% \ MAKRON Books Transistores Bipolares de Juncao (TBJ) Introdugao 4.12 O Transistor como Chave - O Corte 4.1 _ Estrutura Fisica e Modos de Operacio a Saturacao 4.2 Operagao do Transistor npn no Modo 4.13 Um Modelo Genérico do TB] para Ativo Grandes Sinais: 0 Modelo de 4.3 O Transistor pnp Ebers—Moll (EM) 4.4 Simbolos para Circuitos e Convengdes 4.14 _O Inversor Légico Basico 4.5 Representacao Grafica das Empregando TB] Caracteristicas do Transistor 4.13 Caracteristicas Estdticas Completas, 4.6 Anilise cc de Circuitos com Transistores Capacitancias Internas e Efeitos de 4.7 _O Transistor como Amplificador Segunda Ordem 4.8 Modelos Equivalentes para Pequenos 4.16 O Modelo do SPICE para o TB] € Sinais Exemplos de Simulagao 4.9 Andlise Grafica Resumo. 4.10 Polarizacéo do TB] para Projetos de Bibliografia Circuitos Discretos Problemas 4.11 Configuracées Basicas de Amplificadores de Estagio Simples com TB] INTRODUGAO Ap6s 0 estudo do diodo de jun¢ao, que é o principal dispositivo semicondutor de dois terminais, vamos agora concentrar nossa atencao nos dispositivos semicondutores de trés terminais. Os dis- Positivos de trés terminais s40 muito mais usados do que os de dois terminais, porque eles po- dem ser usados em varias aplicagGes, que se estendem desde a amplificagao de sinais até 0 La de circuitos légicos digitais e de meméria. O principio basico envolvido nesses dispositivos ¢ 0 207mos no Capitulo 1, é a base para o projeto de amplificadores. Também, no case, tremo, 0 sinal de controle pode ser usado para fazer a corrente no terceiro terminal variar ge Zero até um valor Significativo, permitindo, portanto, que 0 dispositivo funcione como uma chy. ‘ve. Como também ja vimos no Capitulo 1, a chave é o elemento basico dos circuitos digitais, HA dois tipos principais de dispositivos de trés terminais: 0 transistor bipolar de jungig (TBJ), abordado neste capitulo, e o transistor de efeito de campo (FET), que estudaremos no Capitulo 5. Os dois tipos de transistores sao igualmente importantes, € cada um oferece vans. gens distintas e tém Areas especificas de aplicagao. O transistor bipolar consiste em duas jungdes pn construfdas de um modo especial ¢ conectadas em série ¢ em oposicao. A condugao de corrente se dé tanto por elétrons quanto poy lacunas, dai o termo bipolar. O TBI, sempre referido simplesmente como “o transistor”, € amplamente usado em circyi. tos discretos, assim como no projeto de Cls, tanto analégicos quanto digitais. As caracteristicas do dispositivo sio tio bem compreendidas que é possivel projetar circuitos com transistores cujp funcionamento é consideravelmente previsivel e bastante insensivel as variagdes nos parametros do dispositivo. Vamos iniciar apresentando uma descrigdo qualitativa simples da operagao do transistor Embora simples, essa descrigdo fisica possibilita a compreensao adequada do funcionamento do transistor como elemento de circuito. Mudaremos rapidamente da descrigdo do fluxo de corrente em termos de elétrons e de lacunas para um estudo das caracteristicas elétricas do transistor. Se- rao desenvolvidos e utilizados modelos de primeira ordem para a operagao do transistor em di ferentes modos para a andlise de circuitos com transistores. Um dos principais objetivos dese capitulo é desenvolver no leitor um alto grau de familiaridade com o transistor. Assim, ao fina do capitulo, o leitor sera capaz de executar uma rapida andlise de primeira ordem de circuitos com transistors, assim como projetar amplificadores de estagio simples ¢ inversores I6gicos emptt gando transistores bipolares. 4.1 ESTRUTURA FISICA E MODOS DE OPERACAO A Figura 4.1 mostra uma estrutura simplificada de um TBJ. Uma estrutura pritica do ansstt sera mostrada mais adiante (veja também 0 Apéndice A, 0 qual trata da tecnologia de fabricas " . - a regiaod? Conforme mostrado na Figura 4.1, o TBJ constitui-se de trés regides semicondutoras: regs yamado' emissor (tipo), a regiao da base (tipo p) ¢ a regiao do coletor (tipo). Esse dispositive € chi nil or transistor npn. Um outro transistor, 0 dual do npn, mostrado na Figura 4.2, tem um emis uma base tipo n e um coletor tipo p e é apropriadamente chamado de transistor p”p. Um terminal € conectado em cada uma das trés regides do transistor, sendo est denominados de emissor (E), base (B) e coletor (C). O transistor consiste em duas jungdes pn, a jungdo emissor-base JEB of coletor-base (JCB). Dependendo da condicao de polarizagao (direta ou reversa) de cade 4) sas jungGes, so obtidos diferentes modos de operagiio do TBJ, conforme mostrado m4 bet s O modo ativo € aquele em que o transistor € usado para operar como um ampli ede aplicagdes de chaveamento (por exemplo, circuitos légicos) utilizam os modos de ©" turagao. res teri yea junaf rested Bites Als asc Pgura 4.2 ‘Uma estrutura simples do transistor pnp. Tabela 4.1 Modos de operacao do TBJ. Modo JEB JCB Corte Reversa Reversa Ativo Direta Reversa Saturacio Direta Direta eee este 4.2 OPERACAO DO TRANSISTOR npn NO MODO ATIVO Comegaremos considerando a operagao fisica do transistor no modo ativo.' Essa situagao ¢ ilus- trada na Figura 4.3 para o transistor npn. Duas fontes de tensdes externas (mostradas como bate- Tias) sao usadas para estabelecer as condicdes necessdrias para operacao no modo ativo. A tensao Voge faz com que a base tipo p esteja em um potencial mais alto do que o emissor tipo n, portan- to polarizando diretamente a jungao emissor-base. A tensdo na jungao coletor-base Vg faz com que 0 co tipo n esteja em um potencial mais alto do que a base tipo p, portanto polarizando ever a jungao coletor-base. Tenis wu debd an tehiat> ee das a seas han pre cont p __ (tasho direta (Segso 3.3).Figura 4.3 Fluxo de corrente em um transistor npn polarizado para operar no modo ativo. (As componentes das correntes reyersas devidas 4 deriva dos portadores minoritarios gerados termicamente nao estio mostradas.) O Fluxo de Corrente Na descricdo a seguir do fluxo de corrente sero consideradas apenas as componentes referenies A corrente de difusdo. As correntes de deriva devidas aos portadores minoritarios gerados termi camente sao usualmente muito pequenas e podem ser desprezadas. Teremos mais o que dizer st bre essas componentes de correntes reversas em um estdgio futuro. A polarizacao direta da jung%o emissor-base fard com que a corrente circule através dest