Instituto de Artes Audiovisuales

Electricidad y Electrnica bsica

Elaborado por: Enrique Tirado Y.

Electricidad y Electrnica bsica

INTRODUCCION A LOS CIRCUITOS ELECTRICOS

S, la obra que aqu presentamos tiene un reparto de excepcin y est de total actualidad. Pudiera parecer que queremos
elevar la Electrnica a una categora que no le corresponde y, en cierto modo, algo as intentaremos. Frmulas y clculos
matemticos aparte, la Electrnica puede, y en nuestra opinin debe, ser considerada tambin un arte.
Lo que hoy conocemos con el denominador comn de Tecnologa de la Electrnica puede parecer a primera vista un
apartado ciertamente complejo destinado a ser manejado por cultivados especialistas en la materia, ayudados por
avanzados sistemas de clculo y vetado a los no iniciados en esta noble ciencia. Pues bien, no podemos negar que algo
de eso hay. Pero no es menos cierto que aparte de ser la tecnologa punta que domina nuestro diario ir y venir, la
Electrnica puede ser tambin un arte, una forma ms de expresin.
Si bien es cierto que los tecnlogos ms versados en esta materia pudieran parecernos un poco fros y calculadores, no lo
es menos que la misma conlleva una imperiosa necesidad de ingenio y creacin con que alimentarse. De ah nuestro
ahnco en demostrar, a partir de aqu, dos cosas. La primera de ellas es la cara oculta y atractiva de la Electrnica, su
modo de ser creacin, imaginacin y, en definitiva, una forma, acaso atpica, de arte. La segunda, y a nuestro modo de ver
an ms importante, es la posibilidad de domesticar la Electrnica, esto es, hacer ver a los posibles aficionados que se
trata de una ciencia totalmente asequible, que debe ocupar ya! una parte de nuestros conocimientos y, por qu no, gozar
de nuestro aprecio. Basta ya de barreras... Comienza la funcin.
1. Diferencias entre electricidad y electrnica
Toda obra que prevea cierto xito de taquilla ofrece golosas posibilidades a los artistas
noveles y por lo tanto estos intentarn conseguir salir a escena aun a costa de
desbancar a los actores ms consagrados. As ocurri con la Electrnica. Todo se lo
deba a la Electricidad y, sin embargo... La primera disyuntiva que surge a la hora de
colocar la ciencia electrnica en su lugar aparece en cuanto intentamos separarla de su
antecesora: la electricidad. De ah surge la pregunta es esto realmente necesario?.
Seguramente no. Pero queda claro que todo electrnico que se precie intentar darnos
una versin, ms o menos acertada, de cmo y porqu se escindi la electrnica de la
no menos noble ciencia de la electricidad. Tampoco nosotros podemos resistirnos a ello,
pero en vez de razonarlo categricamente vamos a intentar explicar de una forma
sencilla el proceso para que sea el lector quien saque sus propias conclusiones.
Queda claro que la electricidad est involucrada en todo proceso electrnico. Sin
embargo, por caprichos del destino, esta aseveracin estaba destinada a no ser
reversible, es decir, que existen procesos elctricos que claramente excluyen la ciencia
de la electrnica.
El motor del ms moderno de los ventiladores responde a un funcionamiento puramente elctrico, mientras que el ms
antiguo aparato radio que podamos recordar ser sin duda un dispositivo o menos sofisticado-electrnico pero, claro est,
precisar del concurso de la electricidad para poder funcionar.
La electricidad ha estado enfocada siempre a una utilizacin masiva de los electrones, esto es, incluso antes de poder
razonar experimentalmente la existencia del electrn ya se utilizaba masivamente la electricidad. La bombilla, los motores
elctricos, timbres, electroimanes, transformadores, etc., se basan en el uso del electrn, del cual hablaremos de una
manera, permtasenos la expresin, bastante tosca.
Como todos sabemos, el electrn es uno de los componentes bsicos de la materia. Basta indicar aqu que segn sea la
materia analizada as ser el nmero de electrones que esta posee y la posicin de estos sobre sus tomos. Un tomo es
la parte ms pequea que podemos tomar de una materia dada. As, por ejemplo, la disposicin a dar y recibir electrones
no es la misma en un tomo de cobre que en uno de carbono. Esta propiedad bien utilizada poda ser algo revolucionario
y, de hecho, lo es.
El pistoletazo de salida en la carrera de la electrnica lo dio la aparicin de las vlvulas termoinicas o de vaco, que no
son sino los tubos iluminados que podamos encontrar (an hoy da pueden verse) dentro de las radios y de los televisores
ms antiguos.
La razn de considerar la aparicin de las vlvulas como el detonante de la explosin electrnica es su posibilidad de
"manejar" uno a uno los electrones, es decir, controlar el flujo de los mismos. A este control o "modulacin" de dicho flujo
se le asoci el calificativo de polarizacin. La vlvula estaba constituida por un emisor de electrones (al que se llam
ctodo), un receptor de electrones (denominado nodo) y una "rejilla" colocada de forma que fuera atravesada por el flujo
de electrones emitido por la patilla denominada ctodo. Es obvio que si la rejilla est ah no es por casualidad. Tena un
papel fundamental que representar, y bien que lo hizo.
Quedaba claro que el movimiento de electrones se origina cuando estos deben equilibrarse y cuando se aproximan
materias que por la cantidad y disposicin de los mismos en su superficie estn predispuestas, unas a soltar electrones y
las otras a recibirlos. A esta circunstancia se la dio en llamar polarizacin. Es decir, segn sea la carga (en cantidad y
situacin de electrones) de una materia dada as ser su predisposicin a soltar o recibir electrones.
Si la vlvula anteriormente descrita solo poseyera un nodo y un ctodo no se hubiera conseguido otra cosa sino
mantener la circulacin de electrones, pero, como quiera que se intercal una rejilla, denominada muy apropiadamente
rejilla de control, y esta poda ser polarizada de forma independiente, ramos capaces de controlar el haz de electrones.
De este modo se invent un primer dispositivo capaz de manejar a nuestro antojo la corriente elctrica y puede que fuera
entonces cuando a dicha capacidad se le asoci el calificativo de nueva ciencia, haba nacido la electrnica.

Como no poda ser de otra forma, la electrnica haba otorgado el papel estelar a las vlvulas de vaco, pero el guin
exiga un reparto de papeles ms extenso y la aparicin en escena de bastantes ms "artistas invitados". Los tubos de
vaco tuvieron que rodearse de un elenco de colaboradores que, incluso sin poder destacar mucho, clamaban por
conseguir un xito que se vena venir.
La "obra" a representar exiga cierta destreza en el campo elctrico y, aun siendo papeles secundarios, a los aspirantes se
les supona un cierto currculo. Quedaba claro que por mritos propios los ms indicados para subirse el carro del xito
electrnico eran, entre otros: los condensadores, las resistencias, las bobinas, los transformadores, los interruptores, los
pulsadores y, al menos en un principio, hubo trabajo hasta para las bombillas.
Para los menos versados en el mundillo no habr posibilidades de distinguir entre los diferentes protagonistas. Para evitar
este problema podemos, a modo de introduccin, redactar aqu un pequeo resumen del elenco disponible, el cual ser
capaz de "actuar" en las ms variopintas "representaciones".
El tubo de vaco
Fue el primer gran astro de la obra electrnica. Actualmente ha quedado bastante desfasado. A pesar de sus innegables
cualidades ha sido sustituido con gran xito por sucesores tales como el transistor y el circuito integrado. De todas formas
y, segn la crtica, hay funciones en las cuales estos no llegarn nunca a superar al antiguo tubo.
El transistor
Surge como panacea ante los problemas de espacio, temperatura y coste de las vlvulas. Puede
imitarlas perfectamente en su versin bsica. Los ltimos retoques tcnicos dados por los
"maquilladores" electrnicos han posibilitado la aparicin de nuevos talentos, como los
transistores tipo FET, que permiten mantener muy alto el pabelln de estos ltimos
.

El diodo
Es un artista de segunda fila, ms bien desbancado por los transistores, pero que desempea un
papel muy importante. Desde su primera aparicin en pblico, a principio de siglo y en forma,
cmo no, de vlvula termoinica, ha sufrido importantes cambios. El conjunto de diodos
disponibles en el mercado actualmente abarca un amplio campo. Como ejemplo cabe citar los
diodos rectificadores puros, diodos zener, diodos varicap, diodos LED, etc.

Los circuitos integrados

Constituyen la generacin ms joven del elenco disponible para trabajar en la gran obra de la
electrnica. Son rpidos, con nuevas ideas y su contratacin en cualquier representacin que se
precie se traducir en un importante ahorro, tanto en dinero como en esfuerzo, a la hora de
disear el guin a seguir. Su truco para conseguir esto es sencillo: aplicar el refrn "la unin hace
la fuerza". Internamente estn conformados por un gran nmero de transistores, incluso por miles
de ellos, y diodos especialmente caracterizados para trabajar en conjunto.
Resistencias
Son un elemento indispensable dentro del mundillo electrnico. Con su cuerpo coloreado dan el
tono festivo a cualquier circuito. Dicha vistosidad no responde a un afn de destacar por encima
del resto del "reparto" sino ms bien a la imperiosa necesidad de demostrar al mundo, y nunca
mejor dicho, lo que valen. "Por sus bandas de colores las conoceris".

Condensadores
Suelen aparecer tambin con relativa asiduidad en casi cualquier circuito. Son algo ms estirados
que las resistencias ya que, para empezar, no les da igual el tipo de tensin con la que trabajen;
son un poco veletas y modifican su carcter segn les toque bregar con tensiones alternas o
continuas. Tambin gustan de lucir atuendos de colores aunque no lo hacen con tanta frecuencia
como sus colegas las resistencias. Existe un cuerpo de elite dentro del conjunto de los
condensadores que responde al nombre de "condensadores electrolticos". Para destacar del
resto suelen lucir un "uniforme" azul o negro y ciertas "insignias" con logos tales como "+" y "-".
Bobinas
Son, casi siempre, las ms fciles de identificar. Su aspecto de hilo de cobre enrollado no les
permite muchos lujos y, aunque por su modestia pudiera parecer que van por el mundo
desnudas, esto no es as. Todas ellas visten un invisible traje de laca aislante y transparente que
les preserva tanto del clima ambiente como de incmodos roces entre espiras continuas. Que
qu es una espira? Pues baste indicar aqu que cada una de las vueltas que hace el hilo de
cobre esmaltado, es su correcta denominacin, para conformar la bobina responde a dicho
nombre. Dentro de la sociedad de bobinas existe tambin cierto clasismo: las ms humildes de
las bobinas se ven obligadas a dar vueltas sobre un ncleo central imaginario, mientras que las de mejor posicin social
cuentan con ncleos especializados, por ejemplo, uno muy comn llamado ferrita, que les permiten aumentar su categora
fcilmente y realizar su trabajo en el circuito con menor esfuerzo.

Transformadores
Son, por mucho que intenten negarlo, tan solo un tipo especializado de bobinas. Como ocurre en
toda sociedad, en el mundo electrnico tambin existe un grupo de elementos que intenta
defender, no con poco corporativismo, su independencia y excelencia. Estos son sin duda los
transformadores. No cabe duda de que el trabajo desarrollado por estos no es nada
despreciable, pero seamos sinceros, el transformador no es ms que el matrimonio de
conveniencia de dos bobinas solitarias. Su misin es de suma utilidad: domar la tensin que
reciben y entregarnos a cambio otra tensin que se adapte a lo solicitado por el director de obra.
Sus condiciones de trabajo obligan a este par de bobinas a protegerse con un traje de cierta
robustez denominado "armadura". Su aspecto cuadradote y macizo hace que identifiquemos rpidamente al
transformador. Pero, como no poda ser menos, aqu tambin hay excepciones: a veces, aunque no muy frecuentemente,
los transformadores nacen de la unin de tres o incluso ms bobinas.
Interruptores, conmutadores y pulsadores
Cmo no incluir en este reparto de protagonistas electrnicos a todo el conjunto de
dispositivos que, sin ser propiamente electrnicos nos permiten interrelacionarnos con ese
mundo y, aun disminuyendo de tamao y aumentando sus prestaciones, son totalmente
imprescindibles. Cualquier circuito que se precie deber ofrecernos algn que otro pulsador,
interruptor o similar. Por lo menos hasta que los montajes accionados por la voz humana estn
a la orden del da.

Circuitos impresos
La verdad es que los circuitos impresos no pueden ser considerados estrictamente como
verdaderos protagonistas de la obra electrnica. Mas bien pertenecen al mundo de la tramoya,
es decir, al conjunto de accesorios precisos para que los verdaderos protagonistas, esto es,
los componentes, se luzcan. Que cmo se distingue el circuito impreso, pues muy sencillo: no
tenemos ms que observar la superficie donde los componentes estn situados. Dicha
superficie aparece surcada por numerosas lneas -las pistas del mismo- y contiene multitud de
pequeos orificios de bordes plateados que estn predestinados a servir de alojamiento a las
patillas de los componentes.
Unin de componentes
Una vez conocido el reparto, misin que modestamente pretende esta
obra, podremos preparar cualquier funcin electrnica que se nos ocurra.
Parece claro que con solo conocer las piezas que componen nuestro
rompecabezas electrnico no tendremos suficientes datos como para
poder iniciar una puesta en escena de cualquier dispositivo, por sencillo
que este sea. Para poder realizar esto deberemos conocer no solo los
componentes bsicos de un circuito sino tambin el "guin" a seguir por
cada uno de ellos, es decir, las normas y leyes electrnicas que rigen su
funcionamiento. Conocer bsicamente la Ley de Ohm o los diferentes
tipos de conjuntos circuitales sern para nosotros lo que para un actor es
saber diferenciar el drama de la comedia.
Los diferentes "actos" involucrados es nuestra "obra" responden a
nombres tales como: amplificador, oscilador, comparador, multiplexador,
fuente de alimentacin, etc. Podremos conocer los actores (componentes) bsicos que forman parte de cada uno de estos
actos.
Una vez conocidos los componentes, y los bloques que pueden constituir cada uno de ellos, podremos enlazar dichos
bloques para formar circuitos de mayor envergadura.
Para resumir un poco los conceptos explicados hasta ahora nos conformaremos con indicar que todo circuito electrnico,
por complejo que pudiera parecernos, puede ser descompuesto en bloques bien diferenciados de forma que podamos
analizarlo de una manera bastante sencilla. Si, adems, conocemos los elementos que constituyen cada uno de los
componentes podremos analizar en detalle cada uno de los bloques que forman el circuito total. Esto nos permitir
analizar, reparar, modificar y, por qu no, mejorar un circuito dado.
Una vez acotado el campo de actuacin de la electrnica parece claro que ha llegado el momento de establecer dentro de
dicho campo ciertas normas y definir ciertas "medidas" que todo componente deber cumplir. Aunque esto pertenezca al
campo ms terico de la electrnica podemos asegurar que no tiene por qu resultar aburrido. Al fin y al cabo, todos
tenemos unas reglas que cumplir!
Es hora de organizar a nuestros componentes y, nada mejor para ello, que recurrir al arbitrio de un ente imparcial y cuya
solvencia no deje lugar a dudas. El conjunto de parmetros que podemos estipular dentro del "reparto" de componentes ya
descrito responder al claro nombre de "magnitudes elctricas". Y para auditar que cada componente guarde las
magnitudes estipuladas recurriremos al elitista cuerpo de "medidores y polmetros".
Siempre que nos topemos con circuitera electrnica deberemos hacer frente a palabras tales como: intensidad, ohmio,
impedancia, capacidad, henrios, faradios y dems. As que, a pesar del carcter eminentemente prctico con que
queremos etiquetar a esta obra, no tendremos que realizar ahora un breve inciso en el campo de la teora pero, claro est,
para volver de inmediato a la prctica ms rabiosa.

La forma en que la electricidad circula por los diversos componentes electrnicos de nuestros montajes motiva la aparicin
de diferentes efectos, tantos como componentes diferentes tengamos. Dichos efectos tienen nombres como: tensin,
intensidad, resistencia, capacidad, induccin, conduccin, etc.
La forma en que los eficientes medidores electrnicos conocidos como polmetros o multmetros tasan dichos efectos hace
que por cada uno de ellos se cree una magnitud (medida) asociada. Dichas magnitudes reciben nombres tales como
ohmio (abreviado como W), voltio, faradio, amperio, henrio, etc.
De lo explicado hasta ahora parece claro que la forma de poner orden entre los diferentes "actores" de nuestra "obra" es
asignar a cada uno de ellos un efecto o "papel" diferenciador. El polmetro un poco en todos ellos ser el juez o "crtico" de
la representacin y otorgar a cada uno de ellos su justo veredicto. Empecemos pues con los "papeles" o magnitudes
existentes en este mundillo.
Corriente y tensin
No se nos ocurre una forma ms sencilla de adentrarnos en el
campo de las magnitudes electrnicas que tomar el
representante ms sencillo del cartel, esto es, la resistencia, y
su magnitud asociada, es decir, el ohmio. Para ello veremos
primero los conceptos de tensin y corriente, lo suficiente
como para poder empezar a estudiar rpidamente un
componente electrnico.
Como su propio nombre indica, la resistencia realiza una
funcin clara ante la presencia de una corriente elctrica.
Dicha corriente es la producida por una diferencia de potencial
o tensin elctrica.
Todos tenemos una idea intuitiva de la presencia de la electricidad en nuestras vidas, aunque sea esta un ente totalmente
invisible. Para explicarla baste por ahora indicar lo siguiente: toda materia est constituida por un conjunto de partculas
denominadas electrones, protones, etc. Imaginemos ahora la existencia de dos materiales cuyas caractersticas elctricas
difieran lo suficiente. Esto puede motivar que una de ellas sea lo que llamamos, elctricamente, positiva; mientras que la
otra sea de tipo elctrico diferente a la anterior, y la denominamos negativa. Esto es al fin y al cabo (aunque algo
simplificado) lo que ocurre dentro de una pila.
Si nos imaginamos dicha pila como punto de partida podemos intuir ya que, en condiciones normales, esto es, con la pila
cargada, los dos extremos (o polos) de la misma estn cargados con diferente tipo de electricidad. A este tipo de "carga" le
podemos asociar sin problemas el nombre de "potencial elctrico". Si los dos
polos de la pila que nos sirve de ejemplo estn "cargados" a diferentes
cantidades de electricidad (o potenciales) podemos decir que entre los dos
extremos (polos) de la pila (o batera) tenemos una diferente cantidad de
electricidad o, como se conoce ms habitualmente, tenemos una diferencia de
potencial.
El concepto de "diferencia de potencial" es de suma importancia en todo proceso
electrnico. Podramos decir que la diferencia de potencial es la "madre de todas
las magnitudes". Eso s, como podra resultar demasiado sencillo, a la diferencia
de potencial se le han puesto otros motes tales como tensin, voltaje, etc. Pero,
en definitiva, siempre se trata de establecer el mismo hecho.
Est claro que la diferencia de potencial solo establece eso, es decir, que dos
polos o extremos de una pila poseen diferentes cargas elctricas. As que,
mientras que dichos polos estn quietecitos, y cada uno en su sitio, no ocurrir
nada, absolutamente nada.
Los problemas ocurrirn cuando a alguien se le ocurra la "genial" idea de que dichos polos pueden unirse de alguna
manera. Y siguiendo el razonamiento anterior puede llegar a deducirse que los dos polos se unirn, claro est, a travs de
algn tipo de material el cual, a su vez, tambin poseer electrones y dems partculas. Este supuesto nos viene que ni
pintado para explicar lo que a continuacin sigue pero hemos de hacer especial
hincapi en que NO DEBEMOS UNIR NUNCA LOS DOS POLOS DE UNA PILA,
por ser muy peligroso.
As que hemos llegado al punto en que tenemos dos materiales de diferente
potencial elctrico unidos por un tercero cuyas cualidades elctricas, de momento,
desconocemos. Es aqu donde podemos formular una hiptesis y, como quiera que
seamos libres de formular la que nos d la gana, vamos a suponer que el tercer
material que sirve de puente entre los dos polos de la pila es del tipo conocido
como "conductor". Qu quiere decir esto? Pues muy sencillo: sus electrones
estn de acuerdo en ponerse a trabajar y no les importa moverse de un lado a otro.
As que al unir los dos polos por medio del conductor elctrico lo que hacemos es
de forma muy sencilla tender un puente a los dos materiales que conforman la pila
de forma y manera que sus respectivos electrones se pongan a viajar de un polo a
otro.
Debemos aclarar ahora mismo a qu se debe el movimiento de electrones. Hay

dos motivos fundamentales: de un lado est el hecho de que los dos polos de la pila estn a diferente potencial;
simplificando, los electrones que le sobran a un polo le faltan al otro. El otro motivo es que no hemos unido los bornes de
la pila con un material cualquiera sino con uno de tipo conductor, o sea, con electrones dispuestos a "moverse".
Pues bien, al fenmeno del movimiento de electrones que acabamos de describir de esta forma tan sencilla la electrnica
le asocia un nombre: "corriente elctrica".
Llegados a este punto podemos repasar lo descubierto hasta ahora. Por un lado hemos visto a qu se debe el que exista
la diferencia de potencial o, ms comnmente llamada, la tensin elctrica. Tambin hemos explicado que cuando se unen
dos puntos a diferente TENSIN por medio de un material conductor ocurre una circulacin de CORRIENTE elctrica.
Puede que los conceptos de tensin y corriente sean los ms utilizados dentro de la electrnica pero lo que s son con
seguridad es la base de todo "reglamento" que rija el mundillo electrnico.
Antes de seguir con el reparto de roles dentro de la obra electrnica debemos conocer otra "regla" muy utilizada en el
tema: la forma de representar los circuitos electrnicos. Dicha forma pasa por lo que los tcnicos denominan "esquemas
electrnicos".
Si queremos representar una batera en forma esquemtica
deberemos recurrir al smbolo asociado a dicha batera. Los hilos
conductores suelen representarse por lneas simples, mientras que el
resto del reparto electrnico tiene diferentes smbolos asociados. En
el ilustracin correspondiente podemos ver una pila -por su smbolo
ms conocido-, la misma pila conectada por un conductor (esto se
conoce como cortocircuitada) y una pila entre cuyos extremos se ha
intercalado una resistencia. Existen varios smbolos para cada
componente electrnico. Nosotros intentaremos utilizar siempre los
ms sencillos e intuitivos. La diferencia de potencial en bornes de una
pila se denota por el diferente tamao de los dos bornes
representados. La corriente elctrica tambin suele representarse,
casi siempre, en forma de flecha que discurre paralelamente al conductor donde fluye la misma.
Qued claro que la corriente elctrica circula por el hilo de material al que hemos denominado conductor. Ahora vamos a
dar paso al primero de nuestros artistas invitados: la resistencia elctrica. Como su propio nombre indica parece claro que
la resistencia no est tan dispuesta como el hilo "conductor" a permitir la circulacin de corriente elctrica.
Existen muchas y variopintas resistencias (vestidas con variados y escandalosos trajes de colores). Esto nos puede dar
una pista ya sobre las diferencias de "caracteres" entre unas resistencias y otras. Unas dejan pasar bastante bien la
corriente elctrica, mientras que otras se "resisten" (nunca mejor dicho) un poco ms.
Explicados ciertos "papeles" electrnicos (tensin, corriente, resistencia) vamos ahora a ver en que basan sus medidas y
"crticas" los polmetros y el resto de medidores electrnicos, o sea, las MAGNITUDES en que se pueden cuantificar o
medir los "papeles" representados por los diferentes "actores" electrnicos.
Si el primer concepto comentado fue la diferencia de tensin o potencial parece claro que todo lo que un polmetro podr
supervisar es dicha diferencia. Dicha diferencia se mide en VOLTIOS. Por ejemplo, una pila de 1,5 voltios lo es porque
entre sus dos extremos hay una diferencia de tensin de dicha magnitud. Dicho nombre proviene del inventor de la
primera pila, el cientfico italiano A. Volta.
Como la corriente elctrica ha sido el segundo concepto comentado parece justo explicar ahora cmo se puede cuantificar
y medir la misma. La cantidad de corriente se mide, en honor del filsofo ingles Andrs M. Ampare, en una unidad
denominada AMPERIO.
La resistencia elctrica ha sido el tercer trmino introducido y, por ello, le toca el turno ahora de mostrar su unidad de
medida. Dicha unidad es el OHMIO y suele representarse por una abreviatura muy curiosa: la letra griega omega, es decir,
1 ohmio = 1 W.
Una cosa son los smbolos electrnicos asociados a cada componente de un circuito y otra las abreviaturas (o letras) por
las que se conoce cada una de las magnitudes asociadas a dicho componente.
De lo visto hasta ahora podemos resumir: una resistencia (medida en OHMIOS) intercalada en un circuito donde se d una
diferencia de potencial o tensin (medida en VOLTIOS) ocasionara una circulacin de corriente elctrica (medida en
AMPERIOS).
Medidas de corriente y tensin
Ahora es preciso presentar el conjunto de dispositivos encargados de llevar a cabo la supervisin y control de todas y cada
una de las medidas electrnicas. Esta misin la llevan a cabo los polmetros, tambin llamados multmetros o, de forma
abreviada, voltmetros (aunque medir voltios no sea la nica misin que pueden llevar a cabo).

El aspecto de estos aparatos se ha visto afectado tambin por el auge de las nuevas tecnologas. La aparicin de los
dispositivos denominados "digitales" -a los cuales prestaremos luego toda la atencin que se merecen- han dividido el
mundo de los polmetros en dos apartados bien diferenciados: los polmetros digitales y los analgicos.
Los polmetros ms antiguos son los conocidos como "de aguja". Esta definicin es lo suficientemente intuitiva como para
facilitarnos su identificacin en la figura que acompaa estas lneas. Su constitucin interna se basa en una aguja adosada
al mecanismo de bobina mvil que est sometido a un cierto campo magntico. Dicho campo magntico es funcin de la
corriente que lo crea, la cual viene dada directamente por la magnitud a medir por nuestro polmetro.
Los polmetros ms modernos son los denominados digitales y se pueden reconocer a simple
vista porque su indicacin viene dada en forma numrica sobre un visualizador. El tipo ms
comn de los visualizadores - tambin llamado DISPLAY- es el conocido como LCD o "display
de cristal lquido".
Como ya hemos observado antes, por medio del polmetro podemos controlar -o ms
exactamente, medir- las diferentes magnitudes elctricas. Si nos fijamos en el medidor de aguja
podemos ver que posee diferentes graduaciones sobre el fondo en que se mueve dicha aguja.
Tales graduaciones responden comnmente al nombre de "escalas" de medida. Por ejemplo,
podemos observar que una de las escalas posee en uno de sus extremos la inicial "V". Dicha
escala nos permitir tomar medidas de tensin directamente en voltios. La escala serigrafiada con una "A" (o bien con
"mA.") nos sirve para medir corrientes elctricas en su unidad asociada, es decir, el amperio (o, como veremos ms
adelante, en su unidad derivada: el miliamperio o mA.)
La medida de otros parmetros relacionados con la electrnica tambin es posible. Podemos medir, si as lo deseamos, la
resistencia elctrica. Para ello haremos uso de la escala etiquetada como "W" y cuya unidad, como ya hemos indicado, es
el ohmio.
Hemos visto en la seccin anterior que cada componente o efecto electrnico suele llevar asociada una cierta magnitud.
La diferencia de potencial es a los voltios lo que la corriente elctrica es a los amperios. Cada magnitud posee su unidad y
sta es medible por medio de los polmetros.
Podemos comenzar con un ejemplo: la resistencia elctrica se
cuantifica en ohmios. Esto significa que a mayor cantidad de ohmio
mayor ser el efecto mostrado por este componente. Nos explicamos a
continuacin. Si tenemos una tensin fija -por ejemplo en bornes de una
pila- y aplicamos a la misma a una resistencia elctrica, habremos
cerrado el circuito y conseguiremos que, a travs de esta resistencia,
circule una cierta corriente. Existe una frmula fundamental en el
mundillo electrnico que nos permite relacionar las cantidades
adecuadas de tensin, resistencia y corriente elctrica (o intensidad).
Dicha frmula se conoce con el nombre de Ley de Ohm y nos es de
suma utilidad. Podemos decir sin equivocarnos que la Ley de Ohm es la
frmula por excelencia que todo aficionado a la electrnica debe
conocer. Por aplicacin de dicha frmula sabemos que si mantenemos
la misma pila -o sea, la misma tensin- y variamos el valor de la resistencia intercalada se originar una variacin
proporcional de la de los amperios que circulan por dicha resistencia. Para saber si dicha variacin es mayor o menor no
tendremos ms remedio que aplicar la Ley de Ohm.
Para una tensin "V" y una resistencia dada se origina cierta circulacin de corriente. Al aumentar la resistencia
intercalada en el circuito se produce -como parece lgico- una disminucin de la corriente que fluye a travs de dicha
resistencia.
La propiedad de ofrecer poca o mucha resistencia elctrica vara de acuerdo al material que analicemos. Un material que
ofrezca una resistencia total cuando a travs de l pasa la corriente elctrica, recibe el nombre de "aislante", mientras que
los materiales que dejan pasar por ellos la corriente elctrica, con una facilidad suma, reciben el nombre genrico de
"conductores".
Entre los materiales aislantes destacan los plsticos, el vidrio, etc., mientras que los conductores ms conocidos son los
materiales metlicos: cobre, hierro, plata, etc. Entre unos y otros existe un abanico tan amplio como el nmero de
elementos qumicos conocidos -amn de sus correspondientes combinaciones- que conducen o aslan la corriente en
determinada proporcin.
Tambin hemos de indicar aqu que la condicin de aislante depender tambin de la diferencia de potencial al que
sometamos al material dado. Por ejemplo, el aire en condiciones normales es un excelente aislante, pero en presencia de
diferencias de potencial de magnitud considerable puede llegar a ser conductor. Vase el ejemplo de un rayo, el cual no es
ms que una enorme circulacin de electricidad a travs del propio aire.

Unidades de medida
Cantidad
Frecuencia
Fuerza
Presin
Energa, trabajo, cantidad de calor
Potencia
Carga Elctrica
Diferencia de Potencial
Capacitancia Elctrica
Resistencia Elctrica
Conductancia
Flujo Magntico
Densidad de flujo Magntico
Temperatura Celsius
Inductancia
Flujo Luminoso
Iluminancia

Nombre
Smbolo
hertz
Hz
newton
N
pascal
Pa
joule
J
watt
W
coulomb
C
volt
V
farad
F
ohm
n
siemens
S
weber
Wb
tesla
T
grado Celsius
C
Henry
H
lumen
lm
lux
lux

Factor
1018
1015
1012
109
106
103
102
101
10"1
10"2
10"3
10-9
10"6
10"12
10"15

Prefijo
exa
peta
tera
giga
mega
Kilo
hecto
deca
deci
centi
mili
micro
nano
pico
femto

Smbolo
E
P
T
G
M
k
h
da
d
c
m

n
P
f

1018

atto

Tabla de Smbolos
Todas las unidades tienen prefijos decimales que multiplican la cantidad indicada por una potencia decimal, en la siguiente
tabla se muestran los prefijos del SI para expresar factores decimales.

Definicin de circuito elctrico

Un circuito elctrico es un grupo de elementos elctricos conectados de una manera especifica que interactan entre si
para procesar informacin o energa en forma elctrica. Un circuito elctrico puede describirse matemticamente por
medio de ecuaciones diferenciales ordinarias, que pueden ser lineales o no lineales y que varan o no varan en el tiempo.
Para definir correctamente un elemento elctrico se necesita tener en cuenta dos cantidades elctricas, Voltaje y
Corriente, de las cuales se hablara mas adelante, por lo tanto definiremos por ahora el elemento elctrico como un
elemento de dos o mas terminales que pueden ser conectadas con otros elementos entre si, y que cumple como funcin
procesar energa elctrica.
Tabla de Unidades adicionales
Cantidad
Longitud
Masa
Tiempo
Corriente elctrica
Temperatura termodinmica
Cantidad de sustancia
Intensidad luminosa

Unidad
metro
kilogramo
segundo
ampere
kelvin
mol
candela

Smbolo
m
kg
s
A
K
Mol
cd

Medidas de corriente y tensin

Hasta ahora hemos abordado el tema de los componentes y sus magnitudes desde el
punto de vista terico. Llega ya el momento de abordar la resistencia y la capacidad desde
el punto de vista prctico.
Las unidades descritas anteriormente son las unidades estndar para las magnitudes descritas, aunque en el mundo
electrnico real no se utilizan tal cual sino en las cantidades ms adecuadas a las necesidades de los circuitos existentes.
Por ejemplo, el faradio, incluso siendo la unidad bsica a la hora de medir capacidades, resulta una medida excesiva para
catalogar los condensadores que podemos adquirir en un comercio
del ramo y utilizar en cualquier circuito. Lo normal es hablar de
microfaradios -comnmente representados por el smbolo "F"- de
pico faradios o de nano faradios. Un microfaradio es igual a
0,000001 faradios, esto es, un faradio multiplicado por diez elevado
a menos 6, mientras que un pico faradio (pF) equivale a uno por
diez a la menos 12 faradios. El nano faradio (idntico al kilo-pico
faradio o KpF) es igual a uno por diez a la menos nueve faradios o,
dicho de otro modo, igual a mil pico faradios.
Con los Henrios ocurre algo similar. Una unidad de medida bastante
utilizada es el mili henrio (mH). Queda claro que 1000 mH = 1 H.
La unidad bsica de resistencia si suele ser utilizada tal cual en los
circuitos electrnicos. Es tan comn hablar de ohmios como de 1
kW (un kilo = 1000W) o de 1 MW (1 mega = 1000000 W).

Con las unidades de voltaje (voltios) tambin se suele recurrir a la utilizacin de unidades tales como el milivoltio (1 mV =
0,001 V). Un voltio es una unidad tambin utilizable. Hay que aclarar aqu que no es lo mismo trabajar en ambientes
elctricos que en electrnicos. Mientras que en electricidad se suelen manejar sin mayor problema magnitudes del orden
de centenares de voltios en la circuitera electrnica una decena de voltios resulta ya algo bastante inusual.
Referente a la unidad de medida de intensidad elctrica, podemos afirmar que las dos subunidades ms utilizadas en
electrnica son el miliamperio (1 mA = 0,001 A) y el microamperio (1 A = 0,000001 A). Como en el caso anterior, la
utilizacin de decenas o centenas de amperios queda reservada al mbito puramente elctrico.
Cdigos de colores
De los componentes electrnicos mencionados hasta ahora no hay ninguno que se escape al vicio de la ostentacin.
Tanto las resistencias como los condensadores, y sin olvidar a las bobinas o inductancias, hacen gala de un cuerpo
coloreado en forma de vistosas bandas. Dichas bandas no estn colocadas de forma casual sobre el cuerpo de los
componentes sino que cumplen una misin bastante bien definida. El cuadro nos muestra la codificacin que guardan
dichas bandas de colores. Quien ms celo guarda en el cumplimiento de esta norma es el conjunto de las resistencias.
Los condensadores y las inductancias tambin suelen guardar cierto cdigo de colores, pero lo simultanean con tatuajes
sobre su "piel" que nos muestran a las claras el valor real del componente aunque, claro es, expresado en la unidad que
ms se adecue al mismo.
El trmino ingls AC/DC no solo es el nombre de un famoso grupo de Rock sino
que coincide, adems, con la abreviatura inglesa que corresponde a las espaolas
de Corriente Alterna y Corriente Continua. En ingls corriente alterna es AC
(Alternating Current) y corriente continua es DC (Direct Current), pero vamos a
adentrarnos ahora en su significado tcnico.
Pese a la diversidad de aparatos elctricos y electrnicos que pululan por el mundo
todos ellos poseen un punto de encuentro: precisan de energa elctrica para ser
alimentados. Como ya sabemos, la electricidad no es ms que una forma de
energa cuya presencia puede obtenerse por diversos procedimientos; si los
enumerramos, y el tema se diera por finalizado, sin duda estaramos ante un
sencillo captulo de los que engloba esta obra, pero no, no. El destino vuelve a
complicar las cosas y estamos ante la coexistencia de dos tipos de energa
elctrica de diferentes caractersticas. Como ya habremos deducido, al leer la introduccin de estas lneas, los dos tipos
de energa en los que podemos subdividir la energa elctrica responden a las denominaciones Corriente continua y
Corriente alterna (para abreviar CC y CA).
La forma y fuentes de obtencin de los dos tipos de corriente difieren apreciablemente. A modo de introduccin podemos
citar como fuentes con presencia de corriente de tipo alterna las siguientes:
La torreta de la luz que pasa por el barrio.
El enchufe que tenemos en la pared de casa.
La toma de salida de un transformador.
Los bornes de conexin de un alternador.
Mientras que, como puntos de origen de una corriente continua, podemos citar:
Los bornes de una pila.
La salida de una dinamo (generador de CC).
La alimentacin de batera de un coche.
Las conexiones de un acumulador o pila recargable.
Generacin de corriente. Tensin y frecuencia
La obtencin de energa elctrica conlleva diversos mtodos. La transformacin de otros tipos de energa en energa
elctrica es el mtodo ms usual. Entre los procedimientos utilizados podemos destacar los qumicos, mecnicos,
trmicos, nucleares, elicos, solares, etc. Pero, para comenzar con uno de ellos, hablaremos del ms extendido y, a la
vez, ms sencillo: la generacin de corriente de tipo alterna a partir de una conversin mecnico-elctrica.
Este es el caso de las centrales de generacin situadas en grandes presas. La fuerza procedente de la liberacin del agua
se utiliza para mover enormes turbinas que, a su vez, accionan potentes generadores de energa elctrica. En la
ilustracin podemos ver una muestra simplificada de lo que constituye un
generador de corriente alterna. Para facilitar su entendimiento, debemos imaginar
un motor elctrico trabajando en modo reversible, esto es, a un motor elctrico se
le suministra energa elctrica y este genera, mediante su giro, energa de tipo
mecnico. Si partimos de la hiptesis de que dicho motor pudiera funcionar en
modo inverso, esto es, reversible, suministraramos al mismo una cierta cantidad
de energa mecnica (girando su eje de algn modo) y nos entregara en sus
bornes una tensin determinada (energa elctrica). Aproximadamente, esto es lo
que ocurre en los generadores de las centrales elctricas. Se toma una cantidad
ingente de energa almacenada (agua en el caso de una presa) y se conduce de
forma que accione ciertas turbinas que son solidarias al eje de los generadores
elctricos. Nos creemos ya que en la salida de dichos generadores se obtiene la
energa elctrica buscada pero cmo operan estos generadores internamente?
En la ilustracin podemos ver una espira de hilo situada en el centro de un campo
magntico (representado por los imanes etiquetados como "N" y "S") la cual se
supone que es la representacin simplificada de un buen nmero de espiras (al
conjunto de todas las que tiene un motor o un generador se le denomina bobinado). Tenemos que explicar ahora lo que
sucede en la espira de hilo al hacer girar esta dentro de un campo magntico. El campo magntico que atraviesa la espira

mvil de hilo conductor origina que en los extremos de la misma se produzca una diferencia de potencial (o tensin
elctrica).
Como quiera que los extremos de dicha espira se conectan a un par de anillos circulares que se sitan sobre el eje del
generador, tendremos entre ambos un voltaje determinado. La forma en que conseguimos acceder a dicha tensin es
conectando un par de hilos conductores a los anillos de salida. Para ello tendremos que utilizar algn mtodo de conexin
a los mismos y que sea tambin conductor. Estamos hablando de las escobillas, que son conductoras y, mediante cierta
presin mecnica, aseguran la perfecta unin entre los anillos de salida circulares y los cables que transportan la
electricidad de salida.
En el caso de los generadores reales la espira es un bobinado (ms o menos complejo) conectado a un par de escobillas
(o a un sistema de ellas) y su salida suele ser de una tensin bastante elevada.
Hay un punto que no puede pasarnos desapercibido en el proceso "ideal" descrito y este es el carcter VARIABLE del
campo magntico inducido. Como parece lgico, la tensin presente en los extremos de la espira (o del bobinado), situada
en el interior del citado campo, no es siempre de igual magnitud, ya que esta depender de la superficie de la espira que
sea atravesada por el citado campo magntico. De aqu podemos deducir ya que la tensin en bornes del bobinado del
generador no es de naturaleza estable sino que sufre variaciones alternas (vara su polaridad si tenemos en cuenta el nivel
de seal correspondiente al valor cero) directamente proporcionales lapso de tiempo a la velocidad que se mueva (gire) la
espira dentro del campo magntico. De ah que este tipo de corriente se denomine corriente alterna.
Si estuviramos en presencia de una tensin de carcter continuo el valor presente de tensin sera estable, mientras que
en el caso de la tensin obtenida del generador descrito obtenemos una tensin variable en el tiempo.
En un eje de coordenadas de la tensin de tipo continua no ofrece ninguna dificultad: se trata de una lnea continua
paralela al eje de abscisas (lnea de coordenada horizontal). Pero, cuando se trata de la tensin alterna, la cosa cambia.
En una de las ilustraciones adjuntas podemos ver formas de onda (tipos) de seales. Dichas seales podran representar
sin problema a representaciones grficas de tensiones dadas. La seal etiquetada como tipo (b) responde a una forma de
onda sinusoidal. La representacin de una tensin alterna responde exactamente a este tipo de grfica. Como podemos
ver, la tensin vale cero en un instante dado (ninguna lnea de campo magntico atraviesa la espira) hasta tomar un valor
mximo (el punto en que la espira es atravesada por el mayor nmero posible de lneas magnticas). Entre estos dos
valores existe una variacin del valor real de tensin que se corresponde con las diferentes posiciones intermedias de la
espira.

Una vez que la espira ha pasado de estar en posicin vertical a posicin horizontal (valor de tensin mxima) la espira
contina con su giro; pero esta vez, y debido a la simetra de la construccin del generador, se pasa a valores
decrecientes de tensin, hasta llegar a valer cero de nuevo.
Debido al sentido de circulacin, tanto del campo elctrico como del magntico, en la espira estudiada, al seguir esta
girando (habamos llegado a los 180 grados de rotacin) se origina una tensin creciente pero de sentido (o polaridad)
inverso a la anterior.
La suma de seales de los continuos giros de la espira origina la seal de tensin alterna descrita.
Ha llegado el momento de explicar una nueva unidad electrnica ya que, adems, a la idoneidad del momento se une la
"necesidad" de hacerlo; se trata del Hercio. Para definir esta unidad, slo tenemos que fijarnos en que las variaciones del
valor de tensin cambian a un ritmo constante. Cada cierto periodo de tiempo se origina una repeticin de la seal. De
aqu podemos deducir que estamos en presencia de una seal cuya variacin se da cada cierto PERIODO de tiempo o, lo
que es igual, que la seal de tensin vara con una FRECUENCIA dada.
Al nmero de veces que la seal se repite durante un segundo se le asocia la magnitud "Frecuencia". La tensin de red,
esto es, la que hay en nuestros hogares, vara a una frecuencia de 50 veces por segundo. A la unidad de medida de la
frecuencia se le denomina Hercio o, para abreviar, Hz.
Existe una relacin lineal entre la frecuencia de una seal elctrica y el periodo de la misma. Si observamos en la
ilustracin podemos ver que el periodo (representado por la letra T) se mide en el sentido de evolucin de la variacin de
la citada seal, de donde se deduce que el periodo se mide en unidades de tiempo. La misma figura nos ilustra la relacin
existente entre frecuencia y periodo: una es la inversa de la otra o, dicho de otro modo, F = 1/T.
Al tiempo transcurrido entre el comienzo y final de una seal variable se le denomina periodo y, como es lgico, al
transcurrido en la mitad de dicha seal, semiperiodo.

