P. 1
Kovács Csongor - Elektronikus Áramkörök

Kovács Csongor - Elektronikus Áramkörök

|Views: 358|Likes:
Published by kecsegm

More info:

Published by: kecsegm on Sep 26, 2010
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

06/19/2014

pdf

text

original

lS:ovAcs CSONGOR

I

I Kozepiskolak Jill. losztalya sz~mara

Kovacs Csongor Elektronikus aramkorok

Kovacs Csongor

Elektronikus aramkorok

; General PressKiad6, Budapest

Kovacs Csongor. Elektronikus aramkorok

Lektoralta: Meszaros Miklos

© Kovacs Csongor - General Press

Boritoterv: Drobek Odon

Felelos szerkeszto: Fiileki Beata

Az elektronikai es informatikai szakmacsoport reszere

ISBN 963 9076 32 5

Kiadja a General Press Kiado

Felelos kiado: Lantos Kalmanne ugyvezeto Irodalmi es rmiveszeti vezeto: Lantos Kalman

.Nyomta es kototte a Realszisztema Dabasi Nyomda Rt.

Felelos vezeto Madi Lajos vezerigazgato

Tartalomjegymk

Tartalomjegyzek

1. Villamos aramkori alapismeretek , ; _........... 1

1.1. A villamos aramkori elemek es aramkorok tipusai ............• ; ......•.........•. L......... 1

1.2. Ketpolusok ;............................. 1

1.2.1. Aktiv ketpolusok ......................................•..... ;............................................. 2

1.2.2. Passzfv ketpolusok ,., j_ ~........... 4

1.2.3. Ketpolusok helyettesito kapcsolasai :....................... 5

1.3. Negypolusok ; .i., ••• ; •••••••••• , .••••••••••.•••.•••••.••• ; : 9

1.3.1. A negypolusok pararneterei ;........................... 10

1.3.2. A negypolusok jellemzoinek frekvenoiafuggese 17

2. Felvezet6 anyagok fizikaja _............................ 23

2.1. Bevezetes : 23

2.2. Tolteshordozok felvezeto anyagokban................................................................ 24

2.2.1. A felvezetok sajatvezetese ~........................................................... 25

2.2.2. Szennyezeses felvezetok tulajdonsagai 26

2.2.3. Aramvezetes a felvezetokben 28

3. Felvezet6 di6dak..................................................................................................... 31

3.1. A PN-atmenetek felepitese es mukodese :................. 31

3.1.1. A hatarreteg kialakulasa :..................... 31

3.2. A felvezeto dioda felepitese es miikodese........................................................... 32

3.2.1. A felvezeto dioda nyitoiranyu polarizalasa :......................... 33

3.2.2. A felvezeto dioda zaroiranyu polarizaIasa.................................................. 34

3.2.3. A felvezeto dioda teljes karakterisztikaja................................................... 36

3.3. A felvezeto diodak tipusai.................................................................................... 37

3.3.1. Egyeniranyfto diooak.................................................................................. 38

3.3.2. Zener-diodak .:0 •••••••• ;.. 39

3.3.3. Tusdiodak 42

3.3.4. Kapacitasdiodak 43

3.3.5. Alagiitdiodak ,..... 45

3.3.6. Schottky-di6dak.......................................................................................... 46

4. Bipolarls tranzlsztorok ,........... 47

4.1. A bipolaris tranzisztorok felepftese :..... 47

. 4.2. A bipolaris tranzisztorok miikodese.................................................................... 48

4.2.1. Aramok a tranzisztorban............................................................................. 48

4.3. A bipolaris tranzisztor alapegyenletei 51

4.4. Alapkapcsolasok 52

4.5. A tranzisztor jelleggorbei 52

4.5.1. A tranzisztor jelleggorbei baziskapcsolasban 53

4.5.2. A tranzisztor jelleggorbei emitterkapcsolasban.......................................... 54

4.6. A bipolaris tranzisztorok muszaki adatai 57

4.7. Hatarertekek........................................................................................................ 59

4.8. A homerseklet hatasa a tranzisztor rmikodesere ...... :........................................... 60

4.9. A tranzisztorok hiitese......................................................................................... 61

Tartalomjegyzek

5. Unipolaris tranzisztorok _............................................................................. 64

5.1. Zaroreteges tervezerlesu tranzisztorok............................................................... 64

5.1.1. Felepites es fizikai miikodes...................................................................... 64

5.1.2. Jelleggorbek, adatok, hataradatok.............................................................. 65

5.2. MOSFET tranzisztorok ;.................................................................. 68

5.2.1. Felepites es fizikai miikodesmod............................................................... 68

5.2.2. Jelleggorbek, adatok, hataradatok.............................................................. 70

5.3. Tervezerlesu tranzisztorok alapkapcsolasai 73

6. Tranzisztorok munkapont-bealntase .•.•.•.••••••••••••••••..•.•..•..•.••••••••••••••••••••••••••••. 75

6.1. Tranzisztorok tizemmodjai................................................................................. 75

6.1.1. Tranzisztorok linearis es nem linearis mukodese 75

6.1.2. Tranzisztorok sztatikus es dinamikus tizemmOdja..................................... 77

6.2. ,ErOsitOfQkozatok munkapont-beallitasa ;.; ..... ;.................................................... 80

6.2.1. Bipolaris tranzisztorok munkapont-beallitasa............................................ 80

6.2.2. Tervezerlesu tranzisztorok munkapont-beallitasa...................................... 82

6.3. Tranzisztorok kisfrekvencias helyettesite kepei................................................. 85

6.3.1. Bipolaris tranzisztorok helyettesito kepe 87

6.3.2. Tervezerlesu tranzisztorok helyettesitokepe............................................. 89

7. Erosfto aramkorok •••••••••••......•••.••.••••••.••.•.••••••••••••••••••.•••.•••••••••••••••••••••••••••• ~......... 91

7.1. Alapfogalmak............................................................................................. ........ 91

7.1.1. Az er6sitokjellemzoi................................................................................. 92

7.2. Er6sito alapkapcsolasok bipolaris tranzisztorral................................................ 94

7.2.1. Emitterkapcsolasu erositofokozat 96

7.2.2. Kollektorkapcsolasu erositOfokozat........................................................... 106

7.2.3. Baziskapcsolasu erosltofokozat III

7.2.4. Erosito alapkapcsolasok jellemzoinek osszehasonlitAsa............................ 115

7.3. Er6sito alapkapcsolasok tervezerlesu tranzisztorral........................................... 116

7.3.I.Source-kapcsolasu erositofokozat 116

7.3.2. Drain-kapcsolasu erositefokozat 123

7.3.3. Gate-kapcsolasu erositMokozat 128

7.3.4. Erosito alapkapcsolasok jellemzoinek osszehasonlitAsa............................ 130

7.4. Tobbfokozatu erositok........................................................................................ 131

7.4.1. Tobbfokozatu erositok felepitese............................................................... 131

7.4.2. ErositOfokozai:ok csatolasa 132

7.5. Zajviszonyok az erosit6kben.............................................................................. 139

7.5 .1. Az erositokben keletkezo zajok forrasai 139

7.5.2. Az erositokben keletkezo zajok tipusai 139

7.5.3. Az erositok zajtenyezoje............................................................................ 141

7.6. Torzitasok az erositokben................................................................................... 141

7.6.1. Linearis torzftasok 141

7.6.2. Nernlinearis torzftasok , .. ~ :........................................................... 143

7.7. A visszacsatolas ,..................... 144

7.7.1.'A visszacsatolas elve 144

7.7.2. A visszacsatolas hatasa az erosit6 jellemzoire ~................ 146

7.7.3. A negatfv visszacsatolas gyakorlati megvaI6sitasa.................................... 148

II

Tartalomjegyzek

7.8. Szelessavu erositok :.. 152

7.8.1. Kisfrekvencias kompenzalas ~.............................................................. 153

7.8.1. Nagyfrekvencias kompenzalas 153

7.9. Nagyfrekvencias hangolterositok....................................................................... 156 7.9.1. Hangolt erosito parhuzamos LC rezgokorrel.............................................. 156 7.9.2. Hangolt erositO savszUros csatolassal......................................................... 159

7.10. Nagyjelu erositok ; 161

7.10.1. Nagyjelii erositok altalanos jellernzese..................................................... 161

7.10.2. Az ercsitoelemek hatarertekei 161

7.10.3. Teljesitmenyerositok jellemzoi................................................................. 162

7.10.4. A-osztalyil teljesitmenyeroslto ~:............................. 163

7.10.5. Elleniitemii teljesitmenyerositok 165

7. 10.6. Komplementer teljesitmenyeresitok •.... ~................................................... 168 7.10.7. Teljesitmenyerositok nilterheles elleni vedelme ...... ;................................ 169

8. Muveleti erositok _ _ _~.... 173

8.1. Egyenaramu erositok............... 173

8.1.1. Differencialerositok.................................................................................... 174

8.1.2. Fazisosszegzd aramkor 178

8.1.3. Darlington-kapcsolas 178

8.1.4. Tranzisztoros aramgeneratorok 179

8.1.5. Miiveleti erositok kimeneti fokozatai 181

8.2. Integralt miiveleti erositok ;.......................................................... 183

8.2.1. Integralt miiveleti erositok tulajdonsagai 184

8.2.2, Az idealis miiveleti er6sito ; ' 187

8.2.3. A valosagos miiveleti erosito...................................................................... 187 8.2.4. Visszacsatolas alkalmazasa miiveleti erositok eseten................................. 189

8.3. Linearis alapkapcsolasok miiveleti erositokkel................................................... 191

8.3.1. Nem invertalo alapkapcsolas : .. ;.................................. 191

8.3.2. Invertalo alapkapcsolas 193

8.3.3. Kiilonbsegkepzo aramkor........................................................................... 194

8.3.4. Elojelfordito feszultsegosszegzoaramkor 194

8.3.5. Integrator aramkor .. ; :............... 195

8.3.6. Differencialo aramkor 197

8.4. Miiveleti erositok munkapont-beallitasa 199

8.4.1. A bemeneti nyugalmi aram biztosftasa....................................................... 199

8.4.2. Ofszet feszultseg kompenzalasa 200

8.4.3. Ofszet aram kompenzalasa 201

8.5. Miiveleti erositok frekvenciakompenzalasa ,............................................. 201

8.6. Miiveleti erositok alkalmazasai 203

8.6.1. Valtakoze fesziiltsegti erositok................................................................... 203

8.6.2. Aktiv szUr6kapcsolasok.............................................................................. 204

8.6.3. Miiveleti erositok alkalmazasa a merestechnikaban................................... 207

9. Erosaramu felv8zet6 eszkozok ..........................................................•..... _......... 221

9.1. Negyretegu diodak 221

9.1.1. Felepites es mukodes .. ,............................................................................... 221

III

Tartalomjegyzek

9.1.2. Jellemzo adatok es hatarertekek ........................................•....................... 223

9.1.3. Alkalmazasok ;............................................................................... 223

9.2. Tirisztorok _................................................................................ 224

9.2.1. Felepites es mukodes ;........... 224

9.2.2. Tirisztorok jellemzo adatai es hatarertekei 226

9.2.3. A tirisztor szerkezete 227

9.2.4. Tirisztorok alkalmazasa 228

9.3. Vezerloelektrodaval kikapcsolhato tirisztor 231

9.4. Tirisztortetr6dak................................................................................................. 232

9.4.1. Felepites es miik6desmod........................................................................... 232

9.4.2. Jellemzo adatok es hatarertekek 233

9.4.3. A tirisztortetr6da alkalmazasa 233

9.5. Valtakozo aramu kapcsol6di6da (Diac) ;.............................................. 233

9.5.1. Ketiranyu di6da ;.......................................................... 233

9.5.2. Ketiranyu tirisztordiodak 235

9.5.3. Adiac alkalmazasai 236

9.6. Ketiranyu tirisztortrioda (Triac) 236

9.6. I. Felepites es mukodes 236

9.6.2. Jellemzo adatok es hatarertekek :.................. 238

9.6.3. A triac alkalmazasai................................................................................... 239

9.7. Az egyatmenetu tranzisztor (UJT)...................................................................... 241

9.7.1. Az egyatmenetu tranzisztor felepitese es miikodes] elve 241

9.7.2. Az egyatmenetu tranzisztor alkalmazasai.................................................. 243

10. Optoelektronikal alkatreszek............................................................................ 245

10.1. Fenytani alapfogalmak 245

10.2. A fenyelektromos jelenseg 246

10.3. A fotoellenallas 247

10.3.1. Felepites es mukodes 247

10.3.2. A fotoellenallas jellemzoi 248

10.3.3. Alkalmazasok 249

10.4. A PN-atmenet viselkedese fenyhatas eseten 249

10.5. Fotodi6dak........................................................................................................ 250

10.5.1. Felepites es rmikodesmod 250

10.5.2. Jellemzo adatok es hatarertekek 251

10.5.3. Alkalmazasok 251

10.6. Fotoelemek (napelemek) 252

10.6.1. Felepites es mukodesi elv 252

10.6.2. Jellemzo adatok es hatarertekek 254

10.6.3. Alkalmazasok :................................ 254

10.7. Fototranzisztorok................... 254

10.7.1. Felepites es mukodesi elv........................................................................ 254

10.7.2. Jellemzo adatok es hatarertekek 255

10.7.3. Alkalmazasok 256

10.8. Fenyt kibocsato dioda (LED)........................................................................... 256

10.8.1. Felepites es mukodesi ely 256

10.8.2. Jellemzo adatok es hatarertekek 258

10.8.3. Alkalmazasok 259

IV

Tartalomjegyzek

10.9. Lezerdiochik....................................................................................................... 259

10.9.1. Felvezeto lezerek fizikai miikodese.......................................................... 259

10.9.2. Jellemzo adatok es hatarertekek 261

10.9.3. Alkalmazasok 261

10.10. Fenycsatolok 261

10.10.1. Felepites es miikodes.............................................................................. 261

10.10.2. Jellemzo adatok es hatarertekek 262

10.10.3. Alkalmazasok 262

10.11. Optikai kijelzok 263

l Od LlFolyadekkristalyos kijelzok..................................................................... 263

10.11.2. Numerikus kijelzok 265

10.11.3. Alfanumerikus kijelzok 266

10.11.4. Elektronsugarcsovek . 267

11. Tapegysegek 271

11.1. Alapfogalmak.................................................................................................... 271

11.2. Halozati transzformatorok................................................................................. 272

11.3. Halozati egyeniranyftok 273

11.3.1. Egyutas egyeniranyitok 273

11.3.2. Ketutas egyeniranyitok 275

11.4. Sziirokorok........................................................................................................ 277

11.4.1. A biigofeszultseg csokkentese pufferkondenzatorral 277

11.4.2. A bugofeszultseg csokkentese sziiressel................................................... 278

11.5. Linearis egyenfeszultsegti stabilizatorok 281

11.5.1. Feszultsegstabilizatorok 281

11.5.2. Aramstabilizatorok ,................................................................ 292

11.5.3. Integralt fesztiltsegstabilizatorok.............................................................. 293

11.6. Kapcsolo iizemii tapegysegek 298

12. Oszcillatorok.......................................................................................................... 301

12.1. Az oszcillator mukodesi elve es felepitese........................................................ 301

12.2. Negativ ellenallast felhasznalo oszcillatorok 301

12.3. Visszacsatolt oszcillatorok................................................................................ 302

12.3.1. LC oszcillatorok 303

12.3.2. RC oszcillatorok 306

12.3.3. K varcoszcillatorok.................................................................................... 309

v

1. Villamos aramkOri ;;t.lapismeretek

1. Villamos ararnkorl alapismeretek

A nagyszamu aramkori elemet tartalmazo villamos halozatok vizsgalata igen bonyolult, ezert a vizsgalt aramkort olyan reszaramkorokre bontjak, ameIyek tulajdonsagai egyszeriien vizsgalhatok. A teljes aramkor tulajdonsagai a resziellemzok ismereteben konnyen meghatarozhatok. A reszaramkorok attol fuggoen, hogy hany villamos csatlakozoponttal kapcsol6dnak az aramkor tobbi reszehez, lehetnek ketpolusok vagy negypolusok.

1.1. A villamos aramkori elemek es aramkorok tipusai

Az elektromos aramkoroket felepitd elemek, lehetnek:

o aktiv aramkori elemek: amelyek helyettesito kepeben aram- vagy feszultseggenerator is megtalalhato (pI. a tranzisztor).

o passziv aramkori elemek: amelyek helyettesito kepeben nem szerepel aram-vvagy feszultseggenerator (pI. az ellenallas).

o linearis fuamkori elemek: jellemzojuk, bogy a kapcsaikon leva fesztiltseg es 11 rajtuk atfolyo aram viszonyat - stacionarius (allandosult) allapotban - linearis fuggveny frja Ie (pl. az ellenallas vagy a kondenzator). A kondenzator eseten:

U

1=-· - -ahol X'

c

1

Xc = = allando , ha I = aUandO.

i.e.rc

o nemlinedris aramkori elemek: amelyek feszultsege es arama kozott levo kapcsolatot nemlinearis fuggveny fejezi ki (pI. a felvezeto di6da).

A viHamos ararnkfu att61 fiiggoen, bogy milyen aramkori elemeket tartalmaz, lebet:

o aktivaramkor (aktfv aramkori elemeket is tartalmaz);

o passz{v aramkor (kizarolag passzfv aramkori elemeket tartalmaz);

o linefuis 6.ramkor (minden aramkori eleme linearis);

o nemlinedris aramkor (tartalmaz nemlinearis aramkori elemeket is).

1.2. Ketpolusok

A ketpolus egy tetszolegesen bonyolult villamos halozat, amely ket villamos csatlakoz6ponttal rendelkezik. A felepiteseben resztvevd aramkori elemektol ffiggoen, megkulonboztetunk:

o aktiv (generatorjellegii) kitpolust: jellemzoje, bogy elektromos energia leadasara kepes;

o passziv (jogyasztojellegii) kitpolust: amely elektromos energiat csak felvenni kepes.

1

1. Villamos aramkori alapismeretek

A ketpolusok rajzjele, az 1.1. abran I4that6. A berajzoit feszultseg- es aramiranyok, a szabvanyos pozitiv meroitanyoknak feleinek meg.

I

,---_K_.P_. _ ...... t}

U d ...... __ K_.P. _ __.

a)

1.1. libra. A ketpolusok rajzjele

a) aktiv ketpolus b) passziv ketpolus

b)

Egy ketp61us meghatarozottnak tekintheto, ha ket jellemzo adata ismert, Ez a ket adat altalaban, a ketpolus kivezetokapcsain merheto U feszultseg es a rajta atfolyo I aram, Grafikusan abrazolva az aramot a feszultseg fuggvenyeben, a ketpolus karakterisziikajdt kapjuk.

1.2.1. Aktiv ketpolusok

Az aktfv ketpolusok felepftesuk szerint lehetnek:

o idealis es valosdgos feszidtseggeneratorok,

o idea lis es valosdgos dramgenerdtorok;

o az elozoek kombinacioi.

A valosagos feszultseg- es aramgeneratorokat elemi aktiv ketpolusoknak nevezzUk. A vaI6s feszultseggeneratort az:

(Ll)

egyeniettel frhatjuk le, ahol U a kapocsfeszultseg es Rb:::; - au. a generator bel so

M

ellenallasa. Az idealis feszultseggeneratort az Rb :::; 0, vagyis terheloaram-fiiggetlen kimeneti feszultseg jellemzi. Az 1.2. dbra az idealis feszultseggenerator helyettesito kepet es

karakterisztikajat szemlelteti. .

ut

Ug~-------------

I

L __ . __ ~ ...

a)

1.2. libra. Az idealis feszultseggenerator a) helyettesitd kepe b) karakterisztikaja

b)

Az idealis feszultseggenerator valtakozo aramu szempontbol rovidzarnak tekintheto, mivel belso ellenallasa nuIJa.

2

1. Villamos aramkori alapismeretek

Az 1.3. abra a valosagos feszultseggenerator helyettesito kepet es karakterisztikajat mutatja. A valosagos feszultseggenerator egy idealis feszultseggenerator es egy soros vesztesegi ellenallas (Rg) kapcsolasabol epul fel.

u

..

I

a)

1.3. libra. A valosagos feszultseggenerator a) heiyettesiui kepe b) karakterisztikdja

b)

A valosagos feszultseggenerator jellemzo adatai a kovetkezok:

• iiresjiu6sijesziiitseg:

• riividw6si iuam:

• be/so ellemUltls:

A feszultseggeneratort nem szabad rovidre zarni, mivel Rb ~ 0 eseten:

Az (1.1) egyenlet atalakftasaval kapjuk, a valosagos aramgeneratort leir6 egyenletet:

(1.2)

U

ahol / g =_g a rovidzarasi aram. Az Rb=oo hatarertek, az idealis aramgenerator jellemzoje.

Rb

Az 1.4. dbra, az idealis aramgenerator helyettesito kepet es karakterisztikajat szemlelteti.

At, = ooL_t>

I

I

ul

I

a)

1.4. libra. Az idealis aramgenerator

a) helyettesltd kepe b) karakterisztikaja

b)

3

1. Villamos aramkOri alapismeretek

Megfigyelbeto.. bogy az idealis aramgeneraior valtakoz6 arama szempontbol szakadast kepvisel, mivel belso ellenallasa vegtelenul nagy.

A valosagos aramgenerator helyettesito kepe es karakterisztikaja az 1.5. abran lathato. A valosagos aramgenerator egy idealis aramgenerator es egy parhuzamos vesztesegi ellenallas (Rg) kapcsolasabol epul fel.

.. _.,

U

a)

1.5. libra. A valosagos aramgenerator a) helyettesitd kepe b) karakterisztikaja

b)

A valosagos aramgenerator jellemzo adatai a kovetkezok:

• uresjarasifeszultseg: U u = I g . Rg ,

• rovidz{zrasi aram: I r = I g ,

• be/siJ ellentillas:

Az aramgeneratort nem szabad megszakftani, mivel Rb ~ 00 eseten:

U ii = I g • Rb ~ 00 •

1.2.2. Passzlv ketp61usok

A passzfv ketpolus felepftese szerint lehet:

• elletuillds •• induktivitas •• kapacitds •• vagy ezek kombinacioi.

A passziv ketpolusok karakterisztikajat megszerkeszthetjiik, ha tetszoleges feszultsegertekek eseten az atfoly6 aramot meghatarozzuk es a kapott ertekeket abrazoljuk. Ellenallas, induktivitas es kapacitas eseten a karakterisztika egy egyenes, amely athalad az orig6n (1.6. dbra),

. ,

.. _~l. __ :~_ .... :_~ ... _

U1 U2 U

1.6. libra. Passzfv ketpolusok karakterisztikaja

4

1. Villamos aramkori alapismeretek

A karakterisztika meredeksege rneghatarozhato, barmely osszetartozo U-I ertekbol:

I tga= ~. I

(1.3)

Megfigyelheto, hogy ellenallas eseten ( tg a = .!_ = _!_), ha az ellenallas erteke R = 0 U R

(rovidzar), akkor a = 90° es ha R = 00 (szakadast, akkor a = 0°.

1.2.3. Ketpelusok helyettesito kapcsolasal

Egy ketpolus helyettesito kapcsoldsa (helyettesito kepe) az a legegyszeriibb, legkevesebb aramkori elemet tartalmaz6 kapcsolas, amelynek a karakterisztikaja megegyezik a ketpolus karakterisztikajaval. Ez a gyakorlatban azt jelenti, hogy egy ketpolust es a helyettesito kapcsolasat egymastol, meressel nem lehet megkulonboztetni,

Passziv ketpolusok helyettesitd kepe

Passziv ketpolusok helyettesito kepe egy impedancia, melynek abszolut erteke es fdzisszoge megegyezik a helyettesitendd ketpolus impedancidjaval.

Azonos tipusu passziv elemekbol felepitett ketpolus helyettesito kepe; egyetlen passziv aramkori elembol all. Ez alapjan, pl. a csak ellenallasokbol a1l6 ketpolus helyettesito kepe egyetlen ellenallas, amelynek erteke megegyezik a ketpolus eredo ellenallasaval, a kapocspontokra vonatkoztatva (1.7. abra).

~R

1.7. abra.Passziv- ketpolus helyettesito kepenek meghatarozasa

Kalonbozo tipusu elemekbdl felepiteu passziv ketpolusok helyettesiui kepe egy adott frekvencian egy olyan - maximalisan kit elemet tartalmazo (R, R-L. R-C) - kapcsolds, amelynek a vektorabraja megegyezik a helyettesitendd ketpoluseval.

Az 1.B. abra egy soros RLC kdr helyettesito kepenek a meghatarozasat szemlelteti, egy rezonanciafrekvencia alatti, rogzitett frekvencian. Egy soros rezgokor rezonanciafrekvencia alatti frekvencian:

• kapacitiv jeUeggel (vagyis, ha /</0 ~ Xc> XL); rezonancia frekvencia feletti frekvencian:

• induktfv jelleggel (ha f> fo ~ XL> Xc) rendelkezik.

5

1. Villamos aramkori alapismeretek

z

R

1.8. libra. KiilonbozQ tipusu elernekbol felepitett passziv ketpolus helyettesitO kepe

A helyettesito kep meghatarozasanak lepesei az 1.B. dbrdn lathatoknak megfeleloen a kovetkezok:

• megszerkesztjii.k a kapcsolds vektorabrajat es kepezziik a vektorok Z eredojet;

• mivel az dramkor kapacitiv jellegii, megallapithato, hogy vektordbraja megegyezik egy soros R-C kor vektordbrajdval, ahol az R erteke valtozatlan es a C1 kapacitds erteke:

Rezonancia frekvencia eseten, helyettesito kepiik megegyezik az aramkorben talalhatc vesztesegi ellenallassal.

Aktiv ketpolusok helyettesitd kepe

Barmely aktiv ketpolus - bonyolultsdgatol fiiggetlenid - helyettesithetd egy olyan e/emi

ketpolussal, amelynek karakterisztikaja azonos a helyettesitendd ketpolus

karakte risztikajaval.

Ez a gyakorlatban azt jelenti, hogy Uii uresjarasi feszultseguk es I, rovidzarasi aramuk megegyezik. Mint tudjuk: elemi aktiv ketpolusok a valosdgos fesziiltseg- es dramgenerdtor. Az aktiv ketpolusok helyettesito kepenek meghatarozasa a Thevenin, vagy a Norton tetel segftsegevel tortenik.

Thevenin.tetel:

• barmely aktiv ketpolus helyettesltheto egy valosdgos feszidtseggeneratorral; az ilyen helyettesito kapcsolast Thevenin helyettesito kipnek nevezziik.

Norton teteh

• barmely aktiv ketpolus helyettesitheto egy valosdgos dramgeneriuorral; az ilyen helyettesito kapcsolast Norton helyettesito kepnek nevezziik.

Az 1.9. dbra, egy aktfv ketpolus Thevenin es Norton helyettesito kapcsolasanak meghatarozasat szemlelteti.

6

1. Villamos aramk6ri ~Iapismeretek

u,l ,

uo=u,- U2 Rb=R, +R2

1.9. libra. Aktiv ketpolus helyettesito kepe

a) Thevenin helyetteslto kep: UII = Ug = UJ - U2 is Rb = RN = RJ + R2•

b) Norton helyettesitd kep: 1/1 = I, = UIII Rg is Rb = RI{ = RJ + R1.

A Thevenin helyettesitd kep elemeit ugy hatarozzuk meg, hogy kiszarnftjuk a helyettesitendo ketpolus uresjarasi feszultseget (Vi) es eredo belso ellenallasat (Rb). A meghatarozott ket adat megfelel a Thevenin generator forrasfeszultsegenek (Vg) es belso ellenallasanak (Rg).

A Norton helyettesito kep meghatarozasa ugy tortenik, hogy kiszamftjuk a helyetresitendo ketpolus rovidzarasi aramat (Ir) es eredo belse ellenallasat (Rb). A meghatarozott adatok megfelelnek a Norton generator forrasaramanak (Ig) es belso ellenallasanak (RC>-

A valosagos fesziiltseg- es aramgenerator egymassal is helyettesitheto, a helyettesito kapcsolasokra vonatkoz6 szabalyok figyelembevetelevel ( 1.10. dbra ].

