INGENIERA DE LOS MATERIALES Introduccin La Ciencia de los Materiales est relacionada a la bsqueda de conocimientos bsicos sobre la estructura interna;

las propiedades y el procesado de los materiales de ingeniera. La Ingeniera de los Materiales est relacionada con el uso de esos conocimientos bsicos para la conversin de estos materiales en productos necesarios o requeridos por la sociedad. Esto hace que la I. de M. sea una disciplina ms aplicada que la C. de M., aunque en muchos casos se les confunde, por no existir una lnea clara de demarcacin entre ellas. Se define como materiales de ingeniera aquellos que por sus buenas propiedades pueden ser usados en elementos de mquinas; en elementos estructurales o con cualquier otro fin ingenieril. Estos son materiales slidos, estructuralmente cristalinos o amorfos. Los materiales de ingeniera se clasifican en: Metlicos (metales puros y aleaciones) Cermicos (vidrio; cemento; loza; refractarios; abrasivos; ......) Polmeros Materiales compuestos Los metales y aleaciones son en general tenaces; tienen alta conductividad elctrica y trmica; son en general dctiles y en distinto grado son sensibles a la corrosin. Los aceros, por ejemplo, combinan tenacidad con alta resistencia mecnica y excelente resistencia a la fatiga, lo que los hace los materiales ms adecuados para la elaboracin de partes y piezas de mquinas. Los materiales cermicos son muy frgiles; en general son duros; algunos resisten muy altas temperaturas sin perder sus propiedades (son refractarios) y en este ltimo tiempo se ha sintetizado algunos de propiedades especiales (imanes permanentes; rubes para LASER; superconductores); son aislantes; en general muy sensibles a fracturarse por choque trmico y resistentes a la corrosin en la mayora de los casos. Los polmeros son livianos; se pueden conformar con gran facilidad, de all su nombre de plsticos; tienen en general menor resistencia mecnica que los materiales de otras familias, pero existen algunos de muy alta resistencia; en general se degradan en poco tiempo por accin del medio ambiente, lo que deriva en prdida de sus propiedades; son malos conductores de la electricidad y del calor; resisten la corrosin en medios que afectan a los metales, pero muchos no resisten la accin de solventes orgnicos y grasas. Los materiales compuestos se han desarrollado para combinar las mejores propiedades de materiales de distinto origen, por ejemplo la fibra de vidrio es un material formado por alrededor de un 70% en volumen de vidrio, en forma de fibras que contribuyen a dar gran resistencia al compuesto y un 30% de polmero que adems de aglomerar esas fibras le da al conjunto flexibilidad; reduce su densidad y permite moldearlo en distintas formas. Existen compuestos metal metal, por ejemplo alclad que se utiliza en la aviacin; metal cermico (aluminio 7075, reforzado con fibras de almina), usado tambin en aviacin e implementos deportivos); cermico polmero, como la ya mencionada fibra de vidrio; cermico cermico (insertos de herramientas para torno, con filos endurecidos y el conocido hormign o concreto ); polmero polmero, como la madera y los aglomerados de madera. Los materiales de ingeniera se obtienen por procesamiento de distintos materiales bsicos o materias primas. Son materias primas los minerales de hierro de los cuales se obtiene el acero o el algodn con que se produce textiles. Por distintos procesos las materias primas se transforman primero en materiales semielaborados y despus en productos finales. Las materias primas para metales y aleaciones en general provienen de la minera; posteriormente se transforman en distintas etapas de la metalurgia (extractiva; pirometalurgia; hidrometalurgia; metalurgia de produccin; manufactura). El acero, por ejemplo, proviene en primer trmino de minerales de hierro, que

estn formado por xidos frrico (Hematita) y xido ferroso frrico (magnetita). Los minerales extrados, a veces con un procesamiento intermedio para aumentar su contenido de hierro, se procesan en grandes siderurgias, para producir distintos tipos de aceros. Estas siderurgias entregan acero semielaborado con distintas formas. En procesos posteriores se obtiene formas elaboradas y de ellas se obtiene productos finales para uso en piezas de maquinas o elementos estructurales. Los materiales cermicos provienen tambin de la minera, o de canteras. Muchos de estos materiales tienen poco procesamiento, como la grava o la arena para concreto, que a lo ms tienen una clasificacin por tamao, pero hay otros que tienen complejos procesos de produccin. El vidrio; la porcelana o el cemento se producen en grandes complejos industriales, cada da de ms alto nivel tecnolgico. Los polmeros provienen de la industria qumica, muchos de ellos derivan del petrleo y otros de la madera. La seleccin de materiales es una de las funciones ms importantes de la ingeniera de diseo. Un buen diseo elimina muchas de las posibilidades de falla en un equipo o estructura y una buena seleccin de materiales prolonga la vida til de los mismos. Diseo y seleccin de materiales estn estrechamente ligados. Una adecuada seleccin de materiales slo puede hacerse si se conoce los materiales, con sus posibilidades y limitaciones. La seleccin no es cosa de catlogos, pues los aspectos que a menudo deben compararse escapan a cualquier catlogo. Para elegir un material hay que tener un conocimiento acabado de la estructura de los materiales; de las propiedades que derivan de tal estructura; de la estabilidad qumica de estos frente a ambientes agresivos; del cambio de propiedades que pueden producir los cambios de temperatura o de la geometra de una pieza; de la respuesta a distintas formas de aplicacin de los esfuerzos y muchos otros aspectos que determinan su comportamiento en un caso especfico. Los materiales de ingeniera se dividen en cuatro grupos: Aleaciones metlicas; polmeros; cermicos y una combinacin de estos grupos en los materiales compuestos. Es difcil decir cual grupo es mejor, pues todos tienen sus ventajas y desventajas comparativas. Cada caso determina quien es superior y por la tanto elegible para una utilizacin determinada. En la actualidad aparecen cada da materiales nuevos, con mejores propiedades. Se desarrollan nuevos mtodos para producirlos y nuevas tcnicas para mejorar sus propiedades. El ingeniero debe estar al tanto de esos progresos y estar en capacidad de valorar las bondades que presentan. As, conociendo los materiales, puede optimizar su uso, lo que redundar en prolongacin de la vida til de equipos y estructuras; mejora en la eficiencia de los mismos y reduccin de costos. Se debe tener presente, sin embargo, que no existen materiales que llenen absolutamente todas las necesidades del servicio, sino que siempre existir un grupo que cumple en mayor o menor grado estos requisitos, de manera que la seleccin de materiales envuelve un compromiso entre las distintas propiedades que se requiere. Debe tenerse presente tambin que no existen manuales que indiquen el material ideal para cada aplicacin. El problema se complica cuando aparecen las variables: costo; disponibilidad; seguridad y otros que a menudo son decisorias para la eleccin, sacrificndose a veces las propiedades. El procedimiento habitual para seleccionar un material considera las siguientes etapas: a) Determinacin de las propiedades que se necesita b) Seleccin y evaluacin de los materiales mas promisorios, en trminos de propiedades c) Eleccin del material ms econmico, que est fcilmente disponible y que no implique riesgos para la salud y seguridad de fabricantes ni usuarios. En trminos de propiedades, debe considerarse: Propiedades mecnicas Resistencia a la corrosin Conservacin de las propiedades originales durante el servicio Compatibilidad con el equipo existente. Manejo (soldabilidad; maquinabilidad; peso; ....) Propiedades especiales (elctricas; magnticas; resistencia al creep .....) Propiedades estticas (por ejemplo, pintabilidad) Las propiedades mecnicas son determinantes en la seleccin de materiales. De hecho, los llamados materiales de ingeniera son aquellos que tienen mejores propiedades mecnicas. Las propiedades mas importantes a considerar son: Resistencia mecnica o esfuerzo mximo a traccin (u); Tenacidad (Tenacidad

