Bipolar Power Transistor Data (MOTOROLA)

Index and 1
Cross Reference
Selector Guide 2
Data Sheets 3
Surface Mount
Package Information and 4
Tape and Reel Specifications
Outline Dimensions
5
and Leadform Options
Applications Information 6
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.
Chipscretes, Designers’, Duowatt, EpiBase, PowerBase, PowerTap, SUPERBRIDGES, Surmetric, Switchmode, Thermopad,
TMOS, Thermowatt, Unibloc, and Uniwatt are trademarks of Motorola Inc.
Annular Semiconductors are patented by Motorola Inc.
ii
Bipolar Power
Device Data
This book presents technical data for Motorola’s broad line of silicon power
transistors. Complete specifications are provided in the form of data sheets and
accompanying selection guides which provide a quick comparison of characteris-
tics to simplify the task of choosing the best device for a circuit.
The information in this book has been carefully checked and is believed to be
accurate; however, no responsibility is assumed for inaccuracies. Please consult
your nearest Motorola Semiconductor sales office for further assistance regarding
any aspect of Motorola Bipolar Power Transistor products.
Motorola reserves the right to make changes without further notice to any products herein. Motorola makes no
warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does
Motorola assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically dis-
claims any and all liability, including without limitation consequential or incidental damages. “Typical” parameters
can and do vary in different applications. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for
each customer application by customer’s technical experts. Motorola does not convey any license under its pat-
ent rights nor the rights of others. Motorola products are not designed, intended, or authorized for use as compo-
nents in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain
life, or for any other application in which the failure of the Motorola product could create a situation where person-
al injury or death may occur. Should Buyer purchase or use Motorola products for any such unintended or unau-
thorized application, Buyer shall indemnify and hold Motorola and its officers, employees, subsidiaries, affiliates,
and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees aris-
ing out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unautho-
rized use, even if such claim alleges that Motorola was negligent regarding the design or manufacture of the part.
Motorola and are registered trademarks of Motorola, Inc. Motorola, Inc. is an Equal Opportunity/Affirmative
Action Employer.
 Motorola, Inc. 1995

Previous Edition  1992
“All Rights Reserved” Printed in U.S.A.
iii
Data Sheet Fax via Touch–Tone Phone
Motorola’s MfaxSM system is as easy to use as dialing your touch–tone telephone. Your touch–tone phone becomes your link
to ordering over 30,000 documents available for faxing. A fax of complete, easy–to–use instructions can be obtained with a
first–time phone call into the system.
123 123 123 Letters are entered with

2– digit combinations.
–./ ABC DEF EXAMPLE:
2 3
DBL is entered:
The combination of letters
and numbers on the
keypad will deliver faxes to
1 31 22 53#
D = 31
B = 22
your machine.
L = 53
Number or letter strings 123 123 123
entered for requests are The position of the
ended with the use of the GHI JKL MNO letters on the keys
determines the numbers
# sign.
Use 2– digit combinations

when numbers entered are
4 5 6 entered. For instance
MNO would be:
61 62 63#
part of a part number. M = 61 – key 6 position 1
EXAMPLE: 1234 123 1234 N = 62 – key 6 position 2
981 is entered: O = 63 – key 6 position 3
09 08 01# PRSQ TUV WXYZ
9 = 09 EXAMPLE:
8 = 08
1 = 01 7 8 9 A requested document,
MC6530 is entered:
61 23 06 05 03 00#
While keying 2– digit M = 61
strings, the system will C = 23
repeat back the entered 6 = 06
letter or number.
✱ 0 # 5 = 05
3 = 03
0 = 00
Motorola’s Mfax system repeats letter and number combinations as they are entered so changes for keys touched in error can
be corrected. Complete help is available throughout the instructions when you dial into the system at 602– 244 – 6609. A
Personal Identification Number (PIN) is assigned to you to speed up ordering of faxes.
Mfax is a servicemark of Motorola, Inc.
iv
MOTOROLA
POWER TRANSISTORS
IN BRIEF
Wide Range of Transistor Specifications

Motorola offers more than 700 standard (off–the–shelf) power transistors to cover the widest range of
applications at the lowest cost.
Current Range — 0.1 to 80 Amperes
Voltage Range — 25 to 1800 Volts
Power Dissipation Range — 5 to 250 Watts.
Darlingtons
Darlington transistors represent the integral high gain circuits of the power field. Consisting of two tran-
sistors, two resistors, and (up to) two diodes, they achieve gain figures up to 20,000 in a single package.
Widespread implementation of Motorola Darlingtons can be highly cost–effective in a fast growing num-
ber of applications.
Specials
Implementation of six sigma quality, statistical process control, and overall customer satisfaction pro-
grams at Motorola are producing tighter electrical distributions and specifications on all standard devices.
Future standard device introductions will have tighter specifications and offer high volume economy,
thereby reducing or eliminating the need for specifically selected devices.
Specials will continue to be reviewed, but will require minimum order quantities and minimum yearly
run rates. Check with your Motorola Sales Representative for more information on special devices.
Portfolio Management
Six Sigma Program implementation is also allowing the portfolio to be condensed by elimination of de-
vices which are no longer actually produced because of the tighter parametric distributions. Low voltage
and unpopular gain devices are now being deleted and others, categorized as non–preferred, may
eventually be eliminated as well. Preferred types are shown in the selector guide section in bold type.
Replacements, most of them direct, for the eliminated and non–preferred types are indicated in the Alpha-
numeric Index/Cross–reference included in this selector guide.
v
What’s Different
Additions:
MJE15032 MJF18009 MJE18604D2 BUH100
MJE15033 MJE18204 BUD43B BUH150
MJE18002D2 MJF18204 BUD44D2 BUL43B
MJE18004D2 MJE18206 BUH50 BUL44D2
MJE18009 MJF18206 BUH51 BUL45D2
Deletions:
2N3054 2N6378 BU223Z MJ4647
2N3054A 2N6421 BU406D MJ6308
2N3441 2N6678 BU407D MJ6503
2N3447 2N6833 BU508A MJD148
2N3584 2N6837 BU522 MJD44E3
2N3585 2SA1302 BU522A MJD5731
2N3719 2SA1306B BU807 MJD13003
2N3720 2SC3281 BUS51 MJE240
2N3738 2SC3298B BUT13 MJE241
2N3739 BD235 BUT50P MJE250
2N3740 BD236 BUT51P MJE251
2N3741 BD239A BUV24 MJE252
2N3741A BD239B BUX39 MJE5420Z
2N3766 BD239C BUX40 MJF10012
2N3767 BD240A BUX41N MJF16002
2N3867 BD240B D44C12 MJF16006A
2N3868 BD240C D44E3 MJF16010A
2N4233A BD241A MJ900 MJF16204
2N4240 BD242A MJ901 MJF16206
2N4347
BD243A MJ3041 MJF16210
2N4912
BD244A MJ10001 MJF16212
2N5428
BD779 MJ10004 MJH16002
2N5430
BD797 MJ10006 MJH16004
2N5683
BD798 MJ10008 MJH16106
2N5875
BD799 MJ10014 MJW16210
2N5876
BD800 MJ10024 MJW6678
2N6053
BD807 MJ10025 MPSU01
2N6054
2N6190 BD809 MJ11011 MPSU01A
2N6191 BD897 MJ11019 MPSU02
2N6193 BD897A MJ11020 MPSU03
2N6211 BD898 MJ13014 MPSU04
2N6212 BD898A MJ13015 MPSU05
2N6213 BD899 MJ13335 MPSU06
2N6294 BD899A MJ14000 MPSU07
2N6295 BD900 MJ16002A MPSU10
2N6296 BD900A MJH16002A MPSU45
2N6297 BD901 MJ16006 MPSU51
2N6298 BD902 MJH16006 MPSU51A
2N6299 BDW40 MJ16008 MPSU52
2N6300 BDW41 MJH16008 MPSU55
2N6301 BDW45 MJ16006A MPSU56
2N6303 BDX33A MJ16010A MPSU57
2N6317 BDX34A MJ16014 MPSU60
2N6318 BDX53A MJ16016 MPSU95
2N6377 BDX54A MJ4646
vi
Index and
Cross Reference
The table on the subsequent pages contains an

Alphanumeric index of Silicon power transistors
currently manufactured and available to the industry.
The column headed “Similar” lists units with
characteristics that might represent suitable
replacements. In cases where such a replacement is
contemplated, the Motorola device data sheet should
be carefully compared with one for the device being
replaced to determine any variations that could affect
circuit performance.
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data Index and Cross Reference
1–1
INDEX AND CROSS REFERENCE
The following table represents an index and cross–reference guide for all low–frequency power transistors which are either
manufactured directly by Motorola or for which Motorola manufactures a suitable equivalent. Where the Motorola part number
differs from the industry part number, the Motorola device is a “form, fit and function” replacement for the industry type number
— however, subtle differences in characteristics and/or specifications may exist. Where multiple replacement parts appear for a
given industry part number, the page number represents the first replacement device listed.
Motorola Motorola Motorola Motorola

Industry Nearest Similar Page Industry Nearest Similar Page
Part Number Replacement Replacement Number Part Number Replacement Replacement Number
40251 2N3055 3–2 2N3055H 2N3055A 3–5
40325 2N3055 3–2 2N3055SD 2N3055A 3–5
40363 2N5878 3–74 2N3055UB 2N3055A 3–5
40369 2N5878 3–74 2N3076 BUV23 3–388
40411 MJ802 3–421 2N3171 2N3792 3–25
40513 MJE3055T 3–628 2N3172 2N3792 3–25
40514 MJE3055T 3–628 2N3173 2N3792 3–25
40542 MJE3055T 3–628 2N3174 MJ15016 3–5

40543 MJE3055T 3–628 2N3183 2N3792 3–25
40613 TIP31B 3–873 2N3184 2N3792 3–25
40618 TIP31B 3–873 2N3185 2N3792 3–25
40621 TIP31B 3–873 2N3186 MJ15016 3–5
40622 TIP31B 3–873 2N3195 2N3792 3–25
40624 TIP41B 3–883 2N3196 2N3792 3–25
40627 TIP41B 3–883 2N3198 MJ15016 3–5

40629 TIP31B 3–873 2N3232 2N5878 3–74
40630 TIP31B 3–873 2N3233 2N5882 3–77
40631 TIP31B 3–873 2N3234 2N3442 3–9
40632 TIP41B 3–883 2N3235 2N3055 3–2
40636 2N5878 3–74 2N3236 2N5882 3–77
40853 2N6547 3–140 2N3237 2N5302 3–54
40854 2N6547 3–140 2N3238 2N5882 3–77

40871 TIP41C 3–883 2N3239 2N5882 3–77
40872 TIP42C 3–883 2N3240 2N5882 3–77
40873 TIP41B 3–883 2N3441 2N3442 3–9
40874 TIP41B 3–883 2N3442 2N3442 3–9
40875 TIP41C 3–883 2N3445 2N3716 3–12
40876 TIP41B 3–883 2N3446 2N3716 3–12
40887 MJE340 3–602 2N3447 2N3716 3–12

41012 2N5038 3–42 2N3448 2N3716 3–12
41013 2N6339 3–117 2N3667 2N5882 3–77
41500 TIP31B 3–873 2N3713 2N5882 3–77
41501 TIP32B 3–873 2N3714 2N3716 3–12
41504 TIP31B 3–873 2N3715 2N3716 3–12
43104 2N5631 3–59 2N3716 2N3716 3–12
1SI10A–100 MJ16018 3–520 2N3771 2N3771 3–17

2N1487 2N5878 3–74 2N3772 2N3772 3–17
2N1488 2N5878 3–74 2N3773 2N3773 3–21
2N1489 2N5878 3–74 2N3789 2N3792 3–25
2N1490 2N5878 3–74 2N3790 2N3792 3–25
2N1702 2N5878 3–74 2N3791 2N3792 3–25
2N3021 2N3792 3–25 2N3792 2N3792 3–25
2N3022 2N3792 3–25 2N3863 2N3716 3–12

2N3023 2N3792 3–25 2N3864 2N5882 3–77
2N3024 2N3792 3–25 2N3865 MJ15001 3–497
2N3025 2N3792 3–25 2N3902 BUX48A 3–401
2N3026 2N3792 3–25 2N4002 2N6274 3–108
2N3055 2N3055 3–2 2N4032 2N6274 3–108
2N3055A 2N3055A 3–5 2N4111 2N3716 3–12
Index and Cross Reference Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
1–2
INDEX AND CROSS REFERENCE (continued)
2N4113 2N3716 3–12 2N5616 2N3716 3–12
2N4347 2N3055A 3–5 2N5618 2N3716 3–12
2N4348 2N5631 3–59 2N5629 2N5631 3–59
2N4398 2N4399 3–29 2N5630 2N5631 3–59
2N4399 2N4399 3–29 2N5631 2N5631 3–59
2N4901 MJ15016 3–5 2N5632 2N5882 3–77
2N4902 MJ15016 3–5 2N5633 MJ15001 3–497
2N4903 MJ15016 3–5 2N5634 MJ15001 3–497

2N4904 MJ15016 3–5 2N5655 2N5657 3–63
2N4905 MJ15016 3–5 2N5656 2N5657 3–63
2N4906 MJ15016 3–5 2N5657 2N5657 3–63
2N4907 2N3792 3–25 2N5659 2N5631 3–59
2N4908 2N3792 3–25 2N5683 2N5684 3–66
2N4909 2N3792 3–25 2N5684 2N5684 3–66
2N4918 2N4918 3–34 2N5685 2N5685 3–66

2N4919 2N4919 3–34 2N5686 2N5686 3–66
2N4920 2N4920 3–34 2N5733 2N6274 3–108
2N4921 2N4921 3–38 2N5734 2N6338 3–117
2N4922 2N4922 3–38 2N5737 2N5878 3–74
2N4923 2N4923 3–38 2N5738 2N5880 3–77
2N5034 2N3055 3–2 2N5739 2N5878 3–74
2N5035 2N3055 3–2 2N5740 2N5880 3–77

2N5036 2N3055 3–2 2N5741 2N5884 3–81
2N5037 2N3055 3–2 2N5742 2N6031 3–59
2N5038 2N5038 3–42 2N5743 2N5884 3–81
2N5039 2N5038 3–42 2N5744 MJ4502 3–431
2N5157 BUX48A 3–401 2N5745 2N5745 3–29
2N5190 2N5191 3–44 2N5758 2N5758 3–70
2N5191 2N5191 3–44 2N5759 2N3055A 3–5

2N5192 2N5192 3–44 2N5760 2N3442 3–9
2N5193 2N5194 3–49 2N5867 2N3792 3–25
2N5194 2N5194 3–49 2N5868 2N3792 3–25
2N5195 2N5195 3–49 2N5869 2N3716 3–12
2N5240 BUX48A 3–401 2N5870 2N3716 3–12
2N5241 BUX48A 3–401 2N5871 2N3792 3–25
2N5264 BUV23 3–388 2N5872 2N3792 3–25

2N5293 TIP31B 3–873 2N5873 2N3716 3–12
2N5294 TIP31B 3–873 2N5874 2N3716 3–12
2N5295 TIP31B 3–873 2N5877 2N5878 3–74
2N5296 TIP31B 3–873 2N5878 2N5878 3–74
2N5297 TIP31B 3–873 2N5879 2N5880 3–77
2N5298 TIP31B 3–873 2N5880 2N5880 3–77
2N5301 2N5302 3–54 2N5881 2N5882 3–77

2N5302 2N5302 3–54 2N5882 2N5882 3–77
2N5303 2N5303 3–54 2N5883 2N5884 3–81
2N5386 2N5038 3–42 2N5884 2N5884 3–81
2N5387 2N6547 3–140 2N5885 2N5886 3–81
2N5388 2N6547 3–140 2N5886 2N5886 3–81
2N5389 2N6547 3–140 2N5929 2N6338 3–117
2N5466 BUX48A 3–401 2N5930 2N6338 3–117

2N5467 BUX48A 3–401 2N5931 2N6341 3–117
2N5490 MJE3055T 3–628 2N5932 2N6338 3–117
2N5491 MJE3055T 3–628 2N5933 2N6338 3–117
2N5492 2N6292 3–101 2N5935 2N6341 3–117
2N5493 2N6292 3–101 2N5936 2N6338 3–117
2N5494 MJE3055T 3–628 2N5937 2N6341 3–117
2N5495 MJE3055T 3–628 2N5970 2N5882 3–77

2N5496 2N6292 3–101 2N5971 2N5882 3–77
2N5497 2N6292 3–101 2N5972 MJ15003 3–500
2N5559 MJ15001 3–497 2N5973 2N5886 3–81
2N5575 2N5685 3–66 2N5974 MJE2955T 3–628
2N5578 2N5685 3–66 2N5975 MJE2955T 3–628
2N5614 2N3716 3–12 2N5976 MJE2955T 3–628
1–3
2N5977 MJE3055T 3–628 2N6125 TIP32B 3–873
2N5978 MJE3055T 3–628 2N6126 TIP32C 3–873
2N5979 MJE3055T 3–628 2N6127 2N6437 3–128
2N5980 MJE2955T 3–628 2N6128 2N6338 3–117
2N5981 MJE2955T 3–628 2N6129 TIP41B 3–883
2N5982 2N6490 3–132 2N6130 TIP41B 3–883
2N5983 MJE3055T 3–628 2N6131 TIP41B 3–883
2N5984 MJE3055T 3–628 2N6132 TIP42C 3–883

2N5985 2N6488 3–132 2N6133 TIP42C 3–883
2N5986 2N6490 3–132 2N6134 TIP42C 3–883
2N5987 2N6490 3–132 2N6177 MJE340 3–602
2N5988 2N6490 3–132 2N6226 MJ15016 3–5
2N5989 2N6486 — 2N6227 MJ15016 3–5
2N5990 2N6488 3–132 2N6228 MJ15016 3–5
2N5991 2N6488 3–132 2N6229 2N5880 3–77

2N6021 TIP32C 3–873 2N6230 MJ15002 3–497
2N6022 TIP32C 3–873 2N6231 MJ15002 3–497
2N6023 TIP32B 3–873 2N6246 2N5880 3–77
2N6024 TIP32B 3–873 2N6247 2N5880 3–77
2N6025 TIP32B 3–873 2N6248 MJ15016 3–5
2N6026 TIP32B 3–873 2N6249 BUV23 3–388
2N6029 2N6031 3–59 2N6250 BUV23 3–388

2N6030 2N6031 3–59 2N6253 2N5878 3–74
2N6031 2N6031 3–59 2N6254 2N5878 3–74
2N6032 2N6275 3–108 2N6257 2N5886 3–81
2N6033 2N6277 3–108 2N6258 2N5686 3–66
2N6034 2N6035 3–85 2N6259 2N5631 3–59
2N6035 2N6035 3–85 2N6262 2N3442 3–9
2N6036 2N6036 3–85 2N6270 2N6338 3–117

2N6037 2N6038 3–85 2N6271 2N6338 3–117
2N6038 2N6038 3–85 2N6272 2N6338 3–117
2N6039 2N6039 3–85 2N6273 2N6338 3–117
2N6040 2N6041 3–89 2N6274 2N6274 3–108
2N6041 2N6041 3–89 2N6275 2N6275 3–108
2N6042 2N6042 3–89 2N6276 2N6275 3–108
2N6043 2N6044 3–89 2N6277 2N6277 3–108

2N6044 2N6044 3–89 2N6278 2N6274 3–108
2N6045 2N6045 3–89 2N6279 2N6275 3–108
2N6049 2N6049 — 2N6280 2N6275 3–108
2N6050 2N6052 3–93 2N6281 2N6277 3–108
2N6051 2N6052 3–93 2N6282 2N6283 3–112
2N6052 2N6052 3–93 2N6283 2N6283 3–112
2N6055 2N6056 3–97 2N6284 2N6284 3–112

2N6056 2N6056 3–97 2N6285 2N6286 3–112
2N6057 2N6059 3–93 2N6286 2N6286 3–112
2N6058 2N6059 3–93 2N6287 2N6287 3–112
2N6059 2N6059 3–93 2N6288 2N6292 3–101
2N6098 2N6487 3–132 2N6289 2N6292 3–101
2N6099 2N6487 3–132 2N6290 2N6292 3–101
2N6100 2N6487 3–132 2N6291 2N6292 3–101

2N6101 2N6488 3–132 2N6292 2N6292 3–101
2N6102 2N6488 3–132 2N6293 2N6292 3–101
2N6103 2N6487 3–132 2N6302 2N5631 3–59
2N6106 2N6107 3–101 2N6322 MJ10015 3–461
2N6107 2N6107 3–101 2N6323 MJ10015 3–461
2N6108 2N6109 3–101 2N6324 MJ10015 3–461
2N6109 2N6109 3–101 2N6325 MJ10015 3–461

2N6110 2N6107 3–101 2N6326 2N6328 —
2N6111 2N6107 3–101 2N6327 2N6328 —
2N6121 TIP31B 3–873 2N6328 2N6328 —
2N6122 TIP31B 3–873 2N6329 2N5884 3–81
2N6123 TIP31B 3–873 2N6330 2N5884 3–81
2N6124 TIP32B 3–873 2N6331 2N5884 3–81
1–4
2N6338 2N6338 3–117 2N6496 2N6339 3–117
2N6339 2N6339 3–117 2N6497 2N6497 3–136
2N6340 2N6341 3–117 2N6498 2N6497 3–136
2N6341 2N6341 3–117 2N6499 MJE13005 3–661
2N6354 2N6339 3–117 2N6512 BUX48A 3–401
2N6355 2N6059 3–93 2N6513 BUX48A 3–401
2N6356 2N6059 3–93 2N6514 BUX48A 3–401
2N6357 2N6059 3–93 2N6530 TIP101 3–891

2N6358 2N6059 3–93 2N6531 TIP102 3–891
2N6359 2N5886 3–81 2N6532 TIP102 3–891
2N6371 2N3055 3–2 2N6535 TIP102 3–891
2N6372 2N6316 — 2N6536 TIP102 3–891
2N6373 2N6315 — 2N6544 BUX48A 3–401
2N6374 2N6315 — 2N6545 BUX48A 3–401
2N6379 2N6379 3–120 2N6546 2N6547 3–140

2N6382 2N6379 3–120 2N6547 2N6547 3–140
2N6383 MJ3001 3–425 2N6548 MJE800 3–612
2N6384 MJ3001 3–425 2N6549 MJE800 3–612
2N6385 MJ3001 3–425 2N6551 2N4923 3–38
2N6386 TIP101 3–891 2N6552 2N4923 3–38
2N6387 2N6387 3–124 2N6553 2N4923 3–38
2N6388 2N6388 3–124 2N6554 2N4919 3–34

2N6406 MJE171 3–589 2N6555 2N4919 3–34
2N6407 MJE172 3–589 2N6556 2N4919 3–34
2N6408 MJE181 3–589 2N6557 MJE340 3–602
2N6409 MJE182 3–589 2N6558 MJE340 3–602
2N6410 MJE200 3–592 2N6559 MJE340 3–602
2N6411 MJE210 3–592 2N6569 2N3055 3–2
2N6412 MJE181 3–589 2N6573 2N6547 3–140

2N6413 MJE181 3–589 2N6574 2N6547 3–140
2N6414 MJE171 3–589 2N6575 2N6547 3–140
2N6415 MJE171 3–589 2N6576 2N6577 3–144
2N6416 MJE243 3–596 2N6577 2N6577 3–144
2N6417 MJE243 3–596 2N6578 2N6578 3–144
2N6418 MJE253 3–596 2N6609 2N6609 3–21
2N6419 MJE253 3–596 2N6648 MJ2501 3–425

2N6436 2N6437 3–128 2N6667 2N6667 3–147
2N6437 2N6437 3–128 2N6668 2N6668 3–147
2N6438 2N6438 3–128 2N6836 2N6836 MJ16012 3–151
2N6465 MJE15030 3–684 2SA1001 2N6438 3–128
2N6466 MJE15030 3–684 2SA1002 2N6438 3–128
2N6467 MJE15031 3–684 2SA1003 2N6438 3–128
2N6468 MJE15031 3–684 2SA1007 MJ15002 3–497

2N6469 2N5880 3–77 2SA1008 TIP32C 3–873
2N6470 2N5882 3–77 2SA1010 TIP42C 3–883
2N6471 2N5882 3–77 2SA1011 MJE15031 3–684
2N6472 2N5882 3–77 2SA1012 TIP42B 3–883
2N6473 MJE15028 3–684 2SA1020 TIP32B 3–873
2N6474 MJE15028 3–684 2SA1040 2N6438 3–128
2N6475 MJE15029 3–684 2SA1041 2N6438 3–128

2N6476 MJE15029 3–684 2SA1042 2N6437 3–128
2N6477 MJE15028 3–684 2SA1043 2N6438 3–128
2N6478 MJE15030 3–684 2SA1044 2N6437 3–128
2N6486 2N6487 3–132 2SA1045 2N6052 3–93
2N6487 2N6487 3–132 2SA1046 2N6052 3–93
2N6488 2N6488 3–132 2SA1063 MJ15016 3–5
2N6489 2N6490 3–132 2SA1064 MJ15002 3–497

2N6490 2N6490 3–132 2SA1065 MJ15002 3–497
2N6491 2N6491 3–132 2SA1067 MJ15002 3–497
2N6492 2N6056 3–97 2SA1068 MJ15002 3–497
2N6493 2N6056 3–97 2SA1069 TIP42B 3–883
2N6494 2N6056 3–97 2SA1110 MJE350 3–606
2N6495 2N6316 — 2SA1111 MJE15031 3–684
1–5
2SA1112 MJE15031 3–684 2SA775 TIP32C 3–873
2SA1197L MJD117–1 3–558 2SA779 2N4918 3–34
2SA1197S MJD117 3–558 2SA780 2N4919 3–34
2SA1201 MJD32 3–542 2SA794 MJE253 3–596
2SA1204 MJD32 3–542 2SA795 MJE253 3–596
2SA1213 MJD32C 3–542 2SA807 2N3792 3–25
2SA1241 MJD45H11–1 3–550 2SA808 2N3792 3–25
2SA1242 MJD210–1 3–569 2SA814 TIP32C 3–873

2SA1243 MJD210–1 3–569 2SA815 TIP32C 3–873
2SA1244 MJD45H11–1 3–550 2SA816 TIP32B 3–873
2SA1307 TIP42B 3–883 2SA818 MJE350 3–606
2SA1314 MJD32 3–542 2SA835 MJE350 3–606
2SA1328 2N6490 3–132 2SA837 MJ15016 3–5
2SA1329 2N6491 3–132 2SA839 TIP32C 3–873
2SA1357 TIP42B 3–883 2SA843 MJE15031 3–684

2SA1375 MJD350 3–577 2SA878 MJ15002 3–497
2SA1385 MJD2955 3–580 2SA882 MJ15002 3–497
2SA1552 MJD350–1 3–577 2SA887 2N4919 3–34
2SA1562 MJD210–1 3–569 2SA898 MJE350 3–606
2SA1568 MJF2955 3–794 2SA899 MJE350 3–606
2SA1592 MJD32C1 3–542 2SA900 MJE210 3–592
2SA1593 MJD32C1 3–542 2SA907 MJ15016 3–5

2SA489 TIP32C 3–873 2SA908 MJ15002 3–497
2SA490 TIP32B 3–873 2SA909 MJ15003 3–500
2SA496 2N4918 3–34 2SA922 2N4918 3–34
2SA505 2N4919 3–34 2SA939 MJE350 3–606
2SA623 2N4918 3–34 2SA940 MJE15031 3–684
2SA624 2N4919 3–34 2SA949 MJE15031 3–684
2SA626 MJ15016 3–5 2SA957 MJE15031 3–684

2SA627 MJ15016 3–5 2SA958 MJE15031 3–684
2SA633 2N4918 3–34 2SA963 MJE171 3–589
2SA634 2N4919 3–34 2SA965 MJE15029 3–684
2SA635 2N4919 3–34 2SA966 TIP32B 3–873
2SA636 2N4919 3–34 2SA968 MJE15031 3–684
2SA645 MJE182 3–589 2SA969 MJE15031 3–684
2SA646 2N4919 3–34 2SA971 2N6609 3–21

2SA647 2N4919 3–34 2SA980 2N5880 3–77
2SA648 MJ15002 3–497 2SA981 MJ15002 3–497
2SA656 MJ15016 3–5 2SA982 MJ15002 3–497
2SA657 MJ15016 3–5 2SB1020 2N6042 3–89
2SA658 MJ15016 3–5 2SB1022 2N6041 3–89
2SA663 MJ15016 3–5 2SB1024 TIP127 3–900
2SA670 TIP32B 3–873 2SB1047L MJD117–1 3–558

2SA671 TIP32B 3–873 2SB1047S MJD117 3–558
2SA679 MJ15016 3–5 2SB1072L MJD6036–1 3–584
2SA680 2N5880 3–77 2SB1072S MJD6036 3–584
2SA681 MJE253 3–596 2SB1179 MJD6036–1 3–584
2SA682 MJE253 3–596 2SB1179A MJD6036–1 3–584
2SA698 MJE350 3–606 2SB1180 MJD127–1 3–563
2SA699 2N4918 3–34 2SB1180A MJD127–1 3–563

2SA700 TIP32B 3–873 2SB1201 MJD45H11–1 3–550
2SA703 2N4918 3–34 2SB1202 MJD45H11–1 3–550
2SA714 MJ15016 3–5 2SB1203 MJD45H11–1 3–550
2SA715 MJE171 3–589 2SB1204 MJD45H11–1 3–550
2SA738 MJE171 3–589 2SB1205 MJD210–1 3–569
2SA755 TIP32B 3–873 2SB1214 MJD6036–1 3–584
2SA756 MJ15016 3–5 2SB1215 MJD45H11–1 3–550

2SA757 MJ15016 3–5 2SB1216 MJD45H11–1 3–550
2SA758 MJ15016 3–5 2SB506 MJ15016 3–5
2SA768 TIP32B 3–873 2SB507 TIP32B 3–873
2SA769 TIP32C 3–873 2SB509 TIP32C 3–873
2SA770 2N6109 3–101 2SB511 TIP32B 3–873
2SA771 2N6107 3–101 2SB513 TIP32C 3–873
1–6
2SB514 TIP32B 3–873 2SB632 2N4918 3–34
2SB515 TIP32B 3–873 2SB633 TIP42C 3–883
2SB518 MJ15016 3–5 2SB648 MJE350 3–606
2SB519 MJ15016 3–5 2SB649 MJE350 3–606
2SB520 MJ15016 3–5 2SB653 MJ15016 3–5
2SB521 TIP42B 3–883 2SB654 MJ15016 3–5
2SB522 TIP42B 3–883 2SB655 MJ15002 3–497
2SB523 2N5194 3–49 2SB656 MJ15002 3–497

2SB524 2N5194 3–49 2SB668 TIP32B 3–873
2SB526 2N4920 3–34 2SB669 TIP32B 3–873
2SB527 2N4920 3–34 2SB673 2N6042 3–89
2SB528 2N4920 3–34 2SB674 2N6041 3–89
2SB529 2N5194 3–49 2SB675 2N6041 3–89
2SB530 MJ15002 3–497 2SB676 TIP127 3–900
2SB531 MJ15016 3–5 2SB677 TIP125 3–900

2SB532 MJ15016 3–5 2SB679 TIP117 3–895
2SB536 TIP32C 3–873 2SB681 MJ15002 3–497
2SB537 TIP32C 3–873 2SB686 TIP42C 3–883
2SB539 MJ15002 3–497 2SB688 MJE15029 3–684
2SB541 MJ15002 3–497 2SB689 TIP42C 3–883
2SB546 MJE15031 3–684 2SB690 TIP42C 3–883
2SB546 MJE15031 3–684 2SB691 MJE4352 3–632

2SB547 MJE15031 3–684 2SB692 MJE4352 3–632
2SB548 2N4920 3–34 2SB693 2N6287 3–112
2SB549 2N4920 3–34 2SB694 MJ11015 3–478
2SB552 MJ15025 3–509 2SB695 MJE4352 3–632
2SB553 2N6107 3–101 2SB696 MJ15002 3–497
2SB554 MJ15025 3–509 2SB697 MJ15002 3–497
2SB555 MJ15012 3–502 2SB707 2N6107 3–101

2SB556 MJ15012 3–502 2SB708 2N6107 3–101
2SB557 MJ15002 3–497 2SB711 2N6041 3–89
2SB558 2N5880 3–77 2SB712 2N6042 3–89
2SB559 2N4918 3–34 2SB713 MJE4352 3–632
2SB565 TIP32B 3–873 2SB717 MJE350 3–606
2SB566 TIP32C 3–873 2SB718 MJE350 3–606
2SB567 MJE15031 3–684 2SB719 MJE15031 3–684

2SB568 MJE15031 3–684 2SB720 MJE15031 3–684
2SB569 2N6035 3–85 2SB722 MJ15002 3–497
2SB570 2N6035 3–85 2SB723 MJ15025 3–509
2SB571 2N6036 3–85 2SB724 TIP32B 3–873
2SB572 2N5194 3–49 2SB727 MJE15029 3–684
2SB573 2N5194 3–49 2SB743 MJE171 3–589
2SB574 2N5195 3–49 2SB744 MJE172 3–589

2SB575 2N5194 3–49 2SB750 TIP116 3–895
2SB576 2N5194 3–49 2SB751 TIP126 3–900
2SB577 2N5195 3–49 2SB753 TIP42C 3–883
2SB578 MJE2955T 3–628 2SB754 2N6109 3–101
2SB579 MJE2955T 3–628 2SB772 MJE171 3–589
2SB580 MJE2955T 3–628 2SB906 MJD32C1 3–542
2SB581 MJE2955T 3–628 2SB907 MJD6036–1 3–584

2SB582 2N6041 3–89 2SB908 MJD6036–1 3–584
2SB583 2N6041 3–89 2SB962 MJD45H11–1 3–550
2SB584 2N6041 3–89 2SB963 MJD117–1 3–558
2SB587 2N6052 3–93 2SB967 MJD210 3–569
2SB588 2N6052 3–93 2SB968 MJD210 3–569
2SB589 2N6052 3–93 2SC1004 BU208A 3–226
2SB595 TIP42C 3–883 2SC1004A BU208A 3–226

2SB596 TIP32C 3–873 2SC1005 BU208A 3–226
2SB600 MJ15012 3–502 2SC1013 MJE181 3–589
2SB604 TIP32C 3–873 2SC1014 MJE181 3–589
2SB628 MJE15031 3–684 2SC1025 2N6233 —
2SB630 MJE15031 3–684 2SC1030 2N3442 3–9
2SB631 2N4920 3–34 2SC1034 BU208A 3–226
1–7
2SC1036 BU208A 3–226 2SC1413 BU208A 3–226
2SC1050 MJ423 3–419 2SC1418 TIP31B 3–873
2SC1051 2N3442 3–9 2SC1419 TIP31B 3–873
2SC1060 TIP31B 3–873 2SC1433 MJ423 3–419
2SC1061 TIP31B 3–873 2SC1434 2N6547 3–140
2SC1078 BU208A 3–226 2SC1436 BUV23 3–388
2SC1079 MJ15001 3–497 2SC1440 MJ15001 3–497
2SC1080 MJ15001 3–497 2SC1441 BUV23 3–388

2SC1086 BU208A 3–226 2SC1447 TIP47 3–887
2SC1088 MJE3439 3–630 2SC1448 TIP47 3–887
2SC1089 MJE3439 3–630 2SC1449 MJE181 3–589
2SC1096 MJE181 3–589 2SC1454 MJ423 3–419
2SC1098 2N4923 3–38 2SC1468 MJ16010 3–512
2SC1099 BU208A 3–226 2SC1469 MJ16010 3–512
2SC1100 BU208A 3–226 2SC1477 MJ10007 3–445

2SC1101 BU208A 3–226 2SC1501 MJE3439 3–630
2SC1107 TIP31B 3–873 2SC1505 TIP48 3–887
2SC1108 TIP31B 3–873 2SC1506 TIP48 3–887
2SC1109 TIP31B 3–873 2SC1507 TIP48 3–887
2SC1110 TIP31B 3–873 2SC1514 MJE3439 3–630
2SC1111 MJ15001 3–497 2SC1516 2N6038 3–85
2SC1112 MJ15001 3–497 2SC1517 2N4922 3–38

2SC1113 MJE15030 3–684 2SC1519 MJE340 3–602
2SC1115 MJ15001 3–497 2SC1520 MJE340 3–602
2SC1116 MJ15011 3–502 2SC1521 MJE340 3–602
2SC1132 BU208A 3–226 2SC1576 MJ16010 3–512
2SC1140 2N6547 3–140 2SC1577 MJ16010 3–512
2SC1141 2N6547 3–140 2SC1584 BUV23 3–388
2SC1151 BU208A 3–226 2SC1585 BUV23 3–388

2SC1153 BU208A 3–226 2SC1586 BUV23 3–388
2SC1154 BU208A 3–226 2SC1609 2N6341 3–117
2SC1155 MJE182 3–589 2SC1610 2N6341 3–117
2SC1157 2N4923 3–38 2SC1617 MJ423 3–419
2SC1162 MJE181 3–589 2SC1629 MJ1001 3–423
2SC1167 BU208A 3–226 2SC1669 TIP47 3–887
2SC1170 BU208A 3–226 2SC1672 2N6341 3–117

2SC1170A BU208A 3–226 2SC1683 TIP47 3–887
2SC1171 BU208A 3–226 2SC1722 TIP48 3–887
2SC1172 BU208A 3–226 2SC1723 TIP48 3–887
2SC1173 TIP31B 3–873 2SC1749 MJE340 3–602
2SC1174 BU208A 3–226 2SC1755 MJE2360T 3–626
2SC1184 BU208A 3–226 2SC1756 MJE2360T 3–626
2SC1224 MJE341 3–604 2SC1757 MJE2360T 3–626

2SC1226 MJE800 3–612 2SC1777 2N5882 3–77
2SC1227 MJ10007 3–445 2SC1782 MJ15001 3–497
2SC1228 MJ16010 3–512 2SC1783 BUV23 3–388
2SC1229 MJ10007 3–445 2SC1784 MJ15001 3–497
2SC1237 TIP31B 3–873 2SC1785 BUV23 3–388
2SC1243 MJE800 3–612 2SC1786 BUV23 3–388
2SC1295 BU208A 3–226 2SC1818 2N6341 3–117

2SC1309 BU208A 3–226 2SC1819 MJE2361T 3–626
2SC1322 BUV23 3–388 2SC1826 TIP41B 3–883
2SC1325 MJ16018 3–520 2SC1827 TIP41C 3–883
2SC1343 MJ15011 3–502 2SC1830 2N6578 3–144
2SC1348 BU208A 3–226 2SC1831 2N6056 3–97
2SC1358 BU208A 3–226 2SC1832 MJ10009 3–451
2SC1367 BU208A 3–226 2SC1846 MJE181 3–589

2SC1381 MJE182 3–589 2SC1847 MJE181 3–589
2SC1382 MJE182 3–589 2SC1848 MJE182 3–589
2SC1402 MJ15001 3–497 2SC1866 2N3442 3–9
2SC1403 MJ15001 3–497 2SC1868 MJ16010 3–512
2SC1409 TIP47 3–887 2SC1869 MJ15001 3–497
2SC1410 TIP47 3–887 2SC1870 2N6547 3–140
1–8
2SC1875 BU208A 3–226 2SC2256 BUV23 3–388
2SC1880 TIP112 3–895 2SC2260 BUV23 3–388
2SC1881 TIP111 3–895 2SC2261 BUV23 3–388
2SC1883 TIP122 3–900 2SC2262 BUV23 3–388
2SC1891 BU208A 3–226 2SC2270 2N5194 3–49
2SC1892 BU208A 3–226 2SC2278 MJE3439 3–630
2SC1893 BU208A 3–226 2SC2292 MJ16010 3–512
2SC1894 BU208A 3–226 2SC2293 MJ16010 3–512

2SC1895 MJ16018 3–520 2SC2298 MJE270 3–600
2SC1896 MJ16018 3–520 2SC2311 2N4922 3–38
2SC1903 MJE341 3–604 2SC2321 MJ15001 3–497
2SC1904 MJE341 3–604 2SC2322 MJ15015 3–5
2SC1905 MJE2361T 3–626 2SC2323 MJ15001 3–497
2SC1922 BU208A 3–226 2SC2324 2N6038 3–85
2SC1929 TIP48 3–887 2SC2331 MJE13005 3–661

2SC1942 BU208A 3–226 2SC2333 MJE13005 3–661
2SC1943 TIP111 3–895 2SC2334 MJE15030 3–684
2SC1944 TIP112 3–895 2SC2335 MJE13007 3–667
2SC1945 TIP41B 3–883 2SC2337 MJ15001 3–497
2SC1948 TIP41C 3–883 2SC2344 TIP47 3–887
2SC1983 TIP111 3–895 2SC2356 2N6547 3–140
2SC1984 TIP112 3–895 2SC2366 MJ10016 3–461

2SC1985 TIP41B 3–883 2SC2371 MJE3439 3–630
2SC1986 TIP41C 3–883 2SC2373 MJE13007 3–667
2SC2024 2N4923 3–38 2SC2397 MJE3055T 3–628
2SC2027 MJ16018 3–520 2SC240 2N3055A 3–5
2SC2068 MJE340 3–602 2SC2402 2N6547 3–140
2SC2071 MJE3439 3–630 2SC2403 MJ10015 3–461
2SC2073 TIP47 3–887 2SC242 2N3055A 3–5

2SC2080 MJE181 3–589 2SC2428 BUV23 3–388
2SC2085 MJE2361T 3–626 2SC2429 MJ16010 3–512
2SC2121 MJ423 3–419 2SC243 MJ410 3–417
2SC2122 MJ423 3–419 2SC2430 MJ15001 3–497
2SC2126 MJE13005 3–661 2SC2431 MJ15015 3–5
2SC2127 BUV23 3–388 2SC2432 2N5882 3–77
2SC2128 MJ10015 3–461 2SC2433 MJ11016 3–478

2SC2138 MJ16010 3–512 2SC2434 2N6328 —
2SC2139 MJ16010 3–512 2SC2435 2N6059 3–93
2SC2140 MJ16010 3–512 2SC2436 2N6059 3–93
2SC2147 MJ10015 3–461 2SC2442 MJ10016 3–461
2SC2148 MJ16010 3–512 2SC2443 MJ10016 3–461
2SC2159 MJ10015 3–461 2SC2448 MJ16010 3–512
2SC2167 MJE15030 3–684 2SC2449 MJ16010 3–512

2SC2168 MJE15030 3–684 2SC245 2N3055A 3–5
2SC2169 MJ15001 3–497 2SC2450 MJ16010 3–512
2SC2190 BUX48A 3–401 2SC2451 MJ16010 3–512
2SC2191 2N6547 3–140 2SC2452 MJ16010 3–512
2SC2204 MJ10016 3–461 2SC2453 MJ16010 3–512
2SC2209 MJE181 3–589 2SC246 MJ410 3–417
2SC2220 MJ10016 3–461 2SC2482 MJE2361T 3–626

2SC2229 TIP47 3–887 2SC2487 MJ15001 3–497
2SC2230 TIP47 3–887 2SC2488 MJ15001 3–497
2SC2233 2N6497 3–136 2SC2489 MJ15001 3–497
2SC2235 TIP47 3–887 2SC2492 MJ15001 3–497
2SC2236 TIP31B 3–873 2SC2493 MJ15001 3–497
2SC2238 TIP47 3–887 2SC2500 TIP31B 3–873
2SC2242 MJE2361T 3–626 2SC2516 2N6497 3–136

2SC2244 BUX48A 3–401 2SC2534 MJE13003 3–655
2SC2245 MJ16010 3–512 2SC2535 MJE13005 3–661
2SC2246 2N6547 3–140 2SC2536 MJE13005 3–661
2SC2248 BUX48A 3–401 2SC2541 MJ16010 3–512
2SC2249 MJ10015 3–461 2SC2555 MJW16206 3–855
2SC2250 MJ10016 3–461 2SC2562 TIP42B 3–883
1–9
2SC2569 2N3442 3–9 2SC495 2N4923 3–38
2SC2590 MJE341 3–604 2SC496 2N4921 3–38
2SC270 MJ423 3–419 2SC518 2N3716 3–12
2SC2792 MJE1320 3–620 2SC518A 2N3716 3–12
2SC2870L MJD340–1 3–577 2SC519 2N3055A 3–5
2SC2870S MJD340 3–577 2SC520 2N3716 3–12
2SC2871L MJD112–1 3–558 2SC520A 2N3716 3–12
2SC2871S MJD112 3–558 2SC521A 2N3716 3–12

2SC2873 MJD31C 3–542 2SC558 BUX48A 3–401
2SC2881 MJD47 3–554 2SC586 MJ410 3–417
2SC2882 MJD31C 3–542 2SC642 BU208A 3–226
2SC2884 MJD31 3–542 2SC643 BU208A 3–226
2SC2924 MJD340 3–577 2SC647 2N3716 3–12
2SC2982 MJD31 3–542 2SC665 2N3442 3–9
2SC3074 MJD41C 3–546 2SC681 MJ15011 3–502

2SC3076 MJD31C 3–542 2SC687 MJ410 3–417
2SC3132L MJD6039–1 3–584 2SC736 2N3055A 3–5
2SC3132S MJD6039 3–584 2SC768 2N3055 3–2
2SC3148 MJW16018 3–520 2SC769 MJ15001 3–497
2SC3257 MJE13009 3–676 2SC770 MJ15011 3–502
2SC3281 MJL3281A 3–843 2SC771 MJ15011 3–502
2SC3294 TIP41B 3–883 2SC789 TIP31B 3–873

2SC3306 MJE13009 3–676 2SC790 TIP31B 3–873
2SC3307 MJW16018 3–520 2SC806 MJ423 3–419
2SC3309 BUX48 3–401 2SC807 MJ413 3–419
2SC3310 MJE16002 3–688 2SC808 MJ423 3–419
2SC3346 MJE13009 3–676 2SC861 BUX48A 3–401
2SC3386L MJD44H11–1 3–550 2SC862 BUX48A 3–401
2SC3386S MJD44H11 3–550 2SC887 MJ410 3–417

2SC3405 MJE1320 3–620 2SC888 MJ410 3–417
2SC3419 TIP31B 3–873 2SC889 MJ410 3–417
2SC3420 TIP41B 3–883 2SC902 MJ15001 3–497
2SC3421 TIP47 3–887 2SC931 MJE3055T 3–628
2SC3425 TIP50 3–887 2SC932 MJE3055T 3–628
2SC3474 MJD112 3–558 2SC936 BU208A 3–226
2SC3540 MJE15028 3–684 2SC937 BU208A 3–226

2SC3559 MJW16018 3–520 2SC939 MJ15001 3–497
2SC3621 MJE13005 3–661 2SC940 BUV23 3–388
2SC4027 MJD340–1 3–577 2SC961 2N3055A 3–5
2SC4028 MJW16018 3–520 2SC999 BU208A 3–226
2SC4053 MJE18004 3–715 2SD041 2N3716 3–12
2SC4065 MJF3055 3–794 2SD107 2N6056 3–97
2SC407 MJ15011 3–502 2SD1077L MJD31–1 3–542

2SC408 MJ15011 3–502 2SD1077S MJD31 3–542
2SC409 BUV23 3–388 2SD108 2N6056 3–97
2SC41 MJ410 3–417 2SD1080L MJD47–1 3–554
2SC410 BUV23 3–388 2SD1080S MJD47 3–554
2SC411 2N6547 3–140 2SD1081L MJD47–1 3–554
2SC412 2N6547 3–140 2SD1081S MJD47 3–554
2SC4134 MJD31C1 3–542 2SD110 MJ15001 3–497

2SC4135 MJD31C1 3–542 2SD111 2N5882 3–77
2SC42 MJ410 3–417 2SD1112 MJD340 3–577
2SC42A MJ410 3–417 2SD113 MJ802 3–421
2SC43 2N3055A 3–5 2SD114 2N5686 3–66
2SC431 2N6341 3–117 2SD1164 MJD112–1 3–558
2SC432 2N6341 3–117 2SD117 2N3442 3–9
2SC433 MJ15024 3–506 2SD1178 MJD112–1 3–558

2SC434 MJ15024 3–506 2SD1178A MJD112–1 3–558
2SC435 MJ10000 3–433 2SD118 2N3442 3–9
2SC436 MJ10000 3–433 2SD1187 TIP33C 3–877
2SC44 2N3055A 3–5 2SD1222 MJD6039 3–584
2SC492 2N3055A 3–5 2SD126 2N3442 3–9
2SC493 2N3055A 3–5 2SD1281L MJD44H11–1 3–550
1–10
2SD1281S MJD44H11 3–550 2SD250 2N6328 —
2SD1295 MJD200 3–569 2SD258 MJE15030 3–684
2SD133 2N6338 3–117 2SD259 MJE15030 3–684
2SD1412 2N6292 3–101 2SD262 2N6547 3–140
2SD1413 MJE800T 3–612 2SD265 BUX48A 3–401
2SD1414 TIP122 3–900 2SD266 BUX48A 3–401
2SD1415 TIP120 3–900 2SD26C 2N3442 3–9
2SD1417 TIP101 3–891 2SD271 MJE13005 3–661

2SD1465L MJD112–1 3–558 2SD272 MJE13005 3–661
2SD1465S MJD112 3–558 2SD273 BUX48A 3–401
2SD1520L MJD6039–1 3–584 2SD274 BUX48A 3–401
2SD1520S MJD6039 3–584 2SD283 MJE15030 3–684
2SD1590 MFJ6388 — 2SD284 MJE15030 3–684
2SD161 MJ15001 3–497 2SD285 MJE15030 3–684
2SD163 2N3716 3–12 2SD286 MJ15011 3–502

2SD164 2N5882 3–77 2SD287 MJ15011 3–502
2SD165 MJ15001 3–497 2SD288 TIP31B 3–873
2SD166 MJ15011 3–502 2SD289 TIP31B 3–873
2SD168 MJ3001 3–425 2SD293 2N6547 3–140
2SD17 2N3442 3–9 2SD294 2N6547 3–140
2SD172 2N5878 3–74 2SD297 MJE15030 3–684
2SD173 2N5882 3–77 2SD299 BU208A 3–226

2SD174 2N5878 3–74 2SD300 BU208A 3–226
2SD1748 MJD112–1 3–558 2SD301 MJ3001 3–425
2SD1748A MJD112–1 3–558 2SD310 2N6547 3–140
2SD1749 MJD6039–1 3–584 2SD311 2N6547 3–140
2SD1749A MJD6039–1 3–584 2SD313 TIP31B 3–873
2SD175 2N5882 3–77 2SD314 TIP31B 3–873
2SD176 2N5882 3–77 2SD317 TIP31B 3–873

2SD177 MJ15001 3–497 2SD318 TIP31B 3–873
2SD1799 MJD6039–1 3–584 2SD319 MJ15001 3–497
2SD18 MJ15011 3–502 2SD322 MJ15011 3–502
2SD1800 MJD112–1 3–558 2SD323 MJ15011 3–502
2SD1801 MJD44H11–1 3–550 2SD325 TIP31B 3–873
2SD1802 MJD44H11–1 3–550 2SD330 TIP31B 3–873
2SD1803 MJD44H11–1 3–550 2SD331 TIP31B 3–873

2SD1804 MJD44H11–1 3–550 2SD334 2N3055A 3–5
2SD1805 MJD44H11–1 3–550 2SD340 MJ15015 3–5
2SD181 MJ15001 3–497 2SD341 MJ15015 3–5
2SD1815 MJD44H11–1 3–550 2SD342 TIP31B 3–873
2SD1816 MJD44H11–1 3–550 2SD343 TIP31B 3–873
2SD1817 MJD6039–1 3–584 2SD344 TIP31B 3–873
2SD199 BU208A 3–226 2SD345 TIP31B 3–873

2SD200 BU208A 3–226 2SD347 TIP41B 3–883
2SD202 2N3055A 3–5 2SD348 MJ16018 3–520
2SD203 2N3442 3–9 2SD350 BU208A 3–226
2SD206 2N5878 3–74 2SD351 BUX48A 3–401
2SD207 2N5882 3–77 2SD356 2N4923 3–38
2SD208 MJ15001 3–497 2SD357 2N4923 3–38
2SD211 2N5878 3–74 2SD358 2N4923 3–38

2SD212 2N5882 3–77 2SD359 2N5191 3–44
2SD213 MJ15001 3–497 2SD360 2N5191 3–44
2SD214 MJ15001 3–497 2SD361 2N5191 3–44
2SD217 MJ15001 3–497 2SD363 MJ10015 3–461
2SD218 MJ15001 3–497 2SD364 MJ10016 3–461
2SD231 2N5302 3–54 2SD365 TIP31B 3–873
2SD232 2N6275 3–108 2SD366 TIP31B 3–873

2SD233 TIP31B 3–873 2SD368 MJ16018 3–520
2SD235 TIP31B 3–873 2SD369 2N3716 3–12
2SD243 MJE15030 3–684 2SD372 MJ10015 3–461
2SD244 MJE15030 3–684 2SD373 MJ10015 3–461
2SD246 BU208A 3–226 2SD374 MJ10016 3–461
2SD249 2N5302 3–54 2SD375 BUV23 3–388
1–11
2SD376 BUV23 3–388 2SD494 MJE3055T 3–628
2SD380 MJ16018 3–520 2SD495 MJE3055T 3–628
2SD381 MJE15030 3–684 2SD496 2N6044 3–89
2SD382 MJE15030 3–684 2SD497 2N6044 3–89
2SD383 MJ423 3–419 2SD498 2N6045 3–89
2SD386 MJE13005 3–661 2SD499 MJE3055T 3–628
2SD387 MJE13005 3–661 2SD500 MJE3055T 3–628
2SD388 MJ15011 3–502 2SD501 2N6488 3–132

2SD389 TIP31B 3–873 2SD502 2N6056 3–97
2SD390 TIP31B 3–873 2SD503 2N6056 3–97
2SD393 MJ16010 3–512 2SD504 2N6059 3–93
2SD394 MJ16010 3–512 2SD505 2N6059 3–93
2SD395 MJ16010 3–512 2SD506 2N6059 3–93
2SD396 2N6547 3–140 2SD517 BU208A 3–226
2SD401 TIP47 3–887 2SD518 MJE13005 3–661

2SD402 TIP47 3–887 2SD522 2N5882 3–77
2SD404 TIP120 3–900 2SD523 2N6056 3–97
2SD414 MJE341 3–604 2SD524 2N6056 3–97
2SD415 MJE341 3–604 2SD525 TIP41C 3–883
2SD416 MJ16018 3–520 2SD526 TIP41B 3–883
2SD418 MJ16018 3–520 2SD53 2N3055A 3–5
2SD422 MJE13005 3–661 2SD531 TIP41C 3–883

2SD423 MJE13005 3–661 2SD533 MJ423 3–419
2SD424 MJ15001 3–497 2SD538 MJ16010 3–512
2SD425 MJ15001 3–497 2SD544 TIP41C 3–883
2SD426 MJ15001 3–497 2SD549 TIP111 3–895
2SD427 2N3055A 3–5 2SD55 2N6328 —
2SD429 2N6547 3–140 2SD552 BUV23 3–388
2SD430 2N3055A 3–5 2SD553 TIP41B 3–883

2SD431 MJ15001 3–497 2SD570 TIP31B 3–873
2SD432 MJ15001 3–497 2SD574 MJ11016 3–478
2SD433 MJ15011 3–502 2SD577 BU208A 3–226
2SD434 BUV23 3–388 2SD589 MJ16018 3–520
2SD435 MJ13333 3–487 2SD598 2N3055A 3–5
2SD436 MJ13333 3–487 2SD60 2N3442 3–9
2SD437 MJ16010 3–512 2SD600 2N4923 3–38

2SD45 2N3442 3–9 2SD605 MJ10012 3–457
2SD457 MJ10015 3–461 2SD608 TIP47 3–887
2SD458 MJ16010 3–512 2SD610 TIP47 3–887
2SD459 TIP121 3–900 2SD612 MJE521 3–610
2SD46 2N3442 3–9 2SD613 TIP41C 3–883
2SD460 TIP122 3–900 2SD622 MJE13005 3–661
2SD461 MJ423 3–419 2SD626 MJ10012 3–457

2SD463 2N6056 3–97 2SD627 BU208A 3–226
2SD464 2N6056 3–97 2SD628 2N6059 3–93
2SD475 TIP31B 3–873 2SD629 2N6059 3–93
2SD476 TIP31B 3–873 2SD630 2N5302 3–54
2SD478 TIP47 3–887 2SD631 2N5302 3–54
2SD479 2N6038 3–85 2SD633 TIP122 3–900
2SD480 2N6038 3–85 2SD634 TIP121 3–900

2SD481 2N6039 3–85 2SD635 TIP120 3–900
2SD482 2N5657 3–63 2SD640 BUX48A 3–401
2SD483 2N5657 3–63 2SD642 MJ10016 3–461
2SD484 2N5657 3–63 2SD643 MJ10015 3–461
2SD485 2N5191 3–44 2SD644 MJ10016 3–461
2SD486 2N5191 3–44 2SD645 MJ10016 3–461
2SD487 2N5192 3–44 2SD646 MJ10016 3–461

2SD488 2N4921 3–38 2SD649 BU208A 3–226
2SD489 2N4922 3–38 2SD650 MJ10012 3–457
2SD490 2N4923 3–38 2SD663 MJ10012 3–457
2SD491 MJE3055T 3–628 2SD665 BUV23 3–388
2SD492 2N3055 3–2 2SD668 MJE344 3–604
2SD493 MJE3055T 3–628 2SD669 MJE344 3–604
1–12
2SD67 2N3055A 3–5 2SD867 MJ15001 3–497
2SD670 2N6578 3–144 2SD872 MJE3055T 3–628
2SD673 2N3055A 3–5 2SD873 2N3773 3–21
2SD674 2N3055A 3–5 2SD878 2N3055 3–2
2SD675 2N3442 3–9 2SD88 2N5758 3–70
2SD676 2N3442 3–9 2SD880 TIP31B 3–873
2SD678 TIP111 3–895 2SD882 MJE181 3–589
2SD679 TIP111 3–895 2SD903 MJ16018 3–520

2SD686 TIP122 3–900 2SD950 BU208A 3–226
2SD687 MJE800T 3–612 2SD951 BU208A 3–226
2SD689 TIP112 3–895 2SD952 BU208A 3–226
2SD69 2N3442 3–9 2SD953 MJ16018 3–520
2SD692 2N6056 3–97 2SD992 MJD31–1 3–542
2SD693 MJ10012 3–457 BD127 MJE340 3–602
2SD694 MJ10015 3–461 BD128 MJE340 3–602

2SD695 MJ10015 3–461 BD129 MJE340 3–602
2SD696 MJ10015 3–461 BD130 2N3055 3–2
2SD702 MJ10015 3–461 BD131 BD787 3–194
2SD703 MJ10016 3–461 BD132 BD788 3–194
2SD705 MJ10012 3–457 BD132 BD788 3–194
2SD710 MJ10005 3–439 BD133 BD787 3–194
2SD716 TIP41C 3–883 BD135 BD135 3–158

2SD717 D44H10 3–411 BD135.10 BD135 3–158
2SD718 MJE15028 3–684 BD135.16 BD135 3–158
2SD721 2N6045 3–89 BD135.6 BD135 3–158
2SD722 2N6045 3–89 BD136 BD136 3–160
2SD723 TIP31C 3–873 BD136.10 BD136 3–160
2SD724 MJE13005 3–661 BD136.16 BD136 3–160
2SD725 MJ16018 3–520 BD136.6 BD136 3–160

2SD726 TIP31C 3–873 BD137 BD137 3–158
2SD727 2N3055A 3–5 BD137.10 BD137 3–158
2SD728 2N3442 3–9 BD137.16 BD137 3–158
2SD729 2N6284 3–112 BD137.6 MJE181 3–589
2SD733 MJ15001 3–497 BD138 BD138 3–160
2SD74 2N3442 3–9 BD138.10 BD138 3–160
2SD751 MJ423 3–419 BD138.16 BD138 3–160

2SD752 MJ15001 3–497 BD138.6 BD138 3–160
2SD753 BUV23 3–388 BD139 BD139 3–158
2SD757 MJE3439 3–630 BD139.10 BD139 3–158
2SD758 MJE3439 3–630 BD139.16 BD139 3–158
2SD759 TIP47 3–887 BD139.6 BD139 3–158
2SD760 TIP47 3–887 BD140 BD140 3–160
2SD761 TIP47 3–887 BD140.10 BD140.10 3–160

2SD762 TIP31B 3–873 BD140.16 BD140 3–160
2SD764 BU208A 3–226 BD140.6 BD140 3–160
2SD765 BU208A 3–226 BD157 MJE340 3–602
2SD768 2N6045 3–89 BD158 MJE340 3–602
2SD793 MJE181 3–589 BD159 MJE340 3–602
2SD794 MJE182 3–589 BD165 2N4921 3–38
2SD797 MJE802 3–612 BD166 2N4918 3–34

2SD801 BUX48A 3–401 BD167 2N4922 3–38
2SD802 BUX48A 3–401 BD168 2N4919 3–34
2SD803 2N6059 3–93 BD169 2N4923 3–38
2SD805 MJ10016 3–461 BD170 2N4920 3–34
2SD823 MJE15030 3–684 BD175 2N4923 3–38
2SD83 2N3442 3–9 BD175.10 2N4923 3–38
2SD836 TIP111 3–895 BD175.16 2N4923 3–38

2SD837 TIP120 3–900 BD175.6 2N4923 3–38
2SD839 MJE800T 3–612 BD176 BD180 3–170
2SD84 MJ15011 3–502 BD176.10 BD180 3–170
2SD840 TIP121 3–900 BD176.16 BD180 3–170
2SD843 MJE15028 3–684 BD176.6 BD180 3–170
2SD844 MJE3055T 3–628 BD177 BD179 3–168
1–13
BD177.10 BD179 3–168 BD262B BD682 3–190
BD177.16 BD179 3–168 BD263 BD677 3–188
BD177.6 BD179 3–168 BD263A BD679 3–188
BD178 2N4919 3–34 BD263B BD681 3–188
BD178.10 BD180 3–170 BD268A BDW46 3–212
BD178.16 BD180 3–170 BD275 BD537 —
BD178.6 BD180 3–170 BD276 BD538 —
BD179 BD179 3–168 BD278 MJE3055T 3–628

BD179.10 BD179 3–168 BD278A MJE3055T 3–628
BD179.16 BD179 3–168 BD279 2N6035 3–85
BD179.6 BD179 3–168 BD291 BD243B 3–178
BD180 BD180 3–170 BD292 BD244B 3–178
BD180.10 BD180 3–170 BD293 BD243B 3–178
BD180.16 BD180 3–170 BD294 BD244B 3–178
BD180.6 BD180 3–170 BD295 BD243B 3–178

BD185 BD787 3–194 BD296 BD244B 3–178
BD186 BD186 — BD306A BD787 3–194
BD187 BD187 — BD306B BD787 3–194
BD188 BD188 — BD307A BD787 3–194
BD189 BD787 3–194 BD307B BD787 3–194
BD190 BD788 3–194 BD311 2N3716 3–12
BD195 MJE3055T 3–628 BD312 2N3792 3–25

BD196 MJE2955T 3–628 BD329 MJE200 3–592
BD197 MJE3055T 3–628 BD330 MJE210 3–592
BD198 MJE2955T 3–628 BD337 BDX33D —
BD199 MJE3055T 3–628 BD338 BDX34D —
BD200 MJE2955T 3–628 BD342 2N3055 3–2
BD202 BD796 — BD343 MJE2955T 3–628
BD206 MJE2955T 3–628 BD344 BD138 3–160

BD207 MJE3055T 3–628 BD345 BD137 3–158
BD208 MJE2955T 3–628 BD348 BD140 3–160
BD220 BD537 — BD349 BD139 3–158
BD223 BD538 — BD361 MJE200 3–592
BD226 BD135 3–158 BD361A MJE200 3–592
BD227 BD136 3–160 BD362 MJE210 3–592
BD228 BD137 3–158 BD362A MJE210 3–592

BD229 BD138 3–160 BD375 BD787 3–194
BD230 BD139 3–158 BD376 BD788 3–194
BD231 BD140 3–160 BD377 BD787 3–194
BD232 BD159 3–162 BD378 BD788 3–194
BD237 BD237 2N4923 3–172 BD379 BD789 3–198
BD238 2N4920 3–34 BD380 BD790 3–198
BD240C TIP32C 3–873 BD385 MJE181 3–589

BD241 BD241B 3–174 BD385–1 MJE181 3–589
BD241A BD241B 3–174 BD385–2 MJE181 3–589
BD241B BD241B 3–174 BD385–5 MJE181 3–589
BD241C BD241C 3–174 BD385–8 MJE181 3–589
BD242 BD242B 3–174 BD386 MJE171 3–589
BD242A BD242B 3–174 BD386–1 MJE171 3–589
BD242B BD242B 3–174 BD386–2 MJE171 3–589

BD242C BD242C 3–174 BD386–5 MJE171 3–589
BD243 BD243B 3–178 BD386–8 MJE171 3–589
BD243A BD243B 3–178 BD387 MJE182 3–589
BD243B BD243B 3–178 BD387–1 MJE182 3–589
BD243C BD243C 3–178 BD387–2 MJE182 3–589
BD244 BD244B 3–178 BD387–5 MJE182 3–589
BD244A BD244B 3–178 BD387–8 MJE182 3–589

BD244B BD244B 3–178 BD388 MJE172 3–589
BD244C BD244C 3–178 BD388–1 MJE172 3–589
BD249C BD249C — BD388–2 MJE172 3–589
BD250C BD250C — BD388–5 MJE172 3–589
BD262 BD678 3–190 BD388–8 MJE172 3–589
BD262A BD680 3–190 BD389 MJE243 3–596
1–14
BD389–1 MJE243 3–596 BD436 BD438 3–185
BD389–2 MJE243 3–596 BD438 BD438 3–185
BD389–5 MJE243 3–596 BD440 BD440 3–185
BD389–8 MJE243 3–596 BD442 BD442 3–185
BD390 MJE253 3–596 BD443 BD179 3–168
BD390–1 MJE253 3–596 BD443A BD179 3–168
BD390–2 MJE253 3–596 BD466A 2N6038 3–85
BD390–5 MJE253 3–596 BD466B 2N6038 3–85

BD390–8 MJE253 3–596 BD477A 2N6035 3–85
BD410 MJE340 3–602 BD477B 2N6035 3–85
BD411 2N6038 3–85 BD537 TIP31B 3–873
BD411–1 2N6038 3–85 BD538 TIP32B 3–873
BD411–2 2N6038 3–85 BD539 BD243B 3–178
BD411–5 2N6038 3–85 BD539A BD243B 3–178
BD411–8 2N6038 3–85 BD539B BD243B 3–178

BD412 2N6038 3–85 BD539C BD243C 3–178
BD412–1 2N6038 3–85 BD540 BD244B 3–178
BD412–2 2N6038 3–85 BD540A BD244B 3–178
BD412–5 2N6038 3–85 BD540B BD244B 3–178
BD412–8 2N6038 3–85 BD540C BD244C 3–178
BD413 2N6035 3–85 BD544 BD808 3–206
BD413–1 2N6035 3–85 BD544A BD808 3–206

BD413–2 2N6035 3–85 BD544B BD810 3–206
BD413–5 2N6035 3–85 BD561 BD187 —
BD413–8 2N6035 3–85 BD575 BD241B 3–174
BD414 2N6035 3–85 BD576 BD242B 3–174
BD414–1 2N6035 3–85 BD577 BD241B 3–174
BD414–2 2N6035 3–85 BD578 BD242B 3–174
BD414–5 2N6035 3–85 BD579 BD241B 3–174

BD414–8 2N6035 3–85 BD580 BD242B 3–174
BD415 MJE181 3–589 BD581 BD241C 3–174
BD415–1 MJE181 3–589 BD582 BD242C 3–174
BD415–2 MJE181 3–589 BD589 BD537 —
BD415–8 MJE181 3–589 BD590 BD538 —
BD416 MJE171 3–589 BD591 BD241C 3–174
BD416–1 MJE171 3–589 BD592 BD242C 3–174

BD416–2 MJE171 3–589 BD601 BD801 3–202
BD416–5 MJE171 3–589 BD602 BD802 3–204
BD417 MJE182 3–589 BD606 BD808 3–206
BD417–1 MJE182 3–589 BD608 BD808 3–206
BD417–2 MJE182 3–589 BD610 BD810 3–206
BD417–5 MJE182 3–589 BD611 BD433 —
BD417–8 MJE182 3–589 BD612 BD434 —

BD418 MJE172 3–589 BD613 BD435 —
BD418–1 MJE172 3–589 BD614 BD436 —
BD418–2 MJE172 3–589 BD615 BD437 3–182
BD418–5 MJE172 3–589 BD616 BD438 3–185
BD418–8 MJE172 3–589 BD617 BD439 —
BD419 MJE243 3–596 BD618 BD440 3–185
BD419–1 MJE243 3–596 BD619 BD441 3–182

BD419–2 MJE243 3–596 BD620 BD442 3–185
BD419–8 MJE243 3–596 BD633 BD241B 3–174
BD420 MJE253 3–596 BD634 BD242B 3–174
BD420–1 MJE253 3–596 BD635 BD241B 3–174
BD420–2 MJE253 3–596 BD636 BD242B 3–174
BD420–5 MJE253 3–596 BD637 BD241B 3–174
BD420–8 MJE253 3–596 BD638 BD242B 3–174

BD424 BD791 3–198 BD661 BD189 —
BD429 MJE200 3–592 BD662 BD186 —
BD430 MJE210 3–592 BD675 BD677 3–188
BD433 BD437 3–182 BD675A BD677A 3–188
BD434 BD438 3–185 BD676 BD678 3–190
BD435 BD437 3–182 BD676A BD678A 3–190
1–15
BD677 BD677 3–188 BD880 BD780 3–192
BD677A BD677A 3–188 BD905 2N6487 3–132
BD678 BD678 3–190 BD906 2N6490 3–132
BD678A BD678A 3–190 BD907 2N6487 3–132
BD679 BD679 3–188 BD908 2N6490 3–132
BD679A BD679A 3–188 BD909 2N6488 3–132
BD680 BD680 3–190 BD910 2N6491 3–132
BD680A BD680A 3–190 BD933 BD241B 3–174

BD681 BD681 3–188 BD934 BD242B 3–174
BD682 BD682 3–190 BD935 BD241B 3–174
BD743D MJE15030 3–684 BD936 BD242B 3–174
BD744 BD808 3–206 BD937 BD241B 3–174
BD744A BD808 3–206 BD938 BD242B 3–174
BD744B BD810 3–206 BD939 BD241C 3–174
BD744D MJE15031 3–684 BD940 BD242C 3–174

BD775 BD777 3–192 BD941 MJE15030 3–684
BD776 BD776 3–192 BD942 MJE15031 3–684
BD777 BD777 3–192 BD951 BD537 —
BD778 BD778 3–192 BD952 BD538 —
BD780 BD780 3–192 BD953 BD241C 3–174
BD785 BD787 3–194 BD954 BD242C 3–174
BD786 BD788 3–194 BD955 MJE15030 3–684

BD787 BD787 3–194 BD956 MJE15031 3–684
BD788 BD788 3–194 BD957 BD775 —
BD789 BD789 3–198 BD977 BD777 3–192
BD790 BD790 3–198 BD978 BD778 3–192
BD791 BD791 3–198 BD980 BD780 3–192
BD792 BD792 3–198 BDT29 TIP31B 3–873
BD801 BD801 3–202 BDT29A TIP32B 3–873

BD802 BD802 3–204 BDT29B TIP31B 3–873
BD806 BD808 3–206 BDT29C TIP31C 3–873
BD808 BD808 3–206 BDT30 TIP30A —
BD809 BD810 3–206 BDT30B TIP30B 3–871
BD810 BD810 3–206 BDT30C TIP30C 3–871
BD813 MJE181 3–589 BDT31 TIP31B 3–873
BD814 MJE171 3–589 BDT31A TIP31B 3–873

BD815 MJE182 3–589 BDT31B TIP31B 3–873
BD816 MJE172 3–589 BDT31C TIP31C 3–873
BD817 MJE243 3–596 BDT32 TIP32B 3–873
BD818 MJE253 3–596 BDT32A TIP32B 3–873
BD825 MJE181 3–589 BDT32B TIP32B 3–873
BD826 MJE171 3–589 BDT32C TIP32C 3–873
BD827 MJE182 3–589 BDT41 TIP41B 3–883

BD828 MJE172 3–589 BDT41A TIP41B 3–883
BD829 MJE243 3–596 BDT41B TIP41B 3–883
BD830 MJE253 3–596 BDT41C TIP41C 3–883
BD833 BD787 3–194 BDT42 TIP42B 3–883
BD834 BD788 3–194 BDT42A TIP42B 3–883
BD835 BD787 3–194 BDT42B TIP42B 3–883
BD836 BD788 3–194 BDT42C TIP42C 3–883

BD837 BD789 3–198 BDT60 TIP125 3–900
BD838 BD790 3–198 BDT60A TIP126 3–900
BD839 BD790 3–198 BDT60B TIP127 3–900
BD861 BD677 3–188 BDT60C BDX53D —
BD862 BD678 3–190 BDT61 TIP120 3–900
BD863 BD677 3–188 BDT61A TIP121 3–900
BD864 BD678 3–190 BDT61B TIP122 3–900

BD865 BD679 3–188 BDT61C BDX53D —
BD866 BD680 3–190 BDT62A BDW46 3–212
BD875 BD775 — BDT62B BDW47 3–212
BD876 BD776 3–192 BDT62C BDW47 3–212
BD877 BD777 3–192 BDT63B BDW42 3–212
BD878 BD778 3–192 BDT63C BDW42 3–212
1–16
BDT64B BDW46 3–212 BDW57 BD137 3–158
BDT64C BDW47 3–212 BDW58 BD138 3–160
BDT65B BDW42 3–212 BDW59 BD139 3–158
BDT65C BDW42 3–212 BDW60 BD140 3–160
BDT92 BD808 3–206 BDW63 BDX53B 3–221
BDT94 BD810 3–206 BDW63A BDX53B 3–221
BDV64 BDV64A — BDW63B BDX53B 3–221
BDV64A BDV64B 3–208 BDW63C BDX53C 3–221

BDV64B BDV64B 3–208 BDW63D BDX53D —
BDV64C BDV64B 3–208 BDW64 BDX54B 3–221
BDV65 BDV65A — BDW64A BDX54B 3–221
BDV65A BDV65B 3–208 BDW64B BDX54B 3–221
BDV65B BDV65B 3–208 BDW64C BDX54C 3–221
BDV65C BDV65B 3–208 BDW73D BDX33D —
BDV66C MJH11018 3–825 BDW74D BDX34D —

BDV66D MJH11019 3–825 BDW83 BDV65A —
BDV67D MJH11020 3–825 BDW83A BDV65A —
BDV91 MJE3055T 3–628 BDW83B BDV65A —
BDV92 TIP34B 3–877 BDW83C BDV65B 3–208
BDV93 TIP34C 3–877 BDW84 BDV64A —
BDV94 TIP2955 3–908 BDW84A BDV64A —
BDV95 TIP33B 3–877 BDW84B BDV64A —

BDV96 TIP33C 3–877 BDW84C BDV64B 3–208
BDW21 2N3716 3–12 BDW93C BDW42 3–212
BDW21A 2N3716 3–12 BDW94B BDW46 3–212
BDW21B 2N3716 3–12 BDW94C BDW47 3–212
BDW21C 2N5882 3–77 BDX10 2N3055A 3–5
BDW22 2N3792 3–25 BDX10–4 2N3055A 3–5
BDW22B 2N3792 3–25 BDX10–6 2N3055A 3–5

BDW22C 2N5880 3–77 BDX10–7 2N3055A 3–5
BDW23 BDX53B 3–221 BDX10C 2N3055A 3–5
BDW23A BDX53B 3–221 BDX18 MJ2955 3–2
BDW23B BDX53B 3–221 BDX33B BDX33B 3–217
BDW23C BDX53C 3–221 BDX33C BDX33C 3–217
BDW24 BDX54B 3–221 BDX33D BDX33C 3–217
BDW24A BDX54B 3–221 BDX34B BDX34B 3–217

BDW24B BDX54B 3–221 BDX34C BDX34C 3–217
BDW24C BDX54C 3–221 BDX34D BDX34C 3–217
BDW42 BDW42 3–212 BDX35 TIP42C 3–883
BDW43 BDW42 3–212 BDX36 TIP42D —
BDW46 BDW46 3–212 BDX37 TIP42D —
BDW47 BDW47 3–212 BDX42 BD775 —
BDW48 BDW47 3–212 BDX43 BD777 3–192

BDW51 2N3716 3–12 BDX45 BD776 3–192
BDW51A 2N3716 3–12 BDX46 BD778 3–192
BDW51B 2N3716 3–12 BDX53 BDX53B 3–221
BDW51C 2N5882 3–77 BDX53A BDX53B 3–221
BDW52 2N3792 3–25 BDX53B BDX53B 3–221
BDW52A 2N3792 3–25 BDX53C BDX53C 3–221
BDW52B 2N3792 3–25 BDX53D BDX53C 3–221

BDW52C 2N5880 3–77 BDX54 BDX54B 3–221
BDW53 TIP120 3–900 BDX54A BDX54B 3–221
BDW53A TIP120 3–900 BDX54B BDX54B 3–221
BDW53B TIP121 3–900 BDX54C BDX54C 3–221
BDW53C BDX53C 3–221 BDX54D BDX54C 3–221
BDW53D BDX53D — BDX70 2N6487 3–132
BDW54 TIP125 3–900 BDX71 2N6487 3–132

BDW54A TIP125 3–900 BDX72 2N6488 3–132
BDW54B TIP126 3–900 BDX73 2N6488 3–132
BDW54C BDX54C 3–221 BDX74 2N6487 3–132
BDW54D BDX54D — BDX75 2N6487 3–132
BDW55 BD135 3–158 BDX83 MJ3001 3–425
BDW56 BD136 3–160 BDX83A MJ3001 3–425
1–17
BDX83B MJ3001 3–425 BUF420A MJW18020 —
BDX83C MJ4035 — BUH100 BUH100 3–278
BDX84 MJ2501 3–425 BUH150 BUH150 3–287
BDX84A MJ2501 3–425 BUH50 BUH50 3–262
BDX84B MJ2501 3–425 BUH51 BUH51 3–270
BDX84C MJ4032 — BUL146 BUL146 3–335
BDX91 2N3716 3–12 BUL146F BUL146F 3–335
BDX92 2N3792 3–25 BUL147 BUL147 3–343

BDX93 2N3716 3–12 BUL147F BUL147F 3–343
BDX94 2N3792 3–25 BUL382 BUL45 3–316
BDX95 2N5882 3–77 BUL43B BUL43B 3–304
BDX96 2N5880 3–77 BUL44 BUL44 3–296
BDY29 2N5303 3–54 BUL44D2 BUL44D2 3–306
BDY34 BD787 3–194 BUL44F BUL44F 3–296
BDY37 2N3773 3–21 BUL45 BUL45 3–316

BDY96 BUX48 3–401 BUL45D2 BUL45D2 3–325
BDY96–1 BUX48 3–401 BUL45F BUL45F 3–316
BDY96/01 BUX48 3–401 BUS11 MJE16002 3–688
BDY97 BUX48 3–401 BUS12 BUX48 3–401
BDY97–1 BUX48 3–401 BUS12A BUX48A 3–401
BU1008ADF MJF16018+DIODE — BUS13 BUX48 3–401
BU1008AF MJF16018 — BUS13A BUX48A 3–401

BU104P BU406 3–244 BUS14 BUX98 —
BU105 BU208A 3–226 BUS14A BUX98A —
BU108 BU208A 3–226 BUS46P MJE16002 3–688
BU109P BU407 3–244 BUS47 BUX48 3–401
BU124 BU426 — BUS47A BUX48A 3–401
BU126 BUX48A 3–401 BUS47AP BUV47A —
BU134 MJ423 3–419 BUS47P BUV47 —

BU137 MJ16018 3–520 BUS48 BUX48 3–401
BU157 MJ16018 3–520 BUS48A BUX48A 3–401
BU180 MJE5741 3–640 BUS48AP MJW16010A 3–847
BU180A MJE5742 3–640 BUS48P MJW16010A 3–847
BU204 BU208A 3–226 BUS50 BUS50 3–351
BU205 BU208A 3–226 BUS52 BUS52 —
BU205A BU208A 3–226 BUS97 MJ16010 3–512

BU207 BU208A 3–226 BUS98 BUX98 3–353
BU208 BU208A 3–226 BUS98A BUX98A 3–353
BU208A BU208A 3–226 BUT11AF BUT11AF 3–360
BU208D MJF16018+DIODE — BUT33 BUT33 3–364
BU223 MJ423 3–419 BUT34 BUT34 3–370
BU223A MJ423 3–419 BUT35 BUT35 —
BU322 BU323A 3–231 BUT56A BUT56A —

BU322A BU323A 3–231 BUT90 BUS50 3–351
BU323 BU323A 3–231 BUT91 BUS52 —
BU323A BU323A 3–231 BUT92 BUS52 —
BU323AP BU323AP 3–235 BUV10 BUV10 —
BU323P BU323AP 3–235 BUV10N BUV10 —
BU323Z BU323Z 3–239 BUV11 BUV11 3–376
BU326A — BUV11N BUV11 3–376

BU406 BU406 3–244 BUV12 BUV11 3–376
BU407 BU407 3–244 BUV18 BUS50 3–351
BU426 BUV48 3–391 BUV19 BUS50 3–351
BU426A BUV48A 3–391 BUV20 BUV20 3–379
BU433 BUV48 3–391 BUV21 BUV21 3–382
BU500 BU500 — BUV21N BUV21 3–382
BU522 BU522B 3–246 BUV22 BUV22 3–385

BU522A BU522B 3–246 BUV23 BUV23 3–388
BU522B BU522B 3–246 BUV24 BUX98 —
BU806 BU806 3–249 BUV25 BUX98A —
BU808 BU208A 3–226 BUV44 BUX48 3–401
BUD43B BUD43B 3–251 BUV45 BUX48A 3–401
BUD44D2 BUD44D2 3–253 BUV46 BUV46 —
1–18
BUV47 BUV48 3–391 D40D10 MJE182 3–589
BUV47A BUV48A 3–391 D40D11 MJE182 3–589
BUV48 BUV48 3–391 D40D13 MJE182 3–589
BUV48A BUV48A 3–391 D40D14 MJE182 3–589
BUV60 BUV60 — D40D2 MJE181 3–589
BUV98A MJW18020 — D40D3 MJE181 3–589
BUW13 MJW16010A 3–847 D40D4 MJE181 3–589
BUW13A MJW16010A 3–847 D40D5 MJE181 3–589

BUW34 BUX48 3–401 D40D7 MJE181 3–589
BUW35 BUX48 3–401 D40D8 MJE181 3–589
BUW36 BUX48A 3–401 D40E1 MJE181 3–589
BUW44 BUX48 3–401 D40E5 MJE181 3–589
BUW45 BUX48 3–401 D40E7 MJE182 3–589
BUW46 BUX48A 3–401 D40K1 MJE800 3–612
BUW72 MJE13009 3–676 D40K2 MJE800 3–612

BUW74 BUX48 3–401 D40K3 MJE800 3–612
BUW75 BUX48 3–401 D40K4 MJE800 3–612
BUW76 BUX48 3–401 D40N1 MJE340 3–602
BUW77 BUX48 3–401 D40N2 MJE340 3–602
BUW84 MJE13003 3–655 D40N3 MJE340 3–602
BUW85 MJE13003 3–655 D40N4 MJE340 3–602
BUX11 BUX11 — D40P1 MJE341 3–604

BUX12 BUV11 3–376 D40P3 MJE344 3–604
BUX13 BUX48 3–401 D40P5 MJE340 3–602
BUX14 BUX48 3–401 D41C2 D44H8 3–411
BUX15 BUX48A 3–401 D41D1 2N4918 3–34
BUX17 BUX48 3–401 D41D10 2N4920 3–34
BUX17A BUX48 3–401 D41D11 2N4920 3–34
BUX17B BUX48 3–401 D41D13 2N4920 3–34

BUX17C BUX48 3–401 D41D14 2N4920 3–34
BUX18 2N6544 — D41D2 2N4918 3–34
BUX18A 2N6544 — D41D4 2N4919 3–34
BUX18B BUX48A 3–401 D41D5 2N4919 3–34
BUX18C BUX48A 3–401 D41D7 2N4919 3–34
BUX21 BUV21 3–382 D41D8 2N4919 3–34
BUX41 BUX41 3–398 D41E1 2N4918 3–34

BUX41N BUX41 3–398 D41E5 2N4919 3–34
BUX42 BUX48 3–401 D41E7 2N4920 3–34
BUX43 BUX48 3–401 D41K1 MJE700 3–612
BUX47 BUX48 3–401 D41K2 MJE700 3–612
BUX47A BUX48A 3–401 D41K3 MJE700 3–612
BUX48 BUX48 3–401 D41K4 MJE700 3–612
BUX48A BUX48A 3–401 D42C1 MJE181 3–589

BUX48S BUX48 3–401 D42C2 MJE181 3–589
BUX82 BUX48A 3–401 D42C3 MJE181 3–589
BUX83 BUX48A 3–401 D42C4 MJE171 3–589
BUX84 BUX85 3–408 D42C5 MJE171 3–589
BUX85 BUX85 3–408 D42C6 MJE171 3–589
BUX86 MJE13003 3–655 D42C7 MJE171 3–589
BUX87 MJE13003 3–655 D42C8 MJE171 3–589

BUX8O 2N6547 3–140 D42C9 MJE171 3–589
BUX98 BUX98 — D43C1 MJE181 3–589
BUX98A BUX98A — D43C2 MJE181 3–589
BUY29 MJ410 3–417 D43C3 MJE181 3–589
BUY30 MJ423 3–419 D43C4 MJE171 3–589
BUY49P MJE340 3–602 D43C5 MJE171 3–589
BUY69A BUX48A 3–401 D43C6 MJE171 3–589

BUY69B BUX48 3–401 D43C7 MJE171 3–589
D40C1 MJE800 3–612 D43C8 MJE171 3–589
D40C2 MJE800 3–612 D43C9 MJE171 3–589
D40C4 MJE800 3–612 D44D1 TIP101 3–891
D40C5 MJE800 3–612 D44D2 TIP101 3–891
D40D1 MJE181 3–589 D44D3 2N6044 3–89
1–19
D44D4 2N6044 3–89 D72F5T2 MJD44H11 3–550
D44D5 2N6044 3–89 D72FYD MJD6039 3–584
D44D6 2N6044 3–89 D72FYD1 MJD6039–1 3–584
D44H1 D44H8 3–411 D72K1.5D1 MJD6039–1 3–584
D44H10 D44H10 3–411 D72K1.5D2 MJD6039 3–584
D44H11 D44H11 3–411 D72K3D1 MJD6039–1 3–584
D44H2 D44H8 3–411 D72K3D2 MJD6039 3–584
D44H4 D44H8 3–411 D73F5T1 MJD44H11–1 3–550

D44H5 D44H8 3–411 D73F5T2 MJD44H11 3–550
D44H7 D44H8 3–411 D73FY4D MJD6039 3–584
D44H8 D44H8 3–411 D73FY4D1 MJD6039–1 3–584
D44R1 TIP47 3–887 D73K3D1 MJD6039–1 3–584
D44R2 TIP47 3–887 D73K3D2 MJD6039 3–584
D44R3 TIP48 3–887 DTS1010 2N6056 3–97
D44R4 TIP48 3–887 DTS1020 MJ3001 3–425

D44R5 TIP47 3–887 DTS401 BUX48A 3–401
D44R6 TIP48 3–887 DTS402 BUX48A 3–401
D44TD3 MJE16002 3–688 DTS4026 MJ10012 3–457
D44TD4 MJE16002 3–688 DTS4039 MJ10000 3–433
D44TD5 MJE16002 3–688 DTS4040 MJ10000 3–433
D44TE3 MJE16002 3–688 DTS4041 MJ10000 3–433
D44TE4 MJE16002 3–688 DTS4045 MJ10000 3–433

D44TE5 MJE16002 3–688 DTS4059 MJ10000 3–433
D44VH1 D44VH10 3–413 DTS4061 MJ10000 3–433
D44VH10 D44VH10 3–413 DTS4066 MJ10000 3–433
D44VH4 D44VH10 3–413 DTS4067 MJ10000 3–433
D44VH7 D44VH10 3–413 DTS4074 MJ10005 3–439
D45C1 D45C12 3–415 DTS4075 MJ10005 3–439
D45C10 D45C12 3–415 DTS410 MJ410 3–417

D45C11 D45C12 3–415 DTS411 MJ423 3–419
D45C12 D45C12 3–415 DTS413 MJ413 3–419
D45C2 D45C12 3–415 DTS423 MJ423 3–419
D45C3 D45C12 3–415 DTS425 BUX48A 3–401
D45C4 D45C12 3–415 DTS431 MJ423 3–419
D45C5 D45C12 3–415 DTS660 2N6233 —
D45C6 D45C12 3–415 DTS663 2N6235 —

D45C7 D45C12 3–415 DTS665 2N6235 —
D45C8 D45C12 3–415 DTS701 BU208A 3–226
D45C9 D45C12 3–415 DTS702 BU208A 3–226
D45E1 TIP125 3–900 DTS712 BU208A 3–226
D45E2 TIP126 3–900 DTS714 BU208A 3–226
D45E3 TIP126 3–900 DTS801 BU208A 3–226
D45H1 D45H11 3–411 DTS802 BU208A 3–226

D45H10 D45H10 3–411 DTS804 BU208A 3–226
D45H11 D45H11 3–411 DTS812 BU208A 3–226
D45H12 D45H11 3–411 DTS814 BU208A 3–226
D45H2 D45H8 3–411 FT2955 MJE2955T 3–628
D45H4 D45H8 3–411 FT3055 MJE3055T 3–628
D45H5 D45H8 3–411 FT317 MJE15028 3–684
D45H7 D45H8 3–411 FT317A MJE15028 3–684

D45H8 D45H8 3–411 FT317B MJE15030 3–684
D45H9 D45H11 3–411 FT401B BUX48A 3–401
D45VH1 D45VH10 3–413 FT402 BUX48A 3–401
D45VH10 D45VH10 3–413 FT410 MJ410 3–417
D45VH4 D45VH10 3–413 FT411 MJ423 3–419
D45VH7 D45VH10 3–413 FT413 MJ413 3–419
D56W1 BU208A 3–226 FT417 MJE15029 3–684

D56W2 BU208A 3–226 FT417A MJE15029 3–684
D56W3 BU208A 3–226 FT417B MJE15031 3–684
D56W4 BU208A 3–226 FT423 MJ423 3–419
D64VP4 MJ16010 3–512 FT431 MJ423 3–419
D64VP5 MJ16010 3–512 FT47 TIP47 3–887
D72F5T1 MJD44H11–1 3–550 FT48 TIP48 3–887
1–20
FT49 TIP49 3–887 IR647 2N6052 3–93
FT50 TIP50 3–887 IR660 MJ410 3–417
GE5060 MJ10000 3–433 IR663 MJ423 3–419
GE5061 MJ10000 3–433 IR665 BU208A 3–226
GE6060 MJ10015 3–461 IR701 BU208A 3–226
GE6061 MJ10015 3–461 IR801 BU208A 3–226
GE6062 MJ10015 3–461 IR802 MJ802 3–421
GE6251 MJ10005 3–439 KDT410 MJ410 3–417

GE6252 MJ10005 3–439 KDT411 MJ423 3–419
GE6253 MJ10005 3–439 KDT413 MJ413 3–419
IR1000 MJ1000 3–423 KDT423 MJ423 3–419
IR1001 MJ1001 3–423 KDT431 MJ423 3–419
IR1010 2N6056 3–97 KP3946 2N6274 3–108
IR1020 MJ3001 3–425 KP3948 2N6274 3–108
IR2500 MJ2501 3–425 KSA1010 MJE15029 3–684

IR2501 MJ2501 3–425 KSA1220A MJE350 3–606
IR3000 MJ3001 3–425 KSA614 TIP42B 3–883
IR3001 MJ3001 3–425 KSA940 MJE15031 3–684
IR3771 2N3771 3–17 KSB546 MJE15031 3–684
IR3772 2N3772 3–17 KSB596 TIP32B 3–873
IR3777 2N3773 3–21 KSB601 BDX34C 3–217
IR401 BUX48A 3–401 KSB707 D45H11 3–411

IR402 BUX48A 3–401 KSB744 MJE171 3–589
IR4039 MJ10000 3–433 KSB744A MJE171 3–589
IR4040 MJ10000 3–433 KSB772 MJE171 3–589
IR4041 MJ10000 3–433 KSB794 MJE703 3–612
IR4045 MJ10000 3–433 KSB795 MJE703 3–612
IR4050 MJ10000 3–433 KSB834 TIP32B 3–873
IR4055 MJ10000 3–433 KSC1507 MJE2360T 3–626

IR4059 MJ10000 3–433 KSC1520 MJE3439 3–630
IR4061 MJ10000 3–433 KSC1520A MJE2360T 3–626
IR410 MJ410 3–417 KSC2073 MJE15030 3–684
IR411 MJ423 3–419 KSC2233 TIP41C 3–883
IR413 MJ413 3–419 KSC2334 MJE15028 3–684
IR423 MJ423 3–419 KSC2335 MJE13007 3–667
IR425 BUX48A 3–401 KSC2517 TIP41C 3–883

IR431 MJ423 3–419 KSC2688 MJE3439 3–630
IR4502 MJ4502 3–431 KSC2690 MJE340 3–602
IR5000 MJ10000 3–433 KSC2690A MJE340 3–602
IR5001 MJ10000 3–433 KSC2752 2N5657 3–63
IR5060 MJ10000 3–433 KSD288 TIP41B 3–883
IR5061 MJ10000 3–433 KSD362 D44H11 3–411
IR515 BUV23 3–388 KSD363 MJE15028 3–684

IR516 BUV23 3–388 KSD401 MJE15030 3–684
IR517 2N6251 3–104 KSD526 TIP31B 3–873
IR518 2N6547 3–140 KSD560 BDX33C 3–217
IR519 2N6547 3–140 KSD568 D44H11 3–411
IR5252 MJ10007 3–445 KSD569 D44H11 3–411
IR5261 MJ10007 3–445 KSD708 D45H11 3–411
IR6000 MJ10005 3–439 KSD73 D44H8 3–411

IR6001 MJ10005 3–439 KSD794 MJE181 3–589
IR6002 MJ10005 3–439 KSD794A MJE181 3–589
IR6060 MJ10005 3–439 KSD818 MJW16018 3–520
IR6061 MJ10005 3–439 KSD819 MJW16018 3–520
IR6062 MJ10005 3–439 KSD820 MJW16018 3–520
IR6251 MJ10007 3–445 KSD821 MJW16018 3–520
IR6252 MJ10007 3–445 KSD868 MJW16018 3–520

IR6302 2N5631 3–59 KSD869 MJW16018 3–520
IR640 MJ3001 3–425 KSD870 MJW16018 3–520
IR641 MJ3001 3–425 KSD871 MJW16018 3–520
IR642 2N6578 3–144 KSD880 TIP31B 3–873
IR645 MJ2501 3–425 KSD882 MJE181 3–589
IR646 MJ2501 3–425 KSD985 MJE803 3–612
1–21
KSD986 MJE803 3–612 MJ14001 MJ14003 3–493
MDS1678 MJE181 3–589 MJ14002 MJ14002 3–493
MDS20 2N5657 3–63 MJ14003 MJ14003 3–493
MDS21 2N5657 3–63 MJ15001 MJ15001 3–497
MDS26 MJE181 3–589 MJ15002 MJ15002 3–497
MDS27 MJE181 3–589 MJ15003 MJ15003 3–500
MDS60 MJE350 3–606 MJ15004 MJ15004 3–500
MDS73 MJE171 3–589 MJ15011 MJ15011 3–502

MDS74 MJE172 3–589 MJ15012 MJ15012 3–502
MDS75 MJE253 3–596 MJ15015 MJ15015 3–5
MDS76 MJE181 3–589 MJ15016 MJ15016 3–5
MDS77 MJE171 3–589 MJ15018 MJ15020 3–504
MJ1000 MJ1001 3–423 MJ15019 MJ15021 3–504
MJ10000 MJ10000 3–433 MJ15020 MJ15020 3–504
MJ10002 MJ10007 3–445 MJ15021 MJ15021 3–504

MJ10003 MJ10007 3–445 MJ15022 MJ15024 3–506
MJ10004 MJ10005 3–439 MJ15023 MJ15025 3–509
MJ10005 MJ10005 3–439 MJ15024 MJ15024 3–506
MJ10006 MJ10007 3–445 MJ15025 MJ15025 3–509
MJ10007 MJ10007 3–445 MJ15026 MJ15024 3–506
MJ10009 MJ10009 3–451 MJ15027 MJ15025 3–509
MJ1001 MJ1001 3–423 MJ16008 MJ16010 3–512

MJ10012 MJ10012 3–457 MJ16010 MJ16010 3–512
MJ10015 MJ10015 3–461 MJ16012 MJ16012 3–512
MJ10016 MJ10016 3–461 MJ16014 MJ16018 3–520
MJ10020 MJ10020 3–466 MJ16016 MJ16018 3–520
MJ10021 MJ10021 3–466 MJ16018 MJ16018 3–520
MJ10022 MJ10022 3–472 MJ16020 MJ16020 3–526
MJ10023 MJ10023 3–472 MJ16022 MJ16022 3–526

MJ105 BU208A 3–226 MJ16110 MJ16110 3–529
MJ11011 MJ11013 3–478 MJ205 BU208A 3–226
MJ11012 MJ11014 3–478 MJ21193 MJ21193 3–537
MJ11013 MJ11013 3–478 MJ21194 MJ21194 3–537
MJ11014 MJ11014 3–478 MJ2267 MJ15016 3–5
MJ11015 MJ11015 3–478 MJ2268 MJ2955 3–2
MJ11016 MJ11016 3–478 MJ2300 MJE270 3–600

MJ11017 MJ11017 3–481 MJ2305 MJE271 3–600
MJ11018 MJ11018 3–481 MJ2500 MJ2501 3–425
MJ11021 MJ11021 3–481 MJ2501 MJ2501 3–425
MJ11022 MJ11022 3–481 MJ2801 2N3055 3–2
MJ11028 MJ11030 3–485 MJ2802 2N5882 3–77
MJ11029 MJ11031 3–485 MJ2840 2N5878 3–74
MJ11030 MJ11030 3–485 MJ2841 2N5878 3–74

MJ11031 MJ11031 3–485 MJ2901 MJ15016 3–5
MJ11032 MJ11032 3–485 MJ2955 MJ2955 3–2
MJ11033 MJ11033 3–485 MJ2955A MJ2955A 3–5
MJ12002 BU208A 3–226 MJ3000 MJ3001 3–425
MJ12003 BU208A 3–226 MJ3001 MJ3001 3–425
MJ12004 BU208A 3–226 MJ3029 BUX48A 3–401
MJ12005 MJ16018 3–520 MJ3030 BUX48A 3–401

MJ12022 MJ16012 3–512 MJ3042 MJ10012 3–457
MJ13010 2N6547 3–140 MJ3055 2N3055 3–2
MJ13018 BUV23 3–388 MJ3055A 2N3055A 3–5
MJ13019 BUV23 3–388 MJ3237 MJE15031 3–684
MJ1302A MJ1302A 3–427 MJ3238 MJE15031 3–684
MJ13080 MJE16106 3–696 MJ3247 MJE15030 3–684
MJ13090 MJ16110 3–529 MJ3248 MJE15030 3–684

MJ13091 MJ16010 3–512 MJ3281A MJ3281A 3–427
MJ13330 BUV23 3–388 MJ4030 MJ11013 3–478
MJ13331 BUV23 3–388 MJ4031 MJ11013 3–478
MJ13332 MJ13333 3–487 MJ4032 MJ11015 3–478
MJ13333 MJ13333 3–487 MJ4033 MJ11014 3–478
MJ14000 MJ14002 3–493 MJ4034 MJ11014 3–478
1–22
MJ4035 MJ11016 3–478 MJD3055 MJD3055 3–580
MJ410 MJ410 3–417 MJD3055–1 MJD3055–1 3–580
MJ411 MJ423 3–419 MJD30C MJD32C 3–542
MJ413 MJ413 3–419 MJD30C1 MJD32C1 3–542
MJ423 MJ423 3–419 MJD31 MJD31 3–542
MJ4237 MJ15012 3–502 MJD31–1 MJD31–1 3–542
MJ4238 MJ15012 3–502 MJD31C MJD31C 3–542
MJ4247 MJ15011 3–502 MJD31C1 MJD31C1 3–542

MJ4248 MJ15011 3–502 MJD32 MJD32 3–542
MJ425 BUX48A 3–401 MJD32–1 MJD32–1 3–542
MJ431 MJ423 3–419 MJD32C MJD32C 3–542
MJ4360 MJE13002 3–655 MJD32C1 MJD32C1 3–542
MJ4361 MJE13003 3–655 MJD32CRL MJD32CT4 3–542
MJ4380 MJE13005 3–661 MJD32RL MJD32RL —
MJ4381 MJE13005 3–661 MJD340 MJD340 3–577

MJ4400 MJE13005 3–661 MJD340–1 MJD340–1 3–577
MJ4401 MJE13005 3–661 MJD350 MJD350 3–577
MJ4502 MJ4502 3–431 MJD350–1 MJD350–1 3–577
MJ480 2N3055 3–2 MJD350RL MJD350T4 3–577
MJ481 2N3055 3–2 MJD41C MJD41C 3–546
MJ490 2N3792 3–25 MJD41C1 MJD41C1 3–546
MJ491 2N3792 3–25 MJD42C MJD42C 3–546

MJ701 BU208A 3–226 MJD42C–1 MJD42C–1 3–546
MJ702 BU208A 3–226 MJD42CRL MJD42CT4 3–546
MJ704 BU208A 3–226 MJD44H11 MJD44H11 3–550
MJ721 BU208A 3–226 MJD44H11–1 MJD44H11–1 3–550
MJ723 BU208A 3–226 MJD45H11 MJD45H11 3–550
MJ802 MJ802 3–421 MJD45H11–1 MJD45H11–1 3–550
MJ804 BU208A 3–226 MJD45H11RL MJD45H11T4 3–550

MJ8500 BU208A 3–226 MJD47 MJD47 3–554
MJ8501 BU208A 3–226 MJD47–1 MJD47–1 3–554
MJ8502 BU208A 3–226 MJD50 MJD50 3–554
MJ8503 BU208A 3–226 MJD50–1 MJD50–1 3–554
MJ8504 MJ16018 3–520 MJD6036 MJD6036 3–584
MJ8505 MJ16018 3–520 MJD6036–1 MJD6036–1 3–584
MJD112 MJD112 3–558 MJD6036RL MJD6036T4 3–584

MJD112–1 MJD112–1 3–558 MJD6039 MJD6039 3–584
MJD117 MJD117 3–558 MJD6039–1 MJD6039–1 3–584
MJD117–1 MJD117–1 3–558 MJE101 MJE2955T 3–628
MJD117RL MJD117T4 3–558 MJE102 MJE2955T 3–628
MJD122 MJD122 3–563 MJE103 MJE2955T 3–628
MJD122–1 MJD122–1 3–563 MJE104 MJE2955T 3–628
MJD127 MJD127 3–563 MJE105 TIP42B 3–883

MJD127–1 MJD127–1 3–563 MJE1090 TIP106 3–891
MJD127RL MJD127T4 3–563 MJE1091 TIP107 3–891
MJD200 MJD200 3–569 MJE1092 TIP106 3–891
MJD200–1 MJD200–1 3–569 MJE1093 TIP107 3–891
MJD210 MJD210 3–569 MJE1100 TIP101 3–891
MJD210–1 MJD210–1 3–569 MJE1101 TIP101 3–891
MJD210RL MJD210T4 3–569 MJE1102 TIP102 3–891

MJD243 MJD243 3–573 MJE1103 TIP102 3–891
MJD243–1 MJD243–1 3–573 MJE1123 MJE1123 3–616
MJD253 MJD253 — MJE12007 MJE1320 3–620
MJD253–1 MJD253–1 — MJE1290 2N6491 3–132
MJD29 MJD31 3–542 MJE1291 2N6491 3–132
MJD29–1 MJD31–1 3–542 MJE13002 MJE13002 3–655
MJD2955 MJD2955 3–580 MJE13003 MJE13003 3–655

MJD2955–1 MJD2955–1 3–580 MJE13004 MJE13005 3–661
MJD2955RL MJD2955T4 3–580 MJE13005 MJE13005 3–661
MJD29C MJD31C 3–542 MJE13006 MJE13007 3–667
MJD29C1 MJD31C1 3–542 MJE13007 MJE13007 3–667
MJD30 MJD32 3–542 MJE13008 MJE13009 3–676
MJD30–1 MJD32–1 3–542 MJE13009 MJE13009 3–676
1–23
MJE13070 MJE16002 3–688 MJE223 MJE182 3–589
MJE13071 MJE16002 3–688 MJE224 MJE182 3–589
MJE1320 MJE1320 3–620 MJE225 MJE182 3–589
MJE15020 MJE13007 3–667 MJE230 MJE171 3–589
MJE15028 MJE15028 3–684 MJE231 MJE171 3–589
MJE15029 MJE15029 3–684 MJE232 MJE171 3–589
MJE15030 MJE15030 3–684 MJE233 MJE172 3–589
MJE15031 MJE15031 3–684 MJE234 MJE172 3–589

MJE15032 MJE15032 — MJE235 MJE172 3–589
MJE15033 MJE15033 — MJE2360 MJE2360T 3–626
MJE16002 MJE16002 3–688 MJE2360T MJE2360T 3–626
MJE16004 MJE16004 3–688 MJE2361 MJE2361T 3–626
MJE16032 MJW16018 3–520 MJE2361T MJE2361T 3–626
MJE16034 MJW16018 3–520 MJE2370 TIP32B 3–873
MJE16080 MJW16206 3–855 MJE2371 TIP32B 3–873

MJE16081 MJW16206 3–855 MJE242 MJE243 3–596
MJE16106 MJE16106 3–696 MJE243 MJE243 3–596
MJE16204 MJE16204 3–814 MJE244 MJE243 3–596
MJE1660 2N6487 3–132 MJE2480 TIP31B 3–873
MJE1661 2N6487 3–132 MJE2481 TIP31B 3–873
MJE170 MJE171 3–589 MJE2482 TIP31B 3–873
MJE171 MJE171 3–589 MJE2483 TIP31B 3–873

MJE172 MJE172 3–589 MJE2490 TIP32B 3–873
MJE180 MJE181 3–589 MJE2491 TIP32B 3–873
MJE18002 MJE18002 3–704 MJE252 MJE253 3–596
MJE18002D2 MJE18002D2 3–712 MJE2520 TIP31B 3–873
MJE18004 MJE18004 3–715 MJE2521 TIP31B 3–873
MJE18004D2 MJE18004D2 3–724 MJE2522 TIP31B 3–873
MJE18006 MJE18006 3–734 MJE2523 TIP31B 3–873