Ha az aktiv ketpolus tobb fesziiltseg- vagy aramgeneratort tartalmaz, a kovetkezo szabalyokat kell betartani:

• egy lepesben csak azonos tipusu generatorokat szabad osszevonni;

• csak sorosan kapcsoIt fesziiltseggeneratorok es parhuzamosan kapcsolt aramgeneratorok vonhat6k ossze.

Vii=Vg V

I =_g

r Rg

Rb =Rg

Vii = Ig ·Rg I g = l ,

s, =Rg

1.10. libra. A valosagos feszultseg- es aramgenerator egymassal val6 helyettesftese

7

1. Villamos aramkM alapismeretek

Szuperpozfcio tetel

Ha egy halozatban tobb feszultseg es aramforras talalhato es a halozat valamely pont jan keressiik a feszultseg erteket, akkor celszeriien ugy jarhatunk el, hogy az aktiv forrasok mindegyikehez tartozo feszultseg-osszetevot kiszamitjuk, majd ezeketBsszegezzuk, A szarnitasok soran - egy kivetelevel - az osszes tobbi forrast mindig zerus ertekunek tekintjiik es sajat impedanciajaval helyettesftjUk.

Cir Szamitasi pelda:

Hatarozzuk meg az 1.11. abran lathato aktiv ketpolus Thevenin es Norton helyettesito kepet!

_l!g2 __

1.11. libra.

A feladat rnegoldasa a kovetkeze lepesekre bonthato:

• a ket: feszultseggeaeratort.osszevonjuk es kapunk egy U s, forrasfeszultsegu es Rg4 belso

ellenallasu, eredd'fesznltseggeneratort (1.l2.a. abra ):

U g, = U 111+ U '2> es R8, = Rill + Rg2

R R
Ug4 t t
I Rg5
,
a) b) c)
1.12. libra. • az U g4 forrasfeszultsegu fesziiltseggeneratort, atalakitjuk aramgeneratorra (1.12.b. abra):

U

I· =~ es R =R .

85R lis s,

s,

• meghatarozzuka ket.parhuzamosan kapcsolt aramgenerator eredojet (1.l2.c. abra):

Ig = Ig + Ig es !?g = Rg X Rg .

6· 3 5 6 3 5

• a kapott aramgeneratort atalakftjuk fesznltseggeneratorra (1.13.a. abra}:

8

1. VillamOS aramkorl illapismeretek

Rg I

·IO·····~

Ug I I U

, - ~

b)

c)

1.13. abra,

• meghatarozzuk az ellenallasok eredojet es megkapjuk a Thevenin helyeuesito kepet (1.13.b. dbra):

U g = U g. es Rg = Rg6 + R .

• a Thevenin kepet felhasznalva, meghatarozzuk' a kapcsolas Norton helyett-esito /cepet (l.l3.c. abra):

Ug

I =- es termeszetesen, Rg = Rg. g Rg

1.3. Negyp61osok

A negypolusok: olyan - tetszdlegesen bonyolult - elektromos hdlozatok, amelyek negy villamos csatlakozoponual rendelkeznek. Az l.I-t.abra a' negypolus rajzjelet szernlelteti. A berajzolt feszultseg- esaramiranyok a szabvanyos pozitiv meroiranyoknak felelnek meg. A negypolus bemenete, amely az UI - II parameterekkel jellemezheto, energidt vesz fel, a kimenet, amelynek parameterei U2 - lz , energidt ad le.

N.P.

BEMENET

KIMENET

1.14. abra, A negypolusok rajzjele

Ha a negypolus tenyleges feszultseg-, vagy aramiranya a szabvanyossal ellentetes, akkor ez negativ elojelet eredmenyez a megfelelo parametereknel. A negypolusok, szerkezeti elemeik fuggvenyeben lehetnek:

• Aktiv negypolusok; amelyek legalabb egy aktfv aramkori elemet tartalmaznak.

• Passziv negypolusok; csak passzfv aramkori elemeket tartalmaznak.

• Linearisnegypolusok; minden aramkori elemuk linearis.

• Nemlinedris ntgYl?(#usok; amelyek tartalmaznak nemlinearis aramkori elemet is.

• Szimmetrikus negypplusok: kimenetUk es bemenetuk minden kovetkezmeny nelkul

felcserelheto (J.l5.a. libra). .

• Foldszimmetrikus negypolusok; bemeneti es ezzel egyidejiileg kimeneti kapcsaik minden kovetkezmeny nelkul felcserelhetok (1.15.b. libra).

9

1. Villamos aramkori alapismeretek

a) b)

1.15. libra. Negypolusok

a) szimmetrikus negyp6lus b) fbldsrimmetrikus negypolus

1.3.1. A negyp61usok parameterei

Egy negypolus meghatdrozottnak tekintheto, ha bemeneti es kimeneti fesziiltsege (UJ, U2) es drama ( II' 12 ) ismert. A negypolus negy elektromos jellemzoje egymas fiiggvenye. Barmely ket adat ismereteben a masik ketto meghatarozhato, ha adott a negypolus kapcsolasa, A kovetkezokben linearis negypolusok elektromos jellemzoivel foglalkozunk, amelyek egyrnasnak linearis fuggvenyei,

A negypolusok parameterei olyan allandok, amelyek segitsegevel a kimeneti es a bemeneti jellemzok koziitti fiiggvenyrendszerek fellrhatok. Ezek az egyenletrendszerek a negypolus karakterisziikus egyenletei. Az egyenletrendszerek felirasara es ebbcl a parameterek meghatarozasara osszesen hatfele lehetoseg nyilik. Ennek megfeleloen hat kiil6nbOzo negypolus parametert kulonboztetunk meg. Ezek koziil a legfontosabbak az:

CJ impedancia ( z ) parameterek, CJ admittancia ( y ) parameterek, CJ hibrid ( h ) parameterek,

CJ inverz hibrid ( d ) parameterek.

Mivel a szamitasokat altalaban valtakozo aramu korokben vegziink, ezert kisbetiis jeloleseket alkalmazunk.

A Dt!gyp6lusok impedancia ( z ) parameterei

. A negypolus impedancia parametereit meghatarozo karakterisztikus egyenletrendszer, a kovetkezo formaban Irhato fel:

UI =zlloil +z12 ·i2 u2 =z21°il +z22·i2

Az egyenletrendszerben a z allandok, a negypolus impedancia parameterei. Az else egyenletben a bemeneti feszultseg szerepel a bemeneti es kimeneti aram fuggvenyeben, a masodik egyenletberi pedig a kimeneti fesziiltseg. Az egyenletekbol a negyimpedancia parameter ertelmezhetove valik, ha kifejezziik oket. A ZII parametert kifejezve, a kovetkezo kifejezest kapjuk:

10

1. Villamos aramkori alapismeretek

Mivel a kifejezett parameter a ZI2 parameter fuggvenye is feltetelezzuk, hogy az i2 kimeneti dram nul/a. A feltetelt: a kifejezesben is jelolve kapjukaz alabbi osszefuggest, amely ertelmezheto fizikai tartalornmal rendelkezik:

~jG'----N-·~-·--,t

1.16. libra. A ZII parameter ertelmezese

A ZII parameter a negypolus bemeneti impedanciajat kepviseli, abban az esetben ha a kimeneten nem folyik aram, vagyis nyitott kimenet eseten (1.16. dbra). Hasonl6 eljarast alkalmazva, a tobbi impedancia parameter is kifejezheto,

Az impedancia parameterek kifejezesei, a kovetkezok:

- Bemeneti impedancia nyitott kimenet eseten.

-Atviteli (transzfer) impedancia nyitott bemenet eseten.

U2 I

z21 =-.-

'I i2 = 0

-Atviteli (transzfer) impedancia nyitott kimenet eseten.

U2 I

z22 = -.-

'2 il = 0

- Kimeneti impedancia nyitott bemenet eseten.

A parameterek index jelolesenel az elso szam, a tort szamlalojaban talalhato mennyiseg bemeneti ( 1 ) vagy kimeneti ( 2 ) voltara utal, mig a masodik szam a tort nevezojeben levo rnennyiseg azonos tulajdonsagara, Egy negypolus impedancia parametereinek kiszamftasa az elobbiekben ismertetett meghatarozasok szerint tortenik.

r3r Szamitasi pelda:

Hatarozzuk meg az 1.17. abran lathato negypolus impedancia parametereitl Adatok:

R,

~ ~

RI = 1 kQ R2 =2 kQ R3 =3 kQ

1.17. libra.

11

1. VHlamos "arnlcari alapismeretek

Mego/chis:

Alkalmazzuk az impedancia-parametereket meghatarozo ikepleteket. Az abrakon a meghatarozando impedancia parameternek megfelelo aramkori viszonyok szerepelnek.

1.19. libra.

" i

1.20. libra:

1.21. libra:

A negypolusok admittancia ( y ) parameterel

A negypolus karakterisztikus egyenletei ebben az esetben:

t, = Yll ·u, - YI2 ·U2 i2 = -hI ·uI + Y22 ·u2

Az egyenletekben megjeleno negativ elojel arra utal, hogy a kifejezesben szereplo egyik villamos jellemzo iranya ellentetes a pozitiv meroirannyal. Az admittancia parameterek - hason16 gondolatmenetet kovetve mint az impedancia parameterek meghatarozasanal - a kovetkezok:

12

1. Vitlamos aramkOri alapismeretek

- Bemeneti admiuancia riividrezdrt kimenet eseten.

-Atviteli (transzfer) admiuancia rovidrezart bemenet eseten.

-Atviteli (transzfer) admittancia rovidrezart kimenet eseten.

- Kimeneti admittancia riividrezdrt bemenet eseten.

C7 Szamitasipelda:

Hatarozzuk meg az 1.22. abran lathato negypolus YII es YI2 pararnetereit!

Adatok:

R,=lkQ

R2 = 2kQ R3 =3kQ

1.22. libra.

Megoldas:

1.23. libra.

1.24. libra.

1,5 mS.

1 mS.

i,

.,8]",

13

1. Villamos aramkori alapismeretek

A negypolusok hibrid ( h ) parameterei

A megfelelo karakterisztikus egyenletek, a kovetkezok:

UI = hll ·il +hl2 'u2

i2 =- ~I·il +~2 'U2

A hibrid (vegyes) parametereket meghatarozo kifejezesek:

- Bemeneti impedancia rovidrezdrt kimenet eseten.

- Fesziiltsegvisszahatas nyitott bemenet eseten.

- Aramerifsitisi tinyezif rovidrezdrt kimenet eseten.

- Kimeneti admittancia nyitott bemenet eseten.

A meghatarozasi osszefuggesekbol lathato, hogy a hibrid parameterek fizikai tartalma kiilonbozo; a hl2 es h21 parameterek dimenzi6 nelkuli, a hll es h22 parameterek viszont mertekegyseggel rendelkezo mennyisegek. Ez a teny magyarazza a hibrid parameterek elnevezest,

r:ir Szamitasi pelda:

Hatarozzuk meg a 1.25. abrdn lathato negypolus hl2 hibrid parameteret!

1.25. libra.

Megoldas:

Meghatarozas szerint:

14

Adatok:

RI = 1 kQ

R2 =2 kQ R3 =3 kQ

=>

1. Villamos aramkori alapismeretek

1.26. libra.

Az u, fesziiltseg a feszultsegosztas torvenyet felhasznalva fejezheto ki, az U2 feszultseg fuggvenyeben,

A negypolusok inverz hibrid ( d ) parameterel

A megfelelo karakterisztikus egyenletek, a kovetkezok:

i, = d, ·u, -d'2 ·i2 u2 = d2, ·u,+d22 ·;2

Az inverz hibrid (fordftott vegyes) parametereket meghatarozo kifejezesek:

- Uresjarasi bemeneti vezetlfkipessig (Id, ds,=S).

- Rovidzartisi aramvisszahatas.

- Uresjarasi JeszUltsigerlfsitisi tinyezlf.

-:

- Rovidz6rtisi kimeneti ellen61lils ([ d22]S'=.Q)

A meghatarozasi osszefuggesekbol lathato, hogy az inverz hibrid parameterek fizikai tartalma kiilonb6zo; a d'2 es d2, parameterek dimenzi6 nelkuli, ad" es tiz2 parameterek viszont mertekegyseggel rendelkezo mennyisegek.

15

1. Villamos aramkOri alapismeretek

A negypolusok fesziiltsegatvitele

A negypolusok vizsgalata soran lenyeges szempont, hogy milyen a negypolus elektromos jelatvitele. Azaz: a bemenetre adott feszultseg jelalakja milyen a kimeneti jelalakhoz kepest.

A bemeneti jel amplitridovaltozasat a negypolus erositese hatarozza meg. Meghatarozas szerint a JeszUltsigerosites (Au) egy mertekegyseg nelkuli mennyiseg, amely a kimeneti feszultseg es a bemeneti feszultseg hanyadosaval egyenlo:

E:IJ

Ha a feszultsegerosltes egysegnyinel kisebb, akkor csillapitasrol van szo es ezt a Jesziiltsegcsillapitas fejezi ki. A fesziiltsegcsillapitas a fesziiltsegerosites reciprokaval egyenlo:

I~"=:;·I

A miiszaki gyakorlatban a fesziiltsegerositest es feszultsegcsillapitast viszonyszamok helyett, logaritmikus meroszammal adjak meg. Ha a tfzes alapu logaritmust alkalmazzuk, akkor az erosites erteket bel-ben (B), vagy kisebb egysegeben decibel-ben (dB) kapjuk meg a kovetkezo osszefugges szerint:

a = 20 .lg!!L (dB).

Il u/

Amikor termeszetes (e) alapu logaritmust alkalmazunk, egy regebben hasznalt logaritmikus meroszamot kapunk a fesziiltsegerosites kifejezesere, Ez a neper (N). Ennek erteke a kovetkezo kifejezessel hatarozhato meg:

A ket Iogaritmikusegyseg kozotti osszefuggesek: 1 dB = 0,115 N es 1 N = 8,7 dB.

Az 1.1. tablazat, nevezetes fesziiltsegerosites es feszultsegcsillapitas ertekeket tartalmaz.

FESZOLTSEGEROsiTES . All FESZULTSEGCSILLAPfTAS II All
Linearis Logaritmikus Linedris Logaritmikus
1 o dB
..fi '" 1,4'1 3 dB 1I..fi '" 0,7 - 3 dB
2 6 dB 112 - 6 dB
3,16 10 dB 1/3,16 -10 dB
10 20 dB 1110 -20 dB
31,6 30 dB 1/31,6 -30 dB
100 40 dB 1/100 -40 dB
1000 60 dB 1/1000 -60 dB 1.1. 'tablazat,

16

1. Villamos aramkOri alapismeretek

Megfigyelheto a tablazatban szere~o ertekeket tanulmanyozva, hogy.a.fesziiltsegcsillapitas logaritmikus meroszama negativ elojelii, ami a logaritmus tulajdonsagabol adodik.

A fesziiltsegerositeshez hasonloan a negypolusnak igen fontosjellemze adata, a bemeneti es kimeneti aram nagy saga kozotti osszefugges, amelyet az aramerosites fejez ki. A negypolus aramerositese a kimeneti es a bemeneti aram hanyadosavalegyenle.

ED

,

I

decibelben kifejezve

A fesziiltseg es aramerosites egyiittes hatasat, a negypolus teljesitmenyerositese fejezi ki. A negypolus teljesitmenyerdsitese a kimeno teljefitmeny es a bemeno teljesitmeny hanyadosa.

P A =2. p p' i

u -i

A =_l__1_=A ·k·

p • U I'

ul ·'1

=>

Logaritmikusmeroszammal (dB-ben) kifejezve, - ha a negypolus bemeneti es kimeneti ellenallasa megegyezik - akkor:

JO·lgAp = 20·lgAu =>

I a p = 10· Ig A p ( dB ).

1.3.2. A negypolusok jellernzoinek frekvenciafUggese

Az elozoekben olyan negypolusokat vizsgaltunk, amelyek elemei nem tartalmaztak reaktans tagokat es jellemzoiket frekvenciafiiggetlennek tekintettiik. A reaktans tagokat (kapacitas, induktivitas) is tartalmazo negypolusok jellemzci (pl. feszultsegerosltesuk) frekvenciafuggok.

A frekvenciaatvitel jellernzesere a Bode-diagramokat hasznaljak, amelyek a negypolus feszultsegerositeset, valamint a fazistolast abrazoljak a frekvencia fuggvenyeben. Ezekben a diagramokban a feszultsegercsites logaritmikus egysegekent a decibel-t (dB), a frekvencia logaritmikus egysegekent a deklul-ot (D) hasznaljak. Egy tetszoleges j, frekvencia logaritmikus egysegekben kifejezett erteket a kovetkezo osszefugges adja meg:

Ix =Igt [D];

1" - viszonyftasi frekvencia.

A viszonyittisi frekvencia ertekenek megvalasztasa tetszoleges lehet de celszerii, hogy erteke a negypolus mukodesi tartomanyaba essen (rezgokort tartalmaz6 negypolusok eseten altalaban megegyezik a rezonancia frekvenciaval).

A leggyakrabban elofordulo frekvenciafuggo negypolusok az alulatereszto es a felillatereszto szur», A tovabbiakban ezekkel foglalkozunk.

17

1. Villamos aramkori alapismeretek

Alulatereszta szura

Az alulatereszto sziiro felepiteset az 1.27. libra mutatja.

1.27. libra. Alulatereszto szuro felepitese es vektorabrai

\

A feszultsegerosites:

A = u2 = Xc = Xc

II u1 Z ~R2+X~

A fazistolas negatfv, mivel a kimeneti feszultseg kesik a bemeneti feszultseghez kepest:

R

qJ = -arc tg-.

Xc

Abban az esetben mikor R = Xc :

A = Xc = Xc = _1_.

Il ~R2+X~ ~2.X~ ../2'

1

all = 20·lgAII = 20·lg r;: = - 3 dB; v2 _-

qJ = -arc tg: = =arc tg 1 = - 45° . c

Azt a frekvenciat, ahol Xc = R, az alulatereszto sztiro felso hatarfrekvenciajanak nevezzllk, mivel az ennel kisebb frekvenciaju jeleket engedi at.

It, = 2.1r~R.C I

Alacsony frekvenciak eseten, ahol R « Xc:

A = _l£_ = 1· es ai, = 20·lgA" = 20·lg1 = 0 dB.

II g _,

r:r Pl. O,l-szeres frekvencian (I = 0,1· If): x, = 10. R

All =1;

all = 20·lg1 = 0 dB;

R 1 60

qJ = - arc tg -- = - arc tg - = - .

lO·R 10 _

Nagy frekvenciak eseten, ahol R » Xc:

A = Xc = Xc

II 1-2 R· vW -

18

1. ViUamos aramkori aiapismeretek

Pl. 10-szeres frekvencian (I = 10· If): R = 10. Xc

_ Xc _ Xc 1 .

AI/ =R- 10· Xc 10'

a =20·lgA =20.lg_!_=- 20dB'

1/ 1/ 10 --'

qJ = +arc tg: = =arc tg 10 == - 840 • c

Az alulatereszto szUra Bode-diagramjat (l.i8. libra) megszerkeszthetjUk a meghatarozott adatok alapjan:

• a/tizistolOs azlf felso hatarfrekvencian - 45°; alacsony frekvenciakon OO-hoz, magas frekvenciakon pedig - 90° -hoz kozelft.

• afeszUltsegerosites a felso hatarfrekvencian tul 20 dls/dekad meredekseggel csokken.

au [dB)l

" 10.1,

_ g~: i--------<?-o....:'o'~~r-

-20 dB !~:~

I

I 1

I I

~_oJ

" I I

---r---

1

1- 45 °10

0,1.1,

1 [Hz)

..

f[O)

r -20dB/D

cp [O)t

OOr' ------------~I

_84° _90°

f [Hz)

- --.~

f[O)

1.28. libra. Alulatereszto sziiro Bode-diagramjai

FelUiatereszta szura

A felulatereszto sziiro felepiteset az 1.29. libra mutatja.

i1 C

~t---t----<)

I

u11 ,

R

A feszultsegerosites:

A =~= R

1/ u1 ~R2 + X~

A fazistolas:

1.29. libra. Felillatereszto sziiro felepltese

X

qJ = arc tg RC •

19

1. Viii amos aramkOri alapismeretek

Abban az esetben mikor R = Xc:

A = R = R =_1_0

" ~R2 + x'i: ~2oR2 J2'

1

a" = 20olgA" = 200lg ~ = - 3 dB;

't/2 --

Xc 1 45° 0

qJ = arc tg R = arc tg =

A frekvenciat, ahol Xc = R a felulatereszto sziiro also hatarJrekvencitijanaknevezzUk, mivel az ennel nagyobb frekvenciaju jeleket engedi at.

IJa=2onolRoC I

A felulatereszto sziiro Bode-diagramjai az 1.30. abrdn latharok,

au [dB] t OdB I -3dB-

-20 dB -

0.1.1. f. 10.f. f [Hz]

~~-------------- -~

f[0]

cp [0] 90° 1---------.

450 - - - - - - 45 °10

0" I~-:"c --cc=c~'-~\-_= f/~

1.30. abra. Feliilatereszto sztirdBode-diagramjai

20

1. Villamos aramk6ri alapismeretek

(jJ'" Szamitasi pelda:

Frekvenciafuggo negypolus szamh~sa (1. dbra).

c

1.31. abra,

Adatok:

R= 15kQ C=22nF

J = 723,43 Hz (a bemeneti jel frekvenciaja) A meghajto generator adatai:

ug = 100 mVeff rg = 2 kQ

Feladatok:

a) Hatdrozza meg az u, bemeneti fesziiltseg es az U2 kimeneti feszidtseg erteket!

b) Milyen fazishelyzetben van a kimeneti feszidtseg a bemeneti feszidtseghe: kepest?

Hatdrozza meg a Jazistolas nagysdgdtl

c) Mekkora az alulatereszto szuro feiso hatarfrekvenciaja? Hatdrozza meg ebben az esetben a feszidtsegerosites es a fazistolas nagysagdtl

d) Az 1.31. abra szerinti kapcsolast R, = 33 kQ -os ellenalldssal terhelve, hogyan alakithato ki az aramkorbol frekvenciafiiggetlen fesziiltsegoszto? Hatarozza meg .a kapcsoldst kiegeszitd alkatresz erteketl

Megoldas:

I

Xc =9 . == lOkQ

2·n ·22 ·10- ·723,43

ul = U. ~R2 + X~ = 100 . .J225 + 100 = 914 mV

g ~(R+rg)2+X~ .J289 + 100 ===,='==

X 10

u2 =u1' C =914· . =5069mV

~ R2 + xl: ' .J225 + 100 ===,='==

a)

b) A fazistolas negativ, mivel a kimeneti feszultseg kesik a bemeneti feszultseghez kepest (1.32. dbra):

1.32. libra.

R 15

qJ = - arctg-' = ~ arctg- == - 56°

x; 10

c) Az Xc = R feltetellel meghatarozhato a felso hatarfrekvencia:

I .

If ::: . . - 3 9 = 482,2 Hz

2·n·R·C 2·n·15·10 ·22·10-

21

1. Villamosaramkori alapismeretek

x X 1 R

A = c = c =- ({J=-arctg-=-arctgl =- 45°

u ~R2+X~ ~2.X~ .fi Xc

d) Az R ellenallassal parhuzamosan kellkapcsolni egy CR kapacitasu kondenzatort (1.33. abrai.

1.33. libra.

i,
--.-
I R iU2
u, ~ c f\
+ A frekvenciafuggetlenseg feltetele:

R·CR =R,·C.

C = C· R, = 22 .10-9 .33.103 = 48,4 nF .

R R 15.103 =

A fenti osszefiiggesbol, kapjuk:

W"' Feladatok:

1. Feladat: Passzfv negypolus szamftasa (1.34. abra)!

I, 12 Adatok:
-e-e--i.> R, R4 <~
I RI =1 kQ R2=2 kQ
Rs t2 R3=3 kQ Rt=4 kQ
R5=5 kQ 1.34. libra.

Feladatok:

a) Hauirozza meg az abran lathato negypolus zu ,Z/2 es Zn impedancia parametereitl

b) Hatarozza meg az dbrdn ltithat6 negypolus y/2, Y21 es Y22 admittancia parametereitl

c) Hauirozza meg az dbrdn lathato negypolus h21 es h22 admittancia parametereitl

d) Mekkora a kimeneti fesziiltseg erteke, ha a bemeneti fesziiltseg VI = 50 mY?

2. Feladai: Aktfv negypolus szamftasa (1.35. abra)!

Adatok:

Rt=3,3 kQ

- a generator jellemzoi:

Ug = 50 mY Rg = 2 kQ - a negypolus jellemzoi:

h" = 10 kQ hv: = 0

h21= 120 h22 = 150 J..lS

NP

1.35. libra. Feladatok:

a) Rajzolja Ie a negypolus h parameteres helyettesiui kepet!

b) Hatarozza meg VI es V2 erteket!

c) Hauirozza meg a negypolus bemeneti es kimeneti impedanciajat!

d) Hatdrozza meg a negypolus aramerositeset es Jesziiltsegerositeset logaritmikus mertekegysegben (dB-ben)!

22

2. Felvezet6 anyagok fizikaja

2. A felvezet6 anyagok fizikaja

2.1. Bevezetes

A szilard testek olyan kristalyos szerkezettel rendelkeznek, amelyben az atomok vagy molekulak szabalyos racsszerkezetben helyezkednek el; a szerkezeti egyseg (kocka, teglatest, stb.) a terben periodikusan ismetlodik. A kristalyracs csomopontjaiban elhelyezkedo atomok, a vegyertekelektronok reven kapcsolodnak egymashoz. Elektromos szempontb6l a szilard testek harem csoportra oszthat6k: vezetok, Jilvezetok is szigeteldk; Ez az osztalyozas a szobahomersekleten mert, r Jajlagos elektromos vezeus erteken alapszik. Ezen a homersekleten a fajlagos vezetesre a kovetkezo ertekek ad6dnak:

u r = ( 108 + 106 ~ ), vezetok eseten; m

o r = ( 105 + 10-9 ~.), felvezetok eseten; m

a r s ( 10-9 ~ ), szigetelok eseten, m

A szilard testek vezetokepesseget, bizonyos energiaviszonyok mellett megjeleno elektromos tolteshordozok hatarozzak meg. A szilard testekben levo elektrornos tolteshordozok jellemzesere a kvantummechanika torvenyeit alkalmazzak. A kvantummechanika az atomi es szubatomi rendszereknek a lefrasara kidolgozott atfog6 fizikai elmelet, amely hataresetkent tartalmazza a klasszikus mechanikat is, de alkalmas a nem folytonos, ugrasszeru valtozasokat mutat6 jelensegek Ieirasara is. Ennek megfeleloen az atomban levo elektronok potencialis energiaja es a hozzarendelt allando elektronpalyak csak diszkret energiaertekeketvehetnek fel.

A szilard anyagokban az atomok eros egymasrahatasa miatt az egyedi atomok diszkret energiaertekei kiszelesednek es energiasdvokban (megengedett energiaszintekt tomorulnek, amelyek tiltott savokkal (tiltott energiaertekeky vannak egyrnastol elvalasztva. Egy-egy energiasavon belUl viszont olyan sok megengedett energiaertek talalhato, hogy gyakorlati szempontb61 eloszlasukat szinte folyamatosnak lehet tekinteni. Az atom legkulso elektronpalyajanak energiaszintje maximalis erteku es vegyerteksavnak, vagy valenciasdvnak. nevezik. A vegyerteksavban talalhato elektronok a vegyertekelektronok, vagy valenciaelektronok.

Ha az atomot megfelelo nagysagu energiaval (ionizacios energia) gerjesztjtik, a vegyertekelektron kiszakad az atomi kotelekbol es a vezetesi savba kertil. A vezetesi savba kertilt elektronok (vezetes! elektronok), gyakorlatilag szabad tolteshordozokent viselkednek es az atomok kozotti terben mozogva novelik az anyag vezetokepesseget, A vegyertek- es a vezetesi say I<ozotti tiltott say szelessege meghatarozza az anyag vezetokepesseget, Az energiasavok szerkezetet vezetok, felvezetok es szigetelok eseten a 2.1. abra szernlelteti,

I1J Megjegyzes: Az elektronvolt (eV) az atomfizikaban hasznalt energiaegyseg. Azzal a mozgasi energiaval egyenlo, amelyre az elektron 1 V gyorsito Jesziiltseg hatasara tesz

szert (l eV = 1,6.10-19 J).