juncdo. A corrente consistiré em duas componentes: elétrons injetados do emissor na base ¢ lacu: nas injetadas da base no emissor. Como ficard evidente brevemente, é altamente desejav el ter a pt meira componente (elétrons do emissor para a base) em um nivel muito mais alto do que @ segund componente (lacunas da base para o emissor). Isso pode ser obtido fabricando-se dispositivos ‘um emissor fortemente dopado e uma base levemente dopada; isto é, o dispositive é projetade Pi ter uma alta densidade de elétrons no emissor e uma baixa densidade de lacunas na base is A corrente que circula através da juncdo emissor-base é a chamada corrente de ae conforme indicado na Figura 4.3. O sentido de ig € saindo do terminal de emissor, 7° sentido Sf ica : : je ei corrente de lacunas e em oposigao ao sentido da corrente de elétrons, com @ connie asl le ig sendo igual 4 soma dessas duas componentes. Contudo, visto que a componente ‘oust muito maior do que a componente de lacunas, a corrente de emissor seri compost Pr temente pela componente referente a corrente de elétrons. por , Pte : strons seta? Vamos considerar agora os elétrons injetados do emissor na base. Esses elétrot ; oes tadores minoritarios na regio da base tipo p. Pelo fato de a base ser usualmen'e ues bs ta, no estado estaciondrio a concentragiio do excesso de portadores minoritarios Oe. en rt ter aproximadamente o perfil de uma linha reta, conforme indicado pela linha ¢ at aa ‘A concentracdo serd mais alta [representada por 7,(0)] no lado do emissor ¢ mai(4.1) 0 de polarizagao direta e Vp é a tensi aaa na temperatura ambiente. A razao para a concentracao, ee na \ tensao de coletor iti fats = ee Positiva faz com que os elétrons sejam var- Regio de Baie e ei Regio de Coleto deplegao @ dais r ca0 @) ES JcB i | | Concentragéo | | deelétrons | ; | n, (ideal) | | 7,(0) } | ! ! ! I i | e P,(0) n, (com Distancia (x) Pro recombinagio) <— Base efetiva ——>| (largura 7) Figura 4.4 Perfis das concentragdes de portadores minoritérios na base e no emissor de um transistor npn operando no modo ativo; v,,> 0. v,, > 0. O perfil de concentragao de portadores minoritérios linearmente decrescentes na base (Fi- gura 4.4) faz com que os elétrons injetados na base se difundam através da regio da base em diregao ao coletor. Essa corrente de difusao J, é diretamente proporcional a inclinagao da reta que Tepresenta o perfil de concentracdo, dn, (x) dx j2 zope) E (0) } (42) I, = AgqD,, SaaiEeEeaeEer 2. A distribuicao de portadores minoritdrios na base resulta das condigdes de contorno impostas pelas duas jungdes. Ela ‘Rao € uma distribuicao exponencial decrescente, a qual resultaria se a regilio de base fosse infinitamente espessa. Ao ‘contrario, a base fina obriga a distribuig&o a decrescer linearmente. Além disso, a polarizagao reversa na jungio c ‘obriga a concentragio de elétrons na interface coletor-base a ser zerode elétrons “perdidos” nesse processo de recombinagio seré mj, Wao na regifio da base acarreta um desvio no perfil de concen, inoritérios, que deixa de ser linearmente decrescente para tomar uma form como indicado pela linha tracejada na Figura 4.4. A inclinagio do perf e € ligeiramente maior na JEB que na JCB, sendo a diferenga oriunda do peque. ‘no mimero de elétrons perdidos na regido da base pela recombinacao. A Corrente do Coletor Pelo que foi exposto anteriormente, podemos ver que a maioria dos elétrons que se difundem al. cangaré 0s limites da regio de deple¢ao coletor-base. Pelo fato de 0 coletor ser mais positiyy do que a base (por x volts), esses elétrons bem-sucedidos serio arremessados através da regiin de deplecio da JCB para o coletor. Eles sero, portanto, “coletados” para constituir a corrente dp coletor ic. Por convencao, adotaremos o sentido de ic como 0 oposto ao do fluxo de elétrons; ogo, ic fluiré entrando pelo terminal do coletor. Assim, i, = /,, € uma vez que 0 sentido positivo de ic € entrando no terminal de coletor, podemos eliminar o sinal negativo na Equagao 4.2. Fazen- do isso e substituindo-se n,(0) pela Equaco 4.1, podemos expressar a corrente de coletor ic comm, ig = Ise" (43) em que a corrente de saturacio [; é dada por Ts ApqDyN yo/W Substituindo-se nyo = n2/N4, em que n; € a concentraco intrinseca de portadores ¢ Naf concentragio de dopantes na base, podemos expressar /; como ae a4) NAW Uma observacao importante a ser feita aqui € que o valor de ic é independente de % a €, enquanto o coletor for positivo em relagao & base, os elétrons que atingem @ interface ie coletor do lado da regido da base serao arremessados ao coletor e serao registrados come © rente do coletor. A corrente de saturagao I, é inversamente proporcional & largura da b: te proporcional a area da JEB. A faixa tipica de yalores de /; é de 10-'* a das dimens6es do dispositivo). Como J é proporcional an’, ela é fortemente dep dobrando a cada 5°C de aumento na temperatura. (Para analisar a depen a temperatura, verifique a Equacao 3.6.) 4 Pelo fato de Is ser diretamente proporcional A area da jungao (isto ¢, 4S dimens' 10), ela também sera chamada de fator de escala de corrente. Dois transis'o"* setae yendent date” nico! ase We é dil 10-15. A (dep vendende dencia de sod encomponentes. A primeira componente, igi, € devida as lacunas in- a regido do emissor. Essa componente da Corrente é proporcional a jp, AEM DIE aly ig = EO el NL, (435) sete, Fs connane de difusdo de lacunas no emissor, L, é o comprimento de difusio de la- 1 ‘eNpéa concentracao de dopantes no emissor. A segunda componente da cor- @, igo, € devida As lacunas da base que sao fornecidas pelo circuito externo para repor na base pelo processo de tecombinagio. Para ipp pode ser obtida considerando-se que, se o tempo médio que um elé- tron minoritario leva para se recombinar na base com uma lacuna majoritéria for chamado de % de vida de portadores minoritdrios), entio em 1, segundos a carga de portadores minoritarios na base, Q,, se recombina com as lacunas. Naturalmente, em estado estaciondrio, 2, € reabastecido por elétrons injetados a partir do emissor. Para Tepor as lacunas, a corrente ig, cisa fornecer & base uma carga positiva igual a Q,, a cada segundo, "i jgfien Semi (46) pre- A carga de portadores minoritarios armazenada na base, Q,,, pode ser obtida a partir da Fi- gura 4.4. Especificamente, Q,, € representada pela érea do tringulo sob a distribuigdo linearmente decrescente da base e portanto 0, = 4eq%31,(0W Substituindo-se n,(0) pela Equago 4.1 e ny por n2/Ns, obtém-se AcQWne oni, - e 2, 2N, {que pode ser substituido na Equagao 4.6 para obter (4.7) teva! (4.8) is __ Combinando as Equagées 4.5 e 4.8 e utilizando a Equagio 4.4, obtemos para a corrente total de base ig WHINE gor i Dy Ny W 1 W? ve ral a nel (4.9)Bae tad for £8. 