MJE18008 MJE18008 3–742 MJE253 MJE253 3–596
MJE18009 MJE18009 3–750 MJE254 MJE253 3–596
MJE181 MJE181 3–589 MJE270 MJE253 3–596
MJE182 MJE182 3–589 MJE271 MJE271 3–600
MJE18204 MJE18204 3–759 MJE2801 2N6107 3–101
MJE18206 MJE18206 3–769 MJE2801K MJE3055T 3–628
MJE18604D2 MJE18604D2 3–779 MJE2801T MJE3055T 3–628

MJE200 MJE200 3–592 MJE29 TIP31B 3–873
MJE201 MJE3055T 3–628 MJE2901 MJE2955T 3–628
MJE2010 TIP42B 3–883 MJE2901K MJE2955T 3–628
MJE2011 TIP42B 3–883 MJE2901T MJE2955T 3–628
MJE202 MJE3055T 3–628 MJE2955 MJE2955T 3–628
MJE2020 TIP41B 3–883 MJE2955K MJE2955T 3–628

MJE203 MJE3055T 3–628 MJE29A TIP31B 3–873
MJE204 MJE3055T 3–628 MJE29B TIP31B 3–873
MJE205 MJE3055T 3–628 MJE29C TIP31C 3–873
MJE2050 MJE200 3–592 MJE30 TIP32B 3–873
MJE2055 MJE3055T 3–628 MJE3055 2N6107 3–101
MJE205K TIP41B 3–883 MJE3055K MJE3055T 3–628
MJE2090 TIP125 3–900 MJE3055T MJE3055T 3–628

MJE2091 TIP125 3–900 MJE30A TIP32B 3–873
MJE2092 TIP126 3–900 MJE30B TIP32B 3–873
MJE2093 TIP126 3–900 MJE30C TIP32C 3–873
MJE210 MJE210 3–592 MJE31 TIP31B 3–873
MJE2100 TIP120 3–900 MJE31A TIP31B 3–873
MJE2101 TIP120 3–900 MJE31B TIP31B 3–873
MJE2102 TIP121 3–900 MJE31C TIP31C 3–873

MJE2103 TIP121 3–900 MJE32 TIP32B 3–873
MJE2150 MJE210 3–592 MJE32A TIP32B 3–873
MJE2160 TIP48 3–887 MJE32B TIP32B 3–873
MJE220 MJE181 3–589 MJE32C TIP32C 3–873
MJE221 MJE181 3–589 MJE33 TIP41B 3–883
MJE222 MJE181 3–589 MJE3300 2N6038 3–85
1–24
MJE3301 2N6038 3–85 MJE494 2N5195 3–49
MJE3302 2N6039 3–85 MJE51 2N6497 3–136
MJE3310 2N6035 3–85 MJE5170 MJE15031 3–684
MJE3311 2N6035 3–85 MJE5171 MJE15031 3–684
MJE3312 2N6036 3–85 MJE5172 MJE15031 3–684
MJE3370 MJE371 3–608 MJE5180 MJE15030 3–684
MJE3371 2N5194 3–49 MJE5181 MJE15030 3–684
MJE33A TIP41B 3–883 MJE5182 MJE15030 3–684

MJE33B TIP41B 3–883 MJE5190 TIP31B 3–873
MJE33C TIP41C 3–883 MJE5191 TIP31B 3–873
MJE34 TIP42B 3–883 MJE5192 TIP31B 3–873
MJE340 MJE340 3–602 MJE5193 TIP32B 3–873
MJE340K TIP48 3–887 MJE5194 TIP32B 3–873
MJE341 MJE341 3–604 MJE5195 TIP32C 3–873
MJE341K TIP47 3–887 MJE51T 2N6497 3–136

MJE3439 MJE3439 3–630 MJE52 2N6498 3–136
MJE344 MJE344 3–604 MJE520 MJE521 3–610
MJE3440 MJE3439 3–630 MJE520K TIP31B 3–873
MJE344K TIP47 3–887 MJE521 MJE521 3–610
MJE345 MJE3439 3–630 MJE521K TIP31B 3–873
MJE34A TIP42B 3–883 MJE5220 D44H10 3–411
MJE34B TIP42B 3–883 MJE5221 D44H10 3–411

MJE34C TIP42C 3–883 MJE5230 D45H10 3–411
MJE350 MJE350 3–606 MJE5231 D45H10 3–411
MJE3520 MJE521 3–610 MJE52T 2N6498 3–136
MJE3521 2N5191 3–44 MJE53 MJE13005 3–661
MJE370 MJE371 3–608 MJE53T MJE13005 3–661
MJE370K TIP32B 3–873 MJE5655 TIP47 3–887
MJE371 MJE371 3–608 MJE5656 TIP48 3–887

MJE371K TIP32B 3–873 MJE5657 TIP49 3–887
MJE3738 TIP47 3–887 MJE5730 MJE5730 3–636
MJE3739 TIP48 3–887 MJE5731 MJE5731 3–636
MJE41 TIP41B 3–883 MJE5731A MJE5731A 3–636
MJE41A TIP41B 3–883 MJE5732 MJE5731A 3–636
MJE41B TIP41B 3–883 MJE5740 MJE5742 3–640
MJE41C TIP41C 3–883 MJE5741 MJE5742 3–640

MJE42 TIP42B 3–883 MJE5742 MJE5742 3–640
MJE42A TIP42B 3–883 MJE5850 MJE5851 3–644
MJE42B TIP42B 3–883 MJE5851 MJE5851 3–644
MJE42C TIP42C 3–883 MJE5852 MJE5852 3–644
MJE4340 MJE4342 3–632 MJE5960 2N6490 3–132
MJE4341 MJE4342 3–632 MJE5974 TIP42B 3–883
MJE4342 MJE4342 3–632 MJE5975 TIP42B 3–883

MJE4343 MJE4343 3–632 MJE5976 TIP42B 3–883
MJE4350 MJE4352 3–632 MJE5977 TIP41B 3–883
MJE4351 MJE4352 3–632 MJE5978 TIP41B 3–883
MJE4352 MJE4352 3–632 MJE5979 TIP41B 3–883
MJE4353 MJE4353 3–632 MJE5980 2N6490 3–132
MJE47 TIP47 3–887 MJE5981 2N6490 3–132
MJE48 TIP48 3–887 MJE5982 2N6491 3–132

MJE482 2N5191 3–44 MJE5983 2N6487 3–132
MJE483 2N5191 3–44 MJE5984 2N6487 3–132
MJE484 2N5192 3–44 MJE5985 2N6488 3–132
MJE488 2N5191 3–44 MJE6040 2N6041 3–89
MJE49 TIP49 3–887 MJE6041 2N6041 3–89
MJE4918 TIP32B 3–873 MJE6042 2N6041 3–89
MJE4919 TIP32B 3–873 MJE6043 2N6044 3–89

MJE492 2N5194 3–49 MJE6044 2N6044 3–89
MJE4920 TIP32B 3–873 MJE6045 2N6045 3–89
MJE4921 TIP31B 3–873 MJE700 MJE700 3–612
MJE4923 TIP31B 3–873 MJE701 MJE703 3–612
MJE493 2N5194 3–49 MJE701T MJE703 3–612
1–25
MJE702 MJE702 3–612 MJH16110 MJW16110 3–529
MJE702T TIP126 3–900 MJH16206 MJW16206 3–855
MJE703 MJE703 3–612 MJH16212 MJW16212 3–864
MJE703T TIP126 3–900 MJH6282 MJH6283 3–821
MJE710 2N4918 3–34 MJH6283 MJH6283 3–821
MJE711 2N4919 3–34 MJH6285 MJH6286 3–821
MJE712 2N4920 3–34 MJH6286 MJH6286 3–821
MJE720 2N4921 3–38 MJL1302A MJL1302A 3–851

MJE721 2N4923 3–38 MJL21193 MJL21193 3–838
MJE722 2N4923 3–38 MJL21194 MJL21194 3–838
MJE800 MJE800 3–612 MJL3281A MJL3281A 3–843
MJE800T MJE800T 3–612 MJW16012 MJW16012 3–512
MJE801 MJE803 3–612 MJW16018 MJW16018 3–520
MJE801T MJE803 3–612 MJW16206 MJW16206 3–855
MJE802 MJE802 3–612 MPC900 2N6052 3–93

MJE802T TIP121 3–900 NSD102 2N4923 3–38
MJE803 MJE803 3–612 NSD103 2N4923 3–38
MJE803T TIP121 3–900 NSD104 2N4923 3–38
MJE8500 MJE1320 3–620 NSD105 2N4923 3–38
MJE8501 MJE1320 3–620 NSD106 2N4923 3–38
MJE8503A MJE8503A 3–650 NSD131 MJE340 3–602
MJE9780 MJE9780 3–653 NSD132 MJE340 3–602

MJF102 MJF6388 3–802 NSD133 MJE340 3–602
MJF107 MJF6668 3–802 NSD134 MJE340 3–602
MJF122 MJF122 3–788 NSD135 MJE340 3–602
MJF127 MJF127 3–788 NSD151 MJE800 3–612
MJF13007 MJF13007 3–667 NSD152 MJE800 3–612
MJF13009 MJF13009 — NSD202 2N4919 3–34
MJF15030 MJF15030 3–809 NSD203 2N4919 3–34

MJF15031 MJF15031 3–809 NSD204 2N4919 3–34
MJF18002 MJF18002 3–704 NSD205 2N4919 3–34
MJF18004 MJF18004 3–715 NSD206 2N4919 3–34
MJF18006 MJF18006 3–734 NSD3439 MJE3439 3–630
MJF18008 MJF18008 3–742 NSD3440 MJE3439 3–630
MJF18009 MJF18009 3–750 NSE170 MJE171 3–589
MJF18204 MJF18204 3–759 NSE171 MJE171 3–589

MJF18206 MJF18206 3–769 NSE180 MJE181 3–589
MJF2955 MJF2955 3–794 NSE181 MJE181 3–589
MJF3055 MJF3055 3–794 NSP105 TIP42B 3–883
MJF31C MJF31C — NSP2010 TIP42B 3–883
MJF32C MJF32C — NSP2011 TIP42B 3–883
MJF44H11 MJF44H11 — NSP2021 TIP41B 3–883
MJF45H11 MJF45H11 — NSP205 TIP41B 3–883

MJF47 MJF47 3–783 NSP2090 TIP125 3–900
MJF6107 MJF6107 3–797 NSP2091 TIP125 3–900
MJF6284 MJH6284 3–821 NSP2092 TIP126 3–900
MJF6287 MJH6287 3–821 NSP2093 TIP126 3–900
MJF6668 MJF6668 3–802 NSP2100 TIP120 3–900
MJH10012 MJH10012 3–457 NSP2101 TIP120 3–900
MJH11017 MJH11017 3–825 NSP2102 TIP121 3–900

MJH11018 MJH11018 3–825 NSP2103 TIP121 3–900
MJH11019 MJH11019 3–825 NSP2370 TIP32B 3–873
MJH11020 MJH11020 3–825 NSP2480 TIP31B 3–873
MJH11021 MJH11021 3–825 NSP2481 TIP31B 3–873
MJH11022 MJH11022 3–825 NSP2490 TIP32B 3–873
MJH16006A MJH16006A 3–830 NSP2491 TIP32B 3–873
MJH16010 MJW16010 3–512 NSP2520 TIP31B 3–873

MJH16010A MJW16010A 3–847 NSP2955 MJE2955T 3–628
MJH16012 MJW16010 3–512 NSP3054 TIP31B 3–873
MJH16018 MJW16018 3–520 NSP3055 MJE3055T 3–628
MJH16032 MJW16018 3–520 NSP370 TIP32B 3–873
MJH16034 MJW16018 3–520 NSP371 TIP32B 3–873
MJH16106 MJE16106 3–696 NSP41 TIP41B 3–883
1–26
NSP41A TIP41B 3–883 NSP700 TIP126 3–900
NSP41B TIP41B 3–883 NSP700A TIP106 3–891
NSP41C TIP41C 3–883 NSP701 TIP122 3–900
NSP42 TIP42B 3–883 NSP702 TIP127 3–900
NSP42A TIP42B 3–883 PMD10K–100 2N6059 3–93
NSP42B TIP42B 3–883 PMD10K–40 2N6059 3–93
NSP42C TIP42C 3–883 PMD10K–60 2N6059 3–93
NSP4918 TIP32B 3–873 PMD10K–80 2N6059 3–93

NSP4919 TIP32B 3–873 PMD11K–100 2N6052 3–93
NSP4920 TIP32B 3–873 PMD11K–40 2N6052 3–93
NSP4921 TIP31B 3–873 PMD11K–60 2N6052 3–93
NSP4922 TIP31B 3–873 PMD11K–80 2N6052 3–93
NSP4923 TIP31B 3–873 PMD12K–100 2N6059 3–93
NSP5190 TIP31B 3–873 PMD12K–40 MJ1000 3–423
NSP5191 TIP31B 3–873 PMD12K–60 MJ1000 3–423

NSP5192 TIP31B 3–873 PMD12K–80 MJ1001 3–423
NSP5193 TIP32B 3–873 PMD13K–100 2N6052 3–93
NSP5194 TIP32B 3–873 PMD1600K 2N6283 3–112
NSP5195 TIP32C 3–873 PMD1601K 2N6283 3–112
NSP520 TIP31B 3–873 PMD1602K 2N6283 3–112
NSP521 TIP31B 3–873 PMD1603K 2N6284 3–112
NSP575 TIP31B 3–873 PMD16K–100 2N6284 3–112

NSP576 TIP32B 3–873 PMD16K–40 2N6283 3–112
NSP577 TIP31B 3–873 PMD16K–60 2N6283 3–112
NSP578 TIP32B 3–873 PMD16K–80 2N6283 3–112
NSP579 TIP31B 3–873 PMD1700K 2N6286 3–112
NSP580 TIP32B 3–873 PMD1701K 2N6286 3–112
NSP581 TIP31C 3–873 PMD1702K 2N6286 3–112
NSP582 TIP32C 3–873 PMD1703K 2N6287 3–112

NSP585 TIP31B 3–873 PMD17K–100 2N6287 3–112
NSP586 TIP32B 3–873 PMD17K–40 2N6286 3–112
NSP587 TIP31B 3–873 PMD17K–60 2N6284 3–112
NSP588 TIP32B 3–873 PMD17K–80 2N6286 3–112
NSP589 TIP31B 3–873 PMD20K–120 2N6578 3–144
NSP590 TIP32B 3–873 PMD25K–120 2N6578 3–144
NSP595 TIP31B 3–873 RCA1000 MJ1000 3–423

NSP596 TIP32B 3–873 RCA1001 MJ1001 3–423
NSP597 TIP31B 3–873 RCA120 TIP120 3–900
NSP5974 TIP42B 3–883 RCA121 TIP121 3–900
NSP5975 TIP42B 3–883 RCA122 TIP122 3–900
NSP5976 TIP42B 3–883 RCA125 TIP125 3–900
NSP5977 TIP41B 3–883 RCA126 TIP126 3–900
NSP5978 TIP41B 3–883 RCA1B01 2N5878 3–74

NSP5979 TIP41B 3–883 RCA1B04 MJ15024 3–506
NSP598 TIP32B 3–873 RCA1B05 MJ15024 3–506
NSP5980 2N6490 3–132 RCA1B06 MJ15003 3–500
NSP5981 2N6490 3–132 RCA1B09 MJ15024 3–506
NSP5982 2N6491 3–132 RCA1C03 MJE15028 3–684
NSP5983 2N6487 3–132 RCA1C04 MJE15029 3–684
NSP5984 2N6487 3–132 RCA1C05 TIP41B 3–883

NSP5985 2N6488 3–132 RCA1C06 TIP42C 3–883
NSP599 TIP31B 3–873 RCA1C07 MJE3055T 3–628
NSP600 TIP32B 3–873 RCA1C08 MJE2955T 3–628
NSP695 TIP120 3–900 RCA1C09 MJE3055T 3–628
NSP695A TIP101 3–891 RCA1C10 2N6292 3–101
NSP696 TIP125 3–900 RCA1C11 2N6107 3–101
NSP696A TIP106 3–891 RCA1C12 MJE15028 3–684

NSP697 TIP120 3–900 RCA1C13 MJE15029 3–684
NSP697A TIP101 3–891 RCA1C14 2N6290 —
NSP698 TIP125 3–900 RCA1C15 2N6388 3–124
NSP698A TIP106 3–891 RCA1C16 2N6668 3–147
NSP699 TIP121 3–900 RCA29 TIP31B 3–873
NSP699A TIP101 3–891 RCA29A TIP31B 3–873
1–27
RCA29B TIP31B 3–873 RCP133A MJE344 3–604
RCA29C TIP31C 3–873 RCP133B MJE344 3–604
RCA30 TIP32B 3–873 RCP133C MJE340 3–602
RCA3054 TIP31B 3–873 RCP133D MJE340 3–602
RCA3055 2N6487 3–132 RCP135 2N4923 3–38
RCA30A TIP32B 3–873 RCP135B MJE340 3–602
RCA30B TIP32B 3–873 RCP137 2N4923 3–38
RCA30C TIP32C 3–873 RCP137B MJE340 3–602

RCA31 TIP31B 3–873 RCS617 2N5882 3–77
RCA31A TIP31B 3–873 RCS618 2N5880 3–77
RCA31B TIP31B 3–873 SDM20301 2N6283 3–112
RCA31C TIP31C 3–873 SDM20302 2N6283 3–112
RCA32 TIP32B 3–873 SDM20303 2N6283 3–112
RCA32A TIP32B 3–873 SDM20304 2N6286 3–112
RCA32B TIP32B 3–873 SDM20311 2N6283 3–112

RCA32C TIP32C 3–873 SDM20312 2N6283 3–112
RCA3441 MJE15030 3–684 SDM20313 2N6283 3–112
RCA41 TIP41B 3–883 SDM20314 2N6286 3–112
RCA410 MJ410 3–417 SDM20321 2N6283 3–112
RCA411 MJ423 3–419 SDM20322 2N6283 3–112
RCA413 MJ413 3–419 SDM20323 2N6283 3–112
RCA41A TIP41B 3–883 SDM20324 2N6286 3–112

RCA41B TIP41B 3–883 SDM21301 2N6286 3–112
RCA41C TIP41C 3–883 SDM21302 2N6286 3–112
RCA42 TIP42B 3–883 SDM21303 2N6286 3–112
RCA423 MJ423 3–419 SDM21304 2N6287 3–112
RCA42A TIP42B 3–883 SDM21311 2N6286 3–112
RCA42B TIP42B 3–883 SDM21312 2N6286 3–112
RCA42C TIP42C 3–883 SDM21313 2N6286 3–112

RCA431 MJ423 3–419 SDM21314 2N6287 3–112
RCA6263 MJE15030 3–684 SDM6000 MJ10012 3–457
RCA8203 TIP106 3–891 SDM6001 MJ10012 3–457
RCA8203A 2N6667 3–147 SDM6002 MJ10012 3–457
RCA8203B 2N6668 3–147 SDM6003 MJ10012 3–457
RCA8350 MJ2501 3–425 SDN1010 2N6056 3–97
RCA8766 MJ10007 3–445 SDN1020 MJ3001 3–425

RCA8766A MJ10007 3–445 SDN4040 MJ10000 3–433
RCA8766B MJ10007 3–445 SDN4045 MJ10000 3–433
RCA8766C MJ10007 3–445 SDN6000 MJ10000 3–433
RCA8766D MJ10007 3–445 SDN6001 MJ10000 3–433
RCA8766E MJ10007 3–445 SDN6060 MJ10000 3–433
RCA8767 2N6547 3–140 SDN6061 MJ10000 3–433
RCA8767A 2N6547 3–140 SDN6062 MJ10000 3–433

RCA8767B 2N6547 3–140 SDN6251 MJ10007 3–445
RCA9113 2N6547 3–140 SDN6252 MJ10007 3–445
RCA9113A 2N6547 3–140 SDN6253 MJ10007 3–445
RCA9113B 2N6547 3–140 SDT1056 BUX48A 3–401
RCP111A MJE340 3–602 SDT1057 BUX48A 3–401
RCP111B MJE340 3–602 SDT1058 BUX48A 3–401
RCP111C MJE340 3–602 SDT1059 BUX48A 3–401

RCP111D MJE340 3–602 SDT1061 BUX48A 3–401
RCP113A MJE340 3–602 SDT1062 BUX48A 3–401
RCP113B MJE340 3–602 SDT1063 BUX48A 3–401
RCP113C MJE340 3–602 SDT1064 BUX48A 3–401
RCP113D MJE340 3–602 SDT13301 2N6547 3–140
RCP115 MJE341 3–604 SDT13302 2N6547 3–140
RCP115B MJE340 3–602 SDT13303 2N6547 3–140

RCP117 MJE341 3–604 SDT13304 MJ16010 3–512
RCP117B MJE340 3–602 SDT410 MJ410 3–417
RCP131A MJE344 3–604 SDT411 MJ423 3–419
RCP131B MJE344 3–604 SDT413 MJ413 3–419
RCP131C MJE340 3–602 SDT423 MJ423 3–419
RCP131D MJE340 3–602 SDT425 BUX48A 3–401
1–28
SDT431 MJ423 3–419 SVT400–3 BUX48A 3–401
SDT5101 TIP41B 3–883 SVT400–5C BUX48A 3–401
SDT5102 TIP41B 3–883 SVT450–3 BUX48A 3–401
SDT5103 TIP41B 3–883 SVT450–5C MJE16106 3–696
SDT5111 TIP42B 3–883 SVT6000 MJ10005 3–439
SDT5112 TIP42B 3–883 SVT6001 MJ10005 3–439
SDT5113 TIP42B 3–883 SVT6002 MJ10005 3–439
SDT7206 2N6341 3–117 SVT6060 MJ10005 3–439

SDT7603 2N6338 3–117 SVT6061 MJ10005 3–439
SDT7604 2N6339 3–117 SVT6062 MJ10005 3–439
SDT7605 2N6341 3–117 SVT6251 MJ10007 3–445
SDT7609 2N6338 3–117 SVT6252 MJ10007 3–445
SDT7610 2N6339 3–117 SVT6253 MJ10007 3–445
SDT7611 2N6341 3–117 SVT6546 MJ16110 3–529
SDT7612 BUV23 3–388 SVT6547 MJ16110 3–529

SDT7731 2N5882 3–77 SVT7531 MJE16106 3–696
SDT7732 2N5882 3–77 SVT7533 MJE16106 3–696
SDT7733 2N5882 3–77 SVT7534 MJE16106 3–696
SDT7734 2N5629 — SVT7543 MJE16106 3–696
SDT7735 2N5631 3–59 SVT7544 MJE16106 3–696
SDT7736 2N5631 3–59 SVT7550 MJ16010 3–512
SDT9201 2N3055 3–2 SVT7551 MJ16010 3–512

SDT9202 2N5878 3–74 SVT7552 MJ16010 3–512
SDT9205 2N3055 3–2 SVT7553 MJ16110 3–529
SDT9206 2N3055 3–2 SVT7554 MJ16010 3–512
SDT9207 2N5878 3–74 SVT7555 MJ16010 3–512
SDT9208 2N5882 3–77 SVT7560 MJ16010 3–512
SDT9209 MJ15001 3–497 SVT7561 MJ16012 3–512
SDT9210 2N3055 3–2 SVT7563 MJ16110 3–529

SDT9307 2N3716 3–12 SVT7564 MJ16110 3–529
SDT9308 2N3716 3–12 SVT7565 MJ16110 3–529
SDT9309 2N3716 3–12 SVT7570 MJ16010 3–512
SDT9701 2N5303 3–54 SVT7571 MJ16012 3–512
SDT9702 2N5629 — SVT7573 MJ16110 3–529
SDT9703 2N5631 3–59 SVT7574 MJ16110 3–529
SDT9704 2N5882 3–77 SVT7575 MJ16012 3–512

SDT9705 2N5629 — TIP100 TIP101 3–891
SDT9706 2N5631 3–59 TIP101 TIP101 3–891
SDT9707 2N3055 3–2 TIP102 TIP102 3–891
SE9300 2N6387 3–124 TIP105 TIP106 3–891
SE9301 2N6388 3–124 TIP106 TIP106 3–891
SE9302 BDX33C 3–217 TIP107 TIP107 3–891
SE9303 MJ1000 3–423 TIP110 TIP111 3–895

SE9304 MJ1001 3–423 TIP111 TIP111 3–895
SE9306 2N6287 3–112 TIP112 TIP112 3–895
SE9307 2N6283 3–112 TIP115 TIP116 3–895
SE9308 2N6286 3–112 TIP116 TIP116 3–895
SE9400 2N6667 3–147 TIP117 TIP117 3–895
SE9401 2N6668 3–147 TIP120 TIP120 3–900
SE9402 BDX34C 3–217 TIP121 TIP121 3–900

SE9406 2N6286 3–112 TIP122 TIP122 3–900
SE9407 2N6286 3–112 TIP125 TIP125 3–900
SE9408 2N6287 3–112 TIP126 TIP126 3–900
SGSF564 MJ16018 3–520 TIP127 TIP127 3–900
SV7056 MJE340 3–602 TIP140 TIP141 3–904
SVT100–5C 2N5882 3–77 TIP140T TIP101 3–891
SVT200–10C MJ15024 3–506 TIP141 TIP141 3–904

SVT250–10C MJ15024 3–506 TIP141T TIP101 3–891
SVT300–10C MJ16110 3–529 TIP142 TIP142 3–904
SVT350–12 2N6547 3–140 TIP142T TIP102 3–891
SVT350–3 BUX48A 3–401 TIP145 TIP146 3–904
SVT350–5C MJE16106 3–696 TIP145T TIP106 3–891
SVT400–12 MJ16110 3–529 TIP146 TIP146 3–904
1–29
TIP146T TIP106 3–891 TIP511 MJ15011 3–502
TIP147 TIP147 3–904 TIP512 MJ15011 3–502
TIP147T TIP107 3–891 TIP513 MJ15012 3–502
TIP150 MJE13007 3–667 TIP514 MJE15030 3–684
TIP151 MJE13007 3–667 TIP517 2N6339 3–117
TIP152 MJE13007 3–667 TIP518 2N6341 3–117
TIP160 MJE5742 3–640 TIP519 MJ15012 3–502
TIP161 MJE5742 3–640 TIP520 MJ15012 3–502

TIP162 MJE5742 3–640 TIP523 MJ15012 3–502
TIP29 TIP29C 3–871 TIP524 2N6497 3–136
TIP2955 TIP2955 3–908 TIP525 MJ15011 3–502
TIP29A TIP29C 3–871 TIP526 MJ15011 3–502
TIP29B TIP29C 3–871 TIP527 MJ15012 3–502
TIP29C TIP29C 3–871 TIP528 MJ15012 3–502
TIP29D MJE15030 3–684 TIP545 MJ15016 3–5

TIP29E MJE15030 3–684 TIP546 MJ15016 3–5
TIP29F MJE15030 3–684 TIP550 BU208A 3–226
TIP30 TIP30C 3–871 TIP551 BU208A 3–226
TIP3055 TIP3055 3–908 TIP552 BU208A 3–226
TIP30A TIP30C 3–871 TIP553 BU208A 3–226
TIP30B TIP30C 3–871 TIP554 MJE16106 3–696
TIP30C TIP30C 3–871 TIP555 MJE16106 3–696

TIP30D MJE15031 3–684 TIP556 MJE16106 3–696
TIP30E MJE15031 3–684 TIP562 MJ16012 3–512
TIP30F MJE15031 3–684 TIP563 MJ16012 3–512
TIP31 TIP31B 3–873 TIP565 MJ10009 3–451
TIP31A TIP31B 3–873 TIP575 MJE16106 3–696
TIP31B TIP31B 3–873 TIP575A MJE16106 3–696
TIP31C TIP31C 3–873 TIP575B MJE16106 3–696

TIP31D MJE15030 3–684 TIP575C MJE16106 3–696
TIP31E MJE15030 3–684 TIP600 TIP101 3–891
TIP31F MJE15030 3–684 TIP601 TIP101 3–891
TIP32 TIP32B 3–873 TIP602 TIP102 3–891
TIP32A TIP32B 3–873 TIP605 TIP106 3–891
TIP32B TIP32B 3–873 TIP606 TIP106 3–891
TIP32C TIP32C 3–873 TIP607 TIP107 3–891

TIP32D MJE15031 3–684 TIP61 TIP31C 3–873
TIP32E MJE15031 3–684 TIP61A TIP31C 3–873
TIP32F MJE15031 3–684 TIP61B TIP31C 3–873
TIP33C TIP33C 3–877 TIP61C TIP31C 3–873
TIP35A TIP35B 3–879 TIP62 TIP32C 3–873
TIP35C TIP35C 3–879 TIP620 TIP120 3–900
TIP36A TIP36B 3–879 TIP621 TIP121 3–900

TIP36C TIP36C 3–879 TIP622 TIP122 3–900
TIP41 TIP41B 3–883 TIP625 TIP125 3–900
TIP41A TIP41B 3–883 TIP626 TIP126 3–900
TIP41B TIP41B 3–883 TIP627 TIP127 3–900
TIP41C TIP41C 3–883 TIP62A TIP32C 3–873
TIP41D MJE15030 3–684 TIP62B TIP32C 3–873
TIP41E MJE15030 3–684 TIP62C TIP32C 3–873

TIP41F MJE15030 3–684 TIP63 TIP47 3–887
TIP42 TIP42B 3–883 TIP64 TIP48 3–887
TIP42A TIP42B 3–883 TIP640 MJ3001 3–425
TIP42B TIP42B 3–883 TIP641 MJ3001 3–425
TIP42C TIP42C 3–883 TIP660 MJ10007 3–445
TIP42D MJE15031 3–684 TIP661 MJ10007 3–445
TIP42E MJE15031 3–684 TIP662 MJ10007 3–445

TIP42F MJE15031 3–684 TIP665 MJ10009 3–451
TIP47 TIP47 3–887 TIP666 MJ10007 3–445
TIP48 TIP48 3–887 TIP667 MJ10007 3–445
TIP49 TIP49 3–887 TIP701 MJE16106 3–696
TIP50 TIP50 3–887 TIP73 TIP48 3–887
TIP510 MJ15011 3–502 TIP73A 2N6487 3–132
1–30
TIP73B 2N6488 3–132 TIPL752 MJE16106 3–696
TIP74 2N6490 3–132 TIPL752A MJE16106 3–696
TIP74A 2N6490 3–132 TIPL753 MJE16106 3–696
TIP74B 2N6491 3–132 TIPL753A MJE16106 3–696
TIP75 MJE13005 3–661 TIPL755 MJ16110 3–529
TIP75A MJE13005 3–661 TIPL755A MJ16010 3–512
TIP75B MJE13005 3–661 TIPL760 MJE16002 3–688
TIP75C MJE13005 3–661 TIPL760A MJE16002 3–688
1–31
1–32
Selector Guide
The selector guides on the subsequent pages offer a
quick “first–selection” capability for devices that fit spe-
cific applications categories.
1. by package
2. by major product category
3. by major applications
In each case, pertinent electrical characteristics are
supplied to permit rapid comparison of potentially suit-
able devices.
Bipolar Power Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5–2

Selection by Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5–2
Plastic (Isolated TO–220 Type) . . . . . . . . . . . . 5.5–3
Plastic TO–220AB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5–4
Plastic TO–218 Type . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5–7
Plastic TO–247 Type . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5–8
Large Plastic TO–264 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5–9
Plastic TO–225AA Type
(Formerly TO–126 Type) . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5–9
DPAK – Surface Mount Power Packages . . 5.5–11
Metal TO–204AA (Formerly TO–3),
TO–204AE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5–12
Audio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5–16
Lighting . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5–17
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data Selector Guide

2–1
Bipolar Power Transistors
Selection by Package
Package IC VCE PD Page

Range Range (Watts) #
(Amps) (Volts)
TO–204AA 4–30 40–1500 90–250 5.5–12

(TO–3)
CASE 1–07
TO–204AE 50–80 60–1000 150–300 5.5–12

CASE 197A
DPAK 0.5–10 40–400 12.5–20 5.5–11

CASE 369
DPAK 0.5–10 40–400 12.5–20 5.5–11

CASE 369A
TO–218 TYPE 5.0–25 60–1500 80–150 5.5–7

CASE 340D
TO–220AB 0.5–15 30–1800 30–125 5.5–4

CASE 221A–06
ISOLATED 1–12 80–450 20–45 5.5–3

TO–220 TYPE
CASE 221D
TO–225AA 0.3–5.0 25–400 12.5–40 5.5–9

(TO–126 TYPE)
CASE 77
TO–247 TYPE 10–30 400–1500 125–180 5.5–8

CASE 340F
TO–264 15–16 200–650 250 5.5–9

CASE 340G
Selector Guide Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

2–2
CASE 221D
Isolated TO–220 Type
UL Recognized
File #E69369 STYLE 1:
PIN 1. BASE
1 2. COLLECTOR
2 3. EMITTER
3
Table 1. Plastic (Isolated TO–220 Type)

Device Type Resistive Switching
ICCont VCEO(sus) VCES ts tf fT PD (Case)

Amps Volts Volts hFE @ IC µs µs @ IC MHz Watts
Max Min Min NPN PNP Min/Max Amp Max Max Amp Min @ 25°C
1 250 MJF47 30/150 0.3 2 typ 0.17 typ 0.3 10 28
2 400 700 BUL44F 14/34 0.2 2.75(3) 0.2(3) 1 13 typ 25

1000 MJF18002 14/34 0.2 2.75(3) 0.175(3) 1 13 typ 25
3 100 MJF31C MJF32C 10 min 1 0.6 0.3 1 3 28
5 100 MJF122 (2) MJF127 (2) 2000 min 3 1.5 typ 1.5 typ 3 4(1) 28
400 700 BUL45F 14/34 0.3 1.7(3) 0.15(3) 1 12 typ 35
450 1000 BUT11AF 10 min .005 4 0.8 2.5 40

1000 MJF18004 14/34 0.3 1.7(3) 0.15(3) 1 13 typ 35
550 1200 MJF18204 18/35 0.5 2.75(3) 0.2(3) 2 12 35
6 400 700 BUL146F 14/34 0.5 2.5(3) 0.15(3) 3 14 typ 40
450 1000 MJF18006 14/34 0.5 3.2(3) 0.15(3) 3 14 typ 40
8 80 MJF6107 30/90 2 0.5 typ 0.13 typ 2 4 35
150 MJF15030 MJF15031 40 min 3 1 typ 0.15 typ 3 30 35
400 700 MJF13007 5/30 5 3 0.7 5 4 40

BUL147F 14/34 1 2.5(3) 0.18(3) 2 14 typ 45
450 1000 MJF18008 16/34 1 2.75(3) 0.18(3) 2 13 typ 45
10 60 MJF3055 MJF2955 20/100 4 — — — 2 40
80 MJF44H11 MJF45H11 40/100 4 0.5 typ 0.14 typ 5 40 35
100 MJF6388 (2) MJF6668 (2) 3k/20k 3 1.5 typ 1.5 typ 20(1) 40
450 1000 MJF18009 14/34 1.5 2.75(3) 0.2(3) 3 12 50
12 400 700 MJF13009 6/30 8 3 0.7 8 8 40

(1)|h | @ 1 MHz
FE
(2)Darlington
(3)Switching tests performed w/special application simulator circuit. See data sheet for details.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.

2–3
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR 4
1
2 CASE 221A–06
Table 2. Plastic TO–220AB 3 (TO–220AB)

PD
ICCont VCEO(sus) ts tf fT (Case)
Amps Volts hFE @ IC µs µs @ IC MHz Watts
Max Min(8) NPN PNP Min/Max Amp Max Max Amp Min @ 25°C
0.5 350 MJE2360T 15 min 0.1 10 typ 30
MJE2361T 40 min 0.1 10 typ 30
1 100 TIP29C TIP30C 15/75 1 0.6 typ 0.3 typ 1 3 30
250 TIP47 30/150 0.3 2 typ 0.18 typ 0.3 10 40
300 TIP48 MJE5730 30/150 0.3 2 typ 0.18 typ 0.3 10 40
350 TIP49 MJE5731 30/150 0.3 2 typ 0.18 typ 0.3 10 40
400 TIP50 MJE5731A (7) 30/150 0.3 2 typ 0.18 typ 0.3 10 40
2 100 TIP112 (2) TIP117 (2) 500 min 2 1.7 typ 1.3 typ 2 25(1) 50
400/700 BUL44 14/36 0.4 2.75(3) 0.175(3) 1 13 typ 50
450/1000 BUX85 30 0.1 3.5 1.4 1 4 50
450/1000 MJE18002 14/34 0.2 3(3) 0.17(3) 1 12 typ 40
900/1800 MJE1320 3 min 1 4 typ 0.8 typ 1 80
3 80 BD241B BD242B 25 min 1 3 40
100 BD241C BD242C 25 min 1 3 40
TIP31C TIP32C 25 min 1 0.6 typ 0.3 typ 1 3 40
150 MJE9780 50/200 0.5 5 typ 40
(1)|h | @ 1 MHz
FE
(2)Darlington
(7)V
CEO = 375 V
(8)When 2 voltages are given, the format is V
CEO(sus)/VCES.

2–4
Table 2. Plastic TO–220AB (continued)
PD
4 40 MJE1123 45/100 4 5 75
60 MJE800 (2) MJE700 (2) 750 min 1.5 1(1) 40
80 D44C12 D45C12 40/120 0.2 1 40 typ 30
400/700 MJE13005 6/30 3 3 0.7 3 4 60
5 100 TIP122 (2) TIP127 (2) 1k min 3 1.5 typ 1.5 typ 4 4(1) 75
250 2N6497 10/75 2.5 1.8 0.8 2.5 5 80
300 2N6498 10/75 2.5 1.8 0.8 2.5 5 80
400/700 BUL45 14/34 0.3 1.7(3) 0.15(3) 1 12 typ 75
450/1000 MJE16002 5 min 5 3 0.3 3 80
450/850 MJE16004 7 min 5 2.7 0.35 3 80
450/1000 MJE18004 14/34 0.3 1.7 0.15 1.0 13 75
550/1200 MJE18204 18/35 0.5 2.75(3) 0.2(3) 2 12 75
6 80 BD243B BD244B 15 min 3 0.4 typ 0.15 typ 3 3 65
100 BD243C BD244C 15 min 3 0.4 typ 0.15 typ 3 3 65
TIP41C TIP42C 15/75 3 0.4 typ 0.15 typ 3 3 65
250/550 MJE16204 5 min 6 1.5(2) 0.15(2) 1 10 80
400/700 BUL146 14/34 0.5 1.75(3) 0.15(3) 3 14 typ 100
450/1000 MJE18006 14/34 0.5 3.2(3) 0.13(3) 3 14 typ 100
7 30 2N6288 2N6111 30/150 3 0.4 typ 0.15 typ 3 4 40
50 2N6109 30/150 2.5 0.4 typ 0.15 typ 3 4 40
70 2N6292 2N6107 30/150 2 0.4 typ 0.15 typ 3 4 40
100 BD801 BD802 15 min 3 3 65
150 BU407 30 min 1.5 0.75 5 10 60
200 BU406 30 min 1.5 0.75 5 10 60
450 BU522B (2) 250 min 2.5 7.5 75
(1)|h | @ 1 MHz
FE
(2)Darlington
(7)V
CEO = 375 V
CEO(sus)/VCES.

2–5
PD
8 60 2N6043(2) 2N6040(2) 1k/10k 4 1.5 typ 1.5 typ 3 4(1) 75
80 2N6044 (2) 2N6041 (2) 1k/10k 4 1.5 typ 1.5 typ 3 4(1) 75
BDX53B (2) BDX54B (2) 750 min 3 4(1) 60
100 2N6045 (2) 2N6042 (2) 1k/10k 3 1.5 typ 1.5 typ 3 4(1) 75
BDX53C (2) BDX54C (2) 750 min 3
TIP102 (2) TIP107 (2) 1k/20k 3 1.5 typ 1.5 typ 3 4(1) 80
120 MJE15028 MJE15029 20 min 4 30 50
150 MJE15030 MJE15031 20 min 4 30 50
200 BU806 (2) 100 min 5 0.55 typ 0.2 typ 5 60
300/600 MJE5740(2) 200 min 4 8 typ 2 typ 6 4 80
MJE5850 15 min 2 2 0.5 4 80
350 MJE5741 (2) 200 min 4 8 typ 2 typ 6 80
MJE5851 15 min 2 2 0.5 4 80
MJE5742 (2) 200 min 4 8 typ 2 typ 6 80
MJE13007 5/30 5 3 0.7 5 80
MJE5852 15 min 2 2 0.5 4 80
400/650 MJE16106 6/22 8 2 typ 0.1 typ 5 100
400/700 BUL147 14/34 1 2.5(3) 0.18(3) 2 14 typ 125
450/1000 MJE18008 16/34 1 2.75(3) 0.18(3) 2 13 typ 125
10 20 BD808 15 min 4 1.5 90
60 D44H8 D45H8 40 min 4 50

MJE3055T MJE2955T 20/70 4 75
2N6387 (2) 2N6667 (2) 1k/20k 5 20(1) 65
80 BDX33B (2) BDX34B (2) 750 min 3 3 70
BD809 BD810 15 min 4 1.5 90
2N6388 (2) 2N6668 (2) 1k/20k 5 20(1) 65
D44H10 D45H10 20 min 4 0.5 typ 0.14 typ 5 50 typ 50
D44H11 D45H11 40 min 4 0.5 typ 0.14 typ 5 50 typ 50
(1)|h | @ 1 MHz
FE
(2)Darlington
(7)V
CEO = 375 V
CEO(sus)/VCES.
(9)Self protected Darlington

2–6
PD
10 100 BDX33C (2) BDX34C (2) 750 min 3 3 70
450/1000 MJE18009 14/34 1.5 2.75(3) 0.2(3) 3 12 150
12 400/700 MJE13009 6/30 8 3 0.7 8 4 100
15 80 2N6488 2N6491 20/150 5 0.6 typ 0.3 typ 5 5 75
D44VH10 D45VH10 20 min 4 0.5 0.09 8 50 typ 83
100 BDW42 (2) BDW47 (2) 1k min 5 1 typ 1.5 typ 5 4 85
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
4
1 CASE 340D
2 (TO–218 Type,
3 SOT–93)
Table 3. Plastic TO–218 Type
PD
8 500/1000 MJH16006A 5 min 8 2.5 0.25 5 125
10 60 TIP140(2) TIP145(2) 500 min 10 2.5 typ 2.5 typ 5 4(1) 125
TIP141 (2) TIP146 (2) 500 min 10 2.5 typ 2.5 typ 5 4(1) 125
100 BDV65B (2) BDV64B (2) 1k min 5 125
TIP33C TIP34C 20/100 3 3 80
TIP142(2) TIP147(2) 500 min 10 2.5 typ 2.5 typ 5 4(1) 125
400 BU323AP (2) 150/100 6 15 15 6 125
MJH10012 (2) 100/2k 6 15 15 6 118
(1)|h | @ 1 MHz
FE
(2)Darlington
CEO(sus) / VCES.

2–7
Table 3. Plastic TO–218 Type (continued)
PD
15 60 TIP3055 TIP2955 5 min 10 2.5 80
150 MJH11018 (2) MJH11017 (2) 400/15k 10 3 150
200 MJH11020 (2) MJH11019 (2) 400/15k 10 3 150
250 MJH11022 (2) MJH11021 (2) 400/15k 10 3 150
400 BUV48 8 min 10 2 0.4 10 150
450 BUV48A 8 min 8 2 0.4 10 150
16 140 MJE4342 MJE4352 15 min 8 1.2 typ 1.2 typ 8 1 125
160 MJE4343 MJE4353 15 min 8 1.2 typ 1.2 typ 8 1 125
20 60 MJH6282(2) MJH6285(2) 750/18k 10 4 125
100 MJH6284 (2) MJH6287 (2) 750/18k 10 4 125
25 80 TIP35A TIP36A 15/75 15 0.6 typ 0.3 typ 10 3 125
100 BD249C BD250C 10 min 15 3 125
TIP35C TIP36C 15/75 15 0.6 typ 0.3 typ 10 3 125
(2)Darlington
CEO(sus) / VCES.
STYLE 2:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
1
2
3 CASE 340F
(TO–247 Type)
Table 4. Isolated Mounting Hole — Plastic TO–247 Type

PD
ICCont VCEO(sus) VCES ts tf fT (Case)
Amps Volts Volts hFE @ IC µs µs @ IC MHz Watts
Max Min Min NPN PNP Min/Max Amp Max Max Amp Min @ 25°C
10 650 1500 MJW16212 4/10 10 4(3) 0.5(3) 5.5 150
800 1500 MJW16018 4 min 5 4.5 typ 0.2 typ 5 3 typ 150
12 500 1200 MJW16206 5/13 10 2.25 0.25 6.5 3 typ 150
15 450 850 MJW16010 5 min 15 1.2 typ 0.2 typ 10 150
850 MJW16012 7 min 15 0.9 typ 0.15 typ 10 150
500 1000 MJW16010A 5 min 15 3 0.4 10 150
(10)Tested in Applications simulator: see Data Sheet.

2–8
New Product New Product New Product New Product
STYLE 2:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
1
CASE 340G
2
(TO–264)
3
Table 5. Large Plastic TO–264
PD
Max Min NPN PNP Min/Max Amp Max Max Amp Min @ 25°C
15 200 MJL3281A MJL1302A 60/175 0.1 30 typ 200
650/1500 MJL16218 4/11 12 2.5 typ 170
16 250 MJL21194 MJL21193 25/75 8 4 200
New Product New Product New Product New Product

STYLE 1: STYLE 3:
PIN 1. EMITTER PIN 1. BASE
2. COLLECTOR 2. COLLECTOR
3. BASE 3. EMITTER
CASE 77
3
21 (TO–225AA)
Table 6. Plastic TO–225AA Type (Formerly TO–126 Type)

PD
0.3 350 MJE3439 40/160 0.02 15 15
0.5 150 MJE341 25/200 0.05 15 20.8
200 MJE344 30/300 0.05 15 20.8
250 2N5655 30/250 0.1 3.5 typ 0.24 typ 0.1 10 20
BD157 30/240 0.05 20
300 BD158 30/240 0.05 20
MJE340 MJE350 30/240 0.05 20.8
2N5656 30/250 0.1 3.5 typ 0.24 typ 0.1 10 20

2–9
Table 6. Plastic TO–225AA Type (Formerly TO–126 Type) (continued)
PD
0.5 350 2N5657 30/250 0.1 3.5 typ 0.24 typ 0.1 10 20
BD159 30/240 0.05 20
1 40 2N4921 2N4918 20/100 0.5 0.6 typ 0.3 typ 0.5 3 30
60 2N4922 2N4919 20/100 0.5 0.6 typ 0.3 typ 0.5 3 30
80 2N4923 2N4920 20/100 0.5 0.6 typ 0.3 typ 0.5 3 30
1.5 45 BD165 BD166 15 min 0.5 6 20
BD135 BD136 40/250 0.15 12.5
60 BD137 BD138 40/250 0.15 12.5
80 BD169 15 min 0.5 6 20
BD139 BD140 40/250 0.15 12.5
BD140–10 63/160 0.15 12.5
300 MJE13002 (11) 5/25 1 4 0.7 1 5 40
400 MJE13003 (11) 5/25 1 4 0.7 1 5 40
2 80 BD237 BD238 25 min 1 3 25
100 MJE270 (2)(11) MJE271 (2)(11) 1.5k min 0.12 6 15
3 60 MJE181 MJE171 50/250 0.1 0.6 typ 0.12 typ 0.1 50 12.5
80 BD179 BD180 40/250 0.15 3 30
MJE182 MJE172 50/250 0.1 0.6 typ 0.12 typ 0.1 50 12.5
200 BUY49P 30 min 0.5 25 20
4 40 MJE521 MJE371 40 min 1 40
45 BD437 BD438 40 min 2 3 36
BD776 (2) 750 min 2 20 15
60 BD440 25 min 2 3 36
BD677 (2) BD678 (2) 750 min 1.5 40
BD677A (2) BD678A (2) 750 min 2 40
BD787 BD788 20 min 2 50 15
BD777 (2) BD778 (2) 750 min 2 20 15
2N5191 2N5194 25/100 1.5 0.4 typ 0.4 typ 1.5 2 40
MJE800 (2) MJE700 (2) 750 min 1.5 1(1) 40
2N6038 (2) 2N6035 (2) 750/18k 2 1.7 typ 1.2 typ 2 25 40
80 2N5192 2N5195 25/100 1.5 0.4 typ 0.4 typ 1.5 2 40
BD441 BD442 15 min 2 3 36
BD679 (2) BD680 (2) 750 min 1.5 40
BD679A (2) BD680A (2) 750 min 2 40
BD789 BD790 10 min 2 40 15
(1) |h | @ 1 MHz
FE
(2)Darlington
(11)Case 77, Style 3

2–10
Table 6. Plastic TO–225AA Type (Formerly TO–126 Type) (continued)
PD
4 80 BD779 (2) BD780 (2) 750 min 2 20 15
MJE802 (2) MJE702 (2) 750 min 1.5 1(1) 40
MJE803 (2) MJE703 (2) 750 min 2 1(1) 40
2N6039 (2) 2N6036 (2) 750/18k 2 1.7 typ 1.2 typ 2 25 40
100 BD681(2) BD682(2) 750 min 1.5 40
BD791 BD792 10 min 2 40 15
MJE243 MJE253 40/120 0.2 0.15 typ 0.07 typ 2 40 15
5 25 MJE200 MJE210 45/180 2 0.13 typ 0.035 typ 2 65 15
1
2
3 CASE 369A(13)
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER 4
4. COLLECTOR
1
2 CASE 369(12)
3
Table 7. DPAK – Surface Mount Power Packages

PD
0.5 300 MJD340 MJD350 30/240 0.05 15
1 250 MJD47 30/150 0.3 2 0.2 0.3 10 15
375 MJD5731 TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD
400 MJD50 30/150 0.3 2 0.2 0.3 10 15
1.5 400 MJD13003 5/25 1 4 0.7 1 4 15
(1)|h | @ 1 MHz
FE
(2)Darlington
(12)Case 369–07 may be ordered by adding –1 suffix to part number.
(13)Case 369A–13 may be ordered as tape and reel by adding a “T4” suffix; 2500 units/reel.

2–11
Table 7. DPAK – Surface Mount Power Packages (continued)
PD
2 100 MJD112 (2) MJD117 (2) 1000 min 2 1.7 1.3 2 25(1) 20
3 40 MJD31 MJD32 10 min 1 0.6 0.3 1 3 15
100 MJD31C MJD32C 10 min 1 0.6 0.3 1 3 15
4 80 MJD6039 (2) MJD6036 (2) 1k/12k 2 1.7 1.2 2 25 20
100 MJD243 MJD253 40/180 0.2 0.16 0.04 1 40 12.5
5 25 MJD200 MJD210 45/180 2 0.15 0.04 2 65 12.5
6 100 MJD41C MJD42C 15/75 3 0.4 0.15 3 3 20
8 80 MJD44H11 MJD45H11 40 min 4 0.5 0.14 5 50 typ 20
100 MJD122 (2) MJD127 (2) 1k/12k 4 1.5 2 4 4(1) 20
10 60 MJD3055 MJD2955 20/100 4 1.5 1.5 3 2 20
80 MJD44E3 (2) 1k min 5 2 0.5 10 20
.040″ .060″ STYLE 1:

PIN 1. BASE
CASE 1–07 CASE 197A TO–204AE 2. EMITTER
TO–204AA (Used for high current types at end of 3. COLLECTOR
table. See types w/footnote(16).)
Table 8. Metal TO–204AA (Formerly TO–3), TO–204AE

PD
4 200 MJ15018 30 min 1 20 150
250 MJ15020 MJ15021 30 min 1 20 150
5 700/1500 BU208A 2.5 min 4.5 8 typ 0.4 typ 4.5 4 typ 90
8 60 MJ1000(2) 1k min 3 90
2N6055(2) 750/18k 4 1.5 typ 1.5 typ 4 4(1) 100
80 MJ1001 (2) 1k min 3 90
2N6056 (2) 750/18k 4 1.5 typ 1.5 typ 4 4(1) 100
(1)|h | @ 1 MHz
FE
(2)Darlington
CEO(sus) / VCES.
(12)Case 369 may be ordered by adding –1 suffix to part number.
(13)Case 369A may be ordered as tape and reel by adding a “T4” suffix; 2500 units/reel.

2–12
Table 8. Metal TO–204AA (Formerly TO–3), TO–204AE (continued)
PD
10 60 2N3715 2N3791 30 min 3 0.3 typ 0.4 typ 5 4 150
MJ3000(2) MJ2500(2) 1k min 5 150
80 2N3716 2N3792 30 min 3 0.3 typ 0.4 typ 5 4 150
2N5878 20/100 4 1 0.8 4 4 150
MJ3001 (2) MJ2501 (2) 1k min 5 150
140 2N3442 20/70 4 117
250 MJ15011 MJ15012 20/100 2 200
325 MJ413 20/80 0.5 2.5 125
MJ423 30/90 1 2.5 125
400 BU323A (2) 150 min 6 7.5 typ 5.2 typ 6 175
MJ10007 (2) 30/300 5 1.5 0.5 5 10(1) 150
MJ10012 (2) 100/2k 6 15 15 6 175
12 60 2N6057(2) 2N6050(2) 750/18k 6 1.6 typ 1.5 typ 6 4(1) 150
80 2N6058(2) 2N6051(2) 750/18k 6 1.6 typ 1.5 typ 6 4(1) 150
100 2N6059 (2) 2N6052 (2) 750/18k 6 1.6 typ 1.5 typ 6 4(1) 150
15 60 2N3055 MJ2955 20/70 4 0.7 typ 0.3 typ 4 2.5 115
2N3055A MJ2955A 20/70 4 0.8 115
2N6576 (2) 2k/20k 4 2 7 10 10–200(1) 120
2N5881 2N5879 20/100 6 1 0.8 6 4 160
80 2N5882 2N5880 20/100 6 1 0.8 6 4 160
90 2N6577 (2) 2k/20k 4 2 7 10 10–200(1) 120
120 MJ15015 MJ15016 20/70 4 0.7 typ 0.3 typ 4 1 180
2N6578 (2) 2k/20k 4 2 7 10 10–200(1) 120
140 MJ15001 MJ15002 25/150 4 2 200
150 MJ11018(2) MJ11017(2) 100 min 15 3(1) 175
200 MJ11020 (2) 100 min 15 3(1) 175
MJ3281A MJ1302A 60/175 0.1 30 typ 250
250 MJ11022 (2) MJ11019 (2) 100 min 15 3(1) 175
MJ11021(2) 6/30 10 4 0.7 10 6 to 24 175
400/850 BUX48 8 min 10 2 0.4 10 175
2N6547 6/30 10 4 0.7 10 6 to 24 175
400/650 MJ16110 6/20 15 0.8 typ 0.1 typ 10 175
450/1000 BUX48A 8 min 8 2 0.4 10 175
(1)|h | @ 1 MHz
FE
(2)Darlington
CEO(sus) / VCES.

2–13
PD
15 450/850 MJ16010 5 min 15 1.2 typ 0.2 typ 10 175
MJ16012 7 min 15 0.9 typ 0.15 typ 10 175
16 140 2N3773 2N6609 15/60 8 1.1 typ 1.5 typ 8 4 150
2N5631 2N6031 15/60 8 1.2 typ 1.2 typ 8 1 200
200 MJ15022 MJ15023 15/60 8 5 250
250 MJ15024 MJ15025 15/60 8 5 250
MJ21194 MJ21193 25/75 8 4 250
20 60 2N3772 15/60 10 2 150
2N6282(2) 2N6285 (2) 750/18k 10 2.5 typ 2.5 typ 10 4(1) 160
75 2N5039 20/100 10 1.5 0.5 10 60 140
80 2N6283 (2) 2N6286 (2) 750/18k 10 2.5 typ 2.5 typ 10 4(1) 160
90 2N5038 20/100 12 1.5 0.5 12 60 140
100 2N6284 (2) 2N6287 (2) 750/18k 10 2.5 typ 2.5 typ 10 4(1) 160
140 MJ15003 MJ15004 25/150 5 2 250
200 BUV11 10 min 12 1.8 0.4 12 8 150
350 MJ10000 (2) 40/400 10 3 1.8 10 10(1) 175
400 MJ10005 (2) 40/400 10 1.5 0.5 10 10(1) 175
MJ13333 10/60 5 4 0.7 10 175
500 MJ10009 (2) 30/300 10 2 0.6 10 8(1) 175
25 60 2N5885 2N5883 20/100 10 1 0.8 10 4 200
80 2N5886 2N5884 20/100 10 1 0.8 10 4 200
2N6436 30/120 10 1 0.25 10 40 200
100 2N6338 2N6437 30/120 10 1 0.25 10 40 200
120 2N6339 2N6438 30/120 10 1 0.25 10 40 200
140 2N6340 30/120 10 1 0.25 10 40 200
150 2N6341 30/120 10 1 0.25 10 40 200
30 40 2N3771 15/60 15 2 150
2N5301 2N4398 15/60 15 2 1 10 2 200
60 2N5302 2N4399 15/60 15 2 1 10 2 200
MJ11012(2) MJ11011(2) 1k min 20 4(1) 200
90 MJ11014 (2) MJ11013 (2) 1k min 20 4(1) 200
100 2N6328 6/30 30 3 200
MJ802 MJ4502 25/100 7.5 2 200
120 MJ11016 (2) MJ11015 (2) 1k min 20 4(1) 200
(1)|h | @ 1 MHz
FE
(2)Darlington
CEO(sus) / VCES.

2–14
PD
30 325 BUV23 8 min 16 1.8 0.4 16 8 250
400/1000 BUS98 8 min 20 2.3 0.4 20 250
BUX98 8 min 20 3 0.8 20 250
450/850 MJ16020(16) 5 min 30 1.8 0.2 20 250

MJ16022(16) 7 min 30 1.5 0.15 20 250
450/1000 BUS98A 8 min 16 2.3 0.4 16 250
BUX98A 8 min 16 3 0.8 16 250
40 200 BUV21 (16) 10 min 25 1.8 0.4 25 8 150
250 BUV22 (16) 10 min 20 1.1 0.35 20 8 250
350 MJ10022 (2)(16) 50/600 10 2.5 0.9 20 250
400 MJ10023 (2)(16) 50/600 10 2.5 0.9 20 250
50 60 2N5685 (16) 15/60 25 0.5 typ 0.3 typ 25 2 300
80 2N5686 (16) 2N5684 (16) 15/60 25 0.5 typ 0.3 typ 25 2 300
90 MJ11030 (2)(16) MJ11031 (2)(16) 400 min 50 300
100 2N6274 (16) 30/120 20 0.8 0.25 20 30 250
120 2N6275 (16) 2N6379 (16) 30/120 20 0.8 0.25 20 30 250
MJ11032 (2)(16) MJ11033 (2)(16) 400 min 50 300
125 BUV20 (16) 10 min 50 1.2 0.25 50 8 250
BUV60 (16) 10 min 80 1.1 0.25 80 250
150 2N6277 (16) 30/120 20 0.8 0.25 20 30 250
400 MJ10015 (2)(16) 10 min 40 2.5 1 20 250
500 BUT34 (2)(16) 15 min 32 3 1.5 32 250
MJ10016 (2)(16) 10 min 40 2.5 1 20 250
56 400 BUT33 (2)(16) 20 min 36 3.3 1.6 36 250
60 60 MJ14001(16) 15/100 50 300
80 MJ14002 (16) MJ14003 (16) 15/100 50 300
200 MJ10020 (2)(16) 75 min 15 3.5 0.5 30 250
250 MJ10021 (2)(16) 75 min 15 3.5 0.5 30 250
70 125 BUS50 (16) 15 min 50 1.5 0.3 70 350
80 100 BUV18A (16) 10 min 80 1.1 0.25 80 250
(1)|h | @ 1 MHz
FE
(2)Darlington
CEO(sus) / VCES.
(16)Case 197A–03 (TO–204AE)

2–15
Audio
GENERAL DESIGN CURVES FOR POWER AUDIO OUTPUT STAGES
V(BR)CEO Required on Output and Driver Transistor Output Transistor Peak Collector Current
versus versus
Output Power for 4, 8 and 18 Ohm Loads Output Power for 4, 8 and 16 Ohm Loads
500 50
PEAK OUTPUT CURRENT (AMPS)

16 OHMS 30
300
4 OHMS
8 OHMS
V (BR) CEO (VOLTS)
8 OHMS
100 4 OHMS 10
70
50 5.0 16 OHMS
30 3.0
10 1.0
10 30 50 100 300 500 1000 10 30 50 100 300 500 1000
OUTPUT POWER (WATTS) OUTPUT POWER (WATTS)
Another important parameter that must be considered before selecting the output transistors is the safe–operating area these
devices must withstand. For a complete discussion see Application Note AN485.
Table 9. Recommended Power Transistors for Audio/Servo Loads

RMS PD fT
Power Watts hFE @ IC MHz ISB
Output NPN PNP Case @ 25°C VCEO Min/Max Amps Typ Volts/Amps
To 25W MJE15030 MJE15031 TO–220 50 150 20 min 4 30 14/3.6
MJE15032 MJE15033 TO–220 50 250 50 min 1 40 50/1
25 to 50W 2N3055A MJ2955A TO–204 120 120 20/70 4 3 60/2

MJ15001 MJ15002 TO–204 200 140 25/150 4 3 40/5
50 to 100W MJ15015 MJ15016 TO–204 180 120 20/70 4 3 60/3

MJ15003 MJ15004 TO–204 250 140 25/150 5 3 100/1
MJ15020 MJ15021 TO–204 150 250 30 min 1 20 50/3
Over 100W MJ15024 MJ15025 TO–204 250 250 15/60 8 8 80/2.2

MJ3281A MJ1302A TO–204 250 200 60/175 7 30 50/4
MJL3281A MJL1302A 340G–01 150 200 60/175 7 30 40/4
MJ21194 MJ21193 TO–204 250 250 25/75 8 7 100/2
MJL21194 MJL21193 340G–01 200 200 25/75 8 7 100/2
The Power Transistors shown are provided for reference only and show device capability. The final choice of the Power Transis-
tors used is left to the circuit designer and depends upon the particular safe–operating area required and the mounting and heat
sinking configuration used.

2–16
For this growing ballast market Motorola offers optimized
Electronic Lamp Ballasts devices such as Power MOSFETs, Bipolar Transistors, Linear
drive ICs, custom Start–Stop ICs, Diodes and Silicon Bilateral
As in many other areas of its semiconductor activity, Switches.
Motorola is an industry leader in the fast growing market of Even more important are our efforts to develop the
Electronic Ballast Semiconductors. We introduced the first technology for tomorrow in close cooperation with the world’s
dedicated devices for this market in 1988. Today, devices leading manufacturers of Electronic Transformers and Lamp
based on advanced technologies such as H2BIP (High Gain, Ballasts, as well as assisting them today in their choice of
High Frequency Bipolar) and ZPCMOS (Zero Power Control technology.
MOS) are leading the way in providing benefits for ballast This capability is driven from our centre of competence
manufacturers, consumers and the environment. based in Toulouse, France. An important team of Applications,
Two factors make the Electronic Lamp Ballast market grow Design, Product, Manufacturing and Marketing Engineers
at an ever increasing rate — Economics and the Environment. drives our worldwide dedication to this market.
Lamps based on Electronic Ballasts have long lifetimes The intention of this section is to provide you with a
and very low power consumption, so contributing to the ‘snapshot’ of our bipolar transistor products and capabilities.
efficient use of energy and to preservation of the environment. It is a document showing Motorola’s professionalism in this
Motorola designs silicon solutions specifically for these area, and illustrating some of the expertise available to you —
applications. the Electronic Lamp Ballast manufacturer.
World Lamp Ballast Market

2–17
Cross Reference Transistors for Electronic Lamp Ballasts
Industry Direct Nearest Industry Direct Nearest
Part Number Replacement Replacement Part Number Replacement Replacement
2SC4053 MJE18004 BULD50 BUL44D2
2SC4546 BUL146F BULD85 BUL45D2
2SC4630 MJF18004 BUT11AF MJF18004
2SC4820 MJF18002 BUT18 BUH100
BU1706A MJE18604D2 BUT93 BUL45
BU1708A MJE18604D2 BUT93D BUL44D2
BUD43B–1 BUD43B–1 BUV46 MJE18006
BUF610 MJE18004D2 KSC5021F MJE18004
BUF654 BUL146 KSC5027F MJE18604D2
BUH100 BUH100 MJD13003–1 MJE13003–1
BUH150 BUH150 MJE13003 MJE13003
BUH50 BUH50 MJE13005 MJE13005
BUH51 BUH51 MJE13007 MJE13007
BUL146 BUL146 MJE13009 MJE13009
BUL146F BUL146F MJE18002 MJE18002
BUL147 BUL147 MJE18004 MJE18004
BUL147F BUL147F MJE18004D2 MJE18004D2
BUL213 MJE18204 MJE18006 MJE18006
BUL216 MJE18206 MJE18008 MJE18008
BUL381 BUL45 MJE18009 MJE18009
BUL38D BUL45D2 MJE18204 MJE18204
BUL410 MJE18006 MJE18206 MJE18206
BUL416 MJE18604D2 MJE18604D2 MJE18604D2
BUL43B BUL43B MJF18002 MJF18002
BUL44 BUL44 MJF18004 MJF18004
BUL44D2 BUL44D2 MJF18006 MJF18006
BUL44F BUL44F MJF18008 MJF18008
BUL45 BUL45 MJF18009 MJF18009
BUL45D2 BUL45D2 MJF18204 MJF18204
BUL45F BUL45F MJF18206 MJF18206
BUL48 MJE18004D2 TD13003 MJD13003–1
BUL510 MJE18004D2 TD13004 BUF43B–1
BUL57 BUL147 TEO13005D BUL44D2–1
BUL67 BUL147 TEO13007 MJE13007
BUL810 BUV48A TEO13003 MJE13003
BUL87 BUL147 TEO13005 MJE13005
BULD215 BUL45D2 TEO13009 MJE13009

2–18
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR 4
1
2 CASE 221A–06
3 (TO–220AB)
Table 10. TO–220AB Bipolar Transistors

ICCont VCEO(sus) VCES IC hFE min Inductive Switching PD (Case)
Amps Volts Volts Operating @ IC Operating @ IC Operating Watts
Max Min Min Device Type Amps VCE = 1 V Tsi Min/Max (µs) @ 25°C
2 350 650 BUL43B 0.8 9 1.8 / 3.3 40
400 700 BUL44 0.8 10 2.6 / 3.8 50
400 700 BUL44D2* 0.8 20 2.05 / 2.35 50
450 1000 MJE18002 1 6 / 2.75 50
4 500 800 BUH50 2 typ 8 typ / 2.5 50
5 400 700 BUL45 2 7 2.6 / 3.8 75
400 700 BUL45D2* 2 10 1.95 / 2.25 75
450 1000 MJE18004 2 6 / 2.5 75
450 1000 MJE18004D2* 2 6 2.1 / 2.4 75
550 1200 MJE18204 2 5 / 2.75 75
600 1600 MJE18604D2* 0.5 15 / 1.0 75
6 400 700 BUL146 3 8 2.6 / 3.8 100
450 1000 MJE18006 3 6 / 3.2 100
8 400 700 BUL147 4.5 8 2.6 / 3.8 125
450 1000 MJE18008 4.5 6 / 3.2 125
550 1200 MJE18206 3 5 / 2.75 100
10 400 700 BUH100 5 typ10 typ / 3.0 100
450 1000 MJE18009 7 8 / 2.75 150
15 400 700 BUH150 10 typ 8 typ / 2.75 150
BUHXXX Series are specified for Halogen applications.
* D2 suffix indicates transistor with built in C–E freewheeling diode and antisaturation network.

2–19
CASE 221D–02
Isolated TO–220 Type
UL Recognized
File #E69369 STYLE 1:
PIN 1. BASE
1 2. COLLECTOR
2 3. EMITTER
3
Table 11. Isolated TO–220 Bipolar Transistors
2 400 700 BUL44F 0.8 10 2.6 / 3.8 25
450 1000 MJF18002 1 6 / 2.75 25
5 400 700 BUL45F 2 7 2.6 / 3.8 35
450 1000 MJF18004 2 6 / 2.5 35
550 1200 MJF18204 2 5 / 2.75 40
6 400 700 BUL146F 3 8 2.6 / 3.8 40
450 1000 MJF18006 3 6 / 3.2 40
8 400 700 BUL147F 4.5 8 2.6 / 3.8 45
450 1000 MJF18008 4.5 6 / 3.2 45
550 1200 MJF18206 5 6 / 2.75 45
10 450 1000 MJF18009 7 8 / 2.75 50
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER 4
4. COLLECTOR
1
2 CASE 369–07
Table 12. DPAK Bipolar Transistors 3

2 350 650 BUD43B–1 0.8 9 typ 1.8 / 3.3 25
400 700 BUD44D2–1* 0.8 20 typ 2.05 / 2.35 25
STYLE 1: STYLE 3:
PIN 1. EMITTER PIN 1. BASE
2. COLLECTOR 2. COLLECTOR
3. BASE 3. EMITTER
CASE 77–08
3
21 (TO–225AA)
Table 13. Case 77 (TO–225) Bipolar Transistors
1.5 400 700 MJE13003 1 typ6 typ / 3.0 40
4 400 700 BUH51 1 8 / 3.75 50
BUHXXX Series are specified for Halogen applications.
* D2 suffix indicates transistor with built in C–E freewheeling diode and antisaturation network.

2–20
The following power transistor data sheets are
arranged in alphanumeric sequence, some data
sheets may contain information applying to more than
one transistor––e.g.2N4398, 2N4399, 2N5745. To
determine if a particular device type is covered by a
data sheet in this section, either refer to the alphanu-
meric listing of the Index and Cross Reference on
Data Sheets
page 1–2 or simply turn to the proper sequence for
indication of where the Data Sheet can be found.
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data 3–1

MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
NPN
2N3055 *
Complementary Silicon Power PNP
Transistors MJ2955 *
. . . designed for general–purpose switching and amplifier applications. *Motorola Preferred Device
• DC Current Gain — hFE = 20 – 70 @ IC = 4 Adc
• Collector–Emitter Saturation Voltage — 15 AMPERE
VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc POWER TRANSISTORS
• Excellent Safe Operating Area COMPLEMENTARY
SILICON
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
60 VOLTS
MAXIMUM RATINGS 115 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating
Collector–Emitter Voltage
Symbol
VCEO
Value
60
Unit
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCER 70 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCB 100 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEB 7 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current — Continuous IC 15 Adc CASE 1–07
TO–204AA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Current IB 7 Adc
(TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25_C PD 115 Watts
Derate above 25_C 0.657 W/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction Temperature
Range
TJ, Tstg – 65 to + 200 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic Symbol Max Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case RθJC 1.52 _C/W
160
140
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
120
100
80
60
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 1. Power Derating
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
3–2 Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

2N3055 MJ2955
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*OFF CHARACTERISTICS
Characteristic Symbol Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, IB = 0)
VCEO(sus) 60 — Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, RBE = 100 Ohms)
VCER(sus) 70 — Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEO — 0.7 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 30 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEX mAdc
(VCE = 100 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(VCE = 100 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current IEBO
—
—
5.0
5.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 7.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*ON CHARACTERISTICS (1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
hFE
20
5.0
70
—
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 4.0 Adc, IB = 400 mAdc)
VCE(sat)
— 1.1
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 3.3 Adc) 3.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
VBE(on) — 1.5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased Is/b 2.87 — Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, t = 1.0 s, Nonrepetitive)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Gain — Bandwidth Product fT 2.5 — MHz
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
*Small–Signal Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
hfe 15 120 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
*Small–Signal Current Gain Cutoff Frequency
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 4.0 Vdc, IC = 1.0 Adc, f = 1.0 kHz)
* Indicates Within JEDEC Registration. (2N3055)
fhfe 10 — kHz
v v
(1) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
2N3055, MJ2955
20
50 µs
10 dc There are two limitations on the power handling ability of a
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1 ms
transistor: average junction temperature and second break-
6 down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
4 the transistor that must be observed for reliable operation;
500 µs i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
2 250 µs tion than the curves indicate.
The data of Figure 2 is based on TC = 25_C; TJ(pk) is
1 variable depending on power level. Second breakdown pulse
0.6 limits are valid for duty cycles to 10% but must be derated for
BONDING WIRE LIMIT temperature according to Figure 1.
0.4 THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C (SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMIT
0.2
6 10 20 40 60
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Active Region Safe Operating Area

2N3055 MJ2955
NPN PNP
2N3055 MJ2955
500 200
300 VCE = 4.0 V VCE = 4.0 V
TJ = 150°C TJ = 150°C
200 25°C
100
hFE , DC CURRENT GAIN

25°C
100 70 – 55°C
70 – 55°C
50
50
30 30
20
20
10
7.0
5.0 10
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 3. DC Current Gain
VCE , COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

2.0 2.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
1.6 1.6
IC = 1.0 A 4.0 A 8.0 A IC = 1.0 A 4.0 A 8.0 A
1.2 1.2
0.8 0.8
0.4 0.4
0 0
5.0 10 20 50 100 200 500 1000 2000 5000 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 2000 5000
IB, BASE CURRENT (mA) IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 4. Collector Saturation Region
1.4 2.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
1.2
1.6
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.0
V, VOLTAGE (VOLTS)
0.8 1.2 VBE(sat) @ IC/IB = 10

VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 4.0 V
0.6 VBE @ VCE = 4.0 V 0.8
0.4
0.4
0.2 VCE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
0 0
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES) IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 5. “On” Voltages

MOTOROLA
NPN
Complementary Silicon 2N3055A
High-Power Transistors
. . . PowerBase complementary transistors designed for high power audio, stepping
MJ15015*
MJ2955A
motor and other linear applications. These devices can also be used in power
switching circuits such as relay or solenoid drivers, dc–to–dc converters, inverters, or
for inductive loads requiring higher safe operating area than the 2N3055 and MJ2955.
PNP
• Current–Gain — Bandwidth–Product @ IC = 1.0 Adc
fT = 0.8 MHz (Min) – NPN MJ15016*
= 2.2 MHz (Min) – PNP
• Safe Operating Area — Rated to 60 V and 120 V, Respectively *Motorola Preferred Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
15 AMPERE
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
COMPLEMENTARY
2N3055A MJ15015 SILICON
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol MJ2955A MJ15016 Unit POWER TRANSISTORS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
60, 120 VOLTS
Collector–Emitter Voltage VCEO 60 120 Vdc
115, 180 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCBO 100 200 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage Base
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Reversed Biased
ÎÎÎ
VCEV 100 200 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEBO 7.0 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector Current — Continuous
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC 15 Adc
Base Current
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TC = 25_C
IB
PD 115
7.0
180
Adc
Watts
CASE 1–07
TO–204AA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25_C 0.65 1.03 W/_C
(TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction TJ, Tstg – 65 to + 200 _C
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
RθJC
Max
1.52
Max
0.98
Unit
_C/W
* Indicates JEDEC Registered Data. (2N3055A)
200
PD(AV), AVERAGE POWER DISSIPATION (W)
150
MJ15015
MJ15016
100
50 2N3055A
MJ2955A
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200

REV 1

2N3055A MJ15015 MJ2955A MJ15016
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS (1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
*Collector–Emitter Sustaining Voltage 2N3055A, MJ2955A VCEO(sus) 60 — Vdc
(IC = 200 mAdc, IB = 0) MJ15015, MJ15016 120 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 30 Vdc, VBE(off) = 0 Vdc) 2N3055A, MJ2955A
ICEO
— 0.7
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 0 Vdc) MJ15015, MJ15016 — 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
*Collector Cutoff Current 2N3055A, MJ2955A ICEV — 5.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc) MJ15015, MJ15016 — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEV mAdc
(VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc, 2N3055A, MJ2955A — 30
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TC = 150_C) MJ15015, MJ15016 — 6.0
Emitter Cutoff Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 7.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N3055A, MJ2955A
MJ15015, MJ15016
IEBO —
—
5.0
0.2
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
*SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased IS/b Adc
(t = 0.5 s non–repetitive) 2N3055A, MJ2955A 1.95 —
(VCE = 60 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MJ15015, MJ15016 3.0 —
*ON CHARACTERISTICS (1)
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ hFE —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 10 70
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 20 70
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 5.0 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, IB = 400 mAdc)
VCE(sat)
— 1.1
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 3.3 Adc) — 3.0
(IC = 15 Adc, IB = 7.0 Adc) — 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
VBE(on) 0.7 1.8 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
*DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
2N3055A, MJ15015
MJ2955A, MJ15016
fT 0.8
2.2
6.0
18
MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Output Capacitance Cob 60 600 pF
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
*SWITCHING CHARACTERISTICS (2N3055A only)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
RESISTIVE LOAD
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Delay Time td — 0.5 µs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Rise Time (VCC = 30 Vdc, IC = 4.0 Adc, tr — 4.0 µs
IB1 = IB2 = 0.4
0 4 Adc,
Adc
v
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Storage Time tp = 25 µs Duty Cycle 2% ts — 3.0 µs
Fall Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
v ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle
* Indicates JEDEC Registered Data. (2N3055A)
2%.
tf — 6.0 µs

2N3055A MJ15015 MJ2955A MJ15016

200 2.8
TJ = 25°C
100 TJ = 150°C 2.4
70
50 2
– 55°C
30 1.6 IC = 1 A 4A 8A
20
VCE = 4.0 V 25°C 1.2
10
7 0.8
5
0.4
3
2 0
0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 15 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) IB, BASE CURRENT (AMP)
Figure 2. DC Current Gain Figure 3. Collector Saturation Region
f T, CURRENT–GAIN — BANDWIDTH PRODUCT (MHz)

3.5 10
TC = 25°C
3
5.0 MJ2955A
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.5 MJ15016
2
2.0
1.5 2N3055A
VBE(sat) @ IC/IB = 10 MJ15015
1
1.0
VBE(on) @ VCE = 4 V
0.5
0
0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 4. “On” Voltages Figure 5. Current–Gain — Bandwidth Product
10
7 VCC = 30 V
5 IC/IB = 10
VCC TJ = 25°C
+ 30 V 3
2
t, TIME ( µs)
tr
7.5 Ω
25 µs 1
+13 V SCOPE 0.7
30 Ω
0 0.5
1N6073 0.3
–11 V
0.2
tr, tf ≤ 10 ns td
–5 V
DUTY CYCLE = 1.0% 0.1
0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 15
Figure 6. Switching Times Test Circuit Figure 7. Turn–On Time

(Circuit shown is for NPN)

2N3055A MJ15015 MJ2955A MJ15016
10 400
7 TJ = 25°C
5 2N3055A
3 200 Cib MJ15015
C, CAPACITANCE (pF)
2 ts MJ2955A
MJ15016
t, TIME ( µs)
tf
0.1 100
0.7
0.5 VCC = 30 50 Cob
IC/IB = 10
0.3 IB1 = IB2
0.2 TJ = 25°C 30
0.1 20
0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 15 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Turn–Off Times Figure 9. Capacitances
COLLECTOR CUT–OFF REGION

NPN PNP
10,000 1000
VCE = 30 V VCE = 30 V
1000 100
IC, COLLECTOR CURRENT (µ A)
IC, COLLECTOR CURRENT (µ A)

100 10 TJ = 150°C
TJ = 150°C
10 1.0
100°C 100°C
1.0 0.1 IC = ICES
IC = ICES
REVERSE FORWARD
REVERSE FORWARD
0.1 0.01 25°C
25°C
0.01 0.001
+ 0.2 + 0.1 0 – 0.1 – 0.2 – 0.3 – 0.4 – 0.5 – 0.2 – 0.1 0 + 0.1 + 0.2 + 0.3 + 0.4 + 0.5
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. 2N3055A, MJ15015 Figure 11. MJ2955A, MJ15016
20 20
30 µs 0.1 ms
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
10
100 µs 5.0
1 ms 1.0 ms
5
2.0
100 ms 1.0 100 ms

BONDING WIRE LIMIT BONDING WIRE LIMIT
2 THERMAL LIMIT @ TC = 25°C dc THERMAL LIMIT @ TC = 25°C
0.5
(SINGLE PULSE) (SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMIT SECOND BREAKDOWN LIMIT dc
1 0.2
10 20 60 100 15 20 30 60 100 120
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Forward Bias Safe Operating Area Figure 13. Forward Bias Safe Operating Area
2N3055A, MJ2955A MJ15015, MJ15016
There are two limitations on the power handling ability of a tion than the curves indicate.
transistor: average junction temperature and second break- The data of Figures 12 and 13 is based on TC = 25_C;
down. Safe Operating area curves indicate IC – VCE limits of TJ(pk) is variable depending on power level. Second break-
the transistor that must be observed for reliable operation; down pulse limits are valid for duty cycles to 10% but must be
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa- derated for temperature according to Figure 1.

MOTOROLA
2N3442
High-Power Industrial
Transistors
10 AMPERE
NPN silicon power transistor designed for applications in industrial and commercial POWER TRANSISTOR
equipment including high fidelity audio amplifiers, series and shunt regulators and NPN SILICON
power switches. 140 VOLTS
• Collector –Emitter Sustaining Voltage — 117 WATTS
VCEO(sus) = 140 Vdc (Min)
• Excellent Second Breakdown Capability
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Rating Symbol Value Unit
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO 140 Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEB 7.0 Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous IC 10 Adc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Collector Current — Peak 15**
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Base Current — Continuous IB 7.0 Adc
Peak —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Derate above 25_C ÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25_C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
PD 117
0.67
Watts
W/_C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
ÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 200 _C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
* Indicates JEDEC Registered Data.
RθJC 1.5 _C/W
** This data guaranteed in addition to JEDEC registered data.
REV 7

2N3442
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) 140 — Vdc
(IC = 200 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 140 Vdc, IB = 0) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEO — 200 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 140 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc)
ICEX
— 5.0
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 30
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current IEBO — 5.0 mAdc
(VBE = 7.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS (1)
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
hFE
20 70
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 7.5 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) — 5.0 Vdc
(IC = 10 Adc, IB = 2.0 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
VBE(on) — 5.7 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product (2)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, ftest = 40 kHz)
fT 80 — kHz
ÎÎÎÎ
Small–Signal Current Gain
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hfe 12 72 —
NOTES:
v
4. Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
5. fT = |hfe| • ftest
PD /PD(MAX), POWER DISSIPATION (NORMALIZED)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200

2N3442
ACTIVE REGION SAFE OPERATING AREA INFORMATION
20
10 µs
10
There are two limitations on the power–handling ability of
a transistor: average junction temperature and second

7.0 dc
5.0
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
limits of the transistor that must be observed for reliable
3.0 30 µs
operation, i.e., the transistor must not be subjected to
2.0 50 µs greater dissipation than the curves indicate.
TJ = 200°C 100 µs The data of Figure 2 is based on TJ(pk) = 200_C; TC is
1.0 1.0 ms variable depending on conditions. At high case temper-
0.7 CURRENT LIMIT 100 ms atures, thermal limitations will reduce the power that can be
0.5 THERMAL LIMIT @ TC = 25°C handled to values less than the limitations imposed by
SINGLE PULSE second breakdown.
0.3 SECOND BREAKDOWN LIMIT
0.2
2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200
Figure 2. 2N3442

400 1.4
TJ = 150°C VCE = 4.0 V
200 1.2 IC = 1.0 A 2.0 A 4.0 A 8.0 A
hFE, DC CURRENT GAIN
100 1.0
– 55°C
60 25°C
0.8
40
0.6
20
0.4
10
0.2
6.0 TJ = 25°C
4.0 0
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0 k 2.0 k
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 3. DC Current Gain Figure 4. Collector–Saturation Region

MOTOROLA
NPN
Silicon NPN Power Transistors 2N3715
. . . designed for medium–speed switching and amplifier applications. These devices
2N3716
feature:
• Total Switching Time at 3 A typically 1.15 µs
• Gain Ranges Specified at 1 A and 3 A 10 AMPERE
• Low VCE(sat): typically 0.5 V at IC = 5 A and IB = 0.5 A POWER TRANSISTORS
• Excellent Safe Operating Areas SILICON NPN
• Complement to 2N3791–92 60 – 80 VOLTS
150 WATTS
CASE 1–07
TO–204AA
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(TO–3)
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Rating Symbol 2N3715 2N3716 Unit
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO 60 80 Volts
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCB 80 100 Volts
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEB 7.0 7.0 Volts
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Current IC 10 10 Amps
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Base Current IB 4.0 4.0 Amps
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Power Dissipation PD 150 150 Watts
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance θJC 1.17 1.17 _C/W
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Operating Junction and Storage Temperature Range TJ, Tstg – 65 to + 200 _C
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
Figure 1. Power–Temperature Derating Curve

Safe Area Limits are indicated by Figures 12, 13. Both limits are applicable and must be observed.
REV 7

2N3715 2N3716
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Cutoff Current IEBO — 5.0 mAdc
(VEB = 7.0 Vdc) All Types
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Emitter Cutoff Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, VBE = – 1.5 Vdc) 2N3715
ICEX
— 1.0
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 100 Vdc, VBE = – 1.5 Vdc) 2N3716 — 1.0
(VCE = 60 Vdc, VBE = – 1.5 Vdc, TC = 150_C) 2N3715 — 10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, VBE = – 1.5 Vdc, TC = 150_C) 2N3716 — 10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, IB = 0) 2N3715
2N3716
VCEO(sus)*
60
80
—
—
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
DC Current Gain (1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N3715, 2N3716
hFE*
50 150
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N3715, 2N3716 30 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (1) VCE(sat)* — 0.8 Vdc
(IC = 5.0 Adc, IB = 0.5 Adc) 2N3715, 2N3716
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (1)
(IC = 5.0 Adc, IB = 0.5 Adc) 2N3715, 2N3716
VBE(sat)* — 1.5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Base–Emitter Voltage (1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) All Types
VBE* — 1.5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small Signal Current Gain
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 10 Vdc, IC = 0.5 Adc, f = 1.0 MHz) All Types
hfe 4.0 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Switching Times (Figure 2) Typ µs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 A, IB1 = IB2 = 0.5 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time tr 0.45
Storage Time ts 0.3
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time tf 0.4
v v
TEST CIRCUIT
IC = 5 A, IB1 = IB2 = 0.5 A
ton ~ 30 µs f ≈ 150 cps DUTY CYCLE ≈ 2%
1.5 +11.5 V
WAVE SHAPE
1.0 ts AT POINT A
–9 V
SWITCHING TIMES ( µ s)
0.7
toff + 30 V
0.5 ~ 1.7 ms ~ 4.8 ms
tf
6Ω
0.3 tr 4W
100 Ω 20 Ω 900 Ω
1W A 1W
0.2
Hg RELAYS 900 Ω
IB1 = IB2
100 Ω
0.1
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 + 62 V –9 V
100 Ω – 4 V
Figure 2. Typical Switching Times

2N3715 2N3716
10 1000
7.0 700
5.0 2N3715, 2N3716 500
3.0 300 VCE = 2 V
2.0 200
IB , BASE CURRENT (mA)

SEE NOTE 2
1.0 100
0.7 70
0.5 50
0.3 TJ = 175°C 30
0.2 VCE = 2 V 20 TJ = 175°C – 40°C
0.1 SEE NOTES 1, 2 10
0.07 – 40°C 7.0
0.05 5.0 25°C
0.03 3.0
0.02 25°C 2.0
0.01 1.0
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
IB, BASE CURRENT (mA) VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. Collector Current versus Base Current Figure 4. Base Current–Voltage Variations
10
7 2N3715, 2N3716
5
3
2 VCE = 2 V
SEE NOTE 2
TJ = 175°C – 40°C
1
0.7
0.5 25°C
0.3
0.2
0.1
0.1 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. Collector Current–Voltage Variations
NOTE 1. Dotted line indicates metered base current plus the ICBO of the transistor at 175_C.
NOTE 2. Pulse test: pulse width ≈ 200 µsec, duty cycle ≈ 1.5%.

2N3715 2N3716
VCE(sat) , COLLECTOR–EMITTER SATURATION

1.4
TJ =
1.2 25°C
– 40°C
1.0 175°C
VOLTAGE (VOLTS)
SEE NOTE 2
0.8
IC = 5 A
0.6
0.4 IC = 3 A
0.2
IC = 1 A
0.1
10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1000 2000
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 6. Collector–Emitter Saturation Voltage Variations
1.4
VBE(sat) , BASE–EMITTER SATURATION
1.2 IC = 5 A
1.0 IC = 3 A
VOLTAGE (VOLTS)
0.8
IC = 1 A
0.6
TJ =
0.4 25°C
– 40°C
0.2 175°C
SEE NOTE 2
0.1
10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1000 2000
Figure 7. Base–Emitter Saturation Voltage Variations
10 100
7.0
50
5.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
30
3.0 20
VCE = VCEO – 20 V
2.0 SEE NOTE 2 10
5.0
1.0 3.0
0.7 2.0
0.5 TJ = 175°C 1.0
TJ = 175°C
0.3 0.5
0.2 TJ = 100°C 0.3
VCE = VCEO – 20 V
0.2 TJ = 100°C
REVERSE FORWARD SEE NOTE 2
0.1 0.1
– 0.6 – 0.4 – 0.2 0 0.2 0.4 1 10 100 1000 10,000 100,000
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) RBE, EXTERNAL BASE–EMITTER RESISTANCE (OHMS)
Figure 8. Collector Current versus Figure 9. Collector Current versus
Base–Emitter Voltage Base–Emitter Resistance

2N3715 2N3716
200
hFE , CURRENT GAIN

150
TJ = 175°C hFE + IBIC )– ICBO
ICBO
25°C VCE = 2 V
100
– 40°C
50
0
0.01 0.02 0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
Figure 10. Current Gain Variations

fτ , CURRENT GAIN — BANDWIDTH PRODUCT (mc)
VCE = 6 V
2
0
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0
Figure 11. Current Gain — Bandwidth Product versus Collector Current
SAFE OPERATING AREAS

10 10
7 DC to 5 ms ≤ 50 µs 7 DC to 5 ms ≤ 50 µs
5 5 250 µs
500 µs
250 µs
3 1 ms 3 500 µs
2 2
1 ms
1 1
0.7 0.7
0.5 0.5
0.3 0.3
0.2 0.2
0.1 0.1
0 10 20 30 40 50 60 70 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Figure 12. 2N3715 Figure 13. 2N3716
The Safe Operating Area Curves indicate IC – VCE limits short. (Duty cycle of the excursions make no significant
below which the device will not go into secondary break- change in these safe areas.) To insure operation below the
down. Collector load lines for specific circuits must fall within maximum TJ, the power–temperature derating curve must be
the applicable Safe Area to avoid causing a collector–emitter observed for both steady state and pulse power conditions.

MOTOROLA
2N3771*
High Power NPN Silicon Power 2N3772
Transistors *Motorola Preferred Device
. . . designed for linear amplifiers, series pass regulators, and inductive switching 20 and 30 AMPERE
applications. POWER TRANSISTORS
• Forward Biased Second Breakdown Current Capability NPN SILICON
IS/b = 3.75 Adc @ VCE = 40 Vdc — 2N3771 40 and 60 VOLTS
IS/b = 2.5 Adc @ VCE = 60 Vdc — 2N3772 150 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
VCEX
40
50
60
80
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB 50 100 Vdc CASE 1–07
TO–204AA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEB 5.0 7.0 Vdc (TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current — Continuous IC 30 20 Adc
Peak 30 30
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Current — Continuous
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak
IB 7.5
15
5.0
15
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25_C
PD 150
0.855
Watts
W/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Characteristics
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol
θJC
2N3771, 2N3772
1.17
Unit
_C/W
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
REV 7

2N3771 2N3772
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.2 Adc, IB = 0)
ÎÎÎ
*Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N3771
2N3772
VCEO(sus) 40
60
—
—
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage 2N3771 VCEX(sus) 50 — Vdc
(IC = 0.2 Adc, VEB(off) = 1.5 Vdc, RBE = 100 Ohms) 2N3772 80 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.2 Adc, RBE = 100 Ohms)
2N3771
2N3772
VCER(sus) 45
70
—
—
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
*Collector Cutoff Current
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 30 Vdc, IB = 0)
(VCE = 50 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N3771
2N3772
ICEO
— 10
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 10
(VCE = 25 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
*Collector Cutoff Current
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 50 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc)
2N3771
2N3772
ICEV
—
—
2.0
5.0
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 45 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) 2N6257 — 4.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 30 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) 2N3771 — 10
2N3772 — 10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 45 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Collector Cutoff Current ICBO mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 50 Vdc, IE = 0) 2N3771 — 2.0
(VCB = 100 Vdc, IE = 0) 2N3772 — 5.0
ÎÎÎÎ
*Emitter Cutoff Current
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ 2N3771
IEBO
— 5.0
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 7.0 Vdc, IC = 0) 2N3772 — 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (1) hFE —
(IC = 15 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3771
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
15 60
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3772 15 60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
(IC = 30 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3771
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
5.0 —
(IC = 20 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3772 5.0 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 15 Adc, IB = 1.5 Adc)
ÎÎÎ
2N3771
VCE(sat)
— 2.0
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc) 2N3772 — 1.4
(IC = 30 Adc, IB = 6.0 Adc) 2N3771 — 4.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 4.0 Adc) 2N3772 — 4.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 15 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
2N3771
2N3772
VBE(on)
—
—
2.7
2.2
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product fT 0.2 — MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, ftest = 50 kHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain hfe 40 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
(VCE = 40 Vdc)
(VCE = 60 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Second Breakdown Energy with Base Forward Biased, t = 1.0 s (non–repetitive)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N3771
2N3772
IS/b
3.75
2.5
—
—
Adc

(1) Pulse Test: 300 µs, Rep. Rate 60 cps.

2N3771 2N3772
1.0
0.7
r(t), EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL
D = 0.5
0.5
RESISTANCE (NORMALIZED) 0.3 0.2
0.2
0.1
0.1 0.05 θJC(t) = r(t) θJC P(pk)
0.07
θJC = 0.875°C/W MAX
0.05 D CURVES APPLY FOR POWER
0.02
PULSE TRAIN SHOWN t1
0.03 0.01 READ TIME AT t1 t2
0.02 SINGLE PULSE TJ(pk) – TC = P(pk) θJC(t) DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.01
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 2000
t, TIME (ms)
Figure 2. Thermal Response — 2N3771, 2N3772
40 There are two limitations on the power handling ability of a

30 transistor: average junction temperature and second break-
40 µs
2N3771 down. Safe operating area curves indicate I C – V CE limits of

20 the transistor that must be observed for reliable operation:
2N3772, (dc) 100 µs
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
dc
tion than the curves indicate.
200 µs
10 TC = 25°C Figure 3 is based on JEDEC registered Data. Second
7.0 BONDING WIRE LIMITED 1.0 ms breakdown pulse limits are valid for duty cycles to 10%
THERMALLY LIMITED provided T J(pk) < 200_C. T J(pk) may be calculated from the
5.0 (SINGLE PULSE) 100 ms data of Figure 2. Using data of Figure 2 and the pulse power
SECOND BREAKDOWN LIMITED limits of Figure 3, T J(pk) will be found to be less than T J(max)
CURVES APPLY BELOW RATED VCEO
3.0 PULSE CURVES APPLY 500 ms
for pulse widths of 1 ms and less. When using Motorola
2N3771 transistors, it is permissible to increase the pulse power limits
FOR ALL DEVICES 2N3772
2.0 until limited by T J(max).
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
Figure 3. Active–Region Safe Operating Area

— 2N3771, 2N3772
VCC
+ 30 V 10
5.0 VCC = 30
IC/IB = 10 VBE(off) = 5.0 V
25 µs RC 2.0 TJ = 25°C
+11 V SCOPE
RB 1.0
t, TIME ( µs)
tr
0.5
0
51 D1
0.2
– 9.0 V
0.1
tr, tf ≤ 10 ns –4 V
DUTY CYCLE = 1.0% 0.05 td
RB AND RC ARE VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS 0.02
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.: 0.01
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 4. Switching Time Test Circuit Figure 5. Turn–On Time

2N3771 2N3772
100 2000
VCC = 30 V TJ = 25°C
50
IC/IB = 10
20 IB1 = IB2
C, CAPACITANCE (pF)
TJ = 25°C 1000 Cib
10
t, TIME ( µs)
5.0 700 Cob

ts
2.0
500
1.0
tf
0.5
300
0.2
0.1 200
0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Turn–Off Time Figure 7. Capacitance

500 2.0
TJ = 25°C
300 TJ = 150°C VCE = 4.0 V
200 1.6
IC = 2.0 A 5.0 A 10 A 20 A
25°C
100
70 1.2
50 – 55°C
30 0.8
20
0.4
10
7.0
5.0 0
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10

MOTOROLA
NPN
2N3773*
Transistors 2N6609
The 2N3773 and 2N6609 are PowerBase power transistors designed for high *Motorola Preferred Device
power audio, disk head positioners and other linear applications. These devices can
also be used in power switching circuits such as relay or solenoid drivers, dc to dc 16 AMPERE
converters or inverters. COMPLEMENTARY
• High Safe Operating Area (100% Tested) 150 W @ 100 V POWER TRANSISTORS
• Completely Characterized for Linear Operation 140 VOLTS
• High DC Current Gain and Low Saturation Voltage 150 WATTS
hFE = 15 (Min) @ 8 A, 4 V
VCE(sat) = 1.4 V (Max) @ IC = 8 A, IB = 0.8 A
• For Low Distortion Complementary Designs
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Emitter Voltage VCEO 140 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEX 160 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCBO 160 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEBO 7 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
— Peak (1) 30
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Base Current — Continuous IB 4 Adc
— Peak (1) 15
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Derate above 25_C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction TJ, Tstg
0.855
– 65 to + 200
W/_C
_C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
Symbol
RθJC
Max
1.17
Unit
_C/W
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle v 10%.
REV 7

2N3773 2N6609
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Collector–Emitter Breakdown Voltage VCEO(sus) 140 — Vdc
(IC = 0.2 Adc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
*Collector–Emitter Sustaining Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, VBE(off) = 1.5 Vdc, RBE = 100 Ohms)
VCEX(sus) 160 — Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.2 Adc, RBE = 100 Ohms)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Collector Cutoff Current ICEO — 10 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 120 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Collector Cutoff Current ICEX mAdc
(VCE = 140 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) — 2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 140 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) — 10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 140 Vdc, IE = 0) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICBO — 2 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Emitter Cutoff Current IEBO — 5 mAdc
(VBE = 7 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE —
*(IC = 8 Adc, VCE = 4 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
15 60
(IC = 16 Adc, VCE = 4 Vdc) 5 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
*(IC = 8 Adc, IB = 800 mAdc)
ÎÎÎ
VCE(sat)
— 1.4
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 16 Adc, IB = 3.2 Adc) — 4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Base–Emitter On Voltage VBE(on) — 2.2 Vdc
(IC = 8 Adc, VCE = 4 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Magnitude of Common–Emitter |hfe| 4 — —
Small–Signal, Short–Circuit, Forward Current Transfer Ratio
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1 A, f = 50 kHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Small–Signal Current Gain hfe 40 — —
(IC = 1 Adc, VCE = 4 Vdc, f = 1 kHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased IS/b 1.5 — Adc
t = 1 s (non–repetitive), VCE = 100 V, See Figure 12
v
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle 2%.

