UNIVERSIDAD DE GUAYAQUIL

Ingeniera en Teleinformtica
Nombre: Usca Len Jessica Maribel
Curso: 4to semestre

Fecha: 04 /06/2015

DIODO VARICAP

El
diodo
de
capacidad
variable o Varactor
(Varicap) es un
tipo de diodo que
basa
su
funcionamiento en el
fenmeno que
hace que la anchura
de la barrera de
potencial en una unin PN vare en funcin de la tensin inversa aplicada entre
sus extremos.
El diodo varicap tiene la funcin de sustituir el tradicional condensador variable
montado en la mayor parte de los receptores de radio, y tambin en los
tradicionales de televisin.
Mientras que en la prctica, en el condensador variable el mando de sintona
es el eje del condensador, el elemento de control del diodo varicap es el eje de
un potencimetro.
Funcionamiento
El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que
basa su funcionamiento en el fenmeno que hace que la anchura de la barrera
de potencial en una unin PN vare en funcin de la tensin inversa aplicada
entre sus extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa
barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un
condensado variable controlado por tensin. Los valores de capacidad
obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1
V.
La capacidad formada en extremos de la unin PN puede resultar de suma
utilidad cuando, al contrario de lo que ocurre con los diodos de RF, se busca
precisamente utilizar dicha capacidad en provecho del circuito en el cual est
situado el diodo.
Al polarizar un diodo de forma directa se observa que, adems de las zonas
constitutivas de la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una
resistencia de muy bajo valor hmico, lo que conforma un condensador de
elevadas prdidas. Sin embargo, si polarizamos el mismo en sentido inverso la
resistencia paralelo que aparece es de un valor muy alto, lo cual hace que el
diodo se pueda comportar como un condensador con muy bajas prdidas. Si
aumentamos la tensin de polarizacin inversa las capas de carga del diodo se
espacian lo suficiente para que el efecto se asemeje a una disminucin de la
capacidad del hipottico condensador (similar al efecto producido al distanciar
las placas de un condensador estndar).
La capacitancia es funcin de la tensin aplicada al diodo. Si la tensin
aplicada al diodo aumenta la capacitancia disminuye, Si la tensin disminuye la
capacitancia aumenta.
Aplicacin

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La utilizacin ms solicitada para este tipo de diodos suele ser la de sustituir a

complejos sistemas mecnicos de condensador variable en etapas de sintona
en todo tipo de equipos de emisin y recepcin.
Ejemplo, cuando se acta en la sintona de un viejo receptor de radio se est
variando (mecnicamente) el eje del condensador variable que incorpora ste
en su etapa de sintona; pero si, por el contrario, se acta sobre la ruedecilla o,
ms comnmente, sobre el botn (pulsador) de sintona del receptor de TV a
color lo que se est haciendo es variar la tensin de polarizacin inversa de un
diodo varicap contenido en el mdulo sintonizador del equipo.
Curva caracterstica y simbologa del diodo Varicap.
Su modo de operacin depende de la capacitancia que existe en la unin P-N
cuando el elemento est polarizado inversamente. En condiciones de
polarizacin inversa, se estableci que hay una regin sin carga en cualquiera
de los lados de la unin que en conjunto forman la regin de agotamiento y
definen su ancho Wd. La capacitancia de transicin (CT) establecida por la
regin sin carga se determina mediante:
CT = E (A/Wd) donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores,
A es el rea de la unin P-N y Wd el ancho de la regin de agotamiento.
Conforme aumenta el potencial de polarizacin inversa, se incrementa el ancho
de la regin de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de
transicin. El pico inicial declina en CT con el aumento de la polarizacin
inversa. El intervalo normal de VR para [diodo]s varicap se limita
aproximadamente 20V. En trminos de la polarizacin inversa aplicada, la
capacitancia de transicin se determina en forma aproximada mediante: CT = K
/ (VT + VR)n
Dnde:

K = constante determinada por el material semiconductor y la tcnica de

construccin.

VT = potencial en la curva segn se defini en la seccin.