23

2. FtMvezet6 anyag&lk fi2il<llja

E

'.

'=""

x

a)

2,1. abra, Energiasavok szilard testekben a) vezetok b) !eivezetok c) szigeteldk '

b)

E

~ ~E>1;5 eV"'~Mna . "," '.' ,: : 1:::':·f' Vegy!!rtl!ksav

.•.. ':,.'fl::._.':~::., '~':1.ct<' ",,~.~~.:;:.\

VezeU!SJ\sI1v

c)

Vezetdk eseten a tiltott Say szelessege gyakorlatilag nulla ( < 0,2 eV ), ezert mar szobahomersekleten nagyon sok vezetesi elektronnal rendelkeznek. Felvezetok eseten a tiltott zona szelessege eLegge nagy ( 0,7 eV + 1,2 eV ), aminek kovetkezteben szobahomersekleten es vegytiszta allapotban kozelitoen szigetelok. Ha a felvezeto anyagok homerseklete no, akkor tobb vezetesi elektron keletkezik, amelyek a vezetokepesseg novekedeset eredmenyezik. Szigetelok eseten a tiltott zona szelessege olyan nagy ( > 1,5 eV ), hogy gerjesztes hatasara a vezetesi elektronok kepzodesenek valoszinusege nagyon kicsi, ezert vezetiJkepessegiik gyakorlatilag mdla.

2.2. Tofteshordoz6k felvezetoanyagokban

A felvezetok csoportjaba kemiai elemek es vegyiiletek is tartoznak. A legfontosabb felvezeto elemek a peri6dusos rendszer IVA csoportjaba tartoz6 germanium (Ge) es szilicium (Si) . A harem- es otvegyerteku elemekbol alkotott un. intermetallikus vegyiiletek (ket fern otvozetei) koz5tt olyanok is vannak, amelyek felvezeto elemkent viselkednek. Ezek kozul a legfontosabbak, a gallium-arzenid (GaAs) es az indium-antimonid (InSb).

, '_ /- ~o~Os "ilya

~ ~ - -;; FelvezetO~, - - - -, '~0.. atom b .. ·"

I "':~:' .. " I

\ ',', ' ' I

, ,

-:::--e-----------

L Elektron

a) b)

2.2. libra. Kovalens kotesek felvezetokben

a) (l kovalens kotes kialokuldsa

b) a szilfciumkrWaly hdromdlmenzios szerkezete

c) a kristalyrdcs jelkepes ketdimenzios (sikbeli] dbrdzoldsa

24

1,1 1,1 II

it it iT

__,_."tgl\·1 ~"_((;;\SI· . _ _. ((;;\S·I ._._. -.-~".----~--.~~--.---

t~ t+ t+

----((;;\S·I -'-((;;\S·I ----~S·I --.-

-·-f-·--l-·--f~-

- ~·-·((;;\SI· ---····((;;\SI· - .. -tgl\I· --.~

-.--.-~- .•.. --~-e-~--.---

t+ tt t+

c)

2. F8Ivezet6 anyagok flZ~aja

A felvezeto anyagok.tulajdonsagait azokon az anyagokon keresztiil mutatjuk be,amelyek atomjai kovalens kOtlsekkelkapcsol6dnak egymashoz. Egy kovalens koteselvi felepiteset· a 2.2.a. abra szemlelteti,

A kristalyszerkezet minden egyes atomja megosztja negy vegyertekelektronjat a szomszedos atomokkal ugy, hogy egy-egy elektronja a legkozelebbi atom egyik elektronjaval osszekapcsolodva part alkol. A kovalens kotesek egy szimmetrikus tetraederes (gyeman; tfpusu) szerkezet felepitesehez vezetnek, amely a kristalynak kulonleges erosseget es stabilitast kolesOnOz. A terbeli kristalyszerkezet (2.2.h. abra), a konnyebbattekintheteseg erdekeben egy ekvivalens sfk szerkezettel abrazolhat6(2.2.c. abra).

Mindket abrazolasm6dban minden egyes atomot negy szomszedos, azonos tavolsagra lev6 atom vesz koriiL Az atom negy vegyertekelektronja, negy kovalens kotest alkot a legkozelebbi szomszedos atomokkal; a kovalens koteseket ket parhuzamos vonal jelkepezi, amelyeken a kotesekben levo elektronok talaJ.hat6k.

Az alapvetd relvezet6 anyagokat (germanium es seilicium) az alapanyagokb61, fizikai es vegyi tisztltas revennyerik. A felvezeto eszkozok gyartasara nagytisztasagu monokristalyos ( egykristalyos) .. anyagokat, hasznalnak. A valosagos felvezeto kristaly rendszerint kis mertekben szennyezeanyagokat.es kiilonboz6 racshibakat is tartalmaz, amelyek.megnovelik az anyag vezetokepesseget,

2.2.1. A felvezetok sajatvezetese

Az olyan felvezetot, amelyben a szabad tolteshordozok. kizarolag ugy jonnek letre, hogy egyes elektronok a vegyerteksavbol a vezetesi savba kerulnek, szerkezeti (intrinsic) Jilvezetonek nevezzi.ik.

I I lyiJk . I I =®.'.~~'~.@=

,,\

H=--fl

- ~S·. -----. . ~S' - ,_~-~-

II II

II Elektron II

=®t~=

It : 'l~

Alyuk -.::-~ ;

mozgilsa '.! :'

- .. tC;i\S' - ~S' -

-~-~-

II, II

2.3. libra. Az elektronok es lyukak mozgasanak jelkepes abrazolasa felvezetOkben

A szilfcium egykristaly kristalyszerkezeteben minden elektront lekotnek a kovalens kotesek, egyetlen szabad elektron sines. Tudjuk azonban, hogy a szilard halmazallapotu anyagokban az aramvezetes, esak szabad elektronok utjan johet letre. Igy tehat a szilfcium egykristaly idealis szigetelo lehetne. A valosagban ez esak T = 0 K eseten, vagyis az abszolut nulla hornersekleten van Igy, mert ilyenkor nines olyan energia, amely mozgasban tarthatna az elektronokat. Amikor a' hdmerseklet az abszolut nullapontb61 kiindulva emelkedni kezd, az anyagba jutott h6energia reven szetbomlik egy~egy kovalens kotes. Szobahomersekleten mar akkora a hoenergia, hogy szamos valeneiaelektron kiszabadul kovalens kotesebcl, s ez az anyag vezetokepesseget megnoveli.

25

2. Feivezeto anyagok flZikaja

A kiszabadul6 elektron egy szetszakftott kovalens kotest [elekironhuinyt} hagy maga utan, Erre azt mondjuk, hogya kotesben egy lyuk keletkezik: Az igy letrej6vo viszonyokat sfkban, jelkepesen a 2.3. abra szemlelteti, A Iyuk egy negativ toltes hianyat jelenti, ezert a szomszedos atomok egyikebol magahoz vonz egy elektront. Ez az elektron szinten Iyukakat hagy maga.utan, vagyis elektromos ter hatasara az elektron a pozitiv, a Iyuk pedig a negativ p61us fele mozog, vandorol. Megallapfthato, hogy a Iyuk ebben az elmeletben tulajdonkeppen egy pozitiv t61tesu reszecskenek tekintheto, amelynek +e elemi elektromos toltese van. Meg kell viszont jegyezni, hogy a lyuk a szo igazi ertelmeben nem elemi reszecske es a felvezetok mukodesi leirasan kiwi nines ertelme.

A szetszakadt kovalens kotesekbol szarmazo elektron es lyuk, elektron-lyuk part alkot es a lefrt folyamatot elektron-lyuk par hohatas reventOrteno (termikus) kipzesenek nevezik.

A kristalyban mindenezabalyossag nelkiil, veletlenszenien mozgo elektron ha egy Iyukkal talalkozik, a szetbomlott, hianyzo kovalens kotesujra letrejon es az elektron, valamint a lyuk mint szabad vtolteshordozo megsztmik. Az ilyen folyamatot

. rekombinacwnak vagy ujraegyesidesnek nevezzUk. Termikus egyenstdyban a keletkezd es rekombinalodo tolteshordozok szama ugyanakkora idii alatt atlagosanegyenlo. A vezetesi elektronok keletkezesiiktol kezdvea rekombinaciojukig esak bizonyos ideig maradnak fenn, s ez idealisan felepftett kristalyban szazadmasodpercek nagysagrendjebe esik. Ennek ellenere a felvezeto anyagon beliil mindig talalunk az adott homersekletre jellemzo szamu szabad tolteshordozo parokat. Ezek a hohatassal eloidezett elektron-lyuk parok (termikus tolteshordozok) hozzak letre, a felvezeto sajdt (intrinsie)vezeteset. A szerkezeti felvezetok sajat vezetese, amely egyenesen aranyos a termikus tolteshordozok szamaval, exponencialisan novekszik a hdmerseklettel.

2.2.2. A szennyezeses felvezetdk tulajdonsagai

A felvezetotechnika a gyakorlatban ritkan hasznal tiszta, szerkezeti felvezetoket, alacsony vezetokepesseguk es nagymerteku hofilggesuk rniatt. A tiszta felvezetoket negativ homersekleti tenyezojii ellenallaskent (N'FCvellendllaskent] alkalmazzak, Egy tiszta sziliciumkristalyban a szabad tolteshordozok koncentracioja szobahomersekleten 1010 cm' ertekevel rendkiviil kicsi, szemben egy femvezeto mintegy uP em" elektronsiiriisegevel. A felvezeto anyag vezetokepessege ~ alacsony hiimersekletfiigges mellett - idegen atomokkal val6 szennyezessel novelheto, Ha az idegen atom mint tobblet szorulbe a kristaly atomjai koze, akkor intersticialls szennyezesrol, ha pedig be is epul a racsszerkezetbe, akkor helyettesito szennyezesrol beszelunk.

A helyettesito szennyezes kulonosen akkor lehetseges, ha a szennyezo atom vegyerteksavjanak szerkezete esak kismertekben kulonbozik a kristaly atomjanak vegyerteksav-szerkezetetol. A negyvegyerteku szilicium es germanium kristalyracsba igy olyan atomok eptllhetnek be, amelyek hdrom vagy at vegyertekelektronnal rendelkeznek. Az alapveto felvezetok eseten(Si es Ge) ket tipusu szennyezesnek van jelentosege:

• otvegyertekii szennyezoatomok: foszfor (P), antimon (Sb ), arzen (As), biszrnut (Bi);

• hdromvegyertekii szennyeztiatomok: b6r (B), aluminium (AI), indium (In), gallium (Ga).

A szennyezoatomok kiszoritjak helyukrcl a felvezetokristaly alapatomjait, de szamos vegyertekelektronjuk nem alkot kovalens kotest a szomszedos atomokka!.

26

2. Felvezetoanyagok fizikBja

A kristalyban ezek a kotetlen elektronok vehetnek reszt az aramvezetesben.. ezert a szennyezett felvezeto a homerseklettol fiiggetleniil j61 vezeti az aramot, Annak ellenere, hogy a szennyezes viszonylag kismertekii ( 10-5 -7 10-6 % ), ennek reven a szabad tolteshordozok szama 103 -7 106 -szorosara no, a termikus tolteshordozok ' szamahoz viszonyftva.

Az N-tipusu szennyezes

Feltetelezzuk, hogy egy szilfciumkristalyba otvegyerte/dl, azaz ot vegyertekelektronnal rendelkezo szennyezo atom (pl. foszfor -P) epal be. A szennyezo P (josifor) atom negy elektronja reszt vesz a szornszedos Si atomok elektronjaival letesftett kotesekben (2.4. abrai. Az otodik elektron, ameIyik nem tud racskotest letrehozni, csak lazan kotodik atorntorzsehez es fgy mar nagyon csekely energiakozlessel (a szobahomersekletnel sokkal kisebb homersekleten is), vezetesi elektronna valik. Az otvegyertekii szennyezoatomok mindegyike tehat egy szabad elektront hoz letre a kristalyban anelkul, hogy egyuttal Iyuk is keIetkezne, mivel hianyos kotes nem marad vissza, A kristalyracsba beepult P tipusu szennyezoatomok +e toltesu, pozitiv ionokkd vdlnak; mivel mozogni nem tudnak, fgy nem tekinthetok tolteshordozoknak.

Ha a kristalyban elofordulo szabad elektronok szama sokkal nagyobb, mint a Iyukak szama, akkor N-szennyezesii sziliciumrol beszelunk. Ai otvegyerteku foszfor atomot mivel elektront ad Ie donor atomnak, magat a szennyezest donorszennyezesnek is nevezziik.

Az elektronokat ebben az esetben tiibbsegi tiilteshordozoknak, a Iyukakatpedig kisebbsegi tiilteshordozoknak nevezziik. A szennyezett kristaly termeszetesen villamos szempontbol semleges marad, mivel a pozitfv toltesek osszege megegyezik a negatfv toltesek osszegevel.

II -(.;;\S· - -.- (.;;\S - •. ----@.----

- .~.-.- ~-- .. -- ,--

t t / ... ~H-"'\4 t t

·@·-·-.c-r;:;"\p ...... --{.;?\S·- __

... ! i .. {$5~~~-

---®i .·.- .. ------@i ... -·/.-.-@·--- .

... -. - --~.-- , ... -

II II.! I

I!

I I

i i

2.4. libra. N-tfpus(j vezetes szilfciumkristalyban ionizalt, otvegyertekfi szennyezes (P) kovetkezteben

Az N-t{pusu szennyezeses felvezetokben a vezetesi elektronok egy resze a donor atomoktol, mas resze homozgas reven szarmazik. Abban a homerseklettartomanyban, ahol a felvezetoket altalaban hasznaljak, a szabad elektronok szama gyakoriatilag nemsfilgg a termikus tolteshordozok szamatol.

27

2. Fell/szetO anyagoi< fizikaja

A p. tipusU szennyezes

A szerkezeti felvezeto anyagok vezetokepessegenek novelese harem vegyertekti szennyezoatomok (pI. aluminium, bor vagy gallium) kristiilyracsba val6 beepftesevel is elerheto. A b6ratom pI. - amelynek harem vegyertekelektronja van a kiilso hejban - a szilfciumatomhoz hasonl6 nagysagu, es egy szilfciumatomot helyettesft a kristalyracsban. Ekkor csak harem kovalens kores johet letre, a negyedik kotesbol hianyzo elektron helyen egy Iyuk keletkezik (2.5. abra). Mar kis energiakozlesnel is lehetove valik, hogy valamelyik kozeli atom egyik elektronja erre az Ures helyre beugorjon es igy sajat helyet hagyja - lyukken: - betoltetleniil hatra, A keletkezett lyuk masik elektron szamara valik betolthetove es igy a lyuk a szokasos modon vandorolhat akristalyban,

2.S. abra. P-tCpusuvezetes szilfciumkristalyban ionizalt, haromvegyerteku szennyezes ( B ) kovetkezteben

A harom vegyerteku szennyezoatomok a lyukak letrehozasaval elektronokat vesznek fel, ezert akceptor vagy P-tipusu szennyezoanyagoknak nevezziik oket. A felvezetot Pszennyezettsegiinek; vagy p-tipusu Jelvezetonek nevezzUk. A Pstipusu felvezetok eseteben a Iyukak tobbsegi; az elektronok kisebbsegi tOlteshordoz6k.

2.2.3. Aramvezetes a felvezetOkben

A tOiteshordoz6k mozgekonysaga, vandorlasi sebessege

Homogen (egynemii) szennyezettsegu felvezetokben a tolteshordozok a racs-atomok kiilso elektronhejaval vagy mas szabadtolteshordozokkal val6 utkozeseik miatt homozgas reven rendezetleniil, veletlenszeriien mozognak a kristalyban.

Egyensuly eseten az egyik iranyba halad6 tolteshordozok szama megegyezik, a masik iranyba halad6 tolteshordozok szamaval, Igy ez a mozgas egeszeben tekintve nem hoz letre elektromos aramot.

. A tolteshordozok mozgSsanak felvezetekben - a hOmozgason kiviil - ket oka lehet:

• a tolteshordozt5k nem egyenletes, valtoz6 eloszlasukoncentracioja;

• egy belsd, vagy kiilso elektromos ter jelenlete.

28

2. Felvezet6 anyagok flZlkaja

A 2.6.a. dbra egy inhemogen (nem egyenletes) szennyezettsegti fetvezetOt mutat, amelyben a racsszerkezetbe beepult donor ionokat + jel, mig a vezetesi elektronokat pont jeloli, Az inhomogen szennyezettsegu felvezetokben a tolteshordozok mozgasa nem veletlenszeni, hanem arra iranyul, hogy egyenletesen kitoltsek a rendelkezesukre aIl6 teret. Az olyan tolteshordozo aramlast,amely koncentracio lctilOnbsegbol ad6dik, dif/uzWs dramnak nevezzUk. A diffuzios aram keletkezeset a 2.6.b. libra szemlelteti .

q

- ... x

-x

a) b)

2.6. libra. Elektronok diffUzi6ja kristalyban

a) konee!'trar;io kUlonb~¢g krist4iY.ka!l ~!?lAiflUzios 4ram JeIvezeti1 kristalyban

Az elektronok diffilzi6ja kovetkezteben a felvezeto kristaly egyes reszei kozott felborul az cilektfomos t81~sek -egyenst11ya, viszont 'az anyag egeszeberi -nezve .eIcl<tromos szempontbol semleges marad. Az elektromos tolteseleszlas valtozasa olyanbelso villamos teret hoz letre, .. mft~tyit~'f( hlifii~lta 15JteshofdoWKat er~eti helyukre kenyszei'iti vi§sza. Ez ai jelenseg -egy ujabbeiektromos' aramot hoz 'letre, ametyrrek iranya a -diffiizi6s aramevat ellentetes, de nagysaguk megegyezik. Ha a felvezeto kristalyban a tolteshordozok kitiintetett iranyu rnozgasa kUlso vagy belso elektromos ter hatasara jon letre, akkor ezt az aramot sodrasi dramnak vagy dri.jtQramnak nevezztik (drift == sodrodds). A driftaram keletkezeset egy kiilso E erossegii elektromos eroter hatasara a 2.7. libra mutatja.

E=O
ry @. .@ @

@. @- •
• @
0. @ @. @. a)

2.7. libra. Driftaram felvezetokben

.. ~I;-- _

q

.,.-----~

x

J) tiilteseloszlas, ha nines kulso vii/amos ter b) tolteseloszlas kUlso viI/amos erOter hatasara

b)

29

2. FetvezetOanyagokfizikaja

Az utkozesek kozotti idoben, az elektronokra a Coulomb-ibu: gyorsit6 ero hat

I F=-e,E.1

Ennek hatasara az tulagos elektronsebesseg (VN) ertekeegyenesen aranyos a villamos tererosseggel:

ahol a J..lN aranyossagi tenyezot az elektron mozgekonysaganak nevezzilk. A lyukak eseten - hasonl6 m6don - az atlagos sebesseg tv«) erteke:

ahol a J..lp aranyossagi tenyezot a lyuk mozgekonysag{mak nevezzuk. A lyuk J..lp mozgekonysaga - a lyukak fizikai termeszetebol kovetkezoen - mindig kisebb, mint az elektronok mozgekonysaga ( J..lN ). A 300 K homersekletu germaniumra, sziliciumra es gallium-arzenidre mersekelt tererosseg eseten az elektronok es a lyukak mozgekonysagat a 2.1. tdbldza: tartalmazza.

Elem J..lN J..I.p
..
Germanium (Ge) 3900 cm2 / V.s 1900 cm2/V.s
Szil£cium (Si) 1350 cm2/ V.s 480 cm2/V.s
Gallium-arzenid (GaAs) 8500 em? / V.s 435 cm2/ V,s 2,1.· t&bl8zat.

6V"' Osszefoglal6 kerdesek:

1. Milyen osszefugges van a tiltott say szelessege es az anyagok elektromos

vezetokepessege kozott?

2. Miert hasznalnak monokristalyos anyagokat a felvezetd eszkozok gyartasara?

3. Mit nevezUnk sajat vezetesnek?

4. Mit ertunk a rekombinacio fogalma alatt?

5. Mi jellemzo a szennyezeses vezetesre?

6. Melyek a kisebbsegi- es a tobbsegi tolteshordozok N-tipusu szennyezes eseten?

7. A tolteshordozok mozgasanak felvezetokben - a homozgason kivill - milyen okai lehetnek?

8. Mi a diffuziosaram es a sodrasi aram kozotti kulonbseg?

9. Mely tolteshordozoknak nagyobb a mozgekonysaga felvezeto anyagokban?

30

3. Felvezelo di6dcik

3. Felvezeto di6dak

3.1. A PN-atmenetek feh~pitase as mukodase

A felvezetoelemek felepiteseben P-tipusu es N-tipusu felvezeto retegek egyarant megtalalhatok. Ezek k6z6tt a kiil6nb6zo elektromos vezetokepessegu retegek kozott, a szennyezoatomok eloszlasanak a valtozasa lep fel.

Ha ez a valtozas nagy uivolsdgoti jon letre, nem tapasztalhat6k kulonleges tulajdonsagok es a ket szennyezett felvezeto reteg viselkedese egymastol fiiggetlen. Abban azesetben viszont, amikor a szennyezoatomok koncentraciojanak valtozasa a vezetes tipusanak megvaltozdsdval egy rnaximalrsan 1 urn szelessegii zonan jon letre, egy PN-atmenetet kapunk. A PN-atmenet lete es tulajdensagai alapveto jelentoseguek a felvezetoelemek legnagyobb reszenek mukodeseben.

3.1.1. A hatarreteg kialakulasa

Kepzeljunk el·, elmeleti modell celjara egy P es egy N-szennyezesii felvezetohasab egymashoz illesztesebol kialakitott felvezetot. Kezdeti idopontban a ket reteg elektromosan semleges. Az N-reteg szabad elektronjait a kristalyszerkezetben rogzitett helyzetii otvegyerteku donor ionok pozitiv toltese, a P-retegben talalhato Iyukakat a haremvegyertekii akceptor ionok negativ toltese semlegesiti. A ket reteg kozvetlen erintkezesi feluletenel a tolteshordozok koncentraciokulonbsege miatt bizonyos mertekii difJuzi6 induI meg (ldsd 3.1. dbra):

• az N-szennyezesii retegbol elektronok diffundalnak az atmeneten keresztiil a Pszennyezettsegu retegbe,

• a Iyukak viszont a P-szennyezettsegu retegbol atdiffundalnak az Nsszennyezettsegil retegbe.

Amikor az N-szennyezettsegii retegbol diffundalo elektron athalad az atmeneten, egy olyan tartomanyba kerul, ahol igen nagy a lyukak siinisege, A rekombinacio valosziniisege olyan nagy,hogy az elektron, mint szabad tolteshordozo rovid ido alatt megsziinik.

--N-zona-

TenOltesi

.. zOOa 1'-" .....

• _<3} ._<3} ._<3} <3} 8, 80+ 80+ 80+ ._<3} ._<3} ._<3}<3} 8 80+80+ 80+

:~: :~: :~~ ~~'j~ .. ~::~:: ~::

Bektron Donor ion Akceptor ion Lyuk

q,)

3.1. abra. PN-atmenet kialakulasa felvezetoben

a) tobbsegi tolteshordozok diffuzio]« b) tertoltesi zona kialakulasa

b)

31

3. Fetvezet6 dt6dak

Hasonl6 korulmenyek kozze kerUl a lyuk is az /V-szennyezettsegu retegben. Ilymodon az atmenet kornyezeteben - szennyezestol foggo szelessegben - Ii . felvezeto' kristaly tolteshordozokban elszegenyedik es egy tirtOitisii tartomany (hatarreteg) keletkezik, amelyet helyhez kotott donor-, illetve akceptor ion ok alkotnak. Ez az N-reteg pozitiv toltesu donorionjait61, a P-reteg negatfv akceptorionjai fele iranyul6 elektromos teret hoz letre. A tobbsegi tt>lteshordoz6kbQlaI16·diffuzi6s' ar.m nagysaga:az atmenet kt>rnyezeteben kialakuki eroter gyors novekedesenek hatasara fokozatosan csokken. Masreszt a kialakult eroter hatasara megindul a kisebbsegi tolteshordozok aramlasa, tehat az N oldalon talalhato lyukak es a P oldalon talalhat6' elektronok ·arama. Az elektromos ter altaI atsodort kisebbsegi tolteshordozok ugynevezett sodr6dOsi tirama igen csekely.

A tobbseg! tolteshordoz6k tovabbi diffUzi6ja aszomszedos teriiletek fele megsziinik es kialakul egy energiaegyensdly, amely allando szinten tartja az atmeneten a potencialkUlt>nbseget.

A tertt>ltesi tartomany, vagy mas neven PN-fltmenet, a valosagban egy nagyon vekony reteg, amelynek vastagsaga 1 urn es 10 nm kozott valtozik.

Az elektromos eroteret letrehozo ter-

", toltesitartomany ketoldalan kialakul egy

: : (1-) : bel so potencialgat, amelyet U D diffuzi6s

':,i, <:S" __u 1:,''''', --- ~ feszultsegnek, vagy kotuaktpotencialnak

nevezlink. Ennek nagysaga szilfcium

!: i felvezeto eseten (szokasos szennyezesnel), 0,6 + 0,7 V kortlli 6rtek. Akristaly ket vege kozott ez a feszultseg nem merheto, mert az erede aram nulla es kiilso hatasaban a kristaly elektromosan semleges marad.

A valosagban a ket reteg szennyezese a legritkabb esetben egyforma, ezert a tert51tesi tartomany a kevesbe szenynyezett teriileten nagyobb kiterjedesii, x

mint a nagyobb szennyezettsegii .retegbea.

Ez a jelenseg azzal magyarazhato, hogy a ket t6rtt>ttesi tartomanyban azonos ossztoltesnek kelliennie.

A 3.2. abra a PN-atmenet egyszenisitett sikrnodelljebol kiindulva, a kristalyon beliili tolteseloszlast, elektromos eroteret es diffuzios fesziiltseget abrazolja a tavolsag fuggvenyeben.

a)

q(x)

b)

c) I'M 1

~r!-------~

d) U(X} 1,-, I L-·_~'-: I-r.-.~~-_- __ - ~

3~2. libra. Arammentes PN-Btmenet a) sfkmodell b] tOlteselos1.k1s

c) a tererosseg d) a potencuu.

3.2'. A felvezet6dioda felepitese esmukodese

A felvezeto di6da olyan elektronikai felvezeto eszkoz, amely egy fem-, uveg- vagy muanyagtokba zart kivezetesekkel ellatott PN-atmenetet tartalmaz. Ez kiilso felepites szempontiabol egyike az elektronika legegyszerfibb epiteelemeinek. A di6da felepitese es szabvanyos rajzjele a 3.3. tibrtm lathato,

32

3. FelvezetO di6dak

An6d ~

O-~V11--------0

Kat6d

RajZjel

3.3. abra. A felvezetd dioda felepitese es rajzjele

A rajzjel haromszogresze a P-tartomanyt (anOd) szimbolizalja, mig a fiiggoleges vonalresze az N-tat;tomanyt (kat6d). A felvezeto alkatreszeket gyarto gyarak altalaban a di6da katodjat szoktak megjelolni. A vezetek iranyaba mutate csucs.a nyitoiranyu polarizalas esetenervenyes :iramiranyt (technikai dramiranyt) adja meg.

A PN-atmenet arakapcsolt fesziiltseg polaritasatol fuggoen nyito-, vagy zaroiranyban mukodtetheto, Nyitoiranyu a felvezeto dioda elcfeszitese (polarizalasay; ha a P tartomany (anod) az N-reteghez (katot!) kepest pozitiv feszultseget kap, ellenkezo polaritas eseteben zaroiranyi; elofeszitesrol ipolarizalasrots beszeliink. Ha a felvezeto di6da nyitoiranyu polarizalassal van bekotve a di6da altai kepviselt ellenallas nagyon kis ertekii, Zaroiranyu polarizalas eseten a di6da ellenallasa igen nagy erteku,

A di6da tehat nyitoiranyban atengedi az elektromos aramot, zar6inmyban pedig lezarja.

