GUA DE ELECTRNICA BSICA

1. Como se define un semiconductor? Un semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos). Los semiconductores son aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la Tabla Peridica (Silicio, Germanio, etc. Generalmente a estos se le introducen tomos de otros elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza introducida. Otra caracterstica que los diferencia se refiere a su resistividad, estando sta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes. http://www.youtube.com/watch?v=IMiuD-PNIts&feature=related http://www.youtube.com/watch?v=rm8V7aBWvXM&feature=related 2. Cuales son los valores que se toman en cuenta para el Silicio y el Germanio? Los tomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco electrones en su ltima rbita, de acuerdo con el elemento especfico al que pertenecen. No obstante, los elementos ms utilizados por la industria electrnica, como el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen solamente cuatro electrones en su ltima rbita. En este caso, el equilibrio elctrico que proporciona la estructura molecular cristalina caracterstica de esos tomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones. Normalmente los tomos de los elementos semiconductores se unen formando enlaces covalentes y no permiten que la corriente elctrica fluya a travs de sus cuerpos cuando se les aplica una diferencia de potencial o corriente elctrica. En esas condiciones, al no presentar conductividad elctrica alguna, se comportan de forma similar a un material aislante. 3. Cuales son las caractersticas bsicas de los semiconductores? Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos qumicos y compuestos, como el silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el seleniuro de cinc y el telururo de plomo. Para incrementar el nivel de la conductividad se provocan cambios de temperatura, de la luz o se integran impurezas en su estructura molecular. Estos cambios originan un aumento del numero de electrones liberados (o bien huecos) conductores que transportan la energa elctrica. Los cuatro electrones de valencia (o electrones exteriores) de un tomo estn en parejas y son compartidos por otros tomos para formar un enlace covalente que mantiene al cristal unido. Para producir electrones de conduccin, se utiliza energa adicional en forma de luz o de calor (se maneja como temperatura), que excita los electrones de valencia y provoca su liberacin de los enlaces, de manera que pueden transportar su propia energa. Cada electrn de valencia que se desprende de su enlace covalente deja detrs de s un hueco, o dicho en otra forma, deja a su tomo padre con un electrn de menos, lo que significa entonces que en ese tomo existir un protn de ms. Las deficiencias o huecos que quedan contribuyen al flujo de la electricidad (se dice que estos huecos transportan carga positiva). ste es el origen fsico del incremento de la conductividad elctrica de los semiconductores a causa de la temperatura.

Los cristales semiconductores de dividen en intrnsecos y extrnsecos. Un cristal intrnseco es aqul que se encuentra puro (aunque no existe prcticamente un cristal 100% puro); es decir, no contiene impurezas; mientras que un cristal extrnseco es aqul que ha sido impurificado con tomos de otra sustancia. Al proceso de impurificacin se le llama tambin dopado, y se utiliza para obtener electrones libres que sean capaces de transportar la energa elctrica a otros puntos del cristal. Los materiales extrnsecos se dividen en tipo n y tipo p.

La diferencia del nmero de electrones entre el material dopante (tanto si acepta como si confiere electrones) y el material receptor hace que crezca el nmero de electrones de conduccin negativos o positivos. Si aumenta el nmero de electrones de conduccin negativos, entonces el material es tipo n; y si aumenta el numero de cargas positivas (lagunas), es un material tipo p. 4. Ilustre la estructura atmica del silicio

Mirando la figura del centro puede verse la representacin del tomo de silicio. Note como los electrones se distribuyen en los niveles. El tomo de silicio tiene 14 protones y 14 electrones. El primero y segundo nivel estn completos, y hay cuatro electrones en el ltimo nivel. Estos electrones del ltimo nivel se conocen como electrones de valencia y pueden ser compartidos con otros tomos para formar enlaces. GERMANIO

Un tomo de germanio est formado por un ncleo, el cual est rodeado por varias cadenas de electrones y se ilustra en la figura anterior. Su ncleo est formado por 32 protones, mismos que son la parte principal de su masa. Ya hemos visto en otras lecciones que los protones poseen una carga positiva de electricidad. El ncleo est rodeado por 32 electrones, los que giran en rbitas fijas. Los cuatro electrones de la rbita no son atraidos tan fuertemente por el ncleo, como lo son los de las rbitas siguientes. A estos electrones se les da el nombre de

ELECTRONES DE VALENCIA ( ver figura 1b ), puede verse la carga neta resultante de 4 protones en el ncleo y 4 electrones en la rbita exterior. 5. Mencione la clasificacin de los semiconductores Materiales semiconductores Tipo N, obtenidos al aadir impurezas como el Fsforo o el Antimonio y se caracterizan por tener gran tendencia a ceder electrones (pues tienen en exceso).

Material semiconductor Tipo N, donde los puntos redondos representan el exceso de electrones que fcilmente cedern, quedando de esta forma cargados positivamente.

Materiales semiconductores Tipo P, obtenidos al aadir impureza como el Boro o el Indio y se caracterizan por tener una gran tendencia a captar electrones (pues en su estructura presentan gran nmero de huecos).

Material semiconductor Tipo P, donde los puntos cuadrados representan huecos que fcilmente captarn electrones, quedando cargados negativamente.

6. Cuando se dice que un material es amorfo, monocristalino y policristalino? El slido amorfo es un estado slido de la materia, en el que las partculas que conforman el slido carecen de una estructura ordenada. Estos slidos carecen de formas y caras bien definidas. Esta clasificacin contrasta con la de slidos cristalinos, cuyos tomos estn dispuestos de manera regular y ordenada formando redes cristalinas. Muchos slidos amorfos son mezclas de molculas que no se pueden apilar bien. Casi todos los dems se componen de molculas grandes y complejas. Entre los slidos amorfos ms conocidos destaca el vidrio. Un mismo compuesto, segn el proceso de solidificacin, puede formar una red cristalina o un slido amorfo. Por ejemplo, segn la disposicin espacial de las molculas de slice (SiO2), se puede obtener una estructura cristalina (el cuarzo) o un slido amorfo (el vidrio).