de fractura (KIc); Tenacidad de impacto o cualquier otra forma de indicar esta propiedad); Ductilidad; Dureza (resistencia al desgaste). No se necesita que un material posea en alto grado todas estas propiedades, ya que eso es difcil, pues en general los materiales de alta resistencia mecnica son frgiles, es decir, poco tenaces. Slo las condiciones de servicio pueden fijar el valor aceptable o admisible en cada propiedad, lo que permite elegir el material apropiado. Las otras propiedades que se ha mencionado, pueden a veces ser determinantes en la seleccin. Por ejemplo si se trabaja en ambientes fuertemente corrosivos, como el marino, las propiedades mecnicas pueden ser menos importantes que la resistencia a la corrosin al momento de elegir un material. Por otra parte, se sabe que las propiedades mecnicas y la resistencia a la corrosin estn estrechamente relacionadas. Por supuesto la seleccin de materiales no protege per se de la corrosin, sino que debe controlarse tambin otros factores que pueden producirla y a veces seleccionar materiales a los que se pueda aplicar con facilidad recubrimientos u otras formas de proteccin ante el ambiente. La conservacin de las propiedades durante el uso es obviamente importante. Por ejemplo algunos polmeros son sensibles al envejecimiento, que les produce fisuracin y plastodeformacin durante su trabajo. Esto limita la posibilidad de seleccionar estos materiales o bien exige un cuidado especial al seleccionarlos. El trabajo a altas o bajas temperaturas tambin produce o puede producir cambios en las propiedades. A altas temperaturas ocurre termofluencia, cuando se opera bajo cargas y a bajas temperaturas la mayora de los aceros se fragilizan. Los materiales de baja densidad son preferibles en algunos casos, porque es fcil transportarlos y conformarlos. As la relacin: Resistencia / Peso es determinante al momento de seleccionar un material. Los polmeros reforzados con fibras cermicas o metlicas tienen a menudo una alta relacin resistencia / densidad, lo que los hace mas atractivos que otros materiales. Otras propiedades que facilitan el manejo de algunos materiales son la soldabilidad la conformabilidad la pintabilidad, etc. Cuando se elige un material para reemplazar un elemento que ha fallado, en una estructura, sin duda debe seleccionarse un material de superior calidad al que ha fallado, pero debe ser de la misma familia para ser compatible con el del resto de los elementos, porque as se conserva las condiciones de mantenimiento; limpieza y acondicionamiento ambiental. Combinar materiales de distintas familias en un diseo, como aceros con polmeros; puede a veces tener consecuencias desastrosas. Cuando se elige un material para usos especiales no estructurales o para piezas de maquinarias, el uso determina la seleccin. Por ejemplo si se quiere seleccionar un conductor elctrico hay muy pocas posibilidades: se selecciona cobre o alguna aleacin de este; aluminio o plata. Quien condiciona esta seleccin es primeramente la conductividad y despus el costo y la relacin resistencia / peso. La seleccin de un material est fuertemente condicionada por el factor costo y otros que se pueden traducir a costos. En la actualidad se conoce materiales ultra resistentes o sper plsticos, que por su alto costo son prohibitivos para usos comunes de ingeniera. Los polmeros de ltima generacin o las superaleaciones tienen excelentes propiedades mecnicas y qumicas, pero su costo dificulta su seleccin. Tambin es usual traducir a costos la dificultad para encontrar un material en el mercado (disponibilidad), debido a la poca demanda de este o porque requiere de un procesamiento previo para su uso. Esta dificultad se acrecienta cuando se requiere un material elaborado, por ejemplo una pieza de un diseo especial. Es frecuente reemplazar piezas metlicas por piezas fundidas de similares caractersticas, pero el costo de estas ltimas est relacionado con la cantidad de piezas que se necesite y el precio unitario a veces resulta oneroso. Tambin se traduce a costos a veces la necesidad de reemplazar materiales peligrosos para la salud por otros ms seguros. Por ejemplo el conocido PVC, que representa el 15% del mercado de los polmeros, est fuertemente cuestionado pues aunque aparentemente es inocuo para los usuarios, es muy peligroso para los operarios de las fabricas que lo producen, por ser cancergena alguna de las materias primas para su elaboracin. Es posible que en el futuro se prohba la produccin de PVC, como ya lo est en algunos pases la produccin de artculos de asbesto; el uso de revestimientos de cadmio; algunos usos de poliisocianatos (poliuretanos) o el uso de organofluorados como agente espumante. La seleccin de materiales tiene entonces tambin un componente moral, al elegir aquellos que no afecten el ambiente o directamente la salud de las personas. La seleccin final de un material se hace comparando las bondades de los que se ha denominado mas promisorios. Para ello se usan tablas de comparacin, en que a cada propiedad se le califica con un valor numrico. El material que rena el mayor el mayor puntaje ser el elegido. Normalmente se califica las propiedades as: 5 Excelente; 4 Bueno; 3 Regular; 2 Deficiente, 1 Malo. Cuando las calificaciones sean muy parecidas entre dos materiales, se centra la atencin en la propiedad determinante o

ms importante. La resistencia o la tenacidad, cuya medida se expresa en valores numricos son fciles de calificar. Tambin lo son las relaciones resistencia / peso o resistencia / costo, no as otras propiedades de carcter mas bien cualitativo. Hay que tener cuidado con este tipo de cuadros comparativos, pues a veces distorsionan ms que clarifican los criterios de seleccin. Por otra parte la experiencia del diseador a veces reemplaza con ventajas a estas tablas. Estructura de la materia La materia est formada por tomos y estos por partculas subatmicas, de las cuales las ms importantes son: protones; neutrones y electrones. Los elementos puros estn formados por tomos iguales, esto es con el mismo nmero de protones y de electrones, cada uno. Por ejemplo todos los tomos de cobre tienen 29 protones y 29 electrones cada uno y todos los tomos de hierro tienen 26 protones y 26 electrones. El cobre tiene 44 45 protones en cada tomo y el hierro 30. Lo que diferencia un elemento de otro es el nmero de protones (o de electrones) en sus tomos. Por ejemplo si un tomo tiene 30 protones y no 29, ya no es un tomo de cobre, sino que de zinc y sus propiedades son diferentes. Los protones y los neutrones estn en una pequea parte en el centro del tomo, que se denomina ncleo atmico y los electrones en un amplio volumen, en relacin al tamao del ncleo, pero muy pequeo en relacin al tamao de nosotros. Los electrones no estn en cualquier lugar alrededor del ncleo, sino en zonas muy definidas denominadas orbitales electrnicos. Cada electrn se caracteriza por cuatro valores, denominados nmeros cunticos, que definen la forma del orbital en que se ubican y su nivel de energa. A continuacin se tabula los diferentes nmeros cunticos: n = nmero cuntico principal l = nmero cuntico de forma ml = nmero cuntico magntico ms = nmero cuntico de spin puede tener los valores n = 1, 2, 3, 4, ...... puede tomar los valores l = 1, 2, 3, 4, .... n-1 vara entre l y l (l, -l + 1, .......0, .....l 1, l) sus valores son + y solamente

Por ejemplo si un electrn tiene el nmero cuntico principal n = 3, el nmero cuntico de forma l puede tomar los valores: 0; 1; 2, el nmero cuntico magntico puede tomar los valores: -2; -1; 0; 1; 2 y el nmero cuntico de spin los valores ; . El tomo ms simple es el tomo del hidrgeno, que tiene un solo protn y un electrn. Este electrn , en su menor valor de energtico en equilibrio, tiene: n = 1; l = 0; ml = 0 y ms = - . El segundo elemento, el helio tiene tomos de dos protones, dos neutrones y dos electrones. El primer electrn del tomo de helio tiene nmeros cunticos: n = 1; l = 0; ml = 0 y ms = - , es decir similares al del electrn del tomo de hidrgeno. El segundo electrn del tomo de helio tiene los nmeros cunticos: n = 1; l = 0; ml = 0 y ms = + . El litio es el tercer elemento. Sus tomos estn compuestos por tres protones; cuatro neutrones y tres electrones. Los nmeros cunticos de sus electrones son respectivamente: n = 1; l = 0; ml = 0 y ms = - , para el primer electrn; n = 1; l = 0; ml = 0 y ms = + , para el segundo y n = 2; l = 0; ml = 0 y ms = - , para el tercero. Los orbitales electrnicos estn determinados por los dos primeros nmeros cunticos y para no confundir al segundo nmero cuntico, es decir a l se le reemplaza por una letra, de la siguiente forma: l = 0 s ; l = 1 p ; l = 2 d ; l = 3 f . As el orbital en que se ubica el electrn del tomo de hidrgeno se denomina 1s (nmero cuntico principal igual a uno y nmero cuntico de forma igual a cero). En condiciones normales los electrones se ubican en los niveles de menor energa, es decir los de combinacin de nmeros cunticos menores. En cada orbital pueden ubicarse slo dos electrones, de acuerdo al principio de exclusin de Pauli. Estos electrones tendrn el nmero cuntico de spin , el primero y + el segundo. En un tomo no puede haber dos electrones con los mismos nmeros cunticos. La forma de llenado de los orbitales, desde menor a mayor energa, se puede obtener con la siguiente regla prctica (mtodo de la lluvia), que se explica en la figura N1. Esto indica que el orden de llenado es: 1s; 2s; 2p; 3s; 3p; 4s; 3d; 4p; 5s; ..... Los orbitales ns, aceptan slo hasta dos electrones; los 3 orbitales np aceptan hasta seis electrones; los cinco orbitales nd, aceptan hasta 10 electrones y los siete orbitales nf pueden alojar hasta 14 electrones. Por ejemplo el tomo de carbono que tiene seis electrones, tendr dos en el orbital 1s; dos en el orbital 2s y los dos restantes estarn en los orbitales 2p. El tomo de hierro, que tiene 26 electrones, tendr una configuracin electrnica orbital de: 1s2, 2s2, 2p6, 3s2; 3p6; 4s2; 3d6 . Sumando los nmeros que estn en la posicin de exponentes, tenemos: 2 + 2+ 6 + 2 + 6 + 2 + 6 = 26 . De esta manera, y sabiendo

cuantos electrones puede aceptar cada orbital, se puede determinar la configuracin electrnica orbital de cualquier elemento. Nmero cuntico de forma Nmero cuntico principal o capa

1 2 3 4 5 6

s 1s 2s 3s 4s 5s 6s

p 2p 3p 4p 5p 6p

f
Figura 1 Secuencia de llenado de los orbitales. Los orbitales se llenan de arriba hacia abajo, siguiendo la direccin de las flechas

3d 4d 5d 6d

4f 4f 6f

En la figura 2 se muestra una aproximacin a la forma de los tomos de hidrgeno y de carbono.

