro camadas Schockley.
Com polarizao reversa o diodo se comporta como um diodo comum, apresentando altssima resistncia. Se a tenso reversa exceder a tenso de breakdown (UBK) o diodo ser destrudo. Com polarizao direta o diodo apresenta alta resistncia enquanto a tenso for menor do que um valor chamado de tenso de breakover (UBO). Acima deste valor o dispositivo dispara passando a conduzir, somente voltando a cortar quando a tenso (corrente) de anodo cair abaixo de um valor chamado de tenso (corrente) de manuteno, UH (IH).
146
9.3 Diodo controlado de silcio (SCR)

O SCR um dispositivo de quatro camadas que foi desenvolvido no Bell Telephone Laboratory (EUA) em 1957. um dos mais usados e difundidos tiristores. Tiristor um nome genrico dado a uma famlia de componentes semicondutores formado por quatro camadas (PNPN). Esses componentes so aplicados principalmente na rea de eletrnica de potncia. Um SCR basicamente um diodo de quatro camadas unilateral no qual foi colocado um terceiro eletrodo chamado de gate (G) ou porta usado para controlar o disparo do diodo por injeo de corrente. A estrutura bsica de um SCR mostrada na Figura 9.6 e seu funcionamento explicado a seguir.
(a)
(b)
(c)
Figura 9.6 (a) Camadas e junes do SCR, (b) smbolo do componente, (c) exemplo de encapsulamento (TO220).
9.3.1 Estrutura e funcionamento do SCR O funcionamento de um SCR semelhante de um diodo de silcio aps o disparo de sua porta (gate). Sem esse disparo, o SCR permanece bloqueado mesmo quando est diretamente polarizado.
Figura 9.7 SCR polarizado diretamente, mas com corrente de porta nula.
147
Quando o circuito mostrado na Figura 9.7 montado em laboratrio, verifica-se que o SCR funciona como uma chave aberta. Este estado alterado aps um disparo de corrente no gate. A porta de um SCR aproximadamente equivalente a um diodo. Por esta razo, necessrio pelo menos uma tenso de 0,7V para disparar o SCR. Alm disso, ser necessrio uma corrente mnima, que ir depender do SCR utilizado, ou seja, a corrente de disparo ser especificada pelo fabricante. Aps disparar, o SCR passa da condio de alta resistncia para baixa resistncia. A tenso de anodo cai para um valor baixo (0,5V a 1,5V ). O SCR s volta a cortar quando a tenso (corrente) cair abaixo de um valor chamado de tenso (corrente) de manuteno, UH (IH) cujo valor depende do tipo de SCR. Por exemplo, o TIC106 tem IH@ 0,5mA enquanto o TIC116 tem IH @ 15mA. Como vimos anteriormente, um diodo de quatro camadas pode ser representado por dois transistores ligados com realimentao de um para o outro. Se adicionarmos um terceiro eletrodo, a porta, poderemos injetar corrente nesse eletrodo disparando a estrutura de quatro camadas. A corrente de gate necessria para disparar o SCR designada IGT e pode ser da ordem de mA no caso do TIC 106. 9.3.2 Aplicaes em CC tpicas para o SCR Em CC deve ser previsto circuito de reset aps o SCR disparar. No circuito da Figura 9.8, a chave A usada para disparar e a chave B para resetar o SCR.
Figura 9.8 SCR em circuito CC.
Bloqueio por capacitor. Para o circuito mostrado na Figura 9.9, a analise de funcionamento leve em conta os seguintes passos: a) com as chaves Ch1 e Ch2 abertas; b) fechando a chave Ch1; c) fechando a chave Ch2;
148
Figura 9.9 SCR em circuito CC com bloqueio por capacitor.
9.4 Diac
O diodo de quatro camadas bilateral (DIAC = Diode AC) um dispositivo de quatro camadas que pode conduzir nos dois sentidos quando a tenso aplicada, com qualquer polaridade, ultrapassar um determinado valor chamado de tenso de breakover (UBO), voltando a cortar quando a tenso (corrente) cair abaixo de um valor chamado de tenso (corrente) de manuteno, UH (IH ). O smbolo do diac e a sua estrutura interna so mostrados na Figura 9.10. J a Figura 9.11 mostra a sua curva caracterstica.
(a)
(b)
Figura 9.10. (a) Smbolo do diac e (b) sua estrutura interna.
149
Figura 9.11. Curva caracterstica do diac.
O DIAC no conduz at que a tenso atravs dele exceder a tenso de interrupo em qualquer sentido. Uma vez que o diac est conduzindo, a nica forma de abri-lo atravs de um desligamento por baixa corrente. Isto significa reduzir a corrente abaixo da corrente de manuteno especificada pelo componente.
9.5 Triac
Quando necessrio controlar a potncia em uma carga AC, com corrente nos dois sentidos, pode ser usado o circuito visto com dois SCRs em antiparalelo, como mostra a Figura 9.12, ou usar um TRIAC, tambm mostrado na Figura 9.12. O TRIAC, desta forma, pode ser entendido como sendo equivalente a dois SCR s ligados em antiparalelo.
Figura 9.12. (a) Hipottico circuito de controle de carga AC usando dois SCRs, (b) smbolo do TRIAC.
