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    ELECTRONICA: TEORIA DE CIRCUITOS Diodos semiconductores REE GR ma or Te oi 1.1 INTRODUCCION ‘Unas cuantas décadas que han seguido ala introduecién del transistor. hacia finales de los aftos cuarenta, han sido testigo de un cambio asombroso en la industria de la electrénica, La ‘miniaturizacion que se ha logrado nos deja sorprendidos de sus alcances. Sistemas completos aparecen ahora sobre una oblea de silicio, miles de veces mas peque'‘a que un solo elemento de las redes iniciales, Las ventajas asociadas con los sistemas actuales, comparados con las redes de bulbos de Tos afios anteriores, resyltan. en su mayor parte, obvias de inmediato: son mis equefios y ligeros, no tienen requerimientos de calentamiento 0 disipacisin de calor (como en 1 caso de los bulbos), tienen una construccisn mas robusta, son mis eficientes y no requieren de-un periodo de calentamiento. ‘La ministurizacién desarrollada en los afos recientes ha dado por resultado sistemas tan Pequefios que ahura el propssito bésico del encapsulado sélo es obtener algunos medios para ‘manipular el dispositivo y asegurar que las conexiones permanezcan fijas en forma alccuada én la base del semiconductor. Los limites de la miniacurizacién dependen de tres factores: ta calidad del material semiconductor, la téenica del disefio de redes y los limites de la manufac tura y el equipo de procesamiento. 1.2 EL DIODO IDEAL El primer dispositivo electrénico que se presenta es el que se denomina diodo, el més sencitlo 4 los dispositivos semiconductores, pero que desempesta un papel muy importante en los sistemas electrGnicos. Con sus caractersticas, que son muy similares w las de un interruptor hy sencillo, aparece en una amplia variedad de aplicaciones, que van desde las mas sencillas a las mas complejas. Ademis de los detalles de su construccién y caracteristicas, los datos y seafi- cas importantes se encontrar en las hojas de especiticaciones y también se estudiarin con objeto de asegurar una comprensidn de la terminologia que se utiliza, aparte de demostrar la riqueza de la informacién que los fabricantes suelen proporcionar. Antes de analizar Ia construccién y las caracteristicas de un dispositivo real, primero se considerard el dispositivo ideal para ofrecer una base de comparacién. El ciodo ideal es un dispositive con dos terminates. que tiene el simbolo y caracteristicas que se muestran en la figura L.ta y b, respectivamente, De manera ideal, un dioo conduciré corriente en la direccién que define la fecha en el simbolo, y actuaré vomo un circuito abierto en cualquier intento por establecer cosriente en direccién opuesta, En esencia: % Las caracteristicas de un diodo ideal son aquellas de un interruptor que puede Figera ist Diode ideat:a) conducir corriente en una sola direccion. simbolo:b)garactersticas. En la descripein de los elementos que se presentan a continuacén es importante que se definan ios diferentes simbolos de letras, polaridades de voltajes y diecciones de la corrente.Si a polaridad del voltajeapticado es consistent con el que se muestra en la Figura I. a las cara terstcas que deben serconsideradas en la figura [lb estén hacia la derecha del ee vertical. En ceasode que se aplique un voltae inverso,son pertinentes las caracterisicas hacia laizquierda del ee. Sila comriente a través del diodo tiene la direccidn que se indica en la figura 11a la poreién de las caracteristicas que deben considerarse es arriba del eje horizontal, mientras que una inver- sid en Ia direccién requerira del empleo de las earactristicas abajo del ee, Para la mayoria de tas caracteristcas de los dispositivos que aparecen en este libro la ordenada oeje"y") serie ee de la corriente, en tanto la abscisa (0 eje x") sera el ee del voltaje ‘Uno de Ios parimetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o la regién de ‘peracid. Si se considera la regi de conduccin definida por la diceccién de 1, y plaridad de Venta figura [1a (el cuadrante superior derecho dela figura I-1b), se deduce que el va- tor de la resistencia directa, R, seg lo define la fey de Ohm, es ov Q (orto cireuito) 3.mA.....3610 un valor positive donde V, es el voltaje de polarizacién directa a través del diodo e /, es la corviente a través del iodo. Por tanto, el diodo ideal es un cireuito cerrado para la region de conduccion, Si ahora se considera la regién de potencial negativo aplicado (tercer cuadrante) de la figura 1.16, 20, 0 cualquier potencial de polarizaci6n inversa Oma, = 22 (circvito abierto) donde Ves el voltaje inverso a través del diodo e /, es la corriente inversa en el diodo Por tanto, el diodo ideal es un circuito abierto en la region de no conduccién. En resumen, son aplicables las condiciones que se describen en la figura 1.2 % Cominco e s Z opps + -_-4 => Limited poe ict te eo oy Figura 1.2 a) Estados de conduccidn yb) no conduccién del dlodo ideal segin esté determinado por la polarlzacion aplicada. Por lo general, resulta sencillo hasta cierto punto determinar siun diodo se encuentra en la regidn de conduccién 0 de no conduccidn, al observar la direccién de la corriente 1, que se

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