FACULTEIT WETENSCHAPPEN

DEPARTEMENT FYSICA
Academiejaar 2014 - 2015

Spintronica en valleitronica met siliceen

Nathan MISSAULT

Promotor: Prof. Dr. F. PEETERS

Begeleider: B. VAN DUPPEN

Proefschrift voorgelegd tot het behalen van de graad van

MASTER IN DE FYSICA

Abstract
In this work I study silicene, a two-dimensional crystal of silicon with a
honeycomb structure like graphene, but with a buckled structure instead
of at planar one. This material is a possible candidate for constructing spintronics and valleytronics applications. In short, I have improved
with this research the understanding of the resonant behaviour of the
transmission probabilities through multiple barriers and I have managed
to optimize both spin- and valley-polarizations of the tranmitted electrons as a function of the perpendicular electric eld, magnetization and
electron energy to the point that I suggest a construction for a spinvalley lter which can give a current any spin- and valley-polarization. I
rst construct the Hamiltonian within the tight-binding fomalism. This
Hamiltonian will give us a low energy approximation of the energy band
structure and the density of states. Next, I investigate the transmission
and reection probabilities through one dimensional barriers of width d,
which are magnetized by the use of ferromagnetic strips. On top of that,
I apply a perpendicular electric eld which, as I show, will manipulate the
gap in the energy band structure. So far, this research has been limited
to only one or two barriers of equal width. In order to optimize the spinand valley polarization, I study the tranmission properties through any
number of barriers and I also briey consider two barriers with dierent
widths. These transmissions show a resonant structure and for a critical
electric eld value, which closes the bandgap, the transmission becomes
perfect at normal incidence for all energy values (Klein-tunneling). I am
also the rst to express the transmission probability through two barriers
analytically in such a way that the resonant structure can easily be understood and predicted. We also observe a small probability ( 10 3 ) for an
electron to be transmitted while the direction of its spin changes due to
spin-orbit interactions. Integrating over these transmissions gives us the
conductance through these barriers, which are dierent for electrons with
dierent spin and valley degrees of freedom. Using these conductances, I
calculate the spin- and valley-polarization of the transmitted current and
study their behaviour as a function of several dierent parameters. This
is done for dierent barrier constructions. I found that the magnetized
barriers manage to produce a spin-polarized current for which the conductance and the valley-polarization can be controlled with the electric eld,
making silicene an excellent material for both spintronics and valleytronics applications. Finally, I study the dispersion relation and the density
of states of silicene with a one-dimensional superlattice potential, which
display a miniband structure and additional Dirac points in the Brillouin
zone. I am the rst to do this for silicene.

Inhoud
1 Samenvatting

2 Inleiding
2.1 Siliceen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2 Spintronica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.3 Doelstelling . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4
4
6
7

3 Monolaag grafeen
3.1 Tight binding beschrijving van grafeen
3.2 Ontwikkeling rond een Diracpunt . . .
3.3 Klein-tunneling . . . . . . . . . . . . .
3.4 Spinor goluncties . . . . . . . . . . .
3.5 En-dimensionale potentiaalstap . . .
3.6 En-dimensionale potentiaalbarrire .

.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.

8
8
12
15
15
17
20

4 Siliceen
4.1 Tight binding beschrijving van siliceen
4.1.1 Spin-orbitaal koppeling . . . .
4.1.2 Intrinsiek Rashba SOC eect .
4.1.3 Loodrecht elektrisch veld . . .
4.1.4 Magnetizatie . . . . . . . . . .
4.1.5 Totale Hamiltoniaan . . . . . .
4.2 Spinor goluncties . . . . . . . . . . .
4.3 En-dimensionale potentialen . . . . .
4.3.1 Potentiaalstap . . . . . . . . .
4.3.2 Potentiaalbarrire . . . . . . .
4.3.3 Spinverandering bij transmissie
4.3.4 Meerdere potentiaalbarrires .
4.3.5 Conductantie en polarizatie . .
4.4 Superroosterpotentiaal . . . . . . . . .

.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.

24
25
29
31
32
32
32
36
41
42
43
46
49
53
63

5 Conclusies

67

6 Appendix
6.1 Tweede naaste nabuur benadering . . . . . . . . .
6.2 Bilaag grafeen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.2.1 Tight-binding Hamiltoniaan . . . . . . . . .
6.2.2 Reductie van de Hamiltoniaan . . . . . . .
6.2.3 Spinorgoluncties . . . . . . . . . . . . . . .
6.2.4 Stappotentialen met transfermatrixmethode
6.3 En-dimensionale potentiaalputten . . . . . . . . .

.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.

70
70
71
71
73
75
79
86

7 Referenties

89

8 Paper

91
2

Samenvatting

In deze thesis heb ik onderzoek gedaan naar siliceen, een vlak materiaal dat
slechts een enkele atoomlaag dik is. Siliceen is opgebouwd uit silicium-atomen
die geordend zijn in een zeshoekige orintatie, zoals een honingraat. Bij de
beschrijving van siliceen beperk ik me tot een benadering die enkel geldig is
wanneer de elektronen in siliceen een voldoende lage energie hebben. Ik ben
begonnen met te bestuderen wat de waarschijnlijkheid is, dat een stroom elektronen in siliceen doorheen een potentiaalbarrire geraakt. Dit is afhankelijk
van de energie van de elektronen die op deze barrire invallen, de hoek waaronder ze erop invallen en de hoogte van de barrire, wat in een klassiek geval
overeenkomt met de energie die een deeltje nodig heeft om doorheen de barrire
te geraken. In siliceen blijkt echter dat ook elektronen met een energie lager dan
de hoogte van de barrire doorgelaten kunnen worden, en in sommige gevallen,
die we resonanties noemen, is de waarschijnlijkheid hiervan zelfs erg hoog (tot
100%). Ik heb onderzocht waar deze resonanties vandaan komen.
Indien we de barrire een magnetizatie geven en een loodrecht elektrisch
veld aanleggen in ons materiaal, zijn deze transmissiewaarschijnlijkheden verschillend voor elektronen met verschillende spin. De spin van een elektron is
een kwantum mechanische eigenschap die ofwel up of down is. Dit is interessant aangezien men op zoek is naar manieren om een stroom elektronen te
lteren zodat deze enkel nog spin-up of spin-down elektronen bevat. Zo een
spin-gepolarizeerde stroom is nuttig voor spintronica, wat een soort elektronica
is waarbij de spin van de elektronen gebruikt wordt om informatie mee op te
slaan en te verwerken. Buiten deze spin zijn de transmissiewaarschijnlijkheden
ook anders voor de vallei-vrijheidsgraad, een eigenschap die elektronen in siliceen en gelijkaardige materialen hebben. Het is ook nuttig om de stroom en
vallei-polarizatie te geven, wat een gelijkaardige toepassing heeft in iets wat men
valleitronica noemt, een soort elektronica waarbij men de valleivrijheidsgraad
gebruikt.
Ik heb gevonden dat een gemagnetizeerde barrire in combinatie met een
elektrisch veld een stroom elektronen inderdaad kan polarizeren op vallei en
spin, en onder welke omstandigheden deze polarizatie het beste is. En van
deze omstandigheden is dat de energie van de elektronen net iets hoger of net
iets lager moet liggen dan de hoogte van de barrire. De magnetizatie van de
barrire bepaalt de spin-polarizatie en de vallei-polarizatie kan gecontroleerd
worden aan de hand van het elektrisch veld. In het geval er meerdere barrires
gebruikt worden, wordt de polarizatie nog beter, maar neemt het totaal aantal
doorgelaten elektronen af. Aan de hand van twee parallelgeschakelde barriresets met tegengestelde magnetizaties en een elektrisch veld zijn we dus in staat
om elke combinatie van spin- en vallei polarizaties te verwezenlijken.
Tenslotte heb ik ook kort onderzocht wat het eect is van een oneindige set
barrires. Dit blijkt de relatie tussen de totale energie van de elektronen binnen
siliceen en hun bewegingsenergie sterk te benvloeden.

Inleiding

In 2004 slaagden A. Geim en K. Novoselov er in om via de scotch tapemethode

een monolaag grafeen te produceren. Dit deden ze door met een soort tape
enkele lagen grafeen van een stuk graet te halen en dit vervolgens de deponeren
op een siliciumrooster. Door dit proces veelvuldig te herhalen neemt het aantal
overgebrachte lagen grafeen af tot er slechts n overblijft. Vervolgens werden
er baanbrekende elektrische metingen uitgevoerd die er voor zorgden dat zij in
2010 de Nobelprijs van de fysica kregen voor hun experimenteel onderzoek over
grafeen.
Vooraleer grafeen als enkele laag gesoleerd werd, geloofden onderzoekers
dat het onmogelijk was om dit te doen. Uit theoretisch onderzoek bleek dat
een monolaag grafeen niet kon bestaan vanwege thermische instabiliteit. Later
onderzoek heeft echter uitgewezen dat de koolstofbindingen in grafeen zo kort en
sterk zijn dat ze verhinderen dat thermische uctuaties het materiaal destabilizeren. Bovendien is een grafeenoppervlak niet volledig planair, maar vertoont het
een bepaalde golving die ook bijdraagt tot de stabiliteit ervan door de elasticiteit
van het materiaal te verhogen [1][2].
Grafeen heeft vele interessante eigenschappen. Het breekt recorden op het
gebied van materiaalsterkte, elektrische en thermische geleidbaarheid en meer.
Bovendien kan het een veelbelovende rol spelen in verschillende mogelijke
toepassingen varirend van biosensoren, fotodetectoren, transistoren, enzovoort.
Het is dan ook niet al te verbazingwekkend dat sinds de isolatie van grafeen
het onderzoek naar de eigenschappen van dit wondermateriaal exponentieel is
gegroeid.
Maar naast onderzoek naar grafeen is ook onderzoek naar andere tweedimensionale materialen sterk toegenomen. Sommige van de geweldige eigenschappen worden namelijk ook teruggevonden in andere twee-dimensionale materialen, terwijl ze ook andere eigenschappen kunnen vertonen die hen geschikter
maken voor specicieke toepassingen.
En van de eigenschappen die ontbreekt bij grafeen is een manipuleerbare
bandkloof in het energiespectrum. Het energiespectrum van grafeen heeft geen
bandkloof, en hoewel het mogelijk is om een kleine bandkloof te creren, is dit
niet praktisch. Dit is onder andere te wijten aan de zwakke spin-orbitaalkoppeling
in grafeen. De reden waarom we een bandkloof willen die we voldoende goed
kunnen manipuleren is om het materiaal te gebruiken in transistortechnologie op
nanoschaal. Zonder een bandkoof is de verhouding tussen de "ON" en "OFF"
toestanden namelijk te klein.

2.1

Siliceen

Hier komt siliceen om de hoek kijken. Siliceen is, net als grafeen, een tweedimensionaal materiaal met een honingraatstructuur, maar in plaats van koolstofatomen is het opgebouwd uit siliciumatomen. Dit materiaal heeft, in tegenstelling tot grafeen, een sterke spin-orbitaalkoppeling die ons toelaat om een
bandkloof te induceren door het aanleggen van een loodrecht elektrisch veld. [3]
4

Gelijkaardige structuren opgebouwd uit Ge-, Sn- of Pb- atomen hebben ook een
sterke spin-orbitaalkoppeling en zijn dus ook interessante materialen om te onderzoeken, maar siliceen heeft het voordeel dat eenvoudiger te integreren is in de
bestaande Si-gebaseerde technologie. De Hamiltoniaan die we zullen gebruiken
om siliceen te beschrijven is echter ook in staat om deze andere kandidaten te
beschrijven.
In dit onderzoek kijken we naar de elektronische eigenschappen van siliceen
en berekenen we de tranmissie- en reectiewaarschijnlijkheden doorheen elektrostatische barrires. Bovendien manipuleren we het elektronisch spectrum in een
lage-energiebenadering met behulp van een elektrisch veld en een magnetizatie
van het materiaal binnen de barrires. Er zal al snel blijken dat deze eigenschappen anders zullen zijn voor "spin-up" en "spin-down" elektronen, wat siliceen
een interessante kandidaat maakt om een stroom elektronen te polarizeren op
spin, wat interessant is voor toepassingen in de spintronica. Dit is een vorm van
electronica waarbij de spin van de ladingsdragers gebruikt wordt om informatie
op te slaan en te verwerken. De interesse in siliceen als materiaal hiervoor
wordt nog versterkt door het feit dat siliceen een langere spin-diusietijd en
spin-coherentielengte heeft in vergelijking met grafeen. [4]
Experimenteel is men er in geslaagd om epitaxiaal siliceen te groeien op
verschillende metaal-substraten, zoals op een Ag oppervlak [5][6] en op dunne
ZrB2 vlakken [7]. Het nadeel van metallische substraten is echter dat deze de
geadsorbeerde laag siliceen afschermen van een loodrecht aangelegd elektrisch
veld, waardoor de bandkloof niet meer vrij te manipuleren is. Er is echter
al theoretisch bewijs dat siliceen ook stabiel is op een substraat van h-BN,
grafeen, SiC en tussen een grafeen-sandwich [8][9][10]. Siliceen is een interessant
materiaal om nieuwe nanotchnologie te ontwikkelen. Deze technologie staat voor
de uitdaging om steeds kleinere transistoren te bouwen om snelheid en e cintie
te bevorderen. Op nanoschaal zou men bijvoorbeeld geen last meer kunnen
hebben van de verstrooiing van elektronen aan onzuiverheden in het materiaal,
wat een belangrijke oorzaak is van resistiviteit en warmte-ontwikkeling. De
reden hiervoor is dat de geleiding dan gebeurt langs topologisch beschermde
metallische randtoestanden en zo de meeste imperfecties kan omzeilen. [11] De
nood aan nanomaterialen die hiervoor geschikt zijn is dus duidelijk. Een recente
publicatie in Nature [12] vermeldt de productie van een op kamertemperatuur
functionerende siliceen-gebaseerde veldeecttransistor. Hoewel deze nog niet
het hoge rendement haalt van de huidige halfgeleider-gebaseerde transistoren,
is het een belangrijke doorbraak.
Aangezien siliceen een complexere variant is van het materiaal grafeen, beginnen we met de transmissie-eigenschappen van grafeen te onderzoeken. De resultaten hiervan zijn in zekere mate overdraagbaar op siliceen en dit is daarom
een prima opstap naar ons materiaal. Maar alvorens te beginnen gaan we wat
dieper in op spintronica.

2.2

Spintronica

Spintronica [13], of spin electronica, is een vorm van elektronica waarbij, naast
de lading van de ladingsdragers, ook de spin-vrijheidsgraad gecontroleerd en gemanipuleerd wordt voor het verwerken van informatie op een niet-binaire schaal.
In plaats van twee toestanden 0 en 1, die staan voor lading en geen lading, is
er dan een combinatie mogelijk van geen lading, spin-up gepolarizeerde lading,
spin-down gepolarizeerde lading en eventueel ook niet-gepolarizeerde lading. Dit
kan men ook uitbreiden met andere vrijheidsgraden, zoals de vallei-index in siliceen. Elektronica die de vallei-vrijheidsgraad gebruikt wordt ook valleitronica
genoemd. Een enkele bitis dan niet alleen in staat om een toestand 0 of 1 op
te slaan, maar kan meer informatie bevatten, afhankelijk van het aantal gecontroleerde vrijheidsgraden. Een direct gevolg hiervan is dat een berekening dan
minder van deze bitsnodig heeft en dus sneller kan gebeuren.
Er komen hier echter een aantal complicaties bij kijken, die verder gaan
dan de vraag hoe kunnen we een systeem e cint polarizeren. Men moet
namelijk ook in staat zijn deze spin-polarizatie in stand te houden. Dit is niet
vanzelfsprekend aangezien de spin van een deeltje geen behouden grootheid is, en
deze dus kan veranderen ten gevolge van spin-orbitaal en hyperjn interacties.
De levensduur hiervan wordt gekarakterizeerd door de spin-diusietijd en de
spin-coherentielengte in een materiaal. Bovendien moet men ook in staat zijn
de spin- (en de vallei-) toestand in een bit kunnen detecteren, zodat men niet
alleen informatie kan opslaan, maar deze ook weer kan uitlezen.
Er zijn al verschillende manieren bestudeerd om met deze problemen om
te gaan. Voor een uitgebreide review hiervan en een waaier aan toepassingen,
waaronder spinlters, spin-diodes en spin-transistoren, verwijs ik naar [13].
In de ontwikkeling van spintronica toestellen is er speciek een vraag naar
niet-magnetische spin-lters. Het feit dat siliceen hiervoor van pas komt, is al
aangetoond in [14], waar men een concreet voorstel heeft voor een Y-vormig
toestel dat elektronen met verschillende spin- en vallei vrijheidsgraden naar verschillende uitgangen stuurt. De stroom kan hierdoor bijna 100% gepolarizeerd
worden door een van de uitgangen te sluiten, en is dus een potentieel onderdeel
van spintronica-circuits. Een schets hiervan is weergegeven in guur 1. Deze
spin-lter werkt via een combinatie van een loodrecht op het vlak aangelegd
elektrisch veld en een elektrisch veld in het vlak waardoor spin-up en spin-down
elektronen een verschillende Hall-conductiviteit krijgen. Voor meer details verwijs ik naar de paper. Recent is ook een review gepubliceerd die verschillende
spintronica toestellen beschrijft die opgebouwd zijn uit siliceen. [15]

Figuur 1: Schets van een Y-vormige spin-vallei lter opgebouwd uit siliceen,
overgenomen uit referentie [14]

2.3

Doelstelling

Siliceen is dus een interessant materiaal dat een belangrijke rol kan gaan spelen in nano-elektronica en spintronica, twee gebieden die van hoog technologisch en industrieel belang zijn, nu en in de toekomst. Om de elektronische
geleidingseigenschappen van dit materiaal beter te begrijpen, onderzoeken we
de transmissie- en reectie-eigenschappen doorheen elektrostatische potentiaalbarrires. Hierbij besteden we speciale aandacht aan de verschillen tussen de
spin-up en de spin-down elektronen. Dit is namelijk belangrijke informatie voor
het creren van een e cinte spin-lter. We beperken ons bovendien niet alleen
tot enkele barrires, maar bestuderen ook de geleiding doorheen meerdere barrires en de polarizatie van de doorgelaten elektronen. Ook de invloed van vrije
parameters zoals de constructie van de barrires, de potentiaalhoogte, een loodrecht aangelegd elektrisch veld en een lokale magnetizatie op de conductantie en
de polarizatie worden onderzocht, om een beeld te krijgen van de omstandigheden die goede geleiding van elektronen met de gewenste eigenschappen toelaten.
Tenslotte wordt ook kort aandacht besteed aan een systeem bestaande uit
siliceen met een superroosterpotentiaal bestaande uit een oneindige, periodische
reeks elektrostatische barrires. In vergelijking met vrij siliceen zal dit systeem
een ander energiespectrum vertonen. Dit is een interessante, eenvoudige methode om de invloed van een substraat op siliceen te bestuderen, wat belangrijk is
aangezien losstaand siliceen niet thermisch stabiel is en dit materiaal dus altijd
op een substraat zal worden gegroeid.

Monolaag grafeen

De volgende opstelling van de tight-binding hamiltoniaan van monolaag grafeen

en de berekening van de transmissiewaarschijnlijkheid zijn genspireerd op referenties [16], [17] en [18].
Grafeen is opgebouwd uit koolstofatomen die zich in een sp2 -hybridisatietoestand
bevinden. Hierbij vormen drie van de vier valentie-elektronen sp2 -orbitalen in
nzelfde vlak. Loodrecht op dit vlak bevindt het vierde valentie-elektron zich in
een 2p orbitaal. De drie sp2 -orbitalen gelegen in het xy-vlak zorgen ervoor dat
naburige koolstofatomen -bindingen aangaan met elkaar, wat resulteert in een
hexagonaal rooster. De -bindings-elektronen zijn sterk gelokaliseerd en dragen
niet bij tot geleiding in het materiaal. De overblijvende 2pz -orbitalen vormen
twee aan twee -bindingen tussen de koolstofatomen. Er zijn twee mogelijke
conguraties voor de -bindingen in een benzeenring. In de werkelijkheid is de
conguratie een superpositie van de twee getoonde conguraties, waardoor de
-elektronen gedelokaliseerd zijn over de hele benzeenring. Een schema hiervan is weergegeven in guur 2. Bij uitbreiding naar meerdere ringen (grafeen)
zijn de -elektronen gedelokaliseerd over het hele vlak. Deze elektronen zijn
verantwoordelijk voor de elektrische geleiding in grafeen.

Figuur 2: Schets van de bindingen in een benzeenring. De superpositie van

de twee conguraties wordt weergegeven met een ring die de gedelokalizeerde
-elektronen symbolizeert.

3.1

Tight binding beschrijving van grafeen

De basis van grafeen bevat twee koolstofatomen. De roostervectoren zijn gegeven

door:
p
3a 3a
!
a1 = (
; )
(1)
2p 2
3a 3a
!
a2 = (
; )
2
2

met a=0.142 nm de afstand tussen twee naburige koolstofatomen.

Aan de hand hiervan vindt men de volgende reciproke roostervectoren:
!
b1

!
b2

2
2
(p ;
)
3a 3a
2
2
( p ;
).
3a 3a

(2)

Figuur 3 toont de roostervectoren in de rele ruimte en de Brillouinzone met de

reciproke roostervectoren

Figuur 3: Links: hexagonale structuur van grafeen. De vectoren ~ i verbinden de

naaste naburen en de roostervectoren ~ai construeren de eenheidscel. Rechts: De
Brillouinzone van grafeen met de reciproke roostervectoren ~bi . Ook de Diracpunten K en K 0 zijn aangeduid. Figuur overgenomen uit [17].
Aangezien grafeen twee atomen bevat die niet equivalent zijn onder de roostertranslaties (aangeduid met A en B), wordt de tight-binding golunctie gegeven
door
!
A !
A !
B !
B !
(3)
k( r ) = c ( k ) k ( r ) + c ( k ) k ( r )
De goluncties van de subroosters zijn superposities van de atomaire goluncties
met een fasefactor. De totale golunctie kan men dus als volgt herschrijven
!
!
1 X i!
!
r)= p
e k Rj (cA ( k )
N !

k(

A !
k(r

!
!
R A ) + cB ( k )

B !
k(r

!
RB ))

(4)

Rj

!
waarbij N het aantal atomen in het rooster voorstelt, en Rj = n!
a1 + m!
a2 de
!
!
roosterpuntposities zijn met j=(n,m). Om de co cienten cA ( k ) en cB ( k ) te

bepalen projecteren we de Hamiltoniaan op de orbitalen van de subroosters.