Materiales Monocristalinos Constituidos por un solo tipo de red cristalina. Son sistemas homogneos de grano nico. Sin discontinuidades. Alta resistencia y baja capacidad de deformacin. Materiales Policristalinos

Tienen ms de un tipo de ordenamiento o estructura cristalina. Cada una de esas estructuras se llaman granos. Estos se van ordenando en forma regular. Durante la solidificacin hay competencia entre los cristales para ocupar el mayor espacio posible. Los extremos de los cristales interaccionan entre s produciendo discontinuidades: limites de granos. * Granos grandes: frgiles. * Granos pequeos: dctiles. 7. Diga cual es la diferencia entre un semiconductor intrnseco y un extrnseco? Los materiales semiconductores, segn su pureza, se clasifican de la siguiente forma: 1. Intrnsecos 2. Extrnsecos Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida ser igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conduccin. Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrnseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atraccin que ejerce el ncleo del tomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de conduccin y all funcionan como electrones de conduccin, pudindose desplazar libremente de un tomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente elctrica.
Como se puede observar en la ilustracin, en el caso de los semiconductores el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho ms estrecho en comparacin con los materiales aislantes. La energa de salto de banda (Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de conduccin es de 1 eV aproximadamente. En los semiconductores de silicio (Si), la energa de salto de banda requerida por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en los de germanio (Ge) es de 0,785 eV.

Estructura cristalina de un semiconductor intrnseco, compuesta solamente por tomos de silicio (Si) que forman una celosa. Como se puede observar en la ilustracin, los tomos de silicio (que slo poseen cuatro electrones en la ltima rbita o banda de valencia), se unen formando enlaces covalente para completar ocho electrones y crear as un cuerpo slido semiconductor. En esas condiciones el cristal de silicio se comportar igual que si fuera un cuerpo aislante.

SEMICONDUCTORES "EXTRNSECOS" Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteracin, esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente elctrica por su cuerpo en una sola direccin. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los tomos de silicio o de germanio con pequeas cantidades de tomos de otros elementos o "impurezas". Generalmente los tomos de las impurezas corresponden tambin a elementos semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su ltima rbita [como el galio (Ga) o el indio (In)], o que poseen cinco electrones tambin en su ltima rbita [como el antimonio (Sb) o el arsnico (As)]. Una vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en semiconductores extrnsecos y sern capaces de conducir la corriente elctrica. En la actualidad el elemento ms utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la industria electrnica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de obtener. La materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena, uno de los materiales ms abundantes en la naturaleza. En su forma industrial primaria el cristal de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0,20 y 0,25 mm aproximadamente), pulida como un espejo.
A la izquierda se muestra la ilustracin de una oblea (wafer) o cristal semiconductor de. silicio pulida con brillo de espejo, destinada a la fabricacin de transistores y circuitos. integrados. A la derecha aparece la cuarta parte de la oblea conteniendo cientos de. minsculos dados o chips, que se pueden obtener de cada una. Esos chips son los. que despus de pasar por un proceso tecnolgico apropiado se convertirn en. transistores o circuitos integrados. Una vez que los chips se han convertido en. transistores o circuitos integrados sern desprendidos de la oblea y colocados dentro. de una cpsula protectora con sus correspondientes conectores externos.

El segundo elemento tambin utilizado como semiconductor, pero en menor proporcin que el silicio, es el cristal de germanio (Ge).

Durante mucho tiempo se emple tambin el selenio (S) para fabricar diodos semiconductores en forma de placas rectangulares, que combinadas y montadas en una especie de eje se empleaban para rectificar la corriente alterna y convertirla en directa. Hoy en da, adems del silicio y el germanio, se emplean tambin combinaciones de otros elementos semiconductores presentes en la Tabla Peridica. Placa individual de 2 x 2 cm de rea, correspondiente a un antiguo diodo de selenio.

Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el arsnico (As) utilizada para obtener arseniuro de galio (GaAs), material destinado a la fabricacin de diodos lser empleados como dispositivos de lectura en CDs de audio.

Lente (sealada con la flecha) detrs de la cual se encuentra instalado un diodo lser de arseniuro de galio (GaAs) empleado para leer datos de texto, presentaciones multimedia o msica grabada en un CD. En esta ilustracin el. CD se ha sustituido por un disco similar transparente de plstico comn.

En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro, es decir, como elementos intrnsecos, los electrones de su ltima rbita tienden a unirse formando "enlaces covalentes", para adoptar una estructura cristalina. Los tomos de cualquier elemento, independientemente de la cantidad de electrones que contengan en su ltima rbita, tratan siempre de completarla con un mximo de ocho, ya sea donndolos o aceptndolos, segn el nmero de valencia que le corresponda a cada tomo en especfico. Con respecto a los elementos semiconductores, que poseen slo cuatro electrones en su ltima rbita, sus tomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes, compartiendo entre s los cuatro electrones que cada uno posee, segn la tendencia de completar ocho en su rbita externa. Al agruparse de esa forma para crear un cuerpo slido, los tomos del elemento semiconductor adquieren una estructura cristalina, semejante a una celosa. En su estado puro, como ya se mencion anteriormente, esa estructura no conduce la electricidad, por lo que esos cuerpos semiconductores se comportan como aislantes.

8. Mencione la clasificacin de los diodos semiconductores Diodos Rectificadores. Diodos de Seal. Diodos de Conmutacin. Diodos de alta Frecuencia. Diodos Zener. Diodos especiales.

9. Defina e ilustre al diodo rectificador Un diodo rectificador es uno de los dispositivos de la familia de los diodos ms sencillos. El nombre diodo rectificador procede de su aplicacin, la cual consiste en separar los ciclos positivos de una seal de corriente alterna. Si se aplica al diodo una tensin de corriente alterna durante los medios ciclos positivos, se polariza en forma directa; de esta manera, permite el paso de la corriente elctrica. Pero durante los medios ciclos negativos, el diodo se polariza de manera inversa; con ello, evita el paso de la corriente en tal sentido. Durante la fabricacin de los diodos rectificadores, se consideran tres factores: la frecuencia mxima en que realizan correctamente su funcin, la corriente mxima en que pueden conducir en sentido directo y las tensiones directa e inversa mximas que soportarn. Una de las aplicaciones clsicas de los diodos rectificadores, es en las fuentes de alimentacin; aqu, convierten una seal de corriente alterna en otra de corriente directa.

