Documenti di Didattica
Documenti di Professioni
Documenti di Cultura
Materiale semiconductoare
Materialele semiconductoare sunt materiale care au valoarea conductivităţii electrice
cuprinsă în intervalul de valori (10-6 - 105) 1/Ωm, puternic dependentă de condiţiile exterioare
(temperatură, câmp electric, câmp magnetic etc.) şi de structura internă a acestora (natura
elementelor chimice componente, defecte, impurităţi etc.).
Conductibilitatea electrică a materialelor este determinată în anumite condiţii energetice de
apariţia purtătorilor de sarcină electrică, şi de deplasarea acestora în structura internă a
materialului respectiv.
Descrierea purtătorilor de sarcină electrică se realizează pe baza modelului simplificat al
benzilor energetice al corpului solid. Conform acestui model, electronii atomului sunt plasaţi pe
diferite nivele energetice, care pot fi grupate în benzi energetice.
Există o bandă energetică în care toate nivelele energetice sunt ocupate de electroni. Această
bandă se numeste bandă de valenţă, iar electronii respectivi se numesc electroni de valenţă. În
structura cristalină a materialului, aceşti electroni sunt legaţi prin legături covalente, fiind imobili.
Banda energetică în care nivelele energetice au valorile cele mai mari se numeşte bandă de
conducţie. În această bandă, toate nivelele energetice sunt libere. Pentru ca un electron să poată
ocupa un nivel energetic în benda de conducţie este necesar ca acesta să beneficieze de un aport
energetic. Electronul care ocupă un nivel energetic din banda de conducţie se numeşte electron de
conducţie.
Electronii de conducţie sunt liberi să se deplaseze prin structura cristalină a materialului.
Aceşti electroni provin din electronii de valenţă care, pe baza aportului energetic provenit din
exteriorul materialului, pot rupe legăturile covalente în care au fost iniţial fixaţi devenind electroni
liberi. Datorită faptului că se pot deplasa, electronii de conducţie participă la generarea curentului
electric prin structura unui material.
Tipul unui material electronic poate fi caracterizat de modul în care sunt dispuse benzile
energetice ale acestuia. Informaţiile despre dispunerea benzilor energetice sunt furnizate de către
diagrama de benzi energetice a materialului respectiv.
Figura 1.
1
În figura 1.a se prezintă diagrama benzilor energetice pentru materialele conductoare. Prin EC
s-a notat nivelul energetic inferior al benzii de conducţie, iar prin EV s-a notat nivelul energetic
superior al benzii de valenţă. Se observă că, pentru materialele conductoare, cele două benzi
energetice prezintă o suprapunere. În acest caz, conducţia curentului electric este asigurată de către
un singur tip de purtători de sarcină electrică şi anume electronul de conducţie.
În figura 1.b se prezintă diagrama benzilor energetice pentru materialele izolatoare, respectiv
semiconductoare. În acest caz, se remarcă faptul că banda de conducţie este izolată de banda de
valenţă de o a 3a bandă energetică, numită bandă interzisă. Banda interzisă grupează nivele
energetice care NU sunt permise electronilor; electronii nu pot ocupa nivelele energetice din această
bandă. Diferenţa dintre materialele semiconductoare şi cele izolatoare este dată de lăţimea benzii
interzise, notate EG, la materialele izolatoare fiind mult mai mare (≅5eV; eV=electron-volt) decât la
cele semiconductoare (≅1,1eV).
În cazul în care, materialul izolator sau semiconductor este supus acţiunii unui agent exterior
(câmp electric, magnetic, căldură, lumină), se poate furniza unora dintre electronii de valenţă
energia necesară depăşirii benzii interzise astfel încât aceştia pot ajunge pe un nivel energetic
superior, aflat în banda de conducţie. În consecinţă, printr-un aport energetic extern suficient de
mare, aceşti electroni de valenţă devin electroni de conducţie, fiind liberi să se deplaseze prin
structura cristalină a materialului.