Ezek a tulajdonsagok azt mutatjak, hogy a felvezetd diodanak egyeniranyito hatasa van, amelynek miiszaki jelentosege nagyonnagy, A felvezeto di6da szerkezete es a szennyezett felvezete retegek geometriaja fiiggvenyeben tovabbi kiildnleges tulajdonsagok elerese valik lehetove. Ezek a tulajdonsagok teszik lehetove nagyon sok di6datipus megvalositasat,

3.2.1. A felvezeto di6danyit6iranyu elofeszitese (polariz6.lasa)

A di6da nyit6irany6 elofeszitese eseten (3.4. abra] a tertoltesi tartomanyban kialakult villamos tererosseg (Eo) egy alacsonyabb Eo-EF szintre gyengiil, mig a potencialgat erteke egy U D-U F ertekre csokken. A nyitoiranyu elofeszites csokkenti a diffuzios feszultseget, amely megakadaJ¥Q~ a tOQhsegi tolteshordozok vandorlasat.

A di6da nyit6irany6 karakterisztikajat a 3.5. dbra szemlelteti, Kis nyitoiranyu feszultseg eseten (UF < 100 mY) csak nagyon kis erossegii aram folyik, azaz a PN-atmenetmeg viszonyiag nagy ellenallasl1: A feszultseg novelese (U F > 1 00 mY) eleinte kismerteku aramnovekedest eredmenyez, majd egy bizonyos fesziiltsegszinttol (Si di6dflknal kb. 0,6 Y) nagyon eros aramnovekedes figyelheto meg.

Ameddig a kiilso U F feszultseg nem egyenlfti ki a diffuzios-feszultseg erteket, a di6da arama a nyitofeszultseg fuggvenyeben exponencialisan no.

A nyitoiranyu fesziiltseget tovabb novelve, - mivel a belso potencialgat .megsziinik - a diodaellenallaskent viselkedik es: a karakterisztika linearis jelleget mutat, .Ha a kiilso feszultseg erteke kompenz8ija a diffUzi6s feszultseg erteket,. a belso potencialgat megsziinik es a PN-atmenet ellenallaskent viselkedik. Ennek az ellenallasnak a nagysaga a felvezetd anyagat61 es szennyezettsegetol, valamint geometriai mereteitol ftigg.

A fesZtl~g-;1ram karakterisztika UF >. U D feszillts6gett6kekre gyakorlatilag linearisnak

tekinthet6. '

33

3. Felvezeto di6dak

+

- _ ...• --.-- -.
1~~~1
IF . I p I I I i N I IF
- t>
I Eo-EFI
a). I I~-- i
, I :
I I b).

I I I

I I

---I ··1-I I

I I

I I

-- -- -1---1-

I 1 I I

I I I I I

I I' I I

I- __ -..<l'''''rr-.f .- .--~-6-- -

-XPO -Xp XN XNO

3.4. libra. A di6da nyitoiranyu polarizalasa

a) a villamos eroter es a terto!tesj zona szelessege

b) a potencialgdt ertekenek vdltozdsa

IF ,rnA! 70 60 50 40 30 20 10

-.

x

0,2 0,4 0,6 0,8 1 UF ,V

3.5. libra. A di6da nyitdiranyti jelleggorbeje

A nyitoiranyu aram erteke fiigg a homerseklettol, mivel a homerseklet novekedesevel a termikus tolteshordozok szama exponencialisan no.

A kisebbsegi termikus tolteshordozok koncentracioja nem valtozik nyitoiranyu polarizalas eseten, igy az altaluk letrehozott aram az egyensulyi allapotnak megfelelo szinten marad. A tobbsegi termikus tolteshordozok elonyosebb helyzetben vannak, mint egyensuly eseten, mivel egy kisebb, - e· (U D - U F) ertekti - energiagatat kell lekiizdeniuk (e - az elemi elektromos tOltes nagysaga).

Ennek tulajdonfthato, hogy a tobbsegi . termikus tolteshordoz6kaltal letrehozott aramosszetevok erteke nyitoiranyu polarizalas eseten novekvo tendenciat mutat. A homerseklet novekedesevel a di6da nyitoiranyu karakterisztikaja balra tol6dik (3.5. abra).

3.2.2. A felvezetd di6da zar6iranyu elofeszitese (polariz61asa)

A diodazaroiranyu elofeszitese eseten (3.6. abra) a tertOltesi tartomanyban kezdetben kialakult villamos tererosseg (Eo) egy Eo + ER szintre felerosodik, mig a potencialgat erteke U D + - U I? ertekre no. A tertoltes] zona a felvezetoben a zar6ininyli fesziiltseg fuggvenyeben kiszelesedik (xR).

A kialakul6villamos ter olyan elrendezesti, hogy csak a kristalyban igen kicsi koncentracioban jelenlevo kisebbsegi tolteshordozokat szallithatja.

Ezert a PN-atmeneten zlir6iranyli polarizalas eseten nagyon kis erteku aram halad at, amelynek erteke gyakorlatilag fiiggetlen a rakapcsolt zarofesztiltsegtcl, Ezt az aramot zar6iranyu drttmnak vagy visszaramnak nevezzuk. Szilfciumalapti diodak eseteben ez az aram csak nA nagysagrenda,

A dioda jellemzo zar6iranyli karakterisztikajat a 3.7: abra szemlelteti, A zaroiranyu aram nagysaga, - mivel a kisebbsegi tolteshordozok szamatol fiigg .... a homerseklet novekedesevel exponencialisan no. Allando homersekleten nulla zaroiranyu feszultseg eseten a visszaram is nulla.

34

3. Felvezeto di6dilk

UR +

0------,

.~IR P

-

! IE +E.!

! ~.Q R __

I I I

a).

U4

I

UO+IURlr·

Uo

b).

··66

-Xp-Xpo XNO XN

.. ~

x

3.6. libra. Zaroiranyban polarizalt PN-atmenet

a) a villamos eroter es a tertoltesi zona szelessege

b) a potencialgat ertekenek valtozdsa

3.7. libra. A di6da zaroiranyu jelleggorbeje

A kisebbsegi tolteshordozok aramlasa mar igen kis zaroiranyu feszultseg eseten megindul es a visszaram nehany tized voltnal telftesbe kerul. A telftesi jelleg annak tulajdonithato, hogy bar a kisebbsegi tolteshordozok mozgasi energiaja novekszik de szamuk gyakorlatilag nem.

Az U R zaroiranyu feszultseget tovabb novelve a karakterisztikan egy kritikus feszultsegerteket erunk el (U Z - leloresi Jeszultseg), ahol a visszaram eloszor kismertekben, majd rohamosan novekszik. A karakterisztikanak ezt a szakaszat lelores; tartomdnynak nevezzuk. A gyors aramnovekedes ket jelenseg, altalaban egyUttes fellepesenek tulajdonfthat6:

1. Zener-Ietores: A kialakul6 villamos ter erohatasa elektronokat szabadit ki a felvezetokristaly kotesebOl, amelyek szabad tolteshordozekent reszt vesznek azaram Ietrehozasaban. A Zener-letores mindket oldalon erosen szennyezett z6naj6 diodakban lep fel tZener-diodak),

2. Lavinaletores: Ha a zarciranyu feszultseg nillep egy kritikus erteket (UZK)' a felvezetoben jelenlevo szabad elektronok akkora mozgasi energiara tesznek szert, hogy utkozeseik reven tovabbi elektronokat szabaditanak ki az atomi kotesekbol (ionizdljdk a kristalyracsban talalhato atomokat). Ennek kovetkezmenyekent lavinaszerii tolteshordozo-sokszorozas indul meg.

A lavinaletores a PN-atmenetek legfontosabb letoresi mechanizmusa, amely az atmenetben fellepd nagy eross6gii ( E '" 2 . 1 0 7 V ) villamos eroter hatasara alakul ki.

m

A PN-atmenet hirtelen kialakul6 nagy zaroiranyu vezetokepessege igen nagy aram kialakulasat teszi Iehetove, arnely jelentos felmelegedest okoz. A di6da vedelme erdekeben a fellep6 aramot feltetlemil korlatozni kell, es celszerii biztositani a megfelelohoelvezerest is. A felvezeto diodak altalaban iizemszeriien nem mukodnek a letoresi tartomanyban; kivetelt kepez a feszultsegstabilizalasra kifejlesztett, kulonleges felepitesii Zener-dioda.

35

3. F8Ivezet6 di6dflk

3.2.3. A felvezetd di6da teljes karakterisztikaja

A felvezeto diodak 1= f(U) karakterisztikajanak meghatarozasara alkalmas kapcsolast a 3.B. libra mutatja. Az alkalmazott feszultsegforras valtoztathato kimeneti feszultseget kell

biztositson. '

u~

ul ,

a)

3.8. libra. Aramkor a dioda I ::: If U) jelleggorbejenek felvetelehez

a) nyit6irtinyu karakterisnika meghatdrozasdra

b) zar6iranyu karakterisztika meghatarozdsdra

b)

A teljes karakterisztikat a 3.9. libra szernlelteti, a germanium es szilfcium alapanyagu diodak kozotti kulonbseget is bemutatva. A jelleggorbekbol meghatarozhato a diodak ellenallasa, FelvezetO diodaknal ket jellegzetes ellenallast kulonboztetunk meg, amelyek a kovetkezok:

• Egyenluamu ellenillllzs (RF)

~. ~

• Differencwlis eUenalllzs (rF)

A felvezeto di6da egyenaramu- es differencialis ellenallasara kiilonbozo ertekeket kapunk a karakterisztika kiilonbOzo pontjaiban. A dioda teljes karakterisztikajan negy kiilonbozo tartomanyt kulonboztethetunk meg:

• I. Letoresi tartomany

Jellegzetessege ennek a tartomanynak, hogy kis zar6iranyu feszultsegvaltozas hatasara nagy aramvaltozas kovetkezik be. Az egyenaramu- es a differencialis ellenallas erteke gyakorlatilag nulllmaktekinthetO. Az atmeneten atfolyo visszaram igen nagy erteket vehet fel, amelyet - a di6da tulterheles elleni vedelme erdekeben - feltetlennl korlatozni keU ..

• II. Zarasi tartomany

A karakterisztika ezen a szakaszan a visszaram telftesi jelleget mutat (az UR valtozasa minimalls mertekben befolyasolja a diodan foly6 igen csekely aramot). A felvezeto kristaly sajat vezetokepessegenek tulajdonithat6 visszaram nagyon kicsi; Si-diodak eseten nehany nA. Ge-diodak eseten nehany JAA. Az egyenaramu- es a differencialis ellenallas erteke ennek megfeleloen nagyon nagy: Ge-diodak eseten 0,1 + 10 M.Q, Si-diodak eseten 1 + 3000 M.Q. A di6da egyenfeszultseg es valtakoz6feszU1tseg eseten is szakadaskent viselkedik.

36

3. Felvezeto di6dilk

IF,rnA I

.70

:~

40~ 301 20 I

10j

-----.---~---- -------=- ......... -.----1"-----=--, .. ,-.-. , ---. - ... -------

0,6: 0,8 1 UF,V

I I I I I

I I I I I I I

I.

. I I I ,

II.

III.

IV.

I I I ,

100

3.9. abra, A germanium es szilfciumdiodak tipikus I = j( U) jelleggorbeje

• III. Nyit6iranyu tartomany, exponencialls szakasza ( UF 5 UD

A diodan foly6 aram a nyitoiranyu feszultseg novekedesevel exponencialisan no. APNatmenet -egyemiranu1eIleilAlhlsa ugyanakkor egyre kisebb lesz. Az UD kuszobfeszultseg erteke Ge-diodaknal kb. 300 mV, Si-diodak eseten pedig kb. 700 mV.

• IV. Nyit6iranyu tartomany, linearis szakasza ( Up ~ UD )

A diodan foly6 aram minimalls mertekben ftlgg a nyitoiranyii feszultseg valtozasatol. A di6da kisertekii (1 + 1000) elektromos ellenallaskent viselkedik.

3.3. Felvezet6 di6dak tipusai

A felvezete diOdak olyan elektronikai alkatreszek.oamelyek. egy PN-atmenetbOl es ket ohmos (jem-jelvezeto') csatlakozasbol epulnek fel. A dioda tokozasa a belso szerlrezet kiilso hatasokkalszembeni vedelmet, 3 mechanikai szerelhetoseget, az elektromos csatlakoztatast es a megfelelo hoelvezetest biztositja.

Nagyonsok kiiloilbOzo tipusu felvezetodioda letezik.: amelyek jellegzetes felepitese es elnevezese osszefuggesben all a betohott funkci6kkal es felhasznalasi terUleteikkel.

A feIvezetO retegek szerkezete es szennyezesi geometriaja ftiggvenyeben a PN-atmenet sok (3 gyakorlatban nagyon j61· felhasznalhato) kulonlegestulaidonsagot mutat. Ezek szerint megktllonboztetnnk: egyenirdnyitO di6ddkat, Zener-dioddkat, kapaciuisdioddkat; n1sdi6ddkat, Schottky-diOddkat, alagiudiodakat, fotodioddkat stb.

37

3. FelvezeW di6dflk

3.3.1. Egyeniranyit6 di6dak

Az egyeniranyftc diodak elnevezese abb61 ered, hogy a valtakozo aram egyeniranyftasara, azaz egyenaramma valo atalakftasara hasznaljak. Ezek a diodak a PNatmenetnek azt a tulajdonsagat hasznaljak ki, hogy gyakorlatilag csak nyitoiranyu polarizalas eseten vezetik az elektromos aramot, Az idealis egyeniranyfto di6da karakterisztikajat a 3.10. libra szernlelteti. Idealis vesetben a di6da nyitoiranyban rovidzarkent (nulla elleruilldsi, zaroiranyban szakadaskent tvegtelen nagy ellenallasi kell viselkedjen. A valosagos egyeniranyito diodak karakterisztikaja (3.9. abra) elter az idealistol, foleg magas zaroiranyu fesziiltsegek es eros nyitoiranyu aramok eseten.

Ennek ellenere a jomincsegu, valosagos egyeniranyfto diodak igen j61 megkozelftik az idealis tulajdonsagokat, mivel nyitoiranyban kicsi, zaroiranyban nagy ellenallast kepviselnek. A 3.1. tablazat egy kozepes teljesitmenyu germanium es szilfcium egyeniranytto .dioda fontosabb adatainak osszehasonlftasat tartalmazza. A tablazatbol megallapfthato, hogy a Gediodak egyetlen elonye a Si-diodakhoz viszonyftva a kisebb nyitoiranyu feszultsegeses erteke.

Egyeniranyito teljesftmenydiodak keszttesere a legalkalmasabb felvezeto anyag a szilfcium; kis teljesftmenyek eseten alkalrnazzak a germaniumot is.

3.10. libra. Idealis egyeniranyfto dioda jelleggorbeje

" Jellemzc5 Germanium-di6da Szillcium-di6da
Kuszobfeszultseg 0.2+0,3 Y 0,6 +0,7 Y
Visszararn tkozepes feszultseg eseteni 0,1 + 10 J..I.A 1 + 100 nA
Nyitoiranyu ellenallas (1 mm- feliiletii PN-atmenet eseten) 5+lOQ 2+50Q
Zar6iranyu ellenaIhl~ 0,1 + 10MQ 1 +3000MQ··
Maximalis zarofeszultseg ",200Y ",3000Y
A Pbl-atrnenet maximalis uzemi bomerseklete 80+90Co 150 + 200 Co
Egy_eniranyftasi hatasfok 98% 99,5 % 3.1. tabllizat.

Egy j6teljesftInenydi6danal fontos a nagy zarokepesseg es a kis nyitoiranyu veszteseg, amely a gyartas szempontjabol ellentmondast jelent. A nagy zarofeszultseg hosszu, gyengen szennyezett reteget igenyel, ami masreszt rossz nyitoiranyu tulajdonsagokhoz (nagy ellenallashoz) vezet.

A szilfciumalapu teljesftmeny-egyeniranyfto diodakat PIN-diOdizknak is nevezik. Az elnevezes utal a di6da szerkezeti felepftesere. A P1N-di6da harem kiilonbOzo tartornanybol all; idealis esetben sajatvezetesu I-z6nat (I-intrinsic) helyeznek el erosen szennyezett P- es N-reteg kaze (3.11. libra). A valosagban - a gyartastechnologia miatt - az I-z6na gyengen szennyezett retegnek tekintheto. A PN-atmenet a P+ reteg hatarfeluleten alakul ki, ha az 1- reteg N-szennyezettsegii es az N+ reteg hatarfeluleten, ha az I-reteg P szennyezettsegu.

38

3. FelvezetO di6dak

1 ~ A P+ IN+ szerkezet eseten a nagy letoresi

p+ N'" feszultsegertek a kis vezetokepessegu l-zona

I kovetkezmenye. Zaroiranyti polarizalas eseten a

mozg6 tolteshordozok elhagyjak ezt a reteget es

L- ...___'-- __. kialakul egy zarotartomany a ket eros en

szennyezett reteg kozott, A zarotartomanyban fellepo villamos tererosseget tehat a letoresi feszultseget is az I-reteg szelessege hatarozza meg. A nyitoiranyu mtikodes eseten az I-z6nat elarasztjak a mozg6 tolteshordozok, vezetokepessege megno es a di6da nagyon kis nyitoiranyu ellenallast kepvisel.

Az egyeniranyfto diodakat pontosan meghatarozott feszultseg esararntartomanyban vaI6 felhasznalasra tervezik. A diodakra vonatkoz6 adatJapok egy sor - a gyarto altal rogzftett - hatarertekadatot es uzemi parametert tartaImaznak. Ezeknek a di6da viII amos es termikus jellemzoire vonatkoz6 adatoknak a tullepese a felvezeto tonkremenetelehez vezet.

3.11. libra. PIN-di6da szerkezete

3.3.2. Zener-diodak

A Zener-diodak (vagy feszultsegstabilizalo diodak) a PN-atmenet azon tulajdonsagat hasznaljak ki, hogy kozelitoleg allando ertekii a zar6iranyit fesziiltseg a kivezetesei kozott, ha a letoresi tartomanyban miik6dik. Felepites szempontjabol a Zener-diodak kulonlegesen szennyezett sziliciumdiodak, amelyek veszely nelkiil uzemeltethetok a letoresi tartomanyban is. Ezeknel a diodaknal gondoskodnak arrol, hogy geometriailag tokeletes legyen az atmenet, csekelyek legyenek az ohmos vesztesegekes nagyon j6 Iegyen a hoelvezetes. Nyit6iranyit miikodesiik megegyezik a normalis Si-diodakeval. Zaroininyban a PN-atmenet szennyezesetolfuggo U zx Zener-Jesziiltsegig nagy ellenallast, a Zener-feszultseg elerese ullin kis ellenallast kepviselnek, A Zener-dioda felvezeto retegeinek szennyezese erosebb mint mas diodak eseteben, mivel a letoresi fesziiltsegszintet csokkenteni keU es megfeleloen "is erteku differencialis ellenallas csak igy erheto el.

A letoresi tartomanyban tapasztalhat6 kis ellenallasu allapot a mar emlftett Zener-hauis es lavinahauis egyuttes kovetkezmenye. Ennek ellenere tekintet nelkul arra, hogy az ati.ites valosagos mechanizmusa lavinajelensegen vagy Zener-jelensegen aIapszik , a PN-atmenet Zener-attoreserot beszelunk, A Zener-di6da feszultseg-aram karakterisztikaja es rajzjele a 3.12. dbrdn lathato. Ajelleggorbe fontosabb tartomanyai a kovetkezok:

• I. Nyit6tartomany

~yit6iranyu polarizalas eseten a Zener-dioda karakterisztikaja megegyezik egy kozonseges Si-di6da karakterisztikajaval (U D '" 0,7 V).

• II. Z6r6tartomany.

Nagyon kis ertekii zarasi aram folyik, amely a diodanak nagyonnagy zar6iranyit ellenallast , 10 + 1000 MQ) biztosft.

• III. Konyoktartomany.

Ebben a tartomanyban kezdodnek meg a letoresi jelensegek. Erosen szennyezett szilfciumdiodak letoresi fesznltsege 6 V -nal kisebb, es a letoresi meehanizmus alapja a Zener-letores, Gyengebben szennyezett atmenetben a Zener-letores magasabb fesztiItsegerteken (UZK > 6 V) kovetkeznek be, mint a lavinaletores, tehat az ut6bbi lesz a tenylegesen fellepo jelenseg.

39

3. Felvezeto di6(h~k

Vezetesi. tartomany

. ' Letoresl tartomany

--.-- .•.. ---~

UF.V

Zar6tartomany -Kony6ktartomany

Rajijel

II.

I.

:t t

a)

3.12. libra. AZenFr-di6da /;:j(U) jelleggorbeje es rajijele

a) jelleggiirbe b) szabvanyos rajzjel c) gyakran alkalmazott rajzje!

b)

c)

'IV. ~tifresi tartom{my

KiS feszUltsegvaltozas nagy aramvaltozast eredmenyez, Ezek a valtozasok hatarozzak meg a Zener-diede, -ebben a'tartomanyban ervenyesj- nagy on kis ~rtekii rz differencidlis elleridllasat. A Zener-di6da differencialis elleniitlasat a letoresi jelleggorbe meredeksege hatarozza meg. Erteke a' karakterisztika minden egyes pontjaban mas es mas ertekii, a

valosagos jelleggorbe enyhe gorbulete kovetkezteben. .

AU2_

TZ =, M";'

'--_ ...... --::z_-I ahol AUz a feszultsegvaltozas, AIz az aramvaltozas.

A differencialis eHenaJlaserteke aletOresi tartomanyban (tipikus ertek 1 + 100 Q) meghatarozza a Zener-di6da feszultsegstabilizalasi kepesseget. A iegkisebb differencialis ellenallassal (1 + 3~), tehat a legjobb feszultsegstabilizalasi kepesseggel a 7 + 9 V karakterisztikus Zener-feszultsegu diodak rendelkeznek.

Kis ertekii zaroiranyu aramok eseten a fesziiltseg eroteljesen valtozik az aram valtozasaval, tehat a differencialis ellenallas nagy ertekti. Ez magyarazza, hogy a Zenerdioda miikO#si t$tomanyanak also hatarat egy, IZl1Iin minimalls Zener-aram hatarozza meg (3.l3.b. dbra).

A fellepo aram erteke nem lepheti tul az IZmlJX maximalis Zener-arant szintet a di6da maradand6 karosodasa nelknl. Az ararnhatarolast a 3. I3.a. abranliithat6 modon, legegyszerubb egyellenallassal megvalositani,

Az UZK Jellelttt6.(karakterisztikus) Zener-jesziiltsegkint a gyart6k azt a fesznltseget 'adjak meg, arneIy eseten egy meghatarozott lZK zar6iranyu aram(dimldoon 5 rnA) folyik.

A miniinalis (IZmill) 6smaximalis (1z"UIX) Zener-aram kozott elhelyezkedo jelleggorbe szakaszt mukiides; tartomanynak nevezzuk.

40

3. F8Ivezeto di6dak

, , , , , , , , , ,

, , , , ,

.r C~Uz-

a) 3.13. libra. Zener-di6da

a) kapcsoldsa villamos aramkorben b) jelleggorbeje

b)

A Zener-diodak tulajdonsagai erdsen h6mersekletfiiggok. A letoresi fesziiltseg homerseklet valtozas hatasara bekovetkezo eltolodasanak abszolut erteke altalaban fokonkent nehany mY. A 3.14. abra tobb kiilonbozo Zener-fesztiltsegu dioda karakterisztikajanak homersekletfuggeset szemlelteti. A folytonos vonalak25 DC kristalyhomersekletre, a szaggatott vonalak 125 DC kristalyhomersekletre ervenyesek,

Uz,V

.... -

18 16 14 12 10 8

-T1=25°C

- - - - T2 = 125°C

3.14. libra. Zener-di6d8k h&nersekletfiiggese

6

4 2

40

60

80

100

,lz,rnA

A jelleggorbe Mmerseklettol val6 fliggesetaz ~homirsile1iti,.yer.Ovel jellemezhetjOk:

I ~2=u;-·*"·1

ahol Uu a Zener-feszultseg 25 DC-on, !:J.uzx a feszultseg eltolodasa es llTa zar6r6teg homerseIdetvitltozasa 25 DC-hoz viszonyitva. A homersekleti tenyezO megadja a Zenerfeszultseg eltolodasanak merteket DC-on kent.

41

3. Felvezet6 di6dak

Az alacsony feszultsegu Zener-diodaknak (UZK < 5 V) negativ-, a magasabb fesztiItsegueknek (UZK > 5 V) pozitiv a homersekleti tenyezoje (3.2. tablazat). Igen erdekes teny, hogy az 5 V-os Zener-diodak hofoktenyezoje kozelitoen nulla.

UZK (V) 3,3 3,6 3,9 4,3 4,7 5,1 5,6 6,2 6,8 7,5 8,2
uz,lO",,/oC -6 -5,5 -5 -4 -2 +1 + 2,5 +3,2 +4 +4,5 +4,8
UZK (V) 9,1 10 11 12-13 15-16 18-20 22-24 27-36 39-100 100-180 200
uz·IO"" rc + 5,1 +5,5 +6 +6,5 +7 + 7,5 +8 +8,5 +9 +9,5 +10 3.2. Tablazat.

A Zener-diodak legfontosabb adatai, amelyek a felvezetogyartok altai kozolt adatlapokon is szerepelnek a kovetkezok:

Hatdrertekek.

• legnagyobb megengedett tizemi ararn: -lzmax,

• legnagyobb megengedett vesztesegi teljesftmeny:

• a zaroreteg legnagyobb megengedett.homerseklete:

• tarolasihomerseklet-tartomany:

- Ptot,

-1j,

-T._

Jeliemzok

• differencialis ellenallas:

• Zener-feszilltseg:

• homersekleti tenyezo:

• hoellenallas:

= rz, -UZK,

- a.z,

-RthU'

A Zener-diodakat az elektronikai gyakorlatban feszultsegstabilizalasra es

feszultseghatarolasra alkalmazzak, Pozitiv- es negativ hofoktenyezojti diodak megfelelo soros kapcsolasaval hokompenzait Zener-diOdat kapunk, amelynek Zener-feszultsege megegyezik a sorosan kapcsolt diodak feszultsegeinek algebrai osszegevel, Az ilyen hokompenzalt diodak nagyon alkalmasak referenciafeszultsegek eloallitasara.

Zener-diodak parhuzamos kapcsoldsa a gyakorlatban nem megengedett. Parhuzamos kapcsolas eseten a megfelel6 mukodes tokeletesen egyez6 karakterisztikakat igenyelne, amely valosagos diodak eseteben nem val6sfthat6 meg.

3.3.3. Tiisdi6dak

A tusdiodak N-tipusu germanium vagy szilicium kristalybol epulnek fel. A felvezeto alapanyagb61 kis lemezt keszftenek, amelynek feluletere egy rug6s alakra hajlftott hegyes huzalt (((It) helyeznek es aramimpulzus segftsegevel osszehegesztik a kristallyal (3.15. abra). A huzal otvozoanyagkent'megfelelo akceptoratomokat tartalmaz(pl. wolframi; amelyek az aramimpulzus hatasara bekovetkezo eros felheviiles soran behatolnak az N-tfpusu felvezetokristalyba es nagyon kis atmer6jii (::::50 urn) es melysegii(:::: 10 urn) P-tfpusu tartomanyt alakftanak ki (3.15. abra). A ill hegye komi igy kialakul egy mikro-atmenet.

A ttis diodak nagy elonye, hogy az atmenet kicsiny feliilete miatt igen kicsi a retegkapacitasa (0,2. + 0,5 pF). Ezert alkalmasnagyfrekvencias mtikodesre is. A semleges retegek soros ellenallasa meglehetosen nagy (tobb tiztol, tobb szaz ohmig) ezert karakterisztikaja eleg erosen elter az idealistol,

42

3. Felvezet6 di6dak

-

z ~ zV'i. n

.. ~etes I wolfram to \ N -. Oveg

\N

. l_

P-tfpustl (8rtomany

3.15. libra. A tusdioda felepitese

A tiisdi6dAk egyik kulonleges tipusaaz aranytiis dioda, amely egyesiti a ttis es a retegdioda elonyeit, Keszitesekor N-tfpusu germanium lernezkevel osszeolvasztjak egy aranyhuzal csucsat, amely anyagaban valamilyen akceptort tartalmaz. A keletkezett PNatmenet feliilete es igy kapacitasa is alig nagyobb mint a tusdiodake. A kristaly eros szennyezese miatt az aranytiis diodak nyitoiranyu ellenallasa nagyon kicsi.