!
i = E( k ) h i j i
X
! X
cj h i jHj j i = E( k )
cj h
h

i jHj

(5)
ij

ji

We gaan er van uit dat de goluncties van de subroosters orthonormaal zijn, en

dus h i j j i = ij .
X 1 XX ! ! ! D
!
!
!E
r
Ri )jHj j (!
r
Rj )
= E( k )ci
(6)
ei k (Rj Ri ) i (!
cj
N ! !
j
Ri

Rj

X
j

!
! X i!
cj ( k )
e k ( Rj

!
Ri )

ij

!
!
= E( k )ci ( k ) .

!
Rj

Aan de hand van deze laatste formule kunnen we de Hamiltoniaan voor grafeen
vinden. In de naaste nabuur benadering vinden we de volgende set van vergelijkingen:
!
!
E( k )cA ( k ) =
!
!
E( k )cB ( k ) =

AA c

BA (1

!
(k)+
+e

AB (1 + e
!!
!!
ik a
ik a
1
2

+e

!
)cB ( k )
!
!
)cA ( k ) + BB cB ( k )
!!
ik a
1

+e

!!
ik a
2

(7)

waaruit we kunnen concluderen dat in eerste benadering de Hamiltoniaan voor

monolaag grafeen gegeven is door
! !
f
(
k)
AA
AB
H=
(8)
!
BA f ( k )
BB
!!
!!
!
waarbij f ( k ) = 1 + e i k a1 + e i k a2 : Indien de twee niet-equivalente atomen
A en B dezelfde potentiaal ondervinden, mag men stellen dat AA = BB = 0.
Verder geldt wegens het hermitisch zijn van de Hamiltoniaan dat AB = BA =
. De Hamiltoniaan wordt dus gegeven door
ED
X
A
B
(9)
H= t
j
i
hi;ji

waarbij de indices j en i respectievelijk over de atomen in subrooster A en B

lopen en t de hopping parameter genoemd wordt, een parameter die de energie
bepaald voor een ladingsdrager om van het ene atoom naar een andere over
te springen. De grootte van deze parameter is = -t = -3.12 eV. De energieeigenwaarden van deze Hamiltoniaan vinden we aan de hand van
det(H
2

I) = 0
! 2
f( k )
= 0
!
f( k )
10

!
= E( k ) .

(10)

Expliciet kunnen we de energie van het systeem dus schrijven als

p

!
E( k ) =

3a
3a
1 + cos(
kx + ky ) + cos(
2
2

!
3a
3a
kx + ky ) .
2
2

(11)

Dit energiespectrum is weergegeven in guur 4 en is opgebouwd uit twee energiebanden. Elk koolstofatoom draagt n elektron in een -binding bij aan de
elektrische geleiding. In de grondtoestand is de onderste band, de -valentieband,
volledig gevuld en de bovenste band, de -conductieband, helemaal leeg. Het
!
Fermi-niveau ligt dus bij de nulpunten van de structuurfunctie f ( k ). Deze
nulpunten noemt men de Dirac-punten, en worden als volgt gevonden:

!
ik !
a1

1+e
3
cos( aky )
2

+e

!
f( k )

!
ik !
a2

3
i sin( aky )
2

(12)
1

=
2 cos(

3
2 akx )

Uit deze laatste uitdrukking vinden we kx en ky door het imaginaire en rele

deel van het linker- en rechterlid van de vergelijking aan elkaar gelijk te stellen.
3
sin( aky )
2

=) ky

2n
;n 2 Z
3a

cos(n )

2 cos(

3
2 akx )

=) kx

(13)

2
p
3 3a
4
p
3 3a

+
+

11

4p m
;
3a
4p m
;
3a

n oneven
;m 2 Z .
n even

Figuur 4: Boven: 3D weergave van het tight binding energiespectrum van monolaag grafeen. Onder: Energiespectrum voor kx = 0. De twee nulpunten stellen
de hierboven beschreven Diracpunten voor.
In de appendix wordt kort onderzocht wat de bijdrage is van de tweede
naaste naburen, die we hierboven verwaarloosd hebben.

3.2

Ontwikkeling rond een Diracpunt

De Diracpunten beschreven door K en Kvormen een hexagonaal rooster in het

reciproke vlak. Er zijn slechts twee van deze punten die niet equivalent zijn
12

!
!
onder de translatie met de reciproke roostervectoren b1 en b2 . Deze punten zijn
!
4
K = 3p
; 0 , waarbij we de vallei-index = 1 ingevoerd hebben. Indien
3a
een elektron een lage energie heeft, bevindt het zich in n van de twee valleien
!
rond K : Men kan de benadering maken dat het elektron niet verstrooit tussen
de twee valleien. Deze benadering is geldig indien het elektron een golfvector
!
heeft die slechts weinig verschilt van de vallei K . Er is dus geen verstrooiing
tussen de valleien indien
j!
q ja << 1
(14)
!
!
waarbij !
q =K
k . Dit is meestal het geval, omdat het anders zou impliceren
dat er een grote verandering is in de impuls.
!
Voor de ontwikkeling rond een Diracpunt herschrijven we de Diracpunten K
in functie van de reciproke roostervectoren:
!
b1

!
K =

!
b2
3

(15)

Aan de hand van deze formule vinden we de volgende resultaten.

!
K

!
a1

!
K

!
a2

2
+ 2 n0
3
2
+ 2 m0 ,
3

(16)

! !
met n en m gehele getallen. Vervolgens substitueren we k = K + !
q in de
!
uitdrukking voor f ( k ):
!
f( k ) = 1 + e

i!
q !
a1

2
3

+e

i!
q !
a2 i

Vervolgens voeren we de benadering j!

q ja << 1 in door e
als eerste orde Taylor-reeks.
!
f( k )
!
f( k )

2
3

.
i!
q !
ai

(17)
te benaderen

2
2
i!
q !
a 1 )e i 3 + (1 i!
q !
a 2 )ei 3
(18)
2
2
2
1 + 2 cos(
) i!
q !
a 1 cos(
) i sin(
)
3
3
3
2
2
i!
q !
a 2 cos(
) + i sin(
)
3
3
p
!
i! !
3! !
f( k )
q (a1+!
a 2)
q (a1 !
a 2) .
2
2
p
Aangezien !
a1+!
a 2 = (0; 3a) en !
a1 !
a 2 = ( 3a; 0); vinden we tenslotte als
eerste orde benadering van de structuurfunctie rond een Diracpunt:

1 + (1

!
f( k )

3a
( qx
2

13

iqy ) .

(19)

!
!
!
!
In een nieuwe basis (A K + ; B K + ; A K ; B K ) krijgen we dan de benaderde
Hamiltoniaan
0
1
0
qx iqy
0
0
C
3a B qx + iqy
0
0
0
C .
(20)
H=t B
0
0
0
qx iqy A
2 @
0
0
qx + iqy
0
Bij lage energie (geen verstrooiing) kunnen we ons beperken tot n van de
!
valleien. Indien we het gekozen Diracpunt K + bovendien als nulpunt nemen,
krijgen we als Hamiltoniaan:
0
kx + iky

H = ~vF

kx

iky
0

(21)

waarbij vF de Fermi-snelheid is:

vF =

1 dE
t 3a
=
.
~ dk
h 2

(22)

!
De rond K + benaderde Hamiltoniaan heeft de vorm van de relativistische DiracHamiltoniaan
HD = c! !
p + mc2
(23)
waarbij voor vier dimensies geldt:

(met i gaande over x, y

0 I2
en voor twee dimensies I = I (met I gaande over x
I2 0
en y) en = z : Hierbij zijn i de Pauli-matrices en is I2 de twee dimensionale
eenheidsmatrix. De Pauli-matrices zijn gegeven door:

en z) en

0
1

1
0

0
i

i
0

1
0

0
1

(24)
(25)
.

(26)

!
Indien we in onze Hamiltoniaan ~ k substitueren met !
p dan kan deze herschreven worden als
H = vF (px x + py y ) .
(27)
Dit is een Dirac-Hamiltoniaan voor massaloze deeltjes met een snelheid die vele
c
malen kleiner is dan de lichtsnelheid: vF
300 :

14

3.3

Klein-tunneling

Beschouw de Dirac-Hamiltoniaan met een n-dimensionale potentiaalterm. We

stellen voor de eenvoud ~ = 1.
b = vF (kx bx + ky by ) + V (x)Ib2 .
H

(28)

In het Heisenbergbeeld wordt de snelheidsoperator gegeven door

vbx

=
=

b
i[x; H]

(29)

i[x; vF kx bx ]

= vF b x .

Indien we de tijdsverandering hiervan beschouwen krijgen we

@
vbx
@t
Waardoor geldt dat

=
=
=

b
i[bx ; H]

(30)

i[bx ; vF ky by ]

2vF bz ky .

@
b x / ky .
(31)
@t
Aangezien we een systeem beschouwen dat translatiesymmetrie heeft in de yrichting, zal ky een behouden grootheid zijn. Indien een elektronengolf dus loodrecht invalt op een n-dimensionale potentiaalstap of -barrire (m.a.w. ky = 0),
heeft dit tot gevolg dat de snelheid vx en dus ook de pseudospin x behouden
grootheden zijn. Dit zal er voor zorgen dat een loodrecht invallende golf niet
gereecteerd kan worden aan een potentiaalbarrire, maar met 100% waarschijnlijkheid doorgelaten wordt. Wanneer de energie van de invallende golf kleiner
is dan de potentiaalhoogte, zal de golf tunnelen door toestanden in de valentieband. Dit fenomeen heet Klein-tunneling.
Klein-tunneling is een concept dat zijn oorsprong heeft gevonden in de quantum electrodynamica (QED), waar het oorspronkelijk de Klein paradox genoemd
werd. Hoewel het in fenomeen in de QED goed begrepen was, was het vanwege
praktische limitaties nooit experimenteel aangetoond. Toen duidelijk werd dat
Klein-tunneling ook optrad in grafeen, werd grafeen een belangrijk medium voor
experimenten over het relativistische Klein-tunneling en andere QED fenomenen [2][16]. Klein-tunneling werd onder andere experimenteel waargenomen in
[19].

3.4

Spinor goluncties

We zoeken nu de eigenvectoren van de twee bij twee Dirac-Hamiltoniaan. Deze

wordt gegeven door
(H
I) = 0
(32)

15

waarbij =
volgt dat

~vF jkj de eigenwaarden zijn van de Hamiltoniaan. Hieruit

jkj
kx + iky

kx

iky
jkj

0
0

(33)

Aan de hand van deze twee vergelijkingen vinden we volgende vergelijking in

functie van 1
b
kx2 + b
ky2
(34)
1 .
1 =
2
jkj

Indien we nu veronderstellen dat ons systeem altijd translatiesymmetrie heeft

in de y-richting, kunnen we voor de golfvergelijking in de y-richting uitgaan van
een vrij deeltje, en kunnen we de golunctie herschrijven als
n (x; y)

n (x)e

iky y

(35)

Vervolgens voeren we de dierentiaaloperator-vorm van de golfvector in: b

kxi =
@
i @x
:
De
-vergelijking
wordt
dan
1
i
iky y
1 (x)e

~vF
E

@ 2 1 (x)
@x2
r

Indien we nu de denitie kx =

E
~vF

@2
@2
+ 2
2
@x
@y
E
hvF

1 (x)e

ky2

iky y

1 (x)

(36)

ky2 invoeren heeft deze tweede orde

dierentiaalvergelijking als oplossing

1 (x)

Nu we een uitdrukking voor

voor 2 vinden.
2 (x)e

iky y

=
=
=

= Aeikx x + Be

ikx x

(37)

gevonden hebben, kunnen we ook de uitdrukking

~vF
@
@
(38)
i
+
(Aeikx x + Be ikx x )eiky y
sj j
@x @y
1
(Akx eikx x Bkx e ikx x ) + iky (Aeikx x + Be ikx x ) eiky y
sjkj
1 kx + iky ikx x iky y kx iky
Ae
e
BAe ikx x eiky y
s
jkj
jkj

waarbij s het teken van de energie E is. De laatste vergelijking kunnen we ook
uitdrukken in poolcordinaten, waarbij kx + iky = jkjei en kx iky = jkje i .
Met deze notatie kunnen we de eigenspinor schrijven als
(x; y) = A

1
sei

eikx x eiky y + B

1
se

ikx x iky y

Deze spinor beschrijft een linkslopende en een rechtslopende golf.

16

(39)

3.5

En-dimensionale potentiaalstap

Aan de hand van de gevonden golunctie kunnen we nu de transmissiewaarschijnlijkheid doorheen een n-dimensionale stappotentiaal berekenen:
V (x) =

0
U0

x<0
.
x>0

(40)

We voeren nu volgende substituties in:

E
~vF
U0
.
~vF

=
v0

Zodat we kx als volgt kunnen beschrijven:

q
2
ky2
kx = q
(
v0 )2 ky2

(41)

x<0
.
x>0

(42)

Aangezien we hier werken met een ndimensionale stappotentiaal, is ky hier

een behouden grootheid. Voor de eenvoud stellen we kx (x < 0) = kx en kx (x >
0) = qx : De hoeken voor en in de stappotentiaal zijn dan
=
=

Waarbij s0 = sign(E

ky
)
kx
ky
arctan( 0 ) .
s qx
arctan(

(43)

U0 ): Aangezien ky behouden blijft, volgt hier ook uit dat

sin( ) =
sin( )
=
sin( )

v0 ) sin( )
v0
= n1;2 .

(44)

We herkennen hier de optische brekingswet van Snellius in. Merk hier op dat
indien de energie lager is dan de hoogte van de potentiaal, de brekingsindex n1;2
negatief wordt. In dat geval is een monolaag grafeen dus een metamateriaal.
Het breken van de golf aan de potentiaalstap is weergegeven in guur 5.

17

Figuur 5: Schets van de breking van de golf aan de potentiaalstap (a) en schets
van de potentiaalstap (b).
Uit de denitie voor qx vinden we dat er een kritische hoek bestaat waarbij
de golfvector exponentieel uitdooft in de potentiaalstap. Dit gebeurt wanneer
jky j > j
v0 j. De set van goluncties die dit probleem beschrijven zijn:
(x; y) =

1
sei

eikx x eiky y + r se1 i e

0
t eis10 eis qx x eiky y

ikx x iky y

x<0
.
x>0

(45)

Merk op dat we voor E<U0 de links propagerende gatengolf gebruiken als transmissiegolf.
Aangezien er in de Hamiltoniaan slechts een 1e orde afgeleide zit, volstaat het
om hier continuteit voor de goluncties te eisen in x=0. De continuteit van de
afgeleide van de golunctie wordt niet geist. Hieruit volgt:
1
sei

+r

=) sei

1
se

= t

rse

waaruit volgt dat

18

(46)

eis0
0

(1 + r)eis

t =

sei2
ei(s +
s + ei(s0 + )
s(1 + ei2 )
.
s + ei(s0 + )

(47)

Hiermee vinden we de reectie- en transmissiewaarschijnlijkheden:

R

1 s cos(s0
1 + s cos(s0 +
2s cos(s0 ) cos(
1 + s cos(s0 +

)
)
)
.
)

(48)

De transmissiewaarschijnlijkheid aan een potentiaalstap is weergegeven in Figuur

6. Zoals voorspeld treedt voor loodrechte inval Klein-tunneling op: ongeacht de
hoogte van de potentiaal en de energie van het elektron wordt de golf 100%
doorgelaten. Verder vinden ze enkel transmissie in de regio waar zowel de
golfvector buiten de potentiaal, kx ; en die binnen de potentiaal, qx ; reel zijn.
Dit gebeurt respectievelijk wanneer jky j > en wanneer jky j > j
v0 j.
Het feit dat we voor energien lager dan de potentiaalhoogte zon hoge
transmissiewaarschijnlijkheid vinden is erg bijzonder. Voor een vrij deeltje
(parabolisch energiespectrum) zal de golunctie de potentiaalstap ook kunnen
binnentunnelen, maar dit leidt slechts tot een lage transmissiewaarschijnlijkheid,
ook voor loodrechte inval. De transmissiewaarschijnlijkheid daalt exponentieel
naarmate de sterkte van de potentiaal toeneemt.

19

Figuur 6: Links: transmissiewaarschijnlijkheid door een potentiaalstap voor

monolaag grafeen in functie van de energie en de invalshoek . De potentiaalhoogte is U0 =0.5 1 . Deze parameter wordt later verduidelijkt. Rechts: polarplot van de transmissie door een potentiaalstap voor monolaag grafeen. De
curves hebben verschillende verhoudingen tussen de energie en de potentiaal9
hoogte. Blauw: UE0 = 12 , rood: UE0 = 10
, groen: UE0 = 21 .

3.6

En-dimensionale potentiaalbarrire

We beschouwen volgende potenitaalbarrire:

8
x<0
< 0
U0
0<x<d .
V (x) =
:
0
x>d

(49)

We bereken de transmissiewaarschijnlijkheid met behulp van de transfermatrixmethode. Voor de eenvoud schrijven we de gollfunctie als een product van
matrices:
j (x; y)

1
eikx x eiky y + bj
sei
= Pj Ej Cj .
= aj

20

1
se

ikx x iky y

(50)

Waarbij de index j verwijst naar de verschillende gollfuncties binnen of buiten

de barrire en waarbij:
Pj

1
sei

1
se

Ej

eikj x
0

Cj

aj
bj

(51)

eiky y

ikj x

e
.

We eisen opnieuw continuteit van de golunctie aan de rand van de potentiaalbarrire (x=u):
P1 E1 (x = u)C1
=) C1

=
=

P2 E2 (x = u)C2
1

(52)

E1 (x = u)P1 P2 E2 (x = u)C2 .

De transfermatrix M aan de potentiaalstap wordt dus gegeven door

M1

!2

= E1 1 (x = u)P1 1 P2 E2 (x = u) = M .

(53)

De transfermatrix aan het einde van de potenitaalstap wordt simpelweg gegeven

door
M 2 !1 = E2 1 (x = u)P2 1 P1 E1 (x = u) = M 1 .
(54)
Waardoor de transfermatrix van de barrire tenslotte gegeven wordt door
M bar = M (x = 0)M

(x = d) .

(55)

Om de transmissiewaarschijnlijkheid te berekenen moeten we nu volgend stelsel

oplossen:
1
r

bar
M11
bar
M21
1
.
bar
M11

=) t =

bar
M12
bar
M22

t
0

(56)

Waardoor de transmissiewaarschijnljkheid gegeven wordt door:

T

=
=
=

(57)

bar 2
M11

cos2
1+

cos2

(F 2

cos2 (q

cos2 cos2
x d) + (sin sin

1)2 sin2 (qx d)

1
1) sin2 (qx d)

waarbij
F =

sin sin
1
cos cos
21

(58)

Uit deze uitdrukking is al onmiddelijk af te leiden dat we onder twee omstandigheden perfecte tranmissie vinden. De eerste is wanneer F 2 = 1, waaraan
voldaan is wanneer
=
= 0, met andere woorden voor loodrechte inval.
Dit is de Klein-tunneling die we eerder al vermeld hebben. Verder vinden we
perfecte tranmissie wanneer sin(qx d) = 0. Deze resonanties zijn net als bij de
Schrdingervergelijking een volledige transmissie die optreedt wanneer de elektronen een staande golf vormen in de barrire, m.a.w. wanneer de dikte van de
barrire een geheel aantal keren de helft van de golengte van de invallende golf
bedraagt. Dit is een soort Fabry-Prot resonantie en zullen we in de rest van dit
werk ook zodanig benoemen. Net als bij een Fabry-Prot interferometer kan de
golf binnen de barrire een paar keer reecteren aan de randen alvorens ergens
doorgelaten te worden. Indien de helft van golengte van de golf een geheel
aantal keer in de barrire past (ofwel d = n2 ; n 2 N0 ) zullen de doorgelaten
golven constructief met elkaar interfereren, wat leidt tot maximale transmissie.
Deze transmissiewaarschijnlijkheid is weergegeven in Figuur 7.

Figuur 7: Links: Transmissiewaarschijnlijkheid voor een barrire met hoogte

U0 = 0:5 1 en dikte 100nm. Rechts: Polarplot van de transmissie voor dezelfde
potentiaalbarrire maar voor verschillende invalsenergien. Blauw: UE0 = 52 ,
rood: UE0 = 34 , groen: UE0 = 54 .
Het gedrag van de resonanties is gemakkelijk af te leiden uit de Fabry-Prot

22

resonantievoorwaarde dqx = n . Indien we dit oplossen naar E( ) vinden we:

r
2
sign(U )
1 + nV vdF
1 cos2 ( )
E( )
=
(59)
U
cos2 ( )
waarbij n 2 Z. Dit kunnen we benaderen als
E( )
sign(U ) 1
=
+ + O(
U
cos2 ( )
2
Voor bepaalde waarden van n zal
benaderd worden als
1
E=
2

cos2 ( )) .

(60)

klein zijn en kan deze uitdrukking verder

n vF
Ud

(61)

Dit komt overeen met de zo goed als horizontale lijnen die we zien in guur X bij
de lage energiewaarden. Voor hogere waarden van n vinden we bij benadering
dat E / cos 2 ( ), wat het gedrag van de hoger gelegen resonanties verklaart.
Een gelijkaardige methode kan men ook gebruiken om het energiespectrum
en de transmissie-eigenschappen voor meerdere lagen grafeen te bestuderen. In
de appendix is dit uitgewerkt voor bilaag grafeen.

23

Siliceen

Nu we de belangrijkste eigenschappen voor grafeen gevonden hebben, kunnen we overgaan op de iets complexere variant siliceen. Siliceen is een tweedimensionale, hexagonale structuur van Si-atomen. In tegenstelling tot grafeen,
liggen de atomen echter niet langer in hetzelfde vlak, maar vertonen ze een
licht hoogteverschil, zoals weergegeven in guur 8. In het Engels spreekt men
dan van buckling. We deniren 2l als het hoogteverschil tussen de twee subroosters. De geknikte structuur is een gevolg van de grotere ionaire straal van
silicium vergeleken met koolstof. De laatste jaren is de interesse in siliceen
sterk toegenomen omdat de meeste interessante elektronische eigenschappen
van grafeen ook voorkomen in siliceen, met daarbovenop een grotere bandkloof in de Dirac-kegel van de bandenstructuur, die elektrisch te manipuleren is.
Verder lijkt siliceen gemakkelijk te integreren in de moderne silicium-gebaseerde
halfgeleidertechnologie en zijn er zelfs mogelijk toepassingen in spintronica, een
opkomende technologie die naast de lading ook de spin van elektronen benut.