La tensin de red de la mayora de los hogares europeos tiene una frecuencia de 50 Hz, esto es, se repite peridicamente
en forma sinusoidal 50 veces por segundo y su periodo es, por lo tanto, de 1/50 segundos.
Generacin de corriente continua
Aunque la forma de generar corriente elctrica, descrita arriba, sea una de las ms extendidas, existen otras tambin de
amplia difusin. Por ejemplo, a la hora de generar corriente continua se suele recurrir a las pilas elctricas o a un tipo
especial de generador denominado "dinamo".
La manera ms amplia de difusin de energa elctrica de la denominada continua es a travs de las pilas y acumuladores
recargables. Las pilas responden a un efecto de tipo qumico. El funcionamiento resumido de una pila elctrica es el
siguiente: Tomamos dos barras de elementos qumicos diferentes como, por ejemplo, el carbn y el zinc, y los
sumergimos en una solucin de agua y cido sulfrico. Dado que el cido ataca al zinc, de una forma ms rpida a como
lo hace con el carbn, se origina entre estos dos materiales una diferencia de potencial. Dicho montaje constituye la base
de una pila elctrica. Para denominar a las dos barras se utiliza la denominacin de "electrodos", mientras que la solucin
acuosa donde estos se sumergen se denomina "electrolito".
Existen generadores qumicos abreviar "pilas" que tienen una vida limitada. En el que presentamos, la conexin en los
electrodos (bornes) de la pila de un circuito elctrico a alimentar se produce una corriente de electrones entre el polo
negativo (Zinc) y el positivo (Carbn) a travs del circuito alimentado; a continuacin, los electrodos retornan a la barra de
zinc a travs de la solucin cida. Cuando el electrodo de zinc queda completamente corrodo por la accin del cido, la
pila ha llegado al final de su vida.
Dentro de las pilas de vida limitada destaca la pila seca o "Leclanch", la cual aporta una ventaja definitiva a las
anteriormente comentadas ya que, en vez de utilizar una disolucin lquida como electrolito, usa una pasta que realiza las
mismas funciones. Todo ello, unido al hecho de que la pila est completamente sellada, ha contribuido a su masiva
utilizacin.
En las pilas secas se utiliza un cilindro contenedor de zinc, el cual aloja en su interior una barrita de cobre que desempea
el papel de polo positivo de la misma.
La tensin que suelen ofrecer este tipo de pilas es de 1,5 voltios. Existen pilas de tensiones mayores que no son sino un
conjunto de pilas de 1,5 V empaquetadas en un mismo encapsulado.
ltimamente, el aumento del consumo y una mayor miniaturizacin de los diferentes equipos y dispositivos electrnicos
que se alimentan a CC han forzado la aparicin de nuevos tipos de pila, de entre los que podemos destacar las pilas
Mercury y las de tipo alcalino. Las pilas Mercury se conocen popularmente como pilas "botn" debido a que guarda cierta
similitud con este objeto, en cuanto a forma y tamao. Adems de su pequeo tamao, la caracterstica ms interesante
de estas pilas es poder suministrar una tensin mucho ms constante y una intensidad entre 4 y 7 veces superior al tipo
Leclanch. Asimismo, sealaremos que funcionan a partir de una mezcla de xido de mercurio y carbn contenidos en un
encapsulado de hierro.
Las pilas alcalinas operan con una mezcla de zinc y bixido de manganeso y su eficiencia en circuitos de elevado
consumo es sensiblemente superior a los otros tipos.
Respecto a la utilizacin de generadores de CC podemos destacar la dinamo, nombre bajo el que se engloba un tipo de
generador de tensin del tipo "conversin mecnica-elctrica y que, en la prctica, se asemeja bastante al generador de
CA antes descrito.
Si observamos el esquema interno simplificado del generador de CC que aparece en una de las ilustraciones podemos
comprobar su gran similitud con el generador de CA pero con una ligera salvedad: la salida hacia las escobillas no se hace
por un par de conexiones en anillo sino sobre un tipo de semi-anillos que realizan la funcin de mantener constante la
polaridad de la seal (tensin) de salida.
El funcionamiento bsico, es decir, el elctrico es similar al generador de CA pero, cuando en aqul se produca una
inversin de polaridad por el efecto giro de la espira, aqu queda obviado pues, este tipo de conexin de salida, invierte
fsicamente las conexiones elctricas de la espira.
En la prctica, tal y como suceda tambin con los generadores de CA, no se trabaja con una espira sino con un buen
nmero de ellas. Al conjunto de espiras se le denomina bobinado, y si este se sita en la parte rotatoria del generador se
dice que la dinamo es del tipo de rotor bobinado. El campo magntico inductor estator puede ser de imanes fijos o bien
tambin del tipo bobinado. La salida del bobinado se hace llegar a un conjunto de conexiones, situadas en el eje del
generador, denominadas "delgas". Al conjunto de conexiones giratorias, sobre el que rozarn las escobillas, se le conoce
como colector de delgas.
La seal obtenida en la salida del generador de CC se asemeja a la de clase (d), de la representacin de seales tipo
adjunta. Como vemos, se trata de una tensin continua, en el sentido de que no vara de polaridad, pero pulsatoria.
La electrnica terica est muy bien para sentar ciertos conocimientos bsicos pero, a la hora de la verdad, debemos
enfrentarnos con dispositivos "prcticos" que pueden, o no, tener que ver con la teora. Qu es Alta Tensin? Cmo
opera un transformador? Qu obtenemos en una fuente de alimentacin? Estas y otras cuestiones sern analizadas a
continuacin.
Cuando tratamos con un generador, o cuando compramos una pila, podemos precisar el conocimiento de ciertos
parmetros ms, los cuales no han sido comentados hasta ahora. Si trabajamos con circuitos conectados a la red del
hogar debemos tener en cuenta qu se entiende por baja tensin y alta tensin. Al conectar a la red una fuente de
alimentacin podemos obtener tensiones reducidas con respecto a la de la red pero de qu tipo de tensin se trata?
Aparte de los generadores mecnico existen otras fuentes de energa alternativas (ecolgicas o no). Pero, para empezar,

con todas las dudas que nos puedan surgir con respecto a la utilizacin de diferentes tipos de tensiones disponibles en el
mundo real, vamos a explicar cmo y por qu se trabaja con tensiones alternas, continuas, alta tensin o baja tensin.
Lneas elctricas, alta y baja tensin
Una de las particularidades de la corriente continua es su gran prdida en potencia cuando es transportada a grandes
distancias. Esta es una de las razones de que las centrales elctricas generen tensiones alternas. las cuales se pueden
trasladar a grandes distancias en forma de elevadas tensiones y baja intensidad. A todos nos son familiares las torretas de
conduccin para lneas de alta tensin.
Una vez que la energa elctrica se hace llegar a ncleos de poblacin o industriales -en forma de alta tensin- se procede
a su adaptacin (transformacin) a niveles de tensin utilizables por los destinatarios. Las centrales de transformacin
elctrica se ocupan de esta misin. La legislacin -cmo no- se ocupa tambin de definir el mbito de lo que se entiende
por alta y baja tensin (A.T. y B.T.). En las disposiciones generales del "Reglamento electrotcnico de AT y BT" se
especifica lo siguiente: "se considerarn como instalaciones de baja tensin (BT), tanto para corriente continua como para
corriente alterna, aquellas en las cuales las tensiones nominales utilizadas sean inferiores a mil voltios, y como
instalaciones de alta tensin, las de tensiones nominales de mil voltios y superiores"; as que ya tenemos un punto de
partida -legal, por supuesto- para delimitar lo que es alta y baja tensin.
En la prctica, y en BT, se suele operar con tensiones de CA de 220 V o, en entornos industriales, con 380 V, mientras
que las altas tensiones manejadas por las lneas de distribucin elctrica pueden llegar hasta los 220.000 V.
Pilas y transformadores en la prctica
A la hora de adquirir una fuente de CC, es decir, una pila, nos suele bastar con pedir una pila de tal grosor y de 1,5 V 9
V. Pero existen otros parmetros dentro del mundo de las pilas que no debemos pasar por alto.
- Tensin: la tensin (en circuito abierto) de una pila viene determinada por su composicin qumica. Por ejemplo, la
tensin de un elemento de zinc-carbn puede oscilar entre 1,5 y 1,6 V.
- Resistencia interna: Cuando se conecta en los polos de la pila un circuito dado la tensin en bornes de la misma es
siempre inferior a su tensin nominal. Dicho efecto de debe a la "resistencia interna" de la pila. Esta resistencia es
intrnseca a los materiales qumicos -que no son conductores perfectos- empleados en la fabricacin de la misma. Esta
aumenta con el uso, el paso del tiempo y el incremento de la temperatura. Cuando la resistencia interna aumenta
demasiado la pila queda inutilizada.
-Capacidad: se define como la posibilidad que tiene una pila para mantener su tensin nominal en bornes, incluso en
condiciones de carga mxima, y est ntimamente ligada a la resistencia de dicha carga. En la capacidad de una pila
pueden influir tanto el tipo de carga como las dimensiones de la pila, el periodo de conservacin de la misma y las
temperaturas de funcionamiento y almacenamiento.
Cambiando de tema, y dentro de las propiedades de que goza la corriente alterna, est la posibilidad de utilizar cierto
dispositivo para elevar o reducir el valor nominal de una tensin dada. Se trata, como ya habrn supuesto los lectores, del
transformador.
Al igual que ocurre con ciertos dispositivos mecnicos, a veces es preciso convertir la energa disponible segn sea la
aplicacin a la que queramos destinar esta. Por ejemplo, la caja de cambios de un coche adapta la energa extrada del
motor de forma y manera que sea la ms adecuada para el momento de la conduccin. De igual manera, el transformador
realiza una adaptacin de la energa elctrica disponible para "adaptarla" a la fuente de consumo final.
Cabe indicar aqu que, al igual que ocurre en el smil mecnico, la operacin realizada es una simple conversin o
adaptacin pero en modo alguno se podr modificar la potencia elctrica disponible en las patillas de entrada del
transformador.
El transformador basa su operativa en el principio de la induccin electromagntica. Consta de uno o ms bobinados, los
cuales estn magnticamente auto influenciados entre s, esto es, se encuentran acoplados magnticamente: la corriente
que recorre un devanado induce una tensin en el otro (o los otros). Esto constituye una inductancia mutua entre ambos
bobinados.
En la ilustracin se puede observar la pareja de bobinados que constituye el transformador. El bobinado donde
conectaremos la tensin a transformar se ha dado en denominar "bobinado primario", mientras que el bobinado del cual se
obtendr la tensin transformada se denomina "secundario". La base operativa del mismo depende tanto del nmero de
espiras que contengan los devanados (bobinados) como de la tensin aplicada en la entrada del primario.
Otras formas de tensin alternativas
Existen otras formas de obtener tensin y, aunque sea de manera resumida, queremos nombrarlas a continuacin:
Fuentes de alimentacin: son dispositivos electrnicos -que veremos ms adelante- y suelen tomar la tensin alterna de la
red para convertirla en una baja tensin de tipo continua que, a veces, suele ser de tipo ajustable.
Acumuladores: responden a los mismos principios que las pilas pero ofrecen la ventaja aadida de que pueden ser
recargados una vez que se hayan agotado. Su tensin nominal suele ser de 1,2 V. Los ms difundidos son los de NquelCadmio (Ni-Cd).
Batera de coche: no es ms que un acumulador bastante especializado. Consta de un conjunto de elementos
(normalmente 6) agrupados para que ofrezcan una tensin continua de unos 12 V. Una de sus principales caractersticas
es su gran capacidad.

Efecto piezoelctrico: este hace uso de un principio segn el cual algunas sustancias (cristales) hacen aparecer una
diferencia de potencial en sus caras al aplicarles cierta presin. Este se conoce como efecto piezoelctrico. Los
micrfonos de tipo piezoelctrico, por ejemplo, hacen uso de este efecto.
Efecto fotoelctrico: las clulas solares o el conjunto de estas (paneles solares) hacen uso de este efecto. Cuando la luz
incide sobre las dos capas del material fotosensible que las constituye se genera entre ellas una d.d.p. susceptible de ser
utilizada para alimentar una carga. La alimentacin de, por ejemplo, un repetidor de TV o telefnico en un sitio recndito es
un buen campo de aplicacin para las fotoclulas.
Energa elica: es de amplia aplicacin en lugares de fuertes vientos. No es otra cosa sino generadores dotados de palas
de gran superficie solidarias al eje de los mismos. La fuerza del viento hace el resto.
Puede que una vez conocido el reparto que "actuar" en nuestra obra no tengamos muchas esperanzas de que su "puesta
en escena" sea un xito total. Pero... dmosles una oportunidad a los protagonistas. Su primera "representacin" ser en
el escenario de la Corriente Continua.
El enunciado de la Ley de Ohm, por mucho que intentemos evitarlo, nos perseguir durante toda nuestra vida de aficin al
mundillo electrnico. Para no pasar de hoy mismo sin conocer a fondo este asunto, vamos a hacer un alto lo dems,
imprescindible en el camino de nuestra obra a fin de describir este tema detalladamente.
En el siglo XIX, el fsico alemn George S. Ohm se ocup de investigar la relacin de proporcionalidad existente entre la
corriente elctrica (I) y la tensin (V). Dicha relacin se demostr como lineal en aplicaciones donde se utilizar la corriente
continua. En el ao 1826 public los resultados de sus experimentaciones.
La Ley de Ohm se aplica de forma sencilla a los circuitos bsicos de CC y a todos los dispositivos que empleen esta
corriente.
La unidad de resistencia elctrica se denomina ohmio, en honor del
mencionado investigador. La representacin de la misma se realiza con la
letra griega "omega" (W). La definicin formal de la Ley de Ohm viene a
expresarse as: "La intensidad de la corriente presente en un circuito
elctrico es igual a la tensin en extremos del mismo dividida por su
resistencia". Las unidades manejadas para que la citada frmula se cumpla
son: la tensin (V) expresada en voltios, la corriente elctrica (I) en amperios
y la resistencia elctrica (R) en ohmios.
La forma en que la Ley de Ohm se comporta linealmente se puede explicar
de una manera sencilla y rpida. Imaginemos una tensin constante
ejemplo, de 220 V alimentando a una resistencia susceptible de ser variada
arbitrariamente, posteriormente veremos que dicha resistencia existe y se le
denomina potencimetro. Si la resistencia toma un valor de 22 ohmios la
intensidad ser de 220/22=10 A. Pero si ahora variamos el valor de la
resistencia conectada en el circuito anterior tensin sigue siendo igual a 220
V y, supongamos, la resistencia toma un valor doble al que tena
anteriormente, esto es, 44 ohmios, la intensidad ser esta vez igual a
220/44=5 A.
Como vemos, la frmula de Ohm se comporta linealmente, es decir, si duplicamos la resistencia (manteniendo V
constante) el valor de la intensidad que circula por el circuito se divide por dos.

La potencia elctrica
Antes de continuar con los circuitos en CC hemos de adentrarnos en el conocimiento de una nueva magnitud: la potencia
elctrica. La potencia elctrica viene a ser la medicin de la capacidad para desarrollar un trabajo por parte, por ejemplo,
de la tensin. El trabajo producido por dicha tensin al ser aplicada en una resistencia dada puede traducirse en calor
(como es el caso de un calefactor), en energa luminosa, como sucede en las lmparas y otros elementos similares.
La potencia elctrica (P) se mide en vatios y se puede expresar en trminos elctricos que nos son mucho ms conocidos.
Por ejemplo, la frmula que nos expresa la potencia consumida (en vatios) al fluir una intensidad (en ohmios) a travs de
un circuito alimentado por una tensin dada (en voltios) es la
siguiente: P=V * I (donde P es el smbolo de la potencia).
La ley de Ohm liga de alguna manera los conceptos de tensin,
intensidad y resistencia. La potencia es una magnitud elctrica
ms y puede, por tanto, ser expresada en funcin de cualquiera
de las otras magnitudes mencionadas.
La tabla correspondiente nos permite ver la interrelacin entre
todas las magnitudes elctricas descritas hasta el momento.
Cabe mencionar, asimismo, que la aplicacin de dichas
frmulas es totalmente acertada siempre y cuando estemos
trabajando con corriente continua. A la hora de manejar las
mismas magnitudes, pero sobre corriente alterna, la cosa
cambia notablemente.
Los componentes ante la CC.
Hasta este momento hemos aplicado la Ley de Ohm sobre una resistencia y hemos visto como se comportan la intensidad
y la tensin en bornes de esta. Ahora vamos a dejar de lado por un momento las resistencias ms debemos comentar

sobre ellas y comenzaremos a estudiar el comportamiento de condensadores y bobinas ante el paso a travs de ellos de
una corriente de tipo continua.
Las bobinas frente a la C.C.
Cuando se hace circular una corriente continua a travs de una bobina esta se
comporta, a efectos resistivos, como un hilo conductor y ofrece al paso de la
misma una resistencia que depender del material conductor (cobre, plata,
aluminio, etctera).
Pero, adems, una bobina sometida a la variacin que supone pasar de estar con
sus extremos al aire a ser conectada a una diferencia de potencial genera a su
alrededor un campo magntico, de algn modo igual al generado por un imn
permanente.
La circulacin de una corriente a travs de un hilo conductor genera tambin
alrededor del mismo un campo magntico, el cual es muy pequeo. Cuando arrollamos dicho cable en espiras decir,
conformando una bobina obtenemos una "suma" de campos que origina que la inductancia magntica generada sea de
mucha ms magnitud.
La inductancia se suele representar por la letra "L" y, como ya hemos mencionado, es prcticamente nula en un conductor
recto, el cual slo posee cualidades resistivas. Pero, si nos fijamos en un conductor arrollado, vemos que la aplicacin de
una tensin en sus extremos origina una inductancia (L) mayor. Dicha
inductancia presenta la "originalidad" de ofrecer, ante la presencia de una
fuerza electromotriz generadora, una fuerza contra electromotriz que
tiende a oponerse a la primera.
El tiempo que tarda la corriente en llegar a su valor mximo depende
tanto del valor resistivo u hmico de la bobina para entendernos como de
la inductancia de la misma (representada por la letra "L"). Si la
inductancia es grande y la resistencia es muy pequea la corriente que
atraviesa la bobina aumentar lentamente y viceversa.
Para fijar este tiempo (al que denominaremos "t") debemos aplicar la
frmula siguiente: "t"=L/R; donde "t" ser el tiempo (en segundos) en que la intensidad alcanza el valor mximo (realmente
el 63% del mismo); R ser la resistencia hmica de la bobina (en ohmios) y L la inductancia de la misma, la cual se mide
en Henrios. A esta frmula se la denomina en electrnica "constante de tiempo RL".
Para entendernos, basta con ver el siguiente ejemplo:
Supongamos que una bobina de inductancia igual a 35 Henrios
tiene una resistencia hmica de 700 ohmios. La constante de
tiempo "t" ser, por tanto,: "t" = L/R = 35/700 = 0,05 segundos.
Si dicho circuito se conecta a una pila (por tanto CC) cuya fuerza
electromotriz para entendernos es de 9V la intensidad que
circular a travs de la misma ser de 0:
I = V/R = 9/700 = 0,012 A = 12 mA. (Miliamperios).
De todo ello se deduce que al conectar una bobina, cuya resistencia es de 700 W y cuya inductancia alcanza 35 H, a una
fuente de CC de 9V, y despus de un tiempo de 50 milisegundos (los 0,05 segundos calculados), obtendremos una
intensidad a travs de dicha bobina de 7,5 mA (63% de los 12 mA
calculados).
La inductancia de una bobina depende de los detalles constructivos de
la misma. Influyen en el valor de la inductancia el nmero de espiras de
dicha bobina, su longitud y, algo muy importante, el ncleo de la
misma. La distancia entre espiras consecutivas es tambin
determinante en el valor inductivo final. Baste slo recordar lo ya
explicado anteriormente, donde se estableca que los campos
magnticos originados en cada una de ellas pueden sumarse a las
contiguas, si estas se encuentran lo suficientemente prximas. Por el
contrario, si separamos las espiras contribuiremos a disminuir el campo
magntico susceptible de ser sumado y, por tanto, la inductancia
resultante se ver mermada.
La unidad de medida de la inductancia debe su nombre a Joseph
Henry, descubridor de dicho fenmeno.
La definicin "formal" de la inductancia puede resumirse de la siguiente forma: Un circuito posee una inductancia igual a
un Henrio cuando una variacin de corriente de un amperio ocasiona en el mismo una induccin de fuerza electromotriz (o
fuerza contraelectromotriz) opuesta igual a un voltio.
En el "mundillo" electrnico se considera a la unidad Henrio ciertamente excesiva, por lo que nos ser ms fcil toparnos
con subunidades tales como el mili henrio (0,001 H) o el micro henrio (0,001 mH).
Para resumir, podemos afirmar que las bobinas poseen inductancia de forma semejante a como los resistores
("resistencias", para los puristas) poseen resistencia elctrica.

Los condensadores frente a la C.C.

Con relacin a los condensadores tambin podemos describir toda una
bibliografa acerca de su comportamiento al ser alcanzados por una tensin de
tipo continua. Segn podemos ver en la ilustracin correspondiente el
condensador bsico es, por definicin, tan solo un par de piezas de material
conductor separadas por otro material de tipo aislante, el cual puede ser
nicamente aire. Se ha convenido en denominar "armaduras" a las dos placas
que constituyen el condensador, mientras que a la sustancia aislante que las
separa se le asigna la denominacin de "dielctrico".
El evento que ocurre cuando un condensador se conecta a una fuente de corriente continua es la carga del mismo. El
condensador permanece en estado neutro ambas armaduras tienen una carga neutra la una respecto a la otra si partimos
de la posicin B (suponemos el condensador totalmente descargado). Pasamos luego el interruptor a la posicin A y los
electrones presentes en la placa o armadura conectada al polo positivo de la alimentacin son atrados por este, con lo
que dicha placa queda con un "dficit" de electrones o, dicho de otro modo, adquiere una carga positiva.
En el polo opuesto del condensador ocurre una situacin similar pero de
sentido inverso, es decir, el polo negativo de la batera "enva" electrones
hacia la placa del condensador a la que est conectada. Esto, por supuesto,
se traduce en que dicha placa adquiere una carga de signo negativo o, lo
que es igual, un exceso de electrones.
Las placas del condensador estn siempre separadas por un material
aislante (dielctrico) por lo que, al conectar un condensador a la
alimentacin (continua), lo que siempre ocurre es que este se carga de
forma inmediata.
A pesar de que la circulacin "real" a travs del dielctrico no se da, se
origina en el momento de la carga una circulacin de corriente elctrica a
travs del conductor que una el condensador a la alimentacin. Dicha
intensidad medible por otra parte, con un ampermetro de adecuada
sensibilidad se debe a la secuencia de carga dada en el instante de
conectar el condensador a la batera y que evoluciona como ya se ha
explicado anteriormente. Dicha circulacin se debe a que en el instante de
conectar la alimentacin a las placas del condensador se establece una diferencia de potencial entre las placas del mismo
y los polos de la citada alimentacin. Una vez que el potencial se iguala lo cual tiene lugar en breves instantes la
circulacin (por as decirlo) en el circuito se detiene. Podemos en este instante decir que el condensador se ha cargado.
La razn de que el condensador permanezca "cargado" se debe a que sus dos placas han adquirido un potencial idntico
entre s pero de signo contrario. Dicha situacin se traduce en una atraccin entre cargas que no pueden llegar a juntarse
por la separacin a la que el dielctrico aislante las somete. Esta atraccin es la explicacin de la citada "carga" del
condensador.
Si en este instante desconectramos el condensador del circuito comprobaramos que el mismo permanece cargado (no
hay un "camino" elctrico para que puede descargarse).
Pero lo que vamos a hacer ahora es pasar el interruptor, de nuevo, a
la posicin B. Ahora ya no partimos de un condensador en estado
neutro sino de un condensador ya cargado. Al dar a las placas del
condensador una posibilidad de equilibrar sus cargas estamos
procediendo al evento contrario al anterior, es decir, a la descarga del
condensador.
La diferencia de potencial entre placas hace que, por un instante, el
circuito se asemeje a una pila alimentando a una resistencia (R)
conectada en serie con ella, pero con una salvedad, aqu no hay
reaccin qumica entre polos (placas del condensador) ya que estos no son ms que un par de materiales conductores
separados por una sustancia ms o menos aislante. De aqu podemos deducir ya que, al haber una desequilibrio de
cargas entre placas (una es positiva y la otra negativa) y conectarlas a travs de R, se produce una circulacin de
electrones para "solucionar" dicho desequilibrio y conseguir igualar el potencial elctrico entre placas. Este suceso se
conoce como "descarga" del condensador.
La "carga" del condensador responde a una circulacin de corriente alta en principio y nula al final, cuando el mismo ya
est cargado. La "descarga" del condensador tambin genera una circulacin de electrones alta en el primer instante pero
nula al final del proceso. La diferencia entre una corriente y otra es que son de sentido contrario.
En la ilustracin que representa el circuito de carga/descarga del condensador podemos observar tambin unas curvas
que representan la evolucin de la tensin (potencial) en bornes del condensador al poner el mismo en posicin B
partiendo de un condensador neutro (descargado)y al ponerlo en la posicin A. Ambas curvas estn convenientemente
identificadas como "carga" y "descarga".
En la primera curva, la tensin en bornes del condensador es nula en el instante de conectarlo a la pila y aumenta hasta
que este se carga. En la segunda curva vemos que partimos de un condensador cargado y, en el momento de unir sus
placas a travs de R, se origina una descarga progresiva.
Tanto en el caso de la carga como de la descarga del condensador la circulacin de corriente tendr una duracin mayor o
menor dependiendo de la resistencia a travs de la que se conecte el condensador. A esta duracin se le asigna en

electrnica el nombre de "constante de tiempo RC". Se define por constante de tiempo, RC, al transcurrido desde que se
inicia la carga de un condensador conectado en serie con una resistencia hasta que las placas del mismo adquieren un
potencial del 63% del valor final (el de la alimentacin).
En el caso de la descarga, se trata del tiempo que transcurre hasta que el condensador disminuye su potencial entre
placas y alcanza el 37% del valor inicial del mismo.
Las resistencias frente a la C.C.
El hecho de que denominemos a un componente como resistencia "pura" no hace sino destacar que el resto de
componentes comentados antes, esto es, bobinas y condensadores no se puedan estudiar como entes meramente
capacitivos o inductivos. Como ya iremos viendo posteriormente aunque, en teora, hablemos de inductancia y capacidad,
al tratar con circuitos de corriente alterna habr que tener en cuenta el hecho de que un condensador posee, adems de
capacidad, un pequeo componente resistivo. Lo mismo ocurre con las bobinas: el hilo que constituye la b
Pasaremos ahora revista a unas pocas aplicaciones de CC para ocuparnos luego de las posibilidades de conectar entre s
ms de un componente electrnico y la forma en que la corriente continua evoluciona sobre dichas combinaciones.
Los lugares en que podemos encontrar aplicacin a circuitos alimentados por corriente continua son mltiples. Podemos
citar, a modo de ejemplo, los siguientes:
La luneta trmica del coche: Convierte la energa consumida de la batera en energa calorfica, la cual produce el efecto
de desempaado deseado.
Un electroimn: En este supuesto, la energa elctrica suministrada por la alimentacin se
convierte en energa magntica.
Una linterna: La bombilla es el dispositivo encargado de transformar la energa elctrica de la
pila en energa luminosa.
Un pequeo ventilador para coche: En este caso, la corriente de aire se debe a que existe un
dispositivo que mueve las aspas del ventilador. Este dispositivo es el motor de CC, el cual se
encarga de convertir la energa elctrica de la batera del coche en energa mecnica capaz
de mover las citadas aspas.
Suma de resistencias
Es posible conectar entre s dos o ms resistencias. Si tomamos
los extremos de dichas asociaciones de resistencias, y medimos
su resistencia en un ohmimetro, estaremos leyendo el valor de lo
que se conoce como Resistencia Equivalente o Resistencia Total
del circuito.
Adems de poder medir el valor de la resistencia total (Rt),
efectuaremos tambin el clculo numrico adecuado para determinarlo. En las siguientes lneas veremos las diferentes
formas de conectar las resistencias entre s y el modo de calcular la resistencia equivalente del circuito.
Como podemos en la ilustracin correspondiente, en la que hay resistencias asociadas, estas estn conectadas entre s
de forma que una patilla de R1 se conecta a la batera y la otra a una patilla de R2. La otra patilla de R2 se conecta a R3 y
as sucesivamente. Este tipo de asociacin de componentes recibe el nombre de conexin en "serie".
En la ilustracin correspondiente podemos ver que todas las patillas de la izquierda de las tres resistencias estn unidas
en un punto comn, y lo mismo ocurre con las de las del otro lado. Este tipo de montaje responde al nombre de conexin
en "paralelo".
En nuestra propia casa podemos ver ejemplos de conexiones serie y paralelo. Por ejemplo, el conjunto de tres o ms
enchufes conectados a una nica toma en la pared constituye un caso de conexin en paralelo. Otro ejemplo, las
recurridas lucecitas del rbol navideo estn unidas entre s en conexin serie.
Vamos ahora a ver como se comporta la Ley de Ohm en el caso de la conexin de resistencias en serie. En el caso de la
primera de las figuras (conexin en serie), la intensidad que circula por el circuito es idntica a lo largo del mismo. Si la
alimentacin es igual a V la intensidad ser igual (aplicando Ohm) a : I=V/Rt. Pero ahora debemos calcular Rt la cual, en el
caso de resistencias conectadas en serie, ser:
Rt = R1 + R2 + R3
Podemos aadir aqu que la tensin que hay en extremos de cada
una de las resistencias no ser igual a V, sino que tendr un valor
proporcional a su propia resistencia. La suma total de las cadas de
tensin (c.d.t.) en extremos de las tres resistencias ser igual a la
alimentacin V. De aqu podemos deducir que, para calcular la
tensin en extremos, por ejemplo, de R1, debemos aplicar:
V = R I ==> V1 = R1 * I

--------------

V = V1 + V2 + V3

En el caso de la asociacin en paralelo, la tensin en extremos de cada resistencia s es igual a la tensin de alimentacin:

V = V1 = V2 = V3
Pero no ocurre lo mismo con la intensidad. La intensidad total (I) se divide en varias "ramas" por lo que a cada resistencia
le atravesar una intensidad proporcional a su valor: I = i1 + i2 + i3
El clculo de la intensidad total que atraviesa el circuito se realiza tambin con la Ley de Ohm. Es decir, I = V/Rt y, como
en el caso anterior, nos vemos obligados a calcular Rt. Para ello aplicamos la frmula:
1/Rt = 1/R1 + 1/R2 + 1/R3
O, lo que es igual:
Rt = 1/(1/R1 + 1/R2 + 1/R3)
El la ilustracin correspondiente podemos ver un
montaje "mixto". En este caso nos encontramos con una
conexin paralelo (R2 y R3) en serie con otra resistencia
(R1). Para calcular la resistencia equivalente en este y
otros circuitos del mismo tipo mixtos se realizar una
"reduccin" de cada circuito de forma que a los
resultantes podamos aplicarles las frmulas explicadas
anteriormente.
En este caso procederemos de la siguiente manera:
reduciremos la asociacin paralelo para obtener la
resistencia equivalente a esta (la denominaremos Ra-b. Una vez obtenido el valor de Ra-b aplicaremos la frmula de
resistencias en serie entre la citada Ra-b y R1. El clculo quedar de la siguiente forma:
Ra= 1/(1/R2 + 1/R3)
Rt = Ra+ R1
I = V/Rt
De aqu podemos deducir que cuando nos encontremos con circuitos mixtos de cierta complejidad procederemos a
"reducir" las ramas paralelo a una resistencia equivalente, para luego sumar entre s las resistencias serie resultantes.
Antes de dar por terminado el tema del clculo de las resistencias equivalentes a una asociacin de las mismas vamos a
comentar un par de "trucos" que se deducen de la simplificacin de las frmulas ya comentadas en sendos casos
particulares de montajes paralelos:
Caso de asociacin de dos resistencias:
Rt = (R1 R2) / (R1+R2)
Podemos utilizar esto para simplificar "ramas" de dos en dos si nos parece ms rpido que utilizar la frmula general.
Caso de mltiples resistencias de idntico valor:
Suponemos que tenemos N resistencias de igual valor (R) conectadas en paralelo. La resultante ser:
Rt = R / N
Suma de condensadores
La asociacin de condensadores tambin puede ser en serie o en paralelo, se resuelve calculando la capacidad
equivalente (o total). Las frmulas a aplicar son las siguientes:
Caso de N condensadores en serie:
Ct = 1 / (1/C1 + 1/C2 +.... + 1/CN)
Caso de N condensadores en paralelo:
Ct = C1 + C2 + C3 +...... + CN
Como podemos ver, las frmulas a aplicar para calcular la capacidad total son las inversas (aritmticamente hablando) a
las empleadas en el caso de las resistencias.
Suma de inductancias
En el caso de inductancias, s rigen frmulas similares a las de las resistencias para calcular la inductancia total.
Caso de N inductancias en serie:
Lt = L1 + L2 + L3 +..... + LN
Caso de N inductancias en paralelo:
Lt = 1 / (1/L1 + 1/L2 +.... + 1/LN) Bobina, aparte de ofrecer el fenmeno inductivo, tiene un valor resistivo claramente
calculable en ohmios.
La corriente alterna se muestra algo ms compleja a la hora de lidiar con nuestros protagonistas. Vamos a estudiar en
profundidad el comportamiento de los componentes denominados "pasivos" cuando actan en circuitos alimentados con
corriente alterna.

La corriente alterna, tal y como se ha visto anteriormente, es aquella que vara su polaridad de forma regular. No debemos
confundir la corriente alterna con la corriente pulsatoria. Esta ltima puede responder a una forma ciertamente no muy
constante pero queda claro que no vara su polaridad de forma alterna.
El componente ms pasivo de los que hemos visto hasta ahora es, sin lugar a dudas, la resistencia que, sin embargo, no
va a ser el componente estrella de este apartado ya que las variaciones de polaridad no influyen demasiado en el
comportamiento electrnico de la misma.
Antes de continuar, no podemos hablar de efectos de resistencia, inductancia y capacidad puros, sino ms bien de efectos
simultneos. A la hora de enfrentarnos a la corriente alterna tenemos que empezar a considerar seriamente que una
bobina no es solo una inductancia sino que tambin posee cierta cantidad de resistencia hmica. Por esta razn, y a partir
de ahora, cuando veamos una "L" en un circuito debemos pensar que estamos ante un componentes que en realidad debe
representarse como "L+R".
El mismo criterio rige para los condensadores. Cada vez que tengamos un condensador delante debemos acostumbrarnos
a ver un "C+R".
Para circuitos de corriente alterna, a la resistencia que ofrece un condensador al paso de la corriente elctrica se le
denomina "reactancia capacitiva", mientras que a la resistencia que ofrece una bobina a la CA se le denomina "reactancia
inductiva". Su representacin es, respectivamente, Xc y Xl.
Grfica de corriente alterna
A pesar de que ya hemos comentado
anteriormente la semejanza que hay entre la
forma que adquiere la tensin alterna y una curva
de forma sinusoidal, es hora de explicar el porqu
de esta forma de representarla.
La tensin -la llamamos tensin- alterna invierte
su posicin grfica, es decir, su polaridad real,
cambiando de signo de forma peridica (alterna). La senoide que representa est tensin puede dibujarse tomando como
referencia las posiciones de un vector que gira recorriendo una circunferencia. El valor "T" ser el del valor instantneo de
la tensin. Al efectuar el recorrido completo, esto es, los 360 grados se produce la disminucin, paso por cero,
disminucin, valor mximo negativo, aumento y, pasando de nuevo por cero, la llegada al punto de partida (90 grados),
donde el valor vuelve a ser mximo y de valor positivo.
Si trasladamos, grficamente, estos valores al eje de tiempo (o de grados rotados) podemos observar la forma sinusoidal
que se suele identificar como corriente alterna. Tanto la forma sinusoidal como los vectores son muy utilizados cuando
precisamos entender de una forma intuitiva el tema de tensiones y corrientes.
Concepto de fase
Dicen que un buen ejemplo puede ms que la mejor de las explicaciones. Por
esta razn vamos a explicar el concepto de Fase con un ejemplo prctico.
Tanto la representacin vectorial como el de seales alternas nos servirn
para explicar los conceptos ligados a la corriente alterna.
En la ilustracin correspondiente podemos ver (A) una resistencia (pura)
alimentada a partir de una corriente alterna. En el sistema vectorial (C) se
muestran los vectores que asociamos a una tensin dada (V) y a una
intensidad existente en el circuito (I). El hecho de que ambos vectores se
dibujen uno sobre otro sirve para indicarnos que "en un circuito resistivo puro
alimentado por una corriente alterna la tensin y la corriente estn en fase".
El esquema de seales (B) nos puede dar una idea ms clara del concepto.
Como vemos, ambas seales, tensin e intensidad, son de magnitud diferente
e igual frecuencia y, adems, evolucionan en el sentido del tiempo de forma
sincronizada, esto es, en fase. Todo ello se puede entender mejor con solo
observar que parten de cero y pasan por cero (se entiende valor cero) en el mismo instante y, adems, alcanzan sus
respectivos mximos y mnimos tambin en idntico momento.
En la figura podemos ver el ejemplo de dos seales -S1 y S2- que tambin pasan por cero de forma simultnea y son de
idntica frecuencia pero, a diferencia de lo que ocurra con las anteriores, cuando una alcanza su valor mximo la otra
llega a su respectivo mnimo, y viceversa. De este tipo de seales se puede decir que son de diferente magnitud (sus
respectivos mximos difieren), idntica frecuencia y no estn en fase, es decir, las dos seales estn desfasadas entre s.
El desfase entre dos seales se puede medir. La unidad que se utiliza para ello suele ser el grado.
En la figura podemos ver tres seales cuya fase es diferente. En (A) las dos seales estn desfasadas 90 grados: la
posicin relativa de una de ellas con respecto a la misma posicin en la otra se da transcurridos 90 grados. En (B) las dos
seales estn desfasadas 180 grados, una es mxima cuando la otra alcanza su valor mnimo. Por ltimo, en la figura (C)
vemos dos seales en fase donde tanto sus mximos y mnimos como el paso por el valor cero suceden en el mismo
instante

.
Inductancia y resistencia en corriente alterna
Si a un generador de corriente alterna le conectamos una bobina en serie no
podremos estudiarla de forma coherente si consideramos a esta como
inductancia pura. La ilustracin nos permite ver cmo podra ser el esquema
de distribucin de las seales V e I en el caso de que la bobina dibujada se
comportara como una inductancia pura. Esto no es tan estricto en la prctica
pero nos sirve para afirmar que en todo circuito de carcter inductivo la corriente est retrasada con respecto a la tensin.
En el caso comentado, inductancia pura, se origina un desfase de 90 grados entre la tensin (V) y la intensidad (I). Esta
ltima puede calcularse con la Frmula de Ohm pero sustituyendo la "R" por la "Xl", es decir, la resistencia por la
reactancia inductiva anteriormente comentada. El valor de la reactancia inductiva depende tanto de la frecuencia que
ataca a la bobina como de la inductancia de la misma. La frmula ser
I = V/(2PFL) = V/(wL)
Donde:
I = intensidad
V = tensin
f = frecuencia (hercios)
L = inductancia (henrios)
Como vemos, se suele simplificar el producto "2*P* f" por "w". A la expresin "w" se le suele denominar pulsacin. Como
podemos ver por la frmula, la reactancia inductiva aumenta con la frecuencia. Si ahora consideramos un circuito de
alterna en el que tengamos colocados en serie una resistencia y una bobina, y aplicamos la base de la Ley de Ohm,
podemos deducir que la intensidad que atraviesa ambos componentes ser de igual magnitud, tal y como ocurra con los
circuitos serie de continua, pero a la hora de trabajar con alterna el clculo de las cadas de tensin en cada componente
deber hacerse atendiendo al carcter del mismo (tipo resistivo, capacitivo, inductivo, etc.).
En el circuito de la figura correspondiente se puede ver la resistencia y la bobina que son alimentadas por la fuente de
corriente alterna. Tambin podemos apreciar el desfase existente en cadas de tensin entre uno y otro componente.
Debido a que las tensiones en bornes de cada componente se pueden calcular, por la Ley de Ohm, aplicando que V=I*R,
y a que las intensidades que circulan por bobina y resistencia estn desfasadas entre s 90 grados, la nica forma de
calcular la tensin total que alimenta el circuito serie es aplicando la
representacin vectorial que vemos en la figura y calculando con la
frmula pitagrica tambin indicada el valor de Vca.
Debido a que toda bobina "real" no puede considerarse pura, se hace
necesario definir un nuevo parmetro que englobe la resistencia debida
al componente resistivo, valga la redundancia, de la bobina y el
componente de resistencia debido a la caracterstica inductiva de la
misma. Este nuevo parmetro es la impedancia. La forma de representar
en los circuitos electrnicos la magnitud descrita es con la letra "Z". Su
unidad de medida es tambin el ohmio y, al igual que ocurre con otras
magnitudes sometidas a la corriente alterna, su clculo requiere que
apliquemos de nuevo la representacin vectorial.
En el esquema correspondiente vemos la representacin vectorial de la
impedancia (Z) que, como podemos comprobar, se obtiene de la suma
vectorial de R y Xl. Tambin podemos comprobar la frmula a aplicar
para su clculo, la cual es mera aplicacin de la trigonometra ms
clsica.
Otra posibilidad que nos encontramos en las diferentes combinaciones de resistencia y bobina
es la de que ambas estn conectadas en paralelo a una fuente de tensin alterna. Esto es lo
que quiere representar la figura correspondiente. En ella podemos observar que la intensidad
que llega al "nudo" de donde parten ambas ramas se bifurca en dos intensidades distintas -al
igual que nos ocurra con circuitos paralelo en CC-, pero esta vez la intensidad total que circula
por ambas ramas no es tan sencilla de calcular. Para ello tendremos que recurrir, de nuevo, a la
representacin vectorial y a la suma trigonomtrica. Como podemos ver, la intensidad que
circula por la rama resistiva pura (IR) est en fase con la tensin, pero la intensidad que recorre
la bobina (IL) est, como ya hemos indicado, atrasada con respecto a la tensin (en el supuesto
partimos de la idea de que la bobina es una inductancia pura, esto es, sin resistencia, por lo que
el comentado desfase o retraso ser de 90 grados).