Prin plecarea unui electron din banda de valenţă, se eliberează un loc pe un nivel energetic din
banda de valenţă, care, în continuare, poate fi ocupat de un alt electron de valenţă, aflat pe un nivel
energetic inferior în banda de valenţă. Locul liber, lasat prin plecarea unui electron de pe un nivel
energetic al benzii de valenţă se numeşte gol.
La materialele semiconductoare şi izolatoare, fenomenele de conducţie ale curentului electric
sunt generate de apariţia electronilor de conducţie şi a golurilor.
2
2.1. Materiale
M sem
miconductoaare intrinseeci.
Figuraa 2.
Figura 4.
Purtători
P mobili
m de sarrcină electriică
Din ceele prezentatee mai sus se constată că,, într-un matterial semicoonductor, purrtătorii mobiili de
sarcină (elecctroni de connducţie şi gooluri) sunt geeneraţi prin ruperea
r legătturilor covallente.
În pluss, se constatăă că prin creeşterea tempperaturii, nummărul de electroni de vaalenţă care caapătă
suficientă energie
e penntru a rupee legăturile covalente, creşte. Înn concluzie,, prin creşşterea
temperaturii
t i, tot mai mu ulte legăturii covalente se
s rup şi asttfel sunt genneraţi tot maai mulţi purttători
mobili
m de saarcină.
Mecannismul de geenerare a purrtătorilor moobili de sarcină în semicconductoare pe baza creşterii
temperaturii
t i se numeşte generare terrmică de purrtători de sarrcină.
Figura 5.
5
Materialele semiconductoare extrinseci sunt utilizate pentru realizarea dispozitivelor
semiconductoare: circuite integrate, tranzistoare sau diode.
Atomii de impuritate cu care se dopează materialele semiconductoare intrinseci sunt atomi din
grupele V, respectiv III, din care cei mai frecvent utilizaţi sunt cei prezentaţi în Figura 6.
Figura 6.
Figura 7.
6
generaţi şi prin mecanismul de generare termică (prin creşterea temperaturii), dar, în acest caz,
generarea unui electron de conducţie este însoţită de generarea unui gol.
Din cele prezentate mai sus, se constată că, în cazul materialului semiconductor de tip N,
concentraţia de electroni de conducţie este mult mai mare decît cea de goluri. Din acest motiv,
electronii de conducţie se numesc purtători de sarcină majoritari, iar golurile se numesc
purtători de sarcină minoritari.
Deoarece atomul de impuritate cedează acest al 5lea electron de valenţă, el se numeşte atom
donor. În urma cedării celui de al 5lea electron, atomul donor devine ion pozitiv (se reaminteşte că
un atom este neutru dpdv electric; prin cedarea unui electron, atomul respectiv devine ion pozitiv,
iar prin primirea unui electron, atomul respectiv devine ion negativ).
Figura 8.
Se constată că formarea unui gol nu este însoţită de generarea unui electron de conducţie.
Golurile obţinute în acest mod sunt generate prin impurificarea materialului cu atomii de
impuritate. Pe lângă acest procedeu de obţinere a golurilor, acestea mai pot fi generate şi
mecanismul prin generare termică (prin creşterea temperaturii), dar, în acest caz, generarea unui gol
nu este însoţită de generarea unui electron de conducţie.
Din cele prezentate mai sus, se constată că, în cazul materialului semiconductor de tip P,
concentraţia de goluri este mult mai mare decît cea a electronilor de conducţie. Din acest motiv,
golurile se numesc purtători de sarcină majoritari, iar electronii de conducţie se numesc
purtători de sarcină minoritari.
7
Deoarece atomul de impuritate primeşte un electron de valenţă de la un atom de siliciu
învecinat, el se numeşte atom acceptor. În urma primirii acestui electron, atomul acceptor devine
ion negativ.
Proprietatile semiconductorilor
Doparea semiconductoarelor se realizează, practic, prin metoda tragerii sau a topirii zonare.