Az aranyttis dioda 30 + 50 MHz frekvenciahatarig alkalmazhato. A tusdiodakat es az aranytusdiodakat foleg a hiradastechnikaban alkalmazzak magasfrekvencias detektorokban, frekvenciavalto ararnkorokben es kapcsol6 aramkorok alkotoelemekent.

3.3.4. Kapacitasdiomik

A felvezeto dioda tertolt~si tartomanya a diodaval parhuzamosan kapcsolt kapacitaskent viselkedik. Az atmenet ket oldalan talalhato kiilonbOzo tipusu tolteshordozok paronkent elemi kondenzatorokat kepeznek (3.16. libra). Ezeknek az elemi kondenzatoroknak a parhuzamoskapesolasabol alakul ki az atmenet eredo kapacitasa, amelyet C. zar6retegkapaciuisnak nevezlink.

•.
/' --
Ii . /
P -:'-1+";+ N
'--- 1='-=/1" : -
- - + +
- - + + a)

b)

3.16. libra. Kapacitasdioda a)!elep{tes b) elemi kondenzdiorok

A zaroreteg-kapacitas a legtobbszor karosan befolyasolja a dioda mukodeset, mivel magas frekvencian kicsi impedanciaja rovidrezarja a PN-atmenetet, ennek egyeniranyito tulajdonsagat megsziintetve. Egy kondenzator kapacitasa harem tenyezotol fiigg: a fegyverzet feluletenek nagysagatol, a dielektrikumt61 es a fegyverzetek kozotti tavolsagtol. Ennek megfeleloen a zaroreteg-kapacitas nagysaga fiigg az atmenet feluletetol es szelessegetol, valamint a felvezetoanyag dielektromos tulajdonsagaitol. A tertoltesi tartomany szelessege a zaroiranyu fesziiltseg novelesevel megno, a kapacitas nagysaga ugyanakkor csokken, A di6da altal kepviselt kondenzator kapacitasa a zarofeszultseggel fordftott aranyban valtozo ertek.

43

3. Felvezet6 di6dak

• C, pf

200 --- 100 50 20'

~__ ____cL _ __ l[~1Qi] ~

UR• V 22 20 18 16 14. 1210 8 6 4 2 0

3.17. libra. A kapacir.iSdi6da aramkori jelolese

3.IS. abra •. A zaroreteg-kapacitas feszultsegfuggese, C =R UR)

A lcapacit4sdwdQk (mas neven varikap-di6dtik)kiilonleges felepitesu sziliciumdiodak, amelyek feszultseggel szabalyothat6 kapaeitaskent mukodnek. A 3.17. libra a kapacitasdiodak aramkori jeloleset szemlelteti, a 3.18. libra pedig jellegzetes karakterisztikat mutat be. Az osszefugges a zaroretegkapacitas es a zarofeszultseg kozott nem linearis. Eles PNatmenet eseten a zaroreteg-kapacitas a zarofeszultseg negyzetenek reciprokaval egyenld,

A kapacitasdiodak altai atfogott kapacitastartomany tipustol fuggoen: 1 + 300 pF. Ebben a tartomanyban a legkisebb es alegnagyobb kapacitas aranya legfeljebb 1: Slehet. A BB113 tipusjelzesu varikap diodana! Cs = 225 pF, ha UR:::: 1 V es Cs = 45 pF, ha UR = 25 V.

A kapacitasdioda aramkori hetyettesito kapcsolasat (eltekintve a kicsi soros induktivitas hatasat61) a 3.19. abra mutatja. A helyettestto kapcsolasban Cs a zaroreteg-kapacitas, Rs pedig a felvezeto kristaly soros ellenallasa.

A kapcsolas tg ~ vesztesegi tenyezoje:

Rs tg~=X'

cs

A kapacitasdioda josagi tenyezoje:

3.19. libra. Kapacitasdioda helyettesito kapcsolasa es vektorabraja

1 x; 1

Q s _

-tg~- s, -2·1r·j·C.Rs·

A josagi tenyezo nagysaga a kapacitasdioda kapacitasanak min6seget· jellemzi; idealis esetben Q = 00 • A kapacitasdiodak legfontosabb miiszaki adatai a kovetkezok:

• zaroreteg-kapacitas (kiilonbOzo zarofeszultsegekeseten): Cs,

.a di6da SOTOS ellenallasa: Rs (jellemzd ertek: 0,5 + 2 0),

• j6sagi tenyezo: Q (jellemzd ertek: J 00 + 500),

• zlit6iranyu feszultseg: U R (jellemzd ertek: 25 + 30 V),

• zar6iranyu aram: IR (jelle1nzo ertek: 50 + 100 nA),

• nyitoiranyu feszultseg: U F (jellemz6 ertik: 0,8 +0,9 V).

A kapaeitasdiodakat rezgokorok fesziiltsegvezerelt hangolasara 6s frekveneiamodulaciot megval6sft6 aramkorokben szoktak alkalmazni.

44

3. FelvezetO di6dak

A 3.20· abraa tCve vev6kesziilek haagoloegysegenek elvi \Kapcsolasat szemlelteti, A Zener-di6da ,altai szolgaltatott eg'yenfeszUltseget felhasznalva, . mindegyik adoallomashoz megfeleld fesziiltseg-ert&etallitunkbe aP. + P; potenciometerek segftsegevel.

L

3.20. libra. Kapacitasdi6dat tartalmaz6 hangoloegyseg elvi kapcsotasa

A beallitott feszultseg a megfelelo K. + K; kapcsol6kon keresztul, a DV kapacitasdiodara keriil. A dioda a zar6iranyil: feszultseg ertekenekmegfelele kapacitast .vesz fel es behangolja az LC rezgokort, A CIlS kondenzator egyenfeszaltseg-levalaszto, valamint valtakozd feszultseg csatol6 szerepet mit be.

3.3.5. Alagutdi6dak

Az alllgutdiOda egy nagymertekben szennyezett P++N'+ ~atmenetb61 all. A felvezeto lehet Ge, Si, vagy GaAs alapanyagu. Az alagutdioda fesztiltS6g~a~am karakteri'~ztikajat es ararnkori jeloleset a 3.21. libra szemlelteti,

a)

,

/1)

3.21. libra. Az alagutdioda a)jelleggorbeje b) aramkDrijelOlese

A felvezeto. retegek eros szennyezese kovetkezteben; milr kis zar6ininyil feszultsegek eseten is. kis eHenalhlsu alJapotba. kerul; nyit6iranyu polarizltllts .eseten jeJleggorbejen egy negatfv jelleggorbe-tartomany is kialakul,(PV -szakaszi.

APes V pontokat meghatarozo jellegzetes feszultsegertekek: '

• Up"" 50+ 100 mV es .Uv",,0,5+0,9V.

45

3. Felvezeto di6dilk

A karakterisztikanak ez a resze a kvantummechanikai alaguthatlls kovetkezmenye, A jelleggorbe P es . V pontja kozott a di6da differencialis ellenallasa negativ elOjelet vesz eel. Ezt a jelenseget nagyon elenyosen hasznalhatjak ki rezgokorok csillapitasanak megsziintetesere. A megfelelo hatasfok elerese erdekeben foleg magasfrekvencian (l + 100 GHz) alkalmazzak detekuildsra, rezgeskeltesre es erdsitesre.

3.3.6. Schottky-diodak

A Schottky"diodak egy Jem-Jelvezeto kozotti atmenet tulajdonsagait hasznaljak ki.

Felepftesuket a 3.22. abra szernlelteti, aramkori jelolesuket a 3.23. dbra mutatja.

Az N-szennyezettsegii felvezeto retegre vekony aranybevonatot visznek fel a fern vakuumban megvalositott parologtatasaval, A fern-felvezeto feliileten keresztiil diffuzios folyamatok indulnak el, amelynek soran az N-retegbol elektronok vandorolnak at a femretegbe. A diffuzio kovetkezteben az erintkezesi felulet ket oldalan tertoltesi-zona es ebben egy potencial gat (Schouky-potencialgatt alakul ki. A fem-felvezeto atmenet a PNatmenethez hasonl6an viselkedik.

Nyit6iranyu polarizalas eseten ("+" a femre es"-" a felvezetore) no a felvezetcbol a fernbe athalad6 elektronok szama; zaroiranyii polarizalas eseten az atmeneten athalado aramot a fembOl a felvezetebevandorlo elektronok hatarozzak meg.

I

3.22. libra. Schottky-dioda szerkezete

3.23. libra. Schottky-di6da aramkori jelolese

A zar6iranyu aram erteke igen csekely, A Schottky-di6da aramvezeteset a tobbsegi tolteshordozok biztosftjak, a tanulmanyozott esetben az elektronok. Nem leteznek kisebbsegi tolteshordozok a semleges tartomanyokban. A Schottky-di6daknagyon magas frekvenciakig (specialis tfpusoknal, tiibb GHz) mukodnek kielegitoen. Nyitoiranyu fesziiltsegesesiik csupan 0,3 +0,4 V, szemben a szilfciumdiodak 0,6 + 0,8 V-os feszultsegesesevel. Az elektronikai gyakorlatban foleg a gyorsmukodesti digitalis integralt aramkorok reszegysegekent alkalmazzak.

W'"' Osszefoglal6 kerdesek:

1. Mit ertunk kuszobfeszultsegen?

2. Miert nem zar tokeletesen a felvezeto di6da?

3. Melyek a Si-dioda es a Ge-di6da kozotti legfontosabb kulonbsegek?

4. Mit ertunk lavinahatason es Zener-hatason?

5. HoI alkalmazhato eredmenyesen a Zener diodak jellegzetes karakterisztikaja?

6. Mi hozza Jerre a di6da kapacitasat es mikor fejt ez ki karos hatast az alkalmazasokban?

7. Mit takar a negatfv differencialis ellenallas fogalma az alagutdiodak eseteben?

8. Miben kulonbozik egy Schottky-di6da felepftese egy hagyomanyos Si-di6da felepitesetol?

46

4. Bipolaris tranzisztorok

4. Bipolaris tranzisztorok

A tranzisztorok a legfontosabb felvezeto eszkozcsaladot kepviselik, mivel az elektromos jelek erosltesere kepesek. A tranzisztor(transistor) elnevezes az angol transfer-resistor szavakbolkepezett mozaiksz6, amely a felvezeto egyik fotulajdonsagara utal. Bipolaris tranzisztorokat legel6sz6r 1949-ben allitott elo az amerikai Bell laboratoriumban l.R. Haynes es W. Shockley, dejelenleg is nagyon fontos alkateleme a kiilonbozo elektronikai kapcsolasoknak es integralt aramkoroknek. A bipolaris tranzisztor mukOdese soran mindket tlpusu tolteshordozo (elektronok es lyukak)szerepet jatszik, ami a bipolaris elnevezest magyarazza.

A bipolaris tranzisztorok mukodese a PN-atmenet tulajdonsagain alapszik es letrehozhatok egyetlen atmenettel (egyatmenetii tranzisztor - UJT), vagy tobb atmenet (altalaban ketto) felhasznalasaval, A tovabbiakban a ket atmenettel rendelkezo bipolaris tranzisztorok felepitesevel, mukodesmodjaval es alkalmazasaval ismerkediink meg.

4.1. A blpolarls tranzisztor felepitese

A bipolaris tranzisztorharomelektrodas felvezeto eszkoz amely harem, egy kristalyban kialakftott, N-P-N vagy P-N-P elrendezesu, szennyezett felvezeto tartomanybol all (4.1.abra). Ennek megfeleloen megkulonboztetunk NPN, illetve PNP tranzisziorokat. Az egyes tartomanyok elnevezesei:

o emitter (E): a tolteshordozokat kibocsato elektr6da; [emittere; latin szo.jelentese: kibocsat]

o bazis (B): vezerlesre szolgalo elektroda.. [b4Sis; gorog szo.jelentese: alnp]

o kollektor (C): tolteshordoz6katgyiijto elektr6da. [collecta; latin szo.jelentese: gyiijtesl

N P N

E

C

E

P N P

C

8

EyC

B

B

Eye

NPN tranzisztor

4.1. abra. A bipolaris tranzisztorok feJepftese es rajzjelei

PNP tranzisztor

A tranzisztorok gyartasara germdniumot (Ge), sziliciumot (Si) es vegyidetkristdlyos felvezeto anyagokat (pI. gallium-arzenid == GaAs) hasznalnak. Geranium-tranzisztorokat napjainkban, - sok eldnytelen tulajdonsdga miatt - csak nehany kulonleges alkalmazasra gyartanak.

47

4. BipeI&rIs1ranzisztorok

A bipolaris tranzisztorok bazistartomanyanak hatasos sze~seg~ sokkal kisebb-mint a kisebbsegi tolteshordozok diffUzi6s' hosm,eze.-t· ~z a kozeps5 t8rtomany igen vekony felvezeto reteg a kollektor- es az emittertartomanyhoz viszonyitva. Az emitter es kollektor megkozelitoleg azonos szennyezettsegfi es mindket tipusu tranzisztornal erosebben szennyezett mint a bazistartomany, A bazis kicsi hatdsos szelessege es alacsony szennyezettsege miatt a szabad tOiteshordozok szama kicsi. Ez a t6ny a btizisretegnek kis vezetlJkepessege» kolcsonoz a masik kettohoz viszonyitva.

A rranzisztor szerkezeteben leva ket PN-atmenetkiilso fesziiltseg alkalmazasa nelktil megakadalyozza a retegek kozott a toltesbordozek aran'llasat. Normalis (aktiv) miikodes eseteben az emitter is a bdzis kOzOtti PN-atmenet vezetest iranyban; a bazis es a kollektor kOzOtti PN.:..fltmenet pedig zaroiranyban kell iizemelnie (4.2. abra). Kis jelii sziliciumtranzisztorok eseten a bazis-emitter feszultseg UBE '" 0,6 + 0,8 V, a kellektor-emitter feszultseg erteke altalaban U CE '" 5 + 18 V.

~--- ~-.

USE Ucs

NPN tranzisztor

- ---_. -- ---_----_.

-USE -UCB

PNP tranzisztor

4.2. Bbra. A bipolaris tranzisztorok elofeszitese

4.2. A blpclartstramlsetor rnukodese

4.2.1. Aramok a tranzisztorban

A tiibbsigi tiilteshordozOk aramlasa

Az NPN es PNP tranzisztor elvi mukodese megegyezik, ezert elegseges ha az egyik tipusu tranzisztort hasznaljuk a fizikai mtikodes bemutatasara. A bipolaris tranzisztor miikodeset a mar emlitett ket tipusu tolteshordozo biztositja. A PNP tranzisztorok tobbsegi tolteshordozoi a lyukak, kisebbsegi tolteshordozoi az elektronok. Az NPN tranzisztorok eseten az elektronok a tobbsegt tolteshordozok; a lyukak pedig kisebbsegi tolteshordozokent

viselkednek. .

A 4.3. abra egy PNP-tfpusl't tranzisztor tobbsegi tolteshordozoinak aramlasat szemlelteti, ha a tranzisztor polarizalasa a normalis mukodesnek felel meg. A bazis-emitter atmenet nyit6 iranyu elofeszitese lehetove teszi az emitter tartomanyban talalhato tobbsegi tolteshordozo lyukak rendezett mozgasat ( le ), athaladasat a hatarretegen es a bazistartomanyba valo kerulesuket. A bazistartomany gyakorlatilag kiuruett retegnek tekintheto a kollektor-bazis atmen:et iar6iranyil elofeszitese;: a bazisreteg kicsi szennyezettsegees vekonysaga miatt. Ennek }(ovetkeztehen a bazistartomanyba jutott lyukak elenyeszo resze (0,1 + 5 % -a) rekombinalodik az itt talalhato elektronokkal es letrehozza a kis ertekii bdzisaramot ( I B)'

48

4. BipoI8ris tranzisztorok

+

+

--

-UCB

4.3. abra. Tobbseg] tOiteshordoz6k aramlasa PNP tranzisztorban

Mivel a lyukak a.bazistartomanyban kisebbsegi tolteshordozonak szamftanak, - a baziskollektor (B-C) .atmenet zaroiranyri polarizalasa miatt - diffuzioval a kollektor tartomanyba aramlanak es letrehozzak a kollektor elektrodan kereszti.il az Ie kallektoraramot. A tranzisztor tobbsegi tolteshordozoi tehat, aramelagazdst hoznak letre, melynek osszetevoi az emitterdram; ~ bazisaram es akollektordram: Az emitteraram a kollektor- es a bazisaram osszegekent ad6dik:

(4.2.1.)

A 4.2.1. osszejUgges ervenyes marad az ertekek kis valtozasa, vagy valtakozo aram eseten is:

A tranzisztorban letrejovo aramelagazast, egy arameloszldsi tenyezovel Jejezik ki:

EIJ egyenaram es I a = :~ ·1 valtakozo aram eseten

Itt A a tranzisztor nagyjelt1, vagy egyenaramu aramerositesi tenyeZOje, (X pedig a kiSjelt1 vagy valtakozo aramu aramerositesi tenyezOje. Szamertekuk kozelitoen megegyezik es ez a legtobb tranzisztornal 0,95 + 0,999 koze esik. A meghatarozott aramerositesi tenyezok

figyelembevetelevel: .

I Ie = A ·1 E' j egyenaram es

lIB = (1- A) . IE' , egyenaram es

I ic = a, i E -, valtakozo aram eseten;

liB = (1 - a) . i E I valtakozo aram eseten,

49

4. Bipot8ris tranzisztorok

A tranzisztorokon harem feszultseg lep fel (4.4. abra): az U CE kollektor-emitter feszultseg, az U BE a bazis-emiuer feszultseg es az UCB a kollektor-bazis feszultseg. Ezekre a feszultsegekre Kirchhoff masodik tiJrvenyenek megfeleloen

ervenyes a k6vetkezo egyenlet:

I UCE =UCB+UBE·I

-USE -- ~Ue~--- A tranziszsort az U BE bazis-emitter feszultseg reven az

IB bazisaram vezerli. Segftsegevel valtoztathato az

4.4. abra. A PNP tranzisztor emitterben aramlo lyukak (PNP tranzisziori, iIletve

feszultsegei es aramai elektronok (NPN tranzisziory mennyisege, ami az emitter es vegso soron a kollektoraram erteket meghatarozza,

Ha UBE = 0 akkor, IB = 0 es Ic = O. Ekkor a kollektor es az emitter szakasz ellenallasa nagy, tipikus erteke szilfcium tranzisztorok eseten 10 + 100 MQ koze esik. Ha a tranzisztor bazis-emitter feszultsege tullepi a bazis-emitter hatarreteg zarofeszultseget (sziltciumtranzisziornal kb. 0,7 V), megindul a bazisaram. Az UBE feszultseg es az 18 bazisaram novelesevel az lc kollektoraram no es a kollektor-emitter szakasz ellenallasa fokozatosan csokken. Az UBE es IB adott erteken a tranzisztor teljesen kivezereltte valik es a kollektor-emitter szakasz ellenallasa eleri legkisebb erteket,

A tranzisztor felepiteseLol fuggcen, a minimalis ellenallasertek kb. 20 Q -t61, 200 Q -ig valtozhat, A kollektoraram erteke - a fizikai mukodesnek megfeleloen - csekely mertekben fiigg a zaroiranyri U CB kollektor-bazis feszultsegtol.

--_._ ... _.-

Ie C-----l>

A tranzisztor alkalmas tehdt arra, hogy a kollektordram nagysdgdt, - amely sokkal nagyobb lehet mint a bazisaram - a kis ertekii bazis-emitter fesziiltseg es bdzisaram segitsegevel vezereljiik:

A klsebbsegi tolteshordoz6k aramlasa

A tobbsegi tolteshordozok altal letrehozott aramok mellett a tranzisztor mukodeset a kisebbsegi tolteshordozok altai letrehozott aramok (maradekdramok vagy visszdramok) is befolyasoljak. A maradekaramok zaroiranyu elofeszites eseten folynak az atmeneteken, A bipolaris tranzisztorok eseteben harem maradekaramot kulonboztetunk meg:

• lEBO - a lezart bazis-emitter atmenet visszarama; normalis rmikodesnel nem lep fel;

• IcBO - a lezart kollektor-bazis atmenet visszarama; normalis mukodesnel is jelen van;

• lCEO - az IB = 0 feltetel mellett, a kollektor-emitter kozott foly6 maradekaram; normalis mtikodes kozben is folyik.

A tranzisztor harem maradekaramanak meresi elrendezeset, a 4.5. abra mutatja. Az ICBO maradekaram zavarja a tranzisztor normalis rmikodeset, mivel iranya ellentetes a vezerlo bazisarammal es erteke jelentos homersekletfuggoseget mutat. Kozepes teljesitmenyii germanium-tranzisztorok eseten az IcBO maradekaram , .. IA nagysagrendjeben van; szilfciumtranzisztorokban ket-harom nagysagrenddel kisebb.

Az lCEO maradekaram.jelenlete normal mukodes kozben keyes zavart okoz, mivel iranya megegyezik a tobbsegi tolteshordozok altal letrehozott kollektorarameval,

50

B

4. Bipolaris tranzisztorok

E

P N P

a)

c

E

4.5. libra. A bipolaris tranzisztor maradekaramai

b)

c)

4.3. A blpolarls tranzisztor alapegyenletei

Osszegezve ismereteinket: - a tranzisztorban normalis miikodes kozben foly6 aramokra vonatkozoan a 4.6. abra alapjan a kovetkezo alapegyenieteket irhatjuk fel:

lIB =(l-A)-IE -ICBo·1

E

8

(4.3.1.)

(4.3.2.)

(4.3.3.)

c

+

p

N

p

(1-A)·'E·

+

4.6. libra: A bipolaris tranzisztorban folyo aramok osszetevOi

Az egyenletek ervenyesek maradnak, kis valtozasok es kis amplitudoju valtakozo dramok eseten is:

I.ic= a..iEo,!

I in = (1- a.). i E· I

51

4. SipolBris tranzisztorok

Az IE erteket kifejezve a 4.3.3. egyenletbol es behelyettesftve a 4.3.2. egyenletbe, a kollektoraramra az:

osszefugges ad6dik. Itt B = ~, a btizistiramra vonatkoztatott nagy jelii-, illetve I-A

egyentiramu tiramerositesi tenyezo, amely egynel j6val nagyobb ertek ( mivel A ~ 1).

4.4. Alapkapcsolasok

... . " .. ~ .. .. ".

A tranzisztorok legfontosabb alkalmazasi teriilete a kis feszultsegszintu jelek alakhii

eresitese; erositi tulajdonsagait-celszeni negypolussa alakitva vizsgalni, Mivel a tranzisztor harem elektrodaval rendelkezik negypolussa ugy alakithat6, hogy egyik kivezeteset kozosnek tekintjiik a kimenet es bemenet szempontjabol. Ennek megfeleloen harem alapkapcsolast kulonboztetunk meg, amelyek elnevezese a kozos elektroda nevebol szarmazik. Ezek a kovetkezok:

o kozos bazisu kapcsolQ.s vagy baziskapcsolas (4.7.a. abray;

o kozos emiueres kapcsolds vagy emitterkapcsolas (4.7.b. abra);

o kozos kollektoros kapcsolas vagy kollektorkapcsolds (4.7.c. abra).

I

1 1

,- - - - - - ~ 12

I <J----

1 - 1

I

1 1

a)

4.7. libra. A bipolaris tranzisztor alapkapcsolasai

b)

c)

A tranzisztor fizikai mukOdese minden alapkapcsoldsban azonos. Az egyes alapkapcsolasokban, csaka tranzisztor kiilso 'jellemzoi valtoznak meg. A negypoluskent abrazolt tranzisztor egyertelmuen jellemezheto a ki- es bemeneten fellepd feszultsegekkel es aramokkal. A negy jellemzot' osszekapcsolo filggvenyek grafikus abrazolasa reven kapjuk a tranzisnor karakterisztikau tjelleggorbeit), Ezek igen szernleletesse teszik a tranzisztor jellemzoit egy adott alapkapcsolasban,

4.5. A tranzisztor jelleggorbei

A tranzisztor negypoluskent valo targyalasa negy jelleggorbe-tipus meghatarozasat teszi lehetove, amelyek a kovetkezck:

52

4. Bipolaris tranzisztorok

1. Bemmm jeUeggorbe: - a bemeneti feszultseg (Vt) es bemenetiaram (It) kozotti kapcsolatot szernlelteti, ha a kirneneti feszultseg (V2) allando:

It = I(Vt) IU2 =/(1)11,,1.

2. Kimeneti jelleggorbe: - a kirneneti feszultseg (V2) es kirneneti aramV2) kOzotti osszefuggest tukrozi, ha a berneneti aram (II) allando erteken van:

12 =/(V2) I/,=kollst.

3. Aramokra vonatkozo atviteli (transzfer) jelleggiirbe: - a kirneneti aram (/2) es a berneneti aram (/t) kapcsolatat szemlelteti allando kirneneti feszultseg (V2) eseten:

12 = 1(11) IU2 =kl1llSl.

4. Feszidtsegekre vonatkozo atviteli (trllnsifer)jelleggorbe: - a bemeneti feszultseg (Vt) es a kirneneti feszultseg (V2) osszetartozo ertekeit adja meg, ha a berneneti aramot (/t) allando erteken tartjuk:

VI = I(V2) Ii, = konst .

A gyakorlatban az atviteli karakterisztikakat ritkan hasznaljak, mivel az elso ket jelleggorbebol megszerkeszthetokes ezert nern tartalmaznak uj adatokat.

4.5.1. A tranzisztor jelleggorbel baziskapcsolasban

A tranzisztor baziskapcsolasaban fellepo fesziiltsegeket es aramokat a 4.8. abra szernlelteti,

1'"'--------1

, ,

, ,

o--__"'-~ 1.---i-, ---0

U"'j i

Ie

<}. __ .-

4.S. libra. Baziskapcsolasban fellepa feszultsegek es aramok, NPN tranzisztor eseten

Bemeneti jelleggdrbek

A bemeneti karakterisztika ebben azesetben az emitteraram (IE) es a bazis-emitter feszultseg (V BE) kozotti kapcsolatot ti.ikrozi allando kollektor-bazis feszultseg (V CB) biztosftasa mellett (4.8.a. libra). A jelleggorbe - hasonl6an egy nyitoiranyban rniik6do di6da aram-feszultseg jelleggorbejehez - exponencialis valtozast rnutat. Ha az alkalrnazott bazisemitter feszultseg nillepi a kiiszobleszUltseg erteket, az emitteraram a feszultseg novelesevel exponencialisan no.

53

4. Bipolaris tranzisztorok .

A szilfciumtranzisztorok kuszobfeszultsege a 0,6 + 0,7 V ertektartomanyban lehet, a ritkabban alkalmazott gerrnaniumtranzisztorok kuszobfeszultsege 0,2 + 0,4 V kozott valtozik,

RJDleoetijeUeggorbek

Kimeneti mennyisegek az Ic kollektoraram es az UCB kollektor-bazis feszultseg. A kimeneti jelleggorbek (4.B.b. abra), a kimeneti mennyisegek kozotti osszefuggest fejezik ki kiilonbozo emitteraramoknal. Minden egyes jelleggorbe meghatarozott emitteraramokra ervenyes.

lIel, (rnA)1

8 /1-=·· ......... ----r--;- ......... T=] lIel= 8 rnA .

J.--+-1 -i--+-t--1 6 rnA

L. .. - ···_l~···_· _ .. -4-...._+._+-"1 4 rnA

---1----- .. _-+

IIII .... --!---+--+--+-., 2 rnA

III~,_-i-_+-_··_-+II _ .. .; _Ir-· _ .. -I. 1 rnA

I

.. IIIIJL.~-+=-+ -+ ---i----! IE= 0 .~

-0,5 2 4 6 8 10 IUesl, (V)

5

a)

4.9. libra. Jelleggorbek baziskapcsolasban

a) bemeneti jelleggiirbek: b) kimeneti jelleggorbek

b)

A kimeneti jelleggorbe megkozelitoen vizszintes egy adott IE ertekre, tehat a kollektoraram nagyon kis mertekben fiigg a kollektor-bazis feszultseg nagysagatol. Azaz a fizikai rmikodesnek megfeleloen, a kollektoraram zaro, telitesi jelleggel rendelkezik.