Figuur 8: Schets van de honingraatstructuur van siliceen met geknikte structuur

waardoor de subroosters A en B verschillen in hoogte met een afstand 2l. Ez
duidt het elektrisch veld aan dat loodrecht op het siliceenvlak wordt aangelegd.
De hoek is de hoek die gevormd wordt door de Si-Si-binding en de z-richting.

24

4.1

Tight binding beschrijving van siliceen

De beschrijving van de Hamiltoniaan van siliceen is gebaseerd op de

beschrijvingen in referenties [3] en [20].
The tight binding Hamiltoniaan voor grafeen was opgebouwd met de pz orbitalen aangezien enkel deze orbitalen verantwoordelijk waren voor elektrische
geleiding in grafeen. In siliceen spelen echter vanwege de geknikte structuur ook
andere orbitalen een rol, namelijk de 3s , 3px , 3py en 3pz orbitalen. Aangezien de
eenheidscel van siliceen, net als bij grafeen, twee verschillende sites A en B bevat,
B
B
A
A
A
B
}
; pB
gebruiken we de representatie { pA
y ; px ; s
z ; pz ; py ; px ; s
om de tight binding Hamiltoniaan van siliceen op te bouwen. De totale Hamiltoniaan rond het K punt wordt dan gegeven door
H0 =

H
Hyn

Hn
H

H =

E
Ty

T
E

(62)

met
.

(63)

Hn , H en H zijn respectievelijk een 2x6, een 2x2 en een 6x6 matrix. We

nemen als nulpuntsenergie het energieniveau van het 3p orbitaal. De E matrix stelt de on-site energie voor van de verschillende orbitalen die in dit geval
gegeven wordt door
1
0
0 0 0
(64)
E = @0 0 0 A
0 0
waarbij
het energieverschil tussen het 3s en het 3p orbitaal is. Uit eenvoud
gaan we er van uit dat deze basis orthogonaal is.
Net als bij grafeen nemen we als eenheidscel de cel opgebouwd uit de vectoren
!
p
1
3
~a1 = a
;
;0
(65)
2 2
!
p
1
3
~a2 = a
;
;0 .
2 2

Voor siliceen is de celparameter a = 3:86 A.

De verschillende hopping-matrixelementen worden gegeven door
t(k) =

3
X

~ ~

t(d~i )eik di

(66)

i=1

waarbij t(d~i ) de verschillende hopping-parameters zijn en d~i de translatie-vectoren

25

naar de naaste naburen zijn. Deze zijn gegeven door

!
p
a
3 1
~
d1 = p
; ; cot
2 2
3
!
p
3
1
a
; ; cot
d~2 = p
2 2
3
a
d~3 = p (0; 1; cot )
3

(67)

waar de hoek is tussen de Si-Si binding en de z-richting, zoals aangegeven

op guur 5. Aan de hand hiervan is te vinden dat de hopping-matrices bij het
K-punt ( 43a ; 0) gegeven worden door
0
1
V1
iV1
V2
V1
iV2 A
T = @ iV1
(68)
V2
iV2
0
Hn

0
V3

0
iV3

0
0

V3
0

iV3
0

0
0

waarbij
V1

V2

V3

3
sin2 (Vpp
Vpp )
4
3
sin Vsp
2
3
sin cos (Vpp
Vpp ) .
2

(69)

Vss ; Vsp ; Vpp en Vpp stellen de hopping parameters van de - en de binding voor die gevormd worden door de 3s en 3p orbitalen. Hun waarde komt
overeen met de energie die nodig is om tussen de respectievelijke orbitalen te
hoppen. Hopping gebeurt voor lage energiewaarden niet rechtstreeks tussen
de twee pz -orbitalen van naburige atomen, en ook niet tussen de s-orbitalen,
maar wel tussen het pz -orbitaal en naburige px - en py -orbitalen, tussen de px en py -orbitalen en naburige s-, px -, py en pz -orbitalen en tussen het s-orbitaal
en naburige px - en py -orbitalen. De volledige tight binding Hamiltoniaan in de
B
A
A
A
B
B
basis { pA
; pB
} wordt dus gegeven door
z ; pz ; py ; px ; s
y ; px ; s
0
1
0
0
0
0
0
V3
iV3
0
B 0
0
V3 iV3
0
0
0
0 C
B
C
B 0
C
V
0
0
0
V
iV
V
3
1
1
2 C
B
B 0
iV3
0
0
0
iV1
V1
iV2 C
C .
H0 = B
(70)
B 0
0
0
0
V2
iV2
0 C
B
C
B V3
C
0
V1 iV1
V2
0
0
0 C
B
@iV3
0
iV1 V1
iV2
0
0
0 A
0
0
V2 iV2
0
0
0
26

Om deze Hamiltoniaan te diagonaliseren herschrijven we deze eerst in de basis

A
B B B
A
fpA
z ; s ; '2 ; pz ; s ; '1 ; '3 ; '4 g waarbij
'A
1

'B
2

'3

'4

zodat H0 ! H1 :
0

0
B 0
B 0
BiV3
B
B 0
H1 = B
B 0
B
B 0
B
@ 0
0

1
A
p (pA
pA
x + ipy ) =
+
2
1
B
p (pB
pB
x
y )= p
2
1
p
pA + pB
+
2
1
p
pA
pB
+
2

iV30
iV20
0
0
0
0
0
0

0
iV20
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
iV30
0
0

0
0
0
0

0
0
0
iV30
iV20
0
0
0

iV20
0
0

(71)

0
0
0
0
0
0
V10
0

1
0
0 C
C
0 C
C
0 C
C
0 C
C
0 C
C
0 A
V10

(72)

p
p
waarbij V10 = 2V1 ; V20 = 2V2 ; V30 = 2V3 . Deze Hamiltoniaan is op te delen in
drie blokdiagonalen: HA ; HB en HC .
De energie-eigenwaarden van HA en HB voldoen aan de vergelijking:
det(HA=B
3

(V202

V302 )

I3 )

V302

0.

(73)

De eigenvectoren vinden we aan de hand van

HA=B

i I3

~ui = 0 .

(74)

Hiermee vinden we dat de unitaire transformatie naar de diagonale basis voor

HA gegeven wordt door
0

B
UA = @

1(

1;

2;

3g

A
B
= fpA
z ; s ; '2 gUA

1
V20 1

2
V20 2

3
V20 3

0
1 )V3

2(

0
1 V3

0
2 )V3

3(

0
2 V3

0
3 )V3

0
3 V3

met normalisatiefactoren
i

1+

V20

2
i
0
i )V3

(
27

(75)
1

C
A = fuij g

(76)

i
V30

(77)

en die voor HB :

B
A
= fpB
z ; s ; '1 gUB
1
u11
u12
u13
u22
u23 A .
UB = @ u21
u31
u32
u33

4;

Als we verder deniren dat

transformatie
f

1;

4;

2;

5;

3;

6;

5;
0
7

6g

= '3 en

7;

8g

(78)
(79)

= '4 , vinden we dus dat de unitaire

B A A A B B B
= fpA
z ; pz ; py ; px ; s ; py ; px ; s gU

(80)

de Hamiltoniaan diagonaliseert:
H00

H00

U y H0 U
0
0
1
B0
1
B
B0 0
B
B0 0
B
B0 0
B
B0 0
B
@0 0
0 0

0
0
2

0
0
0

0
0
0
0
0

0
0
0
0

0
0
0
0

0
0
0
0
0

0
0
0

0
0

0
0
0
0
0
0
V10
0

1
0
0 C
C
0 C
C
0 C
C .
0 C
C
0 C
C
0 A
V10

(81)

Aangezien siliceen een vrij lage buckling heeft, is V30 klein en zijn de oplossingen
van vergelijking (???) bij benadering
V302
V202
p
+

(82)
2

p2

+ 4V22
+ 4V22

.
2
Vanwege de half-gevulde schil van silicium weten we dat 4 van deze 8 energieniveaus onder het Fermi-niveau liggen. Aangezien V1 en 3 onder 1 liggen en de
rest erboven, weten we dat het Fermi-niveau van siliceen in de buurt van 1 ligt,
dus voor een lage energie-benadering kunnen we ons beperken tot de volgende
twee toestanden:
3

1
A
u11 pA
pB
ipB
x
y
z + u21 s + u31 p
2
1
A
p pA
u11 pB
u21 sB + u31
z
x + ipy
2

(83)
.

Om de fysica rond het K-punt te bestuderen voeren we een eerste orde

expansie van de Hamiltoniaan rond dit punt uit die we vervolgens projecteren op
de toestanden f 1 ; 4 g. Op deze manier vinden we de herkenbare Hamiltoniaan
HK =

1 I2

0
vF (kx + iky )
vF (kx iky )
0
28

(84)

waarbij we ~ = 1 hebben gesteld en waar de Fermi snelheid gegeven wordt door

p
3a 2
vF =
[u11 (Vpp sin2 + Vpp cos2 ) u221 Vss
(85)
2
1
ju31 j2 sin2 (Vpp
+2u11 u21 cos Vsp
Vpp )] .
2
Voor siliceen is deze waarde gegeven door vF = 5:52 105 m=s. pMerk op dat
in het geval dat = 2 , zoals het geval is bij grafeen, vF = 23a Vpp . We
zien dus dat bij siliceen de Fermi snelheid de verschillende hopping parameters
Vpp ; Vpp ; Vss en Vsp bevat, terwijl deze bij grafeen enkel bepaald wordt door
Vpp . Dit wisten we al aangezien bij de planaire structuur de orbitalen een sp2 hybridisatie vertonen en bij de niet-planaire conguratie iets tussen een sp2 - en
sp3 -hybridisatie.
In de lage energiebenadering zien we dus dat we aan een gelijkaardige Hamiltoniaan als die voor grafeen komen. Het voornaamste verschil zit zich tot nu
toe in de Fermi-snelheid. Deze Hamiltoniaan moet echter nog aangevuld worden
met enkele niet-triviale eecten.
4.1.1

Spin-orbitaal koppeling

Een van de interessante eigenschappen van siliceen is de grotere spin-orbitaal

koppeling in vergelijking met grafeen. Dit zorgt namelijk voor een bandkloof in
de Dirac-kegel bij het K-punt. Deze interactie wordt beschreven door
Hso

=
=

~ ~s
L+ s + L s+
+ Lz sz
0
2

0L

(86)
.

B A A A B B B
De matrix-elementen in de basis fpA
z ; pz ; py ; px ; s ; py ; px ; s g f"; #g kunnen
dan berekend worden met behulp van de volgende formules:
p
L+ jl; ml i =
l(l + 1) ml (ml + 1) jl; ml + 1i
(87)
p
l(l + 1) ml (ml 1) jl; ml 1i
L jl; ml i =

Lz jl; ml i = ml jl; ml i
p
s+ js; ms i =
s(s + 1)
p
s js; ms i =
s(s + 1)

sz js; ms i = ms jl; ms i .

ms (ms + 1) js; ms + 1i
ms (ms

1) js; ms + 1i

Hierbij stellen l en s het draaimoment- en spin-kwantumgetal voor, en ml en ms

de bijbehorende magnetische kwantumgetallen. Herinner dat l = 1; +1 niet
overeenkomen met px ; py . In het algemeen geldt dat de toestanden jpx i en jpy i
superposities zijn van de toestanden j1; 1i en j1; 1i ; die onderling orthonormaal

29

zijn. En van de opties hiervoor is het volgende:

1
p (j1; 1i j1; 1i)
2
i
p (j1; 1i + j1; 1i) .
2

jpx i =
jpy i =

(88)

Als voorbeeld werken we enkele matrixelementen expliciet uit:

1 1
1
1; 0; ; jL s+ j1; 1; ;
2 2
2
r
p
3 1
p0 2 0
+
4 4
2 2
p0
2 2

hpz ; " jHso jpx ; #i =

=

hpz ; # jHso jpx ; "i =

=
=

1
2

1 1
1 1
jL+ s j1; 1; ;
1; 0; ;
2 2
2 2
r
p
3 1
p0 2 + 0
+
4 4
2 2
p0
2 2

(89)

(90)

Aan de hand van gelijkaardige berekeningen is eenvoudig aan te tonen dat

0
1
O2
i x
i y O2
B i x
O2
i z O2 C
C .
Hso = 0 B
(91)
@
i y
i z
O2
O2 A
2
O2
O2
O2
O2
A=B

A=B

A=B

Deze matrix is weergegeven in de basis fpz ; py ; px ; sA=B g en elk element

is een 2x2 matrix in de spin-basis f"; #g. x;y;z zijn de Pauli-matrices en O2 is
de nulmatrix.
Deze matrix kan getransformeerd worden naar de basis f 1 ; 4 ; 2 ; 5 ; 3 ; 6 ; 7 ;
f"; #g via de unitaire transformatie
Uso

= U

0
Hso

y
= Uso
Hso Uso .

I2

(92)

In de lage-energie basis f "1 ; #1 ; "4 ; #4 g komt dit overeen met de eerste orde
spin-orbitaalkoppeling (kortweg SOC) rond het K-punt:
0
1
0
0
0
so
B 0
0
0 C
so
1st
C
Hso
=B
(93)
@ 0
0
0 A
so
0
0
0
so
30

8g

waarbij

so

ju31 j2 . Dit eect kan samengevat worden als

0

! pB "

2
!
pB "

pA
z #

! pB #

0
2

! pB #

pB
z "

! pA
+ "

2
!
pA
+ "

pB
z #

2
!
pA
+ #

pA
z "

! pA
+ #

! pA
z "

(94)

! pA
z #

! pB
z "

! pB
z # .

In woorden zegt dit het volgende: een lading in orbitaal pA

z interageert met het
pB -orbitaal van een naaste nabuur. Vervolgens verschuift, door de introductie
van de spin-orbitaal interactie, het energieniveau van spin-up elektronen met - 20
en die van spin-down elektronen met 20 . Tenslotte interageert de lading met het
pA
z -orbitaal van een andere naaste nabuur. Aangezien het intrinsieke atomaire
SOC eect slechts n maal voorkomt in dit proces, is so proportioneel met 0 .
Een schets van de eerste orde spin-orbitaalkoppeling is weergegeven in guur 9.

Figuur 9: Schets van de eerste orde spin-orbitaal koppeling in siliceen.

4.1.2

Intrinsiek Rashba SOC eect

In grafeen wordt bij het aanleggen van een elektrisch veld loodrecht op het
grafeenvlak, of door interactie met een substraat, de spiegelsymmetrie van het
rooster gebroken. Dit brengt een aantal extra termen in de Hamiltoniaan met
zich mee, en staat bekend als het extrinsiek Rashba SOC eect [21]. Bij siliceen is deze symmetrie echter al gebroken door de buckling. De termen in de
Hamiltoniaan die hiermee gepaard gaan schrijven we daarom toe aan het intrinsiekRashba SOC eect. Let wel op dat dit in essentie sterk verschilt van
het extrinsieke Rashba eect.

31

Deze Rashba termen worden in de basis f "1 ; #1 ; "4 ; #4 g gegeven door

0
1
0
i R ak
0
0
Bia R k+
0
0
0 C
C .
(95)
HR (k) = B
@ 0
0
0
ia R k A
0
0
ia R k+
0

Deze termen zijn enkel verschillend van nul voor een eindige afwijking ~k van het
K-punt.
4.1.3

Loodrecht elektrisch veld

Voor ons onderzoek leggen we een elektrisch veld aan loodrecht op het siliceenvlak. Dit zorgt voor een afwisselende subrooster potentiaal die evenredig is met
het hoogteverschil tussen de twee subroosters. De termen die hierdoor aan de
totale Hamiltoniaan toegevoegd moeten worden in de basis f "1 ; #1 ; "4 ; #4 g zijn
bij benadering:
1
0
lEz
0
0
0
B 0
lEz
0
0 C
C .
(96)
HEz = B
@ 0
0
lEz
0 A
0
0
0
lEz

Dit is een benadering aangezien de eigenvector 1 niet volledig bepaald wordt

door de orbitalen van het A-subrooster, en 4 niet volledig van die van het Bsubrooster. Het deel dat bij het andere subrooster hoort (zie vgl. (84)), is echter
klein bij kleine buckling. Dit elektrisch veld brengt ook het extrensiek Rashba
SOC eect met zich mee, maar aangezien dit in onze lage-energiebenadering een
erg zwak eect is, zullen we het in de rest van dit onderzoek verwaarlozen.
4.1.4

Magnetizatie

Het is mogelijk een magnetizatie te verkrijgen in siliceen door een ferromagnetische strip in de nabijheid van het siliceen-oppervlak te brengen [4]. Deze
magnetizatie zal ervoor zorgen dat de spin-up en de spin-down elektronen in het
materiaal een ander energieniveau krijgen. Deze Zeeman-splitting kunnen we
gebruiken om de transmissie-eigenschappen van de verschillende spin-toestanden
te doen verschillen en zo een spinlter te construeren. In de basis f "1 ; #1 ; "4 ; #4 g
wordt de bijdrage hiervan tot de volledige Hamiltoniaan gegeven door:
0
1
M
0
0
0
B0
M 0
0 C
C .
HM = B
(97)
@0
0
M
0 A
0
0
0
M
4.1.5

Totale Hamiltoniaan

Als conclusie wordt de totale lage energie-Hamiltoniaan in de basis f "1 ; #1 ; "4 ; #4 g,

voor kleine buckling, met een loodrecht op het vlak aangelegd elektrisch veld en
32

ontwikkeld rond het K-(en K-)punt gegeven door

0
M + lEz
i R ak
so
B
ia
k
M
+
lEz + so
ef f ~
R
+
HK (k) = B
@
vF k
0
0
vF k
0
M lEz + so
i R ak
B
ia R k+
M lEz
ef f ~
so
B
HK0 (k) = @
vF k+
0
0
vF k+

vF k+
0
M Ez + so
ia R k+
vF k
0
M + lEz
ia R k+

0
vF k+
ia R k
M lEz
0
vF k
ia R k
M + lEz +

so

grafeen
siliceen
germaneen
staneen

so

(meV )
0
3.9
43
29.9

(meV )
0
0.7
10.7
9.5

l (A)
0
0.23
0.32
0.43

a (A)
2.46
3.86
4.02
4.70

Tabel 1: Waarden van de verschillende materiaalparameters van grafeen, siliceen, germaneen en staneen. Gedeeltelijk overgenomen uit [20] en aangevuld
met behulp van [22] en [23].
De energie-eigenwaarden van deze Hamiltoniaan zijn gegeven door :
s
q
2
Esz ; =
Ez l + sz
a2 2R k 2 + 2so + vF2 k 2 + sz M ,

(99)

waarbij ik gebruik gemaakt heb van de spin- en de vallei-indices, repectievelijk

sz en . Dit energiespectrum is weergegeven in guur 10.

33

so

C
C
A

so

C
C .
A

(98)

Deze Hamiltoniaan bescrijft niet alleen siliceen, maar ook grafeen, germaneen en staneen. Deze laatste twee materialen hebben dezelfde structuur als
siliceen maar in plaats van silicium zijn deze respectievelijk opgebouwd uit
germanium- en tin-atomen. De parameters voor de verschillende materialen
staan samengevat in Tabel 1.

vF (105 m=s)
9.80
5.52
4.57
4.85

Figuur 10: Energiespectrum voor siliceen met Ez = 0; M = so (links) en

Ez = Ez;c ; M = 0 (rechts). De pijlen geven aan of de energieband overeenkomt
met een spin-up of een spin-down deeltje.
In het geval dat er geen elektrisch veld en geen magnetizatie aanwezig is,
zijn de spin-up
qen de spin-down toestanden ontaard en is er een bandkloof ter

grootte van 2 a2 2R k 2 + 2so bij de Diracpunten. Indien er een elektrisch veld

aangelegd is, zal dit de bandkloof groter of kleiner maken. Er bestaan twee kritische veldwaarden
q waarvoor de bandkloof volledig gesloten wordt, namelijk wan-

neer Ez;c l =
a2 2R k 2 + 2so . Merk op dat indien de bandkloof bij het K-punt
verdwijnt voor spin-up elektronen, deze voor de spin-down elektronen verdwijnt
bij het K-punt en vice versa. Het elektrisch veld zorgt aan de Diracpunten voor
spin-vallei polarizatie, maar angezien de spin-vallei polarizatie aan de verschillende Diracpunten tegengesteld is, resulteert dit op zich niet in een werkelijke
spin-polarizatie. De magnetizatie zal tenslotte n van de twee spin-toestanden
een hogere energie geven dan de andere, wat de sleutel zal zijn tot het verkrijgen
van totale spin-polarizatie.
We kunnen het energiespectrum ook gebruiken om de toestandsdichtheid
(DOS) van siliceen te vinden [24]. Deze wordt namelijk gegeven door
X
D(E) =
(E E(~k))
(100)
~

=
=
=

k
Z
1
dk 2 (E
2
Z
1
dk k (E
Z
X
1
dk k
sz

E(~k))
E(~k))
(k ksz )
@(E E(~
k))
@k
ksz

waarbij sz sommeert over de verschillende nulpunten van E E(~k). Om de

situatie te vereenvoudigen verwaarlozen we de Rashba-term R , en schrijven we
34

de dispersierelatie als
q

Esz ; =

2
sz

+ vF2 k 2 + sz M .

(101)

De afgeleide hiervan wordt dan gegeven door

@(E

E(~k))
=
@k

en de twee nuloplossingen van E

ksz

E(~k) door
p
E2
=
vF

vF2 k
2
sz

(102)

+ vF2 k 2

2
sz

(103)

zodat de toestandsdichtheid gegeven wordt door

Z
q
X
1
2 + v2 k2
D(E) =
dk
(k
k
)
s
sz
z
F sz
vF2
sz
Z
X
1
=
dk
(k ksz ) jE + sz M j
vF2
sz
1 X
(k ksz ) jE + sz M j
=
vF2 s

(104)

wat overeenkomt met

D(E) =

1 X
jE + sz M j (jE + sz M j
vF2 s
z

jEz l + sz

so j

(105)

Deze toestandsdichtheid is weergegeven in guur 11. Hier hebben we gekozen

om de toestandsdichtheid voor spin-up en voor spin-down apart te tonen. De
DOS is evenredig met de absolute waarde van de energie van de elektronen, en
vertoont dezelfde bandkloof als het energiespectrum.