Orbital 2s (2 electrones)

Orbital 1s (dos electrones) Orbital 1s (sector del espacio en que est el electrn)

Orbitales 2p (2 electrones)

protn

Ncleo (6 protones y 6 neutrones)

tomo de hidrgeno (1 protn y 1 electrn)

tomo de Carbono (6 protones; seis neutrones y seis electrones)

Figura 2

Como se aprecia en la figura 2, el sector del espacio en que pueden ubicarse los electrones, llamado orbital electrnico, tiene forma complicada. Los orbitales ms simples son los del tipo s, que son de forma esfrica, es decir, un electrn que se ubique en un orbital de este tipo puede estar en cualquier parte de esta esfera. Los orbitales p tienen forma de husos dobles (lemniscata de revolucin). Los orbitales d tienen formas de husos cudruples y los orbitales f tienen forma an ms complicada. Los orbitales de menor energa son quienes primero se llenan. Es decir, el orbital de menor energa es el 1s. Si un tomo tiene electrones de diferente energa (como el de carbono), estos se ubican en diferentes orbitales. En la figura 3 se muestra la forma de los orbitales s (sharp); p (principal) ; d (difus) y f (fundamental).

orbital s

orbitales p

Figura 3 (primera parte)

d x2 y 2

d z2

dzy

dxz

dyz

orbitales d

orbitales f

Figura 3 (segunda parte)

Debido a la complejidad del modelo atmico, a menudo se representa los tomos en una forma ms sencilla, con el ncleo al centro y los electrones en circunferencias concntricas de acuerdo a la capa en que estn. En la figura 4 se muestra el tomo de carbono. Esta sencilla representacin no debe hacernos olvidar que la estructura del tomo es compleja; que los electrones se disponen en orbitales de diferentes tipos y formas, segn su nivel de energa y que tanto protones como neutrones estn en una minscula parte en el centro del tomo, llamado ncleo.
ncleo

electrones

Figura 4 Modelo simplificado de un tomo de carbono Algunas caractersticas de las partculas subatmicas son: Electrn Protn Neutrn masa: 9.046 10 - 28 gramos; carga: 1.602 10 19 coulombios (carga negativa) masa: 1835 veces la del electrn; carga: igual a la del electrn pero positiva masa: igual a la del protn; carga: sin carga

(los electrones, por ser las partculas mas pequeas de la materia, tienen un comportamiento dual: se comportan tanto como partculas, como ondas. La masa que se indic corresponde a su estado de partcula, ya que las ondas no tienen masa)

La mayora de las propiedades de las substancias estn determinadas por los electrones, especialmente los mas externos o de mayor energa. Estos electrones se denominan electrones de valencia y en el caso de los metales los electrones exteriores estn en la banda de conduccin, es decir al moverse a travs de todo el metal, conducen la electricidad. Ya se dijo que todos los tomos de cada elemento qumico tienen la misma cantidad de protones y/o de electrones. A esta cantidad de protones (o de electrones) se le designa como nmero atmico (Z). Al ordenar los elementos segn su nmero atmico, Mendeleyev (un qumico ruso), encontr que haba propiedades que se repetan peridicamente. Esto dio origen a la primera Tabla Peridica de los Elementos. Esta tabla se ha perfeccionado con el tiempo y en la actualidad se usa la tabla que se muestra en la figura 5. El nmero superior que hay en cada casilla de la tabla corresponde al nmero atmico. Por ejemplo el nmero atmico del plomo (Pb) es el 82, esto significa que cada tomo de plomo tiene 82 protones y 82 electrones. Adems de la ordenacin por nmero atmico hay una ordenacin en filas; una ordenacin en columnas y una ordenacin por colores. La ordenacin en filas se hace segn el nmero cuntico principal de los electrones mas alejados del ncleo. Este nmero cuntico se denomina en este caso: perodo. Entonces la plata (Ag) que corresponde al perodo 5, tiene sus electrones ms lejanos al ncleo en los orbitales 5s y el plomo, de nmero atmico 82, tiene los electrones ms lejanos al ncleo en los orbitales 6s y 6p. La ordenacin en columnas o grupo indica elementos con igual nmero de electrones de valencia, es decir con el mismo nmero de electrones en sus orbitales de mayor energa. Por ejemplo el litio (Li); el sodio (Na); el potasio (K); el rubidio (Rb); el cesio (Cs) y el francio (Fr) pertenecen al grupo 1 I (primero), por tener un solo electrn de valencia ubicado en los orbitales s (1s; 2s; 3s; ...). Esto hace que tengan iguales propiedades qumicas y que por lo tanto se les clasifique como metales alcalinos. Estos elementos son muy electropositivos por tener fuerte tendencia a perder ese electrn y as quedar cargados positivamente. Esto les hace ser muy oxidables. El carbono (C); silicio (Si); germanio (Ge); estao (Sn) y plomo (Pb), pertenecen al grupo IV, pero por razones difciles de explicar a este nivel, tienen propiedades diferentes entre ellos, siendo el de menor nmero atmico (carbono) un no metal y el de mayor nmero en ese grupo un metal (plomo). El grupo VII es el de los halgenos, que tienen 7 electrones en su ltima capa, de manera que tienen valencia 1

(les falta un electrn para completar el orbital p) y adems son fuertemente electronegativos por tener una fuerte tendencia a captar un electrn y as cargarse negativamente. Tambin pueden tener valencias 3; 5 y 7.

IA II A III A IV A V A VI A

VIII A

III B

VIII B

I B II B

Figura 5 Tabla Peridica de los Elementos. Versin actual El grupo VIII est formado por elementos denominados gases nobles. Por tener su ltima capa llena (llenos los orbitales s y p) no entran en reacciones qumicas, de all su nombre. De todos los grupos, los ms importantes para nosotros son los comprendidos entre el 3 y el 12, denominado el de los metales de transicin (estn en el rectngulo de color rosado en la tabla) y van, como se observa del nmero 21 al 30; 39 al 48; y 71 al 80. A este grupo pertenecen el titanio (Ti); vanadio (V); cromo (Cr); Manganeso (Mn); Hierro (Fe); cobalto (Co); nquel (Ni); cobre (Cu); zinc (Zn); Molibdeno (Mo); plata (Ag); Tungsteno (W); platino (Pt); oro (Au) y mercurio (Hg), entre otros. Estos metales son muy electropositivos, aunque no tanto como los del grupo I. Muchos de ellos son sensibles a la corrosin, por ser electropositivos. Son dctiles; tenaces y maleables y de all surge su importancia tecnolgica. Otros metales de importancia tecnolgica son los del bloque p, que aparecen en el tringulo gris azulado. Entre ellos estn el aluminio (Al); el estao (Sn) y el plomo (Pb). Sus propiedades son parecidas a las de los metales de transicin. Resumiendo, de izquierda a derecha, en la tabla, aumenta la electronegatividad, siendo el elemento ms electronegativo el fluor (F) y el ms electropositivo sera el francio (Fr). De arriba hacia abajo se incrementa el nmero de capas, con lo que aumenta el tamao de los tomos e igual cosa ocurre de izquierda a derecha, pues al aumentar el nmero de electrones, tambin aumenta el radio atmico. Todos los elementos de la misma columna tienen propiedades parecidas, con la excepcin de los de los grupos IV; V; y VI. Por esto ultimo se ha coloreado distintas zonas de la tabla, para agrupar los elementos de similares propiedades. Por otra parte en la regin inferior tabla hay dos filas. La primera de ellas es la de elementos lantnidos, que por propiedades debieran ocupar todos el lugar del elemento nmero 57 (el lantano) y la segunda es la de los elementos actnidos, de similares propiedades al actinio. Se les denomina genricamente elementos de transicin interna, aunque los

lantnidos tambin son conocidos como elementos de tierras raras. El nombre de transicin interna deriva del hecho que tienen los orbitales externos totalmente llenos y algunos internos parcialmente llenos. Estos elementos son muy escasos en la naturaleza y algunos de ellos tienen propiedades notables. Los actnidos son radiactivos y entre los lantnidos hay algunos que se usan en tecnologa de punta. La tabla peridica es, entonces, el resumen ms pequeo de las propiedades de los elementos qumicos. Para esta explicacin general se us una tabla simplificada, pero las tablas de uso comn dan ms informacin de cada elemento que la que se ha dado aqu. En la figura 6 se ampla una casilla correspondiente a un elemento en particular, con mayor informacin que la indicada en las casillas de la figura 5. En internet se puede encontrar muchas tablas peridicas interactivas, en que presionando la casilla correspondiente a un elemento en particular, se puede obtener una amplia informacin de ese elemento. nmero atmico nombre peso atmico valencia

