UNIVERSIDADE FEDERAL DE UBERLNDIA FACULDADE DE ENGENHARIA ELTRICA GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA

GEE100Q Circuitos de Eletrnica Aplicada Transistor JFET

Prof.: Paulo Sergio Caparelli

CARLOS RENATO NOLLI 100798

Uberlndia, 09 de dezembro de 2011

Sumrio
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. INTRODUO .................................................................................................................... 3 O JFET ................................................................................................................................ 3 CURVAS DE DRENO............................................................................................................ 4 CORRENTE MXIMA DE DRENO ........................................................................................ 5 REGIO DE OPERAO ...................................................................................................... 5 REGIO HMICA ............................................................................................................... 6 TENSO NA PORTA (GATE) ................................................................................................ 6 CURVA DE TRANSCONDUTNCIA ...................................................................................... 7 SATURAO FORTE ........................................................................................................... 8 APLICAES ................................................................................................................... 9 Fonte de Corrente: ................................................................................................ 9 Amplificadores: ..................................................................................................... 9

10.1. 10.2.

a) Polarizao: A corrente de dreno de JFET segue a relao quadrtica. .................. 10 b) Supridouro comum: ................................................................................................. 10

Lista de Figuras
Figura 1: JFET ................................................................................................................................. 3 Figura 2: Polarizao do JFET ........................................................................................................ 4 Figura 3: Curva de Dreno JFET tipo N ............................................................................................ 4 Figura 4: Corrente Mxima de Dreno, quando a tenso VGS for igual a zero .............................. 5 Figura 5: Regio Ohmica do transistor JFET .................................................................................. 6 Figura 6: Curva de Transcondutncia do JFET ............................................................................... 7 Figura 7: Regio Ohmica e de Saturao nas curvas de dreno ..................................................... 8 Figura 8: Curvas de Dreno com Reta de carga (a) do circuito dado como exemplo (b) ............... 8 Figura 9: O valor de RS e a curva do JFET determinam a corrente ID ........................................... 9 Figura 10: Auto-polarizao ........................................................................................................ 10 Figura 11: Supridouro comum..................................................................................................... 11

1. INTRODUO
O transistor de efeito de campo de juno, JFET, um dispositivo de trs terminais utilizado em vrias aplicaes, como: pr-amplificador de vdeo para cmeras de TV, estgios amplificadores de RF para receptores de comunicaes, instrumentos de medio, etc. e que realiza muitas das funes do transistor bipolar de juno (BJT), embora que haja diferenas importantes entre os dois dispositivos. A principal diferena entre os dois tipos de transistores o fato de que o BJT um dispositivo controlado por corrente, enquanto que o JFET um dispositivo controlado por tenso. Em outras palavras, a corrente I C do BJT depende diretamente de IB, e para o JFET a corrente ID depende diretamente da tenso VGS aplicada ao circuito de entrada. Em ambos os casos a corrente de sada est sendo controlada por algum parmetro de circuito de entrada, em um caso, o nvel de corrente, e no outro, a tenso aplicada. Assim como nos transistores bipolar de juno, existem transistores de efeito de campo de canal n e canal p. Entretanto, importante observar que o BJT um dispositivo bipolar, enquanto que o JFET um dispositivo unipolar, ou seja, depende somente da conduo realizada por eltrons (canal n) ou lacunas (canal p). Uma das caractersticas mais importantes do JFET a alta impedncia de entrada. Esta caracterstica muito relevante no projeto de amplificadores. Por outro lado o BJT apresenta maior sensibilidade s variaes do sinal aplicado. Assim, as variaes de corrente de sada so tipicamente maiores para os BJTs do que para os FETs, para uma mesma variao do sinal de entrada, por isso que os ganhos de tenso dos amplificadores adquiridos com a utilizao dos BJTs so superiores que aos ganhos de tenso adquiridos com a utilizao de amplificadores com FETs. Em geral os FETs so mais estveis com relao a temperatura do que os BJTs.

2. O JFET
A construo de um JFET na prtica bastante complicada, pois necessria uma tecnologia de dopagem nos dois lados de um substrato de semicondutor tipo P ou tipo N.

Figura 1: JFET

O JFET formado por um estreito canal semicondutor tipo P ou N em cujas extremidades so feitos contatos denominados de Dreno(D), de onde as cargas eltricas saem, e Fonte(S), por onde as cargas eltricas entram. O terminal Gate(G) que faz o controle da passagem das cargas. A polarizao do JFET diferente do BJT. Num transistor bipolar polarizamos diretamente o diodo base-emissor, porm, em um JFET, sempre polarizamos reversamente o diodo porta-fonte. Essa polarizao reversa na porta faz com que aumente a regio de depleo, diminuindo a largura do canal e dificultando assim a passagem de corrente entre dreno e fonte. Quanto mais negativa for tenso da porta, mais apertado o canal, portanto a tenso da porta controla a corrente.