Capacidad en corriente alterna

Al igual que ocurre con las bobinas, los condensadores tambin

presentan especiales caractersticas a la hora de lidiar con la
corriente alterna. En la primera ilustracin dedicada a los
condensadores podemos observar cmo evolucionan la intensidad
y la tensin alterna al ponerse en contacto con la CA.
Tal y como ocurre con las bobinas se origina un desfase de 90
grados entre tensin e intensidad pero, a diferencia de lo que ocurra con aqullas, en este caso es la corriente (I) la que
est adelantada con respecto a la tensin (V). En el esquema vectorial podemos ver la representacin grfica de este
desfase que, si la capacidad es pura, si no ofrece resistencia alguna, ser de 90 grados.
Pero la resistencia que ofrece el condensador se puede calcular tal y
como hemos explicado en el caso de las bobinas, es decir,
calcularamos en lugar de esta la impedancia que ofrece el citado
condensador. La frmula a emplear es idntica a la usada para
calcular la "Z" de un circuito inductivo pero utilizando la reactancia
capacitiva en lugar de la inductiva, esto es, sustituiremos Xl por Xc.
Respecto a la forma en que se comportan tensin e intensidad en un
circuito capacitivo podemos comenzar estudiando el caso de
resistencia y condensador conectados en serie. Las cadas de tensin
(c.d.t.) que tendremos en bornes del condensador y de la resistencia
estarn desfasadas los consabidos 90 grados. Para calcular la tensin
total deberemos hacer uso de nuevo del clculo vectorial. Como vemos, la tensin que cae en bornes de la resistencia se
encuentra en fase con la intensidad y, por el contrario, la tensin que cae en extremos del condensador est desfasada 90
grados con respecto a la anterior. Podemos comprobar aqu que se cumple el retraso de V respecto a I.
Otra forma de conectar y estudiar un conjunto de resistencia y condensador es en montaje paralelo. En la figura podemos
ver la representacin grfica del desfase que se origina entre
intensidades en este circuito. La intensidad total It se calcular
mediante la suma vectorial de la intensidad que circula por la
resistencia y la que circula por el condensador. Como sabemos la
circulacin a travs del condensador no es tal ya que si
recordamos el comportamiento de los condensadores en CC
estos no hacen sino cargarse a un determinado potencial.
El cambio constante de sentido de la corriente inherente a la CA
hace que el condensador desarrolle ciclos de carga y descarga
continuos, lo cual en efecto es una circulacin de electrones.
De lo visto hasta el momento podemos sacar unas conclusiones
bastante claras que nos ayudarn posteriormente a "simplificar",
por as decirlo, todos los circuitos que combinen elementos R, L y
C. He aqu las conclusiones mencionadas:
- En una resistencia conectada a una fuente de voltaje de tipo
alterno la cada de tensin en sus extremos estar en fase con la
corriente.
- En una inductancia conectada a una fuente de voltaje de tipo
alterno la cada de tensin en sus extremos estar 90 grados en
desfase (adelanto) con respecto a la corriente.
- En un condensador conectado a una fuente de voltaje de tipo
alterno la cada de tensin en sus extremos estar 90 grados en desfase (retraso) con respecto a la corriente.
Teora sobre circuitos L-R-C
Los circuitos que combinan elementos resistivos, capacitivos y resistivos -casi todos los circuitos electrnicos prcticos se
basan en estos componentes principales- se resuelven aplicando combinaciones de las frmulas anteriormente descritas.
En la prctica, la Ley de Ohm no puede utilizarse con precisin en circuitos de corriente alterna. Es por ello por lo que
debemos hacer uso de representaciones y clculos de tipo vectorial como los anteriormente descritos.
Para calcular, por ejemplo, la intensidad en un circuito tipo serie LRC vamos a partir primeramente del supuesto del
circuito LC anteriormente explicado. Si colocamos en serie una resistencia de, por ejemplo, 3 ohmios con una bobina cuya
Xl sea de 4 ohmios, y alimentamos el circuito a una tensin de 100 V, slo hay que aplicar las frmulas descritas y
llegaremos a la conclusin:
Vt = Vr + Vl ===> (100) = (I*3) + (I*4) = I*(25) ===> I = 10000/25 ===> I = 20 A
Si el caso se repite con una resistencia de 3 ohmios y una bobina de 4 ohmios y un condensador de 5 ohmios aplicamos el
clculo trigonomtrico de nuevo y comprobamos que el adelanto de la bobina se compensa con el retraso del condensador
y, para realizar el clculo de la intensidad que circula, deberemos sumar los vectores debidos a induccin y capacidad, los
cuales son de idntica direccin pero de sentido inverso, es decir, estn en oposicin. La tensin reactiva ser la debida a
los componentes desfasadores incluidos. En este caso esta es
Xc- X1 = 5-4 = 1 ohmio. Como vemos, el circuito resultante ser de tipo capacitivo al prevalecer dicho efecto al inductivo.
La intensidad circulante ser entonces funcin de la R y la X (reactancia resultante). Aplicamos frmulas y tenemos:

V = (I*R) + (I*X) ===> (100) = (I*3) + (I*1) ===> (100) = I*(9) ===> I = 10000/9 ===> I = 33,3 A
No es que la realidad supere a la ficcin pero s que existen ciertas particularidades aadidas en el tema de componentes
capacitivos e inductivos en la prctica que vamos a abordar seguidamente.
Para comenzar comentaremos ciertos detalles constructivos sobre las bobinas.
En el funcionamiento de las bobinas no todo es de color de rosa sino que existen ciertos efectos negativos debidos al
propio efecto de induccin electromagntica y que se intentan paliar de diversas formas.
Uno de estos problemas es el efecto pelicular o "Joule" por el cual la corriente alterna que circula por un conductor tiende
a hacerlo por la superficie exterior del mismo, esto es, evitando el paso por su parte central. Esto se traduce en un
aumento innecesario de la resistencia hmica del conductor.
Si partimos del hecho de que este efecto no se da en el caso de corriente continua y,
como parece obvio, la frecuencia de una corriente continua es igual a cero (no hay
variaciones de polaridad) no nos ser difcil intuir ya que el efecto pelicular ser mucho
ms intenso cuanto mayor sea la frecuencia de la corriente alterna utilizada. Para paliar
este efecto se han buscado un par de soluciones interesantes:
En el caso de bobinas destinadas a soportar corrientes elevadas y frecuencias altas se
utilizan conductores en forma tubular de material de cobre recubierto de plata (no
debemos olvidar que la plata es an mejor conductor que el cobre). El cobre realiza
casi exclusivamente la misin de soporte y es el exterior de plata el que realiza las labores de conduccin.
En el caso de bobinas de uso comn los fabricantes han recurrido a un mtodo ms sencillo: constituir la seccin total del
conductor fabricado a partir de un buen nmero de conductores de una seccin mucho menor. La suma de las secciones
de todos ellos ser igual a la seccin necesitada.
Otro inconveniente que surge en la fabricacin de bobinas se debe a la propia interaccin del campo creado por un
conductor recorrido por la corriente alterna sobre cualquier otro material conductor situado en su proximidad. En el caso de
una bobina devanada (arrollada) sobre un ncleo de hierro se originan en el seno del mismo unas corrientes denominadas
"corrientes de Foucault". Debido a la resistencia que el propio hierro opone al paso de las citadas corrientes se originan en
las bobinas unas sensibles prdidas de energa.
Para paliar este problema se recurre a varios mtodos, a saber:
- En el caso de bobinas destinadas a trabajar en baja frecuencia y en
transformadores (no olvidemos que un transformador no es ms que el
conjunto de dos o ms bobinas) se recurre a la laminacin del ncleo, es
decir, se constituye un ncleo de las dimensiones precisas a partir de unas
cuantas lminas que no son sino secciones del ncleo final. Dichas lminas
estn aisladas elctricamente entre s mediante una fina capa no conductora.
Esto limita las prdidas por efecto Foucault.
- En aplicaciones de alta frecuencia se recurre a la utilizacin de un material especial para constituir el ncleo de la bobina.
Se trata de un aglomerado obtenido a partir de polvo de hierro firmemente prensado. Se denominan "ferritas" y su
utilizacin se incrementa en dispositivos que operen con frecuencias que superen los 10Khz.
Los ncleos de ferrita posibilitan tambin la fabricacin de bobinas de inductancia variable. Como quiera que la induccin
de una bobina dada con ncleo de aire (es decir, vaca) se ve notablemente aumentada al colocar como ncleo de la
misma un cilindro de ferrita, podemos utilizar este hecho para realizar inductancias variables. En ellas se puede actuar
sobre el ncleo frrico de forma que se site ms o menos dentro del hueco de la bobina.
Factor "Q" de una bobina
Existe un factor denominado de mrito (tambin factor de calidad) de una bobina dada. Este tambin se conoce como
factor "Q". Viene dado por la relacin existente entre la reactancia inductiva (Xl) y las prdidas debidas a la resistencia
hmica de la citada bobina.
La frmula aplicada para el clculo del factor Q es :
Q = Xl/R
Para que dicho factor o relacin sea ptimo se suelen aplicar una serie de medidas a la hora de fabricar la inductancia,
entre estas podemos citar:
- El arrollamiento de la bobina debe ser el mximo que nos permita el clculo constitutivo de la misma.
- El grosor del soporte empleado para bobinar, esto es, el que sujeta, por ejemplo, la ferrita sobre la que devanaremos el
hilo, debe ser lo menos grueso posible. Desde este punto de vista parece lgico que las bobinas de mejor factor Q sean
las de ncleo de aire, siempre y cuando la inductancia as obtenida sea la buscada.
- Dentro del nmero de espiras calculado para una bobina dada, y cindose al espacio disponible en el alojamiento que
se haya previsto para ella, debemos procurar que el dimetro del hilo empleado en su construccin sea el mayor posible.

Tipos de condensadores
Existen en el mercado toda una gama de condensadores que sera difcil describir aqu en su totalidad. Lo que s
podemos hacer es resumir los tipos ms comunes y sus caractersticas constructivas diferenciadoras.
- Condensadores de papel: su dielctrico est constituido por papel parafinado. Se emplea en gamas de capacidad entre
100pF y 1F.
- Condensadores de polister: utilizan como dielctrico materias plsticas (polmeros). Tiene la desventaja de presentar
prdidas en frecuencias que superen 1Mhz.
- Condensadores de mica: se utilizan cuando se precisa un alto grado de estabilidad. La mica es el dielctrico ms estable
que se conoce. Su gama de aplicacin comprende desde 1pF hasta 0,1F.
- Condensadores cermicos: los condensadores cermicos son los idneos para
aplicaciones en equipos que trabajan con frecuencias muy elevadas. Sus valores de
fabricacin se sitan entre 0,5pF y 10nF. Estn constituidos por un pequeo disco de
material cermico que desempea tanto el papel de dielctrico como el de soporte.
- Condensadores electrolticos: son, por definicin, condensadores polarizados y su gama
de aplicacin suele ser la que supera el valor de 1F. Son, por lo general, de un tono ms
"vistoso" que sus compaeros (suelen estar encapsulados en colores negros o azules) y
su serigrafa externa acompaa el valor en F con una indicacin de su polaridad, esto es,
un signo "+" (polo positivo) o, lo que es ms comn, un signo "-" (polo o patilla negativa).
Su constitucin incorpora una lmina de aluminio enrollada que se conecta al polo positivo,
otro arrollamiento sobre sta de un papel impregnado de electrolito y, para rematar, otra
capa ms de aluminio, arrollada sobre ambas, y que se conecta al Terminal negativo del condensador.
- Condensadores de tantalio: son unos condensadores bastante similares a los electrolticos pero estos incorporan como
dielctrico una finsima pelcula de xido de tantalio amorfo, de menor espesor y mayor poder aislante. Su principal ventaja
radica en el tamao. Para una capacidad similar a la de un electroltico sus dimensiones son notablemente ms reducidas.
Tambin son condensadores polarizados y, por tanto, incorporan identificaciones adecuadas en sus patillas.
Condensadores variables (trimmers): los condensadores tambin pueden fabricarse de forma que su capacidad pueda ser
variada a voluntad. Los circuitos de sintona de cualquier tipo de receptor de ondas deben incorporar un circuito LC en el
que se pueda modificar el valor del condensador (C). Para ello se fabrican condensadores de lminas metlicas mviles.
La mitad de ellas estn fijas al equipo (estator) y la otra mitad (rotor) puede actuarse mediante un eje solidario y hacer que
entren en las ranuras de separacin de las primeras. Queda claro que el dielctrico en este caso suele ser de aire. Segn
frecuencias de aplicacin existen condensadores variables que abarcan desde 5pF hasta 500pF.
Dentro de este tipo de condensador tambin podemos mencionar los pequeos (en comparacin con los variables
anteriores) condensadores de ajuste. Este tipo de condensadores se utiliza para compensar o ajustar pequeos
diferencias que ocurren en la puesta a punto de los equipos. Se suelen conocer tambin por el nombre de "trimmers" y su
capacidad alcanza habitualmente pocos pico faradios.

BIOGRAFIA
Gustav Kirchoff (Konigsberg, 1824 -Berlin 1887): Fsico alemn. Estudio en la universidad de su ciudad natal, donde se
destaca como uno de los alumnos de rendimiento superior. Siendo todava un estudiante, demuestra la velocidad de los
impulsos elctricos al desplazarse por un conductor. Descubre que aquella es igual a la velocidad de la luz. Mas tarde se
interesa por el comportamiento de la materia en estado incandescente. Acomete dicho estudio con la ayuda del qumico
Robert Wilhelm von Bunsen. En el transcurso de sus experiencias, hacen pasar el espectro descubierto por Newton por
una hendidura, teniendo como resultado una amplia serie de lneas de diferentes colores. De esta manera se desarrolla el
espectroscopio.
El nuevo instrumento permite determinar las longitudes de onda de los colores. Kirchoff advierte adems que las
substancias producen su propio espectro, uno distinto para cada elemento. Por ese camino se arriba a un nuevo mtodo
para determinar que estn compuestas las distintas substancias. El anlisis espectral registra, pues, la presencia de la
fina de los elementos. Utilizando el espectroscopio, Kirchoff descubre un nuevo elemento, el cesio (del latn azul
celeste"), nombrado as por la forma como sobresale la linea azul del espectro. Su siguiente paso es el estudio de los
espectros producidos por la luz de diferentes estrellas.
CIRCUITOS RESISITIVOS
De esta manera, Kirchoff llega a determinar su composicin qumica. Adems de ser el fundador de la espectroscopia e
inventor del espectroscopio, trabaja desde los 30 anos, como maestro de fsica en la Universidad de Heidelberg.
LEY DE OHM
En 1827 el fsico alemn Georg Simon Ohm (1787-1854), basado en sus experimentos enuncio, en un articulo titulado "El
circuito galvanico investigado matemticamente", que el voltaje en las terminales de un conductor es di-rectamente
proporcional a la corriente que fluye a travs del mismo; este enunciado reconocido muchos anos despus como la ley de
Ohm, se expresa de la siguiente manera:
Donde R es la constante de proporcionalidad, denominada resistencia, cuya unidad es el ohm, representada por la letra
griega omega mayscula. De acuerdo con la ecuacin V = RI se define que:

El smbolo de la resistencia se presenta en la siguiente figura: Teniendo en cuenta la conversin pasiva de signos la
corriente entra por la terminal de mayor potencial y sale por la de menor potencia, esto indica que este elemento consume
energa y la energa perdida la refleja en forma de calor; la razn de cambio de disipacin de energa, representada por
potencia instantnea, por deduccin es: V = I. R

I=V/R
La corriente es directamente proporcional al voltaje e inversamente proporcional a la resistencia.
La importancia de los instrumentos elctricos de medicin es incalculable, ya que mediante el uso de ellos se miden e
indican magnitudes elctricas, como corriente, carga, potencial y energa, o las caractersticas elctricas de los circuitos,
como la resistencia, la capacidad, la capacitancia y la inductancia. Adems que permiten localizar las causas de una
operacin defectuosa en aparatos elctricos en los cuales, como es bien sabidos, no es posible apreciar su
funcionamiento en una forma visual, como en el caso de un aparato mecnico.
La informacin que suministran los instrumentos de medicin elctrica se da normalmente en una unidad elctrica
estndar: ohmios, voltios, amperios, culombios, henrios, faradios, vatios o julios.
Unidades elctricas, unidades empleadas para medir cuantitativamente toda clase de fenmenos electrostticos y
electromagnticos, as como las caractersticas electromagnticas de los componentes de un circuito elctrico. Las
unidades elctricas empleadas en tcnica y ciencia se definen en el Sistema Internacional de unidades. Sin embargo, se
siguen utilizando algunas unidades ms antiguas.
Unidades SI
La unidad de intensidad de corriente en el Sistema Internacional de unidades es el amperio. La unidad de carga elctrica
es el culombio, que es la cantidad de electricidad que pasa en un segundo por cualquier punto de un circuito por el que
fluye una corriente de 1 amperio. El voltio es la unidad SI de diferencia de potencial y se define como la diferencia de
potencial que existe entre dos puntos cuando es necesario realizar un trabajo de 1 julio para mover una carga de 1
culombio de un punto a otro. La unidad de potencia elctrica es el vatio, y representa la generacin o consumo de 1 julio
de energa elctrica por segundo. Un kilovatio es igual a 1.000 vatios.
Las unidades tambin tienen las siguientes definiciones prcticas, empleadas para calibrar instrumentos: el amperio es la
cantidad de electricidad que deposita 0,001118 gramos de plata por segundo en uno de los electrodos si se hace pasar a
travs de una solucin de nitrato de plata; el voltio es la fuerza electromotriz necesaria para producir una corriente de 1
amperio a travs de una resistencia de 1 ohmio, que a su vez se define como la resistencia elctrica de una columna de
mercurio de 106,3 cm de altura y 1 mm2 de seccin transversal a una temperatura de 0 C. El voltio tambin se define a
partir de una pila voltaica patrn, la denominada pila de Weston, con polos de amalgama de cadmio y sulfato de mercurio
(I) y un electrolito de sulfato de cadmio. El voltio se define como 0,98203 veces el potencial de esta pila patrn a 20 C.
En todas las unidades elctricas prcticas se emplean los prefijos convencionales del sistema mtrico para indicar
fracciones y mltiplos de las unidades bsicas. Por ejemplo, un microamperio es una millonsima de amperio, un milivoltio
es una milsima de voltio y 1 megohmio es un milln de ohmios.
Resistencia, capacidad e inductancia
Todos los componentes de un circuito elctrico exhiben en mayor o menor medida una cierta resistencia, capacidad e
inductancia. La unidad de resistencia comnmente usada es el ohmio, que es la resistencia de un conductor en el que una
diferencia de potencial de 1 voltio produce una corriente de 1 amperio. La capacidad de un condensador se mide en
faradios: un condensador de 1 faradio tiene una diferencia de potencial entre sus placas de 1 voltio cuando stas
presentan una carga de 1 culombio. La unidad de inductancia es el henrio. Una bobina tiene una auto inductancia de 1
henrio cuando un cambio de 1 amperio/segundo en la corriente elctrica que fluye a travs de ella provoca una fuerza
electromotriz opuesta de 1 voltio. Un transformador, o dos circuitos cualesquiera magnticamente acoplados, tienen una
inductancia mutua de 1 henrio cuando un cambio de 1 amperio por segundo en la corriente del circuito primario induce una
tensin de 1 voltio en el circuito secundario.
Dado que todas las formas de la materia presentan una o ms caractersticas elctricas es posible tomar mediciones
elctricas de un nmero ilimitado de fuentes.
Mecanismos bsicos de los medidores
Por su propia naturaleza, los valores elctricos no pueden medirse por observacin directa. Por ello se utiliza alguna
propiedad de la electricidad para producir una fuerza fsica susceptible de ser detectada y medida. Por ejemplo, en el
galvanmetro, el instrumento de medida inventado hace ms tiempo, la fuerza que se produce entre un campo magntico
y una bobina inclinada por la que pasa una corriente produce una desviacin de la bobina. Dado que la desviacin es
proporcional a la intensidad de la corriente se utiliza una escala calibrada para medir la corriente elctrica. La accin
electromagntica entre corrientes, la fuerza entre cargas elctricas y el calentamiento causado por una resistencia
conductora son algunos de los mtodos utilizados para obtener mediciones elctricas analgicas.
Calibracin de los medidores
Para garantizar la uniformidad y la precisin de las medidas los medidores elctricos se calibran conforme a los patrones
de medida aceptados para una determinada unidad elctrica, como el ohmio, el amperio, el voltio o el vatio.

Patrones principales y medidas absolutas

Los patrones principales del ohmio y el amperio de basan en definiciones de estas unidades aceptadas en el mbito
internacional y basadas en la masa, el tamao del conductor y el tiempo. Las tcnicas de medicin que utilizan estas
unidades bsicas son precisas y reproducibles. Por ejemplo, las medidas absolutas de amperios implican la utilizacin de
una especie de balanza que mide la fuerza que se produce entre un conjunto de bobinas fijas y una bobina mvil. Estas
mediciones absolutas de intensidad de corriente y diferencia de potencial tienen su aplicacin principal en el laboratorio,
mientras que en la mayora de los casos se utilizan medidas relativas. Todos los medidores que se describen en los
prrafos siguientes permiten hacer lecturas relativas.
Medidores de corriente
Galvanmetros
Los galvanmetros son los instrumentos principales en la deteccin y medicin de la corriente. Se basan en las
interacciones entre una corriente elctrica y un imn. El mecanismo del galvanmetro est diseado de forma que un imn
permanente o un electroimn produce un campo magntico, lo que genera una fuerza cuando hay un flujo de corriente en
una bobina cercana al imn. El elemento mvil puede ser el imn o la bobina. La fuerza inclina el elemento mvil en un
grado proporcional a la intensidad de la corriente. Este elemento mvil puede contar con un puntero o algn otro
dispositivo que permita leer en un dial el grado de inclinacin.
El galvanmetro de inclinacin de D'Arsonval utiliza un pequeo espejo unido a una bobina mvil y que refleja un haz de
luz hacia un dial situado a una distancia aproximada de un metro. Este sistema tiene menos inercia y friccin que el
puntero, lo que permite mayor precisin. Este instrumento debe su nombre al bilogo y fsico francs Jacques D'Arsonval,
que tambin hizo algunos experimentos con el equivalente mecnico del calor y con la corriente oscilante de alta
frecuencia y alto amperaje (corriente D'Arsonval) utilizada en el tratamiento de algunas enfermedades, como la artritis.
Este tratamiento, llamado diatermia, consiste en calentar una parte del cuerpo haciendo pasar una corriente de alta
frecuencia entre dos electrodos colocados sobre la piel. Cuando se aade al galvanmetro una escala graduada y una
calibracin adecuada, se obtiene un ampermetro, instrumento que lee la corriente elctrica en amperios. D'Arsonval es el
responsable de la invencin del ampermetro de corriente continua.
Slo puede pasar una cantidad pequea de corriente por el fino hilo de la bobina de un galvanmetro. Si hay que medir
corrientes mayores, se acopla una derivacin de baja resistencia a los terminales del medidor. La mayora de la corriente
pasa por la resistencia de la derivacin, pero la pequea cantidad que fluye por el medidor sigue siendo proporcional a la
corriente total. Al utilizar esta proporcionalidad el galvanmetro se emplea para medir corrientes de varios cientos de
amperios.
Los galvanmetros tienen denominaciones distintas segn la magnitud de la corriente que pueden medir.
Micro ampermetros
Un micro ampermetro est calibrado en millonsimas de amperio y un miliampermetro en milsimas de amperio.
Los galvanmetros convencionales no pueden utilizarse para medir corrientes alternas, porque las oscilaciones de la
corriente produciran una inclinacin en las dos direcciones.
Electro dinammetros
Sin embargo, una variante del galvanmetro, llamado electro dinammetro, puede utilizarse para medir corrientes alternas
mediante una inclinacin electromagntica. Este medidor contiene una bobina fija situada en serie con una bobina mvil,
que se utiliza en lugar del imn permanente del galvanmetro. Dado que la corriente de la bobina fija y la mvil se invierte
en el mismo momento, la inclinacin de la bobina mvil tiene lugar siempre en el mismo sentido, producindose una
medicin constante de la corriente. Los medidores de este tipo sirven tambin para medir corrientes continuas.
Medidores de aleta de hierro
Otro tipo de medidor electromagntico es el medidor de aleta de hierro o de hierro dulce. Este dispositivo utiliza dos aletas
de hierro dulce, una fija y otra mvil, colocadas entre los polos de una bobina cilndrica y larga por la que pasa la corriente
que se quiere medir. La corriente induce una fuerza magntica en las dos aletas, provocando la misma inclinacin, con
independencia de la direccin de la corriente. La cantidad de corriente se determina midiendo el grado de inclinacin de la
aleta mvil.
Medidores de termopar
Para medir corrientes alternas de alta frecuencia se utilizan medidores que dependen del efecto calorfico de la corriente.
En los medidores de termopar se hace pasar la corriente por un hilo fino que calienta la unin de termopar. La electricidad
generada por el termopar se mide con un galvanmetro convencional. En los medidores de hilo incandescente la corriente
pasa por un hilo fino que se calienta y se estira. El hilo est unido mecnicamente a un puntero mvil que se desplaza por
una escala calibrada con valores de corriente.
Medicin del voltaje
El instrumento ms utilizado para medir la diferencia de potencial (el voltaje) es un galvanmetro que cuenta con una gran
resistencia unida a la bobina. Cuando se conecta un medidor de este tipo a una batera o a dos puntos de un circuito
elctrico con diferentes potenciales pasa una cantidad reducida de corriente (limitada por la resistencia en serie) a travs
del medidor. La corriente es proporcional al voltaje, que puede medirse si el galvanmetro se calibra para ello. Cuando se
usa el tipo adecuado de resistencias en serie un galvanmetro sirve para medir niveles muy distintos de voltajes. El
instrumento ms preciso para medir el voltaje, la resistencia o la corriente continua es el potencimetro, que indica una
fuerza electromotriz no valorada al compararla con un valor conocido.
Para medir voltajes de corriente alterna se utilizan medidores de alterna con alta resistencia interior, o medidores similares
con una fuerte resistencia en serie.
Los dems mtodos de medicin del voltaje utilizan tubos de vaco y circuitos electrnicos y resultan muy tiles para hacer
mediciones a altas frecuencias. Un dispositivo de este tipo es el voltmetro de tubo de vaco. En la forma ms simple de
este tipo de voltmetro se rectifica una corriente alterna en un tubo de diodo y se mide la corriente rectificada con un

galvanmetro convencional. Otros voltmetros de este tipo utilizan las caractersticas amplificadoras de los tubos de vaco
para medir voltajes muy bajos. El osciloscopio de rayos catdicos se usa tambin para hacer mediciones de voltaje, ya
que la inclinacin del haz de electrones es proporcional al voltaje aplicado a las placas o electrodos del tubo.
Otros tipos de mediciones
Puente de Wheatstone
Las mediciones ms precisas de la resistencia se obtienen con un circuito llamado puente de Wheatstone, en honor del
fsico britnico Charles Wheatstone. Este circuito consiste en tres resistencias conocidas y una resistencia desconocida,
conectadas entre s en forma de diamante. Se aplica una corriente continua a travs de dos puntos opuestos del diamante
y se conecta un galvanmetro a los otros dos puntos. Cuando todas las resistencias se nivelan, las corrientes que fluyen
por los dos brazos del circuito se igualan, lo que elimina el flujo de corriente por el galvanmetro. Variando el valor de una
de las resistencias conocidas, el puente puede ajustarse a cualquier valor de la resistencia desconocida, que se calcula a
partir los valores de las otras resistencias. Se utilizan puentes de este tipo para medir la inductancia y la capacitancia de
los componentes de circuitos. Para ello se sustituyen las resistencias por inductancias y capacitancias conocidas. Los
puentes de este tipo suelen denominarse puentes de corriente alterna, porque se utilizan fuentes de corriente alterna en
lugar de corriente continua. A menudo los puentes se nivelan con un timbre en lugar de un galvanmetro, que cuando el
puente no est nivelado, emite un sonido que corresponde a la frecuencia de la fuente de corriente alterna; cuando se ha
nivelado no se escucha ningn tono.
Vatmetros
La potencia consumida por cualquiera de las partes de un circuito se mide con un vatmetro, un instrumento parecido al
electro dinammetro. El vatmetro tiene su bobina fija dispuesta de forma que toda la corriente del circuito la atraviese,
mientras que la bobina mvil se conecta en serie con una resistencia grande y slo deja pasar una parte proporcional del
voltaje de la fuente. La inclinacin resultante de la bobina mvil depende tanto de la corriente como del voltaje y puede
calibrarse directamente en vatios, ya que la potencia es el producto del voltaje y la corriente.
Contadores de servicio
El medidor de vatios por hora, tambin llamado contador de servicio, es un dispositivo que mide la energa total consumida
en un circuito elctrico domstico. Es parecido al vatmetro, pero se diferencia de ste en que la bobina mvil se
reemplaza por un rotor. El rotor, controlado por un regulador magntico, gira a una velocidad proporcional a la cantidad de
potencia consumida. El eje del rotor est conectado con engranajes a un conjunto de indicadores que registran el
consumo total.
Sensibilidad de los instrumentos
La sensibilidad de un instrumento se determina por la intensidad de corriente necesaria para producir una desviacin
completa de la aguja indicadora a travs de la escala. El grado de sensibilidad se expresa de dos maneras, segn se trate
de un ampermetro o de un voltmetro.
En el primer caso, la sensibilidad del instrumento se indica por el nmero de amperios, miliamperios o microamperios que
deben fluir por la bobina para producir una desviacin completa. As, un instrumento que tiene una sensibilidad de 1
miliamperio, requiere un miliamperio para producir dicha desviacin, etctera.
En el caso de un voltmetro, la sensibilidad se expresa de acuerdo con el nmero de ohmios por voltio, es decir, la
resistencia del instrumento. Para que un voltmetro sea preciso, debe tomar una corriente insignificante del circuito y esto
se obtiene mediante alta resistencia.
El nmero de ohmios por voltio de un voltmetro se obtiene dividiendo la resistencia total del instrumento entre el voltaje
mximo que puede medirse. Por ejemplo, un instrumento con una resistencia interna de 300000 ohmios y una escala para
un mximo de 300 voltios, tendr una sensibilidad de 1000 ohmios por voltio. Para trabajo general, los voltmetros deben
tener cuando menos 1000 ohmios por voltio.
RESISTENCIAS
Las resistencias o resistores son dispositivos que se usan en los circuitos elctricos para limitar el paso de la corriente, las
resistencias de uso en electrnica son llamadas resistencias de carbn y usan un cdigo de colores como se ve a
continuacin para identificar el valor en ohmios de la resistencia en cuestin.
CDIGO DE COLORES
NEGRO 0
CAF
ROJO
NARANJA
AMARILLO
VERDE
AZUL
VIOLETA 7
GRIS
BLANCO 9
1a Banda
1er Dgito

2a Banda
2o Dgito

3a Banda
Multiplicador

4a Banda
Tolerancia

1
2
3
4
5
6
8

TOLERANCIA
DORADO 5%
PLATA
SIN COLOR

10%
20%

El sistema para usar este cdigo de colores es el siguiente: La primera banda de la resistencia indica el primer dgito
significativo, la segunda banda indica el segundo dgito significativo, la tercera banda indica el nmero de ceros que se
deben aadir a los dos dgitos anteriores para saber el valor de la resistencia, en la cuarta banda se indica el rango de
tolerancia entre el cual puede oscilar el valor real de la resistencia.
Ejemplo:

Primer dgito: Amarillo = 4

Segundo dgito: Violeta = 7
Multiplicador: Rojo = 2 ceros
Tolerancia: Dorado = 5 %
Valor de la resistencia: 4700 con un 5 % de tolerancia.
Magnitudes bsicas elctricas
Magnitud

Unidad

Abrev.

Smbolo

Clculo bsico

Corriente elctrica
Intensidad
Tensin elctrica
Voltaje
Magnitudes resistivas
Resistencia elctrica

Amperio

I = V/R

Voltio

V-U

V = R. I

Ohmio

Conductancia

Siemens
Mho
Ohmio
2
Ohmio/metro/mm

R
Ley de Ohm
G = 1/R

= Ohmio/m/mm

Impedancia
Resistividad
Magnitudes capacitivas
Capacidad
Reactancia
capacitiva
Coeficiente de perdidas
de condensadores
Factor de calidad
de condensadores
Constante dielctrica
Magnitudes inductivas
Inductancia

V/I

Z
2

( a 20 )

Ro

Faradio
Ohmio

C
Xc

C = Carga/Voltaje
Xc= 1/Pulsacin. Capacidad

En N decimal

En N decimal

d
=
Xc/Rp
Rp=Resistencia de perdidas
Q = 1/d

Faradio/metro
Henrio

Reactancia
Ohmio
inductiva
Coeficiente de perdidas
En N decimal
de bobinas
Factor de calidad
En N decimal
de las bobinas
Permeabilidad
Henrio/metro
Magnitudes de seales alternas
Frecuencia
Hercio

Longitud de onda

Metro

Pulsacin

1/segundos

Periodo
Velocidad angular
Magnitudes electromagnticas
Carga elctrica
Intensidad de campo
elctrico
Intensidad de campo
magntico

segundos
radian/Segundo

F/m
L

H
Hr

Xl

L = Flujo/Intensidad
Xl = Pulsacin/L

d = R/Xl

Q = Xl/R
H/m

Landa
Omega
min.
T

Hz

F
=
(
T
=
periodo
Frecuencia = Ciclo
= Velocidad. Frecuencia
= 2. . Frecuencia

T
rad/s

T = 1/F
Vang. = rad/s
18

Culombio
Voltaje/Longitud

Q
E

Q
E

1Q = 6,23.10 electrones
E = Voltaje/Longitud

Gauss
Amperio/Metro

H = f.m.m./Longitud

1/T
)

Fuerza
magnetomotriz
Flujo magntico
Induccin magntica

Gilbert
Amperio-Vuelta
Weber
Maxwell
Tesla
Gauss

Magnitudes de trabajo elctrico

Potencia elctrica
Vatio
2
Densidad de
Amperio/mm
corriente
Trabajo elctrico
Vatio/Segundo
( Joule )
Rendimiento
elctrico
Magnitudes fotomtricas
Flujo luminoso
Intensidad Luminosa
Eficacia luminosa
Iluminacin
Luminancia
Magnitudes trmicas
Temperatura

Cantidad de calor
Capacidad calorfica
Resistencia trmica

N
% Porcentaje

decimal

Lumen
Candela
Lumen/Vatio
Lux
2
Candela/m
Grados
Grados
Grados Kelvin
Joule
Kilocalora
Joule/K
Kilocalora/K
K/W

Magnitudes generales en la fsica

Tiempo
Segundo
Longitud
Metro
Fuerza
Newton
Masa
Gramo
Energa
Joule
Presin
Pascal
Sonoridad y escalas
Bel - Decibel
logartmicas de potencias
Otras magnitudes
Suceptancia
Siemens
admitancia
Siemens
Velocidad
Metro/segundo
Velocidad de transmisin
Baudio
de informacin

f.m.m

Theta

Wb
M
T
G

Phi
B

B = Flujo magntico/m

P
J

W
J

P = V. I
2
J = I/mm

Ws

W = Potencia. Tiempo

Wb = V . Segundo

Eta

Lm
cd
cd
Lx
2
cd/m
Celsius
Fahrenheit

f.m.m = I . N de espiras

J
Kcal
J/K
Kcal/K
R
th

= Pot. til/Pot. consumida

cd
cd = Lm/Vatio
2
Lx = Lm/m
2
L = cd/m

E
L

K
Q

C
F
1 Kcal = 1000 cal = 4180 J

K
R

th

th = T / Pot. disipada
T = Incremento de temp.

t
L
F
m
E
P
dB

s
m
N
g
J
Pa
dB

dB = Bel/10

B
Y
V
bps

S
S
m/s
bps

V = m/s
Bps = Bits x Segundo

Mltiplos
y
submltiplos
fsica en la electrnica

de

las

unidades

en

las

magnitudes

Mltiplo
era
peta
tera
giga
mega
kilo
hecto
deca

Smbolo
E
P
T
G
M
k
h
da

Valor
18
10
15
10
12
10
9
10
6
10
3
10
2
10
10

Valor
1 000 000 000 000 000 000
1 000 000 000 000 000
1 000 000 000 000
1 000 000 000
1 000 000
1 000
1 00
10

Submltiplo
deci
centi
mili
micro
nano
pico
femto
atto

Smbolo
d
c
m

Valor
-1
10
-2
10
-3
10
-6
10
-9
10
-12
10
-15
10
-18
10

Valor
0.1
0.01
0.001
0.000 001
0.000 000 001
0.000 000 000 001
0.000 000 000 000 001
0.000 000 000 000 000 001

n
p
f
a

de

la

Ejemplos:
100mF
100

100
mili

2,5KV
=
2.5
x
2,5 kilo voltios = 2.500 voltios

-3

10
=
faradios
3

10

100
2.5

x
=
x

0.001
1000

=
0,1
=

0,1

2.500

faradios
faradio
voltios

Hemos visto que con un voltmetro podemos medir la diferencia de potencial, con un ampermetro la intensidad de
corriente y con un ohmimetro la resistencia. Segn la magnitud que tengamos que medir vamos a encontrar un aparato
de medida (o varios) capaz de hacerlo.
Sin duda alguna el gran avance tecnolgico que ha tenido lugar en la vida del hombre, se ha debido a la capacidad de
ste para comprender los fenmenos que le rodean. No
obstante, resulta insuficiente
poder comprender
cualitativamente la naturaleza de un fenmeno; se hace
necesario, adems de poder decir por qu se produce, el
ser capaz de cuantificarlo. Este es el origen del nacimiento
de una rama de la ciencia tan imprescindible como es la
instrumentacin y medida.
Hace ya unos siglos, filsofos y cientficos, los cuales eran
considerados prcticamente como un solo estamento,
impusieron como mtodo principal para el trabajo cientfico
el mtodo experimental. Dicho mtodo sostena que
cualquier afirmacin terico-cientfica deba estar apoyada
por su correspondiente prueba experimental. De no ser
as, la teora en cuestin quedaba relegada a un segundo plano, hasta que pudiera ser demostrada experimentalmente.
Todava hoy existen innumerables teoras fsicas que no han podido ser demostradas al ciento por ciento
experimentalmente y, por tanto, su validez est condicionada a una posible demostracin prctica de su veracidad o, por
el contrario, de su invalidez.
Con la imposicin de este mtodo experimental surgi, paralelamente a los
avances cientficos, toda una "ciencia" basada en la toma de datos y medidas de
magnitudes. Despus, nacieron laboriosos mtodos para el clculo de los errores
cometidos en la toma de datos e, igualmente, apareci todo un mercado basado
en la previsin y exactitud de los aparatos de medida utilizados.
Quiz puede parecer exagerado dar tanta importancia a este apartado en el
mundo cientfico. Pensemos simplemente en que para disear cualquier
dispositivo hacen falta datos para poder definir sus caractersticas. Estos datos,
necesarios para el diseo del mismo, han sido tomados con los aparatos de
medida. Si los aparatos de medida utilizados no son lo suficientemente precisos,
los datos que poseemos para el diseo de nuestro dispositivo van a dar lugar a un
dispositivo que no va a responder a las caractersticas que nosotros suponamos
que debera tener. Continuando con la cadena, si el dispositivo anteriormente
diseado lo hubisemos necesitado para elaborar cualquier trabajo, y
posteriormente extraer conclusiones sobre los resultados obtenidos, podemos
suponer lo que podran diferir nuestras conclusiones con la realidad, debido a la imprecisin de los aparatos utilizados.
Un factor inevitablemente ligado a la toma de medidas es el error cometido en la medida. Cualquier cientfico es
consciente de la imprecisin de las medidas. No existe la medida perfecta. Sin embargo, esto no es un gran problema,
siempre que se pueda saber el error que se ha cometido y que ste sea lo suficientemente pequeo en comparacin con

la medida realizada. Un ejemplo muy ilustrativo, y de actualidad, sobre lo que estamos hablando lo podemos encontrar en
la reciente construccin del famoso tnel del "Canal de la Mancha". Como todos sabemos, hace dos aos concluyeron las
obras de un tnel construido por debajo del mar que una las Islas Britnicas con Francia. Esta construccin se llev a
cabo simultneamente desde Francia y desde Inglaterra. Ambos pases comenzaron a excavar el tnel. Desde Francia se
excavaba con direccin a Inglaterra y desde Inglaterra con direccin a Francia. Se tena previsto que ambos tneles se
juntaran en un determinado punto en mitad del mar que los separa. Ambas excavaciones eran dirigidas simultneamente
desde el espacio, va satlite. El satlite que los guiaba estaba constantemente realizando medidas sobre su posicin y
corrigiendo cualquier mnima desviacin que pudiera darse. Finalmente el encuentro entre ambos tuvo lugar y el tnel
pudo concluirse felizmente.
Como hemos dicho anteriormente, las medidas realizadas por el satlite sobre la posicin de cada una de las partes, como
cualquier otra medida, tena un error. Sin embargo, el error presente en estas medidas no llegaba a la fraccin de
milmetro. Podemos comprender fcilmente que en un tnel de varios cientos de kilmetros, un error de un milmetro,
arriba o abajo, es totalmente despreciable frente a la magnitud de la medida considerada.
Tipos y fundamentos de los equipos de medida
Se entiende por equipo de medida a todo dispositivo capaz de cuantificar cualquier magnitud fsica. Existe una grandsima
variedad de ellos, debido a la gran cantidad de magnitudes susceptibles de ser medidas. Tambin hay una gran variedad
debido a la mayor o menor sofisticacin de cada aparato de cara a obtener unos resultados ms precisos. As, por
ejemplo, uno de los equipos de medida ms simples que existen pueden ser las reglas, diseadas para medir longitudes
ms bien pequeas. Otros no tan simples, pero igualmente utilizados, pueden ser el reloj para medir tiempos, una balanza
para medir pesos... y as podramos seguir con una interminable lista de ellos. No obstante, nuestro objeto es el estudio de
los instrumentos de medidas elctricas y es por ello por lo que nos vamos a centrar en este tipo de aparatos.
En una primera clasificacin de los equipos de medida los podramos dividir en dos grandes grupos. Los "analgicos" y los
"digitales". Los equipos de medida analgicos son todos aquellos que estn formados por un tipo de agujas, regletas
mviles, etc. Son los primeros que se construyeron, lo que no quita que en la actualidad se sigan construyendo aparatos
de este tipo altamente sofisticados. Su utilizacin est por tanto muy extendida y, aunque la construccin de equipos
digitales est creciendo considerablemente, es ms que probable que los equipos analgicos se sigan utilizando durante
muchos aos e incluso para algunas aplicaciones concretas difcilmente sean sustituidos por equipos digitales. Una de las
principales diferencias de este tipo de aparatos, al estar basada su medida en una aguja, es que la exactitud de la medida
no va a depender slo de la precisin del aparato en s sino que entra en juego
un factor humano que puede influir negativamente en la precisin de la medida.
El hecho de que haya que tomar la lectura de una aguja colocada sobre una
escala reglada hace que, en primer lugar, influya el ngulo desde donde se la
mire y, en segundo lugar, que la apreciacin personal sobre si la aguja est ms
cercana a esta raya o a la otra resulte decisiva para la medida realizada.
La gran mayora de los instrumentos de medida utilizados para medir magnitudes
elctricas se basa en el efecto que produce una corriente elctrica al circular a
travs de un conductor, se crea de forma instantnea un campo magntico
alrededor de dicho conductor y permanecer mientras dure el paso de corriente.
Este campo magntico sera ms o menos intenso, dependiendo del valor de la
corriente que circule. Si a este conductor lo enrollamos en forma de bobina y lo
colocamos rodeado de un imn, al circular la corriente elctrica existiran 2
campos magnticos diferentes. El debido a la corriente elctrica y el que produce
constantemente el imn. Entonces aparece una interaccin entre ambos campos
magnticos. Habr una repulsin o una atraccin, dependiendo del sentido que
lleve la corriente. Colocando apropiadamente la bobina en un eje al que se le
permita girar, tendremos un mecanismo capaz de producir movimiento en funcin de la corriente que circule. A esta bobina
se le une un resorte para que vuelva siempre a la posicin inicial cuando cesa la corriente. Por ltimo, se une una aguja
indicadora a la bobina mvil y se coloca una escala reglada de tal forma que el otro extremo de la aguja pueda apuntar a
cualquier valor indicado por la regleta. As podremos cuantificar una medida segn el lugar donde se coloque la aguja.
Los capacmetros
Hay muchas formas de medir la capacidad de un condensador. Segn sea la precisin que obtengamos el aparato ser
ms o menos complejo. Los capacmetros son aparatos de medida directa. Con ellos podemos medir directamente la
capacidad que tiene un condensador. Se suelen utilizar en la industria para medir gran cantidad de condensadores. Si
consideramos constante la frecuencia y la tensin, el valor de la corriente que circula va a ser proporcional a la capacidad.
Por lo tanto, podemos utilizar aparatos como los ampermetros o los ohmimetros que, suficientemente preparados y con
algunas mejoras, nos van a servir para medir capacidades. Dichas mejoras consisten en aadir un equipo rectificador si el
aparato de medida es magnetoelctrico, graduar la escala con unidades de capacidad y utilizar una fuente de alimentacin
de corriente alterna de tensin y frecuencia constantes. Vemos en la correspondiente ilustracin dos circuitos que
representan las diferentes alternancias de la corriente. Durante la alternancia positiva va a circular corriente por el
condensador que queremos medir y por el aparato de medida. Sin embargo, durante la alternancia negativa, el diodo D2
se opone al paso de la corriente por el aparato de medida. Midiendo esta corriente vamos a conseguir determinar la
capacidad del condensador problema.
Otra de las muchas formas que tenemos de medir la capacidad de un condensador es utilizando el mtodo denominado
voltiamperimtrico. Se usa cuando no se requiere mucha exactitud. El esquema utilizado consiste, en colocar el
condensador problema, Cx, en un circuito. A dicho condensador se le aplica una tensin y se intercala un ampermetro.
Las medidas que vamos a obtener de la capacidad van a depender de la tensin, de la frecuencia y de la corriente.

