Informe Final

Laboratorio N1
Curso: ElectrnicaUNIVERSIDAD
de potencia NACIONAL DE
INGENIERA-fim
Tema: Disparo del tiristor con
componentes discretos

Integrantes:
- Huasupoma Malca , Enrique ;
20121046F
- Pelez Crdenas Sergio Kevin ;
20121018B
Seccin: A

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FACULTAD DE INGENIERIA MECANICA

ELECTRONICA DE
POTENCIA

Contenido
I.Objetivo de la experiencia............................................................................2
II.Equipos y materiales................................................................................... 3
III.Fundamento terico................................................................................... 4

TIRISTORES........................................................................................... 4
-

Diodo Shockley.................................................................................. 4

SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)...........................................5

EL DIAC.............................................................................................. 5

EL TRIAC............................................................................................ 6

IV.Materiales................................................................................................... 8
V.Procedimiento.............................................................................................. 9
VI.Hoja de datos........................................................................................... 11
VII.Cuestionario............................................................................................ 12
VIII.Observaciones y Conclusiones...............................................................13
IX.Anexos..................................................................................................... 14
Anexo 1:.................................................................................................... 14
Anexo 2:.................................................................................................... 14
Anexo 3:.................................................................................................... 15
Anexo 4:.................................................................................................... 15
Anexo 5:.................................................................................................... 15
Anexo 6:.................................................................................................... 16

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I.Objetivo de la experiencia
1.- Comprobar experimentalmente el disparo de un tiristor con elementos
discretos y este est conectado con una carga.
2.- Armar circuitos de activacin de un tiristor y observar las ventajas y
desventajas de cada uno de ellos.

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II.Equipos y materiales
1.- 1 Osciloscopio digital
2.- 1 Multmetro digital
3.- 1 Tiristor 2N3669 o Equivalente
4.- 1 Protoboard
5.- 1 Foco con socket
6.- 2 condensadores de 0.22uF, 0.088uF, 0.02uF, 1uF, 5uF
7.- 2 resistencias de 10 k
8.- 1 Potencimetro de100 k y 2W de potencia
9.-2 interruptores SW1, SW2

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III.Fundamento terico
TIRISTORES
Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de cuatro
capas (pnpn), que se utilizan para controlar grandes cantidades de corriente
mediante circuitos electrnicos de bajo consumo de potencia.
La palabra tiristor, procedente del griego, significa puerta. El nombre es fiel
reflejo de la funcin que efecta este componente: una puerta que permite
o impide el paso de la corriente a travs de ella. As como los transistores
pueden operar en cualquier punto entre corte y saturacin, los tiristores en
cambio slo conmutan entre dos estados: corte y conduccin.
Dentro de la familia de los tiristores, trataremos en este tutorial los tipos
ms significativos: Diodo Shockley, SCR (Silicon Controlled Rectifier), GCS
(Gate Controlled Switch), SCS (Silicon Controlled Switch), Diac y Triac.

Diodo Shockley

Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados

estables: uno de bloqueo o de alta impedancia y de conduccin o baja
impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky.
Est formado por cuatro capas de semiconductor de tipo N y P, dispuestas
alternadamente. Es un tipo de tiristor.
La caracterstica Tensin-Corriente (V-I) se muestra en la figura. La regin I
es la regin de alta impedancia y la III, la regin de baja impedancia. Para
pasar del estado apagado al de conduccin, se aumenta la tensin en el
diodo hasta alcanzar la tensin de conmutacin, denominada V s. La
impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente
que lo atraviesa se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un
nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado apagado, se
disminuye la corriente hasta la corriente de mantenimiento, denominada I h.
En ese instante el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms
la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la
regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A). La
tensin inversa de avalancha es denominada Vrb.
Este dispositivo fue desarrollado por el fsico estadounidense William Bradford
Shockley (1910-1989), tras abandonar los Laboratorios Bell y fundar Shockley
Semiconductor. Fueron fabricados por Clevite-Shockley. Shockley fue el
descubridor del transistor por el que obtuvo el Premio Nobel de Fsica en 1956.

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Smbolo del diodo Shockley

Shockley

Grfica V-I del diodo

SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)

El SCR es un dispositivo de cuatro capas muy similar al diodo Shockley, con

la diferencia de poseer tres terminales: nodo, ctodo y puerta (gate). Al
igual que el diodo Shockley, presenta dos estados de operacin: abierto y
cerrado, como si se tratase de un interruptor.