Figura 2: Polarizao do JFET

3. CURVAS DE DRENO
As caractersticas das curvas de dreno de JFET tipo n so semelhantes as caractersticas de um transistor BJT, apresentando as regies de saturao, ruptura e regio ativa.

Figura 3: Curva de Dreno JFET tipo N

Para um valor constante de V , o JFET age como um dispositivo resistivo linear (na regio hmica) at atingir a condio de pinamento ou estrangulamento. Acima da condio de estrangulamento e antes da ruptura por avalanche, a corrente de dreno permanece aproximadamente constante. Os ndices I referem-se corrente do dreno para a fonte com a porta em curto (V =0V). I a corrente de dreno mxima que um JFET pode produzir. Na Figura 3, mostrado um exemplo de curva para um JFET. Quando o JFET est saturado (na regio hmica), V situa-se entre 0 e 4V, dependendo da reta de carga. Para polarizar um transistor JFET necessrio saber a funo do estgio, isto , se o mesmo ir trabalhar como amplificador ou como resistor controlado por tenso. Como amplificador, a regio de trabalho o trecho da curva aps a condio de pinamento, e esquerda da regio de tenso V de ruptura. Se for como resistor controlado por tenso a regio de trabalho entre V igual a zero e antes de atingir a condio de pinamento.

4. CORRENTE MXIMA DE DRENO

A corrente de dreno para VGS = 0, no seu ponto mximo, denominada corrente de curto-circuito dreno e fonte ou DRAIN-SOURCE SHORTED CURRENT (I). a corrente de dreno quando VGS for igual zero (0) volts e corresponde a corrente de dreno mxima que o JFET pode conduzir. Podemos observar esta caracterstica do JFET na figura abaixo.

Figura 4: Corrente Mxima de Dreno, quando a tenso VGS for igual a zero

5. REGIO DE OPERAO
Na regio ativa, a corrente de dreno controlada pela tenso Vgs, e quase no varia com tenso Vds (compartimento de fonte de corrente controlada). Nesta o JFET pode funcionar como multiplicador de fonte-de-corrente. O JFET est nesta regio quando nas curvas caractersticas a parte horizontal da curva para uma certa Vgs (toda a rea fora de saturao, hachurada, e entre as curvas Vgs1 e Vgs6).
5

A saturao ocorre quando . Aqui a corrente ID depende tanto de Vgs como Vds (comportamento de resistor controlado). Nas curvas caractersticas de dreno, a reta inclinada que une cada curva a origem do grfico. Repare que a inclinao, relacionada resistncia do canal, diferente em cada uma das curvas (valores de Vgs). Nesta regio, o JFET atua como resistor controlado por tenso, ou chave, conforme a aplicao. Quando Vgs = Vgscorte, o JFET est na regio de corte, e a corrente de dreno nula. Usada na operao como chave (alternando com a saturao - chave fechada).

6. REGIO HMICA
Para um valor constante de VGS, o JFET age como um dispositivo resistivo linear (na regio hmica) at atingir a condio de pinamento ou estrangulamento. Acima da condio de estrangulamento e antes da ruptura por avalanche, a corrente de dreno permanece aproximadamente constante. Podemos observar na figura abaixo a regio hmica destacada de amarelo.

Figura 5: Regio Ohmica do transistor JFET

7. TENSO NA PORTA (GATE)

Quando os eltrons circulam da fonte para o dreno, eles tm de passar atravs do estreito canal entre duas camadas de depleo. Quanto mais negativa for a tenso da porta, mais apertado o canal se trona, ou seja, a tenso da porta pode controlar a corrente atravs do canal. Quanto mais negativa a tenso da porta, menor a corrente entre a fonte e o dreno. O JFET um dispositivo controlado por tenso porque reversamente polarizado. Alteraes em

V determinam o quanto de corrente pode fluir da fonte para o dreno, portanto V a grandeza na entrada de controle. Um JFET menos sensvel s variaes na tenso de entrada do que um transistor bipolar. Ex: em um JFET a variao de 0,1v na tenso da porta produz uma variao da corrente de dreno menor que 10 mA e em um transistor bipolar a mesma variao em baseemissor produz uma variao na corrente de sada muito maior que 10mA. O JFET funciona como uma fonte de corrente quando est operando ao longo da parte quase horizontal da curva de dreno. Essa parte est entre a tenso mnima e a tenso mxima. A tenso mnima chamada de tenso de constrio ou estrangulamento (Pinchoff) e a mxima de tenso de ruptura. Obs: Pela Figura 3 quando tm-se a corrente mxima de dreno, = 0, portanto sabe-se que a tenso mnima ou estrangulamento ou mesmo constrio =4V e a tenso mxima ou tenso de ruptura =30V.

