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3. PARTE
-EQUILBRIO EM IN
ORIGEM:
ANISOTROPIA DE FORAS QUE OCORRE NA FRONTEIRA
ENTRE DUAS INTERFASES
EXEMPLOS:
- INTERFASE LQUIDO-AR: TENSO SUPERFICIAL
- INTERFASE GORDURA/SOL. DE DETERGENTE
- INTERFASE METAL/SOLUO: ELETRODO/SOLUO
APLICAES:
- FORMAO DE PARTCULAS DISPERSAS:
TEFLON, LAVA-LOUA, ETC
- ABRILHANTADORES DE ELETRODEPOSIO
- INIBIDORES DE CORROSO
- MODIFICAO DE SUPERFCIES:
LANGMUIR-BLODGETT, FTALOCIANINAS, ETC
xo
d = - i di
(P, T = CONSTANTES)
xo
o
C
dx
C
x
i o
i
C
Co
METAL
i = REA
xo
INTERFACES CARREGADAS
ADSORO PARA O CASO DE UM ELETRODO CARREGADO POSITIVAMENTE
GIBBS: d = - q M d() -
d
i
qM = CARGA DO ELETRODO
2) SISTEMAS ELETROQUMICOS
V =
ELETR OD O
E L E T R L IT O
ELETR OD O
3) EQUAO ELETROCAPILAR
M
GIBBS: d = - q d(Hg ) -
d
i
i io RT ln ai
d i RT d ln ai
E = Hg - R
1: ELETRODO SECUNDRIO
2: ELETRODO DE REFERNCIA
3: ELETRLITO
d q M dE q M d (R ) RT i d ln ai
i
d q M dE q M d (R ) RT i d ln ai
i
NESTE CASO:
dln ai = 0;
d(R ) = 0
E DA:
d = -qMdE
M
=
-q
ai
EQUAO DE LIPPMANN
C=
dq
dq
=
d(1 ) dE
TAMBM:
OU SEJA
qM =
-qS
qs qM F zii
i
2
C 2
dE ai
- qM = F(z+ + - z--)
d qMd( R ) RT idln ai
i
EQUACIONAMENTO:
a) EQUAO DE NERNST
R Ro
H2 (g) =
RT
ln a
z F
H+ + e
RT
ln aj
nF
RT
d( R )
d(ln a )
z F
b) SEGUNDO TERMO DA EQ. ELETROCAPILAR
i ln ai dln a dln a
i
qMRT
d
dln a RT( dln a dln a )
z F
d) SUBSTITUINDO EXPRESSO DE qM OBTIDA
ANTERIORMENTE
- qM = F(z+ + - z--) E LEMBRNANDO QUE
z+ = z-
d RT dln a a
a a a
1/
2RT ln a
2RT ln a
o
C
d
dqM
C
EQUAES J VISTAS
E
dE
E
E
M
q CdE o dE o E Ez
d
Ez
Ez d
max
o
q dE
E Ez dE
d
Ez
Ez
max
2
o
E
E
z
d
= -q
E ai
PREVISES DO MODELO
o
C
d
qM
o
E Ez
max
o E Ez
d
Hg em KCNS XM + KF (1 X)
X = 0; 0,001; 0,00125;
0,0025; 0,005; 0,01; 0,0175;
0,025; 0,05; 0,1; 0,25; 0,5;
1,0
B - MODELO DE GOUY(1910)/CHAPMAN(1913)
- DENOMINADO DE MODELO DA CAMADA DIFUSA
- OS ONS QUE FORMAM A PLACA NO LADO DA SOLUO
NO ESTO ALINHADOS.
C
Co
METAL
xo
CONSTANTE DIELTRICA
1) EQUAO DE POISSON:
2) LEI DE FARADAY:
d2
4
dx 2
zFc
(x)
i
i
3) EQUAO DE BOLTZMANN:
d
4) TEOREMA DE GAUSS: 4q
zF
i
)
RT
d
dx x
z
dqd
C
z fAcosh f2
d
2
d
ONDE:
f = F/RT
1/ 2
RTco
A
2 = POTENCIAL NO PLANO
EXTERNO DE HELMHOLTZ
2Asenh
z
2
f2
2: EXISTNCIA DE DISTNCIA DE
MXIMA APROXIMAO
DUPLO CAPACITOR: GRAHAME 1947
C - CONCEPO ATUAL
5) ISOTERMAS DE ADSORO
- RELAO ANALTICA QUE CORRELACIONA A QUANTIDADE
ADSORVIDA DE UM COMPONENTE NUMA INTERFACE COM A
CONCENTRAO DESTE COMPONENTE NO MEIO DA FASE.
- NAS INTERFACES CARREGADAS: A QUANTIDADE ADSORVIDA
DEPENDE DO ESTADO ELTRICO DA INTERFACE QUE DEVE SER
ESPECIFICADO ATRAVS DE UMA VARIVEL ADEQUADA.
A) FUNDAMENTOS TERMODINMICOS
EQUILBRIO INTERFACE/SOLUO
ia is
i0,a RTln aia i0,s RTln ais
G
a a exp(
) ais
RT
a
i
s
i
o
ads
s = EM SOLUO
a = ADSORVIDA
o
Gads
exp(
)
RT
0
Gads
i0,a i0,s
B) ISOTERMA DE HENRY
PRESSUPE UM COMPORTAMENTO IDEAL DOS
ONS (ATIVIDADE = CONCENTRAO), TANTO
NA FASE ADSORVIDA QUANTO NA SOLUO.
i cis
C) ISOTERMA DE LANGMUIR
O EXCESSO SUPERFICIAL NO PODE CRESCER
INDEFINIDAMENTE COM A CONCENTRAO DEVIDO
AO VOLUME DAS PARTCULAS ADSORVIDAS.
cis
1
ONDE
imax
= GRAU DE RECOBRIMENTO
D) ISOTERMA VIRIAL
LEVA EM CONTA EM UM NICO PARMETRO (B, OU
SEGUNDO COEFICIENTE DE VIRIAL) O VOLUME E AS
INTERAES ENTRE PARTCULAS ADSORVIDAS
i exp(2Bi ) ais
E) ISOTERMA DE FRUMKIN
INCORPORA NA ISOTERMA DE LANGMUIR UM TERMO
QUE LEVA EM CONTA A INTERAO ENTRE
PARTCULAS ADSORVIDAS
exp(a) cis
1
a = CONSTANTE