VR = magnitud del potencial de polarizacin inversa aplicado.

n = para uniones de aleacin y 1/3 para uniones de difusin

DIODO VARISTOR

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Uno de los dispositivos empleados para estabilizar la lnea, es el varistor;

tambin
es
conocido
como
supresor
de
transitorios.
Este dispositivo equivale a dos diodos zner conectados
en paralelo, pero con sus polaridades invertidas y con un
valor de tensin de ruptura muy alto.
Los varistores son construidos para diferentes valores de
tensin de ruptura; por ejemplo, un varistor con un voltaje
de ruptura de 150V conectado a la lnea comercial de
110V, se mantendr como un dispositivo inactivo hasta
que en sus extremos se presente un transitorio con un
voltaje igual o superior a los 150V; entonces el dispositivo, disparndose,
conduce (su resistencia interna se hace casi cero) y reduce el efecto daino del
transitorio en el circuito.
En suma, el varistor como dispositivo de proteccin recorta a todos los
transitorios que se presenten en la lnea; con ello, se evitan daos a los
circuitos posteriores.
Funcionamiento
El tipo ms comn de varistor es el de xido
metlico (MOV). Este contiene una masa
cermica de granos de xido de zinc, en una
matriz de otros xidos de metal (como pequeas
cantidades de bismuto, cobalto y manganeso)
unidos entre s por dos placas metlicas (los
electrodos). La regin de frontera entre cada
grano y su alrededor forma una unin de diodo,
la cual permite el flujo de corriente en una sola
direccin. La masa de granos aleatoriamente
orientados es elctricamente equivalente a una
red hecha por un par de diodos con sentido
contrario al otro, cada par en paralelo junto con
muchos otros pares. Cuando un voltaje pequeo
o moderado se aplica a travs de los electrodos, slo una corriente muy
pequea fluye, causada por las corrientes de fuga en las uniones del diodo.
Cuando un gran voltaje se aplica, la unin de diodo se rompe debido a una
combinacin de emisin termoinica y efecto tnel, produciendo que una gran
cantidad de corriente fluya. El resultado de este comportamiento es una curva
caracterstica altamente no lineal, donde el MOV tiene una gran resistencia en
bajas tensiones y una baja resistencia en altas tensiones.
Cuando la tensin en el varistor est por debajo de su "voltaje de disparo", ste
funciona como un dispositivo regulador de corriente a operacin normal, por lo
que los varistores generalmente se usan como supresores de picos de tensin.
Sin embargo, un varistor podra no limitar de forma exitosa la corriente de un
evento como la cada de un rayo, donde la energa es mucho ms grande de la

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que puede soportar. La corriente que fluye en el varistor podra ser tan grande
que destruira completamente el varistor. Inclusive, picos de tensin ms
pequeos podran degradarlo. La degradacin est definida por los grficos de
esperanza de vida, proporcionados por el fabricante, que relacionan corriente,
tiempo y nmero de pulsos. El parmetro ms importante que afecta la
esperanza de vida del varistor es su energa consumida. A medida que el
consumo de energa aumenta, su esperanza de vida decrece
exponencialmente, y el nmero de picos que pueden soportar y el voltaje de
disparo que provee durante cada pico decrecen. La probabilidad de una falla
catastrfica puede reducirse al ampliar el rango o al conectar ms varistores en
paralelo. Se dice que un varistor est completamente degradado cuando su
voltaje de disparo ha cambiado cerca del 10%. En esta condicin el varistor no
se ve daado y todava se mantiene funcional (no tiene falla catastrfica).
Tpicamente, su tiempo de respuesta es del orden de los 5 a 25 nanosegundos
y su voltaje de activacin est comprendido entre 14V y 550V. Sin embargo, su
confiabilidad es limitada, ya que se degradan con el uso. Su costo es bajo
comparado con otros dispositivos protectores, como los diodos supresores de
avalancha de silicio, y poseen buena disipacin de la energa elctrica
indeseable.
El varistor se coloca en paralelo al circuito a proteger y absorbe todos los picos
mayores a su tensin nominal. El varistor slo suprime picos transitorios; si es
sometido a una tensin elevada constante, se destruye. Esto sucede, por
ejemplo, cuando se aplica 220 VAC a un varistor de 110VAC, o al colocar el
selector de tensin de una fuente de alimentacin de un PC en posicin
incorrecta. En el diseo de circuitos es aconsejable colocar el varistor en un
punto ubicado despus de un fusible.
Tiene un gran campo de aplicacin como aparamenta de proteccin en redes
elctricas, tanto de transporte como de distribucin. Se utiliza como elemento
"pararrayos" situado en los propios apoyos de la lnea, desviando las
sobretensiones a tierra, y tambin como elemento de proteccin en los bypass
de los bancos de condensadores compensadores de reactancia de lnea.

