Laboratorio N 01: USO Y MANEJO

DEL MULTIMETRO, OSCILOSCOPIO

Y CURVA DE DIODOS
Ing. Virginia Romero Fuentes
Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica, Universidad Nacional de Ingeniera
Lima, Per
vromero@uni.edu.pe
virom@yahoo.com

INTRODUCCIN
En esta primera experiencia aprenderemos a familiarizarnos con los intrumentros de medicin
(osciloscopio, multimetro,etc), adems de ver experimetalmente la curva caracteristicas de un
diodo real fajo diferentes
I.

OBJETIVO

El laboratorio deacuerdo a sus experimentos tiene como

finalidad:

Entrenar y mostrar al alumno los diferentes usos

del osciloscopio de seales electrnicas.
Familiarizar al alumno con los diferentes
cuidados que debe tener en cuenta al usar un
multmetro.
Hacer un buen manejo de las diferentes ipciones
de medida que nos ofrece al multmetro, con la
finalidad de minimizar errores.
Determinar las caractersticas del diodo.

II.

TEORA

A. El Osciloscopio
Es un instrumento de medicin electrnico para la
medicin de una onda determinada, dando como valores:
Tensin (tensin pico, tensin eficaz, tencin media, etc.),
frecuencia, periodo, THD, adems no solo toma la onda en
funcin X-Y, sino tambin lo puede mostrar de manera
fasorial, entre otra funciones.

B. El Diodo
Es un componente electrnico de dos terminales que
permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l
en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa para
referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la
actualidad, consta de una pieza de cristal semiconductor
conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vacio
(que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologias de
alta potencia) es un tubo de vacio con dos electrodos :una

lmina

como

nodo

un

ctodo.

De forma simplificad, la curva cracterstica de un diodo(I-V)

consta de dis regiones: por debajo de cierta diferencia de
potencial, se comporta como un circuito abierto (no
conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con
una resistencia elctrica muy pequea. Debido a este
comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya
ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa
de cualquier seal, como paso inicial para convertir una
corriente
alterna
en
corriente
continua.
Tipos:
Diodo avalancha: Diodos que conducen en direccin
contraria cuando el voltaje en inverso supera el voltaje de
ruptura. Electricmente son similares a los diodos Zener,
pero funciona bajo otro fenmeno, el efecto avalancha. Esto
sucede cuando el campo elctrico inverso que atraviesa la
unin p-n produce una onda de ionizacin, similar a una
avalancha, produciendo una corriente. Los diodos avalancha
estn diseados para operar en un voltaje inverso definido
sin que se destruya. La diferencia entre el diodo avalancha
(el cual tiene un voltaje de reversa de aproximadamente
6.2V) y el diodo zener es que el ancho del canal del primero
excede la "libre asociacin" de los electrones, por lo que se
producen colisiones entre ellos en el camino. La nica
diferencia prctica es que los dos tienen coeficientes de
temperatura de polaridades opuestas.
Diodo de Silicio: Suelen tener un tamao milimtrico y,
alineados, constituyen detectores multicanal que permiten
obtener espectros en milisegundos. Son menos sensibles que
los fotomultiplicadores. Es un semiconductor de tipo p (con
huecos) en contacto con un semiconductor de tipo n
(electrones). La radiacin comunica la energa para liberar
los electrones que se desplazan hacia los huecos,
estableciendo una corriente elctrica proporcional a la
potencia radiante.

Diodo de cristal: Es un tipo de diodo de contacto. El diodo

cristal consiste de un cable de metal afilado presionado
contra un cristal semiconductor, generalmente galena o de
una parte de carbn. El cable forma el nodo y el cristal
forma el ctodo. Los diodos de cristal tienen una gran
aplicacin en los radio a galena. Los diodos de cristal estn
obsoletos, pero puede conseguirse todava de algunos
fabricantes.
Diodo de corriente constante: Realmente es un JFET, con
su compuerta conectada a la fuente, y funciona como un
limitador de corriente de dos terminales anlogo al diodo
Zener, el cual limita el voltaje. Permiten una corriente a
travs de ellos para alcanzar un valor adecuado y as
estabilizarse en un valor especfico. Tambin suele llamarse
CLDs (por sus siglas en ingls) o diodo regulador de
corriente.
Diodo tnel o Esaki: Tienen una regin de operacin que
produce una resistencia negativa debido al efecto tnel,
permitiendo amplificar seales y circuitos muy simples que
poseen dos estados. Debido a la alta concentracin de carga,
los diodos tnel son muy rpidos, pueden usarse en
temperaturas muy bajas, campos magnticos de gran
magnitud y en entornos con radiacin alta. Por estas
propiedades, suelen usarse en viajes espaciales.
Diodo Gunn: Similar al diodo tnel son construidos de
materiales como GaAs o InP que produce una resistencia
negativa. Bajo condiciones apropiadas, las formas de
dominio del dipolo y propagacin a travs del diodo,
permitiendo osciladores de ondas microondas de alta
frecuencia.