Mărimea RH, numită constanta Hall, variază mult mai puţin decât în cazul metalelor, motiv
pentru care semiconductoarele se utilizează la fabricarea generatoarelor Hall cu aplicaţii în
măsurarea câmpului magnetic, a intensităţii câmpului electric, a puterii, în amplificare, în
telecomenzi etc.
Acţiunea luminii sau a altor radiaţii se manifestă asupra semiconductoarelor prin efectele
fotoelectrice :fotoconductiv, fotovoltaic şi de luminescenţă.
În cazul efectului fotoelectric, energia radiaţiei este utilizată pentru smulgerea electronilor
din materiale, adică pentru obţinerea fotocatozilor.
Efectul fotoconductiv, adică mărirea conductivităţii materialului sub acţiunea radiaţiilor
luminoase stă la baza realizării celulelor fotoconductive sau fotorezistente.
Efectul fotovoltaic constă în apariţia, sub acţiunea radiaţiilor, a unei tensiuni electromotoare
la jonctiunea p-n dintre doua semiconductoare (tensiune datorată purtătorilor de sarcină eliberaţi
prin iradiere care traversează joncţiunea şi se acumulează în cei doi semiconductori electroni în n şi
goluri în p).Stă la baza realizării celulelor fotovoltaice.
Efectul de luminiscenţă se utilizează îndeosebi pentru construirea dispozitivelor sensibile la
radiaţii ultraviolete sau Roentgen.
Sub acţiunea solicitărilor mecanice se distruge reţeaua cristalină şi deci se modifică rezistivitatea
corpului.Acest fenomen este utilizat în realizarea traductoarelor mecano-electrice : microfoane cu
carbune, accelerometre etc.
9
De asemenea, se produce un fenomen magnetostrictiv invers :prin modificarea dimensiunilor
semiconductorului se produce o variaţie a câmpului magnetic în care se află acesta.Efectul
piezoelectric – însoţit de apariţia unor sarcini electrice pozitive şi negative pe feţele opuse ale unei
plăci semiconductoare supuse, unor solicitări mecanice – este utilizat în fabricarea traductoarelor de
presiune, a forţelor, acceleraţilor, a generatoarelor de ultrasunete etc. Este prezent doar în cazul
semiconductorilor piezoelectri.
Utilizarile
10
Termistoare.Sunt rezistoare neliniare realizate din amestecuri de oxizi de: Mn, Ni, Co, Fe
etc. şi caracterizate printr-un coeficient de variaţie al rezistivităţii cu temperatura foarte mare şi
negativ.
Termistoarele se realizează sub formă de bare, discuri sau perle, în funcţie de domeniul de
utilizare:
Rezistenta la rece a barelor si discurilor este de ordinul sutelor sau miilor de ohmi şi scade,
la cald, sub 1Ω.Din acest motiv sunt utilizate ca stabilizatoare ale punctelor statice de funcţionare
ale tranzistoarelor.Perlele introduse în tuburi de sticlă, se utilizează pentru măsurarea temperaturii,
sau ca relee de timp. Perlele înconjurate de o rezistenţa parcursă de curent electric şi introduse într-
un balon de sticlă vidat, se utilizează ca dispozitive de reglaj.
Termoelemente.Sunt conbinaţii de două semiconductoare sau de un semiconductor şi un
metal, lipite între ele la cele două capete şi dispuse la temperaturi diferite. Se realizează din Te Sb ,
Se Bi , Te Bi , PbTe , PbSe , PbSb , SnSb , CoSb etc.
Straturi termoemisive.Se obţin din oxizi ai metalelor alcalinopământoase şi constituie
catozii tuburilor electronice cu emisie la cald, lucrul mecanic de extracţie a electroniilor fiind mai
redus decât în cazul catoziilor (metalici) cu emisie la rece.