35

Figuur 11: De toestandsdichtheid van siliceen voor spin-up en spin-down elektronen. De gebruikte parameters zijn Ez = Ez;c en M = 0:

4.2

Spinor goluncties

Voor het vinden van de spinor-golfuncties lossen we de Schrdingervergelijking

op. Deze wordt gegeven door

ef f ~
HK
(k)

0
M + lEz
B
ia R k^+
= B
@
vF k^
0
= E

i R ak^
M + lEz +
0
vF k^

so

vF k^+
0
M lEz +
ia R k^+

so

0
vF k^+
ia R k^

so

lEz

ia

= ia
=
=

"
1
#C
1C
"C
4A
#
4

(106)

Dit komt neer op het uitwerken van het stelsel

"
1
#
1
"
4
#
4

so

10
CB
CB
AB
@

Rk

#
1

+ vF k^+
"
+ vF k^+ #

R k+ 1
vF k^ "1 +
vF k^ #1

^
Rk
ia R k^+
ia

"
4

(107)

4
#
4
"
4

waarbij
=

(E

lEz +

so

(E

lEz

so + M )

(E + lEz

so

M)

(E + lEz +

so

+ M)

36

M)

(108)

wat reduceert tot

"
1

#
4

a2

2
R ^2 "
k 1

ia

R vF

"
1

k^2

ia

R vF

vF2 ^2
k

k^2

#
4

#
4

vF2 ^2
k

ia

R vF

"
1

k^2

"
1

ia

R vF

a2

#
4

k^2

(109)

2
R ^2 #
k 4

en vervolgens tot
vF2

vF2

a2

2
R

a2

2
R

k^2

"
1

k^2

#
4

ia
ia

R vF

ia

R vF

ia

R vF

R vF

#
4

k^2
k^2

(110)

"
1

zodat tenslotte, voor problemen met translatie-invariantie in de ky -richting:

vF2

2lEz a

a2

2
R

R vF

@2
@x2
@4
@x4

ky2

2ky2

vF2

@2
+ ky4
@x2

"
1

a2

2
R

@2
@x2

"
1

ky2

(111)

Dit is een dierentiaalvergelijking van vierde orde met als oplossing

"
1

= A0 eik1 x + B 0 e

ik1 x

+ C 0 eik2 x + D0 e

ik2 x

eiky y

(112)

waarbij
k1
k2
kF 1

=
=
=

kF 2

2"

q
s
s
2

kF2 1

ky2

kF2 2

ky2
1

a2 2R

+ vF2

1
a2 2R

a4

4
R

2
vF2

a2

2
2
R (E

+ Ez2 l2

2
so

M 2 ) + vF2 (E 2

Ez2 l2

2
so

M 2)

2"

a2

2
2
R (E

+ Ez2 l2

2
so

M 2 ) + vF2 (E 2

Ez2 l2

2
so

M 2) +

2"

(lEz E +

2
so M )

+ a2

2 2
R vF

+ (lEz

2 2
2
so M )(a R Ez l + vF M )]
2
2 2
Ez l + so + 4lEz E so M +

so

+ M E) vF4

= sign[M (Ez lE +
=

Ez2 l2 E 2

E 2 + 2Ez2 l2 +

2
so

M2

M4

Deze golfvector kan gevonden worden door de dispersierelatie op te lossen. Het

teken zal hier echter niet uit volgen. De reden waarom dit wordt toegevoegd is
vanwege de koppeling die bestaat tussen de spin-up en de spin-down toestanden
via de R -term. Deze koppeling zal ervoor zorgen dat wanneer de curves kx (E)
voor de spin-up en de spin-down toestanden elkaar willen kruisen, dit verhinderd
37

(113)

wordt. Dit fenomeen staat gekend als anti-crossing. Wanneer dit gebeurt
correspondeert k1 na het kruisen niet meer met de spin-up toestand, maar met
de spin-down toestand, en hetzelfde geldt voor k2 . Dit is weergegeven in guur
12. Het teken
zorgt ervoor dat de golfvectoren voor alle energie-waarden
overeenkomen met eenzelfde spin. Dit vereenvoudigt het interpreteren van de
resultaten. Wanneer de intrinsieke Rashba SOC verwaarloosd wordt, moet men
hier uiteraard geen rekening mee houden.
Binnen een potentiaal met sterkte U zijn de golfvectoren net iets anders,
maar zijn gegeven door in de bovenstaande formules de substitutie E ! E U
uit te voeren:
q1 (E; U )

k1 (E

U)

q2 (E; U )

k2 (E

U) .

(114)

Aan de hand van bovenstaand stelsel zijn ook de andere goluncties af te leiden.
Indien we opnieuw gebruik maken van de matrixnotatie
j

= Pj Ej (x)Cj

(115)

zoals ingevoerd bij onze berekeningen voor grafeen, waarbij de index j aanduidt
of we de goluncties beschrijven buiten (j=1) of binnen (j=2) de potentiaal,
dan wordt de vierspinor voor siliceen in aanwezigheid van een elektrisch veld
Ez loodrecht op het vlak gericht en inclusief magnetizatie beschreven door de
matrices
1
0
1
1
B (k1 iky )
(k1 + iky )
(k2 iky )
(k2 + iky ) C
C
P1 = B
@ (k1 + iky )
(k1 iky )
(k2 + iky )
(k2 iky )A
1
1
0 ik x
1
e 1
0
0
0
ik1 x
B 0
C
e
0
0
C
E1 (x) = B
ik2 x
@ 0
0
e
0 A
0
0
0
e ik2 x
0 1
Aj
B Bj C
B
Cj = @ C
(116)
Cj A
Dj

38

Figuur 12: (a) Originele oplossing voor golfvector kx (E) waarbij de curves voor
spin-up en spin-down elkaar niet kruisen. (b) Aangepaste denitie zodat de
golfvectoren niet van energieband wisselen, (c) Gewone kruising bij verwaarlozing van de R -term.

39

waarbij
ia
=

=
=

2
R

a2

ia

+ vF

ia

+ vF

ia

(117)

k22 + ky2
1

ia

k22 + ky2

2
vF

R vF

2
R

a2

ia

R vF

2
vF

k12 + ky2
k12 + ky2

+ vF

+ vF

De matrices P2 en E2 (x) komen overeen met respectievelijk P1 en E1 (x) waarbij

de substitutie E ! E U (en dus k1=2 ! q1=2 ) uitvoeren.
Dit alles is geldig rond het K-punt. Voor het K-punt verloopt de redenering
volledig analoog maar ter volledigheid worden de formules toch gegeven:

P10

B
= B
@

(k10 + iky )
1

0
0

(k10

(k10
1

iky )

0 ik0 x
e 1
0
ik10 x
B
0
e
0
E1 (x) = B
@ 0
0
0
0
0 1
Aj
B Bj C
C
Cj = B
@ Cj A
Dj

(k20 + iky )
0

iky )

(k10 + iky )
1
0
0
0
0 C
C
ik20 x
e
0 A
0
0
e ik2 x

40

(k20

iky )

(k20

iky )

C
C
(118)
A
1
0
0
(k2 + iky )
0

k10

k20

kF0 1

kF0 2

0
2"

q
s

kF021

ky2

kF022

ky2

(119)

1
a2 2R

+ vF2
1

a2 2R

q
2sign a4

2
vF2
4
R

a2

2
2
R (E

+ Ez2 l2

2
so

M 2 ) + vF2 (E 2

Ez2 l2

2
so

+ M 2)

0
2"

a2

2
2
R (E

+ Ez2 l2

2
so

M 2 ) + vF2 (E 2

Ez2 l2

2
so

+ M 2) +

0
2"

2
so M )

(lEz E

2 2
R vF

+ a2

2 2
2
so M )(a R Ez l + vF M )]
2
Ez2 l2 + so
4lEz E so M +

+ (lEz

so

M E) vF4

sign = sign[M (Ez lE

0

Ez2 l2

4.3

ia

ia

ia

2
vF
0

a2
0

2
R

+ vF

E +

k202 + ky2

R vF

a2

1
2
R

R vF

(120)
2

k202 + ky2
1
0

2
vF
0

2Ez2 l2

2
so

(121)

k102 + ky2
k102 + ky2

ia

+ vF

ia

+ vF

ia

+ vF

(E

lEz +

so

(E

lEz

so + M )

(E + lEz

so

M)

(E + lEz +

so

+ M) .

M)

(122)

En-dimensionale potentialen

De volgende onderdelen bespreken de transmissiewaarschijnlijkheid, conductantie en de spin- en vallei-polarizatie voor elektronen in monolaag siliceen. De
methode en berekeningen hiervoor zijn genspireerd op referenties [4],[25][26].

41

4.3.1

Potentiaalstap

Een potentiaalstap met hoogte V wordt gegeven door

V (x) =

0 x<0
.
Ux>0

(123)

De golunctie hoort continu te zijn aan de rand van de potentiaalstap (x=0):

P1 E1 (0)C1
C1

= P2 E2 (0)C2

(124)

= M C2

waarbij de transfermatrix gedenieerd wordt als

M = P1

P2 .

(125)

De transmissie- en reectiewaarschijnlijkheden vinden we door het oplossen van

het volgende stelsel:
0 1
0 1
t1
1
Bt2 C
Br1 C
B C=MB C .
(126)
@t3 A
@0A
r2
t4

Herinnner dat, indien de energie van het invallend elektron hoger ligt dan de
potentiaalbarrire, het elektron een kans heeft om in de conductieband binnen
de potentiaalstap te belanden, terwijl in het andere geval Klein-tunneling optreedt. In het eerste geval zijn de co cienten t2 en t4 gelijk aan nul, en in het
tweede zijn t1 en t3 gelijk aan nul. De reden hiervoor is dat deze co cienten
dan de amplitude voorstellen van een terugreizende golf in de potentiaalstap
(ofwel reizend in de negatieve x-richting). In totaal zijn er dus in beide gevallen
slechts vier onbekenden en kan dit stelsel opgelost worden.
In onderstaande guur 13 worden voor spin-up en spin-down de transmissie2
2
waarschijnlijkheden T = 1 jr1 j
jr2 j weergegeven in functie van de energie
E en de invalshoek . We zien opnieuw enkel transmissie in de regios waar kx
en qx reel zijn, maar in tegenstelling tot bij grafeen zijn deze regios bij het Kpunt verschillend voor spin-up en spin-down elektronen. Bij het K-punt keren
de rollen van de twee spin-toestanden om. Het is duidelijk dat voor de juiste
invalsenergie enkel de spin-up elektronen doorgelaten worden bij het K-punt.
Bij het K-punt worden dan enkel de spin-down elektronen doorgelaten.

42

(127)
Figuur 13: Totale transmissiewaarschijnlijkheid bij het K-punt voor spin-up
(links) en spin-down (rechts) elektronen. De gebruikte parameters zijn: U = 50
meV, Ez = Ez;c en M = 0.
4.3.2

Potentiaalbarrire

Beschouw een potentiaalbarrire met dikte d beschreven door

8
x<0
< 0
U 06x6d .
V (x) =
:
0
x>d

(128)

Het verschil met de potentiaalstap is dat we nu ook de transfermatrix nodig

hebben voor de omgekeerde potenitaalstap. Deze wordt eenvoudigweg gegeven
door het inverse van de transfermatrix voor de potentiaalstap. De volledige
transfermatrix voor een potentiaalbarrire wordt dan gegeven door:
m

=
=

M (0) M
1

(d)

(129)

E1 (0)P1 P2 E2 (0) E2 1 (d)P2 1 P1 E1 (d) .

Deze transfermatrix geeft het verband tussen de co cienten van de golunctie

voor en na de potentiaalbarrire:
0 1
0 "1
1
t"
"
Br" C
B0C
B C = m B "C .
@0A
@t A
#
"
r#
0
43

(130)

Hieruit volgt dat de transmissiewaarschijnlijkheid voor spin-up elektronen gegeven

wordt door
T

jt"" j2

(131)

m(3; 3)
m(1; 1)m(3; 3) m(1; 3)m(3; 1)

waarbij m(i; j) de matrixelementen van de transfermatrix m voorstellen.

Indien we de intrinsieke Rashba SOC verwaarlozen, kunnen we een analytische uitdrukking vinden voor zowel t""

en t## . De transmissies waarbij de

spin verandert, t"# en t#" , zijn in dat geval nul. De analytische uitdrukking
wordt gegeven door:
T =

1
1 + sin (dqx )(F (kx ; qx ; ky )2
2

(132)

1)

waarbij
F (kx ; qx ; ky ) =

kx2

2
b

+ kx2 2w + ky2 ( b
2kx qx b w

w)

(133)

en
i

=E

Vi

sz Mi +

so

+ sz Ez;i l .

(134)

Uit deze uitdrukking kunnen we opnieuw aeiden dat we perfecte transmissie

vinden op de Fabry-Prot resonanties en voor wanneer aan de Klein-tunneling
conditie voldaan is. Dit is het geval voor loodrechte inval en wanneer de bandkloof gesloten is, met andere woorden wanneer het elektrisch veld de kritische
waarde heeft.
Uit eenvoud beschouwen we enkel magnetizatie binnen de potentiaalbarrire.
Het elektrisch veld is overal gelijk. Een schets van deze barrire is weergegeven
in guur 14.

44

Figuur 14: Schets van de barrire in het (x,y)-vlak (a) en het (x,V)-vlak (b).

Figuur 15: Transmissiewaarschijnlijkheden T"" (links) en T## .(rechts) doorheen

een enkele potentiaalbarrire Gebruikte parameters zijn: U = 50 meV, Ez =
Ez;c , M = 0 en d = 100 nm.
45

In guur 15 tonen we de transmissiewaarschijnlijkheden T"" en T## voor een

potentiaalbarrire met dikte d.. Binnen de regios waarin de golfvectoren reel
zijn zien we de Fabry-Prot resonanties, en voor de spin-vallei combinatie waarvoor de bandkloof gesloten is, zien we opnieuw de Klein-tunneling bij loodrechte
inval. Voor de spin-up elektronen vinden we voor te lage energien geen oplossingen omdat voor deze energiewaarden de golfvector kx niet reel is.
4.3.3

Spinverandering bij transmissie

Met de huidige Hamiltoniaan bestaat er een kleine kans dat de spin na transmissie is omgekeerd. Zoals eerder vermeld is dit een gevolg van de koppeling tussen de spin-toestanden die bestaat vanwege de intrinsieke Rashba spinorbitaal koppeling. Voor siliceen is dit een verwaarloosbaar kleine kans (slecht
van orde grootte / 10 3 , zie onderstaande guren) en het is dus zeker te verantwoorden om de R -term achterwege te laten voor zwaardere berekeningen.
Voor germaneen en andere varianten van deze structuur is de waarde van R
echter groter en is het dus zeker de moeite waard om hier wat dieper op in te
gaan alvorens het achterwege te laten. Als men er namelijk in zou slagen om
de kans voor het omkeren van de spin te vergroten voor n bepaalde spin, kan
dit gebruikt worden om een e ciente spin-lter te maken. Voor siliceen zien we
dat deze transmissiewaarschijnlijkheid ongeveer even groot is voor beide spintoestanden. Verder lijkt deze te pieken in het gebied waar de transmissiegebieden voor beide spin-toestanden niet overlappen. Dat dit belangrijk is wordt
bevestigd door het feit dat deze tranmissiewaarschijnlijkheid overal nul is in het
geval Ez = M = 0, of als de twee spintoestanden dus volledig ontaard zijn.
We kunnen de transmissiegebieden voor de twee soorten spin nog sterker
van elkaar doen verschillen door het materiaal een zekere magnetizatie te geven.
In de praktijk brengt men hiervoor een ferromagnetische strip aan bovenop het
siliceen-oppervlak dat men wil magnetizeren. Hierdoor zal het gebied waar de regios niet overlappen vergroten en zo wordt ook het (E,k) gebied waarin de spinverandering optreedt groter. De volgende guren tonen de transmissiewaarschijnlijkheid T#" voor verschillende waarden van M en voor de kritische veldwaarde
Ez = Ez;c . De resultaten voor T"# zijn identiek.

46

Figuur 16: Transmissiewaarschijnlijkheid T#" waarbij de spin omkeert voor verschillende magnetizatiewaarden. Boven: M=0, midden: M= so , onder: M=2 so .
47

Het blijkt dat indien het materiaal in de barrire gemagnetizeerd is, deze
bijzondere transmissie sterk toeneemt. In tegenstelling tot wat men zou kunnen verwachten, is de transmissiewaarschijnlijkheid T"# niet groter of kleiner dan

T#" . Dit fenomeen zal dus de totale transmissiewaarschijnlijkheid niet benvloeden en draagt dus niet bij tot polarizatie. Uit nieuwsgierigheid is een analoge
berekening uitgevoerd voor germaneen, aangezien de waarde van R meer dan
tien keer groter is dan die voor siliceen. Het resultaat is getoond in guur 17. In
de K-vallei zien we nu wel een duidelijk verschil in transmissiewaarschijnlijkheid
voor de twee spins, en ook de twee valleien vertonen verschillende resultaten, in
tegenstelling tot wat we vonden bij siliceen. Toch blijft dit een klein, verwaarloosbaar fenomeen: ondanks de veel sterkere intrinsieke Rashba koppeling, is de
grootte orde voor deze transmissie nog steeds gelijkaardig aan die voor siliceen.

Figuur 17: Transmissiewaarschijnlijkheid voor germaneen met Ez = Ez;c en

M = 3 meV. Links: T#" , rechts: T#" . Boven: K-punt. Onder: K-punt.
Hoewel het een interessant fenomeen lijkt, helpt het ons niet verder in het
creren van een polarizatie. We gaan daarom voor de rest van dit onderzoek
deze bijdrage volledig verwaarlozen.
48

4.3.4

Meerdere potentiaalbarrires

Aangezien we een soort spinlter willen creren, spreekt het voor zich om ook de
transmissie doorheen twee of meer barrires te beschouwen. Twee lters zouden
namelijk beter kunnen werken dan n. Een schets voor de dubbele potentiaalbarrire is weergegeven in guur 18. Hierbij stellen d1 en d2 de breedte van
respectievelijk de eerste en de tweede barrire voor, en w de afstand tussen de
barrires. We beschouwen opnieuw enkel magnetizatie binnen de barrires. Deze
schets toont ook een constructie opgebouwd uit een serie potentiaalputten, wat
de situatie is voor U < 0. De transmissiewaarschijnlijkheden voor verschillende
aantallen potentiaalputten zijn weergegeven in de appendix.

Figuur 18: schets van de dubbele barrire (a) en van superroosters opgebouwd
uit barrires (b) en putten (c).
De dubbele elektrostatische potentiaalbarrire wordt beschreven door:
8
0
x<0
>
>
>
>
0 x < d1
< V
0
d1 x < d1 + w
V (x) =
.
(135)
>
>
V
d
+
w
x
<
d
+
w
+
d
>
1
1
2
>
:
0
d1 + w + d2 x

De volledige transfermatrix hiervoor is het product:

m2 = M (0) M

(d1 ) M (d1 + w) M

(d1 + w + d2 ) .

(136)

Met deze transfermatrix kunnen we nu opnieuw de transmissie- en reectiecofcienten vinden, volledig analoog aan de berekeningen bij een enkele barrire.
49

De transmissiewaarschijnlijkheid doorheen een dubbele barrire met breedte

d1 = d2 = d kan analytisch uitgedrukt worden als:
1
.
1)4(cos(wkx ) cos(dqx ) + F sin(wkx ) sin(dqx ))2
(137)
Merk op dat voor w = 0 deze uitdrukking zich reduceert tot de transmissiewaarschijnlijkheid doorheen een barrire met breedte 2d:
T2 =

1 + sin2 (dqx )(F 2

T1 (2d) =

1
1 + sin2 (2dqx )(F 2

1)

(138)

Uit deze uitdrukking zien we duidelijk dat we perfecte transmissie krijgen wanneer bij de Fabry-Prot resonanties die we eerder hebben besproken (sin(dqx ) =
0), wanneer F 2 = 1, wat overeenkomt met Klein-tunneling indien de bandkloof
gesloten is, en uiteindelijk ook wanneer aan de nieuwe conditie cos(wkx ) cos(dqx )+
F sin(wkx ) sin(dqx ) = 0 is voldaan. Fysisch is dit een soort Fabry-Prot resonantie over het volledige barriresysteem. In de volgende guren worden de
transmissiewaarschijnlijkheden voor spin-up en spin-down elektronen doorheen
de dubbele potentiaalbarrire weergeven. Om de structuur hiervan wat te verduidelijken, zijn de verschillende soorten resonanties in het wit aangeduid. Merk
op dat de extra resonanties ook doorgaan in het gebied waar qx , de golfvector
binnen de barrire, niet reel is en de golf dus niet propageert. Numeriek vinden
we echter dat de transmissie in dat gebied toch uitdooft.

Figuur 19: Transmissiewaarschijnlijkheden doorheen een dubbele barrire bij

het K-punt. Links: T"" , rechts: T## . De witte streeplijnen stellen de Fabry-Prot
resonanties binnen een barrire voor, en de witte stiplijnen duiden de resonanties
over het volledige barriresysteem aan. Links: spin-up, rechts: spin-down.

50

Om de transmissiewaarschijnlijkheid doorheen een willekeurig aantal barrires te berekenen, maken we gebruik van de volgende eigenschap van de transfermatrix doorheen n barrire bij x = x0 :
M (x0 )

E1 1 (x0 )P1 1 P2 E2 (x0 )E2 1 (x0 + d2 )P2 1 P1 E1 (x0 + d2 ) (139)

= E1 1 (x0 )M (0)E1 (x0 ) .

We kunnen een transfermatrix voor een barrire op een punt x0 dus herschrijven
als functie van de transfermatrix van een barrire op x = 0. Aangezien de transfermatrix voor n barrires eenvoundigweg het product is van transfermatrices
van enkele barrires op verschillende punten, kan men deze als volgt reduceren:
mn

=
=
=
=

M (0)M (d)M (2d):::M ((n

1

1)d)
1

M (0)E1 (d)M (0)E1 (d)E1 (2d)M (0)E1 (2d):::E1 1 ((n

1

1)d)M (0)E1 ((n

M (0)E1 (d)M (0)E1 (d)M (0)E1 (d):::E1 (d)M (0)E1 ((n

1

n 1

M (0)[E1 (d)M (0)]

E1 ((n

1)d)

1)d)

1)d) .