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Construccin bsica y smbolo del SCR

EL DIAC

Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un

dispositivo de dos terminales que funciona bsicamente como dos
diodos Shockley que conducen en sentidos opuestos.

Construccin bsica y smbolo del diac

La curva de funcionamiento refleja claramente el

comportamiento del diac, que funciona como un
diodo Shockley tanto en polarizacin directa como en inversa.
Cualquiera que sea la polarizacin del dispositivo, para que cese la
conduccin hay que hacer disminuir la corriente por debajo de la
corriente de mantenimiento IH. Las partes izquierda y derecha de la
curva, a pesar de tener una forma anloga, no tienen por qu ser
simtricas.

Caracterstica V-I del diac

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EL TRIAC

Este dispositivo es simular al diac pero con un nico terminal de puerta

(gate). Se puede disparar mediante un pulso de corriente de gate y no
requiere alcanzar el voltaje VBO como el diac.

Construccin bsica y smbolo del TRIAC.

En la curva caracterstica se indica que para

diferentes disparos, es decir, para distintas
corrientes aplicadas en gate, el valor de VBO es distinto. En la parte de
polarizacin positiva, la curva de ms a la izquierda es la que presenta un
valor de VBO ms bajo, y es la que mayor corriente de gate precisa en el
disparo. Para que este dispositivo deje de conducir, como en el resto de los
casos, hay que hacer bajar la corriente por debajo del valor IH.

Al igual que el
suministrada
a
que la potencia
durante
un
diferencia con el

Caracterstica V-I

SCR, se emplean para controlar la potencia

una carga. El triac puede dispararse de tal modo
en alterna sea suministrada a la carga
tiempo determinado de cada ciclo. La
SCR es que se puede disparar tanto en la
parte positiva que en la negativa del
ciclo, de tal manera que la
corriente en la carga puede
circular en los dos sentidos.

del triac

Control bsico de potencia con un Triac

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IV.Materiales

1 Osciloscopio digital

1 Multmetro digital

1 Tiristor 2N3669 o Equivalente.

1 PROTOBOARD

1 Foco con su sokect (carga)

2 Condensadores de 0.22uF, 0.088uF , 0.02uF, 1uF, 5uF

2 Resistencias de 10 K y 2W de potencia

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V.Procedimiento
1) Armar el circuito de la figura.
S W 1

F O C O

10k

R1
2N3669

220Vac
60Hz
100k

Rp
S W 2

2) Seleccionar en RP un valor de 50K y cerrar el interruptor SW1

observando que sucede con la lmpara.
3) Luego de verificar las conexiones cerrar el interruptor SW2, observando
lo que sucede con la lmpara y medir la tensin entre el nodo y ctodo.
4) Repetir el paso 2 y 3 para valores de R P de 70 y 100K.
5) Armar el circuito que se muestra en la figura y seleccione en R P un valor
de 50K.
S W

F O C O

10k

R1
2N3669

220Vac
60Hz
100k

0 .2 2 u F

Rp

C1

6) Conectar el OSCILOSCOPIO entre los terminales del condensador y

observe la forma de onda.
7) Luego de verificar que todas las conexiones estn correctas cerrar el
interruptor SW, observando la figura que aparece en el osciloscopio, lo que
sucede con la lmpara , el tiempo que demora en prenderse y medir la
tensin entre nodo y ctodo del tiristor.
8) Repetir los pasos 6 y 7 para valores de RP de 70 y 100K.

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9) Anote en su hoja de datos todos los grficos y valores de tensin

medidos; recuerde que la corriente y tensin son alternas, por lo tanto debe
tener mucho cuidado.