Ledes de distintos colores.

Diodo emisor de luz o LED del acrnimo ingls, lightemitting diode: Es un diodo formado por un semiconductor
con huecos en su banda de energa, tal como arseniuro de
galio, los portadores de carga que cruzan la unin emiten
fotones cuando se recombinan con los portadores
mayoritarios en el otro lado. Dependiendo del material, la
longitud de onda que se pueden producir vara desde el
infrarrojo hasta longitudes de onda cercanas al ultravioleta.
El potencial que admiten estos diodos dependen de la
longitud de onda que ellos emiten: 2.1V corresponde al rojo,
4.0V al violeta. Los primeros ledes fueron rojos y amarillos.
Los ledes blancos son en realidad combinaciones de tres
ledes de diferente color o un led azul revestido con un
centelleador amarillo. Los ledes tambin pueden usarse
como fotodiodos de baja eficiencia en aplicaciones de
seales. Un led puede usarse con un fotodiodo o
fototransistor para formar un optoacoplador.

termoelctrica. Los refrigeradores termoelctricos se hacen

de semiconductores, aunque ellos no tienen ninguna unin
de rectificacin, aprovechan el comportamiento distinto de
portadores de carga de los semiconductores tipo P y N para
transportar el calor.
Fotodiodos: Todos los semiconductores estn sujetos a
portadores de carga pticos. Generalmente es un efecto no
deseado, por lo que muchos de los semiconductores estn
empacados en materiales que bloquean el paso de la luz. Los
fotodiodos tienen la funcin de ser sensibles a la luz
(fotocelda), por lo que estn empacados en materiales que
permiten el paso de la luz y son por lo general PIN (tipo de
diodo ms sensible a la luz). Un fotodiodo puede usarse en
celdas solares, en fotometra o en comunicacin ptica.
Varios fotodiodos pueden empacarse en un dispositivo como
un arreglo lineal o como un arreglo de dos dimensiones.
Estos arreglos no deben confundirse con los dispositivos de
carga acoplada.
Diodo con puntas de contacto: Funcionan igual que los
diodos
semiconductores
de
unin
mencionados
anteriormente aunque su construccin es ms simple. Se
fabrica una seccin de semiconductor tipo n, y se hace un
conductor de punta aguda con un metal del grupo 3 de
manera que haga contacto con el semiconductor. Algo del
metal migra hacia el semiconductor para hacer una pequea
regin de tipo p cerca del contacto. El muy usado 1N34 (de
fabricacin alemana) an se usa en receptores de radio como
un detector y ocasionalmente en dispositivos analgicos
especializados.
Diodo PIN: Un diodo PIN tiene una seccin central sin
doparse o en otras palabras una capa intrnseca formando
una estructura p-intrnseca-n. Son usados como interruptores
de alta frecuencia y atenuadores. Tambin son usados como
detectores de radiacin ionizante de gran volumen y como
foto detectores. Los diodos PIN tambin se usan en la
electrnica de potencia y su capa central puede soportar
altos voltajes. Adems, la estructura del PIN puede
encontrarse en dispositivos semiconductores de potencia,
tales como IGBTs, MOSFETs de potencia y tiristores.

Diodo lser: Cuando la estructura de un led se introduce en

una cavidad resonante formada al pulir las caras de los
extremos, se puede formar un lser. Los diodos lser se usan
frecuentemente en dispositivos de almacenamiento pticos y
para la comunicacin ptica de alta velocidad.

