1.

Diodos Semicondutores
1.1. Diodo Ideal

1.2.Materiais Semicondutores
RA R = Resistência
ρ= A = Área
l l = Longitude
.
Condutor Semicondutor Isolante
ρ ≅ 10-6 Ω-cm ρ ≅ 50 Ω-cm ρ ≅ 1012 Ω-cm
Cobre Germânio Mica
ρ ≅ 50*10-3 Ω-cm
Silício
1.3.Materiais extrínsecos tipo N e P

Portador minoritário Portadores majoritários

_ _
+ + _
_ +_ _ _ + + + +
_ - _ -
+
+ + - -
_ +_
+ _ + _ _ - +
_ + + + +
+ _ _ + _ _ - - -
+ _ _ _
_ _ - - + + _+ -+
+ + _ + + + -
Portadores majoritários Portador minoritário
Íons doadores Íons doadores

1.4.Diodo Semicondutor

P N

VD
+ -

ID
1.4.1 Polarização Reversa (VD <0)

Região de Depleção

_ _
+ + -+ +- - - - + + + + + _ +_ _ _
- - _
- - - + + + + _ _ +_
+ -
- - - - + + + + +
- + + -+ - - - - + + + + _ + _ + _ _ Imajoritario = 0
+
_ - - + + - - - - + + + + _ __ + _ IS Fluxo de Portador minoritário
_ - - - - + + + + _
_ _ + _
- - + + + - - - - + + + + _+ ID = IS
+ + - - - - - + + + + + + _ +
IS
ID

VD

1.4.2 Polarização Direta (VD > 0)

1.4.3 Características gerais do diodo real

I D = I S (e kV D / TK
− 1)
IS = Corrente de Saturação Reversa (A)
k = 11600/η com η = 1 para o Ge e η = 2 para o Si para
níveis baixos de corrente (abaixo do joelho da curva); η = 1
para o Ge e Si para níveis maiores de corrente.
TK= TC + 273°
.
1.4.4. Região Zener

ID(mA)

TPI
VZ VD(V)

1.4.5 Silício Vs Germânio.

• VT Tensão de Limiar
• IS Corrente de Saturação Reversa
• TPI Tensão de Pico Inverso
• T° Temperatura

1.5 Níveis de Resistência.

DC AC AC Médio
1.6 Circuitos Equivalentes de Diodo.

1.7 Diodos Zener

∆VZ
TC = × 100% %/ oC
VZ (T1 − T0 )
Circuito Eq. Zener Efeito da Temperatura