10. Defina e ilustre al diodo de seal Este tipo de diodo se utiliza para la deteccin de pequeas seales, o seales dbiles, por lo que trabaja con pequeas corrientes. La tensin Umbral, o tensin a partir de la cual el diodo, polarizado directamente, comienza a conducir, suele ser inferior a la del diodo rectificador. O sea la V.Umbral es aproximadamente 0,3 voltios.

Smbolo:

Aspecto fsico:

El material semiconductor suele ser el Germanio. Aplicaciones: Se emplean, sobre todo el la deteccin de seales de Radio Frecuencia (RF). Se utilizan en etapas moduladoras, demoduladoras, mezcla y limitacin de seales. 11. Defina e ilustre al diodo de comunicacin Los diodos de conmutacin o rpidos se caracterizan por ser capaces de trabajar con seales de tipo digital o <<lgico>> que presenten unos tiempos de subida y bajada de sus flancos muy breves. El factor o parmetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de recuperacin inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unin P-N en desalojar la carga elctrica que acumula, cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a la acumulacin de carga de un condensador), y recibe sbitamente un cambio de tensin que la polariza en sentido directo. Pueden ser considerados rpidos aquellos diodos con un TRR inferior a 400 nanosegundos, en modelos de media potencia, para los de baja potencia este tipo es del orden de los 5 nanosegundos.

12. Defina e ilustre al diodo de alta Frecuencia Los diodos de alta frecuencia se emplean en aquellas partes de un circuito que deben de funcionar con frecuencias superiores a 1 megahertz (1 milln de ciclos por segundo). Se caracterizan por presentar una baja capacidad de difusin (Cd) entre las dos zonas semiconductoras que forman la unin P-N, cuando stas estn polarizadas en sentido directo. 13. Defina e ilustre al diodo Zener Los diodos estabilizadores de tensin se emplean, como su nombre indica, para producir una tensin entre sus extremos constante y relativamente independiente de la corriente que los atraviesa. Aprovechan, para su funcionamiento, una propiedad muy interesante que presenta la unin semiconductora cuando se polariza inversamente por encima de un determinado nivel.

Normalmente un diodo que recibe una polarizacin inversa no permite el paso de la corriente o lo hace dejando pasar una intensidad debilsima. Sin embargo, al alcanzar una determinada tensin, denominada tensin zener se produce un aumento de la cantidad de corriente, de forma tal que esta diferencia de potencial entre sus extremos se mantiene prcticamente constante, aunque se intente aumentar o disminuir a base de variar la intensidad que lo atraviesa. Existe una amplia gama de tipos clasificados por una serie de tensiones zener normalizadas y por la potencia que son capaces de disipar, desde 250 mili vatios hasta decenas de vatios, con encapsulado plstico o metlico. Los parmetros que caracterizan a un diodo zener son: - Tensin zener (Vz). - Corriente minima para alcanzar la Vz (Iz). - Potencia mxima (P/tot). 14. Defina e ilustre los diodos especiales El diodo varicap y su funcionamiento Al polarizar inversamente la unin N-P se crea en la zona central una capa aislante y neutra, debida a la recombinacin de electrones y huecos en ella, que separa a los dos tipos de semiconductores, dando lugar a una capacidad entre ambos. Las armaduras del condensador ficticio estn constituidas por los semiconductores N y P, que soportan la tensin inversa, y el dielctrico es la zona neutra cuyo espesor es variable con el valor de la polarizacin externa.

El comportamiento de la unin N-P cuando se polariza inversamente es la de un condensador cuya capacidad depende de la tensin aplicada, por lo que sustituye ventajosamente a los antiguos condensadores variables, en los que mediante movimientos mecnicos se proceda a variar la superficie o espesor entre armaduras para lograr la capacidad adecuada, aunque con poca precisin y utilizando un componente de bastante volumen. En el caso de utilizar una unin N-P como condensador variable, llamado varicap, basta regular la tensin inversa, que se aplica entre sus extremos con ayuda de un potencimetro, para modificar la capacidad de forma muy exacta y ocupando el mnimo espacio. 15. Cuales son los valores mximos de tensin y corriente en los diodos rectificadores? Se especifican por la corriente mxima promedio que pueden conducir con polarizacin directa y por el voltaje mximo que pueden soportar en polarizacin inversa sin entrar en avalancha. Estos parmetros se designan en las hojas de datos como IF(av) y VRRM, respectivamente . Se consiguen diodos rectificadores con valores de VRRM desde menos de 40V hasta mas de 600V y valores de IF(av) desde menos de 100 mA hasta mas de 100 A. El subndice "F" (forward) representa las condiciones en polarizacin directa y el subndice "R" (reverse) las condiciones en polarizacin inversa. 16. Como se define un transistor y cual es su clasificacin? El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, ordenadores, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, telfonos mviles, etc.

Tipos de transistores Transistor de contacto puntual Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ah el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido. [editar] Transistor de unin bipolar

El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P). La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector). El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin. [editar] Transistor de unin unipolar o de efecto de campo El transistor de unin unipolar, tambin llamado de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal. El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada. * Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN. * Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla del canal mediante un dielctrico. * Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xidoSemiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa de xido.

Fototransistor Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2 maneras diferentes: * Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn). * Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminacin). Transistores y electrnica de potencia Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es as como actualmente los transistores son empleados en conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso est basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado. 17. Mencione las especificaciones del diodo Varactor e ilustre su smbolo Los diodos varactores o varicap han sido diseados de manera que su funcionamiento sea similar al de un capacitor y tengan una caracterstica capacitancia-tensin dentro de lmites razonables En el siguiente grfico se muestra las similitudes entre un diodo y un capacitor. Debido a la recombinacin de los portadores en el diodo, una zona de agotamiento se forma en la juntura. Esta zona de agotamiento acta como un dielctrico (aislante), ya que no hay ninguna carga y flujo de corriente. Las reas exteriores a la zona de agotamiento si tienen portadores de carga (rea semiconductor). Se puede visualizar sin dificultad la formacin de un capacitor en el diodo (dos materiales semiconductores deparados por un aislante). La amplitud de la zona de agotamiento se puede ampliar incrementando la tensin inversa aplicada al diodo con una fuente externa. Esto causa que se aumente la separacin (aislante) y separa ms las reas semiconductoras. Este ltimo disminuye la capacitancia. Entonces la capacitancia es funcin de la tensin aplicada al diodo. - Si la tensin aplicada al diodo aumenta la capacitancia disminuye - Si la tensin disminuye la capacitancia aumenta