2N3773 2N6609
NPN PNP
300 300
200 150°C 200 150°C
25°C

100 100
– 55°C – 55°C
70 25°C 70
50 50
30 VCE = 4 V 30 VCE = 4 V
20 20
10 10
7.0 7.0
5.0 5.0
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 1. DC Current Gain Figure 2. DC Current Gain


2.0 2.0
IC = 4 A IC = 4 A
1.6 1.6 IC = 16 A
1.2 1.2
IC = 8 A
IC = 8 A
IC = 16 A
0.8 0.8
0.4 0.4
TC = 25°C TC = 25°C
0 0
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0
IB, BASE CURRENT (AMPS) IB, BASE CURRENT (AMPS)
Figure 3. Collector Saturation Region Figure 4. Collector Saturation Region
2.0 2.0
IC/IB = 10 IC/IB = 10
1.6 1.6
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.2 1.2 VBE(sat)

VBE(sat)
0.8 25°C 0.8 25°C
150°C 150°C
150°C
0.4 150°C 0.4 25°C
VCE(sat) 25°C
VCE(sat)
0
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20
Figure 5. “On” Voltage Figure 6. “On” Voltage

2N3773 2N6609
30
20 10 µs
40 µs

10
100 µs
5.0 dc 200 µs
3.0 1.0 ms
2.0
100 ms
1.0
0.5
500 ms
0.3 BONDING WIRE LIMIT
0.2 THERMAL LIMIT
@ TC = 25°C, SINGLE PULSE
0.1
0.05
0.03
3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300
Figure 7. Forward Bias Safe Operating Area
There are two limitations on the power handling ability of a The data of Figure 7 is based on T J(pk) = 200_C; TC is
transistor: average junction temperature and second break- variable depending on conditions. Second breakdown pulse
down. Safe operating area curves indicate I C – V CE limits of limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
the transistor that must be observed for reliable operation: < 200_C. At high case temperatures, thermal limitations will
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa- reduce the power that can be handled to values less than the
tion than the curves indicate. limitations imposed by second breakdown.
100
POWER DERATING FACTOR (%)
80
60
THERMAL
40 DERATING
20
0
0 40 80 120 160 200

MOTOROLA
2N3791
Silicon PNP Power Transistors 2N3792
. . . designed for medium–speed switching and amplifier applications. These devices
feature:
• [
Total Switching Time @ 3.0 A 1.0 µs (typ) 10 AMPERE
• hFE (min) = 50 @ 1.0 A POWER TRANSISTORS
• Low VCE(sat) = 0.5 V (typ) @ IC = 5.0 A, IB = 0.5 A PNP SILICON
• Excellent Safe Area Limits 60 – 80 VOLTS
• Complementary NPN available — 2N3716 150 WATTS
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
ÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCB 60 80 Volts
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO 60 80 Volts
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEB 7.0 7.0 Volts
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Current (Continuous) IC 10 10 Amps
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Base Current (Continuous) IB 4.0 4.0 Amps
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Power Dissipation PD 150 150 Watts
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ θJC 1.17 1.17 _C/W
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Junction Operating and Storage Temperature Range TJ, Tstg – 65 to + 200 _C
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
Safe Area Limits are indicated by Figures 15, 16. Both limits are applicable and must be observed.
REV 7

2N3791 2N3792
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1) VCEO(sus) Vdc
(IC = 200 mAdc, IB = 0) 2N3791 60 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N3792 80 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, VBE = – 1.5 Vdc)
(VCE = 80 Vdc, VBE = – 1.5 Vdc)
2N3791
2N3792
ICEX
— 1.0
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 1.0
(VCE = 60 Vdc, VBE = – 1.5 Vdc, TC = 150_C) 2N3791 — 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, VBE = – 1.5 Vdc, TC = 150_C) 2N3792 — 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 7.0 Vdc) All Types
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 50 180
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 30 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, IB = 0.5 Adc)
VCE(sat) — 1.0 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (1) VBE(on) Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 A, VCE = 2.0 Vdc) — 1.8
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc) — 4.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 10 Vdc, IC = 0.5 Adc, f = 1.0 MHz)
fT 4.0 — MHz
(1) Pulse Test: Pulse Width v 300 µs, Duty Cycle v 2.0%.
6.7 ms VALUES SHOWN FOR

1.0 1.7 ms IC = 5 A, IB1 = – IB2 = 0.5 A
+9 V f ≈ 150 cps, DUTY CYCLE ≈ 2%
0.7
SWITCHING TIMES ( µ s)
WAVE SHAPE
ts AT POINT A – 30 V
0.5 –11.5 V
ton ≈ 30 µs
6Ω
4W
tf 100 Ω 20 Ω
1W A 1W
0.3 |IB1 = – IB2| = IC/10 900 Ω
VCC = 30 V tr 900 Ω UNIT
TC = 25°C Hg RELAYS UNDER
TEST 100 Ω
0.2 +9 V +4 V
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 100 Ω
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) – 62 V
Figure 2. Typical Switching Times and Test Circuit

2N3791 2N3792
500
2N3791, 2N3792 VCE = 2 V
300
+ )
TJ = +175°C IC – ICBO
hFE, DC CURRENT GAIN 200 hFE
TJ = + 25°C IB ICBO
TJ = – 40°C
100
70
TJ = + 25°C
50
30
20 TJ = +175°C
10
0.01 0.02 0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
Figure 3. Current Gain Variations
2.4 + 5.0
To compute saturation voltages TJ (+100°C to +175°C)
V(sat) , SATURATION VOLTAGE (VOLTS)
ALL TYPES
TEMPERATURE COEFFICIENT (mV/ °C)

V_(sat) @ operating TJ = V_(sat)
+ 4.0 @ + 25°C + θv_ (operating TJ – 25°C)
2.0 TJ = + 25°C
Use appropriate θv for voltage of interest.
βF = IC/IB (FORCED GAIN) + 3.0 Use appropriate curve for temperature range of interest.
θv = Temperatur ecoefficient
1.6 VCE = 2 V
+ 2.0 TJ (+ 25°C to +100°C)
1.2 βF = 10 + 1.0 θVC for VCE(sat)
VBE(sat) 0
0.8
VBE βF = 10 – 1.0
0.4 TJ (– 40°C to + 25°C)
VCE(sat) – 2.0
θVB for VBE(sat) ALL TYPES
0 – 3.0
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10
Figure 4. Saturation Voltages Figure 5. Temperature Coefficients

2N3791 2N3792
SAFE OPERATING AREAS
10 10
7 7

5 DC to 5 ms 5 DC to 5 ms
250 µs 250 µs
3 1 ms 3
2 ≤ 50 µs 2 500 µs
1 ms
500 µs ≤ 50 µs
1 1
0.7 0.7
0.5 0.5
0.3 0.3
0.2 0.2
0.1 0.1
0 10 20 30 40 50 60 70 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Figure 6. 2N3789, 2N3791 Figure 7. 2N3790, 2N3792
The Safe Operating Area Curves indicate I C – V CE limits short. (Duty cycle of the excursions make no significant
below which the device will not go into secondary break- change in these safe areas.) To insure operation below the
down. Collector load lines for specific circuits must fall within maximum TJ, the power–temperature derating curve must be
the applicable Safe Area to avoid causing a collector–emitter observed for both steady state and pulse power conditions.
10 20
VCE = VCEO – 20 V
5.0 10
VCE = VCEO – 20 V 5.0

2.0
2.0 TJ = +175°C
1.0
1.0
0.5
0.5
0.2
TJ = +175°C 0.2
0.1 TJ = +100°C
0.1
0.05
0.05
TJ = +100°C
0.02 0.02
0.01 REVERSE FORWARD 0.01
+ 0.6 + 0.4 + 0.2 0 – 0.2 – 0.4 1.0 10 100 1K 10K 100K
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) RBE, EXTERNAL BASE–EMITTER RESISTANCE (OHMS)
Figure 8. Cut–Off Region Transconductance Figure 9. Collector Cut–Off Current versus
Base–Emitter Resistance

MOTOROLA
2N4347
(See 2N3442)
PNP Silicon High-Power
Transistors
. . . designed for use in power amplifier and switching circuits.
2N4398
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage — 2N4399
IC = 15 Adc, VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) 2N4398,99
IC = 15 Adc, VCE(sat) = 1.5 Vdc (Max) 2N5745 2N5745
• DC Current Gain Specified — 1.0 to 30 Adc
• Complements to NPN 2N5301, 2N5302, 2N5303
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
20, 30 AMPERE
POWER TRANSISTORS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol 2N4398 2N4399 2N5745 Unit
PNP SILICON
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO 40 60 80 Vdc 40 – 60 – 180 VOLTS
200 WATTS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCB 40 60 80 Vdc
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak
IC 30
50
30
50
20
50
Adc
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak 15
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Device Dissipation PD
@ TA = 25_C** 5.0 Watts
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25_C 28.6 mW/_C
CASE 1–07
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TC = 25_C PD 200 Watts TO–204AA
Derate above 25_C 1.15 W/_C (TO–3)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
TJ, Tstg – 65 to + 200 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case θJC 0.875 _C/W
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient θJA 35 _C/W
** Motorola guarantees this data in addition to JEDEC Registered Data.
TA TC
10 200
9.0 180
8.0 160
7.0 140
6.0 120
5.0 100 TC
4.0 80
3.0 60 TA
2.0 40
1.0 20
0 0
0 25 50 75 100 125 150 175 200

Safe Area Curves are indicated by Figure 13. All limits are applicable and must be observed.
REV 7

2N4398 2N4399 2N5745
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1) VCEO(sus)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, IB = 0) 2N4398 40 — Vdc
2N4399 60 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5745 80 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, IB = 0)
(VCE = 60 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N4398
2N4399
ICEO
— 5.0
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 5.0
(VCE = 80 Vdc, IB = 0) 2N5745 — 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N4398
2N4399
ICEX
— 5.0
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 5.0
(VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N5745 — 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 30 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150°C) 2N4398, 2N4399 — 10
(VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) 2N5745
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICBO mAdc
(VCB = 40 Vdc, IE = 0) 2N4398 — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 60 Vdc, IE = 0) 2N4399 — 1.0
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) 2N5745 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VEB = 5.0 Vdc, IC = 0) IEBO — 5.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
(IC = 15 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
All Types
2N5745
2N4398, 2N4399
40
15
—
60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
15 60
(IC = 20 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N5745 5.0 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 30 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N4398, 2N4399 5.0 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (1) VCE(sat) Vdc
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc) 2N4398, 2N4399
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 0.75
2N5745 — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 15 Adc, IB = 1.5 Adc) 2N4398, 2N4399 — 1.0
2N5745
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 1.5
(IC = 20 Adc, IB = 2.0 Adc) 2N4398, 2N4399 — 2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 4.0 Adc) 2N5745 — 2.0
(IC = 30 Adc, IB = 6.0 Adc) 2N4398, 2N4399
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 4.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (1) VBE(sat) Vdc
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc)** 2N4398, 2N4399 — 1.6
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5745 — 1.7
(IC = 15 Adc, IB = 1.5 Adc) 2N4398, 2N4399
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 1.85
2N5745 — 2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 2.0 Adc)** 2N4398, 2N4399 — 2.5
(IC = 20 Adc, IB = 4.0 Adc) 2N5745
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (1) VBE(on) Vdc
(IC = 10 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N5745 — 1.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 15 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N4398, 2N4399 — 1.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N5745 — 2.5
(IC = 30 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N4398, 2N4399 — 3.0
* Indicates JEDEC Registered Data. (continued)
** Motorola Guarantees this Data in Addition to JEDEC Registered Data.
(1) Pulse Test: Pulse Width v300 µs, Duty Cycle v 2.0%

2N4398 2N4399 2N5745
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Current–Gain Bandwidth Product (2)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc, 2N4398, 2N4399
fT
4.0 —
MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
f = 1.0 MHz) 2N5745 2.0 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SWITCHING CHARACTERSTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rise Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N4398, 2N4399
2N5745
tr —
—
0.4
1.0
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCC = 30 Vdc,
Vd
Storage Time 2N4396, 2N4399 ts — 1.5 µs
IC = 10 Adc,
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5745 — 2.0
IB1 = IB2 = 1.0 Adc)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time 2N4398, 2N4399 tf — 0.6 µs
2N5746 — 1.0
(2) fT is defined as the frequency at which |hfe| extrapolates to unity.
SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUITS
VCC – 30 V VCC – 30 V
RL 3.0 RL 3.0
+ 2.0 V + 9.0 V
10 10
0 TO SCOPE 0 TO SCOPE
RB tr ≤ 20 ns RB tr ≤ 20 ns
tr ≤ –11 V –11 V tr ≤ 20 ns
20 ns
10 to 100 µs VBB + 4.0 V
10 to 100 µs
DUTY CYCLE ≈ 2.0% DUTY CYCLE ≈ 2.0%
Figure 2. Turn–On Time Figure 3. Turn–Off Time

2N4398 2N4399 2N5745
TYPICAL “ON” REGION CHARACTERISTICS
3.0
hFE, DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)
2.0 TJ = 175°C VCE = 10 Vdc
VCE = 2.0 Vdc
25°C
1.0
0.7
0.5 – 55°C
0.3
0.2
0.1
0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30

2.0
TJ = 25°C
1.6
IC = 2.0 A 5.0 A 10 A 20 A
1.2
0.8
0.4
0
0.01 0.02 0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
IB, BASE CURRENT (AMP)
2.0 2.5
TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/ °C)
1.8 TJ = 25°C 2.0 *APPLIES FOR

1.6 1.5 IC/IB < hFE/2
1.4 1.0
VOLTAGE (VOLTS)
1.2 0.5 *θVC for VCE(sat)

1.0 0
0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10 – 0.5
0.6 – 1.0
VBE @ VCE = 2.0 V
0.4 – 1.5 θVB for VBE
0.2 VCE(sat) @ IC/IB = 10 – 2.0
0 – 2.5
0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30
Figure 6. “On” Voltages Figure 7. Temperature Coefficients

2N4398 2N4399 2N5745
RATINGS AND THERMAL DATA
100
50 100 µs 1.0 ms There are two limitations on the power handling ability of a
20 5.0 ms down. Safe operating area curves indicate I C – V CE limits of

10
the transistor that must be observed for reliable operation;
5.0 2N5745 2N4398, 2N4399 i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
dc tion than the curves indicate.
2.0 TJ = 200°C The data of Figure 8 is based on T J(pk) = 200_C; T C is
Secondary Breakdown Limited
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
1.0 Bonding Wire Limited
limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
v
Thermal Limitations TC = 25°C
0.5 Pulse Duty Cycle ≤ 10% 200_C. T J(pk) may be calculated from the data in Figure 9.
2N4398 At high case temperatures, thermal limitations will reduce the
0.2 2N4399
power that can be handled to values less than the limitations
2N5745
0.1 imposed by second breakdown.
1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100
1.0
r(t), NORMALIZED EFFECTIVE TRANSIENT
0.7
D = 0.5
0.5
THERMAL RESISTANCE
0.3
0.2 STEADY STATE VALUES
0.2 θJC(∞) = 0.875°C/W
0.1 θJC(t) = r(t) θJC(∞)
0.1
0.07 0.05
0.05
0.03 0.01
0.02
0 (SINGLE PULSE)
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000
t, TIME OR PULSE WIDTH (ms)
Figure 9. Thermal Response
DESIGN NOTE: USE OF TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DATA
tP A train of periodical power pulses can be represented by the

model as shown in Figure A. Using the model and the device
thermal response, the normalized effective transient thermal
PP PP resistance of Figure 9 was calculated for various duty cycles.
To find θJC(t), multiply the value obtained from Figure 9 by
R
the steady state value θJC( ).
Example:
The 2N4398 is dissipating 100 watts under the following
t1
conditions: t1 = 1.0 ms, tP = 5.0 ms. (D = 0.2)
1/f Using Figure 9, at a pulse width of 1.0 ms and D = 0.2, the
t reading of r (t) is 0.28.
DUTY CYCLE, D = t1 f – 1
tP The peak rise in junction temperature is therefore
PEAK PULSE POWER = PP R
T = r(t) x PP x θJC( ) = 0.28 x 100 x 0.875 = 24.5_C

MOTOROLA
Medium-Power Plastic PNP 2N4918

Silicon Transistors thru
. . . designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. These
2N4920*
high–performance plastic devices feature: *Motorola Preferred Device
• Low Saturation Voltage — VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp
• Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction — 3 AMPERE
PD = 30 W @ TC = 25_C GENERAL–PURPOSE
• Excellent Safe Operating Area POWER TRANSISTORS
• Gain Specified to IC = 1.0 Amp 40 – 80 VOLTS
• Complement to NPN 2N4921, 2N4922, 2N4923 30 WATTS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Ratings Symbol 2N4918 2N4919 2N4920 Unit
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO 40 60 80 Vdc
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current — Continuous (1) IC* 1.0 Adc
3.0
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 77–08
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Current IB 1.0 Adc TO–225AA TYPE
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25°C PD 30 Watts
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating & Storage Junction
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 150 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS (2)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
* Indicates JEDEC Registered Data for 2N4918 Series.
(1) The 1.0 Amp maximum IC value is based upon JEDEC current gain requirements.
The 3.0 Amp maximum value is based upon actual current–handling capability of the
device (See Figure 5).
(2) Recommend use of thermal compound for lowest thermal resistance.
40
30
20
10
0
25 50 75 100 125 150

REV 7

2N4918 thru 2N4920
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, IB = 0) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N4918
VCEO(sus)
40 —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N4919 60 —
2N4920 80 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ 2N4918
ICEO
— 0.5
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 30 Vdc, IB = 0) 2N4919 — 0.5
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N4920 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
0.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCEO, VBE(off) = 1.5 Vdc) — 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCEO, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 125_C) — 0.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICBO — 0.1 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = Rated VCB, IE = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 50 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
hFE
40 —
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 500 mAdc, VCE = 1.0 Vdc) 30 150
(IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 10 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (1) VBE(sat) — 1.3 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (1) VBE(on) — 1.3 Vdc
(IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product (IC = 250 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz) fT 3.0 — MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 100 kHz) Cob — 100 pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 250 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
(1) Pulse Test: PW [
300 µs, Duty Cycle [ 2.0%
hfe 25 — —
VBE(off)
5.0
0 VCC = 30 V IC/IB = 10, UNLESS NOTED
Vin VCC 3.0
RC IC/IB = 20 TJ = 25°C
APPROX 2.0 TJ = 150°C
–11 V Vin SCOPE
t1 RB 1.0
t, TIME ( µs)
Cjd << Ceb VCC = 30 V

0.7 tr
APPROX 9.0 V 0.5 VCC = 60 V
t2 + 4.0 V
0.3 td VCC = 60 V
RB and RC 0.2 VBE(off) = 2.0 V
Vin 0 varied to
t1 < 15 ns obtain desired
100 < t2 < 500 µs current levels
0.1
VCC = 30 V
APPROX 0.07
t3 < 15 ns VBE(off) = 0
–11 V 0.05
t3 DUTY CYCLE ≈ 2.0% 10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1000
TURN–OFF PULSE IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 2. Switching Time Equivalent Test Circuit Figure 3. Turn–On Time

2N4918 thru 2N4920
1.0
0.7
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
(NORMALIZED)
0.1
θJC(t) = r(t) θJC P(pk)
0.1 0.05
0.07 0.01 D CURVES APPLY FOR POWER
0.05 PULSE TRAIN SHOWN t1
0.03 READ TIME AT t1 t2
SINGLE PULSE
TJ(pk) – TC = P(pk) θJC(t) DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.02
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, TIME (ms)
10
1.0 ms 100 µs There are two limitations on the power handling ability of a
5.0 5.0 ms transistor: average junction temperature and second break-

down. Safe operating area curves indicate IC – V CE opera-
2.0 TJ = 150°C tion i.e., the transistor must not be subjected to greater
dc dissipation than the curves indicate.
1.0 The data of Figure 5 is based on T J(pk) = 150_C; T C is
SECOND BREAKDOWN LIMITED
0.5 BONDING WIRE LIMITED
THERMALLY LIMIT @ TC = 25°C v 150_C. At high case temperatures, thermal limitations will
PULSE CURVES APPLY BELOW
reduce the power that can be handled to values less than the
0.2
RATED VCEO limitations imposed by second breakdown.
0.1
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
5.0 5.0
IC/IB = 20 TJ = 25°C
3.0 3.0
IC/IB = 20 TJ = 150°C
2.0 2.0 VCC = 30 V
t s′ , STORAGE TIME ( µs)
IB1 = IB2
t f , FALL TIME ( µs)
1.0 IC/IB = 10 1.0

0.7 0.7
0.5 0.5
IC/IB = 10
0.3 ts′ = ts – 1/8 tf 0.3
0.2 TJ = 25°C 0.2
TJ = 150°C
0.1 IB1 = IB2 0.1
0.07 0.07
0.05 0.05
10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1000 10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1000
IC, COLLECTOR CURRENT (mA) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 6. Storage Time Figure 7. Fall Time

2N4918 thru 2N4920
TYPICAL DC CHARACTERISTICS

1000 1.0
700 VCE = 1.0 V
500 IC = 0.1 A 0.25 A 0.5 A 1.0 A
0.8
TJ = 150°C
300
200
0.6
25°C
100 TJ = 25°C
70 – 55°C 0.4
50
30
0.2
20
10 0
2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200
IC, COLLECTOR CURRENT (mA) IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 8. Current Gain Figure 9. Collector Saturation Region
RBE , EXTERNAL BASE–EMITTER RESISTANCE (OHMS)
108 1.5
IC = 10 ICES VCE = 30 V
107 1.2 TJ = 25°C

VOLTAGE (VOLTS)
106 0.9
IC ≈ ICES
105 IC = 2x ICES 0.6
VBE @ VCE = 2.0 V
ICES VALUES
104 OBTAINED FROM 0.3
FIGURE 13
103 0
0 30 60 90 120 150 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 10. Effects of Base–Emitter Resistance Figure 11. “On” Voltage
102 + 2.5
hFE @ VCE + 1.0 V
+ 2.0
*APPLIES FOR IC/IB <
101 2
IC, COLLECTOR CURRENT ( µA)
+ 1.5
TJ = 150°C
100 + 1.0
TJ = 100°C to 150°C
+ 0.5
*θVC FOR VCE(sat)
10–1 0
TJ = – 55°C to +100°C
100°C
– 0.5
10– 2 IC = ICES – 1.0
VCE = 30 V – 1.5
104
θVB FOR VBE
25°C – 2.0
103 REVERSE FORWARD
– 2.5
– 0.2 – 0.1 0 + 0.1 + 0.2 + 0.3 + 0.4 + 0.5 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 12. Collector Cut–Off Region Figure 13. Temperature Coefficients

MOTOROLA
Medium-Power Plastic NPN 2N4921

Silicon Transistors thru
. . . designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. These
2N4923*
high–performance plastic devices feature: *Motorola Preferred Device
• Low Saturation Voltage — VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp
• Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction — 1 AMPERE
PD = 30 W @ TC = 25_C GENERAL–PURPOSE
• Excellent Safe Operating Area POWER TRANSISTORS
• Gain Specified to IC = 1.0 Amp 40 – 80 VOLTS
• Complement to PNP 2N4918, 2N4919, 2N4920 30 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
VCB
VEB
40 60
5.0
80 Vdc
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector Current — Continuous (1)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC 1.0
3.0
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Current — Continuous IB 1.0 Adc CASE 77–08
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating & Storage Junction TJ, Tstg – 65 to + 150 _C
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(1) The 1.0 Amp maximum IC value is based upon JEDEC current gain requirements.
The 3.0 Amp maximum value is based upon actual current handling capability of the
θJC 4.16 _C/W
device (see Figures 5 and 6)

(2) Recommend use of thermal compound for lowest thermal resistance.
40
30
20
10
0
25 50 75 100 125 150

REV 7

2N4921 thru 2N4923
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, IB = 0) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N4921
VCEO(sus)
40 —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N4922 60 —
2N4923 80 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ 2N4921
ICEO
— 0.5
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 30 Vdc, IB = 0) 2N4922 — 0.5
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N4923
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 0.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCEO, VEB(off) = 1.5 Vdc) — 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCEO, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 125_C) — 0.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hFE
40 —
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 500 mAdc, VCE = 1.0 Vdc) 30 150
(IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 10 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (1) VBE(sat) — 1.3 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS

ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product (IC = 250 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz) fT 3.0 — MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 250 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
(1) Pulse Test: PW ≈ 300 µs, Duty Cycle ≈ 2.0%.
hfe 25 — —
APPROX
TURN–ON PULSE 5.0
+11 V
t1 VCC = 30 V IC/IB = 10, UNLESS NOTED
VCC 3.0
Vin RC IC/IB = 20 TJ = 25°C
2.0 TJ = 150°C
Vin VCC = 60 V
SCOPE
VBE(off) RB 1.0
t, TIME ( µs)
Cjd << Ceb 0.7

t3 0.5 tr
APPROX – 4.0 V VCC = 30 V
+11 V t1 ≤ 15 ns 0.3 td
VCC = 60 V
100 < t2 ≤ 500 µs 0.2
VBE(off) = 2.0 V
Vin t3 ≤ 15 ns
DUTY CYCLE ≈ 2.0% 0.1 VCC = 30 V
APPROX 9.0 V
0.07 VBE(off) = 0
t2
RB and RC varied to 0.05
TURN–OFF PULSE obtain desired 10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1000
current levels IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 2. Switching Time Equivalent Circuit Figure 3. Turn–On Time

2N4921 thru 2N4923
1.0
0.7 D = 0.5
0.5
RESISTANCE (NORMALIZED)
r(t), TRANSIENT THERMAL
0.3 0.2
0.2 P(pk)
0.1 θJC(t) = r(t) θJC
0.05 θJC = 4.16°C/W MAX
0.1
D CURVES APPLY FOR POWER
0.07 PULSE TRAIN SHOWN
0.05 0.01 t1
READ TIME AT t1 t2
0.03 TJ(pk) – TC = P(pk) θJC(t) DUTY CYCLE, D = t1/t2
SINGLE PULSE
0.02
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, TIME (ms)
10
7.0
100 µs There are two limitations on the power handling ability of a
5.0
5.0 ms 1.0 ms transistor: average junction temperature and second break-
3.0 down. Safe operating area curves indicate I C – V CE opera-
2.0 TJ = 150°C dc tion i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
1.0 The data of Figure 5 is based on T J(pk) = 150_C; T C
0.7 SECOND BREAKDOWN is variable depending on conditions. Second breakdown
pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
v
0.5 LIMITED
BONDING WIRE LIMITED 150_C. At high case temperatures, thermal limitations will
0.3 THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C reduce the power that can be handled to values less than the
0.2 PULSE CURVES APPLY BELOW limitations imposed by second breakdown.
RATED VCEO
0.1
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
5.0 5.0
3.0 IC/IB = 20 3.0
IC/IB = 20
2.0 2.0
t s′ , STORAGE TIME ( µs)
t f , FALL TIME ( µs)
1.0 1.0
0.7 IC/IB = 10 IC/IB = 20 0.7
0.5 0.5
0.3 0.3 IC/IB = 10

0.2 TJ = 25°C 0.2 TJ = 25°C
TJ = 150°C TJ = 150°C
0.1 IB1 = IB2 0.1 VCC = 30 V
0.07 ts′ = ts – 1/8 tf 0.07 IB1 = IB2
0.05 0.05
10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1000 10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1000
Figure 6. Storage Time Figure 7. Fall Time

2N4921 thru 2N4923

1000 1.0
700 VCE = 1.0 V
500 IC = 0.1 A 0.25 A 0.5 A 1.0 A
0.8
300
200 TJ = 150°C
0.6 TJ = 25°C
100
25°C
70 0.4
50 – 55°C
30 0.2
20
10 0
2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200
IC, COLLECTOR CURRENT (mA) IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 8. Current Gain Figure 9. Collector Saturation Region
108 1.5
IC = 10 x ICES VCE = 30 V TJ = 25°C
107 1.2
IC = 2 x ICES
VOLTAGE (VOLTS)
106 0.9
IC ≈ ICES
105 0.6
VBE @ VCE = 2.0 V
ICES VALUES
104 OBTAINED FROM 0.3
FIGURE 12
103 0
0 30 60 90 120 150 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 10. Effects of Base–Emitter Resistance Figure 11. “On” Voltage
104 + 2.5
hFE @ VCE + 1.0 V
+ 2.0
103
TJ = 150°C *APPLIES FOR IC/IB ≤
IC, COLLECTOR CURRENT ( µ A)
+ 1.5 2
102 100°C + 1.0 TJ = 100°C to 150°C

25°C + 0.5
*θVC FOR VCE(sat)
101 0
– 55°C to +100°C
IC = ICES – 0.5
100 VCE = 30 V – 1.0
10–1 – 1.5
θVB FOR VBE
– 2.0
REVERSE FORWARD
10– 2 – 2.5
– 0.2 – 0.1 0 + 0.1 + 0.2 + 0.3 + 0.4 + 0.5 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

MOTOROLA
2N5038*
NPN Silicon Transistors 2N5039
*Motorola Preferred Device
. . . fast switching speeds and high current capacity ideally suit these parts for use in
switching regulators, inverters, wide–band amplifiers and power oscillators in 20 AMPERE
industrial and commercial applications. NPN SILICON
• High Speed — tf = 0.5 µs (Max) POWER TRANSISTORS
• High Current — IC(max) = 30 Amps 75 and 90 VOLTS
• Low Saturation — VCE(sat) = 2.5 V (Max) @ IC = 20 Amps 140 WATTS
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
ÎÎÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEV
VEBO
150
7
120 Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Peak (1)
IC
ICM
20
30
Adc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TC = 25_C PD 140 Watts
Derate above 25_C W/_C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
0.8
_C
Operating and Storage Junction Temperature Range TJ, Tstg – 65 to + 200
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
v v
(1) Pulse Test: Pulse Width 10 ms, Duty Cycle 50%.
VCC
+ 30 V
RC
2.5
+11 V 10 Ω
PW = 20 µs
0 DUTY CYCLE = 1%
–9 V 1N4933
–5 V
2N5038 2N5039
IC = 12 AMPS IC = 10 AMPS
IB1 = IB2 = 1.2 AMPS IB1 = IB2 = 1.0 AMPS
Figure 1. Switching Time Test Circuit

REV 7

2N5038 2N5039
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, IB = 0) 2N5038
VCEO(sus)
90 —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5039 75 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 140 Vdc, VBE(off) = 1.5 V) 2N5038 50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
—
(VCE = 110 Vdc, VBE(off) = 1.5 V) 2N5039 — 50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 100 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) 2N5038 — 10
(VCE = 85 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) 2N5039 10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current IEBO mAdc
(VEB = 5 Vdc, IC = 0) 2N5038 — 5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5039 — 15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 7 Vdc, IC = 0) Both — 50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 12 Adc, VCE = 5 Vdc) 2N5038 20 100
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 5 Vdc) 2N5039 20 100
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 5 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage VBE(sat) — 3.3 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Magnitude of Common–Emitter Small–Signal Short–Circuit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Forward Current Transfer Ratio
|hfe| 12 — —
(IC = 2 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 5 MHz)
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SWITCHING CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RESISTIVE LOAD
µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time (VCC = 30 Vdc) tr — 0.5
Storage Time µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 12 Adc, IB1 = IB2 = 1.2 Adc) 2N5038 ts — 1.5
Fall Time (IC = 10 Adc, IB1 = IB2 = 1 Adc) 2N5039 tf — 0.5 µs
(1) Pulse Test: Pulse Width 300, µs, Duty Cycle v v 2%.
100

dc down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
5 i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
2 Second breakdown pulse limits are valid for duty cycles to
1 BONDING WIRE LIMIT 10%. At high case temperatures, thermal limitations may re-
THERMAL LIMIT duce the power that can be handled to values less than the
0.5 SECOND BREAKDOWN LIMIT limitations imposed by second breakdown.
TC = 25°C 2N5039
0.2
2N5038
0.1
1 2 3 5 7 10 20 30 50 70 100

MOTOROLA
2N5191
Silicon NPN Power Transistors 2N5192*
. . . for use in power amplifier and switching circuits, — excellent safe area limits.
Complement to PNP 2N5194, 2N5195. 4 AMPERE
POWER TRANSISTORS
SILICON NPN
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS 60 – 80 VOLTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
40 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO 60 80 Vdc
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VEB
60
5.0
80 Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎ
IC
IB
4.0
1.0
Adc
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25_C
PD 40
320
Watts
mW/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic Symbol Max Unit CASE 77–08
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case θJC 3.12 _C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, IB = 0) 2N5191 60 —
2N5192 80 —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ 2N5191
ICEO
— 1.0
mAdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, IB = 0) 2N5192 — 1.0
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 125_C) 2N5191 — 2.0
(VCE = 80 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 125_C) 2N5192
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— 2.0
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 60 Vdc, IE = 0) 2N5191 — 0.1
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) 2N5192 — 0.1
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IEBO — 1.0 mAdc
(continued)
REV 7

2N5191 2N5192
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued (TC = 25_C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N5191
hFE
25 100
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5192 20 80
(IC = 4.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N5191 10 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5192 7.0 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc, IB = 0.15 Adc)
(IC = 4.0 Adc, IB = 1.0 Adc)
VCE(sat)
— 0.6
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 1.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
v v
fT 2.0 — MHz
10
TJ = 150°C
hFE , DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)
7.0 VCE = 2.0 V

5.0 VCE = 10 V
3.0
2.0
1.0
0.7 – 55°C
25°C
0.5
0.3
0.2
0.1
0.004 0.007 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 4.0

2.0
TJ = 25°C
1.6
1.2 IC = 10 mA 100 mA 1.0 A 3.0 A
0.8
0.4
0
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500

2N5191 2N5192
2.0 + 2.5
+
θV, TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/°C)

TJ = 25°C + 2.0 hFE @ VCE 2.0 V
*APPLIES FOR IC/IB ≤
1.6 + 1.5 2
TJ = – 65°C to +150°C
+ 1.0
VOLTAGE (VOLTS)
1.2 + 0.5 *θV for VCE(sat)

0
0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10 – 0.5
VBE @ VCE = 2.0 V – 1.0
0.4 – 1.5 θV for VBE
VCE(sat) @ IC/IB = 10 – 2.0
0 – 2.5
0.005 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 4.0 0.005 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 4.0

103 107
VCE = 30 V VCE = 30 V
IC = 10 x ICES
102
106
TJ = 150°C
101 IC ≈ ICES
105
100 100°C IC = 2 x ICES
104
REVERSE FORWARD
10–1
10– 2 103 (TYPICAL ICES VALUES

25°C
OBTAINED FROM FIGURE 5)
ICES
10– 3 102
– 0.4 – 0.3 – 0.2 – 0.1 0 + 0.1 + 0.2 + 0.3 + 0.4 + 0.5 + 0.6 20 40 60 80 100 120 140 160
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 5. Collector Cut–Off Region Figure 6. Effects of Base–Emitter Resistance
300
VCC TJ = + 25°C
TURN–ON PULSE RC
APPROX 200
+11 V Vin SCOPE
RB
CAPACITANCE (pF)
Vin 0 Cjd << Ceb

VEB(off) 100
t1 – 4.0 V
t3 Ceb
APPROX RB and RC varied 70
t1 ≤ 7.0 ns
+11 V to obtain desired
100 < t2 < 500 µs current levels
t3 < 15 ns 50 Ccb
Vin
DUTY CYCLE ≈ 2.0% 30

t2 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 40
APPROX – 9.0 V
TURN–OFF PULSE VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Switching Time Equivalent Test Circuit Figure 8. Capacitance

2N5191 2N5192
2.0 2.0
ts′
IC/IB = 10
1.0 TJ = 25°C 1.0
0.7 tr @ VCC = 30 V 0.7 tf @ VCC = 30 V
0.5 0.5
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
0.3 tr @ VCC = 10 V 0.3 tf @ VCC = 10 V
0.2 0.2
0.1 0.1 IB1 = IB2

0.07 0.07 IC/IB = 10
td @ VEB(off) = 2.0 V ts′ = ts – 1/8 tf
0.05 0.05
TJ = 25°C
0.03 0.03
0.02 0.02
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 4.0 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 4.0
10
5.0 ms
5.0 transistor; average junction temperature and second break-

1.0 ms
TJ = 150°C
down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
2.0 dc the transistor that must be observed for reliable operation;
1.0 tion than the curves indicate.
SECONDARY BREAKDOWN LIMIT
The data of Figure 11 is based on T J(pk) = 150_C; T C is
0.5 THERMAL LIMIT AT TC = 25°C variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.2
BONDING WIRE LIMIT
CURVES APPLY BELOW RATED VCEO v 150_C. At high case temperatures, thermal limitations will
2N5191 reduce the power that can be handled to values less than the
2N5192 limitations imposed by second breakdown.
0.1
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
Figure 11. Rating and Thermal Data

Active–Region Safe Operating Area
1.0
0.7
THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)
D = 0.5
0.5 θJC(max) = 3.12°C/W — 2N5190–92
r(t), EFFECTIVE TRANSIENT
θJC(max) = 2.08°C/W — MJE5190–92

0.3
0.2
0.2
0.1
0.1 0.05
0.07
0.05 0.02
0.03 0.01
SINGLE PULSE
0.02
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000

2N5191 2N5192

model shown in Figure A. Using the model and the device
PP PP resistance of Figure 12 was calculated for various duty
cycles.
the steady state value θJC.
Example:
t1
1/f
conditions: t1 = 0.1 ms, tp = 0.5 ms. (D = 0.2).
t1 Using Figure 12, at a pulse width of 0.1 ms and D = 0.2, the
DUTY CYCLE, D = t1 f – reading of r(t1, D) is 0.27.
tP
PEAK PULSE POWER = PP The peak rise in function temperature is therefore:
Figure A ∆T = r(t) x PP x θJC = 0.27 x 50 x 3.12 = 42.2_C

MOTOROLA
2N5194
Silicon PNP Power Transistors 2N5195 *
. . . for use in power amplifier and switching circuits, — excellent safe area limits.
Complement to NPN 2N5191, 2N5192 4 AMPERE
POWER TRANSISTORS
SILICON PNP
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS 60 – 80 VOLTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎ
Symbol
VCEO
2N5194
60
2N5195
80
Unit
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VEB
60
5.0
80 Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎ
IC
IB
4.0
1.0
Adc
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25_C
PD 40
320
Watts
mW/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction TJ, Tstg – 65 to + 150 _C/W
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic Symbol Max Unit CASE 77–08
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, IB = 0) 2N5194 60 —
2N5195 80 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ 2N5194
ICEO
— 1.0
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, IB = 0) 2N5195 — 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 125_C) 2N5194 — 2.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
— 2.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VCB = 60 Vdc, IE = 0) 2N5194 — 0.1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) 2N5195 — 0.1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
(continued)
REV 7

2N5194 2N5195
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued (TC = 25_C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N5194
hFE
25 100
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5195 20 80
(IC = 4.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N5194 10 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5195 7.0 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc, IB = 0.15 Adc)
(IC = 4.0 Adc, IB = 1.0 Adc)
VCE(sat)
— 0.6
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 1.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fT 2.0 — MHz
v v
10
TJ = 150°C
7.0 VCE = 2.0 V

5.0 VCE = 10 V
3.0
2.0
1.0 25°C
0.7 – 55°C
0.5
0.3
0.2
0.1
0.004 0.007 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 4.0

2.0
1.6
1.2 IC = 10 mA 100 mA 1.0 A 3.0 A
0.8
TJ = 25°C
0.4
0
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500

2N5194 2N5195
2.0 + 2.5

+ 2.0 *APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE @ VCE
TJ = 25°C
TJ = – 65°C to +150°C
1.6 + 1.5
+ 1.0
VOLTAGE (VOLTS)
1.2 + 0.5 *θVC for VCE(sat)

0
0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10 – 0.5
VBE @ VCE = 2.0 V – 1.0
VCE(sat) @ IC/IB = 10 – 2.0
0 – 2.5
0.005 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 4.0 0.005 0.01 0.020.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 4.0
Figure 3. “On” Voltage Figure 4. Temperature Coefficients

103 107
VCE = 30 Vdc VCE = 30 V
102
106
TJ = 150°C
IC = 10 x ICES
101
105
100°C
100 IC = 2 x ICES
IC ≈ ICES
104
10–1 REVERSE FORWARD
(TYPICAL ICES VALUES
25°C 103
10– 2 OBTAINED FROM FIGURE 5)
ICES
10– 3 102
+ 0.4 + 0.3 + 0.2 + 0.1 0 – 0.1 – 0.2 – 0.3 – 0.4 – 0.5 – 0.6 20 40 60 80 100 120 140 160
TURN–ON PULSE VCC RC 500

VBE(off) TJ = 25°C
Vin 0 Vin RB SCOPE 300
APPROX
CAPACITANCE (pF)
–11 V Cjd << Ceb 200

t1
APPROX + 4.0 V
+ 9.0 V
t2 Ceb
RB AND RC VARIED 100
TO OBTAIN DESIRED Ccb
Vin
CURRENT LEVELS
70
APPROX
–11 V t3 t1 ≤ 7.0 ns
100 < t2 < 500 µs 50
TURN–OFF PULSE 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 40
t3 < 15 ns
DUTY CYCLE ≈ 2.0% VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Switching Time Equivalent Test Circuit Figure 8. Capacitance

2N5194 2N5195
2.0 2.0
IB1 = IB2
IC/IB = 10 ts′ IC/IB = 10
1.0 TJ = 25°C 1.0
ts′ = ts – 1/8 tf
0.7 0.7
TJ = 25°C
0.5 tr @ VCC = 30 V 0.5
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
0.3 0.3 tf @ VCC = 30 V
0.2 0.2
tr @ VCC = 10 V tf @ VCC = 10 V
0.1 0.1
0.07 0.07
0.05 0.05
td @ VBE(off) = 2.0 V
0.03 0.03
0.02 0.02
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 4.0 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 4.0
10 Note 1:
1.0 ms There are two limitations on the power handling ability of a
5.0 ms
5.0 transistor; average junction temperature and second break-

100 µs down. Safe operating area curves indicate I C – V CE limits of
TJ = 150°C
2.0
dc
1.0 SECONDARY BREAKDOWN LIMIT The data of Figure 11 is based on T J(pk) = 150_C. T C is
THERMAL LIMIT @ TC = 25°C
v 150 _C. At high–case temperatures, thermal limitations
0.2 2N5194 will reduce the power that can be handled to values less than
the limitations imposed by second breakdown.
2N5195
0.1
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
Figure 11. Rating and Thermal Data

Active–Region Safe Operating Area
1.0
0.7
D = 0.5
0.5 θJC(max) = 3.12°C/W
0.3 0.2
0.2
0.1
0.1 0.05
0.07
0.02
0.05
0.03 0.01
SINGLE PULSE
0.02
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000

2N5194 2N5195

model shown in Figure A. Using the model and the device
PP PP resistance of Figure 12 was calculated for various duty
cycles.
the steady state value θJC.
Example:
t1
1/f
conditions: t1 = 0.1 ms, tp = 0.5 ms. (D = 0.2).
t1 Using Figure 12, at a pulse width of 0.1 ms and D = 0.2, the
DUTY CYCLE, D = t1 f = reading of r(t1, D) is 0.27.
tP
PEAK PULSE POWER = PP The peak rise in junction temperature is therefore:
Figure A ∆T = r(t) x PP x θJC = 0.27 x 50 x 3.12 = 42.2_C

MOTOROLA
2N5301
2N5302
High-Power NPN Silicon
2N5303
Transistors
. . . for use in power amplifier and switching circuits applications.
• High Collector–Emitter Sustaining Voltage — 20 AND 30 AMPERE
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) @ IC = 200 mAdc (2N5303) POWER TRANSISTORS
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage — NPN SILICON
VCE(sat) = 0.75 Vdc (Max) @ IC = 10 Adc (2N5301, 2N5302) 40 – 60 – 80 VOLTS
VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 10 Adc (2N5303) 200 WATTS
• Excellent Safe Operating Area —
200 Watt dc Power Rating to 30 Vdc (2N5303)
• Complements to PNP 2N4398, 2N4399 and 2N5745
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO 40 60 80 Vdc CASE 1–07
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCB 40 60 80 Vdc TO–204AA
ÎÎÎÎ
(TO–3)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous IC 30 30 20 Adc
ÎÎÎÎ
Base Current IB 7.5 Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
θJC _C/W
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case 0.875
Thermal Resistance, Case to Ambient θCA 34 _C/W
TA TC
8.0 200
6.0 150 TC
4.0 100 TA
2.0 50
0 0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
TEMPERATURE (°C)
Figure 1. Power Temperature Derating Curve

2N5301 2N5302 2N5303
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, IB = 0) ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Note 1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5301
VCEO(sus)
40 —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5302 60 —
2N5303 80 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5301
ICEO
— 5.0
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N5302 — 5.0
(VCE = 80 Vdc, IB = 0) 2N5303 — 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) 2N5301
ICEX
— 1.0
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5301
2N5302
ICEX
— 10
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 40 Vdc, IE = 0)
(VCB = 80 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5301
2N5302
ICBO
— 1.0
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 1.0
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) 2N5303 — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 5.0 mAdc
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (Note 1) hFE —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*(IC = 1.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) ALL TYPES 40 —
*(IC = 10 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N5303 15 60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*(IC = 15 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N5301, 2N5302 15 60
*(IC = 20 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N5303
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
5.0 —
*(IC = 30 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N5301, 2N5302 5.0 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
*Collector–Emitter Saturation Voltage (Note 1)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc)
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc)
2N5301, 2N5302
2N5303
VCE(sat)
—
—
0.75
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
1.0
(IC = 15 Adc, IB = 1.5 Adc) 2N5303 — 1.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 2.0 Adc) 2N5301, 2N5302 — 2.0
(IC = 20 Adc, IB = 4.0 Adc) 2N5303 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2.0
(IC = 30 Adc, IB = 6.0 Adc) 2N5301, 2N5302 — 3.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
*Base Emitter Saturation Voltage (Note 1)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc)
(IC = 15 Adc, IB = 1.5 Adc)
ALL TYPES
2N5301, 2N5302
VBE(sat)
—
—
1.7
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
1.8
(IC = 15 Adc, IB = 1.5 Adc) 2N5303 — 2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 2.0 Adc) 2N5301, 2N5302 — 2.5
(IC = 20 Adc, IB = 4.0 Adc) 2N5303 — 2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
*Base–Emitter On Voltage (Note 1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N5303
VBE(on)
— 1.5
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 15 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N5301, 2N5302 — 1.7
(IC = 20 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N5303 — 25
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 30 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N5301, 2N5302 — 3.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product (IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz) fT 2.0 — MHz
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) hfe 40 — —
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*SWITCHING CHARACTERISTICS
µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time tr — 1.0
Storage Time (VCC = 30 Vdc, IC = 10 Adc, IB1 = IB2 = 1.0 Adc) ts — 2.0 µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Note 1: Pulse Width v 300 µs, Duty Cycle v 2.0%.
tf — 1.0 µs

2N5301 2N5302 2N5303
SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUITS
INPUT PULSE
INPUT PULSE tr ≤ 20 ns VCC
tr ≤ 20 ns VCC + 30 V
+ 30 V PW = 10 to 100 µs
PW = 10 to 100 µs DUTY CYCLE = 2.0%
3.0 +11 V
+11 V
10 TO
10 TO SCOPE
0
SCOPE tr ≤ 20 ns
– 2.0 V tr ≤ 20 ns D
– 9.0 V
VBB = 7.0 V
Figure 2. Turn–On time Figure 3. Turn–Off time
1.0
0.7 D = 0.5
0.5
THERMAL RESISTANCE
0.3 0.2
0.2
0.1
0.1
0.05 θJC = 0.875°C/W MAX
0.07
0.05 0.02
SINGLE PULSE TJ(pk) – TC = P(pk) θJC(t) DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.02
0.01
0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000
t, TIME (ms)
100 3000
50 100 µs 2000
20 TJ = 25°C
2N5303
C, CAPACITANCE (pF)
10 1000
2N5301, 5302 5.0 ms
5.0 Cib
1.0 ms dc
TJ = 200°C
2.0 Secondary Breakdown Limited 500
Cob
Bonding Wire Limited
1.0 TC = 25°C 300
Thermal Limitations
0.5 Pulse Duty Cycle ≤ 10%
200
2N5301
0.2 2N5302
2N5303
0.1 100
1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. Active–Region Safe Operating Area Figure 6. Capacitance versus Voltage

2N5301 2N5302 2N5303
5.0 3.0
TJ = 25°C
3.0 TJ = 25°C IB1 = IB2
2.0 IC/IB = 10 IC/IB = 10
ts′
ts′ ≈ ts – 1/8 tf
1.0 1.0
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
0.7 0.7
0.5
0.5
0.3 tr @ VCC = 30 V tf @ VCC = 30 V
0.2 0.3
tr @ VCC = 10 V tf @ VCC = 10 V
0.1 td @ VOB = 2.0 V
0.07
0.05 0.1
0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 0.03 0.05 0.1 0.3 0.5 1.0 3.0 5.0 10 30

300 2.0
TJ = 175°C VCE = 10 V TJ = 25°C
200 VCE = 2.0 V
1.6
IC = 2.0 A 5.0 A
10 A 20 A
100 25°C
1.2
70
50
0.8
– 55°C
30
20 0.4
10 0
0.03 0.05 0.1 0.3 0.5 1.0 3.0 5.0 10 30 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
108 2.0
VCE = 30 V 1.8 TJ = 25°C
107
1.6
IC = 10 x ICES
V, VOLTAGE (VOLTS)
106 1.4
IC = 2 x ICES 1.2
105 1.0
IC ≈ ICES 0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10
104
0.6
VBE(on) @ VCE = 2.0 V
0.4
103 TYPICAL ICES VALUES OBTAINED
FROM FIGURE 13 0.2 VCE(sat) @ IC/IB = 10
102 0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0.03 0.05 0.1 0.3 0.5 1.0 3.0 5.0 10 30
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C) IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 11. Effects of Base–Emitter Resistance Figure 12. “On” Voltages

2N5301 2N5302 2N5303
103 + 2.5

VCE = 30 V + 2.0 TJ = – 55°C to +175°C
+ 2.0 V
TJ = 175°C
102 hFE @ VCE
+ 1.5 *APPLIES FOR IC/IB <
100°C 2
+ 1.0
101
25°C + 0.5
*θVC for VCE(sat)
100 0
IC = ICES
– 0.5
10–1
– 1.0
10– 2 – 1.5 θVB for VBE(sat)

REVERSE FORWARD
– 2.0
10– 3 – 2.5
– 0.4 – 0.3 – 0.2 – 0.1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.03 0.05 0.1 0.3 0.5 1.0 3.0 5.0 10 30
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)

MOTOROLA
NPN
2N5630
High-Voltage Ċ High Power
Transistors 2N5631
PNP
. . . designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage
switching regulator circuits.
2N6030
• High Collector Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 120 Vdc — 2N5630, 2N6030 2N6031
VCEO(sus) = 140 Vdc — 2N5631, 2N6031
• High DC Current Gain — @ IC = 8.0 Adc
hFE = 20 (Min) — 2N5630, 2N6030
hFE = 15 (Min) — 2N5631, 2N6031 16 AMPERE
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage — POWER TRANSISTORS
VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 10 Adc COMPLEMENTARY
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SILICON
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
100 –120 –140 VOLTS
2N5630 2N5631 200 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol
VCEO
2N6030
120
2N6031
140
Unit
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCB 120 140 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak 20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 1–07
Total Device Dissipation @ TC = 25_C PD 200 Watts TO–204AA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25_C 1.14 W/_C (TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(1) Indicates JEDEC Registered Data.
200
150
100
50
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
TC, TEMPERATURE (°C)

Safe Area Curves are indicated by Figure 5. All Limits are applicable and must be observed.
REV 7

2N5630 2N5631 2N6030 2N6031
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5630, 2N6030
2N5631, 2N6031
VCEO(sus)
120
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
140 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Cutoff Current ICEO mAdc
(VCE = 50 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N5630, 2N6030 — 2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 70 Vdc, IB = 0) 2N5631, 2N6031 — 2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Cutoff Current ICEX mAdc
(VCE = Rated VCB, VEB(off) = 1.5 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 2.0
(VCE = Rated VCB, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) — 7.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Base Cutoff Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICBO — 2.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 7.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N5630, 2N6030 20 80
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5631, 2N6031 15 60
(IC = 16 Adc, VCE = 2.0 Vdc) All Types
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.0 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) Vdc
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc) All Types — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 16 Adc, IB = 4.0 Adc) — 2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage VBE(on) — 1.5 Vdc
(IC = 8.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 20 Vdc, ftest = 0.5 MHz)
fT 1.0 — MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance 2N5630, 31 Cob — 500 pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) 2N6030, 31 — 1000
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
v w
(2) fT = |hfe| • ftest
VCC 3.0
+ 30 V 2.0 TJ = 25°C
IC/IB = 10
25 µs RC 1.0 VCE = 30 V
+11 V 0.7
SCOPE tr
RB 0.5
t, TIME ( µs)
– 9.0 V 0.3
51 D1 0.2
tr, tf ≤ 10 ns td @ VBE(off) = 5.0 V
DUTY CYCLE = 1.0% –4 V 0.1
RB and RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS 0.07
0.05 2N5629, 30, 31
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.: 2N6029, 30, 31
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA 0.03
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20
For PNP test circuit, reverse all polarities and D1. IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)

2N5630 2N5631 2N6030 2N6031
1.0

D = 0.5
0.5
0.2
0.2
0.1
0.1 0.05 θJC = 0.875°C/W MAX
0.05
READ TIME AT t1 t2
SINGLE PULSE 0.01 TJ(pk) – TC = P(pk) θJC(t) DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.02
0.01
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 2000
t, TIME (ms)
20
5.0 ms
7.0 dc down. Safe operating area curves indicate IC – V CE limits of

5.0 0.5 ms the transistor that must be observed for reliable operation,
TJ = 200°C 50 ms i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
3.0
2.0 SECOND BREAKDOWN LIMITED
BONDING WIRE LIMITED The data of Figure 5 is based on T J(pk) = 200_C; T C is
THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C variable depending on conditions. Second breakdown pulse
1.0
0.7
0.5
CURVES APPLY BELOW v 200_C. T J(pk) may be calculated from the data in Figure 4.
RATED VCEO 2N5630, 2N6030 At high case temperatures, thermal limitations will reduce the
0.3 2N5631, 2N6031 power that can be handled to values less than the limitations
2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200
NPN PNP
2N5630, 2N5631 2N6030, 2N6031
5.0 4.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
3.0
IC/IB = 10 ts IB1 = IB2
3.0 ts IB1 = IB2 IC/IB = 10
2.0
VCE = 30 V VCE = 30 V
2.0
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
1.0
0.6
1.0
tf 0.4
0.7 0.3 tf
0.5 0.2
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20
Figure 6. Turn–Off Time

2N5630 2N5631 2N6030 2N6031
NPN NPN
2N5630, 2N5631 2N5630, 2N5631
1000 2000
700 TJ = 25°C
TJ = 25°C
C, CAPACITANCE (pF)
C, CAPACITANCE (pF)
500 1000
Cib
700
300
500 Cib
200
300
Cob Cob
100 200
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance
500 500
TJ = 150°C TJ = +150°C
300 VCE = 2.0 V 300 VCE = 2.0 V
200 VCE = 10 V 200 VCE = 10 V
25°C + 25°C
100 100 – 55°C

– 55°C
70 70
50 50
30 30
20 20
10 10
7.0 7.0
5.0 5.0
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20

2.0 2.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
1.6 1.6
1.2 IC = 4.0 A 8.0 A 16 A 1.2 IC = 4.0 A 8.0 A 16 A
0.8 0.8
0.4 0.4
0 0
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0
IB, BASE CURRENT (AMP) IB, BASE CURRENT (AMP)

MOTOROLA
2N5655
2N5656
Plastic NPN Silicon
2N5657
High-Voltage Power Transistor
. . . designed for use in line–operated equipment such as audio output amplifiers;
low–current, high–voltage converters; and AC line relays. 0.5 AMPERE
• Excellent DC Current Gain — hFE = 30 – 250 @ IC = 100 mAdc POWER TRANSISTORS
• Current–Gain — Bandwidth Product — NPN SILICON
fT = 10 MHz (Min) @ IC = 50 mAdc 250 – 300 – 350 VOLTS
20 WATTS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ Rating Symbol 2N5655 2N5656 2N5657 Unit
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO 250 300 350 Vdc
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VEB
275 325
6.0
375 Vdc
Vdc
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak
IC 0.5
1.0
Adc
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Current IB 0.25 Adc CASE 77–08
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25_C PD 20 Watts TO–225AA TYPE
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
TJ, Tstg – 65 to + 150 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic
Symbol
θJC
Max
6.25
Unit
_C/W
40
30
50 mH
20 X
200
Hg RELAY TO SCOPE
+ +
6.0 V 50 V
10 –
Y
300 1.0
0
25 50 75 100 125 150
Figure 1. Power Derating Figure 2. Sustaining Voltage Test Circuit
Safe Area Limits are indicated by Figures 3 and 4. Both limits are applicable and must be observed.
REV 3

2N5655 2N5656 2N5657
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc (inductive), L = 50 mH)
2N5655
2N5656
2N5657
VCEO(sus) 250
300
350
—
—
—
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Emitter Breakdown Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
2N5655
2N5656
V(BR)CEO 250
300
—
—
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5657 350 —
Collector Cutoff Current ICEO mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 150 Vdc, IB = 0) 2N5655 — 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 200 Vdc, IB = 0) 2N5656 — 0.1
(VCE = 250 Vdc, IB = 0) 2N5657 — 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEX
— 0.1
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 200 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 100_C) 2N5656
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 275 Vdc, IE = 0)
(VCB = 325 Vdc, IE = 0)
2N5655
2N5656
ICBO
— 10
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 10
(VCB = 375 Vdc, IE = 0) 2N5657 — 10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VEB = 6.0 Vdc, IC = 0) IEBO — 10 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc) 25 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc) 30 250
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 250 mAdc, VCE = 10 Vdc) 15 —
(IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc) 5.0 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, IB = 10 mAdc)
VCE(sat)
— 1.0
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 250 mAdc, IB = 25 mAdc) — 2.5
(IC = 500 mAdc, IB = 100 mAdc) — 10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Base–Emitter Voltage (1) (IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE — 1.0 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product (2) (IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 10 MHz) fT 10 — MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) hfe 20 — —
* Indicates JEDEC Registered Data for 2N5655 Series.
v v
(2) fT is defined as the frequency at which |hfe| extrapolates to unity.
1.0 There are two limitations on the power handling ability of a

10 µs transistor: average junction temperature and second break-
0.5
down. Safe operating area curves indicate I C – V CE limits of

500 µs the transistor that must be observed for reliable operation;
TJ = 150°C
0.2 1.0 ms tion than the curves indicate.
dc
0.1
The data of Figure 3 is based on T J(pk) = 150_C; TC is
Second Breakdown Limit variable depending on conditions. Second breakdown pulse
v
Thermal Limit @ TC = 25°C
0.05 Bonding Wire Limit 150_C. At high case temperatures, thermal limitations will
Curves apply below rated VCEO reduce the power that can be handled to values less than the
0.02 2N5655 limitations imposed by second breakdown.
2N5656
2N5657
0.01
20 30 40 60 100 200 300 400 600

2N5655 2N5656 2N5657
300
200 VCE = 10 V
VCE = 2.0 V
100 TJ = +150°C
70
+100°C
50 + 25°C
30
20 – 55°C
10
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
Figure 4. Current Gain
1.0 300
200 TJ = + 25°C
0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10 Cib
C, CAPACITANCE (pF)
V, VOLTAGE (VOLTS)
100
0.6 VBE @ VCE = 10 V
70
50
0.4
30
0.2 TJ = + 25°C 20 Cob
IC/IB = 5.0
0 10
10 20 30 50 100 200 300 500 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA) VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. “On” Voltages Figure 6. Capacitance
10 10
tr IC/IB = 10
5.0 IC/IB = 10
VCC = 300 V, VBE(off) = 2.0 V 5.0
2.0 (2N5656, 2N5657, only)
VCC = 100 V, VBE(off) = 0 V
1.0 2.0 ts
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
0.5
td 1.0 tf
0.2
0.1 0.5 VCC = 100 V
0.05
0.2 VCC = 300 V
0.02 (Type 2N5656, 2N5657, only)
0.01 0.1
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500

MOTOROLA
PNP
High-Current Complementary 2N5684
NPN
Silicon Power Transistors 2N5685
. . . designed for use in high–power amplifier and switching circuit applications.
• High Current Capability — IC Continuous = 50 Amperes.
• DC Current Gain —
2N5686*
hFE = 15 – 60 @ IC = 25 Adc
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage — *Motorola Preferred Device
VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 25 Adc
50 AMPERE
COMPLEMENTARY
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
SILICON
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5684 POWER TRANSISTORS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol 2N5685 2N5686 Unit 60 – 80 VOLTS
300 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
PD 300 Watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 200 _C CASE 197A–05
TO–204AE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol
θJC
Max
0.584
Unit
_C/W
300
250
200
150
100
50
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
TEMPERATURE (°C)
REV 7

2N5684 2N5685 2N5686
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.2 Adc, IB = 0) ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Note 1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5685
2N5684, 2N5686
VCEO(sus) 60
80
—
—
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 30 Vdc, IB = 0) 2N5685 — 1.0
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N5684, 2N5686 — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5685
2N5684, 2N5686
ICEX
— 2.0
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) 2N5684, 2N5686 — 10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 60 Vdc, IE = 0) 2N5685
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 2.0
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) 2N5684, 2N5686 — 2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 5.0 mAdc
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (Note 1) hFE —
(IC = 25 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
15 60
(IC = 50 Adc, VCE = 5.0 Vdc) 5.0 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (Note 1)
ÎÎÎÎ
(IC = 25 Adc, IB = 2.5 Adc)
(IC = 50 Adc, IB = 10 Adc)
ÎÎÎ
VCE(sat)
— 1.0
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 5.0
Base–Emitter Saturation Voltage (Note 1) (IC = 25 Adc, IB = 2.5 Adc) VBE(sat) — 2.0 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (Note 1) (IC = 25 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(on) — 2.0 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product (IC = 5.0 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz) fT 2.0 — MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance 2N5684 Cob — 2000 pF
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) 2N5685, 2N5686 — 1200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 10 Adc, VCE = 5.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
Note 1: Pulse Test: Pulse Width v
300 µs, Duty Cycle v 2.0%.
hfe 15 —
VCC – 30 V
RL
+ 2.0 V
TO SCOPE
0
tr ≤ 20 ns 1.0
RB 0.7
0.5 tr
tr ≤ –12 V
20 ns 0.3
10 to 100 µs
0.2 2N5684 (PNP)
DUTY CYCLE ≈ 2.0%
t, TIME ( µs)
VCC – 30 V td 2N5685, 2N5686 (NPN)

0.1
RL 0.07
+10 V
0.05
TO SCOPE TJ = 25°C
0 tr ≤ 20 ns 0.03
RB IC/IB = 10
0.02 VCC = 30 V
–12 V
tr ≤ 20 ns
0.01
10 to 100 µs VBB + 4.0 V 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50
DUTY CYCLE ≈ 2.0% IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
FOR CURVES OF FIGURES 3 & 6, RB & RL ARE VARIED. Figure 3. Turn–On Time
INPUT LEVELS ARE APPROXIMATELY AS SHOWN.
FOR NPN CIRCUITS, REVERSE ALL POLARITIES.

2N5684 2N5685 2N5686
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.2
0.1 θJC(t) = r(t) θJC P(pk)
0.1 θJC = 0.584°C/W MAX

0.05
0.07
0.05
READ TIME AT t1 t2
0.03 0.01 TJ(pk) – TC = P(pk) θJC(t) DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.02 SINGLE PULSE
0.01
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 2000
t, TIME (ms)
100
500 µs 100 µs
There are two limitations on the power handling ability of a
50
1.0 ms
20 dc 5.0 ms down. Safe operating area curves indicate I C – V CE limits of
10 TJ = 200°C
BONDING WIRE LIMITED
THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C The data of Figure 5 is based on T J(pk) = 200_C; T C is
2.0
(SINGLE PULSE) variable depending on conditions. Second breakdown pulse
1.0 limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
v
CURVES APPLY BELOW
0.5 RATED VCEO 200_C. T J(pk) may be calculated from the data in Figure 4.
2N5683, 2N5685 At high case temperatures, thermal limitations will reduce the
0.2 power that can be handled to values less than the limitations
2N5684, 2N5686
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
4.0 5000
3.0 2N5684 (PNP) TJ = 25°C
2N5685, 2N5686 (NPN) TJ = 25°C
IB1 = IB2
2.0 3000
IC/IB = 10
C, CAPACITANCE (pF)
ts VCE = 30 V
t, TIME ( µs)
2000
1.0 Cib
0.8
0.6 Cib Cob
1000
0.4 tf
0.3 700 2N5684 (PNP) Cob
2N5685, 2N5686 (NPN)
0.2 500
0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100

2N5684 2N5685 2N5686
PNP NPN
2N5684 2N5685, 2N5686
500 500
TJ = +150°C TJ = +150°C VCE = 2.0 V
300 VCE = 2.0 V 300
VCE = 10 V VCE = 10 V
200 200
+ 25°C + 25°C

100 100
70 70
– 55°C
50 50 – 55°C
30 30
20 20
10 10
7.0 7.0
5.0 5.0
0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50

2.0 2.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
1.6 1.6 IC = 10 A 25 A 40 A
IC = 10 A 25 A 40 A
1.2 1.2
0.8 0.8
0.4 0.4
0 0
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10
IB, BASE CURRENT (AMP) IB, BASE CURRENT (AMP)
2.5 2.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.0 1.6
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.5 1.2
1.0 VBE(sat) @ IC/IB = 10 0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 2.0 V VBE @ VCE = 2.0 V

0.5 0.4
VCE(sat) @ IC/IB = 10 VCE(sat) @ IC/IB = 10

0 0
0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50

MOTOROLA
2N5745
(See 2N4398)
High-Voltage High-Power 2N5758

Silicon Transistors
. . . designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage 6 AMPERE
switching regulator circuits. POWER TRANSISTOR
• High Collector–Emitter Sustaining Voltage — NPN SILICON
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) 100 – 140 VOLTS
• DC Current Gain @ IC = 3.0 Adc — 150 WATTS
hFE = 25 (Min)
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol 2N5758 Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
VCB
100
100
Vdc
Vdc
CASE 1–07
TO–204AA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak
IC 6.0
10
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
W/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25_C 0.857
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction, TJ, Tstg – 65 to + 200 _C
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200

Safe area limits are indicated by Figure 5. Both limits are applicable and must be observed.
REV 7

2N5758
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
Symbol Min Max Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, IB = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
(VCE = 50 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICEO — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = Rated VCB, VBE(off) = 1.5 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— 1.0
(VCE = Rated VCB, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) — 5.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICBO — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Emitter–Cutoff Current IEBO — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VBE = 7.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 6.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
25
5.0
100
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc) — 1.0
(IC = 6.0 Adc, IB = 1.2 Adc) — 2.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
VBE(on) — 1.5 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Output Capacitance Cob — 300 pF
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
* Indicates JEDEC Registered Data
hfe 15 — —
v v
(1) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%
(2) fT = |hfe| • ftest.
VCC
+ 30 V
25 µs RC
+10 V SCOPE
RB
0
51 D1
–10 V
tr, tf ≤ 10 ns – 4.0 V
DUTY CYCLE = 1.0%
RB and RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg:

1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA
*For PNP test circuit, reverse all polarities and D1.

2N5758
1.0
0.7
tr
0.5
VCC = 30 V
0.3
t, TIME ( µs)
IC/IB = 10
VBE(off) = 5.0 V
0.2 TJ = 25°C
0.1 td
0.07
0.05
0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 6.0
Figure 3. Turn–On Time
1.0
0.7 D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2 P(pk)
0.1
TJ(pk) – TC = P(pk) θJC(t) t2
0.03 0.01 DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.02 SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, TIME (ms)
10
0.1 ms
5.0 TJ = 200°C
down. Safe operating area curves indicate I C – V CE limits of
3.0 0.5 ms
2.0
1.0
The data of Figure 5 is based on T J(pk) = 200; TC is
BONDING WIRE 1.0 ms
0.5 LIMITED limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
0.3
THERMALLY LIMITED
@ TC = 25°C
5.0 ms v 200_C. T J(pk) may be calculated from the data in Figure 4.
0.2 At high case temperatures, thermal limitations will reduce the
SECOND BREAKDOWN LIMITED 2N5760
2N5758
10 20 30 50 70 100 200 300

2N5758
6.0
VCC = 30 V
4.0 IB1 = IB2
3.0 IC/IB = 10
TJ = 25°C
2.0 ts
t, TIME ( µs)
1.0
tf
0.6
0.4
0.3
0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 6.0
Figure 6. Turn–Off Time
400
300 TJ = 25°C
C, CAPACITANCE (pF)
200 Cib
100
80
Cob
60
40
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
500
TJ = 150°C VCE = 2.0 V

200
100 25°C
50
– 55°C
20
10
5.0
0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 6.0

MOTOROLA
NPN
2N5877
Complementary Silicon 2N5878
High-Power Transistors
. . . designed for general–purpose power amplifier and switching applications.
10 AMPERE
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage — COMPLEMENTARY
VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc SILICON
• Low Leakage Current — POWER TRANSISTORS
ICEX = 0.5 mAdc (Max) @ Rated Voltage 60 – 80 VOLTS
• Excellent DC Current Gain — 150 WATTS
hFE = 20 (Min) @ IC = 4.0 Adc
• High Current Gain — Bandwidth Product —
fT = 4.0 MHz (Min) @ IC = 0.5 A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
CASE 1–07
TO–204AA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEB 5.0 Vdc (TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak 20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 200 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol
θJC
Max
1.17
Unit
_C/W
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
REV 7

2N5877 2N5878
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5877
2N5878
VCEO(sus) 60
80
—
—
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 30 Vdc, IB = 0) 2N5877 — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N5878 — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) 2N5877 — 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 60 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 80 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5877
2N5878
—
—
0.5
0.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VEB = 5.0 Vdc, IE = 0) IEBO — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 35 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 20 100
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 4.0 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, IB = 0.5 Adc)
VCE(sat)
— 1.0
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 2.5 Adc) — 3.0
Base–Emitter Saturation Voltage (1) (IC = 10 Adc, IB = 2.5 Adc) VBE(sat) — 2.5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (1) (IC = 4.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(on) — 1.5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product (2) (IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, ftest = 1.0 MHz) fT 4.0 — MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz) 2N5877, 2N5878
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hfe 20 — —
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rise Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ Vdc IC = 4.0
(VCC = 30 Vdc, 4 0 Adc,
Adc IB1 = IB2 = 0.4
0 4 Adc,
Adc
tr — 0.7 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time ts — 1.0 µs
See Figure 2)
Fall Time tf — 0.8 µs
(1) Pulse Test: Pulse Width v
VCC
– 30 V
1.0
0.7 VCC = 30 V
7.5 Ω RC IC/IB = 10
0.5
+ 9.0 V SCOPE TJ = 25°C
RB 0.3 tr
0 25 Ω 0.2
t, TIME ( µs)
51 D1
0.1 td @ VBE(off) = 5.0 V
–11 V
0.07
25 µs + 7.0 V
0.05
tr, tf ≤ 10 ns FOR CURVES OF FIGURES 3 and 6,
RB and RC ARE VARIED TO OBTAIN 0.03
DUTY CYCLE = 1.0%
DESIRED CURRENT LEVELS 0.02 2N5877, 2N5878 (NPN)
For PNP test circuit,
reverse all polarities. 0.01
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)

2N5877 2N5878
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.2
0.1
0.1 θJC = 1.17°C/W MAX
0.07
0.05
READ TIME AT t1 t2
0.02 SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, TIME (ms)
20
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
1.0 ms
7.0 down. Safe operating area curves indicate I C – V CE limits of
TJ = 200°C dc
5.0 the transistor that must be observed for reliable operation,
5.0 ms 0.5 ms i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
2.0
BONDING WIRE LIMITED The data of Figure 5 is based on T J(pk) = 200_C; T C is
THERMAL LIMITATION @ TC = 25°C variable depending on conditions. Second breakdown pulse
1.0 (SINGLE PULSE) limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
0.7 CURVES APPLY BELOW RATED VCEO < 200_C. T J(pk) may be calculated from the data in Figure 4.
2N5875, 2N5877
0.3 power that can be handled to values less than the limitations
2N5876, 2N5878
5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
10 700
7.0 VCC = 30 V TJ = 25°C
5.0 IC/IB = 10 500
IB1 = IB2
3.0
C, CAPACITANCE (pF)
TJ = 25°C
2.0 300 Cib
t, TIME ( µs)
ts
1.0
0.7 200
0.5 Cob
tf
0.3
0.2 100
2N5877, 2N5878 (NPN) 2N5877, 2N5878 (NPN)
0.1 70
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES) VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)

MOTOROLA
PNP
2N5879
Complementary Silicon
High-Power Transistors 2N5880*
NPN
. . . designed for general–purpose power amplifier and switching applications.
• Collector–Emitter Sustaining Voltage —
2N5881
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — 2N5879, 2N5881
• DC Current Gain —
2N5882*
hFE = 20 (Min) @ IC = 6.0 Adc *Motorola Preferred Device
• Low Collector — Emitter Saturation Voltage —
VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 7.0 Adc 15 AMPERE
• High Current — Gain–Bandwidth Product — COMPLEMENTARY
fT = 4.0 MHz (Min) @ IC = 1.0 Adc SILICON
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
POWER TRANSISTORS
MAXIMUM RATlNGS (1)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ 2N5879 2N5880
60 – 80 VOLTS
160 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak
IC 15
30
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 1–07
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–204AA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(1) Indicates JEDEC registered data. Units and conditions differ on some parameters and
re–registration reflecting these changes has been requested. All above values meet or exceed
present JEDEC registered data.
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200

REV 7

2N5879 2N5880 2N5881 2N5882
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5879, 2N5881
2N5880, 2N5882
VCEO(sus) 60
80
—
—
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 30 Vdc, IB = 0) 2N5879, 2N5881 — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N5880, 2N5882 — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N5879, 2N5881
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 0.5
(VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N5880, 2N5882 — 0.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) 2N5879, 2N5881 — 5.0
(VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) 2N5880, 2N5882
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 5.0
(VCB = 60 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 80 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5879, 2N5881
2N5880, 2N5882
—
—
0.5
0.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VEB = 5.0 Vdc, IC = 0) IEBO — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 35 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 6.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 20 100
(IC = 15 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 4.0 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 7.0 Adc, IB = 0.7 Adc)
(IC = 15 Adc, IB = 3.75 Adc)
ÎÎÎ
VCE(sat)
— 1.0
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 4.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (1) (IC = 6.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(on) — 1.5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product (2) fT 4.0 — MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance 2N5879, 2N5880 Cob — 600 pF
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 100 kHz)
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 2.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
2N5881, 2N5882
hfe
—
20
400
— —
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc IC = 6.0
(VCC = 30 Vdc, 6 0 Adc,
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 = IB2 = 0
0.6
6 Adc See Figure 2)
v v
(1) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%
VCC
– 30 V
2.0
VCC = 30 V
5.0 RC IC/IB = 10
1.0
+10 V SCOPE TJ = 25°C
RB 0.7
0.5
0 15 tr
t, TIME ( µs)
51 D1 0.3
0.2
– 8.0 V
25 µs + 7.0 V
0.1
tr, tf ≤ 10 ns FOR CURVES OF FIGURES 3 and 6, td @ VBE(off) ≈ 5.0 V
0.07
DUTY CYCLE = 1.0% RB and RC ARE VARIED TO OBTAIN
0.05
DESIRED CURRENT LEVELS
2N5879, 2N5880 (PNP)
For PNP test circuit, 0.03 2N5881, 2N5882 (NPN)
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.
reverse all polarities. 0.02
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20

2N5879 2N5880 2N5881 2N5882
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.2
0.1 θJC = 1.1°C/W MAX
0.05
0.07
0.05
READ TIME AT t1 t2
0.02 SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, TIME (ms)
100
1.0 ms 0.5 ms 0.1 ms There are two limitations on the power handling ability of a
50
30
20 down. Safe operating area curves indicate I C – V CE limits of
10
the transistor that must be observed for reliable operation,
5.0 ms i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
5.0 TJ = 200°C dc
3.0 SECOND BREAKDOWN LIMITED The data of Figure 5 is based on T J(pk) = 200_C; T C is
2.0
BONDING WIRE LIMITED variable depending on conditions. Second breakdown pulse
1.0 THERMAL LIMITATION @ TC = 25°C limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
0.5 (SINGLE PULSE) < 200_C. T J(pk) may be calculated from the data in Figure 4.
0.3 CURVES APPLY BELOW RATED VCEO At high case temperatures, thermal limitations will reduce the
2N5880, 2N5882
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
10 2000
7.0 TJ = 25°C TJ = 25°C
5.0 VCC = 30 V
IC/IB = 0 1000
3.0
C, CAPACITANCE (pF)
IB1 = IB2 700

2.0 Cib
t, TIME ( µs)
ts 500
1.0
0.7 300
0.5 200
tf
0.3
Cob
0.2 2N5879, 2N5880 (PNP) 100 2N5879, 2N5880 (PNP)
2N5881, 2N5882 (NPN) 2N5881, 2N5882 (NPN)
0.1 60
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100

2N5879 2N5880 2N5881 2N5882
PNP NPN
2N5879, 2N5880 2N5881, 2N5882
1000 1000
700 700 VCE = 4.0 V
500 VCE = 4.0 V 500
TJ = +150°C

300 TJ = 150°C 300
200 200
25°C
100 25°C 100
70 70
50 – 55°C 50
– 55°C
30 30
20 20
10 10
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20

2.0 2.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
1.6 1.6
IC = 3.0 A 6.0 A 12 A IC = 3.0 A 6.0 A 12 A

1.2 1.2
0.8 0.8
0.4 0.4
0 0
0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0
IB, BASE CURRENT (AMP) IB, BASE CURRENT (mAdc)
2.0 2.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
1.6 1.6
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.2 1.2
0.8 0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10

0.4 0.4
0 0
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20

MOTOROLA
PNP
High-Power Transistors 2N5884*
. . . designed for general–purpose power amplifier and switching applications. NPN
VCE(sat) = 1.0 Vdc, (max) at IC = 15 Adc
2N5885
• Low Leakage Current
ICEX = 1.0 mAdc (max) at Rated Voltage 2N5886*
• Excellent DC Current Gain —
hFE = 20 (min) at IC = 10 Adc *Motorola Preferred Device
• High Current Gain Bandwidth Product —
fτ = 4.0 MHz (min) at IC = 1.0 Adc 25 AMPERE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
COMPLEMENTARY
MAXIMUM RATINGS (1) SILICON
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol
2N5883
2N5885
2N5884
2N5886 Unit
POWER TRANSISTORS
60 – 80 VOLTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
200 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VEB
60
5.0
80 Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak 50
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25_C 1.15 W/_C CASE 1–07
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–204AA
Operating and Storage Junction TJ, Tstg – 65 to + 200 _C (TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(1) Indicates JEDEC registered data. Units and conditions differ on some parameters and
re–registration reflecting these changes has been requested. All above values most or exceed
present JEDEC registered data.
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200

REV 7

2N5883 2N5884 2N5885 2N5886
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ Characteristic Symbol Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1) 2N5883, 2N5885 VCEO(sus) 60 — Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, IB = 0) 2N5884, 2N5886 80 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = 30 Vdc, IB = 0) 2N5883, 2N5885 ICEO — 2.0 mAdc
Collector Cutoff Current (VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N5984, 2N5886 — 2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N5883, 2N5885
2N5884, 2N5886
ICEX
— 1.0
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 1.0
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) 2N5883, 2N5885 10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) 2N5884, 2N5886 — 10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 60 Vdc, IE = 0) 2N5883, 2N5885
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 1.0
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) 2N5884, 2N5886 — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VEB = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 1.0 mAdc
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (1) (IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) hFE 35 — —
DC Current Gain (1) (IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 20 100
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
DC Current Gain (1) (IC = 25 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (1) (IC = 15 Adc, IB = 1.5 Adc) VCE(sat)
4.0
— 1.0 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (1) (IC = 25 Adc, IB = 6.25 Adc) — 4.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (1) (IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(on) — 1.5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product (2) (IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc, ftest = 1.0 MHz) fT 4.0 — MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance 2N5883, 2N5884 Cob — 1000 pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz) 2N5885, 2N5886 — 500
Small–Signal Current Gain (IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, ftest = 1.0 kHz) hfe 20 — —
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Rise Time ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ tr — 0.7 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCC = 30 Vdc,
Vdc IC = 10 Adc,
Adc
IB1 = IB2 = 1
1.0
0 Adc)
300 µs, Duty Cycle v 2.0%. (2) fT = |hfe| • ftest.
VCC – 30 V
TURN–ON TIME
RL 3.0
+ 2.0 V
10 TO SCOPE
0
tr ≤ 20 ns 2.0
RB
TJ = 25°C
tr ≤ –11 V 1.0 IC/IB = 10
20 ns VCC = 30 V
0.7
10 to 100 µs VBE(off) = 2 V
0.5
DUTY CYCLE ≈ 2.0% VCC – 30 V
t, TIME ( µs)
0.3 tr
TURN–OFF TIME 0.2
RL 3.0
+9.0 V 2N5883, 2N5884 (PNP)
10 TO SCOPE 0.1 2N5885, 2N5886 (NPN)
0 td
tr ≤ 20 ns 0.07
RB 0.05
–11 V
tr ≤ 20 ns 0.03
10 to 100 µs VBB + 7.0 V 0.02
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
DUTY CYCLE ≈ 2.0%
FOR CURVES OF FIGURES 3 & 6, RB & RL ARE VARIED.
INPUT LEVELS ARE APPROXIMATELY AS SHOWN. Figure 3. Turn–On Time
FOR NPN, REVERSE ALL POLARITIES.
Figure 2. Switching Time Equivalent Test Circuits

2N5883 2N5884 2N5885 2N5886
1.0

D = 0.5
0.5
0.2
0.2
0.1
0.1 0.05 θJC = 0.875°C/W MAX
0.02 SINGLE PULSE
0.01
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 2000
t, TIME (ms)
100
50 500 µs
1 ms
dc 5 ms the transistor that must be observed for reliable operation;
10
5.0 TJ = 200°C tion than the curves indicate.
SECOND BREAKDOWN LIMITED The data of Figure 5 is based on T J(pk) = 200_C; TC is
1.0 THERMAL LIMITATION @ TC = 25°C
0.5
(SINGLE PULSE)
v 200_C. T J(pk) may be calculated from the data in Figure 4.
At high case temperatures, thermal limitations will reduce the
2N5884, 2N5886
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
10 3000
7.0 2N5883, 2N5884 (PNP) TJ = 25°C TJ = 25°C
5.0 2N5885, 2N5886 (NPN) VCC = 30 V
2000
IC/IB = 10
3.0 Cob
C, CAPACITANCE (pF)
ts IB1 = IB2
2.0 Cib
t, TIME ( µs)
ts
1.0 1000
0.7
Cib
0.5 700
tf
0.3
500
0.2 tf 2N5883, 2N5884 (PNP) Cob
2N5885, 2N5886 (NPN)
0.1 300
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES) VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)

2N5883 2N5884 2N5885 2N5886
PNP DEVICES NPN DEVICES
2N5883 and 2N5884 2N5885 and 2N5886
1000 1000
700 700 VCE = 4.0 V
500 TJ = 150°C VCE = 4.0 V 500
TJ = 150°C

300 300
25°C
200 200
– 55°C
100 100 25°C
70 70
50 50
30 30 – 55°C
20 20
10 10
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES) IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)

2.0 2.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
1.6 1.6
IC = 2.0 A 5.0 A 10 A 20 A IC = 2.0 A 5.0 A 10 A 20 A
1.2 1.2
0.8 0.8
0.4 0.4
0 0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
IB, BASE CURRENT (AMPERES) IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
2.0 2.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
1.6 1.6
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.2 1.2
VBE @ VCE = 4 V VBE @ VCE = 4 V

0.4 0.4

0 0
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES) IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)

MOTOROLA
2N6030 thru 2N6031

(See 2N5630)
Plastic Darlington
Transistors 2N6035
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications.
• High DC Current Gain — 2N6036*
hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 Adc NPN
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mAdc
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — 2N6035, 2N6038 2N6038
• Forward Biased Second Breakdown Current Capability
IS/b = 1.5 Adc @ 25 Vdc
2N6039 *
• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Resistors to Limit *Motorola Preferred Device
Leakage Multiplication
• Space–Saving High Performance–to–Cost Ratio TO–225AA Plastic Package
DARLINGTON
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1) 4–AMPERE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
COMPLEMENTARY
2N6035 2N6036
SILICON
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
POWER TRANSISTORS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
80 Vdc 60, 80 VOLTS
Collector–Base Voltage VCB 60 80 Vdc 40 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VEB
IC
5.0
4.0
Vdc
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak 8.0
Base Current IB 100 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25_C
PD 40
0.32
Watts
W/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TA = 25_C PD 1.5 Watts
Derate above 25_C 0.012
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 150 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS CASE 77–08
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient
TA TC
θJA 83.3 _C/W
4.0 40
3.0 30
TC
2.0 20
1.0 10
TA
0 0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
T, TEMPERATURE (°C)

REV 7

2N6035 2N6036 2N6038 2N6039
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6035, 2N6038 60 —
2N6036, 2N6039 80 —
ÎÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, IB = 0)ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Cutoff Current
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ 2N6035, 2N6038
ICEO
— 100
µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, IB = 0) 2N6036, 2N6039 — 100
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Cutoff Current ICEX µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N6035, 2N6038 — 100
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6036, 2N6039 — 500
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Cutoff Current ICBO mAdc
(VCB = 60 Vdc, IE = 0) 2N6035, 2N6038
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 0.5
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) 2N6036, 2N6039 — 0.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Emitter–Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 2.0 mAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ hFE —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
(IC = 4.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
500
750
—
15,000
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
100 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, IB = 8.0 mAdc) — 2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, IB = 40 mAdc) — 3.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 4.0 Adc, IB = 40 mAdc)
VBE(sat) — 4.0 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(on) — 2.8 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current–Gain (IC = 0.75 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz) |hfe| 25 — —
Output Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) 2N6035, 2N6036
Cob
— 200
pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6038, 2N6039 — 100
4.0
CC V VCC = 30 V IB1 = IB2
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS – 30 V ts IC/IB = 250 TJ = 25°C
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA RC
2.0
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA SCOPE
TUT
t, TIME ( µs)
V2 RB tf
approx 1.0
+ 8.0 V 0.8
D1 ≈ 8.0 k
51 ≈ 60 tr
0 0.6
V1
approx + 4.0 V 0.4
–12 V 25 µs for td and tr, D1 is disconnected td @ VBE(off) = 0
and V2 = 0, RB and RC are varied PNP
tr, tf ≤ 10 ns to obtain desired test currents. NPN
For NPN test circuit, reverse diode, 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0
polarities and input pulses.
Figure 2. Switching Times Test Circuit Figure 3. Switching Times

2N6035 2N6036 2N6038 2N6039
1.0
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE,

0.7 D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
NORMALIZED
0.1
0.1 0.05
0.02
0.01 READ TIME AT t1
0.03 t2
SINGLE PULSE TJ(pk) – TC = P(pk) θJC(t) DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.02
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, TIME (ms)
ACTIVE–REGION SAFE–OPERATING AREA
1.0 1.0
7.0 7.0
100 µs 100 µs
5.0 5.0 ms 1.0 ms 5.0 5.0 ms

1.0 ms
3.0 dc 3.0 dc
2.0 2.0
TJ = 150°C TJ = 150°C
1.0 BONDING WIRE LIMITED 1.0 BONDING WIRE LIMITED
0.7 THERMALLY LIMITED 0.7 THERMALLY LIMITED
0.5 0.5
@ TC = 25°C (SINGLE PULSE) @ TC = 25°C (SINGLE PULSE)
0.3 SECOND BREAKDOWN LIMITED 0.3 SECOND BREAKDOWN LIMITED
0.2 0.2
2N6036 2N6039
2N6035 2N6038
0.1 0.1
5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
Figure 5. 2N6035, 2N6036 Figure 6. 2N6038, 2N6039
200
transistor: average junction temperature and second break- TC = 25°C
down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of 100
C, CAPACITANCE (pF)

i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa- 70
tion than the curves indicate. 50
The data of Figures 5 and 6 is based on T J(pk) = 150_C; Cob
TC is variable depending on conditions. Second breakdown
30 Cib
pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
< 150_C. T J(pk) may be calculated from the data in Figure 4. 20
At high case temperatures, thermal limitations will reduce the PNP
power that can be handled to values less than the limitations NPN
imposed by second breakdown. 10
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 6.0 10 20 40

2N6035 2N6036 2N6038 2N6039
PNP NPN
2N6035, 2N6036 2N6038, 2N6039
6.0 k 6.0 k
TC = 125°C VCE = 3.0 V TJ = 125°C VCE = 3.0 V
4.0 k 4.0 k
3.0 k 3.0 k

25°C 25°C
2.0 k 2.0 k
– 55°C – 55°C
1.0 k 1.0 k
800 800
600 600
400 400
300 300
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0

3.4 3.4
TJ = 25°C TJ = 25°C
3.0 3.0 IC =
IC = 0.5 A
2.6 0.5 A 2.6 1.0 A 2.0 A 4.0 A
1.0 A 2.0 A 4.0 A
2.2 2.2
1.8 1.8
1.4 1.4
1.0 1.0
0.6 0.6
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
2.2 2.2
TJ = 25°C TJ = 25°C
1.8 1.8
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
VBE(sat) @ IC/IB = 250 VBE(sat) @ IC/IB = 250

1.4 VBE @ VCE = 3.0 V 1.4 VBE @ VCE = 3.0 V
1.0 1.0
0.6 0.6
0.2 0.2
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0

MOTOROLA
Plastic Medium-Power PNP

Transistors thru
2N6042*
• High DC Current Gain —
hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc NPN
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mAdc —
2N6043
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) — 2N6042, 2N6045 thru
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc — 2N6040,41, 2N6043,44
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc — 2N6042, 2N6045
2N6045*
• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6040 2N6041 2N6042 DARLINGTON
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol 2N6043 2N6044 2N6045 Unit 8 AMPERE
COMPLEMENTARY
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
SILICON
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
POWER TRANSISTORS
60 – 80 – 100 VOLTS
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak
IC 8.0
16
Adc 75 WATTS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction,
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 150 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
θJA 57 _C/W
CASE 221A–06
TO–220AB
TA TC
4.0 80
3.0 60
TC
2.0 40
TA
1.0 20
0 0
0 20 40 60 80 100 120 140 160


2N6040 thru 2N6042 2N6043 thru 2N6045
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6040, 2N6043
VCEO(sus)
60 —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6041, 2N6044 80 —
2N6042, 2N6045 100 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ 2N6040, 2N6043
ICEO
— 20
µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, IB = 0) 2N6041, 2N6044 — 20
(VCE = 100 Vdc, IB = 0) 2N6042, 2N6045 — 20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N6040, 2N6043
ICEX
— 20
µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 100 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N6042, 2N6045 20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 100 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) 2N6042, 2N6045 200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
—
µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICBO
(VCB = 60 Vdc, IE = 0) 2N6040, 2N6043 — 20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) 2N6041, 2N6044 — 20
(VCB = 100 Vdc, IE = 0) 2N6042, 2N6045 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
20
Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) IEBO — 2.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N6040, 41, 2N6043, 44
hFE
1000 20.000
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N6042, 2N6045 1000 20,000
(IC = 8.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) All Types 100 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, IB = 16 mAdc) 2N6040, 41, 2N6043, 44
VCE(sat)
— 2.0
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, IB = 12 mAdc) 2N6042, 2N6045 — 2.0
(IC = 8.0 Adc, IB = 80 Adc) All Types — 4.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 8.0 Adc, IB = 80 mAdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (IC = 4.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(on) — 2.8 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small Signal Current Gain (IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 1.0 MHz) |hfe| 4.0 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance 2N6040/2N6042 Cob — 300 pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) 2N6043/2N6045 — 200
Small–Signal Current Gain (IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 1.0 kHz) hfe 300 — —
5.0
3.0 ts
VCC
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS – 30 V 2.0
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA RC 1.0
tf
t, TIME ( µs)
TUT 0.7
V2 RB 0.5
approx
+ 8.0 V 0.3
D1 tr
0
51 ≈ 8.0 k ≈ 120 0.2 VCC = 30 V
IC/IB = 250
V1 IB1 = IB2
approx + 4.0 V 0.1 TJ = 25°C
–12 V 25 µs 0.07 PNP td @ VBE(off) = 0 V
for td and tr, D1 is disconnected
NPN
tr, tf ≤ 10 ns
and V2 = 0 0.05
For NPN test circuit reverse all polarities and D1. 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
DUTY CYCLE = 1.0%
Figure 2. Switching Times Equivalent Circuit Figure 3. Switching Times

2N6040 thru 2N6042 2N6043 thru 2N6045
1.0

0.7 D = 0.5
r(t), EFFECTIVE TRANSIENT 0.5
0.3 0.2
0.2
0.1 θJC = 1.67°C/W

0.07
0.05
READ TIME AT t1 t2
SINGLE PULSE
0.02
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
20
100 µs
5.0 down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of

500 µs
2.0
1.0 ms
dc
TJ = 150°C 5.0 ms i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
1.0 BONDING WIRE LIMITED tion than the curves indicate.
0.5 THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150_C; TC is
0.2 SECOND BREAKDOWN LIMITED limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
CURVES APPLY BELOW RATED VCEO < 150_C. T J(pk) may be calculated from the data in Figure 4.
0.1
2N6040, 2N6043 At high case temperatures, thermal limitations will reduce the
0.05 2N6041, 2N6044
2N6045 power that can be handled to values less than the limitations
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
10,000 300
5000 TJ = 25°C
hfe, SMALL–SIGNAL CURRENT GAIN
3000 200
2000
C, CAPACITANCE (pF)
1000
Cob
500 TC = 25°C
100
300 VCE = 4.0 Vdc
200 IC = 3.0 Adc
70 Cib
100
50 50
PNP
30 PNP
20 NPN
NPN
10 30
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
f, FREQUENCY (kHz) VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Small–Signal Current Gain Figure 7. Capacitance

2N6040 thru 2N6042 2N6043 thru 2N6045
PNP NPN
2N6040, 2N6041, 2N6042 2N6043, 2N6044, 2N6045
20,000 20,000
VCE = 4.0 V VCE = 4.0 V
10,000 10,000
7000 7000

5000 5000 TJ = 150°C
TJ = 150°C
3000 3000
2000 25°C 2000
25°C
1000 1000
700 700
500 – 55°C 500 – 55°C
300 300
200 200
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10

3.0 3.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.6 2.6
IC = 2.0 A 4.0 A 6.0 A IC = 2.0 A 4.0 A 6.0 A
2.2 2.2
1.8 1.8
1.4 1.4
1.0 1.0
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
3.0 3.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.5 2.5
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.0 2.0
1.5 VBE @ VCE = 4.0 V 1.5 VBE(sat) @ IC/IB = 250
VBE(sat) @ IC/IB = 250 VBE @ VCE = 4.0 V

1.0 1.0
0.5 0.5
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10

MOTOROLA
PNP
2N6050
Darlington Complementary
Silicon Power Transistors thru
. . . designed for general–purpose amplifier and low frequency switching applications.
2N6052*
NPN
2N6057
hFE = 3500 (Typ) @ IC = 5.0 Adc
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mA
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) — 2N6052, 2N6059 thru
2N6059*
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ 2N6050 2N6051 2N6052
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol 2N6057 2N6058 2N6059 Unit DARLINGTON
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
12 AMPERE
COMPLEMENTARY
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCB 60 80 100 Vdc SILICON
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base voltage VEB 5.0 Vdc POWER TRANSISTORS
60 – 80 – 100 VOLTS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current — Continuous IC 12 Adc 150 WATTS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak 20
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Device Dissipation PD 150 Watts
@TC = 25_C
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 200_C _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 1–07
THERMAL CHARACTERISTICS TO–204AA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic Symbol Rating Unit (TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200

REV 1

2N6050 thru 2N6052 2N6057 thru 2N6059
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6050, 2N6057
VCEO(sus)
60 —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6051, 2N6058 80 —
2N6052, 2N6059 100 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ 2N6050, 2N6057
ICEO
— 1.0
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N6051, 2N6058 — 1.0
(VCE = 50 Vdc, IB = 0) 2N6052, 2N6059
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCEO, VBE(off) = 1.5 Vdc) — 0.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCEO, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 6.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 750 18,000
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 12 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 100 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 6.0 Adc, IB = 24 mAdc) — 2.0
(IC = 12 Adc, IB = 120 mAdc) — 3.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 12 Adc, IB = 120 mAdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 6.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
VBE(on) — 2.8 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Magnitude of Common Emitter Small–Signal Short Circuit Forward |hfe| 4.0 — MHz
Current Transfer Ratio
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
2N6050/2N6052
2N6057/2N6059
Cob —
—
500
300
pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(1) Pulse test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2.0%.
CC V 10
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS – 30 V
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg: 2N6050/2N6052
5.0 2N6057/2N6059
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA SCOPE ts
TUT
V2 RB 2.0
t, TIME ( µs)
approx tf
+ 8.0 V
D1 1.0
51 ≈ 5.0 k ≈ 50
0
tr
V1 0.5
approx + 4.0 V
td @ VBE(off) = 0 VCC = 30 V
– 8.0 V 25 µs for td and tr, D1 is disconnected IC/IB = 250
and V2 = 0 0.2 IB1 = IB2
tr, tf ≤ 10 ns
DUTY CYCLE = 1.0% TJ = 25°C
0.1
0.2 0.5 1.0 3.0 5.0 10 20
For NPN test circuit reverse diode and voltage polarities.

2N6050 thru 2N6052 2N6057 thru 2N6059
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.2
0.1 P(pk)
RθJC(t) = r(t) RθJC
0.1 0.05 RθJC = 1.17°C/W MAX
0.02
READ TIME AT t1 t2
0.02 SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, TIME (ms)
ACTIVE–REGION SAFE OPERATING AREA

50 50 50
0.1 ms 0.1 ms
20 0.1 ms 20 20

10 10 10
5.0 5.0 0.5 ms 5.0 0.5 ms
0.5 ms
1.0 ms 1.0 ms
2.0 1.0 ms 2.0 2.0 5.0 ms
5.0 ms
1.0 TJ = 200°C 1.0 TJ = 200°C 1.0 TJ = 200°C
SECOND
0.5 BREAKDOWN
LIMITED
5.0 ms 0.5 SECOND
BREAKDOWN 0.5 SECOND
BREAKDOWN
LIMITED LIMITED
BONDING
WIRE BONDING BONDING
WIRE WIRE
0.2 LIMITED
THERMAL
0.2 LIMITED 0.2 LIMITED
dc
LIMITATION THERMAL dc THERMAL
0.1 @ TC = 25°C dc 0.1

LIMITATION
@ TC = 25°C 0.1
LIMITATION
@ TC = 25°C
(SINGLE PULSE)
0.05 0.05 0.05

10 20 30 50 70 100 10 20 30 50 70 100 10 20 30 50 70 100
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. 2N6050, 2N6057 Figure 6. 2N6051, 2N6058 Figure 7. 2N6052, 2N6059
There are two limitations on the power handling ability of a transistor: average junction temperature and second breakdown.
Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of the transistor that must be observed for reliable operation; i.e., the transis-
tor must not be subjected to greater dissipation than the curves indicate.
The data of Figures 5, 6 and 7 is based on TJ(pk) = 200_C; TC is variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk) 200_C; TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 4. At high case v
temperatures, thermal limitations will reduce the power that can be handled to values less than the limitations imposed by
second breakdown.
3000 500
2000 TC = 25°C TJ = 25°C
hfe, SMALL–SIGNAL CURRENT GAIN
VCE = 3.0 V
1000 IC = 5.0 A 300
C, CAPACITANCE (pF)
500 200 Cib
200 Cob
100
100
2N6050/2N6052
2N6057/2N6059 70 2N6050/2N6052
50 2N6057/2N6059
30 50
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100

2N6050 thru 2N6052 2N6057 thru 2N6059
PNP NPN
2N6050, 2N6051, 2N6052 2N6057, 2N6058, 2N6059
20,000 40,000
VCE = 3.0 V VCE = 3.0 V
20,000 TJ = 150°C
10,000
TJ = 150°C

5000 10,000
3000 6,000 25°C

25°C
2000 4,000
1000 – 55°C 2,000
500 1,000 – 55°C

300 600
200 400
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20

3.0 3.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.6 2.6 IC = 3.0 A 6.0 A 9.0 A 12 A

IC = 3.0 A 6.0 A 9.0 A 12 A
2.2 2.2
1.8 1.8
1.4 1.4
1.0 1.0
0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50
3.0 3.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.5 2.5
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.0 2.0

1.0 1.0

0.5 0.5
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20

MOTOROLA
NPN
2N6055
Darlington Complementary 2N6056*
Silicon Power Transistors *Motorola Preferred Device
. . . designed for general–purpose amplifier and low frequency switching applications.

DARLINGTON
8 AMPERE
hFE = 3000 (Typ) @ IC = 4.0 Adc
COMPLEMENTARY
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mA
SILICON
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — 2N6055
POWER TRANSISTORS
60 – 80 VOLTS
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc 100 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEB 5.0 Vdc CASE 1–07
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–204AA
Collector Current — Continuous IC 8.0 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TO–3)
Peak 16
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
2N6055
2N6056
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25_C
PD 100
0.571
Watts
W/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6055
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(1) Indicates JEDEC Registered Data
Symbol
RθJC
2N6056
1.75
Unit
_C/W
100
80
60
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200

REV 1

2N6055 2N6056
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ 2N6055
VCEO(sus)
60 —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6056 80 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 30 Vdc, IB = 0) 2N6055
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 0.5
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N6056 — 0.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCB, VBE(off) = 1.5 Vdc)
(VCE = Rated VCB, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C)
ICEX
— 0.5
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
hFE
750 18000
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 100 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, IB = 16 mAdc) — 2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 80 mAdc) — 3.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 80 mAdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Magnitude of Common Emitter Small–Signal Short Circuit Current Transfer Ratio
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|hfe| 4.0 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) 2N6055, 2N6056
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hfe 300 — —

(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2.0%
CC V 5.0
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS – 30 V
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g., 3.0 ts
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA RC 2.0
TUT tf
V2 RB 1.0
t, TIME ( µs)
approx
0.7
+ 12 V
D1 0.5
51 ≈ 8.0 k ≈ 50
0
0.3
V1 VCC = 30 V tr
approx + 4.0 V 0.2 IC/IB = 250
– 8.0 V 25 µs for td and tr, D1 is disconnected IB1 = IB2 t @ VBE(off) = 0
and V2 = 0 0.1 TJ = 25°C d
tr, tf ≤ 10 ns
0.05
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
For NPN test circuit reverse diode, polarities and input pulses.

2N6055 2N6056
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
0.1 P(pk)
0.1
0.05 RθJC = 1.75°C/W — 2N6056
0.05 0.02 PULSE TRAIN SHOWN t1
0.01
0.02 SINGLE PULSE
0.01
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1000
t, TIME (ms)

20
0.1 ms down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of

5.0 i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
0.5 ms
TJ = 200°C tion than the curves indicate.
1.0 ms
2.0
5.0 ms
The data of Figure 5 is based on T J(pk) = 200 _ C;
dc TC is variable depending on conditions. Second breakdown
1.0
SECOND BREAKDOWN LIMIT pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
THERMALLY LIMITED
v 200_C. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 4.
@ TC = 25°C (SINGLE PULSE)
0.1 2N6055 imposed by second breakdown.
2N6056
0.05
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
Figure 5. 2N6055 and 2N6056
10,000 300
5000 TJ = 25°C
hfe , SMALL–SIGNAL CURRENT GAIN
3000 200
2000
C, CAPACITANCE (pF)
1000 TC = 25°C
Cob
500 VCE = 3.0 Vdc
IC = 3.0 Adc 100
300
200
Cib
70
100
50 50
2N6055, 2N6056
30
20 2N6055, 2N6056
10 30
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100

2N6055 2N6056
NPN
2N6055, 2N6056

20,000 3.0
VCE = 3.0 V TJ = 25°C
10,000
2.6
5000 TJ = 150°C IC = 2.0 A 4.0 A 6.0 A
3000 2.2
2000
25°C 1.8
1000
– 55°C
500 1.4
300
200 1.0
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
3.0
TJ = 25°C
2.5
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.0
1.5 VBE @ VCE = 3.0 V

1.0

0.5
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10

MOTOROLA
2N6057 thru 2N6059

(See 2N6050)
Complementary Silicon Plastic PNP

Power Transistors 2N6107
2N6109*
. . . designed for use in general–purpose amplifier and switching applications.
• DC Current Gain Specified to 7.0 Amperes
hFE = 30–150 @ IC = 3.0 Adc — 2N6111, 2N6288
hFE = 2.3 (Min) @ IC = 7.0 Adc — All Devices 2N6111
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — NPN
VCEO(sus) = 50 Vdc (Min) — 2N6109 2N6288
• High Current Gain — Bandwidth Product *
fT = 4.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc — 2N6288, 90, 92
2N6292
fT = 10 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc — 2N6107, 09, 11
• TO–220AB Compact Package
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
7 AMPERE
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
POWER TRANSISTORS
2N6111 2N6107 COMPLEMENTARY
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Rating
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol
VCEO
2N6288
30
2N6109
50
2N6292
70
Unit
Vdc
SILICON
30 – 50 – 70 VOLTS
40 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak 10
ÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB
PD
3.0
40
Adc
Watts
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
_C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction TJ, Tstg – 65 to + 150
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol
RθJC
Max
3.125
Unit
_C/W
CASE 221A–06
TO–220AB
40
30
20
10
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160

REV 2

2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6111, 2N6288
VCEO(sus)
30 —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6109 50 —
2N6107, 2N6292 70 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ 2N6111, 2N6288
ICEO
— 1.0
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N6109 — 1.0
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N6107, 2N6292
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 1.0
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEX
(VCE = 40 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) 2N6111, 2N6288 — 100
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) 2N6109 — 100
(VCE = 80 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) 2N6107, 2N6292
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 100
(VCE = 30 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) 2N6111, 2N6288 — 2.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 70 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) 2N6107, 2N6292
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
(IC = 2.5 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
2N6107, 2N6292
2N6109
hFE
30 150
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
30 150
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N6111, 2N6288 30 150
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 7.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) All Devices 2.3 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 7.0 Adc, IB = 3.0 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 7.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Current Gain — Bandwidth Product (2)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 500 mAdc, VCE = 4.0 Vdc, ftest = 1.0 MHz) 2N6288, 92
fT
4.0 —
MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6107, 09, 11 10 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz) Cob — 250 pF
Small–Signal Current Gain (IC = 0.5 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 50 kHz) hfe 20 — —
VCC
+ 30 V 2.0
1.0 TJ = 25°C
25 µs RC VCC = 30 V
0.7
+11 V SCOPE 0.5 IC/IB = 10
RB
t, TIME ( µs)
0.3
0
D1 0.2 tr
51
– 9.0 V 0.1
tr, tf ≤ 10 ns –4 V 0.07 td @ VBE(off) ≈ 5.0 V
RB and RC ARE VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
0.03
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg: 0.02
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0

2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)

1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.2
0.1
0.1 P(pk)
ZθJC(t) = r(t) RθJC
0.07 0.05 RθJC = 3.125°C/W MAX
0.03 t1
READ TIME AT t1 t2
0.02 0.01 TJ(pk) – TC = P(pk) ZθJC(t) DUTY CYCLE, D = t1/t2
SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0 k
t, TIME (ms)
15
10
7.0 0.5 ms transistor: average junction temperature and second break-

3.0 dc
2.0 0.1
ms tion than the curves indicate.
The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150_C; TC is
1.0 CURRENT LIMIT variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.7 SECONDARY
0.5 BREAKDOWN LIMIT
THERMAL LIMIT
5.0 ms v 150_C. TJ(pk) may be calculated from the data in Fig-
0.3 @ TC = 25°C (SINGLE PULSE) ure 4. At high case temperatures, thermal limitations will re-
0.2 duce the power that can be handled to values less than the
0.15 limitations imposed by second breakdown.
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
5.0 300
3.0 TJ = 25°C
2.0 VCC = 30 V 200 TJ = 25°C
IC/IB = 10
C, CAPACITANCE (pF)
ts
1.0 IB1 = IB2
Cib
t, TIME ( µs)
0.7
0.5 100
0.3 tr
70 Cob
0.2
50
0.1
0.07
0.05 30
0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50

MOTOROLA
2N6251
High Voltage NPN Silicon Power
Transistors 15 AMPERE
POWER TRANSISTOR
. . . designed for high voltage inverters, switching regulators and line operated NPN SILICON
amplifier applications. Especially well suited for switching power supply applications. 350 VOLTS
• High Voltage Breakdown Rating 175 WATTS
• Low Saturation Voltages
• Fast Switching Capability
• High ES/b Energy Handling Capability
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage (1) VCEO(sus) 350 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage (1) VCER(sus) 375 Vdc CASE 1–07
TO–204AA
Collector–Base Voltage (1) VCB 450 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector Current — Continuous**
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak
IC
ICM
15
30
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Current — Continuous (1) IB 10 Adc
— Peak IBM 20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Emitter Current — Continuous
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak
IE
IEM
25
50
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 100_C 100
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Derate above 25_C*
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction (1) TJ, Tstg
1.0
– 65 to + 200
W/_C
_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
_C/W
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case RθJC 1.0
Maximum Lead Temperature for Soldering TL 275 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Purposes: 1/8” from Case for 5 Seconds
** JEDEC Registered Value is 10 A, Motorola Guaranteed Value is 15 A.
100
SECOND BREAKDOWN
80
DERATING
60 THERMAL
DERATING
40
20
0
0 40 80 120 160 200

REV 1

2N6251
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 200 mA, IB = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Table 1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 200 mA) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCER, VBE(off) = 1.5 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 5.0
(VCE = Rated VCER, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 125_C) — 10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEO — 5.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 225 Vdc, IB = 0)
(VCE = 300 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 6.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with base forward (VCE = 30 V) IS/b 5.8 — Vdc
biased t = 1.0s (non–repetitive) (VCE = 100 V) 0.3 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Second Breakdown Energy with base reverse biased (Table 1)
ÎÎÎ
(IC = 10 A, VBE(off) = 4.0 Vdc, L = 50 µH)
ES/b 2.5 — mJ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
hFE 6.0 50 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 1.67 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 1.25 Adc)
(IC = 10 Adc, IB = 1.67 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fT 2.5 — MHz
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Resistive Load (Table 1)
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time tr — 2.0 µs
(VCC = 200 Vdc, IC = 10 A, Duty
v
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time Cycle 2.0%, tp = 100 µs) ts — 3.5 µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IB1 = IB2 = 1.67
1 67 Adc)
Ad )
(1) Measured on a curve tracer (60 Hz full–wave rectified sine wave).

2N6251
Table 1. Test Conditions for Dynamic Performance
VCEO(sus) VCER(sus) ES/b RESISTIVE SWITCHING
+ 15 V
39 50 µF
1 39 50 1 TIP41B
+6.0 V 1 IB1 = 2.0 A
+6.0 V 4.7
CONDITIONS
50 51 51 1
51
0
INPUT
+10 V 0.02
0
2 µF 2
2 4V
0 2 IC = 10 A
PW ≈ 100 µs
tr ≤ 5 ns
tf ≤ 50 ns
DUTY CYCLE ≤ 2%
Lcoil = 14 mH
CIRCUIT
VALUES
Lcoil = 42 mH
Rcoil = 0.05 Ω Lcoil = 50 µH, VCC = 11.5 V VCC = 200 V
Rcoil = 0.7 Ω, fo = 60 Hz
VCC = 0 to 50 V Rcoil = 0.2 Ω RL = 20 Ω
VCC = 0 to 50 V
fo = 60 Hz
INDUCTIVE TEST CIRCUIT OUTPUT WAVEFORMS RESISTIVE TEST CIRCUIT
IC t1 Adjusted to + 200 V
TUT
Rcoil Obtain IC
1N4937 IC(pk) 20
1
TEST CIRCUITS
DC
VCL
Lcoil
t t1 [ LcoilVCC
(ICpk)
CURRENT
PROBE
t1 tf 1
RS VCC TUT
2 3
0.1 VCE
2
25
t
NOTE: SET IC(pk) TO OBTAIN IC = 200 mA AT VCEO(sus) EQUAL TO RATED VALUE. – 6.0 V
NOTE: ADJUST VClamp VOLTAGE FOR VCEO(sus) RATED VALUE.
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.2
(NORMALIZED)
0.1 P(pk)
0.1
0.05 RθJC = 1.0°C/W MAX
0.02 t1
TJ(pk) – TC = P(pk) ZθJC(t)
0.02 DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.01
SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0 k
t, TIME (ms)
20 20 µs
10 500 µs 100 µs
1.0
5.0 10 ms ms the transistor that must be observed for reliable operation;
TC = 25°C
2.0 dc 50 ms tion than the curves indicate.
TC = 100°C
1.0 The data of Figure 3 is based on TC = 25_C. TJ(pk) is
variable depending on power level. Second breakdown pulse
0.5 limits are valid for duty cycles to 10% but must be derated
0.3
0.2
TC = 25°C UNLESS NOTED
BONDING WIRE LIMIT
when TC w
25 _C. Second breakdown limitations do not
derate the same as thermal limitations. Allowable current at
0.1 THERMAL LIMIT, SINGLE PULSE the voltage shown on Figure 3 may be found at any case
temperature by using the appropriate curve on Figure 1.
0.03 TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 2. At high
5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
case temperatures, thermal limitations will reduce the power
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
that can be handled to values less than the limitations
Figure 3. Active–Region Safe Operating Area imposed by second breakdown.

