Documenti di Didattica
Documenti di Professioni
Documenti di Cultura
Studenti
Asaftei Catalin Ionut
Ciuca Marius
Potincu Daniel Catalin
Richea Marian
Tanasi Valentin
Grupa
Profesor indrumator
143 EA
Popoviciu Razvan
CUPRINS
1.
2.
Date de proiectare
Principiul de functionare.
2.1
3.
Descrierea schemei
Simboluri si definitii
2.2
Calculul redresorului comandat
3.1.
3.2.
3.3.
3.4.
4.
5.
6.
7.
1. DATE DE PROIECTARE
Un = 400 V
Usec = 3 x 400 V
Id = 60 A
Ud = 60 V
u=3%
2. PRINCIPIUL DE FUNCTIONARE
2.1 DESCRIEREA SCHEMEI
Redresoarele transforma energia electrica de curent alternativ in energie electrica de
curent continuu.
In funcie de natura elementelor componente, redresoarele sunt:
- necomandate - realizate numai cu diode;
- semicomandate - realizate cu diode si tiristoare;
- comandate - realizate numai cu tiristoare.
Redresoarele necomandate asigura la iesire o tensiune continua de valoare medie
constanta. Redresoarele semicomandate si comandate asigura la iesire o tensiune continua
reglabila.
Criteriile globale de alegere a unui convertor static comporta patru faze:
1. alegerea naturii retelei de alimentare, printr-o analiza comparativa de preturi a
principalelor componente (transformatorul, inductantele de filtraj, componentele
semiconductoare de putere).
2. Considerarea functiilor suplimentare ce trebuie asigurate de catre convertor.(exemplu:
functionarea in mai multe cadrane).
3. considerarea aspectelor tehnico-economice globale si anume costurile de investitie si
respectiv cele de utilizare.
4. considerarea unor aspecte de finete, care nu au fost luate anterior in discutie, cum ar fi
caracteristicile si performantele sistemului de comanda si control(stabilitate, fiabiliate, timp
de raspuns).
Constructia unui convertor static de putere se realizeaza avandu-se in vedere ca
dispozitivele semiconductoare sa-si indeplineasca rolul de comutator in mod corect si ca
functionarea ansamblului sa fie fiabila.
di
dt
IH
- curentul de mentinere;
IL
- curentul de acrosaj;
VT0
- tensiunea de prag in stare de conductie;
URRM - tensiunea inversa;
dv
dt
rT
- rezistenta aparenta in stare de conductie;
Rth
- rezistenta termica;
Zth
- impedanta termica;
Rthj-c - rezistenta termica jonctiune capsula;
Rthc-k - rezistenta termica capsula radiator;
Rthk-a - rezistenta termica radiator ambient (mediu de racire) ;
Rthj-a - rezistenta termica jonctiune ambient (mediu de racire);
Rthc-a - rezistenta termica capsula ambient ( mediu de racire);
Tvj
- temperatura (virtuala) a jonctiunii;
Ta
-temperatura ambianta ( a mediului de racire).
Tiristoarele se aleg in functie de curentul mediu care trece prin dispozitivul semiconductor.
Pentru puntea trifazat i sarcin inductiv:
IT
Id
3
= 20 [A]
Ur 2 U sec
= 565.68 [V]
I TAV
IT
cI
= 40 [A]
unde: cI = 0,5 ;
cU
Unde
=2;
SKKT 42
ITAV = 40 [A]
URRM = 1400 [V]
IRMS = 75 [A]
VTO = 1 [V]
rT = 4.5 [m]
3.2
Rth ra=
6 Pd
6
Rthjc = 0.33
Rth c s = 0.1
Rth ra=
[ ]
=0.41
6 65.31
6
W
3.3
I n> I ef
I n>75 [ A ]
U arc (fuzibil) <U RRM (semiconductor)
Uarc=1000<URRM=1400
I p Id
2 100
3 u sc
= 163 kA
Astfel se alege o siguranta ultra rapida SIBA 5014006.40 - Siguran: ceramic, ultra-rapid, gR;
22x58mm; 80A; 690VAC
I t
2
sig
k1 I 2 t T k 2
=>
I t
I t
sig
= f(Ip/In)
I t
2
k2 = f(t)
3.4
Lc =
Xc
U sc U
3 400
=
L c=
=0.029[ H ]=29.4[ mH ]
2 f I ef
2 50 75
[ ]
di 2 U 2 400 di
A
=
=
=0.02
dt
Lc
0.029
dt
s
di
di
catalog> calcul
dt
dt
150
[ ]
[ ]
A
A
> 0.02
s
s
3.5
Protectia la supratensiuni
C p =0.5
I ef
75
=0.5
C p =0.093[F ]
U
400
R p=25
U
400
=25
R p =133.33[]
I ef
75
Pales =3 Pr=6.69[W ]
Alegem rezistena: Rezistor bobinat; THT; 220; 8W; 5%; 8,5x30mm; 300ppm/C
4 Calculul filtrului
Se alege un filtru format dintr-o bobin Lf i un condensator Cf.
Se admite un factor de ondulaie a tensiunii de ieire din filtru: w=5%
Se noteaz:
x Lf C f
0,86 U sec
1
x w Ud 5
36 10
0,86 400
1
5 60
0.0000005962963
36 10 5
Cf
x
Lf
= 0.00060 [F] = 600 [F]
R7
f [s]
100
0.001
Cf
=
P7
U d2 max
R7
= 167.7 [k]
3600
167.7 * 10^3
=
= 0.0215 [W]
P (3...4) P7
4. SCHEMA ELECTRICA
5. SPECIFICATIA MATERIALELOR
Nr.
Cr
t.
1
Simbol
Caracteristici
tehnice
Tip - Cod
Furnizor
Buca
ti
T1, 2, 3, 4, 5, 6
ITAV = 75 [A]
URRM = 1400[V]
SKKT 42
SEMIKRO
N
F1,2,3
In = 25 [A]
Un = 600 [V]
HSJ 25
L1
L = 6.8 [mH]
C11,21,31,41,5
C = 30 [mF]
Toleranta =
2%
R = 200 []
toleranta = 5
%
C = 1 [mF]
Toleranta =
2%
R = 10 []
Toleranta =
5%
1,61
R11,21,31,41,5
1,61
C1
R1
Observatii
Radiator
3
SMCI2012
6R8
STA 0.4 W
FERRAZ
SHAWMU
T
FERROPE
RM
SHUN TAI
S -1
RIEDON
STA 0.1 W
SHUN TAI
S -1
RIEDON
1
6
6. OBSERVATII SI CONCLUZII
Alegerea dispozitivelor de putere se face prin raportare la solicitarile la care acestea
sunt supuse. Pentru o mai buna fiabilitate, s-au asigurat marje de siguranta fata de valorile
limita indicate de constructorii de dispozitive semiconductoare , dar trebuie
supradimensionate putin, pentru ca o supradimensionare a componentelor creste sensibil
costurile si acest lucru nu este convenabil.
7. BIBLIOGRAFIE