8jinw AG =) ee ee Abin Ballpen st, | 4.19) da qual vemos que é uma constant para um dado transistor. Para transistores npn modernos, Bfica na faixa de 100 a 200, podendo eventualmente ser da ordem de 1000 para dispositvos a: peciais. Por razées que ficardo claras logo a seguir, a constante f é chamada de ganho de cor- rente de emissor comum. ‘A Equagio 4.12 indica que o valor de f é influenciado significativamente por dois fators a largura da regido da base, W, ¢ a razio de dopagem das regides de base ¢ emissor (Na/Np), Par obter um f elevado (que é altamente desejével, jé que f representa um parimetro de ganho) « base deve ser estreita (W pequeno) ¢ levemente dopada, ao passo que o emissor deve ser altament dopado (N4/Np pequeno). Finalmente, observe que a discussao até agora assume uma situagio idealizada, em que f € constante para um determinado transistor. A Corrente do Emissor 44 que a corrente que entra no transistor deve sair dele, pode ser visto na Figura 4.3 que core rente do emissor i; € igual 4 soma da corrente do coletor ic e da corrente da base is, ip =ic tip 40) Usando as Equagées 4.10 e 4.13, obtemos +1 pannel or) B isto é, als) +1 ”, ipa Ot aero ‘Alternativamente, podemos expressar a Equagdo 4.14 na forma 0 os ig = ig(4.17) ig =(Igler)e*¥ (4.18) Finalmente, podemos usar a Equacao 4.17 para expressar B em termos de @, isto 6 a B= co (4.19) ; Podemos ver pela Equagao 4.17 que o: é uma Constante (para um dado transistor) menor que aunidade, Porém muito préximo dela. Por exemplo, se 8 = 100, entio a= 0,99, A Equagao 4.19 evela um fato importante: Pequenas variagdes em a Correspondem a grandes variacdes em B.Essa observacao matematica manifesta-se fisicamente, visto que transistores de mesmo tipo podem ter valores de B muito diferentes. Por razdes que se tornarao evidentes mais tarde, a € chamado de ganho de corrente em base comum. Recapitulagao Acabamos de apresentar um modelo de primeira ordem para a operagdo do transistor npn no modo ativo. Basicamente, a tensao de polarizacao direta vp; faz com que uma corrente i¢ com relagio exponencial flua pelo terminal do coletor. A corrente de coletor ic € independente do valor da tensdo do coletor enquanto a jungao coletor-base permanecer polarizada reversamente, isto é, Ug 2 0. Portanto, no modo ativo, o terminal do coletor se comporta como uma fonte de corrente ideal em que o valor da corrente ¢ determinado por ve. A corrente da base ig € um fator 1/B da Corrente de coletor, e a corrente do emissor é igual a soma das correntes do coletor e da base. Como 4 € muito menor do que ic (isto é, >> 1), ig = ic. Sendo mais preciso, a corrente do coletor é uma fragdo oda corrente do emissor, com @ligeiramente menor que a unidade, mas muito préximo dela. Modelos Equivalentes O modelo de primeira ordem da operagao do transistor descrito anteriormente pode ser represen- tado pelo circuito equivalente mostrado na Figura 4.5(a). Nessa figura, o diodo Dy tem fator de scala de corrente igual a (Is/a) e, portanto, proporciona uma corrente ig relacionada a Upe de acordo com a Equacdo 4.18. A corrente da fonte controlada, que é igual a corrente do coletor, € também controlada por vp, de acordo com a relagao exponencial indicada na Equagao 4.3. Esse modelo é, em esséncia, uma fonte de corrente controlada por tensdo nao-linear. Ele pode ser con- Yertido em um modelo empregando uma fonte de corrente controlada por corrente, como mo: trado na Figura 4.5(b), expressando-se a corrente da fonte controlada como a ig. Observe que esse modelo também € ndo-linear por causa da relago exponencial da corrente iz que flui pelo diodo Dz com a tensio vg. Por esse modelo observamos que, se 0 tra sistor for usado como um Quadripolo com os terminais de entrada entre E e B e os terminais de saida entre C e B (isto & om © terminal B comum), entdo o ganho de corrente observado é igual a a. Portanto, a é cha- mado de ganho de corrente em base comum.Figura 4.5 Modelos de circuitos equivalentes para grandes sinais do TBJ npn operando no modo ativo, Dois outros modelos de circuitos equivalentes, mostrados na Figura 4.5(c) ¢ (4), podem st usados para representar a operacdo em grandes sinais do TBJ. O modelo da Figura 4.5(¢) && Sencialmente uma fonte de corrente controlada por tensio. Contudo, nesse modelo, o diodo Ps conduz a corrente de base e, portanto, seu fator de escala de corrente € [,/B, resultando n® rele G40 i;-Vpe dada pela Equagao 4.11. Simplesmente expressando a corrente de coletor come 4 ‘Obtemos o modelo da fonte de corrente controlada por corrente mostrado na Figura 4.5(4) esse tiltimo modelo observamos que, se 0 transistor for usado como um quadripolo com * oa da entre os terminais B e E e a safda entre os terminais C ¢ E (isto é, com o terminal E jen entao 0 ganho de corrente observado é igual a i. Portanto, € chamado de ganho de corrente comum. ke Constante n ( qe do diodo (Capitulo 3), usamos uma constante n no expoente e mencionsm?* i ink entre | ¢ 2. Para os transistores bipolares de juncio modernos, a constant?A strutura dos Transistores Reais A Figura 4.6 mostra uma segao transversal simplificada, mas tealista, de um TBJ npn. Observe que 0 coletor, virtualmente, cerca a Tegiio do emissor, fazendo com que elétrons injetados na base estreita dificilmente escapem de ser coletados. Desse modo, o valor resultante de @ € préximo da unidade e B € elevado. Observe também que o dispositivo nao é simétrico. Para outros detalhes Sobre a estrutura fisica dos dispositivos Teais, 0 leitor deve se referir ao Apéndice A. Figura 4.6 Seco transversal de um ‘TBI npn. 4.1 Considere um transistor npn com Upp = 0,7 Ve ic= 1 mA. Calcule vpe para ic = 0,1 mA e 10ma. Resposta 0,64 V; 0,76 V i nt a substancial. 