Medicin de inductancias
Al igual que con las capacidades existen numerosos mtodos para medir la inductancia de una bobina. Vamos a analizar
uno de ellos denominado por "comparacin de tensiones". Se utiliza para medir bobinas sin ncleo de hierro y es bastante
exacto. Para efectuar la medida es necesario un patrn que puede ser una bobina o una resistencia calibrada. Tenemos
que hacer circular la misma corriente por la bobina a medir y por la bobina patrn. Hemos de conseguir que la tensin y
frecuencias de la fuente de alimentacin sean constantes y, para ello, se intercala en el circuito un frecuencimetro y un
ampermetro que lo verifiquen. La cada de tensin que se produce en cada una de las bobinas es medida por el
voltmetro. Usamos un conmutador para poder utilizar el mismo voltmetro. Con todos estos datos podemos obtener el
valor de la inductancia en funcin de los datos que conocemos de la propia inductancia problema y de la bobina patrn.
Los vatmetros
Los vatmetros son aparatos de medida usados para la medicin directa
de la potencia elctrica. Normalmente se utilizan para medir la potencia
de corriente alterna, aunque tambin se puede emplear para medir la
potencia de corriente continua. Al igual que en los aparatos de medida
estudiados anteriormente, los vatmetros se pueden clasificar en varios
tipos segn el sistema de medida que utilicen. El primero que vamos a
analizar es el "vatmetro electrodinmico". Este aparato est constituido
por dos bobinas, una fija y otra mvil. La bobina fija est formada por
pocas espiras que tienen hilo grueso, mientras que la mvil est formada
por muchas espiras de hilo fino. La fija constituye el sistema de medida
amperimtrico y est conectada en serie con el circuito del cual vamos a
medir la potencia, y la mvil constituye el sistema de medida voltimtrico
y est conectada en paralelo con el circuito a medir. As pues, a travs de la bobina fija va a circular la misma corriente
que por el circuito a medir y a travs de la mvil la misma tensin. El par motor del sistema de medida electrodinmico va
a ser proporcional a las dos intensidades de corriente que atraviesan cada una de las bobinas. La potencia por su parte va
a ser P=IsxU. En el caso de corriente continua la potencia va a ser proporcional al ngulo de desviacin de la aguja. En el
caso de corriente alterna la cosa se complica. Para conseguir una medida correcta de la potencia el desfase que se
produce entre los flujos magnticos de ambas bobinas es igual al desfase que se produce entre la corriente y la tensin
del circuito a medir. Si intercalamos resistencias adicionales en serie se disminuye bastante la capacidad inductiva de la
bobina mvil pudiendo ser ignorado el error debido al desfase. Podemos modificar dos factores para que el campo de
medida vare. Uno de ellos es la seccin y nmero de espiras de la bobina fija y el otro la resistencia hmica de la bobina
mvil. Una de las formas de actuar sobre la bobina fija es dividir la bobina en varias partes, y despus conectar dichas
espiras bien en serie o bien en paralelo. Segn el nmero de partes en las que dividamos la bobina original el alcance de
la medida de la corriente puede variar aumentar en 2, 3 , 4, etc. Para actuar sobre la bobina mvil se suele aadir una
resistencia adicional, de tal forma que la resistencia total del circuito va a aumentar y con ella la tensin. Es muy
importante la forma en que coloquemos dicha resistencia ya que entre ambas bobinas no puede haber una gran
diferencia de potencial. La forma adecuada consiste en que siempre tiene que haber un borne de la bobina mvil
conectado directamente a la bobina fija y el otro lo podemos conectar a la resistencia adicional.
Podemos emplear varios sistemas a la vez para aumentar el alcance de medida, obtenindose lo que se conoce como
vatmetros conmutables. Aparte de las dos medidas vamos a tener un conmutador y, dependiendo de la posicin en la que
se encuentre, vamos a obtener un alcance de medida u otro.
Medida de la frecuencia
La frecuencia es una magnitud cuya medida depende mucho del tiempo de lectura, por lo que es conveniente que
transcurra el mnimo tiempo posible al realizar la medicin. Se usan aparatos de medida directa y se dividen en dos
grandes grupos: los frecuencmetros de lengetas y los de aguja indicadora.
Los frecuencmetros de lengeta estn basado en el fenmeno de la "resonancia". Estn compuestos por una lmina
elstica que est sujeta por un extremo y libre por el otro, dependiendo su frecuencia de vibracin de su longitud. Hay un
electroimn que est situado debajo de la lengeta que va a ser excitado con una corriente alterna que apenas produce
movimiento, a no ser que la frecuencia de la corriente alterna y la frecuencia de vibracin propia de la lengeta estn en
resonancia. En este ltimo caso, con una pequea fuerza electrodinmica se va a producir una gran vibracin de la
lengeta. En un frecuencimetro de este tipo vamos a tener varias lminas de acero con diferentes frecuencias propias de
vibracin. El conjunto es excitado por la corriente alterna cuya frecuencia queremos medir. Segn la forma en la que
vibren las lengetas vamos a conseguir obtener la frecuencia que desebamos medir.
El otro tipo de frecuencmetros se denominan de aguja indicadora ya que, como la mayora de los aparatos de medida,
tienen un aguja para indicar la medida. Estos, a su vez, se pueden dividir en varios tipos entre los que se encuentran los
electrodinmicos y los de induccin.
El frecuencmetro electrodinmico est formado por dos bobinas fijas que tiene ejes perpendiculares entre s, y una bobina
mvil. Entre la bobina mvil y una de las fijas se encuentra, colocado en serie, un condensador, y la otra bobina fija est
conectada en serie con una inductancia.
Los frecuencmetros de induccin tienen un disco sobre el que actan dos electroimanes. Estos electroimanes inducen
corrientes sobre el disco cuyos campos tratan de mover el disco en sentido contrario. Por un lado, la bobina de uno de los
electroimanes est conectada a la red a travs de una resistencia y la del otro electroimn se conecta a la red a travs de
un circuito resonante. A cada corriente le va a corresponder una sola frecuencia.
Vamos a hacer un pequeo recorrido por los distintos tipos de polmetros, detenindonos en esta seccin en los
medidores de resistencia, tensin y corriente, viendo sus esquemas internos un poco detalladamente para poder llegar a
comprender cmo se realizan las medidas de estas magnitudes.

Medidores analgicos
El elemento ms importante en un polmetro es el instrumento
medidor que, normalmente, es un miliampermetro o micro
ampermetro de bobina mvil. Esta bobina, dotada de una aguja,
experimenta desplazamientos proporcionales al valor de la corriente
que la atraviesa.
Hay dos valores caractersticos que son fundamentales para poder
realizar el diseo de un polmetro: resistencia interna e intensidad
de fondo de escala.
Voltmetro
Para realizar un voltmetro solamente tenemos que saber tres cosas, dos de las cuales son las caractersticas antes
mencionadas y la tercera, por supuesto, es el valor de los fondos de escala, es decir, el valor que define cada escala que
no es otro que el valor mximo que puede medir el voltmetro en esa escala.
En la ilustracin correspondiente puede verse cuales son los valores ms comunes de un polmetro analgico (0.5V, 1.5V,
5V, 15V, 50V, 150V Y 500V), aunque cualquiera puede realizar sus propias escalas. Si nos fijamos "las resistencias estn
en serie" por lo que para escalas mayores la resistencia total es la suma de su propia resistencia ms la de todas las
escalas inferiores, lo que quiere decir que debemos comenzar a realizar nuestros clculos comenzando por la escala
inferior y luego, a cada valor de resistencia de escala mayor, le iremos restando el de todas las de escala inferior para
obtener el que debemos colocar para esa escala. Veamos un simple ejemplo:
Si tenemos Ife=50uA (intensidad de fondo de escala) y la Ri=2K (resistencia interna), y queremos hacer la escala de 2V,
sabiendo cul es la corriente mxima que puede circular (50uA), la tensin que cae en el micro ampermetro es de 100mV
por lo que en la resistencia debern caer los otros 1,9V, por tanto:
R=V/I=0,4/50uA=38K.
Si ahora realizamos el clculo para otra escala superior 5V:
R=4,9/50uA=98K, el valor de resistencia que colocaramos sera
98K-38K=60K
De la escala inferior que est en serie.
Para corriente alterna tambin se realizar una escala que si observamos la
figura utiliza las mismas resistencias que para medidas de tensin en
continua, pero la seal se rectifica en media onda por medio de un diodo. Si
ahora nos detenemos unos momentos nos daremos cuenta que aunque se
utilicen las mismas resistencias, las escalas no pueden ser las mismas. Para
ver cules son las escalas, o para calcular unas en alterna que se
correspondan con las de continua, debemos recordar los rectificadores de media onda cuya seal de salida era rectificada
y por lo tanto tena un valor de continua; pues bien, este valor es el que utilizaremos para el diseo. Resumiendo tenemos
una seal alterna de entrada que se rectifica en media onda con lo que obtenemos un valor de continua que es el que
utilizaremos como seal de entrada, siendo el clculo idntico al anterior. El problema se puede invertir teniendo
calculadas las resistencias; vanse las escalas. Pues bien, para alterna las escalas quedarn: 0.5, 3.33, 11.1, 33.3, 111.1,
333.2, 1110.7V eficaces.
Ampermetro
Para el caso del ampermetro las resistencias las colocamos en paralelo, pues de esta
forma podemos variar la corriente que circula por cada rama. As, tenemos la corriente
mxima que circula por el microampermetro y la resistencia interna provocar una
tensin constante, por lo que para hacer un fondo de escala al colocar la resistencia en
paralelo y ser la tensin constante y la corriente que circule por la resistencia al calcular
la del fondo de escala menos Ife su clculo se reduce a aplicar la Ley de Ohm R=V/I.
Ahora el valor calculado es el que se pone en la escala que le corresponde, ya que slo
conectaremos una resistencia al hacer la medida.
Para corriente alterna el principio es el mismo que para el voltmetro, pero aplicado a resistencias en paralelo.
Ohmimetro
Lo primero que notamos al observar el circuito es que tiene una pila que lo alimenta, esto es lgico porque una resistencia
es un elemento pasivo y para medir su valor hay que hacer circular una corriente a travs de ella.(Por eso siempre que
midamos un valor de resistencia no debemos tener conectado el circuito donde est insertada sta, ya que entonces se
falseara la medida). En este caso se ha hecho escala nica, puesto que sta ir desde 0 Ohmios hasta infinito. El clculo
se hace para 0 Ohmios (cortocircuito), se calcula para el fondo de escala y a medida que medimos la resistencia la
corriente disminuye, es decir, la escala va al revs que en el caso del voltmetro y del ampermetro. El potencimetro se
pone para ajustar posibles desajustes de la aguja al fondo de escala.
Medidores digitales

En el caso digital, los polmetros son algo ms complicados de entender y al lector le puede resultar algo difcil pues no
tiene la base para ello, ya que sta se ver ms adelante pero, en cualquier caso, vamos a intentar que la explicacin sea
lo ms acorde con las circunstancias.
Voltmetro.
Una caracterstica general de los voltmetros digitales es la representacin numrica del valor medio, en lugar de la
indicacin de un medidor, como ocurre con los voltmetros analgicos.
Distingue a los voltmetros digitales su mayor exactitud respecto a los analgicos. En estos ltimos, raramente se logra
una exactitud mejor que el 0,25% y, para conseguirla, es preciso un gran cuidado en su construccin, debido sobre todo a
la tolerancia de las resistencias, e incluso en la lectura efectuada por el operador.
Por el contrario, puesto que en los voltmetros digitales la seal analgica se convierte a forma digital, la exactitud y
resolucin de la medida dependen del sistema de conversin empleado. La representacin numrica de la seal medida
puede ser leda fcilmente por el operador, o la conversin puede realizarse varias veces por segundo y el resultado digital
transmitirse a un equipo externo para su registro o proceso. La exactitud conseguida por un voltmetro digital puede ser del
orden de 0,003%, y depender en todo caso del nmero de bits utilizados.
Es indudable que la mayor exactitud y posibilidades de los voltmetros digitales y, por consiguiente, su mayor complejidad
y precio estn justificados por la necesidad, cada vez mayor tanto en el laboratorio como en la industria, de conseguir
medidas de tensiones y otros parmetros ms exactos, ms fiables y ms rpidamente.
El elemento que se encarga de realizar la conversin de un valor analgico a uno digital se conoce como conversor
analgico/digital. Sus diferentes tecnologas de fabricacin las abordaremos en sucesivos artculos, si bien analizaremos
algunas particularidades que nos sern tiles. Estos integrados tienen un margen de seal de entrada pequeo (0...5V);
tienen que tener una alimentacin muy estabilizada, y les afecta bastante el ruido, sobre todo en las medidas de pequeos
valores de tensin.
Por tanto, para construir una escala haremos simples divisores de tensin procurando, en todo momento, que no
superemos el margen de tensin de entrada.
Ampermetro.
Slo tenemos que realizar una conversin de corriente-tensin y medir el valor de esta magnitud, sobre una resistencia
conocida, para cambio de escalas, hay que utilizar comparadores.
Ohmimetro.
Para este montaje colocaremos un circuito cuya tensin de salida sea directamente proporcional a la resistencia que
deseemos medir.
Los circuitos integrados son circuitos "comprimidos" en un chip que realizan la misma funcin que un circuito compuesto
de transistores, diodos, resistencias, etc., cuyo nmero puede llegar a superar el milln de componentes.
Con la aparicin de los circuitos integrados (c.i.) a finales de la dcada de los aos cincuenta se ha producido un cambio
total en la forma de fabricar los circuitos electrnicos. El factor ms importante de este cambio es la gran reduccin que se
ha conseguido en el tamao de dichos circuitos. Esta reduccin ha trado consigo que todos los aparatos electrnicos
sean mucho ms pequeos y ms manejables para todo el mundo y de ah viene el gran "boom" de los ordenadores en
las ltimas dcadas, as como de las calculadoras, relojes, etc. Pero qu es exactamente un c.i.? Denominamos c.i. a un
circuito electrnico metido en una cpsula de dimensiones muy reducidas, y que est constituido por un conjunto de
diodos, transistores, resistencias y condensadores. Se fabrica todo sobre un substrato comn y en un mismo proceso
segn diferentes tcnicas que ms adelante veremos. Lo importante es que cada c.i. puede desempear una funcin
concreta sin interesarnos los componentes que contiene en su interior.
Ventajas e inconvenientes de los c.i.
Adems de su reducido tamao, los circuitos integrados tienen numerosas ventajas. Una de las consecuencias de la
implantacin de los c.i., a la que apenas se le ha dado importancia, es que ahora las personas que se dedican a disear,
fabricar, manipular aparatos electrnicos han tenido que cambiar por completo su mentalidad y su preparacin. Ya no es
tan necesario saber perfectamente de que est compuesto el circuito, ni hay que preocuparse de las mltiples conexiones
que antes tena cualquier aparato, sin embargo hay que saber manejar aparatos ms sofisticados, como osciloscopios,
computadores, etc. Dentro de un solo circuito integrado van "integrados", como su nombre indica, numerosos
componentes, resistencias, transistores, diodos, etc., que juntos desempean una funcin. Pues bien, de ese c.i. nos
interesa saber la funcin que realiza y cmo se acopla al aparato que estemos fabricando, y prcticamente no nos interesa
nada como est constituido interiormente, ni sus conexiones, ni los elementos que lo forman, ni la funcin que desempea
cada uno de ellos individualmente. Por lo tanto, los c.i. forman parte de circuitos electrnicos cuyo coste total es ms
barato al ser ms fcil su diseo.
Como hemos visto, un circuito integrado contiene muchos componentes electrnicos y, aunque la fabricacin de cada c.i.
resulte ms cara que la de un componente discreto, es tal la popularidad de los c.i. debido a sus grandes ventajas, que se
construyen un nmero elevadsimo de ellos cada vez, consiguiendo as que el precio de cada unidad sea bastante bajo.
Otra de las metas que continuamente tienen los diseadores de circuitos electrnicos es conseguir aumentar la velocidad
de respuesta de sus componentes. Esto, como cabe esperar, se consigue totalmente con los c.i., ya que, al estar todos los
elementos en un espacio tan reducido, las seales pasan rpidamente de unos a otros aumentndose as la velocidad
considerablemente.
Los aparatos realizados con c.i. son los ms fiables por varios motivos; primero, porque en los fabricados con
componentes discretos tenemos que juntar la fiabilidad de cada uno de los elementos que componen el circuito para

obtener la fiabilidad total que tiene; segundo, porque se utilizan tcnicas de fabricacin muy modernas, muy estudiadas y
se fabrican con muchsima minuciosidad en cada una de las fases por las que pasan. Al ser mucho ms reducido el
espacio de interconexin, las posibilidades de fallo son mucho menores y, por ltimo, debemos pensar en el encapsulado
de este tipo de c.i. que hace que estn mucho ms protegidos.
Al sustituir los circuitos integrados a un montn de "piezas" dentro de un circuito conseguimos varias cosas: primero se
produce una reduccin muy importante en los errores de montaje, ya que ste suele ser sencillo y con pocas conexiones,
al producirse una avera la localizamos mucho mejor y no es necesario tener un montn de repuestos de cada elemento.
Por ltimo, y aunque en principio pueda parecer un inconveniente, sabemos que cuando se produce una avera en un c.i.
es muy difcil de solucionar y suele ser necesario reemplazarlo por otro nuevo, esto supone una ventaja debido al tiempo,
materiales y conocimiento del funcionamiento interno que nos ahorramos y, como hemos visto antes, el coste de un c.i. no
es muy elevado.
A pesar de su enorme utilizacin, no todo son ventajas en estos diminutos elementos. Existen algunos inconvenientes,
aunque no tan importantes como para conseguir influir en la enorme popularidad de los circuitos integrados. Entre los
inconvenientes podemos decir que no todos los elementos discretos que conocemos pueden ser integrados en un c.i. As,
las bobinas o inductancias no se pueden integrar, y con las resistencias y los condensadores tenemos limitaciones en los
valores que pueden alcanzar, debido a que cuanto mayor sea el c.i. mucho mayor ser su coste. Por esta razn, una
resistencia suele estar limitada a tener como mucho 50 kW y un condensador 100 pF. Debido a esta limitacin, estos
elementos, condensadores y resistencias, se sacan muchas veces fuera de los c.i. y al montar el circuito los conectamos
exteriormente. Tambin se produce un inconveniente al no ser muy recomendable integrar juntos transistores PNP y NPN,
ya que hay muchos circuitos que estn compuestos de ambos tipos de transistores. La tensin que le podemos aplicar
tambin est limitada, siendo recomendable que el valor de sta no exceda los 20 voltios. Antes, hemos dicho que el
precio de un circuito integrado era bastante reducido y esto no es cierto del todo, ya que para que esto sea verdad
tenemos que cumplir una condicin y es que el circuito integrado que queramos sea fabricado en grandes cantidades,
pues si queremos uno especial que nos tengan que fabricar a medida resulta carsimo.
Por ltimo, dentro de los inconvenientes podemos tener problemas con la potencia disipada, ya que, al estar los elementos
tan juntos, las corrientes grandes pueden producir calor y, al aumentar mucho la temperatura, se puede llegar a estropear
el circuito.
Mejoras gracias a los c.i.
Una de las aplicaciones de los c.i. que ha crecido ms espectacularmente en los ltimos aos ha sido la de los
microprocesadores. Un microprocesador es un c.i. compuesto por una de las partes ms importantes de un computador: la
CPU, unidad central de proceso. Como todos los c.i. el microprocesador tiene un tamao muy reducido. Gracias al tamao
reducido, y a otros avances tecnolgicos, se ha conseguido pasar en pocos aos de las grandes computadoras, que
ocupaban habitaciones enteras y eran muy difciles de manejar por lo que necesitaban de profesionales muy cualificados
que dedicaran muchsimas horas para hacer pequeas operaciones, a los ordenadores personales, PC, muchsimo ms
pequeos, manejables, fciles de usar y econmicos, por lo que han pasado a formar parte de todas las facetas de la vida:
medicina, banca, industria, investigacin, etc.
La importancia de los c.i. es incalculable y cada da que pasa se van reduciendo ms sus dimensiones y aumentando su
velocidad de respuesta.
Clasificacin de los c.i.
Podemos hacer varios tipos de clasificaciones segn el criterio que usemos. Una de estas clasificaciones est basada en
el tipo de transistores que empleemos. As, podemos tener un c.i. bipolar, si se fabrica a base de transistores bipolares,
NPN y PNP, y circuitos integrados MOS, si lo que se usan son transistores de efecto campo ms conocidos como MOS.
Segn la manera de fabricar un c.i. podemos encontrar circuitos integrados monolticos, en los cuales se forman todos los
componentes a la vez en el substrato semiconductor. Circuitos integrados multilminas formados por capas gruesas, o
circuitos integrados de capas delgadas. Y, por ltimo, dentro de esta clasificacin podemos encontrar los circuitos hbridos
que combinan la fabricacin monoltica con la de multilmina o la de capas delgadas.
Segn el nmero de componentes que contengan podemos dividir los circuitos integrados en SSI (Small Scale Integrated),
formados por pocos componentes, MSI (Mediun Scale Integrated), varios cientos de componentes, LSI (Large Scale
Integrated), miles de componentes y los VLSI (Very Large Scale Integrated), que han superado el milln de componentes.
Por ltimo, si tenemos en cuenta el tipo de seales con las que van a trabajar los circuitos integrados, podemos encontrar
c.i. digitales que, como su nombre indica, trabajan con seales digitales y los c.i. analgicos, que trabajan con seales
analgicas. Despus veremos ms detalladamente cada uno de los tipos de circuitos integrados.
Fabricacin de un circuito integrado
En los circuitos integrados monolticos todos los componentes se encuentran en una sola pastilla de silicio. Para fabricar
un circuito integrado monoltico se parte de una lmina de silicio denominada "oblea" la cual a su vez est dividida en un
gran nmero de plaquetas cuadradas o chips, cada uno de los cuales va a constituir un c.i. Por lo tanto, con una oblea
estamos fabricando a la vez un montn de c.i.
Se suele partir de un semiconductor tipo P y por la tcnica de la epitaxia vamos a colocar encima una capa de silicio tipo
N.
Para este proceso se utiliza un horno epitaxial. Este tipo de crecimiento nos va a asegurar que la regin tipo N que
acabamos de aadir tiene estructura de un solo cristal, al igual que la regin tipo P de la que partamos.

Seguidamente, le vamos a colocar una capa de xido a la oblea, para ello la metemos en un horno de oxidacin
formndose una capa delgada de dixido de silicio (SiO2) que recubre a la oblea y cuyas funciones ms importantes van a
ser la de proteger al circuito contra la contaminacin.
La siguiente etapa se denomina fotoproteccin. Consiste en colocar una sustancia orgnica que sea sensible a la luz
ultravioleta, denominada fotoprotector, sobre la capa de xido. En esta capa se coloca una mscara que tiene unas
ventanas opacas en la zona donde vamos a realizar la siguiente difusin, por ejemplo, si queremos integrar un transistor
NPN tenemos que tener bien definidas tres regiones: el colector, la base y el emisor. Estas tres zonas determinarn cmo
ser la mscara y dnde tendr las ventanas opacas. Exponemos la oblea a rayos ultravioleta y el barniz fotosensible que
haba debajo de la ventana se va a eliminar y va a aparecer la capa de dixido de silicio.
Despus atacamos a la oblea con cido fluorhdrico y las zonas de SiO2 que han quedado al descubierto se van a destruir
quedando ahora al descubierto la capa de material tipo N.
El siguiente paso es realizar una difusin tipo P. Metemos la oblea en un horno de difusin y le introducimos gran cantidad
de impurezas tipo P. Vamos a convertir en tipo P la zona que quedaba al descubierto de la capa epitaxial tipo N.
Hemos conseguido aislar una zona tipo N, que ha quedado rodeada por semiconductor tipo P y por dixido de silicio. Si
estuvisemos haciendo un transistor esta zona aislada podra ser, por ejemplo, el colector. Volvemos a repetir el proceso
de oxidacin y de fotoproteccin y colocamos unas mscaras diferentes, por ejemplo, para formar la base.
Difundimos nuevamente impurezas tipo P. Para formar el emisor repetiramos todos los pasos pero con la diferencia de
que al final aadiramos impurezas tipo N.
Para conectar todas las regiones se suele usar una pelcula delgada de un material conductor por ejemplo el aluminio.
Volvemos a poner una capa de oxidacin y un fotoprotector y la mscara que colocamos ahora tiene ventanas que nos
van a permitir que se realicen las conexiones elctricas, por ejemplo, entre la base y el colector. Despus de realizar la
metalizacin y una vez que las conexiones elctricas se hayan hecho, cortamos los diferentes chips de la oblea.
Despus de separados realizamos las conexiones necesarias de cada chip con las patillas de la cpsula que va a
contener el circuito integrado, estas conexiones se realizan soldando hilo de aluminio muy delgado. Para acabar, metemos
el chip dentro de la cpsula que lo va a proteger, y ya hemos conseguido fabricar un circuito integrado.
Aislamiento de los elementos de un c.i.
Dentro de un circuito integrado tenemos un montn de componentes, pudiendo llegar hasta un milln. Estos componentes
pueden ser de diferentes tipos: resistencias, transistores, condensadores, etc., o del mismo tipo. Una de las necesidades
que se nos presenta es separar los elementos, no fsicamente ya que todos forman parte del mismo circuito integrado,
sino que han de ser aislados elctricamente para que cada uno se pueda seguir comportando segn sus caractersticas,
es decir, que, por ejemplo, los transistores sean exactamente iguales y cumplan las mismas propiedades que tiene un
transistor discreto (que no forma parte de un circuito integrado).
Hay varias formas de conseguir el aislamiento elctrico entre los diferentes elementos que componen un circuito integrado:
la ms usada de todas ellas, debido a lo econmica que resulta, es la denominada "aislamiento de unin". Supongamos
que queremos separar dos transistores, este mtodo consiste en polarizar inversamente las regiones N y P y, al no circular
corriente, se produce el deseado aislamiento elctrico entre los dos transistores. Otra forma es usando dixido de silicio,
SiO2, recubriendo cada regin de colector de cada uno de los transistores, el dixido de silicio se comporta como un
aislador. Por ltimo, hay un tipo de aislamiento denominado "tipo viga" que es parecido al aislamiento de unin. La
diferencia radica en que en el tipo viga, al realizar la metalizacin, se forma una capa muy gruesa encima de la oblea.
Despus se remueve el silicio que sobra en el sustrato tipo P. Se forma una estructura con los circuitos conectados
semirrgidamente y todos los elementos separados unos de otros.
Tecnologa de pelcula delgada y gruesa
En los circuitos integrados monolticos hemos visto que se forman todos los componentes a la vez en un substrato
semiconductor. En la tecnologa de pelcula delgada y en la de pelcula gruesa no ocurre esto. Las resistencias y
condensadores de valores pequeos se fabrican en el substrato, pero las resistencias y los condensadores de valores
grandes y algunos circuitos monolticos son exteriores al chip y se conectan formando un circuito hbrido. Este tipo de
circuitos tiene una peculiaridad y es que no se forman sobre la superficie de un semiconductor sino que lo hacen sobre un
material aislante que puede ser vidrio o un material cermico.
La tcnica de fabricacin de pelculas delgadas consiste en ir haciendo una deposicin por medio de una evaporacin al
vaco o pulverizacin catdica. La superficie que contiene el substrato acta como el nodo, y el material que se va
depositando por la deposicin como ctodo. Los pasos para el procesamiento de un circuito integrado por tecnologa de
pelcula delgada son muy similares a los que hemos explicado de los circuitos monolticos.
En la tecnologa de pelcula gruesa se utiliza un circuito impreso sobre el cual se van a depositar las resistencias,
condensadores, etc. Una de las ventajas de esta tecnologa es que resulta ms barata que la de pelcula delgada.

SEMICONDUCTORES
Introduccin
Teora de funcionamiento
Niveles energticos
Semiconductores intrnsecos
Semiconductores extrnsecos
Relacin de la temperatura con la conductividad
Movilidad de los huecos frente a los electrones
Generacin e inyeccin externa de portadores
Corrientes
Uniones P-N
Diodos
Polarizacin directa
Polarizacin inversa
Capacidad parsita
Transistores.
Transistor BJT
Modo lineal (activo)
Caractersticas derivadas del uso de portadores minoritarios.
Variaciones en el parmetro beta
Efecto Early
Modo de corte
Modo de conduccin libre (saturacin)
Transistor MOSFET
Caractersticas que impone la puerta
Caractersticas derivadas del uso de portadores mayoritarios.
Modo lineal (saturacin)
Efecto Early
Modo de corte
Modo de conduccin libre (zona hmica)
El MOSFET de potencia
Transistor IGBT
Generacin de un PNP dentro de un N-MOSFET
Ventajas sobre los MOSFET verticales
El problema de la cola.
Latching
Introduccin
Los semiconductores son uno de los adelantos tecnolgicos que ms relevancia han tenido en este siglo principalmente
por haber permitido un desarrollo extremo de la electrnica general. Su antecesor, el tubo termoinico o vlvula de vaco
es un dispositivo caro, grande, frgil, lento y que requiere un consumo de potencia no despreciable slo para hacerlo
funcionar. Con l nunca se hubiesen podido alcanzar niveles que a da de hoy nos parecen de lo ms normal como
integrar decenas de millones de transistores en el tamao de una ua, y esto se debe al bajo precio, reducido tamao y
bajo consumo que permite la tecnologa de los semiconductores.
No vamos a hacer una lista con las aplicaciones que ha permitido desarrollar, porque sera eterno y no podra calificarse
cada adelanto en su justa medida, en su lugar vamos a hablar de porqu este artculo.
En el diseo electrnico siempre existen fenmenos que alejan a los componentes de su comportamiento terico, se
suelen denominar efectos parsitos y no es posible sacar el mximo partido de un diseo sin conocerlos. Incluso en el
campo digital, la implementacin est sujeta a fenmenos analgicos que si no se tienen en cuenta impedirn un correcto
funcionamiento.
Conocer los mecanismos fsicos de los semiconductores y su construccin interna permite comprender porqu suceden
las cosas, y estas cosas pueden ser fenmenos de segundo orden, como la no linealidad de la capacidad parsita, o de
vital importancia como la tensin de ruptura en inversa de un diodo. Permite saber qu componente ser el ptimo en
cada caso, porque no es lo mismo usar un mosfet que un BJT en un circuito de bajo ruido. Tambin permite comprender
qu variacin supondrn fenmenos externos como temperatura, radiacin, luz... en ellos.
Muchas de las presunciones que se usan en diseo estn sujetas a simplificaciones que permiten entender partes del
funcionamiento pero que dan una idea errnea del comportamiento real, como por ejemplo que la corriente de puerta de
un JFET es despreciable. Para llegar a un alto nivel se deben tener en cuenta todos los parmetros y sus
condicionamientos externos, porque esta corriente de puerta presuntamente despreciable puede causar que un circuito de
precisin d medidas errneas a medida que cambia la temperatura.
Desgraciadamente las explicaciones no son sencillas, aunque la intencin sea facilitar la compresin de los fenmenos en
lugar de poner frmulas que no va a usar. Muchas de las causas slo tienen sentido cuando se examinan los
semiconductores a nivel atmico, como porqu les afecta la temperatura, porqu se hacen de un material y no de otro...

Teora de funcionamiento.
Niveles energticos
Las bandas energticas de un tomo marcan los lugares donde es posible que se encuentren los electrones. Las bandas
ms prximas al tomo se llaman bandas de valencia y en ellas los tomos estn fuertemente ligados al ncleo por
fuerzas elctricas. En el exterior la fuerza elctrica es menor y adems se tiene la repulsin elctrica de los electrones de
la capa de valencia, por lo que en esta banda los electrones estn dbilmente ligados al tomo. Esta capa se denomina
capa de conduccin. En medio puede existir una banda denominada de energa prohibida, donde si hubiese un electrn
inevitablemente caera a la capa de valencia (en caso de estar incompleta) o sera expulsado a la capa de conduccin.
En los conductores, especialmente en los metales, no existe capa de energa prohibida, por lo que es necesaria muy poca
energa para liberar un electrn de la capa de valencia y que sea expulsado a la capa de conduccin. En un
semiconductor y en un aislante si que existen, pero es menor en un semiconductor.

Un semiconductor es una estructura cristalina con enlaces covalentes, muy estables, y que en un principio no poseen
ningn electrn en las banda energtica de conduccin.
Nos referiremos nicamente a silicio y germanio, tetravalentes y que forman enlaces dobles con los tomos de su entorno
como se puede ver en el grfico de la derecha.

Semiconductores intrnsecos
Al tipo de semiconductores mencionado anteriormente se le denomina semiconductor intrnseco, porque slo posee un
tipo de tomos que estn en equilibrio elctrico.
En los semiconductores intrnsecos, cuando se aumenta la temperatura la vibracin de las partculas puede romper los
enlaces covalentes y los electrones pueden adquirir suficiente energa como para escapar de los enlaces covalentes y
convertirse en un electrones libres, para abandonar la capa de valencia y situarse en la capa de conduccin. Es decir, que
trmicamente pueden generarse electrones y las ausencias de electrones en la capa de valencia, denominados huecos.

Recordamos que la corriente consiste en el movimiento de los electrones, y

que si stos estn fuertemente ligados al tomo no ser posible que exista
conduccin. Debe requerirse poca energa para mover los electrones y esta
condicin se cumple en la capa de conduccin. Por otro lado, si en la
estructura cristalina de enlaces covalentes hay dficit de electrones, o exceso
de huecos, los electrones con energa, aunque no sea suficiente para escapar
a la capa de conduccin, pueden pasar a otro enlace, dando lugar as a la
circulacin de carga neta, es decir, corriente.
Por este motivo, los semiconductores intrnsecos son muy sensibles a la temperatura, y a medida que aumenta se vuelven
mejores conductores. Lo que permite la conduccin, los electrones libres o los huecos se denominan portadores.

Semiconductores extrnsecos
Los semiconductores extrnsecos son aquellos a los que se les aaden impurezas (proceso de dopado), que son tomos
pentavalentes o trivalentes, que tendrn exceso o defecto de electrones; en los que llevan impurezas pentavalentes habr
exceso de electrones y se les denomina de tipo N; quedarn ligados al tomo pero no har falta mucha energa para
arrancar ese electrn.

En los que llevan impurezas trivalentes habr dficit de electrones y se

denomina de tipo P. Se necesitar poca energa para que un electrn se
recombine con los enlaces de otros tomos, y complete as otras capas de
valencia dejando en inferioridad de carga a su tomo anterior, al que le ser
fcil aceptar otro electrn.

El resultado es que en los semiconductores extrnsecos la conduccin es ms

fcil, ya que se necesita una energa notablemente menor para que exista
circulacin de carga, tanto de huecos como de electrones. El nivel de
impurificacin o dopado es bastante bajo y esto ya permite una gran
conductividad, la concentracin habitual de impurezas es de un tomo de
impureza por cada 1E+7 de no impurezas.
Es importante destacar que habitualmente un semiconductor slo se dopa con
un tipo concreto de impureza, y que adems de los portadores que se
generan trmicamente, habr tipo de portador generado por las impurezas,
que a temperatura ambiente tendr una concentracin muchsimo mayor que
los portadores generados trmicamente. Adems, por haber slo un tipo de impureza predominar un tipo de ellos, y a
este tipo se le llama portador mayoritario (electrones en semiconductor tipo N y huecos en tipo P).
Relacin de la temperatura con la conductividad.
Sin embargo a los portadores no les afecta por igual la temperatura, hay una gran dependencia del tipo. A los minoritarios,
que son los que se generan trmicamente si que les afecta y adems en gran medida, existe un rpido crecimiento de
estos portadores frente a la temperatura. Mientras que los mayoritarios son propios del material, introducidos de forma
qumica y externa, y hasta que la contribucin trmica no supere a su concentracin inicial, no es posible que existan ms,
es por tanto algo que no suceder a temperatura ambiente
A todos los portadores les afecta el calor, en general es algo que sucede con todos los conductores porque disminuye su
movilidad. Sin embargo en los portadores intrnsecos la generacin de portadores frente a temperatura puede compensar
esta disminucin de la movilidad. Puede suceder incluso que un semiconductor extrnseco pase a comportarse como
intrnseco superada una cierta temperatura, en la cual la concentracin de portadores de origen trmico supera a la de
origen qumico.
Esto es extremadamente importante para comprender las derivas trmicas y corrientes de fuga en los semiconductores.
Aunque habitualmente no se las tiene muy en cuenta, tienen una importancia muy considerable.
Movilidad de los huecos frente a los electrones.
A la hora de producir una corriente elctrica no es lo mismo trabajar con silicio tipo P, que con silicio tipo N. En el silicio
tipo N la conduccin la producen los electrones y en el tipo P la producen los huecos. Sin embargo no se requiere la
misma energa para mover un electrn que para mover un hueco, a este parmetro se le denomina movilidad. Se mide en
cm/Vs (centmetros / (voltio segundo), y depende el material y de la concentracin de portadores.
Adems de otros factores, la masa efectiva de un electrn es un 30% menor que la de un hueco, lo que implica la
necesidad de una menor energa para desplazar un electrn. En los semiconductores con impurezas pentavalentes (tipo
N) el electrn "sobrante" slo tiene que superar una barrera energtica de 0,05eV para pasar a la banda de conduccin,
una 20 veces menor que la barrera de potencial en silicio puro. Mientras que los huecos en impurezas trivalentes
requieren una energa mayor.
Los resultados indican cifras de movilidad aproximadamente tres veces mayores en electrones que en huecos, entre 1400
y 1600 cm/Vs para los electrones y 450-600 cm/Vs para los huecos.
Esto afecta a la resistividad del material, y en dispositivos de conmutacin donde estas prdidas son crticas alcanza
niveles muy importantes, si por ejemplo un dispositivo de potencia basado en silicio tipo P requiere un rea notablemente
mayor para ofrecer las mismas caractersticas que un equivalente basado en silicio tipo N, posiblemente sea ms
adecuado no usar el de tipo P an a costa de mayor complejidad en el circuito. Como veremos, aparte del sustancial
ahorro en rea de silicio hay otros fenmenos derivados de las grandes reas como capacidad parsita y velocidad de
recombinacin que afectan a las prestaciones dinmicas del dispositivo.

Generacin e inyeccin externa de portadores.