Generatoarele Hall şi dispozitivele pe bază de ferite reprezintă aplicţiile cele mai
importante ale semiconductoarelor sensibile la acţiunea câmpului magnetic. Se utilizează HgSe,
HgTe, InAs, InSb, etc.Generatoarele Hall se utilizează pentru măsurarea inducţiei magnetice, a
curentului continuu de intensitate mare, a cuplului motoarelor electrice, a puterii în c.c. etc.
Aceste materiale se utilizează la fabricarea tuburilor fotoelectrice, a celulelor fotoconductoare şi
fotovoltaice, a fototranzistoarelor, a elementelor luminiscente şi fotorescente etc.
Tuburi fotoelectrice.Construcţia lor se bazează pe efectul fotoelectric interior : iluminate, ele îşi
modifică conductivitatea electrică şi determină, astfel, variaţii ale curenţiilor electrici care le
parcurg.Se confecţionează prin depunerea pe un grătar metalic a unui strat semiconductor de Se,
TeS, CdS, CdSe, PbS, PbSe etc. Se utilizează în instalţii de semnalizare, protecţie, comandă etc.
Celule fotovoltaice. Aceste dispozitive cuprind fotoelementele, fotodiodele şi
fototranzistoarele.Fotoelementele se deosebesc de toate tipurile de dispozitive fotoelectrice prin
faptul că nu conţin surse de alimentare cu tensiune electrică. Astfel un fotoelement de dimensiuni
relativ reduse poate genera sub acţiunea radiaţiilor luminoase, o tensiune electromotoare de 0.5V
(respectiv o putere de 22.5mW în circuitul de sarcină). Ca materiale semiconductoare se utilizeazaă:
AgS , O Cu , Se 2 . Prin gruparea mai multor fotoelemente se pot obţine baterii solare cu puteri
până la 2 m / W 200 (cu un randament al transformarii energiei luminoase în energie electrică de
11%)
Fotodiodele au zone sensibile la radiaţii luminoase situate în interiorul materialului
semiconductor.Se obţin, prin aliere, tragere etc., din Ge, Si.
Fototranzistoarele – având una din joncţiunile p – n expuse radiaţiilor luminoase – se
realizează din aceleaşi materiale ca şi fotodiodele.
Luminoforii şi fosforii se utilizează la fabricarea dispozitivelor cu fluorescenţă sau fosforescenţă, a
ecranelor tuburiilor catodice, a lămpilor fluorescente, a panourilor luminoase.Luminoforii utilizaţi
în tehnică se obţin din sulfuri, selenuri, silicati, wolframaţi, boraţi etc. activaţi cu Cu, bismut,
mangan etc.
Traductoarele piezoelectrice se realizează din material semiconductoare a căror structură nu
prezintă un centru de simetrie al sarcinilor punctuale, de exemplu GaAs, InSb etc.În practică sunt
des intalnite traductoare piezoelectrice realizate din cuarţ sau turmalină, materiale care, după cum se
ştie, fac parte din clasa izolanţilor. Se uitlizează pentru măsurarea presiunii, a forţelor şi
acceleraţilor în
tensometrie, defectoscopie etc.
Traductoarele de presiune – rezistenţa electrică se realizează din granule (microfoane) sau
discuri subţiri (traductoare industriale) din carbune, plasate între două plăci conductoare şi care îşi
modifică rezistenţa electrică sub acţiunea solicitărilor mecanice (statice sau dinamice). Asemenea
11
dispozitive se utilizează în construcţia accelerometrelor, în telefonie, pentru înregistrarea
informaţiei etc.
În afara aplicaţiilor prezentate, materialele semiconductoare se utilizează la fabricarea
circuitelor integrate (monocristale care conţin rezistoare, diode, tranzistoare), a laserilor şi
maserilor, a instalaţiilor frigorifice, a termoelementelor, a modelatoarelor de radiaţii infraroşii, a
celulelor fotoelectromagnetice, în măsurarea distanţelor submicroscopice etc.
12