ELECTRONICA DE POTENCIA

TIRISTORES
Osciladores de Relajacin Dispositivos UJT, PUT, SUS/SBS y DIAC

Antonio Nachez A-4-32-2 ELECTRONICA IV

A-4.32.2

Electrnica IV

Osciladores de Relajacin

INDICE

1.- Introduccin 2.- Funcionamiento generalizado 3.- Teora y caractersticas del Transistor Unijuntura 3.1.- Teora de Operacin 3.2.- Oscilador a Relajacin con UJT 4.- Teora y caractersticas del Transistor Unijuntura Programable 4.1.- Teora de Operacin 4.2.- Oscilador a Relajacin con PUT 5.- Teora y caractersticas de las Llaves Unilaterales y Bilaterales de Silicio 6.- Teora y caractersticas de los DIAC

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OSCILADORES DE RELAJACIN 1.- Introduccin.

Un Oscilador de Relajacin es un circuito generador de pulsos, separados por intervalos regulares, y cuyo principio de funcionamiento se encuentra basado en la utilizacin de dispositivos que presenten una zona de operacin con resistencia negativa. Dado que los Osciladores de Relajacin son ampliamente utilizados en el disparo de dispositivos semicontrolados como SCRs y TRIACS, se realiza el estudio de su funcionamiento en forma general para luego aplicarlo en implementaciones con diversos elementos del mercado.

2.- Funcionamiento generalizado.

A modo de anlisis general se considera el circuito de la figura 2.1 cuyo elemento no lineal presenta la caracterstica V/I indicada en la figura 2.2.
Elemento con Resistencia Negativa

R1 + Vi = Vcc C + V -

+ R2 VR2 -

Figura 2-1
I

IP

IH

1 IS Q VH 4 VS V

Figura 2.2

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Si en t=0 se aplica Vi = Vcc a la entrada del circuito de la figura 2.1, el condensador C se carga con una constante de tiempo = R1C, despreciando la corriente que toma el elemento de resistencia negativa. Esta tensin se aplica al circuito serie compuesto por dicho dispositivo y la resistencia R2, por lo que el punto de trabajo Q se desplaza sobre la caracterstica V/I, determinado por su interseccin con la recta de pendiente R2. De la figura 2.2 puede verificarse que inicialmente la corriente por el circuito serie es despreciable, toda la tensin aplicada cae sobre el elemento de resistencia negativa y en consecuencia la tensin de salida es prcticamente nula. Cuando la tensin del condensador de entrada es la suficiente para que dispositivo alcance la zona de resistencia negativa determinada por el punto 1, ste comienza a conducir y el punto de trabajo se desplaza del punto 1 al punto 2. La corriente mxima por el circuito serie es IP y el pico de la tensin de salida R2IP. Esta corriente es provista principalmente por el capacitor C, que al descargarse provoca que el punto de trabajo se desplace de 2 a 3. Al llegar a 3 el dispositivo ingresa nuevamente en la zona de resistencia negativa, su resistencia aumenta y el punto de trabajo pasa del punto 3 al punto 4. El dispositivo vuelve a la condicin de alta resistencia no derivando mas corriente, por lo que el condensador C vuelve a cargarse y recomienza el ciclo. Del funcionamiento descrito se observa que el primer pulso, a partir del momento que se aplica tensin al circuito, se produce al cabo de un intervalo de tiempo mayor que los restantes. En el primer caso el condensador C se carga desde cero a la tensin que lleva al dispositivo al punto 1, en cambio todos los pulsos posteriores se producen luego de transcurrido el tiempo necesario para hacer pasar el dispositivo del punto 4 al punto 1. Cabe destacar que si bien el punto 1 es prcticamente coincidente con el correspondiente a VS/IS, el primero se encuentra fijado cuando la recta R2 es tangente a la caracterstica V/I del dispositivo, mientras que VS/IS es donde la tensin V sobre el dispositivo es mxima. Para que el circuito oscile el valor de la resistencia de temporizacin R1 debe encontrarse en un entorno fijado por sus valores mximo y mnimo. Considerando que el punto 1 y el de VS/IS coinciden, el mximo valor de R1 se encuentra fijado por la necesidad de poder cargar el condensador a VS. Si R1 es de un valor tal que la corriente de entrada pueda ser inferior a IS en un momento de la operatoria, el condensador C no puede cargarse a VS y el dispositivo nunca alcanza la zona de resistencia negativa. Por el contrario, si R1 es de un valor tan bajo que una vez disparado el dispositivo, circule una corriente superior a IH, ste permanece en conduccin sin alcanzar el punto 3 (despreciando la cada en R2). De las condiciones anteriores puede fijarse: R1max = Vi VS / IS R1min = Vi VH / IH