Smbolo del diodo varacto

18. En que basa su principio el diodo de potencia? Son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo. Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de fugas. 19. Describa las caractersticas bsicas de los fotodiodos Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad. 20. Explique como se realiza la rectificacin de media onda y onda completa mediante el uso de diodos y diga que aplicacin tiene? El rectificador de media onda es un circuito empleado para eliminar la parte negativa o positiva de una seal de corriente alterna de entrada (Vi) convirtindola en corriente directa de salida (Vo). Es el circuito ms sencillo que puede construirse con un diodo. Rectificador de media onda con filtro RC (Diodo ideal) Un circuito RC sirve como filtro para hacer que el voltaje alterno se vuelva directo casi como el de una batera, esto es gracias a las pequeas oscilaciones que tiene la salida del voltaje, las cuales son prcticamente nulas. La primera parte del circuito consta de una fuente de voltaje alterna, seguido de un diodo que en esta ocasin ser ideal (simplemente para facilitar la comprensin del funcionamiento) y finalmente el filtro RC. El circuito funciona de la siguiente manera: 1. Entra la seal alterna al circuito, la cual se rectifica con el diodo. (Solo permite pasar un semi-ciclo de la seal, que en este caso es el semi-ciclo positivo) 2. En el momento que el voltaje sale del diodo el condensador se empieza a cargar y la cada de voltaje se recibe en la resistencia. 3. En el semi-ciclo negativo no hay voltaje por que el diodo no permite que fluya nada, entonces el condensador se empieza a descargar (la velocidad con la que se descarga depende de la capacitancia).

4. El condensador no se descarga por completo, entonces en el momento que otra vez empieza el semi-ciclo positivo el condensador se vuelve a cargar. A esta diferencia que existe se le conoce como voltaje de rizo (Vr) y la idea es que sea muy pequea. Un Rectificador de onda completa es un circuito empleado para convertir una seal de corriente alterna de entrada (Vi) en corriente continua de salida (Vo) pulsante. A diferencia del rectificador de media onda, en este caso, la parte negativa de la seal se convierte en positiva o bien la parte positiva de la seal se convertir en negativa, segn se necesite una seal positiva o negativa de corriente continua. Existen dos alternativas, bien empleando dos diodos o empleando cuatro (puente de Graetz). Rectificador con dos diodos. En el circuito de la figura, ambos diodos no pueden encontrarse simultneamente en directa o en inversa, ya que las diferencias de potencial a las que estn sometidos son de signo contrario; por tanto uno se encontrar polarizado inversamente y el otro directamente. La tensin de entrada (Vi) es, en este caso, la mitad de la tensin del secundario del transformador. Tensin de entrada positiva. El diodo 1 se encuentra en polarizado directamente (conduce), mientras que el 2 se encuentra en inversa (no conduce). La tensin de salida es igual a la de entrada. El diodo 2 ha de soportar en inversa la tensin mxima del secundario.

Tensin de entrada negativa. El diodo 2 se encuentra en directa (conduce), mientras que el diodo 1 se encuentra en inversa (no conduce). La tensin de salida es igual a la de entrada pero de signo contrario. El diodo 1 ha de soportar en inversa la tensin mxima del secundario .

Puente de Graetz o Puente Rectificador de doble onda En este caso se emplean cuatro diodos con la disposicin de la figura. Al igual que antes, slo son posibles dos estados de conduccin, o bien los diodos 1 y 3 estn en directa y conducen (tensin positiva) o por el contrario son los diodos 2 y 4 los que se encuentran en inversa y conducen (tensin negativa). A diferencia del caso anterior, ahora la tensin mxima de salida es la del secundario del transformador (el doble de la del caso anterior), la misma que han de soportar los diodos en inversa, al igual que en el rectificador con dos diodos. Esta es la configuracin usualmente empleada para la obtencin de onda continua.

Tensin rectificada. Vo = Vi = Vs/2 en el rectificador con dos diodos. Vo = Vi = Vs en el rectificador con puente de Graetz. Si consideramos la cada de tensin tpica en los diodos en conduccin, aproximadamente 0,6V; tendremos que para el caso del rectificador de doble onda la Vo = Vi - 1,2V.

Curva t

21. Mencione que tipo de diodo se utiliza en reguladores? El diodo Zener, tambin llamado diodo regulador de tensin 22. Cual es el diodo que tiene una impedancia negativa muy alta? El diodo PIN es un diodo que presenta una regin P fuertemente dopada y otra regin N tambin fuertemente dopada, separadas por una regin de material que es casi intrnseco. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas, es decir, frecuencias que exceden de 1 GHz, puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando est inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido directo. Adems, las tensiones de ruptura estn comprendidas en el margen de 100 a 1000 V. 23. Mencione el diodo que se utiliza con potencias bajas La familia de diodos rectificadores est concebida especialmente para esta aplicacin aunque los de baja potencia tambin pueden ser empleados como diodos de seal o conmutacin en circuitos de CD o baja frecuencia y en aquellos de tipo digital que no requieran velocidad muy elevada. 24. Cual es el tipo de material del cual estn formados los diodos? En la construccin del diodo semiconductor. Se colocan dos materiales semiconductores con contenido de carga opuesta uno al lado del otro. Un material es semiconductor como silicio o germanio excesivamente cargado de partculas negativas (electrones). El otro material es del mismo tipo semiconductor con la diferencia de que este tiene la ausencia de cargas negativas. Los materiales ms comunes utilizados en la construccin de diodos son tres; germanio, silicio y arsenurio de galio. En general, en silicio ha reemplazado al germanio en los diodos debido a su mayor barrera de energa que permiten la operacin a temperaturas ms altas, y los costos de material son mucho menores. El arsenurio de galio es particularmente til en aplicaciones de alta frecuencia y microondas. 25. Como se define la electrnica? La electrnica es la rama de la fsica y especializacin de la ingeniera, que estudia y emplea sistemas cuyo funcionamiento se basa en la conduccin y el control del flujo microscpico de los electrones u otras partculas cargadas elctricamente. 26. Que es un oscilador? Oscilacin Fenmeno por el cual una magnitud (corriente, desplazamiento, etc.) vara en funcin del tiempo de una forma peridica. El tiempo transcurrido entre dos estados iguales se llama perodo. La amplitud es la desviacin mxima, y el nmero de oscilaciones por unidad de tiempo es la frecuencia. Las oscilaciones que se propagan en el tiempo y en el espacio reciben el nombre de ondas.