2N6251
DC CHARACTERISTICS

100 2.0
70 TJ = 150°C TJ = 25°C
1.6
50
30 25°C 1.2
IC = 2.0 A 6.0 A 10 A 15A
20
0.8
– 55°C
10
0.4
VCE = 3.0 V
7.0 VCE = 10 V
5.0 0
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0
1.4 2.5
+ 3.0 V
TJ = 25°C 2.0 hFE @ VCE
1.2 *APPLIES FOR IC/IB ≤
1.5 3
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.0 1.0 25°C to 150°C

VBE(sat) @ IC/IB = 5.0
0.8 0.5 *θVC for VCE(sat)
0
0.6 VBE(on) @ VCE = 3.0 V – 55°C to 25°C
– 0.5
– 1.0 25°C to 150°C
0.4 θVB for VBE
– 1.5
0.2 VCE(sat) @ IC/IB = 5 – 55°C to 25°C
– 2.0
0 – 2.5
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20
Figure 6. “On” Voltagae Figure 7. Temperature Coefficients
RESISTIVE SWITCHING PERFORMANCE
3.0 k 10 k
2.0 k VCC = 200 V 7.0 k
tr IC/IB = 5.0 5.0 k ts
1.0 k TJ = 25°C
3.0 k
700
2.0 k
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
500
300 1.0 k VCC = 200 V
200 td @ VBE(off) = 5.0 V 700 IC/IB = 5.0
tr
IB1 = IB2
500
TJ = 25°C
100 300
70
200
50
30 100
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
Figure 8. Turn-on Time Figure 9. Turn-off Time

MOTOROLA
2N6274
High-Power NPN Silicon 2N6275
Transistors 2N6277*
. . . designed for use in industrial–military power amplifer and switching circuit
applications.
• High Collector Emitter Sustaining —
50 AMPERE
POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
100, 120, 140, 150 VOLTS
250 WATTS
hFE = 30–120 @ IC = 20 Adc
hFE = 10 (Min) @ IC = 50 Adc
• Fast Switching Times @ IC 20 Adc
tr = 0.35 µs (Max)
ts = 0.8 µs (Max)
tf = 0.25 µs (Max)
• Complement to 2N6377–79
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 197A–05
TO–204AE
MAXIMUM RATINGS(1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TO–3)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
Peak
ÎÎÎ
IB
100
20 Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 200 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTIC
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
250
200
150
100
50
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200

REV 7

2N6274 2N6275 2N6277
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 50 mAdc, IB = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6274
VCEO(sus)
100 —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6275 120 —
2N6277 150 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6274
ICEO
— 50
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N6275 — 50
(VCE = 75 Vdc, IB = 0) 2N6277 — 50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCB, VEB(off) = 1.5 Vdc)
(VCE = Rated VCB, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C)
ICEX
— 10 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 1.0 mAdc
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VBE = 6.0 Vdc, IC = 0) IEBO — 100
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
IC = 20 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
IC = 50 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎ
50
30
—
120
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
10 —
Coliector–Emitter Saturation Voltage VCE (sat) Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
IC = 20 Adc, IB = 2.0 Adc)
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 50 Adc, IB = 10 Adc)
ÎÎÎ
—
—
1.0
3.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage VBE(sat) Vdc
IC = 20 Adc, IB = 2.0 Adc) — 1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 50 Adc, IB = 10 Adc) — 3.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (IC = 20 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(on) — 1.8 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain Bandwidth Product (2) (IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc, ftest = 10 MHz) fT 30 — MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCC = 80 Vdc, IC = 20 Adc, IB1 = 2.0 Adc, VBE(off) = 5.0 Vdc)
Storage Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCC = 80 Vdc, IC = 20 Adc, IB1 = IB2 = 2.0 Adc)
ts — 0.80 µs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCC = 80 Vdc, IC = 20 Adc, IB1 = IB2 = 2.0 Adc)
v v
(2) fT = |hfe| • ftest
VCC 2.0
+ 80 V
IC/IB = 10
RC 1.0 TJ = 25°C
30 µs 4.0 OHMS 0.7
RB td @ VBE(off) = 5.0 V
0.5
+ 21.5 V 10 OHMS
t, TIME ( µs)
0.3
0
0.2
– 18.5 V 1N3879
0.1
tr, tf ≤ 10 ns tr @ VCC = 80 V
– 4.0 V 0.05
0.03
NOTE: For information of Figures 3 and 6 , RB and RC were 0.02
NOTE: varied to obtain desired test conditions. 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50

2N6274 2N6275 2N6277
1.0

0.7 D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
0.1
0.1 0.05 θJC(t) = r(t) θJC P(pk)
0.07 0.02 θJC = 0.7°C/W MAX
0.03 t1
SINGLE PULSE READ TIME AT t1 t2
0.02 TJ(pk) – TC = P(pk) θJC(t)
DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.01
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 2000
t, TIME (ms)
100
20 TJ = 200°C dc 5.0 ms 100 µs

10
5.0
1.0 The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 200_C; TC is
0.5 SECOND BREAKDOWN LIMITED variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.2 BONDING WIRE LIMITED limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
0.1
THERMALLY LIMITED
@ TC = 25°C (SINGLE PULSE) 2N6274
v 200_C. TJ(pk) may be calculated from the data in Fig-
0.05 ure 4. At high case temperatures, thermal limitations will
0.02 CURVES APPLY BELOW 2N6275
RATED V(BR)CEO 2N6277
2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200
5.0 10,000
3.0 IB1 = IB2 7000 TJ = 25°C
ts 5000
2.0 IC/IB = 10
TJ = 25°C 3000 Cib
C, CAPACITANCE (pF)
1.0 2000
t, TIME ( µs)
0.7
0.5 1000
0.3 tf @ VCC = 80 V 700
500
0.2
300 Cob
0.1 200
0.07
0.05 100
0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100

2N6274 2N6275 2N6277

1000 4.0
700 VCE = 4.0 V TJ = 25°C
3.6 IC = 5.0 A 10 A 30 A
500 VCE = 10 V
3.2 2.0 A
300
TJ = 150°C 2.8
200
2.4
100 + 25°C
2.0
70 – 55°C 1.6
50
1.2
30
0.8
20
0.4
10 0
0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) IB, BASE CURRENT (AMPS)
2.8 + 12
+ 4.0 V

TJ = 25°C hFE @ VCE
2.4 + 10 *APPLIES FOR IC/IB <
4
2.0
V, VOLTAGE (VOLTS)
+ 8.0
– 55°C TO + 25°C
1.6 + 6.0 + 25°C TO + 150°C
1.2 + 4.0
0.8 + 2.0
VBE(sat) @ IC/IB = 4.0 V VCE(sat) *θVC for VCE(sat)
0.4 @ IC/IB = 10 0
θVB for VBE
0 – 2.0
0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50
103 102
TJ = 150°C VCE = 100 V
TJ = 150°C VCE = 100 V

102 101
IB , BASE CURRENT ( µA)
100°C 100°C
101 100
25°C
100 10–1
IC = ICES
25°C
10–1 10– 2
REVERSE FORWARD
REVERSE FORWARD
10– 2 10–3
– 0.1 0 + 0.1 + 0.2 + 0.3 + 0.4 – 0.1 0 + 0.1 + 0.2 + 0.3 + 0.4
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Collector Cut–Off Region Figure 13. Base Cut–off Region

MOTOROLA
NPN
2N6282
Darlington Complementary
Silicon Power Transistors thru
. . . designed for general–purpose amplifier and low–frequency switching applica- 2N6284*
tions. PNP
• High DC Current Gain @ IC = 10 Adc —
hFE = 2400 (Typ) — 2N6282, 2N6283, 2N6284 2N6285
hFE = 4000 (Typ) — 2N6285, 2N6286, 2N6287
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — thru
2N6287*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
DARLINGTON
2N6282 2N6283 2N6284
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
20 AMPERE
Rating Symbol 2N6285 2N6286 2N6287 Unit COMPLEMENTARY
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO 60 80 100 Vdc SILICON
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
POWER TRANSISTORS
Collector–Base Voltage VCB 60 80 100 Vdc 60, 80, 100 VOLTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEB 5.0 Vdc 160 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak
IC 20
40
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
0.915
_C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction TJ,Tstg – 65 to + 200
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 1–07
TO–204AA
*THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RθJC 1.09 _C/W
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200


2N6282 thru 2N6284 2N6285 thru 2N6287
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, IB = 0) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6282, 2N6285
VCEO(sus)
60 —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6283, 2N6286 80 —
2N6284, 2N6287 100 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ 2N6282, 2N6285
ICEO
— 1.0
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N6283, 2N6286 — 1.0
(VCE = 50 Vdc, IB = 0) 2N6284, 2N6287
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCB, VBE(off) = 1.5 Vdc) — 0.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCB, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) — 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 750 18,000
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 100 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 40 mAdc) — 2.0
(IC = 20 Adc, IB = 200 mAdc) — 3.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
VBE(on) — 2.8 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 200 mAdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Magnitude of Common Emitter Small–Signal Short–Circuit |hfe| 4.0 — MHz
Forward Current Transfer Ratio
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
Output Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) 2N6282,83,84
2N6285,86,87
Cob
—
—
400
600
pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
hfe 300 — —

(1) Pulse test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2%
10
VCC 7.0 ts 2N6282/84 (NPN)
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS – 30 V 2N6285/87 (PNP)
5.0
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE e.g.,
[
1N5825 USED ABOVE IB 100 mA 3.0
[
RC
MSD6100 USED BELOW IB 100 mA SCOPE 2.0
t, TIME ( µs)
TUT tf tr
V2 RB
1.0
APPROX 0.7
+ 8.0 V
0
51 D1 [ 8.0 k [
50 0.5
0.3 VCC = 30 Vdc

V1 + 4.0 V I /I = 250
0.2 C B
APPROX 25 µs FOR td AND tr, D1 IS DISCONNECTED IB1 = IB2
td @ VBE(off) = 0 V
– 12 V
v
tr, tf 10 ns
AND V2 = 0
FOR NPN TEST CIRCUIT REVERSE ALL POLARITIES
0.1 J
T = 25°C
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20
DUTY CYCLE = 1.0%

2N6282 thru 2N6284 2N6285 thru 2N6287
1.0

0.7 D = 0.5
0.3 0.2
0.2
0.1
P(pk)
0.1 0.05 RθJC(t) = r(t) RθJC
0.07 RθJC = 1.09°C/W MAX
0.02
0.02 TJ(pk) – TC = P(pk) RθJC(t)
SINGLE PULSE DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
50 50 50
0.1 ms 0.1 ms
20 0.1 ms 20
0.5 ms 20 0.5 ms

0.5 ms
10 10 10
1.0 ms 1.0 ms 1.0 ms
5.0 5.0 5.0
5.0 ms 5.0 ms 5.0 ms
2.0 dc 2.0 dc 2.0 dc
1.0 TJ = 200°C 1.0 TJ = 200°C 1.0 TJ = 200°C
0.5 0.5 0.5
0.2 SECOND BREAKDOWN LIMITED 0.2 SECOND BREAKDOWN LIMITED 0.2 SECOND BREAKDOWN LIMITED
BONDING WIRE LIMITED BONDING WIRE LIMITED BONDING WIRE LIMITED
0.1 THERMAL LIMITATION @ TC = 25°C 0.1 THERMAL LIMITATION @ TC = 25°C 0.1 THERMAL LIMITATION @ TC = 25°C
SINGLE PULSE SINGLE PULSE SINGLE PULSE
0.05 0.05 0.05
2.0 5.0 10 20 50 100 2.0 5.0 10 20 50 100 2.0 5.0 10 20 50 100
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. 2N6282, 2N6285 Figure 6. 2N6283, 2N6286 Figure 7. 2N6284, 2N6287

There are two limitations on the power handling ability of a transistor: average junction temperature and second breakdown.
Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of the transistor that must be observed for reliable operation; i.e. the transistor
must not be subjected to greater dissipation than the curves indicate.
The data of Figures 5, 6 and 7 is based on TJ(pk) = 200_C; TC is variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk) < 200_C. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 4. At high case
temperatures, thermal limitations will reduce the power that can be handled to values less than the limitations imposed by
second breakdown.
10,000 1000
TJ = 25°C TJ = 25°C
hFE, SMALL–SIGNAL CURRENT GAIN
5000
VCE = 3.0 Vdc 700
2000 IC = 10 A
C, CAPACITANCE (PF)
500
1000
500
300 Cib
200
100 Cob
200
50
2N6282/84 (NPN) 2N6282/84 (NPN)
20 2N6285/87 (PNP) 2N6285/87 (PNP)
10 100
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100

2N6282 thru 2N6284 2N6285 thru 2N6287
NPN PNP
2N6282, 2N6283, 2N6284 2N6285, 2N6286, 2N6287
20,000 30,000
VCE = 3.0 V 20,000 VCE = 3.0 V
10,000
TJ = 150°C
7000 TJ = 150°C 10,000

5000 7000
5000
3000 25°C
2000 25°C 3000
2000
1000
– 55°C – 55°C
700 1000
500 700
300 500
200 300
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20
VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

3.0 3.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.6 IC = 5.0 A 10 A 15 A 2.6 15 A

IC = 5.0 A 10 A
2.2 2.2
1.8 1.8
1.4 1.4
1.0 1.0
0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50
3.0 3.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.5 2.5
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.0 2.0

1.5 1.5 VBE(sat) @ IC/IB = 250

1.0 1.0
0.5 0.5
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20

2N6282 thru 2N6284 2N6285 thru 2N6287
NPN PNP
2N6282, 2N6283, 2N6284 2N6285, 2N6286, 2N6287
+ 5.0 + 5.0
+ 3.0 V + 3.0 V

+ 4.0 hFE @ VCE + 4.0 hFE @ VCE

*APPLIES FOR IC/IB ≤ *APPLIES FOR IC/IB ≤
+ 3.0 250 + 3.0 250
+ 2.0 + 2.0 25°C to 150°C

25°C to 150°C
+ 1.0 + 1.0
– 55°C to + 25°C
0 – 55°C to + 25°C 0
– 1.0 *θVC for VCE(sat) – 1.0 *θVC for VCE(sat)
– 2.0 – 2.0
25°C to + 150°C 25°C to + 150°C
– 3.0 θVB for VBE
– 3.0 θVB for VBE
– 4.0 – 55°C to + 25°C – 4.0 – 55°C to + 25°C
– 5.0 – 5.0
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20
Figure 13. Temperature Coefficients
105 103
VCE = 30 V VCE = 30 V
104 102

TJ = 150°C
103 101
TJ = 150°C
102 100 100°C
100°C
101 10–1
REVERSE FORWARD REVERSE FORWARD
100 10–2 25°C
25°C
10–1 10–3
– 0.6 – 0.4 – 0.2 0 + 0.2 + 0.4 + 0.6 + 0.8 + 1.0 + 1.2 + 1.4 + 0.6 + 0.4 + 0.2 0 – 0.2 – 0.4 – 0.6 – 0.8 – 1.0 – 1.2 – 1.4
Figure 14. Collector Cut–Off Region
NPN COLLECTOR PNP COLLECTOR

2N6282 2N6285
2N6283 2N6286
2N6284 2N6287
BASE BASE
[ 8.0 k [ 60 [ 8.0 k [ 60
EMITTER EMITTER
Figure 15. Darlington Schematic

MOTOROLA
High-Power NPN Silicon 2N6338

Transistors 2N6339
. . . designed for use in industrial–military power amplifier and switching circuit
applications. 2N6340
• High Collector–Emitter Sustaining Voltage —
2N6341*
VCEO(sus) = 120 Vdc (Min) — 2N6339 *Motorola Preferred Device
VCEO(sus) = 150 Vdc (Min) — 2N6341 25 AMPERE
• High DC Current Gain — POWER TRANSISTORS
hFE = 30 – 120 @ IC = 10 Adc NPN SILICON
hFE = 12 (Min) @ IC = 25 Adc 100, 120, 140, 150 VOLTS
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage — 200 WATTS
• Fast Switching Times @ IC = 10 Adc
tr = 0.3 µs (Max)
ts = 1.0 µs (Max)
tf = 0.25 µs (Max)
• Complement to 2N6436–38
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol 2N6338 2N6339 2N6340 2N6341 Unit CASE 1–07
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB 120 140 160 180 Vdc TO–204AA
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
(TO–3)
Collector–Emitter Voltage VCEO 100 120 140 150 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current IC Adc
Continuous 25
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak 50
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25_C 200 Watts
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25_C 1.14 W/°C
_C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200

REV 7

2N6338 2N6339 2N6340 2N6341
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6338
2N6339
VCEO(sus) 100
120
—
—
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6340 140 —
2N6341 150 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 50 Vdc, IB = 0)
(VCE = 60 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6338
2N6339
ICEO
— 50
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 50
(VCE = 70 Vdc, IB = 0) 2N6340 — 50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 75 Vdc, IB = 0) 2N6341 — 50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCEO, VEB(off) = 1.5 Vdc) — 10 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCEO, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCB = Rated VCB, IE = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICBO
IEBO
—
—
10
100
µAdc
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain) hFE —
(IC = 0.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 50 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 30 120
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 25 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 12 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Emitter Saturation Voltage VCE(sat) Vdc
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc) — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 25 Adc, IB = 2.5 Adc) — 1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc) — 1.8
(IC = 25 Adc, IB = 2.5 Adc) — 2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (IC = 10 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(on) — 1.8 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product (2) (IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc, ftest = 10 MHz) fT 40 — MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time (VCC ≈ 80 Vdc, IC = 10Adc, IB1 = 1.0 Adc, VBE(off) = 6.0 Vdc) tr — 0.3 µs
Storage Time (VCC ≈ 80 Vdc, IC = 10 Adc, IB1 = IB2 = 1.0 Adc) µs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ts — 1.0
Fall Time (VCC ≈ 80 Vdc, IC = 10 Adc, IB1 = IB2 = 1.0 Adc) tf — 0.25 µs
v v
VCC 1000
700
+ 80 V VCC = 80 V
500
RC IC/IB = 10
8.0 OHMS td @ VBE(off) = 6.0 V TJ = 25°C
300
10 µs RB SCOPE 200
t, TIME (ns)
+ 11 V 10 OHMS
0 100 tr
70
1N4933
– 9.0 V 50
v
tr, tf 10 ns
– 5.0 V 30
DUTY CYCLE = 1.0%
20
NOTE: For information on Figures 3 and 6, RB and RC were 10

varied to obtain desired test conditions. 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30

2N6338 2N6339 2N6340 2N6341
1.0

0.7 D = 0.5
0.3 0.2
0.2
0.1 P(pk)
0.1 θJC = r(t) θJC
0.05 θJC = 0.875°C/W MAX
0.07 0.02
t1 PULSE TRAIN SHOWN
0.03 0.01 t2 READ TIME AT t1
0.02 SINGLE PULSE TJ(pk) – TC = P(pk) θJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, TIME (ms)
100
20
10 down. Safe operating area curves indicate IC–VCE limits of
1.0 ms
dc the transistor that must be observed for reliable operation;
5.0 5.0 ms i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
1.0 BONDING WIRE LIMITED The data of Figure 5 is based on T J(pk) = 200_C; TC is
0.5 THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.2 (SINGLE PULSE) limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
CURVES APPLY BELOW 2N6338
0.05
RATED VCEO 2N6339 At high case temperatures, thermal limitations will reduce the
0.02 2N6340 power that can be handled to values less than the limitations
2N6341 imposed by second breakdown.
0.01
2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200
5.0 5000
3.0 VCC = 80 V 3000 TJ = 25°C
ts IB1 = IB2 Cib
2.0 2000
IC/IB = 10
C, CAPACITANCE (pF)
TJ = 25°C
1.0 1000
t, TIME ( µs)
0.7 700
0.5 500
0.3 300
0.2 tf 200 Cob
0.1 100
0.07 70
0.05 50
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100

MOTOROLA
2N6379*
High-Power PNP Silicon *Motorola Preferred Device
. . . designed for use in industrial–military power amplifier and switching circuit POWER TRANSISTORS
applications. PNP SILICON
80, 100, 120 VOLTS
• High Collector Emitter Sustaining Voltage — 250 WATTS
hFE = 30 – 120 @ IC = 20 Adc
hFE = 10 (Min) @ IC = 50 Adc
tr = 0.35µs (Max)
ts = 0.8 µs (Max) CASE 197A–05
tf = 0.25 µs (Max) TO–204AE
• Complement to 2N6274–77 (TO–3)
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ Rating Symbol Value Unit
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VCB
VCEO
140
120
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Peak 100
Base Current
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IB
PD
20
250
Adc
Watts
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
_C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
250
200
150
100
50
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200

REV 7

2N6379
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage(1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 70 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEO — 50 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 90% Rated VCB, VBE(off) = 1.5 Vdc) µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 10
(VCE = 90% Rated VCB, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 6.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 100 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*ON CHARACTERISTICS(1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
50 —
(IC = 20 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 30 120
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 50 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 10 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) — Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 2.0 Adc) — 1.2
(IC = 50 Adc, IB = 10 Adc) — 3.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 2.0 Adc)
VBE(sat)
— 1.8
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 50 Adc, IB = 10 Adc) — 3.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Current–Gain — Bandwidth Product(2) fT 30 — MHz
(IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc, ftest = 10 MHz)
*Output Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
Cob — 1500 pF
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Rise Time ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
*SWITCHING CHARACTERISTICS (Figure 2)
ÎÎÎ
tr — 0.35 µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCC = 80 Vdc,
Vd IC = 20 Adc,
Ad
IB1 = IB2 = 2.0 Adc)
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2.0%. (2) fT = |hfe| • ftest
VCC 2.0
+ 80 V IC/IB = 10
1.0
TJ = 25°C
RC = 0.7
4.0 OHMS
0.5 tr @ VCC = 80 V
+ 19 V RB = SCOPE
t, TIME (ns)
0 10 OHMS 0.3
0.2
– 21 V
30 µs MR850
0.1 td @ VBE(off) [ 5.0 V
v
tr, tf 10 ns
+ 4.0 V
0.07
0.03
NOTE: For information on Figures 3 & 6, RB and RC were 0.02
varied to obtain desired test conditions. 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50

2N6379
1.0

0.7 D = 0.5
0.3 0.2
0.2
0.1
P(pk) θJC(t) = r(t) θJC
0.1 0.05
θJC = 0.7°C/W MAX
0.07 0.02
0.02 SINGLE PULSE TJ(pk) – TC = P(pk) θJC(t)
0.01
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 2000
t, TIME (ms)
100
20 5.0 ms 100 µs
10 dc
5.0
TJ = 200°C
2.0
1.0 The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 200_C; TC is
0.5 SECOND BREAKDOWN LIMITED variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.2 BONDING WIRE LIMITED limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
0.1 THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C
(SINGLE PULSE)
0.05 2N6377 At high case temperatures, thermal limitations will reduce the
CURVES APPLY BELOW
0.02 RATED VCEO 2N6379
2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200
2.0 10,000
IB1 = IB2 7,000 TJ = 25°C
1.0 ts IC/IB = 10 5,000
0.7 TJ = 25°C
3,000 Cib
0.5
CAPACITANCE (pF)
2,000
t, TIME ( µs)
0.3
0.2 Cob
1,000
700
0.1 tf @ VCC = 80 V
500
0.07 300
0.05
200
0.03
0.02 100
0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100

2N6379

200 4.0
TJ = 25°C
TJ = + 150°C
3.2
100
70 + 25°C 2.4
50 30 A
10 A
1.6
30 – 55°C
5.0 A
20 0.8
VCE = 4.0 V
VCE = 10 V
IC = 2.0 A
10 0
0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
2.8 + 3.0
t hFE @ VCE4 + 4.0 V

2.4 TJ = 25°C *APPLIES FOR IC/IB
+ 2.0
– 55°C to + 25°C
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.0
+ 25°C to + 150°C
1.6 + 1.0
*θVC for VCE(sat)

1.2 0
0.8
VBE @ VCE = 4.0 V – 1.0
0.4 θVB for VBE
0 – 2.0
0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50
1000 100
500 50 VCE = 40 V
VCE = 40 V TJ = 150°C
200
100 20
IB , BASE CURRENT (µ A)
50 TJ = 150°C 10
20 5.0 100°C
10 100°C
5.0 2.0
2.0 1.0
25°C
1.0 25°C
0.5
0.5
REVERSE FORWARD 0.2 REVERSE FORWARD
0.2
0.1 0.1
+ 0.2 + 0.1 0 – 0.1 – 0.2 – 0.3 – 0.4 – 0.5 + 0.2 + 0.1 0 – 0.1 – 0.2 – 0.3 – 0.4 – 0.5
Figure 12. Collector Cut–Off Region Figure 13. Base Cutoff Region

MOTOROLA
2N6387
Plastic Medium-Power 2N6388*
Silicon Transistors *Motorola Preferred Device

• High DC Current Gain — DARLINGTON
hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc 8 AND 10 AMPERE
• Collector–Emitter Sustaining Voltage – @ 100 mAdc NPN SILICON
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — 2N6387 POWER TRANSISTORS
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — 2N6388 60 – 80 VOLTS
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage — 65 WATTS
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc — 2N6387, 2N6388
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current — Continuous IC 10 10 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak 15 15
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Current IB 250 mAdc CASE 221A–06
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation PD TO–220AB
@ TC = 25_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
65 Watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Total Power Dissipation
ÎÎÎÎÎÎÎ
@ TA = 25_C
ÎÎÎ
Derate above 25_C
PD
2.0 Watts
W/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
0.016
Operating and Storage Junction, TJ, Tstg – 65 to + 150 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristics Symbol Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient RθJA 62.5 _C/W
TA TC
4.0 80
3.0 60
TC
2.0 40
TA
1.0 20
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160

REV 7

2N6387 2N6388
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6387
VCEO(sus)
60 —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6388 80 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N6387
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 1.0
(VCE = 80 Vdc, IB = 0) 2N6388 — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEX
— 300
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE – 80 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) 2N6388 — 300
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 125_C) 2N6387 — 3.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 2N6387, 2N6388 1000 20,000
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1 0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 2N6387, 2N6388 100 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 0.1 Adc)
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, IB = 0.01 Adc) 2N6387, 2N6388
2N6387, 2N6388
VCE(sat)
—
—
2.0
3.0
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 2N6387, 2N6388
VBE(on)
— 2.8
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 2N6387, 2N6388 — 4.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain |hfe| 20 —
(IC = 1.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc, ftest = 1.0 MHz)
Output Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cob — 200 pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hfe 1000 — —

7.0
VCC 5.0
RB AND RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS + 30 V
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPES, e.g., 3.0
[
ts
1N5825 USED ABOVE IB 100 mA
[
RC
MSD6100 USED BELOW IB 100 mA SCOPE tf
t, TIME ( µs)
TUT 1.0
V1 RB
0.7 tr
APPROX
+ 12 V
0
51 D1 [8.0 k [120
0.3 VCC = 30 V
0.2 IC/IB = 250 td
V2 – 4.0 V IB1 = IB2
APPROX 25 µs FOR td AND tr, D1 IS DISCONNECTED TJ = 25°C
–8V 0.1
v
AND V2 = 0
tr, tf 10 ns 0.07
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
DUTY CYCLE = 1.0%

2N6387 2N6388
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.2
(NORMALIZED)
0.1
0.1 P(pk)
ZθJC (t) = r(t) RθJC
0.07 0.05
RθJC = 1.92°C/W MAX
0.02
PULSE TRAIN SHOWN
0.03 t1
READ TIME AT t1 t2
0.02 0.01 TJ(pk) – TC = P(pk) ZθJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0 k
t, TIME (ms)
20
10 10 µs transistor: average junction temperature and second break-

dc 50 µs
1 ms the transistor that must be observed for reliable operation;
2.0 50 ms i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
1.0 5 ms tion than the curves indicate.
0.5
TJ = 150°C The data of Figure 5 is based on T J(pk) = 150_C; TC is
THERMALLY LIMITED @ TC = 100°C
0.1 SECOND BREAKDOWN LIMITED < 150_C. T J(pk) may be calculated from the data in Figure 4.
CURVES APPLY BELOW RATED VCEO At high case temperatures, thermal limitations will reduce the
2N6388 imposed by second breakdown
0.03
1.0 2.0 4.0 6.0 10 20 40 60 80
Figure 5. Active-Region Safe Operating Area
10,000 300
5000 TJ = 25°C
3000 200
2000
C, CAPACITANCE (pF)
1000
500 Cob
300 TC = 25°C 100
200 VCE = 4.0 Vdc
IC = 3.0 Adc 70 Cib
100
50 50
30
20
10 30
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100

2N6387 2N6388

20,000 3.0
VCE = 4.0 V TJ = 25°C
10,000
2.6
5000 IC = 2.0 A 4.0 A 6.0 A

TJ = 150°C
3000 2.2
2000
25°C 1.8
1000
– 55°C
500 1.4
300
200 1.0
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
3.0 + 5.0
+ 4.0 V

TJ = 25°C + 4.0 hFE @ VCE
*IC/IB ≤
2.5 + 3.0 3
25°C to 150°C
V, VOLTAGE (VOLTS)
+ 2.0
2.0 + 1.0
*θVC for VCE(sat) – 55°C to 25°C
0
1.5 VBE(sat) @ IC/IB = 250 – 1.0
– 2.0
VBE @ VCE = 4.0 V 25°C to 150°C
– 55°C to 25°C
– 4.0
0.5 – 5.0
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
105
REVERSE FORWARD COLLECTOR
104
VCE = 30 V
103
102 BASE
TJ = 150°C
101
[ 8.0 k [ 120
100 100°C
25°C
10– 1 EMITTER
– 0.6 – 0.4 – 0.2 0 + 0.2 + 0.4 + 0.6 + 0.8 + 1.0 + 1.2 + 1.4
Figure 12. Collector Cut–Off Region Figure 13. Darlington Schematic

MOTOROLA
2N6436
High-Power PNP Silicon 2N6437
Transistors 2N6438*
. . . designed for use in industrial–military power amplifier and switching circuit
applications. *Motorola Preferred Device

25 AMPERE
POWER TRANSISTORS
PNP SILICON
80, 100, 120 VOLTS
200 WATTS
hFE = 20–80 @IC = 10 Adc
hFE = 12 (Min) @ IC = 25 Adc
tr = 0.3 µs (Max)
ts = 1.0 µs (Max)
tf = 0.25 µs (Max)
• Complement to NPN 2N6338 thru 2N6341
CASE 1–07
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1) TO–204AA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
(TO–3)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak 50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
TJ,Tstg – 65 to + 200 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200

REV 7

2N6436 2N6437 2N6438
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1) 2N6436 VCEO(sus) 80 — Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 50 mAdc, IB = 0) 2N6437 100 —
2N6438 120 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, IB = 0)
(VCE = 50 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6436
2N6437
ICEO
—
—
50
50
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N6438 — 50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEX µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 90 Vdc, VBE(off) = –1.5 Vdc) 2N6436 — 10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, VBE(off) = –1.5 Vdc, TC = 150_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6436 — 1.0 mAdc
(VCE = 100 Vdc, VBE(off) = –1.5 Vdc, TC = 150_C) 2N6437 — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 120 Vdc, VBE(off) = –1.5 Vdc, TC = 150_C) 2N6438 — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICBO µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 100 Vdc, IE = 0) 2N6436 — 10
(VCB = 120 Vdc, IE = 0) 2N6437 — 10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 140 Vdc, IE = 0) 2N6438 — 10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VEB = 6.0 Vdc, IC = 0) IEBO — 100 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 30 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 20 120
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 25 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 12 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc) — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 25 Adc, IB = 2.5 Adc) — 1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (1) VBE(sat) Vdc
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 1.8
(IC = 25 Adc, IB = 2.5 Adc) — 2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product (IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc, ftest = 10 MHz) fT 40 — MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance (VCE = 10 Vdc, IE = 0, f = 100 kHz) Cob — 700 pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time (VCC = 80 Vdc, IC = 10 A, VBE(off) = 6.0 Vdc, IB1 = 1.0 Adc) tr — 0.3
Storage (VCC = 80 Vdc, IC = 10 A, VBE(off) = 6.0 Vdc, IB1 = IB2 = 1.0 Adc) ts — 1.0 µs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time (VCC = 80 Vdc, IC = 10 A,VBE(off) = 6.0 Vdc, IB1 = IB2 = 1.0 Adc)
300 µs; Duty Cycle v 2.0%.
tf — 0.25 µs
VCC 0.3
+ 80 V 0.2 td @ VBE(off) = 6.0 V VCC = 80 V
IC/IB = 10
RC TJ = 25°C
1.0
8.0 OHMS
0.7
+ 9.0 V RB = SCOPE 0.5
t, TIME ( µs)
0 10 OHMS
0.3 tr
– 11 V 0.2
10 µs MBR745
v
tr, tf 10 ns
– 5.0 V
0.1
0.05
NOTE: For information on Figures 3 and 6, RB and RC were 0.03
varied to obtain desired test conditions. 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30

2N6436 2N6437 2N6438
1.0

0.7 D = 0.5
r(t) EFFECTIVE TRANSIENT 0.5
0.3 0.2
0.2
0.1
P(pk) ZθJC(t) = r(t)RθJC
0.1 0.05 RθJC = 0.875°C/W MAX
0.05 t1 PULSE TRAIN SHOWN
0.03 t2 READ TIME AT t1
0.01
TJ(pk) – TC = P(pk) ZθJC(t)
SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
100
50 200 µs There are two limitations on the power handling ability of a
20 1.0 ms
10 5.0 ms down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
dc the transistor that must be observed for reliable operation;
5.0 TJ = 200°C
1.0 BONDING WIRE LIMITED The data of Figure 5 is based on T J(pk) = 200_C; TC is
0.5 THERMALLY LIMITED
TC = 25°C (SINGLE PULSE)
0.2
0.1
PULSE DUTY CYCLE 10% v limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
0.05 2N6436 At high case temperatures, thermal limitations will reduce the
CURVES APPLY 2N6437
0.02 BELOW RATED VCEO 2N6438 power that can be handled to values less than the limitations
2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200
3.0 4000
2.0 VCC = 80 V 3000
ts IB1 = IB2 TJ = 25°C
1.0 IC/IB = 10 2000 Cib
0.7 TJ = 25°C
CAPACITANCE (pF)
0.5 tf
t, TIME ( µs)
Cob
1000
0.3
0.2 700
0.1 500
0.07
300
0.05
0.03 200
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
Figure 6. Turn-Off Time Figure 7. Capacitance

2N6436 2N6437 2N6438

200 2.0
TJ = 25°C
TJ = 150°C 1.8
1.6 IC = 2.0 A 5.0 A 10 A 20 A
100
+ 25°C 1.4
70
1.2
50 – 55°C 1.0
0.8
30
0.6
20 0.4
VCE = 2.0 V
VCE = 4.0 V 0.2
10 0
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 0.02 0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0
2.0 + 2.5
v hFE @ VCE2 + 2.0 V

1.8 TJ = 25°C
+ 2.0
*APPLIES FOR IC/IB
1.6 + 1.5
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.4 + 1.0
+ 25°C to +150°C
1.2 + 0.5 *θVC FOR VCE(sat)
1.0 0
VBE(sat) @ IC/IB = 10 – 55°C to + 25°C
0.8 – 0.5
+ 25°C to +150°C
0.6 – 1.0
VBE @ VCE = 2.0 V θVB FOR VBE
0.4 – 1.5
0.2 VCE(sat) @ IC/IB = 10 – 2.0 – 55°C to + 25°C

0 – 2.5
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
102 101
TJ = +150°C VCE = 40 V
TJ = +150°C
101 100
IB , BASE CURRENT (µ A)
+100°C
+100°C
100 10–1
10–1 VCE = 40 V 10–2

+ 25°C
+ 25°C
10–2 REVERSE FORWARD 10–3
REVERSE FORWARD
10–3 10–4
+ 0.2 + 0.1 0 – 0.1 – 0.2 – 0.3 – 0.4 – 0.5 + 0.16 + 0.08 0 – 0.08 – 0.16 – 0.24
Figure 12. Collector Cut-Off Region Figure 13. Base Cutoff Region

MOTOROLA
NPN
Complementary Silicon Plastic 2N6487
Power Transistors 2N6488 *
. . . designed for use in general–purpose amplifier and switching applications. PNP
• DC Current Gain Specified to 15 Amperes — 2N6490
hFE = 20 – 150 @ IC = 5.0 Adc
hFE = 5.0 (Min) @ IC = 15 Adc
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — 2N6491*
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) – 2N6487, 2N6490 *Motorola Preferred Device
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) – 2N6488, 2N6491
• High Current Gain — Bandwidth Product 15 AMPERE
fT = 5.0 MHz (Min) @ IC = 1.0 Adc
COMPLEMENTARY
• TO–220AB Compact Package SILICON
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
POWER TRANSISTORS
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
60 – 80 VOLTS
2N6487 2N6488 75 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ IB 5.0 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25_C
PD 75
0.6
Watts
W/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 150 _C
CASE 221A–06
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–220AB
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient RθJA 70 _C/W
TA TC
4.0 80
3.0 60
TC
2.0 40
TA
1.0 20
0 0
0 20 40 60 80 100 120 140 160

REV 7

2N6487 2N6488 2N6490 2N6491
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6487, 2N6490
VCEO(sus)
60 —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6488, 2N6491 80
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1) VCEX Vdc
(IC = 200 mAdc, VBE = 1.5 Vdc) 2N6487, 2N6490
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
70 —
2N6488, 2N6491 90 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6487, 2N6490
ICEO
— 1.0
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N6488, 2N6491 — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) 2N6487, 2N6490 — 5.0
(VCE = 80 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) 2N6488, 2N6491 — 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
(IC = 15 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
hFE
20
5.0
150
—
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, IB = 0.5 Adc)
VCE(sat)
— 1.3
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 15 Adc, IB = 5.0 Adc) — 3.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage VBE(on) Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) — 1.3
(IC = 15 Adc, VCE = 4.0 Vdc) — 3.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, ftest = 1.0 MHz)
fT 5.0 — MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC
+ 30 V 1000
25 µs RC 500
+ 10 V tr
SCOPE
RB 200
0
t, TIME (ns)
– 10 V 100
51 D1
v
tr, tf 10 ns 50 NPN td @ VBE(off) [ 5.0 V
DUTY CYCLE = 1.0% –4V PNP
RB AND RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS. TC = 25°C
FOR PNP, REVERSE ALL POLARITIES. 20
VCC = 30 V
IC/IB = 10
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:
[
10
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
[
MSD6100 USED BELOW IB 100 mA IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)

2N6487 2N6488 2N6490 2N6491
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.2
(NORMALIZED)
0.1
0.1 ZθJC (t) = r(t) RθJC P(pk)
0.07 0.05
0.02
PULSE TRAIN SHOWN
0.03 t1
READ TIME AT t1 t2
0.02 0.01 TJ(pk) – TC = P(pk) ZθJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0 k
t, TIME (ms)
20
10 100 µs transistors average junction temperature and second break-
500 µs down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of

5.0
2.0 1.0 ms
TJ = 150°C
1.0 SECOND BREAKDOWN LIMITED 5.0 ms
0.2
At high case temperatures, thermal limitations will reduce the
2N6487, 2N6490 dc
2N6488, 2N6491
0.1 imposed by second breakdown
2.0 4.0 10 20 40 60 80
5000 1000
700
ts
Cob
C, CAPACITANCE (pF)
1000
300 Cib
t, TIME (ns)
500 tf Cob
200
NPN
200 PNP VCC = 30 V
100 NPN
IC/IB = 10
100 IB1 = IB2 PNP
70
TJ = 25°C TJ = 25°C
50 50
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50
Figure 6. Turn–Off Time Figure 7. Capacitances

2N6487 2N6488 2N6490 2N6491
NPN PNP
2N6487, 2N6488 2N6490, 2N6491
500 500
TJ = 150°C
200 25°C 200 TJ = 150°C

25°C
100 100
– 55°C – 55°C
50 50
20 20
VCE = 2.0 V
10 10 VCE = 2.0 V
5.0 5.0
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20

2.0 2.0
1.8 TJ = 25°C 1.8 TJ = 25°C
1.6 1.6
1.4 1.4
1.2 1.2
1.0 IC = 1.0 A 1.0 IC = 1.0 A 4.0 A 8.0 A
0.8 0.8
4.0 A 8.0 A
0.6 0.6
0.4 0.4
0.2 0.2
0 0
5.0 10 20 50 100 200 500 1000 2000 5000 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 2000 5000
2.8 2.8
2.4 TJ = 25°C 2.4 TJ = 25°C

V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.0 2.0
1.6 1.6
1.2 1.2
VBE(sat) = IC/IB = 10 VBE(sat) @ IC/IB = 10
0.8 0.8
0.4 0.4
0 0
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20

MOTOROLA
2N6497
High Voltage NPN Silicon Power 2N6498*
5 AMPERE
. . . designed for high voltage inverters, switching regulators and line–operated
POWER TRANSISTORS
amplifier applications. Especially well suited for switching power supply applications.
NPN SILICON
• High Collector–Emitter Sustaining Voltage — 250 & 300 VOLTS
VCEO(sus) = 250 Vdc (Min) — 2N6497 80 WATTS
• Excellent DC Current Gain
hFE = 10 – 75 @ IC = 2.5 Adc
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage @ IC = 2.5 Adc —
VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) — 2N6497
VCE(sat) = 1.25 Vdc (Max) — 2N6498
CASE 221A–06
TO–220AB
ÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEB 6.0 6.0 Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous IC 5.0 5.0 Adc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak 10 10
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Base Current IB 2.0 2.0 Adc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25_C PD 80 80 Watts
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction Temperature Range
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TJ,Tstg – 65 to + 150 – 65 to + 150 _C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
RθJC 1.56 _C/W
REV 7

2N6497 2N6498
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6497
VCEO(sus)
250 — —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6498 300 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 350 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N6497
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— — 1.0
(VCE = 400 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N6498 — — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 175 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 100_C) 2N6497 — — 10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VBE = 6.0 Vdc, IC = 0) ÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 2.5 Adc, VCE = 10 Vdc)
(IC = 5.0 Adc, VCE = 10 Vdc)
ÎÎÎ
hFE
10 — 75
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
3.0 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.5 Adc, IB = 500 mAdc) 2N6497 — — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6498 — — 1.25
(IC = 5.0 Adc, IB = 2.0 Adc) All Devices
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— — 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.5 Adc, IB = 500 mAdc) — — 1.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, IB = 2.0 Adc) — — 2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product fT 5.0 — — MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 250 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance Cob — — 150 pF
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 100 kHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCC = 125 Vdc, IC = 2.5 Adc, IB1 = 0.5 Adc)
tr — 0.4 1.0 µs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time ts — 1.4 2.5 µs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCC = 125 Vdc, IC = 2.5 Adc, VBE = 5.0 Vdc, IB1 = IB2 = 0.5 Adc)
µs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time tf — 0.45 1.0
(VCC = 125 Vdc, IC = 2.5 Adc, IB1 = IB2 = 0.5 Adc)
v v
VCC
+ 125 V 1.0
0.7 VCC = 125 V
+ 11 V
25 µs RC [ 50 0.5 IC/IB = 5.0
TJ = 25°C
SCOPE 0.3
0 RB [ 20 0.2
tr
t, TIME ( µs)
0.1
– 9.0 V D1
v
tr, tf 10 ns
0.07
0.05
DUTY CYCLE = 1.0% – 5.0 V
0.03 td @ VBE(off) = 5.0 V
RB AND RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
0.02
[
[
MSD6100 USED BELOW IB 100 mA
0.01
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0

2N6497 2N6498
1.0

0.7 D = 0.5
0.3 0.2
0.2
0.1
P(pk)
0.1 0.05 RθJC(max) = 1.56°C/W
t1 SINGLE READ TIME AT t1
0.03 SINGLE PULSE t2 PULSE TJ(pk) – TC = P(pk) RθJC(t)
0.02 0.01
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000

10

5.0
2.0 dc 5.0 ms 1.0 ms 100 µs i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
1.0
TC = 25°C
0.5 variable depending on power level. Second breakdown pulse
v
THERMAL LIMIT (SINGLE PULSE) 150_C. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 3.
0.1 SECOND BREAKDOWN LIMIT At high case temperatures, thermal limitations will reduce the
0.05 CURVES APPLY BELOW RATED VCEO 2N6497 power that can be handled to values less than the limitations
2N6498 imposed by second breakdown. Second breakdown limita-
0.02 tions do not derate the same as thermal limitations. Allow-
5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) able current at the voltage shown on Figure 4 may be found
at any case temperature by using the appropriate curve on
Figure 4. Active–Region Safe Operating Area Figure 6.
10 100
7.0 VCC = 125 V
5.0 ts IC/IB = 5.0 SECOND BREAKDOWN DERATING
TJ = 25°C 80
3.0
2.0
t, TIME ( µs)
60
1.0
0.7 THERMAL DERATING
40
0.5
0.3 tf
20
0.2
0.1 0
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 0 20 40 60 80 100 120 140 160
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) TC, CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 5. Turn–Off Time Figure 6. Power Derating

2N6497 2N6498

100 4.0
TJ = 150°C TJ = 25°C
VCE = 10 V
70
3.2
50
25°C
30 2.4
20 – 55°C
1.6
IC = 1.0 A 2.0 A 3.0 A 5.0 A

10
0.8
7.0
5.0 0
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
1.4 + 4.0
v hFE @ VCE3 + 10 V

TJ = 25°C
1.2 + 3.0 *APPLIES FOR IC/IB
1.0 + 2.0
V, VOLTAGE (VOLTS)
VBE(sat) @ IC/IB = 5.0

+ 1.0 *θVC for VCE(sat) 25°C to 150°C
0.8
0.6 VBE @ VCE = 10 V 0

– 55°C to 25°C
0.4 – 1.0
25°C to 150°C
θVB for VBE
0.2 VCE(sat) @ IC/IB = 5.0 – 2.0
IC/IB = 2.5 – 55 to 25°C
0 – 3.0
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0
104 1000
VCE = 200 V 700
103 500 Cib
300
C, CAPACITANCE (pF)
102 TJ = 150°C
200
TJ = 25°C
101 100°C
100
70
100 50
30 Cob
10–1 25°C 20
REVERSE FORWARD
10–2 10
– 0.1 – 0.2 0 + 0.2 + 0.4 + 0.6 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 6.0 10 20 40 60 100 200 400
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Collector Cutoff Region Figure 12. Capacitance

MOTOROLA
2N6547
Designer's  Data Sheet
Switchmode Series NPN Silicon 15 AMPERE
NPN SILICON
Power Transistors POWER TRANSISTORS

300 and 400 VOLTS
175 WATTS
The 2N6547 transistor is designed for high–voltage, high–speed, power switching
in inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and
220 volt line operated switch–mode applications such as:
• Switching Regulators
• PWM Inverters and Motor Controls
• Solenoid and Relay Drivers
• Deflection Circuits
Specification Features —
High Temperature Performance Specified for: CASE 1–07
Reversed Biased SOA with Inductive Loads TO–204AA
Switching Times with Inductive Loads (TO–3)
Saturation Voltages
Leakage Currents
ÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Rating Symbol Value Unit
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO(sus)
VCEX(sus)
400
450
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Base Voltage
ÎÎÎÎ
VCEV
VEB
850
9.0
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (2) ICM 30
ÎÎÎÎÎÎÎ
— Peak (2) IBM 20
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Emitter Current — Continuous IE 25 Adc
— Peak (2) IEM 35
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ PD Watts
@ TC = 25_C 175
@ TC = 100_C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 200 _C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
RθJC 1.0 _C/W
ÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for Soldering
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Purposes: 1/8″ from Case for 5 Seconds
TL 275 _C
Designer’s Data for “Worst Case” Conditions — The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit
curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.
REV 4

2N6547
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 100 mA, IB = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6546
VCEO(sus)
300 —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6547 400 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEX(sus) Vdc
(IC = 8.0 A, Vclamp = Rated VCEX, TC = 100_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6546 350 —
2N6547 450 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 15 A, Vclamp = Rated VCEO = 100 V, 2N6546 200 —
TC = 100_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6547 300 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc) — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 100_C) — 4.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCEV, RBE = 50 Ω, TC = 100_C)
ICER — 5.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 9.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with base forward biased IS/b 0.2 — Adc
t = 1.0 s (non–repetitive) (VCE = 100 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
hFE
12 60
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 6.0 30
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 2.0 Adc) — 1.5
(IC = 15 Adc, IB = 3.0 Adc) — 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 2.0 Adc, TC = 100_C) — 2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 2.0 Adc)
(IC = 10 Adc, IB = 2.0 Adc, TC = 100_C
VBE(sat)
—
—
1.6
1.6
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product fT 6.0 28 MHz
Output Capacitance ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc, ftest = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ Cob 125 500 pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, ftest = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Resistive Load
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Delay Time td — 0.05 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time (VCC = 250 V, IC = 10 A, tr — 1.0 µs
IB1 = IB2 = 2.0
20A A, tp = 100 µs
µs,
v
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time Duty Cycle 2.0%) ts — 4.0 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Inductive Load, Clamped
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time ((IC = 10 A(pk),
( ) Vclamp ts — 5.0 µs
clam = Rated VCEX, IB1 = 2.0 A,
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Fall Time VBE(off) = 5.0 Vdc, TC = 100_C) tf — 1.5 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Typical
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
( ) Vclamp ts 2.0 µs
clam = Rated VCEX, IB1 = 2.0 A,
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time VBE(off) = 5.0 Vdc, TC = 25_C) tf 0.09 µs
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2%.

2N6547
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS

100 2.0
TJ = 25°C
70
TJ = 150°C
1.6
50
30 25°C 1.2 IC = 2.0 A 5.0 A 10 A 15 A
20
0.8
– 55°C
10
0.4
VCE = 2.0 V
7.0
VCE = 10 V
5.0 0
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) IB, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.4 2.5
v hFE @ VCE3 + 2.0 V

TJ = 25°C 2.0
1.2 *APPLIES FOR IC/IB
1.5
1.0
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.0
25°C to 150°C
VBE(sat) @ IC/IB = 5.0 0.5 *θVC for VCE(sat)
0.8
0
0.6 VBE(on) @ VCE = 2.0 V – 55°C to 25°C
– 0.5
0.4 – 1.0 25°C to 150°C
θVB for VBE
– 1.5
0.2 – 55°C to 25°C
VCE(sat) @ IC/IB = 5 – 2.0
0 – 2.5
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20
3.0 k 10 k
2.0 k VCC = 250 V 7.0 k
tr IC/IB = 5.0 5.0 k ts
1.0 k TJ = 25°C
3.0 k
700
2.0 k
500
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
300 1.0 k VCC = 250 V

700 IC/IB = 5.0
200
tf IB1 = IB2
td @ VBE(off) = 5.0 V 500 TJ = 25°C
100 300
70
200
50
30 100
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20

2N6547
MAXIMUM RATED SAFE OPERATING AREAS
50 20
10 ms TURN OFF LOAD LINE
20 BOUNDARY FOR 2N6547.
1.0 ms

10 FOR 2N6546, VCEO AND
5.0 ms 16 VCEX ARE 100 VOLTS LESS.
5.0 100 µs
2.0 dc
1.0 12
0.5 VCEX(sus)
TC = 25°C
0.2 8.0 8.0 V
v
0.05 THERMAL LIMIT (SINGLE PULSE) VCEO(sus)
4.0 VBE(off) 5 V
v
SECOND BREAKDOWN LIMIT VCEX(sus)
0.02 2N6546 TC 100°C
0.01 CURVES APPLY BELOW RATED VCEO 2N6547
0.005 0
5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 400 0 100 200 300 400 500
Figure 7. Forward Bias Safe Operating Area Figure 8. Reverse Bias Safe Operating Area

SECOND BREAKDOWN
80 DERATING
60 tion than the curves indicate.
The data of Figure 7 is based on TC = 25_C; T J(pk) is
THERMAL DERATING
40 limits are valid for duty cycles to 10% but must be derated
when TC ≥ 25_C. Second breakdown limitations do not der-
20 ate the same as thermal limitations. Allowable current at the
voltages shown on Figure 7 may be found at any case tem-
perature by using the appropriate curve on Figure 9.
0 T J(pk) may be calculated from the data in Figure 10. At
0 40 80 120 160 200
TC, CASE TEMPERATURE (°C) high case temperatures, thermal limitations will reduce the
Figure 9. Power Derating imposed by second breakdown.
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.2
(NORMALIZED)
0.1
0.07 0.05
0.02
PULSE TRAIN SHOWN
0.03 t1
READ TIME AT t1 t2
0.02 0.01 TJ(pk) – TC = P(pk) ZθJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0 k
t, TIME (ms)

MOTOROLA
2N6576
NPN Silicon Power Darlington 2N6577
Transistors 2N6578
General–purpose EpiBase power Darlington transistors, suitable for linear and
switching applications. 15 AMPERE
• Replacement for 2N3055 and Driver POWER TRANSISTORS
• High Gain Darlington Performance NPN SILICON
• Built–in Diode Protection for Reverse Polarity Protection DARLINGTON
• Can Be Driven from Low–Level Logic 60, 90, 120 VOLTS
• Popular Voltage Range 120 WATTS
• Operating Range — – 65 to + 200_C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO(sus) 60 90 120 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 1–07
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current — Continuous IC 15 Adc TO–204AA
— Peak 30 (TO–3)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak
IB 0.25
0.50
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Current — Continuous IE 15.25 Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak 30.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation PD
@ TC = 25_C 120 Watts
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Purposes: 1/16″ from Case for 10s.
DARLINGTON SCHEMATIC
COLLECTOR
BASE
[4k [ 50
EMITTER
REV 7

2N6576 2N6577 2N6578
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, IB = 0) 2N6576
VCEO(sus)
60 —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6577 90 —
2N6578 120 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = Rated Value)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEO
ICER
—
—
1.0
5.0
mAdc
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCER = Rated VCEO(sus) Value, RBE = 10 kΩ, TC = 150_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEV — 5.0 mAdc
VCEX = Rated VCEO(sus) Value, VBE(off) = 1.5 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCB = Rated Value)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICBO — 0.5 mAdc
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 15 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 100 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 500 5,000
(IC = 4.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 2000 20,000
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.4 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 200 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 15 Adc, IB = 0.15 Adc) — 4.0
(IC = 10 Adc, IB = 0.1 Adc) — 2.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 15 Adc, IB = 0.15 Adc)
(IC = 10 Adc, IB = 0.1 Adc)
VBE(sat)
—
—
4.5
3.5
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Diode Voltage Drop
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IEC = 15 Adc)
VF — 4.5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Magnitude of Common–Emitter Small–Signal Short–Circuit Current Transfer Ratio |hfe| 10 200 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RESISTIVE LOAD (Figure 2)
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ v ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Delay Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Rise Time
ÎÎÎ
(VCC = 30 Vdc, IC = 10 Adc, IB1 = 0.1 Adc,
tp = 300 µs, Duty Cycle 2.0%)
td
tr
—
—
0.15
1.0
µs
µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCC = 30 Vdc, IC = 10 Adc, IB1 = IB2 = 0.1 Adc,
v Fall Time tp = 300 µs, Duty Cycle 2.0%) tf — 7.0 µs
v v
(1) Pulse test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.

100 µs

10
5.0 dc i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
TJ = 200°C 1.0 ms tion than the curves indicate.
2.0 BONDING WIRE LIMITED The data of Figure 1 is based on TC = 25_C; TJ(pk) is
5.0 ms
1.0 THERMAL LIMIT, SINGLE PULSE, variable depending on power level. Second breakdown pulse
TC = 25°C limits are valid for duty cycles to 10%.
0.5 SECOND BREAKDOWN LIMIT TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 6. At high
0.2 2N6576 case temperatures thermal limitations will reduce the power
2N6577 that can be handled to values less than the limitations im-
0.1
2N6578 posed by second breakdown.
0.05
2.0 5.0 10 20 40 60 100 150
Figure 1. Rated Forward Biased

Safe–Operating Area

2N6576 2N6577 2N6578
5
10 k
VCE , COLLECTOR–EMITTER (VOLTS)

+ 150°C 4
5k
15 A
VCE = 3 Vdc 3
2k 25°C
10 A
1k 2
5A
500 – 30°C
1 1A
0.5
200
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 15 0.0001 0.0003 0.001 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) IB, BASE CURRENT (AMPS)
5
IC/IB = 100 VBE(on) @ VCE = 3 V, 25°C
4 4
V, VOLTAGE (VOLTS)
TJ = + 150°C
3 3
+ 25°C
– 30°C – 30°C
2 2
+ 25°C
1.5 1.5
+150°C
1 1
0.5 0.5
0.2 0.5 1 2 5 10 15 0.2 0.5 1 2 5 10 15

Figure 4. Collector Saturation Voltage Figure 5. Base–Emitter Voltage
0.1
0.7
D = 0.5
0.5
r(t) EFFECTIVE TRANSIENT
0.3 0.2
0.2
0.1 P(pk)
0.1 θJC(t) = r(t) θJC
0.05 θJC = 1.46
0.07
0.03 SINGLE PULSE READ TIME AT t1 t2
0.02 0.01 TJ(pk) – TC = P(pk) θJC(t)
0.01
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1000
t, TIME (ms)

MOTOROLA
2N6609
(See 2N3773)
Darlington Silicon 2N6667

Power Transistors 2N6668
. . . designed for general–purpose amplifier and low speed switching applications.
• High DC Current Gain — hFE = 3500 (Typ) @ IC = 4 Adc
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 200 mAdc PNP SILICON
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — 2N6667 DARLINGTON
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — 2N6668 POWER TRANSISTORS
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage — VCE(sat) = 2 Vdc (Max) @ IC = 5 Adc 10 AMPERES
• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors 60 – 80 VOLTS
• TO–220AB Compact Package 65 WATTS
• Complementary to 2N6387, 2N6388
COLLECTOR
BASE
[ 8 k [ 120
CASE 221A–06
TO–220AB
EMITTER
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak 15
Base Current
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ IB 250 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Derate above 25_C ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
PD 65
0.52
watts
W/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Derate above 25_C
ÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TA = 25_C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
PD 2
0.016
Watts
W/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction Temperature Range TJ, Tstg – 65 to + 150 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
REV 1

2N6667 2N6668
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, IB = 0)
2N6667
2N6668
VCEO(sus) 60
80
—
—
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N6667 ICEO — 1 mAdc
(VCE = 80 Vdc, IB = 0) 2N6668 — 1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) 2N6667 ICEX — 300 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) 2N6668 — 300
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 125_C) 2N6667 — 3 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VBE = 5 Vdc, IC = 0) IEBO — 5 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 5 Adc, VCE = 3 Vdc) hFE 1000 20000 —
(IC = 10 Adc, VCE = 3 Vdc) 100 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 5 Adc, IB = 0.01 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 0.1 Adc)
VCE(sat) —
—
2
3
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage(IC = 5 Adc, IB = 0.01 Adc) VBE(sat) — 2.8 Vdc
(IC = 10 Adc, IB = 0.1 Adc) — 4.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Gain — Bandwidth Product (IC = 1 Adc, VCE = 5 Vdc, ftest = 1 MHz) |hfe| 20 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz) Cob — 200 pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 1 Adc, VCE = 5 Vdc, f = 1 kHz) hfe 1000 — —
v v
(1) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2%.
VCC
– 30 V
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS RC

D1, MUST BE FAST RECOVERY TYPES e.g., SCOPE
1N5825 USED ABOVE IB 100 mA[ TUT
MSD6100 USED BELOW IB 100 mA[ V2
APPROX
RB
+8V
FOR td AND tr, D1 IS DISCONNECTED AND V2 = 0
v
tr, tf 10 ns 0
51 D1 [ 8 k [ 120
DUTY CYCLE = 1.0% V1 + 4.0 V
APPROX
– 12 V 25 µs
Figure 2. Switching Times Test Circuit
TA TC
4 80 10
7 VCC = 30 V
5 IC/IB = 250
IB1 = IB2
3 60 3
tr TJ = 25°C
2
TC
t, TIME ( µs)
ts
2 40 1
0.7
0.5
TA
1 20 0.3 .td
tf
0.2
0 0.1
0 20 40 60 80 100 120 140 160 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
T, TEMPERATURE (°C) IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 3. Power Derating Figure 4. Typical Switching Times

2N6667 2N6668
1
D = 0.5
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE

r(t) NORMALIZED EFFECTIVE 0.5
0.3
0.2
0.2
0.1
0.1 P(pk)
0.05 RθJC = 1.92°C/W MAX
0.05
0.03 0.02 t1 PULSE TRAIN SHOWN
t2 READ TIME AT t1
0.02 0.01 SINGLE PULSE
TJ(pk) – TC = P(pk) RθJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000
t, TIME (ms)
20
10 5 ms

dc
2 1 ms
0.5 TJ = 150°C The data of Figure 6 is based on T J(pk) = 150_C; TC is
0.3 2N6667 variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.2 BONDING WIRE LIMIT 2N6668 limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
0.1 THERMAL LIMIT @ TC = 25°C < 150_C. T J(pk) may be calculated from the data in Figure 5.
SECOND BREAKDOWN LIMIT At high case temperatures, thermal limitations will reduce the
0.05
CURVES APPLY BELOW RATED VCEO power that can be handled to values less than the limitations
0.03
1 2 3 5 7 10 20 30 50 70 100
Figure 6. Maximum Safe Operating Area
10,000 300
5000
hFE , SMALL–SIGNAL CURENT GAIN
2000 TJ = 25°C
C, CAPACITANCE (pF)
1000 200
500
TC = 25°C
Cib Cob
200 VCE = 4 VOLTS
IC = 3 AMPS 100
100
70
50
50
20
10 30
1 2 3 5 7 10 20 30 50 70 100 200 300 500 1000 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100
Figure 7. Typical Small–Signal Current Gain Figure 8. Typical Capacitance

2N6667 2N6668
20,000

2.6
VCE = 3 V TJ = 25°C
10,000
TJ = 150°C 2.2
7000
IC = 2 A 4A 6A
5000
3000 1.8
2000
TJ = 25°C
1.4
1000
700
500 1
TJ = – 55°C
300
200 0.6
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 30
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 9. Typical DC Current Gain Figure 10. Typical Collector Saturation Region
3 +5
+ 3.0 V
+4 hFE @ VCE
TJ = 25°C *IC/IB ≤
2.5 +3 3
V, VOLTAGE (VOLTS)
+2 25°C to 150°C
2 +1
– 55°C to 25°C
0
1.5 –1
∗θVC for VCE(sat)
–2
VBE @ VCE = 3 V 25°C to 150°C
1 –3
θVB for VBE
–4 – 55°C to 25°C
0.5 –5
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 11. Typical “On” Voltages Figure 12. Typical Temperature Coefficients
105
REVERSE FORWARD
104
103 VCE = 30 V
102
TJ = 150°C
101
100°C
100
25°C
10– 1
+ 0.6 + 0.4 + 0.2 0 – 0.2 – 0.4 – 0.6 – 0.8 – 1 – 1.2 – 1.4
Figure 13. Typical Collector Cut–Off Region

MOTOROLA
2N6836
 Data Sheet
Designer's
Switchmode Series Ultra-Fast

15 AMPERE
NPN SILICON
NPN Silicon Power Transistors POWER TRANSISTOR

450 VOLTS
175 WATTS
These transistors are designed for high–voltage, high–speed, power switching in
inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for
line–operated switchmode applications.
• Inverters
• Motor Controls
• Fast Turn–Off Times
30 ns Inductive Fall Time — 75_C (Typ) CASE 1–07
50 ns Inductive Crossover Time — 75_C (Typ) TO–204AA
600 ns Inductive Storage Time — 75_C (Typ) (TO–3)
• Operating Temperature Range – 65 to + 200_C
• 100_C Performance Specified for:
Reverse–Biased SOA with Inductive Loads
Switching Times with Inductive Loads
Saturation Voltages
Leakage Currents
ÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (2)
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Rating Symbol Max Unit
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO(sus)
VCEV
450
850
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Base Voltage VEB 6.0 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (1)
IC
ICM
15
20
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
— Peak (1) IBM 15
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
PD 175 Watts
ÎÎÎÎÎÎÎ
@ TC = 100_C
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Derate above 25_C
ÎÎÎÎ
100
1.0 W/_C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Purposes: 1/8″ from Case for 5.0 Seconds
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle v 10%.
(2) Indicate JEDEC Registered Data.

2N6836
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Min Typ Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 100 mA, IB = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO(sus) 450* — — Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCEV = 850 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc)
(VCEV = 850 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 100_C)
ICEV
—
—
—
—
0.25*
1.5*
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 850 Vdc, RBE = 50 Ω, TC = 100_C)
ICER — — 2.5 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 6.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — — 1.0* mAdc
SECOND BREAKDOWN
Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased IS/b See Figure 15*
Clamped Inductive SOA with Base Reverse Biased RBSOA See Figure 16
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, IB = 0.7 Adc) — — 1.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc) — — 2.5*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc, TC = 100_C) — — 3.0*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc) —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 1.5*
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc, TC = 100_C) — — 1.5
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
ÎÎÎ
hFE
8.0* — 30*
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 15 Adc, VCE = 5.0 Vdc) 5.0 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS (2)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Gain — Bandwidth Product fT 10* — 75* MHz
(VCE = 10 Vdc, IC = 0.25 Adc, ftest = 10 MHz)
Output Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, ftest = 1.0 kHz)
Cob 50* — 400* pF
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Delay Time td — 20 100* ns
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time ( C = 10 Adc,
(I ((IB2 = 2.6 Adc, tr — 200 500*
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time VCC = 250 Vdc, RB2 = 1.6 Ω) ts — 1200 3000*
IB1 = 1.0
1 0 Adc,
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time PW = 30 µs, tf — 200 250*
v
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time Duty Cycle 2.0%) ts — 650 —
(VBE(off) = 5
5.0
0 Vdc)
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time tf — 80 —
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Inductive Load (Table 2)
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time tsv — 800 1500* ns
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time (TC = 100_C) tfi — 50 150*
(IC = 10 Adc
Adc,
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Crossover Time IB1 = 1.0 Adc, tc — 90 200*
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time VBE(off) = 5.0 Vdc, tsv — 1050 —
VCE(pk) = 400 Vdc)
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time (TC = 150_C) tfi — 70 —
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Crossover Time tc — 120 —
v
(1) Pulse Test: PW ± 300 µs, Duty Cycle 2%.
(2) fT = |she| ftest.
* Indicates JEDEC Registered Limit.

2N6836
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS

2.0
50
TC = 100°C
1.0 15 A
25°C
20 0.7
0.5 10 A
10
0.3 5A
0.2 IC = 1 A
5.0
VCE = 5.0 V TC = 25°C
3.0 0.1
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
5.0 1.5
βf = 10

3.0
2.0 1.0
TC = 25°C
1.0 0.70
βf = 10 75°C
0.70
TJ = 100°C 0.50 100°C
0.50 βf = 10
TJ = 25°C 0.40
0.30
0.20 0.30
0.10 βf = 5 0.20
0.07 TJ = 25°C
0.05 0.15
0.15 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 15 0.15 0.20 0.30 0.50 0.70 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 15
Figure 3. Collector–Emitter Saturation Voltage Figure 4. Base–Emitter Voltage
104 10000
5000
3000
103 Cib
2000
C, CAPACITANCE (pF)
TJ = 150°C
1000
102 125°C
500
300
100°C Cob
101 200
75°C 100
REVERSE FORWARD 50
100 VCE = 250 V TC = 25°C
25°C
20
10–1 10
– 0.4 – 0.2 0 + 0.2 + 0.4 + 0.6 0.1 1.0 10 100 850

2N6836
TYPICAL DYNAMIC CHARACTERISTICS
5000 5000
VBE(off) = 0 VOLTS
3000 3000 VBE(off) = 0 VOLTS
2000 VBE(off) = 2.0 VOLTS 2000
t sv , STORAGE TIME (ns)
t sv , STORAGE TIME (ns)

VBE(off) = 2.0 VOLTS
1000 1000
700
500 500 VBE(off) = 5.0 VOLTS
300 300
200 200 βf = 10
βf = 5
TC = 75°C
100 TC = 75°C 100 VCC = 20 VOLTS
VCC = 20 VOLTS
0.07
0.05 0.05
1.5 2.0 3.0 5.0 7.0 10 15 1.5 2.0 3.0 5.0 7.0 10 15
Figure 7. Storage Time Figure 8. Storage Time
1000 1000
t fi , COLLECTOR CURRENT FALL TIME (ns)
t fi , COLLECTOR CURRENT FALL TIME (ns)

500 VBE(off) = 0 VOLTS 500 VBE(off) = 0 VOLTS
300 300
200 200
100 VBE(off) = 2.0 VOLTS 100 VBE(off) = 2.0 VOLTS
50 50
βf = 5 βf = 10
TC = 75°C TC = 75°C VBE(off) = 5.0 VOLTS
20 20
VCC = 20 VOLTS VCC = 20 VOLTS
10 10
1.5 2.0 3.0 5.0 7.0 10 15 1.5 2.0 3.0 5.0 7.0 10 15
Figure 9. Collector Current Fall Time Figure 10. Collector Current Fall Time
1500 1500
1000 1000
VBE(off) = 0 VOLTS
500 VBE(off) = 2.0 VOLTS VBE(off) = 0 VOLTS
t c , CROSSOVER TIME (ns)
500
300 300
200 200
VBE(off) = 5.0 VOLTS VBE(off) = 2.0 VOLTS

100 100
50 βf = 5 50
βf = 10
TC = 75°C TC = 75°C VBE(off) = 5.0 VOLTS
VCC = 20 VOLTS VCC = 20 VOLTS
20 20
15 15
1.5 2.0 3.0 5.0 7.0 10 15 1.5 2.0 3.0 5.0 7.0 10 15
Figure 11. Crossover Time Figure 12. Crossover Time

2N6836
10
IC pk VCE(pk)
I B2 , REVERSE BASE CURRENT (AMPS)

9
90% VCE(pk) 90% IC(pk) 8
IC tsv trv tfi tti 7 IB1 = 2.0 AMPS
tc 6
VCE 5
10% VCE(pk) 10% 4 IB1 = 1.0 AMPS

IB 2% IC
90% IB1 IC pk 3
IC = 10 AMPS
2 TC = 25°C
1
0
0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
TIME
VBE(off), REVERSE BASE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 13. Inductive Switching Measurements Figure 14. Peak Reverse Base Current
GUARANTEED SAFE OPERATING AREA LIMITS
IC(pk) , PEAK COLLECTOR CURRENT (AMPS)

20 20
10 10 µs 18
5.0
w4
1 ms 14 VBE(off) = 1 to 5 V
2.0 Bf
v 100°C
dc
1.0 TC = 25°C TC
10
0.50
VBE(off) = 0 V
6.0
0.05 THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT 2.0
0.02 0
5.0 10 20 30 50 70 100 200 300 450 100 150 200 250 350 450 600 700 850
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) VCE, PEAK COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 15. Maximum Forward Bias Figure 16. Maximum Reverse Bias
Safe Operating Area Safe Operating Area
SAFE OPERATING AREA INFORMATION
FORWARD BIAS that can be handled to values less than the limitations im-
posed by second breakdown.
transistor: average junction temperature and second break- REVERSE BIAS
the transistor that must be observed for reliable operation; For inductive loads, high voltage and high current must be
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa- sustained simultaneously during turn–off, in most cases, with
tion than the curves indicate. the base–to–emitter junction reverse biased. Under these
The data of Figure 15 is based on TC = 25_C; T J(pk) is conditions the collector voltage must be held to a safe level
variable depending on power level. Second breakdown pulse at or below a specific value of collector current. This can be
limits are valid for duty cycles to 10% but must be derated accomplished by several means such as active clamping, RC
when TC w
25 _C. Second breakdown limitations do not snubbing, load line shaping, etc. The safe level for these de-
derate the same as thermal limitations. Allowable current at vices is specified as Reverse Bias Safe Operating Area and
the voltages shown on Figure 15 may be found at any case represents the voltage–current condition allowable during re-
temperature by using the appropriate curve on Figure 18. verse biased turn–off. This rating is verified under clamped
TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 17. At high conditions so that the device is never subjected to an ava-
case temperatures, thermal limitations will reduce the power lanche mode. Figure 16 gives the RBSOA characteristics.

2N6836

1.0

RθJC = 1.0°C/W
(NORMALIZED)
0.1
0.01
0.01 0.1 1.0 10 100 1k
t, TIME (ms)
100
SECOND BREAKDOWN
DERATING
80
60
40
THERMAL
DERATING
20
0
0 40 80 120 160 200
Table 1. Resistive Load Switching

td and tr ts and tf + Vdc [ 11 Vdc
0V
[ – 35 V
H.P. 214 100
20
OR 2N6191
EQUIV. *IC
P.G. *IB +
0.02 µF RB1
H.P. 214 –
10 µF
OR A
TUT EQUIV.
RB = 10 RL 0.02 µF
P.G. RB2
50 1.0 µF
VCC 50 2N5337
500 100
[ 11 V
Vin VCC = 250 Vdc –V
0V RL = 25 Ω +V
IC = 10 Adc
v 15 ns
0V
tr IB = 1.0 Adc
–5V
A TUT
RL
*Tektronix P–6042 or equivalent. *IC
*IB
50 VCC
VCC = 250 IB1 = 1.0 Adc RB1 = 10 Ω

RL = 25 Ω IB2 = 2.6 Adc RB2 = 1.6 Ω
IC = 10 Adc For VBE(off) = 5.0 V RB2 = 0 Ω
*NOTE: Adjust – V to obtain desired VBE(off) at Point A.

2N6836
Table 2. Inductive Load Switching
0.02 µF
+V [ 11 V
100
H.P. 214
OR EQUIV.
20
P.G. 2N6191
+
0V RB1
– 10 µF
A
≈ – 35 V
0.02 µF RB2
1.0 µF
+ –
50 2N5337
500
100 –V IC(pk)
IC
T1 +V
VCE(pk)
*IC
0V
–V L
VCE
A T.U.T. MR856 VCE(pk) = VCE(clamp)
T1 [ Lcoil (ICpk)
VCC *IB
50 Vclamp VCC IB1
T1 adjusted to obtain IC(pk)
IB
V(BR)CEO Inductive Switching RBSOA

L = 10 mH L = 200 µH L = 200 µH IB2
RB2 = R RB2 = 0 RB2 = 0
VCC = 20 Volts VCC = 20 Volts VCC = 20 Volts
RB1 selected for desired IB1 RB1 selected for desired IB1
*Tektronix Scope — Tektronix

*P–6042 or 7403 or
*Equivalent Equivalent Note: Adjust – V to obtain desired VBE(off) at Point A.
TYPICAL INDUCTIVE SWITCHING WAVEFORMS
tsv tfi, tc
IC(pk) = 10 Amps IC(pk) = 10 Amps
IB1 = 1.0 Amp IB1 = 1.0 Amp t fi = 20 ns
IC(pk)
VBE(off) = 5.0 Volts VCE(pk) VBE(off) = 5.0 Volts VCE(pk)
VCE(pk) = 400 Volts VCE(pk) = 400 Volts
TC = 25°C TC = 25°C
Time Base = I B1 Time Base =
100 ns/cm 0 20 ns/cm
VCE(sat)
I B2 VCE(sat) tc
t sv = 370 ns 24 ns

MOTOROLA
BD135
Plastic Medium Power Silicon BD137
NPN Transistor BD139
. . . designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi
complementary circuits. 1.5 AMPERE
• DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc POWER TRANSISTORS
• BD 135, 137, 139 are complementary with BD 136, 138, 140 NPN SILICON
45, 60, 80 VOLTS
10 WATTS
CASE 77–08
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Rating Symbol Type Value Unit
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO BD 135 45 Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BD 137 60
BD 139 80
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCBO BD 135
BD 137
45
60
Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BD 139 100
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Current IC 1.5 Adc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
PD 1.25 Watts
Derate above 25_C 10 mW/_C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Derate above 25_C ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
PD 12.5
100
Watt
mW/_C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case θJC 10 _C/W
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
REV 7

BD135 BD137 BD139
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic Symbol Type Min Max UnIt
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.03 Adc, IB = 0) ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BVCEO*
BD 135 45 —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD 137 60 —
BD 139 80 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 30 Vdc, IE = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICBO
— 0.1
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 30 Vdc, IE = 0, TC = 125_C) — 10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current IEBO — 10 µAdc
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.005 A, VCE = 2 V) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hFE*
25 —
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.15 A, VCE = 2 V) 40 250
(IC = 0.5 A VCE = 2 V) 25 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, IB = 0.05 Adc)
VCE(sat)* — 0.5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage*
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
x x
* Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
VBE(on)* — 1 Vdc
10.0
5.0
0.1 ms
2.0 5 ms 0.5 ms
1.0
TJ = 125°C dc
0.5
0.1
0.05
BD135
0.02 BD137
BD139
0.01
1 2 5 10 20 50 80

MOTOROLA
BD136
BD138
Plastic Medium Power Silicon
BD140
PNP Transistor
BD140-10
. . . designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi
complementary circuits.
• DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc 1.5 AMPERE
• BD 136, 138, 140 are complementary with BD 135, 137, 139 POWER TRANSISTORS
PNP SILICON
45, 60, 80 VOLTS
10 WATTS
CASE 77–08
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO BD 136
BD 138
BD 140
45
60
80
Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCBO BD 136
BD 138
45
60
Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BD 140 100
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Total Device Dissipation@ TA = 25_C PD 1.25 Watts
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
PD 12.5
100
Watt
mW/_C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Temperarture Range
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TJ, Tstg – 55 to + 150 _C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case θJC 10 _C/W
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
REV 7

BD136 BD138 BD140 BD140-10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic Symbol Type Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.03 Adc, IB = 0) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BVCEO
BD 136 45 —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD 138 60 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD 140 80 —
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICBO
(VCB = 30 Vdc, IE = 0) — 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 30 Vdc, IE = 0, TC = 125 _C) — 10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain —
(IC = 0.005 A, VCE = 2 V) ALL hFE* 25 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.15 A, VCE = 2 V)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ALL
BD140–10
40
63
250
160
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.5 A, VCE = 2 V) 25 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage* VCE(sat)* — 0.5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, IB = 0.05 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage* VBE(on)* — 1 Vdc
(IC = 0.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
x x
10
5.0
0.1 ms
2.0 5 ms 0.5 ms
1.0
TJ = 125°C dc
0.5
0.2
0.1
0.05
BD136
0.02 BD138
BD140
0.01
1 2 5 10 20 50 80

MOTOROLA
BD157
Plastic Medium Power NPN BD158
Silicon Transistor BD159
. . . designed for power output stages for television, radio, phonograph and other
consumer product applications. 0.5 AMPERE
• Suitable for Transformerless, Line–Operated Equipment POWER TRANSISTORS
• Thermopad{ Construction Provides High Power Dissipation Rating for High NPN SILICON
Reliability 250 – 300 – 350 VOLTS
20 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol BD 157 BD 158 BD 159 Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO 250 300 350 Vdc
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VEB
275 325
5.0
375 Vdc
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak
IC 0.5
1.0
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
TJ, Tstg – 65 to + 150 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol
θJC
Max
6.25
Unit
_C/W
CASE 77–08
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage BVCEO BD 157 250 — Vdc
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0) BD 158 300
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BD 159 350
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICBO — 100 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(At rated voltage)
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current IEBO — 100
(VEB = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc)
hFE 30 240 —
REV 7

BD157 BD158 BD159
25 1.0

0.8 VBE @ IC/IB = 10
20
V, VOLTAGE (VOLTS)
0.6 VBE @ VCE = 10 V
15
0.4
10 VCE(sat) @ IC/IB = 10
0.2 TJ = + 25°C
IC/IB = 5.0
5.0 0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 10 20 30 50 100 200 300 500
TC, CASE TEMPERATURE (°C) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 1. Power–Temperature Derating Curve Figure 2. “On” Voltages
1.0
0.7 10 µs
0.5 500 µs
0.3 TJ = 150°C 1.0 ms The Safe Operating Area Curves indicate IC – VCE limits
dc below which the device will not enter secondary breakdown.
0.2
Collector load lines for specific circuits must fall within the ap-
plicable Safe Area to avoid causing a catastrophic failure. To
insure operation below, the maximum TJ, power–tempera-
ture derating must be observed for both steady state and
0.05 (SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMITED pulse power conditions.
0.03
BD157
0.02 BD158
BD159
0.01
10 20 30 50 100 200 300
Figure 3. DC Safe Operating Area
300
VCE = 10 V
200 VCE = 2.0 V
TJ = 150°C
100
70 + 100°C
50 + 25°C
30
20 – 55°C
10
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)

MOTOROLA
BD165
NPN Transistor
. . . designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi 1.5 AMPERE
complementary circuits. POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
• DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc
45, 60, 80 VOLTS
• BD 165, 169 are complementary with BD 166, 168, 170
20 WATTS
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO BD 165 45
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD 169 80
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCBO BD 165 45 Vdc
BD 169 80
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎ
VEBO
IC
5
1.5
Vdc
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ IB 0.5 Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25_C
PD 1.25
8
Watts
mW/_C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25_C
PD 20
160
Watt
mW/_C
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
θJC
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case 6.25 _C/W CASE 77–08
TO–225AA TYPE
θJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 100 _C/W
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage* BVCEO BD 165 45 — Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, IB = 0) BD 169 80 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 45 Vdc, IE = 0) BD 165 — 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) BD 169 — 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC current Gain hFE*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.15 A, VCE = 2 V) 40 —
(IC = 0.5 A, VCE = 2 V) 15 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, IB = 0.05 Adc)
VCE(sat)* — 0.5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
VBE(on)* — 0.95 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current Gain–Bandwidth Product fT 6.0 — MHz
(IC = 500 mAdc, VCE = 2 Vdc,
f = 1.0 MHz)
x x ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
* Pulse Test: Pulse Width
REV 7
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
300 µs, Duty Cycle 2.0%.

BD165 BD169
10
TJ = 150°C
PD, POWER DISSIPATION (WATTS) 5.0

25
100 µs
3.0
20 2.0 1.0 ms
5.0 ms
15 1.0
SECOND BREAKDOWN
0.5 LIMITED dc
10
5 0.2 PULSE CURVES APPLY BELOW
BD165
RATED VCEO BD169
0 0.1
0 20 40 60 80 100 120 140 160 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
TC, CASE TEMPERATURE (°C) VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. PD – TC Derating Curve Figure 2. Safe Operating Area (see Note 1)

1.2
IC = 0.1 A 0.25 A 0.5 A 1A

0.8
0.6
0.4
0.2
0
1 5 10 50 100 500 1000
10 1
hFE , DC CURRENT GAIN, NORMALIZED
0.5
TJ = + 150°C + 25°C – 25°C
VOLTAGE (VOLTS)
VBE(sat) at IC/IB = 10 VBE at VCE = 2 V
1 0.1
0.05
VCE(sat) at IC/IB = 10
VCE = 2 V
TJ = 25°C
0.1 0.01
0.01 0.05 0.1 0.5 1 10 50 100 500 1000
IC, COLLECTOR CURRENT (A) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. Current Gain Figure 5. “On” Voltage
Note 1: The data of Figure 2 is based on T J(pk) = 150_C; TC is

There are two limitations on the power handling ability of a variable depending on conditions. Second breakdown pulse
transistor; average junction temperature and second break- limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of v 150_C. At high case temperatures, thermal limitations will
the transistor that must be observed for reliable operation; reduce the power that can be handled to values less than the
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa- limitations imposed by second breakdown.

MOTOROLA
BD166
PNP Transistor 1.5 AMPERE
POWER TRANSISTOR
PNP SILICON
. . . designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi 45 VOLTS
complementary circuits. 20 WATTS
• BD166 is complementary with BD165
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎRating Symbol Value Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
VCBO
45
45
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎ
VEBO
IC
5.0
1.5
Vdc
Adc
ÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ IB 0.5 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25_C
PD 1.25
10
Watts
mW/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25_C
PD 20
160
Watts
mW/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 77–08
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage* V(BR)CEO 45 — Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 45 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
IEBO — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain hFE
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0. 15 A, VCE = 2.0 V) 40 —
(IC = 0.5 A, VCE = 2.0 V) 15 —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, IB = 0.05 Adc)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
VBE(on) — 0.95 Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 500 mAdc, VCE = 2.0 Vdc,
f = 1.0 MHz)
x x ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
* Pulse Test: Pulse WidthÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
REV 7

BD166
10
TJ = 150°C 100 µs
PD, POWER DISSIPATION (WATTS) 5.0

25
3.0
20 2.0 1.0 ms
5.0 ms
15 1.0
SECOND BREAKDOWN
0.5 dc
10 LIMITED
5 0.2 THERMAL LIMITATION @ TC = 25°C
PULSE CURVES APPLY BELOW
RATED VCEO
0 0.1
0 20 40 60 80 100 120 140 160 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
TC, CASE TEMPERATURE (°C) VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. PD – TC Derating Curve Figure 2. Safe Operating Area (see Note 1)

1.2
IC = 0.1 A 0.25 A 0.5 A 1A

0.8
0.6
0.4
0.2
0
1 5 10 50 100 500 1000
10 1
0.5
TJ = + 150°C + 25°C – 25°C
VBE(sat) at IC/IB = 10 VBE at VCE = 2 V
VOLTAGE (VOLTS)
1 0.1
0.05
VCE(sat) at IC/IB = 10
VCE = 2 V
TJ = 25°C
0.1 0.01
0.01 0.05 0.1 0.5 1 10 50 100 500 1000
IC, COLLECTOR CURRENT (A) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. Current Gain Figure 5. “On” Voltage

transistor; average junction temperature and second break- limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
the transistor that must be observed for reliable operation; reduce the power that can be handled to values less than the

MOTOROLA
BD179
Plastic Medium Power Silicon BD179-10
NPN Transistor
3.0 AMPERES
. . . designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing
POWER TRANSISTORS
complementary or quasi complementary circuits.
NPN SILICON
• DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc 80 VOLTS
30 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
VCBO
80
80
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎ
VEBO
IC
5.0
3.0
Vdc
Adc
ÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ IB 1.0 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25_C
PD 30
240
Watts
mw/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 150 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 77–08
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
Symbol
V(BR)CEO
Min
80
Max
—
Unit
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 80 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(IC = 0.15 A, VCE = 2.0 V)
ÎÎÎÎ
BD179–10
hFE
63 160
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1.0 A, VCE = 2.0 V) ALL 15 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage* VCE(sat) — 0.8 Vdc
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
VBE(on) — 1.3 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Current–Gain – Bandwidth Product
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
x x
* Pulse Test: Pulse Width 300 As, Duty Cycle 2.0%.
fT 3.0 — MHz
REV 7

BD179 BD179-10
10
7.0 100 µs
5.0 1.0 ms
3.0 The Safe Operating Area Curves indicate IC – VCE limits
2.0 5.0 ms below which the device will not enter secondary breakdown.
dc
1.0 TJ = 150°C plicable Safe Area to avoid causing a catastrophic failure. To
0.7 insure operation below the maximum TJ, power–temperature
0.5 SECONDARY BREAKDOWN LIMITATION derating must be observed for both steady state and pulse
0.3 THERMAL LIMITATION power conditions.
(BASE–EMITTER DISSIPATION IS
0.2 SIGNIFICANT ABOVE IC = 2.0 AMP)
PULSE DUTY CYCLE < 10%
0.1
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
1.0
0.8
IC = 0.1 A 0.25 A 0.5 A 1.0 A
0.6
TJ = 25°C
0.4
0.2
0
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200
1000 1.5
hFE, DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)
700
VCE = 2.0 V
500 TJ = 25°C
1.2
300
VOLTAGE (VOLTS)
200
0.9
100 TJ = + 150°C VBE(sat) @ IC/IB = 10
70 TJ = + 25°C 0.6
50 VBE @ VCE = 2.0 V
30 TJ = + 55°C 0.3
20
10 0
2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000
Figure 3. Current Gain Figure 4. “On” Voltages
1.0
0.7 D = 0.5
0.5
THERMAL RESISTANCE
0.3 D = 0.2
0.2 D = 0.1
SINGLE PULSE
D = 0.05
0.1 θJC = 4.16°C/W MAX
0.07 D = 0.01 θJC = 3.5°C/W TYP
t1
t2
READ TIME AT t1
0.02
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, TIME or PULSE WIDTH (ms)

MOTOROLA
BD180
PNP Transistor 3.0 AMPERES
POWER TRANSISTOR
PNP SILICON
. . . designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing 80 VOLTS
complementary or quasi complementary circuits. 30 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
VCBO
80
80
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎ
VEBO
IC
5.0
3.0
Vdc
Adc
ÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ IB 1.0 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25_C
PD 30
240
Watts
mW/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 150 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 77–08
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
Symbol
V(BR)CEO
Min
80
Max
—
Unit
Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 45 Vdc, IE = 0) — —
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) BD180 — 1.0
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IEBO — 1.0 mAdc
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(IC = 0.15 A, VCE = 2.0 V)
(IC = 1.0 A, VCE = 2.0 V)
ÎÎÎÎ
hFE
40
15
250
—
—
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
VBE(on) — 1.3 Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
x x
REV 7

BD180
10
7.0 100 µs
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) 5.0
1.0 ms
3.0 The Safe Operating Area Curves indicate IC – VCE limits
2.0 5.0 ms below which the device will not enter secondary breakdown.
dc Collector load lines for specific circuits must fall within the ap-
1.0 TJ = 150°C plicable Safe Area to avoid causing a catastrophic failure. To
0.7 insure operation below the maximum TJ, power–temperature
0.5 SECONDARY BREAKDOWN LIMITATION derating must be observed for both steady state and pulse
THERMAL LIMITATION power conditions.
0.3
(BASE-EMITTER DISSIPATION IS
0.2 SIGNIFICANT ABOVE IC = 20 AMP)
PULSE DUTY CYCLE < 10% BD180
0.1
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
1.0
TJ = 25°C
0.8
IC = 0.1 A 0.25 A 0.5 A 1.0 A
0.6
0.4
0.2
0
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
1000 1.5
700
500 VCE = 2.0 V
TJ = 25°C
1.2
300
VOLTAGE (VOLTS)
200 TJ = + 150°C
0.9
100 TJ = + 25°C VBE(sat) @ IC/IB = 10
70 0.6
50 TJ = – 55°C VBE @ VCE = 2.0 V
30 0.3
20
10 0
2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000
1.0
0.7 D = 0.5
0.5
THERMAL RESISTANCE
0.3 D = 0.2
0.2 D = 0.1
SINGLE PULSE
0.1 D = 0.05
0.07 D = 0.01 θJC = 3.5°C/W TYP
t1
t2
READ TIME AT t1
0.02
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000

MOTOROLA
BD237
NPN Transistor
2.0 AMPERES
. . . designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing
POWER TRANSISTORS
complementary or quasi complementary circuits.
NPN SILICON
• DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc 80 VOLTS
25 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 77–08
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–225AA TYPE
θJC _C/W
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage* V(BR)CEO 80 — Vdc
(IC = 0.1 Adc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 100 Vdc, IE = 0)ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICBO — 0.1 mAdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IEBO — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.15 A, VCE = 2.0 V) hFE1 40 —
(IC = 1.0 A, VCE = 2.0 V) hFE2 25 —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage* VBE(on) — 1.3 Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
x x
REV 7

BD237
10
100 µs
3 1 ms The Safe Operating Area Curves indicate IC – VCE limits
5 ms
below which the device will not enter secondary breakdown.
TJ = 150°C dc
1 plicable Safe Area to avoid causing a catastrophic failure. To
insure operation below the maximum TJ, power–temperature
derating must be observed for both steady state and pulse
0.3 power conditions.
BD236
0.1 BD237
1 3 10 30 100
1.0
0.8
IC = 0.1 A 0.25 A 0.5 A 1.0 A
0.6
TJ = 25°C
0.4
0.2
0
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200
1000 1.5
700
500 VCE = 2.0 V TJ = 25°C
1.2
300
VOLTAGE (VOLTS)
200 0.9
TJ = + 150°C
100 VBE(sat) @ IC/IB = 10
70 TJ = + 25°C 0.6
50 VBE @ VCE = 2.0 V
30 TJ = + 55°C 0.3
20
10 0
2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000 2000
1.0
0.7 D = 0.5
0.5
THERMAL RESISTANCE
0.3 D = 0.2
0.2 D = 0.1
SINGLE PULSE
0.1 D = 0.05
0.07 D = 0.01 θJC = 3.5°C/W TYP
t1
t2
READ TIME AT t1
0.02 TJ(pk) – TC = P(pk) θJC(t) DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000

MOTOROLA
NPN
BD241B
Complementary Silicon Plastic
Power Transistors BD241C*
PNP
. . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications.
• Collector–Emitter Saturation Voltage —
BD242B
VCE = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — BD242C*
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min.) BD241B, BD242B
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min.) BD241C, BD242C
• High Current Gain — Bandwidth Product
fT = 3.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc 3 AMPERE
• Compact TO–220 AB Package POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
80, 100 VOLTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD241B BD241C 40 WATTS
Rating Symbol BD242B BD242C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO 80 100 Vdc
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCES
VEB
90
5.0
115 Vdc
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎPeak
IC 3.0
5.0
Adc
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎ IB 1.0 Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25_C
PD 40
0.32
Watts
W/_C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 221A–06
Temperature Range
TO–220AB
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
40
30
20
10
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160

REV 7

BD241B BD241C BD242B BD242C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
Characteristic Symbol Min. Max. Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD241B, BD242B
VCEO
80
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD241C, BD242C 100
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEO 0.3 mAdc
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) BD241B, BD241C, BD242B, BD242C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, VEB = 0) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD241B, BD242B
ICES
200
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 100 Vdc, VEB = 0) BD241C, BD242C 200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS1
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
hFE
25
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, IB = 600 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
1.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Current Gain – Bandwidth Product2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc, ftest = 1 MHz)
fT
3.0
MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain hfe
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 kHz) 20
v v
1 Pulse Test: Pulse Width
2 fT = |hfe| • ftest.
2.0
TURN-ON PULSE VCC IC/IB = 10
RL 1.0
APPROX TJ = 25°C
+ 11 V Vin SCOPE 0.7 tr @ VCC = 30 V
RK 0.5
Vin 0 Cjd % Ceb
t, TIME ( µs)
0.3
VEB(off) tr @ VCC = 10 V
t1
– 4.0 V
v
t3
APPROX t1 7.0 ns
+ 11 V t t
100 t2 500 µs
0.1
t
t3 15 ns
0.07
0.05
Vin
0.03
t2 [
DUTY CYCLE 2.0% 0.02
0.03 0.05 0.07 0.1 0.3 0.5 0.7 1.0 3.0
TURN-OFF PULSE APPROX – 9.0 V
Figure 2. Switching Time Equivalent Circuit Figure 3. Turn–On Time

1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.2
(NORMALIZED)
0.1
0.1 P(pk)
0.05 ZθJC (t) = r(t) RθJC
0.07 RθJC = 3.125°C/W MAX
0.02
t1
READ TIME AT t1 t2
0.02 0.01 TJ(pk) – TC = P(pk) ZθJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0 k
t, TIME (ms)

10
5.0 transistor: average junction temperature and second break-
1.0 ms 100 µs down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
5.0 ms the transistor that must be observed for reliable operation,
1.0 SECOND BREAKDOWN The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150_C; TC is
0.5
v
LIMITED @ TJ 150°C variable depending on conditions. Second breakdown pulse
THERMAL LIMITATION @ TC = 25°C limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
CURVES APPLY BELOW
v 150_C, TJ(pk) may be calculated from the data in Fig-
RATED VCEO BD241B, BD242B reduce the power that can be handled to values less than the
BD241C, BD242C
5.0 10 20 50 100
3.0 300
IB1 = IB2
2.0 TJ = + 25°C
ts′ IC/IB = 10
ts′ = ts – 1/8 tf 200
1.0 TJ = 25°C
0.7 tf @ VCC = 30 V
CAPACITANCE (pF)
0.5
t, TIME ( µs)
0.3 100
tf @ VCC = 10 V Ceb
0.2
70
0.1
0.07 50 Ccb
0.05
0.03 30
0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 40


500 2.0
300 VCE = 2.0 V TJ = 25°C
TJ = 150°C
1.6
25°C
100
70 1.2
– 55°C IC = 0.3 A 1.0 A 3.0 A
50
30 0.8
0.4
10
7.0
5.0 0
0.03 0.05 0.07 0.1 0.3 0.5 0.7 1.0 3.0 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000
1.4 + 2.5

TJ = 25°C + 2.0 *APPLIES FOR IC/IB ≤ 5.0
1.2 TJ = – 65°C TO + 150°C
+ 1.5
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.0 + 1.0
+ 0.5 *θVC FOR VCE(sat)
0.8
VBE(sat) @ IC/IB = 10 0
0.6 – 0.5
VBE @ VCE = 2.0 V
0.4 – 1.0
– 1.5
0.2 VCE(sat) @ IC/IB = 10 θVB FOR VBE
– 2.0
0 – 2.5
0.003 0.005 0.01 0.020.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 0.003 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0
103 107
VCE = 30 V
VCE = 30 V IC = 10 x ICES
102
106
TJ = 150°C
101
105
100 100°C IC ≈ ICES
IC = 2 x ICES
104
10–1
REVERSE FORWARD
10– 2 103 (TYPICAL ICES VALUES
25°C
ICES
10– 3 102
– 0.4 – 0.3 – 0.2 – 0.1 0 + 0.1 + 0.2 + 0.3 + 0.4 + 0.5 + 0.6 20 40 60 80 100 120 140 160

MOTOROLA
NPN
BD243B
Complementary Silicon Plastic
Power Transistors BD243C*
PNP
. . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications.
• Collector – Emitter Saturation Voltage —
BD244B
BD244C*
• Collector Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — BD243B, BD244B
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) — BD243C, BD244C *Motorola Preferred Device
• High Current Gain Bandwidth Product
fT = 3.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc 6 AMPERE
• Compact TO–220 AB Package POWER TRANSISTORS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
COMPLEMENTARY
SILICON
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
80 – 100 VOLTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD243B BD243C
65 WATTS
Rating Symbol BD244B BD244C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO
VCB
80
80
100
100
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak
IC 6
10
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Device Dissipation PD Watts
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25_C 65
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 150 _C CASE 221A–06
TO–220AB
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
80
60
40
20
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160

REV 7

ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 30 mAdc
ÎÎÎÎ
mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD243B
BD243B, BD244B
BD243C, BD244C
80
100
—
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEO — 0.7 mAdc
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) BD243B, BD243C, BD244B, BD244C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, VEB = 0) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ BD243B, BD244B
ICES
— 400
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 100 Vdc, VEB = 0) BD243C, BD244C — 400
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 0.3 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
30
15
—
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 6.0 Adc, IB = 1.0 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 6.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc, ftest = 1.0 MHz)
fT 3.0 — MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
v v
(1) Pulse Test: Pulsewidth 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
(2) fT = hfe • ftest
VCC 2.0
– 30 V
TJ = 25°C
1.0
VCC = 30 V
25 µs RC 0.7 IC/IB = 10
+ 11 V 0.5
SCOPE
t, TIME ( µs)
0 RB 0.3
0.2 tr
– 9.0 V 51 D1
v
tr, tf 10 ns
0.1
0.07 td @ VBE(off) = 5.0 V
DUTY CYCLE = 1.0% –4V
0.05
0.03
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE eg.
[
0.02
[
0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 6.0
MSD6100 USED BELOW IB 100 mA IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)

1.0

0.7 D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
0.1
P(pk)
0.1 0.05 RθJC(max) = 1.92°C/W
t1 SINGLE READ TIME AT t1
0.03 SINGLE PULSE t2 PULSE TJ(pk) – TC = P(pk) RθJC(t)
0.02 0.01
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
10
5.0

1.0
2.0 ms the transistor that must be observed for reliable operation,
TJ = 150°C i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
5.0 ms tion than the curves indicate.
The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150_C: TC is
THERMAL LIMITATION @ TC = 25°C variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.5
0.3
v 150_C, TJ(pk) may be calculated from the data in Fig-
BD243B, BD244B
BD243C, BD244C
5.0 10 20 40 60 80 100
5.0 300
3.0 TJ = 25°C TJ = 25°C
VCC = 30 V 200
2.0
ts IC/IB = 10
IB1 = IB2
1.0
CAPACITANCE (pF)
Cib
t, TIME ( µs)
0.7
0.5 100
0.3 70
0.2 Cob
tf
50
0.1
0.07
0.05 30
0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 6.0 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50
Figure 6. Turn-Off Time Figure 7. Capacitance


500 2.0
VCE = 2.0 V TJ = 25°C
300
200 TJ = 150°C 1.6
IC = 1.0 A 2.5 A 5.0 A

100
70 25°C 1.2
50
30 0.8
20 – 55°C
0.4
10
7.0
5.0 0
0.06 0.1 0.2 0.3 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 6.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
2.0 + 2.5

TJ = 25°C + 2.0 *APPLIES FOR IC/IB ≤ 5.0
1.6 + 1.5
V, VOLTAGE (VOLTS)
+ 1.0
VBE(sat) @ IC/IB = 10 + 25°C to + 150°C
1.2 + 0.5
*θVC FOR VCE(sat)
0
VBE @ VCE = 4.0 V – 55°C to + 25°C
0.8 – 0.5
– 1.0 + 25°C to + 150°C
0.4 VCE(sat) @ IC/IB = 10 – 1.5 θVB FOR VBE

– 2.0 – 55°C to + 25°C
0 – 2.5
0.06 0.1 0.2 0.3 0.4 0.6 1.0 2.0 3.0 4.0 6.0 0.06 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 0.4 0.6
103 10M
VCE = 30 V VCE = 30 V
102
TJ = 150°C 1.0M IC = 10 x ICES

101
100°C IC = 2 x ICES
100k
25°C
100
10k IC ≈ ICES
10–1 IC = ICES
10– 2 REVERSE FORWARD 1.0k

(TYPICAL ICES VALUES
10– 3 0.1k
– 0.3 – 0.2 – 0.1 0 + 0.1 + 0.2 + 0.3 + 0.4 + 0.5 + 0.6 + 0.7 20 40 60 80 100 120 140 160
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 12. Collector Cut-Off Region Figure 13. Effects of Base–Emitter Resistance

MOTOROLA
BD437
NPN Transistor
4.0 AMPERES
. . . for amplifier and switching applications. Complementary types are BD438 and POWER TRANSISTORS
BD442. NPN SILICON
CASE 77–08
TO–225AA TYPE
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage BD437 VCEO 45 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BD441 80
ÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage BD437 VCBO 45 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
BD441 80
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
PD 36 Watts
Derate above 25_C 288 W/_C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
TJ, Tstg – 55 to + 150 _C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
REV 7

BD437 BD441
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 100 mA, IB = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ BD437
V(BR)CEO
45 — —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD441 80 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Base Breakdown Voltage V(BR)CBO Vdc
(IC = 100 µA, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD437 45 — —
BD441 80 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IE = 100 µA, IC = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Emitter–Base Breakdown Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
V(BR)EBO 5.0 — — Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 45 V, IE = 0) BD437 — — 0.1
(VCB = 80 V, IE = 0) BD441 — — 0.1
ÎÎÎÎ
(VEB = 5.0 V) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 10 mA, VCE = 5.0 V) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD437
BD441
hFE
30 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
15 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE
(IC = 500 mA, VCE = 1.0 V) BD437 85 — 375
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD441 40 — 475
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 A, VCE = 1.0 V) BD437 40 — —
BD441 15 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Collector Saturation Voltage
(IC = 2.0 A, IB = 0.2 A) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ BD437
VCE(sat)
— — 0.7
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 A, IB = 0.3 A) BD441 — — 0.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage VBE(on) — — 1.1 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 A, VCE = 1.0 V)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product fT 3.0 — — MHz
(VCE = 1.0 V, IC = 250 mA, f = 1.0 MHz)

BD437 BD441

2.0
1.6
IC = 10 A 100 mA 1.0 A 3.0 A
1.2
0.8
TJ = 25°C
0.4
0
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
200
hFE, CURRENT GAIN (NORMALIZED)
180 BD433, 435, 437

160
140
120 BD439, 441
100
80
60
40
20
0
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5
2.0 10
TJ = 25°C
1.6 4.0 5 ms
TJ = 150°C
VOLTAGE (VOLTS)
1.2 dc
1.0 SECONDARY BREAKDOWN

0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10 THERMAL LIMIT TC = 25°C
VBE @ VCE = 2.0 V 0.5 BONDING WIRE LIMIT
0.6
VCE(sat) @ IC/IB = 10 BD437
BD441
0 0.1
0.005 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 4.0 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. “On” Voltage Figure 4. Active Region Safe Operating Area

MOTOROLA
BD438
PNP Transistor BD442
. . . for amplifier and switching applications. Complementary types are BD437 and
BD441. 4.0 AMPERES
POWER TRANSISTORS
PNP SILICON
CASE 77–08
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage BD438 VCEO 45 Vdc
BD440 60
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BD442 80
ÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage BD438 VCBO 45 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BD440 60
BD442 80
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎÎ
VEBO
IC
5.0
4.0
Vdc
Adc
Base Current
ÎÎÎÎÎÎÎ
IB 1.0 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Derate above 25_C
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
PD 36
288
Watts
W/_C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ _C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
REV 7

BD438 BD440 BD442
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 100 mA, IB = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ BD438
V(BR)CEO
45 — —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD440 60 — —
BD442 80 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 100 µA, IB = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Base Breakdown Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ BD438
V(BR)CBO
45 — —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD440 60 — —
BD442 80 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IE = 100 µA, IC = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
V(BR)EBO 5.0 — — Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 45 V, IE = 0) BD438 — — 0.1
(VCB = 60 V, IE = 0) BD440 — — 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 80 V, IE = 0) BD442 — — 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current IEBO — — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 5.0 V)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE
(IC = 10 mA, VCE = 5.0 V) BD438 30 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD440 20 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD442 15 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE
(IC = 500 mA, VCE = 1.0 V) BD438 85 — 375
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD440 40 — 475
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD442 40 — 475
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE
(IC = 2.0 A, VCE = 1.0 V) BD438 40 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD440 25 — —
BD442 15 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Collector Saturation Voltage
(IC = 3.0 A, IB = 0.3 A) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ BD438
VCE(sat)
— — 0.7
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD440 — — 0.8
BD442 — — 0.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 2.0 A, VCE = 1.0 V)
ÎÎÎ
BD438
BD440/442
VBE(ON) —
—
—
—
1.1
1.5
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 1.0 V, IC = 250 mA, f = 1.0 MHz)
fT 3.0 — — MHz

BD438 BD440 BD442

2.0
1.6
IC = 10 mA 100 mA 1.0 A 3.0 A
1.2
0.8
TJ = 25°C
0.4
0
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
200
hFE, CURRENT GAIN (NORMALIZED)
100
80
60
40
20
0
10 2 3 100 1 5
2.0 10
TJ = 25°C
1.6 4.0 5 ms
TJ = 150°C
VOLTAGE (VOLTS)
1.2 dc
SECONDARY BREAKDOWN
1.0 THERMAL LIMIT TC = 25°C
0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10 BONDING WIRE LIMIT
VBE @ VCE = 2.0 V 0.5 CURVES APPLY BELOW RATED VCEO
0.4 BD438
VCE(sat) @ IC/IB = 10 BD440
BD442
0 0.1
0.005 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 4.0 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
Figure 3. “On” Voltage Figure 4. Active Region Safe Operating Area