26

Hierro
55.85 2; 3

Fe

smbolo

Figura 6 Informacin en una casilla de la tabla peridica

estructura cristalina

Enlaces atmicos y coordinacin La cohesin es producto de las atracciones interatmicas, las que a su vez dependen de la estructura electrnica de los tomos. El mecanismo que genera las atracciones interatmicas es el establecimiento de fuerzas (enlaces) entre tomos, por accin de los electrones de valencia. Los estudiantes que han cursado qumica saben que una configuracin electrnica particularmente estable es la de capa llena, es decir aquella en que todos los orbitales correspondientes al ltimo nivel cuntico principal, albergan dos electrones. No nos extenderemos en ese sentido, sino slo estableceremos una regla nemotcnica: Todos los tomos, cuando entran en relacin con otros tomos tienden a adquirir la configuracin de capa llena, esto es a llenar los orbitales de la ltima capa. Esta regla se conoce como Regla de los Octetos, ya que la mayora de los tomos al entrar en combinacin, completa la ltima capa con ocho electrones. Para que un tomo adquiera la configuracin de capa llena, tiene que ceder; captar o compartir electrones. Cuando sucede cualquiera de los dos primeros casos, resultan iones estables de carga neta positiva o negativa. En el ltimo caso se requiere de la formacin de un orbital molecular que albergue los electrones compartidos. En los tres casos se generan fuerzas de atraccin entre tomos, que se conocen como enlaces. Enlace inico. Este enlace es el resultado de la atraccin electrosttica de iones de carga opuesta. Se produce entre tomos de gran diferencia de electronegatividad (E.N. > 1.7 en la escala de Pauling). Es muy fuerte y no direccional. Lo anterior, lo explicaremos con un ejemplo: El sodio y el cloro, al combinarse, se enlazan inicamente. Para que ello suceda, el sodio que tiene una configuracin electrnica 1s2, 2s2, 2p6, 3s1; pierde el electrn 3s y queda con una carga neta positiva, convertido en un in Na+. El cloro por su parte tiene una configuracin 1s2, 2s2, 2p6, 3s2, 3p5. Esto le posibilita acomodar el electrn perdido por el sodio en la posicin 3pz, convirtindose en el in Cl-. Entre ambos iones (Na+ y Cl-) se establece una fuerza de naturaleza electrosttica, que los mantiene en una posicin relativa fija, impidiendo que se separen. Tal es el enlace Na+ -- ClExaminemos algo ms el caso anterior. Es claro que una carga elctrica puntual, produce un campo elctrico radial, de manera que es posible esperar que ms de un in cloro se asocie a un in central de sodio. Se asociarn tantos como sea espacialmente posible, sin que la repulsin entre los iones de cloro interfiera. El nico requisito que debe cumplirse es que el total de las cargas positivas sea igual al total de las cargas negativas. En la naturaleza el cloruro de sodio se presenta como un cristal inico, en que cada in Na+

est rodeado de seis iones Cl- y cada in Cl- esta rodeado de seis iones Na+. Esto puede observarse en la figura.

Na+ Cl-

Figura 7 Compuesto inico NaCl Veamos ahora cual es la longitud del enlace inico, o dicho de otra manera, cual es la distancia de equilibrio entre iones de carga opuesta. El enlace inico ya lo dijimos- es la fuerza que mantiene unidos a dos iones. Esta fuerza es de naturaleza electrosttica, de manera que tiene la expresin: Fa = k

q1q 2 a2

En esta expresin Fa es la fuerza de atraccin entre los iones; k es una constante; q1 y q2 son las cargas de los iones y a es la distancia entre ellos. En el sistema de unidades CGS, k = 1.

Si recordamos que q = Ze, en que Z es la valencia del in y e es la carga del electrn, la expresin precedente se reduce a: Fa =

Z1 Z 2 e 2 a n+1

Cuando la distancia decrece, llega un momento en que las nubes de electrones comienzan a repelerse. Esta fuerza de repulsin se ha determinado- responde a la relacin: Fr =

nb a n+1

en esta expresin a y b son constantes

Si se representa ambas fuerzas (Fa y Fr) en funcin de la distancia a, se obtiene la figura 8.

F Fa
Resultante Fa - Fr

ao
a Figura 8

Fr

En la figura se observa que si a = ao Fa = Fr . Esto significa que ao es la distancia de equilibrio. Es fcil deducir que ao es la distancia entre el centro de los iones que participan en el enlace. A la conclusin anterior se puede llegar tambin mediante consideraciones energticas. Si la energa necesaria para separar dos iones, desde a hasta una distancia infinita es: E= Entonces: E=

FdA

( Fa + Fr )dA =

Z 1 Z 2 e 2 nb n+1 )dA a2 a

E=

Z1Z 2 e b + n a a

Graficando la expresin anterior, se obtiene la figura:

a
.

a r+
Figura 9.b

ao
Figura 9.a

r-

Sabemos que la condicin de equilibrio corresponde al nivel mnimo de energa. Este mnimo se da a la distancia de equilibrio. La distancia ao es tambin la longitud de enlace o la suma de los radios inicos, como se observa en la figura 9.b. Resumiendo, enlace inico es la fuerza necesaria para separar dos iones desde la distancia de equilibrio hasta el infinito. Enlace covalente. Cuando la diferencia de electronegatividad entre los iones es menor a 1.7 en la escala Pauling, estos comparten los electrones para adquirir la configuracin estable de capa llena. Si los electrones compartidos se alojan en uno o ms orbitales moleculares, ubicados en ambos tomos, se establece uno o ms enlaces covalentes. La fuerza que une los tomos es, tambin en este caso de naturaleza electrosttica; pero a diferencia del enlace inico, no se establece entre iones, sino entre una zona de alta carga negativa, que es el orbital molecular y dos cargas puntuales positivas, que son los ncleos atmicos. La figura 10 muestra un modelo grfico de este enlace. Orbital molecular
tomo tomo

Figura N 10

+ -

Los enlaces covalentes son muy fuertes, ya que las distancias de equilibrio suelen ser muy pequeas. Son de tipo direccional, pues la posicin de los tomos es fija respecto del orbital molecular y se producen en general para molculas discretas. La alta energa del enlace covalente se puede inferir del alto punto de fusin de algunos cristales covalentes como el diamante y el cuarzo, pues la fusin de estos implica la ruptura de enlaces covalentes. Enlace metlico. El enlace metlico no se puede explicar con un modelo tan sencillo como el de enlace covalente o inico. El modelo que explicaremos aqu es una primera aproximacin a este tipo de enlace. Cuando existen tomos que ejercen muy baja atraccin sobre sus tomos de valencia y cuando no es posible que dos tomos puedan establecer un orbital molecular estable, ubicado entre los tomos y que albergue electrones compartidos, los electrones se deslocalizan. Esto significa que pasan a pertenecer simultneamente a un gran grupo de tomos. Como cada tomo aporta uno o ms electrones a este gran orbital, esto genera un gran nmero de electrones deslocalizados. Este orbital especial se conoce como nube electrnica y como se ha dicho, no pertenece a ninguno de los tomos del material, sino a todos. Lo anterior sucede en un cristal metlico. Este tipo de cristales se puede considerar como un grupo ordenado de cationes (tomos que han perdido sus electrones de valencia), rodeado por todos lados por electrones libres. Tal como se muestra en la figura 11.

- -

Figura 11. Cationes metlicos en una nube electrnica El enlace se establece entre la nube de carga negativa y los cationes. Por estar los electrones deslocalizados en la nube, el enlace metlico es adireccional. El modelo de enlace recin descrito explica muchas de las propiedades de los metales, por ejemplo: Ductilidad y maleabilidad. Un metal puede deformarse plsticamente sin que se rompan los enlaces, ya que los cationes pueden moverse y reordenarse, sin que por ello deje de existir atraccin entre ellos y la nube electrnica. Brillo. Los electrones libres pueden activarse energticamente por absorcin de luz de cualquier longitud de onda y reemitir tambin en cualquier longitud. Alta conductividad elctrica y trmica. Los electrones libres pueden migrar en el cristal sin oposicin, conduciendo as la electricidad y los cationes pueden vibrar y transmitir vibraciones con entera libertad, transmitiendo as el calor. Fuerzas de van der Waals o enlaces secundarios. Existe otro tipo de fuerzas a nivel microscpico, que no une tomos, sino molculas entre si. Estas fuerzas son de naturaleza electrosttica y su magnitud es mucho menor que la de los enlaces primarios. Se les denomina genricamente Fuerzas de Van der Waals y se pueden clasificar en tres tipos: fuerzas dipolo dipolo; fuerzas de London y puente de hidrgeno. Las ms comunes son las primeras que estn presentes en la mayora de los polmeros. Nmero de coordinacin. Al explicar los enlaces se us modelos que involucraban, en general, dos tomos, pero en algunos casos nos salimos de ese esquema y consideramos un grupo mayor de tomos, con cierto patrn de ordenamiento. Ahora se intentar explicar la causa de este ordenamiento.

