DISPOSITIVOS ELECTRONICOS 2011-I

ALUMNO: CESAR GOTEA LOAYZA

Seccin: M

PROBLEMA:
Fotorresistencias
El ejemplo muestra un caso especial de
radiacin ionizante produce una concentracin
de portadores en la cara mostrada en una
cantidad de p=n=10
18
cm
-3
.Estos
portadores excedentarios se difunden hasta el
interior del semiconductor de Ge tipo
(N
d
=10
18
cm
-3
) siguiendo una funcin:
n
(x)
=n
0
+ An c
-x/L
c

p
(x)
=p
0
+ Ap c
-x/L
h

x vale de 0 a 400 pm
Donde: I
c
=longitud de difusin de electrones
I
h
=longitud de difusin de huecos
I
c
=
c

c

I
h
=
h

h


c
=vida media de electrones

h
=vida media de huecos
Para este caso consideramos
c
=
h
= 0,1ps.
Calcular la R
ub
.
Solucion:
Para el germanio: n

= 2,5 10
13
cm
-3

Del dato N
d
= 10
18
cm
-3
dado (N
d
5n

)
n
0
= 10
18
cm
-3

De la ley de accin de masas n
0
p
0
= n

2

p
0
= 6,25 10
8

x
50m
10 m
400 m
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS 2011-I
ALUMNO: CESAR GOTEA LOAYZA
Seccin: M
Adems:
I
c
=101 cm
2
s 0,1ps = 3.16 10
-3
cm
I
h
=49cm
2
s 0,1ps = 2.21 10
-3
cm
En la ecuacin:
n
(x)
=10
18
+ 10
18
c
-x/3.1610
-3
cm
-3

p
(x)
=6,25 10
8
+ 10
18
c
-x/2.2110
-3
cm
-3

La grafica que no esta a escala demuestra una breve comparacin: n
(x)
-p
(x)


Para hallar la resistencia se necesita :
=c
-
(n
(x)
p
n
+ p
(x)
p
p
)
en donde x vale de 0 a 400 pm
n =
(10
18
+10
18
c
-
x
3.16
10
-3
) dx
4010
-3
0
4010
-3
=1.079*10
18
cm
-3

p =
(6.2510
8
+10
18
c
-
x
2.21
10
-3
) dx
4010
-3
0
4010
-3
=5.25*10
16
cm
-3

=1.6 10
-19
(1.079 10
18
3800 + 5.25 10
16
1800)
=671.1 0
-1
. cm
-1

R=
1
c

L
A
=
1
671.1

5010
-4
1010
-4
40010
-4
= 0.186