-- amortiguada. Aquella en la que el valor de la magnitud oscilante va disminuyendo con el tiempo. -- forzada. La producida por un sencillo oscilador u otro sistema mecnico equivalente, por medio de una fuerza peridica externa. -- fundamental. La oscilacin de frecuencia ms baja con la que puede vibrar naturalmente un sistema. La frecuencia de las dems oscilaciones es mltiplo de la fundamental; vase Armnico. -- propia. La que realiza un sistema con una de sus frecuencias propias. -- acoplada. La que realizan dos sistemas acoplados cuya energa de oscilacin se intercambia peridicamente de uno a otro a travs de una ligadura entre ellos. Oscilador Circuito electrnico que convierte la energa de corriente continua en una corriente alterna de frecuencia determinada. Con circuitos adecuados pueden generarse gran variedad de seales alternas con diversas formas de onda ( sinusoidales, triangulares, cuadradas...) y en un amplio intervalo de frecuencias. Se utilizan ampliamente en emisores y receptores de radio y TV, y en instrumentos electrnicos destinados a medidas de tiempo y comprobaciones. -- armnico. Sistema oscilante cuya fuerza recuperadora es proporcional a la desviacin con respecto a la posicin de equilibrio, lo que conduce a un proceso vibratorio sinusoidal. -- de armstrong. Oscilador usado para emitir ondas sinusoidales de amplitud y frecuencia constante dentro del espectro de radiofrecuencia. El sistema Armstrong utiliza un desfasador y un modulador equilibrado. La seal de RF del oscilador a cristal se aplica al desfasador y al modulador equilibrado. 27. Que es un rectificador? Aparato o dispositivo para convertir una corriente alterna en unidireccional o continua. Un rectificador ideal posee una resistencia nula en un sentido e infinita en el otro. Cuando se intercala un rectificador en un circuito de corriente alterna, slo circular corriente mientras la polaridad de la misma est en el sentido favorable. Por lo tanto, slo circular corriente en un sentido, rectificando as la corriente. -- de media onda. Rectificador elemental constituido por un diodo. Cuando pasa por l una corriente alterna sinusoidal, slo dejar pasar la mitad de cada onda (la de polaridad adecuada), y de ah su nombre. -- de onda completa. Rectificador constituido por dos diodos de tal forma que cada uno de ellos conduce durante una mitad del ciclo de la corriente alterna. Se obtiene de esta forma un suministro de corriente durante los dos semiciclos.

28. Que es un amplificador? Circuito que incrementa el valor de voltaje o de la intensidad de una seal elctrica. Aparato electrnico que capta las vibraciones mecnicas o las dbiles seales de una cpsula magntica y las amplifica hasta activar las bobinas de los altavoces u otros dispositivos que permitan la percepcin de las ondas sonoras. 29. Como se define un amplificador operacional e ilustre su smbolo? Un amplificador operacional (comnmente abreviado A.O. u op-amp), es un circuito electrnico (normalmente se presenta como circuito integrado) que tiene dos entradas y una salida. La salida es la diferencia de las dos entradas multiplicada por un factor (G) (ganancia): Vout = G(V+ V) El A.O. ideal tiene una ganancia infinita, una impedancia de entrada infinita, un ancho de banda tambin infinito, una impedancia de salida nula, un tiempo de respuesta nulo y ningn ruido. Como la impedancia de entrada es infinita tambin se dice que las corrientes de entrada son cero.

30. Cual es el tipo de lenguaje que interpretan las mquinas? El Lenguaje Maquina, est compuesto por un conjunto de instrucciones en cdigo binario (1 y 0), los cuales son entregados a la unidad central de proceso en forma de estados elctricos (encendido apagado). El Lenguaje de Bajo Nivel o Lenguaje de Ensamblador est compuesto por cdigo entendible por la persona, pero su dificultad radica en que existe un lenguaje especfico para cada tipo de procesador, lo que dificulta su aprendizaje. El Lenguaje de Alto Nivel esta compuesto bsicamente por enunciados en ingles, es fcil de entender por el desarrollador, pero difcil de entender para la unidad central de proceso, por lo cual estos lenguajes de programacin utilizan traductores, llamados tcnicamente Compiladotes o Interpretes, quienes se encargan de traducir este lenguaje de alto nivel a lenguaje entendible por la unidad central de proceso. 31. Como se define el sistema binario? El sistema binario, en matemticas e informtica, es un sistema de numeracin en el que los nmeros se representan utilizando solamente las cifras cero y uno (0 y 1). Es el que se utiliza en las computadoras, debido a que trabajan internamente con dos niveles de voltaje, por lo que su sistema de numeracin natural es el sistema binario (encendido 1, apagado 0). 32. Mencione cual es la diferencia entre utilizar un sistema binario y un sistema octal? La diferencia es que el sistema octal utiliza 8 cifras (0,1,2,3,4,5,6,7) cifras y el sistema binario utiliza dos cifras (0,1).