En un grupo de tomos, cualquiera de ellos (el tomo central) est rodeado por cierto nmero de tomos ms cercanos (perifricos). La cantidad de tomos ms cercanos a un tomo central, se conoce como nmero de coordinacin (NC). Este depende de dos factores principales: Cantidad de enlaces covalentes del tomo central Acomodamiento atmico La cantidad de enlaces covalentes del tomo central o covalencia en funcin de la cantidad de electrones de su ltima capa, de manera de cumplir con la regla de los octetos. As los tomos de los elementos del grupo I al IV pueden participar de 1 a N enlaces (N es el nmero del grupo) y los de los elementos de los grupos V al VIII pueden establecer 8-N enlaces covalentes. El acomodamiento atmico depende de la relacin de radios del tomo central respecto a los perifricos (r / R). A manera de ejemplo veamos que relacin de radios implica el nmero de coordinacin NC = 6. Para que el tomo central est rodeado de seis tomos perifricos, este debe ubicarse en el centro y los perifricos en los vrtices de un octaedro regular, tal como se muestra en la figura 12.

R+r R Figura 12.b

Figura 12.a De la figura 6.b, se puede obtener la siguiente expresin:

r+R 1 , = r cos 45

de aqu:

r = 2 1 = 0.414 R

En conclusin, el mayor valor que puede tomar la r/R, para que exista un nmero de coordinacin igual a seis es 0.414. Ejemplo de aplicacin Determinar la relacin r/R, para que exista un nmero de coordinacin de cuatro. Solucin Para que el tomo central est rodeado de cuatro tomos perifricos, debe ubicarse en el centro de un tetraedro regular y los perifricos en los vrtices. Esto se muestra en las figura 13. 2R

Figura 13.a Figura 13.b

R+ r

De la figura 13.b, se puede obtener la relacin:

2R r+R = sen sen

r + R 2 sen = R sen

r 2sen = 1 R sen

Pero para un tetraedro regular: = 35.2 y = 109.5 Entonces:

r = 0.225 R

En los ejercicios anteriores se ha desarrollado un mtodo geomtrico para la relacin de radios (r / R), que corresponde a un determinado nmero de coordinacin. Esta informacin se completa en la tabla siguiente. Relacin r / R < 0.154de 0.154 a 0.225de 0.225 a 0.414de 0.414 a 0.732de 0.732 a 11 Geometra de los cristales Como ya se dijo, los materiales de ingeniera son slidos cristalinos y amorfos. Son cristalinos todos los metales y aleaciones metlicas; muchos cermicos y muy pocos polmeros. Entre los polmeros cristalinos encontramos el llamado cristal lquido, que no es un lquido, sino un material slido que al pasar al estado lquido mantiene su cristalinidad (su ordenamiento molecular) y de all viene su nombre. Pero se usa en estado slido, para pantallas de televisores; computadores y como display en aparatos electrnicos; calculadoras; relojes digitales; etc. Son materiales amorfos el vidrio y algunos otros cermicos vitrificados, como los esmaltes, la loza y la gran mayora de los polmeros. Para aclarar los trminos precedentes, se explicar lo que es un cristal y por defecto, se entender lo que es un material amorfo. Un cristal es un numeroso conjunto de tomos; de iones o de molculas ordenados en todas las direcciones del espacio. Cuando se dice numeroso, se est hablando de muchos miles de millones o de cantidades an mayores de estos tipos de partculas. En la figura 14 se muestra una celda unitaria de un cristal inico de cloruro de sodio, con el fin de explicar como es fsicamente un material cristalino. Mas adelante se definir el concepto de celda unitaria o celda unidad. N. de C. 2 3 4 6 8 12 Disposicin de los tomos exteriores En lnea con el tomo central En los vrtices de un tringulo equiltero En los vrtices de un tetraedro regular En las esquinas de un octaedro regular En los vrtices de un cubo Estructura FCC HCP

ClNa+

Figura 14 Celda unitaria del cloruro de sodio

En la figura precedente se muestra que en un cristal, en este caso inico, los iones estn perfectamente ordenados, esto es, se va a encontrar que se repiten los iones a distancias regulares, en cualquier direccin del espacio, como se muestra en la figura 15.

a a

a a

Figura 15 Repeticin a distancias regulares de los iones, en el NaCl

Esta repeticin cclica que se muestra en las tres direcciones del espacio, se da en un cristal en cualquier otra direccin. En tal caso se mantiene la repeticin a distancias regulares, pero esas distancias son diferentes al valor a. Para verificar lo anterior, se pide a los estudiantes probar en las direcciones diagonales. En la figura 14 se muestra tambin que la celda unitaria tiene una forma geomtrica simple, en este caso un cubo. En general las celdas unitarias tienen formas simples de paraleleppedos, es decir de figuras geomtricas de seis caras, que son paralelas e iguales de a pares. As, apilando celdas unitarias, una al lado o encima de otra, tal como se hace con las cajas en un almacn, se puede llenar todo el espacio sin dejar intersticios y formar un cristal. Ahora se puede definir celda unitaria o celda unidad: Ella es la figura geomtrica asociada al menor conjunto de tomos ordenados, que al repetirse en todas las direcciones del espacio originan un cristal. Hay slo siete formas posibles para una celda unidad. Ellas se definirn con ayuda de la figura 16. C

a
Figura 16 Celda unitaria genrica

c
A

En la figura 16 se muestra que la forma y las dimensiones de una celda unitaria se pueden definir en base a seis parmetros. Tres de ellos son longitudes (a; b; c) y los otros tres son ngulos (; ; ). Combinando adecuadamente estos parmetros se puede llegar a generar las siete formas que puede tener una celda unidad como ya se dijo. En la tabla siguiente se muestra, en la segunda columna, las combinaciones de parmetros que ya se indic. En la primera columna se indica el sistema cristalino (la forma de la celda unitaria) que se origina de una combinacin particular de parmetros y en la tercera columna se muestra las redes espaciales de tomos que pueden originarse cuando estos ocupan slo los vrtices de esas celdas unitarias (redes simples) y cuando ocupan otras posiciones cristalogrficas de las celda (centro de las caras; centro del cuerpo y centro de las bases). Como se ve, a cada forma de la celda unitaria corresponde un sistema cristalino, de manera que existen slo siete sistemas cristalinos. Y todos los cristales de la naturaleza tienen celdas unitarias de alguna de estas siete formas.

SISTEMA Cbico

PARMETROS = = = 90 a=b=c = = = 90 a=bc = = = 90 abc = = 90 a=b=c = = 90, = 120 a=bc = = 90, 90 a bc 90 a bc

Tetragonal Ortorrmbico

Rombodrico Hexagonal Monoclnico Triclnico

REDES DE BRAVAIS Simple Centrada en el cuerpo Centrada en las caras Simple Centrada en el cuerpo Simple Centrada en el cuerpo Centrada en las bases Centrada en las caras Simple Simple Simple Centrado en las bases Simple

FORMA CELDA

Cbica

Tetragonal

Hexagonal Los metales comunes cristalizan en alguno de estos sistemas, como se muestra en la tabla 4. Sistema cbico Centrado en el cuerpo Centrado en las caras Aluminio Hierro (T < 910C) Hierro (T > 910C) Molibdeno Nquel Cromo Cobre Tungsteno Paladio Sodio Plata Potasio Platino Titanio (T > 882C) Oro Plomo Sistema hexagonal Berilio Cobalto Magnesio Titanio (T < 882C) Cinc Zirconio Sistema tetragonal Estao S. Rombodrico Antimonio Bismuto Mercurio S. Ortormbico Uranio

En relacin a lo anterior, se puede entonces definir un sistema cristalino como la forma de la celda unitaria que al repetirse en el espacio, forma un cristal y como red cristalina se entiende el arreglo de puntos en el espacio, que al ser ocupados por tomos originan el cristal. Los metales son en general policristalinos, es decir, estn formados por muchos microcristales orientados en cualquier direccin del espacio. La naturaleza cristalina de los metales determina alguna de sus propiedades (la posibilidad de fracturarse a travs de los lmites de grano). La deformacin plstica y la fractura de los materiales metlicos, entre otros, son fenmenos que dependen fuertemente de la estructura y la orientacin cristalina. Por lo tanto es conveniente identificar en un cristal diferentes direcciones y planos cristalinos. El sistema de notacin para direcciones y planos se denomina: ndices de Miller y se describe a continuacin. ndices de Miller Este sistema de notacin es sencillo para el sistema cbico. Cada plano cristalino se indica por tres dgitos o ndices encerrados en un parntesis redondo, as: (h k l). Cada direccin se designa tambin por tres dgitos, pero encerrados en parntesis cuadrado, as: [h k l]. Ahora veremos como se determinan esos ndices.

z
(0, 0, a) (a, 0, a) (a, a, a) (0, a, a)
Primer paso (planos y direcciones): Se designan los distintos puntos de la celda unitaria por sus coordenadas, segn el sistema cartesiano (x, y, z). Como la celda cbica tiene parmetro de celda a, segn se muestra en la figura 17, los puntos considerados tienen las coordenadas que se indica.