3 O coeficiente de temperatura de Icyo € diferente de Js porque Icy contém um componente de fuga sulit ‘ireuito mostram que a corrente da base é de 14,46 yA, 0 mA ¢ a tensio de emissor-base de 0,7 V. Para essas ig Condigées, para dois transistores que possuem 0 = 0,99 e 0,98. Para correntes go 4S Considere o modelo do TBS mostrado na Figura 4.5(d). Calcule 0 valor do fator de escala de Corrente do diodo Dz sabendo que Js = 10-'* A e = 100. Se esse transistor esta operando na con, ~ figuragao emissor comum, com a base alimentada com uma fonte de corrente constante fornecendo uma corrente de 10 1A e com 0 coletor conectado em uma fonte cc de +10 V (E esta aterrado), eal. cule os valores de Vag e Ic. Resposta 10-'° A; 0,633 V; 1 mA. 4.3 O TRANSISTOR pnp Otransistorpnp opera de modo similar ao dispositivo npn descrito na Segio 4.2. A Figura 4.7 mostra um transistor pnp polarizado para operar no modo ativo. Nessa figura, Vi, faz.com que o emissor tipo Pesteja em um potencial mais alto do que a base tipo n, polarizando, Portanto, diretamente a juncio emissor-base. A jungao coletorbase est reversamente polarizada por Vgc, que mantém a base tipo nem um potencial maior do que 0 coletor tipo p. Diretamente polarizada Reversamente polarizada eran pe PCL ei) Cons Vac 47 Fluxo de corrente em um transistor pnp polarizado para operar no modo ativoinjetados da base para o emissor dio origem a pri- itidade de lacunas injetadas na base trons) e sera, Portanto, perdida. Os dando origem a Pode se ite observado da descricao anterior que as relacdes Corrente—tensao do tran- Ir Pnp serio id€nticas as do transistor 7pn, exceto que Upe € substituida por Vy. Ainda, a ope- transistor pnp para grandes sinais pode ser modelada por um dos quatro modelos de equivalentes possiveis, semelhantes Aqueles apresentados para o transistor npn na Figura ilustragdo, dois dos quatro modelos Php estao representados na Figura 4.8, 4. Para Figura 4.8 Dois modelos para grandes sinais para o transistor pnp operando no modo ativo. Exercicios 4.6 Considere o modelo na Figura 4.8(a) aplicado no caso de um transistor pnp cuja ba ae ‘da, 0 emissor é alimentado por uma fonte de corrente constante que fornece uma Sorat Ee _ ls "3 © terminal de emissor e o coletor esté ligado a uma fonte de alimentagao cc de ~10 V. C: Hea | ‘NO emissor, a corrente na base e a corrente no coletor, se para esse transistor B= 50 e Js = | Resposta 0,650 V; 39,2 WA; 1,96 mA | 4.7 Para um transistor pnp tendo Js = 10" A e B= 100, calcule vey para ic = 1,5 A Resposta 0,643 V sisals de un Feli para o TBJ. A Figura 4.9(a) mostra 0 eee a é mostrado na Figura 4.9(b). Em ambos os simbolos, o emis. distingdio é importante porque os TBIs praticos nao sao dis. troca do emissor com o coletor resultaré em um valor diferente ra o, m r chamado de a inverso ou a reverso.* ces polat e do di pc O— npn ou pnp — esta indicada pelo Sentido da ponta da seta ng or. Es aponta para ‘© sentido que a corrente flui no emissor, que € o sentido direto dy 0 emissor-base. Como adotamos uma convengio esquematica, na qual o fluxo de cortente € de cima para baixo, desenharemos sempre os transistores pnp conforme mostrado na Figura 49 é, com o emissor em cima). __ A Figura 4.10 mostra os transistores npn e pnp polarizados para operar no modo ativo, Deve Ser mencionado que o arranjo de polarizagao mostrado, utilizando duas fontes cc, nao € usual ¢ foi utilizado apenas para ilustrar a operacao. Esquemas praticos de polarizagio serao apresenta. dos na Seeao 4.10. A Figura 4.10 indica também o sentido de referéncia e o sentido real do fly. Xo de corrente no transistor. Nossa convengao utilizara o sentido de referéncia que coincide com © sentido normal do fluxo de corrente. Por isso, normalmente, no deveremos encontrar valores negativos para ig, ig 0U ic. A conyeniéncia de desenhar 0 circuito conforme a convencio adotada deve estar dbvia pel Figura 4.10. Note que os fluxos de correntes sio de cima para baixo e que os potenciais sio mais altos em cima do que embaixo. Com isso, a seta do emissor também indica a polaridade da ten- siio emissor-base que deve ser aplicada a fim de polarizar diretamente a jungo emissor-base. No simbolo do transistor pnp, por exemplo, verifica-se que devemos fazer 0 potencial do emissor mais alto do que a base (de ¥;,) a fim de fazer circular uma corrente no emissor (para baixo). Obser ye que 0 simbolo vg, representa a tensdo pela qual o emissor (E) é mais elevado que a base (B). Logo, para um transistor pnp operando no modo ativo, dy, € positivo, enquanto em um transis tor npn Vpz € positivo. & E Figura 4.9 Simbolos de cicuilon® f ‘ TBIs. : c npn . (a) (b) de operagio inverso do TBJ sera estudado na Segio 4.13€ ser maior que a tensio de bas: abaixo da tensao de base, © se o objetivo for manter a Operacdo em modo ati- a jungao coletor-base ficard diretamente polarizada, com operagao, chamado de saturacao. Discutiremos a opera- . consideraremos o limite para operagdo no modo De maneira semelhante, o transistor Pnp operaré no modo ativo se 0 potencial do coletor mais baixo do que (ou apenas levemente Superior a) aquele da base. Ni € a tensio de coletor se eleve muito acim: ‘g40 em modo ativo. Novamente, adiando no. tarde, consideraremos por enquanto o limite Para referéncia rdpida, apresentamos sao para o TBJ no modo ativo de operagao. lao deve ser permitido ‘a da tensdo de base, se o objetivo é manter a opera- 880 estudo da operacao no modo saturado para mais para operagdo no modo ativo como vp¢e = 0. na Tabela 4.2 um resumo das relagdes corrente-ten- Tabela 4.2 Resumo das relagdes corrente-tensao para 0 TBJ no modo ativo. fom lje= (ihe By ake Berar a la ‘Nota: Para o transistor pnp, substitua Ype por Upp. ; Sess ic = Giz ig =(-a)ig =e KTiq = 25 mV & temperatura ambienteFigura 4.11 Circuito para o Exemplo 4.1. Refira-se a Figura 4.11(b). Para obter um valor Ve de +5 V, a queda de tens em Re deve ser de 15 —5 = 10 Y. Agora, como Ic = 2 mA, o valor de Re deve ser escolhido tal que _10v = =5kQ 2mA Re Visto que vpp = 0,7 V quando ic = 1 mA, o valor de vp quando ic = 2 mA deve set Vgc = 0,7+ Vy wo(2)=0.717 Vv Como a base est em 0 V, a tens’o no emissor deve ser V;=-0,717V Para B= 100, a= 100/101 = 0,99. Logo, a corrente do emissor deve ser ae 2,02 mA.a nee a - isu a do Ser observado que os calculos anteriores fi - normalmente néo é nem justificado n mn one lem necessdrio na prd- mostrado na Fi; E4.8, a tensio no emissor foi cy: ‘tmissor foi medida como sendo de -0,7 V, 0s se oa Fgura E48 Resposta 0,93 mA; 18,2 HA; 0,91 mA; +5,45 V 4.9 No circuito mostrado na Figura E4.9, as medigdes indicam Vy sendo de +1,0 V ¢ Vy sendo de nar V. Quais os valores de oe B para esse transistor? Qual o valor de V¢ no coletor?