Diodo Schottky: El diodo Schottky estn construidos de un

metal a un contacto de semiconductor. Tiene una tensin de
ruptura mucho menor que los diodos pn. Su tensin de
ruptura en corrientes de 1mA est en el rango de 0.15V a
0.45V, lo cual los hace tiles en aplicaciones de fijacin y
prevencin de saturacin en un transistor. Tambin se
pueden usar como rectificadores con bajas prdidas aunque
su corriente de fuga es mucho ms alta que la de otros
diodos. Los diodos Schottky son portadores de carga
mayoritarios por lo que no sufren de problemas de
almacenamiento de los portadores de carga minoritarios que
ralentizan la mayora de los dems diodos (por lo que este
tipo de diodos tiene una recuperacin inversa ms rpida
que los diodos de unin pn. Tienden a tener una capacitancia
de unin mucho ms baja que los diodos pn que funcionan
como interruptores veloces y se usan para circuitos de alta
velocidad como fuentes conmutadas, mezclador de
frecuencias y detectores.

Diodo trmico: Este trmino tambin se usa para los diodos

convencionales usados para monitorear la temperatura a la
variacin de voltaje con la temperatura, y para
refrigeradores termoelctricos para la refrigeracin

Stabistor: El stabistor (tambin llamado Diodo de

Referencia en Directa) es un tipo especial de diodo de silicio
cuyas caractersticas de tensin en directa son
extremadamente estables. Estos dispositivos estn diseados

especialmente para aplicaciones de estabilizacin en bajas

tensiones donde se requiera mantener la tensin muy estable
dentro de un amplio rango de corriente y temperatura.

C. Multmetro
Es un instrumento elctrico porttil para medir
directamente magnitudes elctricas activas como corrientes
y potenciales (tensiones) o pasivas como resistencias,
capacidades
y
otras.
Las medidas pueden realizarse para coriente continua o
alterna y en varios mrgenes de medida cada una. Los hay
analgicos y posteriormente se han introducido los digitales
cuya funcin es la misma.

III.

RESPUESTAS A PREGUNTAS

A.

Indicar los cdigos de colores de las

resistencias que se van a usar en esta
experiencia.
Las resistencias son reconocidas por las bandas
de colores, una muestra en general es.

B. Describa los cables que viene

incluidos con el osciloscopio, para
que se usa la atenuacin x10?
La punta atenuada se usa basicamenten para evitar el
efecto capacitivo de los cable cuando se pasa altas
frecuencia por el, este efecto puede que los datos
toamdos en la experiencia no sean los datos reales,
adems la atenuacin se usa tambien como un filtro
pasabajos con una frecuencia de corte del orden de los
2kHz aprox. Si se quiere evitar este efecto se conecta
un capacitor, ademas la atenucacin x10 tambien se
usa como un circuito contrador o de protecin del
osciloscopio para determinadas frecuencias y
corrientes.

C. Describa los cables que vienen

incluidos con el osciloscopio, para
que se usa la atenuacion x10?
Los cables tambien son llamados puntas de prueba, y estas
son:

Las puntas directas:Conectan

1)

directamente
al circuito, no ofrece ningun tipo de proteccin y
a medida que la frecuencia aumenta el efecto
capacitivo del cable afecta las mediciones a
realizar.

TABLA 1
CDIGO DE COLORES DE LA RESISTENCIA

Fig. 1 Punta directa

2)

Las puntas atenuadoras:En corriente

continua o en frecuencias bajas, el efecto de de
carga proveniente de la capacidad del cable sobre
el circuito es mnimo. Pero en el caso de seales
de alta frecuencia esta capacitancia si puede
representar un problema para la medicin.
Para evitar este problema se usan las puntas
atenuadoras.

Las resistencias a utilizar son:

A.

100 = marron, negro, marron (10)*10ohm

1k=1000=marron,negro, rojo (10)*100ohm
5K=verde,negro,rojo=(50)*100ohm.
8K=girs,negro,rojo=(80)*100ohm
10k=marron,negro,naranja=(10)*1000ohm.
12k=marron,rojo,naranja=(12)*1000ohm.
15k=marron,verde,naranja=(15)*1000ohm.
20k=rojo,negro,naranja=(20)*1000ohm.
30K=naranja,negro,naranja=(30)*1000ohm.
50k=verde,negro,naranaja=(50)*1000ohm.