(0, a, 0) (a, 0, 0) (a, a, 0)

z
(0, 0, 1) (1, 0, 1) (1, 1, 1) (0, 1, 1)
Segundo paso (planos y direcciones): Se considera que el lado de la celda cbica vale la unidad (a = 1), entonces los puntos considerados tienen ahora las coordenadas que se indican en la figura 18

(0, 1, 0) (1, 0, 0) (1, 1, 0) a=1

y
Tercer paso (direcciones): Se toman los componentes del vector direccin, tal como ya se indic: h en la direccin del eje x; k en la direccin del eje y; l n la direccin de z. Entonces las direcciones indicadas sern: A Componentes: 1; 1; 0 ndices de Miller: [1 1 0] (notese que no hay comas entre los dgitos, en los ndices de Miller y que se usa parntesis cuadrado para indicar que se trata de una direccin)

D
B Componentes: 1 ; 1; 1 ndices de Miller: [111]

B C

y
A

C Componentes: 1; 0 ; (el sistema de ndices de Miller no acepta fracciones, luego hay que amplificar por dos) ndices de Miller: [201] D Componentes: -1 ; 1 ; 0 como no se puede colocar el signo antes de cada ndice, este se coloca arriba de el, entonces se tiene: ndices de Miller 1 10

[ ]

Normalmente no se indican los ejes al determinar los ndices de las direcciones y por comodidad el origen se coloca en el punto de partida del vector direccin. Entonces para ejercitarse se propone a los estudiantes determinar las direcciones indicadas en la figura 20.

[ [ [ ] ]

] [ ]

] [ ]

Figura 20 En el caso de los planos cristalinos, se procede en una forma diferente: Para determinar los ndices de Miller de un plano, se encuentra las intersecciones de ese plano con los ejes A, B y C. Se calcula el recproco del valor de esas intersecciones y se forma el conjunto de enteros ms pequeos, que guarden entre si igual relacin que los recprocos. Este conjunto se denomina ndices de Miller y se denota con la expresin: (h, k, l). La unidad en cualquier eje es el mdulo del vector base, en esa direccin. La figura 21 muestra un plano genrico que intersecta con los ejes cristalinos.

C 1/l=3

v v v (a , b , c )
B 1/k=4 A 1/h=2 Figura 21 Obtencin de los ndices del plano (6 3 4)

En la figura, el conjunto de intersecciones es: 2 4 3

El conjunto de recprocos de las intersecciones es: 1/2 1/4 1/3

Amplificando se encuentra el conjunto de enteros ms pequeos que est en la misma relacin de los recprocos, que es: 12 / 2 = 6; 12 / 4 = 3; 12 / 3 = 4

Entonces los ndices de Miller del plano considerado son: (6 3 4).

Ntese que para determinar los I. de M., hemos amplificado el conjunto de recprocos por su mximo comn divisor, en este caso 12. Ntese adems que este sistema de notacin asigna iguales I. de M. a todos los planos paralelos. De igual forma que en el caso de las direcciones, si hay un ndice negativo el signo menos se coloca arriba del ndice, pero ahora los ndices se encierran en parntesis redondo para indicar que se trata de un plano. Entonces: [ h k l ] es una direccin ( h k l ) es un plano Para ejercitarse en el uso de los ndices de Miller para planos, se identificar los planos mostrados en las figuras 22; 23 y 24.

Intersecciones: Inversos: ndices de Miller: B

1 ; 1 ; 1 ; 1 ; 2 ( 1 1 2)

Ntese que no hubo necesidad de amplificar

Figura 22 A

Intersecciones: Inversos:

1 ; ; 1 1 ; 0 ; 1

Figura 23 B

ndices de Miller: ( 1 0 1) Notese que se habra obtenido el mismo resultado si el origen se hubiera tomado en la posicin ( 0, 1, 0), es decir en el vrtice posterior inferior - derecho

Es claro que ahora debemos tomar el origen en la posicin (1, 1, 1), entonces: Intersecciones: Inversos B ndices de Miller: A Figura 24 - 1 ; - 1 ; -1 - 1 ; - 1 ; -1

(1 1 1 )

ndices de Miller para sistema hexagonal Para designar los planos y direcciones en sistema hexagonal se puede usar tres dgitos, considerando slo el paraleleppedo formado por los ejes a1; a2 y c, que se muestran en la figura 25 o se puede usar una notacin de cuatro dgitos, considerando los cuatro ejes indicados en la figura, con el procedimiento que se describir a continuacin.

En ambos casos se procede inicialmente de la misma a3 manera que se indic para obtener los ndices en sistema cbico, es decir, considerando slo la celda que se muestra con lneas llenas. Entonces el plano de la figura 14 corta al eje a1 en el valor 1; al eje a2 en el valor 1 y es paralelo al eje c, a2 esto es, lo corta en el infinito. Los inversos respectivos son: 1; 1 y 0, por lo que en notacin de tres dgitos, ese plano sera ( 1 1 0 ). En trminos genricos, los ndices de Miller se a1 designan como ( h k l ), de manera que entonces: h = 1; k = 1 y l = 0 , en este caso. Si se desea usar una notacin de cuatro Figura 25 Celda unitaria hexagonal dgitos, como se acostumbra para indicar que se trata de un plano en una estructura hexagonal, el cuarto dgito, llamado i, se obtiene por la expresin: i = - (h + k ) y se coloca en el tercer lugar. De manera que el plano en cuestin sera (112 0 ).

Figura 26 designacin de un plano

Figura 27 designacin de una direccin

En el caso de las direcciones en notacin de cuatro dgitos, se procede en forma diferente. La direccin mostrada en la figura 20, en tres dgitos sera [011], pero en cuatro pasa a ser [1 2 1 3]. Para hacer esta transformacin se considera que en notacin de tres dgitos, la direccin es [ H K L] y que en notacin de cuatro es [ h k i l ], entonces para pasar de una a otra notacin se usa la frmula de transformacin: h = 1/3 (2 H K ) k = 1/3 (2 K H) i = - (h + k ) l = L Se recomienda comprobar la transformacin que ya se hizo para verificar que [011] y [1 2 1 3] representan a la misma direccin en sistema hexagonal. Adems se propone representar y transformar a cuatro dgitos las siguientes direcciones hexagonales: [ 1 1 2 ]; [ 1 1 1]; [ 1 0 0 ] y [1 10] . Relaciones ms comunes en cristalografa El sistema cbico es el ms simple de estudiar. A continuacin se ver algunas relaciones que se pueden hacer en los cristales cbicos. Parmetro de red: a, en estructuras cbicas
a = 2 R , en estructura SC;

a=

4R 3

en estructura BCC

a=

4R 2

en estructura FCC

Parmetros de la estructura hexagonal compacta (HCP) a = 2R y

c=a 8 = 1.63299a 3

(en los cristales no se da exactamente ese valor)

Densidades atmicas. En los cristales se define varias densidades atmicas: Densidad lineal ( Dl ) : tomos dis tan cia tomos Dp = rea Dl =

Densidad planar ( Dp ) : Densidad volumtrica ( Dv ) :

Dv =

tomos volumen

Para usar esas definiciones se calcular la densidad lineal, en la direccin [100]; la densidad planar, en el plano (110) y la densidad volumtrica del hierro. El hierro tiene estructura BCC y su radio atmico es 1.24 ngstrom = 1.24 10-8 cm.

a 2

Las figuras muestran respectivamente que en la distancia a hay un tomo; que en el plano (110) hay dos tomos dentro de la celda; que un vrtice de la celda unidad hay un octavo de tomo y que el tomo central est totalmente dentro de la celda.

Aplicando las expresiones para densidad, se tiene:

Dl = 1 1 3 3 tomos = = = 34920379 a 4R 4 1.24 10 8 centmetro

Dp =

2 a2 2

2 ( 3) 2 tomos = 1.7245 1015 2 cm 2 (4 R ) 2

Dv =

1 + 8 (1 8) 2 3 3 tomos = = 8.5166 10 22 3 3 a 64 R cm 3

Por ltimo la densidad (msica) del hierro es:

D=

D 55.85 masa gramos = Dv masa atmica = v = 7.898 volumen 6.022 10 23 cm3

Defectos cristalinos Hasta ahora se ha considerado slo cristales perfectos, esto es, todos los tomos del cristal estn ubicados exactamente en las posiciones determinadas pos una red cristalina perfecta. En la naturaleza no existen estos cristales. Los defectos y cristalinos son en gran medida los responsables de las propiedades mecnicas y elctricas de los materiales. Segn su extensin en el espacio, podemos clasificar los defectos cristalinos en cuatro grandes grupos, a saber: Defectos puntuales Defectos de lnea Defectos de superficie Defectos volumtricos Defectos puntuales. Este tipo de defectos afecta slo puntos reticulares. Se los puede dividir en cinco grupos Vacancias tomo sustitucional tomo intersticial Defecto de Schottky Defecto de Frenkel Vacancias. Es el defecto ms simple, pues constituye la ausencia de un tomo de un punto reticular que debiera estar ocupado. Las vacancias pueden resultar de una cristalizacin imperfecta o de vibraciones trmicas. Pueden ser simples (figura 28) o condensarse formando huecos mltiples, cuando existen dos o ms muy cercanas.