Para una correcta operacin de un circuito Oscilador de Relajacin, adems de sus caractersticas estticas debe tenerse en cuenta su comportamiento dinmico. Un dispositivo con elevados tiempos de conmutacin, que pase lentamente del punto 1 al punto 2, en realidad nunca lo alcanza dado que durante este lapso el condensador ya se ha ido descargando. El resultado es que el valor de IP es menor y en consecuencia lo es tambin la amplitud del pulso de salida. En general, para = R2C mayores a diez veces los tiempos de conmutacin, puede considerarse que se alcanza el valor de IP y

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la mxima amplitud de salida. Para constantes de tiempo R2C menores, hay que prever la degradacin del pulso de salida debido a las consideraciones anteriores. Mltiples dispositivos reales se utilizan en la implementacin de Osciladores de Relajacin, los mas usuales son: UJT PUT SUS SBS DIAC Transistores Unijuntura Transistores Unijuntura Programables Llaves Unilaterales de Silicio Llaves Bilaterales de Silicio Diodos para Corriente Alterna

3.- Teora y caractersticas del Transistor Unijuntura.

El transistor unijuntura, UJT de sus denominacin en ingls Unijunction Transistor, es un dispositivo introducido en forma terica en el ao 1948 y cuyas caractersticas fueron descriptas por Skockley y Haynes al ao siguiente. Su primer fabricacin comercial fue realizada en al ao 1952. 3.1.- Teora de Operacin El UJT es un dispositivo de tres terminales denominados emisor (E), Base Uno (B1) y Base Dos (B2). Su smbolo, caracterstica, tensiones y corrientes se indican en la figura 3.1

IB2

E IE VE

B2

VB2B1

B1

| Figura 3.1 Como indica su nombre, el UJT tiene solo una juntura PN, por lo que presenta una caracterstica completamente diferente a un transistor convencional. Para explicar su funcionamiento, es conveniente modelizarlo por una estructura de barra como se indica en la figura 3.2. (a), cuyo circuito equivalente se indica en la figura 3.2 (b). Circuito vlido para corrientes de emisor iguales o inferiores a las de la corriente de pico.

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B2

Estructura de Silicio Tipo N

B1 (a) Estructura simplificada del UJT rB2 B2 VD E A + VB2B1 . B1 rB1 (b) Circuito equivalente vlido para I E menor o igual a I P rB2 B2 VD E A rB1 + VB2B1 . B1 rS rN

(c) Circuito equivalente vlido para la regin de resistencia negativa rB2 B2 VD E A + VB2B1 . B1 rS (d) Circuito equivalente vlido para la regin de saturacin