_REPRESENTAGAO GRAFICA DAS CARACTERISTICAS DO TRANSISTOR S, € titil descrever as caracteristicas i-v do transistor graficamente. A Figura 4.12 mostra istica i-—Upp, cuja relagao exponencial é 3 vay ieee € id€ntica (exceto pelo valor da constante n) 3 relacao i-v do diodo. As caracteristicas ig- € ig-Uge também sao exponenciais, porém com diferentes fatores de escala de correntes para iz e Is/B para ip. Visto que a constante da caracteristica exponencial, 1/V;, é muito alta 40), a curva tem uma inclinagao bastante elevada. Para ge menor do que 0,5 V aproximada- , a corrente é desprezivelmente pequena. Além disso, vg; limita-se a uma faixa de 0,6V4 8 V para correntes normais de operaga 0,5 07 Ue (V) _-Para um transistor npn. | A caracteristica i~Figura 4.13. Efeito da temperatura sobre a caracteristica te Yq Com uma corrente de emissor constante (linha tracejada), v,, muda de -2 mV/°C. R Pee A Figura 4.14(b) mostra as caracteristicas 4c-Ucp de um transistor npn para varios valores de corrente de emissor ig. Essas caracteristicas podem ser medidas usando-se 0 Circuito mostra- do na Figura 4.14(a). E mostrada apenas a operacdo no modo ativo, visto que apenas a parte de Ucg 20 esté desenhada. Como pode ser visto, as curvas sao retas horizontais, corroborando o fato de que 0 coletor se comporta como uma fonte de Corrente constante. Nesse caso, o valor da cor- tente do coletor € controlada pela corrente do emissor (ic = ig) € 0 transistor pode ser visto como uma fonte de corrente controlada Por corrente (veja o modelo da Figura 4.5(b)). ic (mA) ax4 @ Fgura 4.14 As caracteristicas iV, de um transistor npn no modo ativo. Dependéncia de i. da Tensao de Coletor — O Efeito Early operados i i éncia da corrente de coletor Quando io ativa, os TBJs mostram uma certa dependéncia orrent okie com a tensao de Aye com 0 resultado de que suas caracteristicas ivy nao so retas per-Yep, visto que a tensio de coletor cai abaixo do valor da tensio 4 fica diretamente polarizada, deixando 0 modo ativo e entandg © emos a operagao no modo de saturaeao em uma se¢do posterior News s in S em examinar as curvas caracterfsticas na regiao ativa em detalhes as curvas caracteristicas, embora ainda sejam retas, apresentam uma inclinagao le, quando extrapoladas, as linhas caracteristicas encontram-se em um Ponto do -€ixo negativo de vcr, em dcr = Vy. A tensdo Vs, um némero Positivo, é um parametro para um, ‘dado TBJ, com valores tipicos na faixa de 50 a 100 V. Ela é chamada de tensio Early, em ho. menagem ao primeiro cientista a estudar tal fendmeno. Para um dado valor de vpp, aumentando-se v¢z aumenta-se a tensao de polarizacio revers sobre a jungdo coletor—base e, Portanto, aumenta-se a largura da regiao de deple¢io dessa jun- $40 (refira-se 4 Figura 4.3). Isso, por sua vez, resulta em uma diminuigao da largura efetiva 4 base, W. Lembrando que /; é inversamente Proporcional a W, vemos que Is e ic aumentario pro- Porcionalmente. Esse é 0 efeito Early. A dependéncia linear de-ic com vcr pode ser levada em consideragdo supondo-se que k Permanece constante € incluindo-se o fator (1 + v¢p/V4) na equaco de i¢- como segue: 2 ig = Ise" [2] (420) lA Regio de ee saturagao i ae | Regido E Baye eee 0 Ue L ©) eristic® 4.15 (a) Circuito conceitual para medicao das caracteristicas de iv, do TBI. (b) As cart i ,, de um TBI real. :valor constante de Uae, PrOximo aos i, 4.10 Considere um transistor pnp com vy = 0,7 V ¢ ig = ‘da, o emissor seja alimentado Por uma fonte de corrent ‘conectado a uma alimentacdio de tar em 30°C, calcule as variagée Resposta -60 mV; 0 V 4.11 Calcule a resisténcia de saida de um ‘TBI para o qual V, = 100 V, quando Jc =0,1, le 10 mA. Resposta_ 1 MQ; 100 kQ; 10 kQ 4.12. Considere o cireuito na Figura 4.15(a). Sendo Vey = 1 V, Vag € ajustado para manter uma cor- ‘fente de coletor de 1 mA. A seguir, enquanto Vp é mantido constante, Vee € aumentado para 11 V. Calcule 0 novo valor de I. Para esse transistor, V, = 100 V. Resposta 1,1 mA. 1 mA. Suponha que a base esteja aterra- fe constante de 2 mA e o coletor esteja ~5 V através de uma resisténcia de 1 kQ. Se a temperatura aumen- S nas tensbes de coletor e de emissor. Despreze 0 efeito de Icyo, 4.6 ANALISE cc DE CIRCUITOS COM TRANSISTORES Agora estamos prontos para analisar alguns circuitos simples com transistor nos quais apenas ten- SOes cc esto aplicadas. Nos exemplos a seguir, usaremos 0 modelo simplificado de tensio Upp Constante, o qual é similar ao modelo discutido na Segio 3.4 para o diodo de jungao. Especifica- mente, assumiremos que Vp; = 0,7 V, independente do valor exato da corrente. ; “x Se necessério, essa aproximaco pode ser melhorada usando técnicas similares Aquelas jé ‘empregadas no caso do diodo. A énfase aqui, contudo, é apreciar a esséncia da andllise de circui- tos com transistor. (4.22) ic COM Ucg NOs projetos e andlises de Pode ter um efeito significativo sobre o limites10-0,99x47=53v 4) Jo para lem Figura 4.16 Anilise do circuito para o Exemplo 4.2: (a) circuito; (b) circuito redesenhad ae fe aliment a0 Ieitor a convencao usada neste livro para indicar as conexdes das fontes & (©) andlise com os passos numerados. i o. Uma abordi Nao sabemos inicialmente se o transistor esti ou nao no modo ativ: ol ares simplificada seria supor que 0 dispositivo esté no modo ativo, continuar comccireuito da Figura 4.16(a), observam: , 10S que a base est4 conectada ‘or est conectado ao terra Por meio da resisténcia Rp. ae com seguranga que a ja esse 0 caso e supond ‘tensio no emissor seri Ve =4—Vpp =0,7=33V : em uma posi¢ao favordvel: con| Hi com podemos determinar a corrente Rea < Isso, por- jungao emissor-base estar diretamente lo que Vy € aproximadamente 0. 