4.5.2. A· tranzisztor jelleggorbei emitterkapcsolasban

Az emitterkapcsolas eseten fellepo feszultsegek es aramok a 4.10. abrtui lathatok.

Ie

<J---~

I

---------

4.10. libra. Emitterkapcsolasban fellepo feszultsegek es aramok, NPN tranzisztor eseten

54

4. Bipolans tranzisztorok

Bemeneti jelleggorbek

Bemeneti parameterek ebben az esetben a bazis-emitter feszultseg (U BE) es a bazisararn (/B)' A berneneti jelleggorbeta 4.11.a. dbra szemlelteti. Hasonloan a baziskapcsolashoz, ez is nyitoiranyu di6da jelleggorbe,

Kimeneti jelleggorbek

Az emitterkapcselasnak megfelelo kimeneti jelleggorbek. a 4.11.b. abran lathatok.

Kimeneti parameterek az Ic kollektoraram es az U CE kollektor-emitter feszultseg. Az egyes jelleggorbek meghatarozott bazisaram-ertekre ervenyesek, amelyet a karakterisztika felveteIe soran allando erteken kell tartani. Ha IB = 0, akkor a kollektoraramot az Ic = (1 +B).IcBO maradekaram alkotja. Ez szilfciumtranzisztorok eseten elhanyagolbat6 erteket kepvisel,

Tranzisztorokkal a valosagban csak megkozelitoen lehet linearis erositot keszlteni, ehhez a kimeneti- illetve bemeneti jelleggorben szukseges egy meghatarozott munkapontot kijelolni, Egyszenisiteskent a szamitasokhoz a munkapont kiireleben a jelleggorbeket erintdikkel helyettesitjiik. Az erintok meredekseget differencidlis jellemzoknek vagy kisjelii parametereknek nevezzuk.

300

Uce=12V UCE =8 V UcE=5V

IICI, (rnA) t

20 1--( IIBI = 100 jlA

:: ~:·;O~-br_"""~"" __ ",j,,_ =_~=_.-±_""_"" __ ::i .. =-:-1 : ~

20 jlA

o ,"==,"=,.".",,=....j,.,.,=+---..,...,.[ Q)lJ\_ _

12 16 20 IUcEI, (V)

5 -----

200

100

0,2

0,6

._j-.---~--

1 IUBEI, (V)

4 8

a)

4.11. libra. Jelleggorbek emitterkapcsolasban

a) bemeneti jelleggorbek b) kimeneti jelleggorbek

b)

A bemeneti jelleggorbe meredeksege egy adott P pontban, az rBEdifferencilllis bemeneti eUenaJldst adja meg (4.12.a. dbra), Meghatarozas szerint a differencialis bemeneti ellenallas:

!:l. U BE ~,

rBE=~I, '

B Ua= aIJand6

ahol LlUBE a bazis-emitter feszultseg valtozasa, MB a bazisaram valtozasa ha UCE = allando. Az abran szerkesztett derekszogu haromszog, amelynek atfogoja a gorbehez a P pontban huzott erinto, tetszoleges mereta lehet. A kollektoraram erteket a kollektor-emitter feszilltseg fuggvenyeben az TeE dijferencilllis kimeneti elleruUltls adja meg:

!:l.UCE I

rCE =--- .

!:l.Ic U8I;:=alJand6

55

4.B~sttanZlSztorok

Az elobbi osszefuggesben t1U CE a kollektor -ernitter feszultseg valtozasa, ill c it kollektorararn valtozasa, ha UBE =.allando. A differencialis kimeneti ellendllas tulajdonkeppen, a kimenetijelleggbrbe meredeksege egy adott P munkapontban,(4.12.b. dbra).

lIel.(mA)

,--_.-LO -.+-- -- -_- _

Uo IUBEI. (V)

a)

4.11. libra. Differencialis ellenallasok grafikus meghatarozasa

a) a differencidlis bemeneti ellenallds meghatarozasa

b) a differencialis kimeneti ellendllds meghatarozdsa

b)

Aramokra vonatkoz6 atviteli (transzfer) jelleggorbek

Az aramokra vonatkoz6 atviteli jelleggorbeket aramvezerl6sijeUeggorbeknek is nevezik.

Ezek ebben az esetben, a kollektoraram es a bazisaram osszetartozo ertekeit adjak meg, allando UCE feszultsegnel.. A 4.J3.a. dbra kiilonbozo kollektor-emitter feszultsegekhez tartozo aramvezerlesi jelleggorbeket mutat. J6 minosegu tranzisztorok jelleggorbeje a kezdeti reszen kozel linearis, majdkisse felfele hajlik. A 4. 13.b. abra az aramerositesi teny~ok meghatarozasat szemlelteti egy adott munkapontban.

, lIel. (mA)~

419

----

lIel. (mA)

---- ....

o

20 40 60 80 100 120 lIel• (~)

-_ a)

4.13. libra. Ararnvez.6r1~sijellegg()r~k

A P munkapontra vonatkoz6 B egyendrami: erositesa jelleggorb~rolleolvashat6, mivel:

E[J

b)

56

4. Bipolaris tranzisztorok

Az osszefuggesben Ie a kollektoraram es 18 a bazisaram. Tehat az aramatviteli karakterisztikanak megfeleloen a kollektoraram elsa kozelitesben aranyos a bazisdrammal. Az aramatviteli jelleggbrbe meredeksege egy adou P' munkapontban az ott ervenyes ~ differencialis aramerilsito tinyezt1t ,hatarozza meg. Meghatarozas szerint a differencialis aramerosltesi tenyezo a Me kollektoraram-valtozas es a M8 bazisaram-valtozas hanyadosa:

Az aramerositesi tenyezok nem allandok, hanem a kollektoraram erteketoI fiiggnek (4.14. abra). Ertekiik a kollektoraram novekedesevel eroteljesen csokken, A teljesitmenytranzisztorok aramerosltesi tenyezojenek maximuma amper nagysagrendti aramoknal van, de erteke lenyegesen kisebb, mint a kisteljesitrnenyii tranzisztorok eseten.

B, (3 ,

400

100 I

I

o L~.

1~ 0,01 0,1

.L. 10

100 Ie' (mA)

300

200

4.14. abra, Kisjelu tranzisztor egyenaramu- es differencialis aramerositesi tenyezojenek valtozasa, a kollektoraram fuggvenyeben

4.6. A bipolaris tranzlsztorok m Oszaki adatai

A muszaki adatok a tranzisztor iizemi jellemzoit adjak meg. A gyartok a tranzisztorok adatlapjain kiilonbOzo adatokat adnak meg, amelyek a felhasznalas szempontjabol elengedhetetleniil szUksege~k. A tranzisztor mukodeset egy adott munkapontban az elobbiek soran mar meghatarozott emitterkapcsolasra ervenyes jeladatok jellemzik:

- differencialis bemeneti ellenallas:

- differencialis kimeneti ellenallas:

- differencialis aramerositesi tenyezo,

A kollektor- es bazi~am aranyAt kifejezo B egyenaramu erosltesi tenyeza, melyet kiiIonbozo munkapontokra adnak meg, szinten fontos jellemzoje a tranzisztomak:

57

4. Bipolaris tranzisztorok

Tovabbi fontos, maradekaramokra vonatkoz6 jellemz6 adatok a.kovetkezok:

- kollektor-bazis maradekaram; nyitott emitter eseten;

- kollektor-emitter maradekaram; a bazis es emitterkozotti rovidzaras eseten;

- kollektor-emitter maradekaram; nyitott bazis eseten.

Bizonyos alkalmazasok szempontjabol Tontos, a tranzisztor egyes zaroretegeinek a kapacitasa, Ezt a zaroreteg-kapacitasok adjak meg, amelyek adott zarofeszultsegekre ervenyesek:

- kollektor-bazis kapacitas; nyitott emitter eseten;

- ernitter-bazis kapacitas; n~itott kollektor eseten.

A tranzisztorok tulajdonsagai igen eros mertekben a miikodesi frekvencia fiiggvenyei.

Magasabb frekvenciakon a tranzisztorok parameterei er6teljesen romlanak. A kiilonb6za frekvenciakon valo mukodes jellemzesere hatdrfrekvencidkat hasznalnak

./. g

- a !3 = 1 arameroslteshez tartoz6 frekvencia;

- tranzitfrekvencia; egx.meresi frekvencia es az ezen a frekvencian ervenyes !3

differencialis aramerositesi tenyezo szorzata;

- hatarfrekvencia; altalaban az a frekvencia, amelyen valamely mert mennyiseg egy kisebb frekvencian (1eggyakrabban 1 kHz-en) mert ertekenek 11.[2 - szeresere csokken .'

A tranzisztor zaroretegeiben hOve alakult vesztesegi teljesitmenyt a termikus egyensuly fenntartasa miatt a kornyezetbe el kell vezetni. A holeadas hatasfokat a hdellenallasokkal jellemzik, amelyek a kovetkezok:

- a zaroreteg es a tranzisztortok kozotti hoellenallas;

- a zaroreteg es a komyezeti leveg6 kozotti hoellenallas; a hutofelulet

hoellenallasaval egyiitt ervenyes.

A tranzisztor kaptsolasi idoi

A tranzisztornak zarasi allapotbol vezetesi allapotba val6 ugrasszeru vezerlesekor a kollektoraram csak egy bizonyos ida eltelteveleri elmaximalis erteket, A nyitott tranzisztor zarasa hasonl6 m6don csak egy bizonyos ida eltelte utan kovetkezik be. Az atmenetek a vezerlomennyiseghez kepest kesnek, A 4.15. libra egy NPN-tfpusu tranzisztor kapcsolasi idoinek merokapcsolasat es jellemzo hullamformainak idobeni 'lefolyasat mutatja. .

tbe (tOil) - bekapcsolasi idlf; az az ida ami a bazisaram rakapcsolasatol kezdve addig eltelik, amfg a kollektoraram maximalis ertekenek 90 % -at eleri,

tki ( toff ) - kikapcsoldsi idlf; az az ida, amely a lezarojelnek a bazisra val6 kapcsolasatol addig eltelik, amfg a kollektorararn maximalis ertekenek 10 % -ara csokken,

58

4. Bipolaris tranzisztorok

i8 t .

181FL-2 t :z

o c.... .

-182;" ": ." .

, ',. - '."

, '.. ,

, .

ie f Ie I 0,9 I

a)

·US. abra, A tranzisztor kapcsolasi idoi 0) merokapcsolas b) jel/emzli hutlizmJormtik

4.7. Hatarertekek

Hatdrertekeknek nevezzuk azokat az adatokat, arnelyeket nem szabad ttdlepni. A hatarertekek tullepese a tranzisztor meghibasodasahoz vezet. Az egyes hatarertekeket akkor sem szabad nillepni, ha mas hatarertekek nincsenek teIjesen kihasznalva,

• A legnagyobb megengedett zar6fesziiltsegek

A Iegnagyobb megengedett zarofeszultseg tullepese, a megfelelo zaroreteg atutesehez vezet. A gyart6k a tranzisztor adatiapjain legtobbszor az U CBo' UCEO es U EBO legnagyobb megengedheto zarofesziiItsegek szerepeinek.

• A legnagyobb megengedett aramok

A legnagyobb megengedett aramok a tranzisztorok maximalis aramterheleset adjak meg.

- maximalis kollektoraram: a Iegnagyobb megengedett tart6s kollektoraram;

- kollektor-csiicsaram; az a maximalis kollektoraram, amely csak

veletlenszeriien es nagyon rovid ideig (Ieggyakrabban, 10 ms) lephet feI; - maximal is bazisamm;a legnagyobb megengedett tart6s bazisaram,

• A legnagy8bb megengedett homersekietek

A tranzisztorok zaroretegenek homerseklete nem lephet nil egy meghatarozott erteket, amely a Tj maximtUis zdr.orv!teg.htfllferseklet. Ennek tipikus erteke szilfciumtranzisztoroknal kb. 200 "C, germaniumtranzisztoroknal viszont lenyegesen alacsonyabb, 90 "C koruli ertek,

• A legnagyobb megengedett vesztesegi teljesitmeny

A Iegnagyobb megengedetr.vesztesegi teljesftmeny (PIOI ma» a tranzisztorban hove aIakuI6 teljesitmeny maximal is erteke. A tranzisztor eredo vesztesegi teljesitmenye:

59

4. 8ipolMs tranzisztorok

4.8. A homerseklet hatasa a tranzisztor mukodesere

A homerseklet novekedese koztudottan a felvezetokben megnoveli a tolteshordozok koncentraciojat. Ez tortenik a bipolaris tranzisztor felvezeto retegeiben is. Ennek hatasara a tranzisztor karakterisztikai es jellemzoi megvaltoznak. A felmelegedes hatasara a munkaponti aramok novekednek ~s a karakterisztika eltol6dik( 4.16. libra ).

IB' ItA I Ic,mA
20
400 TI T
300 1--1 - :' 15
- j - I' -T=25OC
200 ---T=75OC 10
100 I I 5
I -1
i ,I I I
__ 1__l __ . __
0 0,2. 0,4 0,6 0,8 1 UBE,V 0 4 ~ ~

4.16. libra. A tranzisztcrhefliggese

a) bemeneti jelleggbrbe eseten b) kimeneti jelleggiirbe eseten

Abemeneti jelleggorbe tulajdonkeppen egy nyitoiranyban elofeszitett PN-atmenet hofliggeset szemlelteti. A homerseklet novekedese a bazis- es emitteraram novekedesehez es a jelleggorbe balra tolodasahoz vezet. A bazis-ernitter feszultseg IlUo£.eltol6dasanak nagysaga a megfelelo AT homersekletvaltozashoz viszonyitva jellemzi az emitteraram hofiiggeset, A AU BE / AT parameter, amely az U BE fesziiltseg hiNnersekieti. tenyez6je Si, es Ge alapu tranzisztoroknal megkozelit6en azonos ertekii.

Az U BE fesziiltseg homersekleti tenyezOjenek gyakorlati. ertelmezese: ha a tranzisztoron allando IE emitteraram halad at es a homerseklet AT ertekkel no, a bazis-emitter atmenet feszultsege AUBE ertekkel csokken, azaz kb.2 mV-tal °C-onkent (ha T= 300 KkiJzel.eben vagyunk).

A kimeneti jeUeggi)rbe eltoledasa a hOmersekletemelkedes k6vetkezteben ket tenyezonek tulajdonftbat6:

• a megnovekedett emitteraram noveli a kollektofliramot;

• az leBo maradekaram novekedese (bar kismertekben) szinten hozzajarul a kollektoraram novelesehez,

A tranzisztorok parametereinek hOfiiggese a gyakorlati alkalmazasok szempontjabol igen kedvezotlen jelenseg. Csokkentese megfelelo munkapont-beallito kapcsolasokkal es megfelelo hutessel Iehetseges.

60

4. BlpoI8ris tranzisztorok

4.9. A'tranzisztorok hiitese

A bipolaris tranzisztorok egy nem kivanatos, de jellemzO mlajdonsaga az ugynevezert homegfutas. amely a nem megfeleloen stabil Ie es UCE ertekeknek tulajdonfthato. Ha a komyezeti homerseklet no, a kollektoraram novekszik es vele egyiitt no a vesztesegi teljesitmeny is. A zaroreteg es a kornyezeti levego kozotti veges (nem nulla) hoellenallas miatt a vesztesegi teljesitmeny novekedese ujabb homersekletemelkedeshez vezet, ami ismet noveli a tranzisztor aramait es vele egylitt a vesztesegi teljesftmenyt, es fgy tovabb. A folyamat amely kezdetben lassan majd egyre gyorsulva jelentk~k, a maximdlis vesztesegi teljesitminy tullepese miatt; atranzisztor tonkremenetelevel vegz6dik.··

A legnagyobb megengedett vesztesegi teljesitmeay -a tFanzisztor hutesevel-eovelheto.

Kisebb vesztesegi teljesitmenyu vagy kisebb vesztesegi teljesitmennyel iizemeltetett tranzisztoroknal altalaban elegendo a tok es a komyezeti levego kozotti termeszetes hoatadas, Nagyobb vesztesegi teljesitmennyel iizemelo tranzisztoroknal.ia hoelvezetes javitasa miatt hiitolemezt, hutocsillagot, va8Y masklilonlegeshqtl:itestet kell alkalmazni.

Azt a homennyiseget, amely a zaroreteg es a hiitokornyezet kozotti homersekletkiilonbsegbolad6d6an,id~gysegalatttavozik, a Gt" hove~s adjameg.

A zaroretegben keletkezett hO elsosorban a tokfeliilet, vagy a tok als6 resze reven keriil elvezetesre. Az idoegyseg alatt keletkezo homennyiseg megegyezik a PIOI vesztesegi teljesitmennyel, A hovezetes reeiproka az Rth hoellenallas:

, 0(: K

. (mertekegysege' _'. vag y -);

W W

ahol, 1i a zdroreteg legnagyobb megengedett hOmerseklete es Tk a hutokornyezet hOmersekJete. A hiitokomyezet homerseklete - ha nines megadva - a gyakorlati szamitasokban Tk = 45 °C -nak veheto. A vesztesegi teljesitmeny:

To -Tic P _~J __

lot - R

Ih

Mivel a hiitokomyezet lehet a tranzisztortok, a levego vagy a hiitolemez, tobbfele hoellenallas hatarozhato meg (4. I 7.a. dbra):

• Rthje - a zdroreteg es a tranzisztortok kozdtti hoellenallas (a tranzisztor adatlapjdn szerepel};

• Rthca - a tranzisztortok es a hutofeliilet kozotti hOellenallas (a szereles minosege hatarozzameg);

• Rthah _; a hUtofeliiletes a kornyezeti levego icozotti h&ellenallas (ahutolemez jellemzoje),

A hoellenallas a zar6reteg es a komyezet levegoje kozott ( Rlhja ):

I Rlhja = Rlhjc + Rlhc~' 1

61

4. Bipolaris tranzisztorok

A teljes hoellenallas a zaroreteg es a kornyezet levegoje kOzOtt ( Rlh ), hutolemezre szerelt tranzisztor eseten (4.17.b. abra):

I R'h :::: Rthjc + R'~"t1 + R,hah·

Tranzisztortok Kristaly

I

Levego

a)

4.17~ librit. Hutolemezre szerelt tranzisztorhOellemilhisai

a) szerelesi vdzlat b) az elrendezes eredo hoellentiUasa

b)

Abban az esetben, ha a hUtOfeltilet nagysagat szeretnenk meghatarezni akkor az:

1 Rlhah ::::-F· a..

osszefuggest alkalmazzuk. Itt F a hUtofeliilet nagysaga cm2 mertekegysegben es a. a hOatadasi tenyezd, amelynek erteke a hiirofeliilet jellemzoitol (anyagatol, kialakitasatol, elhelyezesetol) fiigg. Az a. hoatadasi tenyezo tipikus erteke 0,5 + 3 mW/cm2•oC. A hiitOfeliilet nagysaga a vesztesegi teljesitmeny fuggvenyeben:

ahol a gyakorlatban megva16sithat6 hutesre:

r:r Szamitasi pelda:

A BD 249 C tfpusu NPN teljesitmenytranzisztorIegnagyobb zaroreteg homerseklete 150 DC. Adatlapjan szereplo hOellenaUasa R,hjc = 1,5 °CIW. A tranzisztort Al hiitolemezre szereljiik, amelynek hoellenallasa Rlhah = 1,2 °CIW. A hiitolemez es a tranzisztor kOzOtti elektromos szigetelest csillamlemezzel val6sitjuk meg, amelynek hoellenallasa R'h,.a :::: 0,5 °CIW.

a) Mekkora lehet a maxima Us vesztesegi teljesitmeny, amelyet a tranzisztor kepes elviselni? A kornyezeti hOmerseklet maximalis erteke 40°C lehet.

b) Mekkora hi1tofeliilettel iizemeltethetd PIO' = 40 W teljesitmenyig anelkul, hogy hOmerseklete tUllepne a maximalisan megengedett zaroreteg-homersekletet?

62

4. Bipotaris tranzisztorok

Megoldas:

RIll = 1,5 "CIW + 0,5 °CIW + 1,2 °CIW = 3,2 °CIW

Tj - Tk 150 °C-40 °C 110

Prot = R = 320C / W = 32 W"'" 34 W.

th' ,

b)

°C °C °C °C

Rlhall = Rth -'Rlhj<: - Rthca = 2,75 -vi ~ 1,5 W - 0,5 'w = 0,75 W

F= 1 . =500 °C·cm2 1 W '" 666 cm2•

u- Rliwh W 0,75 °C

6V"' Osszefoglal6 kerdesek:

I. Hogy es mil yen feltetelek mellett alakul ki a PN-atmenet bipolaris tranzisztor eseten? ., Hogyan feszitik elo a tranzisztort normalis mukodes eseten?

3. Miert kisebb a bazisreteg szelessege a kollektor es az emitter reteg szelessegenel? .... Hogyan jon letre a kollektoraram?

5, Mi a tranzisztor nagyjelii es kisjelii aramerdsitesi tenyezoje?

6. Mivel valtoztathato a kollektoraram nagysaga?

7. Mit nevezUnk maradek-, vagy visszaramnak?

8. Milyen visszaram folyik normal iizemben?

9. Melyek a tranzisztor alapegyenletei?

10. Milyen alapkapcsolasokat ismerUnk bipolaris tranzisztorok eseten?

11. Mit nevezunk bemeneti es kimeneti karakterisztikanak?

12. Mit neveziink differencialis aramerositesi tenyezonek?

13. Mi a knlonbseg az uzerni es a hatarertek adatok kozott?

1 .... Milyen hatasa van a homerseklet novekedesenek egy bipolaris tranzisztor mtikodesere?

63

5. Unipolaris tranzisztorok

5. Unlpolarls tranzisztorok

Azokat a tranzisztorokat amelyeknek aramat csak egyetlen fajta tolteshordozo (elektron vagy Iyuk) biztosftja, a szakirodalomban unipoldris vagy tervezerlesu tranzisztoroknak nevezik. Rovidftett elnevezesuk FET, amelyaz angol - Field Effect Transistor - kifejezes szavainak kezdobeniit tartalmazza. Miikodesiik egy felvezeto kristalybol a116 csatoma vezetokepessegenek kiilso elektromos ter segitsegevel valo valtoztatasan alapszik. Az elektromos teret egy kapunak nevezett vezerloelektroda segitsegevel hozzak letre a csatoma keresztmetszeteben,

A kapuelektr6da felepftesenek fuggvenyeben, megkulonboztetunk zllr(Jreteges (roviden JFET) es szigetelt kIIpuelektrodas ( MOSFET ) tervezirlesu tranzisziorokat. A tervezerlesu tranzisztorok elonyos tulajdonsagai - a bipolaris tranzisztorokhoz viszonyitva - a nagy ertekii bemeneti ellenallas, egyszeru gyartastechnologia es kisebb helyigeny az integralt aramkorok szerkezeteben.

5.1. Zaroreteges tervezerlesu tranzisztorok

5.1.1. Felepites es fizikai miikodesmod

A zaroreteges tervezerlesu tranzisztorok ( JFET ) csatomajdt a felvezeto terfogataban ket zaroiranyban polarizalt PN-atmenet hatarolja (5.1. abra). A JFET tranzisztorokat N es P csatornas valtozatban keszftik; az abra az N csatornas valtozatot mutatja. A csatorna 10 + 100 -szor hosszabb mint a vastagsaga. A csatorna ket vegere femezessel kapcsolt elektrodak a D drain (drain == nyelo) es az S source (source ==fomls). A vezerloszerepet jatszo elektr6da a G gate (gate == kapu). A JFET tranzisztor szerkezetet egy nagyon vekony, gyengen szennyezett reteg (csatorna) alkotja, amely ket erosen szennyezett, a csatornaval ellentetes szennyezettsegu felvezeto reteg kozott he1yezkedik el. Az egyik PN~atmenet a gate es a csatorna kozott, mig a masik atmenet a felvezeto szubsztrtitnak nevezett tobbi resze es a csatorna kozott helyezkedik el.

Ha a csatorna ket elektrodajara feszultseget kapcsolunk (UDS) es a gate elektr6da feszultsege (U GS) nulla, a ket PN·atmenet zaroiranyu polarizalast kap. Az N-tipusu esatornaban a D drain elektrodatol az S source elektr6da fele aramlo elektronok arama U GS = 0 feszultsegnel a legnagyobb, mivel ebben az esetben a csatorna szelessege maximalis. Ezen tulajdonsaga miatt a zaroreteges tervezerlesu tranzisztorokat iinvezetdknek is nevezziik.

A zaroretegek szelessege, - amelyek meghatarozzak a csatorna keresztmetszetet - annal nagyobb, minel nagyobb a zaroiranyban hat6 feszultseg. Minel nagyobb a zarofesznltseg annal kisebb a vezetoreteg keresztrnetszete, tehat az ellenallasa is. A csatorna-ellenallas novekedese a csatoman foly6 1D aram csokkeneset eredmenyezi, amely sajatsagos esetben nulla is lehet. Az elektronok aramlasa csak a csatornan keresztiil lehetseges, mivel a zaroretegekben kialakult tertoltesii zonak elektromos erotere megakadalyozza mozgasukat ezekben a tartomanyokban.

A zaroretegek szelessege az U GS fesziiltseg segitsegevel vezerelheto. A szukseges vezerloteljesitmeny minimalis ertekii, mivel a kisebbsegi tolteshordozok mozgasanak eredmenyekeppen egy elhanyagolhat6 nagysagu zaroiranyu aram folyik (:::; 10-8 + 10-10 A).

64

5. Unipolaris traAzisztorok

o

G

N

I

-Uasi

~ 1.

T Brt61tesi tartomany

s

a)

5.1. abra. Az N csatornas JFET a) eivi felepitese b) zaroretegei

G

Uos

s

b)

Ncsatorna

Az U GS feszultsegnek a vezerelhetoseg biztositasa miatt N csatomds JFET eseten negativnak. mig P csatomas eszkoz esetenpozitivnak kell lennie (a source elektrodahoz viszonyftva). Hasonl6 m6don az U DS feszultseg N csatomds JFET eseten pozitiv, P csatornds JFET eseten pedig negativ (a source elektrodahoz kepest). A 5.2. libra a ket tfpusti JFET feszultsegeit es szabvanyos rajzjeleit mutatja.

0----+---0() + 12 V

a)

5.2. abra. A JFET rajzjele es polarizalo feszultsegei

.l) N csatomds tipus eseten; b) P csatortuis tipus eseten

5.1.2. Jelleggorbek, adatok, hatarertekek

0----+----0 - 12 V

-UOGt + 2 V o----\*,j I

uGsl

t

0----+----0 0 V

~:

-UOS

b)

JeUeggorbek

A 5.3.abraa karakterisztikak felvetelere.alkalrnas aramkort mutatja. Mivel a JFET berneneti vezerlOiu-ama gyakotlatilag nullanak tekintheto.. nem hatarozhato meg bemeneti oel1eggorbe. At SA. dbra kisjelii zaroreteges FET jellemzo karakterisztikait mutatja. Az nviteli jelleggorbe eseten (5.4.a. libra) a gate-source feszultsegtartomany negativ.

65

5. Unipohiris tranzisztorok

+

I Uos

i ,

5.3. libra. A J FET merokapcsolasa.a karakterisztikak felvetelere

Azt a gate-source Teszultseget, amelynel az ID drainaram nulla, Up elzarodflsi feszilltsegnek nevezik (pinch-off voltage). Az elzarodasi feszultsegnel nagyobb gate-source feszultseg eseten (IV GS I > V I') a tranzisztor csatorna-aramanak valtozasa, a kovetkezo egyenlet szerint tortenik:

( }2

VGS ID = IDS • 1- Vp

(5.1.)