Circuito N1

Circuito N2

Mediciones circuito N 1

Mediciones circuito N2

Voltaje de la carga vista en el osciloscopio

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VI.Hoja de datos

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VII.Cuestionario
1. Hacer el fundamento terico del experimento realizado.
(Ver pgina 4 del informe).
2. Cul es la diferencia entre el primero y segundo circuito?
La diferencia radica en el rango de variacin del ngulo de disparo, en
el primer circuito podemos controlar el ngulo de disparo entre 0 y
90,modificando los valores de R1 y Rp(Ver anexo 1), mientras que en
el segundo lo podemos hacer entre 0 y 180, con valores de C1, R1 y
Rp adecuados (Ver anexo 2), la razn por la cual es posible esto es
debido a la adicin de un condensador, por lo que podemos
manipular la constante de tiempo del circuito.
3. Qu sucede con la lmpara cuando aumenta el valor de R P en ambos
circuitos?
Cuando aumentamos el valor de Rp, disminuye la corriente que
circula al terminal GATE, por consiguiente el tiristor no alcanzar la
corriente de puerta de disparo (I GT) para activarlo, es decir, el tiristor
no conducir corriente.
4. Segn su opinin cul de los circuitos de disparo es el recomendable
Por qu?
Recomendamos el uso del segundo circuito porque se puede disear
tal que el ngulo de disparo est en el rango de 0 a 180, mucho
ms verstil que el primero (0 a 90), pero con la observacin de
que el condensador producir fluctuaciones pequeas cuando se
cargue y descargue, dependiendo del valor de la capacitancia(Ver
anexo 2).
5. Qu dificultades encontr para realizar este experimento? Sugiera
que cambios se podran hacer para mejorarlo.
-No encontramos el tiristor pedido en la gua de laboratorio,
sugerimos utilizar el tiristor de cdigo TYN616 u otro equivalente.
-Algunas fuentes del laboratorio estn defectuosas por lo que
sugerimos usar como fuente directamente el tomacorriente con
precaucin y haciendo buen contacto entre sus terminales.
Recomendamos aadir un segundo resistor R2 (resistencia de ctodo
puerta), tambin denotado como R GK, el cual se incluye para evitar
una activacin indeseada del tiristor(Ver anexo 3).
En el segundo circuito, las pequeas fluctuaciones causadas por el
condensador, hacen difcil de medir a simple vista el ngulo de
disparo en el osciloscopio(Ver anexo 4), recomendamos visualizar al
mismo tiempo en el osciloscopio, el voltaje de entrada, para
determinar con mayor exactitud el ngulo de disparo(Ver anexo 5).

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VIII.Observaciones y Conclusiones
1) Lo que manipulamos en ambos circuitos es la resistencia puerta-ctodo,
en consecuencia, controlamos la corriente de la puerta, la cual al alcanzar
un valor de diseo dado por el fabricante (I GT), activar el tiristor.
2) Para el tiristor que utilizamos, el valor de la corriente I GT vara entre los
2mA y 25mA, la corriente de mantenimiento IH puede ser como mximo
40mA y por ltimo la corriente de enganche I L llega a ser como mximo
60mA (Ver anexo 6), estas dos ltimas son corrientes que circulan de nodo
a ctodo.
3) En el primer circuito, observamos que el tiristor (cuando conduce)
rectifica la seal porque el voltaje nodo-ctodo ya no es positivo en el
semiciclo negativo del voltaje de entrada.
4) En el segundo circuito, podemos calcular el ngulo de disparo utilizando
la constante de tiempo del circuito() mediante la siguiente ecuacion:

x =360

; =RcargaC , esto hace posible obtener rangos que varen

16,67 ms

de 0 a 180.
5) Con solo un SCR no es necesario controlar su puerta ms all de 180, ya
que est "muerto" en ese perodo de tiempo entre 180 y 360, por
pertenecer al flanco negativo de la corriente alterna.

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IX.Anexos
Anexo 1:

En este caso: Rp=100k y R1=10k. Podemos observar que el ngulo de

disparo est entre 0 y 90. Se simul utilizando el programa Multisim 12.0.

Anexo 2:

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En este caso: C1=2uF, Rp=10k y R1=1k. Podemos observar que el

ngulo de disparo est entre 90 y 180. Se simul utilizando el programa
Multisim 12.0.

Anexo 3:

Esta es la disposicin del resistor R2 en el circuito para evitar una activacin

indeseada del tiristor.

Anexo 4:

A simple vista es difcil determinar el ngulo de disparo.

Anexo 5:

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Ahora, es mucho ms sencillo poder determinar el ngulo de disparo.

Anexo 6:

Caractersticas del tiristor TYN616, fuente: datasheet en internet.

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X. Referencias bibliogrficas

http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/application_n
ote/CD00183570.pdf
http://pdf1.alldatasheet.com/datasheetpdf/view/232916/STMICROELECTRONICS/TYN616.html
http://www.radio-electronics.com/info/circuits/scr-silicon-controlledrectifier/firing-triggering-circuit.php
http://www.edaboard.com/thread64478.html
Electrnica de potencia Mohammed H.Rashid
Electrnica de potencia Ned Mohan

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