7 V, con- lhecemos as tenses nos dois terminais de Ry Tr através de me 33 Como o coletor estd conectado através de Rea Tece possivel que a tenso no coletor seja maior do al Para a operagdo no modo ativo. Supondo que seja esse 0 caso, podemos obter a corrente no coletor de A fonte de alimentagao de +10 V, pa- que a tensio na base, o que é essenci- aati Tei Gle O valor de a é obtido de BB 100 96 B+1 101 Portanto, I; seré dada por Tc =0,99x1= 0,99 mA Estamos agora em posigao de usar a lei de Ohm para determinar a tensio no coletor Vo, Ve =10-I-Re =10-0,99x 4,7 = 45,3 V ‘Como a base esta em +4 V, a jungo coletor-base est reversamente polarizada por 1,3 V “s © transistor esté realmente no modo ativo, como haviamos suposto. Resta apenas determinar a corrente de base I, como segue: Antes de encerrar este exemplo, desejamos enfatizar novamente a importancia de a andlise diretamente sobre o diagrama do circuito. Apenas desse modo seremos de analisar circuitos complexos em um espago de tempo razofvel. A Figura 4.16(c) | andlise anterior no diagrama do circuito com a seqiiéncia dos passos da andlise10-16x47=)xg @ Ey Impos: esti no modo ative 6-0,7=45,3v @ Be ims (0) Figura 4.17 Anilise do circuito para 0 Exemplo 4.3. Observe que os ntimeros dentro dos circulos indicam a ordem dos passos da anilise, Supondo a operacao no modo ativo, temos Vp = +6 —Vpp =6-0,7=53V 53 =16mA 233 Vo =+10—4,7x Ic = 10-7,52 = 2,48 V Visto que a tensao de coletor calculada parece ser menor que a tensao de base pot 3? y concluimos que a suposi¢Ao original da operagao no modo ativo esta incorreta. Na ™ dade, o transistor deve estar no modo de saturagdo. Como ainda nao estudamos bei de operacao em saturagao, devemos adiar a andlise do circuito para uma se¢a0 futul f Os detalhes da andlise feita aqui esto ilustrados na Figura 4.17(b). EXEMPLO 4.4 Desejamos analisar 0 circuito da Figura 4.18(a) para determinar todas as ee ; todas as correntes nos ramos. Observe que esse cireuito € idéntico ao ¢ " Exemplos 4.2 e 4.3, exceto que agora a tensao na base é zero. se jes nod ders ™Como a tensio na base é zero volts, a jun¢o emissor—base nao pode conduzir e a corrente - de emissor é zero. Além disso, a jungo coletor-base nao pode conduzir, visto que 0 coletor tipo n esta conectado através de Rc ao terminal Positivo da fonte de alimentacao, enquanto ‘8 base tipo p esta no potencial de terra. Isso implica que a corrente no coletor é zero. A cor. tente da base também deverd ser zero e 0 transistor esta operando no modo de corte. A tensao no emissor sera obviamente zero, enquanto a tensao no coletor serd igual a +10 V, visto que a queda de tenso em Re é zero. A Figura 4.18(b) mostra os detalhes dessa anilise. Exercicios P4.13 Para o circuito na Figura 4.16(a), calcule o maior valor de tensio que a base pode ter para que 0 transistor permanega no modo ativo. Suponha a= 1. Resposta +4,54 V P4.14 Reprojete o circuito da Figura 4.16(a) (isto é, calcule novos valores para Ry ¢ Rc) para es- ‘tabelecer uma corrente de coletor de 0,5 mA e uma tensio de polarizago reversa na jungao coletor- ‘base de 2 V. Suponha o~ 1. Resposta Ry = 6,6 kQ; Re = 8 kQ. EXEMPLO 4.5 analisar o circuito da Figura 4.19(a) para determinar todas as tensdes nodais & correntes nos ramos. i eg@ (b) ular anki wiatng « em 19 Exemplo 4.5: (a) cireuito; (b) andlise com a ordem dos passos indicados pelos cir numerados. 7 A base desse transistor pnp esta aterrada, enquanto o emissor est conectado ao terminal Positivo da fonte de alimentagdo (V* = +10 V) através de Ry. Isso implica que a junio emissor—base ficar diretamente polarizada com Ve =Vep = 0,7 V Portanto, a corrente de emissor sera dada por Vi-V; _10-0,7 Re 5, Como 0 coletor est conectado a uma fonte negativa (mais negativa do que a base) attr vés de Rc, é possivel que esse transistor esteja operando no modo ativo. Supondo esse? caso, obtemos [p= = 4,65 mA Ie=al, Como nfo foi dado nenhum valor para B, suporemos um valor B = 100, que results 8 °° 0,99. Visto que grandes variacdes em f resultam em pequenas diferengas em @ posicdo no ser critica a ponto de afetar a determinagao do valor de Ic. Portante. Tc = 0,99 4,65 = 4,6 mA A tensio de coletor sera Vo=aV +IcRe -10+4,6x1=-5,4V f Fi Logo, a jungdo coletor-base est reversamente polarizada com 5,4 V e 0 ans | realmente no modo ativo, o que confirma nossa suposigao original. " sotnos esforgar para projetar o circuit de tal modo que seu fun- ndente do valor de B 0 tanto quanto possivel. Os detalhes di § na Figura 4.19(b). i PAIS Para 0 circuito na Figura 4.19(a), calcule o maior valor de Ro _ Manega no modo ativo. Resposta 2,17 kQ P4.16 Reprojete o circuito da Figura 4.19(a) (isto ¢, calcule novos valores para Rr e Ro) afimde | uma corrente de coletor de 1 mA ¢ uma polarizagao reversa da juno coletor-base de | _ estabelecer -4Y. Suponha a= 1. Resposta Ry = 9,3 kQ: Re=6kQ de modo que o transistor per- EXEMPLO 4.6 Desejamos analisar o circuito da Figura 4.20(a) para determinar todas as tenses nodais ¢ todas as correntes nos ramos. Suponha B=100. A jungao emissor—base estd claramente polarizada diretamente. Logo Pea SUT RS 100 _ Suponha que o transistor esteja operando no modo ativo. Podemos entao escrever Tc = Bly = 100 x0,043 = 4,3 mA A tensao de coletor pode agora ser determinada como Ve = #10-IeRe =10-4,3x2=+1,4V Como a tensio da base Vz oit‘zesiteds Vp =Vpp =40,7V| Te = 100 x 0,043 =43 mA Vo=10-2x43 =14V Bias = 5291 @ * 100 +07v = 0,043 mA @ 1,=43 + 0,043 1 oBonn ® Figura 4.20 Exemplo 4.6: (a) circuito; (b) anilise com a ordem dos passos indicada pelos crus numerados. Observamos neste exemplo que as correntes de coletor e de emissor dependem for temente do valor de 8. Na verdade, se 8 fosse 10% maior, o transistor deixaria o modo atvo € entraria na saturacdo. Portanto, esse é claramente um mau projeto. Os detalhes da al ‘Se esto ilustrados na Figura 4.20(b). Exercicio P4.17 O circuito da Figura 4.20(a) deve ser fabricado usando um tipo de transistor cujo B ée9" cificado em uma faixa de 50 a 150. (Isto é, unidades individuais desse mesmo transistor podem qualquer valor de f dentro dessa faixa.) Reprojete 0 circuito escolhendo um novo valor par ee modo que todo circuito fabricado tenha seu funcionamento garantido no modo ativo. Qual # de tenses de coletor que o circuito fabricado poder apresentar? Resposta Re = 1,44 kQ; Vo=0,7 V até 6,9 V EXEMPLO 4.7 Queremos analisar 0 circuito da Figura 4.21(a) para determinar t todas as correntes nos ramos. Suponha f = 100. es ni jodas as tenses ™po mA 0,013 mA 1 0,09 ma. Figura 4.21 Circuitos para o Exemplo 4.7. O primeiro passo da anilise consiste em simplificar 0 circuito da base usando o teorema de Thévenin. O resultado é mostrado na Figura 4.21(b), em que R 50 Vpg = +152 — = 15——__ = 45 V P, Rm 100+50 oonbe Ryg = (Rgi//Ryo) = (1001/50) = 33,3 kO Para determinar a corrente de base ou de emissor