Figura 3.2
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Al aplicarse una tensin VB2B1 circula una corriente en la barra de silicio entre los dos terminales de base. Como la barra es una resistencia de valor rBB, la corriente interbase resulta I B2 = VB2B1 / rBB Una fraccin de esta tensin aparece en el punto A, donde se encuentra el terminal de emisor, fraccin conocida como coeficiente intrnseco e identificada por la letra griega . Sin tensin aplicada al emisor, la tensin del punto A es VB2B1, por lo que la juntura PN se encuentra inversamente polarizada y solo circula una pequea corriente inversa. Si se incrementa la tensin de emisor hasta al alcanzar el valor que justo inicia la conduccin de a la juntura PN, este valor se corresponde con el valor de pico de la tensin de emisor Vp. Cuyo valor constituye la ecuacin fundamental de los UJT trabajando como osciladores de relajacin: Vp = VD + VB2B1 A partir de este valor, al polarizarse en sentido directo la juntura PN, se inyectan huecos desde el emisor hacia la barra de silicio. El campo elctrico dentro de la barra tiene la polaridad adecuada para transportar a los huecos hacia el terminal de base uno. Como la conductividad de un material semiconductor es una funcin directa de la concentracin y movilidad de los portadores, la inyeccin de huecos aumenta la conductibilidad en la zona, dando origen a un proceso de realimentacin positiva denominado modulacin de la conductividad. El incremento de portadores, reduce la resistividad, causando a su vez un aumento en la cada de tensin entre el emisor y base uno. Proceso que a su vez permite que mas huecos sean inyectados desde el emisor, volviendo a disminuir la resistividad. Mientras el UJT est sometido a este proceso entre los terminales de emisor y base uno se encuentra en la zona de resistencia negativa. En la figura 3.2 (c), se grafica esta situacin. Para corrientes de emisor iguales o inferiores a su valor de pico, la resistencia rBB puede considerarse dividida en dos partes rB1 y rB2 de acuerdo a las siguientes expresiones: rB1 = rBB rB2 = rBB - rB1 En la zona de resistencia negativa, la resistencia rB1 puede considerarse compuesta por una parte fija rs (resistencia de saturacin) y una variable rn (resistencia negativa) , siendo rs el mnimo valor de rB1 una vez finalizado el proceso de realimentacin positivo y rn se haya hecho nula. Cuando rB1 = rs, el UJT ya no se encuentra en la zona de resistencia negativa y el punto de la caracterstica donde rB1 alcanza su valor mnimo es el punto de valle, determinado por el par de valores IV y VV de la caracterstica de emisor. Pasado este punto, el UJT entra en la zona de saturacin, donde la corriente de emisor es una funcin lineal de la tensin de emisor. El circuito equivalente en esta regin se indica en la figura 3.2 (d) En la curva caracterstica del UJT de la figura 3.1 pueden diferenciarse las tres zonas; de corte, de resistencia negativa y de saturacin. La primera de ellas no est dibujada a escala para poder visualizar el punto de pico, ya que mientras Ip es del orden de los
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nA/uA, la Iv es del orden de los mA. A la izquierda del punto de pico se encuentra la regin de corte, donde la juntura PN se encuentra inversamente polarizada a excepcin de las cercanas del punto de pico, y solo circula la pequea corriente de prdidas. A la derecha de este punto, y hasta el punto de valle, se encuentra la zona de modulacin de conductividad que da origen al comportamiento de resistencia negativa del UJT. A la derecha del punto de valle se encuentra la zona de saturacin donde la corriente de emisor est limitada por rs. La caracterstica de emisor para corriente nula de base dos es esencialmente igual a la de un diodo de silicio. En la siguiente tabla se indican valores tpicos de un transistor unijuntura. Parmetro Coeficiente intrnseco Resistencia interbase Corriente de pico Corriente de valle Corriente inversa de emisor Tensin de saturacin de emisor Cada directa de la juntura de emisor Tensin de valle 3.2.- Oscilador a Relajacin con UJT El la figura 3.3. se indica el circuito de aplicacin tpico de un UJT trabajando como un oscilador a relajacin: Smbolo rBB Ip Iv IEO VEB1 (SAT) VD Vv Valores tpicos 0,7 7 Kohm 1 uA 10 mA 0,1 uA 1,5 V 0,6 V 1,5 V

RE

R2

RE = 10 K CE = 0,01 uF R2 = 270 ohm R1 = 27 ohm Vcc = 12 V

CE

R1

Figura 3.3 Cuando se aplica la tensin de alimentacin, CE se carga exponencialmente a travs de RE hasta alcanzar el valor de disparo Vp. A esta tensin, la juntura PN entre emisor y base uno, se polariza en forma directa y la caracterstica de emisor entra en la zona de resistencia negativa. El capacitor CE se descarga al circular una corriente de emisor, produciendo un pulso positivo en el terminal B1. Este pulso se produce sobre la resistencia R1, que puede existir fsicamente o bien representar la impedancia de entrada de la compuerta del tiristor que se desea disparar mediante el oscilador de relajacin.

