INSTITUTO SUPERIOR TECNOLOGICO FRANCISCO DE PAULA GONZALEZ VIGIL

TRABAJO DE INVESTIGACION

Nombre: Junior Copa Clemente Curso: Electronica Analogica Especialidad: Electronica Industrial 10/06/2011

1: COMO SE DEFINE UN SEMICONDUCTOR Los semiconductores son materiales cuya conductividad vara con la temperatura, pudiendo comportarse como conductores o como aislantes. Resulta que se desean variaciones de la conductividad no con la temperatura sino controlables elctricamente por el hombre. Para conseguir esto, se introducen tomos de otros elementos en el semiconductor. Estos tomos se llaman impurezas y tras su introduccin, el material semiconductor presenta una conductividad controlable elctricamente. Existen dos tipos de impurezas, las P y las N, que cambian la conductividad del silicio y determinan el tipo de cristal a fabricar. Por tanto, como hay dos tipos de impurezas habr dos tipos fundamentales de cristales, cristales de impurezas P y cristales de impurezas tipo N. El material semiconductor ms utilizado es el Silicio (Si), pero hay otros semiconductores como el Germanio (Ge) que tambin son usados en la fabricacin de circuitos. El silicio est presente de manera natural en la arena por lo que se encuentra con abundancia en la naturaleza. Adems, el Si presenta propiedades mecnicas y elctricas buenas. Su purificacin es relativamente sencilla (llegndose a Si puro del 99,99999%) y el Si se presta fcilmente a ser oxidado, formndose SiO2 y constituyendo un aislante que se utiliza en todos los transistores de la tecnologa CMOS. 2. CUALES SON LOS VALORES ATMICOS SE TOMAN EN CUENTA PARA EL SILICIO Y EL GERMANIO Silicio = 14 Germanio =32 Propiedades del germanio y del silicio. | | Ge | Si | Nmero atmico | 32 | 14 | Masa atmica (g/mol) | 72,6 | 28,08 | Radio atmico (nm) | 0,137 | 0,132 | Estructura electrnica | [Ar]4s23d104p2 | [Ne]3s23p2 | Densidad (kg/m3) | 5323 | 2330 | Temperatura de fusin | 937,4 C | 1410 C | Calor especfico (J/kgC) | 309 | 677 | Anchura banda prohibida a 300 K | 0,67 eV | 1,12 eV | Movilidad electrones a 300 K | 0,39 m2/Vs | 0,135 m2/Vs | Movilidad huecos a 300 K | 0,182 m2/Vs | 0,05 m2/Vs | Resistividad intrnseca a 300 K | 0,47 m | 2300 m | 3. CUALES SON LAS SEMICONDUCTORES CARACTERSTICAS BSICAS DE LOS

Una propiedad importante en los semiconductores es que posibilita el poder modificar su resistividad de manera controlada entre mrgenes muy amplios. La razn primera de este comportamiento diferente reside en su estructura atmica, bsicamente en la distancia interatmica de sus tomos en la red as como el tipo de enlace entre ellos.

4. ILUSTRE LA ESTRUCTURA ATMICA DEL SILICIO Cristal De Silicio Puro

5. MENCIONE LA CLASIFICACIN DE LOS SEMICONDUCTORES Semiconductores intrnsecos Es un cristal de silicio que forma una estructura tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos electrones pueden, absorbiendo la energa necesaria, saltar a la banda de conduccin, dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente son de 1,12 y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente. Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno, se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece invariable. Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que: ni = n = p siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura. Si se somete el cristal a una diferencia de tensin, se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y es en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin. Semiconductores extrnsecos Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio.