Figura 28 Vacancia simple

Figura 29 Doble vacancia condensada

La existencia de vacancias en un cristal explica el fenmeno de difusin reticular, como se explicar ms adelante. Dependencia del nmero de vacancias de la temperatura. Supngase que en un cristal existen no posiciones atmicas, ocupadas por n tomos y nv vacancias. Supngase adems que los lugares vacantes son creados por migracin de los tomos hacia la superficie, como muestra la figura 30.

(a)

(b) Figura 30 Generacin de una vacancia

(c)

El nmero de vacancias respecto al nmero de posiciones atmicas en un cristal est dado por la expresin:
f nv N o kT RT =e =e no

Qf

En esta expresin: nv es el nmero de vacancias de equilibrio; no es el nmero de posiciones atmicas; R es la constante universal de los gases (R = 1.987 cal /mol K); T es la temperatura en grados Kelvin y Qf es la energa de activacin para formar vacancias. Los valores de Qf son caractersticos para cada metal y se pueden conseguir en bibliografa. Ejemplo de aplicacin La energa de activacin para formar un mol de vacancias, para el cobre vale 20000 cal / mol. Calcular la concentracin de vacancias de equilibrio a 300 K; 1355 K y 0 K . Solucin: A 300 K A 1355 K A 0 K nv / no = e-20000 / 600 = 4.45 x 10-15 nv / no = e-20000 / 2710 = 7.6 x 10-4 nv / no = e- = 0

Atomo intersticial. Este defecto consiste en la ubicacin de un tomo extrao en un intersticio de la red cristalina . Este defecto tambin provoca endurecimiento de los metales. Una distribucin homognea de tomos intersticiales da origen a una solucin slida intersticial. (a) (b)

Figura N 31 a) tomo sustitucional, b)tomo Intersticial

Defectos de linea: dislocaciones. Existe una gran diferencia entre los valores tericos y los valores reales del esfuerzo de fluencia en los metales. Por ejemplo en el magnesio la fluencia se presenta a 100 lb / pulg2 y el esfuerzo terico de fluencia es del orden de 106 lb / pulg2.

Examinemos este caso con mas detalle. Si se somete a traccin una probeta pulimentada de un material que presenta fluencia prolongada, se observa que en la fluencia aparece una serie de lneas a 45 respecto a la direccin de la traccin ( lneas de Lueders). Estas lneas coinciden con la direccin del esfuerzo mximo cortante, para esfuerzos principales en una sola direccin, y su aparicin sugiere deslizamiento de planos cristalinos. Supongamos que tenemos una probeta formada por un monocristal de magnesio (HCP), en que los planos bsales compactos forman un ngulo de 45 con la direccin de traccin, y supongamos que la fluencia se produce por deslizamiento de un plano compacto sobre otro ( ver figura 32) r 2r

Figura 32 Deslizamiento de planos compactos. a) Antes de deslizar, b) Posicin de deslizamiento La deformacin angular (), es en este caso aproximadamente = r/2r = . Ademas se sabe que para el magnesio, el modulo de elasticidad para corte (G) vale 2.5*106 psi, de manera que el esfuerzo de corte teorico, para producir el deslizamiento es: t = G = 2.5 x 106 = 1.25 x 106 Y como el esfuerzo de corte en la fluencia real es:

1 1 r = o sen(2 ) = o sen90 = 50 lb / pu lg 2 2 2 Entonces la discrepancia entre el valor terico y el valor real del esfuerzo de fluencia es del orden de 104.
En todos los metales la discrepancia entre el valor terico y el valor real de fluencia es parecido a este. La discrepancia se debe a que hemos considerado un cristal perfecto, en que todos los tomos de un plano compacto se mueven en la misma medida, respecto a los tomos de un plano paralelo inmediato, lo que implica rotura de muchos enlaces. En la realidad el deslizamiento se produce, como veremos mas adelante con la rotura de unos pocos enlaces. En la actualidad se acepta que el deslizamiento de planos se produce debido a la existencia de un defecto cristalino llamado dislocacin. En forma genrica definiremos dislocacin como una discontinuidad en la red cristalina, que se produce a lo largo de una lnea ( direccin). Esta discontinuidad puede ser de dos tipos: Interrupcin de un plano de tomos. En este caso se ha habla de dislocacin de borde Deslizamiento simultaneo de un grupo de planos, respecto a otro grupo de planos, en una magnitud que varia de cero hasta una distancia atmica. En este caso se habla de dislocacin de hlice (figura 33).

a b

Figura 33 Dislocacin de borde. Figura 34 Dislocacin de hlice a) Plano atmico extra a) Lnea de dislocacin b) Lnea de dislocacin Dislocacin de borde. Consideremos un cristal cbico simple perfecto, en dos dimensiones (figura 35.a). En dicha figura se ha dibujado un circuito cerrado, en sentido horario, llamado circuito de Burgers. Ntese que el circuito considera el mismo numero de tomos en cada direccin, hasta cerrarse en el mismo tomo en que comenz. En caso de existir una dislocacin de borde( figura 35.b), el circuito no se cierra. El vector b , que une el ultimo, con el primer tomo del circuito se denomina vector de Burgers. Su modulo es una distancia atmica y su direccin estn dados por la posicin del ultimo y primer tomos de circuito de Burgers. Si aplicamos un esfuerzo de corte en la forma que indica la figura 23.c, los planos atmicos que estn por debajo del plano m-n, se irn reacomodando por movimiento sucesivo de los tomos sombreados de la figura, hasta que la dislocacin llegue al extremo del cristal (figuras 23c, d y e. Vase que la dislocacin se ha movido en sentido contrario al movimiento de los tomos.

(d) (e)

(a)

(b)

(c)

Figura 35 a) Circuito de Burgers, b)Vector de Burgers c), d), e) Movimiento de una dislocacin de borde bajo la aplicacin de un esfuerzo cortante positivo Una dislocacin de borde queda totalmente definida por su vector de Burgers, de la siguiente manera: La direccin de la dislocacin es perpendicular al vector de Burgers y paralela al plano de deslizamiento ( plano m-n) El movimiento de la dislocacin, bajo un esfuerzo de corte positivo, se efecta en la direccin del vector de Burgers, sobre el plano de deslizamiento La energa de la dislocacin es proporcional al cuadrado del vector E b2

De la figura 35 es fcil inferir que bajos esfuerzos de corte pueden producir deslizamiento de planos cristalinos, cuando en un cristal existen dislocaciones.

Los smbolos () y (T) indican respectivamente las dislocaciones de borde positiva y negativa. Esto es, que el plano atmico extra se encuentra en el primer caso sobre y en el segundo caso bajo el plano de deslizamiento Dislocacin de helice. Consideremos un cristal cbico simple (36a) y asumamos que cada cubo de la figura representa un tomo. En la figura 36a el circuito de Burgers se cierra, lo que implica inexistencia de una dislocacin. Si la parte anterior- superior del cristal se encuentra desviada, respecto a la parte anterior-inferior en una distancia atmica (figura 36b), el circuito de Burgers no se cierra y por lo tanto encierra una dislocacin. Ntese que la dislocacin existe sin que haya un plano atmico extra y que su direccin es paralela al vector de Burgers

(b) (a)

r b

(c)

Figura N 36 a) Circuito de Burgers, b) Vector de Burgers, c) Lnea de dislocacin y plano deslizamiento Una dislocacin de hlice queda totalmente definida por el vector de Burgers, de manera tal que : La direccin de la dislocacin es paralela al vector de Burges y esta contenida en el plano de deslizamiento. Al aplicar un esfuerzo cortante positivo, la dislocacin se mueve en direccin perpendicular a

r r r r b , en el sentido del vector b n donde n es la normal al plano de deslizamiento

El sentido de una dislocacin de hlice es indicado por el sentido del vector de Burgers. As pueden existir dislocaciones de hlice a la izquierda y a la derecha, como se observa en las figuras 37a y 37b.

(a)

(b)

Figura 37 a) Dislocacin de hlice a la izquierda. La lnea punteada genera un helicoide similar al de un tornillo con hilo izquierdo. B) Dislocacin de hlice a la derecha

Durante mucho tiempo las dislocaciones aparecan slo un modelo fsico, capaz de explicar la baja resistencia de los materiales, en comparacin con los valores tericos. Con la aparicin del microscopio electrnico, la existencia de dislocaciones qued fuera de toda duda. Hoy la fotografa de dislocaciones es cosa frecuente, de manera que ya nadie puede dudar de su existencia.