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Antes de dispararse, una corriente IB2 se encuentra circulando entre las dos bases. Cuando el UJT entra en la zona de resistencia negativa, la IB2 se incrementa, dado que rB2 disminuye al valor de rs, dando origen a un pulso negativo en el terminal de B2. Cuando la tensin en el emisor decrece al valor de valle por la descarga del capacitor, el UJT se corta, el capacitor CE vuelve a cargarse y el ciclo se repite, si se satisface que el valor de R1 se encuentra entre los mximos y mnimos permitidos. Para el clculo del perodo en rgimen permanente, la tensin en el capacitor CE sigue una evolucin dada por: VCE = Vv + (Vcc Vv) (1 e t/) El disparo se produce cuando VCE = Vp = VD + VB1B2 Por lo que resulta un perodo T = RE CE ln (Vcc Vv) / (Vcc VD VB1B2) Usualmente, despreciando Vv y VD, el perodo queda expresado por: T = RE CE ln 1 / (1- ) = ln 1 / (1- ) Para la correcta operacin de un oscilador a relajacin en el disparo de tiristores, debe asegurarse que el perodo se mantenga constante y la amplitud del pulso de salida sobre R1 sea de la energa requerida El perodo calculado se ve afectado por la variacin de la temperatura. Variacin que puede minimizarse mediante la adecuada eleccin del valor de la resistencia R2 en el circuito de la figura 3.3. La ecuacin bsica del UJT operando como oscilador de relajacin es Vp = VD + VB1B2 La presencia de R2, y despreciando R1, la modifica como: Vp = VD + Vcc / (rBB + R2) VB1B2 Sin la presencia de R2, si la temperatura aumenta, como VD y tienen un coeficiente negativo de variacin con la temperatura, Vp disminuye con la temperatura. La inclusin de R2 introduce a rBB en la expresin de Vp. rBB presenta un coeficiente positivo de variacin con la temperatura, tendiendo a compensar la disminucin de Vp debidos a VD y , al incrementarse la temperatura. Si R2 no vara con la temperatura, puede elegirse un valor adecuado, que permite alcanzar una variacin del 1% en Vp sobre una variacin en 50 C. El valor de R2 puede calcularse a partir de la informacin de los fabricantes sobre la variacin de los parmetros con la temperatura, pero como primer aproximacin en circuitos no crticos, para independizar el perodo de los cambios de temperatura se toma:: R2 = 15 % rBB
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con = RE CE

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En cuanto a la energa entregada en el pulso de descarga del capacitor CE durante la zona de resistencia negativa, en principio la tensin en el mismo no puede variar instantneamente, tendiendo a establecer una corriente dada por el valor de Vp al cual se ha cargado CE y las resistencias rs (resistencia de saturacin emisor base 1) y R1. El tiempo que tarda en establecerse esta corriente es del orden de los microsegundos. Durante este tiempo de conmutacin, CE puede ir descargndose y producir un pulso de amplitud menor que el esperado en funcin de los valores del circuito. Estas variaciones se encuentran graficadas en la figura 3.4, para distintos valores de CE y de VB1B2, ensayado en un circuito como el de la figura 3.3 con los siguientes valores RE = 10 ohm R2 = 1 Kohm R1 = 27 ohm En la figura puede observarse como para distintos valores de CE y VB1B2 se obtienen diferentes valores de corriente de emisor

Figura 3.4

4.- Teora y caractersticas del Transistor Unijuntura Programable.

El transistor unijuntura programable, PUT de sus denominacin en ingls Programmable Unijunction Transistor, es un dispositivo de cuatro capas, perteneciente a la familia de los tiristores, con acceso al terminal de compuerta de nodo y utilizado en aplicaciones de osciladores de relajacin. Su nombre se deriva de su uso en este tipo de circuitos en lugar de los UJT, y denominados programables por no tener un coeficiente intrnseco fijo, sino que puede ser modificado por el circuito.
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4.1.- Teora de Operacin El PUT, como el UJT, es un dispositivo de tres terminales, que por pertenecer a la familia de los tiristores, utilizan los usuales de nodo, ctodo y compuerta. Su smbolo, y circuito equivalente se indican en la figura 4.1.

Figura 4.1 De la figura puede observarse que el disparo se produce por el terminal de nodo en lugar del de ctodo, haciendo a la compuerta negativa con respecto al nodo para pasar del estado de corte al de conduccin. El uso de los PUTs se encuentra casi limitado a su utilizacin en osciladores de relajacin para disparo de tiristores de potencia en aplicaciones de control de fase. Su alta sensibilidad, les permite trabajar con elevados valores de resistencia de temporizacin o pequeos valores de capacidad, en aplicaciones de baja corriente, tales como temporizaciones muy largas o en circuitos alimentadas con bateras. Adicionalmente, por su conmutacin debido a un proceso de realimentacin positiva de elementos activos, presentan menores tiempos de conmutacin que los UJT donde este proceso se debe a un cambio en la conductividad de la barra de silicio por inyeccin de portadores. En consecuencia menores valores de capacidad producen pulsos de disparo de la potencia adecuada En la figura 4.2. se indica un oscilador a relajacin tpico implementado con PUT. En el mismo puede apreciarse que se fija el potencial de la compuerta de nodo a un valor Vs determinado por el divisor resistivo R1 y R2. La resistencia y capacidad de temporizacin RT y CT, fijan la evolucin de la tensin del nodo. Cuando alcance el potencial de la compuerta, mas la necesaria para vencer la cada directa de la juntura nodo compuerta, el PUT se encuentra con tensin nodo ctodo positiva y corriente de compuerta, por lo que pasa del estado de corte al de conduccin como cualquier miembro de la familia de los tiristores.