temos de escrever a equagao de malha eaipegerulha marcaca por L na Figura 4.21(b). Observe, contudo, que a corrente atra- de Ray é diferente da corrente através de Ry. A equagio de malha ser Vag = 1gRpp + Voge + [eRe5--0,7 Pwacmeanuy ee i 1,29 ait? fee 4 eo aod A tensao na base é dada por Vp = Vor +1 eRe =0,7+1,29x3= 4,57 V =0,0128 mA Suponha a operagao no modo ativo. Podemos determinar a corrente no coletor como Ic = Od, = 0,99x1,29 = 1,28 mA A tensao no coletor pode ser agora determinada como Ve = +15— [eRe = 15-1,28x5=8,6 V isso significa que o potencial no coletor est4 mais alto do que a base de 4,03 V, 0 queitt plica que o transistor est4 no modo ativo, como supusemos inicialmente. Os resultados andlise estao ilustrados na Figura 4.21(c). F i ircui i tase or 4.18. Se o transistor no circuito da Figura 4.21(a) for substituido por outro, tendo metade d0 de (isto é, B= 50), calcule o novo valor de Ic e expresse a variagio em Jc na forma de por® gem. Resposta [c= 1,15 mA; -10% __ EXEMPLO 4.8 Desejamos analisar 0 circuito da Figura 4.22(a) determinando todas a todas as correntes nos ramos. es noi .s tensoesm indice: OP) antqe, sack tie Bhat golaliy 207457 V, . r sani +743V .| dokepmaboy wb: DE OMIOS o4\ HHaR ib: L Figura 4.22 Drea en s Fests 48. es reconhecemos que parte desse circuito é idéntico ao circuito que analisamos no 0 4.7 — isto €, 0 circuito da Figura 4.21(a). A diferenga, é claro, € que no novo cit temos um transistor Q, adicional junto com os resistores Rr» e Re» associados. Su- x ae 2 ainda esteja no modo ativo. Os valores a seguir sao idénticos aos j4 obtidos * Vn =+457V_ Tp) = 1,29 mA ty =0,0128 mA Icy = 1,28 mAte observarmos que seu emissor esté coneetado 415 de Q, tera uma tensio Ve> dada por % Ve + Ves| oo =8,6+0,7= 49,3 V cortente do emissor de Q> pode ser agora calculada como 5-93 B =2,85 mA Visto que 0 coletor de Q esté ligado ao terra via Rca, € possivel que Q» esteja operandy no modo ativo. Suponha que seja esse o caso. Encontramos agora o valor de J-) como Teg = OI py =0,99%2,85=2,82 mA —_(assumindo B, = 100) A tensao no coletor de Q, seré Veo = Ie2Rez = 2.82 2,7 = 7,62 V que é menor do que Vp por 0,98 V. Portanto, Q, esté no modo ativo, conforme suposto, Nesse estgio, € importante determinar o erro decorrente de nossos célculos pela posi¢ao de que J,) pode ser desprezado. O valor de Ip é dado por Tp = 12 = 285 _ 0.028 ma By+1 101 cujo valor € realmente muito menor do que Ic, (1,28 mA). Se for desejado, podemos o& ter mais precisao nos resultados fazendo-se mais uma iteragdo, considerando [,) como do de 0,028 mA. Os novos valores serio Corrente em Rey = Icy — Ipp = 1,28 - 0,028 = 1,252 mA Voy = 15-5x1,252 = 8,74 V Ver =8,74+0,7= 9,44 V = 0,99 x 2,78 = 2,75 mA 2,78 Toy = Fp 7 00275 mA‘suposicao de que a= 1e ic= ip. Portanto, exceto Para calculos que dependem de forma critica do valor de o (como a corrente da base, por exemplo), Uusaremos sempre a suposicao de que @~ I. 4.19 Para o circuito na Figura 4.22, calcule a ois, calcule a poténcia dissipada no circuito. Resposta 4,135 mA; 62 mW 420 0 circuito na Figura E4.20 deve ser conectado ao cireuito da Figura 4.22(a) conforme esté indicado; especificamente, a base de Q, deve ser conectada ao coletor de > Se 0; tem 100, caleule o novo valor de Vc ¢ os valores de Vee Ics Corrente total drenada da fonte de alimentagio. De- +15V Parao coletor Q, na s Figura 4.22(a) Figura £4.20 Pes 4709 Resposta +7,06 V; +6,36 V; 13,4 mA 4.7 O TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR Para ‘como ampli i i io ativa, O objetivo da operar lificador, um transistor deve ser polarizado na regio ativa Polarizacao ce uma corrente cc constante no emissor (ou no coletor). corrente devejnglo coletor-base ¢estabelecida pease 0 Voc através do resistor Rc. O sinal de on do pela fonte de tensio v,,. que & sobrepostaa Yap state uy ay INS oe Paes Figura 4.23 (a) Circuito conceitual, idealizado para ilustrar a operaco do transistor como amplificado. 010 circuito em (a) com a fonte de sinal v,_ eliminada, para fazer a anélise cc (polariza¢ao). As Condigées cc Consideraremos primeiro as condigdes de polarizagao cc fazendo o sinal v,, igual a zero. 0%" Cuito fica reduzido ao da Figura 4.23(b), e podemos escrever as seguintes relagdes para so Tentes e tensdes cc: 423) Ion tel ( Ip =I cle aa eee re) Ip =IclB ia | Vo =Ver =Vec “eRe 4 valor Obviamente, para a operagao no modo ativo, Vc deve ser maior do que Vz por ¥™ ita oscilagdes com amplitudes razodveis no sinal de coletor e ainda mantenha 0 tral ativa o tempo todo. Mais tarde, voltaremos a esse ponto. oe nsistor™F o i = I[ye?eelr = Telnet We = [yeW¥erlrgltnl¥r) HA rs Mp ic = Ice’ (4.21) ‘Agora, Se U}~ << Vr, podemos aproximar a Equacao 4.27 como ie rn 2 =I, oe ic {ts v, } (4.28) a Aqui, expandimos a exponencial na Equacao 4.27 em uma série e ficamos apenas com os dois primeiros termos. Essa aproximagao, que é valida apenas Para U;, Menores que cerca de 10 mY, esta referenciada como aproximacao para pequenos sinais. Com essa aproximacao, a corrente total no coletor é dada pela Equacio 4.28 e pode ser reescrita como t a aroun, Me (4.29) Logo, a corrente no coletor é composta do valor da corrente de polarizagao J, e de uma com- Ponente de sinal i,, Te. i, =, e Vp ‘be (4.30) Essa equacao relaciona a corrente de sinal no coletor a um sinal de tensdo emissor-base cor- Tespondente. Ela pode ser reescrita como in be (431) em que g,, € chamada de transcondutancia, ¢ pela Equacio 4.30 ela é dada por Tc ule 5 Bm Vp (4.32) ‘Observamos que a transcondutincia do TBJ é diretamente proporcional a corrente de po- larizagao do coletor Jc. Logo, para obter um valor previsivel e constante para g,,, necessitamos de um valor Ic constante e previsivel. Finalmente, observamos que os TBJs tém uma trans- condutancia relativamente alta (quando comparada aos FETs, que serao estudados no préximo itulo); por exemplo, para Ic = 1 mA, g, = 40 mA/V. ; sd pce nani para g,, € dada na Figura 4.24, na qual € mostrado que g»,€ igual A inclinaeao da curva caracteristica i—Upp para ic = Ic (isto é, no ponto de polarizagao Q). Logo, dic. 8m = (4.33) pe \ie=te‘Figira4.24 Operagao linear do transistor na condigo de pequenos sinas: um sinal pequeno ,, com uma forms de onda triangular é sobreposto tensio ce V,,. Ela dé origem ao sinal de corrente de cole com forma de onda também