O TRIAC tambm pode ser entendido como um DIAC no qual foi adicionado um terminal de controle permitindo disparar o dispositivo com diferentes valores de tenso. Como o TRIAC dispara com tenso positiva ou negativa no tem mais sentido em falar em anodo (terminal +) e catodo (terminal - ), ao invs disso os dois terminais so chamados de terminal principal 1 (T1) e terminal principal 2 (T2).
150
9.4.2 Aplicaes tpicas para o TRIAC A seguir, apresentamos algumas aplicaes tpicas para o TRIAC. CHAVE ESTTICA ASSINCRONA O uso do TRIAC como chave assncrona em circuitos CA leva algumas vantagens em relao chave mecnica. Permite, por exemplo, controlar grandes potncias a partir de potncias relativamente pequenas, TRIAC no apresenta trepidao (o que acontece com um rel) ao conduzir, no h aparecimento de arco voltaico (o que acontece com um rel), permitindo um grande nmero de operaes. A grande desvantagem a dissipao de calor, sendo necessrio o uso de um dissipador. Outra desvantagem a possibilidade de aparecimento de grandes picos de corrente ao ligar o circuito a primeira vez, principalmente no caso de circuitos resistivos. A Figura 9.13 ilustra essa aplicao.
Figura 9.13. Chave assncrona com TRIAC.
CHAVE ESTTICA SNCRONA O TRIAC operando no modo assncrono tem como principal inconveniente o fato da possibilidade de serem gerados surtos de corrente muito elevados no instante que o TRIAC chaveado, principalmente se no instante que o TRIAC for gatilhado a tenso da rede estiver passando por um pico e a carga for resistiva. No modo sncrono o TRIAC somente ser levado conduo quando a tenso da rede estiver passando prximo do zero, da os circuitos que efetuam este tipo de controle ser chamados de Zero Voltage Switching (ZVS). Na Figura 9.14, o circuito ZVS comanda o disparo do TRIAC somente quando a tenso de entrada estiver passando prximo de zero, no deixando o TRIAC disparar se a tenso de entrada for muito alta.
151
Figura 9.14. Chave sncrona com TRIAC.
Controle de Potncia Dimmer. A luminosidade de uma lmpada pode ser controlada atravs da variao da potncia eltrica que lhe entregue, e isso pode ser feito alterando-se o angulo de disparo durante cada semi ciclo. A Figura 9.15 mostra um circuito simples que controla a potncia de uma lmpada usando o TRIAC. O seu funcionamento, em linhas gerais, dados logo a seguir.
Figura 9.15. Circuito de controle de potncia Dimmer.
O capacitor C1 carregado (no semiciclo positivo ou semiciclo negativo) atravs do potencimetro de controle Rv e a resistncia R1, C2 se carrega depois gerando um atraso. Aps um tempo, o DIAC dispara quando a tenso no capacitor C2 atingir a tenso de disparo (breakover). O capacitor C2 se descarrega atravs do DIAC e no gate do TRIAC disparando-o para um determinado ngulo de disparo.
152
A mudana brusca de corrente de zero para um determinado valor produz rdio freqncia (RF) que causa interferncias em aparelhos de rdio colocados na mesma rede. O indutor Lf e o capacitor Cf, mostrados na Figura 9.16, funcionam como um filtro que reduzem essas interferncias a nveis aceitveis. A Figura 9.17 mostra as formas de onda da tenso na carga para um determinado angulo de disparo.
Figura 9.16. Circuito de controle de potncia com filtro de RF (Lf e Cf).
Figura 9.17. Formas de onda da tenso na carga para um ngulo de disparo.
153
Exerccios
Ex1: Dado o circuito determine a corrente no diodo. Considere a tenso de interrupo do diodo de 12V e a queda tenso de 1,2V; R = 1,2 k . a) Para Vf = 8V b) Para Vf = 20V
Ex2: Dado o circuito determine o valor da tenso de alimentao que produz o desligamento do diodo por baixa corrente. Considere a corrente de manuteno no diodo de 6mA e a queda de tenso de 0,6V no ponto de desligamento. R= 2,2K .
Ex3: O circuito abaixo um detector de sobretenso. Explique o funcionamento. Dado: Fonte de alimentao = 10V, Tenso de interrupo do diodo de 12V.
154
BIBLIOGRAFIA CONSULTADA
BOYLESTAD, Robert; NASHELSKY, Louis. Dispositivos eletrnicos e teoria de circuitos . Rio de Janeiro (RJ): Prentice-Hall do Brasil, 1984. 700 p. 6.ed. Rio de Janeiro: LTC, 1999. ISBN 85-7054-008. CIPELLI, Antnio Marco Vicari; SANDRINI, Waldir Joo. Teoria e desenvolvimento de projetos de circuitos eletrnicos. So Paulo (SP): rica, 1986. 580 p. FERNANDES, Fabola Soares. Ambiente computacional para o ensino de amplificadores para pequenos sinais. 2002. 150p. Fortaleza (CE), 2002. MALVINO, Albert Paul; LEACH, Donald P. Eletrnica - v.1 . So Paulo (SP): Makron Books, 1987. v.1. ISBN 85-346-0455-X. MILLMAN, Jacob; GRABEL, Arvin. Microelectronica. Lisboa (Portugal): McGraw-Hill, 1992. 2 v. ISBN 972-9241-16-3. MILLMAN, Jacob; HALKIAS, Christos C. Eletrnica: dispositivos e circuitos - v.1 . So Paulo (SP): McGraw-Hill do Brasil, 1981. v.1. SCHILLING, Donald, L.; BELOVE, Charles. Circuitos eletrnicos discretos e integrados. Rio de Janeiro (RJ): Guanabara Dois, 1979. 629 p. SEDRA, Adel S.; SMITH, Kenneth C. Microeletrnica . So Paulo (SP): Pearson Education do Brasil, 2000. ISBN 85.346.1044-4.
155