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Figura 4.2 En este circuito, la curva caracterstica que vincula la tensin nodo ctodo con la corriente de nodo del PUT es como se indica en la figura 4.3. Pueden observarse los puntos estables de pico y de valle en ambos extremos de la zona de resistencia negativa.

Figura 4.3

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La tensin de pico Vp es prcticamente la fijada por el divisor resistivo, mas la cada en un diodo polarizado directamente. Como la referencia es fijada por el circuito y no por el dispositivo en si, puede ser modificada a voluntad, y en este sentido la tensin de pico Vp es programable. Al caracterizar a un PUT, se acostumbra referirlas a la tensin y resistencia de Thevenin Vs y RG, visto desde el terminal de compuerta: Vs = V1 R1 / (R1 + R2) RG = R1R2 / (R1 + R2) La mayora de los parmetros de un PUT son funcin de los valores de Vs y RG, como de hecho lo es la curva de la figura 4.3. Disminuir RG produce un aumento en los valores de las corrientes de pico y de valle, dado que por encontrarse RG en paralelo con el PUT, la disminucin de RG torna al PUT mas insensible. En la siguiente tabla se suministran valores de pico y de valle de los PUT Motorola tipos 2N6027 y 2N6028 para distintos valores de RG Smbolo Ip Iv RG RG = 1 mohm RG = 10 Kohm RG = 1 Mohm RG = 10 Kohm 2N6027 1,25 4 18 150 2N6028 0,08 0,70 18 150 Unidades uA uA uA uA

Otros valores tpicos son: Smbolo VAG Valor Tpico Observaciones 0,3 V @ IAG Coeficiente negativo con la temperatura, -2,4 V/ @ 10 C 0,1 uA C 0,7 V @ IAG nA y -1,6 V/ @ 10 mA 1 mA Corriente inversa 5 nA compuerta ctodo con el nodo cortocircuitado Corriente inversa 1 na @ 25 Se duplica cada 10 C compuerta nodo con ctodo abierto Cada directa nodo ctodo 0.8 V Descripcin Cada directa nodo compuerta 25 C

IGKS IGAO VF

4.2.- Oscilador a Relajacin con PUT El la figura 4.2 se indica el circuito de aplicacin tpico de un UJT trabajando como un oscilador a relajacin. Su funcionamiento es anlogo al explicado para los UJT. Dadas las caractersticas constructivas y funcionales de los PUT, en su aplicacin en osciladores de bloqueo deben tenerse en cuenta las siguientes consideraciones: Al igual que en los UJT, la resistencia de temporizacin RT debe ser lo suficientemente baja para que pueda alcanzar a circular Ip y lo suficientemente alta

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para que no pueda circular la Iv en forma permanente. Para el caso de los PUT debe tenerse en cuenta que los valores de Ip e Iv dependen del valor de RG. El valor de Vp en los PUT es fijado por el circuito exterior, por ejemplo mediante un divisor resistivo como el de la figura 4.2. La ecuacin bsica del PUT es: Vp = VT + Vs Siendo Vs la tensin de Thevenin vista desde la compuerta y VT una tensin de offset compuesta por la cada directa de la juntura nodo compuerta VAG mas la cada producida en RG por la corriente Ip justo antes del disparo. Como VT = VAG + Ip RG, un cambio en RG afecta a ambos trminos en forma opuesta. Si RG aumenta, Ip disminuye y hace decrecer a VAG, pero como Ip no se reduce tan rpido como RG se incrementa, el producto Ip RG aumenta, aumentando el valor de VT. Como estas variaciones son difciles de estimar, es de uso generalizado tomar para la mayora de las aplicaciones. VT = 0,5 V El perodo de un oscilador a relajacin basado en PUT resulta: VCT = Vp = VT + Vs Por lo que resulta un perodo T = RT CT ln (Vcc Vv) / (Vcc VT - Vs) Despreciando Vv y VT, se reduce a una expresin equivalente a la ya obtenida para los UJT. T = RT CT ln (1 + R1 / R2) Al igual que con los UJT, la amplitud del pulso de salida depende de la velocidad de conmutacin, especialmente para capacidades inferiores a 0,01 uF. Valores tpicos de frecuencias de oscilacin se encuentran comprendidas entre los 0,003 Hz y 2,5 KHz. El PUT operando como oscilador de bloqueo presenta una baja dependencia de su frecuencia con la temperatura debido a que su tensin de compuerta se encuentra fijada exteriormente. Para aplicaciones crticas deben implementarse circuitos de compensacin