33. Cuales son las compuertas utilizadas en sistemas electrnicos y elabore su tabla de verdad de cada una, indicando su expresin booleana? Puerta lgica Una puerta lgica, o compuerta lgica, es un dispositivo electrnico el cual es la expresin fsica de un operador booleano en la lgica de conmutacin. Cada puerta lgica consiste en una red de dispositivos interruptores que cumple las condiciones booleanas para el operador particular. Son esencialmente circuitos de conmutacin integrados en un chip. Claude Elwood Shannon experimentaba con rels o interruptores electromagnticos para conseguir las condiciones de cada compuerta lgica, por ejemplo, para la funcin booleana Y (AND) colocaba interruptores en circuito serie, ya que con uno solo de stos que tuviera la condicin abierto, la salida de la compuerta Y sera = 0, mientras que para la implementacin de una compuerta O (OR), la conexin de los interruptores tiene una configuracin en circuito paralelo. La tecnologa microelectrnica actual permite la elevada integracin de transistores actuando como conmutadores en redes lgicas dentro de un pequeo circuito integrado. El chip de la CPU es una de las mximas expresiones de este avance tecnolgico. En nanotecnologa se est desarrollando el uso de una compuerta lgica molecular, que haga posible la miniaturizacin de circuitos. Lgica directa Puerta S o Buffer

Smbolo de la funcin lgica S: a) Contactos, b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lgica S, realiza la funcin booleana igualdad. En la prctica se suele utilizar como amplificador de corriente o como seguidor de tensin, para adaptar impedancias (buffer en ingls). La ecuacin caracterstica que describe el comportamiento de la puerta S es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta SI Entrada A 0 1 Salida A 0 1

Puerta AND

Smbolo de la funcin lgica Y: a) Contactos, b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lgica Y, ms conocida por su nombre en ingls AND ( ), realiza la funcin booleana de producto lgico. Su smbolo es un punto (), aunque se suele omitir. As, el producto lgico de las variables A y B se indica como AB, y se lee A y B o simplemente A por B. La ecuacin caracterstica que describe el comportamiento de la puerta AND es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta AND Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 0 0 0 1

As, desde el punto de vista de la aritmtica mdulo 2, la compuerta AND implementa el producto mdulo 2. Puerta OR

Smbolo de la funcin lgica O: a) Contactos, b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lgica O, ms conocida por su nombre en ingls OR ( operacin de suma lgica. La ecuacin caracterstica que describe el comportamiento de la puerta OR es: ), realiza la

Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta OR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 0 1 1 1

Podemos definir la puerta O como aquella que proporciona a su salida un 1 lgico si al menos una de sus entradas est a 1. Puerta OR-exclusiva (XOR)

Smbolo de la funcin lgica O-exclusiva: a) Contactos, b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lgica OR-exclusiva, ms conocida por su nombre en ingls XOR, realiza la funcin booleana A'B+AB'. Su smbolo es el ms (+) inscrito en un crculo. En la figura de la derecha pueden observarse sus smbolos en electrnica. La ecuacin caracterstica que describe el comportamiento de la puerta XOR es: |Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta XOR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 0 1 1 0

Se puede definir esta puerta como aquella que da por resultado uno, cuando los valores en las entradas son distintos. ej: 1 y 0, 0 y 1 (en una compuerta de dos entradas). Se obtiene cuando ambas entradas tienen distinto valor.

Si la puerta tuviese tres o ms entradas , la XOR tomara la funcin de suma de paridad, cuenta el nmero de unos a la entrada y si son un nmero impar, pone un 1 a la salida, para que el nmero de unos pase a ser par. Esto es as porque la operacin XOR es asociativa, para tres entradas escribiramos: a (b c) o bien (a b) c. Su tabla de verdad sera: XOR de tres entradas Entrada A 0 0 0 0 1 1 1 1 Entrada B 0 0 1 1 0 0 1 1 Entrada C 0 1 0 1 0 1 0 1 Salida 0 1 1 0 1 0 0 1

Desde el punto de vista de la aritmtica mdulo 2, la puerta XOR implementa la suma mdulo 2. Puerta NO (NOT) lgica negada

Smbolo de la funcin lgica NO: a) Contactos, b) Normalizado y c) No normalizada La puerta lgica NO (NOT en ingls) realiza la funcin booleana de inversin o negacin de una variable lgica. Una variable lgica A a la cual se le aplica la negacin se pronuncia como "no A" o "A negada". La ecuacin caracterstica que describe el comportamiento de la puerta NOT es: Su tabla de verdad es la siguiente: Se puede definir como una puerta que proporciona el estado inverso del que est en su entrada. Tabla de verdad puerta NOT Entrada A 0 1 Salida 1 0

Puerta NO-Y (NAND)

Smbolo de la funcin lgica NO-Y: a) Contactos, b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lgica NO-Y, ms conocida por su nombre en ingls NAND, realiza la operacin de producto lgico negado. En la figura de la derecha pueden observarse sus smbolos en electrnica. La ecuacin caracterstica que describe el comportamiento de la puerta NAND es:

Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta NAND Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 1 1 1 0

Podemos definir la puerta NO-Y como aquella que proporciona a su salida un 0 lgico nicamente cuando todas sus entradas estn a 1. Puerta NO-O (NOR)

Smbolo de la funcin lgica NO-O: a) Contactos, b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lgica NO-O, ms conocida por su nombre en ingls NOR, realiza la operacin de suma lgica negada. En la figura de la derecha pueden observarse sus smbolos en electrnica.

La ecuacin caracterstica que describe el comportamiento de la puerta NOR es:

Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta NOR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 1 0 0 0

Podemos definir la puerta NO-O como aquella que proporciona a su salida un 1 lgico slo cuando todas sus entradas estn a 0. La puerta lgica NOR constituye un conjunto completo de operadores. Puerta equivalencia (XNOR)

Smbolo de la funcin lgica equivalencia: a) Contactos, b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lgica equivalencia, realiza la funcin booleana AB+~A~B. Su smbolo es un punto () inscrito en un crculo. En la figura de la derecha pueden observarse sus smbolos en electrnica. La ecuacin caracterstica que describe el comportamiento de la puerta XNOR es:

Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta XNOR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 1 0 0 1

Se puede definir esta puerta como aquella que proporciona un 1 lgico, slo si las dos entradas son iguales, esto es, 0 y 0 1 y 1 (2 encendidos o 2 apagados). Slo es verdadero si ambos componentes tiene el mismo valor lgico Conjunto de puertas lgicas completo Un conjunto de puertas lgicas completo es aquel con el que se puede implementar cualquier funcin lgica. A continuacin se muestran distintos conjuntos completos (uno por lnea):

Puertas AND, OR y NOT. Puertas AND y NOT. Puertas OR y NOT. Puertas NAND. Puertas NOR.

