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NACIONAL
FACULTAD DE INGENIERIA ELCTRICA Y
ELECTRNICA
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
PREPARATORIO
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
Prctica #:
Realizado por:
Alumno (s): Edwin Cabrera
Grupo: DISE7_#2
(Espacio reservado)
Fecha de entrega:
ao mes
Sancion:
2015
da
Semestre:
/ 06 / 18
Recibido por:
Abril-Agosto
f.
Trabajo Preparatorio
Nombre: Edwin Ramiro Cabrera Cuichn
Practica #: 7
Tema: Anlisis DC de un transistor bipolar de juntura
Objetivo General: Analizar e implementar los principales circuitos de
polarizacin para los transistores bipolares de juntura
Desarrollo:
1.- Consultar las caractersticas tcnicas ms importantes de los
transistores 2N3904, 2N222 y 2N3609.
Transistor 2N3904.
Registrado por la Motorola Semiconductor hizo aparicin a mediados de los
sesenta. Es de polaridad NPN y ampliamente utilizado por su versatilidad.
Descripcin:
Es un transistor de unin bipolar de mediana potencia, destinado para
propsito general en amplificacin y conmutacin, construido con
semiconductor silicio en diferentes formatos como TO-92, SOT-23 y SOT-223
como se muestra en la figura I, donde tambin se muestra su distribucin
de pines. Puede amplificar pequeas corrientes a tensiones pequeas o
medias y trabajar a frecuencias medianamente altas.
Principales caractersticas
Transistor 2N2222
Parmetros y caractersticas.
Fuente: http://juliodelgado.galeon.com/
El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si
le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el
entregar por otra (emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que se
llama amplificacin.
colector-emisor.
Cuando la terminal que se elige como colector es la
correcta esta disminucin en el valor de la resistencia es
considerable.
Si la terminal elegida como colector no es tal, sino la de
emisor, al efectuar dicha prueba la disminucin de la
resistencia no ser tan importante.
Circuito 1
Solucin
Equivalente de thevenin
V th =
V cc . R2
12
=20
R 1 + R2
(12+54)
V th =3,63[V ]
V BB V BB =V th
I B .9,81 k + 0,7+330(I B + . I B )
I B .9,81 k + 0,7+330(1+100)
I B=67,91 A
i C = . i B
i C =100(67,91 A )
i C =67,91 m A
i E =iC +i B
i E =
6,79 mA+67,91 A
i E =
6,85 mA
Calculo de
V CE
malla de Salida
20=I C .2 k +V CE +330 .i E
I C = I E
Ganancia de Corriente en Base comn
Si es grande
I E =I C
(1)
RB 2
.V
R B 2 + R B 1 CC
Rth =R B 1 RB 2
V th =
V th =1,95[V ]
V BB Rth=
100 k .15 k
=13,03 k=R B
100 k +15
Transistor ON
V BB =R B . i B +V CE + R E (i B +iC )
15=
i B=11,67 A
i C = . i B
i C =100(11,67 A)
i C =1,167 m A
i E =i B +i C
i E = 11,67 A + 1,167 mA
i E =
1,17(mA)
Calculo de
V CE
15=i C . R C +V CE +i E . R E
15=1,167 mA ( 3,3 k ) +V CE + 1,17 ( mA ) .1,2 k
V CE =9,74 [V ]
R .R
15 k 2
. 15 R th = B 1 B 2
100 k+ 15 k
R B 1 + RB 2
I C = I E
I E =I C
(1)
Circuito 3
Clculo de equivalente de thevenin
V th =V CC .
R2
R2 + R1
Rth =R B 1 RB 2
V th =22
V th =0,44[V ]
V BB Rth=0,17 k
V BB <V CE (OFF)
22=i B . R B +V CC
1,8 k
R =82 k 1,8 k
82 k +1,8 k th
Circuito 2
Bibliografa:
http://www.ecured.cu/index.php/Transistor_2N3904
http://www.utm.mx/~mtello/PracticascircElectro/Practica4CircElectro.pdf