MOTOROLA
BD675
BD675A
Plastic Medium-Power BD677
Silicon NPN Darlingtons BD677A
. . . for use as output devices in complementary general–purpose amplifier applica-
tions. BD679
hFE = 750 (Min) @ IC = 1.5 and 2.0 Adc
BD679A
• Monolithic Construction
• BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 are complementary with BD676, 676A,
BD681*
678, 678A, 680, 680A, 682 *Motorola Preferred Device
• BD 677, 677A, 679, 679A are equivalent to MJE 800, 801, 802, 803
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
4.0 AMPERE
MAXIMUM RATINGS DARLINGTON
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
POWER TRANSISTORS
BD675 BD677 BD679
NPN SILICON
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol BD675A BD677A BD679A BD681 Unit
60, 80, 100 VOLTS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO 45 60 80 100 Vdc 40 WATTS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCB 45 60 80 100 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@TC = 25_C 40 Watts
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Derate above 25_C
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
0.32
– 55 to + 150
W/_C
_C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperating Range CASE 77–08
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5.0
0
15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 165
Figure 1. Power Temperature Derating
REV 7

BD675 BD675A BD677 BD677A BD679 BD679A BD681
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Emitter Breakdown Voltage(1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 50 mAdc, IB = 0)
BD675, 675A
BD677, 677A
BVCEO 45
60
—
—
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD679, 679A 80 —
BD681 100 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = Half Rated VCEO, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEO
ICBO
— 500 µAdc
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = Rated BVCEO, IE = 0) — 0.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = Rated BVCEO, IE = 0, TC = 100’C) — 2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
DC Currert Gain(1) hFE —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc,VCE = 3.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
BD675, 677, 679, 681
BD675A, 677A, 679A
750
750
—
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage(1)
(IC = 1.5 Adc, IB = 30 mAdc) BD677, 679, 681 VCE(sat) — 2.5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, IB = 40 mAdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage(1)
BD675A, 677A, 679A
VBE(on)
— 2.8
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc) BD677, 679, 681 — 2.5
(IC = 2.0 Adc, VCE = 3 0 Vdc) BD675A, 677A, 679A — 2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
v v ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(1) Pulse Test: Pulse WidthÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small Signal Current Gain (IC = 1.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
hfe 1.0 — —
5.0

transistor average junction temperature and secondary
1.0 breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE lim-
BONDING WIRE LIMIT its of the transistor that must be observed for reliable opera-
0.5 THERMALLY LIMIT at TC = 25°C tion; e.g., the transistor must not be subjected to greater
SECONDARY BREAKDOWN LIMIT dissipation than the curves indicate.
At high case temperatures, thermal limitations will reduce
0.2
BD675, 675A the power that can be handled to values less than the limita-
TC = 25°C BD677, 677A tions imposed by secondary breakdown.
0.1 BD679, 679A
BD681
0.05
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
NPN COLLECTOR
BD675, 675A
BD677, 677A
BD679, 679A
BD681
BASE
[ 8.0 k [ 120
EMITTER
Figure 3. Darlington Circuit Schematic

MOTOROLA
BD676
BD676A
Plastic Medium-Power BD678
Silicon PNP Darlingtons BD678A
. . . for use as output devices in complementary general–purpose amplifier applica-
tions. BD680
hFE = 750 (Min) @ IC = 1.5 and 2.0 Adc
BD680A
• Monolithic Construction BD682
• BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682 are complementary with BD675, 675A,
677, 677A, 679, 679A, 681
• BD 678, 678A, 680, 680A are equivalent to MJE 700, 701, 702, 703
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.0 AMPERE
MAXIMUM RATING DARLINGTON
POWER TRANSISTORS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎ
Symbol
BD676
BD676A
BD678
BD678A
BD680
BD680A BD682 Unit
PNP SILICON
45, 60, 80, 100 VOLTS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO 45 60 80 100 Vdc 40 WATTS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCB 45 60 80 100 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25 _C 40 Watts
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Derate above 25 _C
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
0.32
– 55 to + 150
W/_C
_C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperating Range CASE 77–08
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5.0
0
15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 165
Figure 1. Power Temperature Derating
REV 7

BD676 BD676A BD678 BD678A BD680 BD680A BD682
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 50 mAdc, IB = 0)
BD676, 676A
BD678, 678A
BVCEO 45
60
—
—
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD680, 680A 80 —
BD682 100 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = Half Rated VCEO, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEO
ICBO
— 500 µAdc
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = Rated BVCEO, IE = 0) — 0.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = Rated BVCEO. IE = 0, TC = 100°C) — 2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain(1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hFE
(IC = 1.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc) BD676, 678, 680, 682 750 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) BD676A, 678A, 680A 750 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage(1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc, IB = 30 mAdc) BD678, 680, 682 VCE(sat) — 2.5 Vdc
(IC = 2.0 Adc, IB = 40 mAdc) BD676A, 678A, 680A — 2.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage(1)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
(IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
BD678, 680, 682
BD676A, 678A, 680A
VBE(on)
—
—
2.5
2.5
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 1.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz) hfe 1.0 — —
v v
5.0

transistor average junction temperature and secondary
1.0 breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE lim-
BONDING WIRE LIMIT its of the transistor that must be observed for reliable opera-
0.5 THERMAL LIMIT at TC = 25°C tion; e.g., the transistor must not be subjected to greater
SECONDARY BREAKDOWN LIMIT dissipation than the curves indicate.
0.2
BD676, 676A the power that can be handled to values less than the limita-
TC = 25°C BD678, 678A tions imposed by secondary breakdown.
0.1 BD680, 680A
BD682
0.05
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
PNP COLLECTOR
BD676, 676A
BD678, 678A
BD680, 680A
BD682
BASE
[ 8.0 k [ 120
EMITTER

MOTOROLA
NPN
BD777
Plastic Darlington PNP
Complementary Silicon Power BD776
Transistors BD778
BD780 *
. . . designed for general purpose amplifier and high–speed switching applications.
• High DC Current Gain
hFE = 1400 (Typ) @ IC = 2.0 Adc
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 10 mAdc *Motorola Preferred Device
VCEO(sus) = 45 Vdc (Min) — BD776
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — BD777, 778 DARLINGTON
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — BD780 4–AMPERE
• Reverse Voltage Protection Diode COMPLEMENTARY
• Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter output Resistor SILICON
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
POWER TRANSISTORS
MAXIMUM RATINGS 45, 60, 80 VOLTS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
15 WATTS
BD777
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol BD776 BD778 BD780 Unit
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VEB
45 60
5.0
80 Vdc
Vdc
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Collector Current —
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Continuous Peak
ÎÎÎ
IC 4.0
6.0
Adc
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Device Dissipation PD 15 Watts
TC = 25_C – Derate above 25_C 0.12 W/_C
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 77–08
TO–225AA TYPE
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristics Symbol Max Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
16 1.6
12 1.2
TA
8.0 0.8
4.0 0.4
0 0
20 40 60 80 100 120 140 160

REV 7

BD777 BD776 BD778 BD780
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IO = 10 mAdc, IB = 0)
BD776
BD777, BD778
VCEO(sus) 45
60
—
—
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD780 80 —
Collector Cutoff Current ICEO µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(VCE = 20 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 30 Vdc, IB = 0)
(VCE = 40 Vdc, IB = 0)
BD776
BD777, BD778
BD780
—
—
—
100
100
100
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = Rated, VCEO(sus), IE = 0)
ICBO
— 1.0
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = Rated, VCEO(sus), IE = 0, IC = 100°C) — 100
Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) IEBO — 1.0 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 1.5 Adc, IB = 6 mAdc)
HFE
VCE(Sat)
750
—
—
1.5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Emitter Saturation Voltage (IC = 1.5 Adc, IB = 6 mAdc) VBE(Sat) — 2.5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (IC = 1.5 Adc,VCE = 3 Vdc) VBE(On) — 2.3 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Diode Voltage Drop (IEC = 2.0 Adc) VEC — 2.0 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Gain Bandwidth Product (IC = 1.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) fT 20 — MHz
Symbol Min Typ Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Turn–On Time (IC = 250 mA/VCE = 2 V)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD775–777
BD776–778–780
ton —
—
250
150
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Turn–Off Time (IC = 250 mA, VCE = 2 V) BD775–777 toff — 600 ns
BD776–778–780 — 400
10 3000
100 µs 777
5.0 2000
500 µs
2.0 1.0 ms 1500

5.0 ms
1.0 1000 BD776, 778, 780
TJ = 150°C dc
0.5 700
THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C 500
(SINGLE PULSE) 400 TJ = 25°C
0.1 SECONDARY BREAKDOWN LIMITED 300
CURVES APPLY BELOW RATED VCEO VCE = 2.0 Vdc
0.05
200
BD775, 776
0.02 BD777, 778
BD780
0.01 100
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 2. Active Region Safe Operating Area Figure 3. Typical DC Current Gain
PNP COLLECTOR NPN COLLECTOR

BD776 BD777
BD778 BD779
BD780
BASE BASE
[ 150 [ 150
EMITTER EMITTER

MOTOROLA
NPN
BD787
Complementary Plastic Silicon PNP
Power Transistors BD788
. . . designed for lower power audio amplifier and low current, high–speed switching
applications.
• Low Collector–Emitter Sustaining Voltage — 4 AMPERE
VCEO(sus) 60 Vdc (Min) — BD787, BD788 POWER TRANSISTORS
• High Current–Gain — Bandwidth Product — COMPLEMENTARY
fT = 50 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc SILICON
• Collector–Emitter Saturation Voltage Specified at 0.5, 1.0, 2.0 and 4.0 Adc 60 VOLTS
15 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol
BD787
BD788 Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
VCBO
60
80
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current — Continous 4.0 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak IC 8.0 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Current IB 1.0 Adc CASE 77–08
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25°C 15 Watts
Derate Above 25_C PD 0.12 W/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 150 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
16 1.6
12 1.2
TA
TC
8.0 0.8
4.0 0.4
0 0
20 40 60 80 100 120 140 160
REV 7

BD787 BD788
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 20 Vdc, IB = 0)
(VCE = 30 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEO — 100 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEX
— 1.0 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 125°C) — 0.1 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current IEBO — 1.0 µAdc
(VEB = 6.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS(1)
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hFE
40 250
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 25 —
(IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 20 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 5.0 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc) — 0.4
(IC = 1.0 Adc, IB = 100 mAdc) — 0.6
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, IB = 200 mAdc) — 0.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, IB = 800 mAdc) — 2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, IB = 200 mAdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
VBE(on) — 1.8 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product fT 50 — MHz
(IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 10 MHz)
Output Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IC = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ BD787
Cob
— 50
pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(f = 0.1 MHz) BD788 — 70
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
(1) Pulse Test; Pulse Width v
+ 30 V 500
VCC 300 VCC = 30 V
25 µs RC 200 IC/IB = 10
+ 11 V TJ = 25°C
SCOPE
RB 100 tr
0
t, TIME (ns)
70
– 9.0 V 50
51 D1
v
tr, tf 10 ns 30
DUTY CYCLE = 1.0% –4V 20
10 BD787 (NPN)
1N5825 USED ABOVE IB 100 mA[ 7.0 BD788 (PNP)
MSD6100 USED BELOW IB 100 mA[ 5.0

0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0
FOR PNP TEST CIRCUIT, REVERSE ALL POLARITIES. IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)

BD787 BD788
1.0

0.7 D = 0.5
0.5
0.3 0.2
(NORMALIZED)
0.2 0.1
0.05 P(pk)
0.1 RθJC(t) = r(t) RθJC
0.07 RθJC = 8.34°C/W MAX
0.02 0 (SINGLE PULSE) TJ(pk) – TC = P(pk) RθJC(t)
0.01
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
t, TIME (ms)
10
1.0 ms 100 µs There are two limitations on the power handling ability of a
5.0 transistor: average junction temperature and second break-
500 µs
5.0 ms
TJ = 150°C dc i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
0.5
BONDING WIRE LIMITED The data of Figure 5 is based on T J(pk) = 150_C: TC is
THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C variable depending on conditions. Second breakdown pulse
0.1 (SINGLE PULSE)
0.05
v 150_C, T J(pk) may be calculated from the data in Fig-
ure 4. At high case temperatures, thermal limitations will re-
BD787 (NPN) BD788 (PNP) 60 V
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
2000 200
VCC = 30 V TJ = 25°C
1000 ts IC/IB = 10
700 IB1 = IB2 100
Cib
C, CAPACITANCE (pF)
500 TJ = 25°C
70
t, TIME (ns)
300 50
200
100 tf 30 Cob
70
20
50
(NPN) (NPN)
30 (PNP) (PNP)
20 10
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100

BD787 BD788
NPN NPN
BD787 BD788
400 200
300 TJ = 150°C VCE = 1.0 V VCE = 1.0 V
VCE = 3.0 V TJ = 150°C VCE = 3.0 V
200 100

25°C
70 25°C
100 – 55°C
50
70 – 55°C
30
50
20
30
20 10
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0
2.0 2.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
1.6 1.6
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.2 1.2

0.8 0.8
VBE(on) @ VCE = 3.0 V VBE @ VCE = 3.0 V
0.4 0.4

0 0
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0
+ 2.5 + 2.5
*APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE/3 *APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE/3

+ 2.0 + 2.0
+ 1.5 + 1.5
+ 1.0 + 1.0
*θVC FOR VCE(sat) *θVC FOR VCE(sat) 25°C to 150°C
+ 0.5 25°C to 150°C + 0.5
0 0 – 55°C to 25°C
– 0.5 – 55°C to 25°C
– 0.5
– 1.0 – 1.0 25°C to 150°C
25°C to 150°C
– 1.5 θVB FOR VBE – 1.5 θVB FOR VBE
– 2.0 – 2.0 – 55°C to 25°C
– 55°C to 25°C
– 2.5 – 2.5
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0

MOTOROLA
NPN
Complementary Plastic Silicon BD789
Power Transistors BD791*
PNP
. . . designed for low power audio amplifier and low–current, high speed switching
applications. BD790
BD792*
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — BD789, BD790
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) — BD791, BD792
• High DC Current Gain @ IC = 200 mAdc *Motorola Preferred Device
hFE = 40–250
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage — 4 AMPERE
VCE(sat) = 0.5 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc POWER TRANSISTORS
• High Current Gain — Bandwidth Product — COMPLEMENTARY
fT = 40 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc) SILICON
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
80, 100 VOLTS
*MAXIMUM RATINGS 15 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD789 BD791
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol BD790 BD792 Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak 8.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎ IB 1.0 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25_C
PD 15
0.12
Watts
W/_C
CASE 77–08
TO–225AA TYPE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction TJ,Tstg – 65 to + 150 _C
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
16 1.6
12 1.2
TC
TA
8.0 0.8
4.0 0.4
0 0
20 40 60 80 100 120 140 160

REV 7

BD789 BD791 BD790 BD792
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD789, BD790
VCEO(sus)
80 —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD791, BD792 100 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) BD789, BD790 — 100
(VCE = 50 Vdc, IB = 0) BD791, BD792 — 100
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) BD789, BD790
ICEX
— 1.0 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 100 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) BD791, BD792 — 1.0
(VCE = 40 Vdc, VBE(off) = 1 5 Vdc, TC = 125_C) BD789, BD790 — 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
(VCE = 50 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 125_C) BD791, BD792 — 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VEB = 6.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 1.0 µAdc
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hFE —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, VCE = 3 0 Vdc) 40 250
(IC = 1.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 20 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 10 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 5.0 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc) — 0.5
(IC = 1.0 Adc, IB = 100 mAdc) — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, IB = 200 mAdc) — 2.5
(IC = 4.0 Adc, IB = 800 mAdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 3.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 2.0 Adc, IB = 200 mAdc) VBE(sat) — 1.8 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (IC = 200 mAdc, VCE = 3.0 Vdc) VBE(on) — 1.5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 10 MHz)
Output Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IC = 0, f = 0.1 MHz) BD789, BD791
Cob
— 50
pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BD790, BD792 — 70
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
v v
+ 30 V 500
VCC
300 TJ = 25°C
25 µs RC 200 VCC = 30 V
+ 11 V IC/IB = 10
SCOPE
RB 100
0
t, TIME (ns)
70
50
– 9.0 V 51 D1
v
tr
tr, tf 10 ns 30
DUTY CYCLE = 1.0% –4V 20 td @ VBE(off) = 5.0 V
10 BD789, 791 (NPN)
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg
[
7.0 BD790, 792 (PNP)
MBR340 USED ABOVE IB 100 mA
[
5.0
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0
FOR PNP TEST CIRCUIT, REVERSE ALL POLARITIES. IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)

BD789 BD791 BD790 BD792
1.0

0.7 D = 0.5
0.5
0.3 0.2
(NORMALIZED)
0.2 0.1
0.05 P(pk)
0.07 RθJC = 8.34°C/W MAX
0.02 0 (SINGLE PULSE) TJ(pk) – TC = P(pk) RθJC(t)
0.01
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
t, TIME (ms)
10
5.0 100 µs There are two limitations on the power handling ability of a
1.0 ms transistor: average junction temperature and second break-
2.0 500 µs down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
dc
0.5 TJ = 150°C i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
5.0 ms tion than the curves indicate.
The data of Figure 5 is based on T J(pk) = 150_C: TC is
0.05
CURVES APPLY BELOW RATED VCEO v 150_C, TJ(pk) may be calculated from the data in Fig-
BD789 (NPN) BD790 (PNP)
BD791 (NPN) BD792 (PNP)
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
2000 200
TJ = 25°C TJ = 25°C
1000 VCC = 30 V
700 IC/IB = 10 100
Cib
C, CAPACITANCE (pF)
500 IB1 = IB2

ts
70
t, TIME (ns)
300
200 50
100
70 Cob
tf 30
50
BD789, 791 (NPN) 20 BD789, 791 (NPN)
30 BD790, 792 (PNP) BD790, 792 (PNP)
20 10
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100

BD789 BD791 BD790 BD792
NPN NPN
BD789, BD791 BD790, BD792
500 200
300 TJ = 150°C VCE = 1.0 V VCE = 1.0 V

100 TJ = 150°C
VCE = 3.0 V VCE = 3.0 V
200
70 25°C

25°C 50
100 – 55°C
70 30
– 55°C
50
20
30 10
7.0
20
5.0
7.0 3.0
5.0 2.0
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0
1.4 1.4
TJ = 25°C TJ = 25°C
1.2 1.2
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.0 1.0
0.8 0.8
0.6 VBE(on) @ VCE = 3.0 V 0.6 VBE(on) @ VCE = 3.0 V

IC/IB = 10
0.4 IC/IB = 10 0.4
5.0 5.0
0.2 0.2 VCE(sat)
VCE(sat)
0 0
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0
+ 2.5 + 2.5
*APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE/3 *APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE/3

+ 2.0 + 2.0
+ 1.5 + 1.5
+ 1.0 + 1.0
25°C to 150°C
+ 0.5 25°C to 150°C + 0.5 *θVC FOR VCE(sat)
*θVC FOR VCE(sat)
0 0
– 55°C to 25°C – 55°C to 25°C
– 0.5 – 0.5
– 1.0 25°C to 150°C – 1.0 25°C to 150°C
– 1.5 – 1.5 θVB FOR VBE
θVB FOR VBE
– 2.0 – 55°C to 25°C – 2.0 – 55°C to 25°C
– 2.5 – 2.5
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0

MOTOROLA
BD801
Plastic High Power Silicon NPN
Transistor 8 AMPERE
POWER TRANSISTORS
. . . designed for use up to 30 Watt audio amplifiers utilizing complementary or quasi NPN SILICON
complementary circuits. 100 VOLTS
65 WATTS
• BD801 is complementary with BD 798, 800, 802
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO
VCBO
100
100
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎÎ
VEBO
IC
5.0
8.0
Vdc
Adc
ÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ IB 3.0 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Total Device Dissipation TC = 25_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Derate above 25_C
PD 65
522
Watts
mW/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Temperature Range
TJ, Tstg – 55 to + 150 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 221A–06
TO–220AB
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
Symbol
BVCEO
Min
100
Max
—
Unit
Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(IC = 0.05 Adc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICBO 0.1 — mAdc
(VCB = 100 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IEBO — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
DC Current Gain hFE
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(IC = 1.0 A, VCE = 2.0 V) 30 —
(IC = 3.0 A, VCE = 2.0 V) 15 —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Current–Gain Bandwidth Product fT 3.0 — MHz
(IC = 0.25 Adc, VCE = 10 Vdc,
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
f = 1.0 MHz)
v v
* Pulse Test: Pulse Width 300 µs. Duty Cycle 2.0%.
REV 7

BD801
10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) 100 µs

5 The Safe Operating Area Curves indicate IC – VCE limits
TJ = 150°C Collector load lines for specific circuits must fall within the ap-
dc 5 ms
0.5
power conditions.
0.1
BD801
0.05
1 5 10 50 100
2.0
1.6
IC = 10 mA 100 mA 1.0 A 3.0 A
1.2
0.8
TJ = 25°C
0.4
0
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
5.0 1.8
VCE = 2.0 V 1.7 TJ = 25°C
hFE, NORMALIZED DC CURRENT GAIN
3.0
150°C
2.0 1.6
VOLTAGE (VOLTS)
25°C 1.4
1.0 – 55°C 1.2
0.7 1.0 VBE(sat) @ IC/IB = 10
0.5 0.8
0.3 0.6
0.2 0.4 VBE @ VCE = 2.0 V

0.1 0
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 4.0 0.01 0.02 0.03 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0
Figure 3. Normalized DC Current Gain Figure 4. “On” Voltage
1.0
D = 0.5
0.5
D = 0.2
THERMAL RESISTANCE
0.3
0.2 D = 0.1
0.1 D = 0.05
D = 0.01
0.5
0.03 D = 0 (SINGLE PULSE)
0.02
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1000

MOTOROLA
BD802
Plastic High Power Silicon
PNP Transistor 8 AMPERE
POWER TRANSISTORS
. . . designed for use up to 30 Watt audio amplifiers utilizing complementary or quasi PNP SILICON
complementary circuits. 100 VOLTS
65 WATTS
• BD802 is complementary with BD 795, 797, 799, 801
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO
VCBO
100
100
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎÎ
VEBO
IC
5.0
8.0
Vdc
Adc
ÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ IB 3.0 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Total Device Dissipation TC = 25_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Derate above 25_C
PD 65
522
Watts
mW/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Temperature Range
TJ, Tstg – 55 to + 150 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 221A–06
TO–220AB
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
Symbol
BVCEO
Min
100
Max
—
Unit
Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(IC = 0.05 Adc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VCB = 100 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1.0 A, VCE = 2.0 V)
ÎÎÎÎÎ
hFE
30 —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(IC = 3.0 A, VCE = 2.0 V) 15 —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
VBE(on) — 1.6 Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(IC = 0.25 Adc, VCE = 10 Vdc,
f = MHz)
fT 3.0 — MHz
x x
* Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0.
REV 7

BD802
10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) 100 µs
TJ = 150°C 5 ms Collector load lines for specific circuits must fall within the ap-
dc
0.5 derating must be observed for both steady state and pulse
power conditions.
0.1
BD802
0.05
1 5 10 50 100
2.0
1.6
IC = 10 mA 100 mA 1.0 A 3.0 A
1.2
0.8
TJ = 25°C
0.4
0
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
5.0 1.8
VCE = 2.0 V 1.7 TJ = 25°C
hFE , NORMALIZED DC CURRENT GAIN
3.0 150°C
2.0 1.6
25°C 1.4
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.0 – 55°C 1.2

0.7 1.0
0.5 0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10
0.3 0.6
0.2 0.4 VBE @ VCE = 2.0 V
0.1 0
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 4.0 0.01 0.02 0.03 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0
Figure 3. Normalized DC Current Gain Figure 4. “On” Voltage
1.0
D = 0.5
0.5
D = 0.2
THERMAL RESISTANCE
0.3
0.2 D = 0.1
0.1 D = 0.05
D = 0.01
0.5
0.03 D = 0 (SINGLE PULSE)
0.02
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1000

MOTOROLA
BD808
Plastic High Power Silicon BD810*
PNP Transistor *Motorola Preferred Device
10 AMPERE
. . . designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi
POWER TRANSISTORS
complementary circuits.
PNP SILICON
• DC Current Gain — hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc 60, 80 VOLTS
• BD 808, 810 are complementary with BD 807, 890
90 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO BD808
BD810
60
80
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCBO BD808
BD810
70
80
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current IC 10 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Device Dissipation TC = 25_C PD 90 Watts
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
TJ, Tstg – 55 to + 150 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic Symbol Max Unit CASE 221A–06
ÎÎÎ
TO–220AB
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage* BVCEO BD808 60 — Vdc
(IC = 0.1 Adc, IB = 0) BD810 80 —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
(VCB = 70 Vdc, IE = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICBO
BD808 — 1.0
mAdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) BD810 — 1.0
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 2.0 A, VCE = 2.0 V) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
hFE
30 —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 4.0 A, VCE = 2.0 V) 15 —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Current–Gain Bandwidth Product
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
x x
fT 1.5 — MHz
REV 7

BD808 BD810
90
.5 ms 80

IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) 5 ms 1 ms 1 ms
10
70
60
3 dc 50
TJ = 150°C 40
1
30
0.3 20
BD808
10
BD810
0.1 0
1 3 10 30 100 0 25 50 75 100 125 150 175
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) TC, CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 1. Active Region DC Safe Operating Area Figure 2. Power–Temperature Derating Curve
(see Note 1)
2.0 500
1.8 TJ = 25°C 300 VCE = 2.0 V
1.6 TJ = 150°C

1.4 25°C
100
VOLTAGE (VOLTS)
1.2
1.0 VBE(sat) @ IC/IB = 10 50
– 55°C
0.8
0.6
0.4
10
0.2 VBE @ VCE = 2.0 V
0 5.0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 0.01 0.05 0.1 0.5 1.0 5.0 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 3. “On” Voltages Figure 4. Current Gain
1.0
0.7 D = 0.5
0.5
THERMAL RESISTANCE
0.3 0.2
0.2 0.1
0.1 0.05 SINGLE P(pk)

0.02 θJC(t) = r(t) θJC PULSE
0.07
0.03 SINGLE PULSE t2
READ TIME AT t1
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, PULSE WIDTH (ms)

transistor: average junction temperature and second break- limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
the transistor that must be observed for reliable operation, reduce the power that can be handled to values less than the

MOTOROLA
NPN
BDV65B
Complementary Silicon Plastic PNP
Power Darlingtons BDV64B
. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applica-
tions.
• High DC Current Gain DARLINGTONS
HFE = 1000 (min.) @ 5 Adc 10 AMPERES
• Monolithic Construction with Built–in Base Emitter Shunt Resistors COMPLEMENTARY
SILICON
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
POWER TRANSISTORS
MAXIMUM RATINGS 60 – 80 – 100 – 120 VOLTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol
VCEO
Value
100
Unit
Vdc
125 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VEB
100
5.0
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak
IC 10
20
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25_C 125 Watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Derate above 25_C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
1.0
– 65 to + 150
W/_C
_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range CASE 340D–01
SOT 93, TO–218 TYPE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
1.0
0.8
DERATING FACTOR
0.6
0.4
0.2
0
0 25 50 75 100 125 150
REV 7

BDV65B BDV64B
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 50 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEO — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 100 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 50 Vdc, IE = 0, TC = 150_C)
ICBO — 2.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 5.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE 1000 — —
(IC = 5.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, IB = 0.02 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
VBE(on) — 2.5 Vdc

BDV65B BDV64B
NPN PNP
10K
VCE = 4 V

10K
1K
1K
4 1
0.1 1 10 0.1 1 10
IC, COLLECTOR CURRENT (A) IC, COLLECTOR CURRENT (A)
10 10
V, VOLTAGE (V)
V, VOLTAGE (V)
1 VBE(sat) @ IC/IB = 250 1 VBE(sat) @ IC/IB = 250
0.1 0.1
0.1 1 10 0.1 1 10
Figure 4. “On” Voltages Figure 5. “On” Voltages
100
50
IC, COLLECTOR CURRENT (A)

5.0 ms 1.0 ms the transistor that must be observed for reliable operation
10 dc i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
SECONDARY BREAKDOWN The data of Figure 6 is based on TJ(pk) = 150_C, TC is
v
LIMITED @ TJ 150°C
1 THERMAL LIMIT @ TC = 25°C
BONDING WIRE LIMIT
v 150_C. TJ(pk) may be calculated from the data in Fig-
BDV65B, BDV64B
duce the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
1 10 30 50 100
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (V)

BDV65B BDV64B
1.0

D = 0.5
0.5
(NORMALIZED)
0.2
0.2
0.1 P(pk)
0.1 ZθJC(t) = r(t) RθJC
0.05 RθJC = 1.0°C/W MAX
0.01 TJ(pk) – TC = P(pk) ZθJC(t)
(SINGLE PULSE) DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.01
0.01 0.05 0.1 0.5 1.0 5 10 50 100 500 1000
t, TIME (ms)

MOTOROLA
NPN
Darlington Complementary BDW42*
PNP
Silicon Power Transistors BDW46
BDW47*
. . . designed for general purpose and low speed switching applications.
• High DC Current Gain – hFE = 2500 (typ.) @ IC = 5.0 Adc.
• Collector Emitter Sustaining Voltage @ 30 mAdc:
VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) — BDW46 *Motorola Preferred Device
VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) — BDW42/BDW47

• Low Collector Emitter Saturation Voltage DARLINGTON
VCE(sat) = 2.0 Vdc (max.) @ IC = 5.0 Adc 15 AMPERE
VCE(sat) = 3.0 Vdc (max.) @ IC = 10.0 Adc COMPLEMENTARY
• Monolithic Construction with Built–In Base Emitter Shunt resistors SILICON
• TO–220AB Compact Package POWER TRANSISTORS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
80 – 100 VOLTS
85 WATTS
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol BDW46
BDW42
BDW47 Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25_C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
85 Watts
Derate above 25_C 0.68 W/_C CASE 221A–06
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction TJ, Tstg – 55 to + 150 _C TO–220AB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25 50 75 100 125 150
Figure 1. Power Temperature Derating Curve

REV 7

BDW42 BDW46 BDW47
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Emitter Sustaining Voltage (1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BDW46
VCEO(sus)
80 —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BDW42/BDW47 100 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) BDW46 — 2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 50 Vdc, IB = 0) BDW42/BDW47 — 2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) BDW41/BDW46 — 1.0
(VCB = 100 Vdc, IE = 0) BDW42/BDW47 — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 2.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 1000 —
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 250 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, IB = 10 mAdc)
VCE(sat)
— 2.0
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 50 mAdc) — 3.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN (2)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Second Breakdown Collector

ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current with Base Forward Biased
BDW42 VCE = 28.4 Vdc
IS/b
3.0 —
Adc
BDW46/BDW47
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
VCE = 40 Vdc
VCE = 22.5 Vdc
VCE = 36 Vdc
1.2
3.8
1.2
—
—
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Magnitude of common emitter small signal short circuit current transfer ratio
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fT 4.0 — MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance Cob pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) BDW42 — 200
BDW46/BDW47 — 300
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2.0%.
hfe 300 —
(2) Pulse Test non repetitive: Pulse Width = 250 ms.

5.0
VCC ts
RB AND RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS – 30 V 3.0
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPES, e.g.:
[
2.0
[
RC
SCOPE 1.0 tf
t, TIME ( µs)
TUT
0.7
V2 RB
0.5
APPROX
+ 8.0 V
0
51 D1 [
8.0 k [
150
0.3
0.2
tr
VCC = 30 V
V1 + 4.0 V IC/IB = 250
0.1 IB1 = IB2
APPROX 25 µs for td and tr, D1 id disconnected 0.07 TJ = 25°C td @ VBE(off) = 0 V
– 12 V
v
tr, tf 10 ns
and V2 = 0
For NPN test circuit reverse all polarities
0.05
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
DUTY CYCLE = 1.0% IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)

BDW42 BDW46 BDW47
1.0

0.7 D = 0.5
0.3 0.2
0.2
0.1
P(pk)
0.1 0.05 RθJC(t) = r(t) RθJC
0.07 0.02 RθJC = 1.92°C/W
0.03 SINGLE PULSE t2
READ TIME AT t1
0.02 0.01
DUTY CYCLE, D = t1/t2 TJ(pk) – TC = P(pk) RθJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000

50 50
0.1 ms 0.1 ms
20 20

10 TJ = 25°C 10 TJ = 25°C
1.0 ms 1.0 ms
0.5 ms 0.5 ms
5.0 5.0
SECOND BREAKDOWN LIMIT dc SECOND BREAKDOWN LIMIT
2.0 BONDING WIRE LIMIT 2.0 BONDING WIRE LIMIT
dc
1.0 THERMAL LIMITED 1.0 THERMAL LIMITED
@ TC = 25°C (SINGLE PULSE) @ TC = 25°C (SINGLE PULSE)
0.5 0.5
0.2 0.2
0.1 0.1 BDW46
BDW42 BDW47
0.05 0.05
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
Figure 5. BDW42 Figure 6. BDW46 and BDW47
There are two limitations on the power handling ability of a down pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided
transistor: average junction temperature and second break- TJ(pk) v
200_C. TJ(pk) may be calculated from the data in
down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of the Fig. 4. At high case temperatures, thermal limitations will re-
transistor that must be observed for reliable operation; i.e., the duce the power that can be handled to values less than the li-
transistor must not be subjected to greater dissipation than the mitations imposed by second breakdown.
curves indicate. The data of Fig. 5 and 6 is based on TJ(pk) = * Linear extrapolation
200_C; TC is variable depending on conditions. Second break-
10,000 300
TJ = + 25°C
5000
3000 200
2000
C, CAPACITANCE (pF)
1000
500
100 Cob
300 TJ = 25°C
200
VCE = 3.0 V
70 Cib
100 IC = 3.0 A
50 50
30 BDW46, 47 (PNP) BDW46, 47 (PNP)
20 BDW42 (NPN) BDW42 (NPN)
10 30
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100

BDW42 BDW46 BDW47
BDW40, 41, 42 (NPN) BDW45, 46, 47 (PNP)
20,000 20,000
VCE = 3.0 V VCE = 3.0 V
10,000 10,000
7000

5000 TJ = 150°C 5000 TJ = 150°C
3000 3000
2000 2000 25°C
25°C
1000 1000
– 55°C 700 – 55°C
500
500
300 300
200 200
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10

3.0 3.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.6 2.6
IC = 2.0 A 4.0 A 6.0 A IC = 2.0 A 4.0 A 6.0 A
2.2 2.2
1.8 1.8
1.4 1.4
1.0 1.0
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
BDW40, 41, 42 (NPN) BDW45, 46, 47 (PNP)
3.0 3.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.5 2.5
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.0 2.0

1.5 1.5 VBE @ VCE = 4.0 V
VBE @ VCE = 4.0 V VBE(sat) @ IC/IB = 250

1.0 1.0
0.5 0.5
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10

BDW42 BDW46 BDW47
+ 5.0 + 5.0
θV, TEMPERATURE COEFFICIENT (mV/ °C)

+ 4.0
*IC/IB v 250 + 4.0
*IC/IB v 250
+ 3.0 + 3.0
+ 25°C to 150°C
+ 2.0 25°C to 150°C + 2.0
+ 1.0 + 1.0
– 55°C to 25°C
0 0
– 2.0 – 2.0
25°C to 150°C θVB for VBE – 55°C to + 25°C
– 3.0 θVB for VBE – 3.0 + 25°C to 150°C – 55°C to +25°C
– 4.0 – 55°C to 25°C – 4.0
– 5.0 – 5.0
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10
105 105
104 104

VCE = 30 V VCE = 30 V
103 103
102 102
TJ = 150°C TJ = 150°C
101 101
100°C
100 100 100°C
25°C
25°C
10– 1 10– 1
+ 0.6 + 0.4 + 0.2 0 – 0.2 – 0.4 – 0.6 – 0.8 – 1.0 – 1.2 – 1.4 – 0.6 – 0.4 – 0.2 0 + 0.2 + 0.4 + 0.6 + 0.8 + 1.0 + 1.2 + 1.4

BDW42 BDW46
BDW47
BASE BASE
[ 8.0 k [ 60 [ 8.0 k [ 60
EMITTER EMITTER

MOTOROLA
NPN
Darlington Complementary BDX33B
Silicon Power Transistors BDX33C*
PNP
BDX34B
. . . designed for general purpose and low speed switching applications.
• High DC Current Gain — hFE = 2500 (typ.) at IC = 4.0
• Collector–Emitter Sustaining Voltage at 100 mAdc
*
VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) — BDX33B, 34B
VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) — BDX33C, 34C BDX34C
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage *Motorola Preferred Device
VCE(sat) = 2.5 Vdc (max.) at IC = 3.0 Adc — BDX33B, 33C/34B, 34C
• Monolithic Construction with Build–In Base–Emitter Shunt resistors DARLINGTON
• TO–220AB Compact Package 10 AMPERE
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
COMPLEMENTARY
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS SILICON
POWER TRANSISTORS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BDX33B BDX33C
Rating Symbol BDX34B BDX34C Unit
80 – 100 VOLTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
70 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VEB
80
5.0
100 Vdc
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak
IC 10
15
Adc
ÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ IB 0.25 Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Device Dissipation
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
@ TC = 25_C
ÎÎÎ
Derate above 25_C
PD
70
0.56
Watts
W/_C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 150 _C
CASE 221A–06
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–220AB
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
80
60
40
20
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160

REV 7

BDX33B BDX33C BDX34B BDX34C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BDX33B/BDX34B
VCEO(sus)
80 —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BDX33C/BDX34C 100 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage1 VCER(sus) Vdc
(IC = 100 mAdc, IB = 0, RBE = 100) BDX33B/BDX34B 80 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage1 VCEX(sus) Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, IB = 0, VBE = 1.5 Vdc) BDX33B/BDX34B 80 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 1/2 rated VCEO, IB = 0) TC = 25_C
TC = 100_C
ICEO
— 0.5
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = rated VCBO, IE = 0) TC = 25_C — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TC = 100_C — 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current IEBO — 10 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hFE 750 — —
(IC = 3.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) BDX33B, 33C/34B, 34C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, IB = 6.0 mAdc) BDX33B, 33C/34B, 34C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) BDX33B, 33C/34B, 34C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Diode Forward Voltage VF — 4.0 Vdc
(IC = 8.0 Adc)
v v
1 Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle
2 Pulse Test non repetitive: Pulse Width = 0.25 s.
2.0%.

1.0

0.7 D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
0.1
P(pk)
0.1 0.05 RθJC(t) = r(t) RθJC
0.07 0.02 RθJC = 1.92°C/W
t1 SINGLE PULSE TRAIN SHOWN
0.03 SINGLE PULSE t2 PULSE READ TIME AT t1
0.02 0.01
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
20 100 20 100
µs µs
10 500 µs 10 500 µs

5.0 ms 5.0 ms
5.0 5.0
1.0 ms 1.0 ms
TC = 25°C dc TC = 25°C dc
2.0 2.0
1.0 1.0
BONDING WIRE LIMITED BONDING WIRE LIMITED
0.5 THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C 0.5 THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C
0.2 0.2 SECOND BREAKDOWN LIMITED
0.1 CURVES APPLY BELOW RATED VCEO 0.1 CURVES APPLY BELOW RATED VCEO
0.05 BDX34B 0.05 BDX33B
BDX34C BDX33C
0.02 0.02
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
There are two limitations on the power handling ability of a TJ(pk) = 150_C; TC is variable depending on conditions. Se-
transistor: average junction temperature and second break- cond breakdown pulse limits are valid for duty cycles to 10%
down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of provided TJ(pk) = 150_C. TJ(pk) may be calculated from the
the transistor that must be observed for reliable operation, data in Fig. . At high case temperatures, thermal limitations
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa- will reduce the power that can be handled to values less than
tion than the curves indicate. The data of Fig. 3 is based on the limitations imposed by second breakdown.
10,000 300
TJ = 25°C
5000
3000 200
2000
C, CAPACITANCE (pF)
1000
500 TJ = 25°C
100 Cob
300 VCE = 4.0 Vdc
200 IC = 3.0 Adc
70 Cib
100
50 50
30 PNP PNP
20 NPN NPN
10 30
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100

NPN PNP
BDX33B, 33C BDX34B, 34C
20,000 20,000
VCE = 4.0 V VCE = 4.0 V
10,000 10,000

5000 TJ = 150°C 5000 TJ = 150°C
3000 3000
2000 2000 25°C
25°C
1000 1000
– 55°C – 55°C
500 500
300 300
200 200
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10

3.0 3.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.6 2.6
IC = 2.0 A 4.0 A 6.0 A IC = 2.0 A 4.0 A 6.0 A
2.2 2.2
1.8 1.8
1.4 1.4
1.0 1.0
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
3.0 3.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.5 2.5
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.0 2.0
1.5 VBE(sat) @ IC/IB = 250 1.5 VBE @ VCE = 4.0 V

1.0 1.0
0.5 0.5
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10

MOTOROLA
Plastic Medium-Power NPN

BDX53B
Complementary Silicon
Transistors BDX53C
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications. PNP
• High DC Current Gain — BDX54B
hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc
• Collector Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mAdc
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — BDX53B, 54B BDX54C
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) — BDX53C, 54C
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc DARLINGTON
VCE(sat) = 4.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc 8 AMPERE
• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS 80 – 100 VOLTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BDX53B BDX53C 65 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol BDX54B BDX54C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak
IC 8.0
12
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 150 _C
CASE 221A–06
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS TO–220AB
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case RθJC 70 _C/W
TA TC
4.0 80
3.0 60
TC
2.0 40
TA
1.0 20
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160

REV 7

ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BDX53B, BDX54B
VCEO(sus)
80 —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BDX53C, BDX54C 100 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) BDX53B, BDX54B — 0.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 50 Vdc, IB = 0) BDX53C, BDX54C — 0.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) BDX53B, BDX54B — 0.2
(VCB = 100 Vdc, IE = 0) BDX53C, BDX54C — 0.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
hFE 750 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, IB = 12 mAdc) — 2.0
— 4.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, IC = 12 mA)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain hfe 4.0 — —
Output Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) BDX53B, 53C
Cob
— 300
pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BDX54B, 54C — 200
v v
5.0
VCC ts
RB AND RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS – 30 V 3.0
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPES, e.g.:
[
2.0
[
RC
SCOPE 1.0 tf
t, TIME ( µs)
TUT
0.7
V2 RB
0.5
APPROX
+ 8.0 V
0
51 D1 [
8.0 k [
120
0.3
0.2
tr
VCC = 30 V
V1 + 4.0 V IC/IB = 250
0.1 IB1 = IB2
APPROX 25 µs 0.07 TJ = 25°C td @ VBE(off) = 0 V
–12 V for td and tr, D1 is disconnected
v
tr, tf 10 ns and V2 = 0
For NPN test circuit reverse all polarities
0.05
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
DUTY CYCLE = 1.0% IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 2. Switching Time Test Circuit Figure 3. Switching Times

1.0

0.7 D = 0.5
0.3 0.2
0.2
0.1
P(pk)
0.1 0.05 RθJC(t) = r(t) RθJC
0.07 0.02 RθJC = 1.92°C/W
t1 SINGLE PULSE TRAIN SHOWN
0.03 SINGLE PULSE t2 PULSE READ TIME AT t1
0.02 0.01
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
20
10 500 µs
transistor average junction temperature and second break-
5.0 down. Safe operating area curves indicate IC –VCE limits of

5.0 ms
2.0 1.0 ms
dc the transistor that must be observed for reliable operation,
TJ = 150°C i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
1.0 BONDING WIRE LIMITED tion than the curves indicate.
0.5
THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150_C; TC is
(SINGLE PULSE)
0.1
t 150_C. TJ(pk) may be calculated from the data in Fig-
BDX53B, BDX54B
BDX53C, BDX54C
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
10,000 300
TJ = + 25°C
5000
3000 200
2000
C, CAPACITANCE (pF)
1000
500
100 Cob
300 TJ = 25°C
200
VCE = 3.0 V
70 Cib
100 IC = 3.0 A
50 50
30 PNP PNP
20 NPN NPN
10 30
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
Figure 6. Small-Signal Current Gain Figure 7. Capacitance

NPN PNP
BDX53B, 53C BDX54B, 54C
20,000 20,000
VCE = 4.0 V VCE = 4.0 V
10,000 10,000

5000 TJ = 150°C 5000 TJ = 150°C
3000 3000
2000 2000 25°C
25°C
1000 1000
– 55°C – 55°C
500 500
300 300
200 200
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10

3.0 3.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.6 2.6
IC = 2.0 A 4.0 A 6.0 A IC = 2.0 A 4.0 A 6.0 A
2.2 2.2
1.8 1.8
1.4 1.4
1.0 1.0
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
3.0 3.0
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.5 2.5
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.0 2.0
1.5 VBE(sat) @ IC/IB = 250 1.5 VBE @ VCE = 4.0 V

1.0 1.0
0.5 0.5
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10

NPN PNP
BDX53B, BDX53C BDX54B, BDX54C
θV, TEMPERATURE COEFFICIENT (mV/ °C) + 5.0 + 5.0
θV, TEMPERATURE COEFFICIENT (mV/ °C)

+ 4.0
*IC/IB v hFE/3 + 4.0
*IC/IB v hFE/3
+ 3.0 + 3.0
+ 2.0 25°C to 150°C + 2.0 25°C to 150°C
+ 1.0 + 1.0
– 55°C to 25°C – 55°C to 25°C
0 0
– 2.0 – 2.0
25°C to 150°C 25°C to 150°C
– 3.0 θVB for VBE – 3.0 θVB for VBE
– 4.0 – 55 to 150°C – 4.0 – 55 to 150°C
– 5.0 – 5.0
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
105 105
104 104

VCE = 30 V VCE = 30 V
103 103
102 102
TJ = 150°C TJ = 150°C
101 101
100°C
100°C 100
100 25°C
25°C
10– 1 10– 1
– 0.6 – 0.4 – 0.2 0 + 0.2 + 0.4 + 0.6 + 0.8 + 1.0 + 1.2 + 1.4 + 0.6 + 0.4 + 0.2 0 – 0.2 – 0.4 – 0.6 – 0.8 – 1.0 – 1.2 – 1.4

BDX53B BDX54B
BDX53C BDX54C
BASE BASE
[ 8.0 k [ 120 [ 8.0 k [ 120
EMITTER EMITTER

MOTOROLA
BU208A
Horizontal Deflection Transistor 5.0 AMPERES
. . . designed for use in televisions. NPN SILICON
• Collector–Emitter Voltages VCES 1500 Volts POWER TRANSISTOR
• Fast Switching — 400 ns Typical Fall Time 700 VOLTS
• Low Thermal Resistance 1_C/W Increased Reliability
• Glass Passivated (Patented Photoglass). Triple Diffused Mesa Technology for
Long Term Stability
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ Rating Symbol BU208A Unit
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO(sus)
VCES
700
1500
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
— Peak ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC
ICM
5.0
7.5
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
— Peak (Negative) IBM 3.5
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
PD 12.5 Watts
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 115 _C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
RθJC 1.6 _C/W
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Purpose, 1/8″ from Case for 5 Seconds
TL 275 _C
NOTES:
1. Pulsed 5.0 ms, Duty Cycle v
10%.
2. See page 3 for Additional Ratings on A Type.
3. Figures in ( ) are Standard Ratings Motorola Guarantees are Superior.
REV 7

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
BU208A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, L = 25 mH)
ÎÎÎÎ
VCEO(sus) 700 — — Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current1
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = rated VCES, VBE = 0)
ÎÎÎÎ
ALL TYPES ICES — — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Emitter Base Voltage1 VEBO Vdc
(IC = 0, IE = 10 mAdc) 5 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
(IC = 0, IE = 100 mAdc)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— 7 —
ON CHARACTERISTICS1
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
hFE 2.25 — —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 4.5 Adc, VCE = 5 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) — — 1 Vdc
(IC = 4.5 Adc, IB = 2 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 4.5 Adc, IB = 2 Adc)
ÎÎÎÎ
VBE(sat) — — 1.5 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current–Gain Bandwidth Product fT — 4 — MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Output Capacitance Cob — 125 — pF
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, ftest = 1 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Storage Time (see test circuit fig. 1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 4.5 Adc, IB1 = 1.8 Adc, LB = 10 µH)
ts — 8 — µs
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Fall time (see test circuit fig. 1) tf — 0.4 — µs
(IC = 4.5 Adc, IB1 = 1.8 Adc, LB = 10 µH)
v
1Pulse test: PW = 300 µs; Duty cycle 2%.

BU208A
+ 40 + 40 7 mH 0.3 A
V V 130 V
0.5 µF 250 µF FUSE POWER
SUPPLY
1K 1K 400 mA
6.5 mH Ly = 1.3 mH
1 µF
1N5242 (12 V)
10 K 100 Ω
1A 22 nF
LB 1500 V 22 nF
T.U.T.
820 10 nF
3 1
TBA920 MPSU04
220 680 nF RB 680 µF
14 2 0.56
10 nF
15 16 10 K
100
2K7
2K
3K3
80
POWER DISSIPATION (W)
60
40
20
0
40 80 120 160 200

BU208A
BASE DRIVE
The Key to Performance
By now, the concept of controlling the shape of the turn–off This shows the parameter that really matters, dissipation,
base current is widely accepted and applied in horizontal whether caused by switching or by saturation. For very low
deflection design. The problem stems from the fact that good LB a very narrow optimum is obtained. This occurs when IB1
saturation of the output device, prior to turn–off, must be as- hFE ^ ICM, and therefore would be acceptable only for the
sured. This is accomplished by providing more than enough “typical” device with constant ICM. As LB is increased, the
IB1 to satisfy the lowest gain output device hFE at the end of curves become broader and flatter above the IB1. hFE = ICM
scan ICM. Worst–case component variations and maximum point as the turn off “tails” are brought under control. Eventu-
high voltage loading must also be taken into account. ally, if LB is raised too far, the dissipation all across the curve
If the base of the output transistor is driven by a very low will rise, due to poor initiation of switching rather than tailing.
impedance source, the turn–off base current will reverse Plotting this type of curve family for devices of different hFE,
very quickly as shown in Fig. 3. This results in rapid, but only essentially moves the curves to the left, or right according to
partial collector turn–off, because excess carriers become the relation IB1 hFE = constant. It then becomes obvious that,
trapped in the high resistivity collector and the transistor is for a specified ICM, an LB can be chosen which will give low
still conductive. This is a high dissipation mode, since the dissipation over a range of hFE and/or IB1. The only remain-
collector voltage is rising very rapidly. The problem is over- ing decision is to pick IB1 high enough to accommodate the
come by adding inductance to the base circuit to slow the lowest hFE part specified. Neither LB nor IB1 are absolutely
base current reversal as shown in Fig. 4, thus allowing ac- critical. Due to the high gain of Motorola devices it is sug-
cess carrier recombination in the collector to occur while the gested that in general a low value of IB1 be used to obtain
base current is still flowing. optimum efficiency — eg. for BU208A with ICM = 4.5 A use
Choosing the right LB Is usually done empirically since the [ [
IB1 1.5 A, at ICM = 4 A use IB1 1.2 A. These values are
equivalent circuit is complex, and since there are several lower than for most competition devices but practical tests
important variables (I CM, I B1, and h FE at I CM). One method is have showed comparable efficiency for Motorola devices
to plot fall time as a function of L B, at the desired conditions, even at the higher level of IB1.
for several devices within the h FE specification. A more infor- An LB of 10 µH to 12 µH should give satisfactory operation
mative method is to plot power dissipation versus I B1 for a of BU208A with ICM of 4 to 4.5 A and IB1 between 1.2 and
range of values of L B. 2 A.
TEST CIRCUIT WAVEFORMS
IB IB
IC IC
(TIME) (TIME)
Figure 3 Figure 4
TEST CIRCUIT OPTIMIZATION
The test circuit may be used to evaluate devices in the Excessive power input can be caused by a variety of prob-
conventional manner, i.e., to measure fall time, storage time, lems, but it is the dissipation in the transistor that is of funda-
and saturation voltage. However, this circuit was designed to mental importance. Once the required transistor operating
evaluate devices by a simple criterion, power supply input. current is determined, fixed circuit values may be selected.

BU208A
14 0.5

13 VCE = 5 V
12 0.4
11
VOLTAGE (V)
10 0.3
9 IC/IB = 3
8 0.2 IC/IB = 2
7
6 0.1
5
4 0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
Figure 5. DC Current Gain Figure 6. Collector–Emitter Saturation Voltage
1.6 2.8

1.5 IC = 2 A
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (V)
2.4 IC = 3 A
1.4
IC = 3.5 A
1.3 2.0
IC = 4 A
VOLTAGE (V)
1.2 1.6
1.1 IC = 4.5 A
1.0 IC/IB = 2 1.2
0.9 0.8
0.8
0.4
0.7
0.6
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
IC, COLLECTOR CURRENT (A) IB, BASE CURRENT CONTINUOUS (A)
Figure 7. Base–Emitter Saturation Voltage Figure 8. Collector Saturation Region
15
10
5 1 µs
IC (max.) 2
2 5
1 10
ICM (max.) 20
50
0.5 100
200
0.2 300
0.1
1 ms
0.05 TC ≤ 95°C 2 ms
0.01 THERMAL LIMIT
D.C.
DUTY CYCLE ≤ 1%
0.002 BU208, A1
0.001 1Pulse width ≤ 20 µs. Duty cycle ≤ 0.25. RBE ≤ 100 Ohms.
1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000 2000
Figure 9. Maximum Forward Bias Safe
Operating Area

MOTOROLA
BU323A
NPN Silicon Power Darlington
Transistor 16 AMPERE PEAK
POWER TRANSISTOR
DARLINGTON NPN
The BU323A is a monolithic darlington transistor designed for automotive ignition, SILICON
switching regulator and motor control applications. 400 VOLTS
COLLECTOR
• VCE Sat Specified at – 40_C = 2.0 V Max. at IC = 6 A. 175 WATTS
• Photoglass Passivation for Reliability and Stability.
BASE
≈1k ≈ 30
CASE 1–07
EMITTER
TO–204AA
(TO–3)
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO(sus) 400 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Peak (1) 16
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IB 3.0 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
@ TC = 100_C
PD 175
100
Watts
Watts
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
v
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle 10%.
REV 7

BU323A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS1
ÎÎÎÎ
L = 10 mH ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Figure 1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO(sus) Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, IB = 0, Vclamp = Rated VCEO) 400
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter sustaining Voltage (Figure 1) VCER(sus) Vdc
(IC = 3 A, RBE = 100 Ohms, L = 500 µH)
Unclamped
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (Rated VCER, RBE = 100 Ohms) ICER
475
1 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (Rated VCBO, IE = 0)
ICBO 1 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VEB = 6 Vdc, IC = 0) IEBO 40 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3 Adc, VCE = 6 Vdc) 300 550
(IC = 6 Adc, VCE = 6 Vdc) 150 350 2000
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 6 Vdc) 50 150
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3 Adc, IB = 60 mAdc) 1.5
(IC = 6 Adc, IB = 120 mAdc) 1.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 300 mAdc) 2.7
(IC = 6 Adc, IB = 120 mAdc, TC = – 40_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 6 Adc, IB = 120 mAdc) 2.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 300 mAdc) 3
(IC = 6 Adc, IB = 120 mAdc, TC = – 40_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (IC = 10 Adc, VCE = 6 Vdc) VBE(on) 2.5 Vdc
Diode Forward Voltage (IF = 10 Adc) Vf 2 3.5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, ftest = 100 kHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cob 165 350 pF
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
( CC – 12 Vdc, IC = 6 Adc,
(V ts 7.5 15 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time IB1 = IB2 = 0.3 Adc) Fig. 2 tf 5.2 15 µs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
FUNCTIONAL TESTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Base–Forward Biased
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IS/B See
Figure10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Pulsed Energy Test (See Figure 12) IC2L / 2 550 mJ
1 Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2%.
ftest = 200 Hz
VCC = 12 Vdc
VCC = 16 Vdc PULSE WIDTH = 1 ms
UNCLAMPED ≈ 15 Vdc 2 Ω/20 W
L IC = 6 Adc
0V
* 0 Vdc
t1 CLAMPED
20 ms 47 C C
1N4001 B 40 B
470 TUT
BC337 1N4001 TUT
* Vclamp
≈ 1K ≈ 30 ≈ 1K ≈ 30
VCER 51 100
VCEO
100
* Adjust t1 such that E E
* IC reaches Required
* value. IB = 0.3 Adc
Figure 1. Sustaining Voltage Test Circuit Figure 2. Switching Times Test Circuit

BU323A

2000 3
TJ = 150°C TJ = 25°C
1000
2.5
700
500
25°C 2
300
200 10 A
1.5
100 3 6
70 VCE = 3 Vdc IC = 0.5 A
50 1
VCE = 6 Vdc
30
20 0.5
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
VCE(sat) , COLLECTOR–EMITTER SATURATION VOLTAGE (V)

1.7 2.2
1.6 2.1
1.5 IC/IB = 50 2.0 TJ = 25°C
1.4 1.9
1.3 1.8
1.2 1.7 TJ
1.1 1.6
1.0 1.5
0.9 1.4
0.8 TJ 1.3
0.7 1.2
0.6 1.1
0.5 1.0
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
10 104
7 VCE = 250 Vdc
ts
5 TJ = 150°C
103
3
2 tf IC = ICES
102
t, TIME ( µs)
1
75°C
0.7 TJ = 25°C 101
0.5 IC/IB = 20
0.3 VCE = 12 Vdc
100 25°C
0.2
FORWARD
0.1 10 –1 REVERSE
0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 – 0.2 0 + 0.2 + 0.4 + 0.6 + 0.8
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Turn–Off Switching Time Figure 8. Collector Cutoff Region

BU323A
1

0.7
D = 0.5
0.5
0.3 0.2
(NORMALIZED)
0.2
0.1
0.1 P(pk)
0.07 RθJC = °C/W MAX
0.03 t1
0.02 SINGLE PULSE TJ(pk) – TC = P(pk) RθJC(t) DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000 2000
t, TIME (ms)

100 µs

5 5.0 ms the transistor that must be observed for reliable operation,
2 1.0 ms i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
0.2 dc
TC = 25°C limits are valid for duty cycles to 10% but must be derated
0.1
BONDING WIRE LIMIT
ate the same as thermal limitations. Allowable current at the
THERMAL LIMIT (SINGLE PULSE)
0.01 perature by using the appropriate curve on Figure 11.
5 10 20 30 50 70 100 200 300 500
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) case temperatures, thermal limitations will reduce the power
that can be handled to values less than the limitations im-
Figure 10. Forward Bias Safe Operating Area posed by second breakdown.
INDUCTIVE LOAD
100
<1 11 mH
VCC = 16 Vdc
80 SECOND BREAKDOWN VZ
t1
DERATING
0 Vdc
47
50 ms C
60 THERMAL 2.2
1N4001 B
DERATING 470
BC337 TUT
0.22
40 ≈ 1K ≈ 30 µF
VZ = 400 V (BU323A) 100
at IZ = 20 mA 1N4001
20 E
0
0 40 80 120 160 200 t1 to be selected such that IC reaches 10 Adc before switch–off.
TC, CASE TEMPERATURE (°C) NOTE: Figure 12 specifies energy handling capabilities in an automotive ignition circuit.
Figure 11. Power Derating Figure 12. Ignition Test Circuit

MOTOROLA
BU323AP
NPN Silicon Darlington Power
Transistor DARLINGTON
NPN SILICON
POWER TRANSISTOR
The BU323AP is a monolithic darlington transistor designed for automotive ignition, 400 VOLTS
switching regulator and motor control applications. 125 WATTS
• Collector–Emitter Sustaining Voltage —
VCER(sus) = 475 Vdc COLLECTOR
• 125 Watts Capability at 50 Volts
• VCE Sat Specified at – 40_C = 2.0 V Max. at IC = 6.0 A
• Photoglass Passivation for Reliability and Stability
BASE
≈1k ≈ 30
EMITTER
CASE 340D–01
TO–218 TYPE
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEV 475 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
VEB 6.0 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
10
ÎÎÎÎ
Adc
— Peak (1) ICM 16
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (1) IBM
ÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation — TC = 25_C PD 125 Watts
— TC = 100_C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100 Watts
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 200 _C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
RθJC 1.0 _C/W
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes:
ÎÎÎÎ
1/8″ from Case for 5 Seconds
x
TL 275 _C
REV 7

BU323AP
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
L = 10 mH ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO(sus) Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, IB = 0, Vclamp = Rated VCEO) 400
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Figure 1) VCER(sus) Vdc
(IC = 3 A, RBE = 100 Ohms, L = 500 µH)
Unclamped
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (Rated VCER, RBE = 100 Ohms) ICER
475
1 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (Rated VCBO, IE = 0)
ICBO 1 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VEB = 6 Vdc, IC = 0) IEBO 40 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3 Adc, VCE = 6 Vdc) 300 550
(IC = 6 Adc, VCE = 6 Vdc) 150 350 2000
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 6 Vdc) 50 150
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3 Adc, IB = 60 mAdc) 1.5
(IC = 6 Adc, IB = 120 mAdc) 1.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 300 mAdc 2.7
(IC = 6 Adc, IB = 120 mAdc, TC = – 40_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 6 Adc, IB = 120 mAdc) 2.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 300 mAdc) 3
(IC = 6 Adc, IB = 120 mAdc, TC = – 40_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (IC = 10 Adc, VCE = 6 Vdc) VBE(on) 2.5 Vdc
Diode Forward Voltage (IF = 10 Adc) Vf 2 3.5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cob 165 350 pF
ÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
( CC = 12 Vdc, IC = 6 Adc,
(V ts 7.5 15 µs
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time IB1 = IB2 = 0.3 Adc) Fig. 2 tf 5.2 15 µs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
FUNCTIONAL TESTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IS/B See
Figure 10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Pulsed Energy Test (See Figure 12) IC2L / 2 550 mJ
1Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2%.
ftest = 200 Hz
VCC = 12 Vdc
VCC = 16 Vdc PULSE WIDTH = 1 ms
UNCLAMPED ≈ 15 Vdc 2 Ω/20 W
L IC = 6 Adc
0V
* 0 Vdc
t1 CLAMPED
20 ms 47 C C
1N4001 B 40 B
470 TUT
BC337 1N4001 TUT
* Vclamp
≈ 1K ≈ 30 ≈ 1K ≈ 30
VCER 51 100
VCEO
100
* Adjust t1 such that E E
* IC reaches Required
* value. IB = 0.3 Adc
Figure 1. Sustaining Voltage Test Circuit Figure 2. Switching Times Test Circuit

BU323AP

2000 3
TJ = 150°C TJ = 25°C
1000
2.5
700
500 25°C
300 2
200 10 A
1.5
100
6
70 IC = 0.5 A 3
50 VCE = 3 Vdc 1
30 VCE = 6 Vdc
20 0.5
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2

1.7 2.2
1.6 IC/IB = 50 2.1 TJ = 25°C
1.5 TJ = 25°C 2.0
1.4 1.9 TJ = – 40°C
1.3 1.8
1.2 1.7
1.1 1.6
1.0 1.5
0.9 1.4
0.8 TJ = – 40°C 1.3
0.7 1.2
0.6 1.1
0.5 1.0
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
10 104
7 ts VCE = 250 Vdc
5 TJ = 150°C
103
3
2 tf IC = ICES
102
t, TIME ( µs)
1
75°C
0.7 101
0.5 TJ = 25°C
IC/IB = 20
0.3 VCE = 12 Vdc
100 25°C
0.2
FORWARD
0.1 10 –1 REVERSE
0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 – 0.2 0 + 0.2 + 0.4 + 0.6 + 0.8

BU323AP
1

0.7 D = 0.5
0.5
0.3 0.2
(NORMALIZED)
0.2
0.1
P(pk)
0.05
0.05
0.02 0.01 TJ(pk) – TC = P(pk) RθJC(t) DUTY CYCLE, D = t1/t2
SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000 2000
t, TIME (ms)

20 transistor average junction temperature and second break-
100 µs

1.0 ms
The data of Figure 10 is based on TC = 25_C, TJ(pk) is
0.2 dc limits are valid for duty cycles to 10% but must be derated
0.1 TC = 25°C when TC ≥ 25_C. Second breakdown limitations do not der-
BONDING WIRE LIMIT ate the same as thermal limitations. Allowable current at the
THERMAL LIMIT (SINGLE PULSE) voltages shown on Figure 10 may be found at any case tem-
0.01 SECOND BREAKDOWN LIMIT perature by using the appropriate curve on Figure 11.
5 10 20 30 50 70 100 200 300 500
INDUCTIVE LOAD
100
<1 11 mH
VCC = 16 Vdc
80 SECOND BREAKDOWN t1
VZ
DERATING
0 Vdc
47
60 50 ms C
THERMAL 1N4001 2.2
DERATING B
470
BC337 TUT
0.22
40 ≈ 1K ≈ 30 µF
100
VZ = 350 V (BU323P) 1N4001
20 VZ = 400 V (BU323AP) E
at IZ = 20 mA
0
0 40 80 120 160 200 t1 to be selected such that IC reaches 10 Adc before switch–off.
TC, CASE TEMPERATURE (°C) NOTE: Figure 12 specifies energy handling capabilities in an automotive ignition circuit.
Figure 11. Power Derating Figure 12. Ignition Test Circuit

MOTOROLA
BU323Z
Advance Information
NPN Silicon Power Darlington AUTOPROTECTED
DARLINGTON
High Voltage Autoprotected 10 AMPERES
360 – 450 VOLTS CLAMP
The BU323Z is a planar, monolithic, high–voltage power Darlington with a built–in 150 WATTS
active zener clamping circuit. This device is specifically designed for unclamped,
inductive applications such as Electronic Ignition, Switching Regulators and Motor
Control, and exhibit the following main features:
• Integrated High–Voltage Active Clamp
• Tight Clamping Voltage Window (350 V to 450 V) Guaranteed
Over the – 40°C to +125°C Temperature Range
• Clamping Energy Capability 100% Tested in a Live 360 V
Ignition Circuit CLAMP
• High DC Current Gain/Low Saturation Voltages
Specified Over Full Temperature Range
• Design Guarantees Operation in SOA at All Times
• Offered in Plastic SOT–93/TO–218 Type or
TO–220 Packages CASE 340D–01
SOT–93/TO–218 TYPE
ÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO 350 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VEBO 6.0 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak ICM 20
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak IBM 6.0
ÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation (TC = 25_C) PD 150 Watts
ÎÎÎÎÎÎÎ
1.0
_C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes: TL 260 _C
This document contains information on a new product. Specifications and information herein are subject to change without notice.
REV 7

BU323Z
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(TC = – 40°C to +125°C) ÎÎÎ
Collector–Emitter Clamping Voltage (IC = 7.0 A)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCLAMP 350 — 450 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 200 V, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEO — — 100 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Leakage Current IEBO — — 50 mAdc
(VEB = 6.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 100 mAdc)
VBE(sat)
— — 2.2
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 0.25 Adc) — — 2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 7.0 Adc, IB = 70 mAdc) — — 1.6
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TC = 125°C) — — 1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 0.1 Adc) — — 1.8
(TC = 125°C) — — 2.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 0.25 Adc) — — 1.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) (TC = – 40°C to +125°C) 1.1 — 2.1
(IC = 8.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 1.3 — 2.3
ÎÎÎÎ
(IF = 10 Adc) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Diode Forward Voltage Drop
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VF — — 2.5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 6.5 Adc, VCE = 1.5 Vdc) (TC = – 40°C to +125°C) 150 — —
(IC = 5.0 Adc, VCE = 4.6 Vdc) 500 — 3400
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current Gain Bandwidth
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fT — — 2.0 MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Input Capacitance
(VEB = 6.0 V) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cib — — 550 pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CLAMPING ENERGY (see notes)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Repetitive Non–Destructive Energy Dissipated at turn–off:
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 7.0 A, L = 8.0 mH, RBE = 100 Ω) (see Figures 2 and 4)
WCLAMP 200 — — mJ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (L = 10 mH)
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time tfi — 625 — ns
(IC = 6.5 A, IB1 = 45 mA,
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time VBE(off) = 0, RBE(off) = 0, tsi — 10 30 µs
VCC = 14 V,V VZ = 300 V)
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cross–over Time tc — 1.7 — µs
(1) Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle = 2.0%.

BU323Z
IC By design, the BU323Z has a built–in avalanche diode and
a special high voltage driving circuit. During an auto–protect
INOM = 6.5 A
cycle, the transistor is turned on again as soon as a voltage,
determined by the zener threshold and the network, is
Output transistor turns on: IC = 40 mA
reached. This prevents the transistor from going into a
Reverse Bias Operating limit condition. Therefore, the device
will have an extended safe operating area and will always
High Voltage Circuit turns on: IC = 20 mA
appear to be in “FBSOA.” Because of the built–in zener and
associated network, the I C = f(V CE ) curve exhibits an
Avalanche diode turns on: IC = 100 µA
unfamiliar shape compared to standard products as shown in
VCE
Figure 1.
250 V 300 V 340 V
VCLAMP NOMINAL
Icer Leakage Current = 400 V
Figure 1. IC = f(VCE) Curve Shape
The bias parameters, VCLAMP, IB1, VBE(off), IB2, IC, and

L INDUCTANCE the inductance, are applied according to the Device Under
MERCURY CONTACTS (8 mH)
WETTED RELAY
Test (DUT) specifications. VCE and IC are monitored by the
IC CURRENT test system while making sure the load line remains within
VCE SOURCE
the limits as described in Figure 4.
MONITOR
(VGATE) Note: All BU323Z ignition devices are 100% energy tested,
per the test circuit and criteria described in Figures 2 and 4,
RBE = 100 Ω to the minimum guaranteed repetitive energy, as specified in
0.1 Ω
IC
NON
the device parameter section. The device can sustain this
IB CURRENT VBEoff MONITOR
SOURCE INDUCTIVE energy on a repetitive basis without degrading any of the
IB2 SOURCE
specified electrical characteristics of the devices. The units
under test are kept functional during the complete test se-
quence for the test conditions described:
Figure 2. Basic Energy Test Circuit IC(peak) = 7.0 A, ICH = 5.0 A, ICL = 100 mA, IB = 100 mA,
RBE = 100 Ω, Vgate = 280 V, L = 8.0 mH
10
300 µs
1 ms
TC = 25°C
1
10 ms
250 ms
0.1
THERMAL LIMIT
0.01
CURVES APPLY BELOW
RATED VCEO
0.001
10 100 340 V 1000

BU323Z
IC
ICPEAK The shaded area represents the amount of energy the de-
vice can sustain, under given DC biases (IC/IB/VBE(off)/
IC HIGH
RBE), without an external clamp; see the test schematic dia-
gram, Figure 2.
The transistor PASSES the Energy test if, for the inductive
load and ICPEAK/IB/VBE(off) biases, the VCE remains outside
the shaded area and greater than the VGATE minimum limit,
Figure 4a.
IC LOW
VCE
Figure 4a. VGATE MIN
IC
ICPEAK
IC HIGH
IC LOW
VCE
Figure 4b. VGATE MIN The transistor FAILS if the VCE is less than the VGATE
(minimum limit) at any point along the VCE/IC curve as
IC shown on Figures 4b, and 4c. This assures that hot spots
and uncontrolled avalanche are not being generated in the
ICPEAK
IC HIGH
die, and the transistor is not damaged, thus enabling the
sustained energy level required.
IC LOW
VCE
Figure 4c. VGATE MIN
IC
ICPEAK
IC HIGH
The transistor FAILS if its Collector/Emitter breakdown

voltage is less than the VGATE value, Figure 4d.
IC LOW
VCE
Figure 4d. VGATE MIN
Figure 4. Energy Test Criteria for BU323Z

BU323Z
10000 10000
TYPICAL
TJ = 125°C

1000 1000
TYP – 6Σ
–40°C
TYP + 6Σ
100 25°C 100
VCE = 5 V, TJ = 25°C
VCE = 1.5 V
10 10
100 1000 10000 100 1000 10000 100000
IC, COLLECTOR CURRENT (MILLIAMPS) IC, COLLECTOR CURRENT (MILLIAMPS)


5.0
2.4
4.5 TJ = 25°C
IC = 3 A IC/IB = 150
2.2
4.0
2.0 TJ = 125°C
3.5
1.8
3.0 5A 8A 1.6
2.5 10 A
1.4
2.0 1.2
7A
1.5 1.0
1.0 0.8 25°C
0.5 0.6
0 0.4
1 10 100 0.1 1 10
IB, BASE CURRENT (AMPS) IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 7. Collector Saturation Region Figure 8. Collector–Emitter Saturation Voltage
2.0 2.0
VBE(on), BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
IC/IB = 150 VCE = 2 VOLTS

1.8 1.8
1.6
1.6 TJ = 25°C
1.4 TJ = 25°C
1.4
1.2
1.2 125°C
1.0 125°C
1.0 0.8
0.8 0.6
0.1 1 10 0.1 1 10
Figure 9. Base–Emitter Saturation Voltage Figure 10. Base–Emitter “ON” Voltages

MOTOROLA
BU406
NPN Power Transistors BU407
These devices are high voltage, high speed transistors for horizontal deflection
output stages of TV’s and CRT’s. 7 AMPERES
• High Voltage: VCEV = 330 or 400 V NPN SILICON
• Fast Switching Speed: tf = 750 ns (max) POWER TRANSISTORS
• Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1 V (max) @ 5 A 60 WATTS
• Packaged in Compact JEDEC TO–220AB 150 and 200 VOLTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol BU406 BU407 Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
VCEV
200
400
150
330
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCBO
VEBO
400
6
330 Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Peak Repetitive
ÎÎÎ
IC 7
10
Adc
ÎÎÎ
Peak (10 ms) 15
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Device Dissipation, TC = 25_C PD 60 Watts
Derate above TC = 25_C 0.48 W/_C
ÎÎÎ
Operating and Storage
ÎÎÎ
Junction Temperature Range
TJ, Tstg – 65 to 150 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RθJC
RθJA
2.08
70
_C/W
_C/W
ÎÎÎ
CASE 221A–06
Lead Temperature for Soldering Purposes: TL 275 _C TO–220AB
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage(1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BU406
BU407
VCEO(sus) 200
150
—
—
—
—
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICES mAdc
(VCE = Rated VCEV, VBE = 0) —
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(VCE = Rated VCEO + 50 Vdc, VBE = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCEO + 50 Vdc, VBE = 0, TC = 150_C)
—
—
—
—
0.1
1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current BU406, BU407 IEBO — — 1 mAdc
(VEB = 6 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 5 Adc, IB = 0.5 Adc) VCE(sat) — — 1 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 5 Adc, IB = 0.5 Adc) VBE(sat) — — 1.2 Vdc
v v ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(1) Pulse Test: Pulse Width
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Forward Diode Voltage (IEC = 5 Adc) “D” only
300 µs, Duty Cycle 1%.
VEC — — 2 Volts
(continued)
REV 2

BU406 BU407
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued (TC = 25_C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fT 10 — — MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
Cob — 80 — pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Inductive Load Crossover Time tc — — 0.75 µs
(VCC = 40 Vdc, IC = 5 Adc,
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 = IB2 = 0.5 Adc, L = 150 µH)
100 10
70 TJ = 100°C

dc
25°C
50
1 BONDING WIRE LIMIT

30 VCE = 5 V THERMAL LIMIT
0.1
20
BU407
TC = 25°C
BU406
10
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 2 3 5 7 10 20 30 50 70 100 200
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. DC Current Gain Figure 2. Maximum Rated Forward
Bias Safe Operating Area

MOTOROLA
BU522B
High Voltage Silicon Power
Darlingtons 7 AMPERES
DARLINGTON
Power Transistor mainly intended for use as ignition circuit output transistor. POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
• Specified minimum sustaining voltage: 450 VOLTS
VCER(sus) = 425 V at IC = 1 A 75 WATTS
• High S.O.A. capability:
VCE = 400 V
• Low VCE(sat) = 2.0 V max. at IC = 4 A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Rating Symbol BU522B Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage Sust. VCER(sus) 425 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Current Continuous IC 7.0 Adc CASE 221A–06
TO–220AB
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Derate above 25_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
0.60
W/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Temperature Range
TJ, Tstg – 65 to 150 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic Symbol Max. Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
PD , POWER DISSIPATION (W)
75
50
25
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
REV 7

BU522B
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1.0 A) See Figure 2 ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (See Figure 2)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCER(sus) 425 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(Rated VCER, RBE = 270 Ω)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICER
1.0
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Rated VCBO, IE = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 5.0 Vdc, IC = 0) 40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 2.5 Adc, VCE = 5 Vdc)
ÎÎÎ
hFE
250
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) 2 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4 Adc, IB = 80 mAdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4 Adc, IB = 80 mAdc) 2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Current Gain — Bandwidth Product
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.3 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, ftest = 10 MHz)
fT
7.5
MHz
ÎÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
Cob
150
pF

BU522B
6
VBAT = +16 V

47 A ~ 0.6 A 5
INDUCTIVE
LOAD
300 µH
4
VOLTAGE PROBE
(VCER(sus))
t1 IC = 3 A CURRENT PROBE (IC)
3
70 ms 1N4148 T.U.T.
670 A 2
INPUT BC337 270 Ω
0V 1
t1 to be selected that IC reaches 3 Adc before switch–off BU522B

Case temperature of the power transistor TC = 25°C 0
0 100 200 300 400 500
VCER(sus), COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Sustaining Voltage Test VCER(sus)
Test conditions of the Collector–Base Clamping Circuit:
VBAT = +16 V
47 A 0.6 A Clamping device characteristics:

INDUCTIVE
LOAD VZ = 400 V ± 1% at IZ = 20 mA
3 mH
CURRENT Clamping duration is around 40 µsec

PROBE (IC)
t2 VOLTAGE PROBE
IC = 3 A
(VCER(sus)) t2 to be selected that IL reaches
70 ms 1N4148 VZ T.U.T.
1.1 A 5 Adc before switch–off
670 A
INPUT BC337 270 Ω 0.10 µF Case temperature of the power
300 V
transistor: TC = 25°C.
0V
Figure 3. S.O.A. Test

MOTOROLA
BU806
NPN Darlington Power
Transistor
8.0 AMPERE
This Darlington transistor is a high voltage, high speed device for use in horizontal
DARLINGTON
deflection circuits in TV’s and CRT’s.
NPN POWER
• High Voltage: VCEV = 330 or 400 V
TRANSISTORS
• Fast Switching Speed:
60 WATTS
tc = 1.0 µs (max)
200 VOLTS
• Low Saturation Voltage:
VCE(sat) = 1.5 V (max)
• Packaged in JEDEC TO–220AB
• Damper Diode VF is specified.
VF = 2.0 V (max)
CASE 221A–06
TO–220AB
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Rating Symbol BU806 Unit
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
— Peak 15
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Emitter–Collector Diode Current IF 10 Adc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation, TC = 25°C PD 60 Watts
Derate above TC = 25_C 0.48 W/_C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to 150 _C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
RθJC
RθJA
2.08
70
_C/W
_C/W
ÎÎÎÎÎÎ
Lead Temperature for Soldering Purposes,
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
1/8″ from Case for 5.0 Seconds
TL 275 _C
REV 1

BU806
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCBO, VBE = 0)
ICES — — 100 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEV — — 100 µAdc
(VCE = Rated VCEV, VBE(off) = 6.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 6.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, IB = 50 mAdc)
VCE(sat) — — 1.5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage VBE(sat) — — 2.4 Vdc
(IC = 5.0 Adc, IB = 50 mAdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Collector Diode Forward Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IF = 4.0 Adc)
ÎÎÎ
VF — — 2.0 Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Turn–On Time ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ (Resistive Load, VCC = 100 Vdc,
ton — 0.35 — µs
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 5.0 Adc, IB1 = 50 mAdc, ts — 0.55 — µs
ÎÎÎÎÎÎ
IB2 = 500 mAdc)
Ad )
Fall Time tf — 0.20 — µs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Crossover Time
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, IB1 = 50 mAdc, VBE(off) = 4.0 Vdc,
Vclamp = 200 Vdc, L = 500 µH)
tc — 0.40 1.0 µs
(1) Pulse Test: Pulse Width v 300 µs, Duty Cycle v 1%.
600 20
10 non–repetitive 5.0 ms
400 VCE = 5.0 V

1.0 ms 10 µs
300 TJ = 25°C
200 dc
1.0
BONDING WIRE LIMIT

100 THERMAL LIMIT
80 SECOND BREAKDOWN LIMIT
0.1
60
50 ms
40 TC = 25°C BU806
30 0
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 3.0 10 60 100 200 300
Figure 1. DC Current Gain Figure 2. Safe Operating Area (FBSOA)

MOTOROLA
BUD43B
Product Preview
SWITCHMODE NPN Silicon POWER TRANSISTORS
2 AMPERES
Planar Power Transistor 700 VOLTS

25 WATTS
The BUD43B has an application specific state–of–the–art die designed for use in
220 V line operated Switchmode Power supplies and electronic ballast (“light
ballast”). The main advantages brought by this new transistor are:
• Improved Efficiency Due to Low Base Drive Requirements:
— High and Flat DC Current Gain hFE
— Fast and Tightened Switching Distributions
— No Coil Required in Base Circuit for Fast Turn–off
— (no current tail) CASE 369–07
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
VCBO
350
650
Vdc
Vdc
CASE 369A–13
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCES
VEBO
650
9
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MINIMUM PAD SIZES
Collector Current — Continuous IC 2 Adc RECOMMENDED FOR
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak (1) ICM 4 SURFACE MOUNTED
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
APPLICATIONS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Current — Peak (1) IBM 2 6.7
0.265
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
*Total Device Dissipation @ TC = 25_C PD 25 Watt
*Derate above 25°C 0.2 W/_C
0.265″
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.7
Operating and Storage Temperature TJ, Tstg – 65 to 150 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
0.118 .070″
1.8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
30
Thermal Resistance _C/W
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
1.6 1.6
— Junction to Case RθJC 5 0.063 0.063
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Junction to Ambient RθJA 71.4 2.3 2.3
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
0.090 0.090
Purposes: 1/8″ from case for 5 seconds
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle.
This document contains information on a product under development. Motorola reserves the right to change or discontinue this product without notice.

BUD43B
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) 350 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ICEO 100 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = Rated VCEO, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current @ TC = 25°C ICES 10 µAdc
(VCE = Rated VCES, VBE = 0) @ TC = 125°C 200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Emitter–Cutoff Current
(VEB = 9 Vdc, IC = 0) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IEBO 100 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2 Adc, IB = 0.5 Adc)
ÎÎÎÎ
VBE(sat) 125 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) 1 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 2 Adc, IB = 0.5 Adc) @ TC = 25°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain hFE
(IC = 1 Adc, VCE = 2 Vdc) @ TC = 25°C 8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 2 Adc, VCE = 5 Vdc) @ TC = 25°C 6
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current Gain Bandwidth fT 13 MHz
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 MHz)
ÎÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
Cob 40 pF
Input Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 8 V)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Cib 400 pF
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
SWITCHING CHARACTERISTICS (Resistive Load) (D.C. ≤ 10%, Pulse Width = 20 µs)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Turn–on Time (IC = 1.2 Adc, IB1 = 0.4 Adc, @ TC = 25°C toff 4.7 5.8 µs
IB2 = 0.1 Adc, VCC = 300 V)
ÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
(IC = 2.5 Adc, IB1 = 0.5 Adc,
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 0.5 Adc, VCC = 150 V)
@ TC = 25°C tf 800 ns

MOTOROLA
BUD44D2
Advance Information POWER TRANSISTORS

High Speed, High Gain Bipolar 2 AMPERES
700 VOLTS
NPN Power Transistor with 25 WATTS
Integrated Collector-Emitter
Diode and Built-in Efficient
Antisaturation Network
The BUD44D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP).
High dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (±150 ns on storage time)
make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no need to
guarantee an hFE window.
Main features:
• Low Base Drive Requirement
• High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ IC = 100 mA
• Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the
H2BIP Structure which Minimizes the Spread
• Integrated Collector–Emitter Free Wheeling Diode CASE 369–07
• Fully Characterized and Guaranteed Dynamic VCE(sat)
• “6 Sigma” Process Providing Tight and Reproductible Parameter Spreads
It’s characteristics make it also suitable for PFC application.
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 369A–13
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Base Breakdown Voltage VCBO 700 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Breakdown Voltage VCES 700 Vdc MINIMUM PAD SIZES
RECOMMENDED FOR
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEBO 12 Vdc SURFACE MOUNTED
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current — Continuous IC 2 Adc APPLICATIONS
— Peak (1) ICM 5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Current — Peak (1)
IB
IBM
1
2
Adc
6.7
0.265
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
0.265″

6.7
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
0.118 .070″
_C
1.8
Operating and Storage Temperature TJ, Tstg – 65 to 150
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
30
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
1.6 1.6
Thermal Resistance _C/W 0.063 0.063
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2.3 2.3
— Junction to Case RθJC 5
0.090 0.090
— Junction to Ambient RθJA 71.4
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Purposes: 1/8″ from case for 5 seconds
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle ≤ 10%.
TL 260 _C

BUD44D2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) 400 470 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Base Breakdown Voltage VCBO 700 920 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(ICBO = 1 mA)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Emitter–Base Breakdown Voltage VEBO 12 14.5 Vdc
(IEBO = 1 mA)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ICEO 50
500
µAdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCES, VEB = 0)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = 500 V, VEB = 0)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 125°C
ICES 50
500
100
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IEBO 100 µAdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc) @ TC = 25°C
@ TC = 125°C
VBE(sat)
0.78
0.65
0.9
0.8
Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.87
0.76
1
0.9
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.4 Adc, IB = 20 mAdc) @ TC = 25°C
@ TC = 125°C
VCE(sat)
0.45
0.67
0.65
1
Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
(IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.25
0.27
0.4
0.5
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.28
0.35
0.5
0.6
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain hFE
—
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.4 Adc, VCE = 1 Vdc) @ TC = 25°C 20 32
@ TC = 125°C 18 26
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
10
7
14
9.5
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 2 Adc, VCE = 5 Vdc) @ TC = 25°C 8 11
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DIODE CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Forward Diode Voltage VEC 0.8 1 V
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IEC = 0.2 Adc) @ TC = 25°C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IEC = 0.2 Adc) @ TC = 125°C 0.6
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IEC = 0.4 Adc) @ TC = 25°C 0.9 1.2
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IEC = 1 Adc) @ TC = 25°C 1.1 1.5
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Forward Recovery Time (see Figure 22 bis) Tfr 415 ns
(IF = 0.2 Adc, di/dt = 10 A/µs) @ TC = 25°C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IF = 0.4 Adc, di/dt = 10 A/µs) @ TC = 25°C 390
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IF = 1 Adc, di/dt = 10 A/µs) @ TC = 25°C 340

BUD44D2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DYNAMIC SATURATION VOLTAGE
@ 1 µs @ TC = 25°C VCE(dsat) 3.3 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 0.4 A @ TC = 125°C 6.8
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Dynamic Saturation IB1 = 40 mA
Voltage: VCC = 300 V @ 3 µs @ TC = 25°C 0.5
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Determined 1 µs and @ TC = 125°C 1.3
3 µs respectively after
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ 1 µs @ TC = 25°C 4.4
rising IB1 reaches IC = 1 A @ TC = 125°C 12.8
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
90% of final IB1 IB1 = 0
0.2
2A
@ 3 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCC = 300 V @ TC = 25°C 0.5
@ TC = 125°C 1.8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
fT 13 MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
ÎÎÎÎÎ
Input Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 8 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Cib 240 500 pF
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load (D.C. ≤ 10%, Pulse Width = 40 µs)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 1 Adc, IB1 = 0.2 Adc
IB2 = 0
0.5
5 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton 90
105
150 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Turn–off Time VCC = 300 Vdc @ TC = 25°C toff 1.1 1.25 µs
@ TC = 125°C 1.5
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 0.5 Adc, IB1 = 50 mAdc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton 400
600
600 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 250 mAdc
Turn–off Time VCC = 300 Vdc @ TC = 25°C toff 750 1000 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 1300
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (Vclamp = 300 V, VCC = 15 V, L = 200 µH)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Fall Time @ TC = 25°C tf 110 150 ns
@ TC = 125°C 105
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 0.4
0 4 Adc
Ad
IB1 = 40 mAdc
IB2 = 0.2 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts 0.55
0.7
0.75 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Crossover Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc 85
80
150 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 90
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Ad
IC = 1 Adc
IB1 = 0.2 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts 1.05
1.45
1.5 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IB2 = 0.5 Adc
Crossover Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc 100
100
175 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 180
IC = 0.8
0 8 Adc
Ad
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Storage Time @ TC = 25°C ts 2.05 2.35
IB1 = 160 mAdc
@ TC = 125°C 2.8
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 160 mAdc
Crossover Time @ TC = 25°C tc 180 300 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 400
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 175
IC = 0.4
0 4 Adc
Ad
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB1 = 40 mAdc
@ TC = 125°C 2.2
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 40 mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 330

BUD44D2
100 100
VCE = 1 V VCE = 5 V
80 80

TJ = 125°C TJ = 125°C
60 TJ = 25°C 60 TJ = 25°C
40 40
TJ = – 20°C TJ = – 20°C
20 20
0 0
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt Figure 2. DC Current Gain @ 5 Volt
4 10
TJ = 25°C IC/IB = 5 TJ = 25°C
3 2A
VCE , VOLTAGE (VOLTS)

1.5 A TJ = 125°C
1A
2 1
400 mA
TJ = – 20°C
1
IC = 200 mA
0 0.1
1 10 100 1000 0.001 0.01 0.1 1 10
IB, BASE CURRENT (mA) IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10 10
IC/IB = 10 IC/IB = 20
TJ = 25°C TJ = 25°C
1 1
TJ = 125°C
TJ = – 20°C TJ = 125°C
TJ = – 20°C
0.1 0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1
Figure 5. Collector–Emitter Saturation Voltage Figure 6. Collector–Emitter Saturation Voltage

BUD44D2
10 10
IC/IB = 5 IC/IB = 10
VBE , VOLTAGE (VOLTS)

1 TJ = – 20°C 1 TJ = – 20°C
TJ = 125°C TJ = 125°C
TJ = 25°C TJ = 25°C
0.1 0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10
Figure 7A. Base–Emitter Saturation Region Figure 7B. Base–Emitter Saturation Region
10 10
IC/IB = 20
FORWARD DIODE VOLTAGE (VOLTS)

25°C
1 TJ = – 20°C 1
125°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0.1 0.1
0.001 0.01 0.1 1 0.01 0.1 1 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) REVERSE EMITTER–COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 7C. Base–Emitter Saturation Region Figure 8. Forward Diode Voltage

BUD44D2
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
1000 1000
TJ = 25°C TJ = 125°C IBon = IBoff
Cib (pF) f(test) = 1 MHz TJ = 25°C VCC = 300 V
800 IC/IB = 10 PW = 40 µs
C, CAPACITANCE (pF)
100
600
t, TIME (ns)
Cob (pF)
400
IC/IB = 5
10
200
1 0
1 10 100 0.2 0.8 1.4 2
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 9. Capacitance Figure 10. Resistive Switch Time, ton
4000 3
IBon = IBoff
IC/IB = 10 VCC = 300 V
3500 2.5
PW = 40 µs
3000 2
IC/IB = 5
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
2500 1.5
2000 1 IBon = IBoff

VCC = 15 V
1500 TJ = 125°C 0.5 TJ = 125°C VZ = 300 V
TJ = 25°C TJ = 25°C LC = 200 µH
1000 0
0 1 2 0.4 0.8 1.2 1.6 2
Figure 11. Resistive Switch Time, toff Figure 12. Inductive Storage Time,
tsi @ IC/IB = 5
700 4
TJ = 125°C IC/IB = 5 TJ = 125°C
600 TJ = 25°C TJ = 25°C
IBon = IBoff 3
t si , STORAGE TIME (µs)
500 VCC = 15 V
VZ = 300 V IC = 1 A
t, TIME (ns)
400 LC = 200 µH tc
2
300
200 tfi IBon = IBoff

1
IC = 0.3 A VCC = 15 V
100 VZ = 300 V
LC = 200 µH
0 0
0 0.5 1 1.5 2 3 6 9 12 15
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) hFE, FORCED GAIN
Figure 13. Inductive Switching, Figure 14. Inductive Storage Time

tc & tfi @ IC/IB = 5

BUD44D2
700 1000
IBoff = IBon TJ = 125°C IC = 0.3 A IBon = IBoff TJ = 125°C
600 VCC = 15 V TJ = 25°C VCC = 15 V TJ = 25°C
VZ = 300 V 800 VZ = 300 V

500 LC = 200 µH LC = 200 µH
t fi , FALL TIME (ns)
IC = 1 A
400 600
300 400
200
200
100
IC = 1 A IC = 0.3 A
0 0
3 5 7 9 11 13 15 3 6 9 12 15
hFE, FORCED GAIN hFE, FORCED GAIN
Figure 15. Inductive Fall Time Figure 16. Inductive Crossover Time
900 2000
TJ = 125°C IBoff = IC/2 TJ = 125°C
800 TJ = 25°C VCC = 15 V TJ = 25°C
700 VZ = 300 V
IC/IB = 20 1500 LC = 200 µH
600 IC/IB = 20
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
500
1000
400
300
IC/IB = 10
500
200
100 IBon = IBoff VZ = 300 V IC/IB = 10

VCC = 15 V LC = 200 µH
0 0
0.4 0.8 1.2 1.6 2 0.4 0.8 1.2 1.6 2
Figure 17. Inductive Switching, tfi Figure 18. Inductive Switching, tc
3000 3000
IC/IB = 5 IBon = IBoff IBon = IBoff
VCC = 15 V VCC = 15 V
VZ = 300 V 2500 VZ = 300 V
LC = 200 µH LC = 200 µH
2000
2000
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
IB = 50 mA 1500
1000 IC/IB = 20
IB = 100 mA
IB = 200 mA 1000
IC/IB = 10
TJ = 125°C
IB = 500 mA TJ = 25°C
0 500
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 0 0.5 1 1.5 2
Figure 19. Inductive Storage Time, tsi Figure 20. Inductive Storage Time, tsi

BUD44D2
10
VCE
9 IC 90% IC
dyn 1 µs
8
tsi tfi
dyn 3 µs 7
6 10% IC
0V 10% Vclamp
5 Vclamp tc
4
90% IB 3 IB 90% IB1
1 µs 2
3 µs 1
IB
0
TIME 0 1 2 3 4 5 6 7 8
TIME
Figure 21. Dynamic Saturation Figure 22. Inductive Switching Measurements

Voltage Measurements
VFRM
VFR (1.1 VF unless otherwise specified)
VF VF
tfr
0.1 VF
0
IF
10% IF
0 2 4 6 8 10
Figure 22 bis. tfr Measurements

BUD44D2
Table 1. Inductive Load Switching Drive Circuit
+15 V
IC PEAK
1 µF 100 Ω 100 µF
150 Ω MTP8P10
3W 3W VCE PEAK
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
+10 V MPF930 Iout IB
A
IB2
50 Ω RB2
MJE210
COMMON V(BR)CEO(sus) Inductive Switching RBSOA
150 Ω MTP12N10
L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
500 µF 3W
RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
1 µF IC(pk) = 100 mA RB1 selected for RB1 selected for
desired IB1 desired IB1
–Voff
1100 440
TJ = 25°C dI/dt = 10 A/µs
t fr , FORWARD RECOVERY TIME (ns)
1000 420 TC = 25°C

BVCER (VOLTS) @ 10 mA
900 400
BVCER (VOLTS)
800 380
700 360
BVCER(sus) @ 200 mA
600 340
500 320
400 300
10 100 1000 0 0.5 1 1.5 2
RBE (Ω) IF, FORWARD CURRENT (AMP)
Figure 23. BVCER Figure 24. Forward Recovery Time tfr

MOTOROLA
BUH50
SWITCHMODE NPN Silicon POWER TRANSISTOR
4 AMPERES

50 WATTS
The BUH50 has an application specific state–of–art die designed for use in
50 Watts HALOGEN electronic transformers and switchmode applications.
This high voltage/high speed transistor exhibits the following main feature:
— Fast Switching
• Motorola “6SIGMA” Philosophy Provides Tight and Reproductible
Parametric Distributions
• Specified Dynamic Saturation Data
• Full Characterization at 125°C
CASE 221A–06
TO–220AB
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Breakdown Voltage VCES 800 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
— Peak (1) ICM 8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IB
IBM
2
4
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
*Derate above 25°C
ÎÎÎÎÎ
*Total Device Dissipation @ TC = 25_C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
PD 50
0.4
Watt
W/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
— Junction to Case RθJC 2.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
1/8″ from case for 5 seconds
TL 260 _C

BUH50
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ

ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = Rated VCES, VEB = 0) @ TC = 125°C 1000
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 9 Vdc, IC = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IEBO 100 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1 Adc, IB = 0.33 Adc)
(IC = 2 Adc, IB = 0.66 Adc) 25°C
VBE(sat)
0.86
0.94
1.2
1.6
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 2 Adc, IB = 0.66 Adc) 100°C 0.85 1.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1 Adc, IB = 0.33 Adc)
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
VCE(sat)
0.2 0.5
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 2 Adc, IB = 0.66 Adc) @ TC = 25°C 0.32 0.6
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 0.29 0.7
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 1 Adc, VCE = 5 Vdc)
@ TC = 25°C
@ TC = 25°C hFE 7
0.5
13
1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C 5 10 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ fT 4 MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ Cob 50 100 pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Input Capacitance Cib 850 1200 pF
(VEB = 8 Vdc)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ 1 µs @ TC = 25°C VCE(dsat) 1.75 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 1 A @ TC = 125°C 5
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Dynamic Saturation IB1 = 0
0.33
33 A
Voltage: VCC = 300 V @ 3 µs @ TC = 25°C 0.3 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ 1 µs @ TC = 25°C 6 V
rising IB1 reaches IC = 2 A @ TC = 125°C 14
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
0.66
66 A
@ 3 µs @ TC = 25°C 0.75 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCC = 300 V
@ TC = 125°C 4

BUH50
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ IC = 2 Adc, IB1 = 0.4 Adc @ TC = 25°C ton 95 250 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Turn–off Time
ÎÎÎÎ
IB2 = 0
0.4
4 Adc
VCC = 125 Vdc @ TC = 25°C toff 2.5 3.5 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Turn–on Time IC = 2 Adc, IB1 = 0.4 Adc @ TC = 25°C ton 110 250 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 1 Adc
Turn–off Time VCC = 125 Vdc @ TC = 25°C toff 0.95 2 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 1 Adc, IB1 = 0.3 Adc @ TC = 25°C ton 100 200 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 0
0.3
3 Adc
Turn–off Time @ TC = 25°C toff 2.9 3.5 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCC = 125 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf 80
95
150 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 2 Adc
Ad
Storage Time @ TC = 25°C ts 1.2 2.5 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB1 = 0.4 Adc
@ TC = 125°C 1.7
IB2 = 1 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 180
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 100
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Ad
IC = 2 Adc
Storage Time @ TC = 25°C ts 1.7 2.75 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB1 = 0.66 Adc
@ TC = 125°C 2.5
IB2 = 1 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 220
100 100
VCE = 1 V VCE = 5 V
TJ = 125°C TJ = 125°C
TJ = 25°C TJ = 25°C
10 10
TJ = – 40°C TJ = – 40°C
1 1
0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10

BUH50
10 10
TJ = 25°C IC/IB = 3

4A
3A 1
1
2A
TJ = – 40°C
1A 0.1 TJ = 125°C
IC = 500 mA TJ = 25°C
0.1 0.01
0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10
10 10
IC/IB = 5 IC/IB = 3
TJ = – 40°C

1
1 TJ = 125°C
0.1 TJ = – 40°C
TJ = 25°C TJ = 25°C
TJ = 125°C
0.01 0.1
0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10
Figure 5. Collector–Emitter Saturation Voltage Figure 6. Base–Emitter Saturation Region
10 10000
IC/IB = 5 TJ = 25°C
f(test) = 1 MHz
Cib (pF)
1000
C, CAPACITANCE (pF)
1 TJ = 125°C 100
Cob (pF)
TJ = – 40°C
TJ = 25°C 10
0.1 1
0.01 0.1 1 10 1 10 100
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Base–Emitter Saturation Region Figure 8. Capacitance

BUH50
3000 4000
TJ = 125°C IBoff = IC/2 TJ = 125°C
VCC = 125 V IBoff = IC/2
2500 TJ = 25°C TJ = 25°C VCC = 125 V
PW = 20 µs
3000 PW = 20 µs
2000
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
IC/IB = 5
1500 2000
IC/IB = 3
1000
1000
500
IC/IB = 3 IC/IB = 5
0 0
1 2 3 4 5 1 2 3 4 5
Figure 9. Resistive Switching, ton Figure 10. Resistive Switch Time, toff
4000 300
IBoff = IC/2 IBoff = IC/2
VCC = 15 V VCC = 15 V
IC/IB = 3 VZ = 300 V VZ = 300 V
3000 LC = 200 µH LC = 200 µH
200
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
tc
2000
100
1000
TJ = 125°C tfi TJ = 125°C
TJ = 25°C IC/IB = 5 TJ = 25°C
0 0
1 2 3 4 1 2 3 4
Figure 11. Inductive Storage Time, tsi Figure 12. Inductive Storage Time,
TYPICAL CHARACTERISTICS
250 4000
TJ = 125°C TJ = 125°C IBoff = IC/2
tc
TJ = 25°C TJ = 25°C VCC = 15 V
200 VZ = 300 V
3000
LC = 200 µH
IC = 1 A
150
t, TIME (ns)
2000
100
IBoff = IC/2 1000

50 VCC = 15 V
IC = 2 A
VZ = 300 V tfi
LC = 200 µH
0 0
1 2 3 4 3 4 5 6 7 8 9 10
Figure 13. Inductive Switching, tc & tfi @ IC/IB = 5 Figure 14. Inductive Storage Time

BUH50
150 350
IBoff = IC/2 IBoff = IC/2
140
VCC = 15 V VCC = 15 V
130 IC = 1 A VZ = 300 V VZ = 300 V

120 LC = 200 µH IC = 1 A LC = 200 µH
250
110
100
90
150 IC = 2 A
80
70
TJ = 125°C IC = 2 A TJ = 125°C
60 TJ = 25°C
TJ = 25°C
50 50
2 4 6 8 10 3 5 7 9 11
SECOND BREAKDOWN
0.8
POWER DERATING FACTOR
DERATING
0.6
THERMAL DERATING
0.4
0.2
0
20 40 60 80 100 120 140 160
Figure 17. Forward Power Derating
There are two limitations on the power handling ability of a TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 22. At any
transistor: average junction temperature and second break- case temperatures, thermal limitations will reduce the power
down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of that can be handled to values less than the limitations
the transistor that must be observed for reliable operation; imposed by second breakdown. For inductive loads, high
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa- voltage and current must be sustained simultaneously during
tion than the curves indicate. The data of Figure 20 is based turn–off with the base to emitter junction reverse biased. The
on TC = 25°C; TJ(pk) is variable depending on power level. safe level is specified as a reverse biased safe operating
Second breakdown pulse limits are valid for duty cycles to area (Figure 21). This rating is verified under clamped
10% but must be derated when T C > 25°C. Second conditions so that the device is never subjected to an
breakdown limitations do not derate the same as thermal avalanche mode.
limitations. Allowable current at the voltages shown on
Figure 20 may be found at any case temperature by using
the appropriate curve on Figure 17.