5.- Teora y caractersticas de las Llaves Unilaterales y Bilaterales de Silicio.

Estos dispositivos, conocidos por sus siglas SBS y SUS de sus denominaciones en ingls Silicon Unilateral Switch y Silicon Bilateral Switch, tambin pertenecen a la familia de los tiristores, integrando PUT y diodos zener para fijar el valor de la tensin de referencia.

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En la figura 5.1 se indica el smbolo, el circuito equivalente y la curva caracterstica de los SUS.

Figura 5.1 La figura 5.2 presenta los mismos datos para los SBS.

Figura 5.2 De las figuras precedentes puede observarse que son dispositivos de tres terminales con una caracterstica equivalente a la de los PUT, por lo que su utilizacin en circuitos osciladores de relajacin es similar al de la figura 4.2, pero con la tensin de referencia de compuerta fijada por el diodozener interno en lugar de serlo por el circuito exterior. La tabla siguiente presenta algunos valores tpicos de un SUS como el D13D1 Smbolo Vs Is VH IH VF Vo Descripcin Tensin de disparo Corriente de disparo Tensin de mantenimiento Corriente de mantenimiento Cada directa Tensin de pico del pulso Valor Tpico 6 a 10 V 0,5 mA mximo 0,7 V @ 25 1,5 mA 1,75 V @ 200 mA 3,5 V mnimo

El valor de Vo se obtiene sobre una resistencia de ctodo de 20 ohms, con un circuito de temporizacin alimentado desde 15 V y con valores de resistencia y capacitor de 100 K y 0,1 uF. Puede observarse que presentan un valor relativamente elevado de la corriente de pico, y que sta no difiere significativamente de la de valle, por lo que las frecuencias
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mximas y mnimas de operacin se encuentran limitadas. Por estas razones, actualmente se disponen dispositivos integrados que presentan caractersticas similares y mejores valores de sus parmetros. Los SBS, como por ejemplo el D13E1, son esencialmente dos SUS idnticos en anti paralelo. Como puede operar con polaridades opuestas de la tensin de alimentacin, su principal uso se encuentra en el disparo de tiristores bidireccionales como los TRIAC. Esta operacin se logra excitando el circuito del oscilador con tensiones alternas en vez de continuas.

6.- Teora y caractersticas de los DIAC.

Los DIAC son dispositivos de solo dos terminales, cuyo smbolo y caractersticas se indican en la figura 6.1.

Figura 6.1 Estos dispositivos pertenecen a la familia de los tiristores, se encuentran construidos con las cuatro capas tpicas de la familia, pero con la particularidad que su disparo no se produce por la inyeccin de portadores en el terminal de compuerta, sino por tensin de ruptura. Forma de disparo que generalmente resulta destructiva para la mayora de los miembros de la familia de tiristores, pero que es la utilizada en los DIAC. Puede observarse de su caracterstica, que la zona de resistencia negativa comienza al superarse la tensin de ruptura y luego permanece permanentemente en esta zona, por lo que no existe un punto de valle. La siguiente tabla contiene valores tpicos del DIAC ST-2:

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Smbolo V(BR) I(BR) ep

Descripcin Tensin de ruptura Corriente de ruptura Tensin de pico del pulso

Valor Tpico 28 a 36 V 200 uA mximo 3 V mnimo

El valor de ep se mide en un circuito con los mismos valores que los utilizados para la determinacin del pulso de disparo de los SUS. A aplicacin tpica de los DIAC es para el disparo de TRIAC.

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