(140)

Aan de hand van deze transfermatrix vinden we bovendien de volgende algemene

uitdrukking voor de transmissieamplitude:
tn

G =

ikx l

(cos(dqx ) + iF sin(wkx ))n

(n 1)w + (n 2)d
2
(iky ( w
b ) + kx b )
2kx qx b w

qx2

2
w

(n > 1)eikx l in sinn (dqx )Gn

(F 2

Deze transmissiewaarschijnlijkheden zijn weergegeven in de volgende guren

voor 3 en 10 barrires.

51

1)

(141)

Figuur 20: Transmissiewaarschijnlijkheden bij het K-punt doorheen 3 (boven)

en 10 (onder) barrires. Links: T"" , rechts: T##
Ook voor meerdere barrires zien we extra resonanties naast de Fabry-Prot
resonanties. Deze zijn echter veel minder uitgesproken dan voor twee barrires.
Ook voor 10 barrires zijn er resonanties maar deze zijn zo dun en subtiel
dat ze niet zichtbaar zijn in bovenstaande plots. Er is geen gesloten formule
die aangeeft waar deze resonanties vandaan komen, maar ze hebben hoogstwaarschijnlijk een gelijkaardige oorsprong als de extra resonanties bij n=2, wat
wil zeggen dat het resonanties zijn van de golunctie langs de volledige lengte
van het barriresysteem.
Verder valt op hoe de transmissie doorheen 10 barrires lijkt op een sherpere
versie van die doorheen n barrire. Dit is logisch als men het eect van
de barrire beschouwt: voor sommige waarden in het (E,k)-vlak zien we een
hoge tranmissie, en voor andere een lagere transmissie. Indien we dit eect
52

verschillende keren herhalen, zullen de gebieden met lage transmissie geleidelijk

reduceren tot nul, terwijl de gebieden met hoge tranmissie meer uitgesproken
worden.
In het volgende hoofdstuk zullen we zien dat voor meerdere barrires ook
het lteren van de spin e cienter werkt.
4.3.5

Conductantie en polarizatie

De conductantie aan het K-punt is een maat voor de hoeveelheid elektronen

die langs het K-punt doorheen de barrire(s) geraken. In elektrische experimenten is dit gewoonlijk wat er gemeten wordt. De conductantie berekenen we
door de transmissiewaarschijnlijkheid als volgt te integreren over de mogelijke
invalshoeken:
Z =2
(K)
g" =
T" ( )E cos d
(142)
g#

Z
Z

=2

=2

=2

(K)

T#

=2

( )E cos d

(K0)

( )E cos d

(K0)

( )E cos d

g"0

g#0

gc

= g# + g#0 + g" + g"0 .

=2

T"

=2
=2

T#

Aan de hand van deze conductanties is het eenvoudig een denitie op te stellen
voor de polarizatie van de stroom na transmissie. Voor spin polarizatie is dit het
genormalizeerde verschil tussen de conductantie van de spin-up en de spin-down
elektronen:
g" + g"0
g# + g#0
.
(143)
ps =
g# + g#0 + g" + g"0
Analoog kunnen we een vallei-polarizatie deniren die aanduid hoeveel van de
elektronen van het K-punt of het K-punt komen.

pv =

(g" + g# )

g"0 + g#0

g# + g#0 + g" + g"0

(144)

Nu we een uitdrukking hebben voor de verschillende polarizaties, is het mogelijk om deze te plotten in functie van verscheidene parameters en zo te onderzoeken onder welke omstandigheden de polarizatie optimaal is.
We beginnen met de totale conductantie gc , de spin-polarizatie ps en de
vallei-polarizatie pv te plotten als functie van de hoogte van de potentiaalbarrire, U voor een contante energie EF .
53

Figuur 21: Conductantie (boven), spin-polarizatie (midden) en vallei-polarizatie

(onder) in functie van de potentiaalhoogte U . De gebruikte parameters worden
gegeven door: EF = 40 meV, M = so , Ez = 2Ez;c , d = 100 nm en w = 50 nm.
De n in de legende duidt het aantal barrires aan.
54

Uit deze guren kan men aeiden dat de conductantie minimaal is wanneer
de energie EF ongeveer overeenkomt met de potentiaalhoogte U , en toeneemt
naarmate het verschil groter wordt. Ook zien we dat de spin- en vallei-polarizatie
juist optimaal zijn indien de energie van de elektronen net iets hoger of net iets
lager is dan de hoogte van de potentiaalbarrire. De oscillaties zijn nog een
manifestatie van de Fabry-Prot resonanties. Verder zien we dat de polarizatie
beter is voor meerdere barrires.
Vervolgens plotten we deze 3 waarden als een functie van het elektrisch veld
en de magnetizatie, de twee parameters die het energiespectrum manipuleren.

Figuur 22: Conductantie (boven), spin-polarizatie (links onder) en vallei-polarizatie

(rechts onder) in functie van de elektrische veldsterkte en de magnetizatie.
Gebuikte parameters zijn: EF = 40 meV, U = 50 meV, d = 100 nm en w = 50
nm. De conductantie is uitgedrukt in (10 3 e2 /h).
Aan de conductantie in guur 22 zien we dat deze toeneemt naarmate de
magnetizatie toeneemt. Dit is logisch aangezien de magnetizatie de energie
55

van de elektronen verhoogt of verlaagt, en de energie dus verder weg brengt

van potentiaalhoogte U , wat de conductantie doet toenemen, zoaals we gezien
hebben in guur 21. We zien opnieuw dat voor een te grote waarde van de
elektrische veldsterkte de conductantie nul wordt. Dit kan men gebruiken om
aan de hand van het elektrisch veld de stroom aan of uit te zetten. Dit noemt
men in het Engels electric-eld controlled switching [4]. De spin-polarizatie
is een even functie van de veldsterkte en een oneven functie van de magnetizatie. Voor M = 0 is deze polarizatie dan ook nul. De vallei-polarizatie is een
oneven functie van zowel de magnetizatie als de elektrische veldsterkte, en is
dan ook nul wanneer M = 0 of Ez = 0. Verder zien we dat de spin-polarizatie
afneemt voor een elektrische veldsterkte in de buurt van de kritische veldsterkte
Ez;c . Rond deze waarde is de bandkloof zo klein dat beide spin-toestanden een
hoge transmissiewaarschijnlijkheid hebben voor loodrechte transmissie (Kleintunneling). Als een gevolg hiervan is de spin-polarizatie minder uitgesproken
rond deze veldsterkte.
Voor meerdere barrires is de stroom sterker gepolarizeerd en neemt de conductantie af. De resultaten voor drie en tien barrires zijn weergegeven in de
volgende guren.

56

Figuur 23: Conductantie (boven), spin-polarizatie (midden) en vallei-polarizatie

(onder) in functie van de magnetizatie en de elektrische veldsterkte voor drie
(links) en tien (rechts) barrires. Gebuikte parameters zijn: EF = 40 meV,
U = 50 meV, d = 100 nm en w = 50 nm. De conductantie is uitgedrukt in
(10 3 e2 /h).
57

Op bovenstaande guren zijn met de witte symbolen x, + en drie verschillende vallei-polarizaties aangeduid (-1, 0 en 1) voor een constante magnetizatie
die gepaard gaan met een sterkte spin-polarizatie en een voldoende grote conductantie. Dit illustreert dat we vrij elke combinatie van de spin-(-1 of 1) en
valleipolarizatie (-1, 0 of 1) kunnen kiezen door de parameters juist te kiezen.
Tenslotte kunnen we kijken naar de invloed van de breedte van de barrires,
d, en de afstand tussen de barrires, w. De resultaten zijn weergegeven in
guur 24 en 25. Hierop zien we dat de breedte van de barrire geen belangrijke
parameter is voor de polarizaties. Dit is een belangrijke observatie, aangezien we
wel een aanzienlijke verbetering zien in de vallei-polarizatie binnen de regio waar
de conductantie voldoende hoog is. Het lijkt dus e cienter om te werken met
een serie barrires dan met n brede barrire. Verder zien we wat oscillaties ten
gevolge van het feit dat het variren van de breedte de Fabry-Prot resonanties
veplaatsen in het (E,k)-vlak. Deze oscillaties zijn gelijkaardig voor verschillende
aantallen barrires. Ook de afstand van de barrires geeft geen belangrijke
bijdrage. Deze parameter verandert de extra resonanties die we vonden voor
meerdere barrires. Deze zijn sterk uitgesproken voor 2 barrires, en nemen
sterk af als het aantal barrires verder toeneemt. Voor tien barrires is de
frequentie van de oscillaties zo klein dat ze op de getoonde schaal niet zichtbaar
zijn. Dit komt overeen met onze observaties bij de transmissieplots.

58

Figuur 24: Conductantie (boven), spin-polarizatie (midden) en vallei-polarizatie

(onder) in functie van de barrirebreedte. De gebuikte parameters zijn: EF = 25
meV, U = 50 meV, M = so , Ez = 2Ez;c en w = 50 nm.
59

Figuur 25: Conductantie (boven), spin-polarizatie (midden) en vallei-polarizatie

(onder) in functie van de afstand tussen de barrires. De gebuikte parameters
zijn: EF = 25 meV, U = 50 meV, M = so , Ez = 2Ez;c en d = 100 nm.
60

Constructie van twee barrires Tot nu toe hebben we ons beperkt tot een
herhaling van identieke barrires. Het is echter ook interessant om te kijken naar
een constructie van twee barrires met verschillende breedtes en verschillende
magnetizaties. De resultaten zijn weergegeven in guur 26:

Figuur 26: Conductantie (boven), spin-polarizatie (links onder) en vallei-polarizatie

(rechts onder) in functie van de magnetizatie van de eerste en de tweede barrire. Gebruikte parameters zijn: EF = 40 meV, U = 50 meV, Ez = 2Ez;c ,
d1 = d2 = 100 nm en w = 50 nm. De conductantie is uitgedrukt in (10 3 e2 /h).
Voor kleine magnetizaties blijkt de spin-polarizatie optimaal wanneer de
barires dezelfde magnetizatie hebben. Wanneer de magnetizaties echter beiden
sterker worden dan 5 so , verdwijnt de spin-polarzatie. De spin-polarizatie blijft
wel goed indien n van de magnetizaties deze grens niet overschrijdt. Verder
61

zien we dat zowel de spin- en de vallei-polarizatie nul worden indien de twee

magnetizaties even groot zijn maar een tegengesteld teken hebben. Om zowel
een goede spin- als vallei-polarizatie te krijgen lijkt de meest praktische oplossing
om de barrires dezelfde magnetizatie M1 = M2 = so te geven.

Figuur 27: Conductantie (boven), spin-polarizatie (links onder) en vallei-polarizatie

(rechts onder) in functie van de breedte van de eerste en de tweede barrire. Gebruikte parameters zijn: EF = 40 meV, U = 50 meV, Ez = 2Ez;c , M1 = M2 =
3 2
e /h).
so en w = 50 nm. De conductantie is uitgedrukt in (10
De beste conductantie wordt uiteraard gevonden voor dunne barrires, maar
hier gaat geen goede spin- of valleipolarizatie mee gepaard. Voor optimale polarizaties met deze opstelling lijkt de beste keuze om twee even brede barrires

62

te kiezn met breedtes tussen 90 en 150 nm. De breedte die we tot nu toe voor
de barrires gekozen hebben ligt in deze regio.

4.4

Superroosterpotentiaal

Het volgende deel is genspireerd door referenties [27][28]

Nu beschouwen we een superrooster bovenop ons materiaal met de periodische eenheid afgebeeld in guur 28.

Figuur 28: periodische eenheid van het superrooster met potentiaalhoogte U ,

barrirebreedte d2 en barrire-afstand d1 .
Aan de hand van deze potentiaal-eenheid kunnen we een oneindig superrooster aanleggen door er periodische randvoorwaarden aan op te leggen. Volgens de Bloch theorie kunnen we zeggen dat de golfvector continu moet zijn aan
de randen op een fasefactor na. Samen met de continuteitsvoorwaarde aan de
potentiaalstap hebben we dus de volgende randvoorwaarden:
(0 )

(0+ )

(d2 )

( d1 )eik(d1 +d2 ) .

(145)

Zoals eerder kunnen we deze golunctie beschrijven in de matrixnotatie:

j

= Pj Ej (x)Cj .

(146)

In deze notatie kunnen we de randvoorwaarden herleiden tot de volgende

relatie tussen de co cienten C1 en C2 :
C1

= P1 1 P2 C 2

C1

= E1 1 ( d1 )P1 1 P2 E2 (d2 )e

(147)
ikd

C2 .

Hieruit volgt dat

(P1 1 P2 E2 (d2 )e

ikd

E1 ( d1 )P1 1 P2 )C2 = 0 .
63

(148)

waarbij d = d1 + d2 . Dit stelsel vergelijking heeft een niet-triviale oplossing

indien de determinant nul is:
det(P1 1 P2 E2 (d2 )e

ikd

E1 ( d1 )P1 1 P2 ) = 0 .

(149)

Dit reduceert zich tot de volgende vergelijking:

cos((d + w)k) = cos(wkx ) cos(dqx ) + F sin(wkx ) sin(dqx ) .

(150)

Indien we deze vergelijking oplossen vinden we een nieuwe dispersierelatie E(k)

voor siliceen met een superrooster. De numerieke oplossingen hiervoor zijn
hieronder weergegeven:

Figuur 29: Dispersierelatie E(k,ky ) voor spin-up (links) en spin -down (rechts)
elektronen bij het K punt van siliceen met een superrooster. Voor het Kpunt
zijn de resultaten voor spin-up en spin-down opnieuw omgekeerd. Slechts de
eerste twee banden zijn getoond.
We zien onmiddelijk dat deze dispersierelatie extra Diracpunten vertoont die
een gesloten bandkloof hebben bij de kritische veldwaarde, als gevolg van de extra periodiciteit van het systeem, vergeleken met vrij siliceen. Deze periodiciteit
beperkt zich tot de kx -component omdat de barrires periodisch voorkomen in
de x-richting. Voor de relatie E(ky ) is er ook iets veranderd: voor lage ky is de
energie niet altijd lineair in ky maar is deze afhankelijk van de kx -component.
Voor bepaalde waarden gedraagt een elektron in dit systeem zich dus niet als
vrij deeltje in de y-richting. Voor hoge ky vinden we wel opnieuw de lineaire
relatie E / ky . De energiebanden zijn, tegenover vrij siliceen, ook verschoven
met de helft van de potentiaalsterkte, nl. U=2.
De dispersierelatie inclusief de hogere energiebanden zijn hieronder weergegeven,
waarbij ky , Ez en M gevarieerd zijn om het gedrag hiervan te onderzoeken.

64

Figuur 30: (a) Dispersierelatie E(k,ky ) voor spin-down elektronen bij het K
punt van siliceen met een superrooster voor verschillende magnetizaties. (b)
Dispersierelatie E(k,ky ) voor spin-down elektronen bij het K punt van siliceen
met een superrooster voor verschillende elektrische veldwaarden. (c) Dispersierelatie E(k,ky ) voor spin-up elektronen bij het K punt van siliceen met een
superrooster voor verschillende ky -waarden. (d) Dispersierelatie E(k,ky ) voor
spin-down elektronen bij het K punt van siliceen met een superrooster voor
verschillende ky -waarden.
We zien dat de magnetizatie en de elektrische veldwaarde een gelijkaardig
eect hebben als op het energiespectrum van vrij siliceen. De magnetizatie verhoogt of verlaagt de energiebanden naargelang de spin-toestand, het loodrecht
elektrisch veld opent de bandkloof van de eerste banden. Voor de hogere banden
blijven de lokale bandkloven gesloten.
We kunnen deze nieuwe dispersierelatie gebruiken om de toestandsdichtheid
te berekenen voor siliceen met een superrooster, die in dit geval gegeven wordt
door
X
D(E) =
(E En (~k))
(151)
n;~
k

waarbij n de index is die over de verschillende minibanden loopt. Het numerieke

resultaat is hieronder weergegeven.

65

Figuur 31: Toestandsdichtheid voor siliceen met een superrooster-potentiaal,

waarbij spin-up en spin-down toestanden gescheiden worden weergegeven.
Deze DOS heeft, ten gevolge van de superrooster-potentiaal, een soort oscillerend karakter. De pieken komen overeen met zadelpunten in het energiespectrum voor kx = 0 en met lokale minima voor kx = , waar het aantal toestanden
ophoopt vanwege het afvlakken van de energiebanden. De minima lijken lineaire curves te volgen die vertrekken vanuit E = U=2. Het lijkt er dus op dat de
energie van het systeem toegenomen is met U=2 ten gevolge van de superroosterpotentiaal, en dat de minima nog de DOS van vrij siliceen volgen, die lineair
is met de energie, zoals eerder weergegeven in guur 11.

66

Conclusies

Ik heb siliceen bestudeerd aan de hand van een tight binding model in een
benadering voor lage energie-waarden. Het energiespectrum van siliceen dat
ik met deze Hamiltoniaan heb gevonden vertoont een bandkloof die te manipuleren is met een elektrisch veld, als een gevolg van de geknikte structuur die
de twee verschillende subroosters van siliceen een verschillende hoogte geeft.
Voor een kritische veldwaarde Ez;c sluit deze bandkloof voor n spintoestand
aan het K-punt en voor de andere spintoestand aan het K-punt. Wanneer de
bandkloof gesloten is, wordt, net als bij grafeen, perfecte transmissie voor loodrechte inval gevonden. Indien het materiaal gemagnetizeerd wordt, verhogen
de energietoestanden voor de ene spin en verlagen ze voor de andere. Hierdoor
zijn de transmissie- en reectie-eigenschappen doorheen een elektrostatische en
gemagnetizeerde barrire in siliceen verschillend voor elektronen met verschillende spin- en vallei-vrijheidsgraden. Hier wordt gebruikt van gemaakt om een
e cinte spin-valleilter te creren, met het oog op toepassingen in de spintronica en de valleitronica. Om de transmissie-elektronen zo goed mogelijk te
polarizeren op de gewenste spin- en vallei-vrijheidsgraad, heb ik dit onderzoek
voor het eerst gedaan voor niet enkel n barrire, maar voor series van elk
aantal barrires. Het gebruik van meerdere barrires optimalizeert de spin- en
de valleipolarizatie maar verlaagt wel de totale conductantie.
De transmissiewaarschijnlijkheden vertonen een resonante structuur die afhangt van de hoogte en breedte van de potentiaalbarrire, de energie van de invallende elektronen en de hoek waaronder de elektronen op de barrire invallen.
Voor een enkele barrire is deze resonante structuur beperkt tot een soort FabryProt resonantie binnen de barrire. De transmissie is dan maximaal indien de
helft van de x-component van golengte een geheel keer in de breedte van de
barrire past. Voor twee barrires zien we bovenop deze resonanties ook andere
omstandigheden waarvoor de transmissie maximaal is. Ik ben er als eerste in
geslaagd om de transmissiewaarschijnlijkheid doorheen twee barrire van gelijke
breedte analytisch uit te drukken op zon manier dat het duidelijk is aan welke
voorwaarden deze extra resonanties voldoen. Fysisch komt het erop neer dat de
golf die doorheen de barrires reist een staande golf vormt binnen het geheel van
de twee barrires en de ruimte ertussen. Deze resonanties zijn dan ook sterk
afhankelijk van de breedte van de barrires en de afstand tussen de barrires.
Voor hogere aantallen barrires zien we ook een gelijkaardige resonantie maar
de tranmissiewaarschijnlijkheden die hiermee gepaard gaan zijn laag en het belang hiervan neemt verder af naarmate het aantal barrires toeneemt. Voor
tien barrires lijken deze al volledig verdwenen. Ik heb ook als eerste de transmissiewaarschijnlijkheden onderzocht waarbij de spin van het elektron verandert
ten gevolge van spin-orbitaal interacties. De koppeling tussen de verschillende
spin-toestanden wordt vaak verwaarloosd, maar aangezien ik in dit onderzoek
mijn focus leg op de spin van de elektronen wilde ik hier toch wat dieper op ingaan. Ik heb gevonden dat de kans dat de spin verandert bij transmissie zelfs bij
een sterke magnetizatie vrij klein is ( 10 3 ) en dat deze, althans voor siliceen,
niet bijdraagt tot de spin-polarizatie.
67

Aan de hand van de tranmissies met behoud van spin heb ik de conductantie doorheen de barrires berekend, een maatstaaf voor het totaal aantal
elektronen dat doorheen de barrires geraakt die ook experimenteel gemeten
kan worden. Aangezien deze conductanties verschillend zijn voor elektronen
met verschillende spin- en vallei-vrijheidsgraden, heb ik daarmee ook de spinen de vallei-polarizatie van de doorgelaten elektronen kunnen berekenen, en
heb ik deze ook kunnen bestuderen in functie van de verschillende parameters,
waardoor ik exact heb kunnen vinden waar de polarizaties van afhangen en
onder welke omstandigheden deze optimaal zijn. De spin-polarizatie hangt af
van het teken van de magnetizatie en is optimaal wanneer de energie van de
elektronen net iets hoger of net iets lager is dan de hoogte van de potentiaalbarrire. Als een direct gevolg hiervan blijkt dat ook de magnetizatie niet te sterk
mag zijn, omdat de energie van de elektronen dan sterker kan verschillen van
de potentiaalhoogte. De vallei-polarizatie is slechts optimaal onder specieke
omstandigheden, maar kan gecontroleerd worden aan de hand van de sterkte
van het elektrisch veld. Voor een te sterk elektrisch veld wordt de conductantie
nul, wat ook zijn nut heeft voor bijvoorbeeld transistortechnologie. De verschillende polarizaties veranderen niet veel in functie van de barrirebreedte en de
afstand tussen de barrires. De geobserveerde lichte oscillaties zijn een gevolg
van de besproken resonanties. De polarizaties verbeteren wel onder sommige
omstandigheden wanneer het aantal barrires toeneemt.
Tenslotte heb ik ook het eect van een superroosterpotentiaal, ofwel een
oneindige reeks n-dimensionale potentiaalbarrires, op siliceen onderzocht.
Deze verandert de dispersierelatie en de toestandsdichtheid van siliceen grondig.
Er verschijnen extra Diracpunten in de Brillouinzone, de dispersierelatie wordt
periodisch en vertoont een minibanden-structuur. Dit laatste zien we natuurlijk
ook in de nieuwe toestandsdichtheid. Als een gevolg hiervan vertoont de nieuwe
toestandsdichtheid verschillende pieken waar energietoestanden zich ophopen,
in tegenstelling tot de toestandsdichtheid van vrij siliceen, die, in de gebruikte
benadering, grotendeels lineair is met de absolute waarde van de energie.
Ik heb er dus voor gezorgd dat de resonante structuur doorheen verschillende
barrires beter begrepen en, in het geval van twee barrires, zelfs voorspelbaar
is, en ik heb omstandigheden gevonden waarvoor er met siliceen een e cinte
spin-en vallei-lter te maken is. Indien men de spin-polarizatie wil kunnen
kiezen, stel ik voor om met twee parallelgeschakelde barrires te werken met
tegengestelde magnetizatie. Aan de hand van het elektrisch veld kan men dan
de vallei-polarizatie kiezen en eventueel de conductantie naar nul brengen. Wat
ons tot de algemene conclusie brengt dat siliceen een uitstekende kandidaat is
voor spintronica en valleitronica toepassingen.
Een verdere studie naar siliceen zou kunnen kijken of deze resultaten overdragen wanneer men een stuk siliceen met eindige afmetingen beschouwt, wat
vaak het geval zal zijn als dit materiaal gebruikt zou worden in nanotechnologie.
Dit introduceert namelijk zogenaamde edge statesdie de situatie zouden kunnen doen veranderen. Het kan ook interessant zijn om te kijken naar de invloed
van de bekende substraten waar siliceen op gegroeid wordt. Verder is het ook
misschien de moeite waard om te kijken naar wat de invloed is van de termen
68

die we verwaarloosd hebben vanwege de lage buckling van siliceen. Voor germaneen en staneen is dit namelijk al groter en kunnen deze termen eventueel een
belangrijke invloed hebben. Voor de spintronica en de valleitronica is het ook
interessant om te bestuderen of we met siliceen elektronen met een bepaalde
polarizatie kunnen opslaan en ook weer kunnen uitlezen. Siliceen is in ieder
geval de moeite waard om verder te bestuderen en kan een belangrijke rol gaan
spelen in een spannende technologie die nog maar in haar kinderschoenen staat.