6. CUANDO SE DICE QUE UN MONOCRISTALINO Y POLICRISTALINO

MATERIAL

ES

AMORFO,

Amorfo - Que no posee un ordenamiento determinado. Los polmeros son amorfos cuando sus cadenas estn entrelazadas de cualquier manera. Los polmeros son no amorfos cuando sus cadenas se encuentran alineadas en cristales ordenados. Materiales Monocristalinos Constituidos por un solo tipo de red cristalina. Son sistemas homogneos de grano nico. Sin discontinuidades. Alta resistencia y baja capacidad de deformacin. Materiales Policristalinos Tienen ms de un tipo de ordenamiento o estructura cristalina. Cada una de esas estructuras se llaman granos. Estos se van ordenando en forma regular. Durante la solidificacin hay competencia entre los cristales para ocupar el mayor espacio posible. Los extremos de los cristales interaccionan entre s produciendo discontinuidades: limites de granos. * Granos grandes: frgiles. * Granos pequeos: dctiles. 7. DIGA CUAL ES LA DIFERENCIA ENTRE UN SEMICONDUCTOR INTRNSECO Y UN EXTRNSECO Semiconductores intrnsecos: un semiconductor intrnseco es un semiconductor puro, cuando se le aplica una tensin externa los electrones libres fluyen hacia el terminal positivo de la batera y los huecos hacia el terminal negativo de la batera. semiconductor extrinseco: es aquel que se puede dopar parta tener un exceso de electrones libres o un exceso de huecos. aqu encontraremos dos tipos de unin en el que es la unin tipo p y la unin tipo n. sucede que los semiconductores intrnsecos actan como un aislante en el caso del silicio cuando es un cristal puro, ahora cuando lo dopamos con impurezas se llega al material extrinseco y en ese caso tendremos un material semiconductor por ejemplo un diodo. espero te sea valiosa la respuesta te dejo mi pagina personal es 8. MENCIONE LA CLASIFICACIN DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES Diodo Semiconductor El diodo semiconductor est constituido fundamentalmente por una unin P-N, aadindole un terminal de conexin a cada uno de los contactos metlicos de sus extremos y una cpsula que aloja todo el conjunto, dejando al exterior los terminales que corresponden al nodo (zona P) y al ctodo (Zona N) El diodo deja circular corriente a travs suyo cuando se conecta el polo positivo de la batera al nodo, y el negativo al ctodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la conexin opuesta. Esta interesante propiedad puede utilizarse para realizar la conversin de corriente alterna en continua, a este procedimiento se le denomina rectificacin. En efecto. si se aplica a este diodo una tensin alterna, nicamente se producir circulacin de corriente en las ocasiones en que el nodo sea ms positivo que el ctodo, es decir, en las alternancias positivas, quedando bloqueado en las ascendencias 4

negativas, lo que impide el paso de la corriente por ser en estas ocasiones el nodo ms negativo que el ctodo. La corriente resultante ser pulsante, ya que slo circular en determinados momentos, pero mediante los dispositivos y circuitos adecuados situados a continuacin puede ser convertida en una corriente continua constante, que es el que se emplea actualmente casi en exclusiva; presenta sobre el de vaco algunas ventajas fundamentales: - Es de tamao mucho ms reducido, lo que contribuye a la miniaturizacin de los circuitos. - La cantidad de calor generado durante el funcionamiento es menor, ya que no necesita ningn calentamiento de filamento. - Funciona con tensiones mucho ms bajas, lo que posibilita su empleo en circuitos alimentados a pilas o bateras. - Pueden ser utilizados en equipos que manejen grandes corrientes, aplicacin que con diodos de vaco resultaba prohibitiva en ocasiones por el gran tamao de stos. Existen diodos semiconductores de muy pequeo tamao para aplicaciones que no requieran conducciones de corrientes altas, tales como la demodulacin en receptores de radio. Estos suelen estar encapsulados. en una caja cilndrica de vidrio con los terminales en los extremos, aunque tambin se utiliza para ellos el encapsulado con plstico. Clasificacin Dentro del amplio conjunto de modelos y tipos diferentes de diodos semiconductores que actualmente existe en el mercado, se puede realizar una clasificacin de forma que queden agrupados dos en varias familias, teniendo en cuenta aquellas caractersticas ms destacadas y que, de hecho, son las que determinan sus aplicaciones. De esta forma se pueden encontrar las siguientes: - Diodos rectificadores de toda la gama de potencias, con encapsulado individual o en puente. - Diodos de seal de use general. - Diodos de conmutacin. - Diodos de alta frecuencia. - Diodos estabilizadores de tensin. - Diodos especiales. 9. DEFINA E ILUSTRE AL DIODO RECTIFICADOR Diodos rectificadores El encapsulado de estos diodos depende de la potencia que hayan de disipar. Para los de baja y media potencia se emplea el plstico hasta un lmite de alrededor de 1 vatio. Por encima de este valor se hace necesario un encapsulado metlico y en potencias ms altos deber estar la cpsula preparada para que pueda ser instalado el diodo sobre un radiador de color, por medio de un sistema de sujecin a tornillo. Cualquier sistema rectificador de corrientes, tanto monofsicas como trifsicas o polifsicas, se realiza empleando varios diodos segn una forma de conexin denominada en puente. No obstante, tambin se utiliza otro sistema con dos diodos, como alternativa del puente en algunos circuitos de alimentacin monofsicos. Debido al gran consumo a nivel mundial de diodos que ms tarde son empleados en montajes puente, los fabricantes decidieron, en un determinado momento, realizar ellos mismos esta disposicin, uniendo en fbrica los cuatro diodos y cubrindolos con un encapsulado comn. Esto dio lugar a la aparicin de diversos modelos de puentes de diodos con diferentes intensidades mximas de corriente y, por lo tanto, con disipaciones de potencia ms o menos elevadas, en la misma forma que los diodos simples. En los tipos de mayor disipacin, la cpsula del puente es metlica y est preparada para ser montada sobre un radiador.