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Diodos e Transistores Bipolares: Teoria e Prticas de Laboratrio

Fabiola Fernandes Andrade Francisco Jos Alves de Aquino

Fabiola Fernandes Andrade Francisco Jos Alves de Aquino

Diodos e Transistores Bipolares: Teoria e Prticas de Laboratrio

IFCE Fortaleza, 2010

1.1 Materiais semicondutores

Quanto maior a energia do eltron, maior o seu raio.

Figura 1.1 - Estrutura do tomo

1 rbita 2 rbita 3 rbita 4 rbita

2 eltrons 8 eltrons 18 eltrons 4 eltrons

Figura1.3- tomo de gemnio

Forma-se ento uma estrutura cristalina.

Figura 1.4 - Ligao dos tomos de silcio

Estrutura de silcio dopada com antimnio (Sb).

Anodo- material tipo P Catodo material tipo N

Smbolo do diodo de juno PN.

1.2 Polarizao do diodo

Diodo polarizado diretamente.

Diodo polarizado inversamente.

1.3 Informaes Prticas

Figura 1.12. Caractersticas eltricas dos diodos da srie 1N4000.

Figura 1.12 Polarizao reversa

2. Inverta o diodo, veja a figura 1.13.

Figura 1.13 Polarizao direta

CAPTULO 2 TEORIA DOS DIODOS

Figura 2.1 Fonte de alimentao DC

2.1 Curva caracterstica do diodo

Joelho (0,7V) para diodo de silcio

Figura 2.2 Curva caracterstica do diodo

2.2 Polarizao Direta

Figura 2.3 Polarizao direta

2.3 Polarizao Reversa

Figura 2.4 Polarizao reversa

2.4 Modelos Do Diodo

Figura 2.5(a) Polarizao direta, (b)Circuito equivalente do diodo na polarizao direta

Figura 2.6(a) Polarizao reversa, (b)Circuito equivalente do diodo na polarizao reversa

Figura 2.7(a) Polarizao direta

(b) Circuito polarizao direta para o segundo modelo do diodo

3.Considere o diodo ideal, calcule a tenso no resistor de 1kW (Figura 2.11).

Procedimento: 1- Monte o circuito abaixo (Figura 2.12):

2- Preencha a tabela abaixo:

Monte o circuito abaixo:

4- Preencha a tabela abaixo:

DIVERTINDO-SE COM A ELETRNICA

CAPTULO 3 CIRCUITOS COM DIODOS

3.1 Tenso Senoidal

Vp T(s) T/2 -Vp T

Figura 3.1 Domnio temporal

Figura 3.2 Domnio Angular

Ps = Pp Pp = Vp.Ip Logo: Vp.Ip = Vs.Is Vp/Vs = Np/Ns e Is/Ip = Np/Ns

3.3 Circuito Retificador de Meia-Onda

Figura 3.4 Circuito retificador de mei-onda

Figura 3.6 (a)Circuito retificador de meia-onda, (b) Forma de onda no resistor.

Vp [-[ cos J - cos 0] 2p

. 12 = 16,97V Vdc = 16,97

Circuito equivalente no diodo para o semiciclo negativo

Toda a tenso do secundrio do transformador deve estar no diodo.

. 9 = 12,72V Vdc = 12,72

3.4 Circuito Retificador de Onda Completa

Figura 3.8 Circuito retificador de onda-completa com derivao central

Figura 3.9 Transformador com derivao central

A tenso Vdc ser:

f(t) = Vp senq para o intervalo de 0 a p e Vp senq para o intervalo de p a 2 p