Az IDS az a drainaram, amely VGS = 0 fesziiltsegnel folyik. Ez a zaroreteges tervezerlesu tranzisztoroknal elerheto maximalis erteknek tekintheto, mivel pozitiv gate-source feszultseget hasznalva eroteljesen megno a gate-aram,

-3 -2 -1

10, mAt

12lElzal'6daSfTIente~ _ E/~a!6d8_~_

i \ tartomany [ ltartomany 1

': I /r__' U,.=OV

6 ~ (( I~~_~ - - --- ~-- --- ~ ~:: :

4 ~. VI-- - --- --

2 I" --------- ------- ------- -----

-1,5V

-2,OV

k"'i=±:-=-±-=--±=-:-+=-:-:i -=2_~5y •

o

2

6

8 10

4

a)

5.4. libra. Az N csatornas zaroreteges FET jelleggorbei a) atviteli jelleggorbe b) kimeneti jelleggiirbe

b)

A kimeneti jelleggorbenek megfelelo ID es VDS pararneterek osszefuggeset, az 5A.h. abra szemlelteti. A kimeneti jelleggorbek, egyenkent egy adott V G~ gate-source feszultseg mellett ervenyesek. MegfigyelhetO, hogy az V DS drain-source fesziiltseg novekedesevel no az I D drainaram es termeszetesen a drain elektr6da kozelebenegyre jobban csokken a csatorna keresztmetszete(5.1. abra). Az VDS = U« (konyokJesziiltseg) feszultsegerteknel, a csatorna keresztmetszete a. drain kozeleben eleri minimumat es ennek kovetkezteben.a fesziiltseg tovabbi novelese nem befolyasolja szamottevoen I D erteket, amely eler egy telitesi erteket.

66

5. Unipolaris tranzisztorok

A legnagyobb I D ertek a fizikai miikodesnek megfeleloen az Ves:: 0 feszultseghez tartozik. A kimeneti karakterisztikat ket tartomanyra oszthatjuk:

• elz{u6dtismentes tartomany (VDS ::; Vk); Kis erteku VDS feszultsegnel ID kozelitoen egyenesen aranyos az VDS feszultseggel. Az U« = Vas - Vp konyokfeszultseg alatt a csatomaaram az

10 = ~; . [2. Vos . (V as - V p ) - V ~s ]

p

(5.2.)

egyenlet szerint valtozik .

• elz{zrodasos tartomdny (VDS > Vk); Itt a tranzisztor drainarama az (5.1.) egyenletnek megfeleloen, csak az Vas gate-source feszultseg fuggvenye.

Jellemzd adatok

Egy P munkapontra vonatkoztatva (5.4. libra) a JFET meredekseget (S), az atviteli jelleggorbe meredeksegevel definialjuk:

S = fl.fl. ~ D I . . (tipikus 6r.¥ke S "" 3 + 10 my A );

es U DS = flIlalldo

ahol !l.JDa drainaram valtozasa eS/lJ/es a gate-feszultseg valtozasa,

A drain-aramot kizarolag az Ves feszultseg hatarozza meg, V DS -tol csak kismertekben fligg. Az I D ararn, V DS -tol val6 fiiggeset a differencidlis kimeneti ellenalUis (r os) hatarozza meg:

rDS = fl. V DS I

. fl. 10 VGS= flIland6

A bemeneti ellendllds ( r GS ) nagyon nagy es kozelltoen allando erteket kepvisel:

(tipikus erteke rDS'" 80 + 100 k.Q).

res"" 1010 + 1014 .Q

Az Vp elzlir6dasi Jesziiltseg az a gate-feszultseg, amelynel a drainaram nulla; jellemzo erteke:

V p "" -1,5 .... - 4;5 Y (N csatornas JFET eseten).

A zaroiranyu aramok (amelyeket a kisebbsegi tolteshordozok hozzak letre) a JFET-ek eseten csekely erteket kepviselnek:

IGO - gate-zaroaram; tipikus erteke leo"" 5 nA; 106"'" drain-zaroaram; tipikus erteke I DO "" 20 nA.

Hatarertekek

A zaroreteges tervezerlesu tranzisztorok hatarertekei nagyon hasonlitanak a bipolaris tranzisztorok hataradataihoz, Tullepesi.ik a tranzisztor tonkremenetelehez vezet.

67

5. Unipolaris tranzisztorok

A JFET legfontosabb hatarertekei, a kovetkezok:

UDSmax UGSmax IDmax Ptotmax

T.

JIM

- maximalis drain-source feszultseg: tipikus erteke:

- maximalis gate-source feszultseg: tipikus erteke:

- maximalis drainaram; tipikus erteke:

- maximalis vesztesegi teljesftmeny; tipikus erteke:

- maximalis zaroreteg-homerseklet; tipikus erteke:

UDSm"" "" 30 V, UGSmlu F-20V, IDmax "" 25 rnA, P,o,max ,., 300'mW, ~ "'''x'''' 130 -c,

A megadott tipikus ertekek, kisjelii N csatornas JFET -ekre ervenyesek, A vesziesegi teljesitmeny a JFET eseten, - mivel IG ,., 0 - az 1 D drainaram es az U DS drain-source feszultseg szorzata:

?'Ol = U DS ·1 D'

5.2. MOSFET tranzisztorok

AMOS tipusu tervezerlesu tranzisztorok elnevezese felepitesukkel fiigg ossze: - aMOS == Metal-Oxid-Semiconductor jelentese, fem-oxid-felvezeto.

5.2.1. Felepites es fizikai miikijdesmod

A MOSFET tranzisztorok lehetnek felepltesuktol fiiggoen novekmenyes (onzaro) es kiiiriteses (onvezeto) tipusuak, Mindegyik valtozat eloallithato N- es P csatornas kivitelben.

Ndvekmenyes (onzar6) tfpusri MOSFET

A 5.5. abra egy N csatomds, niivekmenyes vdltozat felepfteset szemlelteti, a szabvanyos rajzjelevel egyUtt. A tranzisztor aktfv resze egy P-tfpusu, gyengen szennyezett Si alapkristalybol all, amelyet szubsztratnak neveznek. Az alapkristalyban ket erosen szennyezett N-tipusu vezeto szigetet alakitanak ki, amelyek csatlakozassal ellatva a tranzisztor S source- es D drain-elektrodajat alkotjak, A kristaly kiilso feluleten termikus oxidacioval nagyon j6 szigetelo tulajdonsaggal rendelkezo szilicium-dioxid (SiOz) fedoreteget novesztenek, amelyen az S es D csatlakozasok szamara ablakot hagynak. A Si02 szigeteloretegre vekony femreteget visznek fel, pl. parologtatassal; ez lesz a gatevezerloelektroda, amely ily medon elszigetelodik a kristalytol, A szubsztrat kivezeteset altalaban a tokon belul osszekotik az S, source-elektrodaval, vagy kulon kivezeteskent a tokon kfvUlre vezetik.

p

Szubsztr8t

RajzjeJ

5.5. abra. Az N csatornas, novekmenyes MOSFET elvi felepftese es rajzjele

68

5. Unipolaris tranzisztorok

Ha a gate-elektr6da szabadon van, barmilyen polaritasu feszultseget kapcsolunka drain es a source koze a tranzisztor zarva marad, azaz nem fog aram folyni a ket kivezetes kozott. A gate-elektrodara pozitfv feszultseget kapcsolva a source-hoz kepest a szubsztratban elektromos ter keletkezik (5.6. dbra). A kiilso elektromos ter hatasara a szubsztrstban talalhato kisebbsegi tolteshordozo elektronok kozvetlenul va Si02 szigeteloreteghez vandorolnakes az S es D elektroda kozott egy Nstipusu vezetocsatomat alkotnak. Az I D drainaram ilyen feltetelek mellett megindul. A csatorna vezetokepessege az UGsgate-source [eszilltseggel szabdlyozhatd. Minel nagyobb U GS erteke, a csatoma vezetokepessege annal nagyobb es kovetkezeskeppen annal nagyobb I D erteke is.

- .... -.-~---- .. ----------

Uos

-_- Indukalt N-tipustJ csatoma

5.6. libra. A vezetocsatorna kepzodese N csatornas, novekrnenyes tfpusu MOSFET eseten

Mivel a vezerlest elektromos ter hozza letre, hasonl6an a JFET -hez vezerloteljesitmeny gyakorlatilag nem szukseges, Az I D drainaram az U GS gate-source feszidtseggel teljesitmeny telvetele nelkiil vezerelheto.

Az ismertetett MOSFET tipusnak az a jellegzetessege, hogy U GS = 0 feszultsegnel Ie van zarva, emiatt onzar6 tranzisztomak is nevezik. A novekmenyes elnevezes arra a tulajdonsagara utal, hogy a csatoma elektrondusulas (P csatomas vaitozat eseten lyukak) reven keletkezik pOzitfv. gate-feszultseg jelenleteben ..

Klurlteses (onvezet6) tipusu MOSFET

Ha az Si02 szigeteloreteg alatti szubsztratban gyenge N-tipusu szennyezest val6sftanak meg (N csatornas valtozat) akkor vezetokepes osszekottetes lep fel az S es D kozott anelkul, hogy a gate-elektrodara feszultseget kapcsolnank. Az ilyen felepitesu tranzisztort onvezete \10SFET-nek nevezik. Az N csatornas valtozat felepftese es feszultsegviszonyai az 5.7. abrdn lathatok.

p

p

\ _ Szubsztrat

5.7. libra. Az N csatornas, kiunteses tfpusu MOSFET elvi felepftese es feszulrsegviszonyai

69

5. Unipolaris tranzisztorok

Az onvezeto MOSFET eseten ID * 0, ha UGS = O. Vezerlese mind pozitiv, mind negativ gate-feszfiltseggel lehetseges. Ennek megfeleloen ket iizemm6dban mukodhet:

o dusiJasos iizemmod (UGS > 0), amikor a pozitiv gate-feszultseg a csatoma elektronokkal val6 feldusulasahoz es nagyobb vezetokepessegehez vezet;

o kiiiriteses iizemmod (U GS < 0), amikor a negatfv gate-feszultseg a csatoma elektronokban val6 elszegenyesedesehez es vezetokepessegenek csokkenesehez vezet.

Mivel a kiurfteses iizemm6dot gyakrabban alkalmazzak, ezert ezeket a tranzisztorokat kitiriteses tipusunak nevezik. Az eddigiek soran targyalt MOSFET-ek N csatornas kiviteliiek voltak. Termeszetesen a rmikodesi elvek maradektalanul ervenyesek a P csatornas ttpusokra is, ha megfordftjuk az alkalmazott feszultsegek polaritasat. Az 5.1. tablazat a tervezerlesu tranzisztorok felosztasat, aramkori jelolesuket es alkalmazasi terUletUket tartalmazza.

TERVEZERLESU TRANZISZTOROK TIPUSAI
Zaroretezes FET ( JFET ) MOSFET
Kiiiriteses Kiiiriteses tipusu Niivekmenves tipusu
N csatornds P csatomds N csatornds P csatortuis N csatornds P csatornds
~: ~: ~ ~ ~ ~
Diszkret Diszkret Diszkret Diszkret Diszkret Diszkret
kisfrekvencias kisfrekvencids nagyfrekvencitis nagyfrekvencitis nagyfrekvencids nagyfrekven-
erositok; erositok; erositok; erositok; erositok; cias erositok;
Analog integ- Analog integ- Digitalis integ- Digitalis integ- Digitalis integ- Digitalis integ-
rdlt aramkorok rail aramkorok rdlt aramkorok rait aramkorok ralt aramkorok. rtilt aramkOrok 5.1. tabbizat. FET -ek felosztasa, aramkori jelolesei es alkalrnazasa

5.2.2. Jelleggorbek, adatok, hatarertekek

Jelleggorbek

A MOSFET eszkozok jellemzesere ketfele jelleggorbet hasznalnak:

o Kimeneti jelleggiirbek; az 1D es U DS ertekei kozotti kapcsolatot adja meg.

o Vezirlo je//eggorbik; az I D ertekeinek az U GS feszultsegtol valo fiiggeset abrazoljak.

Az N es P csatornas MOSFET-ek jelleggorbei megegyeznek, csupan a feszultseg es aram

elojelet kell megvaltoztatni. Az 5.B. dbra kisjelii N csatornas novekmenyes MOSFET jelleggorbeit abrazolja. A karakterisztikak hasonl6ak a bipolaris tranzisztorok karakterisztikaihoz, a drain a kollektornak, a source az emitternek, a gate pedig a bazisnak felel meg.

Az IDaram csak akkor jelenik meg, ha az UGS feszultseg tullep egy hatarerteket (kb. 1+2 V), amely ahhoz szukseges, hogy az elektrondusulas nagysaga a csatornaban megfelelo erteket erjen el es kialakuljon a vezeto hid.

70

5. Unipolaris tranzisztorok

Az U DS feszultseg novelesevel az I D drainaram egy telitesi erteket er el. Ez a jelenseg a gate es a drain kozeleben leva csatoma potencialkulonbsegenek csokkenesevel magyarazhato, amely a csatorna elektronokban val6 szegenyedesehez vezet. Az elektronok szarnanak csokkenese a drain kozeleben levo csatorna elvekonyodasahoz vezet, mint a JFET-ek eseteben, Ez a jelenseg az ID aram, IDS ertekre val6 telitodeset eredmenyezi.

10, rnA t i

15 t

!

101

I I I I

5+

I

15

UGS=6 V

10

p

o

4 6 UGs• V

-- ----t~--- 1----- 1-- ,--- ~

5 10 15 20 25 Uns.V

a) b)

5.8. abra. Az N csatornas novekmenyes MOSFET jelleggorbei

(I) dtviteli jelleggiirbe b) kimeneti jelleggiirbe

Jellemzo adatok

Az atviteli .jelleggorbe S meredeksege egy P munkapontban a MOSFET vezerlesi tulajdonsagait jellemzi:

S=~I

/1 Uas UDS =f1Ilalld6

mA (jellemzo ertek: S:::: 5 + 12 -).

V

Itt MD a drainaram valtozasa es /1Uas a gate-feszultseg valtozasa, ha UDS allando,

A kimeneti jelleggorbe meredeksege egy P munkapontban az ebben a pontban ervenyes, r os differencialis kimeneti ellendlldst adja meg:

/1 UDS I

"os =---

/1 I D U(;S : {lfltuuf6

(jellemzo ertek: r DS:::: 10 + 50 kQ);

ahol /1U os a drain-feszultseg valtozasa es M 0 a drainaram valtozasa; ha U as allando.

Az N csatornas kiurfteses MOSFET karakterisztikai az 5.9. abran lathatok. Felepftesenek megfeleloen Uas = 0 V fesziiltsegen egy bizonyos ertekii 10 drainaram folyik, Ha Uas> 0, akkor a csatoma vezetokepessege es a drainaram no. A kimeneti jelleggorbek magasabban helyezkednek el. Ha U as < 0, akkor a csatoma vezetokepessege es a drainaram csokken, A kimeneti jelleggorbek alacsonyabban helyezkednek eI.

AMOS tranzisztorok r as bemeneti ellendlldsa sokkal nagyobb mint a bipolaris tranzisztoroke, elerheti a 1013 + 1015 Q erteket is; tipikus erteke r as =: 1014 Q .

71

5. Unipolaris tranzisztorok

-4 -3 -2 -1 0 1 2

~ ~

5.9. libra. Az N csatornas kiurfteses MOSFET jelleggorbei

a) dtviteli jelleggorbe b) kimeneti jelleggbrbe

A MOSFET eszkozok egyik hatranya.hogy a gate es aszubsztrat kozott fellepo, un. Cas bemeneti kapacitas mar viszonylag kis feszultsegeken - 50 V koruli erteken - atut es a tranzisztor maradand6an karosodik. A bemeneti kapacitas jellemzo erteke:

Cas"" 2 + 5 pF.

A nagyon nagy bemeneti ellenallas miatt a tranzisztor attiteset okoz6 feszultseg igen konnyen fellephet, Nagyon veszelyes a statikus tOites, ami a tranzisztort mar erinteskor is atutheti. Ennek elkerulese celjabol a MOSFET-eket rovidrezart csatlakozasokkal szaUftjak es taroljak, Aramkorokbe val6 beepftesukkor foldelik a munkaasztalt, a keszuleket es a forrasztopakat, A MOSFET-ekvectelme celjab61 a gate es a szubsztrat koze egyesesetekben Zener-diodat epitenek be, ami termeszetesen negativan befolyasolja az eredo bemeneti ellenallas erteket.

A MOSFET~ek gate-arama gyakorlatilag nullanak tekintheto, megis erteke adott U as es U os feszultsegeken es adott homersekleten jellernzi a tranzisztor .minoseget. Ezt az las szivargasi gate-dram fejezi ki, amelynek jellemzo erteke pA nagysagrendii.

las'" 0,1 + 10pA.

A MO'SFET lezart allapotaban is folyik egy nagyon kis ertekU drainaram, amelynek erteke a tranzisztor zarasi josagat jelJemzi. Ez az aram az 10 off zarasi draindram, melynek tipikus ertekei kU16nbozo homersekleten:

IDoff "" 10 + 500 pA;

1j = 25°C zaroreteg-homersekieten,

lihJ1 "" 10't ~~,pA; Tj =125 °C zaroreteg-hemersekleten,

A kiilonbOzo gyart6k 'adatlapjain meg szoktak adni a MOSFET -ek drain-source elektrodai kozott fellepo egyenaramu ellenallasait, vezetesi es zarasi' allapotban adott meresi feltetelek

mellott. .

RDS on - vezetesi iranyu ellenallas; tipikus erteke: ROSiN. se 200 Q;

RDS•ff . - zar6iranyu ellenaUas; tipikus erteke:

72

5. Unipolaris tranzisztorok

Hat&rertekek

A hataradatok uillepese a MOSFET-ek maradando karosodasahoz vezet. A legfontosabb hatarertekek a kovetkezok:

UDSIIUlX UOSmlU IDmax P,otmax T.

Jm....

- maximalis drain-source feszultseg: tipikus erteke: U DS max es 40 V,

- maximalis gate-source feszultseg: tipikus erteke: U G~ max :::: ± 10 V,

- maximalis drain-aram; tipikus erteke: [D max :::: 50 rnA,

- maximalis vesztesegi 'teljesitmeny; jellemzo erteke: P'o'max :::: 300 m W,

- maximalis zaroreteg-homerseklet; jellemzo erteke: 1j max :::: 150 QC.

A megadott jellemzo ertekek kiiirittses; N csatornas MOSFET eseten ervenyesek. A MOSFET vesztesegi teljesftmenye a lFET-tel azonos m6don szamtthato: P'OI = U DS -I D.

5.3. A tervezerlesu tranzisztorok alapkapcsolasal

A tervezerlesu tranzisztorokat leggyakrabban: erosit6kben, kapcsol6fokozatokban es oszcillatorokban alkalmazzak, A kisjelii tipusok nagy bemeneti ellenallasa, csekely sajat zaja es magas hatarfrekvenciaja nagyon kis szintii jelek erositeset teszi lehetove szeles frekvenciatartomanyban, A teljesftmeny MOSFET-ek kapcsolasi ideje egy nagysagrenddel kisebb, az azonos teljesitmenyti bipolaris tranzisztorokenal es a sziikseges vezerloteljesitmeny minimalls erteket kepvisel. A bipolaris tranzisztoros kapcsolasokhoz hasonl6an a tervezerlesu tranzisztoros aramkoroknel is haromfele erosito-alapkapcsolas lehetseges (5.10. abray:

• source-kapcsolds, vagy foldelt source-a kapcsolas; a bipolaris tranzisztor emitterkapcsolasanak felel meg,

• gate-kapcsolds, vagy foldelt gate-i; kapcsolas; a bipolaris tranzisztor baziskapcsolasanak felel meg,

• drainkapcsolas, vagy fiildelt drainii kapcsolds; a bipolaris tranzisztorok kollektorkapcsolasanak felel meg.

Gate-kapcsolas Source-kapcsolas

Drain-kapcsolas

5.10. abra. A FET-ek alapkapcsolasai

73

5. Unipolaris tranzisztorok

A gate-kapcsolast ritkan hasznaljak (altalaban csak magas frekvencian), mivel a nagyon

nagy gate-csatorna ellenallas a gyakorlatban nem hasznalhato fel elonyosen.

6V' Osszefoglal6 kerdesek:

1. Miert nevezik a tervezerlesu tranzisztorokat unipolaris tranzisztoroknak?

2. Mi az oka a tervezerlesii tranzisztorokelhanyagolhato ertekii vezerloteljesitmeny-

igenyenek?

3. Milyen elektrodai vannak a tervezerlesii tranzisztoroknak?

4. Mik a kulonbsegek a novekmenyes es az elzarodasos FET tfpusok kozott?

5. Miert epithetok egyszenibb aramkorok a novekmenyes tipusu tervezerlesu

tranzisztorokkal?

6. Mit nevezlink elzarodasi feszultsegnek?

7. Milyen tartomanyai vannak egy FE! karakterisztikajanak es melyek a jellemzoi?

8. Milyen nagysagrendii a bemeneti ellenallas MOSFET-ek eseten?

9. Hogyan vedekeznek a statikus toltesek karos hatasa ellen FET-ek eseteben?

10. Milyen alapkapcsolasokat kiilonboztetiink meg tervezerlesu tranzisztorok eseten?

74

6.Tranzisztorok muokapont-beaunasa

6. Tranzlsztorokrnunkapont-beallltasa

6.1. Tranzisztorok uzemm6djai

6.1.1. Tranzisztorok linearis es nemlinearis mukodese

Az elobbi fejezetekben a tranzisztor feleplteset, elektromos tulajdonsagait, kiilonbozo alapkapcsolasokban ervenyes jelleggorbeit tanulrnanyoztuk. A tranzisztort mindezeken tulmenoen alkalmazasai szempontjabol is meg kell vizsgalnunk. Aramkorokben val6 alkalmazasa soran a tranzisztor kapcsolokent, vagy leggyakrabban erosito elemkent kenil felhasznalasra. A helyes mtikodes erdekeben mindenekelott egyenaramu uzemi korulmenyeit, felteteleit, vagyis lenyegeben a munkapontjd: kell megfeleloen megvalasztani, A 6.1. dbra egy bipolaris es egy tervezerlesu tranzisztor transzfer karakterisztlkajat szemlelteti.

a)

6.1. abra, Tranzisztorok transzfer karakterisztikaja

a) bipoldris tranzisztor le= f( UIIE) jelleggorbeje

b) J FET I v=f( UGs) jelleggorbeje

b)

Mindket atviteli jelleggorben megkulonboztethetunk egy nemlinearis (I.) es egy linedris (II.) tartomanyt, Att61 fiiggeen, hogy a tranzisztor munkapontjat melyik szakaszon helyezziik el, miikodese ketfele lehet:

• Linedris miikodis: a tranzisztoronfolyo aram egyenesen aranyos a vezerlojel megvaltozasaval.

• Nemlin'earis miikodis: a tranzisztoron foly6 aram nem egyenesen aranyos a vezerlojel idobeni lefolyasaval.

Mivel az M'J. munkapont kornyezete linearisnak tekintheto, a munkapontot itt megvalasztva - bizonyos vezerlesi hatarok kozott - a tranzisztor linearis elemkent viselkedik.

75

6. Tranzisztorok munkapont-beallitlisa

A .tranzisnor linearis mukQ4Cset ha$zruijj(ik fel villamos j~lekalakhii erositesere. Az Mt mU'hkfipont fnegvalasttAsa nertlliIleit~· mUkMesteredmenyez.···· A· 'fremtinearis rmikodes kapcsolasi feladatok megoldasara hasznalhato eredmenyesen.

A 6.2. dbra egy bipolaris tranzisztor linearis es nemlinearis mtikodeset szemlelteti ugyanolyan amplitudoju szinuszos vezerlojel eseten, A valosagban a tranzisztorok karakterisztikai nem biztosltanak t6keietesetJ,linet:lns ",ij.kOde.st, '~¢rt ,,~tlris torzit4solc lepnek fel.

UneAris

6.2. abra. Bipolaris tranzisztor mukodese linearis- es nemlinearis elemkent

Megfigyelheto, hogy vezerles hatasara a munkapont mozog a karakterisztikan, A tranzisztor 'elektronikus kapcsolokent val6 mtikodese soran megfelelo bazis-emitter feszultseg megvalasztasaval a teljes vezetes (bekapcsolt allapoti es a megszakftas allapotaba (kikapcsolt allapot) kapcsolhat6 at. A munkapont ebben az esetben ket helyzetet foglal el, egyet a zarasi tartomanyban es egyet a nyitotartornanyban.

Erositokent valo mukodes eseten a munkapont helyzetenek megvalasztasat a kovetkezo szempontok dontik el:

1. A bemeneti jelneknem szabad annyira kivezerelnie a tranzisztort, hogy a munkapont a nemlinearisSzllkaszra, vagy mtikOdesi hatdrhelyzetekbe kerUljt)n.

2. Figyelembe kell venni a tranzisztor jellemzoire eloirt hatarlrtekeket, vagyis az aramerossegekre, a feszultsegekre es a teljesitmenyekre vonatko~6 legnagyobb megengedheto ertekeket,

~,; A valtozo uzemi viszonyokra tekintettel Ugyelni kell arra, hogy a, tranzisztor stabilan miikodjek (pI. ha valtozasok kovetkeznek be a kornyezeti hemersekletben, a tapfeszultsegben stb.).

4. A munkapontot ugy kell megvalasztani.. bogy a tranzisztor zajl1 a megengedett hatarokon belul maradjon.

76

6. Tranzisztorok munkapont-beallitasa

6.1.2. Tranzisztorok'sztatikus es dinamikus iizemm6dja··

A tranzisztor sztatikus uzemrn6dban mukodik, ha vezerles hatasara csak kimeneti arama valtozik, a kimeneti feszulteg nem (ez rovidoural lezart kimenet eseten lehetseges]. DinamiJcus iizt;mm6dban mukodik egy .... rranzisztor, ha vezerles .hatlisara 'j! kj~neti

feszultseg valtozik (ilyenkor a kimeneti korbe eHen611as csatlakQzik).· ' " .

A tranzisztor vezerlese sztatiklls iizemmOdban

A munkapont bealHt1isahoz megbawozott egyenfeszultsegeket kletl; xezetni a tranzisztor kimeneti es bemeneti kapesaira, Az emlitett kapcsokkal sorbakapesolt ellenallasokszabjak meg a bemeneti es a kimeneti korben foly6 egyenaram nagysagat. I1y m6don beallftjuk a tranzisztor jelleggorbei alapjan megvalasztott munkapontot.

A munkapont nagymertekben fiigg a bemeneti es kimeneti aramkorre eloirt jelek valtakozo feszultsegenek es aramanak nagysagatol. Ha el akarjuk kerulni a nagy amplitudoju valtakozo ararmi jelek torzulasat, a munkapontot a jelleggtirbe egyenes szakaszdnak kozepere kell helyezni. Ilyenkor kepes a tranzisztor a legnagyobb bemenojelet linearisan feldolgozni. Ez a beallitas biztositja a legnagyobb kimenojelet, tehat a legnagyobb kivezerelhetoseget is.

A 6.3. abra; bipolaris jranzisztor sztatikus iizemm6dban val6 vezerleset mutatja, amikor a munkapont a linearis tanomanykozepen van.

, a)

6.3. libra. Bipolaris tranzisztor vezerlese sztatikus Uzemm6dban a) elvi kapcsolas . b)jeUeggorbek

b)

Annak fuggvenyeben, hogy a tranzisztor munkapontja vezerles ,nelkUIi allapotb;JR .a: karakterisztika melyik szakaszan helyezkedik el, a kovetkezo beallitasokat kiilOnbOztetjiik meg (6.4. abra):

77

6. TranziSztorokmunkapont.beallitasa

o A os1J/llyu beOllftds: ,a munkapoa; a karal<teris~ib linearis szakaszan .. van elhelyezve (MA) es vezerles alatt a linearis szakaszon mozog. A tranzisztor mtikodese linearisnak tekinthetd, A 6.3. abran szemleltetett munkapont az A osztalyu beallftasnak felel meg.

0'8 okzt/dyu beallit4s: - a' munkapont (MB) a jelleggorbe zanlsi pontjaban van. A tranzisztor mukodese csak az egyik felperiodusban tekintheto linearisnak.

o AB osztalyu bealluas: - a munkapont (MAB) az A- es B osztalyri beallftasnak megfelelo ket munkapont k6z6tt helyezkedik el. A tranzisztoron a fel periodusidonel hosszabb ideig folyik ararn vezerles eseten.

t:I C os1J/llyu beaQiuls: - a munkapont (Mc)a jelleggorbe zarasi szakaszan helyezkedik el, A tranzisztoren a fel periodusidonel rovidebb ideig folyikaram vezerles eseten,

I

I t

I

I

v.« .

t

6.4. libra. A tranzisztor munkapont-beallftasa

Kisteljesitmenyii eroslto kapcsolasok eseten altalaban A osztalyu munkapont-beallitast alkalmazunk, Nagyobb teljesftmenyek eseten az A osztalyu beallftas hatranya az igen nagy villarnos energia felhasznalas, mivel az eszkozon vezerles nelkiil is jelentos ertekii aram folyik.