BUH50
10
VCE
9 IC 90% IC
dyn 1 µs 8
tsi tfi
dyn 3 µs 7
6 10% IC
0V 10% Vclamp
5 Vclamp tc
4
90% IB 3 IB 90% IB1
1 µs 2
3 µs 1
IB
0
TIME 0 1 2 3 4 5 6 7 8
TIME
Figure 18. Dynamic Saturation Voltage Figure 19. Inductive Switching Measurements
10 5
1 µs TC ≤ 125°C
10 µs GAIN ≥ 3
LC = 500 µH

1 ms
4
5 ms
1
EXTENDED 3
SOA
DC
2
0.1
1 –5 V
0V –1.5 V
0.01 0
10 100 1000 300 600 900

BUH50
+15 V
IC PEAK
1 µF 100 Ω 100 µF
150 Ω MTP8P10
3W 3W VCE PEAK
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
A
IB2
50 Ω RB2
MJE210
COMMON
150 Ω MTP12N10 V(BR)CEO(sus) Inductive Switching RBSOA
500 µF 3W L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
1 µF
IC(pk) = 100 mA RB1 selected for RB1 selected for
–Voff desired IB1 desired IB1
1
0.5
0.2
(NORMALIZED)
0.1 P(pk) RθJC(t) = r(t) RθJC

0.1 RθJC = 2.5°C/W MAX
0.05
t2
SINGLE PULSE DUTY CYCLE, D = t1/t2 TJ(pk) – TC = P(pk) RθJC(t)
0.01
0.01 0.1 1 10 100 1000
t, TIME (ms)
Figure 22. Typical Thermal Response (ZθJC(t)) for BUH50

MOTOROLA
BUH51
Advance Information
3 AMPERES

50 WATTS
50 Watts Halogen electronic transformers.
This power transistor is specifically designed to sustain the large inrush current
during either the start–up conditions or under a short circuit across the load.
This High voltage/High speed product exhibits the following main features:
• Improved Efficiency Due to the Low Base Drive Requirements:
— Fast Switching
• Robustness Thanks to the Technology Developed to Manufacture
this Device
• Motorola “6 SIGMA” Philosophy Providing Tight and Reproducible
CASE 77–07
TO–225AA TYPE
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ Rating Symbol Value Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VCEO
VCBO
500
800
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VCES
VEBO
800
10
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
— Peak (1)
IC
ICM
3
8
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IB
IBM
2
4
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Temperature
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to 150 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ _C/W
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
— Junction to Ambient RθJA 100
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ

BUH51
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(ICBO = 1 mA)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IEBO = 1 mA)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICEO 100 µAdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = Rated VCES, VEB = 0)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ICES 100
1000
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Base Current @ TC = 25°C ICBO 100 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = Rated VCBO, VEB = 0) @ TC = 125°C 1000
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Emitter–Cutoff Current IEBO 100
(VEB = 9 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc)
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
VBE(sat) 0.92
0.8
1.1 Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage @ TC = 25°C VCE(sat) 0.3 0.5 Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc) @ TC = 125°C 0.32 0.6
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 1 Adc, VCE = 1 Vdc) @ TC = 25°C hFE 8 10
—
@ TC = 125°C 6 8
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
5
4
7.5
6.2
—
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 0.8 Adc, VCE = 5 Vdc)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
10
8
14
13
—
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 10 mAdc, VCE = 5 Vdc)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
14
18
20
25
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Dynamic
y Saturation IC = 1 Adc, IB1 = 0.2 Adc @ TC = 25°C VCE(dsat) 1.7 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage: VCC = 300 V @ TC = 125°C 6 V
Determined 3 µs after
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
rising IB1 reaches IC = 2 Adc, IB1 = 0.4 Adc @ TC = 25°C 5.1 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
90% of final IB1 VCC = 300 V @ TC = 125°C 15 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
Cob 34 100 pF
Input Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 8 Vdc, f = 1 MHz) ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Cib 200 500 pF

BUH51
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton 110
125
150 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 0
0.2
2 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 4.1
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Turn–on Time @ TC = 25°C ton 700 1000 ns
IC = 2 Adc, IB1 = 0.4 Adc @ TC = 125°C 1250
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 0
0.4
4 Adc
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Turn–off Time VCC = 300 Vdc @ TC = 25°C toff 1.75 2
@ TC = 125°C 2.1
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ Ad
IC = 1 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tfi 200
320
300 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Storage Time @ TC = 25°C tsi 3.4 3.75 µs
IB1 = 0.2 Adc
@ TC = 125°C 4
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 0.2 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Fall Time ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C tfi
640
140 200 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 300
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 2 Adc
Ad
IB1 = 0.4 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 2.8
IB2 = 0.4 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 725
100 100
VCE = 1 V VCE = 3 V
TJ = 125°C TJ = 125°C
10 TJ = – 20°C 10 TJ = – 20°C TJ = 25°C

TJ = 25°C
1 1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10

BUH51
100 10
VCE = 5 V
IC/IB = 5
TJ = 125°C

TJ = 125°C
1
TJ = 25°C
10 TJ = – 20°C TJ = 25°C
TJ = – 20°C
0.1
1 0.01
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10
Figure 3. DC Current Gain @ 5 Volt Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage
10 1.5

1
TJ = – 20°C
1
TJ = 25°C
TJ = 25°C
0.5 TJ = 125°C
TJ = – 20°C
TJ = 125°C
0.1 0
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10
1.5 2
IC/IB = 10 TJ = 25°C
4A
1.5
3A
1 2A
TJ = – 20°C 1A
1
TJ = 25°C
0.5
TJ = 125°C 0.5
VCE(sat)
(IC = 500 mA)
0 0
0.001 0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) IB, BASE CURRENT (A)
Figure 7. Base–Emitter Saturation Region Figure 8. Collector Saturation Region

BUH51
1000 1000
TJ = 25°C TJ = 25°C
f(test) = 1 MHz 900
Cib
C, CAPACITANCE (pF)
800
BVCER (VOLTS)
100 700
600 BVCER @ 10 mA
Cob 500 BVCER(sus) @ 200 mA, 25 mH
10 400
1 10 100 10 100 1000 10000 100000
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) RBE (Ω)
Figure 9. Capacitance Figure 10. Resistive Breakdown
2500 10
IB1 = IB2 IB1 = IB2
VCC = 300 V VCC = 300 V
2000 PW = 40 µs IC/IB = 5 8 IC/IB = 5 PW = 40 µs
t, TIME ( µs)
t, TIME (ns)
1500 6
1000 4
500 2 TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
0 0
0 1 2 3 0 1 2 3
7 4
IB1 = IB2 IC/IB = 10 IB1 = IB2
VCC = 15 V VCC = 15 V
IC/IB = 5
VZ = 300 V VZ = 300 V
LC = 200 µH 3 LC = 200 µH
5
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
3
1
TJ = 125°C TJ = 125°C
TJ = 25°C TJ = 25°C
1 0
0 1 2 3 0.5 1 1.5 2
Figure 13. Inductive Storage Time, tsi Figure 13 Bis. Inductive Storage Time, tsi

BUH51
800 1000
IB1 = IB2 IB1 = IB2
VCC = 15 V VCC = 15 V
VZ = 300 V tc 800 VZ = 300 V
600 L = 200 µH
C LC = 200 µH
tc
600
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
tc
400
400
tfi
ttfifi
200
200
TJ = 125°C tfi TJ = 125°C
TJ = 25°C TJ = 25°C
0 0
0.5 1 1.5 2 2.5 0.5 1 1.5 2 2.5
Figure 14. Inductive Storage Time, Figure 15. Inductive Storage Time,
tc & tfi @ IC/IB = 5 tc & tfi @ IC/IB = 10
4 450
IBoff = IB2
400 VCC = 15 V
350 VZ = 300 V
LC = 200 µH
tsi , STORAGE TIME (µs)
3 300
IC = 0.8 A
250
200
2 150
IC = 2 A IB1 = IB2
VCC = 15 V 100
TJ = 125°C IC = 0.8 A
VZ = 300 V IC = 2 A TJ = 125°C
TJ = 25°C 50
LC = 200 µH TJ = 25°C
1 0
2 4 6 8 10 3 4 5 6 7 8 9 10
Figure 16. Inductive Storage Time Figure 17. Inductive Fall Time
800
TJ = 125°C
IC = 2 A
700 TJ = 25°C
600
IB1 = IB2
500 VCC = 15 V
VZ = 300 V
400 LC = 200 µH
300
200 IC = 0.8 A
100
3 4 5 6 7 8 9 10
hFE, FORCED GAIN
Figure 18. Inductive Crossover Time

BUH51
10
VCE
9 IC 90% IC
dyn 1 µs 8
tsi tfi
dyn 3 µs 7
6 10% IC
0V 10% Vclamp
5 Vclamp tc
4
90% IB 3 IB 90% IB1
1 µs 2
3 µs 1
IB
0
TIME 0 1 2 3 4 5 6 7 8
TIME
Measurements
+15 V
IC PEAK
1 µF 100 Ω 100 µF
150 Ω MTP8P10
3W 3W VCE PEAK
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
A
IB2
50 Ω RB2
MJE210
COMMON V(BR)CEO(sus) Inductive Switching RBSOA
150 Ω MTP12N10
L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
500 µF 3W RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
1 µF IC(pk) = 100 mA RB1 selected for RB1 selected for
–Voff
TYPICAL THERMAL RESPONSE

1
SECOND BREAKDOWN
0.8 DERATING
0.6
THERMAL DERATING
0.4
0.2
0
20 40 60 80 100 120 140 160
Figure 21. Forward Bias Power Derating

BUH51
100 4
TC ≤ 125°C
GAIN ≥ 4
LC = 500 µH

10 1 µs 3
1 ms 10 µs
1 5 ms 2
DC
EXTENDED
SOA
0.1 1 –5 V
0V –1.5 V
0.01 0
10 100 1000 200 300 400 500 600 700 800 900
1
0.5
0.2
(NORMALIZED)
0.1
P(pk) RθJC(t) = r(t) RθJC
0.1 0.05 RθJC = 2.5°C/W MAX
t1
t2 READ TIME AT t1
SINGLE PULSE TJ(pk) – TC = P(pk) RθJC(t)
0.01
0.01 0.1 1 10 100 1000
t, TIME (ms)

MOTOROLA
BUH100
10 AMPERES

100 WATTS
— Fast Switching
this Device
• Motorola “6 SIGMA” Philosophy Provides Tight and Reproducible
CASE 221A–06
TO–220AB
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
— Peak (1) ICM 20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IB
IBM
4
10
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
*Derate above 25°C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
PD 100
0.8
Watt
W/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
TL 260 _C

BUH100
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(ICBO = 1 mA)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IEBO = 1 mA)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICEO 100 µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ICES 100
1000
µAdc
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
µAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 9 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 5 Adc, IB = 1 Adc) ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C VBE(sat) 1 1.1 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 5 Adc, IB = 1 Adc) @ TC = 125°C 0.37 0.6
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 7 Adc, IB = 1.5 Adc) @ TC = 25°C 0.5 0.75 Vdc
@ TC = 125°C 0.6 1.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
hFE 15
16
24
28
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
10
10
15
14.5
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 7 Adc, VCE = 5 Vdc) @ TC = 25°C 8 12 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 7 10.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 10 Adc, VCE = 5 Vdc) @ TC = 25°C 6 9.5 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 4 8
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Dynamic Saturation IC = 5 Adc, IB1 = 1 Adc @ TC = 25°C VCE(dsat) 1.1 V
Voltage: VCC = 300 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Determined 3 µs after @ TC = 125°C 2.1 V
rising IB1 reaches
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 7.5 Adc, IB1 = 1.5 Adc @ TC = 25°C 1.7 V
90% of final IB1
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(See Figure 19) VCC = 300 V @ TC = 125°C 5 V
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
Cob 100 150 pF
ÎÎÎÎÎ
Input Capacitance
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 8 Vdc, f = 1 MHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Cib 1300 1750 pF

BUH100
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic Symbol
Min Typ Max Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton 130
140
200 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 0
0.2
2 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 8.5
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 1 Adc, IB1 = 0.2 Adc @ TC = 125°C 150
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 0
0.4
4 Adc
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Turn–off Time VCC = 300 Vdc @ TC = 25°C toff 3.4 4
@ TC = 125°C 4.3
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 5 Adc, IB1 = 1 Adc
IB2 = 1 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton 250
800
500 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 3.6
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 7.5 Adc, IB1 = 1.5 Adc @ TC = 125°C 900
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 1
1.5
5 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 2.5
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Fall Time @ TC = 25°C tfi 150 250 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 180
IC = 1 Adc
Ad
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Storage Time @ TC = 25°C tsi 5.1 6
IB1 = 0.2 Adc
@ TC = 125°C 5.8
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 0.2 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 300
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 170
Ad
IC = 1 Adc
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Storage Time @ TC = 25°C tsi 2.5 3
IB1 = 0.2 Adc
@ TC = 125°C 2.8
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 0.5 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 300
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 140
IC = 5 Adc
Ad
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB1 = 1 Adc
@ TC = 125°C 4.6
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 1 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 450
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ 7 5 Adc
IC = 7.5 Ad
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tfi 100
150
150 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Storage Time @ TC = 25°C tsi 2 2.5 µs
IB1 = 1.5 Adc
@ TC = 125°C 2.5
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 1.5 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ @ TC = 125°C 475

BUH100
100 100
VCE = 1 V VCE = 3 V
TJ = 125°C TJ = 125°C

TJ = – 20°C TJ = – 20°C
10 TJ = 25°C 10 TJ = 25°C
1 1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10
100 10
VCE = 5 V IC/IB = 5
TJ = 125°C

1
TJ = – 20°C
10 TJ = 25°C TJ = – 20°C
TJ = 25°C
0.1
TJ = 125°C
1 0.01
0.01 0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10
10 1.5
1 1
TJ = 25°C TJ = – 20°C TJ = – 20°C
TJ = 25°C
0.1 TJ = 125°C 0.5
TJ = 125°C
0.01 0
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10

BUH100
1.5 2
IC/IB = 10 TJ = 25°C 15 A
10 A
1.5

1 8A
TJ = – 20°C 5A
1
TJ = 25°C 3A
0.5
TJ = 125°C 2A
0.5
VCE(sat)
(IC = 1 A)
0 0
0.001 0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10
10000 900
TJ = 25°C TJ = 25°C
f(test) = 1 MHz 800 BVCER @ 10 mA
Cib
C, CAPACITANCE (pF)
1000
BVCER (VOLTS)
700
600
100
Cob
500
BVCER(sus) @ 500 mA, 25 mH
10 400
1 10 100 10 100 1000 10000 100000

BUH100
2500 10
IB1 = IB2 TJ = 125°C IB1 = IB2
VCC = 300 V TJ = 25°C VCC = 300 V
2000 8
PW = 40 µs PW = 20 µs
IC/IB = 10
t, TIME ( µs)
1500 TJ = 125°C 6
t, TIME (ns)
IC/IB = 5
TJ = 25°C
1000 4
125°C
500 2
IC/IB = 10
25°C IC/IB = 5
0 0
0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10
Figure 11. Resistive Switching Time, ton Figure 12. Resistive Switch Time, toff
7 6
IB1 = IB2 IB1 = IB2

IC/IB = 5 5 IC/IB = 10
VCC = 15 V VCC = 15 V
VZ = 300 V VZ = 300 V
5 LC = 200 µH 4 LC = 200 µH
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
3 2
TJ = 125°C 1 TJ = 125°C
TJ = 25°C TJ = 25°C
1 0
1 4 7 10 1 4 7 10
600 800
IB1 = IB2 TJ = 125°C TJ = 125°C IB1 = IB2
VCC = 15 V TJ = 25°C TJ = 25°C VCC = 15 V
VZ = 300 V VZ = 300 V
LC = 200 µH 600
tc LC = 200 µH
400 tc
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
400
tfi
200 tfi
200
0 0
1 4 7 10 1 4 7 10

BUH100
4 200
IC = 7.5 A
3 IC = 5 A 150

2 100
IC = 7.5 A
IB1 = IB2 IBoff = IB2 IC = 5 A
1 50 VCC = 15 V
VCC = 15 V
TJ = 125°C VZ = 300 V VZ = 300 V TJ = 125°C
TJ = 25°C LC = 200 µH LC = 200 µH TJ = 25°C
0 0
2 4 6 8 10 3 4 5 6 7 8 9 10
800
IB1 = IB2
700 VCC = 15 V
VZ = 300 V
600 LC = 200 µH
IC = 7.5 A
500
400
300
200 TJ = 125°C IC = 5 A
TJ = 25°C
100
3 4 5 6 7 8 9 10
hFE, FORCED GAIN
Figure 18. Inductive Crossover Time, tc

BUH100
10
VCE 9 IC 90% IC
8 tfi
dyn 1 µs tsi
7
dyn 3 µs 6
10% Vclamp 10% IC
0V 5 Vclamp
tc
4
90% IB 90% IB1
3 IB
1 µs 2
IB 1
3 µs
0
TIME 0 1 2 3 4 5 6 7 8
TIME
Measurements
+15 V
IC PEAK
1 µF 100 Ω 100 µF
150 Ω MTP8P10
3W 3W VCE PEAK
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
A
IB2
50 Ω RB2
MJE210
COMMON
150 Ω MTP12N10
3W V(BR)CEO(sus) Inductive Switching RBSOA
500 µF L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
1 µF VCC = 20 Volts VCC = 15 Volts VCC = 15 Volts
–Voff IC(pk) = 100 mA RB1 selected for RB1 selected for
1
SECOND BREAKDOWN
DERATING
0.8
0.6
THERMAL DERATING
0.4
0.2
0
20 40 60 80 100 120 140 160

BUH100
100 12
GAIN ≥ 5 TC ≤ 125°C

10 LC = 2 mH
10 1 ms 10 µs 1 µs
5 ms 8
EXTENDED
1 DC SOA 6
4
0.1 –5 V
2
0V –1.5 V
0.01 0
10 100 1000 200 300 400 500 600 700 800
1
0.5
0.2
(NORMALIZED)
0.1 P(pk)
0.05 RθJC = 1.25°C/W MAX
SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.1 1 10 100 1000
t, TIME (ms)

MOTOROLA
BUH150
15 AMPERES

150 WATTS
— Fast Switching
this Device
• Motorola “6 SIGMA” Philosophy Provides Tight and Reproducible
CASE 221A–06
TO–220AB
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
— Peak (1) ICM 25
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IB
IBM
6
12
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
*Derate above 25°C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
PD 150
1.2
Watt
W/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
TL 260 _C

BUH150
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(ICBO = 1 mA)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IEBO = 1 mA)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICEO 100 µAdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ICES 100
1000
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 9 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VBE(sat) 1 1.25 Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 2 Adc, IB = 0.4 Adc) @ TC = 125°C 0.15 0.4
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 2 Adc) @ TC = 25°C 0.45 1 Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 4 Adc) @ TC = 25°C 2 5 Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 20 Adc, VCE = 5 Vdc) @ TC = 25°C hFE 4 7
—
@ TC = 125°C 2.5 4.5
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
8
6
12
10
—
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
12
14
20
22
—
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 100 mAdc, VCE = 5 Vdc)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C 10 20 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Dynamic Saturation
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 5 Adc, IB1 = 1 Adc @ TC = 25°C VCE(dsat) 1.5 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage: VCC = 300 V
Determined 3 µs after @ TC = 125°C 2.8 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
rising IB1 reaches
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C 2.4 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
90% of final IB1 IC = 10 Adc, IB1 = 2 Adc
(see Figure 19) VCC = 300 V @ TC = 125°C 5 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
fT 23 MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 8 Vdc, f = 1 MHz)

BUH150
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic Symbol
Min Typ Max Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 25°C
ton
ts
200
5.3
300
6.5
ns
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 0
0.2
2 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCC = 300 Vdc
Turn–off Time @ TC = 25°C toff 5.6 7 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 25°C
ton
ts
100
6.1
200
7.5
ns
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 0
0.4
4 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCC = 300 Vdc
Turn–off Time @ TC = 25°C toff 6.5 8 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton 450
800
650 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 0
0.5
5 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 3.9
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 10 Adc, IB1 = 2 Adc @ TC = 125°C 900
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 2 Adc
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Turn–off Time VCC = 300 Vdc @ TC = 25°C toff 2.25 2.75
@ TC = 125°C 2.75
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎIC = 2 Adc
Ad
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tfi 110
160
250 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Storage Time @ TC = 25°C tsi 6.5 8 µs
IB1 = 0.2 Adc
@ TC = 125°C 8
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 0.2 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C tfi
240
110 250 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 170
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Ad
IC = 2 Adc
Storage Time @ TC = 25°C tsi 6 7.5 µs
IB1 = 0.4 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 7.8
IB2 = 0.4 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 270
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tfi 110
140
150 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 5 Adc
Ad
IB1 = 0.5 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 4.6
IB2 = 0.5 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 450
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tfi 110
160
175 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 10 Adc
Ad
IB1 = 2 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 2.8
IB2 = 2 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 475

BUH150
100 100
VCE = 1 V VCE = 3 V
TJ = 125°C TJ = 125°C

TJ = – 20°C TJ = – 20°C
10 TJ = 25°C 10 TJ = 25°C
1 1
0.001 0.01 0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 100
100 10
VCE = 5 V IC/IB = 5
TJ = 125°C TJ = 125°C

1
TJ = – 20°C
10 TJ = 25°C TJ = 25°C
0.1 TJ = – 20°C
1 0.01
0.01 0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 100
10 1.5
1 1
TJ = – 20°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0.1 0.5
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0.01 0
0.001 0.01 0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 100

BUH150
1.5 2
TJ = 25°C
IC/IB = 10
1.5

1
TJ = – 20°C
1
TJ = 25°C 20 A
0.5
TJ = 125°C 0.5 VCE(sat) 15 A
(IC = 1 A) 10 A
8A
5A
0 0
0.001 0.01 0.1 1 10 100 0.01 0.1 1 10 100
10000 900
TJ = 25°C TJ = 25°C
Cib (pF)
C, CAPACITANCE (pF)
1000
BVCER (VOLTS)
700
BVCER(sus) @ 200 mA
600
100 Cob (pF)
500
10 400
1 10 100 10 100 1000

BUH150
2000 12
1800 IB1 = IB2 TJ = 25°C IB1 = IB2
VCC = 300 V IC/IB = 10 10 TJ = 125°C VCC = 300 V
1600
PW = 40 µs PW = 20 µs
1400 25°C 8
125°C
t, TIME ( µs)
1200
t, TIME (ns)
1000 6 IC/IB = 5
125°C
800
4
600
400
25°C 2 IC/IB = 10
200 IC/IB = 5
0 0
0 3 6 9 12 15 0 5 10 15
8 8
7 IC/IB = 5 IB1 = IB2 7 IC/IB = 10 IB1 = IB2

VCC = 15 V VCC = 15 V
6 VZ = 300 V 6 VZ = 300 V
LC = 200 µH LC = 200 µH
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
5 5
4 4
3 3
2 2
TJ = 125°C TJ = 125°C
1 TJ = 25°C 1 TJ = 25°C
0 0
1 3 5 7 9 11 13 15 1 4 7 10
550 800
IB1 = IB2 TJ = 125°C IB1 = IB2 TC = 125°C
VCC = 15 V TJ = 25°C 700
VCC = 15 V TC = 25°C
450 VZ = 300 V
600 VZ = 300 V
LC = 200 µH LC = 200 µH
tc 500
350
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
tc
400
250 300
tfi
tfi
200
150
100
50 0
1 3 5 7 9 11 13 15 0 2 4 6 8 10

BUH150
5 200
TJ = 125°C
TJ = 25°C
4 IC = 5 A
150

3
100
2
IC = 5 A
IB1 = IB2 IBoff = IB2
50 IC = 10 A
1 VCC = 15 V VCC = 15 V
VZ = 300 V IC = 10 A TJ = 125°C VZ = 300 V
LC = 200 µH TJ = 25°C LC = 200 µH
0 0
2 4 6 8 10 3 4 5 6 7 8 9 10
800
IB1 = IB2 TJ = 125°C
700 VCC = 15 V TJ = 25°C
VZ = 300 V
600 LC = 200 µH
IC = 10 A
500
400
IC = 5 A
300
200
100
3 4 5 6 7 8 9 10
hFE, FORCED GAIN
Figure 18. Inductive Crossover Time

BUH150
10
VCE 9 IC 90% IC
dyn 1 µs 8 tfi
tsi
dyn 3 µs 7
6
0V 5 Vclamp 10% Vclamp 10% IC
tc
4
90% IB 3 IB 90% IB1
1 µs 2
IB 1
3 µs
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
TIME TIME
Measurements
+15 V
IC PEAK
1 µF 100 Ω 100 µF
150 Ω MTP8P10
3W 3W VCE PEAK
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
A
IB2
50 Ω RB2
MJE210
COMMON
150 Ω MTP12N10
V(BR)CEO(sus) Inductive Switching RBSOA
500 µF 3W
L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
–Voff
SECOND BREAKDOWN
0.8 DERATING
0.6
THERMAL DERATING
0.4
0.2
0
20 40 60 80 100 120 140 160

BUH150
100 16
14 GAIN ≥ 5 TC ≤ 125°C
1 µs

LC = 4 mH
10 10 µs 12
5 ms
1 ms 10
EXTENDED SOA
DC
1 8
6 –5 V
0.1 4
0V –1.5 V
2
0.01 0
1 10 100 1000 300 400 500 600 700 800
1
0.5
(NORMALIZED)
0.2
0.1
t2
SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.1 1 10 100 1000
t, TIME (ms)

MOTOROLA
 Data Sheet
Designer's
BUL44 *
SWITCHMODE BUL44F*
NPN Bipolar Power Transistor
For Switching Power Supply Applications *Motorola Preferred Device
The BUL44/BUL44F have an applications specific state–of–the–art die designed POWER TRANSISTOR
for use in 220 V line operated Switchmode Power supplies and electronic light 2.0 AMPERES
ballasts. These high voltage/high speed transistors offer the following: 700 VOLTS
40 and 100 WATTS
— Fast Switching
— No Coil Required in Base Circuit for Turn–Off (No Current Tail)
• Tight Parametric Distributions are Consistent Lot–to–Lot
• Two Package Choices: Standard TO–220 or Isolated TO–220
• BUL44F, Case 221D, is UL Recognized to 3500 VRMS: File #E69369
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol BUL44 BUL44F Unit
Emitter–Base Voltage VEBO 9.0 Vdc BUL44
CASE 221A–06
Collector Current — Continuous IC 2.0 Adc TO–220AB
— Peak(1) ICM 5.0
— Peak(1) IBM 2.0
RMS Isolated Voltage(2) Test No. 1 Per Fig. 22a VISOL — 4500 Volts
(for 1 sec, R.H. < 30%, Test No. 2 Per Fig. 22b — 3500
TC = 25°C) Test No. 3 Per Fig. 22c — 1500
Total Device Dissipation (TC = 25°C) PD 50 25 Watts
Derate above 25°C 0.4 0.2 W/°C
Operating and Storage Temperature TJ, Tstg – 65 to 150 °C
Rating Symbol BUL44 BUL44F Unit BUL44F
Thermal Resistance — Junction to Case RθJC 2.5 5.0 °C/W CASE 221D–02
— Junction to Ambient RθJA 62.5 62.5 ISOLATED TO–220 TYPE
UL RECOGNIZED
Maximum Lead Temperature for Soldering TL 260 °C

OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage (IC = 100 mA, L = 25 mH) VCEO(sus) 400 — — Vdc
Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCEO, IB = 0) ICEO — — 100 µAdc
Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCES, VEB = 0) ICES — — 100 µAdc
(TC = 125°C) — — 500
Collector Cutoff Current (VCE = 500 V, VEB = 0) (TC = 125°C) — — 100
Emitter Cutoff Current (VEB = 9.0 Vdc, IC = 0) IEBO — — 100 µAdc
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle ≤ 10%. (continued)
(2) Proper strike and creepage distance must be provided.
REV 1

BUL44 BUL44F
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued (TC = 25°C unless otherwise noted)
ON CHARACTERISTICS
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc) VBE(sat) — 0.85 1.1 Vdc
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.2 Adc) — 0.92 1.25
(IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc) — 0.20 0.5
(TC = 125°C) — 0.20 0.5
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.2 Adc) — 0.25 0.6
(TC = 125°C) — 0.25 0.6
(IC = 0.2 Adc, VCE = 5.0 Vdc) 14 — 34
(TC = 125°C) — 32 —
(IC = 0.4 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 12 20 —
(TC = 125°C) 12 20 —
(IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 8.0 14 —
(TC = 125°C) 7.0 13 —
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc) 10 22 —
Current Gain Bandwidth (IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz) fT — 13 — MHz
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz) COB — 38 60 pF
Input Capacitance (VEB = 8.0 V) CIB — 380 600 pF
— 2.5 —
(IC = 0.4 Adc 1.0 µs
(TC = 125°C) — 2.7 —
IB1 = 40 mAdc
Dynamic Saturation Voltage: — 1.3 —
Determined 1.0 µs and
VCC = 300 V) 3.0 µs
(TC = 125°C) — 1.15 —
3 0 µs respectively after
3.0 VCE(d t)
CE(dsat) Vdc
rising IB1 reaches 90% of — 3.2 —
(IC = 1.0 Adc 1.0 µs
final IB1 (TC = 125°C) — 7.5 —
IB1 = 0
0.2
2 Adc
— 1.25 —
VCC = 300 V) 3.0 µs
(TC = 125°C) — 1.6 —
Turn–On Time (IC = 0.4 Adc, IB1 = 40 mAdc ton — 40 100 ns
IB2 = 0.2 Adc, VCC = 300 V) (TC = 125°C) — 40 —
Turn–Off Time (IC = 0.4 Adc, IB1 = 40 mAdc toff — 1.5 2.5 µs
IB2 = 0.2 Adc, VCC = 300 V) (TC = 125°C) — 2.0 —
Turn–On Time (IC = 1.0 Adc, IB1 = 0.2 Adc ton — 85 150 ns
IB1 = 0.5 Adc, VCC = 300 V) (TC = 125°C) — 85 —
Turn–Off Time (IC = 1.0 Adc, IB1 = 0.2 Adc toff — 1.75 2.5 µs
IB2 = 0.5 Adc, VCC = 300 V) (TC = 125°C) — 2.10 —
Fall Time (IC = 0.4 Adc, IB1 = 40 mAdc tfi — 125 200 ns
IB2 = 0.2 Adc) (TC = 125°C) — 120 —
Storage Time tsi — 0.7 1.25 µs
(TC = 125°C) — 0.8 —
Crossover Time tc — 110 200 ns
(TC = 125°C) — 110 —
Fall Time (IC = 1.0 Adc, IB1 = 0.2 Adc tfi — 110 175 ns
IB2 = 0.5 Adc) (TC = 125°C) — 120 —
(TC = 125°C) — 2.25 —
(TC = 125°C) — 210 —
Fall Time (IC = 0.8 Adc, IB1 = 160 mAdc tfi 70 — 170 ns
IB2 = 160 mAdc) (TC = 125°C) — 180 —
Storage Time tsi 2.6 — 3.8 µs
(TC = 125°C) — 4.2 —
(TC = 125°C) — 350 —

BUL44 BUL44F
r
100 100
VCE = 1 V VCE = 5 V
TJ = 125°C TJ = 125°C

TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = – 20°C
10 10
1.0 1.0
0.01 0.1 1.0 10 0.01 0.1 1.0 10
Figure 1. DC Current Gain at 1 Volt Figure 2. DC Current Gain at 5 Volts
2.0 10
TJ = 25°C
IC/IB = 10
1.0
IC/IB = 5
1.0
2A 0.1
1.5 A
1A
0.4 A TJ = 25°C
IC = 0.2 A TJ = 125°C
0 0.01
1.0 10 100 1000 0.01 0.1 1.0 10
1.2 1000
1.1 CIB TJ = 25°C

f = 1 MHz
1.0
C, CAPACITANCE (pF)
100
0.9
0.8
COB
TJ = 25°C
0.7
10
0.6
TJ = 125°C
0.5 IC/IB = 5
IC/IB = 10
0.4 1.0
0.01 0.1 1.0 10 1.0 10 100

BUL44 BUL44F
(IB2 = IC/2 for all switching)
300 6.0
IB(off) = IC/2 IB(off) = IC/2
250 VCC = 300 V 5.0 IC/IB = 5 VCC = 300 V
PW = 20 µs PW = 20 µs
200 4.0
IC/IB = 10
t, TIME ( µs)
t, TIME (ns)
150 3.0 TJ = 25°C

IC/IB = 5 TJ = 125°C
100 2.0
50 TJ = 25°C 1.0
TJ = 125°C IC/IB = 10
0 0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
Figure 7. Resistive Switching, ton Figure 8. Resistive Switching, toff
2500 2.0
IC/IB = 5 IB(off) = IC/2 TJ = 25°C IB(off) = IC/2
VCC = 15 V TJ = 125°C VCC = 15 V
2000 VZ = 300 V VZ = 300 V
LC = 200 µH 1.5 LC = 200 µH

IC = 1 A
t, TIME (ns)
1500
1000 1.0
500
TJ = 25°C IC = 0.4 A
TJ = 125°C IC/IB = 10
0 0.5
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10 11 12 13 14 15
Figure 9. Inductive Storage Time, tsi Figure 10. Inductive Storage Time
250 200
IB(off) = IC/2
VCC = 15 V
200 VZ = 300 V
tc LC = 200 µH
150 tc
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
150
tfi
100
100 tfi
IB(off) = IC/2
50 VCC = 15 V
VZ = 300 V TJ = 25°C TJ = 25°C
LC = 200 µH TJ = 125°C TJ = 125°C
0 50
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4
Figure 11. Inductive Switching, Figure 12. Inductive Switching,

tc and tfi IC/IB = 5 tc and tfi IC/IB = 10

BUL44 BUL44F
170 190
160 IC = 1 A
VCC = 15 V 170 VCC = 15 V
VZ = 300 V VZ = 300 V

150
LC = 200 µH 150 LC = 200 µH
140
IC = 0.4 A
130 130
IC = 0.4 A
120 110
110
90
IC = 1 A
100
TJ = 25°C 70 TJ = 25°C
90 TJ = 125°C
TJ = 125°C
80 50
5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10 11 12 13 14 15 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10 11 12 13 14 15
GUARANTEED SAFE OPERATING AREA INFORMATION

10 2.5
10 µs
1 µs
TC ≤ 125°C
DC (BUL44) 5 ms 1 ms IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

2.0 GAIN ≥ 4
50 µs LC = 500 µH
Extended
1.0
DC (BUL44F) SOA
1.5
1.0
0.1 –5 V
0.5
–1.5 V
0V
0.01 0
10 100 1000 0 100 200 300 400 500 600 700
Figure 15. Forward Bias Safe Operating Area Figure 16. Reverse Bias Switching Safe Operating Area

1.0 down. Safe operating area curves indicate IC–VCE limits of
SECOND BREAK– i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipation
0.8
DOWN DERATING than the curves indicate. The data of figure 15 is based on TC
= 25°C; TJ(PK) is variable depending on power level. Second
0.6 breakdown pulse limits are valid for duty cycles to 10% but
must be derated when TC > 25°C. Second breakdown limita-
THERMAL DERATING tions do not derate the same as thermal limitations. Allowable
0.4 current at the voltages shown on figure 15 may be found at
any case temperature by using the appropriate curve on
0.2
figure 17. TJ(PK) may be calculated from the data in figure 20
and 21. At any case temperatures, thermal limitations will
reduce the power than can be handled to values less than the
0 limitations imposed by second breakdown. For inductive
20 40 60 80 100 120 140 160
loads, high voltage and current must be sustained simulta-
neously during turn–off with the base–to–emitter junction re-
Figure 17. Forward Bias Power Derating verse–biased. The safe level is specified as a reverse–
biased safe operating area (Figure 16). This rating is verified
under clamped conditions so that the device is never
subjected to an avalanche mode.

BUL44 BUL44F
5 10
VCE
4 9 IC 90% IC
tfi
3 dyn 1 µs 8
tsi
2 7
dyn 3 µs
1 6
tc 10% IC
VOLTS
0 5 VCLAMP 10% VCLAMP

–1 4
90% IB IB 90% IB1
–2 3
–3 1 µs 2
–4 3 µs 1
IB
–5 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
0 1 2 3 4 5 6 7 8
TIME TIME
Figure 18. Dynamic Saturation Voltage Measurements Figure 19. Inductive Switching Measurements
+15 V
IC PEAK
1 µF MTP8P10 100 µF
100 Ω
150 Ω
3W VCE PEAK
3W
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
A
IB2
50 Ω RB2
MJE210
COMMON V(BR)CEO(sus) INDUCTIVE SWITCHING RBSOA
MTP12N10
150 Ω L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
500 µF 3W RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
VCC = 20 VOLTS VCC = 15 VOLTS VCC = 15 VOLTS
1 µF IC(pk) = 100 mA RB1 SELECTED FOR RB1 SELECTED
DESIRED IB1 FOR DESIRED IB1
–Voff

BUL44 BUL44F
1.0
0.5
r(t) TRANSIENT THERMAL
0.2
0.01
0.1
0.05
P(pk)
0.02 D CURVES APPLY FOR
t1 POWER PULSE TRAIN
SHOWN READ TIME AT t1
SINGLE PULSE t2 TJ(pk) – TC = P(pk) RθJC1(t)
0.01
0.01 0.1 1.0 10 100 1000
t, TIME (ms)
Figure 20. Typical Thermal Response (ZθJC(t)) for BUL44
1.0
0.5
r(t) TRANSIENT THERMAL
0.2
0.1
0.1
P(pk)
D CURVES APPLY FOR
POWER PULSE TRAIN
t1
SHOWN READ TIME AT t1
t2 TJ(pk) – TC = P(pk) RθJC1(t)
SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.1 1.0 10 100 1000
t, TIME (ms)
Figure 21. Typical Thermal Response (ZθJC(t)) for BUL44F

BUL44 BUL44F
TEST CONDITIONS FOR ISOLATION TESTS*
MOUNTED MOUNTED MOUNTED

CLIP FULLY ISOLATED FULLY ISOLATED FULLY ISOLATED
CLIP 0.107″ MIN 0.107″ MIN
PACKAGE PACKAGE PACKAGE
LEADS LEADS LEADS
HEATSINK HEATSINK HEATSINK
0.110″ MIN
Figure 22a. Screw or Clip Mounting Position Figure 22b. Clip Mounting Position Figure 22c. Screw Mounting Position
for Isolation Test Number 1 for Isolation Test Number 2 for Isolation Test Number 3
* Measurement made between leads and heatsink with all leads shorted together.
MOUNTING INFORMATION**
4–40 SCREW CLIP
PLAIN WASHER
HEATSINK
COMPRESSION WASHER
NUT HEATSINK
Figure 23a. Screw–Mounted Figure 23b. Clip–Mounted
Figure 23. Typical Mounting Techniques

for Isolated Package
Laboratory tests on a limited number of samples indicate, when using the screw and compression washer mounting technique, a screw
torque of 6 to 8 in . lbs is sufficient to provide maximum power dissipation capability. The compression washer helps to maintain a constant
pressure on the package over time and during large temperature excursions.
Destructive laboratory tests show that using a hex head 4–40 screw, without washers, and applying a torque in excess of 20 in . lbs will
cause the plastic to crack around the mounting hole, resulting in a loss of isolation capability.
Additional tests on slotted 4–40 screws indicate that the screw slot fails between 15 to 20 in . lbs without adversely affecting the package.
However, in order to positively ensure the package integrity of the fully isolated device, Motorola does not recommend exceeding 10 in . lbs
of mounting torque under any mounting conditions.
** For more information about mounting power semiconductors see Application Note AN1040.

MOTOROLA
BUL43B
Product Preview
SWITCHMODE NPN Silicon POWER TRANSISTORS
2 AMPERES

40 WATTS
The BUL43B has an application specific state–of–the–art die designed for use in
220 V line operated Switchmode Power supplies and electronic ballast (“light
ballast”). The main advantages brought by this new transistor are:
— Fast and Tightened Switching Distributions
— No Coil Required in Base Circuit for Fast Turn–Off (no current tail)
CASE 221A–06
TO–220AB
ÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
— Peak (1) ICM 4
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IB
IBM
1
2
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
— Junction to Ambient
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
RθJA
TL
62.5
260 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle.
This document contains information on a product under development. Motorola reserves the right to change or discontinue this product without notice.

BUL43B
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = Rated VCES, VEB = 0) @ TC = 125°C 200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IEBO 100 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 2 Adc, IB = 0.5 Adc)
ÎÎÎÎ
VBE(sat) 1.25 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage @ TC = 25°C VCE(sat) 1 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 2 Adc, IB = 0.5 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain @ TC = 25°C hFE 8
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C 6 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ fT 13 MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ Cob 40 pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Input Capacitance Cib 400 pF
(VEB = 8 V)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–off Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
IC = 1.2 Adc, IB1 = 0.4 Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ IB2 = 0.1 Adc
@ TC = 25°C toff 4.7 5.8 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCC = 300 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Fall Time IC = 2.5 Adc, IB1 = 0.5 Adc @ TC = 25°C tf 800 ns
IB2 = 0.5 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCC = 150 Vdc

MOTOROLA
BUL44D2
Designer's  Data Sheet POWER TRANSISTORS

700 VOLTS
The BUL44D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP).
Main features:
• Integrated Collector–Emitter Free Wheeling Diode
CASE 221A–06
TO–220AB
ÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
— Peak (1) ICM 5
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IBM
PD 50
2
Watt
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ

BUL44D2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(ICBO = 1 mA)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IEBO = 1 mA)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ICEO 50
500
µAdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 125°C
ICES 50
500
100
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IEBO 100 µAdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc) @ TC = 25°C
@ TC = 125°C
VBE(sat)
0.78
0.65
0.9
0.8
Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.87
0.76
1
0.9
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc) @ TC = 25°C
@ TC = 125°C
VCE(sat)
0.25
0.27
0.4
0.5
Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.28
0.35
0.5
0.6
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
(IC = 0.4 Adc, IB = 20 mAdc)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.45
0.67
0.65
1
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain hFE
—
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.4 Adc, VCE = 1 Vdc) @ TC = 25°C 20 32
@ TC = 125°C 18 26
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
10
7
14
9.5
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Forward Diode Voltage VEC 1.1 1.5 V
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IEC = 1 Adc) @ TC = 25°C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IEC = 0.4 Adc) @ TC = 25°C 0.9 1.2
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IEC = 0.2 Adc) @ TC = 25°C 0.8 1
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IEC = 0.2 Adc) @ TC = 125°C 0.6
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Forward Recovery Time (see Figure 22 bis) Tfr 415 ns
(IF = 0.2 Adc, di/dt = 10 A/µs) @ TC = 25°C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IF = 0.4 Adc, di/dt = 10 A/µs) @ TC = 25°C 390
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IF = 1 Adc, di/dt = 10 A/µs) @ TC = 25°C 340

BUL44D2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ 1 µs @ TC = 25°C VCE(dsat) 3.3 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 0.4 A @ TC = 125°C 6.8
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ 1 µs @ TC = 25°C 4.4 V
rising IB1 reaches IC = 1 A @ TC = 125°C 12.8
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
0.2
2A
@ 3 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCC = 300 V @ TC = 25°C 0.5 V
@ TC = 125°C 1.8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
fT 13 MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
ÎÎÎÎÎ
Input Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 8 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Cib 240 500 pF
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 0.5 Adc, IB1 = 50 mAdc
IB2 = 250 mAdc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton 450
600
600 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Turn–off Time VCC = 300 Vdc @ TC = 25°C toff 700 1000 ns
@ TC = 125°C 1300
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton 90
105
150 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 0
0.5
5 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 1.5
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 105
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 0.4
0 4 Adc
Ad
IB1 = 40 mAdc
IB2 = 0.2 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts 0.55
0.70
0.75 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Crossover Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc 85
80
150 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 90
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Ad
IC = 1 Adc
IB1 = 0.2 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts 1.05
1.45
1.5 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IB2 = 0.5 Adc
Crossover Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc 100
100
175 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 180
IC = 0.8
0 8 Adc
Ad
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB1 = 160 mAdc
@ TC = 125°C 2.8
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 160 mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 400
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 175
IC = 0.4
0 4 Adc
Ad
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB1 = 40 mAdc
@ TC = 125°C 2.2
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 40 mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 330

BUL44D2
100 100
VCE = 1 V VCE = 5 V
80 80

TJ = 125°C TJ = 125°C
60 TJ = 25°C 60 TJ = 25°C
40 TJ = – 20°C 40 TJ = – 20°C
20 20
0 0
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10
4 10
TJ = 25°C IC/IB = 5
3
2A
2 1
1.5 A
TJ = 125°C
1A
1 TJ = 25°C
400 mA
IC = 200 mA TJ = – 20°C
0 0.1
1 10 100 1000 0.001 0.01 0.1 1 10
10 10
IC/IB = 10 IC/IB = 20
TJ = 25°C
1 1
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = – 20°C TJ = – 20°C
0.1 0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1

BUL44D2
10 10

1 TJ = – 20°C 1 TJ = – 20°C
TJ = 125°C TJ = 125°C
TJ = 25°C TJ = 25°C
0.1 0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10
Figure 7A. Base–Emitter Saturation Region Figure 7B. Base–Emitter Saturation Region
10 10
IC/IB = 20

25°C
1 TJ = – 20°C 1
125°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0.1 0.1
0.001 0.01 0.1 1 0.01 0.1 1 10
Figure 7C. Base–Emitter Saturation Region Figure 8. Forward Diode Voltage

BUL44D2
1000 1000
TJ = 25°C IBon = IBoff TJ = 125°C
Cib (pF) f(test) = 1 MHz
800 VCC = 300 V TJ = 25°C
PW = 40 µs
C, CAPACITANCE (pF)
100
600
t, TIME (ns)
IC/IB = 10
Cob (pF)
400
10
IC/IB = 5
200
1 0
1 10 100 0.2 0.8 1.4 2
Figure 9. Capacitance Figure 10. Resistive Switch Time, ton
4000 3
IBon = IBoff
3500 IC/IB = 10 VCC = 300 V 2.5
PW = 40 µs
3000 2
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
2500 1.5
2000 1
IBon = IBoff
VCC = 15 V
1500 TJ = 125°C 0.5 TJ = 125°C VZ = 300 V
TJ = 25°C IC/IB = 5 TJ = 25°C LC = 200 µH
1000 0
0 1 2 0.4 0.8 1.2 1.6 2
Figure 11. Resistive Switch Time, toff Figure 12. Inductive Storage Time,
tsi @ IC/IB = 5
700 4
TJ = 125°C IC/IBon = 5 TJ = 125°C
600 TJ = 25°C TJ = 25°C
3
500 IBon = IBoff

VCC = 15 V tc IC = 1 A
t, TIME (ns)
400 VZ = 300 V
LC = 200 µH 2
300
200 tfi IBon = IBoff

1 IC = 0.3 A VCC = 15 V
100 VZ = 300 V
LC = 200 µH
0 0
0 0.5 1 1.5 2 3 6 9 12 15


BUL44D2
700 1000
IBoff = IBon TJ = 125°C IBon = IBoff TJ = 125°C
600 VCC = 15 V TJ = 25°C VCC = 15 V TJ = 25°C
VZ = 300 V 800 VZ = 300 V

500 LC = 200 µH LC = 200 µH
IC = 0.3 A IC = 1 A
400 600
300 400
200
200
100
IC = 1 A IC = 0.3 A
0 0
3 5 7 9 11 13 15 3 6 9 12 15
900 2000
TJ = 125°C IBoff = IC/2
800 TJ = 125°C
TJ = 25°C VCC = 15 V TJ = 25°C
700 VZ = 300 V
1500
IC/IB = 20 LC = 200 µH IC/IB = 20
600
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
500
1000
400
300 IC/IB = 10
200 500
100 IBon = IBoff VZ = 300 V IC/IB = 10

VCC = 15 V LC = 200 µH
0 0
0.4 0.8 1.2 1.6 2 0.4 0.8 1.2 1.6 2
Figure 17. Inductive Switching, tfi Figure 18. Inductive Switching, tc
3000 3000
IC/IB = 5 IBon = IBoff
VCC = 15 V IC/IB = 10
VZ = 300 V 2500
LC = 200 µH
2000
2000
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
IC/IB = 20
IB = 50 mA
1500
1000 IB = 100 mA
IBon = IBoff
IB = 200 mA VCC = 15 V
1000
IB = 500 mA VZ = 300 V TJ = 125°C
LC = 200 µH TJ = 25°C
0 500
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 0 0.5 1 1.5 2
Figure 19. Inductive Storage Time, tsi Figure 20. Inductive Storage Time, tsi

BUL44D2
10
VCE 9 IC 90% IC
dyn 1 µs
8 tfi
dyn 3 µs tsi
7
6
0V Vclamp 10% Vclamp 10% IC
5
tc
4
90% IB 3 IB 90% IB1
1 µs 2
IB 1
3 µs
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
TIME TIME

VFRM VFR (1.1 VF unless

otherwise specified)
VF VF
tfr
0.1 VF
0
IF
10% IF
0 2 4 6 8 10
Figure 22 bis. tfr Measurements

+15 V
IC PEAK
1 µF 100 Ω 100 µF
150 Ω MTP8P10
3W 3W VCE PEAK
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
A
IB2
50 Ω RB2
MJE210
COMMON
150 Ω MTP12N10
500 µF 3W
L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
–Voff

BUL44D2
10 2.5
1 µs TC ≤ 125°C

10 µs GAIN ≥ 4
2
LC = 500 µH
5 ms 1 ms
EXTENDED SOA
1
1.5
DC
1
0.1
0.5 –5 V
0V –1.5 V
0.01 0
10 100 1000 200 300 400 500 600 700 800 900
SECOND BREAKDOWN
0.8 DERATING
0.6
THERMAL DERATING
0.4
0.2
0
20 40 60 80 100 120 140 160

BUL44D2
1
0.5
0.2
(NORMALIZED)
0.1
0.1 0.05 P(pk) RθJC(t) = r(t) RθJC
SINGLE PULSE t2 READ TIME AT t1
0.01
0.01 0.1 1 10 100 1000
t, TIME (ms)
Figure 26. Typical Thermal Response (ZθJC(t)) for BUL44D2
1100 440
1000 TJ = 25°C 420 dI/dt = 10 A/µs

TC = 25°C
900 400
BVCER (VOLTS)
BVCER (VOLTS) @ 10 mA
800 380
700 360
600 340
500 BVCER(sus) @ 200 mA 320
400 300
10 100 1000 0 0.5 1 1.5 2
RBE (Ω) IF, FORWARD CURRENT (AMP)
Figure 27. BVCER Figure 28. Forward Recovery Time tfr

MOTOROLA
BUL45 *
Designer's  Data Sheet BUL45F*
NPN Silicon Power Transistor
t Series
High Voltage SWITCHMODE POWER TRANSISTOR

Designed for use in electronic ballast (light ballast) and in Switchmode Power 5.0 AMPERES
supplies up to 50 Watts. Main features include: 700 VOLTS
35 and 75 WATTS
• Improved Efficiency Due to:
— Low Base Drive Requirements (High and Flat DC Current Gain hFE)
— Low Power Losses (On–State and Switching Operations)
— Fast Switching: tfi = 100 ns (typ) and tsi = 3.2 µs (typ)
— Fast Switching: @ IC = 2.0 A, IB1 = IB2 = 0.4 A
• Tight Parametric Distributions Consistent Lot–to–Lot
• BUL45F, Case 221D, is UL Recognized at 3500 VRMS: File #E69369
MAXIMUM RATINGS
Collector–Emitter Breakdown Voltage VCES 700 Vdc BUL45
CASE 221A–06
Emitter–Base Voltage VEBO 9.0 Vdc TO–220AB
— Peak(1) ICM 10
THERMAL CHARACTERISTICS BUL45F

Rating Symbol MJE18006 MJF18006 Unit CASE 221D–02
ISOLATED TO–220 TYPE
Thermal Resistance — Junction to Case RθJC 1.65 3.55 °C/W UL RECOGNIZED
— Junction to Ambient RθJA 62.5 62.5

OFF CHARACTERISTICS
(TC = 125°C) — — 100
REV 2

BUL45 BUL45F
ON CHARACTERISTICS
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 1.0 Adc, IB = 0.2 Adc) VBE(sat) — 0.84 1.2 Vdc
(IC = 2.0 Adc, IB = 0.4 Adc) — 0.89 1.25
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.2 Adc) — 0.175 0.25
(TC = 125°C) — 0.150 —
(IC = 2.0 Adc, IB = 0.4 Adc) — 0.25 0.4
(TC = 125°C) — 0.275 —
DC Current Gain (IC = 0.3 Adc, VCE = 5.0 Vdc) hFE 14 — 34 —
(TC = 125°C) — 32 —
DC Current Gain (IC = 2.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 7.0 14 —
(TC = 125°C) 5.0 12 —
DC Current Gain (IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc) 10 22 —
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz) Cob — 50 75 pF
Input Capacitance (VEB = 8.0 Vdc) Cib — 920 1200 pF
Dynamic Saturation Voltage: — 1.75 —
1.0 µs
(IC = 1.0 Adc (TC = 125°C) — 4.4 —
1 0 µs and
Determined 1.0 IB1 = 100 mAdc
3.0 µs respectively after VCC = 300 V) — 0.5 —
3.0 µs
g IB1 reaches 90%
rising (TC = 125°C) VCE — 1.0 —
Vdc
of final IB1 (Dyn sat) — 1.85 —
(see Figure 18) 1.0 µs
(IC = 2.0 Adc (TC = 125°C) — 6.0 —
IB1 = 400 mAdc
VCC = 300 V) — 0.5 —
3.0 µs
(TC = 125°C) — 1.0 —
SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load

Turn–On Time (IC = 2.0 Adc, IB1 = IB2 = 0.4 Adc ton — 75 110 ns
Pulse Width = 20 µs, (TC = 125°C) — 120 —
Duty Cycle < 20%
Turn–Off Time VCC = 300 V) toff — 2.8 3.5 µs
(TC = 125°C) — 3.5 —
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (VCC = 15 Vdc, LC = 200 µH, Vclamp = 300 Vdc)
Fall Time (IC = 2.0 Adc, IB1 = 0.4 Adc tfi 70 — 170 ns
IB2 = 0.4 Adc) (TC = 125°C) — 200 —
(TC = 125°C) — 4.2 —
(TC = 125°C) — 400 —
IB2 = 0.5 Adc) (TC = 125°C) — 100 —
(TC = 125°C) — 1.5 —
(TC = 125°C) — 170 —
IB2 = 2.0 Adc) (TC = 125°C)
(TC = 125°C)
(TC = 125°C)

BUL45 BUL45F
100 100
TJ = 25°C VCE = 1 V TJ = 25°C VCE = 5 V
TJ = 125°C TJ = 125°C

TJ = – 20°C TJ = – 20°C
10 10
1 1
0.01 0.10 1.00 10.00 0.01 0.10 1.00 10.00
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt Figure 2. DC Current Gain at @ 5 Volts
2.0 10
TJ = 25°C
1.5

1.0
1 A 1.5 2 A 3A 4A 5A 6A
1.0 A
0.1 IC/IB = 10
0.5
IC/IB = 5 TJ = 25°C
TJ = 125°C
IC = 0.5 A
0 0.01
0.01 0.10 1.00 10.00 0.01 0.10 1.00 10.00
Figure 3. Collector–Emitter Saturation Region Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage
1.1 10000
TJ = 25°C
1.0 f = 1 MHz
Cib
1000
C, CAPACITANCE (pF)
0.9
0.8
Cob
TJ = 25°C 100
0.7
0.6
TJ = 125°C 10
0.5 IC/IB = 10
IC/IB = 5
0.4 1
0.01 0.10 1.00 10.00 1 10 100 1000

BUL45 BUL45F
1200 3000
IB(off) = IC/2 TJ = 25°C IB(off) = IC/2
VCC = 300 V TJ = 25°C
1000 TJ = 125°C 2500 IC/IB = 5 VCC = 300 V
PW = 20 µs TJ = 125°C
PW = 20 µs
800 2000
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
IC/IB = 10
IC/IB = 10
600 1500
400 1000
200 500
IC/IB = 5
0 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 0 1 2 3 4 5 6 7 8
3500 3500
TJ = 25°C IB(off) = IC/2
VZ = 300 V
3000 TJ = 125°C LC = 200 µH
VCC = 15 V 3000 VZ = 300 V
IC/IB = 5 IB(off) = IC/2
VCC = 15 V
t si , STORAGE TIME (ns)
2500 LC = 200 µH
2500
IC = 1 A
t, TIME (ns)
2000
2000
1500
1500
1000
TJ = 25°C 1000
500
TJ = 125°C
IC/IB = 10 IC = 2 A
0 500
0 1 2 3 4 5 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
Figure 9. Inductive Storage Time, tsi Figure 10. Inductive Storage Time, tsi(hFE)
300 200
250 tc tc
150
200
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
150 100
100
VCC = 15 V IB(off) = IC/2
50
IB(off) = IC/2 VCC = 15 V tfi
50 tfi
LC = 200 µH TJ = 25°C VZ = 300 V TJ = 25°C
VZ = 300 V TJ = 125°C LC = 200 µH TJ = 125°C
0 0
0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5
Figure 11. Inductive Switching, tc & tfi, IC/IB = 5 Figure 12. Inductive Switching, tc & tfi, IC/IB = 10

BUL45 BUL45F
150 300
VCC = 15 V
140 VZ = 300 V
TJ = 125°C VCC = 15 V
250 IB(off) = IC/2
VZ = 300 V

130 LC = 200 µH
IC = 1 A LC = 200 µH IC = 1 A
120
200
110
100 150
90
100
80 IC = 2 A TJ = 25°C
TJ = 125°C IC = 2 A
70 50
3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
Figure 13. Inductive Fall Time, tfi(hFE) Figure 14. Crossover Time

100 6
DC (BUL45) TC ≤ 125°C
IC/IB ≥ 4
I C , COLLECTOR CURRENT (AMPS)
5
5 ms 1 ms 50 µs 10 µs 1 µs LC = 500 µH
10
4
1.0 EXTENDED 3
SOA
DC (BUL45F) 2
0.1
–5 V
1
VBE(off) = 0 V –1.5 V
0.01 0
10 100 1000 300 400 500 600 700 800

SECOND BREAKDOWN i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipation
0.8
DERATING than the curves indicate. The data of Figure 15 is based on TC
= 25°C; TJ(pk) is variable depending on power level. Second
must be derated when TC ≥ 25°C. Second breakdown limita-
tions do not derate the same as thermal limitations. Allowable
0.4 current at the voltages shown in Figure 15 may be found at
any case temperature by using the appropriate curve on Fig-
THERMAL DERATING ure 17. TJ(pk) may be calculated from the data in Figures 20
0.2
and 21. At any case temperatures, thermal limitations will re-
0 limitations imposed by second breakdown. For inductive
20 40 60 80 100 120 140 160
Figure 17. Forward Bias Power Derating verse–biased. The safe level is specified as a reverse–biased
safe operating area (Figure 16). This rating is verified under
clamped conditions so that the device is never subjected to
an avalanche mode.

BUL45 BUL45F
5 10
VCE
4 9 IC 90% IC
tfi
3 dyn 1 µs 8
tsi
2 7
dyn 3 µs
1 6
tc 10% IC
VOLTS

–1 4
90% IB IB 90% IB1
–2 3
–3 1 µs 2
–4 3 µs 1
IB
–5 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
0 1 2 3 4 5 6 7 8
TIME TIME
+15 V
IC PEAK
100 Ω
150 Ω
3W VCE PEAK
3W
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
A
IB2
50 Ω RB2
MJE210
MTP12N10
150 Ω L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
500 µF 3W RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
–Voff

BUL45 BUL45F
r(t) TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)

1.00
D = 0.5
0.2
0.10 0.1 P(pk) RθJC(t) = r(t) RθJC

0.05 D CURVES APPLY FOR
t1
POWER PULSE TRAIN
0.02 t2 SHOWN READ TIME AT t1
0.01
0.01 0.10 1.00 10.00 100.00 1000.00
t, TIME (ms)

r(t) TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)
1.00
D = 0.5
0.2
D CURVES APPLY FOR
t1
0.05 POWER PULSE TRAIN
t2 SHOWN READ TIME AT t1
0.02 TJ(pk) – TC = P(pk) RθJC(t)
SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.10 1.00 10.00 100.00 1000.00 10000.00 100000.00
t, TIME (ms)

BUL45 BUL45F
The BUL45/BUL45F Bipolar Power Transistors were demonstrate how well these devices operate. The circuit and
specially designed for use in electronic lamp ballasts. A detailed component list are provided below.
circuit designed by Motorola applications was built to
COLLECTOR CURRENT SENSE

(USE EXTERNAL STRAPS)
Q1 C5 400 V
D5
IC 0.1 µF
MUR150
22 µF 385 V 1000 V
47 Ω
D3
C1
470 kΩ 1Ω T1A 15 µF
D10 D9 TUBE
C4
T1B
D1 1N4007
D8 D7 D6
FUSE IC
Q2 C3 1000 V 400 V
MUR150 47 Ω
C2 10 nF C6 0.1 µF
L
CTN 0.1 µF 100 V D4
D2 1N5761 5.5 mH
AC LINE
1Ω
220 V
Components Lists
Q1 = Q2 = BUL45 Transistor All resistors are 1/4 Watt, ±5%

D1 = 1N4007 Rectifier R1 = 470 kΩ
D2 = 1N5761 Rectifier R2 = R3 = 47 Ω
D3 = D4 = MUR150 R4 = R5 = 1 Ω (these resistors are optional, and
D5 = D6 = MUR105 might be replaced by a short circuit)
D7 = D8 = D9 = D10 = 1N400 C1 = 22 µF/385 V
CTN = 47 Ω @ 25°C C2 = 0.1 µF
L = RM10 core, A1 = 400, B51 (LCC) 75 turns, C3 = 10 nF/1000 V
wire ∅ = 0.6 mm C4 = 15 nF/1000 V
T1 = FT10 toroid, T4A (LCC) C5 = C6 = 0.1 µF/400 V
Primary: 4 turns
Secondaries: T1A: 4 turns
Secondaries: T1B: 4 turns
NOTES:
1. Since this design does not include the line input filter, it cannot be used “as–is” in a practical industrial circuit.
2. The windings are given for a 55 Watt load. For proper operation they must be re–calculated with any other loads.
Figure 22. Application Example

BUL45 BUL45F

CLIP 0.107″ MIN 0.107″ MIN
LEADS LEADS LEADS
0.110″ MIN
4–40 SCREW CLIP
PLAIN WASHER
HEATSINK
COMPRESSION WASHER
NUT HEATSINK


MOTOROLA
BUL45D2
Designer's  Data Sheet POWER TRANSISTORS

700 VOLTS
The BUL45D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP).
Main features:
• Integrated Collector–Emitter Free Wheeling Diode
CASE 221A–06
TO–220AB
ÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO
VCBO
400
700
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCES
VEBO
700
12
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (1) ICM 10
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current — Peak (1) IBM 4
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
*Derate above 25°C
ÎÎÎÎ
PD 75
0.6
Watt
W/_C
ÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Temperature
ÎÎÎÎÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to 150 _C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes: TL 260

BUL45D2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(ICBO = 1 mA)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IEBO = 1 mA)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICEO 100 µAdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 125°C
ICES 100
500
100
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IEBO 100 µAdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.8 Adc, IB = 80 mAdc) @ TC = 25°C
@ TC = 125°C
VBE(sat)
0.8
0.7
1
0.9
Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 2 Adc, IB = 0.4 Adc)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.89
0.79
1
0.9
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.8 Adc, IB = 80 mAdc) @ TC = 25°C
@ TC = 125°C
VCE(sat)
0.28
0.32
0.4
0.5
Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 2 Adc, IB = 0.4 Adc)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.32
0.38
0.5
0.6
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
(IC = 0.8 Adc, IB = 40 mAdc)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.46
0.62
0.75
1
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain hFE
—
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.8 Adc, VCE = 1 Vdc) @ TC = 25°C 22 34
@ TC = 125°C 20 29
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
10
7
14
9.5
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Forward Diode Voltage VEC V
(IEC = 1 Adc) @ TC = 25°C 1.04 1.5
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
(IEC = 2 Adc) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
0.7
1.2 1.6
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IEC = 0.4 Adc) @ TC = 25°C 0.85 1.2
@ TC = 125°C 0.62
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Forward Recovery Time (see Figure 27)
(IF = 1 Adc, di/dt = 10 A/µs) @ TC = 25°C
Tfr 330 ns
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
(IF = 2 Adc, di/dt = 10 A/µs)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IF = 0.4 Adc, di/dt = 10 A/µs)
@ TC = 25°C
@ TC = 25°C
360
320

BUL45D2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ Cob 50 75 pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 8 Vdc)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ 1 µs @ TC = 25°C VCE(dsat) 3.7 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 1 A @ TC = 125°C 9.4
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ 1 µs @ TC = 25°C 3.9 V
rising IB1 reaches IC = 2 A @ TC = 125°C 12
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
0.8
8A
@ 3 µs @ TC = 25°C 0.4 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCC = 300 V
@ TC = 125°C 1.5
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 1 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton 90
105
150 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 1.5
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton 90
110
150 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB2 = 0
0.4
4 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 3.1
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 93
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 1 Adc
Ad
IB1 = 100 mAdc
IB2 = 500 mAdc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts 0.72
1.05
0.9 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Crossover Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc 95
95
150 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 125°C 105
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Ad
IC = 2 Adc
IB1 = 0.4 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts 1.95
2.9
2.25 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IB2 = 0.4 Adc
Crossover Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc 225
450
300 ns

BUL45D2
100 100
VCE = 1 V VCE = 5 V
80 TJ = 125°C 80 TJ = 125°C

TJ = 25°C TJ = 25°C
60 60
40 TJ = – 20°C 40 TJ = – 20°C
20 20
0 0
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10
4 10
TJ = 25°C
IC/IB = 5
TJ = 25°C
3
2 1
TJ = 125°C
5A
1 3A
2A 4A
1A TJ = – 20°C
IC = 500 mA
0 0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10
10 10
IC/IB = 10 IC/IB = 20
1 1
TJ = 25°C TJ = 125°C
TJ = – 20°C TJ = – 20°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0.1 0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10

BUL45D2
10 10

TJ = 25°C
1 TJ = – 20°C 1 TJ = – 20°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0.1 0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10
Figure 7. Base–Emitter Saturation Region Figure 8. Base–Emitter Saturation Region
10 10
IC/IB = 20

1 25°C
1 TJ = – 20°C
125°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0.1 0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10
Figure 9. Base–Emitter Saturation Region Figure 10. Forward Diode Voltage
1000 1000
Cib (pF) TJ = 25°C TJ = 25°C
C, CAPACITANCE (pF)
100 800
BVCER (VOLTS)
Cob (pF)
700
10 600
BVCER(sus) @ 200 mA
500
1 400
1 10 100 10 100 1000
Figure 11. Capacitance Figure 12. BVCER = f(ICER)

BUL45D2
1000 5
IBon = IBoff TJ = 125°C IBon = IBoff
VCC = 300 V TJ = 25°C IC/IB = 10 VCC = 300 V
800 PW = 20 µs 4
PW = 20 µs
t, TIME ( µs)
600 3
t, TIME (ns)
IC/IB = 10
400 2
IC/IB = 5
IC/IB = 5
200 1 TJ = 125°C
TJ = 25°C
0 0
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
Figure 13. Resistive Switch Time, ton Figure 14. Resistive Switch Time, toff
4 5
IBon = IBoff IBon = IBoff
IC/IB = 5
VCC = 15 V VCC = 15 V
VZ = 300 V 4 VZ = 300 V
3
LC = 200 µH LC = 200 µH
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
3
2
2
1
TJ = 125°C 1 TJ = 125°C
TJ = 25°C TJ = 25°C
0 0
0 1 2 3 4 0 1 2 3 4
tsi @ IC/IB = 5 tsi @ IC/IB = 10
600 400
IBon = IBoff TJ = 125°C IBoff = IBon
500 VCC = 15 V TJ = 25°C VCC = 15 V
VZ = 300 V VZ = 300 V
LC = 200 µH tc 300
LC = 200 µH
400
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
300 200
200
100
100 TJ = 125°C
tfi TJ = 25°C
0 0
0 1 2 3 4 0 1 2 3 4
Figure 17. Inductive Switching, Figure 18. Inductive Switching,

tc & tfi @ IC/IB = 5 tfi @ IC/IB = 10

BUL45D2
1500 5
TJ = 125°C IBon = IBoff
IBoff = IBon TJ = 125°C
TJ = 25°C VCC = 15 V
VCC = 15 V TJ = 25°C
VZ = 300 V
VZ = 300 V IC = 1 A

LC = 200 µH
1000 LC = 200 µH 4
t, TIME (ns)
500 3
IC = 2 A
0 2
0 1 2 3 4 0 5 10 15 20

tc @ IC/IB = 10
450 1400
IBoff = IBon TJ = 125°C IBon = IBoff TJ = 125°C
VCC = 15 V 1200
TJ = 25°C VCC = 15 V TJ = 25°C
VZ = 300 V
350 IC = 1 A VZ = 300 V
LC = 200 µH 1000 LC = 200 µH
IC = 2 A
800
250
600
400
150
IC = 2 A 200
IC = 1 A
50 0
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
3000 360
IB1 = IB2 IBon = IBoff
VCC = 15 V dI/dt = 10 A/µs

VZ = 300 V TC = 25°C
LC = 200 µH
2000 340
t, TIME (ns)
IB = 50 mA
IB = 100 mA
1000 320
IB = 200 mA
IB = 500 mA
IB = 1 A
0 300
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 0 0.5 1 1.5 2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) IF, FORWARD CURRENT (AMP)
Figure 23. Inductive Storage Time, tsi Figure 24. Forward Recovery Time tfr

BUL45D2
10
VCE 9 IC 90% IC
dyn 1 µs
8 tfi
tsi
dyn 3 µs 7
6
0V 10% IC
5 Vclamp 10% Vclamp
tc
4
90% IB 3 IB 90% IB1
1 µs 2
IB 1
3 µs
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
TIME TIME

VFRM VFR (1.1 VF unless

otherwise specified)
VF VF
tfr
0.1 VF
0
IF
10% IF
0 2 4 6 8 10
Figure 27. tfr Measurements

BUL45D2
+15 V
IC PEAK
1 µF 100 Ω 100 µF
150 Ω MTP8P10
3W 3W VCE PEAK
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
A
IB2
50 Ω RB2
MJE210
COMMON
150 Ω MTP12N10
500 µF 3W L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
–Voff desired IB1 desired IB1
100 6
TC ≤ 125°C
5 GAIN ≥ 5
10 1 µs LC = 2 mH
10 µs 4
EXTENDED SOA
5 ms 1 ms
1 3
DC
2
–5 V
0.1
1 0V –1.5 V
0.01 0
10 100 1000 200 300 400 500 600 700 800

BUL45D2
SECOND BREAKDOWN
0.8 DERATING

0.6
THERMAL DERATING
0.4
0.2
0
20 40 60 80 100 120 140 160
1
0.5
0.2
(NORMALIZED)
0.1
0.1 0.05 RθJC = 2.5°C/W MAX
t2 READ TIME AT t1
0.01
0.01 0.1 1 10 100 1000
t, TIME (ms)
Figure 31. Typical Thermal Response (ZθJC(t)) for BUL45D2

MOTOROLA
 Data Sheet
Designer's
BUL146*
for use in fluorescent electric lamp ballasts to 130 Watts and in Switchmode Power 6.0 AMPERES
supplies for all types of electronic equipment. These high voltage/high speed 700 VOLTS
transistors offer the following: 40 and 100 WATTS
— High and Flat DC Current Gain
— Fast Switching
• Parametric Distributions are Tight and Consistent Lot–to–Lot
• BUL146F, Isolated Case 221D, is UL Recognized to 3500 VRMS: File #E69369
MAXIMUM RATINGS
BUL146
Emitter–Base Voltage VEBO 9.0 Vdc CASE 221A–06
Collector Current — Continuous IC 6.0 Adc TO–220AB
— Peak(1) ICM 15
— Peak(1) IBM 8.0
RMS Isolated Voltage(2) Test No. 1 Per Fig. 22a VISOL — 4500 V
UL RECOGNIZED
OFF CHARACTERISTICS
(TC = 125°C) — — 500
REV 1

BUL146 BUL146F
ON CHARACTERISTICS
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 3.0 Adc, IB = 0.6 Adc) — 0.93 1.25
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 1.3 Adc, IB = 0.13 Adc) VCE(sat) — 0.22 0.5 Vdc
(TC = 125°C) — 0.20 0.5
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 3.0 Adc, IB = 0.6 Adc) — 0.30 0.7
(TC = 125°C) — 0.30 0.7
(TC = 125°C) — 30 —
DC Current Gain (IC = 1.3 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 12 20 —
(TC = 125°C) 12 20 —
(TC = 125°C) 7.0 12 —
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz) COB — 95 150 pF
Input Capacitance (VEB = 8.0 V) CIB — 1000 1500 pF
— 2.5 —
(IC = 1.3 Adc 1.0 µs
(TC = 125°C) — 6.5 —
Dynamic Saturation Voltage: IB1 = 300 mAdc
Determined 1.0 µs and VCC = 300 V) 3.0 µs
— 0.6 —
µ respectively
3.0 µs y after (TC = 125°C) — 2.5 —
VCE(d t)
CE(dsat) V
final IB1 (IC = 3.0 Adc 1.0 µs
(TC = 125°C) — 7.0 —
(
(see Fi
Figure 18) IB1 = 0
0.6
6 Adc
— 0.75 —
VCC = 300 V) 3.0 µs
(TC = 125°C) — 1.4 —
IB2 = 0.65 Adc, VCC = 300 V) (TC = 125°C) — 90 —
Turn–Off Time toff — 1.35 2.5 µs
(TC = 125°C) — 1.90 —
IB1 = 1.5 Adc, VCC = 300 V) (TC = 125°C) — 100 —
(TC = 125°C) — 2.1 —
IB2 = 0.65 Adc) (TC = 125°C) — 120 —
(TC = 125°C) — 1.75 —
(TC = 125°C) — 210 —
IB2 = 1.5 Adc) (TC = 125°C) — 100 —
(TC = 125°C) — 2.25 —
(TC = 125°C) — 200 —
IB2 = 0.6 Adc) (TC = 125°C) — 210 —
(TC = 125°C) — 4.5 —
(TC = 125°C) — 400 —

BUL146 BUL146F
100 100
VCE = 5 V
TJ = 125°C VCE = 1 V TJ = 125°C
h FE , DC CURRENT GAIN
TJ = 25°C TJ = 25°C
TJ = – 20°C
10 TJ = – 20°C 10
1 1
0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt Figure 2. DC Current Gain @ 5 Volts
2 10
TJ = 25°C
V CE , VOLTAGE (V) 1
V CE , VOLTAGE (V)
IC = 1 A 2A 3A 5A 6A
1
0.1 IC/IB = 10
IC/IB = 5 TJ = 25°C
TJ = 125°C
0 0.01
0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10
IB, BASE CURRENT (mA) IC COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.2 10000
1.1 TJ = 25°C
Cib f = 1 MHz
1 1000
V BE , VOLTAGE (V)
C, CAPACITANCE (pF)
0.9
0.8 100
TJ = 25°C Cob
0.7
0.6 10
TJ = 125°C IC/IB = 5
0.5
IC/IB = 10
0.4 1
0.01 0.1 1 10 1 10 100 1000

BUL146 BUL146F
1000 4000
IC/IB = 5 TJ = 25°C
VCC = 300 V 3500 VCC = 300 V
IC/IB = 10 TJ = 125°C
800 PW = 20 µs PW = 20 µs
3000 IC/IB = 5
2500
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
600 TJ = 125°C IC/IB = 10
2000
400 1500
1000
200
TJ = 25°C
500
0 0
0 2 4 6 8 0 2 4 6 8
2500 4000
VCC = 15 V 3500 TJ = 125°C VCC = 15 V
IC/IB = 5
2000 VZ = 300 V VZ = 300 V
LC = 200 µH 3000 IC = 3 A LC = 200 µH
1500 2500
t, TIME (ns)
2000
1000 1500
1000
500
TJ = 25°C 500 IC = 1.3 A
TJ = 125°C IC/IB = 10
0 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 3 4 5 6 7
IC COLLECTOR CURRENT (AMPS) hFE, FORCED GAIN
250 250
tc IB(off) = IC/2
VCC = 15 V
200 VZ = 300 V
200 tc LC = 200 µH
150 tfi
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
150 tfi
100
IB(off) = IC/2 100

50 VCC = 15 V
VZ = 300 V TJ = 25°C TJ = 25°C
LC = 200 µH TJ = 125°C TJ = 125°C
0 50
0 1 2 3 4 5 6 7 8 0 1 2 3 4 5 6 7 8
Figure 11. Inductive Switching, tc and tfi Figure 12. Inductive Switching, tc and tfi

BUL146 BUL146F
130 250
IC = 1.3 A IC = 1.3 A
120
TC , CROSS–OVER TIME (ns)

IC = 3 A 200
110
Tfi , FALL TIME (ns)
100
IB(off) = IC/2 150
90 VCC = 15 V
VZ = 300 V
IC = 3 A
80 LC = 200 µH 100 IB(off) = IC/2
VCC = 15 V
70 TJ = 25°C TJ = 25°C VZ = 300 V
TJ = 125°C TJ = 125°C LC = 200 µH
60 50
3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
Figure 13. Inductive Fall Time Figure 14. Inductive Cross–Over Time

100 7
DC (BUL146) TC ≤ 125°C
IC/IB ≥ 4
5 ms 1 ms 10 µs 1 µs 6
10 LC = 500 µH
5
EXTENDED 4
1 SOA
3
VBE(off)
DC (BUL146F)
2
0.1
–5V
1
0V
0 –1, 5 V
0.01
10 100 1000 0 200 400 600 800

1,0 down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
SECOND BREAKDOWN i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
0,8
DERATING tion than the curves indicate. The data of Figure 15 is based
on TC = 25°C; TJ(pk) is variable depending on power level.
0,6 Second breakdown pulse limits are valid for duty cycles to
10% but must be derated when TC > 25°C. Second break-
down limitations do not derate the same as thermal limita-
0,4
tions. Allowable current at the voltages shown in Figure 15
may be found at any case temperature by using the appropri-
THERMAL DERATING
0,2 ate curve on Figure 17. TJ(pk) may be calculated from the
data in Figure 20 and 21. At any case temperatures, thermal
limitations will reduce the power that can be handled to val-
0,0
20 40 60 80 100 120 140 160 ues less than the limitations imposed by second breakdown.
For inductive loads, high voltage and current must be sus-
tained simultaneously during turn–off with the base–to–emit-
Figure 17. Forward Bias Power Derating ter junction reverse–biased. The safe level is specified as a
reverse–biased safe operating area (Figure 16). This rating
is verified under clamped conditions so that the device is
never subjected to an avalanche mode.

BUL146 BUL146F
5 10
VCE
4 9 IC 90% IC
tfi
3 dyn 1 µs 8
tsi
2 7
dyn 3 µs
1 6
tc 10% IC
VOLTS

–1 4
90% IB IB 90% IB1
–2 3
–3 1 µs 2
–4 3 µs 1
IB
–5 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
0 1 2 3 4 5 6 7 8
TIME TIME
+15 V
IC PEAK
100 Ω
150 Ω
3W VCE PEAK
3W
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
A
IB2
50 Ω RB2
MJE210
MTP12N10
150 Ω L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
500 µF 3W RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
–Voff

BUL146 BUL146F
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE 1

D = 0.5
0.2
(NORMALIZED)
0.1 P(pk)
PULSE TRAIN SHOWN
0.02
t1 READ TIME AT t1
t2 TJ(pk) – TC = P(pk) RθJC(t)
0.01
0.01 0.1 1 10 100 1000
t, TIME (ms)
1
D = 0.5
0.2
(NORMALIZED)
0.1 P(pk)
PULSE TRAIN SHOWN
t2 TJ(pk) – TC = P(pk) RθJC(t)
SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.1 1 10 100 1000 10000 100000
t, TIME (ms)

BUL146 BUL146F

CLIP 0.107″ MIN 0.107″ MIN
LEADS LEADS LEADS
0.110″ MIN
4–40 SCREW CLIP
PLAIN WASHER
HEATSINK
COMPRESSION WASHER
NUT HEATSINK


MOTOROLA
 Data Sheet
Designer's
BUL147*
for use in electric fluorescent lamp ballasts to 180 Watts and in Switchmode Power 8.0 AMPERES
supplies for all types of electronic equipment. These high–voltage/high–speed 700 VOLTS
transistors offer the following: 45 and 125 WATTS
— High and Flat DC Current Gain
— Fast Switching
• Parametric Distributions are Tight and Consistent Lot–to–Lot
• BUL147F, Isolated Case 221D, is UL Recognized to 3500 VRMS: File #E69369
MAXIMUM RATINGS
Emitter–Base Voltage VEBO 9.0 Vdc BUL147
Collector Current — Continuous IC 8.0 Adc CASE 221A–06
— Peak(1) ICM 16 TO–220AB

— Peak(1) IBM 8.0
UL RECOGNIZED
OFF CHARACTERISTICS
(TC = 125°C) — — 500
REV 1

BUL147 BUL147F
ON CHARACTERISTICS
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 4.5 Adc, IB = 0.9 Adc) — 0.92 1.25
(IC = 2.0 Adc, IB = 0.2 Adc) — 0.25 0.5
(TC = 125°C) — 0.3 0.5
(IC = 4.5 Adc, IB = 0.9 Adc) — 0.35 0.7
(TC = 125°C) — 0.35 0.8
(TC = 125°C) — 30 —
(TC = 125°C) 7.0 11 —
DC Current Gain (IC = 2.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) (TC = 25°C to 125°C) 10 18 —
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz) Cob — 100 175 pF
Input Capacitance (VEB = 8.0 V) Cib — 1750 2500 pF
— 3.0 —
(IC = 2.0 Adc 1.0 µs
(TC = 125°C) — 5.5 —
Dynamic Saturation Voltage: IB1 = 200 mAdc
Determined 1.0 µs and VCC = 300 V) 3.0 µs
— 0.8 —
µ respectively
3.0 µs y after (TC = 125°C) — 1.4 —
VCE(d t)
CE(dsat) Volts
final IB1 (IC = 5.0 Adc 1.0 µs
(TC = 125°C) — 8.5 —
(see Figure 18) IB1 = 0
0.9
9 Adc
— 0.4 —
VCC = 300 V) 3.0 µs
(TC = 125°C) — 1.0 —
IB2 = 1.0 Adc, VCC = 300 V) (TC = 125°C) — 190 —
(TC = 125°C) — 1.6 —
IB1 = 2.25 Adc, VCC = 300 V) (TC = 125°C) — 100 —
(TC = 125°C) — 2.0 —
IB2 = 1.0 Adc) (TC = 125°C) — 120 —
(TC = 125°C) — 1.9 —
(TC = 125°C) — 230 —
IB2 = 2.25 Adc) (TC = 125°C) — 100 —
(TC = 125°C) — 2.1 —
(TC = 125°C) — 200 —
IB2 = 0.9 Adc) (TC = 125°C) — 150 —
(TC = 125°C) — 4.3 —
(TC = 125°C) — 330 —

BUL147 BUL147F
100 100
TJ = 125°C VCE = 1 V TJ = 125°C VCE = 5 V

TJ = 25°C TJ = 25°C
10 TJ = – 20°C 10 TJ = – 20°C
1 1
0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt Figure 2. DC Current Gain @ 5 Volts
2 10
TJ = 25°C
1.5
V CE , VOLTAGE (VOLTS)
V CE , VOLTAGE (VOLTS)
1
IC = 1 A 3A 5A 8A 10 A
1
IC/IB = 10
0.1
0.5
IC/IB = 5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0 0.01
0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10
IB, BASE CURRENT (AMPS) IC COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.3 10000
Cib TJ = 25°C
1.2
f = 1 MHz
1.1 1000
V BE , VOLTAGE (VOLTS)
1
C, CAPACITANCE (pF)
Cob
0.9
100
0.8
0.7 TJ = 25°C
10
0.6
IC/IB = 5
0.5 TJ = 125°C IC/IB = 10
0.4 1
0.01 0.1 1 10 1 10 100

BUL147 BUL147F
600 4000
IB(off) = IC/2 IC/IB = 5 TJ = 25°C IB(off) = IC/2
VCC = 300 V 3500 TJ = 125°C VCC = 300 V
500 IC/IB = 10
PW = 20 µs PW = 20 µs
3000 I /I = 5
C B
400 TJ = 125°C 2500
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
TJ = 25°C
300 2000
1500
200
1000
100 IC/IB = 10
500
0 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 1 2 3 4 5 6 7 8
3500 4000
3000 VCC = 15 V 3500 TJ = 125°C VCC = 15 V
VZ = 300 V VZ = 300 V
IC/IB = 5 3000
LC = 200 µH LC = 200 µH
2500
2500 IC = 2 A
t, TIME (ns)
2000
2000
1500
1500
1000
1000
500 TJ = 25°C 500
TJ = 125°C IC/IB = 10 IC = 4.5 A
0 0
1 2 3 4 5 6 7 8 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
IC COLLECTOR CURRENT (AMPS) hFE, FORCED GAIN
300 250
tc TJ = 125°C VCC = 15 V
250
200 VZ = 300 V
tc LC = 200 µH
200
tfi 150
t, TIME (ns)
t, TIME (ns)
150
100
100
IB(off) = IC/2
VCC = 15 V 50
50 tfi
VZ = 300 V TJ = 25°C
LC = 200 µH TJ = 125°C
0 0
1 2 3 4 5 6 7 1 2 3 4 5 6 7 8
Figure 11. Inductive Switching, tc and tfi Figure 12. Inductive Switching, tc and tfi

BUL147 BUL147F
180 300
TJ = 25°C IB(off) = IC/2 IC = 2 A IB(off) = IC/2
TJ = 125°C VCC = 15 V VCC = 15 V
160
VZ = 300 V 250 VZ = 300 V
TC , CROSSOVER TIME (ns)

IC = 2 A LC = 200 µH LC = 200 µH
140
200
120
150
100
IC = 4.5 A
100
80
TJ = 25°C
IC = 4.5 A TJ = 125°C
60 50
3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15

100 9
DC (BUL147) TC ≤ 125°C
8
I C , COLLECTOR CURRENT (AMPS) IC/IB ≥ 4
5 ms 1 ms 10 µs 1 µs
7 LC = 500 µH
10
6
EXTENDED 5
1 SOA
4
DC (BUL147F) 3
0.1 –5V
2
1
VBE(off) = 0 V –1, 5 V
0.01 0
10 100 1000 0 100 200 300 400 500 600 700 800

SECOND BREAKDOWN i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipation
0.8
DERATING than the curves indicate. The data of Figure 15 is based on TC
= 25°C; TJ(pk) is variable depending on power level. Second
must be derated when TC > 25°C. Second breakdown limita-
tions do not derate the same as thermal limitations. Allowable
0.4 current at the voltages shown in Figure 15 may be found at
any case temperature by using the appropriate curve on Fig-
THERMAL DERATING ure 17. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 20
0.2
and 21. At any case temperatures, thermal limitations will re-
0.0 limitations imposed by second breakdown. For inductive
20 40 60 80 100 120 140 160
Figure 17. Forward Bias Power Derating verse–biased. The safe level is specified as a reverse–biased
safe operating area (Figure 16). This rating is verified under
an avalanche mode.

BUL147 BUL147F
5 10
VCE
4 9 IC 90% IC
tfi
3 dyn 1 µs 8
tsi
2 7
dyn 3 µs
1 6
tc 10% IC
VOLTS

–1 4
90% IB IB 90% IB1
–2 3
–3 1 µs 2
–4 3 µs 1
IB
–5 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
0 1 2 3 4 5 6 7 8
TIME TIME
+15 V
IC PEAK
100 Ω
150 Ω
3W VCE PEAK
3W
MTP8P10 VCE
MPF930 RB1
MUR105 IB1
A
IB2
50 Ω RB2
MJE210
MTP12N10
150 Ω L = 10 mH L = 200 µH L = 500 µH
500 µF 3W RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
–Voff

BUL147 BUL147F
1
D = 0.5
0.2
(NORMALIZED)

t1 READ TIME AT t1
t2
0.01
0.01 0.1 1 10 100 1000
t, TIME (ms)
1
D = 0.5
0.2
(NORMALIZED)

0.1 0.1 RθJC = 2.78°C/W MAX
t1 READ TIME AT t1
t2
0.02
SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.1 1 10 100 1000 10000 100000
t, TIME (ms)

BUL147 BUL147F

CLIP 0.107″ MIN 0.107″ MIN
LEADS LEADS LEADS
0.110″ MIN
4–40 SCREW CLIP
PLAIN WASHER
HEATSINK
COMPRESSION WASHER
NUT HEATSINK


MOTOROLA
BUS50
SWITCHMODE Series
NPN Silicon Power Transistors 70 AMPERES
NPN SILICON
POWER TRANSISTOR
The BUS50 transistor is designed for low voltage, high–speed, power switching in 125 VOLTS (BVCEO)
inductive circuits where fall time is critical. It is particularly suited for battery 350 WATTS
switchmode applications such as: 200 V (BVCES)
• Inverters
• Motor Controls
Fast Turn–Off Times
300 ns Inductive Fall Time – 25_C (Typ)
Operating Temperature Range – 65 to + 200_C
CASE 197A–05
TO–204AE
ÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
Rating Symbol BUS50 Unit
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Base Voltage VEB 7 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
— Peak (1) ICM 140
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Overload
ÎÎÎÎÎÎÎ
IoI
IB 20 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (1) IBM
Total Power Dissipation — TC = 25°C PD 350 Watts
— TC = 100°C 200
ÎÎÎÎÎÎÎ
Derate above 25_C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
2
– 65 to + 200
W/_C
_C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Lead Temperature
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
for Soldering Purposes: ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TL 275 _C
x
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle 10%.
REV 7

BUS50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mA, IB = 0, L = 25 mH)
VCEO(sus)
125
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector Cutoff Current at Reverse Bias
ÎÎÎÎ
(VCE = 200 V, VBE = –1.5 V)
ÎÎÎ
(VCE = 200 V, VBE = –1.5 V, TC = 125_C)
ICEX
0.2
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Cutoff Current ICEO mAdc
(VCE = 125 V) 1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 7 V)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO
0.2
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5 A, VCE = 4 V) 20
(IC = 50 A, VCE = 4 V) 15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 35 A, IB = 2 A) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCE(sat)
1
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 70 A, IB = 7 A) 1.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 35 A, IB = 2 A) 1.8
(IC = 70 A, IB = 7 A) 2
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Turn–On Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
SWITCHING CHARACTERISTICS (Resistive Load) ton and (Inductive Load) tsv, tfi
ÎÎÎ ton 1.2 µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 70 A,
A IB1 = 7 A VBE(off) = – 5 V
Storage Time tsv 1.5
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCC = 125 V)
Fall Time tfi 0.3
v v
1 Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2%.

MOTOROLA
BUS98
Designer's  Data Sheet BUS98A
SWITCHMODE Series
NPN SILICON
The BUS98 and BUS98A transistors are designed for high–voltage, high–speed, POWER TRANSISTORS
power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are particularly 400 AND 450 VOLTS
suited for line–operated switchmode applications such as: (BVCEO)
250 WATTS
850 – 1000 V (BVCES)
• Inverters
• Motor Controls
60 ns Inductive Fall Time – 25_C (Typ)
120 ns Inductive Crossover Time – 25_C (Typ)
100_C Performance Specified for:
CASE 1–07
TO–204AA
Saturation Voltages
Leakage Currents (125_C)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Rating Symbol BUS98 BUS98A Unit
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO(sus) 400 450 Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEV 850 1000 Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (1) ICM 60
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Overload IoI 120
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (1) IBM 30
Total Power Dissipation — TC = 25_C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
PD 250 Watts
— TC = 100_C 142
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ _C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Thermal Resistance, RθJC 0.7 _C/W
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Junction to Case
_C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Maximum Lead Temperature TL 275
for Soldering Purposes:
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
x
REV 7

BUS98 BUS98A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mA, IB = 0) L = 25 mH BUS98
VCEO(sus)
400 — —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BUS98A 450 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc) 0.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— —
(VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 125_C) — — 4.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCEV, RBE = 10 Ω) TC = 25 _C
TC = 125 _C
ICER
— — 1.0
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— — 6.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 7 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IE = 100 mA – IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VEBO 7.0 — — Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Clamped Inductive SOA with Base Reverse Biased
IS/b
RBSOA
See Figure 12
See Figure 13
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE 8 — — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, VCE = 5 Vdc) BUS98
(IC = 16 Adc, VCE = 5 V) BUS98A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 4 Adc) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BUS98
VCE(sat)
— — 1.5
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 30 Adc, IB = 8 Adc) — — 3.5
(IC = 20 Adc, IB = 4 Adc, TC = 100_C) — — 2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 16 Adc, IB = 3.2 Adc) BUS98A — — 1.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 24 Adc, IB = 5 Adc) — — 5.0
(IC = 16 Adc, IB = 3.2 Adc, TC = 100_C) — — 2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BUS98
VBE(sat)
— — 1.6
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 4 Adc, TC = 100_C) — — 1.6
(IC = 16 Adc, IB = 3.2 Adc) BUS98A — — 1.6
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 16 Adc, IB = 3.2 Adc, TC = 100_C) — — 1.6
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, ftest = 100 kHz)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Restive Load (Table 1)
ÎÎÎÎÎÎ
Delay Time
ÎÎÎÎÎÎ
Rise Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCC = 250 Vdc
Vdc, IC = 20 A
µs,
IB1 = 4.0 A, tp = 30 µ
A,
td
tr
—
—
0.1
0.4
0.2
0.7
µs
ÎÎÎÎÎÎ
v
Storage Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Duty Cycle
2%, VBE(off) = 5 V) ts — 1.55 2.3
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(for BUS98A: IC = 16 A A, Ib1 = 3
3.22 A)
ÎÎÎÎÎÎ
Storage TimeÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Inductive Load, Clamped (Table 1)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ tsv — 1.55 — µs
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC( k) = 20 A
C(pk) (BUS98) (TC = 25_C)
Fall Time Ib1 = 4 A tfi — 0.06 —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(off) = 5 V,
V
Storage Time tsv — 1.8 2.8
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCE(c1) = 250 V)
Crossover Time IC(pk) = 16 A (BUS98A) (TC = 100_C) tc — 0.3 0.6
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
lB1 = 3
3.2
2 A)
Fall Time tfi — 0.17 0.35
(1) Pulse Test: PW = 300 µs, Duty Cycle v 2%.

BUS98 BUS98A
DC CHARACTERISTICS

10
50 90% 5 IC = 15 A
30 3 IC = 20 A
20 10% IC = 10 A
10 1
5 0.5
3 0.3
2
VCE = 5 V TC = 25°C
0.1
3 5 7 10 20 30 50 0.1 0.3 0.5 1 2 3 4
VBE, BASE EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

βf = 5 βf = 5
90% 2
10%
1 1 TJ = 25°C
0.7 0.7
TJ = 100°C
0.5
0.3 0.3
0.1
1 3 10 20 0.1 0.3 1 3 10
104 10k
VCE = 250 V
103 Cib
C, CAPACITANCE (pF)
TJ = 150°C 1k
102
125°C
101 100°C
100
75°C Cob
100 REVERSE FORWARD
25°C TJ = 25°C
10 –1 10
– 0.4 – 0.2 0 0.2 0.4 0.6 1 10 100 1000

BUS98 BUS98A
VCEO(sus) RBSOA AND INDUCTIVE SWITCHING RESISTIVE SWITCHING
– VC1
TURN–ON TIME
MJE200 ADJUST VC1
TO OBTAIN 1
+10 V 1 BUV20 0.1 µF 50 µF DESIRED IB1
20 2
CONDITIONS
+10 V
MJE210 IB1
INPUT
0
–10 V
2 IB1 adjusted to
BUV20 obtain the forced
hFE desired
PW Varied to Attain 1 µF 50 µF TURN–OFF TIME

IC = 100 mA Use inductive switching
ADJUST VC2
driver as the input to
TO OBTAIN
the resistive test circuit.
DESIRED IB2
CIRCUIT
VALUES
Lcoil = 180 µH VCC = 250 V

Lcoil = 25 mH, VCC = 10 V
Rcoil = 0.05 Ω Vclamp = 250 V
Rcoil = 0.7 Ω
VCC = 20 V Pulse Width = 10 µs

t1 Adjusted to
Obtain IC
TEST CIRCUITS
IC
1
TUT
Rcoil
IC(pk) tf Clamped
t1 [ LcoilVCC
(IC(pk))
1
TUT
RL
1N4937 t
t1 tf VCC
2
[ LcoilVclamp
INPUT OR Lcoil (IC(pk))
EQUIVALENT t2
SEE ABOVE FOR
DETAILED CONDITIONS Vclamp VCE VCE or
VCC
Vclamp Test Equipment
2 t Scope — Tektronix
TIME t2
475 or Equivalent
20
IC pk VCE(pk)
βf = 5
I B2(pk), BASE CURRENT (AMPS)
16 IC = 20 A
90% VCE(pk) 90% IC(pk)
IC tsv trv tfi tti
tc 12
VCE
10% VCE(pk) 10% 8
IB 90% IB1 IC pk 2% IC
0
TIME 0 1 2 3 4 5 6
VBE(off), BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Inductive Switching Measurements Figure 8. Peak–Reverse Current

BUS98 BUS98A
SWITCHING TIMES NOTE
In resistive switching circuits, rise, fall, and storage times shown in Figure 7 to aid in the visual identity of these terms.
have been defined and apply to both current and voltage wa- For the designer, there is minimal switching loss during
veforms since they are in phase. However, for inductive storage time and the predominant switching power losses
loads which are common to SWITCHMODE power supplies occur during the crossover interval and can be obtained us-
and hammer drivers, current and voltage waveforms are not ing the standard equation from AN–222:
in phase. Therefore, separate measurements must be made PSWT = 1/2 VCCIC(tc) f
on each waveform to determine the total switching time. For
this reason, the following new terms have been defined. In general, trv + tfi ]
tc. However, at lower test currents this
relationship may not be valid.
tsv = Voltage Storage Time, 90% IB1 to 10% Vclamp As is common with most switching transistors, resistive
trv = Voltage Rise Time, 10 – 90% Vclamp switching is specified at 25_C and has become a benchmark
tfi = Current Fall Time, 90 – 10% IC for designers. However, for designers of high frequency con-
tti = Current Tail, 10 – 2% IC verter circuits, the user oriented specifications which make
tc = Crossover Time, 10% Vclamp to 10% IC this a “SWITCHMODE” transistor are the inductive switching
An enlarged portion of the inductive switching waveforms is speeds (tc and tsv) which are guaranteed at 100_C.
INDUCTIVE SWITCHING
4 0.8
3 0.6
TC = 100°C
2 0.4
TC = 100°C
0.2 TC = 100°C
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
1
TC = 25°C TC = 25°C
0.7 0.1
0.5
TC = 25°C
tc
tfi
βf = 5 βf = 5
2 4 6 8 10 20 30 2 4 6 8 10 20 30
Figure 9. Storage Time, tsv Figure 10. Crossover and Fall Times
3 3
2 TC = 25°C 2 TC = 25°C
IC = 20 A IC = 20 A
tsv tsv
VBE(off) = 5 V βf = 5
1 1
0.5 0.5
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
0.3 0.3
tc
0.2 0.2 tc
tfi
0.1 0.1 tfi
0.05 0.05
0.03 0.03
2 4 6 8 10 1 2 3 4 5
βf, FORCED GAIN Ib2/Ib1
Figure 11a. Turn–Off Times versus Forced Gain Figure 11b. Turn–Off TM Times versus Ib2/Ib1

BUS98 BUS98A
The Safe Operating Area figures shown in Figures 12 and 13 are SAFE OPERATING AREA INFORMATION
specified for these devices under the test conditions shown.
30
FORWARD BIAS
10 DC
1 ms transistor: average junction temperature and second break-
LIMIT the transistor that must be observed for reliable operation,
2
ONLY FOR i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
1 TURN ON tion than the curves indicate.
0.5 The data of Figure 12 is based on TC = 25_C; TJ(pk) is
TC = 25°C
tr = 0.7 µs limits are valid for duty cycles to 10% but must be derated
0.1
when TC w 25_C. Second breakdown limitations do not der-
0.05 BUS98 ate the same as thermal limitations. Allowable current at the
BUS98A voltages shown on Figure 12 may be found at any case tem-
2 5 10 20 50 100 200 500 1000
TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 11. At high
Figure 12. Forward Bias Safe Operating Area that can be handled to values less than the limitations im-
REVERSE BIAS
100 For inductive loads, high voltage and high current must be
sustained simultaneously during turn–off, in most cases, with
80 the base to emitter junction reverse biased. Under these

conditions the collector voltage must be held to a safe level
at or below a specific value of collector current. This can be
60 accomplished by several means such as active clamping,
BUS98 BUS98A RC snubbing, load line shaping, etc. The safe level for these
devices is specified as Reverse Bias Safe Operating Area
40
and represents the voltage–current conditions during re-
verse biased turn–off. This rating is verified under clamped
20 VBE(off) = 5 V conditions so that the device is never subjected to an ava-
TC = 100°C lanche mode. Figure 13 gives RBSOA characteristics.
IC/IB1 ≥ 5
0 200 400 600 800 1000

Figure 13. Reverse Bias Safe Operating Area
100
SECOND BREAKDOWN
80 DERATING
60
THERMAL
40 DERATING
20
0
0 40 80 120 160 200

BUS98 BUS98A
1.0
D = 0.5
0.5
0.2
0.2
0.1 P(pk)
READ TIME AT t1 t2
TJ(pk) – TC = P(pk) RθJC(t) DUTY CYCLE, D = t1/t2
SINGLE PULSE
0.01
0.1 1.0 10 100 1000 10000
t, TIME (ms)
OVERLOAD CHARACTERISTICS
200 OLSOA
TC = 25°C
OLSOA applies when maximum collector current is limited

160
and known. A good example Is a circuit where an inductor is
inserted between the transistor and the bus, which limits the
120 rate of rise of collector current to a known value. If the tran-
sistor is then turned off within a specified amount of time, the
tp = 10 µs magnitude of collector current is also known.
BUS98A
80 Maximum allowable collector–emitter voltage versus col-
BUS98 lector current is plotted for several pulse widths. (Pulse width
is defined as the time lag between the fault condition and the
40
removal of base drive.) Storage time of the transistor has
been factored into the curve. Therefore, with bus voltage and
maximum collector current known, Figure 16 defines the
0 100 200 300 400 450 500 maximum time which can be allowed for fault detection and
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) shutdown of base drive.
OLSOA is measured in a common–base circuit (Figure 18)
Figure 16. Rated Overload Safe Operating Area
which allows precise definition of collector–emitter voltage
(OLSOA)
and collector current. This is the same circuit that is used to
measure forward–bias safe operating area.
10
6 RBE = 50 Ω
IC, (AMP)
500 µF
4 RBE = 5 Ω 500 V
VCC
RBE = 1.1 Ω
Notes:
2 RBE = 0 • VCE = VCC + VBE
• Adjust pulsed current source
for desired IC, tp VEE
0 2 4 6 8 10
dV/dt (KV/µs)
Figure 17. IC = f (dV/dt) Figure 18. Overload SOA Test Circuit

MOTOROLA
BUT11AF
Full Pak
High Voltage NPN Power Transistor POWER TRANSISTOR
5.0 AMPERES
For Isolated Package Applications 450 VOLTS
The BUT11AF was designed for use in line operated switching power supplies in a 40 WATTS
wide range of end use applications. This device combines the latest state of the art
bipolar fabrication techniques to provide excellent switching, high voltage capability
and low saturation voltage.
• 1000 Volt VCES Rating
• Low Base Drive Requirements
• Isolated Overmold Package
• Improved System Efficiency
• No Isolating Washers Required
• Reduced System Cost
• High Isolation Voltage Capability (4500 VRMS)
CASE 221D–02
TO–220 TYPE
MAXIMUM RATINGS
RMS Isolation Voltage (For 1 sec, Per Figure 7 VISOL1 4500
TA = 25°C, Rel. Humidity < 30%) Per Figure 8 VISOL2 3500 V
Per Figure 9 VISOL3 2500
Collector Current — Pulsed (1) ICM 10
Base Current — Pulsed (1) IBM 4.0
Total Power Dissipation @ TC = 25°C* PD 40 Watts
Derated above 25°C 0.32 W/°C
Operating and Storage Temperature Range TJ, Tstg – 65 to +150 °C
Thermal Resistance — Junction to Case* RθJC 3.125 °C/W
Maximum Lead Temperature for soldering purposes TL 260 °C
1/8″ from case for 5 sec.
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle ≤ 10%.
* Measurement made with thermocouple contacting the bottom insulated mounting surface of the package (in a location beneath the die),
the device mounted on a heatsink, thermal grease applied, and a mounting torque of 6 to 8 in . lbs.
Full Pak is a registered trademark of Motorola Inc.
REV 2

BUT11AF
Collector-Emitter Sustaining Voltage (Figures 1 & 2) VCEO(sus) 450 – – Vdc
(IC = 100 mAdc, IB = 0, L = 25 µH)
Collector Cutoff Current ICES mAdc
(VCE = 1000 Vdc, VBE = 0) – – 1.0
(VCE = 1000 Vdc, VBE = 0, TJ = 125°C) – – 2.0
Emitter-Base Leakage IEBO – – 10 mAdc

(VEB = 9.0 Vdc, IC = 0)
Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) – – 1.5 Vdc
(IC = 2.5 Adc, IB = 0.5 Adc)
Base-Emitter Saturation Voltage VBE(sat) – – 1.5 Vdc
(IC = 2.5 Adc, IB = 0.5 Adc)
DC Current Gain hFE 10 – – –
(IC = 5.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc) – –
Insulation Capacitance (Collector to External Heatsink) Cc-hs – 15 – pF
Inductive Load (Figures 3 & 4)
Storage ts – 1100 1400 ns
TJ = 25°C
Fall Time tfi – 80 150
IC = 2.5
2 5 Adc,
Adc IB1 = 0
0.5
5 Adc
Storage ts – 1200 1500
TJ = 100°C
Fall Time tfi – 140 300
Resistive Load (Figures 5 & 6)
Turn-On Time ton – – 1000 ns
Storage Time IC = 2.5 Adc, IB1 = IB2 = 0.5 Adc ts – – 4000
Fall Time tf – – 800
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%.
+50 V
250 100 – 200 Ω
L
200
IC VERT.
(mA) OSCILLOSCOPE
VIN
100 0
tp HOR.
T OSCILLOSCOPE
0
1 Ω
MIN VCE (V)
VCEO(sus)
Figure 1. Oscilloscope Display for Sustaining Voltage Figure 2. Test Circuit for VCEO(sus)

BUT11AF
tr
VCC
90% IB on
IB
10%
RL t
VIN RB IB off
0
IC on
90%
tp T.U.T.
T IC
VCC = 250 V 10%

VIN = – 6 to +8 V t
tp = 20 µs td tf
ts
tp = 0.01
T ton toff
Figure 3. Test Circuit Resistive Load Figure 4. Switching Times Waveforms with
Resistive Load
VCC
tr
90% IB1
LC IB
10%
t
VCL
+IB1 LB IB2
–VBE
T.U.T. IC on
90%
IC
7Z89211.2
VCL = 300 V 10%

VCC = 30 V
VEB = 5 V tf
LB = 1 µH ts
VCL = 200 µH toff
Figure 5. Test Circuit Inductive Load Figure 6. Switching Times Waveforms

with Inductive Load

BUT11AF

CLIP 0.107″ MIN 0.107″ MIN
LEADS LEADS LEADS
0.110″ MIN
Figure 7. Screw or Clip Mounting Position Figure 8. Clip Mounting Position Figure 9. Screw Mounting Position
MOUNTING INFORMATION
4–40 SCREW CLIP
PLAIN WASHER
HEATSINK
COMPRESSION WASHER
NUT HEATSINK


MOTOROLA
BUT33
 Data Sheet
Designer's
SWITCHMODE Series
56 AMPERES
NPN SILICON
NPN Silicon Power Darlington POWER DARLINGTON

TRANSISTOR
Transistors with Base-Emitter 600 VOLTS
250 WATTS
Speedup Diode
The BUT33 Darlington transistor is designed for high–voltage, high–speed, power
switching in inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for
line operated SWITCHMODE applications such as:
• AC and DC Motor Controls
• Inverters
CASE 197A–05
• Solenoid and Relay Drivers TO–204AE
• Fast Turn Off Times (TO–3)
800 ns Inductive Fall Time at 25_C (Typ)
2.0 µs Inductive Storage Time at 25_C (Typ)
• Operating Temperature Range – 65 to 200_C
≈ 100 ≈ 16
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Rating Symbol BUT33 Unit
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
VEB 10 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
56
ÎÎÎÎ
Adc
Collector Current — Peak (1) ICM 75
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ IB 12 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Free Wheel Diode Forward Current — Continuous IF 56 Adc
Free Wheel Diode Forward Current — Peak IFM 75
PD 250 Watts
@ TC = 100_C 140
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
Symbol
RθJC
Max
0.7
Unit
_C/W
ÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose TL 275 _C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
x
REV 7

BUT33
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 100 mA, IB = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc)
(VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 100_C)
ICEV
—
—
—
—
0.2
4.0
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 20 V, IC = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — — 350 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with base forward biased IS/b See Figure 16
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RBSOA See Figure 17
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ hFE
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 A, VCE = 5 V) 30 — —
(IC = 36 A, VCE = 5 V) 20 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 20 A, IB = 1 A) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCE(sat)
— — 2.0
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 36 A, IB = 3.6 A) — — 2.5
(IC = 44 A, IB = 4.4 A) —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 3.0
(IC = 56 A, IB = 11.2 A) — — 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 20 A, IB = 1 A) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(sat)
— — 2.5
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 36 A, IB = 3.6 A) — — 2.9
(IC = 44 A, IB = 4.4 A) — — 3.3
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Diode Forward Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IF = 44 A)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vf — — 4.0 Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Inductive Load Clamped (Table 1)
TC = 25_C µs
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time IC = 36 A ts — 2.0 3.3
µs
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time IB = 3.6 A tf — 0.8 1.6
µs
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time See Table 1 ts — 2.2 —
Fall Time TC = 100_C VBE(off) = 5 V tf — 0.8 — µs
x
(1) Pulse Test: PW = 300 µs, Duty Cycle 2%.