69

6
6.1

Appendix
Tweede naaste nabuur benadering

Tot nu toe hebben we ons in de Tight-Binding beschrijving beperkt tot de naaste

nabuur benadering. We onderzoeken nu of de invloed van de tweede naaste
naburen verwaarloosbaar is of een belangrijke invloed heeft. We construeren de
Hamiltoniaan op dezelfde manier als we eerder hebben gedaan, namelijk volgens
de formule
X ! X ! ! !
!
!
ei k (Rj Ri ) ij = E( k )ci ( k ) .
cj ( k )
(152)
!
Rj

Tweede naaste naburen behoren beide tot hetzelfde subrooster, de hopping parameter tussen naaste naburen deniren we daarom als AA0 en BB 0 :
!
!
!
+
g(
k
)
f
(
k
)
0
AA
AA
AB
H=
(153)
!
!
BA f ( k )
BB + BB 0 g( k )
!!
!!
!!
!!
! ! !
!
!
waarbij g( k ) = g ( k ) = e i k a1 + e i k a2 + ei k a1 + ei k a2 + e i k (a1 a2 ) +
! ! !
ei k (a1 a2 ) . Indien de subroosters onderhevig zijn aan dezelfde potentiaal kunnen we opnieuw stellen dat AA = BB = 0 en bovendien geldt dat AB =
en AA0 = BB 0 = 0 . De vereenvoudigde Hamiltoniaan is dan
BA =
! !
0 !
g( k )
f( k )
H=
.
(154)
!
!
f (k)
0g( k )

We willen deze Hamiltoniaan opnieuw tot eerste orde ontwikkelen rond een
!
Dirac-punt. Hiervoor herschrijven we eerst de structuurfunctie g( k ) en vervol!
4
;0
gens ontwikkelen we een Taylor-reeks voor deze functie rond K + =. 3p
3a
!
g( k )

=
=

!
!
!
2(cos( k !
a 1 ) + cos( k !
a 2 ) + cos( k (!
a1 !
a 2 ))
p
p
3a
3a
4 cos(
kx ) cos( ky ) + 2 cos( 3akx )
2
2
!
@g
@g
g( K + ) + (kx Kx )
+ (ky Ky )
@kx
@ky Kx ;Ky

(155)

3 .
De benaderde Hamiltoniaan wordt dan
H=

3a
2

3 0
(qx + iqy )

3a
2

(qx iqy )
3 0

Dit kunnen we vereenvoudigen door te stellen dat

H = ~vF

2X
a

b
kx + ib
ky
70

b
kx

ib
ky

2X
a

=X .
!
.

(156)

(157)

De energie-eigenwaarden van deze Hamiltoniaan zijn

!
2X
E( k ) = ~vF (
a

jkj)

(158)

en de eigentoestanden zijn dezelfde als degene die we gevonden hebben voor de

naaste nabuur benadering. Het energiespectrum is dus het enige dat verandert
door de bijdrage van de extra buren. De next nearest neighbour hopping parameter is zon twintig keer kleiner dan die voor de naaste nabuur. De bijdrage
van de extra buren is dus in eerste benadering te verwaarlozen.

6.2

Bilaag grafeen

Deze berekeningen over bilaag grafeen zijn genspireerd op het werk in referenties
[16] en [29].
De volgende stap is het onderzoeken van twee lagen grafeen. De meest
stabiele conguratie is die waarbij de A2 -atomen van de bovenste laag zich net
boven de B1 -atomen vand e onderste laag bevinden terwijl de B2 -atomen van
de bovenste laag niet boven de A1 -atomen van de onderste laag liggen. De
nieuwe eenheidscel bevat nu 4 niet-equivalente atomen. De roostervectoren !
a1
en !
a2 zijn nog dezelfde als die voor monolaag grafeen, maar er omt nu een extra
roostervector !
a3 bij die loodrecht op de andere twee staat. Deze is gedenieerd
als
!
a3 = (0; 0; c0 )
(159)
waarbij c0 de afstand tussen de twee lagen is.
6.2.1

Tight-binding Hamiltoniaan

De tight-binding gollfunctie voor bilaag grafeen wordt nu bepaald door een

sommatie over de 4 atomen in de eenheidscel:
A1 !
B1 !
A2 !
B2 !
!
A1 !
B1 !
A2 !
B2 !
k( r ) = c ( k ) k ( r ) + c ( k ) k ( r ) + c ( k ) k ( r ) + c ( k ) k ( r )
X !
=
c ( k ) (!
r)
(160)
k

met de volgende lokale tight-binding functies:

!
1 X i!
!
e k Rj
r)= p
N j

k(

zodat

!
r

k(

!
1 X ! X i!
!
r)= p
c (k)
e k Rj
N
j

k(

!
Rj)

!
r

k(

(161)

!
Rj)

(162)

!
waarbij Rj de roosterposities voorstellen. De Hamiltoniaan wordt gegeven door:
ED
X
X
H=
t;
(163)
j
i .
;

hi;ji

71

!
Om de co cinten c ( k ) te bepalen projecteren we de golunctie
een eigenfunctie l :
!
E( k ) h

ki

= h

jHj

ki

1 X
p
t
N ;

XD

hi;ji

ED

0
X
!
! X i!
@
c (k)
e k Rm
m

ED
! !! D
1 XXXX
p
t ; c ( k )ei k R m l j j
N ; hi;ji
m
X
X
X
X
! !!
1
p
t ; c ( k )ei k R m ; l;j ;
N ; hi;ji
m
X
X
X
X
! !!
1
p
t ; c ( k )ei k R m ; i;m
N
m
i
X
X
! !!
1
p
t ; c ( k )ei k R m
N
m

=
=
=
=

!
r ) op

k(

ij

(164)
1
E
A
m

i;m

en
h

ki

=
=
=

1 X
p
c
N
1 X
p
c
N

! D
! X i!
(k)
e k Rj

!
! X i!
(k)
e k Rj

(165)

l;j

! !!
1
p c ( k )ei k R l
N

zodat
!
!
E( k )c ( k )

=
=

XX

! i!
k
c ( k )e

!
!
Rm Rl

!
!
( k )c ( k ) .

Aangezien de Hamiltoniaan Hermitisch moet zijn geldt dat H

= H
beginnen met het herhalen van de structuurfunctie binnen de lagen:
HAB

=
=

(166)

t(1 + e
!
0f ( k ) .

!!
ik a
1

+e

!!
ik a
2

: We

(167)

Bovendien stellen we net als bij monolaag t = 0: Vervolgens beschouwen we

de overgang tussen de lagen. Dit kan op verschillende manieren, maar we zullen
ons in eerste benadering beperken tot de overgang langs de z-as tussen rooster
B1 en A2 , die het dichtst bij elkaar liggen. Aangezien deze overgang enkel

72

!
binnen de eenheidscel gebeurt, blijven we bij dezelfde roosterpuntpositie R j en
krijgen we simpelweg
HB1 A2

tB1 A2

(168)

waarbij de waarden van de parameters gegeven zijn door 0 = 3:12 eV en

1 = 0:377 eV. Bij benadering wordt de Hamiltoniaan dus gegeven door
1
0
!
0
0
0
0f ( k )
!
C
B
0
0
B 0f ( k )
C
1
(169)
H=B
! C .
A
@
0
0
1
0f ( k )
!
0
0
0
0f ( k )

De eigenwaarden van deze Hamiltoniaan zijn gegeven door

!
r
2
2
!
!
1
1
2 f( k ) +
E( k ) =
.
0
2
2

(170)

Dit energiespectrum is weergegeven in guur 4.

6.2.2

Reductie van de Hamiltoniaan

We hebben al eerder gezien bij monolaag grafeen hoe we de structuurfunctie

!
f ( k ) kunnen ontwikkelen rond de Diracpunten. Dit kunnen we ook toepassen
voor bilaag grafeen. Na ontwikkeling rond het punt K wordt de Hamiltoniaan
gegeven door
0
1
0
kx iky
0
0
2
1
B kx + iky
C
0
0
3a 0
C .
H = ~vF B
(171)
2 1
@
0
0
kx iky A
3a 0
0
0
kx + iky
0
Voor kleine energie kan deze 4-bands-Hamiltoniaan gereduceerd worden tot een
2-bands Hamiltoniaan. Hiervoor beschouwen de rond K + ontwikkelde Hamiltoniaan als stelsel van de 4 componenten van de 4-spinor
0
1
k

B
=B
@

A1

B1
A2

B2

C
C
A

waarbij we nog voor het noteergemak volgende substituties doorvoeren:

2 1
en = 3a
= ~v1F
0
8
iky ) B1
>
A1 = (kx
>
<
=
(k
+
ik
)
x
y
B1
A1 +
A2
.
=
(k
ik
)
>
x
y
A2
B2 +
B1
>
:
B2 = (kx + iky ) A2
73

(172)

E
~vF

(173)

Voor kleine energie is

naderen als

<<

en kan me de tweede en derde vergelijking beA2

B1

= (kx + iky )
= (kx iky )

A1

(174)

B2

Indien we dit in de andere twee vergelijkingen substitueren krijgen we

(
(kx iky )2
A1 =
B2
.
(kx +iky )2
B2 =
A1

(175)

Dit komt overeen met de Hamiltoniaan

H=

~2 vF2
1

0
(kx + iky )2

(kx

iky )2
0

(176)

Deze tweebandsbenadering Hamiltoniaan heeft de vorm van de Schrdinger2 2

k
. Om deze ananlogie door te trekken
Hamiltoniaan voor vrije deeltjes ~2m
kunnen we een soort massa deniren:
m=

2vF2

(177)

Deze Hamiltoniaan is enkel geldig voor een energie veel kleiner dan de parameter
1 en voor k-waarden in de buurt van het Diracpunt. Een vergelijking van
de twee gereduceerde banden met de vier originele banden, in beide gevallen
ontwikkeld rond een Diracpunt, is weergegeven in Figuur A1.

Figuur A1: Links: Het energiespectrum voor bilaag grafeen voor kx = 0. Rechts:
Vergelijking van het vierbands-(blauw) en het tweebandsspectrum (paars) ontwikkeld rond een Diracpunt. We zien duidelijk dat de parabolische tweebandsbenadering slechts opgaat voor een energie kleine dan de interlaags hopping
parameter 1 (wat neerkomt op het energieverschil tussen de bovenste twee of
de onderste twee banden).

74

6.2.3

Spinorgoluncties

De tweespinor Nu de Hamiltoniaan gekend is kunnen we op zoek naar de

eigenvectoren die voldoen aan de Schrdingervergelijking Net als bij monolaag
beschouwen we dit slechts als een n-dimensionaal probleem.
(
!
~2 b
E( k ) A1 = 2m
(kx ib
ky )2 B2
.
(178)
!
~2 b
ky )2 A1
E( k ) B2 = 2m (kx + ib

Het systeem wordt invariant beschouwt in de y-richting, dus we voeren volgende

@ b
substituties in: b
kx > i @x
; ky > ky . Vervolgens substitueren we de ene
vergelijking de andere:
E2

A1

~2
2m

A1

@4
@x4

2mE
~2

(
2

@2
+ ky2 )2
@x2

@2 2
k + ky4
@x2 y

(179)

A1

A1

We vinden dus volgende dierentiaalvergelijking van 4de orde:

!
2
2
@4
2mE
2 @
4
2ky 2 A1
ky
A1 = 0 .
@x4 A1
@x
~2

(180)

De oplossing is een superpositie van 4 mogelijke exponentile functies:

A1 (x)

De waarde van kx en
oplossingen eikx x en e

= Aeikx x + Be
x
xx

kx4 + 2kx2 ky2

ikx x

+ Ce

=) kx

2 2
x ky

+ De

xx

(181)

zijn eenvoudig te achterhalen door respectievelijk de

in te vullen in de dierentiaalvergelijking:
!
2
2mE
4
ky
= 0
(182)
~2
=) (kx2 + ky2 )2

4
x

xx

2mE
~2

=) (

2
x

ky4

2mE
~2
r
2mjEj
=
~2

(183)
2

ky2 )2
=)

75

ky2

2mE
~2
r
2mjEj
=
+ ky2 .
~2
=

Indien we nu de Fermi golfvector invoeren, kunnen we kx en ky deniren aan

de hand van een hoek die de golfvector met grootte kF maakt met de x-as.
2mE
= skF2 = s kx2 + ky2
~2

kx

kF cos( )

ky

kF sin( )

(184)

(185)

=)

kx + iky = kF ei

=)

kx

iky = kF e

waarbij s het teken van de energie is, net als bij monolaag grafeen. Vervolgens
bepalen we de tweede component van de tweespinor:
B2

~2
@
( i
+ iky )2 A1
2mE
@x
~2
((kx + iky )2 Aeikx x + ( kx + iky )2 Be ikx x
=
2mE
+( i x + iky )2 Ce x x + (i x + iky )2 De x x )
1
=
(k 2 ei2 Aeikx x + kF2 e i2 Be ikx x
skF2 F
q
q
( kF2 + ky2 ky )2 Ce x x ( kF2 + ky2 + ky )2 De
=

s ei2 Aeikx x + e

i2

Be

ikx x

hCe

xx

De

(186)

xx

xx

waarbij
h =
h

q
1 + sin2 ( )

sin( )

q
1 + sin2 ( ) + sin( )

(187)
2

We vatten de tweespinor samen als een product van matrices analoog aan degene
bij monolaag grafeen. De tweespinor heeft opnieuw de vorm
j

= Pj Ej Cj

76

(188)

waarbij de index j opnieuw wijst op de verschillende golfvectoren binnen of

buiten een potentiaalbarrire. De matrices zijn gegeven door
Pj

1
sei2

=
2

6
= 6
4

Ej

6
= 6
4

Cj

1
se i2

eikx;j x
0
0
e ikx;j x
0
0
0
0
3
Aj
Bj 7
7 .
Cj 5
Dj

1
shj

1
shj 1

0
0
e

(189)
3

0
0
0

x;j x

x;j x

7
7
5

De vierspinor We kunnen de eigenvectoren ook zoeken voor de niet-gereduceerde

Hamiltoniaan. Het op te lossen stelsel is dan
8
@
(i @x
+ iky ) B1
>
A1 =
>
<
@
=
(i
ik
y ) A1 +
B1
A2
@x
.
(190)
@
(i @x + iky ) B2 +
>
A2 =
B1
>
:
@
(i @x
iky ) A2
B2 =

Substitutie in de tweede en de derde vergelijking levert

(
1
@2
2
B1 = ( @x2 + ky ) B1 +
1
@2
2
A2 = ( @x2 + ky ) A2 +
(
1
@2
2
( @x
2 + ky )
A2 =
B1
2
1
@
2
A2 = ( @x2 + ky ) A2 +

A2

(191)

B1
B1
B1

en verdere substitutie levert

@4
@x4

B1

+ 2(

ky2 )

@2
@x2

B1

2 2 ky2 + ky4

B1

=0.

(192)

Dit is opnieuw een dierentiaalvergelijking van vierde orde, wat als algemene
oplossing heeft
B1 (x)

De waarde van kx en
eikx x en e x x :
kx4

2(

= Aeikx x + Be
x

ikx x

+ Ce

xx

xx

+ De

(193)

vinden we opnieuw door het invullen van respectievelijk

ky2 )kx2 + (
=)

kx2

ky2 )2

ky2

=) kx

77

2 2

(194)

ky2

4
x

+ 2(

ky2 )

2
x

+(
2
x

=)

ky2 )2

ky2

=)

2 2

(195)

+ ky2 .

Aan de hand van het stelsel waarmee we zijn begonnen vinden we dan de overige
componenten van de vierspinor.
A1

=(

kx

iky

)Aeikx x (

kx + iky

ikx x

)Be

+ iky

)Ce

xx

+(

iky

)De

xx

(196)
1

A2

=
+
=
B2

2
x

ky2 ) Ce
2

Be

)Aeikx x +(

xx

xx

ikx x

+ Ce

xx

+ De

iky

ikx x

)Be

) Aeikx x +
) Ce

kx

(kx2 + ky2 ) Be

Aeikx x

kx + iky

(kx2 + ky2 ) Aeikx x +

(
1

2
x

ikx x

ky2 ) De
2

xx

ikx x

) Be

(197)

) De

xx

xx

iky

)Ce

xx

+(

+ iky

)De

(198)
Dit kan opnieuw geschreven worden als het product van matrices:
j

= Pj Ej Cj

(199)

met

Pj

Ej

Cj

6
6
= 6
4

6
= 6
4
2

kx;j

iky

kx;j +iky

1
1
kx;j

iky

0
0

ikx;j x

0
0

1
1
iky

x;j

Aj
6 Bj 7
6
7
= 4
Cj 5
Dj

0
0
0

x;j x

iky

x;j
j

0
e

1
1

ikx;j x

0
0
0

x;j +iky
j

1
1

kx;j +iky

x;j x

x;j +iky
j

3
7
7
7
5

(200)

7
7
5

Deze goluncties beschrijven twee lopende en twee uitdovende golven. Als we

echter kijken naar de denitie van x , zien we dat voor > , ofwel indien de
78

xx

energie hoger is dan de hopping parameter tussen de lagen (E > 1 ), x imaginair wordt en we dus geen uitdovende golven hebben, maar vier verschillende
lopende golven:
B1 (x)

+
ikx
x

= Aeikx x + Be

met golfvectoren
kx =

+ Ceikx x + De

ikx x

(201)

ky2

zodat de vierspinor samen te vatten is als product van de matrices

2 +
3
+
kx;j

Pj

Ej

Cj

6.2.4

6
6
= 6
6
4
2

6
6
= 6
4
2

6
= 6
4

iky

kx;j +iky

1
1

+
+iky
kx;j

iky

1
1

1
1

+
kx;j

kx;j

iky

0
eikx;j x
+
ikx;j
x
0
e
0
0
0
0
3
Aj
Bj 7
7 .
Cj 5
Dj

1
1

kx;j +iky

0
0
eikx;j x
0

0
0
0
e

kx;j +iky

ikx;j x

iky

kx;j

7
7
7
7
5

(202)

7
7
7
5

Stappotentialen met transfermatrixmethode

Tweebandsbenadering Hamiltoniaan In de tweebandsbenadering bevat

de Hamiltoniaan een tweede orde dierentiaalvergelijking. Dit heeft als gevolg
dat we twee continuteitseisen hebben aan de rand x = u van de potentiaalstap,
namelijk de continuteit van de golfvectoren en de continuteit van de eerste
afgeleiden.
P1 E1 (x = u)C1
d
P1 E1 (x = u)C1
dx

=
=

P2 E2 (x = u)C2
d
P2 E2 (x = u)C2 .
dx

Deze vergelijkingen kunnen we compacter uitschrijven door een

Pte deniren:
2
1
1
1
1
1
i2 j
i2 j
6
se
se
sh
sh
j
j
Pj0 = 6
4
ikx;j
ikx;j
x;j
x;j
i2 j
sikx;j e
sikx;j e i2 j s x;j hj
s x;j hj 1
zodat

P10 E1 (x = u)C1 = P20 E2 (x = u)C2 .

79

(203)

nieuwe matrix
3
7
7
5

(204)

(205)

Hiermee kunnen we net als bij monolaag de transfermatrix berekenen:

M1

!2

= E1 1 (x = u)P10

P20 E2 (x = u) .