Fig. 2 Punta atenuadora

D. Diferencias entre el equipo generador

de ondas y la seal usada para
callibrar el osciloscopio.
1)

Generador de ondas:

2)

Seal usada para calibrar el

osciloscopio: La seal usada para calibrar el

Es un dispositivo
generalmente electrnico el cual se usa para
generar ondas tanto senoidales, triangulares,
cuadradas y de sierra, con la facilidad de cambiar
la frecuencia y poder generar frecuancias
relativamente altas con un determinado valor de
tensin.

osciloscopio es generalmente una seal propia

del osciloscio que suele ser de 5v y 1kHz, lo cual
se usa generalmente para ver la atenuacin de las
puntas con atenuancin, si se usa mas de un
cable para realizar la experiencia, se necesita
calibrar cada cable antes de ser usado con la
seal calibradora del osciloscopio.

E. Determinar las diferencias entre los

diodos: semiconductor, led y zener.

IV.

DATA SHEET Y HOJA DE DATOS

Se enuncia el data sheet de los componentes mas

pronunciados:

TABLA 2
DATA SHEET DEL DIODO IN4004

V.

EQUIPOS Y MATERIALES

Los materiales a utilizar en el laboratorio son:

Osciloscopio y dos puntas de prueba

1 multmetro
1 generador de ondas
1 panel de conexin c/transformador 220: 12 Vac
Diodos: 1N4004, 4148; LED; ZENER (12 V, 4.8
V/2W)

Capacitores: 0.22Uf, 0.01Uf

Resistencias: 2 resistencias de 100ohm; 1k, 5k,
5k, 8k, 10k, 12k, 15k, 20k, 30k, 50k ohm./1W
01 Dcada de resistencias.

Fig. 5 Circuito humbolt

E. Con el generador (y con una amplitud

minima de 10V, a una frecuencia 1KHz)
aplicar al circuito de la fig. 4, cambiando
el condensador por 0.01uf y repetir los
pasos para determinar la base, variando R.
F.
Fig. 3 El osciloscopio

VI.

DESARROLLO DE LA
EXPERIENCIA

A. Armar el siguiente circuito:

Fig. 4 Circuito matrix

B. Colocar la seal X en la entrada vertical y
colocar la seal Y a la entrada horizontal ;
y la base de tiempos en X-Y, obtener la
elipse y medir a y b. (siempre y cuando la
elipse se observe en forma completa en el
osciloscopio)

Medir las amplitudes y frecuencias

(periodos) de las seales X e Y, ayudndose
con la base de tiempos calibrada.

G. Aplicar X a la entrada Horizontal y la

Seal Y a la entrada vertical (regular
previamente, para que con esta seal, se
observe una onda completa y centrada;
medir T), para observar el desfasaje con
respecto a X, que nos ha servido de
referencia para comparar. Dibujar y anotar
el corrimiento en el eje Horizontal, para
obtener el desfasaje, por comparacin con
T.
H. Siempre en el circuito de la fig. 4 cambiar
R por C y verificar el adelanto atraso de
fase de las ondas.
I.

Armar el siguiente circuito para observar

las curvas de cada diodo. Trabajando
sobre las ganancias vertical y horizontal

J.

C. Variar las resistencias con la dcada de

5k, 8k, 10k, 12k, 15k, 20k, 30k, 50k,
tomando los valores de a y b en cada caso.
D. En el mismo circuito pero cambiando la
referencia a tierra repetir los pasos
anteriores para medir el desfasaje entre las
seales X e Y. la elipse puede girar hacia el
otro lado.

Fig. 6 Circuito tabla

VII.

Fig. 10 Elipse de matrix3

SIMULACIN

D. Simulacin con resistencia de 12k.

E. Simulacin con resistencia de 15k.

F.

Simulacin con resistencia de 20k.

G. Simulacin con resistencia de 30k.

H. Simulacin con resistencia de 50k.

VIII.
[1]
[2]
[3]
Fig. 7

A. Simulacin con resistencia de 5k.

B. Simulacin con resistencia de 8k.
C. Simulacin con resistencia de 10k.

[4]

BIBLIOGRAFA

Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky,

Electroni devices and circuit theory, 10th edition.
Charles K. Alexander and Matthew N. O.
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Fuente del navegador
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