En un semiconductor existe equilibrio elctrico y termodinmico, es decir su carga neta es nula porque aunque exista
generacin trmica de portadores, lo que se forma son pares electrn-hueco, que se compensan elctricamente y
energticamente. Igualmente, en semiconductores extrnsecos, existe equilibrio elctrico, con la diferencia de que se
requiere una menor energa para romper ese equilibrio elctrico.
El equilibrio termodinmico implica que aunque trmicamente se produzca la ruptura de los enlaces covalentes y el
electrn salte a la banda de conduccin (generacin de un portador), tambin se producir una recombinacin, es decir,
algn electrn de las capas de conduccin quedar atrapado en un enlace covalente. La generacin requiere energa y la
recombinacin la cede y el equilibrio termodinmico implica este equilibrio energtico. Por esto, si no se producen
variaciones externas (comunicacin o cesin de energa), el equilibrio y el nmero de portadores se mantienen estables.
En los semiconductores extrnsecos el equilibrio termodinmico marca que, como el nmero total de portadores ser fijo y
el nmero de portadores mayoritarios ser fijo y dependiente del dopado, el nmero de portadores minoritarios lo marca
N(min.)=Ni^2/N (may), donde Ni es el nmero de portadores impuesto por el equilibrio termodinmico. Se producir una
recombinacin de los portadores minoritarios y una considerable reduccin en su nmero, mientras que como el nmero
de portadores mayoritarios es tan alto en comparacin con los minoritarios, no se ver reducido apreciablemente, porque
si de cada milln se recombina uno no afectar notablemente a la cifra final.
Esto tiene una gran importancia para comprender la velocidad en los transistores. La recombinacin es un proceso que
requiere energa y la recombinacin de portadores minoritarios se ve dificultada ya que su nmero es escaso.
Sin embargo, cuando se aplica energa (campo elctrico, calor, luz...) esta situacin de equilibrio se altera, deja de existir
equilibrio termodinmico y no se cumple que el producto del nmero de portadores sea igual a lo que marca la condicin
de equilibrio termodinmico. Habr ms o menos, dependiendo de si se produce
inyeccin (ms) o extraccin (menos).
El caso del calor hemos visto que puede generar ms pares electrn-hueco, a la
derecha podemos ver una serie de respuestas de NTCs (negative thermal
coeficient), resistores que disminuyen su valor resistivo a medida que aumenta
la temperatura.
Pero tambin lo puede generar la luz (efecto fotoelctrico). Cuando se produce
una cesin de energa radiante que supera la anchura energtica de la banda
prohibida se pueden generar pares electrn hueco.

Aumenta el nmero de portadores y aumenta la conductividad. Esta es la base de la operacin de los fotorresistencias, de
la que incluimos una grfica de respuesta a la derecha, los fotodiodos (abajo, derecha), los fototransistores... Adems la
respuesta ser diferente para distintas longitudes de onda, dependiendo del material, y tendr un tiempo determinado de
respuesta.

Respuesta de una fotorresistencia

Este es tambin el motivo de que los semiconductores sean sensibles a la radioactividad, a rayos gamma concretamente,
ya que aumenta las concentraciones de portadores. Los semiconductores son tambin sensibles a campos
electromagnticos de alta potencia, porque pueden ionizar sus tomos, pueden arrancar electrones y dejar huecos libres,
creando portadores.

Respuesta de un fotodiodo

Las condiciones anteriores pueden alterar el equilibrio termodinmico pero no alteran el elctrico, cada par electrn-hueco
tiene una resultante neutra. Sin embargo existe otro tipo de perturbacin que puede alterar el equilibrio elctrico, y es
producir un campo elctrico. En un semiconductor extrnseco se requiere poca energa para arrancar un electrn (tipo N) o
recombinarlo (tipo P), y esta movilidad har que en presencia de un campo elctrico las cargas se desplacen y se
redistribuyan por el semiconductor siguiendo el campo elctrico. Se puede llegar incluso a una situacin denominada capa
de inversin, donde la concentracin (por la inyeccin que produce el campo elctrico) de portadores minoritarios es tan
alta, y la extraccin de mayoritarios por parte del campo elctrico es tambin tan alta, que la concentracin de minoritarios
supera a la de mayoritarios, pasando los minoritarios a ser mayoritarios. Esto tiene una gran importancia en el transistor de
efecto de campo.
Corrientes
En un estado de equilibrio un semiconductor no tiene carga neta, existen portadores libres, pero stos se compensan unos
a otros.
Sin embargo, cuando se rompe el equilibrio, por ejemplo por la aplicacin de un campo magntico externo se producir
una redistribucin de las cargas, donde los electrones tendern a moverse en el sentido contrario del campo y los huecos
siguiendo el sentido del campo. Lgicamente esta reubicacin ser proporcional al nmero de portadores y ser ms
evidente en semiconductores extrnsecos, que poseen ms portadores mviles, y estar dominada por los portadores
mayoritarios. Aumentando el campo se puede llegar a un extremo en el que en un lado se acumulan tantos portadores
mayoritarios que en el otro los minoritarios pasarn a ser mayoritarios, simplemente por la "desaparicin" de los
mayoritarios. Esta zona con predominio de portadores opuestos a los mayoritarios se denomina capa de inversin, y tiene
una gran importancia en el funcionamiento de los transistores MOSFET.
A la corriente que genera la reubicacin de los portadores se la denomina corriente de deriva.
Pero tambin puede suceder que en un mismo cristal se encuentren concentraciones de portadores desiguales, y
entonces surgirn corrientes de portadores de las zonas donde estn en exceso a las zonas donde estn en menor
concentracin. A esta reubicacin se la denomina corriente de difusin. Estas corrientes estn asociadas a los dos tipos
de portadores, no a uno slo.
Uniones P-N
Hemos descrito los semiconductores tipo N y tipo P, sus caractersticas de conduccin, los portadores, qu sucede con la
temperatura, con la luz, con la movilidad, etc y hasta ahora no pareca servir de nada. En realidad si que haba tres
aplicaciones, pero que no suelen usar silicio ni germanio como base, sino otros semiconductores ms adecuados a cada
tarea. Son:
las resistencias de coeficiente trmico negativo, las NTC, que reducen su resistencia a medida que aumenta la
temperatura. Son semiconductores intrnsecos, que aumentan enormemente el nmero de portadores con la
temperatura.
las resistencias de coeficiente trmico positivo, las PTC, que aumentan su resistencia a medida que aumentan la
temperatura. Son semiconductores extrnsecos, en los que la movilidad de los portadores disminuye a medida
que aumenta la temperatura.
las resistencias sensibles a la luz, que son semiconductores intrnsecos a los que la presencia de luz o de
alguna otra radiacin electromagntica les inyecta portadores a pesar de que en condiciones de oscuridad sean
prcticamente aislantes.
Pero las posibilidades de los semiconductores van mucho ms all, y esto permite que mediante campos elctricos o
mediante inyeccin de portadores vare la conductividad del material, violando la ley de Ohm.
Lo ms bsico es la unin P-N, donde a una parte del cristal se le introducen impurezas de tipo P y a otra parte se le
introducen impurezas de tipo N. En un principio pensaramos que como son semiconductores extrnsecos se debera
formar un conductor, pero no es esto lo que ocurre.
Cuando entran en contacto las partes P y N hay una concentracin desigual de
portadores, en un lado hay exceso de electrones y en el otro de huecos. Se
producir por tanto una corriente de difusin, que tiene como objetivo igualar las
concentraciones de portadores, pero hay un efecto que lo frena.
Cuando los electrones del lado N abandonan su tomo se producir un aumento
de carga positiva, dado que el protn del tomo no ve compensada su carga con
otro electrn. En el lado P pasar lo mismo, cuando los huecos abandonen sus
tomos de origen se producir una carga negativa.
Esta concentracin de cargas crear un campo elctrico y la consiguiente
barrera de potencia, impidiendo una difusin total de los portadores. Es decir, la
corriente de difusin creada por redistribucin de portadores hacia zonas donde
son minoritarios se compensa con una corriente de deriva creada por un campo
elctrico.

Entre las dos uniones habr una zona donde los portadores se recombinarn
con los tomos y por lo tanto no habr ms portadores que los intrnsecos, es
decir, los que se generan trmicamente, y son muy pocos a temperatura
ambiente. En esas condiciones la unin de dos conductores resultar en un
material no conductor, dada la alta resistividad de la capa donde se han
recombinado los portadores.
Pero este comportamiento se puede variar mediante campos o voltajes
externos. Lo veremos en el siguiente apartado.

Diodos
Un diodo consta de una unin P-N, donde hemos dicho que en el centro de la unin se producirn
corrientes de difusin que tienden a distribuir los portadores uniformemente, un campo elctrico que
frena la difusin total y una zona vaca de portadores porque stos se han recombinado. A esta zona
vaca se la denomina capa de deplecin o capa de carga espacial.

Pero existiendo un campo elctrico y un potencial que produce esa situacin de equilibrio seguramente podr alterarse por
la accin de otro campo elctrico. Podemos producir ese campo elctrico de manera externa aplicando un voltaje
(potencial).
Polarizacin directa.
Cuando se aplica un voltaje positivo en el nodo (parte P) y el voltaje negativo en el ctodo (parte N) se produce una
inyeccin de portadores, huecos en la parte P y electrones en la parte N. Se produce tambin una disminucin de la
barrera de potencial por la accin del voltaje externo que la contrarresta.
Los electrones se comportan como libres en la parte N, donde son mayoritarios y donde la inyeccin produce un exceso, y
tienden a ir hacia la capa de deplecin. En la capa de deplecin, si alcanzan suficiente energa como para superar la
barrera de potencial, se recombinan con los huecos de la parte P, pasando a la capa de valencia. Entonces se produce
una corriente de difusin, ya que se encuentran en una parte P donde son minoritarios, pero son ms minoritarios fuera de
la capa de deplecin, donde en el lado P hay exceso de huecos.

Los huecos sufren un proceso similar, son portadores libres en el lado P, tienden hacia la unin donde se recombinan y
sufren una difusin hacia las zonas deficitarias de huecos de la parte N.
El potencial externo hace que los portadores minoritarios (electrones en el lado P y huecos en el lado N) que ya han
atravesado la capa de deplecin abandonen el diodo hacia su respectivo electrodo en la fuente de tensin (electrones
desde el lado P al nodo (+) y huecos desde el lado N al ctodo (-). Dejan sitio as para que entren nuevos electrones por
el lado N y nuevos huecos por el lado P.
A medida que se aumenta la tensin de la fuente la barrera de potencial disminuye, y a los electrones les resultar ms
fcil superarla y llegar al lado P donde se recombinarn y sern conducidos fuera del diodo. Esta barrera de potencial
puede llegar a desaparecer cuando sea superada por el voltaje aplicado, unos 0,65V en el silicio a temperatura ambiente,
dando lugar a una conductividad muy alta, que era lo que se esperaba al unir dos semiconductores dopados, es decir,
conductores.

Polarizacin inversa.
En este tipo de polarizacin se aplica un voltaje en sentido inverso, en el que el voltaje positivo se aplica al ctodo (parte
N) y el voltaje positivo se aplica al el nodo (parte P).
Esto tiene el efecto contrario a lo anterior, en lugar de inyectar portadores tiende a extraerlos: los electrones del lado N
tendern a ir hacia el nodo (+) de la fuente y los huecos tendern hacia el ctodo de la fuente (-). Los portadores se
alejan de la unin y se alcanzar el equilibrio cuando el potencial creado en la unin por los iones recin creados en la
capa de deplecin iguale al potencial exterior.

No habr ms movimiento de cargas que el que corresponde a la redistribucin causada por el campo aplicado. Es decir,
no habr circulacin de carga y no habr corriente.
Sin embargo el potencial creado por los iones de la capa de deplecin produce un campo elctrico, y a su vez este campo
produce una corriente de deriva que hace que los portadores minoritarios (recordamos que se generan trmicamente) de
cada lado atraviesen la capa de deplecin y lleguen a las regiones donde son mayoritarios. Esta corriente, como depende
de los portadores minoritarios ser muy dbil y prcticamente independiente de la tensin aplicada. En cambio si que ser
muy dependiendo de la temperatura, ya que ese fenmeno es el que causa el aumento de portadores minoritarios.
Y como ltimo punto, se puede producir un fenmeno llamado avalancha. Se produce cuando el campo elctrico es tan
intenso (potencial elevado) que algn electrn en la banda de valencia adquiere energa suficiente como para escapar de
los enlaces covalentes de los tomos en la capa de deplecin, hacia la banda de conduccin. La energa necesaria es
alta, por eso se requiere que el campo elctrico tambin lo sea.
El electrn se acelera por el campo, adquiriendo energa cintica, y puede impactar en otros tomos. El choque puede
comunicar energa a otro electrn para que escape de la capa de valencia a la de conduccin, y ya son dos, que se
aceleran por el campo y pueden impactar en dos tomos, liberando dos nuevos electrones, que liberarn 4 ms, y stos 8
ms...

ste fenmeno multiplicativo se denomina multiplicacin en avalancha y

produce un aumento irreversible de la corriente en inversa, destruyendo el
diodo, lo que se denomina ruptura de la unin.

Capacidad parsita.
Existen dos fenmenos que crean un comportamiento capacitivo en los diodos.
Uno se basa en que cada vez que vara el voltaje aplicado al diodo se produce una redistribucin de cargas semejante a lo
que ocurre en un dielctrico de un condensador. Este comportamiento tiene lugar en polarizacin directa, pero en inversa
resulta despreciable.
En polarizacin inversa si que existe un fenmeno que se acerca ms fsicamente a lo que se entiende por condensador, y
esto es dos armaduras y un dielctrico. El dielctrico lo forma la capa de deplecin y las armaduras las partes P y N a los

lados de la capa de deplecin. Esta causa de capacidad es una de las ms importantes, como veremos todos los
transistores la sufren en algn punto.

Sin embargo el valor de esta capacidad no es constante ya que la anchura de

esta capa de deplecin tampoco es constante. La capacidad aumenta a
medida que disminuye el voltaje en inversa y disminuye a medida que
aumenta ese voltaje, porque la capacidad de un condensador aumenta
cuanto ms juntas estn las armaduras y disminuye cuando se alejan.
A este fenmeno se le denomina modulacin de la capacidad, y en
amplificacin lineal y RF es una importantsima causa de distorsin a alta frecuencia.

Esta es la base terica del varicap, que es un diodo usado para poder
controlar su capacidad controlando su tensin de polarizacin en inversa.
Transistores
Un transistor es un dispositivo con tres terminales (en la inmensa mayora de
los casos), cuya funcin es controlar el paso de corriente entre dos de sus
terminales. Esta corriente slo podr ir en una direccin, y el control se realiza
desde el tercer Terminal, mediante corriente o mediante tensin relativa a otro
Terminal.
Todos los transistores tienen tres modos de operacin, que son: corte, lineal y
conduccin libre.
El estado de corte implica que no circular corriente por los terminales de paso de la corriente, se comportar
como un circuito abierto.
El estado lineal permite que pase una corriente con un valor ms o menos proporcional al voltaje o corriente del
Terminal de control.
El estado de conduccin libre supone que el transistor se comporta como un cortocircuito, y que la corriente no
la marca el control sino el circuito que genere esa corriente.
Los transistores rara vez permiten que la corriente pase en ambos sentidos, habitualmente slo puede circular en uno. Y
es ms, aunque se pudiese sera muy difcil de controlar, porque cuando se aplica una tensin de control, se hace entre el
Terminal de control y uno de los terminales por los que circula la corriente.
Transistor BJT
El ms antiguo, usado y extendido es el transistor bipolar, llamado as porque intervienen ambos tipos
de portadores, mayoritarios y minoritarios (electrones y huecos). El uso tan extenso que tienen hace
que su disponibilidad sea alta y que su precio sea bajo, a pesar de que los modelos de mayores
prestaciones sean difciles de conseguir, como es habitual. BJT significa bipolar junction transistor.
Consta de una parte N con una gran cantidad de impurezas, es decir, muy dopada, una parte P con un nivel de dopado
menor, y una parte N con un dopado levemente mayor que la P.
La parte N est normalmente muy dopada se denomina emisor, y su funcin ser
precisamente emitir electrones. El Terminal de control se conecta a la parte P, llamada
base, y la parte N con dopado normal se denomina colector, porque recibe a los
electrones que genera el emisor.

Aunque no necesariamente el colector y el emisor deben ser nicos, de hecho es

habitual fabricar varios y unirlos internamente para mejorar aspectos concretos de cada
modelo.
Estas tres capas forman dos diodos, y como es fcil de imaginar habr dos capacidades
parsitas importantes. Una de ellas es la capacidad del diodo base-emisor, y otra la del
diodo base-colector. Para transistores de baja seal, donde las corrientes y los voltajes
son bajos los diodos pueden ser fsicamente pequeos, de hecho veremos que esto es
una gran ventaja en sus parmetros.

Las capacidades de estos diodos pueden ser pequeas, del menos de 10pF. En cambio los transistores de potencia
requieren diodos grandes y anchos para poder conducir ms corriente. Esto implicar que las capacidades sern altas.
Aunque los avances tecnolgicos han permitido reducir estas capacidades sin degradar otras prestaciones, se pueden
tener ente 500 y 2000pF en el diodo base-emisor y la mitad en el base-colector. En los MOSFET e IGBT es ligeramente
mayor, del orden de cinco veces ms para los mismos parmetros de corriente y voltaje mxima. Esta capacidad ser no
lineal, por supuesto, ya que depende de las tensiones inversas aplicadas en uniones P-N.
Comentamos los modos de operacin.
Modo activo (lineal).
En este modo, el diodo base-emisor se polariza en modo directo y la corriente circular desde la base hasta el emisor.
Para polarizar este diodo en directa hay que superar su barrera de potencial con una tensin de base a emisor de
alrededor de 0,65V, lo que supondr una dificultad de manejo, pero siempre menor que otros tipos de transistor como los
MOSFET e IGBT que no dependen de una unin P-N y requieren en torno a 3.5V.

Decir que el diodo base emisor se polariza en directa es lo mismo que decir
que los electrones se generarn en el emisor y tendern a ir hacia la base
(recordamos que el sentido de la corriente es el contrario al sentido del
movimiento de los electrones), y que los huecos de la base tendern a ir
hacia el emisor. Se necesitan los dos tipos de portador para la conduccin, de
ah el nombre de bipolar.
En un principio, la base est hecha de silicio tipo P, con exceso de huecos, y
los electrones, que son minoritarios deberan tender a caer en las capas de valencia del silicio con impurezas de tipo P,
como sucede en el diodo. Pero lo que sucede es que la mayora de los electrones van hacia el colector por el menor
dopado relativo de la base frente al emisor, y porque son minoritarios en el silicio tipo P, lo que alarga el tiempo de vida de
los electrones en la base, o dicho de otra manera: aumenta la dificultad de que los electrones se recombinen en la base;
en cambio los huecos tienen mayor facilidad para recombinarse en el emisor. La facilidad de que los electrones circulen
hacia el colector se incrementa porque fsicamente la base es estrecha, y existe una gran facilidad para que la atraviesen.
Caractersticas derivadas del uso de portadores minoritarios.
Esta caracterstica de conduccin por los portadores minoritarios marca precisamente dos de sus mayores limitaciones.
Una es dinmica, debido el alto tiempo de vida de los portadores minoritarios de la base. Una vez que se corta la corriente
de base, los electrones tardan un tiempo alto en recombinarse. Este tiempo puede acelerarse extrayendo por medios
elctricos los electrones de la base, aplicando una corriente en sentido inverso al anterior.
La otra limitacin, tambin debida a la presencia de portadores minoritarios (generados trmicamente) es que su
coeficiente trmico es negativo, tienden a conducir ms corriente cuando se calientan, y esto implica que no se pueden
usar varios BJT en paralelo porque slo uno acabar haciendo el trabajo de los dems.
Internamente, y tambin por el carcter de los portadores minoritarios, se pueden generar zonas en las que se produce un
aumento de la conductividad, que tender a conducir ms y se puede producir un efecto denominado "hot spot". Son
zonas dentro del silicio en las que la conduccin aumenta incontroladamente y se produce un deslizamiento trmico. Cada
vez conduce ms, cada vez se calienta ms por la presencia de una mayor corriente y a final se produce una avalancha
de portadores. El fenmeno externo se denomina ruptura secundaria y marca que los BJT no pueden trabajar con altos
voltajes y grandes corrientes a la vez, incluso aunque estn por debajo de lo que marca el lmite de potencia, porque al
tener coeficiente trmico negativo se crean "hot spot" dentro de l y la sucesiva avalancha que destruye el transistor.
Seguimos con la explicacin del modo lineal:
Los electrones inyectados por el emisor en la base tienen una gran dificultad para recombinarse y cuando alcanzan la
capa de deplecin del diodo base-colector son atrados por el campo elctrico hacia el colector.
De esta manera, la unin base-colector, que est polarizada en inversa sufre un fenmeno de inyeccin de portadores
semejante a lo que ocurre en un fotodiodo, en el que se inyectan portadores en la capa de deplecin del diodo basecolector, pero que son esencialmente independientes del voltaje de base a colector porque son generados por el diodo
base-emisor.
Prcticamente la totalidad de los electrones alcanza el colector, salvo los que
consiguen recombinarse en la base y salen por ella. Existe un parmetro
denominado beta o HFE que marca la proporcin entre los que salen por la
base y los que salen por el colector, o lo que es lo mismo, la ganancia de
corriente. En los transistores de seal es alta, ente 200 y 800, lo que significa
que realmente pocos de los electrones que pasan por la base puede salir por
ella.

Variaciones en el parmetro beta

Este parmetro sufre grandes variaciones en funcin de la construccin. Hemos dicho que la base debe ser estrecha para
permitir una mayor inyeccin de portadores en el colector, pero esta delgadez puede hacer que cuando la tensin inversa
en el diodo b-c sea muy alta, las capas de deplecin aumenten tanto que se llegue a perforar la base, pasando a
conduccin libre. Por esto en los transistores de alto voltaje la base debe ser ancha y disminuye el parmetro beta.
Tambin la distribucin de dopado en la capa del colector vara en funcin del voltaje inverso necesario.
Cuando se requiere una gran conduccin de corriente se requieren diodos de mayor tamao, reduciendo tambin as beta
y aumentando la capacidad parsita. La consecuencia es que la ganancia de corriente en transistores de potencia es baja.
Eso hace que necesiten un transistor de potencia media denominado "driver" para suministrar la corriente que resto del
circuito no pude proporcionar. Esto forma un par Darlington, muy usado, que alcanza ganancias de corriente del orden de
1000-10000, a costa de una mayor tensin de control.
La resistencia de la base al emisor del segundo transistor sirve para extraer los
portadores minoritarios de la base y mejorar los tiempos de conmutacin, y
prestaciones dinmicas en general.
Para un mismo transistor, la ganancia
de corriente no es constante frente a
la corriente de colector y sufre una
drstica reduccin en los extremos. A
bajas corrientes de colector, cuando
se requieren muy pocos portadores
minoritarios en la base, ese bajo
nmero aumenta sus posibilidades de recombinacin y es la causa de que
con corrientes de microamperios beta sea muy pequea.

Como nota aadida, esas bajas corrientes hacen funcionar al diodo base-emisor
en una zona poco lineal, recordamos que un transistor bipolar tiene una curva de
transferencia que es una exponencial, las partes ms cercanas a la curva
corresponden a las corrientes ms bajas y las de corriente ms alta a la asntota,
que se puede aproximar por una recta.

A altas corrientes de colector se impide que lleguen suficientes huecos al emisor,

debido a fenmenos como la resistencia transversal de base (al ser estrecha
aumenta su resistencia) . Esto hace que la ganancia caiga cuado ms potencia se
entrega y puede ser una causa de mal funcionamiento en circuitos lineales,
adems de un motivo extra para usar drivers.

Efecto Early
Hemos dicho que la corriente de colector en el modo activo es esencialmente independiente de la tensin de colector. Esto
no es exactamente as, existe un efecto parsito denominado efecto Early que consiste en que hay una cierta dependencia
de la corriente de colector frente a su tensin.
El fenmeno fsico se refiere a que cuando aumenta la tensin de colector aumenta la
anchura de la capa de deplecin de la unin base-colector, polarizada en inversa,
cuya consecuencia es el estrechamiento de la base, mejorando as la inyeccin de
portadores en el colector.
Aunque se rige por un fenmeno alineal, en un amplio margen se puede modelar
como una resistencia parsita en paralelo con el transistor.
Modo de corte
En el modo de corte, el diodo base-emisor est despolarizado (Vb-e=0V) o polarizado en inversa, y el diodo base-colector
est polarizado en inversa. En el emisor no se generarn portadores libres que causan la corriente descrita antes, y las
corrientes que circularn por el diodo base-colector sern se debern a fugas de superficie y generacin trmica de
portadores, sern por lo tanto corrientes de valor despreciable (desde 1nA hasta 1uA) )y se comporta prcticamente como
un circuito abierto.

Modo de conduccin libre (saturacin)

En el modo de conduccin libre, tanto el diodo base emisor como el diodo base-colector estn polarizados en directa, y
tendr lugar dos fenmenos:
En el diodo base-emisor se produce una corriente generada por la difusin de electrones del emisor a la base, y de huecos
de la base al emisor, donde predomina la primera, difusin de electrones a la base, ya que el emisor est ms dopado que
la base. Es el mismo caso que tiene lugar en el diodo base-emisor en el modo activo.
En el diodo base-colector, que tambin est polarizado en directa, se genera una corriente por la difusin de electrones del
colector a la base y de huecos de la base al colector. Como la base posee un dopado mayor que la habitual capa epitaxial
N-, predomina la inyeccin de huecos de la base al colector.
Como la base es muy estrecha y los electrones tienen dificultad para recombinarse en ella, los flujos de electrones del
emisor llegan al colector, y viceversa, los electrones generados por el colector alcanzan al emisor.
En resumen, existen dos corrientes en sentido opuesto, una del emisor al colector y otra de la colector al emisor, de las
cuales alcanza un valor mayor la corriente de electrones del colector al emisor (o de huecos y corriente elctrica del
emisor al colector), por lo que se cumple que la proporcin entre la corriente de colector y de base es menor que en el
modo de operacin activo.
Transistor MOSFET
El transistor mosfet es ms nuevo y actualmente su uso est completamente extendido en aplicaciones
digitales y de potencia, ya que sus caractersticas permiten un manejo ms cmodo del Terminal de
control y otros beneficios en cuanto a velocidad de conmutacin y sobre todo consumo. A pesar de ello,
las familias lgicas ms rpidas (ECL) usan bipolares especiales, a precios prohibitivos. La distribucin de
los modelos de potencia aumenta con el apogeo de las aplicaciones de conmutacin, hasta hace unos
aos eran difciles de encontrar y an as los modelos de tipo P son algo difciles de conseguir en tiendas.
En baja potencia la disponibilidad es menor.
Mosfet significa metal-oxide-semiconductor field effect transistor. Estn basados en el efecto de campo, su conduccin o
no conduccin depende de la existencia de un campo elctrico transversal a un canal de silicio en el que se produce la
conduccin atrayendo o repeliendo a los portadores.
Este campo elctrico se produce entre dos terminales, llamados puerta
(gate,g) y sustrato (bulk). El canal tiene dos terminales, denominados fuente
(source, s) y drenador (drain, d), y entre en ellos se produce la conduccin de
corriente. Y se acerca ms a la idea original de Shockley sobre los "triodos de
estado slido", aunque acabase descubriendo el transistor bipolar.
Caractersticas que impone la puerta.
La capa de metal-xido-semiconductor se denomina puerta y forma un condensador parsito, lo que supone la ms seria
limitacin dinmica a los mosfet. Esta capacidad vara entre unos pocos pico faradios, para los transistores de seal y
especialmente los de circuitos digitales, y entre 1 y 10 nF para los de potencia. Tambin provoca otra cuestin. La capa
tiene unos cuantos nanmetros de espesor, entre 10 y 100, por lo que es extremadamente sensible a ruptura dielctrica y
se puede daar irreversiblemente por descargas electrostticas. Pero es necesario que sea extremadamente delgada para
aumentar la eficiencia del campo elctrico creado en el canal.
Por otra parte podramos pensar que ahora que tenemos un condensador en el que no se genera por la accin de capas
de deplecin de tamao variable, tendramos una capacidad constante, pero desgraciadamente no es as.
Tras el condensador MOS se exhibe una alinealidad debido a que adems de
la capacidad puerta-fuente se necesita cargar la capacidad puerta-drenador,
la llamada capacidad de Miller, y cuando esto ocurre la carga de la corriente
de puerta se invertir nicamente en cargar esa capacidad, La capacidad Cgd
es no lineal, ya que depende de un diodo en inversa, y por esto se suele dar
la carga en nC en lugar de en nF, porque permite clculos ms precisos
especialmente en conmutacin.
Dado que es un dispositivo controlado por tensin y que posee uno de los
mejores aislantes (el dixido de silicio, componente bsico del vidrio), poseen
una altsima impedancia de entrada a frecuencias bajas. Esto facilita su carga
por parte de otros dispositivos, y no requieren transistores drivers. Pero
tambin es una lacra a nivel de ruido, siendo responsable de niveles altos de
ruido de baja frecuencia (flicker noise). Su origen no est del todo claro pero
se admiten mayormente dos teoras: una basada en la variacin de densidad de portadores en la proximidad de la puerta y
otra basada en variaciones de movilidad de los portadores.

Los mosfet se denominan de canal N o de canal P segn el tipo de silicio del

canal, pero esto se deriva de los primeros mosfet que se desarrollaron. Ellos
partan de la idea de mosfet de deflexin, o de vaciamiento. En l la
conduccin la producan realmente los portadores mayoritarios, electrones en
silicio tipo N y huecos en tipo P.
En este tipo de mosfet, cuando la tensin de control es nula se produce
conduccin, y para entrar en estado de corte se debe hacer que la puerta
repela a los portadores del canal, aplicando un campo elctrico dirigido desde
el sustrato hasta la puerta (canal N y viceversa para el P).
Caractersticas derivadas del uso de portadores mayoritarios.
Precisamente el empleo de portadores mayoritarios es una de las ventajas dinmicas, sobre todo en lgica digital y
conmutacin, ya que la conduccin se detiene cuando desaparecen estos portadores, y no es necesario esperar un lento
proceso de recombinacin en un sustrato en el que son minoritarios. Tambin, y dado que no intervienen en la conduccin
los portadores minoritarios el mosfet es menos sensible a temperatura y los efectos de sta tienden a protegerlo, a
disminuir la corriente de drenador. Tambin sufren menos ruido por efectos trmicos, ya que los portadores que
intervienen en la conduccin no se generan trmicamente, pero esta caracterstica queda enmascarada por el alto nivel de
flicker noise.
El coeficiente trmico positivo, consecuencia de emplear nicamente portadores mayoritarios en la conduccin permite
operar con varios de estos dispositivos en paralelo, dado que si un dispositivo se calienta tiende a conducir menos.
Tambin para circuitos que operan sin compensacin trmica el mosfet es menos sensible a temperatura y los efectos de
sta tienden a protegerlo, a disminuir la corriente de drenador. Pero como contrapunto, el coeficiente trmico del voltaje de
estrangulamiento (se comenta ms adelante) es negativo, por lo que el comportamiento para corrientes bajas depender
del mosfet empleado.
Tampoco es posible que se generen "hot spot", manchas calientes, donde se generan zonas de muy alta conductividad,
que adems se ve incrementada con el calor, y puede dar lugar a una avalancha. No sufren por tanto ruptura secundaria y
se pueden emplear conduciendo grandes corrientes con grandes voltajes de drenador a fuente. Este mismo mecanismo
les permite soportar sobrecargas durante periodos cortos de tiempo, mientras no se que se alcance el lmite trmico.
Actualmente los denominados mosfet de canal N poseen un canal de silicio tipo P, porque para evitar que la conduccin
se produzca con una tensin de control nula se debe estrangular el canal completamente, y que la conduccin se
produzca nicamente en presencia de un campo elctrico. Esto se denomina
mosfet de enriquecimiento, o de acumulacin.
En los de vaciamiento la conduccin la producan realmente los portadores
mayoritarios, porque en los de enriquecimiento, el canal es de silicio tipo P, y los
electrones son minoritarios. Salvo porque cuando se aplica el campo elctrico
transversal al canal, entonces los electrones son atrados hacia la puerta,
creando lo que se denomina capa de inversin, donde predominan los
portadores opuestos a los mayoritarios, pasando ahora a ser ellos los
mayoritarios.
Esta caracterstica supone que habr que superar una cierta tensin para que el
mosfet empiece a conducir, como en el caso de los BJT, pero con el problema de
que esta tensin habitualmente es ms alta, entre 1 y 4 voltios, siendo ms
habitual 2 para transistores de seal y los japoneses de potencia, y 3.5 para los de
potencia.
A la derecha se puede ver una grfica de funcin de transferencia y cmo no
hay conduccin hasta que no se superan aproximadamente 2.5V
Este voltaje se denomina voltaje de estrangulamiento, o voltaje de pinch-off,
porque es el voltaje por debajo del cual no hay capa de inversin en el canal y
por lo tanto no hay conduccin. Sin embargo hemos visto que variando la
geometra del canal se podran hacer que estas tensiones variasen en un amplio
rango, de hecho las lgicas digitales lo usan y es una caracterstica muy til en
circuitos integrados.
En comparacin con los bipolares y a pesar de que el uso del Terminal de control sea ms sencillo por no absorber
corriente, el control de la corriente requiere variaciones mayores en la tensin de control. Por ejemplo para ciertos BJTs de
seal bastara con 0,1V para producir cambios de 100mA, mientras que en modelos de potencia, voltaje y corriente
semejante sera necesario aplicar un cambio de 1 voltio. A esta caracterstica se la denomina trans-conductancia.
Ahora pasaremos a comentar las caractersticas de cada modo de funcionamiento.

Modo lineal (saturacin).

Ya hemos visto bastante sobre su funcionamiento, ser breve. Cuando se aplica un
campo elctrico entre la base y el sustrato (bulk) se genera una capa de inversin,
que permite la conduccin entre el Terminal D y el Terminal S, y la corriente que
circule por D-S ser mayormente independiente de la tensin D-S, ya que los
portadores libres los genera el campo de la puerta y se ve muy poco afectado por
esa otra tensin.
Efecto Early
Aunque hemos dicho que la corriente de drenador es mayormente independiente de la tensin D-S, existe un fenmeno
con resultados similares a los de los transistores BJT, donde se exhibe una cierta dependencia de la corriente frente a la
tensin.
En este caso los mecanismos de conduccin son muy diferentes, y el efecto Early se produce por la modulacin de la
longitud del canal. Existe una unin P-N polarizada en inversa entre el sustrato y el drenador, y cuanto mayor sea la capa
de deplecin, menor ser la anchura efectiva del canal.

Modo de corte
En el estado de corte no hay campo elctrico entre puerta y sustrato (bulk), por
lo que no habr capa de inversin y tampoco habr portadores libres. El canal
de tipo P y el drenador, de tipo N forman un diodo que habitualmente est
polarizado en inversa, impidiendo as la conduccin.
Modo de conduccin libre: (zona hmica)
En este estado el campo puerta-sustrato atrae a ms portadores de los que son necesarios para la conduccin de la
corriente que circula, comportndose as como una resistencia controlada por tensin (trodo).
Y por ltimo, sealar que normalmente en los mosfet se conecta el sustrato (bulk) a la fuente, haciendo as ms sencillo el
control, pero imposibilitando controlar la tensin de estrangulamiento.
El MOSFET de potencia.
Esta configuracin que hemos visto corresponde a los mosfet de baja potencia, a los
mosfet denominados laterales. Pero los mosfet de potencia emplean otras configuraciones
ms eficientes, son los D-MOS, V-MOS, Trech-MOS, ... y se basan en una difusin vertical
en lugar de difusin planar.
La principal diferencia de construccin es que el drenador se conecta al sustrato, aplicando
su correspondiente capa de silicio tipo N bajo el canal de tipo P, lo que forma un diodo
parsito que es muy til en conmutacin de cargas inductivas, aunque puede generar
limitaciones dinmicas. En ellos el campo elctrico de la puerta es referido directamente a
la fuente, y no al sustrato.
Habitualmente con el fin de aumentar la eficiencia de la capa de inversin, la puerta se
haya en una hendidura, de ah los diferentes nombres. Tambin se colocan varias fuentes,
no slo una, en diferentes geometras: tringulo, cuadrado, hexgono, dando lugar as a
ms marcas comerciales.
Colocar la puerta en una hendidura permite que la longitud del canal sea ms corta,
reduciendo la resistencia en estado de conduccin libre y haciendo que el rea de puerta
necesaria para crear la capa de inversin sea menor, reduciendo as su capacidad
parsita.
El grfico de la derecha representa un mosfet de canal N de difusin vertical. En l se
detalla la direccin de la corriente elctrica en el modo de conduccin. La capa de
inversin se produce en las proximidades de la puerta mientras que el resto del canal se
comporta como un diodo en inversa.
En este otro grfico se pueden ver los fenmenos parsitos de un mosfet. Lo ms
importante son las capacidades parsitas, de puerta a fuente, a drenador... y otros
fenmenos como el body-drain diode, que es un elemento parsito que a pesar de ser parsito, tiene ventajas para
trabajar con cargas reactivas como motores y altavoces.

Existe un fenmeno parsito, que adems es de gran importancia para comprender el

fenmeno del latching en los IGBT, que es el transistor NPN parsito. Podemos ver su
emisor en la fuente, su base en el canal de silicio tipo P y su colector en la capa N
epitaxial. Genera inconvenientes dinmicos como limitar la mxima variacin de la tensin
drenador-fuente. Cuando se produce una gran variacin de tensin Vd-s la capacidad
parsita entre N-epi y el canal P puede disparar el transistor creando un estado de
conduccin, aunque la tensin de puerta est por debajo de la tensin de
estrangulamiento. Este fenmeno de entrada en conduccin tambin se puede generar por
un mecanismo diferente, basado en la realimentacin que produce a alta frecuencia la capacidad parsita Cgd, la carga
comunicada puede elevar la tensin Vgs si la resistencia conectada a la puerta es alta, y si Vgs supera Vt (voltaje de
estrangulamiento) entrar en conduccin.
Transistor IGBT
El transistor IGBT es relativamente nuevo, los primeros modelos datan del ao 80, pero slo se
extendieron notablemente a partir del ao 95, coincidiendo con el apogeo de las aplicaciones de
conmutacin, y cuando los fabricantes pusieron a disposicin del pblico modelos ms fiables y baratos.
Generacin de un PNP dentro de un N-MOSFET.
Consiste en la misma estructura que un mosfet vertical de potencia, pero en la que se aade una capa de silicio tipo P
entre lo que antes se consideraba el drenador y el contacto metlico.
De esta manera se forma un transistor PNP entre el canal de tipo P, el drenador de tipo N y la nueva capa de silicio tipo P.
Se alcanza una configuracin semejante a de un par CFP, siendo el transistor de potencia un PNP y el driver un mosfet,
con algn efecto parsito aadido.

Ahora el canal de silicio tipo P del transistor mosfet se convierte en el colector del
transistor PNP, por l circular gran parte de corriente, aunque lgicamente la corriente de
base del PNP circular por la capa de inversin del mosfet en direccin a la fuente.

A la derecha se muestra el circuito equivalente del IGBT. Debe comprenderse que es un

modelo equivalente, es decir, que hace lo mismo pero que no es lo mismo. En el interior
del IGBT no existen dos transistores separados sino que ciertas partes de uno son a su
vez partes del otro transistor.
Se puede ver tambin que el colector del IGBT corresponde al emisor del PNP y que el
emisor del IGBT corresponde al colector del PNP.
Ventajas sobre los MOSFET verticales
Las ventajas sobre los mosfet consisten en que ahora se puede modular la conductividad de la
capa N que corresponda al drenador, por la inyeccin de portadores de la nueva capa P. Esto
permite que la densidad de corriente de un IGBT sea levemente mayor del doble de lo que se
obtiene con un mosfet. El rea de silicio es uno de los elementos ms caros de la electrnica y
supone una ventaja muy importante.
En general estos dispositivos se comportan como los mosfet aunque tengan algunas diferencias. Son dispositivos
controlados por tensin, no por corriente. Su alta impedancia de entrada a frecuencias de audio hace que tampoco
necesiten drivers ni corriente para funcionar en zona lineal. Manejan potencia con gran facilidad. El coeficiente trmico es
en general levemente positivo y adems es casi nulo, aunque este punto se comentar ms en detalle.
Sin embargo, esta gran capacidad de conducir corriente hace que no existan ms que modelos de potencia y adems,
teniendo en cuenta que los huecos, portadores mayoritarios en el silicio tipo P tienen una baja movilidad en comparacin
con los electrones, hacen que aumente notablemente las prdidas, por lo que se estima que es preferible recurrir slo a
dispositivos de tipo N, an a costa de que el circuito excitador sea ms complejo. En resumen, slo existen dispositivos
tipo N de potencia.
Otra ventaja sobre los mosfet, e incluso sobre los bipolares es que la transconductancia del mosfet driver se debe
multiplicar por la ganancia en corriente del PNP, lo que da unas cifras de transconductancia total muy altas, pudiendo
alcanzarse 100 S. Esto significara que para producir una variacin de la corriente de un Amperio habra que variar la
tensin de control 10mV. La transconductancia es la facultad de que una variacin en la tensin de control se convierta en
una variacin de corriente.
La siguiente es que es posible obtener bajas prdidas para dispositivos de alto voltaje.

En un mosfet de alto voltaje es necesario aumentar el tamao de la capa epitaxial (N-) por dos motivos, uno es aumentar
la tensin de ruptura de la unin P(canal) y N(epi); y tambin porque se podra producir un estrangulamiento del canal
semejante a lo que ocurre en los JFET por las capas de deplecin que forman las capas N-epi y el canal de silicio tipo P.

La transconductancia, que es la facultad de que una variacin en la tensin de control se convierta en una variacin en
corriente tambin se ve afectada, porque tambin es necesario reducir el tamao del canal de silicio tipo P y el tamao de
las fuentes. Todo esto deriva en una mayor resistencia en el modo de conduccin libre, y para altas corrientes el mayor
efecto resistivo es el que produce las prdidas.
Sin embargo, en un IGBT las prdidas no son tan claramente relativas a la corriente, sino que se deben a un voltaje fijo,
como sucede en los transistores BJT. Adems, las prdidas de un mosfet aumentan con la temperatura, ya que son
puramente resistivas. En un IGBT, que se basa en la presencia de portadores minoritarios (recordamos que su
concentracin depende enormemente de la temperatura), el fenmeno es diferente. Lo nico que sufre la mayor
resistencia por la temperatura es la corriente de base, generada por el mosfet, mientras que la ganancia en corriente del
PNP aumenta, habitualmente a un ritmo mayor. An as los modelos comerciales suelen tener un coeficiente trmico
prximo a cero.
El problema de la cola.
Los mayores deficiencias de un IGBT sobre el mosfet se producen cuando se pasa del estado de conduccin (libre o
lineal) al de corte. Aqu sufren el mismo problema que los BJT, pero con dos diferencias muy importantes. La primera es
que el transistor PNP del IGBT nunca entra en saturacin profunda, sino que est en un estado muy prximo al activo,
donde el diodo base-colector no se polariza en directa y no habr que eliminar los portadores minoritarios de esa unin.
Pero s que existirn portadores minoritarios en la base del PNP. Ya que no se puede acceder a la capa epitaxial, porque
esa la capa P del emisor del PNP y la capa N epitaxial cubren todo el silicio, la nica alternativa es que se recombinen.
Este es un proceso notablemente ms lento que en los mosfet, donde no tiene que recombinarse nada, y en los BJT se
puede acelerar aplicando una corriente negativa a la base que haga desaparecer a los portadores minoritarios.
Pero aqu no hay nada que acelere, y en las grficas de conmutacin se puede ver un fenmeno llamado "cola", que
consiste en que el mosfet entra en corte rpidamente pero la parte bipolar sigue conduciendo, y es responsable en gran
medida de las prdidas por conmutacin (aunque es el responsable de las bajsimas prdidas por conduccin).