Adems, un conjunto de puertas lgicas es completo si puede implementar todas las puertas de otro conjunto completo conocido. A continuacin se muestran las equivalencias al conjunto de puertas lgicas completas con las funciones NAND y NOR. Conjunto completo de puertas lgicas utilizando slo puertas NAND. Equivalencias. Conjunto de puertas lgicas completo : Salida funcin NAND(A,B) 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1

A 1 1 0 0

B 1 0 1 0 0 0 1 1 1 0 0 0

Salida funcin NOR(A,B) 0 0 0 1

Equivalencias del conjunto completo anterior con slo puertas NAND :

Equivalencias del conjunto completo anterior con slo puertas NOR :

34. Ilustre el diagrama de la siguiente expresin booleana (A+B)+(CD) = F A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 A+B 0 1 1 1 C 0 0 1 1 D 0 1 0 1 CD 0 0 0 1 F = (A+B)+(CD) 0 1 1 1

35. Convierta 87 decimal a binario 36. Convierta 11111000010010 a octal, decimal y hexadecimal 37. Convierta 18AFB hexadecimal a decimal, octal y binario 38. Realice la siguiente suma binaria: 111001 + 101001 39. Reste 11001 de 11101 40. Multiplique: (111101) (101110) 41. Divida: 11010/11 42. Muestre sus smbolos en notacin americana y sueca de cada una de las compuertas lgicas. 43. Cual es su smbolo y mencione cada una de sus partes del transistor P-N-P y N-P-N? Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulacin de una corriente grande mediante una seal muy pequea. Existe una gran variedad de transistores. En principio, se explicarn los bipolares. Los smbolos que corresponden a este tipo de transistor son los siguientes:

Transistor NPN

Estructura de un transistor NPN

Transistor PNP

Estructura de un transistor PNP

Funcionamiento bsico Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula intensidad por la Base del transistor por lo que la lmpara no se encender, ya que, toda la tensin se encuentra entre Colector y Emisor. (Figura 1).

Figura 1 Figura 2 Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequea circular por la Base. As el transistor disminuir su resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasar una intensidad muy grande, haciendo que se encienda la lmpara. (Figura 2). En general: IE < IC < IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE Polarizacin de un transistor Una polarizacin correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP.

Polarizacin de un transistor NPN

Polarizacin de un transistor PNP

Generalmente podemos decir que la unin base - emisor se polariza directamente y la unin base - colector inversamente. Zonas de trabajo CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor tambin es nula.La tensin entre Colector y Emisor es la de la batera. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto. IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat Saturacin Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensin de la batera se encuentra en la carga conectada en el Colector.

Activa Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente. Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en conmutacin. En definitiva, como si fuera un interruptor. La ganancia de corriente es un parmetro tambin importante para los transistores ya que relaciona la variacin que sufre la corriente de colector para una variacin de la corriente de base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de caractersticas, tambin aparece con la denominacin hFE. Se expresa de la siguiente manera: = I C / IB En resumen: Saturacin VCE VRC IC IB VBE ~0 ~ VCC Mxima Variable ~ 0,8v Corte ~ VCC ~0 = ICEO lang=EN-GB~ 0 =0 < 0,7v Activa Variable Variable Variable Variable ~ 0,7v

Los encapsulados en los transistores dependen de la funcin que realicen y la potencia que disipen, as nos encontramos con que los transistores de pequea seal tienen un encapsulado de plstico, normalmente son los ms pequeos ( TO- 18, TO-39, TO-92, TO226 ... ); los de mediana potencia, son algo mayores y tienen en la parte trasera una chapa metlica que sirve para evacuar el calor disipado convenientemente refrigerado mediante radiador (TO-220, TO-218, TO-247...) ; los de gran potencia, son los que poseen una mayor dimensin siendo el encapsulado enteramente metlico . Esto, favorece, en gran medida, la evacuacin del calor a travs del mismo y un radiador (TO-3, TO-66, TO-123, TO-213...). 44. Cuales son los valores mximos que manejan los transistores con referencia a su voltaje y corriente? En los manuales de datos publicados por los fabricantes siempre estn especificados los valores mximos y minimos permitidos de voltajes y corrientes. Por ejemplo: Ic max = 1 A. Vcb max = 75 V Pc max = 7.5 W

45. La expresin siguiente (A+B)+(C+D) = F nos denota una aplicacin de la compuerta? 46. (C D) (B A) = F es una aplicacin de la compuerta 47. Cual es la definicin de compuerta lgica? Una compuerta logica es un dispositivo que nos permite obtener resultados, dependiendo de los valores de las seales que le ingresemos. Es necesario aclarar entonces que las compuertas lgicas se comunican entre s (incluidos los microprocesadores), usando el sistema BINARIO. Este consta de solo 2 indicadores 0 y 1 llamados BIT dado que en electrnica solo hay 2 valores equivalentes 0=0volt 1=5volt (conectado-desconectado). Es decir que cuando conectamos una compuerta a el negativo equivale a introducir un cero (0) y por el contrario si derivamos la entrada a 5v le estamos enviando un uno (1). Ahora para comprender como se comporta cada compuerta se debe ver su TABLA DE VERDAD. Esta nos muestra todas las combinaciones lgicas posibles y su resultado. 48. Mencione una aplicacin de la compuerta NOT Circuitos digitales y microprocesadores 49. Definicin de un sistema decimal es un sistema de numeracin posicional en el que las cantidades se representan utilizando como base el nmero diez, por lo que se compone de diez cifras diferentes: cero (0); uno (1); dos (2); tres (3); cuatro (4); cinco (5); seis (6); siete (7); ocho (8) y nueve (9) 50. Definicin de un sistema digital Se puede definir un sistema digital como cualquier sistema de transmisin o procesamiento de informacin en el cual la informacin se encuentre representada por medio de cantidades fsicas (seales) que se hayan tan restringidas que slo pueden asumir valores discretos. La principal ventaja de los sistemas digitales respecto a los analgicos es que son ms fciles de disear, de implementar y de depurar, ya que las tcnicas utilizadas en cada una de esas fases estn bien establecidas. Por lo tanto, es ms sencillo y flexible realizar un diseo digital que uno analgico. Las operaciones digitales tambin son mucho ms precisas y la transmisin de seales dentro del circuito y entre circuitos es ms fiable porque utilizan un conjunto discreto de valores, fcilmente discernibles entre s, lo que reduce la probabilidad de cometer errores de interpretacin. Los sistemas digitales tienen tambin una gran ventaja cuando nos referimos al almacenamiento. Por ejemplo, cuando la msica se convierte a formato digital puede ser almacenada de una forma mucho ms compacta que en modo analgico. El mejor argumento a favor de la mayor flexibilidad de los sistemas digitales se encuentra en los actuales ordenadores o computadoras digitales, basados ntegramente en diseos y circuitos digitales. Los sistemas digitales se definen a travs de funciones digitales que son, ni ms ni menos, que aplicaciones entre dos conjuntos discretos: el conjunto de todas las entradas posibles X y el conjunto de todas las salidas posibles Y 51. Definicin de un sistema analgico los sistemas analgicos en los cuales las seales tanto de entrada como de salida no poseen ningn tipo de restriccin y pueden asumir todo un continuo de valores (es decir, infinitos).