(206)

En-dimensionale stappotentiaal In tegenstelling tot bij monolaag grafeen,

is deze transfermatrix te complex om een analytisch resultaat te vinden voor de
transmissiewaarschijnlijkheid in bilaag grafeen bij een n-dimensionale potentiaalstap. We kunnen deze echter wel nog steeds numeriek berekenen. Indien
de energie E hoger is dan de hoogte V van de potentiaal, worden de randvoorwaarden van het probleem gegeven door
0
1
0
1
t
1
B
C
B r C
1 !2 B 0 C
B
C
(207)
@ 0 A
@ C1 A = M
D2
0

waarbij genormaliseerd wordt op de rechtslopende invallende golf. De exponentiel uitdovende golf voor de potentiaalstap en de exponentiel toenemende golf
in de stap worden weggelaten omdat deze divergeren respectievelijk voor en na
de stap. In dat geval vinden we de transmissie- en reectieco cinten aan de
hand van
r

t =

M21 M44 M24 M41

M11 M44 M14 M41
M44
M11 M44 M14 M41

(208)

waarbij Mij de matrixelementen van de transfermatrix M 1 !2 voorstellen. Indien echter de energie kleiner is dan de potenitaalhoogte, dan is de trnasmissie
golf geen rechtslopende elektronengolf maar een linkslopende gatengolf. De
randvoorwaarden veranderen dan in
0
1
0
1
1
0
B r C
B
C
1 !2 B t C
B
C
(209)
@ C1 A = M
@ 0 A
0
D2
zodat de reectie-en transmissieco cinten gevonden worden door
r

M22 M44 M24 M42

M12 M44 M14 M42
M44
.
M12 M44 M14 M42

(210)

De transmissiewaarschijnlijkheid door een potentiaalstap voor de gereduceerde

Hamiltoniaan is weergegeven in Figuur A2.

80

Figuur A2: Links: Transmissiewaarschijnlijkheid voor een potentiaalstap met

hoogte U0 = 0:5 1 . Rechts: Polarplot van de transmissie voor dezelfde potentiaalstap maar voor verschillende invals-energien. Blauw: UE0 = 12 , paars: UE0 = 45 ,
beige: UE0 = 95 . Bij bilaag grafeen blijkt er dus geen Klein-tunneling meer plaats
te vinden. We zien hier wel tunneling voor bepaalde ky -waarden verschillend
van nul.
En-dimensionale potentiaalbarrire Voor een potentiaalbarrire met
breedte d wordt de totale transfermatrix gegeven door
M bar = M 1

!2

(x = 0)M 2

!1

(x = d) .

(211)

De randvoorwaarden, voor de golven voor en achter de barrire, worden nu

gegeven door
0
1
0
1
1
t
B r C
B
C
bar B 0 C
B
C
(212)
@ C1 A = M
@ 0 A
0
D3
zodat de reectie-en transmissieco cinten weer gevonden worden door
r

t =

M21 M44 M24 M41

M11 M44 M14 M41
M44
M11 M44 M14 M41

(213)

waarbij Mij nu de matrixelementen van de transfermatrix M bar voorstellen. De

gezochte transmissiewaarschijnlijkheid is weergegeven in guur A3 en A4. We
81

zien opnieuw resonanties voor energien lager dan de potentiaal, maar nooit
voor loodrechte inval. Ook voor energien groter dan de potentiaalhoogte zien
we duidelijk resonanties.

Figuur A3: Links: Transmissiewaarschijnlijkheid voor een potentiaalbarrire

met hoogte U0 = 0:5 1 en dikte. Rechts: Polarplot van de transmissie voor
dezelfde potentiaalbarrire maar voor verschillende invals-energien. Blauw:
E
1
E
4
E
9
U0 = 2 , paars: U0 = 5 , beige: U0 = 5 .

Figuur A4: Links: De transmissie voor bilaag grafeen in functie van de dikte.
Rechts: Polarplot van de transmissie voor barrires met verschillende diktes
voor een invalsenergie E = 0:2 1 en potentiaalhoogte U0 = 0:5 1 .
82

Vierbands Hamiltoniaan In de vierbands Hamiltoniaan staat slechts een

eerste orde afgeleide, zodat continuteit van de golfvectoren aan de rand van de
potentiaalstap de enige continuteitseis is die we opleggen.
En-dimensionale potentiaalbarrire Aan de hand van de matrices die
we eerder hebben gedenieerd voor de vierspinor, is de transfermatrix voor een
potentiaalbarrire met dikte d te deniren als
M bar = M 1

!2

(x = 0)M 2

!1

(x = d)

(214)

met
M1

!2

= E1 1 (x = u)P1 1 P2 E2 (x = u) .

(215)

Dit is opnieuw te complex om analytisch weer te geven. Het nieuwe aan de

vierbands Hamiltoniaan is dat er nu voor voldoende hoge energie (E > 1 ) twee
mogelijke rechtslopende golven zijn. Een elektronengolf kan dus van de ene vorm
naar de andere overgaan. Dit zorgt ervoor dat we verschillende transmissie en
reectieco cinten moeten beschouwen, namelijk transmissie en reectie met
of zonder verandering van golfgetal. Voor een invallende golf met golfgetal kx+
kunnen we voor voldoende hoge energie de randvoorwaarden als volgt samenvatten:
0 + 1
0
1
1
t+
+ C
C
B
B r+
bar B 0 C
B
C
(216)
@ t+ A
@ 0 A=M
+
0
r

terwijl de randvoorwaarden voor een invallende golf met golfgetal kx samengevat

worden als
0
1
0
1
1
t+
B r+ C
B
C
bar B 0 C
B
C
(217)
@ 0 A=M
@ t A .
r
0

Indien echter de energie kleiner is dan de interlaag hopping parameter zijn de

randvoorwaarden dezelfde als bij de tweebandsbenadering. Let wel op dat de
+
orde van de golven hier anders is. eikx x wordt namelijk e x x zodat in dit geval
C1 en D3 nul worden. Samengevat vinden we alle mogelijke co cinten in

83

functie van de transfermatrix-elementen als volgt:

+
r+

t+
+

r+

t+

r+

t+

M21 M33 M23 M31

M11 M33 M13 M31
M33
M11 M33 M13 M31
M41 M33 M43 M31
M11 M33 M13 M31
M31
M11 M33 M13 M31
M11 M23 M13 M21
M11 M33 M13 M31
M13
M11 M33 M13 M31
M11 M43 M41 M13
M11 M33 M13 M31
M11
M11 M33 M13 M31

(218)

(E

1)

(E

1)

(E

1)

(E

1)

(E

1)

(E

1)

De reectie- en transmissiewaarschijnlijkheden vinden we dan aan de hand van

volgende formule
T

jx;+ (x > d)
jx;+ (x < 0)
jx; (x < 0)
jx;+ (x < 0)

kx

(219)

kx
r

kx

kx

Wegens symmetrie-overwegingen geldt dat

T+
R

= T+

(220)

= R+ .

Dat gezegd zijnde, zijn alle verschillende waarschijnlijkheden weergegeven in

guren A5, A6 en A7.

84

Figuur A5: Links: Transmissiewaarschijnlijkheid T++ als functie van de energie

en de transversale impuls voor een barrire met een hoogte U0 = 0:5 1 en dikte
+
als functie van de energie en de
20nm. Rechts: Reectiewaarschijnlijkheid R+
transversale impuls voor dezelfde barrire.

Figuur A6: Links: Transmissiewaarschijnlijkheid T als functie van de energie

en de transversale impuls voor een barrire met een hoogte U0 = 0:5 1 en dikte
20nm. Rechts: Reectiewaarschijnlijkheid R als functie van de energie en de
transversale impuls voor dezelfde barrire. Deze en de volgende graeken zijn
slechts gedenierd voor dat deel van (E; ky )-vlak waarvoor kx reel is.

85

Figuur A7: Links: Transmissiewaarschijnlijkheid T + als functie van de energie

en de transversale impuls voor een barrire met een hoogte U0 = 0:5 1 en dikte
20nm. Rechts: Reectiewaarschijnlijkheid R+ als functie van de energie en de
transversale impuls voor dezelfde barrire.

In de graeken hierboven onderscheiden we vier verschillende gebieden geschei+

den door parabolen. Onderaan zien we bij T++ en R+
dezelfde resonanties als we
bij de tweebandsbenadering opmerkten, met ook resonanties in een band voor
E>U0 . Deze resonanties verdwijnen in de band waar we de meeste transmissie
en reectie zien voor T + en R+ . Tenslotte zien we in de hoogste parabool de
waarschijnlijkheden T en R ,die eveneens resonanties vertonen.

6.3

En-dimensionale potentiaalputten

De berekeningen voor deze transmissiewaarschijnlijkheden verlopen analoog aan

die voor barrires, maar in plaats van een positieve potentiaalhoogte U werken
we hier met een negatieve diepte jU j.

86

Figuur A8: Transmissiewaarschijnlijkheden T"" (links) en T## .(rechts) doorheen

een enkele potentiaalput. De gebruikte parameters zijn: U = 50 meV, Ez =
Ez;c , M = 0 en d = 100 nm.

Figuur A9: Transmissiewaarschijnlijkheden T"" (links) en T## .(rechts) doorheen

twee potentiaalputten De gebruikte parameters zijn: U = 50 meV, Ez = Ez;c ,
M = 0, w = 50 nm en d = 100 nm. Gestreepte lijnen duiden de Fabry-Prot
resonanties in de barrire aan en de stippellijnen de extra resonanties langs het
volledige barriresysteem.

87

Figuur A10: Transmissiewaarschijnlijkheden T"" (links) en T## .(rechts) doorheen

tien potentiaalputten. De gebruikte parameters zijn: U = 50 meV, Ez = Ez;c ,
M = 0 en d = 100 nm.
De transmissiewaarschijnlijkheden afgebeeld in guren A8-A10 vertonen dezelfde
resonanties die we bij barrires hebben gezien. Een belangrijk verschil is dat
de golfvector qx nu reel is voor alle invalshoeken. Tenslotte zien we bij een
gesloten bandkloof nog steeds Klein-tunneling.

88

Referenties

[1] Geim, Andre K., and Konstantin S. Novoselov. "The rise of graphene."
Nature materials 6.3 (2007): 183-191.
[2] Katsnelson, Mikhail I. "Graphene: carbon in two dimensions." Materials
today 10.1 (2007): 20-27.
[3] Ezawa, Motohiko. "Valley-polarized metals and quantum anomalous Hall
eect in silicene." Physical review letters 109.5 (2012): 055502.
[4] Vargiamidis, V., and P. Vasilopoulos. "Electric-and exchange-eld controlled transport through silicene barriers: Conductance gap and near-perfect
spin polarization." Applied Physics Letters 105.22 (2014): 223105.
[5] Vogt, Patrick, et al. "Silicene: compelling experimental evidence for
graphenelike two-dimensional silicon." Physical review letters 108.15 (2012):
155501.
[6] Lalmi, Boubekeur, et al. "Epitaxial growth of a silicene sheet." Applied
Physics Letters 97.22 (2010): 223109.
[7] Fleurence, Antoine, et al. "Experimental evidence for epitaxial silicene
on diboride thin lms." Physical review letters 108.24 (2012): 245501.
[8] Kaloni, T. P., M. Tahir, and Udo Schwingenschlgl. "Quasi free-standing
silicene in a superlattice with hexagonal boron nitride." Scientic reports 3
(2013).
[9] Cai, Yongmao, et al. "Stability and electronic properties of two-dimensional
silicene and germanene on graphene." Physical Review B 88.24 (2013): 245408.
[10] Liu, Hongsheng, Junfeng Gao, and Jijun Zhao. "Silicene on substrates:
A way to preserve or tune its electronic properties." The Journal of Physical
Chemistry C 117.20 (2013): 10353-10359.
[11] Hasan, M. Zahid, and Charles L. Kane. "Colloquium: topological insulators." Reviews of Modern Physics 82.4 (2010): 3045.
[12] Tao, Li, et al. "Silicene eld-eect transistors operating at room temperature." Nature nanotechnology 10.3 (2015): 227-231.
c, Igor, Jaroslav Fabian, and S. Das Sarma. "Spintronics: Funda[13] Zuti
mentals and applications." Reviews of modern physics 76.2 (2004): 323.
[14] Tsai, Wei-Feng, et al. "Gated silicene as a tunable source of nearly 100%
spin-polarized electrons." Nature communications 4 (2013): 1500.
89

[15] Wang, Yangyang, et al. "Silicene Spintronics." arXiv preprint arXiv:1506.00917

(2015).
[16] Katsnelson, M. I., K. S. Novoselov, and A. K. Geim. "Chiral tunnelling
and the Klein paradox in graphene." Nature physics 2.9 (2006): 620-625.
[17] Peres, N. M. R. "Colloquium: The transport properties of graphene: An
introduction." Reviews of Modern Physics 82.3 (2010): 2673.
[18] Reich, Stephanie, et al. "Tight-binding description of graphene." Physical Review B 66.3 (2002): 035412.
[19] Stander, N., B. Huard, and D. Goldhaber-Gordon. "Evidence for klein
tunneling in graphene p- n junctions." Physical Review Letters 102.2 (2009):
026807.
[20] Liu, Cheng-Cheng, Hua Jiang, and Yugui Yao. "Low-energy eective
Hamiltonian involving spin-orbit coupling in silicene and two-dimensional germanium and tin." arXiv preprint arXiv:1108.2933 (2011).
[21] Min, Hongki, et al. "Intrinsic and Rashba spin-orbit interactions in
graphene sheets." Physical Review B 74.16 (2006): 165310.
[22] Behera, Harihar, and Gautam Mukhopadhyay. "First-principles study of
structural and electronic properties of germanene." arXiv preprint arXiv:1111.6333
(2011).
[23] Modarresi, M., et al. "Eect of external strain on electronic structure
of stanene." Computational Materials Science 101 (2015): 164-167.
[24] Vargiamidis, V., P. Vasilopoulos, and G. Q. Hai. "Dc and ac transport
in silicene." Journal of Physics: Condensed Matter 26.34 (2014): 345303.
[25] Yokoyama, Takehito. "Spin and valley transports in junctions of Dirac
fermions." New Journal of Physics 16.8 (2014): 085005.
[26] Vargiamidis, V., and P. Vasilopoulos. "Polarized spin and valley transport across ferromagnetic silicene junctions." Journal of Applied Physics 117.9
(2015): 094305.
[27] Barbier, Michal, et al. "Dirac and Klein-Gordon particles in onedimensional periodic potentials." Physical Review B 77.11 (2008): 115446.
[28]Barbier, M., P. Vasilopoulos, and F. M. Peeters. "Extra Dirac points in
the energy spectrum for superlattices on single-layer graphene." Physical Review
B 81.7 (2010): 075438.
[29] Van Duppen, B., and F. M. Peeters. "Four-band tunneling in bilayer
graphene." Physical Review B 87.20 (2013): 205427.

90

Paper

De volgende paginas bevatten, als afsluiting van deze thesis, een paper waar
ik, in samenwerking met onder andere mijn promotor, Prof. dr. F. Peeters, en
mijn begeleider, B. Van Duppen, mee aan heb kunnen werken. Deze paper zal
kort na het indienen van deze thesis ingediend worden bij Physical Review B.
Het betreft het onderwerp van deze thesis en is een mooie aanvulling tot dit
werk.
Tenslotte wil ik mijn promotor en mijn begeleider nog bedanken om deze
thesis succesvol ten einde te helpen brengen en voor de hulp gedurende de
afgelopen twee jaar.

91

Spin- and valley-dependent transport through arrays of ferromagnetic silicene

junctions
N. Missault,1 P. Vasilopoulos,2, B. Van Duppen,1, V. Vargiamidis,2, and F. M. Peeters1,
1

Departement Fysica, Universiteit Antwerpen Groenenborgerlaan 171, B-2020 Antwerpen, Belgium

2
Department of Physics, Concordia University, Montreal, Quebec, Canada H3G 1M8

We study ballistic transport of Dirac fermions through arrays of silicene barriers, of width d,
in the presence of an exchange field M and a tunable potential of height U or depth U . Away
from the Dirac point (DP) the spin- and valley-resolved conductances, as functions of U or M ,
exhibit resonances and close to it a pronounced dip that becomes a gap when a critical electric field
Ez is applied. This gap widens by increasing the number of barriers and can be used to realize
electric field-controlled switching. The spin ps and valley pv polarizations of the current near the
DP increase with Ez or M and become nearly perfect above certain of their values. The ranges of
M values in which ps and pv are perfect widens significantly by increasing the number of barriers.
Also, ps and pv oscillate nearly periodically with the separation between barriers or wells and can
be inverted by reversing the direction of M .
PACS numbers: 71.70.Di, 72.76.+j, 72.25.-b, 73.43.-f

I.

INTRODUCTION

Silicene, a monolayer of silicon atoms forming a twodimensional (2D) honeycomb lattice, has been predicted
to be stable [1] and several attempts have been made to
synthesize it [2, 3]. It has attracted considerable attention [4] because due to its buckled honeycomb lattice, it
has Dirac cones similar to those of graphene but with
some important differences. Contrary to graphene, silicene has a strong intrinsic spin-orbit interaction (SOI)
which leads to a gap of approximately 1.55 meV wide
[5, 6] in the low-energy band structure. The structure is
a remarkable property of silicene that graphene does not
possess and can facilitate the control [6, 7] of its band gap
by the application of an external perpendicular electric
field Ez . Accordingly, silicene could overcome difficulties associated with potential applications of graphene
in nanoelectronics (lack of a controllable gap) due to the
available spin and valley degrees of freedom. This and its
compatibility with silicon-based technology led to studies
of important effects such as the spin- and valley-Hall effects [5, 810], the quantum anomalous Hall effect [7, 11],
and spin-valley coupling [12] and many more. For a review see Ref. 13.
The strong SOI in silicene [14] can lead not only to
spin-resolved transport, but also to a cross correlation
between the valley and spin degrees of freedom. Further,
silicon has a longer spin-diffusion time [15, 16] and spincoherence length [17] compared with graphene [18], thus
making silicene appear even more suitable for spintronics applications, for instance, the very recently reported
field-effect transistors [19].

p.vasilopoulos@concordia.ca
ben.vanduppen@uantwerpen.be
vasileios.vargiamidis@concordia.ca
francois.peeters@uantwerpen.be

In earlier works several novel features have been studied such as ferromagnetic (FM) correlations [20] and resonant transport through double barriers [21] in graphene,
the conductance [22] across FM strips on the surface of
a topological insulator, and valley and spin transport in
FM silicene [23, 24].
More recently the influence of electric and exchange
fields on ballistic transport through single [23, 25] and
double [25] FM barriers on silicene has been studied and
novel results have been reported such as a field dependent
transport gap and near perfect spin and valley polarizations. Naturally, one wonders whether a better control
can be obtained if one uses multiple barriers or wells and
how the reported effects carry over to these systems. To
our knowledge this has not been done and is the subject
of this study.
The main findings of this work are as follows. We confirm the development of a gap in the charge conductance
gc not only as a function of U [25] but also as a function of the strength M of the FM field which widens by
increasing the number of barriers. We also quantify the
spin and valley polarizations and show that the ranges of
M in which they are near perfect widen significantly by
increasing the number of barriers. In addition, we show
that for wells the conductance gc oscillates with M but
the polarizations are much smaller than those for barriers. All these quantities oscillate nearly periodically with
the separation between barriers or wells.
The paper is organized as follows. In Sec.II we present
the calculation of the spin- and valley-resolved conductance through a FM junction in silicene and show that
the charge conductance can be controlled with Ez . In
Sec.III we discuss the effects of the exchange field on the
charge, spin, and valley transport through one or several
barriers or wells. We conclude with a summary in Sec.IV.

2
II.

TRANSPORT THROUGH A FM JUNCTION

(a)

(c)

We study ballistic electron transport across a FM strip

in silicene with a metallic gate above it which extends
over a region of width d (see Fig.1(a)). The effective
Hamiltonian of low-energy fermions is given by [14]

(b)

H = ~F (x kx y ky ) + sz z + U sz M I;

(1)

A.

Transmission and resonances

The eigenfunctions of Eq. (1) in regions I, II, and III

can be written in terms of incident and reflected waves
and are matched at the interfaces of between these regions. The calculation is based on the one presented in
Ref. 26 and its details are given in the appendix. With
account taken of the translational symmetry along the y
axis, the transmission through a single barrier takes the
analytical form
Tsz (kx , ky ) =

1

,
1 + sin (dqx ) F 2 (kx , qx , ky ) 1
2

(2)

where
F (kx , qx , ky ) =

kx2 2b + qx2 2o + ky2 (b o )2

,
2kx qx b o

(3)

where b = E U sz Mb + so + sz Ez,b l and o =

E sz Mo + so + sz Ez,o l. The subscripts b and w

III

V(x)

(d)

V(x)
x

...

U,M

V(x)

(e)

here = 1 distinguishes between the two valleys, K and

K 0 , sz = z sz so , and F 5 105 m/s is the
Fermi velocity. The first term in Eq. (1) is the familiar
Dirac-type Hamiltonian. The second term describes the
intrinsic SOI in graphene through so , and controls the
SOI gap through the perpendicular electric field term
z = e`Ez with 2` 0.46
A the vertical separation of
the two sublattices that is due to the buckled structure.
The second term, and hence the band gap, is suppressed
if the electric field is at its critical value of Ec = so /`. In
this case in each valley one of the two spin components
will get a gapless linear spectrum as shown in Fig. ...
. The third term represents the barrier potential due to
the gate voltage, and in the last term M is the exchange
field due to a FM film and I the identity matrix. Further,
sz = 1 represents spin-up () and spin-down () states,
and i are the Pauli matrices of the sublattice pseudospin.
In Fig. ... we show the energy spectra corresponding
to the Hamiltonian in Eq. 1 and the influence of the
tunable parameters Ez and M on it. This figure shows
the concept of the polarization mechanism discussed in
this work. Indeed, tuning the electric and exchange fields
locally affects the energy spectrum and with it the possibility for modes of a certain spin and valley type to
propagate at a given Fermi level. Tuning the Fermi level
in regions where only some types of carriers are propagating, allows for the selection these types and leads to
spin or valley polarization.

II

II

III

V(x)

...

FIG. 1. (a) Schematics of a barrier of width d impinged by

a particle with angle of incidence and angle of refraction
. The vectors ~k and ~
q represent the wave vectors inside and
outside the barrier respectively. (b) Potential profile of the
barrier where U denotes the height of the barrier and M the
induced exchange field in the barrier region. (c) Potential
profile for a double barrier system with inter-barrier separation w. (d) and (e) Set of identical barriers and wells with
width d and separation w.

indicate the corresponding quantities in the barrier (b)

and outside it (o). Eq.2 is slightly more general than
that of Refs. [23, 25] because the fields Ez and M are
present in the entire structure whereas in Refs. [23, 25]
are present only in the barriers. It reduces to this result
for Ez = M = 0 outside the barrier. Notice that for
qx d = n, n integer, the transmission is perfect. These
Fabry-Perot resonances occur when half the wavelength
of the wave inside the barrier fits inside the barrier width
n times.
A considerable simplification of Eq. (2) occurs at normal incidence (ky = 0):
Tsz (kx , 0) =

1
,
1 + sin (dqx )( 1 )2 /4
2

(4)

where = kb /qo . From this analytical result the difference with the graphene result T = 1 is clear. Due to the
SOI and the field Ez the factor differs from 1. Setting
Ez = so = 0, one obtains = 1 and therefore the well
known graphene result T = 1 no matter what the width
d of the barriers is. This unimpeded tunneling at normal
incidence, called the Klein tunneling effect, is also found
in silicene if the electric field is tuned to its critical value
Ez,b/o = Ec . In this case however only the spin-up (spindown) electrons at the K-point (K-point) experience the
Klein effect. The origin of this partial Klein tunneling
can be found in Eq. (2) where in that case the condition
F 2 (kx , qx , 0) = 1 is fulfilled.
The two barriers transmission probability can also be
calculated as
(2)
Ts
(kx , ky ) =
z

1
,
1 + sin (dqx )(F 2 1)4R2
2

R = cos(wkx ) cos(dqx ) + F sin(wkx ) sin(dqx ).