La segunda diferencia con un BJT normal es que para acelerar la recombinacin de los huecos (minoritarios en la base de
un PNP) se puede intercalar una capa de silicio tipo N muy dopado, que tiene como objetivo y como contrapartida el
reducir el tiempo de vida de los portadores minoritarios, facilitando su recombinacin.

A este tipo de IGBT con una capa N+ intermedia se le denomina PT (punch thorugh), los que no la llevan, NPT (non puch
through). La mayora de los IGBTs que se fabrican son PT.
Por desgracia, y como vimos en el transistor BJT, la eficiencia de un transistor bipolar se basa en gran medida en que la
base sea muy estrecha y que los portadores tengan ms dificultad en recombinarse.
Tambin tiene como ventaja una mayor conductividad de la capa tipo N y la posibilidad de hacer la capa N-epitaxial ms
delgada. La reduccin de la eficiencia de la parte bipolar tambin trae dos ventajas, una es la reduccin del coeficiente
trmico tan negativo del PNP, lo que puede facilitar el uso de varios IGBT en paralelo y la otra es una mayor inmunidad al
latching.
En este tipo de transistor los fabricantes tratan de elegir los mejores parmetros para cada aplicacin concreta, y habr
que elegir si se desea gran velocidad, bajas prdidas o algo intermedio.
Latching
El ltimo problema es que existen cuatro capas NPNP, lo que forma un tiristor, un dispositivo de conmutacin con slo dos
estados, que responde a una excitacin permitiendo la conduccin libre, y aqui el cebado del tiristor se puede producir
cuando la tensin en alguna parte interna del canal de silicio tipo P supera en algunas dcimas de voltio a la tensin de
algn punto externo de las fuentes.

A partir de aqui el tiristor entra en conduccin y aunque en la mayora de los IGBT actuales este fenmeno est controlado
y se puede desactivar, en principio slo se desactivar cuando se interrumpa la alimentacin del transistor completo.
Visto de otra manera, se debe tener en cuenta que la fuente (N), el canal (P) y la capa epitaxial (N) forman un transistor
bipolar parsito, como ya vimos en el transistor MOSFET. Ese transistor NPN parsito se foma con la siguiente relacin
N+(antigua fuente) ~emisor, canal P+ ~base, n(epi) ~colector. A su vez, la capa n-epi es la base de otro tranistor (el PNP
del IGBT), y el colector de ste PNP ceba la base del transistor parsito.

Se formar un latch, y en principio slo se desactivara cuando se interrumpiese la alimentacin del transistor completo.
Afortunadamente esto se puede solucionar en la fase de diseo tratando de que la resistencia del canal sea notablemente
menor que la de la resistencia de fuente, o que por geometra nunca se pueda producir el disparo.

Cada amplificador verdadero tiene algunas limitaciones inevitables en su funcionamiento. Los principales que tendemos
para tener que para preocuparnos alrededor al elegirlas y con son:
Anchura de banda limitada. En detalle, porque cada amplificador habr una frecuencia superior ms all de la
cual la encuentra dificulta/imposible para amplificar seales.
Ruido. Todos los dispositivos electrnicos tienden para agregar un cierto ruido al azar a las seales que pasan a
travs de ellas, por lo tanto degradando el SNR (cociente de la seal/interferencia). Esto, alternadamente, limita
la exactitud de cualquier medida o comunicacin.
Voltaje de la salida, corriente, y niveles limitados de la energa. Esto significar que las seales del amplificador
de una salida dadas del cant sobre un nivel particular. Tan hay siempre un lmite finito al tamao de la seal de
salida.
Distorsin. El patrn real de la seal ser non-linearities debidos alterados en el amplificador. Esto tambin
reduce la exactitud de medidas y de comunicaciones.
Aumento finito. Un amplificador dado puede tener un alto aumento, pero este cant del aumento sea infinito as
que puede normalmente no ser bastante grande para un propsito dado. Esta es la razn por la cual utilizamos
a menudo los amplificadores mltiples o las etapas para alcanzar un aumento total deseado.

Comienzo de Lets mirando los lmites para sealar tamao.

2,1 Limitaciones De la Energa
Cuadro 2 1 demuestra un amplificador simple que es utilizado conducir seales de salida en una carga resistente.

El amplificador se provee va lneas de energa en

as que podemos contar con inmediatamente que esto

pues el circuito no tiene ninguna manera de

limite la gama posible de la salida a
proporcionar voltajes fuera de esta gama. En hecho, la salida puede manar sea algo ms restricta que esto como
podemos
ver
con
la
discusin
siguiente.
En efecto, podemos mirar el transistor como dispositivo que pase una corriente que llano sea determinado sobre todo por
su voltaje del emisor de base, y por lo tanto por la entrada,

. Sin embargo la corriente que dibuja de su colector debe

o
, y el emerger actual a travs de su emisor debe entonces atravesar
. Realmente acta en
pasar a travs
la prctica una clase de resistor&rsquo variable; colocado entre estos otros resistores. Podemos por lo tanto representarlo
como siendo equivalentes al circuito demostrado en el cuadro 2 donde el transistor es substituido por una resistencia
variable, VR .

, reducimos la buena voluntad de los transistores de conducir, que es

Cuando bajamos el voltaje de entrada,
equivalente a aumentar su resistencia eficaz del colector-emisor. Llevando a esto al caso ms extremo nos reduciramos la
corriente l los pasos a cero, que es equivalente a darle una resistencia eficaz del colector- emisor del infinito. Esta
animamos al transistor que pase
situacin se representa en el cuadro 2 2b. Alternativamente, cuando aumentamos
ms actual del colector al emisor. Esto es equivalente a reducir su resistencia eficaz del colector-emisor. Una vez ms
llevando a esto al extremo nos reduciramos su resistencia a cero segn lo demostrado en 2 2c. Podemos ahora utilizar
los casos extremos demostrados en 2 2b y 2 2c para determinar la salida mxima que el circuito puede proporcionar, y
las
implicaciones
para
el
diseo.
A partir del 2 2b podemos ver que (es decir) la corriente y el voltaje ms positivos ms altos que podemos proporcionar
en una carga,

, seremos

mientras que el resistor del colector acta un divisor potencial con la carga para limitar la fraccin del voltaje de lnea
positivo disponible de energa podemos aplicarnos a la salida. Mirando las expresiones 2,1 y 2,2 podemos ver ese wed
para permitir a la salida mxima poder ser tan grandes como sea posible es decir para acercarse

como

. Para el motivo del ejemplo, deja para asumir que por lo tanto hemos elegido un valor para

el igual a

.
Ahora considere qu sucede cuando bajamos la resistencia de los transistores (es decir aumente la corriente que
conducir) al caso mximo demostrado en 2 2c. Ahora encontramos que (la mayora de la negativa) sern el voltaje y la
corriente hechos salir mnimos

donde podemos definir

Considerando el diagrama o examinando estas ecuaciones podemos decir que eso en la orden para
acercarnos

requiera

hemos elegido ya fijar

(donde

representa el valor de la combinacin paralela). Puesto que

esto es equivalente a elegir un valor de

asumir para el motivo del ejemplo que

a poder

se elige para ser

. Una vez ms podemos

qu medios tambin prmate

.
Considerar las implicaciones del antedicho deja la toma que un ejemplo prctico bas en un amplificador de energa para
estar de la orden de 8 ohmios. Para la

el uso como parte de un sistema audio. Esto significa que podemos esperar
simplicidad, deja para asumir
y

. Despus de las asunciones sobre este los medios elegiramos

. Una vez ms para el motivo del ejemplo, deja para asumir que son los carriles del

. Esto significara que para un amplificador ideal podramos esperar hacer salir niveles

voltaje disponibles

mximos de el cerca de 90%

mxima

del

de el cual para un sinewave correspondera a cerca de 30 vatios de energa

rms

entregada

en

la

carga.

Ahora considere qu sucede cuando el amplificador est encendido, solamente isnt que intenta entregar una seal al
. Esto significa que habr 25 voltios a travs

&ndash de la carga; es decir cuando

. Puesto que esto

tiene una resistencia

de ella sigue eso
cuando
. es decir el amplificador
exigir 25 amperios de su fuente de alimentacin positiva. Puesto que no se est enviando ninguno de esto a la carga esta
corriente entera ser pasada a travs del transistor y de su resistor del emisor y lejos en la fuente negativa del carril de la
energa. El resultado es que el 25 50 = 1250 vatios tendr que ser disipado en la combinacin de
para

no

proveer

ninguna

salida

, el transistor, y
real!

Sera justo describir esta clase de diseo como siendo inefficient&rdquo del quite; en trminos de la energa. En efecto
tender para requerir y para disiparse sobre 1 kilovatio por el canal si deseamos utilizarlo como amplificador de energa de
30 vatios. Esto es probable requerir resistores grandes, un transistor grande, y porciones de disipadores de calor. La
cuenta de la electricidad es tambin probable ser absolutamente alta y en el verano podemos tener que mantener las
ventanas abiertas para evitar el cuarto que llega a ser incmodo caliente. Ahora podramos aumentar los valores del
resistor y esto reducira el current&rdquo standing; o corriente quieta las demandas del amplificador. No obstante tambin
reducira la energa disponible mxima de la salida, as que esta forma de amplificador nunca sea muy eficiente en
trminos de la energa. Para evitar este problema que necesitamos cambiar el diseo. Esto nos conduce al concepto de
las clases del amplificador.
Piensan a estas partes de la gua de Scots para cubrir una gama de las tcnicas electrnicas que son probables estar de
cierto uso o inters a los cientficos fsicos y a los ingenieros. Los asuntos cubiertos en estas notas se centran en el
Analog lado de cosas. En sistemas generales, electrnicos tienda para ser compuesto combinando una gama de
elementos, de circuitos, y de componentes ms simples de varias clases. Examinaremos un nmero stos detalladamente
en secciones ms ltimas, pero para ahora el comienzo del well con una descripcin simple de amplificadores y de sus
aplicaciones.
Las aplicaciones de amplificadores.
En el nivel ms bsico, un amplificador de la seal hace exactamente qu usted cuenta con el hace una seal ms
grande! No obstante la manera de la cual se hace esto vara con el diseo del amplificador real, del tipo de seal, y de la
razn por la que were que desea agrandar la seal. Podemos ilustrar esto considerando el ejemplo comn de un Hi-Fi
sistema audio.

En un sistema de alta fidelidad moderno tpico, las seales vendrn de una unidad como un lector de cd, el sintonizador de
FM, o una unidad de Tape/MiniDisc. Las seales estas producto tienen niveles tpicos de la orden de 100mV o tan cuando
la msica es moderado ruidosa. Esto es un voltaje razonablemente grande, fcil detectar con algo como un osciloscopio o
un voltmetro. Sin embargo los niveles reales de la energa de estas seales son absolutamente modestos. Tpicamente,
energas de
estas fuentes pueden proporcionar solamente las corrientes de algunos miliamperios, que por
los medios apenas de algunos milivatios. Un altavoz tpico requerir entre algunos vatios y quizs sobre 100 vatios
producir sonidos ruidosos. Por lo tanto requeriremos una cierta forma de amplificador de energa al boost el nivel de la
energa
de
la
seal
de
la
fuente
y
la
hace
bastante
grande
para
jugar
la
msica.
Deseamos generalmente poder controlar el &ndash real del volumen; e.g. dle vuelta hasta molestan a vecinos, o abajo
charlar alguien. Esto significa que tenemos que tener cierta manera de ajustar el aumento total del sistema. Tambin
deseamos el otro &ndash de las funciones; el deber ms obvio seleccionar que sealan fuente nos deseamos escuchar.
Todas estas funciones se construyen a veces en el mismo pedazo de equipo, no obstante es a menudo mejor utilizar una
caja separada que acte como preamplificacin para seleccionar entradas, ajustan el volumen, el etc. En hecho, iguale
cuando est construido en la misma caja, la mayora de los sistemas del amplificador utilizan una serie de stages qu
parte la tarea de alzar y de controlar las seales.

El sistema demostrado en el cuadro 1,2 es similar al arreglo anterior, pero en este caso se utiliza para tomar seales de
los micrfonos y del mixing ellos junto para producir una salida combinada para la amplificacin de la energa. Este
sistema tambin incluye un EQ unidad (el igualar) que se utiliza para ajustar y para controlar la respuesta de frecuencia.
Los micrfonos tienden para producir niveles muy pequeos de la seal tpicamente de la orden de los mVrms 1 o de
menos, con las corrientes de algunos diez de los microamperios o de menos es decir energas de la seal de microvatios
a los nanowatts. Esto es similar a muchas otras formas de sensor empleadas por los cientficos y los ingenieros para medir
varias cantidades. Es generalmente para que los sensores produzcan niveles bajos de la energa de la seal. Tan bajo, en
hecho, que la deteccin y la medida pueden ser difcil debido a la presencia del ruido que se presenta en todo el sistema
electrnico. Por esa razn es una buena idea amplificar estos dbiles, el sensor creado, seales, de superar cuanto antes
problemas del ruido y dar a la seal bastante energa de poder viajar a lo largo de los cables de la fuente a su destinacin.
As pues, segn lo demostrado en el cuadro 1,2, en la mayora de los estudios, el sensor del micrfono incluir realmente
(o
ser
seguido
inmediatamente)
por
un
amplificador
de
poco
ruido
pequeo
(LNA).
debido en a la gama de tareas, amplificadores tienda para ser dividido varios tipos y las clases. Un sistema contendr con
frecuencia una combinacin de stos para alcanzar el resultado total. La mayora de los sistemas prcticos hacen uso
combinaciones del block&rsquo building estndar; elementos en los cuales podemos pensar como siendo el words de la
lengua de la electrnica. Aqu podemos principales de resumir los tipos y su uso. La mayora de los tipos vienen en una
variedad de mirada justa del well de las formas tan aqu en algunos ejemplos simples.

El Amplificador Del Voltaje

Cuadro 1 3 demostraciones cuatro ejemplos del amplificador simple del voltaje efectan con varios tipos de dispositivo.
En cada caso el aumento del voltaje del a.c. ser aproximado generalmente cerca

a condicin de que el dispositivo real hace que un inherente gane bastante grande para ser controlado por los valores del
resistor elegidos. Observe la muestra negativa en la expresin 1,1 que indica que los ejemplos todos invierten el patrn de
la seal al amplificar. En la prctica, los aumentos de la orden de hasta ciento son posibles de los circuitos simples como
esto, en aunque por razones discutiremos en secciones ms ltimas (la regeneracin y distorsin) que es generalmente
una buena idea guardar el aumento del voltaje debajo de esto. Observe tambin que los dispositivos del estado del vaco
tienden
para
ser
llamados
valves
en
el
Reino
Unido
y
el
tubes
en
los
E.E.U.U..
Cadena prctica de muchos amplificadores junto una serie de etapas del amplificador del voltaje para obtener un alto
aumento total del voltaje. Por ejemplo un sistema del PA pudo comenzar con los voltajes de la orden en 0 1 V de los
9
micrfonos, y alza esto quizs 10 a 100 V para conducir los altavoces. Esto requiere un aumento total del voltaje del 10
, as que un nmero de etapas del aumento del voltaje sern requeridas.

ETAPAS DE SALIDA.
Introduccin.
Distorsiones asociadas a las etapas de salida.
Tipos de etapas de salida.
Clase A single-ended
Anlisis
Respuesta en frecuencia
Anlisis del espectro de distorsin
Breve conclusin
Etapas push-pull
CLASE B
Anlisis del espectro de distorsin
Disertacin sobre la distorsin
CLASE AB
Sobrepolarizacin
Influencia de la carga
Respuesta en frecuencia
Anlisis del espectro de distorsin
CLASE A push-pull
Respuesta en frecuencia
Anlisis del espectro de distorsin
ETAPA DE SIMETRA QUASI COMPLEMENTARIA
Respuesta en frecuencia
Anlisis del espectro de distorsin
ETAPA DE SZIKLAY
Respuesta en frecuencia
Anlisis del espectro de distorsin
Conclusiones.
Introduccin
Las etapas de salida son el ltimo eslabn en la cadena de amplificacin y su misin principal es la de proporcionar ganancia
corriente, para poder cargar la baja impedancia que supone un altavoz, normalmente entre 2 y 16 Ohm.
Idealmente poseen una impedancia de entrada infinita, para no degenerar el trabajo de las etapas de ganancia en voltaje, que
tienen altas impedancias de salida. En la prctica la impedancia de entrada depende del tipo de transistor empleado a la
salida, pero en general se obtienen valores muy altos, mayores de 100k Ohm.
Existen dos tipos de etapas lineales de salida, las push-pull y las single-ended. Su comportamiento es radicalmente diferente
pero su misin es siempre la misma: tener la habilidad de proporcionar grandes corrientes al altavoz y ofrecer una impedancia
de entrada alta para facilitar el trabajo de la etapa anterior.
Las etapas push-pull no tienen ganancia en tensin, y ofrecen impedancias de salida muy bajas, lo que hace que la etapa se
comporte ms como una fuente de tensin ideal, que es lo que en principio se espera de una etapa de potencia, de ah que
muchos fabricantes de altavoces tiendan emplear factores de amortiguamiento elctrico (Qes) bajos, as la etapa podr
absorber y entregar mejor los picos de corriente reactiva que controlan el movimiento del cono.
Por el contrario, las etapas single-ended si tienen ganancia en tensin y en general ofrecen impedancias de salida altas, pero
ofrecen ventajas para ciertos tipos de altavoces en los que no se confa tanto en el amortiguamiento elctrico, y como
veremos en su momento, ventajas a nivel psicoacstico. Por contra, son las menos eficientes.
Pero la prctica tambin impone sus normas, y existen fenmenos parsitos que desvan el comportamiento de estas etapas
de lo que idealmente se espera de ellas, es decir, distorsin. Cada tipo de etapa muestra sensibilidad a factores concretos de
los elementos bsicos que las forman, que no son otra cosa ms que transistores, y tambin muestran sensibilidad a la
topologa del circuito. En base a eso haremos un anlisis.

DISTORSIONES DE LAS ETAPAS DE SALIDA.

Las etapas de salida se construyen con elementos imperfectos, y sus imperfecciones se derivan de las de los elementos. En
este documento slo trataremos etapas de salida con transistores, as que definiremos las causas de distorsin principales.
Los transistores son dispositivos que controlan la conduccin de corriente en un nico sentido, y aunque algunos tipos se
puede controlar por corriente, normalmente slo se controlan por voltaje. Lo ideal sera que esta corriente fuese proporcional
a la tensin de control, pero esto no es as.

Para empezar la corriente no sigue una relacin lineal con la tensin de control, sino exponencial o cuadrtica, y esto ser
una causa de distorsin, aunque en las partes asintticas de la funcin de transferencia se aproximen a una recta, lo que si es
suficientemente lineal en rangos concretos. Cuando la corriente entregada por el dispositivo tiende a cero aumenta la
alinealidad, y por lo tanto, la distorsin.
Tambin existe una restriccin ms, y consiste en que es necesaria una mnima tensin de control para que el dispositivo
empiece a conducir, y esto tampoco cumple la relacin de proporcionalidad. Esto agravar la distorsin comentada en el
prrafo anterior. En las etapas push-pull la corriente positiva la entrega un transistor, o un conjunto de ellos, mientras que la
corriente negativa la absorbe otro grupo. Se suele cumplir que cuando un transistor o grupo conduce, el otro transistor o
grupo est en corte, es decir, que inevitablemente se pasa por esas dos alinealidades cuando la corriente entregada cambie
de sentido, que tiene lugar cuando la tensin a la salida pasa por los cero voltios, en sentido ascendente o descendente. Esta
distorsin se denomina distorsin de cruce por cero.
En los transistores bipolares existe otro fenmeno que causa distorsin, y es que aunque la corriente de colector es una
funcin exponencial de la tensin de control, slo se cumple en un margen determinado. Una vez superado un cierto valor, el
incremento de la corriente se reduce para un mismo incremento de la tensin de control. La asntota se curva y la pendiente
deja de aproximarse a una recta. Se denomina distorsin de gran seal.
Veamos dos funciones de transferencia de corriente de colector/drenador frente a tensin de control:

A la derecha vemos una curva de transferencia de un transistor bipolar. Se puede

ver que la mnima tensin de control para que se produzca conduccin est entre
0,4 y 0,7V, dependiendo de la temperatura. Entre 0 y 2 Amperios, la corriente
crece siguiendo una curva frente a la tensin de control, y entre 2 y 8 Amperios
se puede aproximar a una recta. A partir de ah se produce la cada en la
pendiente que hemos mencionado.

En la grfica de un mosfet podemos ver algo semejante, salvo porque la tensin

mnima para empezar a conducir es algo mayor, entre 1 y 2V, tambin
dependiente de temperatura. Esta cifra vara segn el transistor empleado,
habitualmente est entre 3 y 4 V. Entre 0 y 1 Amperios la corriente crece tambin
siguiendo una curva frente a la tensin de control, de 1 a 5 A se puede aproximar
a una recta por tramos, y a partir de 5 A se obtiene casi una recta perfecta, sin
reduccin de la pendiente.

Otra causa de distorsin en los transistores bipolares es que por el terminal de

control, la base, se demanda una corriente proporcional a la de colector, que
sigue una proporcin ms o menos constante llamada beta. Por este motivo
requieren que el terminal de control sea controlado a su vez por otro transistor, lo
que se conoce como par Darlington.
Lgicamente se sumarn las distorsiones de cruce.

Hemos dicho que la corriente de base es proporcional a la de colector, y es cierto salvo cuando se supera un cirto lmite a
partir del cual se produce la reduccin de beta y se demanda una corriente importante a la seccin de ganancia en voltaje,
cuya impedancia de salida es alta y de forma por supuesto alineal. Esta es otra causa de distorsin.

TIPOS DE ETAPA DE SALIDA

Existen varios tipos de etapa de salida, y como es habitual, se cumple que la eficiencia va en contra de la calidad del sonido,
y viceversa.
Como hemos comentado en la introduccin, existen dos tipos de etapas de salida radicalmente diferentes, el primer tipo son
las etapas single-ended y el otro son las etapas push-pull. La gran diferencia es el modo de funcionamiento de los
transistores.
Las etapas single-ended son etapas en emisor/fuente/ctodo comn que amplifican voltaje y tienen un elemento con una
funcin puramente resistiva que se usa como impedancia de carga, aunque no necesariamente tiene que ser una resistencia,

puede ser una bobina, un transformador o una fuente de corriente.

Las etapas push-pull funcionan en colector/drenador/nodo comn y operan habitualmente con transistores complementarios.
El caso de las vlvulas es ms complejo, requiere elementos que inviertan la fase del voltaje de control.

Clase A single-ended:
Como hemos comentado, este tipo de etapas opera en emisor/fuente/ctodo comn. Amplifican voltaje y cargan con un
elemento que tiene como misin convertir en voltaje la corriente de colector/drenador/ctodo del dispositivo de ganancia.
Numricamente son las peores etapas. Tienen eficiencias muy bajas, tasas de distorsin muy altas, no son rpidas, su
impedancia de salida es alta... pero a nivel acstico poseen caractersticas que en conjunto con los altavoces pueden ser muy
valiosas.
La primera es que su distorsin es muy prxima a la de nuestro odo, a los patrones de armnicos de los instrumentos y sobre
todo, su nivel est relacionado de forma ms o menos lineal con el nivel de la seal. Como sucede en nuestro odo y de
manera contraria a las etapas push-pull.
Otra de estas caractersticas es que tienen un mayor control sobre la corriente enviada al driver debido a que es mayormente
una etapa de transconductancia, es decir, que convierte tensin en corriente, por lo que aunque numricamente su cifra de
distorsin sea alta, stas pueden reducir la distorsin armnica del driver, que es casi siempre dominante, aunque esto
supone serios problemas para amortiguar las oscilaciones del diafragma.
Siempre que se piense en una etapa y no en su interaccin los altavoces que puede cargar se estar cometiendo un error.
Despreciar este tipo de etapa por sus cifras elctricas sera un error. De la misma manera, pensar en unas cajas acsticas y
no en la etapa es otro error.
ANLISIS.
A nivel terico y con una carga resistiva perfectamente adecuada, esta etapa de salida tiene una eficiencia mxima del 25%.
Un amplificador de 20W produce 60W de calor con esa eficiencia. A nivel prctico se puede aumentar esta cifra hasta el 50%,
mediante el uso de bobinas y trasformadores que prcticamente no tienen consumo para DC, o fuentes de corriente
moduladas por la propia seal. No es una buena cifra de eficiencia.
Abajo a la derecha se pueden ver tres etapas con salida clase A single-ended, que usan tres tipos diferentes de transistor:
BJT, mosfet e IGBT. Se puede ver que es semejante a una etapa de ganancia en voltaje, de hecho esa es su funcin. Pero
este tipo de etapa tiene una caracterstica que la hace utilizable para cargar un altavoz, a pesar de que segn se suele
entender, la etapa en emisor comn tiene una impedancia de salida alta. La examinaremos a continuacin:

La etapa clase A single-ended se puede analizar de la siguiente manera:

Donde gm es la transconductancia del transistor empleado y Rc es su resistencia

de colector. En el caso de de usar una fuente de corriente, se considera una
impedancia infinita. Cualquier intento de variar la tensin mediante cambios de
corriente producira cambios de tensin infinitos.

En el anlisis simple hemos visto que la ganancia depende de la resistencia de

colector, en este caso infinita por tratarse de una fuente de corriente, pero cuando
se conecta a una carga... no hay nada que asle la etapa de la carga (4 Ohm, por
ejemplo) y si el transistor (Q4,Q5) vara 10mA su corriente de colector esa
corriente ser demandada a la carga en lugar de a la fuente de corriente.
Suceder entonces que la tensin en la carga variar 40mV.

En trminos generales se entiende que la carga est en paralelo con la fuente de

corriente. Analizando este nuevo trmino en la ecuacin se deduce cualquier
impedancia finita en paralelo con una infinita (fuente de corriente) resulta en la
carga finita.

La carga (altavoz) se convierte en un componente ms de la etapa y deber ser

tenido en cuenta a la hora de analizar.

Esto tiene una gran importancia porque marca los parmetros de ganancia en lazo abierto, frecuencia de compensacin,
impedancia de salida,... es decir, este tipo de etapas tiene una gran dependencia de la carga, aunque en diseos
realimentados como el esquema propuesto el nivel de dependencia es mucho menor que en etapas clase A single-ended
donde la carga es pasiva, bien sea un transformador o una resistencia. Y mucho menor que en etapas donde no existe
realimentacin.
Bsicamente, la etapa con carga activa (fuente de corriente) se adapta a la carga (altavoz) mejor que ninguna otra, teniendo
en cuenta que un altavoz no tiene nunca la misma impedancia que otro altavoz diferente y que no tiene la misma impedancia
ante diferentes frecuencias.
Examinemos las caractersticas elctricas de las etapas expuestas anteriormente.
Se utiliza una carga de 4 Ohm para que sea ms sencillo ver los tipos de distorsin generados, y una fuente de corriente de
3A, lo que proporcionar un mximo de 12V a la salida.

En la parte derecha de la grfica podemos ver la entrada en recorte de todas las

versiones cuando el voltaje de salida se aproxima a +12 voltios, y en la parte de
la derecha podemos ver qu sucede cuando se tiende al recorte negativo.
El caso ms visible es el del transistor bipolar, que sufre una alta distorsin
causada por la disminucin de la ganancia a altas corrientes.

En la grfica de la derecha podemos ver qu forma tiene la distorsin de este tipo

de etapas, donde se ha exagerado para que sea visible. Es asimtrica, por lo que
podemos deducir que se generarn armnicos principalmente pares. No posee
picos abruptos, sino que es suave, ello permite deducir que no se generan
armnicos de alto orden.

En los otros dos tipos, mosfet e IGBT podemos ver cmo su entrada en saturacin/zona hmica es ms gradual y cmo no se
separan apreciablemente del comportamiento ideal hasta casi esa zona.

Examinemos la ganancia de la etapa completa. No hay mucho que comentar

sobre el comportamiento, salvo que el IGBT es el que ms tiende a la ganancia
perfecta, a pesar de que entre en saturacin antes que el mosfet. Recordemos
que las prdidas en los mosfet son causadas por la resistencia de su canal,
mientras que en un IGBT son de voltaje fijo.

Segn las circunstancias pueden ser menores en un IGBT o en un mosfet, slo depende de la corriente y de la resistencia en
"on" del mosfet.

Veamos qu sucede a nivel de distorsin armnica.

v load\etapa

BJT

MOSFET

IGBT

10Vp

0.594%

0.146%

0.029%

5Vp

0.19%

0.049%

0.0098%

2Vp

0.078%

0.018%

0.0046%

1Vp

0.036%

0.010%

0.0042%

Las cifras hablan por s solas. La transconductancia del dispositivo y su linealidad frente a grandes corrientes son el elemento
ms importante.
Respuesta en frecuencia
A nivel de ancho de banda es necesario comentar dos aspectos sobre los resultados, ya que a priori se alejan de lo habitual
por varios motivos. Pero veamos qu sucede:

El transistor IGBT es el que ms ancho de banda tiene (2.9MHz), seguido del

BJT, con una leve resonancia (1.35MHz) y en tercer lugar est el mosfet
(1.1MHz). Pero la etapa con transistor BJT muestra serios problemas de
estabilidad, marca de que la compensacin en frecuencia es insuficiente. En los
otros casos el ancho de banda est limitado mayormente por la compensacin en
frecuencia.

El primer factor presuntamente anmalo es el pobre ancho de banda del BJT, y

est causado porque el BJT empleado no es ninguna maravilla, aguanta mucha
potencia y esa es su virtud, no otra. Su ancho de banda es reducido y la
resonancia elctrica al final de la banda as lo demuestra.
La grfica de la derecha muestra el ancho de banda frente a la salida lineal,
donde se aprecia mejor el comportamiento.

Existen transistores BJT con mayores anchos de banda, en torno a 40MHz, lo cual dara mejores cifras que el actual, con
Ft=4MHz.
El segundo factor presuntamente anmalo es el mayor ancho de banda del IGBT sobre el resto, especialmente sobre el
mosfet. Habitualmente se entiende que los mosfet son ms rpidos que los IGBT, pero esto no tiene tanto que ver con las
caractersticas de conmutacin, donde es cierto que para corrientes no monstruosas (40A) los tiempos de almacenamiento,
subida y bajada son habitualmente menores en los mosfet, sino que tiene que ver con operacin lineal en clase A.
El caso del IGBT, el que ms ancho de banda posee en esta configuracin, realmente no est fuera de lo normal porque en
esta configuracin la capacidad de entrada dominante es la capacidad parsita de Miller y en los IGBT encontramos cifras
muy bajas en comparacin con transistores mosfet de semejante transconductancia. Por ejemplo, en el mosfet empleado
(IRF150) la transconductancia es de 11 Siemmens con 1100pF de capacidad gate-drain frente a 35 Siemmens y 300pF de
capacidad base-drain del IGBT. Esto dar lo que vemos a continuacin en una grfica de ganancia en lazo abierto:

En lazo abierto podemos ver que a pesar de que el condensador de Miller es

igual para todas las etapas, los polos no estn situados a las mismas frecuencias.
El caso ms evidente es el del transistor IGBT, y es la explicacin a su mayor
ancho de banda. La mayor ganancia en tensin hace que el polo dominante se
encuentre a frecuencias inferiores, pero el menor valor de capacidad parsita b-d
hace que su ancho de banda sea mayor.

Se ha aadido una etapa versin BJT con carga resistiva en lugar de carga activa, con una resistencia de colector de 8 Ohm
y una carga de 8 Ohm, para que la resultante sea de 4 Ohm y as est en las mismas condiciones que el resto de las etapas
mostradas. Y se puede comprobar una estrecha equivalencia entre la versin BJT con carga resistiva y versin BJT con carga
activa, lo que sirve para corroborar que la etapa clase A single-ended con carga activa se adapta a la carga, y que la carga
modifica sus parmetros de ganancia en lazo abierto, ancho de banda, etc,...
Para terminar esta seccin analizaremos el comportamiento de las tres etapas por separado, sin compensacin en frecuencia

y sin estar incluidas dentro de una etapa ni dentro de un lazo de realimentacin. En todos los casos se usa una resistencia de
10 Ohm en serie con la entrada de los transistores.

Se puede ver algo semejante a los resultados obtenidos con la etapa en lazo
abierto. El mayor ancho de banda corresponde al IGBT, seguido por el BJT y en
tercer lugar el mosfet.
Sin embargo ahora la ganancia de la etapa con BJT "parece" mayor.
Efectivamente, la transconductancia de los bipolares es alta, casi tanto como la
del IGBT, pero su baja impedancia de entrada degenera el trabajo de la etapa
anterior, lo que no sucede en el caso de mosfets e IGBTs.

Se debe observar tambin que la salida est desfasada 180 respecto de la entrada.
Anlisis del espectro de distorsin
Por ltimo, veremos las componentes espectrales de la salida de las etapas de salida mostradas anteriormente.
En primer lugar, la etapa clase A single-ended con transistores BJT con una salida de 10Vp y una carga de 4 Ohm.

Se puede apreciar la presencia dominante de armnicos pares, tambin la de

impares y que todos los armnicos decaen en valor a medida que aumenta el
orden. De hecho a partir de 5 armnico no se encuentran amplitudes
apreciables. Su THD es de un 2.7%.

La siguiente grfica corresponde a la etapa en versin mosfet con 10Vp de salida

sobre 4 Ohm. Adems de un menor fondo de ruido, debido a simulacin, se
puede apreciar el bajo orden de los armnicos creados, es fcil ver que el nivel
del 3er armnico es notablemente inferior al de la versin BJT y que el 4 ya est
130dB por debajo del fundamental. THD=10.4%, lo que no es una buena cifra.

La ltima corresponde a la etapa de salida versin IGBT con las mismas

condiciones que el resto. Se puede apreciar un amplio espectro de distorsin, y
que numricamente... parece ser mayor que los dems, no slo en amplitud sino
en valor. De hecho es un 10% de THD.
En el fondo un IGBT rene las distorsiones de los BJT y de lso FETs.

Qe sucede? Esto no parece concordar con las cifras mostradas en las etapas completas. Pero las etapas completas son lo
que su nombre indica, un sistema completo, y en un anlisis adems de tener en cuenta las caractersticas de salida hay que
tener en cuenta otras, como ganancia, impedancia de entrada, linealidad de la impedancia de entrada, que van a marcar
grandes diferencias en lazo cerrado. Por esto no podemos quedarnos con una sola idea.
Ahora examinaremos las caractersticas de salida sobre 4 Ohm y 1Vp.

En primer lugar, la etapa versin BJT. El espectro ha variado considerablemente,

aunque el orden de los armnicos generados es semejante a la salida de 10Vp,
el tercer armnico ha disminuido relativamente del 1,1% al 0,009%, mientras que
el 2 armnico pasa de un 2.46% a un 0.35%, y pasa a ser absolutamente
dominante en la THD, que es 0,35%.

A la derecha se muestra la etapa versin mosfet con una salida de 1V. Aqu las
diferencias espectrales con la salida de 10V son menores que en el caso anterior,
aunque tambin se puede observar una disminucin relativa del tercer armnico,
de un 0,015% a un 0,00086%, siendo que la distorsin total est marcada por el
2 armnico, que en este caso cae hasta el 1.04%. No hay disminucin relativa.

Por ltimo, examinaremos la etapa en versin IGBT. El espectro ha cambiado

notablemente. Los armnicos de orden superior se han desplomado, y se ha
variado el rango del eje Y para que se puedan ver las componentes superiores.
La distorsin ha disminuido del 10% al 1% y ahora . El segundo armnico
permanece invariante en proporcin (marca del FET), pasa de un 10% a un 1%, y
es claramente dominante en la cifra total de distorsin, ahoa es un 1%.

BREVE CONCLUSIN
De esto se pueden sacar conclusiones interesantes, lo veremos al final del artculo, pero ahora comentaremos brevemente la
relacin de estas cifras con la audicin. Basndonos en las conclusiones de la psicoacstica sobre enmascaramiento acstico
se puede asegurar que estas cifras siguen un patrn muy prximo a los mecanismos de audicin porque el odo es ms
sensible a los armnicos de alto orden y posee una alta permisividad a los de bajo, especialmente al segundo. Como hemos
visto es el dominante y adems posee otras caractersticas que no quiero calificar de positivas, sino de menos negativas, que
los de orden impar.
Tambin el enmascaramiento exhibe una dependencia directa aunque no lineal frente al SPL, y este tipo de etapas de salida
genera niveles bajos de distorsin frente a amplitudes bajas, y porcentajes altos de distorsin frente a grandes amplitudes.

Etapas de salida push-pull:

Las etapas push-pull funcionan en colector/drenador comn y operan habitualmente con transistores complementarios.
La salida se toma de dos puntos de baja impedancia como son los emisores y fuentes. Y esta es la gran ventaja de este tipo
de etapa, la impedancia de salida es muy baja y no es posible obtener impedancias de salida tan bajas por ningn otro
mtodo.
El principal problema es que los transistores de salida requieren un cierto voltaje para empezar a conducir, y sta es la causa
de todos sus problemas.
Una ventaja es que este tipo de etapas posee una eficiencia bastante alta, hasta un 75% a nivel terico, lo que es una gran
ventaja sobre las etapas single-ended.

CLASE B:

La etapa push-pull clase B consiste en una etapa en colector comn sin ninguna
red de polarizacin. Su consumo en reposo es nulo, pero su distorsin es tan
grande que resulta inaceptable por el simple motivo de que hay mtodos que
permiten disminuirla de forma muy notable con una inversin mnima.
A da de hoy es un tremendo error elegir un tipo de etapa que genera estos
niveles de distorsin.

Slo cuando el amplificador amplifica baja frecuencia puede funcionar al aadir la

realimentacin. La condicin es que los transistores de salida deben ser muy
rpidos, y amplificador debe tener realimentacin en continua.
Arriba a la derecha podemos ver un amplificador con una etapa de salida clase B
con transistores bipolares y a la derecha una con transistores mosfet. Las
resistencias de puerta son necesarias.

El principal problema de la clase B es que la tensin de control de los transistores

debe estar a un cierto valor por encima de 0V para que el transistor de salida
empiece a conducir.
Si no se corrigiese, todo lo que quede por debajo de esta tensin mnima de
control no se reproducira, quedara cortado.

Se puede apreciar que la distorsin es simtrica, lo que indica armnicos de orden impar, y que posee picos abruptos, lo que
es marca de armnicos de alto orden.
A la derecha podemos ver la funcin de transferencia de una etapa en clase B
con transistores bipolares. Se puede ver que en un intervalo en torno al cero la
salida es cero. Todas las seales de entrada que estn entre -1,4 y +1.4V
producen salida cero.
Podemos ver un fenmeno no lineal en este tipo de etapas: la reduccin de la
ganancia con la amplitud. Los extremos de la cruva de salida se curvan y tienden
a una lnea horizontal, es decir, sin ganancia.
En la grfica de ganancia de la etapa con BJT podemos verlo de una manera
ms cmoda: alrededor de cero la ganancia es cero y en los extremos se reduce.
La reduccin de ganancia en los extremos causa una distorsin llamada
distorsin de gran seal y que tiene lugar por el tipo de transistor. Con grandes
corrientes de colector la beta del transistor se reduce y demanda ms corriente
de base, lo que empeora el trabajo.
Todas las grficas de ganancia y funcin de transferencia se toman sobre una
carga de 1 Ohm para que sean ms visibles las alinealidades. Esto ser
explicado en detalle en prximas secciones.
Esta es la funcin de transferencia de una etapa mosfet, donde se pueden
apreciar dos cosas a simple vista: Una es que la tensin alrededor de entrada
cero que producira salida cero es mayor que en los BJT. Es lgico, las tensiones
de control estn en torno a 3.5V frente a los 1.4V del driver+transistor de salida
de la versin bipolar.
Podemos ver tambin que la pendiente es ms baja, signo de una menor
ganancia en tensin,

En la grfica de ganancia todo se ve con ms detalle, pero lo que resalta es que

los extremos no estn curvados, a diferencia del BJT se mantienen e incluso
aumentan la ganancia.
A pesar de las peores cifras en alta potencia el comportamiento de los mosfet es
mejor.

Sabemos que un sistema realimentado tiende a corregir sus distorsiones y se

produce el mismo fenmeno en una etapa de audio. La etapa tiene que
proporcionar un cierto offset para que los transistores entren en conduccin, y es
lo que vemos en la grfica de la derecha: la respuesta temporal a una onda de
1kHz a la salida y en el punto justo anterior a la etapa de salida, se puede
comprobar que la onda posee la distorsin inversa a la de la clase B.

Esta es la misma grfica pero para la versin mosfet. Estos transistores tienen
una mayor tensin mnima para empezar a conducir y la distorsin es mayor, de
hecho en la grfica ampliada se puede ver un pico cuando la onda cruza en cero.

El slew-rate tiene que ser muy alto para corregir la tensin mnima de base a emisor inmediatamente, sin distorsin audible.
Los mosfet no son una buena opcin para estas etapas, ya que la tensin que hay que superar para que estos transistores
empiecen a conducir es an mayor. Tambin tienen una capacidad parsita importante y son ms difciles de controlar a alta
frecuencia porque esta corriente sale de la etapa de ganancia en voltaje que carga con la etapa de salida, y 10mA no pueden
producir cambios de tensin rpidos en las capacidades de entrada de los mosfet.
En la siguiente tabla podemos ver la distorsin armnica de las dos etapas sobre diferentes cargas, y con una salida de 11
voltios de pico.
Z load\etapa

BJT

MOSFET

8 Ohm

0.026%

0.110%

4 Ohm

0.033%

0.115%

2 Ohm

0.065%

0.120%

Se puede ver a simple vista una mayor inmunidad de los mosfet a cargas complicadas, aunque numricamente su distorsin
sea mayor. En la siguiente tabla podemos ver lo mismo a 10kHz.
Z load\etapa

BJT

MOSFET

8 Ohm

0.169%

4.466%

4 Ohm

0.174%

4.846%

2 Ohm

0.182%

5.085%

Las cifras son lgicamente mayores que a 1kHz, las distorsiones tienden a aumentar en agudos, y se puede ver claramente
cual es el punto dbil de la clase B: la alta frecuencia. El resultado de los mosfet es muy pobre.