52. Mencione las caractersticas a considerar para la eleccin de un diodo A la hora de elegir un diodo para una aplicacin concreta se debe cuidar que presente unas caractersticas apropiadas para dicha aplicacin. Para ello, se debe examinar cuidadosamente la hoja de especificaciones que el fabricante provee. Las caractersticas comerciales ms importantes de los diodos que aparecen en cualquier hoja de especificaciones son: 1. Corriente mxima en directa, IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua mxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningn dao, puesto que una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto Joule excesivo. Los fabricantes suelen distinguir tres lmites: a) Corriente mxima continua (IFM) b) Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current), en la que se especifica tambin el tiempo que dura el pico c) Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la que se especifica la frecuencia mxima del pico 2. Tensin de ruptura en polarizacin inversa (Breakdown Voltage, BV; Peak Inverse Voltage, PIV): Es la tensin a la que se produce el fenmeno de ruptura por avalancha. 3. Tensin mxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la tensin que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operacin en inversa segura. 4. Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes valores de la tensin inversa 5. Cada de tensin en PD, VF (Forward Voltage): Pese a que se ha sealado anteriormente los 0.7V como valor tpico, en muchas ocasiones los fabricantes aportan datos detallados de esta cada de tensin, mediante la grfica I-V del dispositivo. Adems, es frecuente que los fabricantes suministren datos adicionales a cerca del comportamiento del dispositivo para otras temperaturas diferentes a la nominal. Por ejemplo:

Corriente mxima en polarizacin directa, IFmax: Mientras est en conduccin y, despreciando su cada de tensin (V(ON)):

Tambin se desprecia la corriente que absorbe C para cargarse.

Tensin mxima en inversa, PIV: Cuando est en corte, VD=vi-VC. VC es siempre mayor que cero, tal y como se aprecia en la figura, y su valor mximo es V M. En este aspecto es ms exigente el funcionamiento en vaco que en carga, ya que cuando VC sigue siendo VM, y se tiene VD=vi-VC=-VM-VM=-2VM. llega a ser -VM,

Los parmetros comerciales del diodo sern, por lo tanto:

PIV=2VM

53. Para que un semiconductor logre su estado de conduccin cuales son los puntos que se deben de tener en cuenta? Al estudiar la naturaleza de los materiales conductores, semiconductores y aislantes, se establece que: - Los materiales aislantes se caracterizaban por poseer una Banda Prohibida muy ancha, la cual impide el paso de electrones de la Banda de Valencia a la de Conduccin. - En los materiales semiconductores, la Banda Prohibida es mucho menos ancha que en los aislantes. Por lo general, a 0 K los materiales semiconductores se comportan como aislantes. Pero a medida que aumenta la temperatura lo hace su capacidad de conduccin, ya que este aporte de energa sirve para que los electrones puedan saltar de la Banda de Valencia a la de Conduccin. La anchura de la Banda Prohibida condiciona la energa que debe aportarse a los electrones para que pasen de la Banda de Valencia a la de Conduccin. El aporte de energa debe superar los 0,785 eV (Electrn - Voltios) en el caso del germanio y los 1,21 eV para el silicio. Al saltar de la Banda de Valencia a la de Conduccin, los electrones dejan un hueco. Por lo tanto, se establecen dos corrientes: una producida por los electrones situados en la Banda de Conduccin y otra originada por los huecos (en el proceso de recombinacin). La resistividad de los semiconductores se encuentra entre la de los aislantes y la de los metales. El germanio (Ge) y el silicio (Si) son los semiconductores ms frecuentemente utilizados en la fabricacin de diodos y transistores. Ambos tomos, cuando estn aislados, poseen cuatro electrones en su ultima capa de energa, es decir, son tetravalentes. Si consideramos un material semiconductor puro (semiconductor intrnseco) a una temperatura de cero grados Kelvin, los electrones de la red ocuparan todos los estados de energa posibles dentro de la BV. De esta manera, al no quedar estados libres dentro de esta banda, y al verse imposibilitados de pasar a la banda de conduccin donde si hay estado libres, el material se comporta como un aislante. Si se incrementa la temperatura, algunos electrones tendran una probabilidad no nula (la distribucion de probabilidad que corresponde es la de Fermi-Dirac) de pasar a la BC y de esa manera podr conducir. Consideremos ahora un semiconductor puro tetravalente, como los que mencionamos previamente, al que se le agrega una pequea dosis de tomos (impurezas) de tomos pentavalentes (por ejemplo Fosforo). A este tipo de materiales los denominaremos tipo n. La estructura de bandas se modifica, apareciendo un nivel de energa en la banda prohibida muy cercano a la banda de conduccin. Un electrn que ocupa este nivel de energa fcilmente puede saltar a la banda de conduccin. De la misma manera, podemos ahora considerar un semiconductor puro tetravalente al que se le agrega una pequea dosis de tomos (impurezas) de tomos tetravalentes (por ejemplo Boro). A este tipo de materiales los denominaremos tipo p. La estructura de bandas se modifica, apareciendo un nuevo nivel de energa en la banda prohibida muy cercano a la banda de valencia. Con alta probabilidad, un electrn en la banda de valencia puede ocupar ese estado en la banda prohibida, dejando un estado libre en la BV. Ahora, los electrones en la BV cuentan con un estado libre que hace posible la conduccin.