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DIODO TUNEL
Diodo tunel. Es un diodo semiconductor
que tiene una unin pn, en la cual se
produce el efecto tnel que da origen a
una conductancia diferencial negativa en
un cierto intervalo de la caracterstica
corriente-tensin. La presencia del tramo
de resistencia negativa permite su
utilizacin como componente activo
(amplificador/oscilador).
Efecto tunel
Los diodos de efecto tunel son dispositivos muy verstiles que pueden operar
como detectores, amplificadores y osciladores. Poseen una regin de juntura
extremadamente delgada que permite a los portadores cruzar con muy bajos
voltajes de polarizacin directa y tienen una resistencia negativa, esto es, la
corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado.
Estos dispositivos presentan una caracterstica de resistencia negativa; esto es,
si aumenta la tensin aplicada en los terminales del dispositivo, se produce una
disminucin de la corriente (por lo menos en una buena parte de la curva
caracterstica del diodo). Este fenmeno de resistencia negativa es til para
aplicaciones en circuitos de alta frecuencia como los osciladores, los cuales
pueden generar una seal senoidal a partir de la energa que entrega la fuente
de alimentacin.
El efecto tunel es un fenmeno nanoscpico por el que una partcula viola los
principios de la mecnica clsica penetrando una barrera potencial o
impedancia mayor que la energa cintica de la propia partcula. Una barrera,
en trminos cunticos aplicados al efecto tunel, se trata de una cualidad del
estado energtico de la materia anlogo a una "colina" o pendiente clsica,
compuesta por crestas y flancos alternos, que sugiere que el camino ms corto
de un mvil entre dos o ms flancos debe atravesar su correspondiente cresta
intermedia si dicho objeto no dispone de energa mecnica suficiente como
para imponerse con la salvedad de atravesarlo.
A escala cuntica, los objetos exhiben un comportamiento ondular; en la teora
cuntica, un cuanto movindose en direccin a una "colina" potencialmente
energtica puede ser descrito por su funcin de onda, que representa la
amplitud probable que tiene la partcula de ser encontrada en la posicin
allende la estructura de la curva. Si esta funcin describe la posicin de la
partcula perteneciente al flanco adyacente al que supuso su punto de partida,
existe cierta probabilidad de que se haya desplazado "a travs" de la
estructura, en vez de superarla por la ruta convencional que atraviesa la cima
energtica relativa.

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Descripcin del diodo tunel

El Diodo tunel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se
produce el efecto tunel que da origen a una conductancia diferencial negativa
en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin. Los diodos Tunel
son generalmente fabricados en Germanio, pero tambin en silicio y arseniuro
de galio.
La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como
componente activo(amplificador/oscilador). Una caracterstica importante del
diodo tunel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes
de polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente
disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tunel puede
funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente,
este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran
microondas y que estn relativamente libres de los efectos de la radiacin.
Si durante su construccin a un diodo invertido se le aumenta el nivel de
dopado, se puede lograr que su punto de ruptura ocurra muy cerca de los 0V.
Los diodos construidos de esta manera, se conocen como diodos tunel. Estos
dispositivos presentan una caracterstica de resistencia negativa; esto es, si
aumenta la tensin aplicada en los terminales del dispositivo, se produce una
disminucin de la corriente (por lo menos en una buena parte de la curva
caracterstica del diodo). Este fenmeno de resistencia negativa es til para
aplicaciones en circuitos de alta frecuencia como los osciladores, los cuales
pueden generar una seal senoidal a partir de la energa que entrega la fuente
de alimentacin.
Estos diodos tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv
muy rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin
incluso ms rpido que los diodos Schottky.
Curva caracterstica del diodo tunel
Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tunel empieza a conducir (la
corriente empieza a fluir). Si se sigue aumentando esta tensin la corriente
aumentar hasta llegar un punto despus del cual la corriente disminuye. La
corriente continuar disminuyendo hasta llegar al punto mnimo de un "valle" y
despus volver a incrementarse esta ocasin la corriente continuar
aumentando conforme aumenta la tensin.
Los diodos tunel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e
Iv muy rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin
incluso ms rpido que los diodos Schottky.