Ejemplo de aplicacin Si se acepta que la energa de una dislocacin vale: E Gb , demostrar que una dislocacin cuyo a vector de Burgers es a [110 ] no es estable y se descompone en: [111] + a 11 1 , para alcanzar el 2 2 equilibrio, es decir, su estado de mnima energa.
2

[ ]

Solucin: Para efectuar la demostracin pedida basta verificar que la suma de las energas de las dislocaciones producidas es menor que la energa de la dislocacin inicial. Se sabe que:

E Gb 2

de aqu a energa de las dislocaciones producidas es: E 2 G ( energa de la dislocacin inicial es:

a2 3 a2 3 + ) = 1.5 G a 2 4 4 E1 2 G a 2

y la

Entonces E 2 < E1 , que es lo que se deseaba demostrar. Defectos de superficie. Cuando se ataca una probeta metlica perfectamente pulida, con una solucin cida, se observa que est constituida por un gran nmero de microcristales o granos (figura 38). Se observa adems que cada grano est separado de los vecinos por lneas negras. Estas lneas que en la observacin microscpica se ven negras, corresponden al corte entre la superficie de la muestra y las superficies alabeadas que delimitan cada microcristal. En metalografa se denomina a estas superficies, lmites de grano y por extensin se denomina de igual modo a las lneas que se observa al microscopio.

Lmite de grano entre granos de ferrita (casi hierro puro)

Figura 38 Micrografa de un acero

Figura 39 Disposicin de los tomos en el lmite de grano

Los lmites de grano tienen el espesor de unos cuantos tomos, que no responden al patrn cristalino de ninguno de los cristales vecinos, tal como muestra la figura 39. Este desorden les confiere un mayor nivel energtico que el resto de los tomos. La alta energa libre de los lmites de grano tiene, entre otras, las siguientes consecuencias: Regula el tamao de grano Confiere alta actividad qumica a los tomos de estas regiones, como lo prueba el comportamiento frente a los reactivos usados en metalografa.

El defecto denominado lmite de grano, se puede interpretar tambin como un complejo conjunto de dislocaciones y como tal es responsable en gran parte de las propiedades mecnicas de los metales y aleaciones. Defectos volumtricos. En este grupo se puede incluir defectos tan dispares como inclusiones; grietas; poros; segregacin intergranular, etc. DIFRACCIN DE RAYOS X. La difraccin de rayos X es una tcnica que se usa para conocer la geometra de los cristales. En este curso se abordar el tema en forma muy superficial, slo con el objeto de complementar el tema de cristalografa. Los rayos X son un tipo de radiacin electromagntica, de longitud de onda comprendida entre 0.1 A y 10 A. Como cualquier otra radiacin E.M., los rayos X son difractados por una rejilla de difraccin. Para que exista difraccin, la radiacin debe tener una longitud de onda comparable a la distancia entre lneas de la rejilla. Los planos atmicos cumplen esta condicin frente a los R-X y por lo tanto los difractan. Cmo ocurre la difraccin?: Los rayos X que inciden sobre una red de tomos, excitan los electrones de estos. Al volver los electrones a su estado energtico inicial, emiten una radiacin de la misma longitud de onda del rayo incidente, en cualquier direccin. En otras palabras, una red de tomos dispersa el haz de R-X incidente en todas direcciones. Si un haz incide sobre un plano atmico, las nicas radiaciones que sufren interferencia constructiva son aquellas que tienen un ngulo de reflexin igual al ngulo de incidencia como se muestra en la figura 40. En ella, AA = BB, por lo que los rayos que venan en fase, siguen en fase, es decir, interfieren constructivamente. A B B A Figura 40

LEY DE BRAGG. Supongamos que un haz de rayos-X, paralelo y monocromtico (= constante), incide sobre un grupo de planos igualmente espaciados y se refleja con interferencia constructiva. (ver figura 41)

a b

Figura N 41

Se produce interferencia constructiva slo cuando: ab + bc = n , con n entero. Pero .... De all: ab = bc = d sen n = 2 d sen

La expresin anterior se conoce como Ley de Bragg. En dicha expresin, n es un entero positivo; es la longitud de onda de los R-X; d es la distancia interplanar y es el ngulo de incidencia del a haz, respecto al plano. Nota: La distancia interplanar se calcula con la expresin: d = h2 + k 2 + l2

EJEMPLO 1 Sobre los planos (110) de un cristal de Fe (BCC), incide un haz de rayos-X de longitud = 1.54 A. qu ngulos de reflexin producen interferencia positiva? El radio atmico del Fe es 1.241 A. Solucin:

Aplicando la Ley de Bragg, tenemos: n = 2dsen

= Arcsen(

n ) 2d

Pero:

d =

a h +k +l
2 2 2

4R 3 h + k + l2
2

= 2.028 A

De esto:

= Arcsen(0.379n)

Si n = 1, se tiene la reflexin de primer orden para: = Arcsen( 0.379) = 22.3 Si n = 2, se tiene la reflexin de segundo orden para: = Arcsen( 0.758) = 49.3 Si n = 3, el argumento de la funcin Arcsen, se hace mayor a uno, por lo tanto no existe, en este caso, reflexin de orden tres o superior. El ejercicio anterior muestra lo que ocurre con un haz monocromtico. Veamos ahora que sucede cuando incide un haz blanco ( de distintas longitudes de onda), sobre un plano atmico particular. Supongamos que mantenemos fijo un cristal y hacemos incidir sobre l un haz blanco, formando un ngulo de 60 respecto de los planos (100), espaciados entre si 2 A, y deseamos conocer qu longitudes de onda sufren interferencia constructiva. Usando la Ley de Bragg, tenemos: De esto: -

n = 2dsen = 2 2

3 = 3.465 A 2

Se tiene una reflexin de primer orden para = 3.405 A Se tiene una reflexin de segundo orden para = 1.732 A Se tiene una reflexin de tercer orden para = 1.155 A

De este resultado se deduce que un plano produce muchas reflexiones a un haz blanco, por lo que para limitar su nmero conviene cortar el haz, de manera que o

EJEMPLO 2 Determine la orientacin de los planos {111} del hierro, respecto de un haz de rayos-X, de longitud de onda 0.5 A, si este se refleja, en una reflexin de primer orden, a un punto situado a 5 cm del centro de una cmara de Laue. La distancia entre la placa y el cristal es de 10 cm. Determine tambin la longitud de la onda reflejada. La figura 42 muestra la trayectoria de los rayos que produjeron la reflexin citada.
cmara

Plano {111}

5 cm

cristal

Figura 42 Reflexin de rayos-X en una cmara de Laue

10 cm

En la figura 42: es el ngulo entre el plano (111) y la superficie del cristal (orientacin) es el ngulo entre el haz y el plano (111) es el ngulo entre el rayo incidente y el reflejado. Este ngulo puede ser evaluado de los datos del problema.

De la figura precedente:
=

= Arctg
= 13.3 2

5 = 26.6 10

=
De la ley de Bragg:

180 = 90 = 76.7 2
para n = 1 = 3.21 A

n = 2dsen ;

El equipo ms usado para difraccin de rayos X es el difractmetro, cuyo esquema se muestra en la figura 43

Figura 43 Esquema de un difractmetro

En el difractmetro, un contador electrnico o sensor determina los ngulos (2) a que ocurre la difraccin; se usa cristal pulverizado encerrado en un capilar de polmero transparente a los R-X y radiacin monocromtica ( = constante). El resultado del ensayo de difraccin es un difractograma similar al mostrado en la figura 44. Los mximos muestran los ngulos en que ocurre la difraccin (ngulo 2)

Figura 44 Difractograma

EJEMPLO 3 En un ensayo de difraccin de rayos-X a polvos de hierro ( BCC, Rat = 1.241 A); se obtuvo interferencia constructiva en los ngulos 2 mostrados en la tabla. Determine los planos asociados a dichos ngulos, si se us R-X de una longitud de onda de 0.40 ngstrom. Nmero de mximo ngulo 2 Solucin: 1 11.46 2 16.27 3 20.05 4 23.26 5 25.67

De la Ley de Bragg, y de la ecuacin para la distancia interplanar, se obtiene:

h2 + k 2 + l 2 =

2a sen n

Usando los datos del problema y considerando n = 1:

h 2 + k 2 + l 2 = 14.2 sen
Entonces: Para 2 = 11.46 Para 2 = 16.27 Para 2 = 20.05 Para 2 = 23.26 Para 2 = 25.67 h2 + k2 + l2 h2 + k2 + l2 h2 + k2 + l2 h2 + k2 + l2 h2 + k2 + l2 2 4 6 8 10 {110} {200} {211} {220} {310}

No todos los planos cristalinos producen reflexin, pues algunos planos de bajos ndices de Miller son interferidos por planos paralelos de ndice mayor, en la tabla siguiente:

ESTRUCTURA CRISTALINA Cbico simple Cbico centrado en el cuerpo (BCC) Cbico centrado en las caras (FCC) Diamante

INDICES DE LOS PLANOS REFLECTORES todos los valores de (h2 + k2 + l2), excepto 7; 15; 23..... h + k + l es par h, k, l todos pares o todos impares h + k + l es impar o mltiplo par de dos