10. CUALES SON LOS VALORES MXIMOS DE TENSIN Y CORRIENTE EN LOS DIODOS RECTIFICADORES de 2 a 200 Voltios 11. COMO SE DEFINE UN TRANSISTOR Y CUAL ES SU CLASIFICACIN. Dispositivo compuesto de un material semiconductor que amplifica una seal o abre o cierra un circuito. Inventado en 1947 en Bell Labs, los transistores se han vuelto el principal componente de todos los circuitos digitales, incluidas las computadoras. En la actualidad los microprocesadores contienen millones de transistores microscpicos. Previo a la invencin de los transistores, los circuitos digitales estaban compuestos de tubos vacos, lo cual tena muchas desventajas. Eran ms grandes, requeran ms memoria y energa, generaban ms calor y eran ms propensos a fallas. Los transistores cumplen las fusiones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El transistor bipolar fue inventado en los laboratorios Bell de EEUU en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley (recibieron el Premio Nobel de Fsica en 1956). El transistor bipolar est constituido por un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica cuntica. 12. CUALES SON LAS CARACTERSTICAS BSICAS DEL DIODO ZENER E ILSTRELO El efecto zener se basa en la aplicacin de tensiones inversas que originan, debido a la caracterstica constitucin de los mismos, fuertes campos elctricos que causan la 6

rotura de los enlaces entre los tomos dejando as electrones libres capaces de establecer la conduccin. Su caracterstica es tal que una vez alcanzado el valor de su tensin inversa nominal y superando la corriente a su travs un determinado valor mnimo, la tensin en bornas del diodo se mantiene constante e independiente de la corriente que circula por l. FUNCIONAMIENTO DEL DIODO ZENER El simbolo del diodo zener es: y su polarizacin es siempre en inversa, es decir Tres son las caractersticas que diferencian a los diversos diodos Zener entre si: a.- Tensiones de polarizacin inversa, conocida como tensin zener.- Es la tensin que el zener va a mantener constante. b.- Coriente mnima de funcionamiento.- Si la corriente a travs del zener es menor, no hay seguridad en que el Zener mantenga constante la tensin en sus bornas c.- Potencia mxima de disipacin. Puesto que la tensin es constante, nos indica el mximo valor de la corriente que puede soportar el Zener. Por tanto el Zener es un diodo que al polarizarlo inversamente mantiene constante la tensin en sus bornas a un valor llamado tensin de Zener, pudiendo variar la corriente que lo atraviesa entre el margen de valores comprendidos entre el valor minimo de funcionamiento y el correspondiente a la potencia de zener mxima que puede disipar. Si superamos el valor de esta corriente el zener se destruye. 13. MENCIONE LAS ESPECIFICACIONES DEL DIODO VARACTOR E ILUSTRE SU SMBOLO Es un dispositivo semiconductor que puede controlar su valor de capacidad en trminos de la tensin aplicada en polarizacin inversa. Esto es, cuando el diodo se polariza inversamente no circula corriente elctrica a travs de la unin; la zona de deplexion acta como el dielctrico de un capacitor y las secciones de semiconductor P y N del diodo hacen las veces de las placas de un capacitor. Todos los diodos cuando estn polarizados en sentido opuesto tienen una capacitancia que aparece entre sus terminales.La capacidad que alcanza el capacitor que se forma, es del orden de los pico o nanofaradios. Cuando vara la tensin de polarizacin inversa aplicada al diodo, aumenta o disminuye de igual forma la zona de deplexin. En un diodo, esto equivale a acercar o alejar las placas de uncapacitor Los diodos varicap se controlan mediante la tensin que se les aplica; por lo que el cambio de capacidad se puede hacer mediante otro circuito de control, ya sea digital o analgico. Las aplicaciones de los varicap son la mayora de las veces en circuitos resonantes, los cuales permiten seleccionar una seal de una frecuencia especfica, de entre muchas seales de diferentes valor 14. EN QUE BASA SU PRINCIPIO EL DIODO DE POTENCIA Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones : son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de

conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo. Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de fugas. El diodo responde a la ecuacin: La curva caracterstica ser la que se puede ver en la parte superior, donde: VRRM: tensin inversa mxima VD: tensin de codo. A continuacin vamos a ir viendo las caractersticas ms importantes del diodo, las cuales podemos agrupar de la siguiente forma: Caractersticas estticas: Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa). Parmetros en conduccin. Modelo esttico. Caractersticas dinmicas: Tiempo de recuperacin inverso (trr). Influencia del trr en la conmutacin. Tiempo de recuperacin directo. Potencias: Potencia mxima disipable. Potencia media disipada. Potencia inversa de pico repetitivo. Potencia inversa de pico no repetitivo. Caractersticas trmicas. Proteccin contra sobreintensidades. 15. DESCRIBA LAS CARACTERSTICAS BSICAS DE LOS FOTODIODOS El fotodiodo es un diodo semiconductor, construido con una unin PN, como muchos otros diodos que se utilizan en diversas aplicaciones, pero en este caso el semiconductor est expuesto a la luz a travs de una cobertura cristalina y a veces en forma de lente, y por su diseo y construccin ser especialmente sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Todos los semiconductores tienen esta sensibilidad a la luz, aunque en el caso de los fotodiodos, diseados especficamente para esto, la construccin est orientada a lograr que esta sensibilidad sea mxima. Los diodos tienen un sentido normal de circulacin de corriente, que se llama polarizacin directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente elctrica y prcticamente no lo permite en el inverso: es la base del funcionamiento de un diodo. Pero en el fotodiodo la corriente que est en juego (y que vara con los cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producir un aumento de la circulacin de corriente cuando el diodo es excitado por la luz. Lo que define las propiedades de sensibilidad al espectro de un fotodiodo es el material semiconductor que se emplea en la construccin. Los fotodiodos estn construidos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta 1,1 m), de germanio para luz 8

infrarroja (longitud de onda hasta aproximadamente 1,8 m), y los hay de otros materiales semiconductores. El rango de espectro es: Silicio: | | 1901100 nm | Germanio: | | 8001700 nm | Indio galio arsnico (InGaAs): | | 8002600 nm | Sulfuro de plomo: | | 1000-3500 nm | 16. EXPLIQUE COMO SE REALIZA LA RECTIFICACIN DE MEDIA ONDA Y ONDA COMPLETA MEDIANTE EL USO DE DIODOS Y DIGA QUE APLICACIN TIENE. El rectificador de media onda es un circuito empleado para eliminar la parte negativa o positiva de una seal de corriente alterna de entrada (Vi) convirtindola en corriente directa de salida (Vo). Un Rectificador de onda completa es un circuito empleado para convertir una seal de corriente alterna de entrada (Vi) en corriente continua de salida (Vo) pulsante. A diferencia del rectificador de media onda, en este caso, la parte negativa de la seal se convierte en positiva o bien la parte positiva de la seal se convertir en negativa, segn se necesite una seal positiva o negativa de corriente continua. Existen dos alternativas, bien empleando dos diodos o empleando cuatro (puente de Graetz). | Rectificador con dos diodos. En el circuito de la figura, ambos diodos no pueden encontrarse simultneamente en directa o en inversa, ya que las diferencias de potencial a las que estn sometidos son de signo contrario; por tanto uno se encontrar polarizado inversamente y el otro directamente. La tensin de entrada (Vi) es, en este caso, la mitad de la tensin del secundario del transformador. 17. MENCIONE QUE TIPO DE DIODO SE UTILIZA EN REGULADORES Diodo Zener 18. CUAL ES EL DIODO QUE TIENE UNA IMPEDANCIA NEGATIVA MUY ALTA 19. MENCIONE EL DIODO QUE SE UTILIZA CON POTENCIAS BAJAS 20. CUAL ES EL TIPO DE MATERIAL DEL CUAL ESTN FORMADOS LOS DIODOS Silicio y Germanio 21. QUE FUNCIN CUMPLE UN DIODO
A. Como rectificadores: Este es el empleo ms corriente y al que ya hemos explicado.

B. Como protector: Un circuito en donde convenga que la corriente circule solamente en un sentido determinado, y nunca en sentido contrario, puede ser protegido por la presencia de un diodo. C. Descarga: Puesto en derivacin en un circuito dotado de una fuente de autoinduccin

22. COMO TRAZARA LA CURVA CARACTERSTICA DE UN DIODO Con la polarizacin directa los electrones portadores aumentan su velocidad y al chocar con los tomos generan calor que har aumentar la temperatura del semiconductor. Este aumento activa la conduccin en el diodo.

23. DESCRIBA LA CURVA CARACTERSTICA DE UN DIODO Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente elctrica en una nica direccin. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones, por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con muy pequea resistencia elctrica. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en corriente continua. Curva caracterstica del diodo 10

 Tensin umbral, de codo o de partida (V). La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad. Corriente mxima (Imax). Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo. Corriente inversa de saturacin (I). Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura. Corriente superficial de fugas. Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas. Tensin de ruptura (V).

24. QUE ES UN DIODO ZENNER, Y PARA Q SE USA? El diodo Zener es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las zonas de rupturas, recibe ese nombre por su inventor, el Dr. Clarence Melvin Zener. El diodo zener es la parte esencial de los reguladores de tensin casi constantes con independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia de carga y temperatura. Son mal llamados a veces diodos de avalancha, pues presentan comportamientos similares a estos, pero los mecanismos involucrados son diferentes. Y son usados para trabajar en inversa. 25. INDICAR LIMITACIONES TPICAS DE UN DIODO REAL

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