Veamos porqu: En la grfica de la derecha podemos ver la salida de la etapa

con mosfet a 10kHz. Cada cruce por cero se produce un pico: es la transicin
entre la conduccin del mosfet de canal N y la conduccin del mosfet de canal P.
La transicin tiene una duracin ms o menos fija, cuantas ms veces se
produzca esta transicin en un determinado intervalo, mayor ser el porcentaje
de tiempo en el que la etapa produce error.

Por esto a alta frecuencia este intervalo produce errores mayores.

En todas las mediciones el espectro de armnicos tiene a los impares como dominantes y casi no se reducen a medida que
aumenta el orden. Es una distorsin muy nociva, no decrece con la frecuencia y alcanza rdenes muy altos.
En la siguiente tabla se puede ver el comportamiento frente a la amplitud de salida, a 4 Ohm y a 1kHz.
v load\etapa

BJT

MOSFET

21Vp

0.079%

0.082%

11Vp

0.033%

0.115%

5Vp

0.043%

0.215%

2Vp

1.005%

0.519%

1Vp

2.006%

1.033%

0,5Vp

3.851%

1.935%

0.2Vp

1.021%

4.652%

0.1Vp

0.014%

0.014%

A primera vista se puede ver algo claro: La distorsin aumenta a medida que decrece la amplitud. Esto es porque las
componentes de distorsin son cada vez menores en relacin al voltaje total. El pico en el cruce por cero se puede ver que
existe siempre aunque numricamente sea menor en relacin con la onda. En la etapa con BJT vemos que al dar 21 voltios
de pico se produce una distorsin mayor que a 11Vp, mientras que la etapa con mosfet sigue una proogresin regular. Esto
se debe a que la etapa con BJT sufre distorsin de grandes seales, por la imposibilidad de entregar ms corriente.
Y a muy baja amplitud vemos que de pronto las cifras de distorsin se desploman y llegan a niveles realmente bajos. Esto
choca completamente con el prrafo anterior, pero en realidad tiene una explicacin muy sencilla: La etapa tiene un cierto
offset de voltaje (-0,16V) que le hace entregar una pequea cantidad de corriente a la carga.

Esta pequea corriente mantiene en un estado de conduccin a los transistores

de salida y evita literalmente la distorsin de cruce, se puede ver que cuando la
tensin de pico es menor que la del offset la distorsin es muy baja.
En la grfica de la derecha se puede ver en detalle que la transicin de P a N se
produce exactamente cuando la salida cruza el cero.

Anlisis del espectro de distorsin

Es evidente lo grave que es la distorsin de cruce, pero ahora veremos una grfica que nos mostrar lo terriblemnte nociva
que es: la descomposicin en serie de Fourier de una etapa de salida clase B con transistores BJT y 10Vp de entrada, sobre
4 Ohm

En la seccin de etapas clase A single-ended mostramos hasta 20 kHz de ancho

de banda, pero aqui se muestran 100kHz, y los armnicos siguen hasta varios
MHz y no se reducen de forma apreciable, a 97kHz el armnico correspondiente
est a slo 50dB por debajo de la seal.
Se puede ver los armnicos pares con menor amplitud intercalados entre los
impares

Debemos sealar que las componentes de intermodulacin crecen en nmero y amplitud a medida que aumenta la
"angulosidad" de la funcin de transferencia porque esta angulosidad supone la creacin de ms armnicos. Y en este caso,
donde se pasa de pendiente 1 a pendiente cero en mrgenes de voltaje muy estrechos, los ngulos estn asegurados. Si
para una onda existen n armnicos, para dos de frecuencias no mltiplo existirn ~n^2 componentes de intermodulacin. La
msica es una seal muy compleja, puede haber decenas e incluso cientos de armnicos fundamentales.
La grfica con la etapa de salida clase B versin mosfet es an peor, pero con estos niveles de armnicos es difcil distinguir
algo.
DISERTACIN SOBRE LA DISTORSIN
A tenor de las cifras un ingeniero podra pensa que no es peor que una etapa de vlvulas single-ended de caldeo directo, que

tiene cifras de distorsin en estos niveles, y que sera siempre ms adecuada la clase B porque es ms eficiente. Pero
examinando estas cifras a nivel psicoacstico tenemos:
Se generan armnicos de distorsin con rdenes muy altos.
Prcticamente su amplitud no decrece con el aumento de la frecuencia.
Tienen porcentajes mayores a medida que decrece la amplitud de la seal.
El hecho de que sean de orden impar es anecdtico comparado con lo dems.
Es evidente que sus espectros de distorsin, los rdenes de los armnicos y su comportamiento frente a la amplitud son
completamente antagnicos. En la etapa single-ended todo se acerca a los mecanismos de audicin de nuestro odo y en la
etapa clase B todo se aleja. No pretendo demostrar nada porque el tiempo y la prctica se han encargado de ello, ya est
demostrado: en audio las etapas single-ended han sobrevivido al tiempo y las clase B no.
THD por s misma es una cifra incompleta y quizs algn da se haga comprender a los seguidores de las cifras que es
necesario examinar ms a fondo esas cifras porque para nuestro odo no vale lo mismo un 1% de 2 armnico que un 1% del
5. Quizs los amantes de las vlvulas comprendan que los SET-DH no suenan mejor por tener un 5% THD sino porque ese
5% THD es prcticamente el 2 armnico en solitario. Sonara mejor si fuese un 1% con una condicin necesaria: tener el
mismo espectro.
En cambio para alimentar motores sncronos nunca nadie se plante usar una etapa single-ended y s se plante que los
armnicos de orden impar restaban potencia al motor y haba que reducirlos. Porqu se exhibe tan arrogantemente el
desconocimiento de un campo como el audio si en otros se aplican los mismos conceptos?

CLASE AB:
Esta es la etapa de salida usada por la gran mayora de amplificadores comerciales.
Este tipo de etapa se basa en incluir una red que compense la tensin mnima para que los transistores de salida empiecen a
conducir, de esta manera se puede reducir la distorsin de cruce a niveles bajos. Sin embargo, la tensin de control de los
transistores es dependiente de la temperatura y es necesario usar una tensin que vare igualmente con la temperatura para
evitar desajustes. Esto se explica ms en detalle en el artculo sobre compensaciones trmicas.

Habitualmente se usa una red denominada multiplicador de Vbe, que consiste en

una etapa que amplifica la tensin Vbe de un transistor. Este transistor debe estar
anclado al mismo radiador que los de salida y tendr una referencia de su
temperatura, para que la pueda compensar de forma rpida y eficaz.
Como se puede ver en la imagen se ha aadido un transistor Qt entre las bases,
y dos resistencias, Rt1 y Rt2. La tensin que mantiene esta red entre las bases
de Q15 y Q21 es igual a Vbe(Qt)*(1+Rt2/Rt1). Si vara Vbe por la temperatura,
variar la tensin de control.

Fjese en que es la frmula de la ganancia en la etapa no inversora, porque es

eso, una etapa de amplificacin no inversora y realimentada.
Existe un equivalente para mosfet que debera llamarse multiplicador de Vgs.
Para obtener una compensacin ms adecuada se debe usar un tipo de
transistor semejante a los de potencia, para que tengan coeficientes trmicos lo
ms parecidos que sea posible.

Compensado la mnima tensin para que empiecen a conducir se puede corregir

de manera muy significativa la irregularidad en la transicin, como podemos ver
en la grfica de respuesta temporal de la etapa con transistores bipolares, a la
derecha.

Se han includo las tensiones de base de los drivers para que pueda verse que la
la correccin que hay que hacer ahora es notablemente menor.
En la grfica de la derecha se muestra lo mismo pero en la versin mosfet.
Tambin se aprecia un cambio significativo en la correccin del cruce por cero.

En ambas etapas hay una corriente que atraviesa los dos mosfet y tiene un valor de un miliamperio. Esto supone un consumo
despreciable frente a las potencias que se pueden entregar.
Sin embargo se siguen observando unas ciertas alinealidades en el cruce en cero, son fruto de las caractersticas de ambos
transistores.

Podemos verlo mejor en la grfica de la funcin de transferencia. En este caso ha

sido necesario intercambiar los ejes para que se pueda ver la funcin de
transferencia de ambos conjuntos NPN y PNP.
Se puede observar que en torno a 1,4V se producen irregularidades.

Lo mismo sucede en la grfica de la funcin de transferencia de los mosfet, slo

que esta vez estn en torno a 3V y las irregularidades son mayores.
Esto se debe a que todos los transistores son muy poco lineales cuando la
corriente de colector/drenador es baja.

Para verlo haremos un barrido de tensin desde cero hasta 30V, con una carga de 0,5 Ohm y veremos en detalle qu es lo
que sucede a nivel de transistores.
Si observamos la curva de transferencia de los transistores Mosfet y BJT+driver, podemos ver lo que ya sabamos, que es
necesaria una cierta tensin para que empiecen a conducir y que a partir de ese punto siguen de forma ms o menos fiel a la
tensin de entrada.

Tambin vemos que cuando hay que entregar grandes cantidades de corriente
los transistores bipolares tienen problemas. Sin embargo las grficas parecen
razonablemente planas en su inicio, pero es una simple cuestin de escala.

Pero es a un nivel ms bajo donde hay que examinar, para esto hemos
convertido a ejes logartmicos y se podr apreciar mejor qu sucede a voltajes
menores.
Y aqu est. Se observa una notable falta de linealidad cuando las corrientes que
circulan son bajas. Y lo que veremos en el siguiente grfico con ms detalle: muy
baja ganancia cuando la tensin de control se acerca a cero.

A la derecha se muestra una grfica de la ganancia de la etapa de salida, que

como sabemos es prxima a la unidad.
En la versin bipolar est a un nivel en torno a 0.95 y se puede ver de forma
evidente lo expuesto anteriormente: en torno a cero la ganancia de la etapa de
salida es muy baja. Tambin se puede ver el efecto que tiene en la ganancia la
reduccin de beta a altas corrientes de colector.
Tambin se puede apreciar una cierta asimetra en la parte NPN y la parte PNP.
Esto se deriva de que los propios transistores son diferentes y causar armnicos
de orden par.
En la versin mosfet vemos lo mismo pero con dos diferencias. Una es que la
ganancia en tensin es ms baja, concretamente 0.85 como valor medio y
tambin que no se produce reduccin de la ganancia a altas corrientes de
drenador.
La reduccin de la ganancia en las proximidades de cero ser la principal causa
de distorsin cuando la salida tienda a cero, la baja ganancia y linealidad de los
transistores.

Vemos pues que hemos mitigado el problema pero no lo hemos resuelto. La solucin inmediata debera consistir en que la
corriente que atraviesa los transistores fuese mayor y se evitasen las zonas menos lineales.
Sobre polarizacin.
La corriente que atraviesa los dos transistores de salida se denomina corriente de polarizacin.
Se puede aumentar variando la red de polarizacin, el multiplicador de Vbe o Vgs, concretamente aumentando el valor de
Rt2. De esta manera se puede hacer que los transistores de salida slo funcionen en las zonas ms lineales. Como
contrapartida, sta corriente supone un consumo y una reduccin de la eficiencia, pero como veremos las prestaciones a nivel
de distorsin de esta etapa van en contra de la eficiencia.

Como ejemplo usamos la etapa en versin mosfet. Vamos a hacer una

comparativa entre las tensiones de compensacin y las grficas de ganancia.
A la derecha se muestran las grficas para clase B, para una compensacin de 2
voltios para cada transistor y una compensacin total, con una corriente de
polarizacin de 1mA. Vemos que las curvas tienden al centro.

Luego este es el mtodo. Con una corriente de 500mA la grfica habla por s
sola. Se reduce de una manera muy considerable la alinealidad en las
proximidades de cero.
Pero se produce un consumo en reposo 500 veces mayor.

A la derecha podemos ver una comparativa entre distintas corrientes de

polarizacin y es evidente que todo mejora a medida que se aumenta el
consumo. Fjense que el rango no es entre 0 y 1 sino entre 0,4 y 1, se ha
aumentado para distinguirlas mejor.
La siguiente grfica es una comparacin entre las funciones de transferencia de
todas las opciones probadas.

Se puede ver que la que ms se aproxima a una recta es la que tiene un amperio
de polarizacin. Ntese que est ampliada.

Con transistores bipolares ocurre una situacin semejante pero agravada porque
estos dispositivos sufren distorsin de gran seal. A primera vista en el cruce por
cero se puede advertir una gran linealidad, mayor que en los mosfet, pero en los
extremos es donde se muestra su punto dbil, la recta se curva tendiendo a una
recta horizontal. Cualquier polarizacin es mejor que la clase B.

En las grficas de ganancia vemos todo con ms detalle y se puede apreciar que
una corriente de polarizacin de 1mA es insuficiente, aunque en general se
obtienen niveles de linealidad mayores que con mosfet a igualdad de corriente. Y
por contra, en los extremos se ve que las polarizaciones que mejor respuesta dan
en el cruce, se comportan peor ante grandes seales.

Llegamos a un punto en el que puede surgir una duda. Si la etapa tiene una ganancia en lazo abierto de varios millones,
porqu preocuparnos de que ahora se gane 0,5 veces ms o menos?
La respuesta es sencilla: Porque la ganancia de la seccin de ganancia en voltaje se multiplica por la ganancia de la etapa de
salida, y esa diferencia entre polarizaciones puede reducir de forma drstica la ganancia en ciertos voltajes, por lo que
suponer que la realimentacin se encarga de todo no es una buena premisa. Ayuda, pero hemos visto que cuando la
ganancia era cero en ciertos mrgenes de la clase B la etapa no responda, y aqu en lugar de no responder, responder
peor.
Influencia de la carga:

Hemos visto en las etapas en clase B cmo una carga ms baja produce un
aumento de la distorsin. En este tipo de etapas sucede exactamente lo mismo.
A la derecha se puede ver una funcin de transferencia de una etapa clase AB
versin mosfet con 500mA de polarizacin. Las grficas son casi coincidentes
pero hay una que se aproxima a una recta perfecta mientras que las dems
sufren leves desviaciones.

Se han usado 5 cargas distintas: 2, 4, 8, 16 Ohm y una en la que la etapa

funciona sin carga, una resistencia infinita.
La que opera sin carga se aproxima a ganancia unidad perfecta, y a medida que
se va haciendo menor la carga se va reduciendo la ganancia y su linealidad.

En transistores bipolares pasa lo mismo pero agravado por un factor, es que

tienen un tipo de distorsin que no tiene lugar en los mosfet, es la distorsin de
gran seal. Sin embargo se puede ver que con una polarizacin del orden de
200mA la funcin de transferencia es muy lineal y sobre todo: muy prxima a la
unidad, es la gran diferencia frente a los mosfet.

A la derecha podemos ver la grfica de ganancia para las impedancias de 2, 4, 8,

16 Ohm y una aadida con la salida sin carga. En esta grfica se usa la misma
escala que en la equivalente con mosfet para que se puedan ver claramente las
diferencias. Hay ms ganancia y son ms constantes salvo en los extremos,
donde afecta la distorsin de gran seal.

Aumentando la imagen podemos ver ms en detalle que la distorsin de cruce es

menos abrupta, la asimetra entre transistores tipo PNP y NPN y que los
mrgenes en los que vara son muy estrechos.

En ambas situaciones se puede ver claramente que las prestaciones disminuyen a medida que disminuye la carga, el caso de
la impedancia infinita es casi perfecto en ambas, aunque es levemente mejor en las mosfet. Tambin vimos lo mismo en la
etapa en clase B, la distorsin armnica aumentaba con cargas ms bajas. Siempre es ms recomendable hacer que la etapa
cargue con una impedancia lo ms alta posible.
Examinmos a nivel de cifras de distorsin armnica. Se emplean las etapas en versin bipolar y mosfet, la primera con
200mA de polarizacin y la etapa con mosfet con 500mA, son cifras que las hacen ms o menos equivalentes, los mosfet
requieren ms corriente de polarizacin para obtener la misma linealidad. Con una seal de salida de 11vp y una frecuencia
de 1 kHz tenemos lo siguiente:
Z load\etapa

BJT(500)

BJT(200)

Mosfet(500)

Mosfet(200)

8 Ohm

0.017%

0.018%

0.011%

0.012%

4 Ohm

0.027%

0.028%

0.012%

0.013%

2 Ohm

0.065%

0.065%

0.013%

0.014%

Vemos que los resultados son semejantes a los de la etapa clase B salvo por la drstica reduccin del valor de la distorsin
con los mosfet. Pero sus niveles de incremento son semejantes, la etapa con mofet tiene una gran inmunidad a los valores de
la carga mientras que con transistores bipolares, sta distorsin crece en una proporcin semejante a la clase AB. Y se
deduce que el factor dominante en esta etapa no es el cruce por cero sino la distorsin de gran seal.
Ahora examinaremos las mismas etapas a una frecuencia de 10kHz.
Z load\etapa

BJT(500)

BJT(200)

MOSFET(500)

MOSFET(200)

8 Ohm

0.014%

0.014%

0.016%

0.017%

4 Ohm

0.024%

0.024%

0.022%

0.025%

2 Ohm

0.061%

0.061%

0.030%

0.044%

En la versin con transistores bipolares tenemos ms de lo mismo, las cifras son menores porque ahora afecta una
insuficiencia en el ancho de banda pero tienen las mismas proporciones. Si las comparamos con la etapa clase B con
bipolares se puede ver que la mejora es muy significativa.

En cambio los mosfet ahora parecen ms sensibles a la carga. Es porque a alta

frecuencia entra en juego un factor ms: la capacidad no lineal de entrada, algo
que habitualmente no se tiene en cuenta pero que est ah. Y esta capacidad se
tiene que cargar desde una alta impedancia, la anterior etapa de ganancia en
voltaje, lo que producir necesariamente distorsin. Vemos las corrientes de
puerta de los mosfet y se puede apreciar una no linealidad evidente.

Sin embargo sus cifras son buenas y si se comparan con la etapa en clase B con transistores mosfet el cambio es an ms
drstico que con los bipolares, se pasa de algo terrible como es un 5% THD a un 0,03%, que a 2 Ohm y 10kHz es una cifra
buena.
Veamos ahora los valores de distorsin con las mismas etapas, con una carga de 4 Ohm y una frecuencia de 1kHz frente a

diferentes voltajes y dos posibles corrientes de polarizacin, 200 y 500mA.

v load\etapa

BJT(500)

BJT(200)

Mosfet (500)

Mosfet (200)

21Vp

0.082%

0.082%

0.0318%

0.0319%

11Vp

0.027%

0.028%

0.0127%

0.0145%

5Vp

0.011%

0.013%

0.0055%

0.0066%

2Vp

0.0043%

0.0062%

0.0020%

0.0029%

1Vp

0.0027%

0.0035%

0.0014%

0.0018%

0,5Vp

0.0058%

0.0071%

0.0029%

0.0035%

0.2Vp

0.015%

0.016%

0.010%

0.013%

0.1Vp

0.047%

0.032%

0.036%

0.023%

Se puede ver que la distorsin a niveles bajos crece, lo que es marca de la distorsin de cruce, de la misma manera que
suceda en las etapas clase B pero con valores mucho menores y ahora sin ayuda de un offset de DC. Tambin se puede
comprobar que las etapas con bipolares son menos sensibles a la corriente de polarizacin que las etapas con salida mosfet.
Se puede ver que las cifras de distorsin entre la polarizacin de 200mA y 500mA no sufren grandes variaciones, mientras
que en la versin mosfet esta variacin puede ser mayor del doble, en proporcin.
Respuesta en frecuencia.
En este caso slo analizaremos la respuesta en frecuencia de la etapa de salida, sin que est incluida dentro de la etapa, sin
compensacin en frecuencia y sin ningn lazo de realimentacin.

En ambos casos la ganancia en tensin es muy prxima a 0dB, y que se obtiene

un ancho de banda prximo a 1MHz.
En el caso de la salida mosfet se obtiene un filtro paso bajo casi perfecto,
mientras que en la versin bipolar la existencia de dos transistores con anchos de
banda diferentes muestra el comportamiento aparentemente errtico.

La salida est en fase con la entrada.

Anlisis del espectro de distorsin
La ltima parte del anlisis trata de examinar las componentes armnicas de las etapas de salida push-pull clase AB en
solitario, con polarizacin de 200mA y una salida de 10Vp.

A la derecha se muestra la etapa versin BJT. A simple vista se puede observar

una notable mejora respecto de la clase B, no slo los armnicos tienen una
menor amplitud sino que decrecen a medida que aumenta el orden. Pero nada
comparable a las etapas clase A single-ended.

Tambin se puede observar que los armnicos impares son dominantes y que los armnicos pares se encuentran
intercalados entre ellos. THD=0.2%

A la derecha se puede ver la descomposicin de la salida de la etapa de salida

mosfet. No se produce una disminucin tan evidente del nivel de los armnicos y
se alcanza una cifra de distorsin armnica del 0.613%. Este resultado no
debera sernos ilgico porque hemos visto el mismo comportamiento en las
etapas clase A single-ended, y ya hemos mencionado que dentro de un sistema
adems de las caractersticas de salida hay que tener en cuenta otras
caractersticas.

Por ltimo, estudiaremos el espectro armnico con una seal de salida de 1V.

En la versin BJT se puede apreciar una notable mejora tanto en el nivel como en
la reduccin de la amplitud frente al orden. Los armnicos pares son dominantes
ahora, aunque tienen un nivel muy similar a los consecutivos impares; eso es
debido a las caractersticas desiguales entre los transistores tipo PNP y tipo NPN.
THD=0.047%

En la versin mosfet tambin se aprecia la reduccin de los armnicos frente al

orden, y como curiosidad, los armnicos pares son dominantes, pero es fruto de
una mayor desigualdad entre el mosfet de canal N y el de canal P empleado en
este ejemplo. THD=0.188%. Proporcionalmente se ha reducido ms la distorsin
en la etapa de salida versin BJT.

En todo caso estas cifras suponen un gran alivio sobre la clase B en la tarea de construir una etapa que adems de buena
cifras cumpla con las premisas de la psicoacstica.

inicio

CLASE A push-pull.
Hemos visto las mejoras que introduce una gran corriente de polarizacin en las etapas de salida, con el precio de mayor
consumo y menor eficiencia. Cada uno debe evaluar si compensa la reduccin de distorsin en cada caso particular.
Pero an se puede llegar ms lejos y usar polarizaciones tan altas que en operacin normal los transistores nunca lleguen al
estado de corte, aumentando ms la linealidad de la etapa de salida. Es lo que se denomina clase A push-pull.
Tiene una eficiencia del 50% mximo, y es el doble que la eficiencia de las etapas en clase A single-ended. Su calidad es
muy alta. Se eliminan de golpe varias fuentes de distorsin motivadas por la transicin corte-conduccin de un transistor.
Como problema, su consumo es muy alto. La mitad de la corriente se invierte en operar en la zona ms lineal y no en
proporcionar potencia a la carga. Esto supone una fuente de alimentacin ms grande y cara, y disipadores de calor todava
ms grandes y caros, o clulas de Peltier. El uso de ventiladores est reservado a las mentes menos privilegiadas porque de
nada sirve reducir la distorsin a -80dB si la relacin seal/ruido est -60dB, especialmente cuando esto supone tener una
"barbacoa" en el saln.

A la derecha se pueden ver las curvas de ganancia de la versin mosfet con

polarizaciones de 1, 2 y 5 Amperios. Son muy cercanas a la perfeccin.
El precio que hay que pagar es la reduccin de la eficiencia.

Ms cercanas a la perfeccin son las curvas de la versin con transistores

bipolares pero slo en un reducido margen. Cuando la distorsin de gran seal
pasa a ser dominante su comportamiento est muy lejos de lo esperado. Se ha
incluido una polarizacin de 500mA.

corriente de polarizacin pasa del 0.0144% al 0.000155%. Las siguientes medidas se han obtenido con las corrientes de
polarizacin y los voltajes que se indican, en una carga de 4 Ohm a 1 kHz.
v load\etapa

BJT(2A)

BJT(200mA)

Mosfet (2A)

Mosfet (200mA)

20Vp

0.01644%

0.02232%

0.00022%

0.00228%

10Vp

0.00455%

0.01027%

0.00008%

0.00225%

5Vp

0.00195%

0.00647%

0.00012%

0.00221%

1Vp

0.00678%

0.00199%

0.00033%

0.00060%

Puede observarse la tremenda superioridad de los mosfet con corrientes de polarizacin muy altas, y que para los niveles
usuales de potencia su superioridad es escandalosa. En una simulacin aparte, con la versin mosfet y una corriente de
polarizacin de 6 A se obtiene la siguiente cifra para una salida de 5 voltios de pico sobre 4 Ohm: 0.000082%. No es
necesario hacer ms comentarios, pero s convendra sealar que el consumo en reposo sera de casi 500W.
Nada es gratis.
Respuesta en frecuencia
Ahora haremos una comparacin entre el ancho de banda de estas distintas etapas.

En primer lugar usamos las etapas usadas en las simulaciones. En ellas se

puede ver que existe una gran superioridad de la etapa con transistores bipolares
sobre la versin mosfet, de hecho la versin mosfet est al borde de la
inestabilidad y presenta una resonancia elctrica.
Sin embargo, la versin bipolar cuenta con una ventaja, y es que posee dos
transistores cumpliendo la funcin de drivers que permiten cargar con la
capacidad parsita base-emisor y base-colector de los transistores de salida.

En la versin mosfet la capacidad de entrada se carga desde una alta impedancia y esto es la causa del pobre ancho de
banda. Tambin las resistencias de puerta forman un filtro paso bajo que limita este ancho de banda, aunque son necesarias
para mantener la estabilidad de la etapa.
Pero cambiemos la topologa y optimicmosla para dar un mayor ancho de banda y que las dos etapas estn en igualdad de
condiciones. Se aaden drivers con transistores bipolares y resistencias para que se descargue la puerta.
En los transistores bipolares esta capacidad se puede descargar por el diodo base-emisor, pero en los transistores mosfet,
esta capacidad es un condensador perfecto y no posee posibilidad alguna de descargarse. La resistencia en serie con la
puerta se reduce ahora a 10 Ohm.

Y observamos una notable mejora en las prestaciones dinmicas de la etapa en

versin mosfet, llegando a igualar los parmetros de ancho de banda, aunque
an con un menor margen de fase causado porque las limitaciones dinmicas de
los mosfet son mayores que en los bipolares, principalmente por la dificultad que
suponer cargar la puerta.

Si comparamos la etapa clase B con la clase AB en versin bipolar podemos

observar la superioridad dinmica de la clase AB. Aunque el margen de fase lo
marca la compensacin y es prcticamente el mismo, en la clase AB no existe
resonancia elctrica, su desviacin de la fase es mucho ms suave por este
motivo.

Para distintas corrientes de polarizacin el ancho de banda no aumenta significativamente, una vez superado un valor de
polarizacin que de un mnimo de linealidad a la etapa de salida.
Anlisis del espectro de distorsin

Un resultado curioso. No les recuerda esta grfica a la de 200mA de

polarizacin y amplitud 1Vp del apartado anterior?.
Es el resultado de la etapa BJT con 2 A de polarizacin con 10Vp de salida. El
espectro armnico es muy semejante a la grfica que hemos comentado, decrece
con el orden, lo cual a nivel psicoacstico es positivo, y ms positivo si se tienen
en cuenta que se generarn menos componentes de intermodulacin.
THD=0,025%

En el caso de la etapa mosfet podemos ver una analoga similar, tiene un

espectro armnico muy semejante al de la etapa clase AB mosfet con 200mA de
polarizacin y salida de 1Vp.
Ahora THD=0,015%, y se ha reducido notablemente la presencia del 2 armnico.
Por primera vez en todos los anlisis los transistores mosfet muestran
caractersticas propias de salida mejores que los BJT. Este es su punto fuerte.

Con una salida de 1Vp la etapa de salida versin BJT muestra un espectro
realmente atractivo.
THD=0,00448%.

Y con 1Vp de salida, la etapa en versin mosfet muestra un espectro an ms

atractivo.
THD=0,0037%
No es necesario comentar estas dos ltimas grficas.

ETAPAS DIFERENCIALES
Introduccin
Etapa diferencial bsica
Etapa diferencial con fuente de corriente
Etapa diferencial con otros tipos de transconductor
Modo cascodo
Fuente de corriente cascoda
Degeneracin de emisores
Influencia de la corriente de polarizacin
Igualdad entre los transconductores
Emparejamiento de los transconductores
Igualdad entre las corrientes de las ramas
Configuracin CFP
Cargas activas y espejos de corriente
Disear con la cabeza
Introduccin
Las etapas diferenciales funcionan de la misma manera que las etapas en emisor comn, pero con la diferencia de que
existen dos entradas de control y la tensin de control no es la diferencia de tensin entre la base (entrada) y el emisor, sino
la diferencia de tensin entre las dos bases (entradas).
Aunque puede hacer lo mismo que una etapa en emisor comn posee una ventaja sumamente valiosa. Las entradas estn a
la misma tensin y esto evita que se amplifique la tensin base-emisor (BJT) o puerta-fuente (FET), permitiendo que exista
realimentacin en continua. Esto simplifica la red de realimentacin a costa de complicar el circuito, pero vale la pena. Al da
de hoy todas las topologas de realimentacin en voltaje lo usan.

Otras ventajas son la cancelacin de los armnicos de orden par, cosa que no puede hacer una etapa en emisor comn.

Etapa diferencial bsica

La etapa diferencial bsica se muestra a la derecha. Tiene dos entradas, una inversora y
otra no inversora, y dos salidas desfasadas 180 grados, es decir, una inversora y otra no
inversora.
Esta etapa amplifica la diferencia entre las dos entradas. Analizando las corrientes, usando
la primera ley de Kirchoff y despreciando las corrientes de base, podemos ver que en todo
momento la suma de las corrientes de las dos ramas superiores ser igual a la corriente que
pase por R1.
Sin embargo, esta etapa no es la ms sencilla de analizar.

Para ver el comportamiento bsico se usan la etapa y las

ecuaciones mostradas a la derecha.
Simplificando se puede ver que la tensin de salida
depende de la corriente de polarizacin, de la
transconductancia de los dispositivos de ganancia, de la
diferencia de tensin entre sus terminales de control y de la
resistencia de colector.

Usando una fuente de corriente esta tensin de salida es independiente del voltaje absoluto.

Etapa diferencial con fuente de corriente

La etapa diferencial bsica tiene varios factores que la desvan del comportamiento ideal, que sera amplificar nicamente la
diferencia entre las dos entradas.
La ms importante es que amplifica, aunque en menor valor, la tensin no diferencial. Esto es un problema que reduce las
prestaciones. Tener una etapa que amplifica una diferencia y no la parte comn puede servir por ejemplo para cancelar los
ruidos que se inducen en una lnea y que tienen el mismo valor o para amplificar seales de sensores que tienen
componentes de DC que no interesan.
Esta habilidad de no amplificar la parte comn y s la diferencial se llama rechazo al modo comn (CMRR, common mode
rejection ratio), se expresa en dB porque suele ser una cifra alta y se halla mediante la frmula:
CMRR=Av(dif)/Av(com)
CMRR(dB)= 20log(Av(dif)/Av(com))
Av(dif) es la ganancia para seales diferenciales y Av(com) la ganancia para seales comunes. Se puede ver que es una
proporcin entre la amplificacin de seal diferencial y la amplificacin se seal comn.
Debemos decir que esta cifra tiene una importancia crtica en el comportamineto de la etapa cuando se aplique la
realimentacin negativa porque va a existir una gran componente de seal comn, puede ser entre 20 y 100dB mayor que la
componente diferencial. No es una garanta de buen funcionamiento por s sola pero es una condicin necesaria.
Veamos porqu: La corriente que pase por R1 ser igual a la tensin que caiga entre los emisores de Q1 y Q2 y -Vcc dividida
por el valor de R1. Si vara la tensin en las dos bases tambin variar en los emisores y esto vara la corriente de
polarizacin de esta etapa. Hemos dicho que la suma entre la corriente de las dos ramas es igual al la corriente de R1, Si

I(R1) vara, variar la corriente de las ramas y variarn los voltajes de salida.

Otro problema aadido es que se pueden recoger ruidos de la alimentacin. Hemos dicho
que la corriente por R1 depende de la tensin de alimentacin negativa, -Vcc. Si esta tiene
ruido, la corriente tambin lo tendr, y la tensin en Rc1 y Rc2 tambin tendr ruido. Esto se
define mediante otro parmetro llamado PSRR, semejante a CMRR.
Una mejora muy importante consiste en sustituir la resistencia R1 por una fuente de
intensidad, como la de la derecha. De esta manera aumentan CMRR y PSRR. Ahora la
etapa es ms diferencial. Y esto se consigue nicamente haciendo que la corriente de
polarizacin sea independiente de la tensin de los emisores de Q1 y Q2 y de la tensin de
alimentacin. Cuanto ms perfecta sea esta fuente, mayor CMRR y PSRR.
Es necesario comentar que el resto de las etapas tambin influye en PSRR y que no tiene
porqu ser igual el rechazo al ruido de la alimentacin positiva que el de la alimentacin
negativa.

En un circuito de ejemplo con los 2N3904 y 2mA se obtiene un CMRR de 103dB con una fuente de corriente ideal frente a los
54dB que se obtendran con una resistencia de 7170 Ohm que suministrara la misma corriente de polarizacin, y con una
tensin diferencial de 0.02Vp.

Etapa diferencial con otros tipos de transconductor.

En el ejemplo hemos utilizado transistores BJT, pero en realidad se puede usar cualquier tipo de transconductor. Un
transconductor es un dispositivo que permite convertir tensin en corriente y esto supone un amplio abanico para elegir. La
relacin entre corriente creada y tensin se denomina transconductancia, gm, y se define por:
gm=ic/Vbe (en bipolares)
gm=id/Vgs (en FETs)
gm=ip/Vgc (en tubos de vaco)
En teora un transconductor debe tener una impedancia de entrada infinita y no absorve corriente, lo que no se cumple en el
caso de los transistores bipolares.

Pero la corriente de entrada es baja en comparacin con la corriente de colector y se puede

despreciar. La relacin entre la tensin Vbe e Ic la marca la ecuacin de Everts-Moll y se
puede considerar en ciertos casos un dispositivo de transconductancia, no lineal. Pero
ningn transconductor bsico es lineal.
Cada dispositivo tiene sus ventajas y desventajas, las sealamos a continuacin:
Bipolares: Alta linealidad y altsima transconductancia a bajas potencias, pero con una baja
impedancia de entrada, y absorben corriente. Aunque para transistores de seal, esta
corriente puede ser del orden de 200-500 veces menor que la corriente de colector y por la
tanto despreciable.

JFETs: Tienen la ventaja de que prcticamente no absorben corriente por el terminal de

control, la puerta, Tiene tambin la ventaja de un nfimo nivel de ruido de corriente y
permiten ser cargados desde una alta impedancia sin que se convierta el ruido de corriente
a ruido de voltaje.
Tienen la desventaja de su escasa potencia y de que su corriente de drenador mxima,
IDSS es baja. Su transconductancia es baja pero su linealidad es alta en relacin con esta
cifra. Su capacidad de entrada es mayor que en los BJT pero es relativamente baja.
Otro problema es que cuanto la tensin diferencial supera una cierta cifra se convierten en
diodos, producen una inversin en la fase de su rama y un incorrecto funcionamiento de la
etapa. Pero es evitable y en realidad son una opcin ms que apetecible.

Mosfet. Tienen tambin las ventajas de los JFET con una mayor transconductancia, muy
alta impedancia de entrada, buen manejo de la potencia, buena linealidad (dependido de
ID).
Como problema, los niveles de ruido de voltaje son bastante altos. Tambin porque no
admiten tensiones diferenciales altas, se puede perforar la puerta por tensiones altas. Si se
usan deben estar convenientemente protegidos por diodos. Pero no producen inversin de
fase como los Jfet. Otra desventaja es que su capacidad de entrada es alta.

Vlvulas de vaco. Los dobles triodos ECC8x y equivalentes son una opcin muy
interesante al ser igual cada trodo de la botella.
Las ventajas son la alta calidad del sonido por motivos que no vienen al caso, una baja
capacidad de entrada y que no existe modulacin de la capacidad de entrada como sucede
en los dispositivos de silicio. Su distorsin a alta frecuencia por esta causa es
necesariamente menor en proporcin. Los problemas son los habituales en las vlvulas: se
necesitan altos voltajes, tiene un alto consumo y poca ganancia.
A pesar de ser una opcin, no se suelen usar etapas diferenciales en los amplificadores de
vlvulas, se suelen usar ms las etapas en ctodo comn. Ya hemos dicho que una etapa
en emisor/fuente/ctodo comn puede hacer lo mismo que una diferencial, aunque la
diferencial lo hace mejor.

MODO CASCODO.
En el apartado de la etapa diferencial con fuente de corriente hemos hablado de que haba varias causas que desviaban el
comportamiento real de la etapa diferencial del ideal. Hemos visto una pero ahora veremos otras dos, inherente a las
caractersticas de los transconductores.

Una es la dependencia de la corriente de colector del voltaje de colector,

denominada el efecto Early.
Una mayor fuerza electromotriz puede arrastrar ms portadores de la fuente o
emisor, y esto produce el aumento de corriente de colector o drenador.
A la derecha podemos ver un caso real donde las variaciones de Vce (o Vds en
los mosfet) producen cambios no deseados de Ic o Id, y que la desviacin
aumenta a medida que aumenta la corriente de colector.

Pero no es este el nico problema, hay ms: La capacidad de entrada y el efecto MIller. Esto no supone necesariamente una
causa de distorsin, pero si puede alterar el comportamiento de la etapa y sobre todo disminuir sus prestaciones dinmicas.
En una etapa en emisor comn, de la que podemos entender que deriva la etapa diferencial, existe una capacidad parsita
entre la base y el colector. El efecto Miller nos dice que para cargar y descargar esta capacidad no slo tenemos que atender
a las demandas de corriente que supondra la variacin de voltaje de la base, sino a las variaciones de voltaje entre base y
colector, que sern evidentemente mayores, por la ganancia y por estar desfasadas 180 (si no estuviesen desfasadas se
compensaran en vez de sumarse).

El teorema de Miller simplifica el anlisis de esta capacidad parsita. Dada una

etapa de amplificacin, el condensador existente entre la entrada y la salida se
divide en dos condensadores equivalentes (derecha) con los valores que concluye
la siguiente frmula:
C1=CMiller*(Av+1)
C2=CMiller*((Av+1)/Av))

Vemos pues que el condensador C1 puede alcanzar valores muy grandes dependiendo del valor del condensador Cmiller y
del valor de la ganancia de la etapa. El condensador a la salida es de un valor mucho ms bajo, dependiente del valor de
CMiller original y prcticamente independiente de la ganancia.
El problema inmediato se deriva de que C1 y Rin forman un filtrado de paso-bajo que se comporta como un polo dentro del
conjunto de una etapa. Si la etapa tiene ganancia 1000 (60dB), una capacidad parsita ya no sera de 10 pF sino 1000 veces
mayor, 10 nF, y esto puede traer graves consecuencias en el comportamiento dinmico de la etapa, una simple resistencia de
realimentacin puede crear un nuevo polo en la funcin de transferencia que inestabilice la etapa.

El efecto Miller por s mismo no producira distorsin, slo alteraciones en la

respuesta en frecuencia, pero en el caso de los semiconductores esta capacidad
no es constante frente a la tensin base-colector.
En el grfico de la derecha podemos ver cmo vara, y se puede deducir de
forma inmediata que es consecuencia de la modulacin de la anchura de las
capas de deplexin.
En principio trabajamos con voltaje y esta corriente distorsionada no supondra un
problema si no se reflejase en voltaje en las resistencias que existan en serie con
las bases.

Es un problema comn a todos los transistores pero agravado en los transistores MOS, dada su alta capacidad de entrada
(250pF en el IRF610).

La solucin al efecto Miller, ya desde los principios de la electrnica, fue la amplificacin en base comn, con las ventajas de
una alta ganancia en voltaje y sin sufrir efecto Miller, pero con la desventajade tener una baja impedancia de entrada.

Mediante el uso del modo cascodo se solucionan estos dos problemas. Consiste en la
combinacin entre una etapa en emisor comn y otra en base comn, que se ven a la
derecha.
La operacin en modo cascodo se puede interpretar de dos maneras.
1.
2.

En la etapa en base comn, se sustituye la resistencia por un transistor, y la

corriente de emisor ya no la marca la resistencia de entrada sino un transistor.
En la etapa en emisor comn, en la que se introduce un transistor intermedio que
mantiene constante su voltaje de colector. Las variaciones de Vce las trabaja el
nuevo transistor.

Sin embargo, hemos hablado de que las entradas pueden tener una componente de comn
de tensin, y conectar los transistores cascados a una tensin fija puede hacer que la etapa
no opere correctamente. Algo es mejor que nada, desde luego, y esta aproximacin es
mejor aunque tiene ms inconvenientes a la hora de implementar, y en audio la componente
comn es prcticamente igual a la tensin de entrada, son niveles muy asequibles.
En esta nueva aproximacin se refiere la tensin de referencia de los transistores cascodos
a la tensin de los emisores de los transistores de ganancia.

En ambos casos la seccin de de emisor comn, con alta impedancia de entrada, sustituye a la resistencia de entrada de una
etapa en puerta comn, con baja impedancia de entrada y alta ganancia en voltaje. Ahora, la ganancia en voltaje del
transistor en emisor comn es 1 para la etapa normal y cero para la etapa con la tensin referenciada a los emisores. Esto es
porque su tensin en el colector viene determinada por el emisor de Q1' y Q21, que estar 0,7 voltios por debajo de la tensin
V
As, con ganancia en tensin 1 0, la capacidad equivalente de Miller es (Av-1) (Av) veces ms baja de lo que sera sin el
modo cascodo, siendo Av la ganancia de la etapa. Tambin, al ser 1 0 su ganancia, su tensin Vce no produce cambios
apreciables en Ic, y as se elimina el efecto Early.
La tensin en los transistores de ganancia prcticamente no vara pero s vara la corriente de colector. Para Rc1 y Rc2 es
como si no hubiese pasado nada. los transistores Q1' y Q2' no influyen prcticamente nada en la corriente, simplemente
aslan a Q1 y Q2 del voltaje. Tampoco influyen en la figura de ruido.
Ni que decir tiene que la potencia consumida se reparte entre todos los transistores, en lugar de sufrirla slo los de ganancia.