A tranzisztor vezerlese dinamikus iizemm6dban

Ha egy tranzisztor kimeneti korebe ellenallast iktatunk, a kimeneti feszultseg a vezerles utemeben valtozik, A 6.S.a. abra egy bipolaris tranzisztor elvi kapcsolasat szemlelteti dinamikus lizemmodban.

Az egyenaramu UBEO, lBO, UCEO, leo komponensekre szuperponalodnak a vezerlo jel hatasara kialakul6 valtakozo aramok es feszultsegek. A kimeneti aramkorben Kirchhoff hutdRt6rvenyei szerifrt:

78

6.Tranzisztorok munkapont-beallitasa

Az elobbi osszefuggest atrendezve:

Az lc aram es UeE feszultseg kozott linedris az osszefugges, tehat grafikus kepe egy egyenes (6. 5. b. abra). Ezt az egyenest a tranzisztor munkaegyenesenek nevezziik. A grafikus abrazolas erdekeben.igyakorlatilag a tengelyekkel valo metszespontokat kell meghatarozni:

• metszespont a feszultsegtengellyel:

Ie = 0, ~ I U CE = UTI

• metszespont az aramtengellyel:

UJ

UeE = 0, :::)

c

A munkaegyenes tgf3 rneredeksege fordftottan aranyos a kimeneti kor Reellenallasaval:

~ ~

Az Re = 0 eset a sztatikus iizemm6dnak felel meg; ilyenkor a munkaegyenes parhuzamos az aramtengellyel. A munkaegyenes metszi a tranzisztor kimeneti karakterisztikait, Az A es B pontok kozotti szakasz az aktiv tartomdny, vagy mas neven normal miikodisi.tartomany.

a)

6.5. libra. Bipolaris tranzisztor dinamikus Uzemm6dja a} elvi kapcsolds b) munkaegyenes

b)

Hasonl6 medon szerkesztheto meg a munkaegyenes, tervezerlesu tranzisztorok eseten is.

A munkaegyenes megszerkesztesenel nem szabadmegfeledkezni arrol, hogy a meredekseget a kimeneti korben talalhato osszes ellenallas eredoje hatarozza meg. Ugyanakkor a kimeneti aramkorben elhelyezkedo minden feszultsegforrast is ossze kell adni. Ezek a feszultsegek hatarozzak meg a munkaegyenes es a vfzszintes tengely metszespontjat.

79

6. Tran:zi8ztorok munk8por!t-be8IIitasa

Kisjelii es nagyjelii iizem...od

A tranzisztorok erositOkent val6 felhasznalasa soran nagyori fontos, hogy a vezerles hatasara az eszkozon fellepd valtakozo fesziiltsegek es aramok nagysagrendileg milyenek, az egyenfeszultseg es egyenaram ertekekhez viszonyftva, Ennek fuggvenyeben ketfele iizemm6dot kulonboztetttnk meg:

'.' a'\feltep(S v!ltakoz6 aramok es feszultsegek sokkal kisebbek, mint az egyenfeszultseg es egyenaram ertekek. Ez a gyakorlatban azt jelenti, hogylegalabb egy nagysagrenddel (101) kisebbek.

2. Nagyjelii iizemm6d: • a fellepo valtakozo- es egyen .mennyisegek ertekei azonos nagysagrendben vannak.

1. Kisjelii uzemin6d:

A kisjelii Uzemm6d feltetelei lehetove teszik, hogy a tranzisztor bemeneti es kimeneti villamos parametereit linearis osszefuggesek kossek ossze. Ez lehetove teszi a parameterek meghatarozasat suimiuissal. Nagyjelii Uzemm6d eseten a tranzisztor a vezerles soran a nemlinearis tartomanyban is iizemel. Ezert a feIJ6po aramok es feszultsegek csak

szerkesnessel hatarozhatok meg. .

6.2. Erositofokozatok rnunkapont-beatlitasa

Ahelyes Uzemi viszonyok bealHt8sahoz meghatarozott egyenfeszultsegeketkell vezetnia tranzisztor bemeneti es kimenetikapcsaira. Az 'emlitettkapcsokkal sorbakapcsolt elJenallasok hataroziakmeg a bemeneti es a kimenetiknrben folyo egyenaram nagysagat, Ily m6don beallfthatjuk a tranzisztor jelleggorbei alapjan megvalasztott munkapontot.

6.2.1. Bipolarls tranzisztorokmunkapont-beallitasa

A munkapoat beallftasahoz a 6.5. tibrtin lathato m6don a jelgeneratorral sorbakapcsolunk egy egyenfeszultseg-forrast, amely a kfvant UBEO feszultsegerteket beallitja. A kimeneti kor polarizalasat az Ur fesziiltsegiiUip0gyseg biztositja. Gyakorlati szempontb61 ennel a megoldasnal nehezseget okoz afoldfuggetlen feszultseggeneraror szUksegessege.

Lehetoseg van aszilkseges egyenfeszilltsegek eloallltasara egy telepes megoldas eseten ugy, hogy az UT tapfesziilts€gbOl liUitjuk elo a bazisfesziiltseget is. Ennek a .megoldasnak ket valtozata van:

• munkapont-beallitas btiz;sIcOri Jesziiltsegoszt6val (bazisoszioval};

• munkapont-beallftas bdzisarammal.

A tovabbiakban a megeldasokat a legtobbszor hasznalt emitterkapcsolasu fokozatok eseten mutatjuk be. Szukseges viszont megjegyezni, hogy a munkapont-beallftasa fUggetJen a tranzisztor felhasznalasi teruletetol es az alapkapcsolasatol,

Muwpcmt.beallitas baziskori fesziiltsegosztoval

A baziskl)ri feszliltsegosit6s megoldast a 6.6.a. abra mutatja. A Cbe es Ckjkondenzator egyemiramt't . szempontbol levalasztja a kimenetet es a bemenetet, ugyanakkor valtakozd fesztiltseg-esatolckent vi~lkedik a mtikodesi tartomanyban.

80

6. Tranzisztorok munkapont-be8llit4sa

Ukl

o

a)

6.6. libra. Bipolaris tranzisztor munkapontjiinak beallftasa a) btiziskOriJesZiiltsegoszt6val b) bdzisdrammal

b)

A bemeneti fesziiltsegosztb merc.'!tezesenel alapveto szempont,hogy a rajta atfoly6 10 aram sokkal nagyobb legyen, mint az 180 munkaponti bazisaram.

180«/0' ~ 10 ",,(5+1O)·IBo•

A bazisoszto arama az elobbi osszefuggest felhasznalva:

I _ Ur 0-

RJ +R2

Ebben az esetben a fesziiltsegoszto terheletlennek tekintheto, vagyis allando U DO bazisfeszultseget szolgaltat, fuggetlenul a bazisaram valtozasaitol,

(U 80 = U BEO + lEO ·RE "" U 8EO + leo ·RE)

A kapcsolas munkaellenallasa, azaz a kimeneti kor ellenallasa: R£+ Re. Ennek megfeleloen

a munkaegyenes meredeks~ge: : '

, 1 tg(3=-.......,.....-

" RE +R:c

A rnunkaegyenes metszespontja az aramtengellyel:

Ur

.JCM = '.'

RE +Re

A bazisosztot alkot6 ellenallasok ertekei, (ismerve a munkaponti adatokat) az ismertetett osszefuggesek segftsegevel meg.h~rozhat6k. Abban az esetben ha az U 6£0 feszultseget nem

adjak meg, erteke: '

• germiiniumtranzisztor eseten "" 0,2 + O,3V;

• sziUciumiranzisztor eseten. "" 0,6 + 0,7 V.

81

6. Tranzi$;ttorok munkapont-beaHitasa

Szamftasok eseten altalaban az Ie ::= h megkozelito osszefiigges alkalmazhat6. Az ararnkorben talalhato R£ munkaellenallas a munkapont-stabilizdldst' segiti elo, Miikodese homersekletvaltozas eseten a kovetkezo:

~ homersekletnovekedes hatasara a bazisaram AlBa ertekkel megno, amely maga utan vonja a kollektoraram novekedeset Al eo :;: ~. Al BO,ertekke1.~ ~kollektoraram novekedesenoveli az emitter-ellenallason eso feszultseget flU £0 = Aleo ·R£ ertekkel,

.

Mivel U BO = lJ B£O + U EO = a llando; => a bazis-emitter feszultseg flU £0 ertekkel

csokken, Kovetkezeskeppen csokken a bazisdram erteke is. A munkapont stabilitasa annal jobb minel nagyobb az R£ emitter-ellenallas erteke; a nagy ertek viszont hatranyos a munkapont-beallftas szernpontjabol.

Az elobbiekben leirt visszaszabalyozasi mechanizmust, negativ dram-visszacsatolasnak nevezik es a hetedik fejezetben reszletesen foglalkozunk vele.

Munkapont-beallftas bazisarammal

A 6.6.b. dbra bazisaram taplalasu munkapont-beallito kapcsolast mutat. A munkaponti kollektorarambol kiszamlthato a szukseges bazisaram:

Ie IBO:;:-

B

Mivel a bazisaram csak az RI ellenallason folyik:

A kapcsolas hatranya, hogy a B egyenaramu aramerositesi tenyezo gyartasi szorasa nagyon nagy es tenyleges erteke a munkaponti kollektoraramot jelentosen befolyasolja. Ugyanakkor nem biztosit olyan stabilitast mint az elozo kapcsolas, mivel nem tartja olyan allando szinten a bazisfeszultseget.

6.2.2. Tervezerlesii tranzisztorok munkapont-beallitasa

A tervezerlesfi tranzisztorok tulnyomo resze integralt aramkorok alkatelemekent keriil felhasznalasra, ezek munkapont-beallftasa biztosftott, Az elektronikai ipar termeszetesen diszkret formaban is gyartja oket es elonyos tulajdonsagaik sok alkalmazasban ervenyesiilnek. A FET -ek kisjelii tartomanyban nagyfrekvencias ercsitok keszitesere nagyon alkalmasak, nagy hatarfrekvenciajuk es kis kapacitasaik miatt.

A tervezerlesu tranzisztorok egyenaramu polarizalo aramkoreinek, biztositaniuk kell egy meghatarozott munkapont beallitasat es stabilizalasat valtozo homersekleti viszonyok es a gyartas soran kialakul6 tranzisztor-parameterek szorasa eseten is.

Onvezeto tervezerlesu tranzisztorok munkapont-beallitasa

A 6.7. abra JFET, vagy onvezetd MOSFET munkapont-beallitasara alkalmas kapcsolasokat mutat. Az kiuriteses tervezerlesu tranzisztorok egyik alapveto tulajdonsaga, hogy nulla Uos feszultseg eseten is egy bizonyos csatornaaram folyik.

82

6.Tranzisztorok munkapont-beajtitasa

A 6.7.a. abran feszultsegosztos megoldas allitja be a munkaponti gate-feszultseget. A 6.7.b. abrdn lathato munkapont-beallitas eseten a gate-elektroda elofesziteset, csak az Rs ellenallason eso feszultseg biztositja. A meretezesek soran figyelembe kell venni, hogy tervezerlesu tranzisztorok bemeneti arama nullanak tekintheto. Az Rs ellenallas a munkapont termikus-stabilizalasat biztosftja ( a bipolaris tranzisztorokhoz hasonloan),

10 t + UT G~:
1001
i,;
; i Uk; I
I
Ubei Cs Ubel
I I
I i
, , a)

6.7. libra. Onvezeto FET-ek munkapont-beallitasa

a) Jesziiltsegosztos megoldds b) source-ellendlldsos megoldds

b)

Az aramkorok meretezese az I[){) munkaponti drain-dram megvalasztasaval kezdodik, A transzfer karakterisztika segftsegevel (6.8. libra) meghatarozhato a hozza tartoz6 Voso gatesource feszidtseg, Az V GSa szamitasara a kovetkezo egyenlet hasznalhato:

f 10 V GSO = V p -[ 1- ~ ~ :; )

Ebb61 meghatarozhato a source-ellenallas:

Rs = IVGsol =td'[l- [1;")

I DO I DO vI;;;

A torzitasmentes mukodes erdekeben a munkaponti drainfeszultseg megvalasztasanak feltetele:

V DSO > V GSO - V p

A drain-ellenallas meghatarozhato Kirchhoff huroktorvenyet felfrva a tapfeszultseg vonalra:

V r = V DSO -+ I DO' (RD + Rs),

6.8. libra. N csatornas J FEr atviteli

karakterisztikaja

R - Vr-UDso D-

IDO

A 6.7 .a. abra eseten a feszultsegosztot alkot6 ellenallasok, nagy ertekuek:

R2 = V GSO -+ I DO • Rs , mivel 10 nagyon kicsi lehet. 10

83

6. Tranzisztorok'munkapont-briHitasa

Az RI es R2 ertekeinek felso hatarat azszabja meg, hogya gate-visszaram okozta feszaltsegeses sokkal kisebb kelllegyen, mint az UGSO erteke, Eza gyakorlatban azt jelenti, hogy maximalis ertekei Mel nagysagrendben lehetnek

Onzaro tervezerlesii tranzisztorok munkapont-beafhtasa

A 6.9. abra onztir6 (novekmenyesi MOSFET munkapont-beallftasara alkalmas kapcsolast mutat. A gate-elektroda elofeszitese szempontjabol egy Rs source-ellenallasnak itt nines jelentosege. Abban az esetben ha a munkapont termikus stabilizalasara van sziikseg, akkor be lehet iktatni a source es a fold kijze egy Rs ellenallast, mint az onvezeto FET -es kapcsolasok eseten, A szamltasok hasonl6ak az elozoekben targyalt esetekhez.

A munkaponti adatok es a tranzisztor

,.----0 + u,. parametereinek ismereteben, az Rio R2, RD ellenallasok meghatarozasaboz a kovetkezo osszefuggesek szuksegesek:

Uk!

( U GSO)2

lDO = IDS· l--u;

U DSO = U DO = U T - I DO • RD R2

UGSO = ·U DSO

2·R, +R2

R - UT-UDSO D-

IDO

6.9. ibra. N csatornas onz8r6 MOSPEf munkapont-beallftasa

r7 Szamitasi peldak: 1. Feladat:

A.tlakJk:

Meretezze a 6.6.a.flbr4n lilthat6 emitterkapcsolasu erosito munkapont-beallito elemeit! Megoltlds:

iR '= UT-Ueo = 15V-9V =1,2kO

cleo 5mA--

R E= Ueo - U CEO = 9 V -7 V = 400 Q

leo 5mA--

, leo 5mA

IBo=-=--=33jlA, ~ 10 ",,10·/ao=0,3mA.

B 150

UT= 15 V UBEO=0,7 V leo =5 rnA, UCEo=1V Ueo=9V B= 150

U BO = U co + U 8EO - U CEO = 9 V + 0,7 V - 7 V = 2,7 V

R 2 = U 80 = U co + U BEO - U CEO = 9 V + 0,7 V - 7 V = 9 kQ

10 10 0,3 rnA --

R,= UT-V 80 = 15 V -2,7 V::: 41 kO

10 0,3 rnA --

84

6. Tranzisztorok munkapont-beallitasa

2. Feladat:

Adatok:

Meretezze a6.7.b. tibrem hithatosource-kapcsohisu erosito muakapont-beallito elerneit! Megold4s:

VT=26 V VDso= lOY IDO = 2,5 rnA IDs = 10 mA Up= -3 V

2r,5 mA) = -1,5 V IOmA·· --

Rs = IV Gsol = 1,5 V = 06 kQ = 600 Q

[DO 2,5 rnA ' --

VT = V DSO + [DO .(RD + Rs), ~

R = V T - V DSO _ R = 20 V -10 V _ 06 kQ = 3 4 kQ

D [ DO S 2,5 mA ' ,

AzRt ellenallas nem.jatszik.szerepet a munkapont beallftasaban, Maximalis erteke MQ nagysagrendben van es meghatarozza a kapcsolas bemeneti impedanciajat,

6.3. Tranzisztorok helyettesito kepei

Linearis erositokapcsohisokban a tranzisztor a normal aktiv tartomanyban rmikodik.

Ennek biztosftasara a munkapont-bealllto halozat segitsegevel be kell allitani az aktiv tartomanyra jellemzo egyenfesziiltsegeket es egyenaramokat, Az ercsitendo jel ezekre a munkaponti adatokra szuperponalodik. Lineariserosftokapcsolasokban a hasznos jel csak akkora lehet, hogy hatasara a rnunkaponti adatokhoz kepest fellepo feszultseg- es aramvaltozasok kozott a kapcsolat linearis maradjon (kisjelii mukodes). Ilyen esetekben a tranzisztor - a munkaponti adatoktol eltekintve - aktiv linedris negypolusnak tekintlieto;

A 6. /0. libra emitterkapcsolasu erosito negypoluskent val6 ertelmezeset szemlelteti,

lco+ic iB ic
<I.~-. u·o Duo
IBO+iB j U",+Uo
-- .. --t>
UBEO+UB ~ =::t> N.P.
6.10 libra. A tranzisztor mint linearis negypolus

Kisfrekvencian szinuszos, vagy egyeb idoben lassan valtozo jelekre a tranzisztor frekvencia-fuggetlen, val6s negypolusnak tekintheto. Jellemzesere szamos helyettesito kep hasznalhato, Az elektronikai eszkii; helyettesito kipinek neveziink egy olyan elektronikai szamltasi szempontbol egyenertekil kapcsolast. amely elektromos szempontbol ugyanugy viselkedik mint a helyettesitett eszkoz: Alt,alanos esetben a helyettesito kep negy fiiggetlen parametere jellemzi az eszkozt. Ha a valtakozo mennyisegek amplinidoja kicsi, helyettesithetjiik oket egyenfeszultsegek, illetoleg egyenaramok kis megvaltozasaval,

A helyetteslto kep bevezetesenek a celja a szamitasok megkonnyitese, az eszkoz mukodesenek szemleletesebbe tetele.

85

6. Tranzisztorok munkapont-beallitasa

Egy negypolus barmely parameterrendszerrel jellemezheto. A tranzisztorok parameterrendszerenek kivalasztasakor meresteohnikai szempontok dontenek.

Kisfrekvencian a bemeneten az uresjaras, a kimenetena rovidzar valosfthato meg legkonnyebben. Ehhez az ugynevezett hibrid parameterrendszer tartozik.

Magas frekvencian a rovidzarat merestechnikai okokbol konnyebb megval6sftani (merofrekvenciara hangolt rezgokorok segitsegevel). Ezert ilyenkor az admiuanciaparametereket szokas megadni.

• A hibrid (vegyes) parameteres egyenletrendszer:

UI = hll . il + hl2 . u2 i2 = -h21 ·il + h22 . u2

A parameterek dimenzi6it is figyelembe vev« felrajzolhat6 a bemeneti- es a kimeneti korre ervenyes helyetteslto kep. A 6. J 1. abra a hibrid pararneteres egyenletrendszemek megfelelo helyettesito kepet szemlelteti,

1 h~

6.11. libra. Kisjeliihelyettesini kep a h parameterek segftsegevel

• Az inverz hibrid tforditott vegyes) parameteres egyenletrendszer:

.il =dll·uI -d12 ·i2 u2 =d21 ·ul +d22 ·i2

A 6.12. dbra az inverz hibrid parameteres egyenletrendszemek megfelelo helyettesito kepet szemlelteti:

il d iz
-~ 22 000II- -----
I I
~I 1 A ~ I
clt1 I I Uz
I dZ1·U1 i
, , 6.12. libra: Kisjelii helyettesito kep ad parameterek segftsegevel

86

6.Tranzisztorok munkapont-beaHitasa

• Az admittancia parameteres (komplex vezetes) egyenletrendszer:

il = YII 'U1 - YI2 'U2

i2 = - Y21 • U1 + Y22 • U2

A 6.13. abra az admittancia parameteres egyenletrendszemek megfelelo helyettesitO kepet mutatja,

il
---{>
U1 _L r t
Yll
, 1 Y22

6.13. libra: Kisjelii helyetteslto kep az y pararneterek segftsegevel

A tranzisztorok harem alapkapcsolasban keri.ilnek felhasznalasra. Az egyenletrendszerek es a helyettesito kepek az egyes alapkapcsolasokban formailag valtozatlanok maradnak, de a parameterek ertekei kulonboznek. Ez annak tulajdonithat6, hogy kiilOnbOzo alapkapcsolasokban mast es mast tekintiink kimeneti es bemeneti villamos jellemzoknek. A parameterek megkiilonbOztetesere az indexben az alapkapcsolast rovidito kisbetiit hasznalnak (pI. hZ1e).

6.3.1. Bipolaris tranzisztorok helyettesitf kepe

A bipolaris tranzisztorok negypolus rendszerii helyettesito kepei a 6.14. abran lathatok.

A helyettesito kapcsolasok egyszenisitest tartalmaznak, mivel a muszaki gyakorlatban - jo min5segii tranzisztorokat feltetelezve - a feszultseg-visszahatast altalaban elhanyagolhatjuk. Ennek kovetkezteben, a tranzisztor jellemzesere harem fiiggetlen parameter elegendo.

i2 il i2
<}--~ . ---t> <1 ----
1 I I 1 r 1 I"'
h; 1"' u1 I y;~ Y22
• aj b)

6.14. libra. Bipolaris tranzisztorok helyettesitO kepei

a) hibrid parameteres helyettesitd kep b) admittancia parameteres helyettesito kep

87

6. Tranzisztorok munkapont-beallft4sa

A hibrid parameteres kip segftsegevel a tranzisztor kisfrekvencias miikodeset,.az. admittancia parameteres helyettesitd kep segftsegevel a nagyfrekvencids mukodeset jellemezhetjUk.

r:r Szamitasi pelda:

Hatarozzuk meg a bipolaris tranzisztor negypolusu helyettesito kepe alapjan az emitterkapcsolasu h parametereketl

Mego/das:

.a)

oj

6.l5.abre.

A hibridparameterek meghatArozasat es a 6.15. a)es b) abrat felhasmalvakapjuk:

A bazis- is' kollektorkapcsolasra ervenyes hibrid parametereket ugy hatarozhatjuk meg. hogy a parametereket meghatarezo egyenletekbe a kovetkezo valtozokat belyettesitjiik:

• biiziskapcsolas eseten:

• kollektorkapcsolas eseten:

.

U, = UEB

i, = ie U2 = UCB i2 = ic

U, = UBC i, = iB

. U2 = U'£C i2 = iE

88

6.Tr8nzisztorok munkapont-beauitasa

6.3.2. Tervezerlesii tranzisztorok helyettesitd kepe.

A tervezerlesu tranzisztorokjellemzesere a legalkalmasabbak az admittancia es az inverz hibrid parameterek. Figyelembe kell venni, hogy a tervezerlesu tranzisztorok gate-arama e1hanyagolhat6 mertekii (iG '" 0), ami a nagyon nagy bemeneti ellenallasuknak a kovetkezmenye,

Az admittancia parameterek a source- es a drain-kapcsolasokra vonatkoztatva a kovetkezok:

~

Y21 =-

"2=0

-'0. V - !1'G - O:

_, .lId- U . -,

GS "05=0

-'0. V - !1'G - 0 .

_, .12d - - ,

uos uoo=o

io I

~ Y21d =-- .

uos Uos=O

J6 minosegu tervezerlesu tranzisztorokat feltetelezve a visszahatast elhanyagolhatjuk es egyszeriisitett helyettesite kepeket kapunk.

Az inverz hibrid parameteres helyettesito kepet a 6.16.a. abra, az admittancia parameteres helyettesito kepet a 6. 16.b. dbra, szemlelteti.

i1=0

Gh

U11 X

,

s

a)

6.16. abra. Tervezerlesa tranzisztorok helyettesitO kepei

a) inverz hibrid parameteres helyettesitiJ kep

b) admittancia parameteres helyettesitiJ kep

.---..----0 D

~~ j~

b)

89

6. Tranzisztorok munkapont-beaUitasa

GV' Osszefoglal6 kerdesek:

1. Mi jellemzo a tranzisztor linearis es nemlinearis miikOdesere?

2. Mit neveznek sztatikus es dinamikus uzemmodnak?

3. Hatarozzameg a kivezerelhetoseg fogalmat!

4. Milyen munkapont-beallitasi lehetosegeket ismeriink a tranzisztoroknal es ezek milyen

jellemzokkel rendelkeznek?

5. Hatarozza meg a kis- es nagyjelii iizemmod fogalmat!

6. Hatarozza meg a munkaegyenes fogalmat!

7. Milyen kapcsolasokban lehet a bipolaris tranzisztor munkapontjat beallftani?

8. Hogyan lehet egy onvezeto MOSFET munkapontjat beallitani?

9. Mit neveziink helyettesito kepnek?

10. Milyen parameterrendszerrel jellemezheto a JFET?

11. Hatarozza meg, a source- es a drain-kapcsolasokra vonatkoztatva az inverz hibrid parametereket!

12. Hatarozza meg a bipolaris tranzisztor negypolus helyettesito kepe alapjan az emitterkapcsolasii y parametereketl

90

7. Erositc5 aramkorok

7. Erosito aranlkorok

7.1. Alapfogalmak

Az elektromos jelek sokszor olyan kis jelszintet kepviselnek, hogy az altal uk hordozott informacio nem hasznalhato, ezert elozoleg fel kell erositeni egy adott gyakorlati alkalmazas altai megkovetelt szintre. Azokat az elektronikus kapcsolasokat, amelyekkel egy jel erositeset Iehet megval6sitani erdsiuiknek nevezziik. Az erosltok a feszultsegen kivul az aramot is erositik es termeszetesen ennek megfeleloen az elektromos jel teljesitmenyet is.

Altalanos esetben az erosito egy aktiv negypolus, amely kepes a kimeneten a bemenetere kapcsolt elektromos jellel megegyezo hullamformaju, de tetszolegesen nagyobb teljesitmenyu (feszultsegu, aramu) elektromos jelet szolgaltatni (7.1. tibra). Ahhoz, hogy ezt a feladatot egy erosito teljesitse, egyenfeszultsegu energiaforrassal (tdpegyseg] kell taplalni, amelynek elektromos energiaja kepes fedezni a kimeneti teljesitmenynovekedest es a fellepo vesztesegeket, Maga az erosites folyamata nem mas, mint vezerelt teljesitmeny-dtalakiuis.

Az erosites megvalositasa csak aktiv felvezeto elemmel (bipolaris tranzisztor, tervezerlesti tranzisztor) lehetseges. A megfelelo mukodes biztositasara sziikseg van passziv e1emekre (ellentilltis, kondenzator, stb.) is. Az erositok kiilOnleges csoportjat alkotjak a rmiveleti erositok, amelyek felepitesevel es miikodesevel kiilon foglalkozunk.

i,

. -----{>

u,

[>

7.1. libra. Erosito tombvazlata

Az erosito bemenetere kapcsolt jelforras altai szolgaltatott feszultseg hullamformaja (alakja) tetszoleges lehet. Az erositendo jel tipusa szerint megkulonboztettink:

Q Vallllkoz6 feszultsegiierositot (- a bemeneti jel valtakozo feszidtseg ).

Q EgyenfeszUltsegii erositot (- a bemeneti jel egyenfesziiltseg),

A valtakozo feszultsegu erositok erositese a valosagban frekveneiafuggo, Letezikegy fa also- es egy Jj felso hatarfrekvencia, a hatarfrekvenciak kozotti tartomany IlZ erosito savszelessege (7.2. tibra). Az erosfto hatarfrekvenciainak azt a ket frekvenciat nevezziik, amelyeken az erosites 3 dB-lei ( 0,7 ·Au ) kisebb az h kbzepes frekvencidn elert erositesnel. AZh kozepes frekvencia a ket hatarfrekvencia mertani kozepe (hangfrekvencias erositoknei ez a frekvencia altalaban f k= 1kHz).

A nagy savszelesseggel rendelkezo erositoke; szelessavu erositoknek nevezzUk.

Bizonyos merestechnikai es szabalyozastechnikai alkalmazasokban gyakran csupan keskeny frekvenciasav erositesere vanszukseg, mivel a savon kiviil eoo frekvenciaju jelek zavar6 hatast fejtenek ki.

91

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->