Apontamentos sobre Transistores de Junção Bipolar

Circuitos Eléctricos e Electrónicos

2004/2005

Novembro 2004- v0.0 Maria Helena Fino-DEE

1. Noções Básicas

Os transistores de junção bipolar são constituídos por uma camada de material semicondutor
(geralmente silício) devidamente dopado positivamente/negativamente (tipo p/tipo n) colocada
entre duas camadas de material condutor dopadas negativamente/positivamente. Podemos, assim
ter os dois tipos de transistores indicados na tabela 1. Nesta Tabela representam-se, igualmente,
os símbolos para cada tio de transistor. Em cada símbolo as setas a encarnado indicam os sentidos
das correntes de emissor, de base e de colector.

Tabela 1: Tipos de TJBs e símbolos

Transistor npn Transistor pnp

2. Zonas De Funcionamento

Uma vez que em cada transistor existem duas junções estes irão apresentar zonas de
funcionamento diferentes, consoante as junções base-emissor e base-colector se encontram
polarizadas directa ou inversamente.

Os TJBs têm três zonas de funcionamento distintas:

Corte ambas as junções estão polarizadas inversamente
Activa junção base emissor polarizada directamente e junção base colector polarizada
inversamente
Saturação ambas as junções estão polarizadas directamente

Consoante a zona de funcionamento, o transistor apresenta modelos (equações que caracterizam o

seu funcionamento) diferentes.
Na tabela 2 encontram-se resumidas as condições que determinam a zona de funcionamneto dos
TJs bem como as equações a considerar em cada zona de funcionamento.

Novembro 2004- v0.0 Maria Helena Fino-DEE

 npn pnp
Zona Condições Modelo Condições Modelo

Corte VBE < 0.7V IC = 0, IE = 0, IB = 0 VEB < 0.7V IC = 0, IE = 0, IB = 0

VBC < 0.7V VCB < 0.7V

VBE =0.7V VBE =0.7V VEB = 0.7V VEB =0.7V

Activa VBC <0.7V IC = β* IB VCB < 0.7V IC = β* IB
IE = IC+IB ou IE = (β+1)*IB IE = IC+IB ou IE = (β+1)*IB

Saturação VBE = 0.8V VBE =0.8V VEB = 0.8V VEB =0.8V

VBC = 0.7V VCE =0.1V VCB = 0.7V VEC =0.1V
IE = IC+IB IE = IC+IB

3. Exemplos
Consideremos o circuito da figura 1 em que o TJB é caracterizado por β=100

Vamos determinar os valores das tensões e correntes no TJB.

Figura 1

Resolução
Podemos desenhar o circuito como na figura anexa e considerar que o TJB está na zona activa
Circulando pela malha da base vem:
− V1 + RB * I B + VBE = 0
ou
V1 − VBE
IB =
RB
10 − 0.7
IB = I B = 42.27 µA
220

I C = β * I B ou I C = 4.23mA eI E = 4.27mA . Para as tensões temos:

VE = 0 , VB = 0.7 e VC = 10 − RC * I C ou VC = 5.7 donde
VB E = 0.7 e VBC = −6.4 < 0.7 podemos concluir que o TJB está mesmo na zona activa
e , portanto os valores de tensões e de correntes que determinámos estão correctos.

Novembro 2004- v0.0 Maria Helena Fino-DEE