Hemos visto que esta conexin a los emisores tiene una leve ventaja, con algunos
problemas de implementacin. Veamos qu hacer:
Una implementacin de esta nueva referencia se puede hacer siguiendo el esquema de la
derecha. Habr que tener en cuenta que la corriente que marca la fuente ahora ser la
suma de las corrientes en las ramas y la corriente que pase por el diodo Zener.
Es muy necesario decir que en etapas inversoras el voltaje a la entrada es fijo y a nivel
elctrico estos dos mtodos son equivalentes, pero es ms sencillo referenciar a tierra.

Ya hemos visto que una variacin en la corriente de polarizacin es perjudicial para

parmetros como el CMRR y es conveniente usar una fuente de corriente en lugar de una
resistencia fija, a la derecha.
Evidentemente la corriente de la fuente seguir siendo igual a la suma de la corriente de las
dos ramas ms la corriente suministrada por la nueva fuente.
Trataremos ahora otro problema. La impedancia de salida de esta red es relativamente
baja. El modelo equivalente de un diodo Zener es una fuente de voltaje, con una pequea
resistencia serie. Pero a alta frecuencia pueden pasar otras cosas no deseadas.

Un Zener no es un elemento bilateral, no responde por igual a la absorcin frente a la

cesin de carga y a alta frecuencia se complica.
En las etapas en base comn la capacidad parsita Cbc se carga y descarga desde la
fuente de tensin. En este caso puede ser ms que recomendable usar un condensador
para poder atender a las demandas de corriente a alta frecuencia.
Este condensador no puede ser electroltico de aluminio porque su ESL es alta y no
funcionar correctamente, debe ser de cualquier otro tipo con menor ESL: tntalo, plstico o
cermico.
Se puede hacer un bypass con uno de aluminio mayor si se desea mitigar los ruidos de
flicker y de Schottky, pero se tiene que usar una resistencia de descarga.

An se puede llegar ms lejos. Se puede aadir un transistor para definir sobre l la

referencia de tensin. Esto tiene la ventaja de que la corriente de base se puede suponer
despreciable y la corriente en las ramas tendr ms independencia de la corriente de
polarizacion del Zener.
Una ventaja no obvia es la compensacin trmica. En diseos donde se requiera esta
compensacin se pueden igualar las variaciones de la tensin Vbe de los transistores de
entrada con la tensin Vbe del nuevo si estn en contacto trmico. Tambin se puede
compensar las variaciones de los transistores cascodos con un transistor funcionando como
diodo en serie con el Zener, y con contacto trmico con los transistores cascodos.
Pero sea realista en este punto, cada elemento aadido es un problema y tan malo puede
ser usar zapatos demasiado pequeos como demasiado grandes.

Existe otra posibilidad para la implementacin del modo cascodo pero ofrece inconvenientes
importantes aunque es muy sencilla a nivel de construccin y diseo.
Se trata de aprovechar que los transistores Jfet poseen una tensin de control negativa y
conectar sus puertas a los emisores de los transistores de entrada. Habitualmente la tensin
Vgs para las corrientes empleadas en estos circuitos es de unos 2 voltios (se deben usar
modelos con la mayor Idss posible).
Los problemas de esta tcnica son principalmente que las prestaciones de un transistor, del
tipo que sea, disminuyen a medida que disminuye el voltaje Vce: se reduce su linealidad y
su frecuencia de transicin y aumentan las capacidades parsitas.

La segunda alternativa para aumentar levemente el voltaje de colector a emisor es conectar la puerta de los Jfet a la base de
cada transistor, pero esto reduce notablemente las prestaciones dinmicas y no elimina el efecto Miller, de hecho lo empeora
porque los Jfet tienen capacidades de puerta a drenador ms altas que los bipolares de base a colector. Esta opcin est
completamente desaconsejada.
Los Jfet en general no son una opcin recomendable para los modos cascodos porque su transconductancia es baja y las
prestaciones de un cascodo con Jfet son notablemente inferiores a las del cascodo con bipolares.
Fuente de corriente cascoda.
Hemos visto la gran ventaja del modo cascodo en cuanto a linealidad de Ic, ya que los cambios de Vce no afectan a Ic.

Sera interesante que la fuente de intensidad tambin estuviese protegida contra

los cambios en Vce, producidos por la variacin de Vin. Por una sencilla razn: el
efecto Early se puede modelar como una resistencia en paralelo con el transistor,
y viendo las grficas expuestas a la derecha es evidente que el modo cascodo
aumenta la impedancia de salida de la fuente de corriente.

El nmero de componentes, el rea de PCB y el precio es el doble, pero si lo que

se prima es la calidad (si no lo es no se que hace leyendo esto) y supone una
mejora en el CMRR y PSRR. Si las variaciones en Vin son grandes, este mtodo
hace que la etapa sea prcticamente inmune al ruido de alimentacin y a las
grandes variaciones de Vin, que como ya hemos dicho es prcticamente seal de
modo comn.

Para diseos de poca potencia o en etapas inversoras puede no tener sentido, pero para diseos de muy alta potencia, o en
los que la seal de entrada est preamplificada y alcance variaciones importantes puede ser necesaria. Tambin debemos
recordar que la potencia se reparte proporcionalmente entre los dos transistores y uno puede no ser suficiente, pero con una
diferencia. El transistor de la fuente consume una potencia constante y la parte variable la consume el cascodo. Esta fuente
es por tanto ms insensible a modulaciones trmicas.
Al poner un transistor cascodo en serie con la fuente de intensidad, con su base conectada a un voltaje fijo, las nicas
variaciones en la tensin de colector que podra tener el transistor de la fuente dependeran de las variaciones de Vbe del
transistor cascodo. Como la corriente de polarizacin es constante las nicas variaciones se debern a modulaciones
trmicas y supondrn unos pocos milivoltios, en lugar de voltios.

Degeneracin de emisores
Siempre es mejor no producir una distorsin antes que tener que eliminarla luego con la realimentacin. El mtodo ms
correcto es linealizar al mximo los dispositivos de ganancia, y un mtodo para hacerlo es introducir realimentacin local.
La forma ms inmediata de hacerlo es emplear la degeneracin de emisor o de fuente. En el caso de los BJT es sencillo y no
plantea demasiados problemas. La resistencia parsita de emisor, re, no es constante, es concretamente una funcin
hiperblica de la intensidad de colector, y causa no linealidades, ya que influye directamente en la ganancia de la etapa
diferencial.

Si se incluye una resistencia mayor y constante en serie con el emisor, sus efectos en la
distorsin sern minimizados.
Adems, esto produce un efecto de realimentacin. Produce una prdida en la ganancia,
pero en bipolares la reduccin de la no linealidad lo compensa con creces.
En el caso de los FET, dado que su ganancia es menor, este mtodo plantea algunos
problemas. La etapa en la que se aplica debe tener una ganancia alta, ya la ganancia se
reduce, y la que proporcionan los Jfet no es excesivamente alta. Esa ganancia puede llegar
a ser insuficiente, dependiendo del resto del circuito.
Esta tcnica rene las caractersticas de la realimentacin: Reduce la ganancia, aumenta el
ancho de banda, reduce la distorsin, pero por ser local no crea inestabilidad, ni
distorsiones asociadas a retrasos temporales como TIM. De hecho se reduce hard TIM al
disminuir la ganancia en lazo abierto.

A nivel de cifras, con los 2N3904, 2mA, Rc1=1k y resistencias de base de 100 Ohm, se obtiene un ancho de banda de 26Mhz,
una ganancia de 25,3dB y con resistencias de emisor de 100 Ohm se obtienen 66MHz y 11dB.

A nivel de distorsin armnica se obtienen cifras que ilustran los beneficios: Sin resistencias de emisor y con una salida de
0,18V RMS a 1kHz, 0.27%; con las resistencias de emisor y aumentando la seal de entrada para dar la misma cifra de
salida, 0.056%.
Otra ventaja menos obvia es que a pesar de reducir la transconductancia, sta es ms constante e independiente del
transistor. Esto tiende a igualar los parmetros de ganancia de los dos transistores y es sumamente til cuando se emplean
transistores discretos, ya que la igualdad es importante para que la etapa diferencial funcione correctamente.

Influencia de la corriente de polarizacin.

La recomendacin general es usar una corriente de polarizacin lo ms alta posible. Las principales ventajas se refieren a las
propiedades dinmicas de la etapa, aunque tambin las hay a nivel del propio transconductor.

En los FETs la linealidad es mayor cuando Id es alta. Eso se ve en la grfica de

transferencia para un Jfet que se muestra a la derecha, obtenida de su hoja de
caractersticas. Se puede observar que la curva es ms prxima a una recta a
medida que aumenta la corriente de colector.
Tambin con una mayor corriente se trabaja en una zona donde la ganancia del
transistor es mayor.

En un transistor bipolar la transcunductancia tampoco es nada lineal, se define por una ecuacin exponencial, pero su ventaja
es que al ser mayor en mdulo se requiere una variacin menor de la tensin de control para producir las mismas variaciones
de corriente que un FET. No obstante, la resistencia de emisor es una funcin de la corriente de colector y disminuye a
medida que aumenta esta corriente. Esto proporciona mayores ganancias, un aumento de 2 a 10mA en la etapa de ejemplo
proporciona ganancias 12dB superiores.

Pero hay otros parmetros que se ven afectados. Uno es Hfe, podemos ver que
aumenta con Ic y alcanza un mximo, en cuyos alrededores que es muy
constante.
Existen transistores japoneses que mantienen una gran constancia en Hfe,
mantenindola constante en rangos muy amplios.

Esto no significa que necesariamente la distorsin sea menor, sino que los errores inducidos por la variacin de las corrientes
de base sern menores, se debe tener en cuenta que en esta aplicacin se usa el transistor bipolar como un dispositivo de
transconductancia y no de ganancia en corriente, es decir: aqu no se controla la corriente que amplifica el transistor bipolar
sino el voltaje.
La cifra de distorsin puede ser mayor, sin embargo aumentar la corriente de polarizacin y usar resistencias de emisor si que
puede proporcionar unos mismos valores de ganancia con menor distorsin.

Otro parmetro dinmico, la frecuencia de transicin, Ft, tambin se puede ver

que aumenta de forma evidente a medida que aumenta Ic.
Pero en los bipolares se reduce la ganancia a medida que se supera un lmite. Es
importante no sobrepasarlo y utilizarlos en el punto ptimo.
Y tambin es necesario tener en cuenta que est presente el efecto Miller, en la
prctica pueden no obtenerse mayores anchos de banda por la mayor ganancia.

Ya hemos visto una ventaja a nivel dinmico, pero hay ms referentes al propio
circuito.
Una de ellas es que el slew-rate mximo de una etapa habitualmente se marca
por la corriente de polarizacin de la etapa diferencial de entrada y el
condensador de compensacin. Cuanto ms alta sea esta corriente, mayor slewrate.

Esta corriente se usa para carga o descarga, la otra alternativa es que llegue
corriente por la resistencia de colector, que tambin se puede interpretar como
una fuente de corriente porque se tiene una R fija y un voltaje fijo (Vbe).. De esta
forma no es igual el slew-rate de subida que el de bajada.

Si se usa ms corriente de polarizacin tambin es necesario usar una

resistencia de colector ms baja, esto tiene el inconveniente de que disminuye la
ganancia de la etapa pero aumenta el ancho de banda, porque el polo dominante
se produce a una frecuencia igual a 1/(2piRC(Av+1)), C es el condensador de
compensacin ms la capacidad parsita Cbc del transitor de ganancia de la
siguiente etapa y Av es su ganancia en lazo abierto. Esto es mejor para las
prestaciones dinmicas (SID, TIM) pero peor para las prestaciones estticas
(THD, IMD).

Una mayor corriente de polarizacin tambin disminuye el ruido de voltaje a la entrada, concretamente se reduce en un factor
de 1.41 cada vez que se dobla. Aunque aumenta el ruido de corriente en un mismo factor, y tambin las input bias current. Es
un problema fcilmente solucionable si se usan resistencias bajas en la entrada y en la red de realimentacin.

Igualdad entre los transconductores

Del anlisis de la etapa diferencial se deduce que para un mejor funcionamiento se debe usar el mismo tipo de
transconductor, ya sean bipolares, FETs o tubos.
Pero existen diferencias importantes dentro de un mismo modelo smplemente por fabricacin, y por supuesto si es de
diferentes fabricantes es imposible que sea igual.
Se pueden encontrar diferencias altas tambin entre transistores de un mismo fabricante, un 25% es una cifra normal. Entre
distintos fabricantes estas cifras pueden llegar al 100% y con los Jfet hasta un 1000%.
Contra esto lo ms recomendable es usar modelos duales o arrays, en los que vengan dos transistores (o ms) en un mismo
encapsulado, de esta manera se asegura una igualdad casi perfecta. Tambin existir una compensacin trmica que no se
puede obtener por otros medios. Pero estos transistores son raros, difciles de encontrar y relativamente caros, aunque
merece la pena el mayor coste. Si encuentra, selos.
Emparejamiento de los transistores
La opcin ms habitual es utilizar transistores simples y seleccionar dos que tengan unos parmetros lo ms prximos
posible.
Para esto se tiene que adquirir una cantidad importante, unas 20 unidades es una cifra que permite obtener por lo menos una
pareja. Lgicamente, cuanto mayor sea la cantidad ms fcil ser encontrar parejas y tambin aumentar la proporcin de
parejas encontradas.
Para emparejar los transistores se pueden usar los siguientes mtodos y puede ser crtico usar resistencias de emisor que
igualen los parmetros de los transistores. Es una tarea pesada pero necesaria. Para organizar los transistores conviene
hacer una cuadrcula en un folio y apuntar en cada casilla las mediciones, junto al transistor medido. Por ltimo, sealar que
este mtodo no es del todo vlido para emparejar o agrupar transistores de potencia para etapas de salida pero es una

aproximacin.
BJT
Habitualmente se recurre a emparejar la ganancia en corriente de los transistores bipolares, pero esto no es suficiente porque
no se van a usar como dispositivos de ganancia en corriente sino como dispositivos de transconductancia. Por esto es muy
importante medir la tensin en directa del diodo base emisor.
Tanto hfe (beta) como la tensin Vbe son muy dependientes de la temperatura, si se usa un polmetro se puede ver cmo
estos parmetros varan slo con poner el dedo encima del transistor. Es obligatorio hacer la medicin en un mismo intervalo
de tiempo, no se puede hacer una parte por la maana y otra por la tarde porque la temperatura vara y tambin lo har la
medicin. Es importante no coger los transistores con los dedos sino con unas pinzas o alicates.
JFET
Estos son con diferencia los transistores que ms desviaciones sufren.

Los parmetros ms importantes a medir van a ser Idss y gm. Idss es la mxima
corriente que puede conducir el transistor. Un Jfet consiste en un diodo
polarizado en inversa donde la parte N del diodo es el canal, y variando la
anchura de las capas de deplexin se controla la conduccin del canal.
Se puede medir con el circuito de la derecha. Se necesita una pila de 9V y un
ampermetro. Se conectan la puerta y la fuente (s) a tierra y se mide esta
corriente.

Hay que tener en cuenta que los Jfet son transistores que aguantan poca
potenciay que si se prevee que Idss puede ser mayor de 20mA se puede superar
el lmite de disipacin. En este caso puede ser necesario incluir una resistencia
en serie para que consuma parte de la potencia, aunque siempre debe haber un
margen de 3V (d-s) para asegurar una medicin correcta.
Una manera sencilla de emparejar las transconductancia es usar una resistencia
en serie con la fuente y medir su voltaje. Se pueden emplear valores entre 470 y
2200 Ohm.

Lo habitual es que en esas resistencias caigan entre 1.5 y 3V.

MOSFET.

En un mosfet es importante conocer y emparejar la tensin de estrangulamiento

(Vto), y por supuesto su transconductancia.
Para medir la tensin de estrangulamiento se puede usar el esquema de la
derecha. Se debe medir la tensin entre el drenador y la fuente, el valor habitual
est en torno a 3.5V.

Para medir la transconductancia se puede usar este otro esquema. No es un

mtodo preciso pero tampoco es sencillo medirla. Se debe medir la tensin Vgs y
la corriente por la resistencia R para dos valores de sta resistencia, uno que le
haga pasar una corriente de aproximadamente 100mA y otra que le haga pasar
1mA.
Gm es igual a (Vgs-Vto)/Id
Debe hacerse rpidamente porque el mosfet se calentar por la disipacin de
potencia y puede falsear la medicin.

TUBOS DE VACO.
Los tubos de vaco tienen un funcionamiento semejante al de un Jfet aunque los nicos que se pueden considerar ms o
menos equivalentes son los pentodos, que se comportan como un Mosfet de vaciamiento o deplexin y de canal N.
Se pueden medir de la misma manera que los Jfet y se debe tener en cuenta la disipacin de potencia, puede ser alta, y
puede no ser posible medir la corriente con Vgk=0V y slo serlo con una resistencia en el ctodo.

Igualdad entre las corrientes de las ramas

La igualdad entre las corrientes de las dos ramas superiores es crucial, ya que provoca que la tensin diferencial entre bases
o puertas sea cero o no. En caso de no serlo, esa tensin se desplaza a un punto en el que la tensin diferencial no es cero.

Esta es una grfica de la transconductancia de la etapa diferencial frente al

voltaje diferencial(Vin) El punto de operacin en reposo es A, con una tensin
diferencial 0. Si esta tensin no es 0, el punto de operacin pasa a ser B.

En este punto, gm es menor y cambia ms rpidamente. Este error causa una menor ganancia en lazo abierto y una mayor
distorsin.
Como veremos en el siguiente ejemplo, sta igualdad no se consigue nicamente usando dos resistencias de colector
iguales, de hecho en la rama que no se usa su salida es contraproducente que exista una resistencia de colector ya que sta
agravar el efecto Miller. El efecto Miller y la distorsin que induce la capacidad no lineal puede compensarse si se usan
resistencias iguales pero slo funciona si las redes de entrada y realimentacin ofrecen una misma impedancia, lo que
normalmente no se hace.

El diodo base-emisor del transistor de la siguiente etapa, normalmente una etapa

en emisor comn, est conectado a un punto fijo de tensin, +-Vcc, y causa que
la salida de la etapa diferencial est tambin a ese voltaje menos Vbe. La
corriente que pasa por esa rama es Vbe/Rc1.
En los BJT, la base de la siguiente etapa causa que parte de la intensidad sea
absorbida por la siguiente etapa. En los FETs no existe este problema.
El voltaje que tendra la siguiente etapa con un FET sera de ~4V en vez de 0,7V.
Una vez aplicada la realimentacin, la siguiente etapa obliga a que el voltaje de
out- sea casi fijo. La desventaja de los FETs en este punto es que sus tolerancias
en la tensin de control son mucho ms altas y se debe ajustar sta corriente de
una forma ms precisa.

Hay una suposicin que debe cumplirse para que la realimentacin sea vlida: Vin+=Vin- Si esto no se cumple, no puede
asegurarse que la realimentacin haga lo que nosotros queramos.

Debemos tener en cuenta que los cambios en Ic van a ser pequeos, los cambios en Vbe van a ser mucho menores en
porcentaje, y por lo tanto las diferencias entre Vin+ y Vin- no van a ser importantes, pero son una causa evidente de
distorsin. Se pueden usar varias tcnicas para mejorar este comportamiento.
inicio

Configuracin CFP

La configuracin CFP (complementary feedback pair) ofrece la posibilidad de que por los
transistores de ganancia circule una corriente ms constante. Esto permitir que las
variaciones en la tensin Vbe o Vgs sean notablemente menores.
La configuracin CFP consiste en usar un transistor complementario que produce una
realimentacin total en corriente en el transistor de entrada. Produce una ganancia en
tensin de la misma forma que lo hara una etapa en emisor comn y realimenta corriente
en un punto de baja impedancia como es un emisor.
Sin embargo, como toda etapa en emisor comn, es susceptible al efecto Miller e introduce
un nuevo polo en la funcin de transferencia.

Esto puede inestabilizar la etapa y puede ser necesario compensar en frecuencia de la misma manera que se compensan las
etapas completas. Se tendra que aadir un condensador de un valor relativamente bajo, entre 22 y 100pF (segn los casos
puede ser mayor) entre la base y colector de Q3 y Q4.
La corriente que circular por Q1 y Q2 ser igual a 0,7/R1. R1 y R2 deben ser iguales y es muy conveniente que Q3 y Q4
estn emparejados y en contacto trmico. No es nada recomendable que R1 y R2 tengan un valor alto por motivos de
estabilidad, los valores recomendados estn entre 100 y 470 Ohm. Se desaconseja completamente el uso de FETs por su
mayor capacidad parsita Cgd.
Visto esto se puede deducir que por los transistores de entrada circular una corriente casi constante y que las variaciones de
corriente las sufrirn Q3 y Q4. Esta configuracin multiplica la transconductancia de los transistores de entrada por la
ganancia en voltaje del CFP, por lo que tambin puede agravar el efecto Miller de los transistores de entrada. Es una tcnica
con beneficios que consisten en aumentar la ganancia y disminuir las variaciones en la tensin Vbe pero con grandes
problemas dinmicos. sela con mucho cuidado y elimnela si no produce los resultados esperados.

Cargas activas y espejos de corriente

La ganancia en voltaje en lazo abierto de una etapa en emisor comn es gmRc, siendo gm la tranconductancia del transistor
de entrada y Rc la resistencia de colector. Se puede aumentar la ganancia en lazo abierto aumentando la resistencia de
colector pero esto traera inconvenientes a la hora de igualar las corrientes, sera necesario reducir la corriente de
polarizacin de la etapa y hemos visto que esto es contraproducente.
Existe una forma de aumentar la ganancia de manera espectacular sin variar la corriente de polarizacin y es usar cargas
activas, es decir usar fuentes de corriente.
La impedancia equivalente de una fuente de corriente es tericamente infinita, ya que en el modelo equivalente de seal, la
fuente de corriente se elimina y queda un circuito abierto, o lo que es lo mismo, una resistencia infinita. Esto a su vez
producira una ganancia infinita, ya que la ganancia de la etapa depende de esta resistencia.
En un caso real no tenemos una impedancia de salida infinita, hemos visto este comportamiento en la seccin de la fuente de
corriente cascoda y cmo es mejorable, pero s puede ofrecer una impedancia de salida muy alta, entre 100k y varios Mega
Omhios.
Sin embargo no es factible usar cualquier tipo de fuente de corriente. Por la primera ley de Kirchoff tenemos que la suma de
las corrientes en las ramas es igual a la de la fuente de corriente que polariza la etapa, y esto es simplemente imposible. Con
las altsimas variaciones de tensin que producira una "lucha" entre las fuentes de corriente el ajuste sera crtico, cualquier
variacin trmica y cualquier tolerancia, sera amplificada y hara que la etapa no funcionase. Si sustituysemos la fuente de
corriente de polarizacin por una resistencia la convertiramos en una fuente de voltaje y tampoco funcionara.

Pero existe una opcin, que es usar un espejo de corriente como carga activa en una de las
ramas. Es una red que replica la corriente que entra y que permite tener una carga activa y
dos ventajas que hasta ahora no hemos comentado.
Una es que las cargas activas con fuentes de corriente hacen que la corriente que pasa por
los transistores de ganancia sea constante. Se reduce casi hasta eliminar una fuente de
distorsin que es la variacin de la corriente de colector en un transitor.
La otra ventaja es que permite una grandsima igualdad entre las corrientes de las dos
ramas y hemos visto cmo esto es positivo.

Tiene el inconveniente de que aumentar la ganancia en lazo abierto de la etapa diferencial puede inestabilizar el
comportamiento de toda la etapa, siendo esto un problema importante. Tambin ofrece una impedancia de salida muy alta, y
afectar a la compensacin por efecto mIller de la siguiente etapa, porque siempre habr interaccin entre esta impedancia
de salida y la siguiente etapa. Y el ms evidente, si una de las ramas hace de sensor de corriente, se pierde una salida,
aunque no es habitual usarla.

Tambin existe una posibilidad que es recomendable, es degenerar la fuente de corriente

con una resistencia en paralelo, de un valor alto para no desigualar en exceso las corrientes
de cada rama.
Esto permite una ganancia ms constante y con menos distorsin, ya que la impedancia de
salida del espejo y de las fuentes de corriente en general depende de un parmetro no
lineal del transistor. Permite tambin una menor impedancia de salida, aunque todo esto se
hace a costa de una menor ganancia en lazo abierto.

Un espejo de corriente funciona de la siguiente manera: La corriente que pasa por el diodo har que caiga una tensin
determinada. Si el diodo base emisor del transistor que har de fuente de corriente es exactamente igual que el que hace de
sensor, cuando tengan los mismos voltajes, tendrn la misma corriente.
Esto slo puede hacerse en algunos circuitos integrados, en Spice o en los libros de texto, donde es fcil que dos diodos sean
exactamente iguales.

En el mundo real y empleando transistores discretos existen tolerancias altas que

producirn desviaciones muy altas, y lo que es peor: derivas trmicas inadmisibles. Vemos
claramente que el transistor que funciona en modo diodo consume 0,7*Ic (w), mientras que
en el que hace de fuente de corriente, el consumo de potencia es mucho mayor porque
aunque la corriente de colector deba ser la misma no lo es el voltaje.
Con componentes discretos se deben utilizar resistencias de emisor que igualen el
comportamiento de los dos transistores y les den algo de inmunidad a la deriva trmica.
100Ohm es un mnimo.

En los circuitos integrados existen opciones que simplemente no estn disponibles en

discreto. Una de estas opciones da un paso ms en la igualdad entre los diodos baseemisor y su compensacin trmica: Usar un mismo diodo base-emisor para ambos
transistores. Parece confuso pero es simple. No se usan dos transistores sino un transistor
multicolector (no existe ningn motivo para que los emisores o colectores sean nicos
dentro de un transistor).

Salvo por el efecto Early no es posible obtener igualdades mayores y se podra recurrir al recorte con lser para obtener
tolerancias dimensionales del 0,01%. Tampoco existe la desigualdad que causan las corrientes de base de los transistores.
Tambin pueden hacerse espejos de corriente con transistores mosfet, pero sus prestaciones son bajas y estn reservdos a
integrados de bajo consumo, que usan corrientes de polarizacin del orden de pocos microamperios.

Disear con la cabeza

Todas estas tcnicas son combinables y se pueden obtener prestaciones que superen a los mejores op-amp, pero existen
inconvenientes serios a medida que aumenta la complejidad. La mayor ventaja del diseo discreto es la libertad de diseo, la
ausencia de condicionantes, pero esta libertad puede convertirse fcilmente en un condicionante.
La eleccin entre algo que funcione peor de lo esperado y algo que no funcione es evidente. Lo principal es que funcione y
muchas de estas tcnicas generan grandes dificultades cuando es combinan, especialmente a nivel de estabilidad. En audio
no se pueden despreciar las prestaciones dinmicas en favor de las estticas, como puede ser en el diseo de precisin o de
reguladores de tensin. Antes de empezar a disear se deben tener muy claros los objetivos de diseo y la manera de llegar
a cumplirlos. Piense tambin que algo que de mejores cifras no tiene necesariamente porqu dar un mejor sonido, aunque es
una tendencia clara.

Hay muchas situaciones donde deseamos amplificar una diferencia pequea entre dos niveles de la seal y no hacer caso
de cualquier common nivele ambas entradas puede compartir. ste puede ser alcanzado por una cierta forma de
amplificador diferenciado . Cuadro 1 7 demostraciones un ejemplo de una etapa del amplificador diferenciado que utiliza un
par de transistores bipolares.

Este ejemplo particular utiliza un par Largo-Atado conectado con una fuente actual . Podemos entender cmo el circuito
funciona simplemente de una discusin basada sobre simetra. Para la simplicidad en este diagrama representamos la
fuente actual por el smbolo estndar de un par de crculos ligados. Miraremos cmo una fuente actual trabaja realmente
ms adelante encendido. Para ahora nosotros podemos apenas asumir que es un arreglo que insiste sobre siempre el
dibujo

de

Asuma eso

una

corriente

fija

que

en

este

caso

tenga

el

valor

y que los dos transistores son idnticos. Asuma que comenzamos con los dos voltajes de

entrada tambin que son idnticos. Arreglar el circuito para

sigue

eso

por

. Por simetra, cuando

lo

tanto

en una cantidad pequea. Esto significar que el transistor, Tr1 ,

Ahora asuma que aumentamos, por ejemplo,
intentar aumentar su nivel actual y por lo tanto levantar el voltaje presente en su emisor. Sin embargo como hace esto el
voltaje del emisor de base de Tr2 bajar. Puesto que la corriente en un transistor bipolar depende de su voltaje del emisor
,, y
baja. La suma de estas corrientes,
, no se altera
de base el resultado es que se levanta la corriente
mucho, solamente el equilibrio entre los dos cambios del transistor currents/voltages. El resultado es que la subida adentro
, manteniendo

fijado, hace ms actual atravesar

que la cada de voltaje a travs

y menos a travs

. La reduccin adentro

significa

reducir por lo tanto el voltaje en su extremo inferior se levanta hacia

Para evaluar este ms exacto, podemos asumir que para cada transistor en el par la corriente del collector-emitter est
relacionada con el voltaje del emisor de base va una expresin

es decir podemos decir eso

est el voltaje del emisor que los dos transistores tienen en campo comn y

donde

son los voltajes

representa el aumento voltage-current de cada transistor. La suma de estas dos corrientes tiene
bajos. El valor
siempre un valor fijo impuesto por la fuente actual, pero cualquier diferencia entre ellas ser tal que

desaparece

donde

como

ella

es

comn

ambas

expresiones

podemos decir que el antedicho es equivalente a decir eso

Puesto que

Cuando estn tratados solamente sobre seales del a.c. podemos no hacer caso de la constante
convierte sta

donde

est uno de los valores small-signal del h-para'metro para un transistor bipolar,

. Puesto que aparece este cambio en corriente a travs

es

decir

y decir que se

representa el cambio en

producido cuando cambiamos el voltaje de entrada de modo que sea su desequilibrio de ser igual

la corriente en

cabo fijo en
cerca

iniciales.

l sigue que el extremo inferior

la

etapa

tiene

un

, y el potencial en la tapa de esto se lleva a

de el cual estamos utilizando pues la salida cambiar en voltaje

aumento

eficaz

Los amplificadores diferenciados son particularmente tiles en tres usos:

del

voltaje

de

Cuando tenemos una entrada que ha venido de una cierta distancia y pudo haber tenido cierta interferencia
agregada. Usando un par de alambres para enviar la seal nos podemos despus tomar la diferencia en
potencial entre ellos como la seal y rechazar cualquier mode&rsquo del common; voltajes en ambos alambres
como siendo inducido por la interferencia.
En arreglos de la regeneracin podemos utilizar la segunda entrada para controlar el comportamiento del
amplificador.
Cuando deseamos combinar dos seales podemos alimentar uno en un transistor, y la segunda seal en el otro.

La mayora de los circuitos integrados del amplificador operacional tienen etapas de la entrada del amplificador
diferenciado y por lo tanto amplifican la diferencia entre dos niveles de introduccin de datos dados. Muchos utilizan los
pares bipolares de la clase demostrada en el cuadro 1 7, pero los arreglos similares que usan los transistores de efecto
de
campo
tambin
se
utilizan
a
menudo.

La Fuente Actual
Haciendo uso uno, debemos acabar con una explicacin de la fuente actual . Cuadro 1 8 demostraciones un ejemplo
simple.

Un voltaje positivo se aplica a la base de un transistor bipolar, pero esta base tambin est conectada con un potencial
ms bajo va una serie de tres diodos. El potencial a travs de tal diodo cuando la corriente que conduce tender para ser
alrededor 0 6 V. Since all es tres de stos, la base del transistor se sentarn en un potencial cerca de 1 8 V sobre el
extremo inferior de

. La ensambladura del emisor de base de un transistor bipolar es tambin un diodo, por lo tanto

tambin caer cerca de 0 6 V al conducir. Consecuentemente, habr 1 8 - 0 6 = 1 2 V a travs

. Esto significa

. puesto que el transistor tendr probablemente un aumento

que ser la corriente a travs de este resistor
actual del excesivo 100 ste significa que ms el de 99% de esta corriente sern dibujados abajo del colector de los
transistors.
Por lo tanto aproximadamente, podemos decir eso

y
. Sin embargo proporcion la corriente
la corriente variar en la prctica levemente con los valores elegidos de
a travs de los diodos es algn mA que el resultado antedicho es probable para ser razonablemente exacto. A condicin
es mucho ms grande de 1 8 V el valor exacto no importan mucho. El circuito por lo tanto tiende para dibujar
de que
abajo de mucho la misma corriente cualquier voltaje aparece en el &ndash del colector de los transistors; el asumir ese,
es tambin ms que un par de voltios. Los circuitos actan tan para dar un fixed la corriente y se comporta como fuente
actual constante. Aunque este ejemplo utiliza un transistor bipolar, como con muchas otras formas de circuito podemos
tomar
medidas
similares
usando
otros
tipos
de
dispositivo.

Resumen
Usted debe ahora saber la diferencia entre algunos de los tipos bsicos de amplificador y de las clases de blocks&rsquo
building electrnico; eso se puede utilizar como etapas del amplificador. Debe tambin estar claro que la gama de las

tareas y de la seal details/levels vara enormemente sobre una amplia gama de usos. Usted debe ahora tambin saber
los arreglos bsicos del amplificador tales como pares, etc Largo-Atados, trabajo.

En muchos casos deseamos amplificar el nivel actual de la seal as como el voltaje. El ejemplo que podemos considerar
aqu es la seal requerida para conducir los altavoces en un sistema de alta fidelidad. stos tendern para tener una
impedancia tpica de la entrada de la orden de 8 ohmios. Para conducir tan, por ejemplo, 100 vatios en tal carga del
altavoz tenemos que proporcionar simultneamente un voltaje de 28 V rms y 3 5 un rms . Tomar al ejemplo de un micrfono
como fuente inicial una impedancia tpica de la fuente ser otra vez alrededor 100 ohmios. Por lo tanto el micrfono
proporcionar apenas 1 nA al producir 0 1 m V. This significa que eso para tomar esto y para conducir 100 W en un
9
altavoz el sistema del amplificador debe amplificar la corriente de la seal por un factor de 10 excesivo al mismo tiempo
10
18;
que alza el voltaje por una cantidad similar. Esto significa que el aumento total de la energa requerido es el &ndash
es
decir
DB
180!
Este alto aumento total de la energa es una razn que es comn separar la funcin que amplifica en encajonado por
separado pre y los energia-amplificadores. Los niveles de la seal dentro de los amplificadores de energa son tanto ms
grandes que estas entradas dbiles que igualen el leakage&rsquo ms leve; de la salida de nuevo a la entrada puede
causar problemas. Poniendo las secciones de alta potencia (arriba actual) y bajas de la energa en diversas cajas que
podemos
ayudar
para
proteger
las
seales
de
entrada
contra
dao.
En la prctica, muchos dispositivos que requieren altas corrientes y las energas tienden para trabajar sobre la base que
es el voltaje de la seal que determina el nivel de la respuesta, y ellos entonces dibujan la corriente que necesitan para
trabajar. Por ejemplo, es la convencin con los altavoces que el volumen del sonido se debe fijar por el voltaje aplicado al
altavoz. A pesar de esto, la mayora de los altavoces tienen una eficacia (la eficacia con la cual la corriente elctrica se
convierte en la energa acstica) que es altamente dependiente de la frecuencia. A un grado grande esto se presenta
como consecuencia natural de las caractersticas fsicas de altavoces. Preocupacin del wont sobre los detalles aqu, pero
consecuentemente una impedancia de la entrada de los loudspeakers variamos generalmente absolutamente de una
manera complicada con la frecuencia. (a veces tambin con el nivel de introduccin de datos.)

Cuadro 1 4 demostraciones un ejemplo tpico. En este caso el altavoz tiene una impedancia de alrededor 12 ohmios en
150 hertzios y de 5 ohmios en 1 kilociclo. El excedente la corriente ser requerido tan dos veces para jugar el mismo nivel
de la salida en 1 kilociclo que se requiere en 150 hertzios. El amplificador de energa no tiene ninguna manera al know en
advance qu clase de altavoz usted utilizar tan simplemente adopta la convencin de afirmar un nivel voltaico para
indicar el nivel requerido de la seal en cada frecuencia en la seal y de proveer cualquier corriente requiere el altavoz
despus.
Esta clase de comportamiento es absolutamente comn en sistemas electrnicos. Significa que, en trminos de la
informacin, el patrn de la seal est determinado a propsito el voltaje vara con tiempo, y idealmente el actual
requerido entonces se dibuja. Aunque el antedicho se basa en un ejemplo de alta potencia, una situacin similar puede
presentarse cuando un sensor puede generar un voltaje en respuesta a un estmulo de la entrada pero puede proveer
solamente una corriente muy limitada. En estas situaciones requerimos un amplificador actual o un almacenador
intermediario . Estos dispositivos son absolutamente similares, de cada caso estamos utilizando una cierta forma de
dispositivo y de circuito del aumento para aumentar el nivel de la corriente de la seal. Sin embargo un amplificador actual
intenta siempre multiplicar la corriente por una cantidad del sistema. Por lo tanto es similar en la accin a un amplificador
del voltaje que intente siempre multiplicar la corriente de la seal por una cantidad del sistema. El almacenador
intermediario diferencia del amplificador actual como precis para proporcionar cualquier nivel actual se exige de l para
mantener el voltaje de la seal que se dice para afirmar. Por lo tanto tendr un aumento actual ms alto cuando est
conectado con una carga ms exigente.

Cuadro 1 5 demostraciones dos ejemplos simples de almacenadores intermediarios. En cada caso el dispositivo del
aumento (un transistor de NPN o un de Op. Sys.-amperio en estos ejemplos) se utiliza para aligerar la carga actual en la
. Una manera alternativa de visin el almacenador intermediario es considerarlo
fuente inicial de la seal que provee
como fabricacin que de la impedancia de la carga se parece ms grande pues ahora tiene que proveer solamente una
corriente pequea para asegurarse de que un voltaje dado est hecho salir.

Cuadro 1 6 demostraciones un ejemplo de un amplificador actual en dos etapas en un uso tpico. Los fotodiodos a
menudo detectaban la luz para tender para trabajar absorbiendo fotones y lanzando los portadores libres de la carga.
Podemos entonces aplicar una diferencia potencial a travs del out&rsquo de la ensambladura y del sweep de los
photodiodes; estas cargas para obtener una corriente proporcional al nmero de fotones por el segundo que pulsa el
16
fotodiodo. Puesto que requeriramos alrededor 10 electrones por segundo para obtener un amperio de la corriente, y la
eficacia del un fotodiodo tpico es mucho menos que electrn del one por photon esto significa que la corriente de salida
de tal photodector es a menudo absolutamente pequea. Usando un amplificador actual podemos alzar esta salida a un
nivel ms conveniente. En el ejemplo, se utilizan dos transistores bipolares, uno un NPN-tipo, el otro PNP-tipo, con
y
. Entre para de etapas
como esto se puede esperar para
aumentos actuales de
amplificar la corriente cerca el small-signal tpico transistores as que un par 250 y el 250.000 dependiendo de los
transistores elegidos. En hecho, si deseamos podemos dar vuelta a esto en un voltaje aplicando la corriente de salida que
resulta a un resistor. El resultado sera hacer que el circuito se comporta como amplificador high-gain del voltaje.

Una de las limitaciones que afectan todos los amplificadores verdaderos es que todos tienen una anchura de banda finita
de la seal . El significa que cualquier amplificador construimos o uso, encontramos que hay siempre un lmite superior a
la gama de las frecuencias del sinewave que puede amplificar. Esto significa generalmente que los de alta frecuencia
sealan el wont estn alzados, y pueden atenuado en lugar de otro. Tambin significa a menudo que las seales de alta
frecuencia pueden ser &ndash torcido; es decir su forma de onda puede ser cambiada. Algunos amplificadores tambin
tienen una limitacin de baja frecuencia tambin, y no pueden amplificar frecuencias debajo de un cierto lmite ms bajo.
Por lo tanto necesitamos estar enterados de, y poder determinar, estos efectos para decidir si un amplificador especfico
es
conveniente
para
una
tarea
dada.
Adems del antedicho, hay muchas situaciones donde deseamos deliberadamente alterar las frecuencias de la seal que
un sistema pasar encendido o que amplificar. Hay muchas situaciones donde est necesaria la filtracin deliberada.
Algunos ejemplos comunes son:
Los filtros bajos del paso limitaban la anchura de banda de una seal antes conversin anloga a Digital
(muestreo digital) de obedecer el teorema del muestreo
Filtros bandpass para seleccionar un narrowband&rsquo elegido; seale y rechace el ruido o interferencia
indeseado en otras frecuencias.

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de 50/100 hertzio; (o 60/120 hertzio si usted sucede estar en los E.E.U.U.!)

Tone Controls o EQ controles (de la igualacin). stos tienden para ser utilizados para alterar el equilibrio total
del tonal de las seales de sonidos, o para corregirlo para otros efectos dependientes de la frecuencia
indeseados.
A.C. amplificadores que el dont amplifica frecuencias bajas indeseadas o niveles de la C.C..

Aqu nos centraremos en algunos ejemplos de filtros, pero consideramos que los efectos similares pueden presentarse a
menudo
en
amplificadores.
3,1 Maneras de caracterizar los filtros
De la manera ms comn y la mayora ms obvia de describir el efecto de un filtro est en trminos de es respuesta de
frecuencia . Esto define el comportamiento de los filters en trminos de su aumento en funcin del cuadro 3 de la
frecuencia 1 demuestra un ejemplo tpico.

En este cuadro 3 del caso 1 demuestra el aumento medido de la energa (o la prdida!) en funcin de la frecuencia para
un filtro low-pass especfico. Este ejemplo se basa sobre un filtro audio comercial vendido debajo del Toko marca para el
uso en el equipo de alta fidelidad. Este filtro es &ndash pasivo; es decir no incluye ningunos dispositivos del aumento,
componentes pasivos justos como los resistores, condensadores, o inductor. Consecuentemente necesitamos contrariar
cualquier prdida indeseada en el filtro. El circuito total medido en este caso se demuestra en el cuadro 3 2.

Aqu el filtro se sienta realmente entre dos amplificadores que levanten el nivel de la seal. El trabajo de los filters en el
sistema que este ejemplo se toma de es parar de alta frecuencia de alcanzar la salida que debe ser muestreada por un
ADC. El aumento total del voltaje est alrededor de 50 en 1 kilociclo. Las seales de los pasos del filtro de Toko de la
C.C. hasta alrededor 18 kilociclos pero atenan frecuencias ms altas. Observe tambin el par
en el recorrido de la seal. stos, tomado conjuntamente con los resistores

de condensadores

siguientes, acto como alto paso se

filtran para quitar cualquier C.C. mientras que esto era indeseada en este caso. La combinacin
resistor y de 1500pF en la entrada tambin acta como filtro low-pass adicional.

el condensador de