8. CURVA DE TRANSCONDUTNCIA
A curva de transcondutncia de um JFET dada atravs de um grfico de forma corrente de dreno ( ) versus a tenso porta-fonte ( ). Lendo os valores de e de obtidos na curva de dreno, podemos traar a curva de transcondutncia. A curva de transcondutncia de qualquer JFET seguir a se apresentar da seguinte forma:

Figura 6: Curva de Transcondutncia do JFET

Esse grfico caracterstico de todos os JFETs, mudando apenas os valores para cada um em especfico, que variam entre si devido ao tamanho da regio dopada, nvel de dopagem e outros fatores.

9. SATURAO FORTE
Assumindo-se a regio de saturao como a regio em que no h portadores livres, em tal regio o transistor atua com comportamento prximo a uma fonte de corrente (regio praticamente plana da curva de dreno). A figura a seguir apresenta as curvas de dreno de um JFET mostrando a regio hmica e de saturao.

Figura 7: Regio Ohmica e de Saturao nas curvas de dreno

A saturao forte ocorre quando o ponto de operao tende regio de ruptura na curva de dreno. A figura 10 (a) apresenta as curvas de dreno juntamente com a reta de carga do circuito dado como exemplo (b).

Figura 8: Curvas de Dreno com Reta de carga (a) do circuito dado como exemplo (b)

10.
10.1.

APLICAES
Fonte de Corrente:
+ VDD RS

ID RL

Figura 9: O valor de RS e a curva do JFET determinam a corrente ID

O circuito opera o JFET fica na regio ativa, ou seja, Vds> Vgscorte, isso impe limite ao valor de RL. O circuito usado em polarizao, sendo freqncia dentro dos amplificadores operacionais e outros CI's analgicos.

10.2.

Amplificadores:

Na operao como amplificadores, usamos o conceito da Transcondutncia, que define o ganho dos FET's.

gm = =

ID VGS

em Vgs que a provoca. Nos FET, a Transcondutncia maior para tenso Vgs de polarizao menor e corrente ID maior. Assim, o ganho determinado pela polarizao como nos bipolares e vlvulas), e o tipo de FET.

a) Polarizao: A corrente de dreno de JFET segue a relao quadrtica.

ID = IDSS

1 -

VGS VGS corte

Os valores de IDSS e Vgscorte variam conforme o tipo e o exemplar, dentro de limites amplos. Uma polarizao somente pode ser feita atravs de ajuste de trimpot, ou atravs de uma fonte de corrente com bipolar. O tipo mais comum a autopolarizao.

RS

+ VDD

RG

RS

Figura 10: Auto-polarizao

Obs.: Nos amplificadores dreno comum Rd no usado. Ele no altera a corrente de dreno. A corrente circula em Rs, surgindo uma queda de tenso nele. A porta est aterrada atravs de Rg, e ento a tenso em Rs aparece entre S e G, polarizando o JFET com uma tenso reversa, que se ope corrente de dreno (Suplidouro), regulando-a atravs de realimentao negativa. A corrente ento fica dada pelas caractersticas do FET e o valor de Rs. Tambm se usa polarizao por diviso de tenso, semelhante usada com transistor bipolar, mas menos exata (pouco melhor que a autopolarizao).

b) Supridouro comum:

a mais usada, pois oferece ganho de tenso. 10

O sinal de entrada aplicado entre a porta e o Suplidouro, e a sada colhida no dreno. A fase invertida. A impedncia de entrada muito grande, j que a juno porta-suplidouro est polarizada reversamente, circulando apenas uma desprezvel corrente de fuga. Na prtica, a impedncia dada pelo resistor RE de polarizao. J a de sada um pouco menor que RD. O ganho de tenso dado por:

G = - gm RD

Seu valor na prtica fica entre 3 e 30 vezes, em geral (bem menor que no bipolar). comum na entrada de instrumentos de medio, e dentro de C.I. analgicos, pela alta impedncia.

+ VDD RS C ent. ENTRADA SADA

RG

RS

Figura 11: Supridouro comum

Obs: Cent. pode ser omitido, em algumas aplicaes. Nos amplificadores com acoplamento direto, todos os capacitores so dispensados, mas o ganho diminui.

11