BUT33
400

200
4
100
50
3
30
20 IC = 40 A
10 2
IC = 20 A
5
3 TC = 25°C 1
2 VCE = 5.0 V
TC = 25°C
1 0
1 2 3 4 6 10 20 30 40 60 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 7 10


2.5 TC = 25°C 3.2 TC = 25°C
IC/IB = 10 IC/IB = 10
2.2 2.8
1.9 2.5
1.6 2.2
1.3 1.9
1.0 1.6
0.7 1.3
0.4 1.0
1 2 3 5 7 10 20 30 50 1 2 3 5 7 10 20 30 50
1
0.7
D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
0.1
P(pk)
0.05
0.07 RθJC(t) = 1.17°C/W MAX
0.01
0.02 SINGLE PULSE TJ(pk) – TC = P(pk) RθJC(t) DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, TIME (ms)

BUT33
VCEO(sus) RBSOA AND INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
for
FREE–WHEEL
+10 V
20 Ω 22 µF DIODE
1 33 D1 2N6438
2W
CONDITIONS
160 D3
5V MR854 +
INPUT
0 220 100
MM3735
680 pF 22
2 Ib1 ADJUST
D1 D2 D3 D4 1N4934
1 µF Ib2 ADJUST DRIVER VD
PULSES 680 pF 22 dTb ADJUST
PW Varied to Attain δ = 3% 2N3763 dT
IC = 100 mA D4
680 pF 100 MR854 ID
160
33
D3 2N6339
CIRCUIT
VALUES
Lcoil = 10 mH, VCC = 10 V Lcoil = 180 µH 2W 22 µF –

Rcoil = 0.7 Ω Rcoil = 0.05 Ω VCC
Vclamp = VCEO(sus) VCC = 10 V
AV
up to
INDUCTIVE TEST CIRCUIT OUTPUT WAVEFORMS 50 V
t1 Adjusted to
IC Obtain IC
TEST CIRCUITS
TUT ICM tf Clamped

[ LcoilVCC(ICM)
1 Rcoil
t1 CRONETICS
1N4937 t 510 VD
t1 tf PG130
INPUT OR Lcoil
up to
[ Lcoil
EQUIVALENT (ICM)
SEE ABOVE FOR
t2 50 V 5 µs
DETAILED CONDITIONS Vclamp VCC VCE Vclamp 1% ID
VCEM Vclamp
RS = Test Equipment
2 t
0.1 Ω TIME t2 Scope — Tektronix
475 or Equivalent
15 5
10 4 TC = 25°C
TC = 25°C 3 σ tF = 200 ns IC/IB = 20
IC/IB = 5 IC = 20 A σ t = 400 ns
5 S tS
2
3
2 10 V
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
IC = 50 A 1
VBE(off) = 5 V
1
40°C 0.5
0.5
0.3
0.3 IC = 25 A VBE(off) = 5 V
0.2 10 V
0.2 IC/IB = 10
tF
0.1 0.1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1 2 3 5 7 10 20 30 50
Ib2/Ib1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 6. Fall Time versus IB2/IB1 Figure 7. Turn–Off Time versus IC
10 10
8 8 TC = 25°C
IC = 25 A IC/IB = 5
6 6 IC = 25 A
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
5 5
4 IC = 50 A 4
3 3
IC = 50 A
2 TC = 25°C 2 IC = 10 A
VBE(off) = 5 V
1 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Figure 8. Storage Time versus Forced Gain Figure 9. Storage Time versus Ib2/Ib1

BUT33
FREE–WHEEL DIODE CHARACTERISTICS
50
I –σ +σ
di/dt = 25 A/µs
IFM
IE , EMITTER CURRENT (AMPS)

25 IRM 40
Id t
IRM 30
1 trr
0 20
VD DYN
10 (VDYN VFM)
VFM 10 TC = 25°C
TFR
0
0 1 2 3 4 5
VEC, EMITTER COLLECTOR VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Free Wheel Diode Measurements Figure 11. Forward Voltage
I RM , PEAK REVERSE RECOVERY CURRENT (AMPS)

Vdyn , FORWARD MODULATION VOLTAGE (VOLTS)
30 50
TC = 25°C
25
40
20
30
15
20
10
10
5 TC = 25°C
40°C
0 0
0 10 20 30 40 50 0 10 20 30 40 50
IE, EMITTER CURRENT (AMPS) IE, EMITTER CURREMT (AMPS)
Figure 12. Forward Modulation Voltage Figure 13. Peak Reverse Recovery Current
15
TRR, REVERSE RECOVERY TIME ( µs)
TFR , FORWARD RECOVERY TIME ( µs)
10 TC = 25°C
2.2 TC = 25°C
7
2.0 5
1.8
3
1.6 2
1.4
1
1.2 0.7
1.0 0.5
0.8 0.3
0 10 20 30 40 50 0 10 20 30 40 50
IE, EMITTER CURRENT (AMPS) IE, EMITTER CURRENT (AMPS)
Figure 14. Forward Recovery Time Figure 15. Reverse Recovery Time

BUT33
specified for the devices under the test conditiond shown.
FORWARD BIAS
60
30 100 µs
1 ms down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of

10 DC the transistor that must be observed for reliable operation,
i.e., the transistor must not be subject to greater dissipation
than the curves indicate.
3.0
0.5 when TC y 25_C. Second breakdown limitations do not der-
0.3 ate the same as thermal limitations. Allowable current at the
TC = 25°C voltages shown on Figure 16 may be found at any case tem-
0.1
1 5 10 30 100 300 1000 TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 5. At high
that can be handled to values less than the limitations
Figure 16. Safe Operating Area imposed by second breakdown.
REVERSE BIAS

ICM , PEAK COLLECTOR CURRENT (AMPS)

the base to emitter junction reverse biased. Under these
40
accomplished by several means such as active clamping,
RC snubbing, load line shaping, etc. The safe level for these
and represents the voltage current condition allowable
20 during reverse biased turnoff. This rating is verified under
TC = 25°C VBE(off) = 5 V clamped conditions so that the device is never subjected to
IC/IB = 10 an avalanche mode Figure 17 gives the RBSOA character-
istics.
0
0 200 400 600
100
POWER DERATING (FACTOR)
80 SECOND BREAKDOWN
DERATING
60
40 THERMAL
DERATING
20
0
0 40 80 120 160 200
IC, CASE TEMPERATURE (°C)

MOTOROLA
BUT34
 Data Sheet
Designer's
SWITCHMODE Series
50 AMPERES
NPN SILICON
NPN Silicon Power Darlington POWER DARLINGTON

TRANSISTOR
Transistors with Base-Emitter 850 VOLTS
250 WATTS
Speedup Diode
The BUT34 Darlington transistor is designed for high–voltage, high–speed, power
line–operated SWITCHMODE applications such as:
• Inverters
CASE 197A–05
• Solenoid and Relay Drivers TO–204AE
• Fast Turn–Off Times (TO–3)
0.7 µs Inductive Fall Time at 25_C (Typ)
1.8 µs Inductive Storage Time at 25_C (Typ)
• Operating Temperature Range – 65 to 200_C
≈ 50 ≈8
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Rating Symbol BUT34 Unit
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
VEB 10 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
50
ÎÎÎÎ
Adc
Collector Current — Peak (1) ICM 75
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ IB 10 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Free Wheel Diode Forward Current — Continuous IF 50 Adc
Free Wheel Diode Forward Current — Peak IFM 75
PD 250 Watts
@ TC = 100_C 140
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
Symbol
RθJC
Max
0.7
Unit
_C/W
ÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose: TL 275 _C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
x
REV 7

BUT34
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 100 mA, IB = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEV
—
—
—
—
0.2
4.0
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 2.0 V, IC = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RBSOA See Figure 17
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ hFE
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 16 A, VCE = 5 V) 30 — —
(IC = 32 A, VCE = 5 V) 15 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 16 A, IB = 0.8 A) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCE(sat)
— — 2.0
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 32 A, IB = 3.2 A) — — 3.0
(IC = 40 A, IB = 4 A)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— — 3.5
(IC = 50 A, IB = 10 A) — — 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 16 A, IB = 0.8 A) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(sat)
— — 2.5
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 32 A, IB = 3.2 A) — — 2.9
(IC = 40 A, IB = 4 A) — — 3.3
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Diode Forward Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IF = 40 A)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vf — — 4.0 Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TC = 25_C µs
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time See Table 1 ts — 1.8 3.0
µs
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time IC = 32 A tf — 0.7 1.5
TC = 100_C µs
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time IB1 = 3.2 A ts — 2.2 —
Fall Time VBE(off) = 5 V tf — 0.8 — µs
x

BUT34
400

200
4
100
50
3
30
20
IC = 40 A
10 2
IC = 20 A
5
3 1 TC = 25°C
TC = 25°C
2
VCE = 5.0 V
1 0
1 2 3 4 7 10 20 30 40 60 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 7 10


TC = 25°C TC = 25°C
2.5 3.2
IC/IB = 10 IC/IB = 10
2.2 2.8
1.9 2.5
1.6 2.2
1.3 1.9
40°C
1.0 1.6
25°C 25°C
0.7 1.3
100°C 100°C
0.4 1.0
1 2 3 5 7 10 20 30 50 1 2 3 5 7 10 20 30 50
1
0.7
D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
0.1 P(pk)
0.1 RθJC = 1.17°C/W MAX
0.05
0.05 0.02 PULSE TRAIN SHOWN t1
READ TIME AT t1 t2
0.03 0.01 TJ(pk) – TC = P(pk) RθJC(t) DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.02 SINGLE PULSE
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 20 30 50 100 200 300 500 100
t, TIME (ms) 0

BUT34
VCEO(sus) RBSOA AND INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
for
FREE–WHEEL
+10 V
20 Ω 22 µF DIODE
1 33 D1 2N6438
2W
CONDITIONS
160 D3
5V MR854 +
INPUT
0 220 100
MM3735
680 pF 22
2 Ib1 ADJUST
D1 D2 D3 D4 1N4934
1 µF Ib2 ADJUST DRIVER VD
PULSES 680 pF 22 dTb ADJUST
PW Varied to Attain δ = 3% 2N3763 dT
IC = 100 mA D4
680 pF 100 MR854 ID
160
33
D3 2N6339
CIRCUIT
VALUES
Lcoil = 10 mH, VCC = 10 V Lcoil = 180 µH 2W 22 µF –

Rcoil = 0.7 Ω Rcoil = 0.05 Ω VCC
Vclamp = VCEO(sus) VCC = 10 V
AV
up to
INDUCTIVE TEST CIRCUIT OUTPUT WAVEFORMS 50 V
t1 Adjusted to
IC Obtain IC
TEST CIRCUITS
TUT ICM tf Clamped

[ LcoilVCC(ICM)
1 Rcoil
t t1 CRONETICS
1N4937 t1 tf 510 VD
PG130
INPUT OR Lcoil
up to
[ Lcoil
EQUIVALENT (ICM)
SEE ABOVE FOR
t2 50 V 5 µs
DETAILED CONDITIONS Vclamp VCC VCE VCEM Vclamp 1% ID
Vclamp
RS = t Test Equipment
2 t2
0.1 Ω TIME Scope — Tektronix
475 or Equivalent
15 5
10 4 σ tF = 200 ns
TC = 25°C 3 IC = 16 A σ t = 400 ns
S tS
IC/IB = 5 VBE(off) = 5 V
5 2
3 10 V
2
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
1
0.5 VBE(off) = 5 V
0.5
0.3
0.3 IC = 50 A IC = 25 A
0.2 10 V IC/IB = 10
0.2
TC = 25°C
tF IC/IB = 20
0.1 0.1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1 2 3 5 7 10 20 30 50
Ib2/Ib1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 6. Fall Time versus IB2/IB1 Figure 7. Turn–Off Time versus IC
10 10
8 8
6 IC = 25 A 6
5 5
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
4 4
IC = 25 A
3 3
IC = 50 A
2 2 IC = 50 A
TC = 25°C TC = 25°C
VBE(off) = 5 V IC/IB = 5
1 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Figure 8. Storage Time versus Forced Gain Figure 9. Storage Time versus Ib2/Ib1

BUT34
FREE–WHEEL DIODE CHARACTERISTICS
50
I –σ +σ
di/dt = 25 A/µs
IFM
IE , EMITTER CURRENT (AMPS)

25 IRM 40
Id t
IRM 30
1 trr
0 20
VD DYN
10 (VDYN VFM)
VFM 10 TC = 25°C
TFR
0
0 1 2 3 4 5
VEC, EMITTER COLLECTOR VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Free Wheel Diode Measurements Figure 11. Forward Voltage
I RM , PEAK REVERSE RECOVERY CURRENT (AMPS)

Vdyn , FORWARD MODULATION VOLTAGE (VOLTS)
30 50
TC = 25°C
25
40
20
30
15
20
10
10
5 40°C TC = 25°C
0 0
0 10 20 30 40 50 0 10 20 30 40 50
IE, EMITTER CURRENT (AMPS) IE, EMITTER CURREMT (AMPS)
Figure 12. Forward Modulation Voltage Figure 13. Peak Reverse Recovery Current
15
TRR, REVERSE RECOVERY TIME ( µs)
10
TFR , FORWARD RECOVERY TIME ( µs)
2.2 TC = 25°C TC = 25°C

7
2.0 5
1.8
3
1.6 2
1.4
0.1
1.2 0.7
1.0 0.5
0.8 0.3
0 10 20 30 40 50 0 10 20 30 40 50
IE, EMITTER CURRENT (AMPS) IE, EMITTER CURRENT (AMPS)
Figure 14. Forward Recovery Time Figure 15. Reverse Recovery Time

BUT34
specifed for these devices under the test conditions shown.
FORWARD BIAS
30 DC 100 µs
1 ms down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of

10 i.e., the transistor must not be subject to greater dissipation
than the curves indicate.
3.0 The data of Figure 16 is based on TC = 25_C; TJ(pk) is
limits are valid for duty cycles to 10% but must be derated
1.0
0.5
when TC y 25_C. Second breakdown limitations do not der-
0.3 voltages shown on Figure 16 may be found at any case tem-
TC = 25°C
1 5 10 30 100 300 1000 case temperatures, thermal limitations will reduce the power
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) that can be handled to values less than the limitations im-
Figure 16. Safe Operating Area
REVERSE BIAS
For inductive loads, high voltage and high current must be
60 sustained simultaneously during turn–off, in most cases, with

and represents the voltage–current condition allowable dur-
20
ing reverse biased turnoff. This rating is verified under
TC = 25°C an avalanche mode. Figure 17 gives the RBSOA character-
IC/IB = 10
istics.
VBE(off) = 5 V
0
0 200 400 600 850
100
SECOND BREAKDOWN
POWER DERATING (FACTOR)
80
DERATING
60
THERMAL
DERATING
40
20
0
0 40 80 120 160 200
IC, CASE TEMPERATURE (°C)

MOTOROLA
BUV11
SWITCHMODE Series
NPN Silicon Power Transistor 20 AMPERES
NPN SILICON
POWER
. . . designed for high current, high speed, high power applications. METAL TRANSISTOR
• High DC current gain; hFE min. = 20 at IC = 6 A 200 VOLTS
• Low VCE(sat), VCE(sat) max. = 0.6 V at IC = 6 A 150 WATTS
• Very fast switching times:
TF max. = 0.8 µs at IC = 12 A
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
ÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage (VBE = –1.5 V) VCEX 250 Vdc
Collector–Emitter Voltage (RBE = 100 Ω) VCER 240 Vdc
v ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Current— Continuous IC 20 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
— Peak (pw
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Current continuous
10 ms)
ÎÎÎÎ
ICM
IB
25
4
Apk
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction Temperature Range TJ, Tstg – 65 to 200 _C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
1.0
0.8
DERATING FACTOR
0.6
0.4
0.2
0 40 80 120 160 200

REV 7

BUV11
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 200 mA, IB = 0, L = 25 mH)
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current at Reverse Bias ICEX mAdc
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 250 V, VBE = –1.5 V) 1.5
(VCE = 250 V, VBE = –1.5 V, TC = 125_C)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Cutoff Current ICEO 1.5 mAdc
(VCE = 160 V)
(IE = 50 mA) ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Emitter–Base Reverse Voltage
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VEBO 7 V
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Cutoff Current IEBO 1.0 mAdc
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 5 V)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with base forward biased IS/b Adc
(VCE = 30 V, t = 1 s) 5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 140 V, t = 1 s) 0.15
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS1
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 6 A, VCE = 2 V) 20 60
(IC = 12 A, VCE = 4 V) 10
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(IC = 6 A, IB = 0.6 A) ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCE(sat)
0.6
Vdc
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 12 A, IB = 1.5 A) 1.5
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage VBE(sat) 1.5 Vdc
(IC = 12 A, IB = 1.5 A)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Gain — Bandwidth Product fT 8.0 MHz
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 15 V, IC = 1 A, f = 4 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SWITCHING CHARACTERISTICS (Resistive Load)
Turn–on Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ton 0.8 µs
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 12 A,
A IB1 = IB2 = 1
1.5
5AA,
Storage Time ts 1.8
VCC = 150 V, TC = 12.5 Ω)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
v ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time tf 0.4
v

BUV11

IC, COLLECTOR CURRENT (A) transistor: average junction temperature and second break-
10 the transistor that must be observed for reliable operation
variable depending on power level. Second breakdown
1
limitations do not derate the same as thermal limitations.
the power that can handled to values less than the limitations
imposed by second breakdown.
1 10 100 200
2.0 100
IC/IB = 8 VCE VCE = 4
1.6 80
V, VOLTAGE (V)
1.2 60
0.8 VBE 40
0.4 20
0 0
0.1 1 10 20 100 0.1 1 10 20 100
Figure 3. “On” Voltages Figure 4. DC Current Gain
3.0
VCC
2.0
t, TIME ( µs)
tS
1.0 RC
IB2
ton
0.4 VCC = 150 V
RB
0.3
tF
IB1 RC = 12.5 Ω
0.2 RB = 3.3 Ω
IC/IB = 8
IB1 = IB2
0 4 8 12 16 20 RC – RB: Non inductives resistances
Figure 5. Switching Times versus Figure 6. Switching Times Test Circuit

Collector Current

MOTOROLA
BUV20
SWITCHMODE Series
NPN SILICON
POWER
. . . designed for high speed, high current, high power applications. METAL TRANSISTOR
• High DC current gain: 125 VOLTS
hFE min = 20 at IC = 25 A 250 WATTS
hFE min = 10 at IC = 50 A
• Low VCE(sat):
VCE(sat) max. = 0.6 V at IC = 25 A
VCE(sat) max. = 1.2 V at IC = 50 A
TF = 0.25 µs at IC = 50 A
CASE 197A–05
TO–204AE
(TO–3)
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emititer Voltage VCEO(sus) 125 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage (VBE = –1.5 V)
VEBO
VCEX
7
160
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter voltage (RBE = 100 Ω)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Current — Continuous
v
VCER
IC
150
50
Vdc
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (pw 10 ms) ICM 60 Apk
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Base–Current continuous IB 10 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to 200 _C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.0
θJC 0.7 _C/W
0.8
DERATING FACTOR
0.6
0.4
0.2
0 40 80 120 160 200

REV 7

BUV20
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
Symbol Min Max Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 200 mA, IB = 0, L = 25 mH)
VCEO(sus) 125 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 140 V, VBE = – 1.5 V)
(VCE = 140 V, VBE = – 1.5 V, TC = 125_C)
ICEX
3.0
12
mAdc
(VCE = 100 V) ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VEBO 7 V
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 5 V)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎÎ
(VCE = 20 V, t = 1 s)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VCE = 40 V, t = 1 s)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
12
1.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain hFE
(IC = 25 A, VCE = 2 V)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
20 60
(IC = 50 A, VCE = 4 V) 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(IC = 25 A, IB = 2.5 A) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCE(sat)
0.6
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 50 A, IB = 5 A) 1.2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 50 A, IB = 5 A)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 15 V, IC = 2 A, f = 4 MHz)
fT 8.0 MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Turn–on Time ton 1.5 µs
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 50 A,
A IB1 = IB2 = 5 A,
A
Storage Time ts 1.2
VCC = 30 V, RC = 0.6 Ω)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Fall Time tf 0.25
v

BUV20
100
50
the transistor that must be observed for reliable operation
10
The data of Figure 2 is based on TC = 25_C. TJ(pk) is
1 limitations do not derate the same as thermal limitations.
the power that can be handled to values less than the limita-
tions imposed by second breakdown.
1 10 100 125
2.0 100
IC/IB = 10 VCE = 4 V
1.6 80
V, VOLTAGE (V)
1.2 VBE(sat) 60
0.8 40
VCE(sat)
0.4 20
0 0
1 10 100 1 10
VCC = 30 V
IC/IB1 = 10 VCC
IB1 = IB2
3.0
104 µF
2.0 RC
t, TIME ( µs)
1.0 tS IB2
IB1 VCC = 30 V
0.4 ton RC = 0.6 Ω
0.3
0.2 tF
RC — Non inductive resistance
0 10 20 30 40 50
Figure 5. Resistive Switching Performance

MOTOROLA
BUV21
SWITCHMODE Series
NPN SILICON
POWER
• High DC current gain: 200 VOLTS
hFE min. = 20 at IC = 12 A 250 WATTS
• Low VCE(sat), VCE(sat) max. = 0.6 V at IC = 8 A
Very fast switching times:
CASE 197A–05
TO–204AE
(TO–3)
ÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCBO
VEBO
250
7
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage (RBE = 100 Ω)
VCEX
VCER
250
240
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Current — Continuous IC 40 Adc
v
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
PD 150 Watts
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to 200 _C
ÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
θJC
Max
0.7
Unit
_C/W
1.0
0.8
DERATING FACTOR
0.6
0.4
0.2
0 40 80 120 160 200

REV 7

BUV21
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
Symbol Min Max Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 200 mA, IB = 0, L = 25 mH)
VCEO(sus) 200 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current at Reverse Bias:
ÎÎÎÎ
(VCE = 250 V, VBE = –1.5 V)
ÎÎÎÎ
(VCE = 250 V, VBE = –1.5 V, TC = 125_C)
ICEX
3.0
12.0
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VEBO 7 V
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 5 V)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎÎ
(VCE = 20 V, t = 1 s)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VCE = 140 V, t = 1 s)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
12
0.15
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain hFE
(IC = 12 A, VCE = 2 V)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
20 60
(IC = 25 A, VCE = 4 V) 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(IC = 12 A, IB = 1.2 A) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCE(sat)
0.6
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 25 A, IB = 3 A) 1.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 25 A, IB = 3 A)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current Gain – Bandwidth Product
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 15 V, IC = 2 A, f = 4 MHz)
fT 8.0 MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Turn-on Time ton 1.0 µs
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 25 A,
A IB1 = IB2 = 3 A,
A
Storage Time ts 1.8
VCC = 100 V, RC = 4 Ω)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Fall Time tf 0.4
v

BUV21

0.1 At high case temperatures, thermal limitations will reduce
the power that can be handled to values less than the limita-
tions imposed by second breakdown.
1 10 100 200
2.0 50
IC/IB = 8 VCE = 5 V
1.6 40
V, VOLTAGE (V)
1.2 30
0.8 VBE 20
0.4 10
VCE
0 0
1 10 100 1 10
VCE = 100 V
IC/IB1 = 8 VCC
3.0 IB1 = IB2
2.0 10,000 µF
RC
t, TIME ( µs)
1.0 IB2
tS
IB1 RB VCC = 100 V

0.4
RC = 4 Ω
0.3 ton RB = 2.2 Ω
0.2
tF
RC – RB: Non inductive resistances
0 5 10 15 20 25
Figure 5. Resistive Switching Performance Figure 6. Switching Times Test Circuit

MOTOROLA
BUV22
SWITCHMODE Series
NPN SILICON
POWER
• High DC current gain: HFE min. = 20 at IC = 10 A 250 VOLTS
• Low VCE(sat): VCE(sat) max. = 1.0 V at IC = 10 A 250 WATTS
CASE 197A–05
TO–204AE
(TO–3)
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO(sus)
VCBO
250
300
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VEBO
VCEX
7
300
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Current — Continuous IC 40 Adc
v
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
PD 250 Watts
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to 200 _C
ÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
θJC
Max
0.7
Unit
_C/W
1.0
0.8
DERATING FACTOR
0.6
0.4
0.2
0 40 80 120 160 200

REV 7

BUV22
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
Symbol Min Max Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 200 mA, IB = 0, L = 25 mH)
VCEO(sus) 250 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 300 V, VBE = –1.5 V)
ÎÎÎÎ
(VCE = 300 V, VBE = –1.5 V, TC = 125_C)
ICEX
3.0
12.0
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VEBO 7 V
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 5 V)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎÎ
(VCE = 20 V, t = 1 s)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VCE = 140 V, t = 1 s)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
12
0.15
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain hFE
(IC = 10 A, VCE = 4 V)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
20 60
(IC = 20 A, VCE = 4 V) 10
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(IC = 10 A, IB = 1 A) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCE(sat)
1.0
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 20 A, IB = 2.5 A) 1.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 40 A, IB = 4 A)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 15 V, IC = 2 A, f = 4 MHz)
fT 8.0 MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 20 A,
A IB1 = IB2 = 2
2.5
5AA,
Storage Time ts 2.0
VCC = 100 V, RC = 5 Ω)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Fall Time tf 0.35
v
1Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2%.

BUV22

40
0.1 At high case temperatures, thermal limitations will reduce
1 10 100 250
2.0 50
IC/IB = 8 45
1.6 40 VCE = 5 V
35
V, VOLTAGE (V)
1.2 VBE 30
25
0.8 VCE 20
15
0.4 10
5
0 0
1 10 0.1 1 10 100
VCC
3.0
2.0 104 µF
RC
t, TIME ( µs)
1.0 tS IB2
VCC = 100 V
RB
0.4 IB1 RC = 5Ω
0.3 ton RB = 2.7 Ω
0.2 IB1 = IB2
tF IC/IB = 8
4 8 12 16 20 24

MOTOROLA
BUV23
SWITCHMODE Series
NPN SILICON
POWER
• High DC current gain: HFE min. = 15 at IC = 8 A 325 VOLTS
• Low VCE(sat), VCE(sat) max. = 0.8 V at IC = 8 A 250 WATTS
TF = 0.4 µs at IC = 16 A
CASE 197A–05
TO–204AE
(TO–3)
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage (RBE = 100 Ω)
VCEX
VCER
400
390
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Current— Continuous IC 30 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
PD 250 Watts
_C
ÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage JunctionTemperature Range TJ,Tstg – 65 to 200
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
1.0
θJC 0.7 _C/W
0.8
DERATING FACTOR
0.6
0.4
0.2
0 40 80 120 160 200

REV 7

BUV23
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
Symbol Min Max Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 200 mA, IB = 0, L = 25 mH)
VCEO(sus) 325 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 400 V, VBE = –1.5 V)
ÎÎÎÎ
(VCE = 400 V, VBE = –1.5 V, TC = 125_C)
ICEX
3.0
12
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VEBO 7 V
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 5 V)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎÎ
(VCE = 20 V, t = 1 s)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VCE = 140 V, t = 1 s)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
12
0.15
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS1
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain hFE
(IC = 8 A, VCE = 4 V)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
15 60
(IC = 16 A, VCE = 4 V) 8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(IC = 8 A, IB = 1.6 A) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCE(sat)
0.8
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 16 A, IB = 3.2 A) 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 16 A, IB = 3.2 A)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 15 V, IC = 2 A, f = 4 MHz)
fT 8.0 MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 16 A,
A IB1 = IB2 = 3
3.2
2AA,
Storage Time ts 2.5
VCC = 100 V, RC = 6.25 Ω)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Fall Time tf 0.4
v
1Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2%.

BUV23

30
0.1 At high case temperatures. thermal limitations will reduce
1 10 100 325
2.0 50
VCE = 5 V
IC/IB = 5
1.6 40
V, VOLTAGE (V)
1.2 30
VBE(sat)
0.8 20
0.4 10
VCE(sat)
0 0
1 10 100 1 10
VCE = 100 V
IC/IB1 = 5 VCC
3.0 IB1 = IB2
2.0 5600 µF
RC
t, TIME ( µs)
tS
1.0 IB2
RB VCC = 100 V
IB1
0.4 RC = 6 Ω
0.3 ton RB = 2.2 Ω
0.2
tF
0 4 8 12 16 20
Figure 5. Resistive Switching Performance Figure 6. Switching Times Test Circuit

MOTOROLA
BUV48
SWITCHMODE II Series BUV48A
NPN Silicon Power Transistors
15 AMPERES
The BUV48/BUV48A transistors are designed for high–voltage, high–speed, power
NPN SILICON
POWER TRANSISTORS
line–operated switchmode applications such as:
400 AND 450 VOLTS
• Switching Regulators V(BR)CEO
• Inverters 850 – 1000 VOLTS
• Solenoid and Relay Drivers V(BR)CEX
• Motor Controls 150 WATTS
60 ns Inductive Fall Time — 25_C (Typ)
120 ns Inductive Crossover Time — 25_C (Typ)
Saturation Voltage
CASE 340D–01
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–218 TYPE
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Rating Symbol BUV48 BUV48A Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO(sus) 400 450 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEX
VEB
850
7
1000 Vdc
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak (1)
IC
ICM
15
30
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Overload IOI 60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak (1) IBM 20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Derate above 25_C
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— TC = 100_C
PD 150
75
Watts
W/_C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
1
_C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case RθJC 1 _C/W
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
v
REV 7

BUV48 BUV48A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎ
(IC = 200 mA ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
mA, IB = 0) L = 25 mH BUV48
VCEO(sus)
400 — —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BUV48A 450 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCEX = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc) — — 0.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current ÎÎÎ
(VCEX = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 125_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ICER
— — 2
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCEX, RBE = 10 Ω) TC = 25_C — — 0.5
0 5
TC = 125_C — — 3
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IE = 50 mA – IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
V(BR)EBO 7 — — Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased IS/b See Figure 12
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE
(IC = 10 Adc, VCE = 5 Vdc) BUV48 8 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8 Adc, VCE = 5 Vdc) BUV48A 8 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 2 Adc) — — 1.5
(IC = 15 Adc, IB = 3 Adc) BUV48 — — 5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 2 Adc, TC = 100_C) — — 2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8 Adc, IB = 1.6 Adc) — — 1.5
(IC = 12 Adc, IB = 2.4 Adc) BUV48A — — 5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8 Adc, IB = 1.6 Adc, TC = 100_C) — — 2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 2 Adc) BUV48 — — 1.6
(IC = 10 Adc, IB = 2 Adc, TC = 100_C) — — 1.6
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8 Adc, IB = 1.6 Adc) BUV48A — — 1.6
(IC = 8 Adc, IB = 1.6 Adc, TC = 100_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— — 1.6
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Delay Time td — 0.1 0.2 µs
IC = 10 A,
A IB, = 2 A BUV48
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time IC = 8 A, IB, = 1.6 A BUV48A tr — 0.4 0.7
v
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time Duty Cycle 2%, VBE(off) = 5 V ts — 1.3 2
Tp = 30 µs,
µs VCC = 300 V
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time tsv — 1.3 — µs
IC = 10 A BUV48 (TC = 25_C)
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time tfi — 0.06 —
IB1 = 2 A
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 8 A BUV48A
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Crossover Time (TC = 100_C) tc — 0.3 0.6
IB1 = 1.6 A
v
Vcl = 300 V, VBE(off) = 5 V, Lc = 180 µH

BUV48 BUV48A
DC CHARACTERISTICS
50

10
90%
30
5
20
3
10%
7.5 A 10 A 15 A
10 IC = 5 A
7 1
5
0.5
3
0.3
2
VCE = 5 V TC = 25°C
1 0.1
1 2 3 5 8 10 20 30 50 0.1 0.3 0.5 1 2 3 4
5
βf = 5 βf = 5

3
2 90% 2
10%
1 1 TJ = 25°C
0.7 0.7 TJ = 100°C
0.5 0.5
0.3 0.3
0.2
0.1
1 2 3 5 7 10 20 30 50 0.1 0.3 1 3 10
104 10 k
VCE = 250 V Cib
103
C, CAPACITANCE (pF)
TJ = 150°C 1k
102
125°C
101 100°C REVERSE FORWARD

100 Cob
75°C
100
25°C TJ = 25°C
10–1 10
– 0.4 – 0.2 0 0.2 0.4 0.6 1 10 100 1000

BUV48 BUV48A
+10 V
22 µF TURN–ON TIME
33 D1
CONDITIONS
2N6438
2W 160 D3 1
INPUT
+10 V 1
20 MR854
220 100
MM3735 2
0 22 IB1
680 pF
Ib1 ADJUST
D1 D2 D3 D4 1N4934
2 0.1 µF Ib2 ADJUST IB1 adjusted to
PULSES 680 pF 22 dTb ADJUST obtain the forced
δ = 3% 2N3763 dT hFE desired
100 D4
PW Varied to Attain 680 pF MR854
160 TURN–OFF TIME
IC = 200 mA
33 Use inductive switching
D3 2N6339
2W 0.22 µF driver as the input to
VCC the resistive test circuit.
CIRCUIT
VALUES

Lcoil = 25 mH, VCC = 10 V Vclamp = 300 V
Rcoil = 0.05 Ω RL = 83 Ω
Rcoil = 0.7 Ω RB ADJUSTED TO ATTAIN DESIRED IB1

t1 Adjusted to
IC Obtain IC
TEST CIRCUITS
TUT Lcoil (IC ) TUT

1 Rcoil IC(pk) tf Clamped pk
1N4937 t1 ≈ RL
VCC 1
OR t
INPUT Lcoil 2
EQUIVALENT t1 tf Lcoil (IC ) VCC
SEE ABOVE FOR pk
t2 ≈
DETAILED CONDITIONS Vclamp VCC VCE VClamp
VCE or
2 RS = Test Equipment
Vclamp
0.1 Ω t Scope — Tektronix
TIME t2 475 or Equivalent
10
IC pk
VCE(pk) βf = 5
IB2(pk) , BASE CURRENT (AMPS)
8 IC = 10 A
IC tsv trv tfi tti
6
tc
VCE 10% VCE(pk) 10% 4
0
TIME 0 1 2 3 4 5 6

BUV48 BUV48A
have been defined and apply to both current and voltage For the designer, there is minimal switching loss during
waveforms since they are in phase. However, for inductive storage time and the predominant switching power losses
and hammer drivers, current and voltage waveforms are not ing the standard equation from AN–222:
in phase. Therefore, separate measurements must be made PSWT = 1/2 VCCIC(tc) f
this reason, the following new terms have been defined.
In general, trv + tfi ]
tsv = Voltage Storage Time, 90% IB1 to 10% Vclamp As is common with most switching transistors, resistive
trv = Voltage Rise Time, 10 – 90% Vclamp switching is specified at 25_C and has become a benchmark
tfi = Current Fall Time, 90 – 10% IC for designers. However, for designers of high frequency con-
tti = Current Tail, 10 – 2% IC verter circuits, the user oriented specifications which make
tc = Crossover Time, 10% Vclamp to 10% IC this a “SWITCHMODE” transistor are the inductive switching
INDUCTIVE SWITCHING
5 1
3
0.5
2 TC = 100°C
0.3
TC = 100°C
0.2 TC = 100°C
TC = 25°C
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
1 TC = 25°C
0.7 0.1
0.5 TC = 25°C
0.05
0.3
0.03 tc
0.2 0.02 tfi
βf = 5 βf = 5
0.1 0.01
1 2 3 5 7 10 20 30 50 1 2 3 5 7 10 20 30 50
3 3
2 tsv 2 TC = 25°C
IC = 10 A
1 1
βf = 5 V
tsv
0.5 0.5
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
0.3 tc 0.3
0.2 0.2
tfi tc
0.1 0.1
0.05 0.05 tfi
0.03 TC = 25°C 0.03

0.02 IC = 10 A 0.02
VBE(off) = 5 V
0.01 0.01
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Figure 11a. Turn–Off Times versus Forced Gain Figure 11b. Turn–Off Times versus Ib2/Ib1

BUV48 BUV48A
30
FORWARD BIAS
10
1 ms There are two limitations on the power handling ability of a

5
DC
0.2 TC = 25°C The data of Figure 12 is based on TC = 25_C; TJ(pk) is
LIMIT ONLY
v
0.05 FOR TURN ON
when TC 25_C. Second breakdown limitations do not der-
0.02 tr ≤ 0.7 µs
1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) perature by using the appropriate curve on Figure 14.
TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 11. At high
Figure 12. Forward Bias Safe Operating Area case temperatures, thermal limitations will reduce the power
50
REVERSE BIAS

30 conditions the collector voltage must be held to a safe level
BUV48 BUV48A
20
VBE(off) = 5 V devices is specified as Reverse Bias Safe Operating Area
10 TC = 100°C and represents the voltage current conditions during reverse
IC/IB ≥ 5 biased turn–off. This rating is verified under clamped condi-
tions so that the device is never subjected to an avalanche
0 mode. Figure 13 gives RBSOA characteristics.
0 200 400 600 800 1000
FIgure 13. Reverse Bias Safe Operating Area
100
80 SECOND BREAKDOWN
DERATING
60
THERMAL DERATING
40
20
0
0 40 80 120 160 200

BUV48 BUV48A
1

D = 0.5
0.5
0.2
0.2
0.1
P(pk)
0.05
θJC = 1°C/W MAX
0.01
READ TIME AT t1 t2
SINGLE PULSE TJ(pk) – TC = P(pk) RθJC(t) DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.02
0.01
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000 2000
t, TIME (ms)
100 OLSOA
TC = 25°C OLSOA applies when maximum collector current is limited
80 and known. A good example is a circuit where an inductor is

BUV48A
inserted between the transistor and the bus, which limits the
rate of rise of collector current to a known value. If the tran-
60
magnitude of collector current is also known.
tp = 10 µs BUV48
40 Maximum allowable collector–emitter voltage versus col-
lector current is plotted for several pulse widths. (Pulse width
20 removal of base drive.) Storage time of the transistor has
Figure 16. Rated Overload Safe Operating Area which allows precise definition of collector–emitter voltage
(OLSOA) and collector current. This is the same circuit that is used to
3 RBE = 100 Ω
IC (AMP)
RBE = 2.2 Ω 500 µF

500 V
2 RBE = 10 Ω VCC
Notes:
0 2 4 6 8 10
dV/dt (KV/µs)
Figure 17. IC = f(dV/dt) Figure 18. Overload SOA Test Circuit

MOTOROLA
BUX41
SWITCHMODE Series
NPN SILICON
POWER
• Very fast switching times: 200 VOLTS
TF max. = 0.4 µs at IC = 8 A 120 WATTS
ÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Rating Symbol Value Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO(sus)
VCBO
200
250
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage (VBE = – 2.5 V)
VEBO
VCEX
7
250
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Current — Continuous
v
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Current — Peak (pw 10 ms)
IC
ICM
15
20
Adc
Apk
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 1–07
Base–Current continuous IB 3 Adc TO–204AA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25_C PD 120 Watts (TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to 200 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ Characteristic Symbol Max Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
1.0
0.8
DERATING FACTOR
0.6
0.4
0.2
0 40 80 120 160 200

REV 7

BUX41
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mA, IB = 0, L = 25 mH)
VCEO(sus) 200 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current at Reverse Bias: ICEX mAdc
(VCE = 250 V, VBE = –1.5 V) 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 250 V, VBE = –1.5 V, TC = 125_C) 5.0
ÎÎÎÎ
(VCE = 160 V) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEO 1.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Reverse Voltage VEBO 7 V
(IE = 50 mA)
ÎÎÎÎ
(VEB = 5 V) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO 1.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with base forward biased
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 30 V, t = 1 s)
(VCE = 135 V, t = 1 s)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IS/b
4.0
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
0.15
ON CHARACTERISTICS1
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 5 A, VCE = 4 V) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hFE
15 45
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8 A. VCE = 4 V) 8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5 A, IB = 0.5 A) 1.2
(IC = 8 A, IB = 1 A) 1.6
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 8 A, IB = 1 A)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(sat) 2.0 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Gain — Bandwidth Product fT 8.0 MHz
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 15 V, IC = 1 A, f = 4 MHz)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Turn–on Time ton 0.6
(IC = 8 A,
A IB1 = IB2 = 1 A,
A
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time ts 1.5
VCC = 150 V, RC = 18.75 Ω)
Fall Time tf 0.4
1 Pulse Test: Pulse Width v 300 µs, Duty Cycle v 2%.

BUX41
1
1 10 100
2.0 50
IC/IB = 8
1.6 40
VCE = 4
V, VOLTAGE (V)
1.2 VBE 30
0.8 20
VCE
0.4 10
0 0
1 10 100 1 10
3.0 VCC
2.0
5600 µF
t, TIME ( µs)
tS
RC
1.0
IB2
0.4 VCC = 150 V

tF
0.3 IB1 RB RC = 18.5 Ω
ton RB = 6.8 Ω
0.2
IC/IB = 8
IB1 = IB2
0 4 8 12 16 20 RC – RB: Non inductive resistances


MOTOROLA
BUX48
SWITCHMODE II Series BUX48A
NPN Silicon Power Transistors
15 AMPERES
The BUX 48/BUX 48A transistors are designed for high–voltage, high–speed,
NPN SILICON
power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are particularly
POWER TRANSISTORS
suited for line–operated SWITCHMODE applications such as:
400 AND 450 VOLTS
• Switching Regulators V(BR)CEO
• Inverters 850 – 1000 VOLTS
• Solenoid and Relay Drivers V(BR)CEX
• Motor Controls 175 WATTS
120 ns Inductive Crossover Time — 25_C (Typ)
Switching Times with Inductive Loads CASE 1–07
Saturation Voltage TO–204AA
(TO–3)
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Rating Symbol BUX48 BUX48A Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO(sus) 400 450 Vdc
ÎÎÎÎÎ
Emitter Base Voltage ÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage (VBE = – 1.5 V)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEX
VEB
850
7
1000 Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
— Peak (1)
— Overload
ÎÎÎ
IC
ICM
IOI
15
30
60
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
— Peak (1)
ÎÎÎ
IB
IBM
5
20
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Derate above 25_C
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— TC = 100_C
PD 175
100
1
Watts
W/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 200 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
_C/W
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case RθJC 1
_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
v
REV 7

BUX48 BUX48A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mA, IB = 0) L = 25 mH BUX48
VCEO(sus)
400 — —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
BUX48A 450 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCEX = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— — 0.2
(VCEX = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 125_C) — — 2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCEX, RBE = 10 Ω) TC = 25_C
TC = 125_C
ICER
— — 0.5
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— — 3
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 5 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IE = 50 mA – IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
V(BR)EBO 7 — — Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 5 Vdc) BUX48 8 — —
(IC = 8 Adc, VCE = 5 Vdc) BUX48A 8 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 2 Adc) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCE(sat)
— — 1.5
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 15 Adc, IB = 3 Adc) BUX48 — — 5
(IC = 10 Adc, IB = 2 Adc, TC = 100_C) — — 2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8 Adc, IB = 1.6 Adc) — — 1.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 12 Adc, IB = 2.4 Adc) BUX48A — — 5
(IC = 8 Adc, IB = 1.6 Adc, TC = 100_C) — — 2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ BUX48
VBE(sat)
— — 1.6
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 2 Adc, TC = 100_C) — — 1.6
(IC = 8 Adc, IB = 1.6 Adc) — — 1.6
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8 Adc, IB = 1.6 Adc, TC = 100_C) BUX48A — — 1.6
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cob — — 350 pF
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SWITCHING CHARACTERISTICS Resistive Load (Table 1)
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 10 A,
A IB = 2 A BUX48
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time IC = 8 A, IB = 1.6 A BUX48A tr — 0.4 0.7
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time Duty Cycle = 2%, VBE(off) = 5 V ts — 1.3 2
Tp = 30 µs
µs, VCC = 300 V
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time IC = 10 A tsv — 1.3 —
(TC = 25_C)
IB1 = 2 A BUX48
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time tfi — 0.06 —
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 8 A
(TC = 100_C)
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
v ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Crossover Time tc — 0.3 0.6
IB1 = 1.6 A BUX48A
Vcl = 300 V, VBE(off) = 5 V, Lc = 180µH

BUX48 BUX48A
DC CHARACTERISTICS
50

10
90%
30
5
20
3 IC = 5 A 7.5 A 10 A 15 A
10%
10
7 1
5
0.5
3
2 0.3
VCE = 5 V TC = 25°C
1 0.1
1 2 3 5 8 10 20 30 50 0.1 0.3 0.5 1 2 3 4
5
βf = 5

3
90%
2 2
10%
1 1 TJ = 25°C
0.7 0.7 TJ = 100°C
0.5 0.5
0.3 0.3
0.2
0.1
1 2 3 5 7 10 20 30 50 0.1 0.3 1 3 10
104 10 k
VCE = 250 V
Cib
103
C, CAPACITANCE (pF)
TJ = 150°C 1k
102
125°C
101 100°C
Cob
100
75°C
100 REVERSE FORWARD
25°C TJ = 25°C
10–1 10
– 0.4 – 0.2 0 0.2 0.4 0.6 1 10 100 1000

BUX48 BUX48A
+10 V
22 µF TURN–ON TIME
33 D1
CONDITIONS
2N6438
2W 160 D3 1
INPUT
+10 V 1
20 MR854
220 100
MM3735 2
0 22 IB1
680 pF
Ib1 ADJUST
D1 D2 D3 D4 1N4934
2 0.1 µF Ib2 ADJUST IB1 adjusted to
PULSES 680 pF 22 dTb ADJUST obtain the forced
δ = 3% 2N3763 hFE desired
100 D4
PW Varied to Attain 680 pF MR854 TURN–OFF TIME
IC = 200 mA 160
33 Use inductive switching
D3 2N6339
2W 0.22 µF driver as the input to
VCC the resistive test circuit.
CIRCUIT
VALUES

Rcoil = 0.05 Ω RL = 83 Ω
Rcoil = 0.7 Ω RB ADJUSTED TO ATTAIN DESIRED IB1

t1 Adjusted to
IC Obtain IC
TEST CIRCUITS
TUT Lcoil (IC )

1 Rcoil TUT
IC(pk) tf Clamped pk
1N4937 t1 ≈
OR VCC 1 RL
INPUT Lcoil t
EQUIVALENT Lcoil (IC )
SEE ABOVE FOR t1 tf pk 2
VCC
Vclamp t2 ≈
DETAILED CONDITIONS VCC VCE VClamp
2 RS = VCE or Test Equipment

0.1 Ω Vclamp
Scope — Tektronix
t
10
IC pk
VCE(pk) βf = 5
IB2(pk) , BASE CURRENT (AMPS)
8 IC = 10 A
IC tsv trv tfi tti
6
tc
VCE 10% VCE(pk) 10% 4
0
TIME 0 1 2 3 4 5 6

BUX48 BUX48A
In resistive switching circuits, rise, fall, and storage times is shown in Figure 7 to aid in the visual identity of these
have been defined and apply to both current and voltage terms.
waveforms since they are in phase. However, for inductive For the designer, there is minimal switching loss during
loads which are common to SWITCHMODE power supplies storage time and the predominant switching power losses
and hammer drivers, current and voltage waveforms are not occur during the crossover interval and can be obtained
in phase. Therefore, separate measurements must be made using the standard equation from AN–222:
on each waveform to determine the total switching time. For PSWT = 1/2 VCCIC(tc)f
In general, trv + tfi ]
tsv = Voltage Storage Time, 90% IB1 to 10% Vclamp relationship may not be valid.
trv = Voltage Rise Time, 10 – 90% Vclamp As is common with most switching transistors, resistive
tfi = Current Fall Time, 90 – 10% IC switching is specified at 25_C and has become a benchmark
tti = Current Tail, 10 – 2% IC for designers. However, for designers of high frequency con-
tc = Crossover Time, 10% Vclamp to 10% IC verter circuits, the user oriented specifications which make
this a “SWITCHMODE” transistor are the inductive switching
An enlarged portion of the inductive switching waveforms speeds (tc and tsv) which are guaranteed at 100_C.
INDUCTIVE SWITCHING
5 1
3
0.5
2 TC = 100°C
0.3
TC = 100°C
0.2 TC = 100°C
TC = 25°C
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
1 TC = 25°C
0.7 0.1
0.5 TC = 25°C
0.05
0.3
0.03 tc
0.2 0.02 tfi
βf = 5 βf = 5
0.1 0.01
1 2 3 5 7 10 20 30 50 1 2 3 5 7 10 20 30 50
3 3
2 tsv 2
TC = 25°C
1 1 IC = 10 A
tsv βf = 5
0.5 0.5
t, TIME ( µs)
0.3 tc 0.3
0.2 0.2
tc
0.1 tfi 0.1
0.05 0.05 tfi
0.03 TC = 25°C 0.03

0.02 IC = 10 A 0.02
VBE(off) = 5 V
0.01 0.01
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Figure 11a. Turn–Off Times versus Forced Gain Figure 11b. Turn–Off Times versus Ib2/Ib1

BUX48 BUX48A
30 FORWARD BIAS

DC 1 ms
2
LIMIT ONLY
0.2 FOR TURN ON The data of Figure 12 is based on TC = 25_C; TJ(pk) is
TC = 25°C
0.1
tr ≤ 0.7 µs limits are valid for duty cycles to 10% but must be derated
0.05
when TC w 25_C. Second breakdown limitations do not der-
1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000 perature by using the appropriate curve on Figure 14.
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 11. At high
Figure 12. Forward Bias Safe Operating Area that can be handled to values less than the limitations im-
50 REVERSE BIAS

30 at or below a specific value of collector current. This can be
BUX48 BUX48A accomplished by several means such as active clamping,
20
10 verse biased turn–off. This rating is verified under clamped
TC = 100°C
IC/IB1 ≥ 5
conditions so that the device is never subjected to an ava-
lanche mode. Figure 13 gives RBSOA characteristics.
0
0 200 400 600 800 1000
FIgure 13. Reverse Bias Safe Operating Area
100
SECOND BREAKDOWN
80 DERATING
60
THERMAL
40 DERATING
20
0
0 40 80 120 160 200

BUX48 BUX48A
1

D = 0.5
0.5
0.2
0.2
0.1
P(pk)
0.1 0.05 θJC = 1°C/W MAX
0.05 PULSE TRAIN SHOWN t1 SINGLE
0.01 READ TIME AT t1 t2 PULSE
0.01
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000 2000
t, TIME (ms)
100 OLSOA
TC = 25°C OLSOA applies when maximum collector current is limited
80 and known. A good example is a circuit where an inductor is

BUX48A inserted between the transistor and the bus, which limits the
rate of rise of collector current to a known value. If the tran-
60
magnitude of collector current is also known.
40 tp = 10 µs BUX48 Maximum allowable collector–emitter voltage versus col-
lector current is plotted for several pulse widths. (Pulse width
20 removal of base drive.) Storage time of the transistor has
Figure 16. Rated Overload Safe Operating Area which allows precise definition of collector–emitter voltage
(OLSOA) and collector current. This is the same circuit that is used to
3 RBE = 100 Ω
500 µF
IC (AMP)
RBE = 10 Ω
500 V
2 RBE = 2.2 Ω VCC
Notes:
0 2 4 6 8 10
dV/dt (KV/µs)
Figure 17. IC = f(dV/dt) Figure 18. Overload SOA Test Circuit

MOTOROLA
BUX85
SWITCHMODE
POWER TRANSISTOR
NPN SILICON
The BUX85 is designed for high voltage, high speed power switching applications 450 VOLTS
like converters, inverters, switching regulators, motor control systems. 50 WATTS
SPECIFICATIONS FEATURES:
• VCEO(sus) 450 V
• VCES(sus) 1000 V
• Fall time = 0.3 µs (typ) at IC = 1.0 A
• VCE(sat) = 1.0 V (max) at IC = 1.0 A, IB = 0.2 A
CASE 221A–06
TO–220AB
ÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Rating Symbol BUX84 BUX85 Unit
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO(sus) 400 450 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCES
VEBO
800
5
1000 Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
— Continuous ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ IC 2
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (1) ICM 3.0
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Base Current Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Continuous IB 0.75
— Peak (1) IBM 1.0
ÎÎÎÎÎÎÎ
Reverse Base Current — Peak
ÎÎÎÎ IBM 1 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
PD 50
400
Watts
mW/_C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 150 _C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
RθJC
RθJA
2.5
62.5
_C/W
_C/W
ÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose:
ÎÎÎÎ
x
TL 275 _C
REV 7

BUX85
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, (L = 25 mH) See fig. 1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCES = Rated Value)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCES = Rated Value, TC = 125_C)
ICES
—
—
—
—
0.2
1.5
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — — 1 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.1 Adc, VCE = 5 V)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hFE 30 50 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.3 Adc, IB = 30 mAdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— — 0.8
(IC = 1 Adc, IB = 200 mAdc) — — 1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc)
ÎÎÎ
VBE(sat) — — 1.1 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product fT 4 — — MHz
(IC = 500 mAdc, VCE = 1 0 Vdc, f = 1 MHz)
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ton — 0.3 0.5 µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 250 Vdc, IC = 1 A
Storage Time IB1 = 0.2 A, IB2 = 0.4 A ts — 2 3.5 µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ S fig.
See fi 2
tf — 0.3 — µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
x ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ Same above cond. at TC = 95_C
tf — — 1.4 µs

BUX85
+6 V
L 250
HOR 250
IC
(mA)
OSCILLOSCOPE 100
MIN VCEOsust
VERT
0
+ VCEO (V)
~ 4V 100 Ω 1Ω
30 – 60 Hz
Figure 1. Test Circuit for VCEOsust
tr ≤ 30 ns
90 IBon
IB %
10
t
IBoff
WAVEFORM
ICon
90
IC %
10
0
tf t
ts
ton
+ 25 V
BD139
680 µF
250 Ω
200 Ω
T 100 µF VCC
250 V
100 Ω
T.U.T.
VIM
30 Ω
tµ
VI 100 Ω
50 Ω 680 µF
BD140
Figure 2. Switching Times/Test Circuit

MOTOROLA
NPN
D44H Series*
Transistors D45H Series*
. . . for general purpose power amplification and switching such as output or driver *Motorola Preferred Device
stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage 10 AMPERE
VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A COMPLEMENTARY
• Fast Switching Speeds SILICON
• Complementary Pairs Simplifies Designs POWER TRANSISTORS
60, 80 VOLTS
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
D44H or D45H
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol 8 10, 11 Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak (1) 20
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
@ TC = 25_C
ÎÎÎ
PD
50
Watts
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TA = 25_C 1.67
CASE 221A–06
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction TJ, Tstg – 55 to 150 _C TO–220AB
Temperature Range
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes: 1/8″ from Case for 5 Seconds TL 275 _C
v v
(1) Pulse Width 6.0 ms, Duty Cycle 50%.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25_C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ D44H10
Symbol
hFE
Min
35
Max
—
Unit
—
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
(VCE = 1.0 Vdc, IC = 2.0 Adc) D45H10
ÎÎÎÎÎÎ
D44H8,11 60 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
D44H8,11
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
(VCE = 1.0 Vdc, IC = 4.0 Adc) D44H10 20 —
D45H10
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ D44H8,11 40 —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
D45H8,11

D44H Series D45H Series
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICES — — 10 µA
(VCE = Rated VCEO, VBE = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 5.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — — 100 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 0.4 Adc)
ÎÎÎ
D44H/D45H8,11
VCE(sat)
— — 1.0
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 0.8 Adc) D44H/D45H10 — — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 0.8 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Capacitance Ccb pF
(VCB = 10 Vdc, ftest = 1.0 MHz) D44H Series — 130 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
D45H Series — 230 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Gain Bandwidth Product
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 20 MHz) D44H Series
D45H Series
fT
— 50 —
MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 40 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SWITCHING TIMES
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Delay and Rise Times td + tr ns
(IC = 5.0 Adc, IB1 = 0.5 Adc) D44H Series — 300 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, IB1 = IB2 = 0.5 Adc) D44H Series
D45H Series
ts
— 500 —
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 500 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time tf ns
(IC = 5.0 Adc, IB1 = 102 = 0.5 Adc) D44H Series — 140 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
100
50
30
20 1.0 ms
100 µs
10 10 µs
5.0
3.0
2.0 TC ≤ 70° C dc
1.0 DUTY CYCLE ≤ 50% 1.0 µs
0.5
0.3 D44H/45H8
0.2
D44H/45H10,11
0.1
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
Figure 1. Maximum Rated Forward Bias
Safe Operating Area

MOTOROLA
NPN
D44VH
Transistors D45VH
These complementary silicon power transistors are designed for high–speed
switching applications, such as switching regulators and high frequency inverters.
The devices are also well–suited for drivers for high power switching circuits. 15 AMPERE
• Fast Switching — tf = 90 ns (Max) COMPLEMENTARY
• Key Parameters Specified @ 100_C SILICON
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage — POWER TRANSISTORS
VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A 80 VOLTS
• Complementary Pairs Simplify Circuit Designs 83 WATTS
CASE 221A–06
TO–220AB
ÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
— Peak (1) ICM 20
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
PD 83 Watts
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
TJ, Tstg – 55 to 150 _C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
RθJC
RθJA
1.5
62.5
_C/W
_C/W
ÎÎÎÎÎÎÎ
v v
(1) Pulse Width ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
6.0 ms, Duty Cycle 50%.
NOTE: All polarities are shown for NPN transistors. For PNP transistors, reverse polarities.

D44VH D45VH
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 25 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = Rated VCEV, VBE(off) = 4.0 Vdc)
(VCE = Rated VCEV, VBE(off) = 4.0 Vdc, TC = 100_C)
ICEV
— — 10
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— — 100
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Base Cutoff Current IEBO — — 10
(VEB = 7.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc)
hFE
35 — —
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) 20 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 0.4 Adc) D44VH10 — — 0.4
(IC = 8.0 Adc, IB = 0.8 Adc) D45VH10 — — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 15 Adc, IB = 3.0 Adc, TC = 100_C) D44VH10 — — 0.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
D45VH10 — — 1.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 0.4 Adc) D44VH10 — — 1.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 0.8 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 0.4 Adc, TC = 100_C)
D45VH10
D44VH10
—
—
—
—
1.0
1.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8.0 Adc, IB = 0.8 Adc, TC = 100_C) D45VH10 — — 1.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Gain Bandwidth Product fT — 50 — MHz
ÎÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IC = 0, ftest = 1.0 MHz) D44VH10
Cob
— 120 —
pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
D45VH10 — 275 —
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Delay Time td — — 50 ns
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time (VCC = 20 Vdc, IC = 8.0 Adc, tr — — 250
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time IB1 = IB2 = 0.8 Adc) ts — — 700
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time tf — — 90
v v

MOTOROLA
PNP
D45C
Complementary Silicon Power
Transistor 4.0 AMPERE
. . . for general purpose driver or medium power output stages in CW or switching COMPLEMENTARY
applications. SILICON
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage — 0.5 V (Max) POWER TRANSISTORS
• High ft for Good Frequency Response 80 VOLTS
• Low Leakage Current
CASE 221A–06
TO–220AB
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCES 90 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Peak (1) 6.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TA = 25_C 1.67 W/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
TJ, Tstg – 55 to 150 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
_C/W
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
_C/W
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient RθJA 75
_C
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes: 1/8″ from Case for 5 Seconds TL 275
v v
(1) Pulse Width 6.0 ms, Duty Cycle 50%.
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25_C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 1.0 Vdc, IC = 0.2 Adc)
(VCE = 1.0 Vdc, IC = 1.0 Adc)
hFE
40 120
—
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
20 —
(VCE = 1.0 Vdc, IC = 2.0 Adc) 20 —
(REPLACES D44C)

D45C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICES — — 0.1 µA
(VCE = Rated VCES, VBE = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 5.0 Vdc)
ÎÎÎ
IEBO — — 10 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 50 mAdc)
VCE(sat) — 0.135 0.5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 100 mAdc)
VBE(sat) — 0.85 1.3 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Capacitance Ccb — 125 — pF
(VCB = 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Gain Bandwidth Product
(IC = 20 mA, VCE = 4.0 Vdc, f = 20 MHz)
fT — 40 — MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SWITCHING TIMES
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Delay and Rise Times
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB1 = 0.1 Adc)
td + tr — 50 75 ns
ÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB1 = IB2 = 0.1 Adc)
ts — 350 550 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time tf — 50 75 ns
(IC = 1.0 Adc, IB1 = IB2 = 0.1 Adc)
200 10
1.0 µs
VCE = 1.0 Vdc 5.0
10 µs
TJ = 25°C 3.0
2.0 0.1 ms
100 dc 1.0 ms
90 1.0
80
70 0.5
60 0.3
0.2 TC ≤ 70°C
50
0.1 DUTY CYCLE ≤ 50%
40
0.05
30 0.03
0.02
20 0.01
0.04 0.07 0.1 0.2 0.3 0.4 0.7 1.0 2.0 3.0 4.0 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
Figure 1. Typical DC Current Gain Figure 2. Maximum Rated Forward Bias
Safe Operating Area

MOTOROLA
MJ410
High Voltage NPN Silicon
POWER TRANSISTOR
NPN SILICON
. . . designed for medium to high voltage inverters, converters, regulators and 200 VOLTS
switching circuits. 100 WATTS
• High Collector–Emitter Voltage —
VCEO = 200 Volts
• DC Current Gain Specified @ 1.0 and 2.5 Adc
VCE(sat) = 0.8 Vdc @ IC = 1.0 Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
VEB
200
5.0
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak
IC 5.0
10
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Junction Temperature Range
TJ – 65 to + 150 _C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Storage Temperature Range
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Tstg – 65 to + 200 _C
CASE 1–07
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–204AA
Characteristic Symbol Max Unit (TO–3)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
θJC 0.75 _C/W
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) 200 — Vdc
(IC = 100 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VCE = 200 Vdc, IB = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICEO — 0.25 mAdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCB = 200 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 125_C)
ICEX — 0.5 mAdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc) 30 90
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 2.5 Adc, VCE = 5.0 Vdc) 10 —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ

MJ410
10
5.0 5.0 ms 500 µs There are two limitations on the power handling ability of a
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) 1.0 ms
2.0 TJ = 150°C down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
1.0 the transistor that must be observed for reliable operation;
i.e., the transistor must not be subjected to greater dis-
0.5 dc sipation then the curves indicate.
0.2
variable depending on conditions. Pulse curves are valid for
0.1 SECONDARY BREAKDOWN LIMITED duty cycles of 10% provided T J(pk) 150_C. At high case v
0.05 BONDING WIRE LIMITED temperatures, thermal limitations will reduce the power that
THERMAL LIMITATION AT TC = 75°C can be handled to values than the limitations imposed by
0.02 CURVES APPLY BELOW RATED VCEO second breakdown.
0.01
5.0 10 20 50 100 200 500
100 2.0
70 TJ = 150°C TJ = 25°C
VCE = 5.0 Vdc 1.6
50
V, VOLTAGE (VOLTS)
30 1.2
25°C
20
0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10
– 55°C
10 0.4
7.0 TJ = 150°C
5.0 0
0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0
Figure 2. DC Current Gain Figure 3. ‘‘On” Voltages
500
400 50 mH
300
X
200 Ω
200 VCEO(sus) IS ACCEPTABLE WHEN
TO SCOPE
VCE ≥ RATED VCEO AT IC = 100 mA Hg RELAY + +
6.0 V 50 V
100 – Y –
0
0 100 200 300 400 500 300 Ω 1.0 Ω
Figure 4. Sustaining Voltage Test Load Line Figure 5. Sustaining Voltage Test Circuit

MOTOROLA
MJ413
High-Voltage NPN Silicon MJ423
Transistors
. . . designed for medium–to–high voltage inverters, converters, regulators and 10 AMPERE
switching circuits. POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
• High Voltage — VCEX = 400 Vdc 400 VOLTS
• Gain Specified to 3.5 Amp
125 WATTS
• High Frequency Response to 2.5 MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol MJ413 MJ423 Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEX
VCB
400
400
400
400
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VEB
IC
5.0
10
5.0
10
Vdc
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Base Current IB 2.0 2.0 Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
_C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Junction Temperature Range TJ – 65 to + 150
Storage Temperature Range Tstg – 65 to + 200 _C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–204AA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic Symbol Max Unit (TO–3)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage* (1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V(BR)CEO(sus) 325 — Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 400 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) — 0.25
(VCE = 400 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 125_C) — 0.5
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IEBO — 5.0 mAdc
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain(1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
hFE —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, VCE = 5.0 Vdc) MJ413 20 80
(IC = 1.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc) 15 —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc) MJ423 30 90
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 2.5 Adc, VCE = 5.0 Vdc) 10 —
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, IB = 0.05 Adc) MJ413 — 0.8
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB – 0.10 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MJ423
VBE(sat)
— 0.8
Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0.5 Adc, IB = 0.05 Adc) MJ413 — 1.25
— 1.25
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc) MJ423
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
v
(1) PW
REV 7
v ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
300 µs Duty Cycle ÎÎÎÎ
2.0%.

MJ413 MJ423
10 125
100 µs

100
1.0 ms
TJ = 150°C
1.0 SECONDARY BREAKDOWN LIMITATION dc
THERMAL LIMITATION AT TC = 25°C
(BASE–EMITTER DISSIPATION IS
75
PERCEPTIBLE ABOVE IC ≈ 5 AMP)
The Safe Operating Area Curves indi-

cate IC – VCE limits below which the de-
vice will not enter secondary breakdown.
50
0.1 Collector load lines for specific circuits
must fall within the applicable Safe Area to
avoid causing a catastrophic failure. To in-
sure operation below the maximum TJ, 25
power temperature derating must be ob-
served for both steady state and pulse
power conditions.
0.01 0
1.0 2.0 4.0 6.0 10 20 40 60 100 200 400 1000 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) TC, CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 1. Active–Region Safe–Operating Area Figure 2. Power–Temperature Derating Curve
500
400 50 mHy
300
X
200 Ω
200 VCEO(sus) IS ACCEPTABLE WHEN
Hg RELAY TO SCOPE
VCE ≥ 325 V AT IC = 100 mA + +
6.0 V 50 V
100 – Y –
0
0 100 200 300 400 500 300 Ω 1.0 Ω
Figure 3. Sustaining Voltage Test Load Line Figure 4. Sustaining Voltage Test Circuit
100 10
70 7.0
50 5.0
VCE = 5.0 V
VCE = 10 V
30 3.0 TJ = 100° C
20 25°C 2.0
TJ = 100° C 25°C
10 1.0
7.0 0.7
5.0 0.5
3.0 0.3
2.0 0.2
1.0 0.1
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
Figure 5. Current Gain Figure 6. Transconductance

MOTOROLA
MJ802
High-Power NPN Silicon
Transistor 30 AMPERE
POWER TRANSISTOR
NPN SILICON
. . . for use as an output device in complementary audio amplifiers to 100–Watts 100 VOLTS
music power per channel. 200 WATTS
• High DC Current Gain — hFE = 25–100 @ IC = 7.5 A
• Excellent Safe Operating Area
• Complement to the PNP MJ4502
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TC = 25°C PD 200 Watts
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
Symbol
θJC
Max
0.875
Unit
_C/W
200
150
100
50
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200

REV 7

MJ802
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Breakdown Voltage(1) (IC = 200 mAdc, RBE = 100 Ohms) BVCER 100 — Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage(1) (IC = 200 mAdc) VCEO(sus) 90 — Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Base Cutoff Current ICBO mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 100 Vdc, IE = 0) — 1.0
(VCB = 100 Vdc, IE = 0, TC = 150_C) — 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Cutoff Current (VBE = 4.0 Vdc, IC = 0) IEBO — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain(1) (IC = 7.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc) hFE 25 100 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter “On” Voltage (IC = 7.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc) VBE(on) — 1.3 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 7.5 Adc, IB = 0.75 Adc) VCE(sat) — 0.8 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 7.5 Adc, IB = 0.75 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Gain — Bandwidth Product (IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz) fT 2.0 — MHz
v v
(1)Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
3.0 2.0
2.0 1.8
hFE, NORMALIZED CURRENT GAIN
TJ = 175° C
VCE = 2.0 V 1.6 TJ = 25°C
“ON” VOLTAGE (VOLTS)
25°C 1.4
1.0
1.2
0.7
– 55°C 1.0
0.5
0.3 0.6
VBE @ VCE = 2.0 V
0.2 0.4
DATA SHOWN IS OBTAINED FROM PULSE TESTS
AND ADJUSTED TO NULLIFY EFFECT OF ICBO. 0.2
0.1 0
0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30
Figure 2. DC Current Gain Figure 3. ‘‘On” Voltages
100
50 100 µs
1.0 ms
dc
10 below which the device will not enter secondary breakdown.
5.0
Collector load lines for specific circuits must fall within the
5.0 ms applicable Safe Area to avoid causing a catastrophic failure.
TJ = 200° C
2.0 To insure operation below the maximum TJ, power tempera-
ture derating must be observed for both steady state and
1.0
SECONDARY BREAKDOWN LIMITED pulse power conditions.
THERMAL LIMITATIONS TC = 25°C
0.2 PULSE DUTY CYCLE ≤ 10%
0.1
1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100

MOTOROLA
NPN
MJ1000
Medium-Power Complementary MJ1001*
Silicon Transistors *Motorola Preferred Device

10 AMPERE
tions.
DARLINGTON
• High DC Current Gain — hFE = 6000 (Typ) @ IC = 3.0 Adc POWER TRANSISTORS
• Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter Shunt Resistors COMPLEMENTARY
SILICON
60 – 80 VOLTS
90 WATTS
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
PD 90
0.515
Watts
W/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ

MJ900 MJ1000
MJ901 MJ1001
BASE BASE
≈ 4.0 k ≈ 60 ≈ 4.0 k ≈ 60
EMITTER EMITTER
REV 7

MJ1000 MJ1001
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage(1) (IC = 100 mAdc, IB = 0) MJ1000 V(BR)CEO 60 — Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Emitter Leakage Current
MJ1001
ICER
80 —
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 60 Vdc, RBE = 1.0k ohm) MJ1000 — 1.0
(VCB = 80 Vdc, RBE = 1.0k ohm) MJ1001 — 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 60 Vdc, RBE = 1.0k ohm, TC = 150_C) MJ1000 — 5.0
(VCB = 80 Vdc, RBE = 1.0k ohm, TC = 150_C) MJ1001 — 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Emitter Leakage Current (VCE = 30 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, IB = 0)
MJ1000
MJ1001
ICEO —
—
500
500
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain(1) (IC = 3.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) hFE 1000 — —
(IC = 4.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 750 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Emitter Saturation Voltage(1) (IC = 30 Adc, IB = 12 mAdc)
(IC = 8.0 Adc, IB = 40 mAdc)
VCE(sat) —
—
2.0
4.0
Vdc
v v ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(1)Pulse Test: Pulse Width ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Emitter Voltage(1) (IC = 3.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
VBE(on) — 2.5 Vdc
50,000 3000
2000
20,000 hfe , SMALL–SIGNAL CURRENT GAIN
10,000 TJ = 150°C 1000 TC = 25°C
5000
500
2000 25°C
300
1000 200 VCE = 3.0 Vdc
IC = 3.0 Adc
500
– 55°C 100
200 VCE = 3.0 V
100 50
50 30
0.01 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 103 104 105 106
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) f, FREQUENCY (Hz)
Figure 2. DC Current Gain Figure 3. Small–Signal Current Gain
3.5 10
7.0 TJ = 200°C
3.0 TJ = 25°C 5.0
2.5 3.0
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.0
2.0 SECONDARY BREAKDOWN
VBE(sat) @ IC/IB = 250 1.0 LIMITATION
1.5 0.7 THERMAL LIMITATION @ TC = 25°C
0.5 BONDING WIRE LIMITATION
1.0 VBE @ VCE = 3.0 V
0.3
MJ1000
0.5 VCE(sat) @ IC/IB = 250 0.2
MJ1001
0 0.1
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
Figure 4. “On” Voltages Figure 5. DC Safe Operating Area
There we two limitations on the power handling ability of a dissipation than the curves indicate.
transistor: average junction temperature and secondary At high case temperatures, thermal limitations will reduce
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE lim- the power that can be handled to values less than the limita-
its of the transistor that must be observed for reliable operations imposed by secondary breakdown.
tion; e.g., the transistor must not be subjected to greater

MOTOROLA
MJ2955 (See 2N3055)

MJ2955A
(See 2N3055A)
Medium-Power Complementary PNP

Silicon Transistors MJ2500
tions. MJ2501*
NPN
• High DC Current Gain — hFE = 4000 (Typ) @ IC = 5.0 Adc
• Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter Shunt Resistors MJ3000
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJ3001*
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJ2500 MJ2501
Rating Symbol MJ3000 MJ3001 Unit 10 AMPERE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DARLINGTON
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
POWER TRANSISTORS
Collector–Base Voltage VCB 60 80 Vdc COMPLEMENTARY
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎ
VEB
IC
5.0
10
Vdc
Adc
SILICON
60 – 80 VOLTS
150 WATTS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎ IB 0.2 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
@ TC = 25_C
ÎÎÎ
PD
150 Watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–204AA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(TO–3)

MJ2500 MJ3000
MJ2501 MJ3001
BASE BASE
[ 2.0 k [ 50 [ 2.0 k [ 50
EMITTER EMITTER
REV 7

MJ2500 MJ2501 MJ3000 MJ3001
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector Emitter Breakdown Voltage(1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, IB = 0)
MJ2500, MJ3000
MJ2501, MJ3001
V(BR)CEO 60
80
—
—
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Emitter Leakage Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 60 Vdc, RBE = 1.0 k ohm)
(VEB = 80 Vdc, RBE = 1.0 k ohm)
MJ2500, MJ3000
MJ2501, MJ3001
ICER
— 1.0
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 1.0
(VEB = 60 Vdc, RBE = 1.0 k ohm, TC = 150_C) MJ2500, MJ3000 — 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 80 Vdc, RBE = 1.0 k ohm, TC = 150_C) MJ2501, MJ3001 — 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Emitter Leakage Current (VCE = 30 Vdc, IB = 0) MJ2500, MJ3000 ICEO — 1.0 mAdc
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) MJ2501, MJ3001 — 1.0
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(1)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 5.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 5.0 Adc, IB = 20 mAdc)
hFE
VCE(sat)
1000
—
—
2.0
—
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 50 mAdc) — 4.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Emitter Voltage (IC = 5.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) VBE(on) — 3.0 Vdc
v v
50,000 3000
2000
20,000 hFE, SMALL–SIGNAL CURRENT GAIN
10,000 1000
TJ = 150°C
5000
500
2000 25°C
300
1000 200
500 TC = 25°C
100 VCE = 3.0 Vdc
200 – 55°C IC = 5.0 Adc
VCE = 3.0 Vdc
100 50
50 30
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 103 104 105 106
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) f, FREQUENCY (Hz)
Figure 2. DC Current Gain Figure 3. Small–Signal Current Gain
3.5 10
TJ = 25°C 7.0
3.0 5.0
3.0
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.5 SECONDARY BREAKDOWN LIMITED

1.0
1.5 0.7
0.5
1.0 VBE @ VCE = 3.0 V
0.3
0.5 VCE(sat) @ IC/IB = 250 0.2 MJ2500, MJ3000
TJ = 200°C MJ2501, MJ3001
0 0.1
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
Figure 4. “On” Voltages Figure 5. DC Safe Operating Area
There are two limitations on the power handling ability of a than the curves indicate.
transistor: junction temperature and secondary breakdown. At high case temperatures, thermal limitations will reduce
Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of the the power that can be handled to values less than the limita-
transistor that must be observed for reliable operation; e.g., tions imposed by secondary breakdown.
the transistor must not be subjected to greater dissipation

MOTOROLA
NPN
MJ3281A*
PNP
Designer's  Data Sheet MJ1302A*
Complementary NPN-PNP *Motorola Preferred Device
Silicon Power Bipolar Transistor 15 AMPERE

The MJ3281A and MJ1302A are PowerBase power transistors for high power COMPLEMENTARY
audio, disk head positioners and other linear applications. SILICON POWER
TRANSISTORS
• Designed for 100 W Audio Frequency 200 VOLTS
• Gain Complementary: 250 WATTS
— Gain Linearity from 100 mA to 7 A
— High Gain — 60 to 175
— hFE = 45 (Min) @ IC = 8 A
• Low Harmonic Distortion
• High Safe Operation Area — 1 A/100 V @ 1 sec
• High fT — 30 MHz Typical
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted)

Collector–Emitter Voltage — 1.5 V VCEX 200 Vdc
Collector Current — Peak (1) 25
Total Power Dissipation @ TC = 25°C PD 250 Watts
Derate Above 25°C 1.43 W/°C
Operating and Storage Junction Temperature Range TJ, Tstg – 65 to + 200 °C
Thermal Resistance, Junction to Case RθJC 0.7 °C/W
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 10%.

MJ3281A MJ1302A
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) 200 — — Vdc
(IC = 100 mAdc, IB = 0)
Emitter–Base Voltage VEBO 7 — — Vdc
(IE = 100 µAdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current ICBO — — 50 µAdc
(VCB = 200 Vdc, IE = 0)
Emitter Cutoff Current IEBO — — 5 µAdc
(VEB = 5 Vdc, IC = 0)
Emitter Cutoff Current IEBO — — 25 µAdc
(VEB = 7 Vdc, IC = 0)
SECOND BREAKDOWN
Second Breakdown Collector with Base Forward Biased IS/b Adc
(VCE = 50 Vdc, t = 1 s (non–repetitive) 4 — —
(VCE = 100 Vdc, t = 1 s (non–repetitive) 1 — —
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain hFE
(IC = 100 mAdc, VCE = 5 Vdc) 60 125 175
(IC = 1 Adc, VCE = 5 Vdc) 60 — 175
(IC = 3 Adc, VCE = 5 Vdc) 60 — 175
(IC = 5 Adc, VCE = 5 Vdc) 60 — 175
(IC = 7 Adc, VCE = 5 Vdc) 60 115 175
(IC = 8 Adc, VCE = 5 Vdc) 45 — —
(IC = 15 Adc, VCE = 5 Vdc) 12 35 —
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) — — 3 Vdc
Current–Gain — Bandwidth Product fT — 30 — MHz
(IC = 1 Adc, VCE = 5 Vdc, ftest = 1 MHz)
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle ≤ 2%.

MJ3281A MJ1302A
PNP MJ1302A NPN MJ3281A

f T, CURRENT GAIN BANDWIDTH PRODUCT (MHz)
f T, CURRENT GAIN BANDWIDTH PRODUCT (MHz)

100 100
VCE = 10 V VCE = 10 V
10 VCE = 5 V 10
VCE = 5 V
TJ = 25°C TJ = 25°C
ftest = 1 MHz ftest = 1 MHz
1 1
0 1 2 3 4 5 6 7 8 0 1 2 3 4 5 6 7 8
Figure 1. Current–Gain — Bandwidth Product Figure 2. Current–Gain — Bandwidth Product

1000 1000
VCE = 20 V
100 VCE = 20 V 100
VCE = 5 V
VCE = 5 V
10 10
0.1 1 10 100 0.1 1 10 100

1000 1000
VCE = 5 V VCE = 5 V
25°C 25°C
100°C 100°C
100 100
– 25°C – 25°C
10 10
0.1 1 10 100 0.1 1 10 100
Figure 5. DC Current Gain, VCE = 5 V Figure 6. DC Current Gain, VCE = 5 V

MJ3281A MJ1302A

1.8 3.2
VBE(on), BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VBE(on), BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

TJ = 25°C TJ = 25°C
2.8
1.6 2.4
1.4 1.6
1.2
1.2 0.8
0.4
1 0
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Figure 7. Typical Base–Emitter Voltage Figure 8. Typical Base–Emitter Voltage

20 20
TJ = 25°C IB = 1 A IB = 1 A 0.4 A
0.6 A 0.6 A

0.8 A 0.4 A 0.8 A
16 16
0.2 A
0.2 A
12 12
8 8
4 4
TJ = 25°C
0 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Figure 9. Typical Output Characteristics Figure 10. Typical Output Characteristics
100

transistor; average junction temperature and secondary
10 breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
limits of the transistor that must be observed for reliable op-
eration; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 11 is based on TJ(pk) = 200°C; TC is
1 variable depending on conditions. At high case tempera-
250 ms tures, thermal limitations will reduce the power than can be
1s handled to values less than the limitations imposed by se-
cond breakdown.
0.1
1 10 100 1000
Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA)

MOTOROLA
MJ4502
High-Power PNP Silicon
Transistor 30 AMPERE
POWER TRANSISTOR
PNP SILICON
. . . for use as an output device in complementary audio amplifiers to 100–Watts 100 VOLTS
music power per channel. 200 WATTS
• High DC Current Gain — hFE = 25 – 100 @ IC = 7.5 A
• Excellent Safe Operating Area
• Complement to the NPN MJ802
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
200
150
100
50
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
REV 7

MJ4502
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Breakdown Voltage(1) (IC = 200 mAdc, RBE = 100 Ohms) V(BR)CER 100 — Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage(1) (IC = 200 mAdc) VCEO(sus) 90 — Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Base Cutoff Current ICBO mAdc
(VCB = 100 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 1.0
(VCB = 100 Vdc, IE = 0, TC = 150_C) — 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Emitter–Base Cutoff Current (VBE = 4.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 1.0 mAdc
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 7.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc) hFE 25 100 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter “On” Voltage (IC = 7.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc) VBE(on) — 1.3 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 7.5 Adc, IB = 0.75 Adc) VCE(sat) — 0.8 Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 7.5 Adc, IB = 0.75 Adc) VBE(sat) — 1.3 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Gain — Bandwidth Product (IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz) fT 2.0 — MHz
v v
3.0 2.0
VCE = 2.0 V 1.8 TJ = 25°C
hFE , NORMALIZED CURRENT GAIN
2.0 TJ = 175°C
1.6
“ON” VOLTAGE (VOLTS)
25°C 1.4
1.2
0.7
– 55°C 1.0
0.5
0.8 VBE @ VCE = 2.0 V
0.3 0.6
0.2 0.4 VCE(sat) @ IC/IB = 10
DATA SHOWN IS OBTAINED FROM PULSE TESTS
AND ADJUSTED TO NULLIFY EFFECT OF ICBO. 0.2
0.1 0
0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30
Figure 2. DC Current Gain Figure 3. “On” Voltages
100
1.0 ms
50
100 µs
20 dc The Safe Operating Area Curves indicate IC – VCE limits
10 below which the device will not enter secondary breakdown.
5.0
plicable Safe Area to avoid causing a catastrophic failure. To
5.0 ms
2.0 TJ = 200°C insure operation below the maximum TJ, power–temperature
1.0 SECONDARY BREAKDOWN LIMITED power conditions.
THERMAL LIMITATIONS @ TC = 25°C
0.2 PULSE DUTY CYCLE 10% v
0.1
1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100

MOTOROLA
MJ10000
SWITCHMODE Series 20 AMPERE

NPN SILICON
POWER DARLINGTON
Transistor
TRANSISTORS
350 VOLTS
175 WATTS
The MJ10000 Darlington transistor is designed for high–voltage, high–speed,
power switching in inductive circuits where fall time is critical. It is particularly suited
for line operated switchmode applications such as:
• Inverters
• Motor Controls
CASE 1–07
TO–204AA
Reversed Biased SOA with Inductive Loads
(TO–3)
Switching Times With Inductive Loads —
210 ns Inductive Fall Time (Typ) ≈ 100 ≈ 15
Saturation Voltages
Leakage Currents
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO
VCEX
350
400
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEV
VEB
450
8
Vdc
Vdc
IC 20 Adc
ÎÎÎÎÎÎ
— Peak (1) ICM 30
ÎÎÎÎ
IB 2.5 Adc
ÎÎÎÎÎÎ
— Peak (1) IBM 5
@ TC =100_C 100
Derate above 25_C
ÎÎÎÎ
1 W/_C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 200 _C
ÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
Symbol
RθJC
Max
1
Unit
_C/W
v
REV 4

MJ10000
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Table 1) VCEO(sus) Vdc
(IC = 250 mA, IB = 0, Vclamp = Rated VCEO) MJ10000 350 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Table 1, Figure 12)
IC = 2 A, Vclamp = Rated VCEX, TC = 100_C MJ10000
VCEX(sus)
400 — —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC = 10 A, Vclamp = Rated VCEX, TC = 100_C MJ10000 275 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEV
— — 0.25
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— — 5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICER — — 5 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 8 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IS/b See Figure 11 Adc
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 5 Adc, VCE = 5 Vdc) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hFE
50 — 600
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 5 Vdc) 40 — 400
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 400 mAdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— — 1.9
(IC = 20 Adc, IB = 1 Adc) — — 3
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 400 mAdc, TC = 100_C) — — 2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 400 mAdc) — — 2.5
(IC = 10 Adc, IB = 400 mAdc, TC = 100_C) — — 2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Diode Forward Voltage (1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IF = 10 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vf — 3 5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hfe 10 — —
ÎÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cob 100 325 pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Delay Time (VCC = 250 Vdc, IC = 10 A, td — 0.12 0.2 µs
IB1 = 400 mA, VBE(off) = 5 Vdc, tp = 50 µs, µs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time tr — 0.20 0.6
Storage Time v Duty Cycle 2%) ts — 1.5 3.5 µs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time tf — 1.1 2.4 µs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎ
Crossover Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 10 A(pk), Vclamp = Rated VCEX, IB1 = 400 mA,
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(off) = 5 Vdc, TC = 100_C)
tsv
tc
—
—
3.5
1.5
5.5
3.7
µs
µs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time (IC = 10 A(pk), Vclamp = Rated VCEX, IB1 = 400 mA, tsv — 1.0 — µs
Crossover Time VBE(off) = 5 Vdc, TC = 25_C) tc — 0.7 — µs
(1) The internal Collector–to–Emitter diode can eliminate the need for an external diode to clamp inductive loads.
(1) Tests have shown that the Forward Recovery Voltage (Vf) of this diode Is comparable to that of typical fast recovery rectifiers.
(2) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle v 2%.

MJ10000
DC CHARACTERISTICS

500 3
TJ = 150°C
300 TJ = 25°C
200 2.6
25°C
100 IC = 5 A 10 A 15 A 20 A
70 2.2
50
– 55°C
30 1.8
20
1.4
10
VCE = 5 V
7
5 1
0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 0.02 0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) IB, BASE CURRENT (ANP)
2.4 2.8
VBE(on) @ VCE = 3 V
2 IC/IB = 25 2.4
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
TJ = 55°C
1.6 2
25°C
1.2 TJ = – 55°C 1.6
25°C
25°C
0.8 1.2
150°C
150°C
0.4 0.8
0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20
Figure 3. Collector Emitter Saturation Voltages Figure 4. Base-Emitter Voltage
104 1000
VCE = 250 V 700 TJ = 25°C
Cob , OUTPUT CAPACITANCE (pF)
103
500
TJ = 125°C
102 300
100°C
75°C 200
101
100 100 Cob

25°C
70
10–1 50
– 0.2 0 + 0.2 + 0.4 + 0.6 + 0.8 0.4 0.6 1 2 4 6 10 20 40 60 100 200 400
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. Collector Cutoff Region Figure 6. Output Capacitance

MJ10000
VCEO(sus) VCEX(sus) AND INDUCTIVE SWITCHING RESISTIVE SWITCHING
INDUCTIVE TEST CIRCUIT

1
20
TUT
Rcoil
CONDITIONS
0 1
1N4937
OR
INPUT
INPUT Lcoil
EQUIVALENT
2 SEE ABOVE FOR
DETAILED CONDITIONS Vclamp VCC
PW Varied to Attain 2 RS =
IC = 250 mA 0.1 Ω
Lcoil = 180 µH
CIRCUIT
VALUES
Lcoil = 10 mH, VCC = 10 V VCC = 250 V

Rcoil = 0.7 Ω Rcoil = 0.05 Ω Vclamp = Rated VCEX Value RL = 25 Ω
Vclamp = VCEO(sus) VCC = 20 V Pulse Width = 50 µs
IC tf UNCLAMPED [ t2 t1 Adjusted to
Obtain IC
TUT
TUT
TEST CIRCUITS
Rcoil Lcoil (IC )

1 IC(pk) pk RL
1N4937 t1 ≈ 1
tf CLAMPED VCC
OR Lcoil 2
INPUT t VCC
SEE ABOVE FOR pk
t1 tf t2 ≈
DETAILED CONDITIONS Vclamp VCC VClamp
VCE Test Equipment
2 RS =
0.1 Ω VCE or Scope — Tektronix
Vclamp 475 or Equivalent
t
TIME t2

IC Vclamp
90% Vclamp In resistive switching circuits, rise, fall, and storage times
trv tfi tti
have been defined and apply to both current and voltage
tsv
waveforms since they are in phase. However, for inductive
loads which are common to SWITCHMODE power supplies
tc and hammer drivers, current and voltage waveforms are not
Vclamp in phase. Therefore, separate measurements must be made
10% 10%
Vclamp IC 2% on each waveform to determine the total switching time. For
90% IB1 IC this reason, the following new terms have been defined.
IB tsv = Voltage Storage Time, 90% IB1 to 10% Vclamp
trv = Voltage Rise Time, 10 – 90% Vclamp
tfi = Current Fall Time, 90 – 10% IC
tti = Current Tail, 10 – 2% IC
TIME tc = Crossover Time, 10% Vclamp to 10% IC
An enlarged portion of the turn–off waveforms is shown in
Figure 7. Inductive Switching Measurements
Figure 7 to aid in the visual identity of these terms.

MJ10000
SWITCHING TIMES NOTE (continued) In general, trv + tfi ]
For the designer, there is minimal switching loss during As is common with most switching transistors, resistive
storage time and the predominant switching power losses switching is specified at 25_C and has become a benchmark
occur during the crossover interval and can be obtained us- for designers. However, for designers of high frequency con-
ing the standard equation from AN–222: verter circuits, the user oriented specifications which make
PSWT = 1/2 VCCIC(tc)f speeds (tc and tsv) which are guaranteed at 100_C.
3 2
2 VBE(off) = 5 V
VCC = 250 V
1 IC/IB = 25 1 ts
TJ = 25°C
0.7 0.7
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
0.5 td 0.5
tf
0.3 0.3
tr VBF(off) = 5 V
0.2 VCC = 250 V
0.2
IC/IB = 25
TJ = 25°C
0.1 0.1
1 2 3 5 7 10 20 1 2 3 5 7 10 20
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.2
(NORMALIZED)
0.1
0.1 P(pk)
0.05 ZθJC (t) = r(t) RθJC
0.07 RθJC = 1.0°C/W MAX
0.02
t1
READ TIME AT t1 t2
0.02 0.01 TJ(pk) – TC = P(pk) ZθJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0 k
t, TIME (ms)

MJ10000
FORWARD BIAS
20 100 µs

10
TC = 25°C 1 ms
3.0 the transistor that must be observed for reliable operation;
5 ms
0.5 dc The data of Figure 11 is based on TC = 25_C; T J(pk) is
0.2 BONDING WIRE LIMITED variable depending on power level. Second breakdown pulse
0.1 THERMALLY LIMITED limits are valid for duty cycles to 10% but must be derated
0.05 SECOND BREAKDOWN LIMITED when TC ≥ 25 _C. Second breakdown limitations do not
0.02 CURVES APPLY BELOW RATED VCEO derate the same as thermal limitations. Allowable current at
MJ10000
0.01 the voltages shown on Figure 11 may be found at any case
MJ10001
0.005 temperature by using the appropriate curve on Figure 13.
4.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 350 TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 10. At high
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) 400 case temperatures, thermal limitations will reduce the power
REVERSE BIAS
20
TURN OFF LOAD LINE For inductive loads, high voltage and high current must be
BOUNDARY FOR MJ10001. sustained simultaneously during turn–off, in most cases, with
16 THE LOCUS FOR MJ10000 the base to emitter junction reverse biased. Under these
IS 50 V LESS conditions the collector voltage must be held to a safe level
v 100°C
12
TJ
VBE(off) = 5 V RC snubbing, load line shaping, etc. The safe level for these
8 VBE(off) = 2 V devices is specified as V CEX(sus) at a given collector current
and represents a voltage–current condition that can be sus-
VBE(off) = 0 V
tained during reverse biased turn–off. This rating is verified
4 under clamped conditions so that the device is never sub-
jected to an avalanche mode. Figure 12 gives the complete
reverse bias safe operating area characteristics.
0
0 100 200 300 400 500
Figure 12. Reverse Bias Switching

Safe Operating Area
100
SECOND BREAKDOWN
DERATING
80
60
THERMAL DERATING
20
0
0 40 80 120 160 200

MOTOROLA
MJ10005*
SWITCHMODE Series *Motorola Preferred Device
NPN Silicon Power Darlington 20 AMPERE

NPN SILICON
Transistor with Base-Emitter POWER DARLINGTON
TRANSISTORS
Speedup Diode 400 VOLTS
175 WATTS
• Inverters
• Motor Controls
CASE 1–07
Fast Turn–Off Times TO–204AA
40 ns Inductive Fall Time — 25_C (Typ) (TO–3)
650 ns Inductive Storage Time — 25_C (Typ)
Operating Temperature Range – 65 to + 200_C ≈ 100 ≈ 15
Saturation Voltages
Leakage Currents
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (1) ICM 30
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
— Peak (1)
ÎÎÎÎ
IB
IBM
2.5
5.0
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 100_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 200 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
RθJC _C/W
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8″ from Case for 5 Seconds TL 275 _C
REV 2

MJ10005
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 250 mA, IB = 0, Vclamp = Rated VCEO)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector Emitter Sustaining Voltage (Table 1, Figure 12)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.0 A, Vclamp = Rated VCEX, TC = 100_C)
(IC = 10 A, Vclamp = Rated VCEX, TC = 100_C)
VCEX(sus)
450
325
—
—
—
—
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEV
— — 0.25
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICER — — 5.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 2.0 Vdc, IC = 0) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IS/b See Figure 11
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
(IC = 10 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
hFE
50 — 600
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
40 — 400
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 400 mAdc) — — 1.9
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 2.0 Adc) — — 3.0
(IC = 10 Adc, IB = 400 mAdc, TC = 100_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— — 2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Emitter Saturation Voltage VBE(sat) Vdc
(IC = 10 Adc, IB = 400 mAdc) — — 2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 400 mAdc, TC = 100_C) — — 2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IF = 10 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vf — 3.0 5.0 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain hfe 10 — — —
ÎÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cob 100 — 325 pF
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time (VCC = 250 Vdc, IC = 10 A, tr — 0.2 0.6 µs
Vdc tp = 50 µs,
µs
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 = 400 mA
mA, VBE(off)
BE( ff) = 5.0
5 0 Vdc,
v
Storage Time Duty Cycle 2%). ts — 0.6 1.5 µs
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
( ) Vclamp tsv — 1.0 2.5 µs
clam = Rated VCEX, IB1 = 400 mA,
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Crossover Time VBE(off) = 5.0 Vdc, TC = 100_C) tc — 0.4 1.5 µs
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
( ) Vclamp tsv — 0.65 — µs
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Crossover Time VBE(off) = 5.0 Vdc, TC = 25_C) tc — 0.2 — µs
(1) Tests have shown that the Forward Recovery Voltage (Vf) of this diode is comparable to that of typical fast recovery rectifiers.

MJ10005

500 3
TJ = 150°C
300 TJ = 25°C
200 2.6
25°C
100 IC = 5 A 10 A 15 A 20 A
70 2.2
50
– 55°C
30 1.8
20
1.4
10
VCE = 5 V
7
5 1
0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 0.02 0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2
2.4 2.8
VBE(on) @ VCE = 3 V
2 IC/IB = 10 2.4
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
TJ = – 55°C
1.6 2
25°C
1.2 TJ = – 55°C 1.6
25°C
25°C
0.8 1.2
150°C
150°C
0.4 0.8
0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20
104 1000
VCE = 250 V 700 TJ = 25°C
103
500
TJ = 125°C
102 300
100°C
75°C 200
101
REVERSE FORWARD 100 Cob

100
25°C
70
10–1 50
– 0.2 0 + 0.2 + 0.4 + 0.6 + 0.8 0.4 0.6 1 2 4 6 10 20 40 60 100 200 400
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)

MJ10005

1
20
TUT
Rcoil
CONDITIONS
0 1
1N4937
OR
INPUT
INPUT Lcoil
EQUIVALENT
2 SEE ABOVE FOR
IC = 250 mA 0.1 Ω
Lcoil = 180 µH
CIRCUIT
VALUES

Rcoil = 0.7 Ω Rcoil = 0.05 Ω Vclamp = Rated VCEX Value RL = 25 Ω
Obtain IC
TUT TUT
Rcoil
TEST CIRCUITS
1 Lcoil (IC )
1N4937 IC(pk) pk RL
t1 ≈ 1
OR tf CLAMPED VCC
INPUT Lcoil
EQUIVALENT t 2
Lcoil (IC ) VCC
SEE ABOVE FOR
pk
DETAILED CONDITIONS Vclamp VCC t1 tf t2 ≈
VClamp
2 RS = VCE Test Equipment
0.1 Ω
VCE or Scope — Tektronix
t
TIME t2

IC Vclamp
90% Vclamp 90% IC In resistive switching circuits, rise, fall, and storage times
trv tfi tti
have been defined and apply to both current and voltage wa-
tsv
veforms since they are in phase. However, for inductive
10% 10%

MJ10005
SWITCHING TIMES NOTE (continued) In general, t rv + t fi ]
t c. However, at lower test currents
this relationship may not be valid.
ing the standard equation from AN–222. verter circuits, the user oriented specifications which make
PSWT = l/2 VCC IC (tc) f speeds (tc and tsv) which are guaranteed at 100_C.
3 1
2 VCC = 250 V VBE(off) = 5 V
0.7 VCC = 250 V
IC/IB = 25
1 TJ = 25°C 0.5 IC/IB = 25
TJ = 25°C ts
0.7
0.3
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
0.5 td
0.2
0.3 tr
tf
0.2 0.1
0.07
0.1 0.05
1 2 3 5 7 10 20 1 2 3 5 7 10 20
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.2
(NORMALIZED)
0.1
0.07 0.05
0.02
PULSE TRAIN SHOWN
0.03 t1
READ TIME AT t1 t2
0.02 0.01 TJ(pk) – TC = P(pk) ZθJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0 k
t, TIME (ms)

MJ10005
specified ratings for these devices under the test conditions
shown.
FORWARD BIAS
10 µs
100 µs
20
10 the transistor that must be observed for reliable operation,
5 TC = 25°C 1 ms i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
5 ms tion than the curves indicate.
2
1
0.5 dc
0.2 BONDING WIRE LIMITED when TC ≥ 25_C. Second breakdown limitations do not der-
0.1 THERMALLY LIMITED ate the same as thermal limitations. Allowable current at the
0.02 CURVES APPLY BELOW RATED VCEO perature by using the appropriate curve on Figure 13.
0.01 MJ10005 TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 10. At high
0.005 case temperatures, thermal limitations will reduce the power
4 6 10 20 40 60 100 200 350 that can be handled to values less than the limitations im-
VCE, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE (VOLTS) 400
REVERSE BIAS
TURN OFF LOAD LINE
BOUNDARY FOR MJ10005.
16 THE LOCUS FOR MJ10004 conditions the collector voltage must be held to a safe level
IS 50 V LESS at or below a specific value of collector current. This can be
v 100°C
12 RC snubbing, load line shaping, etc. The safe level for these
TJ devices is specified as V CEX(sus) at a given collector current
VBE(off) = 5 V
8 VBE(off) = 2 V
tained during reverse biased turn–off. This rating is verified
VBE(off) = 0 V under clamped conditions so that the device is never sub-
4 jected to an avalanche mode. Figure 12 gives the complete
0
0 100 200 300 400 500
VCE, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

Safe Operating Area
100
SECOND BREAKDOWN
80 DERATING
60
THERMAL DERATING
40
20
0
0 40 80 120 160 200

MOTOROLA
MJ10007 *
Transistors with Base-Emitter

NPN SILICON
POWER DARLINGTON
Speedup Diode
TRANSISTORS
400 VOLTS
150 WATTS
• Inverters
• Motor Controls
Fast Turn–Off Times CASE 1–07
TO–204AA
30 ns Inductive Fall Time — 25_C (Typ) (TO–3)
500 ns Inductive Storage Time — 25_C (Typ)
Saturation Voltages
Leakage Currents
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (1) ICM 20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
— Peak (1) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB
IBM
2.5
5.0
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 100_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 200 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ Characteristic Symbol Max Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8″ from Case for 5 Seconds
TL 275 _C
REV 2

MJ10007
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Table 1, Figure 12)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEX(sus)
450
325
—
—
—
—
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1 5 Vdc)
ICEV
— — 0.25
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICER — — 5.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IS/b See Figure 11
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2.5 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
(IC = 5.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
hFE
40 —
—
500
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
30 300
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, IB = 250 mAdc) — — 1.9
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc) — — 2.9
(IC = 5.0 Adc, IB = 250 mAdc, TC = 100_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— — 2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, IB = 250 mAdc) — — 2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, IB = 250 mAdc, TC = 100_C) — — 2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IF = 5.0 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vf — 3.0 5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small Signal Current Gain hfe 10 — — —
ÎÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cob 60 — 275 pF
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time (VCC = 250 Vdc, IC = 5.0 A, tr — 0.25 0.6 µs
Vdc tp = 50 µs
µs,
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 = 250 mA
mA, VBE( ff) = 5.0
5 0 Vdc,
v
Storage Time
BE(off)
Duty Cycle 2.0%) ts — 0.5 1.5 µs
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time ((IC = 5.0 A(pk),
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Crossover Time VBE(off) = 5.0 Vdc, TC = 100_C) tc — 0.6 1.5 µs
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time ((IC = 5.0 A(pk),
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Crossover Time VBE(off) = 5.0 Vdc, TC = 25_C) tc — 0.3 — µs

MJ10007

300 3.4
200 TJ = 150°C
3 TJ = 25°C
100
70 25°C 2.6
IC = 0.3 A 2.5 A 5A 10 A
50
2.2
30
– 55°C 1.8
20
10 1.4
7
5 1
VCE = 5 V
3 0.6
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1 k
2.4 2.8
V CE(sat) , COLLECTOR–EMITTER SATURATION

VBE(on) @ VCE = 5 V
2 IC/IB = 10 2.4
VOLTAGE (VOLTS)
TJ = – 55°C
1.6 2
TJ = – 55°C 25°C
1.2 1.6
25°C 25°C
0.8 1.2
150°C
150°C
0.4 0.8
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
Figure 3. Collector-Emitter Saturation Voltage Figure 4. Base-Emitter Voltage
103 400
VCE = 250 V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
102
200
100°C
101 75°C
Cob
100
REVERSE FORWARD 80
100
60
25°C
10–1 40
– 0.2 0 + 0.2 + 0.4 + 0.6 + 0.8 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000

MJ10007

1
20
TUT
Rcoil
CONDITIONS
0 1
1N4937
OR
INPUT
INPUT Lcoil
EQUIVALENT
2 SEE ABOVE FOR
IC = 250 mA 0.1 Ω
Lcoil = 180 µH
CIRCUIT
VALUES

Rcoil = 0.05 Ω
Rcoil = 0.7 Ω Vclamp = Rated VCEX Value RL = 50 Ω
VCC = 20 V
Vclamp = VCEO(sus) Pulse Width = 50 µs
fo = 500 kHz
Obtain IC
TUT TUT
Rcoil
TEST CIRCUITS
1 Lcoil (IC )
1N4937 IC(pk) pk RL
OR t1 ≈ 1
INPUT Lcoil tf CLAMPED VCC
EQUIVALENT 2
SEE ABOVE FOR t Lcoil (IC ) VCC
pk
DETAILED CONDITIONS Vclamp VCC t1 tf t2 ≈
VClamp
0.1 Ω
VCE or Scope — Tektronix
t
TIME t2

IC Vclamp
90% Vclamp 90% IC In resistive switching circuits, rise, fall, and storage times
trv tfi tti
tsv
waveforms since they are in phase. However, for inductive
10% 10%

MJ10007
SWITCHING TIMES NOTE (continued) ]
In general, trv + tfi tc. However, at lower test currents this
PSWT = 1/2 VCC IC (tc) f speeds (tc and tsv) which are guaranteed at 100_C.
1 5
0.7 VCC = 250 V VBE(off) = 5 V
3
0.5 IB1 = 250 mA VCC = 250 V
2 ts IB1 = 250 mA
TJ = 25°C
0.3 TJ = 25°C
0.2 1
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
0.7
0.1 tr
0.5
0.07 tf
0.3
0.05
0.2
0.03 td
0.02 0.1
0.07
0.01 0.05
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
1.0
0.7 D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
0.1 P(pk)
0.1 RθJC = r(t) θJC
0.05 RθJC = 1.17°C/W MAX
0.07 0.02
0.02 SINGLE PULSE TJ(pk) – TC = P(pk) RθJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, TIME (ms)

MJ10007
shown.
FORWARD BIAS

10 1.0 ms

2.0 dc ms
1.0
TC = 25°C
The data of Figure 11 is based on TC = 25_C; T J(pk) is
THERMALLY LIMITED limits are valid for duty cycles to 10% but must be derated
0.2
SECOND BREAKDOWN LIMITED when TC ≥ 25_C. Second breakdown limitations do not der-
0.05
MJ10007
0.02 T J(pk) may be calculated from the data in Figure 10. At
4.0 6.0 10 20 40 60 100 200 350 high case temperatures, thermal limitations will reduce the
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) 400 power that can be handled to values less than the limitations
REVERSE BIAS
TURN OFF LOAD LINE sustained simultaneously during turn–off, in most cases, with
BOUNDARY FOR MJ10007 the base to emitter junction reverse biased. Under these
8 THE LOCUS FOR MJ10006 conditions the collector voltage must be held to a safe level
IS 50 V LESS at or below a specific value of collector current. This can be
v 100°C
6
TJ RC snubbing, load line shaping, etc. The safe level for these
VBE(off) = 5 V devices is specified as V CEX(sus) at a given collector current
4 VBE(off) = 2 V and represents a voltage–current condition that can be sus-
VBE(off) = 0 V tained during reverse biased turn–off. This rating is verified
under clamped conditions so that the device is never sub-
2
jected to an avalanche mode. Figure 12 gives the complete
0
0 100 200 300 400 500

Safe Operating Area
100
SECOND BREAKDOWN
80 DERATING
60
THERMAL DERATING
40
20
0
0 40 80 120 160 200

MOTOROLA
MJ10009*

NPN SILICON
Transistor with Base-Emitter POWER DARLINGTON
Speedup Diode
TRANSISTORS
450 and 500 VOLTS
175 WATTS
power switching in Inductive circuits where fall time is critical. It is particularly suited
• Inverters
• Motor Controls
CASE 1–07
TO–204AA
1.6 µs (max) Inductive Crossover Time – 10 A, 100_C (TO–3)
3.5 µs (max) Inductive Storage Time – 10 A, 100_C
Saturation Voltages
Leakage Currents
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (1) ICM 30
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
— Peak (1) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB
IBM
2.5
5
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 100_C 100
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 200 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_C/W
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case RθJC 1
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes: 1/8″ from Case for 5 Seconds TL 275 _C
REV 2

MJ10009
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector Emitter Sustaining Voltage (Table 1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector Emitter Sustaining Voltage (Table 1, Figure 12)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2 A, Vclamp = Rated VCEX, TC = 100_C, VBE(off) = 5 V)
(IC = 10 A, Vclamp = Rated VCEX, TC = 100_C, VBE(off) = 5 V)
VCEX(sus)
500
375
—
—
—
—
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEV
— — 0.25
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) — — 5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICER — — 5 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IS/b See Figure 11
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 5 Adc, VCE = 5 Vdc) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hFE
40 — 400
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
30 — 300
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 500 mAdc) — — 2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 2 Adc) — — 3.5
(IC = 10 Adc, IB = 500 mAdc, TC = 100_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— — 2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 500 mAdc) — — 2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 500 mAdc, TC = 100_C) — — 2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IF = 10 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vf — 3 5 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Small–Signal Current Gain hfe 8 — — —
ÎÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cob 100 — 325 pF
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc tp = 25 µs
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 = 500 mA
mA, VBE( ff) = 5 Vdc,
v
Storage Time
BE(off)
Duty Cycle 2%). ts — 0.8 2.0 µs
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
clam = 250 V, IB1 = 500 mA,
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Crossover Time VBE(off) = 5 Vdc, TC = 100_C) tc — 0.36 1.6 µs
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
clam = 250 V, IB1 = 500 mA,
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Crossover Time VBE(off) = 5 Vdc) tc — 0.18 — µs
(2) Pulse Test: PW = 300 µs, Duty Cycle ≤ 2%.