triangular, sobreposta a corrente cc J. = ¢.0,,em que ¢,¢ain nagdo da curva i,—v,, no ponto de polarizagao Q. ‘ A aproximagao para pequenos sinais implica manter a amplitude do sinal suficientemeat ‘pequena, de modo que a operacao fique restrita ao segmento quase linear da curva exponencil de i—pp. Aumentar a amplitude do sinal resultaré em uma corrente de coletor com component nao-lineares relacionadas a v;,. Um tipo similar de aproximacao foi empregado para diodos (Segie B5); ‘como uma fonte de corrente controlada por tensao. A entrada do quadripolo dessa font Tada € entre a base e 0 emissor e a saida é entre 0 coletor e o emissor. A transcondutincia & i" rolada é g,, € a resisténcia de safda é infinita. Essa ultima propriedade ideal ¢ er 9ss0 modelo de primeira ordem para a operagdo do transistor, no qual a tensio de cle ‘tem efeito sobre a corrente de coletor no modo ativo. Como veremos na Segao 4.5, TB} i s tém resistencia de saida finita. O efeito da resisténcia de saida no funcionamento 4 # te sera considerado mais tarde. : 9 ‘i compat A anilise anterior sugere que, para pequenos sinais (v,, << V;), 0 transistor se re ja foal; n= S0,, 4.36 ‘A008 B ne _ Arresisténcia de entrada para Pequenos sinais entre a base e o emissor, olhando para 0 ter- ‘minal da base, é representada por re definida como Ete 5h PEP (4.37) Usando a Equagiio 4.36, temos one 3 digs tebe (4.38) Logo, r, é diretamente proporcional a Be inversamente Proporcional a corrente de polari- ao Ic. Substituindo g,, na Equacao 4.38 pela Equacao 4.32 ¢ substituindo I¢/ por Ip, temos ‘uma expresso alternativa para r,, i (4.39) A Corrente de Emissor e a Resisténcia de Entrada do Emissor A corrente total no emissor i pode ser determinada a partir de are ES ti ess ne pts : ei a a a Medici ee Teh (4.40) em fie Tp € igual a Ip/ae a componente de sinal de corrente, i,, € dada por te TB Sige Giada ge b. (4.41)443) (44) Pela combinagao de suas respectivas defini Phe = toy = ele Ty = (inliy re 1 =(B+Vr, 4.22 Um TBI tendo B = 100 esta polarizado com uma corrente ce de coletor de | mA. Calcule os valores de g,,, r, ¢ r,no ponto de polarizacao. _ Resposta 40 mA/V; 25.0; 2,5 kQ O Ganho de Tensdo Até agora estabelecemos apenas que 0 transistor € excitado pelo sinal v,, na base-emisson a com que uma corrente proporcional a g,,0;,. circule pelo terminal de coletor em ee impedancia (idealmente infinita). Desse modo, o transistor age como uma fonte de corel! efit i 5 f vorrente acif _trolada por tensio. Para obter um sinal de tensio na safda, devemos forcar essa corrente rel Jar por um resistor, conforme foi feito na Figura 4.23(a). Entao a tensao total no coletot* 2¢ =Vec ~icRe =Veo— Uc tidRe = (Veo ~IcRc)-i-Re =Vo-i.Reze —8mRe (4.48) retamente proporcional a corrente de Polarizagao Corrente de polarizacao do coletor, ” it : i | 4.23, No cireuito da Figura 4.23(a), Vsr 6 ajustado Para fornecer uma corrente de coletor cede 1 mA. | Suponha que Veo = 15 V, Rc= 10 kQ e B= 100. Calcule o ganho de tensio v,/v,,. Se v,. = 0,005 sen at volts, calcule v,(t) ¢ p(t). : Resposta 400 V/V; 5 ~2 sen or volts; 10 + 2 sen or wA 4.8 MODELOS EQUIVALENTES PARA PEQUENOS SINAIS A andlise na seco anterior indica que cada corrente e cada tensio no circuito amplificador da Figura 4.23(a) é composta de duas Componentes: a componente cc e a componente do sinal. Por exemplo, Oge = Viz + Up., i, = Ic + i, e assim por diante. As componentes cc sao determinadas pelo Circuito cc dado na Figura 4.23(b) e pelas telagOes impostas pelo transistor (Equagdes 4.23 a 4.26). Por outro lado, a representacao da operaco com sinais do TBI pode ser obtida eliminando-ce ae fontes cc, conforme mostrado na Figura 4.25. Observe que, como a tensao de uma fonte cc ideal nao varia, a tensdo de sinal nela sera zero. Por essa razio, substituimos Voc ¢ Var por um curto- Circuito. Se no circuito houver fontes de corrente cc ideais, elas devem ser substituidas por cir- cuitos abertos. Observe, contudo, que o circuito da Figura 4.25 € wtil apenas para mostrar as Componentes de sinais de correntes e de tenses; ele nao é um circuito amplificador real, visto que a polarizagao cc do circuito nao aparece. A Figura 4.25 também mostra as expressdes para os incrementos de correntes i,, jy ¢ i, ob- tidas quando um pequeno sinal v), for aplicado. Essas relagdes podem ser representadas por um Circuito. Tal circuito deve ter trés terminais, C, B e E, e deve manter as mesmas correntes indicadas Nos terminais da Figura 4.25. O circuito resultante é entdo equivalente a um transistor enquanto Permanecer a operacao para pequenos sinais, podendo ser considerado um modelo de circuito equivalente para pequenos sinais. O Modelo 7-Hibrido A Figura 4.26(a) mostra um modelo de circuito equivalente para o TBJ. Esse modelo representa © TBJ como uma fonte de corrente controlada por tensdo ¢ inclui explicitamente a resisténcia de entrada de base, r,. O modelo obviamente produz i,. = g,,0j¢ € i), = Up-/rg. Contudo, nao tao 6b- Vio € 0 fato de que o modelo também produz a expresso correta para i,. Isso pode ser mostrado ‘Como segue: no né do emissor, temos Amos Novamente que g,, € di serd tao estvel quanto aFigura 4.25 O circuito amplificador da Figura 4:23(a) com ay fontes cc V,,.€ V,. eliminadas (Curto-cireuitadas) Logo, apenas os componentes de sinal esig sentes. Observe que essa é a representacao dg ragao do TBI para sinais ¢ nao um Circuito amp. ficador real. ee ee cay . m modelo de circuito equivalente, ente da fonte controlada (¢,,25.) e ligeiramente diferente, pode ser obtido expressando- m termos da corrente da base i, como segue: Bn? be = Bmp) : = (8nte dis = Bi, ‘Tss0 resulta no modelo de circuito equivalente alternativo mostrado na Figura 4.26(b). Nes fa, 0 transistor esta representado como uma fonte de corrente controlada por corrente, sendo corrente de controle. Bi “do het ahiecit Painpuy: opr pio! do TBI0" ‘Duss verses lgeiramente diferentes do modelo 7-ibrdo simpliticado para opie do Fr Ppequenos sinais. O circuito equivalente em (a) representa 0 TBJ como uma ie a ~ controlada por tenso (um amplificador de transcondutancia) e em (b) representa © fonte de corrente controlada por corrente (um amplificador de corrente). f « de mode? ‘modelos na Figura 4.26 sao versées simplificadas do que chamamos : re € 0 modelo mais usado para 0 TBJ. O modelo z-hibrido completo, °°"