(5)

(6)

3
This reduces to the single barrier transmission with width
d to 2d when the barrier separation width w = 0. Again
the function F will be responsible for Klein tunneling at
normal incidence. Because both barriers are considered
to be of the same width, the single barrier resonances are
pertained. The added factor defined in Eq. (6) however
allows for an additional resonance pattern which corresponds to a resonance over the total double barrier system.
For n barriers the transmission amplitude is given by
 ikx l
e
t(n)
(cos(dqx ) + iF sin(wkx ))n
sz =
1
(n > 1)eikx l in sinn (dqx )Gn2 (F 2 1) (, 7)

G=

l = (n 1)w + (n 2)d,

(8)

(iky (o b ) + kx b )2 qx2 2o

.
2kx qx b o

(9)

For more than two barriers the additional resonances that

occurred in the two barriers case fade away but the single
barrier Fabry-Perot resonances become sharper.

B.

Conductance and polarizations

The spin- and valley resolved conductance is defined

as
Z

/2

gsz = g0

Tsz ()E cos , d

(10)

/2

where g0 = e2 kF Ly /2h and Ly is the length of the barrier along the y direction. The total conductance is obtained by summing Eq. (10) over and sz .
Making use of the measurable conductance, we can
define the spin polarization as
ps =

(gK + gK 0 ) (gK + gK 0 )
,
gK + gK + gK 0 + gK 0

(11)

which equals 1 if the electrons are fully polarized in

the up (down) mode. Analogously we define the valley
polarization by
pv =

(gK + gK ) (gK 0 + gK 0 )
.
gK + gK + gK 0 + gK 0

(12)

Here pv = 1 corresponds to a current that is localised

completely in the K (K) valley.

III.

NUMERICAL RESULTS

We first present results for transmission, conductance, and spin and valley polarizations through one
or several barriers and then those for one or several wells.

A.

Barriers

In Fig. 2 we present (E, ) contour plots of the spin

resolved transmission through one, two, and ten barriers
in the 1st, 2nd, and 3rd row, respectively, at the K valley. The left (right) column is for spin-up (spin-down)
electrons. The electric field is chosen to be the critical field as discussed in the previous part. Accordingly,
the spin-down electrons have a gapless and linear energy
spectrum and therefore for normal incidence ( = 0) the
transmission for this state is 1 following the Klein tunneling effect. Since the spin-up states spectrum still shows
a gap, transmission is suppressed in a energy region the
size of the gap around the height of the potential barrier.
Moving to the 2nd row of the figure, for two barriers,
one sees the additional resonances we discussed earlier.
Remarkably they also appear in the gap, which is because
they correspond to localized states in the region between
both barriers that are trapped due to the gapped state.
Note however that they disappear again as we move to
the 3rd row (10 barriers). This is because the additional
resonances appearing for n = 2 are due to a confinement
in the total barrier structure and that becomes highly
damped for n = 10. Therefore increasing the number
of barriers renders the resonances sharper and the gap
( = 0) wider because this is a feature shared by every
barrier individually. The residual transmission seen for
the single barrier case due to near resonance conditions
is exponentially suppressed with the addition of extra
barriers and therefore the resonances are sharper.
The shape of the Fabry-Perot resonances in the (E,)plane can be understood by solving the condition qx d =
n for the energy. The result for the simplified case where
Ez = M = 0 is
r



2
F
sign(V ) 1 + nv
1 cos2 ()
V
d
E()
=
. (13)
V
cos2 ()
This relation is shown as dashed lines in Fig. 2. For the

2
F
values of n for which nv
1 is small, the energy
Vd
solutions become approximately independent of , which
corresponds to horizontal line resonances at low energies.
For other values of n the resonant energies behave proportional to cos()2 .
Because experimentally one measures the conductance
and not the transmission, in Fig. 3 we show the conductance as a function of the field Ez and as a function
of the FM field M for 1, 3, and 10 barriers as indicated.
We see that the conductance is symmetric with respect to
both Ez and M , it is reduced by increasing the number of
barriers, and, perhaps more important, it develops a gap,
i.e., it vanishes, when plotted versus M , for very strong
fields Ez . This transport gap originates from the energy
gap in the spectrum induced by the electric field. For one
barrier this is similar to the transport gap of the conductance, plotted versus the energy at the Dirac point [25].
If the Fermi level is fixed at the correct value, inside the

FIG. 3. (a) and (b) Conductance through n barriers versus

electric field for M = 2.5 meV and M = 10 meV respectively.
(c) and (d): Conductance versus M for electric field Ez =
Ez,c and Ez = 5Ez,c , respectively. Other parameters: d = 100
nm, w = 50 nm, U = 50 meV and E = 40 meV.

FIG. 2. (Colour online) (E, ) Contour plots of the transmission probability through 1, 2, and 10 barriers in the 1st,
2nd, and 3rd row, respectively. The left (right) column is for
spin-up (spin-down) electrons at the K point. The dashed
white curves show the resonances calculated by Eq. (13) and
the dotted white curves correspond to the solutions of R = 0
from Eq. (6). In the white region in the left column the transmission is undefined due to the lack of propagating states outside the barrier. Parameters used: d = 100 nm, w = 50 nm,
M = 2.5 meV, Ez = Ez,c V/m, and U = 50 meV.

barrier region there are no propagating modes. The exchange field can then be used to shift the spectra of both
spins to coincide again with the Fermi level. This gives
rise to the observed abrupt increase in the conductance
as a function of M . Due to multiple barriers the evanescent transmission for states near propagating modes is
suppressed and this sharpens and widens the gap.
Because the evanescent tunneling is suppressed with
the number of barriers, the spin ps and valley pv polarizations are altered as plotted in Fig. 4 versus M . Again
for one barrier this is similar to the ps or pv results (versus

U/EF ) of Ref. [25]. Notice, though, that the M ranges

of near perfect ps and pv increase with the number of
barriers.
In Fig. 5 we show the dependence of the conductance,
spin and valley polarization on the exchange and electric field. The results show that it is possible to achieve
independently a strong spin and valley polarization depending on which combination of electric and exchange
fields are considered. For example for the position of the
cross, the current is polarized in the K valley (pv = 1)
but also only consists of spin-up particles (px = 1). The
use of multiple barriers makes this polarization more pronounced. The maps in Fig. 5 enable one to pick the desired spin and valley polarization by tuning the electric
and exchange fields.
We can also exploit the additional degree of freedom
given by the inter-barrier width w to tune polarization.
In Fig. 6 we show a (d, w) contour plot of the conductance and polarizations for 2 barriers. As shown, increasing the barrier width d has a progressively detrimental
effect on the conductance. But thanks to the periodic
dependence of all these quantities at appropriate values
of d it is possible to realize pure spin polarization for a
valley mixed state as indicated in Fig. 6.
We further explore the spin and valley polarizations
by changing the magnetization of the two barriers independently at fixed barrier width d as shown in Fig. 7
. (M1 , M2 ) and changing the barrier width at fixed exchange field as shown in Fig. 8. In the first plot M1

FIG. 4. Spin and valley polarizations through n barriers versus exchange field M . Parameters used: d = 100 nm, w = 50
nm, Ez = 5Ez,c , E = 40 meV and U = 50 meV

FIG. 6. (d, w) contour plot of the conductance (left) through

2 barriers, of the spin polarization (centre), and of the valley
polarization (right) for M = 2.5 meV, Ez = 5Ez,c , E = 40
meV and U = 50 meV.

FIG. 7. (M1 , M2 ) contour plot of the conductance (left)

through 2 barriers, of the spin polarization (centre), and of
the valley polarization (right). Parameters used: Ez = 2Ez,c ,
d1 = d2 = 100 nm, w = 50 nm, E = 40 meV and U = 50
meV
FIG. 5. (Colour online) Conductance (left),spin (middle) and
valley polarization (right) through 2 (top row) and 10 (bottom
row) barriers as a function of the electric and exchange field.
Parameters used: d = 100 nm, w = 50 nm, E = 40 meV and
U = 50 meV

and M2 are the FM fields in the first and second barrier,

respectively, and in the second d1 and d2 the corresponding widths. In either figure the left panels are for the
conductance, the central ones for the spin polarization,
and right panels for the valley polarization. The central
panel in Fig. 8 shows a near perfect spin-up polarization
for a very wide range of d1 and d2 . This can become
spin-down polarization if we reverse M . In either case
we have a perfect spin filter, say, for di 7 nm, i = 1, 2

B.

Wells

Formally changing U to U in Eq. (2) allows us to

consider wells as presented in Fig. 1(e). In Fig. 9 we
show (E, ) contour plots of the transmission in the presence of 1, 2, and 10 wells. The left (right ) column is for
spin-up (spin-down) electrons. As seen, similar to the
case of graphene [28], for certain angles the transmission

is periodic in the energy. Similar to the barriers, for the

double well there is a new resonance pattern appearing
and for a large number of wells the resonances become
sharper and only those related to the single well case
survive. One also sees that the transmission is nearly
perfect for a wider range of angles compared to that
for barriers.
As far as the conductance is concerned, Fig. 10 shows
that its overall behaviour, versus Ez and M , is similar to
that for barriers shown, respectively, in Fig. 3. However,
we dont have a gap, versus M , as that shown in Fig.
3 because now the modes are always propagating. As
for the spin and valley polarizations, they are about one
order of magnitude smaller than those involving barriers
and are not shown.
As a function of the energy, the conductance is shown
in Fig. 11 through n barriers on the left and over n
wells on the right. Notice the difference in the vertical
scales and the overall reduction with increasing n. For
n = 1 the behaviour is similar to that of Refs. [23, 25]
for silicene and Ref. [28] for graphene. The reduction
with increasing n can be understood by the fact that for
smaller barriers, not only resonant tunneling leads to the
total conductance, but also near resonant modes. This

FIG. 8. (d1 , d2 ) contour plot of the conductance (left) through

2 barriers, of the spin polarization (centre), and of the valley
polarization (right). Parameters used: Ez = 2Ez,c , M1 =
M2 = 2.5 meV, w = 50 nm, E = 40 meV and U = 50 meV

results in a smearing of the resonances and central Kleintunneling related transmission as observed before. In the
system with multiple barriers or wells, the resonances and
central ky = 0 transmission are sharpened and these near
resonant modes do not contribute to the conductance any
more, resulting in a diminished conductance.

IV.

SUMMARY AND CONCLUSIONS

The use of multiple barrier and well structures allows

for a new degree of freedom in the search for a tunable
valley and spin polarizator using silicene. The analytical
results presented in this paper show a complete comprehension of the resonance structure of silicene multi barriers.
We found that for multiple barriers the transport gap
as a function of the exchange field is widened because
of the suppression of nearly propagating modes. This
same mechanism also sharpens the resonances found in
the single barrier case.
The quantification of the conductance and valley and
spin polarization as functions of the applied electric and
exchange fields, the length of the barriers and their separation allows for a selection of parameters to tune the
desired spin and/or valley polarization.
Finally we showed that for wells the conductance oscillates with the exchange field and that the transport gap
observed for barriers is absent.

ACKNOWLEDGMENTS

This work was supported by the the Canadian NSERC

Grant No. OGP0121756 (MT, PV) and by the Flemish
Science Foundation (FWO-Vl)(FMP) by a PhD research
grant to BVD.
The Hamiltonian for silicene with a perpendicular electric field Ez and magnetization M at the K point in the

FIG. 9. Colour online)(E, ) Contour plots of the transmission through one, two, and ten wells in the 1st, 2nd, and
3rd row respectively. The left (right ) column is for spin-up
(spin-down) electrons. The dashed white curves show the resonances calculated by Eq. (13) and the dotted white curves
correspond to the solutions of R = 0. In the white region
in the left column the transmission is undefined due to the
lack of propagating states outside the barrier. Parameters
used are: d = 100 nm, w = 50 nm, M = 2.5 meV, Ez = 17
meV/
Aand U = 50 meV

basis {A , A , B , B } is given by

E1 (1, 1) iR ak
vF k
0
iaR k+ E1 (1, 1)
0
vF k

HK (~k) =
vF k+
0
E1 (1, 1) iaR k
0
vF k+
iaR k+ E1 (1, 1)
(14)

7
Cj = (Aj ,

Bj ,

Cj ,

Dj )T ,

(20)

where T denotes the transpose and ki = ki iky , i =

1, 2. Also, with a = a2 2R we have
k1 = [kF2 1 ky2 ]1/2 ,

FIG. 10. (a) Conductance over n wells versus electric field.

(b) Conductance versus M for electric field. The parameters are d = 100 nm, w = 50 nm, M = 2.5 meV, Ez = 85
meV/
Aand U = 50 meV.

k2 = [kF2 2 ky2 ]1/2 ,

(21)



2
2
kF 1 = a E+
+ vF2 E
2 (a + vF2 )1/2 ,

(22)



2
2
kF 2 = a E+
+ vF2 E+
+ 2 (a + vF2 )1/2 ,

(23)

2 = 2

a2 N 2 + a vF2 + N 2 vF4 ,

= sign[M (z E + so M )(a z + vF2 M )],

(24)
(25)

2
2
= 2z E+
+ 4z Eso M + (E+
+ 2z )M 2 M 4 , (26)
2
where E
= E 2 2z 2so + M 2 and N 2
2
(z E + so M ) .

FIG. 11. (a) Conductance through n barriers versus electric

field. (b) Conductance over n wells versus M . The parameters are d = 100 nm, w = 50 nm, M = 2.5 meV, Ez = 85
meV/
Aand U = 50 meV.

iaR vF ( )kF2 2
,
(a2 2R + vF2 )kF2 2

(27)

iaR vF ( )kF2 1
,
(a2 2R + vF2 )kF2 1

(28)

iaR + vF
iaR + vF
, =
,

iaR + vF
iaR + vF
, =
.
=

= (E lEz so M )
and at the K point by
= (E lEz + so + M )

= (E + lEz + so M )
E1 (1, 1) iR ak
vF k +
0

iaR k+ E1 (1, 1)

0
v
k
= (E + lEz so + M )
F +

HK 0 (~k) =
vF k
0
E1 (1, 1)
iaR k
and at the K point:
0
vF k
iaR k+ E1 (1, 1)
0 0
0
0
0
k1+ 0 k1
0 k2+
0 k2
(15)
0
0
1

1
where
P10 = 0

0
1
1
0
0
0
0
E (sz , z ) = so sz z + lEz z + Mz sz .
(16)
0 k1+
0 k2
0 k2+
0 k1
We describe the wave functions with the matrix
product
j = Pj Ej (x)Cj
which, for the K point,

1
k1
P1 =
k1+

ik x
e 1
0
E1 (x) =
0
0

(17)

(29)
(30)

(31)

(32)

0
where ki
= ki0 iky , i = 1, 2. The matrix E10 (x) is
obtained from E1 (x) by changing ki to ki0 . Also, ki0 and
kF0 i are obtained from ki and kF i by the same change
followed by 2 2 0 .

are given by:

k1+ k2 k2+
,
k1 k2+ k2

1
1

0
0
0
eik1 x 0
0
,
ik2 x
0
e
0
0
0 eik2 x

0 =

iaR vF (0 0 )kF2 2
0 0 0 (a2 2R 0 + vF2 0 )kF2 2

(33)

0 =

iaR vF (0 0 )kF2 1
0 0 0 (a2 2R 0 + vF2 0 )kF2 1

(34)

(18)

iaR + vF 0 0
iaR 0 + vF
,

=
,
0
0
iaR + vF 0
iaR 0 + vF
0 =
, 0 =
.
0

0 =
(19)

(35)
(36)

8
= (E lEz
= (E lEz
= (E + lEz
= (E + lEz

so M )
+ so + M )
+ so M )
so + M )

(37)

0
0
0
0

+ so M )
so + M )
so M )
+ so + M )

(38)

= (E lEz
= (E lEz
= (E + lEz
= (E + lEz

follows:
Mn = M (0)M (d)M (2d)...M ((n 1)d)
= M (0)E11 (d)M (0)E1 (d)E11 (2d)M (0)E1 (2d)
...E11 ((n 1)d)M (0)E1 ((n 1)d)
= M (0)E11 (d)M (0)E11 (d)M (0)E11 (d)
...E11 (d)M (0)E1 ((n 1)d)
= M (0)[E11 (d)M (0)]n1 E1 ((n 1)d)
(40)
The transmission amplitudes are found by solving the
system of equations

To calculate the transmission through an arbitrary

number of barriers n, we exploit the following property
of the transfer matrix through a single barrier at x = x0 :
M (x0 ) = E11 (x0 )P11 P2 E2 (x0 )E21 (x0 + d2 )
P21 P1 E1 (x0 + d2 ) = E11 (x0 )M (0)E1 (x0 ) (39)

1 , r , 0 , r

T


T
= m t , 0 , t , 0

(41)

where m is the total transfer matrix of the barrier structure and T denotes the transpose of the row vectors.

The transfer matrix through n barriers is constructed as

[1] G. G. Guzm
an-Verri and L. C. Lew Yan Voon,
Phys. Rev. B 76, 075131 (2007); S. Leb`egue and O. Eriksson, Phys. Rev. B 79, 115409 (2009).
[2] P. Vogt, P. De Padova, C. Quaresima, J. Avila,
E. Frantzeskakis, M. C. Asensio, A. Resta, B. Ealet,
and G. Le Lay, Phys. Rev. Lett. 108, 155501 (2012);
A. Fleurence, R. Friedlein, T. Ozaki, H. Kawai, Y. Wang,
and Y. Yamada-Takamura, ibid. 108, 245501 (2012).
[3] D. Chiappe, E. Scalise, E. Cinquanta, C. Grazianetti,
B. v. Broek, M. Fanciulli, M. Houssa, and A. Molle, Adv.
Mater. 26, 2096 (2014).
[4] Z. Ni, Q. Liu, K. Tang, J. Zheng, J. Zhou, R. Qin, Z. Gao,
D. Yu, and J. Lu, Nano Lett. 12, 113 (2012); Y. Cai, C.P. Chuu, C. M. Wei, and M. Y. Chou, Phys. Rev. B 88,
245408 (2013); M. Neek-Amal, A. Sadeghi, G. R. Berdiyorov, and F. M. Peeters, Appl. Phys. Lett. 103, 261904
(2013).
[5] C.-C. Liu, W. Feng, and Y. Yao, Phys. Rev. Lett. 107,
076802 (2011).
[6] N. D. Drummond, V. Z
olyomi, and V. I. Falko,
Phys. Rev. B 85, 075423 (2012).
[7] M. Ezawa, New. J. Phys. 14, 033003 (2012).
[8] A. Dyrdal and J. Barnas, Phys. Stat. Sol. RRL 6, 340
(2012).
[9] M. Tahir, A. Manchon, K. Sabeeh, and U. Schwingenschl
ogl, Appl. Phys. Lett. 102, 162412 (2013).
[10] C. J. Tabert and E. J. Nicol, Phys. Rev. B 87, 235426
(2013).
[11] M. Ezawa, Phys. Rev. Lett. 109, 055502 (2012).
[12] L. Stille, C. J. Tabert, and E. J. Nicol, Phys. Rev. B 86,
195405 (2012).
[13] A. Kara, H. Enriquez, A. P. Seitsonen, L.C. Lew Yan

[14]
[15]
[16]
[17]
[18]
[19]

[20]
[21]
[22]
[23]
[24]
[25]
[26]
[27]
[28]

Voon, S. Vizzini, B. Aufray, and H. Oughaddoub, Surf.

Sci. 67, 1 (2012).
C.-C. Liu, H. Jiang, and Y. Yao, Phys. Rev. B 84, 195430
(2011).
B. Huang, D. J. Monsma, and I. Appelbaum,
Phys. Rev. Lett. 99, 177209 (2007).
Y. Wang, J. Zheng, Z. Ni, R. Fei, Q. Liu, R. Quhe, C. Xu,
J. Zhou, Z. Gao, and J. Lu, Nano 07, 1250037 (2012).
S. Sanvito, Chem. Soc. Rev. 40, 3336 (2011).
N. Tombros, C. Jozsa, M. Popinciuc, H. T. Jonkman,
and B. J. van Wees, Nature 448, 571 (2007).
L.Tao, E. Cinquanta, D. Chiappe, C. Grazianetti, M.
Fanciulli, M. Dubey, A. Molle and D. Akinwande Nature
Nanotechnology 10, 227 (2015)
H. Haugen, D. Huertas-Hernando, and A. Brataas,
Phys. Rev. B 77, 115406 (2008).
J. Milton Pereira, Jr., P. Vasilopoulos, and F. M. Peeters,
Appl. Phys. Lett. 90, 132122 (2007).
S. Mondal, D. Sen, K. Sengupta, and R. Shankar,
Phys. Rev. Lett. 104, 046403 (2010).
T. Yokoyama, Phys. Rev. B 87, 241409(R) (2013).
B. Soodchomshom, J. Appl. Phys. 115, 023706 (2014).
V. Vargiamidis and P. Vasilopoulos, Appl. Phys. Lett.
105, 223105 (2014); J. Appl. Phys. 117, 094305 (2015).
B. Van Duppen, S. H. R. Sena, and F. M. Peeters,
Phys. Rev. B 87, 195439 (2013)
M. Barbier, F. M. Peeters, P. Vasilopoulos, and J. Milton
Pereira, Jr., Phys. Rev. B 77, 1 (2008).
J. Milton Pereira, Jr., P. Vasilopoulos, and F. M. Peeters,
Appl. Phys. Lett. 90, 132122 (2007).