MJ10009

400 3
TJ = 150°C
200 2.6
IC = 5 A 10 A 20 A
25°C 2.2
100
1.8
60
40 1.4
TJ = 25°C
VCE = 5 V
20 1
0.2 0.5 1 2 5 10 20 0.03 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 3
2.4 2.8
VBE(on) @ VCE = 3 V
2 IC/IB = 10 2.4
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
TJ = – 55°C
1.6 2
25°C
1.2 TJ = – 55°C 1.6
25°C
25°C
0.8 1.2
150°C
150°C
0.4 0.8
0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20
Figure 3. Collector–Emitter Saturation Voltage Figure 4. Base-Emitter Voltage
104 1000
VCE = 250 V 700 TJ = 25°C
103
500
TJ = 125°C
102 300
100°C
75°C 200
101
REVERSE
FORWARD 100 Cob
100
25°C
70
10–1 50
– 0.2 0 + 0.2 + 0.4 + 0.6 + 0.8 0.4 0.6 1 2 4 6 10 20 40 60 100 200 400

MJ10009
+ V DRIVE
DRIVER SCHEMATIC 0.005 µF
10 RB 1
1
20 For inductive loads pulse width
2
is adjusted to obtain specified IC
IB1
CONDITIONS
0 2N3762 0.005
INPUT
+ 10
2 10 µF IB1 adjusted to
PG – MTP3055E
10 obtain the forced
HP214 IN hFE desired
1
PW Varied to Attain – 38 V TURN–OFF TIME
IC = 100 mA 50 2
0.05 µF Use inductive switching
2.0 µF 50 the resistive test circuit.
+ –
1000 100
CIRCUIT
VALUES
Lcoil = 10 mH, VCC = 10 V Lcoil = 180 µH MTP3055E VCC = 250 V

Rcoil = 0.7 Ω Rcoil = 0.05 Ω RL = 25 Ω
Vclamp = VCEO(sus) VCC = 20 V – Voff Pulse Width = 25 µs
Vclamp = Rated VCEX Value DRIVE
Obtain IC TUT
TEST CIRCUITS
TUT
1 Rcoil IC(pk) Lcoil (IC )
pk RL
1N4937
tf CLAMPED t1 ≈ 1
OR VCC 2
INPUT Lcoil t VCC
SEE ABOVE FOR pk
Vclamp t1 tf t2 ≈
DETAILED CONDITIONS VCC VClamp

0.1 Ω VCE or Scope — Tektronix
t
TIME t2
ICM VCEM
Vclamp
In resistive switching circuits, rise, fall, and storage times
90% VCEM 90% ICM have been defined and apply to both current and voltage wa-
IC tsv trv tfi tti veforms since they are in phase. However, for inductive
tc
and hammer drivers, current and voltage waveforms are not
VCE in phase. Therefore, separate measurements must be made
10% VCEM 10% on each waveform to determine the total switching time. For
IB 2% IC
90% IB1 ICM this reason, the following new terms have been defined.
tsv = Voltage Storage Time, 90% IB1 to 10% Vclamp

MJ10009
SWITCHING TIMES NOTE (continued) ure 7. In general, t rv + t fi ]

t c. However, at lower test cur-
rents this relationship may not be valid.
PSWT = 1/2 VCC IC (tc) f this a “SWITCHMODE” transistor are the inductive switching
Typical inductive switching waveforms are shown in Fig- speeds (tc and tsv) which are guaranteed at 100_C.
2 1.0
tP = 25 µs, DUTY CYCLE v 2% VCC = 250 V
IC/IB = 20
VBE(off) = 5 V
1 0.5
VCC = 250 V TJ = 25°C
IC/IB = 20
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
TJ = 25°C ts
0.5
v 2%
tr 0.2 tf
tP = 25 µs, DUTY CYCLE
0.2 0.1
td
0.1 0.05
1 2 5 10 20 1 2 5 10 20
Figure 8. Turn-On Time Figure 9. Turn-Off Time
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.2
(NORMALIZED)
0.1
0.1 P(pk)
ZθJC (t) = r(t) RθJC
0.07 0.05
0.02
t1
READ TIME AT t1 t2
0.02 0.01 TJ(pk) – TC = P(pk) ZθJC(t)
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1k
t, TIME (ms)

MJ10009
shown.
FORWARD BIAS
10 µs down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
20
10 100 µs
2 The data of Figure 11 is based on TC = 25_C; T J(pk) is
1 ms
1 variable depending on power level. Second breakdown pulse
0.5 dc
0.2 when TC ≥ 25_C. Second breakdown limitations do not der-
0.1 BONDING WIRE LIMIT ate the same as thermal limitations. Allowable current at the
0.05 THERMAL LIMIT @ TC = 25°C voltages shown on Figure 11 may be found at any case tem-
(SINGLE PULSE) perature by using the appropriate curve on Figure 13.
0.01 T J(pk) may be calculated from the data in Figure 10. At
MJ10009
0.005 high case temperatures, thermal limitations will reduce the
6 10 20 50 100 200 450 600 power that can be handled to values less than the limitations
500
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) imposed by second breakdown.

REVERSE BIAS
18 TC = 100°C the base to emitter junction reverse biased. Under these
IC/IB1 ≥ 20
devices is specified as V CEX(sus) at a given collector current
10
8 tained during reverse biased turn–off. This rating is verified
6 VBE(off) = 5 V under clamped conditions so that the device is never sub-
VBE(off) = 2 V jected to an avalanche mode. Figure 12 gives the complete
4
VBE(off) = 0 V reverse bias safe operating area characteristics. See Table 1
2 for circuit conditions.
0
0 100 200 300 400 500

Safe Operating Area (MJ10009)
100 10
FORWARD BIAS
SECOND BREAKDOWN
IB2(pk) , BASE CURRENT (AMP)
80
DERATING
7
60
IC = 10 A
5
THERMAL DERATING
40
20 SEE TABLE 1 FOR CONDITIONS,

2
FIGURE 7 FOR WAVESHAPE.
0 0
0 40 80 120 160 200 0 1 2 5 7 8
TC, CASE TEMPERATURE (°C) VBE(off), REVERSE BASE CURRENT (VOLTS)
Figure 13. Power Derating Figure 14. Reverse Base Current versus
VBE(off) with No External Base Resistance

MOTOROLA
MJ10012
NPN Silicon Power Darlington MJH10012
Transistor
10 AMPERE
The MJ10012 and MJH10012 are high–voltage, high–current Darlington transistors
POWER TRANSISTORS
designed for automotive ignition, switching regulator and motor control applications.
DARLINGTON NPN
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — SILICON
VCEO(sus) = 400 Vdc (Min) COLLECTOR
400 VOLTS
• 175 Watts Capability at 50 Volts 175 AND 118 WATTS
• Automotive Functional Tests
BASE
≈1k ≈ 30
EMITTER
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Rating Symbol MJ10012 MJH10012 Unit
CASE 1–07
TO–204AA
ÎÎÎ
(TO–3)
Collector–Emitter Voltage VCEO 400 Vdc MJ10012
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
(RBE = 27 Ω)
ÎÎÎ
VCER 550 Vdc
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak (1) 15
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25_C 175 118 Watts
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 100_C 100 47.5 Watts
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction TJ, Tstg – 65 to + 200 – 55 to + 150 _C
Temperature Range
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case RθJC 1.0 0.95 _C/W CASE 340D–01
TO–218 TYPE
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for TL 275 275 _C MJH10012
Soldering Purposes: 1/8″ from
ÎÎÎÎ
v ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Case for 5 Seconds
REV 2

MJ10012 MJH10012
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, IB = 0, Vclamp = Rated VCEO)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, RBE = 27 Ohms, Vclamp = Rated VCER)
VCER(sus) 425 — — Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (Rated VCER, RBE = 27 Ohms) ICER — — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current (Rated VCBO, IE = 0) ICBO — — 1.0 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VEB = 6.0 Vdc, IC = 0) IEBO — — 40 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, VCE = 6 0 Vdc) 300 550 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 6.0 Adc, VCE = 6.0 Vdc) 100 350 2000
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 6.0 Vdc) 20 150 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, IB = 0.6 Adc) — — 15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
(IC = 6.0 Adc, IB = 0.6 Adc)
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 2.0 Adc)
ÎÎÎ
—
—
—
—
2.0
2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Emitter Saturation Voltage VBE(sat) Vdc
(IC = 6.0 Adc, IB = 0.6 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— — 2.5
(IC = 10 Adc, IB = 2.0 Adc) — — 3.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Emitter On Voltage (IC = 10 Adc, VCE = 6.0 Vdc)
VBE(on) — — 2.8 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Diode Forward Voltage (IF = 10 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vf — 2.0 3.5 Vdc
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cob — 165 350 pF
ÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ( CC = 12 Vdc, IC = 6.0 Adc,
(V ts — 75 15 µs
ÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 = IB2 = 0.3 Adc) Figure 2 tf — 5.2 15 µs
FUNCTIONAL TESTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with IS/B See Figure 10 —
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Pulsed Energy Test (See Figure 12) IC2L/2 — — 180 mJ
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2%.
VCC = 20 Vdc
[
VCC 14 V
ADJUST UNTIL IC = 6 A
10 V L = 10 mH 25 µs
0V
t1 * [ 12 V 2Ω
0
[ 12 V
5 ms 100
1N4933 225 µs
220 En Eo
2N3713 Vclamp T.U.T.
51 1N3947
VCEO VCER
–4V
27 Vclamp
VCEO(sus) = 400 Vdc
VCER(sus) = 425 Vdc
* Adjust t1 such that IC reaches 200 mA at VCE = Vclamp
Figure 1. Sustaining Voltage Figure 2. Switching Times

Test Circuit Test Circuit

MJ10012 MJH10012

2000 3
TJ = 150°C TJ = 25°C
1000
2.5
700
500 25°C
300 2
200 10 A
30°C 1.5
100 IC = 0.5 A 3 6
70
50 VCE = 3 Vdc 1
VCE = 6 Vdc
30
20 0.5
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
VCE(sat), COLLECTOR–EMITTER SATURATION
2.2 2.8

IC/IB = 5 VBE(on) @ VCE = 6 V
1.8 2.4
TJ = 150°C
VOLTAGE (VOLTS)
1.4 2
25°C TJ = – 30°C
1 1.6 25°C 25°C

– 30°C
0.6 1.2 150°C
0.2 0.8
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
10 104
7 VCE = 250 V
ts
5 TJ = 150°C
103
3
tf
2
102 IC = ICES
t, TIME ( µs)
1
75°C
0.7 101
0.5 TJ = 25°C
0.3 IC/IB = 20
VCE = 12 Vdc 100 25°C
0.2
FORWARD
0.1 10–1 REVERSE
0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 – 0.2 0 + 0.2 + 0.4 + 0.6 + 0.8
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

MJ10012 MJH10012
1
0.7
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.2
0.1
0.1 P(pk)
0.07
0.01
0.03
READ TIME AT t1 t2
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 500 1,000 2,000
t, TIME (ms)

20 100 µs
10 MJ10012 down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of

MJH10012 1.0 ms i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
2
The data of Figure 10 is based on TC = 25_C, T J(pk) is
dc variable depending on power level. Second breakdown pulse
TC = 25°C
BONDING WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT (SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMIT voltages shown on Figure 10 may be found at any case tem-
0.005 T J(pk) may be calculated from the data in Figure 11. At high
5 10 20 30 50 70 100 200 300 500
10 mH
100
STANCORE
SECOND BREAKDOWN 1.5 C2688
VCC = 12 Vdc
DERATING
80 10 Vdc VZ = 400 V
0 Vdc
t1
20
THERMAL DERATING 5 ms 1N4933 0.3
60
220 T.U.T. µF
2N5881 27
20 MJH10012
MJ10012
t1 to be selected such that IC reaches 6 Adc before switch-off.

0
0 40 80 120 160 200 NOTE: “Usage Test,” Figure 12 specifies energy handling
TC, CASE TEMPERATURE (°C) capabilities in an automotive ignition circuit.
Figure 11. Power Derating Figure 12. Usage Test Circuit

MOTOROLA
MJ10015
SWITCHMODE Series MJ10016
Transistors with Base-Emitter 50 AMPERE
NPN SILICON
Speedup Diode POWER DARLINGTON
TRANSISTORS
The MJ10015 and MJ10016 Darlington transistors are designed for high–voltage, 400 AND 500 VOLTS
high–speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are 250 WATTS
particularly suited for line–operated switchmode applications such as:
• Motor Controls
• Inverters
1.0 µs (max) Inductive Crossover Time — 20 Amps
2.5 µs (max) inductive Storage Time — 20 Amps CASE 197–05
• Operating Temperature Range – 65 to + 200_C TO–204AE TYPE
• Performance Specified for ≈ 50 ≈8 (TO–3 TYPE)
Reversed Biased SOA with Inductive Load
Saturation Voltages
Leakage Currents
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (1) ICM 75
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current — Continous
— Peak (1)
ÎÎÎÎ
IB
IBM
10
15
Adc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 100_C 143
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 200 _C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
v
REV 1

MJ10015 MJ10016
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mA, IB = 0, Vclamp = Rated VCEO) MJ10015
VCEO(sus)
400 — —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJ10016 500 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEV — — 0.25 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 2.0 Vdc, IC = 0) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RBSOA See Figure 8
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ hFE —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, VCE = 5.0 Vdc) 25 — —
(IC = 40 Adc, VCE = 5.0 Vdc) 10 — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 1.0 Adc)
ÎÎÎ
VCE(sat)
— — 2.2
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 50 Adc, IB = 10 Adc) — — 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 1.0 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Diode Forward Voltage (2) Vf — 2.5 5.0 Vdc
(IF = 20 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTIC
ÎÎÎÎ
Output Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cob — — 750 pF
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 = 1.0
1 0 Adc,
Adc VBE(off) Vdc tp = 25 µs
BE( ff) = 5 Vdc,
v
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time Duty Cycle 2%). ts — 0.8 2.5 µs
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
clam = 250 V, IB1 = 1.0 A,
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Crossover Time VBE(off) = 5.0 Vdc) tc — 0.36 1.0 µs
v

MJ10015 MJ10016
100 2.4
2.0
50
IC/IB = 10
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.6
TC = 25°C
20 VCE = 5.0 V
1.2
TJ = 25°C
10
0.8
TJ = 150°C
5.0 0.4
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50
Figure 1. DC Current Gain Figure 2. Collector–Emitter Saturation Voltage
2.8 104
VCE = 250 V
103
2.4
V, VOLTAGE (VOLTS)
IC/IB = 10 TJ = 125°C
2.0 102
100°C
75°C
1.6 TJ = 25°C 101
REVERSE
1.2 TJ = 150°C 100 FORWARD
25°C
0.8 10–1
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 – 0.2 0 + 0.2 + 0.4 + 0.6 + 0.8
Figure 3. Base–Emitter Saturation Voltage Figure 4. Collector Cutoff Region
1500
C ob , OUTPUT CAPACITANCE (pF)
1000
TJ = 25°C
500
300
200
100
0.4 1.0 4.0 10 40 100 400
Figure 5. Output Capacitance

MJ10015 MJ10016
VCEO(sus) VCEX AND INDUCTIVE SWITCHING RESISTIVE SWITCHING
INDUCTIVE TEST CIRCUIT TURN–ON TIME

20 Ω
1 1
CONDITIONS
5V 2
TUT
0 1 Rcoil IB1
INPUT
1N4937
OR
INPUT Lcoil
2 EQUIVALENT
SEE ABOVE FOR IB1 adjusted to
DETAILED CONDITIONS Vclamp VCC obtain the forced
hFE desired
PW Varied to Attain RS =
2 TURN–OFF TIME
IC = 100 mA 0.1 Ω
Use inductive switching
CIRCUIT
VALUES
Lcoil = 10 mH, VCC = 10 V Lcoil = 180 µH VCC = 250 V

Rcoil = 0.7 Ω Rcoil = 0.05 Ω RL = 12.5 Ω

t1 Adjusted to
Obtain IC
TEST CIRCUITS
TUT Lcoil (IC ) TUT

pk
1 Rcoil IC(pk) tf Clamped t1 ≈
1N4937 VCC RL
1
OR t
INPUT Lcoil Lcoil (IC ) 2
EQUIVALENT t1 tf pk VCC
SEE ABOVE FOR t2 ≈
VClamp
VCE or Test Equipment
2 RS = Scope — Tektronix
Vclamp
0.1 Ω t 475 or Equivalent
TIME t2
* Adjust – V such that VBE(off) = 5 V except as required for RBSOA (Figure 8).
IC pk and hammer drivers, current and voltage waveforms are not

90% Vclamp 90% IC
IC tsv trv tfi tti
tc tfi = Current Fall Time, 90 – 10% IC
VCE 10% Vclamp 10%
IB 90% IB1 IC pk 2% IC tc = Crossover Time, 10% Vclamp to 10% IC
For the designer, there is minimal switching loss during
storage time and the predominant switching power losses
occur during the crossover interval and can be obtained us-
ing the standard equation from AN–222:
TIME PSWT = 1/2 VCC IC (tc) f
Figure 6. Inductive Switching Measurements In general, t rv + t fi ^
t c. However, at lower test currents
this relationship may not be valid.
As is common with most switching transistors, resistive
switching is specified and has become a benchmark for de-
In resistive switching circuits, rise, fall, and storage times signers. However, for designers of high frequency converter
have been defined and apply to both current and voltage circuits, the user oriented specifications which make this a
waveforms since they are in phase. However, for inductive “SWITCHMODE” transistor are the inductive switching
loads which are common to SWITCHMODE power supplies speeds (tc and tsv) which are guaranteed.

MJ10015 MJ10016
shown. FORWARD BIAS
50 There are two Iimitations on the power handling ability of a
20 10 µs transistor: average junction temperature and second break-

dc MJ10015 i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
2.0
1.0 MJ10016 tion than the curves indicate.
0.5 The data of Figure 7 is based on TC = 25_C; T J(pk) is
TC = 25°C
0.2
0.1
BONDING WIRE LIMIT when TC ≥ 25_C. Second breakdown limitations do not der-
0.05
THERMAL LIMIT (SINGLE PULSE) ate the same as thermal limitations. Allowable current at the
0.02 SECOND BREAKDOWN LIMIT voltages shown on Figure 7 may be found at any case tem-
0.005
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000 REVERSE BIAS
Figure 7. Forward Bias Safe Operating Area sustained simultaneously during turn–off, in most cases, with
50
40 TURN–OFF LOAD LINE devices is specified as Reverse Bias Safe Operating Area
BOUNDARY FOR MJ10016 and represents the voltage–current condition allowable dur-
THE LOCUS FOR MJ10015 ing reverse biased turn–off. This rating is verified under
30 IS 100 V LESS clamped conditions so that the device is never subjected to
an avalanche mode. Figure 8 gives the complete RBSOA
characteristics.
20 IC
IB1
u 10
10 VBE(off) = 5.0 V
TC = 25°C
0
0 100 200 300 400 500
Figure 8. Reverse Bias Switching Safe
Operating Area
100 10
FORWARD BIAS 9
SECOND BREAKDOWN
IB2(pk) , BASE CURRENT (AMP)
80 8
DERATING
7
60 6
5 IC = 20 A
THERMAL
40 DERATING 4
3
20 2
SEE TABLE 1 FOR CONDITIONS,
1 FIGURE 6 FOR WAVESHAPE.
0 0
0 40 80 120 160 200 0 1 2 3 4 5 6 7 8
TC, CASE TEMPERATURE (°C) VBE(off), REVERSE BASE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Power Derating Figure 10. Typical Reverse Base Current

versus VBE(off) With No External Base
Resistance

MOTOROLA
MJ10020
 Data Sheet
Designer's
MJ10021
SWITCHMODE Series
NPN SILICON
Transistors with Base-Emitter POWER DARLINGTON
TRANSISTORS
Speedup Diode 200 AND 250 VOLTS
250 WATTS
The MJ10020 and MJ10021 Darlington transistors are designed for high–voltage,
high–speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are
particularly suited for line operated switchmode applications such as:
• Inverters
150 ns Inductive Fall Time at 25_C (Typ) CASE 197A–05
750 ns Inductive Storage Time at 25_C (Typ) TO–204AE (TO–3)
≈ 100 ≈ 15
Saturation Voltages
Leakage Currents
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (1) ICM 100
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (1) IBM 30
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Derate above 25_C
ÎÎÎÎ
@ TC = 100_C
PD 250
143
Watts
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.43 W/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ

MJ10020 MJ10021
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 100 mA, IB = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJ10020
MJ10021
VCEO(sus) 200
250
—
—
—
—
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEV
—
—
—
—
0.25
5.0
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 2.0 V, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE 75 — 1000 —
(IC = 15 Adc, VCE = 5.0 V)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 30 Adc, IB = 1.2 Adc)
ÎÎÎ
VCE(sat)
— — 2.2
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 60 Adc, IB = 4.0 Adc) — — 4.0
(IC = 30 Adc, IB = 1.2 Adc, TC = 100_C) — — 2.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 30 Adc, IB = 1.2 Adc)
ÎÎÎ
VBE(sat)
— — 3.0
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 30 Adc, IB = 1.2 Adc, TC = 100_C) — — 3.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Diode Forward Voltage Vf — 2.5 5.0 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IF = 30 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance Cob 175 — 700 pF
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Delay Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ td — 0.02 0.2 µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ µs
Rise Time (VCC = 175 Vdc, IC = 30 A, tr — 0.30 1.0
V, tp = 25 µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 = Adc
Adc, VBE(off)
BE( ff) = 5 0V
5.0
v
Storage Time Duty Cycle 2.0%). ts — 1.0 3.5 µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tf — 0.07 0.5 µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICM = 30 A(pk),
( ) VCEM = 200 V, IB1 = 1.2 A, tsv — 1.2 3.5 µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Crossover Time VBE(off) = 5 V, TC = 100°C) tc — 0.45 2.0 µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎÎÎ
Crossover Time ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(ICM = 30 A(pk),
A( k) VCEM = 200 V,V IB1 = 1.2
VBE(off) = 5 V, TC = 25
25°C)
C)
1 2 A,
A
tsv
tc
—
—
0.75
0.25
—
—
µs
µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
v ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tfi — 0.15 — µs

MJ10020 MJ10021

1000 5.0
700 TJ = 100°C 4.5 TJ = 25°C
500
4.0
TJ = 25°C 3.5
200
3.0 = 60 A
100 2.5
70 2.0 = 30 A
50
1.5 = 10 A
30 VCE = 5.0 V 1.0
20
0.5 IC = 1.0 A
10
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10
3.0
3.0

2.7 2.7
2.4 IC/IB = 25 2.4 IC/IB = 25
2.1 2.1
1.8 1.8 TJ = 25°C
1.5 1.5
1.2 TJ = 25°C 1.2 TJ = 100°C
0.9 TJ = 100°C 0.9
0.6 0.6
0.3 0.3
0.1 0.2 0.4 6.0 8.0 10 20 40 60 80 100 0.1 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
104 1000
VCE = 250 V
700
103
C, CAPACITANCE (pF)
500
TJ = 125°C TJ = 25°C
102
100°C
300
75°C
101
200
100
25°C
10 –1 100
– 0.2 0 + 0.2 + 0.4 + 0.6 + 0.8 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300

MJ10020 MJ10021
20 Ω INDUCTIVE TEST CIRCUIT TURN–ON TIME

1 1
5V 2
0 TUT
CONDITIONS
1 Rcoil IB1
1N4937
INPUT
2 OR Lcoil
INPUT IB1 adjusted to
EQUIVALENT
SEE ABOVE FOR obtain the forced
DETAILED CONDITIONS Vclamp VCC hFE desired
PW Varied to Attain
TURN–OFF TIME
IC = 100 mA 2 RS =
0.1 Ω Use inductive switching
CIRCUIT
VALUES

OUTPUT WAVEFORMS RESISTIVE TEST CIRCUIT

t1 Adjusted to
Obtain IC
TEST CIRCUITS
ICM tf Clamped Lcoil (ICM) TUT

t1 ≈ RL
t VCC 1
t1 tf 2
Lcoil (ICM) VCC
t2 ≈
VClamp
VCEM Vclamp Test Equipment
t Scope — Tektronix
* Adjust – V such that VBE(off) = 5 V except as required for RBSOA (Figure 14).
10
ICM VCEM Vclamp 9.0
90% VCEM 90% ICM 8.0
IC tsv trv tfi tti 7.0
tc 6.0
5.0
VCE 10% VCEM 10% 4.0 IC = 30 A
IB 90% IB1 ICM 2% IC IB1 = 1.2 A
3.0 VCLAMP = 200 V
2.0 TJ = 25°C
1.0
0
TIME 0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0
Figure 7. Inductive Switching Measurements Figure 8. Typical Peak Reverse Base Current
3.2 2.4
ICM = 30 A
2.8 2.1
IC/IB = 25
t sv, VOLTAGE STORAGE TIME ( µ s)
t c , CROSSOVER TIME ( µ s)
2.4 1.8
2.0 1.5
tsv @ 100°C
1.6 1.2
1.2 0.9
tsv @ 25°C
0.8 0.6
tc @ 100°C
0.4 0.3
tc @ 25°C
0
0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0
Figure 9. Typical Inductive Switching Times

MJ10020 MJ10021
and hammer drivers, current and voltage waveforms are not ing the standard equation from AN–222A:
in phase. Therefore, separate measurements must be made PSWT = 1/2 VCC IC (tc) f
In general, t rv + t fi ^
t c. However, at lower test currents this
tsv = Voltage Storage Time, 90% IB1 to 10% VCEM As is common with most switching transistors, resistive
trv = Voltage Rise Time, 10 – 90% VCEM switching is specified at 25°C and has become a benchmark
tfi = Current Fall Time, 90 – 10% ICM for designers. However, for designers of high frequency con-
tti = Current Tail, 10 – 2% ICM verter circuits, the user oriented specifications which make
tc = Crossover Time, 10% VCEM to 10% ICM this a “SWITCHMODE” transistor are the inductive switching
RESISTIVE SWITCHING
10 2.0
7.0 VCC = 175 V
5.0 VCC = 175 V
IC/IB = 25 1.0 IC/IB = 25
3.0
2.0 TJ = 25°C 0.7 VBE(off) = 5 V
TJ = 25°C ts
1.0 0.5
0.7
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
0.5 0.3
0.3 0.2
0.2 tr
0.1 0.1 tf
0.07 0.07
0.05 td
0.03 0.05
0.02 0.03
0.01 0.02
0.6 0.8 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 40 60 0.6 0.81.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 40 60
Figure 10. Typical Turn–On Switching Times Figure 11. Typical Turn–Off Switching Times
1.0
0.1 SINGLE PULSE RθJC(t) = RθJC P(pk)

RθJC(t) = 0.7°C/W MAX
DETERMINE t2 FOR POWER
PULSE AND READ r(t)
TJ(pk) = TC + P(pk) RθJC(t) t1
0.01
0.1 1.0 10 100 1000 10000
t, TIME (ms)

MJ10020 MJ10021
The Safe Operating Area figures shown in Figures 13 and are SAFE OPERATING AREA INFORMATION
FORWARD BIAS
100
10
1 ms
dc tion than the curves indicate.
TC = 25°C
BONDING WIRE LIMIT ate the same as thermal limitations. Allowable current at the
THERMAL LIMIT (SINGLE PULSE) voltages shown on Figure 13 may be found at any case tem-
1.0 2.0 5.0 10 20 200 300 50 100 T J(pk) may be calculated from the data in Figure 12. At
250 high case temperatures, thermal limitations will reduce the
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) power that can be handled to values less than the limitations
Figure 13. Maximum Forward Bias Safe imposed by second breakdown.
Operating Area
REVERSE BIAS
For Inductive loads, high voltage and high current must be
90 IC/IB ≥ 25 the base to emitter junction reverse biased. Under these

80 25°C ≤ TJ ≤ 100°C conditions the collector voltage must be held to a safe level
50 devices is specified as Reverse Bias Safe Operating Area
and represents the voltage–current condition allowable dur-
40 VBE(off) = 5 V
ing reverse biased turn–off. This rating is verified under
30 TURN–OFF LOAD LINE VBE(off) = 2 V clamped conditions so that the device is never subjected to
BOUNDARY FOR MJ10021 an avalanche mode. Figure 14 gives the RBSOA character-
20 THE LOCUS FOR MJ10020
IS 50 V LESS
VBE(off) = 0 V istics.
10
0
0 50 100 150 200 250 300
VCEM, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 14. Maximum RBSOA, Reverse Bias
Safe Operating Area
100
SECOND BREAKDOWN
80 DERATING
60
THERMAL
40 DERATING
20
0
0 40 80 120 160 200

MOTOROLA
MJ10022
 Data Sheet
Designer's
MJ10023
SWITCHMODE Series
NPN SILICON
Transistors with Base-Emitter POWER DARLINGTON
TRANSISTORS
Speedup Diode 350 AND 400 VOLTS
250 WATTS
The MJ10022 and MJ10023 Darlington transistors are designed for high–voltage,
high–speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are
particularly suited for line–operated switchmode applications such as:
• Inverters
150 ns Inductive Fall Time @ 25_C (Typ) CASE 197A–05
300 ns Inductive Storage Time @ 25_C (Typ) TO–204AE (TO–3)
≈ 100 ≈ 15
Saturation Voltages
Leakage Currents
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (1) ICM 80
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (1) IBM 40
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Derate above 25_C
ÎÎÎÎ
@ TC = 100_C
PD 250
143
Watts
W/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.43
_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ

MJ10022 MJ10023
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 100 mA, IB = 0) ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MJ10022
MJ10023
VCEO(sus) 350
400
—
—
—
—
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICEV
—
—
—
—
0.25
5.0
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 2.0 V, IC = O)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 5.0 V)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 1.0 Adc)
ÎÎÎÎ
VCE(sat)
— — 2.2
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 40 Adc, IB = 5.0 Adc) — — 5.0
(IC = 20 Adc, IB = 10 Adc, TC = 100_C) — — 2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 1.2 Adc)
VBE(sat)
— — 2.5
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 1.2 Adc, TC = 100_C) — — 2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Diode Forward Voltage Vf — 2.5 5.0 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IF = 20 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Delay Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ td — 0.03 0.2 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ µs
Rise Time (VCC = 250 Vdc, IC = 20 A, IB1 = 1.0 Adc, tr — 0.4 1.2
V, tp = 50 µs
µs,
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BE( ff) = 5
VBE(off) 0V
5.0
v
Storage Time Duty Cycle 2.0%) ts — 0.9 2.5 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
tf — 0.3 0.9 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ tsv — 1.9 4.4 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(ICM = 20 A,
A VCEM = 250 V, V IB1 = 1.0
1 0 A,
A
Crossover Time tc — 0.6 2.0 µs
VBE(off) = 5 V, TC = 100_C)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
Storage Time ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
tfi
tsv
—
—
0.3
1.0
—
—
µs
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(ICM = 20 A,
A VCEM = 250 V, V IB1 = 1.0
1 0 A,
A
Crossover Time tc — 0.3 — µs
VBE(off) = 5 V, TC = 25_C)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
v ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
tfi — 0.15 — µs

MJ10022 MJ10023

300 5.0
TJ = 100°C 4.5 TJ = 100°C
200 4.0
3.5
TJ = 25°C 3.0 IC = 40 A
100 2.5
2.0 IC = 20 A
1.5
50 1.0 IC = 10 A
0.5
VCE = 5 V
30
0.4 1.0 2.0 5.0 10 20 40 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) IB, BASE CURRENT (AMP)
3.0
3.0
2.7 IC/IB = 10 2.7 IC/IB = 10
2.4 VBE(sat), BASE–EMITTER 2.4
2.1 2.1
1.8 1.8
VBE @ 25°C
1.5 1.5
1.2 1.2 VBE @ 100°C
VCE @ 25°C 0.9
0.9
0.6 0.6
VCE @ 100°C
0.3 0.3
0.4 1.0 2.0 5.0 10 20 40 0.4 1.0 2.0 5.0 10 20 40

Figure 3. Collector–Emitter Saturation Voltage Figure 4. Base–Emitter Saturation Voltage
104 400
VCE = 250 V
103
C, CAPACITANCE (pF)
200
TJ = 125°C
102
100°C
75°C
101 100
100
25°C
50
10 –1 40
– 0.2 0 + 0.2 + 0.4 + 0.6 + 0.8 4.5 10 20 50 100 200 400
Figure 5. Collector Cutoff Region Figure 6. Cob, Output Capacitance

MJ10022 MJ10023
INDUCTIVE TEST CIRCUIT TURN–ON TIME

20 Ω
1 1
CONDITIONS
5V 2
TUT IB1
0 Rcoil
INPUT
1
1N4937
OR
2 INPUT Lcoil
EQUIVALENT IB1 adjusted to
SEE ABOVE FOR
Vclamp obtain the forced
DETAILED CONDITIONS VCC hFE desired
PW Varied to Attain
2 RS = TURN–OFF TIME
IC = 100 mA
0.1 Ω
Use inductive switching
CIRCUIT
VALUES

OUTPUT WAVEFORMS RESISTIVE TEST CIRCUIT

t1 Adjusted to
Obtain IC
TEST CIRCUITS
ICM tf Clamped TUT
t t1 [ Lcoil (ICM)
VCC
1 RL
t1 tf 2
VCC
t2 [ Lcoil (ICM)
Vclamp
VCEM Vclamp
Test Equipment
t
TIME t2 Scope — Tektronix
475 or Equivalent
10
ICM VCEM Vclamp 9.0
90% VCEM 90% ICM 8.0
IC tsv trv tfi tti 7.0
tc 6.0
5.0
VCE 10% VCEM 10% 4.0 IC = 20 A
IB 90% IB1 ICM 2% IC IB1 = 1 A
3.0
Vclamp = 250 V
2.0 TJ = 25°C
1.0
TIME 0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0

Figure 7. Inductive Switching Measurements Figure 8. Typical Peak Reverse Base Current
2.0
1.75 tsv @ 100°C ICM = 20 A

IB1 = 1 A
1.5 VCEM = 250 V
1.25
t, TIME ( µs)
tc @ 100°C
1.0
0.75 tsv @ 25°C
0.5
tc @ 25°C
0.25
0
0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0
Figure 9. Typical Inductive Switching Times

MJ10022 MJ10023
In resistive switching circuits, rise, fall, and storage times shown in Figure 7 to aid on the visual identity of these terms.
and hammer drivers, current and voltage waveforms are not ing the standard equation from AN–222A:
in phase. Therefore, separate measurements must be made PSWT = 1/2 VCCIC(tc)f
In general, t rv + t fi `
t c . However, at lower test currents this
tsv = Voltage Storage Time, 90% IB1 to 10% VCEM As is common with most switching transistors, resistive
trv = Voltage Rise Time, 10 – 90% VCEM switching is specified at 25_C and has become a benchmark
tfi = Current Fall Time, 90 – 10% ICM for designers. However, for designers of high frequency con-
tti = Current Tail, 10 – 2% ICM verter circuits, the user orinented specifications which make
tc = Crossover Time, 10% VCEM to 10% ICM this a “SWITCHMODE” transistor are the inductive switching
An enlarged portion of the inductive switching waveform is speeds (tc and tsv) which are guaranteed at 100_C.
RESISTIVE SWITCHING
2.0 2.0
VCC = 250 V VCC = 250 V
1.0 IC/IB1 = 20 1.0 IC/IB1 = 20
ts
TJ = 25°C VBE(off) = 5 V
0.5 0.5
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
tf
0.2 0.2
tr
0.1 0.1
0.05
0.05
td 0.02
0.02
0.4 1.0 2.0 5.0 10 20 40 0.4 1.0 2.0 5.0 10 20 40
Figure 10. Typical Turn–On Switching Times Figure 11. Typical Turn–Off Switching Times
1.0
D = 0.5
0.5
0.2
0.2
0.1 P(pk)
SINGLE PULSE READ TIME AT t1 t2
0.01
0.1 1.0 10 100 1000 10000
t, TIME (ms)

MJ10022 MJ10023
FORWARD BIAS
100
50 10 µs
20 (TURN–ON SWITCHING)
10
dc
BONDING WIRE LTD
THERMAL LTD
0.1 SECOND BREAKDOWN LTD when TC ≥ 25°C. Second breakdown limitations do not der-
TC = 25°C MJ10022 voltages shown on Figure 13 may be found at any case tem-
0.02 MJ10023 perature by using the appropriate curve on Figure 15.
0.01
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 400 T J(pk) may be calculated from the data in Figure 12. At
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) high case temperatures, thermal limitations will reduce the
Figure 13. Maximum Forward Bias Safe imposed by second breakdown.
Operating Area
REVERSE BIAS

IC/IB ≥ 20
80 conditions the collector voltage must be held to a safe level
25°C ≤ TJ ≤ 100°C
60 TURN–OFF LOAD LINE RC snubbing, load line shaping, etc. The safe level for these
FOR MJ10023
THE LOCUS FOR
40 MJ10022 IS 50 V LESS and represents the voltage–current condition allowable dur-
30
20 an avalanche mode. Figure 14 gives the RBSOA character-
10 2 V ≤ VBE(off) ≤ 8 V istics.
RBE = 24 Ω
0
0 100 200 300 400 500 600 700
VCEM, PEAK COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 14. Maximum RBSOA, Reverse Bias
Safe Operating Area
100
SECOND BREAKDOWN
80 DERATING
60
40
THERMAL
DERATING
20
0
0 40 80 120 160 200

MOTOROLA
PNP
MJ11013
High-Current Complementary
Silicon Transistors MJ11015
NPN
. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applica- MJ11012
tions.
• High DC Current Gain — hFE = 1000 (Min) @ IC – 20 Adc MJ11014
• Monolithic Construction with Built–in Base Emitter Shunt Resistor
• Junction Temperature to + 200_C
MJ11016*
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ MJ11013 MJ11015
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol MJ11012 MJ11014 MJ11016 Unit
30 AMPERE
DARLINGTON
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEO 60 90 120 Vdc POWER TRANSISTORS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCB 60 90 120 Vdc COMPLEMENTARY
SILICON
ÎÎÎ
ÎÎÎ
60 – 120 VOLTS
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current IC 30 Adc 200 WATTS
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Device Dissipation @TC = 25_C PD 200 Watts
Derate above 25_C @ TC = 100_C 1.15 W/_C
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg – 55 to + 200 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
_C/W CASE 1–07
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–204AA
_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for TL 275
v
(TO–3)
Soldering Purposes for 10 Seconds.

MJ11013 MJ11012
MJ11015 MJ11014
MJ11016
BASE BASE
≈ 8.0 k ≈ 40 ≈ 8.0 k ≈ 40
EMITTER EMITTER
REV 1

MJ11013 MJ11015 MJ11012 MJ11014 MJ11016
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted.)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
Characteristics Symbol Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJ11012
V(BR)CEO
60 —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJ11013, MJ11014 90 —
MJ11015, MJ11016 120 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, RBE = 1k ohm)
MJ11012
MJ11013, MJ11014
ICER
—
—
1
1
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, RBE = 1k ohm, TC = 150_C)
MJ11015, MJ11016
MJ11012
MJ11013, MJ11014
—
—
—
1
5
5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJ11015, MJ11016
IEBO
—
—
5
5 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE = 5 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Leakage Current ICEO — 1 mAdc
(VCE = 50 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
(IC = 20 Adc,VCE = 5 Vdc)
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
1000
200
—
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 200 mAdc) — 3
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 30 Adc, IB = 300 mAdc) — 4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 20 A, IB = 200 mAdc) — 3.5
(IC = 30 A, IB = 300 mAdc) — 5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
v
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Current–Gain Bandwidth Product
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 A, VCE = 3 Vdc, f = 1 MHz)
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
hfe 4 — MHz

MJ11013 MJ11015 MJ11012 MJ11014 MJ11016
hFE , SMALL–SIGNAL CURRENT GAIN (NORMALIZED

30 k 2
20 k PNP MJ11013, MJ11015
1
NPN MJ11012, MJ11014, MJ11016
0.5
10 k
7k 0.2
5k 0.1
3k 0.05
2k PNP MJ11013, MJ11015
0.02
NPN MJ11012, MJ11014, MJ11016
0.01
700 VCE = 3 Vdc
VCE = 5 Vdc 0.005
500 IC = 10 mAdc
TJ = 25°C
TJ = 25°C
300
0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 30 10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1.0 k
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) f, FREQUENCY (kHz)
Figure 2. DC Current Gain (1) Figure 3. Small–Signal Current Gain
5 50
PNP MJ11013, MJ11015 20

NPN MJ11012, MJ11014, MJ11016 10
4
5
V, VOLTAGE (VOLTS)
TJ = 25°C
2
3 IC/IB = 100
1
0.5
2 0.2
VBE(sat) BONDING WIRE LIMITATION
0.05 SECOND BREAKDOWN LIMITATION
1 VCE(sat)
0.02 MJ11012
0.01 MJ11013, MJ11014
MJ11015, MJ11016
0
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 2 3 5 7 10 20 30 50 70 100 200
Figure 4. “On” Voltages (1) Figure 5. Active Region DC Safe Operating Area
There are two limitations on the power handling ability of a dissipation than the curves indicate.
transistor average junction temperature and secondary At high case temperatures, thermal limitations will reduce
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE lim- the power that can be handled to values less than the limita-
its of the transistor that must be observed for reliable operations imposed by secondary breakdown.
tions e.g., the transistor must not be subjected to greater

MOTOROLA
PNP
MJ11017
Complementary Darlington
Silicon Power Transistors MJ11021*
NPN
. . . designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and
motor control applications.
MJ11018*
• High dc Current Gain @ 10 Adc — hFE = 400 Min (All Types)
• Collector–Emitter Sustaining Voltage MJ11022
VCEO(sus) = 150 Vdc (Min) – MJ11018, 17
VCEO(sus) = 250 Vdc (Min) – MJ11022, 21
• Low Collector–Emitter Saturation *Motorola Preferred Device
VCE(sat) = 1.0 V (Typ) @ IC = 5.0 A

30 AMPERE
VCE(sat) = 1.8 V (Typ) @ IC = 10 A
DARLINGTON
• Monolithic Construction
POWER TRANSISTORS
• 100% SOA Tested @ VCE = 44 V, IC = 4.0 A, t = 250 ms.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
COMPLEMENTARY
SILICON
MAXIMUM RATINGS
60 – 120 VOLTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MJ11018 MJ11022 200 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current —
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Continuous Peak
ÎÎÎÎ
IC 15
30
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Derate Above 25_C W/_C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.16
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Temperature Range – 65 to + 200 CASE 1–07
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–204AA
THERMAL CHARACTERISTICS (TO–3)
ÎÎÎÎÎÎ
vÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(1) Pulse Test: Pulse Width 5.0 ms, Duty Cycle 10%.
Symbol
RθJC
Max
0.86
Unit
_C/W
200
150
100
50
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200

MJ11017 MJ11021 MJ11018 MJ11022
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
Symbol Min Max Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 0. 1 Adc, IB = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MJ11017, MJ11018
MJ11021, MJ11022
VCEO(sus)
150
250
—
—
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(VCE = 75, IB = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MJ11017, MJ11018
ICEO
— 1.0
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 125, IB = 0) MJ11021, MJ11022 — 1.0
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = Rated VCB, VBE(off) = 1.5 Vdc) — 0.5
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = Rated VCB, VBE(off) = 1.5 Vdc, TJ = 150_C) — 5.0
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 5.0 Vdc) 400 15,000
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 15 Adc, VCE = 5.0 Vdc) 100 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 100 mA) — 2.0
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 15 Adc, IB = 150 mA) — 3.4
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC = 10 A, VCE = 5.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 15 Adc, IB = 150 mA)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current–Gain Bandwidth Product [hfe] 3.0 — Mhz
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) Cob pF
MJ11018, MJ11022 — 400
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MJ11017, MJ11021 — 600
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic Symbol NPN
Typical
PNP Unit
ÎÎÎÎÎÎÎ
Delay Time
ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
Rise Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
((VCC = 100 V, IC = 10 A, IB = 100 mA
td
tr
150
1.2
75
0.5
ns
µs
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Storage Time VBE(off) = 50 V) (See Figure 2.) ts 4.4 2.7 µs
Fall Time tf 10.0 2.5 µs
(1) Pulsed Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle v 2%.
RB and RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS VCC
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.: 100 V
SCOPE
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA TUT
V2 RB
APPROX
+12 V
51 D1
0 ≈ 10 K ≈ 8.0
V1
+ 4.0 V
APPROX
– 8.0 V 25 µs for td and tr, D1 is disconnected
and V2 = 0
tr, tf ≤ 10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
For NPN test circuit reverse diode and voltage polarities.

MJ11017 MJ11021 MJ11018 MJ11022
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
0.1
P(pk)
0.1 0.05 RθJC(t) = r(t) RθJC
0.07 RθJC(t) = 0.86°C/W MAX
0.05
0.01
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 1.0 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, TIME (ms)
FORWARD BIAS
5.0 ms 1.0 ms 0.5 ms
30 0.1 ms There are two limitations on the power handling ability of a

20 transistor average junction temperature and second break-
dc the transistor that must be observed for reliable operation,
2.0
SECOND BREAKDOWN LIMIT The data of Figure 4 is based on T J(pk) = 175_C, TC is
1.0 BONDING WIRE LIMIT variable dependIng on conditions. Second breakdown pulse
THERMAL LIMITATION @ TC = 25°C limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
v
0.5
SINGLE PULSE 175_C. T J(pk) may be calculated from the data in Figure 3.
0.3
0.2 MJ11017, 18
At high case temperatures thermal limitations will reduce the
MJ11021, 22
0 power that can be handled to values less than the limitations
3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 150 200 imposed by second breakdown.
Figure 4. Maximum Rated Forward Bias Safe

Operating Area (FBSOA)
30 REVERSE BIAS
L = 200 µH
IC/IB1 ≥ 50 For inductive loads, high voltage and high current must be
TC = 25°C sustained simultaneously during turn–off, in most cases, with

VBE(off) 0 – 5.0 V the base to emitter junction reverse biased. Under these
20
RBE = 47 Ω conditions the collector voltage must be hold to a safe level
DUTY CYLE = 10% at or below a specific value of collector current. This can be
MJ11017, 18 verse biased turn–off. This rating is verified under clamped
MJ11021, 22 conditions so that the device is never subjected to an ava-
0 lanche mode. Figure 5 gives ROSOA characteristics.
0 20 60 100 140 180 220 260
Figure 5. Maximum RBSOA, Reverse Bias Safe
Operating Area

MJ11017 MJ11021 MJ11018 MJ11022
PNP NPN
10,000 30,000
7000 VCE = 5.0 Vdc 20,000 VCE = 5.0 Vdc
5000 TJ = 150°C TJ = 150°C
10,000

3000
7000
2000
5000
TJ = 25°C TJ = 25°C
1000 3000 TJ = – 55°C
700 2000
500 TJ = – 55°C
1000
300
700
200
500
100 300
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 15 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 15 20
PNP NPN
4.0 4.0

IC = 15 A TJ = 25°C IC = 15 A TJ = 25°C
3.5 3.5
IC = 10 A IC = 10 A
3.0 3.0
IC = 5.0 A IC = 5.0 A
2.5 2.5
2.0 2.0
1.5 1.5
1.0 1.0
0.5 0.5
0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
PNP NPN
4.0 4.0
3.5 TJ = 25°C 3.5

TJ = 25°C
3.0 3.0
VOLTAGE (VOLTS)
VOLTAGE (VOLTS)
2.5 2.5
2.0 2.0
1.5 1.5 VBE(sat) @ IC/IB = 100
VBE @ VCE = 5.0 V
1.0 1.0 VBE @ VCE = 5.0 V
0.5 0.5
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50
COLLECTOR CURRENT (AMPS) COLLECTOR CURRENT (AMPS)

MOTOROLA
NPN
MJ11028
High-Current Complementary MJ11030
Silicon Transistors
. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applica- MJ11032*
tions. PNP
• High DC Current Gain — hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc MJ11029
hFE = 400 (Min) @ IC = 50 Adc
• Curves to 100 A (Pulsed)
• Diode Protection to Rated IC MJ11031
• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistor
• Junction Temperature to + 200_C MJ11033 *
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol
MJ11028
MJ11029
MJ11030
MJ11031
MJ11032
MJ11033 Unit
50 AMPERE
COMPLEMENTARY
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SILICON
DARLINGTON
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage VCB 60 90 120 Vdc POWER TRANSISTORS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEB 5 Vdc 60 – 120 VOLTS
300 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Peak ICM 100
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25_C @ TC = 100_C 1.71 W/_C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎ
TJ, Tstg – 55 to + 200 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
v ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Soldering Purposes for 10 seconds
TL 275 _C
CASE 197A–05
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–204AE (TO–3)
Thermal Resistance Junction to Case RθJC 0.584 _C

MJ11029 MJ11028
MJ11031 MJ11030
MJ11033 MJ11032
BASE BASE
≈ 3.0 k ≈ 25 ≈ 3.0 k ≈ 25
EMITTER EMITTER

MJ11028 MJ11030 MJ11032 MJ11029 MJ11031 MJ11033
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Emitter Breakdown Voltage (1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1 00 mAdc, IB = 0)
MJ11028, MJ11029
MJ11030, MJ11031
MJ11032, MJ11033
V(BR)CEO 60
90
120
—
—
—
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, RBE = 1 k ohm) MJ11028, MJ11029
ICER
— 2
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 90 Vdc, RBE = 1 k ohm) MJ11030, MJ11031 — 2
(VCE = 120 Vdc, RBE = 1 k ohm) MJ11032, MJ11033 — 2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, RBE = 1 k ohm, TC = 150_C) MJ11028, MJ11029 — 10
(VCE = 90 Vdc, RBE = 1 k ohm, TC = 150_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJ11030, MJ11031 — 10
(VCE = 120 Vdc, RBE = 1 k ohm, TC = 150_C) MJ11032, MJ11033 — 10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VBE = 5 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Leakage Current (VCE = 50 Vdc, IB = 0)
IEBO
ICEO
—
—
5
2
mAdc
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 25 Adc, VCE = 5 Vdc) 1k 18 k
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 50 Adc, VCE = 5 Vdc) 400 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 25 Adc, IB = 250 mAdc) — 2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 50 Adc, IB = 500 mAdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage VBE(sat)
— 3.5
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 25 Adc, IB = 200 mAdc) — 3.0
(IC = 50 Adc, IB = 300 mAdc) — 4.5
(1) Pulse Test: Pulse Width v 300 µs, Duty Cycle v 2.0%.
100
50 There are two limitations on the power–handling ability of a

10 the transistor that must be observed for reliable operation,
5 BONDING WIRE LIMITED
2 The data of Figure 2 is based on T J(pk) = 200_C; TC is
variable depending on conditions. At high case tempera-
1
MJ11028, 29 tures, thermal limitations will reduce the power that can be
0.5 MJ11030, 31 handled to values less than the limitations imposed by se-
MJ11032, 33 cond breakdown.
0.2
0.1
0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200

100 k 5
VCE = 5 V MJ11029, MJ11031, MJ11033 PNP
50 k
TJ = 25°C MJ11028, MJ11030, MJ11032 NPN
20 k 4
10 k
3 TJ = 25°C
5k VBE(sat)
IC/IB = 100
2k
2
MJ11029, MJ11031, MJ11033 PNP
1k
MJ11028, MJ11030, MJ11032 NPN
500
1
80 µs 80 µs
200
(PULSED) VCE(sat) (PULSED)
100 0
1 2 5 10 20 50 100 1 2 3 5 10 20 50 100
Figure 3. DC Current Gain Figure 4. “On” Voltage

MOTOROLA
MJ13333
SWITCHMODE Series
NPN Silicon Power Transistor 20 AMPERE
NPN SILICON
The MJ13333 transistor is designed for high voltage, high–speed, power switching POWER TRANSISTORS
in inductive circuits where fall time is critical. It is particularly suited for line operated 400–500 VOLTS
switchmode applications such as: 175 WATTS
• Inverters
• Motor Controls
Fast Turn Off Times
1.8 µs Inductive Storage Time — 25_C (Typ) CASE 1–07
Operating Temperature Range – 65 to + 200_C TO–204AA
(TO–3)
Saturation Voltages
Leakage Currents
ÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter voltage VCEV 700 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Peak (1) ICM 30
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Peak (1) ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IB
IBM
10
15
Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 100_C 100
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 200 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
_C/W
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8″ from Case for 5 Seconds TL 275 _C
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle 10%. v
(1) Similar device types available with lower VCEO ratings, see the MJ13330 (200 V) and MJ13331 (250 V).
REV 1

MJ13333
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 100 mA, IB = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICEV
—
—
—
—
0.25
5.0
mAdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 6.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 2.0 Adc)
ÎÎÎÎ
VCE(sat)
— — 1.8
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 6.7 Adc) — — 5.0
(IC = 10 Adc, IB = 2.0 Adc, TC = 100_C) — — 2.4
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
Base Emitter Saturation Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 2.0 Adc)
(IC = 10 Adc, IB = 2.0 Adc, TC = 100_C)
VBE(sat)
— — 1.8
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— — 1.8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Delay Time ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ td — 0.02 0.1 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ µs
Rise Time (VCC = 250 Vdc, IC = 10 A, tr — 0.3 0.7
Vdc tp = 10 µs
µs,
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB1 = 2.0
20A A, VBE( ff) = 5.0
5 0 Vdc,
v
Storage Time
BE(off)
Duty Cycle 2.0%) ts — 1.6 4.0 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
tf — 0.3 0.7 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
((IC = 10 A(pk),
( ) Vclamp
clam = 250 Vdc, IB1 = 2.0 A,
tsv — 2.5 5.0 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Crossover Time VBE(off) = 5 Vdc, TC = 100°C) tc — 0.8 2.0 µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Crossover Time ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 10 A(pk),
A( k) Vclamp = 250 Vd
Vdc, IB1 = 2
VBE(off) = 5 Vdc, TC = 25_C)
2.0
0AA,
tsv
tc
—
—
1.8
0.4
—
—
µs
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
v ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
tfi — 0.2 — µs

MJ13333
100

2.0
150°C 1.6
50
1A 5A 10 A
1.2
25°C
20
0.8
VCE = 5 V
10 0.4
5.0 0
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) IB, BASE CURRENT (AMP)
VBE(sat) , BASE–EMITTER SATURATION VOLTAGE (VOLTS)

2.0 2.0
IC/IB = 5 IC/IB = 5
1.6 1.6
1.2 1.2
25°C
0.8 0.8
150°C
0.4 0.4
25°C
150°C
0 0
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
Figure 3. Collector–Emitter Saturation Region Figure 4. Base–Emitter Voltage
104 3000
2000
Cib
103
1000
C, CAPACITANCE (pF)
TJ = 150°C 700
102 125°C 500
100°C
101 200
75°C Cob
REVERSE FORWARD 100
100 VCE = 250 V
25°C
50
10–1 30
– 0.4 – 0.2 0 + 0.2 + 0.4 + 0.6 0.1 0.5 1.0 5.0 10 50 100 500 1000

MJ13333
IC pk SWITCHING TIMES NOTE
Vclamp
In resistive switching circuits, rise, fall, and storage times
90% Vclamp 90% IC
IC tsv trv tfi tti waveforms since they are in phase. However, for inductive
VCE 10% Vclamp in phase. Therefore, separate measurements must be made
10% on each waveform to determine the total switching time. For
TIME
tc = Crossover Time, 10% Vclamp to 10% IC
Figure 7. Inductive Switching Measurements An enlarged portion of the inductive switching waveforms
is shown in Figure 7 to aid in the visual identity of these
terms.
For the designer, there is minimal switching loss during
10 storage time and the predominant switching power losses
IC = 10 A occur during the crossover interval and can be obtained us-
IB1 = 2 A ing the standard equation from AN–222:
IB2(pk), BASE CURRENT (AMP)
Vclamp = 250 V
PSWT = 1/2 VCCIC(tc)f
]
7.0 TJ = 25°C
In general, t rv + t fi t c . However, at lower test currents this
5.0 As is common with most switching transistors, resistive
switching is specified at 25°C and has become a benchmark
for designers, However, for designers of high frequency con-
verter circuits, the user oriented specifications which make
2.0
speeds (tc and tsv) which are guaranteed at 100°C.
0 2.0 5.0 10
Figure 8. Reverse Base Current versus

VBE(off) With No External Base Resistance
2.0 5.0
1.0 ts
VCC = 250 V 2.0
IC/IB = 5 tr
0.5
1.0
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
0.2 0.5
tf
0.1 VCE = 250 V
0.2 IC/IB = 5
VBE(off) = 5 V
0.05
td 0.1
0.02 0.05
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
Figure 9. Turn–On Switching Times Figure 10. Turn–Off Switching Times

MJ13333
+15 V
250 µF 470 Ω 47 Ω R1
2W
15 V
TURN–ON TIME
0 1
+10 V 1 330 Ω
20 2
CONDITIONS
IB1
0 1
INPUT
5.1 Ω
R2 2
5W
2 IB1 adjusted to
obtain the forced
hFE desired
50 Ω 100 Ω
PW Varied to Attain TURN–OFF TIME
IC = 100 mA Use inductive switching
39 Ω
430 Ω driver as the input to
All Diodes — 1N4934 – 5.2 the resistive test circuit.
All NPN — MJE200 250 µF
All PNP — MJE210
Adjust R1 to obtain IB1
For switching and RBSOA, R2 = 0
For VCEO(sus), R2 = ∞
CIRCUIT
VALUES

Rcoil = 0.05 Ω RL = 50 Ω
Rcoil = 0.7 Ω RB adjusted to attain desired IB1

t1 Adjusted to
IC Obtain IC
TEST CIRCUITS
TUT Lcoil (IC ) TUT

Rcoil IC(pk) pk
1 tf Clamped t1 ≈
1N4937 VCC 1 RL
OR t
INPUT Lcoil Lcoil (IC ) 2
EQUIVALENT t1 tf pk VCC
SEE ABOVE FOR t2 ≈
Vclamp VCE VClamp
DETAILED CONDITIONS VCC
VCE or Test Equipment
2 RS =
Vclamp Scope — Tektronix
0.1 Ω t 475 or Equivalent
TIME t2
1
0.7
D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2
0.1
P(pk)
0.05
0.07 RθJC = 1.0°C/W MAX
0.05
0.01
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 20 30 50 100 200 300 500 1000
t, TIME (ms)

MJ13333
50 SAFE OPERATING AREA INFORMATION
10 µs
20
10 100 µs FORWARD BIAS
5
2 dc 1 ms
transistor average junction temperature and second break-
BONDING WIRE LIMIT tion than the curves indicate.
0.1 THERMAL LIMIT @ TC = 25°C
0.05 (SINGLE PULSE) The data of Figure 12 is based on TC = 25_C. T J(pk) is
SECOND BREAKDOWN LIMIT variable depending on power level. Second breakdown pulse
0.02
MJ13333 limits are valid for duty cycles to 10% but must be derated
0.01
0.005
6 10 20 50 100 200 350 450 600 ate the same as thermal limitations. Allowable current at the
400 500 voltages shown on Figure 12 may be found at any case tem-
Figure 12. Forward Bias Safe Operating Area T J(pk) may be calculated from the data in Figure 11. At high
20
I C(pk), PEAK COLLECTOR CURRENT (AMPS)
REVERSE BIAS
12 the base to emitter junction reverse biased. Under these
8.0 accomplished by several means such as active clamping,
IC/IB ≥ 5 RC snubbing, load line shaping, etc. The safe level for these
4.0 TJ = 100°C and represents the voltage–current condition allowable dur-
0 clamped conditions so that the device is never subjected to
100 200 300 400 500 600 an avalanche mode. Figure 13 gives the complete RBSOA
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) characteristics.
Figure 13. RBSOA, Reverse Bias Switching
Safe Operating Area
100
FORWARD BIAS
SECOND BREAKDOWN
80
DERATING
60
THERMAL
40 DERATING
20
0
0 40 80 120 160 200

MOTOROLA
NPN
MJ14002*
High-Current Complementary PNP
Silicon Power Transistors MJ14001
. . . designed for use in high–power amplifier and switching circuit applications, MJ14003*
• High Current Capability — IC Continuous = 60 Amperes
• DC Current Gain — hFE = 15 – 100 @ IC = 50 Adc *Motorola Preferred Device
VCE(sat) = 2.5 Vdc (Max) @ IC = 50 Adc 60 AMPERES
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
COMPLEMENTARY
MAXIMUM RATINGS SILICON
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
POWER TRANSITORS
MJ14002 60 – 80 VOLTS
Rating Symbol Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJ14001 MJ14003
300 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Collector Base Voltage VCBO 60 80 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Current — Continuous IE 75
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25_C PD 300 Watts CASE 197A–05
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–204AE (TO–3)
_C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
360
330
270
210
150
90
30
0
0 40 80 120 160 200 240
REV 2

MJ14002 MJ14001 MJ14003
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, IB = 0) MJ14001
VCEO(sus)
60 —
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJ14002, MJ14003 80 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEO mA
(VCE = 30 Vdc, IB = 0) MJ14001 — 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) MJ14402, MJ14003 — 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEX mA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 V) MJ14001 — 1.0
(VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 V) MJ14002, MJ14003 — 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 60 Vdc, IE = 0) MJ14001
ICBO
— 1.0
mA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) MJ14002, MJ14003 — 1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current IEBO — 1.0 mA
(VBE = 5 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
DC Current Gain (1)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 25 Adc, VCE = 3.0 V)
hFE
30 —
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 50 Adc, VCE = 3.0 V) 15 100
(IC = 60 Adc, VCE = 3.0 V) 5 —
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 25 Adc, IB = 2.5 Adc)
(IC = 50 Adc, IB = 5.0 Adc)
VCE(sat)
—
—
1
2.5
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 60 Adc, IB = 12 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (1) VBE(sat)
— 3
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 25 Adc, IB = 2.5 Adc) — 2
(IC = 50 Adc, IB = 5.0 Adc) — 3
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 60 Adc, IB = 12 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 4
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
Cob — 2000 pF
v
100
70 5.0 ms 1.0 ms 1.0 µs There are two limitations on the power handling ability of a
50
30
20 dc down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
10 the transistor that must be observed for reliable operation:
5.0 TC = 25°C
WIRE BOND LIMIT tion than the curves indicate.
3.0
THERMAL LIMIT The data of Figure 2 is based on T J(pk) = 200_C; TC is
2.0
SECOND BREAKDOWN LIMIT variable depending on conditions. Second breakdown pulse
1.0
0.7
0.5 v 200_C. T J(pk) may be calculated from the data in Fig-
0.3 ure 13. At high case temperatures, thermal limitations will re-
0.2 MJ14001 duce the power that can be handled to values less than the
MJ14002, MJ14003
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
Figure 2. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area

MJ14002 MJ14001 MJ14003
NPN PNP
MJ14002 MJ14001, MJ14003
300 300
200 200
100 100

70 70
50 50
VCE = 3.0 V VCE = 3.0 V
30 30
TJ = – 55°C TJ = – 55°C
20 TJ = 25°C 20 TJ = 25°C
TJ = 150°C TJ = 150°C
10 10
7.0 7.0
5.0 5.0
3.0 3.0
0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70


2.8 2.8
2.4 TJ = 25°C 2.4 TJ = 25°C

IC = 60 A IC = 60 A
2.0 2.0
1.6 1.6
IC = 25 A IC = 25 A
1.2 1.2
0.8 IC = 10 A 0.8 IC = 10 A
0.4 0.4
0 0
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
IB, BASE CURRENT (AMPS) IB, BASE CURRENT (AMPS)
Figure 5. Collector Saturation Region Figure 6. Collector Saturation Region
2.8 2.8
TJ = 25°C TJ = 25°C
2.4 2.4
2.0
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.0
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.6 1.6
1.2 1.2
0.8 0.8
0.4 0.4
0 0
0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70
Figure 7. “On” Voltages Figure 8. “On” Voltages

MJ14002 MJ14001 MJ14003
1.0 4.0
0.7 3.0
0.5 2.0 ts
tr
0.3 1.0
0.2 0.7
t, TIME ( µs)
t, TIME ( µs)
td 0.5
0.1
0.07 0.3 tf
0.05 0.2
0.03
0.1
0.02 MJ14002 (NPN) MJ14002 (NPN)
MJ14001, MJ14003 (PNP) 0.07 MJ14001, MJ14003 (PNP)
0.01 0.04
0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70
Figure 9. Turn–On Switching Times Figure 10. Turn–Off Switching Times
VCC – 30 V
RL
+ 2.0 V
RB
0 TO SCOPE
10000 tr ≤ 20 ns
7000 tr ≤ –12 V
20 ns
5000 10 to 100 µs
DUTY CYCLE ≈ 2.0%
3000 VCC – 30 V
C, CAPACITANCE (pF)
2000 RL
+10
Cib Cib Cob RB
V
1000 0 TO SCOPE
700 Cob tr ≤ 20 ns
500 –12 V tr ≤ 20 ns
TJ = 25°C 10 to 100 µs
300 VBB
MJ14002 (NPN) DUTY CYCLE ≈ 2.0%
200 MJ14001, MJ14003 (PNP) + 7.0 V
FOR CURVES OF FIGURES 3 & 6, RB & RL ARE VARIED.

100
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 INPUT LEVELS ARE APPROXIMATELY AS SHOWN.
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) FOR NPN CIRCUITS, REVERSE ALL POLARITIES.
Figure 11. Capacitance Variation Figure 12. Switching Test Circuit

r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)
1.0
0.7
D = 0.5
0.5
0.3 0.2
0.2 P(pk)
0.02 t1
0.03 0.01 TJ(pk) – TC = P(pk) RθJC(t)
0.02 SINGLE PULSE
0.01
0.02 0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1000 2000
t, TIME (ms)

MOTOROLA
NPN
Complementary Silicon Power MJ15001
PNP
Transistors MJ15002
The MJ15001 and MJ15002 are EpiBase power transistors designed for high
power audio, disk head positioners and other linear applications.
• High Safe Operating Area (100% Tested) — 15 AMPERE
200 W @ 40 V POWER TRANSISTORS
50 W @ 100 V COMPLEMENTARY
• For Low Distortion Complementary Designs SILICON
• High DC Current Gain — 140 VOLTS
hFE = 25 (Min) @ IC = 4 Adc 200 WATTS
CASE 1–07
TO–204AA
ÎÎÎÎÎÎÎ
(TO–3)
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO
VCBO
140
140
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VEBO
IC
5
15
Vdc
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Current — Continuous
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB
IE
5
20
Adc
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
Symbol
RθJC
Max
0.875
Unit
_C/W
ÎÎÎÎÎÎÎ
v
TL 265 _C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1/16″ from Case for 10 seconds

MJ15001 MJ15002
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC, = 200 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEX
—
—
100
2
µAdc
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 140 Vdc, IB = 0)
ICEO — 250 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 5 Vdc, IC = 0)
IEBO — 100 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased IS/b Adc
(VCE = 40 Vdc, t = 1 s (non–repetitive)) 5 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 100 Vdc, t = 1 s (non–repetitive)) 0.5 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE 25 150 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) — 1 Vdc
(IC = 4 Adc, IB = 0.4 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VBE(on) — 2 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
v
200
TC = 25°C There are two limitations on the power handling ability of a
10
7
5
3
2 The data of Figure 1 is based on T J (pk) = 200_C; TC is
TJ = 200°C variable depending on conditions. At high case temper-
1 atures, thermal limitations will reduce the power that can be
0.7 THERMAL LIMITATION (SINGLE PULSE) handled to values less than the limitations imposed by
0.5 SECOND BREAKDOWN LIMITED second breakdown.
0.3 CURVES APPLY BELOW RATED VCEO
0.2
2 3 5 7 10 20 30 50 70 100 200

MJ15001 MJ15002

1000 10
700 TJ = 25°C 9
500 Cib MJ15002 (PNP)
8
300 Cib
C, CAPACITANCE (pF)
7
200
6 TJ = 25°C
Cob
VCE = 10 V
100 5 ftest = 0.5 MHz
70
4
50 Cob
3
30 MJ15001 (NPN) MJ15001 (NPN)
2
20 MJ15002 (PNP)
1
10 0
1.5 2 3 5 7 10 20 30 50 70 100 150 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 2. Capacitances Figure 3. Current–Gain — Bandwidth Product
MJ15001 MJ15002
200 200
TJ = 100°C VCE = 2 Vdc VCE = 2 Vdc
100 100 TJ = 100°C
70 25°C 70 25°C
50 50
30 30
20 20
10 10
7 7
5 5
3 3
2 2
0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20
MJ15001 MJ15002
2.0 2.0
1.6 1.6
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.2 1.2
VBE @ VCE = 2 Vdc VBE @ VCE = 2 Vdc
0.8 TJ = 25°C 0.8 TJ = 25°C
TJ = 100°C 100°C TJ = 100°C

0.4 100°C 0.4
25°C 25°C
0 0
0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 20

MOTOROLA
NPN
MJ15003 *
Transistors MJ15004 *
The MJ15003 and MJ15004 are PowerBase power transistors designed for high *Motorola Preferred Device
250 W @ 50 V POWER TRANSISTORS
• For Low Distortion Complementary Designs COMPLEMENTARY
• High DC Current Gain — SILICON
hFE = 25 (Min) @ IC = 5 Adc 140 VOLTS
250 WATTS
CASE 1–07
TO–204AA
ÎÎÎÎÎÎÎ
(TO–3)
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO
VCBO
140
140
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VEBO
IC
5
20
Vdc
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Current — ContinuousÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB
IE
5
25
Adc
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
Symbol
RθJC
Max
0.70
Unit
_C/W
ÎÎÎÎÎÎÎ
v
TL 265 _C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1/16″ from Case for 10 seconds
REV 7

MJ15003 MJ15004
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector Emitter Sustaining Voltage (1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 200 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEX
—
—
100
2
µAdc
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 140 Vdc, IB = 0)
ICEO — 250 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 5 Vdc, IC = 0)
IEBO — 100 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with Base Forward Baised IS/b Adc
(VCE = 50 Vdc, t = 1 s (non repetitive)) —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
5
(VCE = 100 Vdc, t = 1 s (non repetitive)) 1 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hFE 25 150
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Emitter Saturation Voltage VCE(sat) — 1 Vdc
(IC = 5 Adc, IB = 0.5 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base Emitter On Voltage
VBE(on) — 2 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fT 2 — MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance cob — 1000 pF
v
20
15 TC = 25°C There are two limitations on the powerhandling ability of a

3
2 TJ = 200°C
THERMAL LIMITATION (SINGLE PULSE)
variable depending on conditions. At high case temper-
1
SECOND BREAKDOWN LIMITED atures, thermal limitations will reduce the power that can be
0.7 handled to values less than the limitations imposed by
0.5
second breakdown.
0.3
0.2
2 3 5 7 10 20 30 50 70 100 150 200

MOTOROLA
NPN
MJ15011*
Advance Information PNP
Complementary Silicon Power MJ15012*
The MJ15011 and MJ15012 are PowerBase power transistors designed for
high–power audio, disk head positioners, and other linear applications. These devices 10 AMPERE
can also be used in power switching circuits such as relay or solenoid drivers, COMPLEMENTARY
dc–to–dc converters or inverters. POWER TRANSISTORS
250 VOLTS
• High Safe Operating Area (100% Tested)
200 WATTS
1.2 A @ 100 V
• Completely Characterized for Linear Operation
• High DC Current Gain and Low Saturation Voltage
hFE = 20 (Min) @ 2 A, 2 V
VCE(sat) = 2.5 V (Max) @ IC = 4 A, IB = 0.4 A
• For Low Distortion Complementary Designs
CASE 1–07
TO–204AA
ÎÎÎÎÎÎÎ
(TO–3)
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO
VCEX
250
250
Vdc
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
VEB 5 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
— Peak (1)
IC
ICM
10
15
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
— Peak (1) IBM 5
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Emitter Current — Continuous IE 12 Adc
— Peak (1) IEM 20
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes
v
TL 265 _C

MJ15011 MJ15012
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 100 mA) ÎÎÎ
Collector–Emitter Breakdown Voltage (1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
V(BR)CEO 250 — Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VCE = 200 Vdc)
ÎÎÎ
ICEO — 1 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Cutoff Current ICEX — 500 µAdc
(VCE = 250 Vdc, VBE(off) = 15 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VBE = 5 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IEBO — 500 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
DC Current Gain
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
hFE
20
5
100
—
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 2 Adc, IB = 0.2 Adc)
VCE(sat)
— 0.8
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 4 Adc, IB = 0.4 Adc) — 25
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage VBE(on) — 2 Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, f = 1 MHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 40 Vdc, t = 0.5 s)
(VCE = 100 Vdc, t = 0.5 s)
IS/b
5
1.4
—
—
Adc
v
200 10
VCE = 2 Vdc
100 5
50
2
dc
20 MJ15011 1
MJ15012
10 0.5 BONDING WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT @ TC = 25°C
5 (SINGLE PULSE)
0.2
2 0.1
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 15 20 30 50 70 100 150 200 300
IC, COLLECTOR CURRENT VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. DC Current Gain Figure 2. Active Region Safe Operating Area

MOTOROLA
MJ15015, MJ15016
(See 2N3055A)
Advance Information MJ15018

NPN
Complementary Silicon Power

Transistors MJ15020*
PNP
. . . designed for use as high frequency drivers in Audio Amplifiers.
MJ15019
• High Gain Complementary Silicon Power Transistors
• Safe Operating Area 100% Tested
50 V, 3.0 A, 1.0 Sec. MJ15021*
• Excellent Frequency Response — fT = 20 MHz min.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ MJ15018 MJ15020
4.0 AMPERES
COMPLEMENTARY
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol Unit SILICON
MJ15019 MJ15021
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
POWER TRANSISTORS
200 AND 250 VOLTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCBO
VEBO
200
7.0
250 Vdc
Vdc
150 WATTS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IC
IB
4.0
2.0
Adc
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Current — Continuous IE 6.0 Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above 25_C
PD 150
0.86
Watts
W/_C
CASE 1–07
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TO–204AA
Temperature Range
(TO–3)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
100
SECOND BREAKDOWN
80 DERATING
60
THERMAL DERATING
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200

MJ15018 MJ15020 MJ15019 MJ15021
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, IB = 0) MJ15018, MJ15019
VCEO(sus)
200 —
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJ15020, MJ15021 250 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 150 Vdc, IB = 0) MJ15018, MJ15019
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 500
(VCE = 200 Vdc, IB = 0) MJ15020, MJ15021 — 500
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VEB = 7.0 Vdc, IC = 0)
IEBO — 500 µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with Base Forward–Biased IS/b 3.0 — Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 50 Vdc, t = 0.5 s (non–repetitive)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain hFE
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 V)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 V)
30
10
—
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter on Voltage VBE(on) — 2.0 Vdc
(IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fT 20 — MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, Ftest = 1.0 MHz)
v v
(1) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2%
TYPICAL DYNAMIC CHARACTERISTICS
200 10
7.0
5.0
100 3.0 TC = 25°C

70 2.0
50 NPN 1.0
0.7
30 0.5
20 0.3
0.2 WIRE BOND LIMIT
PNP
THERMAL LIMIT
10 0.1 SECOND BREAKDOWN
7.0 0.07
TJ = 25°C 0.05 LIMIT
5.0
VCE = 4.0 Vdc 0.03
0.02 MJ15018/19
3.0
MJ15020/21
2.0 0.01
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
Figure 2. DC Current Gain Figure 3. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area

MOTOROLA
NPN
MJ15022
Silicon Power Transistors MJ15024 *
2 A @ 80 V SILICON
hFE = 15 (Min) @ IC = 8 Adc 200 AND 250 VOLTS
250 WATTS
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Peak (1) 30
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ IB 5 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Derate above 25_C
ÎÎÎÎ
PD 250
1.43
Watts
W/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 200 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
v
RθJC 0.70 _C/W
REV 7

MJ15022 MJ15024
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, IB = 0) MJ15022
VCEO(sus)
200 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJ15024 250 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 200 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) MJ15022
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 250
(VCE = 250 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) MJ15024 — 250
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 150 Vdc, IB = 0) MJ15022
ICEO
— 500
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 200 vdc, IB = 0) MJ15024 — 500
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 5 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 50 Vdc, t = 0.5 s (non–repetitive))
IS/b
5 —
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, t = 0.5 s (non–repetitive)) 2 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8 Adc, VCE = 4 Vdc) 15 60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 16 Adc, VCE = 4 Vdc) 5 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8 Adc, IB = 0.8 Adc)
(IC = 16 Adc, IB = 3.2 Adc)
VCE(sat)
— 1.4
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 4.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fT 4 — MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
v
100
50
TC = 25°C There are two limitations on the powerhandling ability of a

BONDING WIRE LIMITED tion than the curves indicate.
THERMAL LIMITATION The data of Figure 1 is based on T J(pk) = 200_C; TC is
1.0 (SINGLE PULSE) variable depending on conditions. At high case tempera-
SECOND BREAKDOWN tures, thermal limitations will reduce the power that can be
LIMITED handled to values Ion than the limitations imposed by second
0.2 breakdown.
0.1
0.1 0.2 0.5 10 20 50 100 250 500 1k

MJ15022 MJ15024

4000
3000 TJ = 25°C
Cib 9 TJ = 25°C
8 VCE = 10 V
fTest = 1 MHz
C, CAPACITANCE (pF)
1000 7
6
500
5
Cob 4
3
100 2
1
40 0
0.3 0.5 1 5.0 10 30 50 100 300 0.1 0.3 0.5 1.0 2.0 5.0 10
200
TJ = 100°C VCE = 4 V
100 1.8
TJ = 25°C
50
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.4
20
1.0
10 VBE(on) @ VCE = 4 V
0.8 TJ = 25°C
5.0 100°C
0.2 25°C
1.0 100°C
0
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 0.15 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
Figure 4. DC Current Gain Figure 5. “On” Voltage
1.8 TJ = 25°C
1.4
1.0
16 A
0.6 8A
IC = 4 A
0.2
0
0.03 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 30
IB, BASE CURRENT (AMPS)

MOTOROLA
PNP
MJ15023
Silicon Power Transistors MJ15025 *
2 A @ 80 V SILICON
hFE = 15 (Min) @ IC = 8 Adc 200 AND 250 VOLTS
250 WATTS
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Peak (1) 30
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ IB 5 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Derate above 25_C
ÎÎÎÎ
PD 250
1.43
Watts
W/_C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Temperature Range
ÎÎÎÎ
TJ, Tstg – 65 to + 200 _C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
v
REV 7

MJ15023 MJ15025
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mAdc, IB = 0) MJ15023
VCEO(sus)
200 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MJ15025 250 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 200 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) MJ15023
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— 250
(VCE = 250 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) MJ15025 — 250
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 150 Vdc, IB = 0) MJ15023
ICEO
— 500
µAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 200 Vdc, IB = 0) MJ15025 — 500
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 5 Vdc, IB = 0) Both
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 50 Vdc, t = 0.5 s (non–repetitive))
IS/b
5 —
Adc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 80 Vdc, t = 0.5 s (non–repetitive)) 2 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8 Adc, VCE = 4 Vdc) 15 60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 16 Adc, VCE = 4 Vdc) 5 —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 8 Adc, IB = 0.8 Adc)
(IC = 16 Adc, IB = 3.2 Adc)
VCE(sat)
— 1.4
Vdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fT 4 — MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
v
100
50 TC = 25°C There are two limitations on the powerhandling ability of a

1.0 BONDING WIRE LIMITED variable depending on conditions. At high case temper-
THERMAL LIMITATION atures, thermal limitations will reduce the power that can be
(SINGLE PULSE) handled to values less than the limitations imposed by
0.2 SECOND BREAKDOWN LIMITED second breakdown.
0.1
0.1 0.2 0.5 10 20 50 100 250 500 1k

MJ15023 MJ15025

4000
3000 Cib 9 TJ = 25°C
VCE = 10 V
TJ = 25°C 8 fTest = 1 MHz
C, CAPACITANCE (pF)
7
1000
6
500 5
Cob
4
3
2
100
1
0
0.3 0.5 1.0 5.0 10 30 50 100 300 0.1 0.3 0.5 1.0 2.0 5.0 10
200
TJ = 100°C VCE = 4.0 V 1.8
100
V, VOLTAGE (VOLTS)
50 TJ = 25°C 1.4
20 1.0 TJ = 25°C
0.8 VBE(on) @ VCE = 4.0 V
10
5.0 100°C
0.2 25°C VCE(sat) @ IC/IB = 10
2.0 100°C
0
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 0.1 0.5 1.0 2.0 5.0 10
Figure 4. DC Current Gain Figure 5. “On” Voltages

MOTOROLA
MJ16010
Designer's  Data Sheet MJW16010
SWITCHMODE Series
NPN Silicon Power Transistors MJ16012*
These transistors are designed for high–voltage, high–speed, power switching in
inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for
MJW16012*
line–operated switchmode applications. The MJ16012 and MJW16012 are selected *Motorola Preferred Device
high gain versions of the MJ16010 and MJW16010 for applications where drive
current is limited.
15 AMPERE
• Switching Regulators • Fast Turn–Off Times — TC = 100°C NPN SILICON
• Inverters 50 ns Inductive Fall Time (Typ) POWER TRANSISTORS
• Solenoids 90 ns Inductive Crossover Time (Typ) 450 VOLTS
• Relay Drivers 800 ns Inductive Storage Time (Typ) 135 AND 175 WATTS
• Motor Controls • 100_C Performance Specified for:
• Deflection Circuits Reverse–Biased SOA with Inductive Loads
Saturation Voltages
Leakage Currents
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ MJ16010 MJW16010
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rating Symbol MJ16012 MJW16012 Unit
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
CASE 1–07
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage VCEV 850 Vdc TO–204AA
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter–Base Voltage VEB 6.0 Vdc (TO–3)
MJ16010
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector Current — Continuous IC 15 Adc MJ16012
— Peak (1) ICM 20
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak (1)
IB
IBM
10
15
Adc
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25_C ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 100_C
ÎÎÎ
PD
1 75 135
Watts
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
100 53 8
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Temperature Range
TJ, Tstg – 65 to 200 – 55 to 150 _C
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
RθJC 1.0
Max
0.93
Unit
_C/W CASE 340F–03
TO–247AE
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature for Soldering
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
5 Seconds
ÎÎÎ
Purposes, 1/8″ from Case for
TL 275 _C MJW16010
MJW16012
(1) Pulse Test: Pulse Width v 50 µs, Duty Cycle w 10%

REV 2

MJ16010 MJW16010 MJ16012 MJW16012
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mA, IB = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEV
—
—
—
—
0.25
1.5
mAdc
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 850 Vdc, RBE = 50 Ω, TC = 100_C)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 6.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, IB = 0.7 Adc) — — 2.5
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 1.3 Adc) — — 3.0
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 1.3 Adc, TC = 100_C) — — 3.0
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 1.3 Adc)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— — 1.5
(IC = 10 Adc, IB = 1.3 Adc, TC = 100_C) — — 1.5
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 15 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
ÎÎÎ
hFE 5.0 — — —
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Delay Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Rose Time
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
td
tr
—
—
20
200
—
—
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
( C = 10 Adc,
(I ( B2 = 2.6 Adc,
(I
Storage Time VCC = 250 Vdc, RB2 = 1.6 Ω) ts — 1200 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
1 3 Adc,
IB1 = 1.3 Adc
Fall Time PW = 30 µs, tf — 200 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
v
ÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Duty Cycle
2.0%) ts — 650 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE(off) = 5
5.0
0 Vdc)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ (TC = 100_C)
tsv
tfi
—
—
800
50
1800
200
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc
Adc,
Crossover Time tc — 90 250
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 = 1.3 Adc,
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCE(pk) = 400 Vdc)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
v ÎÎÎÎÎÎÎ
Crossover Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle 2.0%
tc — 120 —

MJ16010 MJW16010 MJ16012 MJW16012
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 100 mA, IB = 0) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCEV = 850 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc. TC = 100_C)
ICEV
—
—
—
—
0.25
1.5
mAdc
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCE = 850 Vdc, RBE = 50 Ω, TC = 100_C)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(VEB = 6.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5.0 Adc, IB = 0.7 Adc) — — 2.5
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc) — — 3.0
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc, TC = 100_C) — — 3.0
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— — 1.5
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc, TC = 100_C) — — 1.5
DC Current Gain
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(IC = 15 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
ÎÎÎ
hFE 7.0 — — —
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Delay Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Rose Time
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
td
tr
—
—
20
200
—
—
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
( C = 10 Adc,
(I ( B2 = 2.0 Adc,
(I
Storage Time VCC = 250 Vdc, RB2 = 1.6 Ω) ts — 900 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
1 0 Adc,
IB1 = 1.0 Adc
Fall Time PW = 30 µs, tf — 150 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
v
ÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Duty Cycle
2.0%) ts — 500 —
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VBE(off) = 5
5.0
0 Vdc)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ (TC = 100_C)
tsv
tfi
—
—
650
30
1500
150
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 10 Adc
Adc,
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IB1 = 1.0 Adc,
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCE(pk) = 400 Vdc)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
v ÎÎÎÎÎÎÎ
Crossover Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle 2.0%
tc — 70 —

MJ16010 MJW16010 MJ16012 MJW16012

2.0
50
TC = 100°C
1.0 15 A
25°C
20 0.7 10 A
0.5
10 0.3 5.0 A
IC = 1.0 A
0.2
5.0
TC = 25°C
VCE = 5.0 V
3.0 0.1
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
5.0 1.5
βf = 10

3.0
2.0 1.0
TC = 25°C
1.0 0.7
βf = 10 75°C
0.7 TC = 100°C
0.5 100°C
0.5
βf = 10 0.4
0.3 TC = 25°C
0.2 0.3
0.1 βf = 5.0
TC = 25°C 0.2
0.07
0.05 0.15
0.15 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 15 0.15 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 15
104 10000
5000 Cib
103 3000
2000
C, CAPACITANCE (pF)
TJ = 150°C
1000
102 125°C 500 Cob
300
100°C 200
101
75°C 100 TC = 25°C
REVERSE FORWARD VCE = 250 V 50
100
20
25°C
10–1 10
– 0.4 – 0.2 0 + 0.2 + 0.4 + 0.6 0.1 0.3 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 30 50 100 300 500 850

MJ16010 MJW16010 MJ16012 MJW16012
5000 5000
3000 VBE(off) = 0 V 3000
VBE(off) = 0 V
2000 2000
2.0 V
t sv, STORAGE TIME (ns)
t sv, STORAGE TIME (ns)

1000 1000 2.0 V
5.0 V
700
500 500 5.0 V
300 βf* = 5.0 300

200 TC = 75°C 200
VCC = 20 V βf* = 10
TC = 75°C
100 100
VCC = 20 V
0.07
0.05 0.05
1.5 2.0 3.0 5.0 7.0 10 15 1.5 2.0 3.0 5.0 7.0 10 15
Figure 7. Storage Time Figure 8. Storage Time
1000 1000
tfi, COLLECTOR CURRENT FALL TIME (ns)
tfi, COLLECTOR CURRENT FALL TIME (ns)

500 VBE(off) = 0 V 500
300 300 VBE(off) = 0 V
200 5.0 V 200
100 100
2.0 V
50 2.0 V 50
βf* = 5.0
βf* = 10
TC = 75°C
TC = 75°C 5.0 V
VCC = 20 V
20 20 VCC = 20 V
10 10
1.5 2.0 3.0 5.0 7.0 10 15 1.5 2.0 3.0 5.0 7.0 10 15
Figure 9. Collector Current Fall Time Figure 10. Collector Current Fall Time
1500 1500
1000 1000
VBE(off) = 0 V 500
500 VBE(off) = 0 V
300 300
200 5.0 V 200
100 βf* = 5.0 2.0 V 100 2.0 V

TC = 75°C
50 VCC = 20 V 50 βf* = 10 5.0 V
TC = 75°C
VCC = 20 V
20 20
15 15
1.5 2.0 3.0 5.0 7.0 10 15 1.5 2.0 3.0 5.0 7.0 10 15
Figure 11. Crossover Time Figure 12. Crossover Time

I
*βf = C
IB1

MJ16010 MJW16010 MJ16012 MJW16012
IC(pk) 10

VCE(pk) 9
90% VCE(pk) 90% IC(pk) 8
IC tsv trv tfi tti 7

tc 6 IB1 = 2.0 A
5
VCE
10% VCE(pk) 4
10%
IB 90% IB1 IC(pk) 2% IC 3 1.0 A
2 IC = 10 A
TC = 25°C
1
0
TIME 0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
Figure 13. Inductive Switching Measurements Figure 14. Peak Reverse Base Current
20 20
10 µs I C(pk) , PEAK COLLECTOR CURRENT (AMPS) 18
10 MJ16010/12
5.0 MJW16010,12 1.0 ms

dc 14
2.0
1.0 TC = 25°C
10 βf* ≥ 4.0
0.5
TC ≤ 100°C
6.0 VBE(off) = 0 V 1.0 to 5.0 V
0.05 THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT 2.0
0.02 0
5.0 10 20 30 50 70 100 200 300 450 100 150 200 250 350 450 600 700 850
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) VCE(pk), PEAK COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
I Safe Operating Area Safe Operating Area
*βf = C
IB1
FORWARD BIAS power that can be handled to values less than the limitations
the base–to–emitter junction reverse biased. Under these
The data of Figure 15 is based on TC = 25_C; T J(pk) is at or below a specific value of collector current. This can be
variable depending on power level. Second breakdown pulse accomplished by several means such as active clamping,
limits are valid for duty cycles to 10% but must be derated RC snubbing, load line shaping, etc. The safe level for these
when TC ≥ 25_C. Second breakdown limitations do not der- devices is specified as Reverse Bias Safe Operating Area
ate the same as thermal limitations. Allowable current at the and represents the voltage current condition allowable dur-
voltages shown on Figure 15 may be found at any case tem- ing reverse biased turnoff. This rating is verified under
perature by using the appropriate curve on Figure 18. clamped conditions so that the device is never subjected to
T J(pk) may be calculated from the data in Figure 17. At an avalanche mode. Figure 16 gives the RBSOA character-
high case temperatures, thermal limitations will reduce the istics.

MJ16010 MJW16010 MJ16012 MJW16012
1.0
r(t), TRANSIENT THERMAL RESPONSE

RθJC = 1.0°C/W or 1.11°C/W
(NORMALIZED)
0.1
0.01
0.01 0.1 1.0 10 100 1K
t, TIME (ms)
100
SECOND BREAKDOWN DERATING
80
60
40 THERMAL DERATING
20 MJW16010, MJW16012
MJ16010, MJ16012
0
0 40 80 120 160 200
Table 1. Resistive Load Switching

+ Vdc ≈ 11 Vdc
td and tr ts and tf
100
0V
20
2N6191
≈ – 35 V
+
H.P. 214 0.02 µF
H.P. 214 – 10 µF RB1
or
*IC or A
EQUIV.
*IB EQUIV.
P.G. RB2
P.G.
0.02 µF
T.U.T.
RL
RB = 10 Ω 5 2N5337
50 0 500 1.0 µF 100
VCC
–V
VCC = 250 Vdc
RL = 25 Ω +V
IC = 10 Adc 0V
IB = 1.0 Adc –5 V
≈ 11 V A T.U.T.
Vin *IC RL
0V *IB
50 VCC
tr ≤ 15 ns
VCC = 250 Vdc IB1 = 1.0 Adc RB1 = 10 Ω

*Tektronix AM503
RL = 25 Ω IB2 = 2.0 Adc RB2 = 1.6 Ω
*P6302 or Equivalent
IC = 10 Adc For VBE(off) = 5.0 V, RB2 = 0 Ω
Note: Adjust – V to obtain desired VBE(off) at Point A.

MJ16010 MJW16010 MJ16012 MJW16012
Table 2. Inductive Load Switching
+ V ≈ 11 V
0.02 µF 100
H.P. 214
or EQUIV.
P.G. 2N6191
20
+
0V 10 µF
– RB1
≈ – 35 V A
0.02 µF RB2
1.0 µF
50 + – 2N5337
500
100
–V
IC(pk)
T1 +V
IC
0V *IC VCE(pk)
–V L
VCE
A T.U.T.
VCE(pk) = VCE(clamp)
MR856
*IB
t1 [ LcoilVCC
(ICpk) 50
Vclamp VCC IB1
IB
T1 adjusted to obtain IC(pk)
VCEO(sus) Inductive Switching RBSOA IB2

L = 10 mH L = 200 µH L = 200 µH
RB2 = ∞ RB2 = 0 RB2 = 0
VCC = 20 V Its VCC = 20 V VCC = 20 V
RB1 selected for desired IB1 RB1 selected for desired IB1
*Tektronix AM503 Scope — Tektronix
*P6302 or Equivalent 7403 or Equivalent Note: Adjust – V to obtain desired VBE(off) at Point A.
TYPICAL INDUCTIVE SWITCHING WAVEFORMS
tsv tfi, tc
IC(pk) = 10 A IC(pk) = 10 A
IB1 = 1.0 A IB1 = 1.0 A t fi = 20 ns
VBE(off) = 5.0 V VBE(off) = 5.0 V IC(pk)
VCE(pk) VCE(pk)
VCE(pk) = 400 V VCE(pk) = 400 V
TC = 25°C TC = 25°C
Time Base = 0 Time Base =
I B1
100 ns/cm 20 ns/cm
VCE(sat)
VCE(sat) tc
t sv = 370 ns I B2
24 ns

MOTOROLA
MJ16018*
Designer's  Data Sheet MJW16018 *
NPN Silicon Power Transistors *Motorola Preferred Device
1.5 kV SWITCHMODE Series POWER TRANSISTORS

10 AMPERES
These transistors are designed for high–voltage, high–speed, power switching in 800 VOLTS
inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 125 AND 175 WATTS
line–operated switchmode applications.
Typical Applications: Features:
• Switching Regulators • Collector–Emitter Voltage — VCEV = 1500 Vdc
• Inverters • Fast Turn–Off Times
• Solenoids 80 ns Inductive Fall Time — 100_C (Typ)
• Relay Drivers 110 ns Inductive Crossover Time — 100_C (Typ)
• Motor Controls 4.5 µs Inductive Storage Time — 100_C (Typ)
• Deflection Circuits • 100_C Performance Specified for:
Reverse–Biased SOA with Inductive Load
Saturation Voltages
Leakage Currents
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Rating Symbol MJ16018 MJW16018 Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO(sus)
VCEV
800
1500
Vdc
Vdc
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak(1)
IC
ICM
10
15
Adc
CASE 1–07
TO–204AA
ÎÎÎ
Base Current — Continuous IB 8 Adc MJ16018
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— Peak(1) IBM 12
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
@ TC = 25_C 175 125 Watts
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
@ TC = 100_C
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Derate above TC = 25_C
100
1
50
1 W/_C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating and Storage Junction TJ, Tstg – 65 to 200 – 55 to 150 _C
Temperature Range
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case RθJC 1 1 _C/W CASE 340F–03
ÎÎÎ
Lead Temperature for Soldering TL 275 _C TO–247AE
Purposes: 1/8″ from Case for MJW16018
ÎÎÎ
5 Seconds
v
REV 1

MJ16018 MJW16018
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS(1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Table 1) (IC = 50 mA, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO(sus)
ICEV
800 — — Vdc
mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(VCEV = 1500 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) — — 0.25
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— — 1.5
Collector Cutoff Current (VCE = 1500 Vdc, RBE = 50 Ω, TC = 100_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VEB = 6 Vdc, IC = 0) IEBO — — 0.1 mAdc
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RBSOA See Figure 14
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5 Adc, IB = 2 Adc) — — 1
(IC = 10 Adc, IB = 5 Adc) — — 5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(IC = 5 Adc, IB = 2 Adc, TC = 100_C) — — 1.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 5 Adc, IB = 2 Adc) VBE(sat) — — 1.5 Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 5 Adc, IB = 2 Adc, TC = 100_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
— — 1.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 5 Adc, VCE = 5 Vdc) hFE 4 — — —
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, ftest = 1 kHz) Cob — — 450 pF
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ tsv — 4000 8000 ns
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time Baker Clamped
C (TJ = 25_C) tfi — 60 200
(IC = 5 Adc
Adc,
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Crossover Time IB1 = 2 Adc, tc — 90 300
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Storage Time VBE(off) = 2 Vdc, tsv — 4500 9000
VCE(pk)
CE( k) = 400 Vdc)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time PW = 25 µµs (TJ = 100_C) tfi — 80 250
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Delay Time Baker Clamped td — 85 200 ns
(IC = 5 Adc, VCC = 250 Vdc,
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Rise Time tr — 900 2000
IB1 = 2 Adc,
Adc IB2 = 2 Adc
Adc,
ÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎ
ts
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
4500
ÎÎÎÎ
9000
ÎÎÎ
RB2 = 3 Ω, PW = 25 µs,
µ
v Fall Time Duty Cycle 2%) tf — 200 400
100
10
70 7
50 5
30 TC = 100°C 3
20 2
IC = 1 A 3A 5A 8A 10 A
10 25°C 1
0°C
7 0.7
5 0.5
3 0.3
2 VCE = 5 V 0.2
TC = 25°C
1 0.1
0.15 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 15 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7

MJ16018 MJW16018
10
5
7

IC/IB = 5 3
5 TC = 100°C
2
3 IC/IB = 5
2 TC = 25°C 1 IC/IB = 2.5
IC/IB = 2.5 0.7 5
1 TC = 100°C 0.5
0.7 IC/IB = 2.5
TC = 25°C 0.3
0.5
0.2 TC = 25°C THRU 100°C
0.3
0.2 0.1
0.07
0.1 0.05
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
Figure 3. Collector–Emitter Saturation Region Figure 4. Base–Emitter Saturation Region
104 10K
Cib
103
1K
C, CAPACITANCE (pF)
TJ = 150°C
102 125°C
100
100°C
101
75°C Cob
TC = 25°C
REVERSE FORWARD VCE = 250 V 10
100
25°C
10–1 1
– 0.4 – 0.2 0 + 0.2 + 0.4 + 0.6 1 2 5 10 20 50 100 200 500 1K
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) VCB, COLLECTOR–BASE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. Collector Cutoff Region Figure 6. Typical Capacitance
TYPICAL INDUCTIVE SWITCHING CHARACTERISTICS
20 1000
700
5 IC/IB = 2.5
10 500
IC/IB = 2.5
t sv, STORAGE TIME (µ s)
7 300
5
200 5
3 2.5 2.5
5
2 100
70 5
1 50
0.7 30
VBE(off) = 2 V NO BAKER CLAMP VBE(off) = 2 V NO BAKER CLAMP
0.5
TC = 100°C BAKER CLAMPED 20 TC = 100°C BAKER CLAMPED
0.3
0.2 10
1 2 3 5 7 10 1 2 3 5 7 10
Figure 7. Storage Time Figure 8. Inductive Switching Fall Time

MJ16018 MJW16018
TYPICAL INDUCTIVE SWITCHING CHARACTERISTICS
2000 6
1000 IC/IB = 2.5 5

700
t sv, STORAGE TIME (µ s)

500 4
300 5
200 2.5 3
5 IC = 5 A
100 2 IB1 = 2 A
70 IB2 = 2 A OR
50 VBE(off) = 2 V NO BAKER CLAMP VBE = – 2 V
1
TC = 100°C BAKER CLAMPED
30
20 0
1 2 3 5 7 10 1 5 9 13 17 21 25
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) PULSE WIDTH (µs)
Figure 9. Inductive Switching Crossover Time Figure 10. (tsv) Storage Time versus IB1
Pulse Width
IC pk
VCE(pk)
6 IC = 5 A
VOLTAGE AND CURRENT
IB1 = 2 A
5 VCE = 400 V IC tsv trv tfi tti
tc
4
VCE
10% VCE(pk) 10%
3 IB 90% IB1 IC pk 2% IC
1
–1 –2 –3 –4 –5 –6 TIME
VBE(off), REVERSE BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Reverse Base Current versus Figure 12. Inductive Switching Measurements
Off Voltage
100 16
IC(pk) , PEAK COLLECTOR CURRENT (AMPS)
50 TC = 25°C 14
30
20 12
10 IC/IB1 = 2.5, 5
MJ16018 10 µs 10
5
dc MJW16018 8
3 1 ms
2 TC ≤ 100°C
6 VBE(off) = 2 V
1
0.5 BONDING WIRE LIMIT 4
0.3 THERMAL LIMIT
0.2 SECOND BREAKDOWN 2 VBE(off) = 0 V
LIMIT
0.1 0
10 15 20 30 50 100 200 300 500 1K 0 200 400 600 800 1K 1.2K 1.4K 1.6K 1.8K 2K
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) VCE(pk), PEAK COLLECTOR VOLTAGE (VOLTS)
Safe Operating Area Safe Operating Area

MJ16018 MJW16018
100
SECOND BREAKDOWN

80 DERATING
60
THERMAL
DERATING
40
MJ16018
20
MJW16018
0
0 40 80 120 160 200
FORWARD BIAS power that can be handled to values less than the limitations
the base–to–emitter junction reverse biased. Under these
The data of Figure 13 is based on TC = 25_C; T J(pk) is at or below a specific value of collector current. This can be
variable depending on power level. Second breakdown pulse accomplished by several means such as active clamping,
limits are valid for duty cycles to 10% but must be derated RC snubbing, load line shaping, etc. The safe level for these
when TC ≥ 25_C. Second breakdown limitations do not der- devices is specified as Reverse Bias Safe Operating Area
ate the same as thermal limitations. Allowable current at the and represents the voltage current condition allowable dur-
voltages shown on Figure 13 may be found at any case tem- ing reverse biased turnoff. This rating is verified under
perature by using the appropriate curve on Figure 15. clamped conditions so that the device is never subject

Bipolar Power Transistor Data (MOTOROLA)

Caricato da

Informazioni sul documento

Descrizione originale:

Titolo originale

Copyright

Formati disponibili

Condividi questo documento

Condividi o incorpora il documento

Opzioni di condivisione

Hai trovato utile questo documento?

Questo contenuto è inappropriato?

Copyright:

Formati disponibili

Bipolar Power Transistor Data (MOTOROLA)

Caricato da

Copyright:

Formati disponibili

Index and 1

 Motorola, Inc. 1995

123 123 123 Letters are entered with

Use 2– digit combinations

Mfax is a servicemark of Motorola, Inc.

Wide Range of Transistor Specifications

The table on the subsequent pages contains an

Motorola Motorola Motorola Motorola

40542 MJE3055T 3–628 2N3174 MJ15016 3–5

40627 TIP41B 3–883 2N3198 MJ15016 3–5

40854 2N6547 3–140 2N3238 2N5882 3–77

40887 MJE340 3–602 2N3447 2N3716 3–12

1SI10A–100 MJ16018 3–520 2N3771 2N3771 3–17

2N3022 2N3792 3–25 2N3863 2N3716 3–12

2N4903 MJ15016 3–5 2N5634 MJ15001 3–497

2N4918 2N4918 3–34 2N5685 2N5685 3–66

2N5035 2N3055 3–2 2N5740 2N5880 3–77

2N5191 2N5191 3–44 2N5759 2N3055A 3–5

2N5264 BUV23 3–388 2N5872 2N3792 3–25

2N5301 2N5302 3–54 2N5881 2N5882 3–77

2N5466 BUX48A 3–401 2N5930 2N6338 3–117

2N5495 MJE3055T 3–628 2N5970 2N5882 3–77

2N5984 MJE3055T 3–628 2N6132 TIP42C 3–883

2N5991 2N6488 3–132 2N6229 2N5880 3–77

2N6029 2N6031 3–59 2N6250 BUV23 3–388

2N6036 2N6036 3–85 2N6270 2N6338 3–117

2N6043 2N6044 3–89 2N6277 2N6277 3–108

2N6055 2N6056 3–97 2N6284 2N6284 3–112

2N6100 2N6487 3–132 2N6291 2N6292 3–101

2N6109 2N6109 3–101 2N6325 MJ10015 3–461

2N6357 2N6059 3–93 2N6530 TIP101 3–891

2N6379 2N6379 3–120 2N6546 2N6547 3–140

2N6388 2N6388 3–124 2N6554 2N4919 3–34

2N6412 MJE181 3–589 2N6573 2N6547 3–140

2N6419 MJE253 3–596 2N6648 MJ2501 3–425

2N6468 MJE15031 3–684 2SA1007 MJ15002 3–497

2N6475 MJE15029 3–684 2SA1041 2N6438 3–128

2N6489 2N6490 3–132 2SA1064 MJ15002 3–497

2SA1242 MJD210–1 3–569 2SA814 TIP32C 3–873

2SA1357 TIP42B 3–883 2SA843 MJE15031 3–684

2SA1593 MJD32C1 3–542 2SA907 MJ15016 3–5

2SA626 MJ15016 3–5 2SA957 MJE15031 3–684

2SA646 2N4919 3–34 2SA971 2N6609 3–21

2SA670 TIP32B 3–873 2SB1047L MJD117–1 3–558

2SA699 2N4918 3–34 2SB1180A MJD127–1 3–563

2SA756 MJ15016 3–5 2SB1215 MJD45H11–1 3–550

2SB523 2N5194 3–49 2SB656 MJ15002 3–497

2SB531 MJ15016 3–5 2SB677 TIP125 3–900

2SB546 MJE15031 3–684 2SB691 MJE4352 3–632

2SB555 MJ15012 3–502 2SB707 2N6107 3–101

2SB567 MJE15031 3–684 2SB719 MJE15031 3–684

2SB574 2N5195 3–49 2SB744 MJE172 3–589

2SB581 MJE2955T 3–628 2SB907 MJD6036–1 3–584

2SB595 TIP42C 3–883 2SC1004A BU208A 3–226

2SC1080 MJ15001 3–497 2SC1441 BUV23 3–388

2SC1100 BU208A 3–226 2SC1477 MJ10007 3–445

2SC1112 MJ15001 3–497 2SC1517 2N4922 3–38

2SC1151 BU208A 3–226 2SC1585 BUV23 3–388

2SC1170 BU208A 3–226 2SC1672 2N6341 3–117

2SC1224 MJE341 3–604 2SC1757 MJE2360T 3–626

2SC1295 BU208A 3–226 2SC1818 2N6341 3–117

2SC1367 BU208A 3–226 2SC1846 MJE181 3–589