LABORATORIO DE

DISPOSITIVOS
ELECTRONICOS
Experiencias de laboratorio del curso de Dispositivos
electrnicos arrancando desde el Diodo
semiconductor hasta dispositivos de disparo.

Facultad de Ingeniera
Electrnica y ElctricaUNMSM
Prof.: Ing. Ponce Martinez
Diciembre del 2013

CONTENIDO

EXPERIENCIA 1

DIODO SEMICONDUCTOR

RECTIFICADORES Y FILTROS

EXPERIENCIA 2

13

EXPERIENCIA 3

17

EXPERIENCIA 4

21

EXPERIENCIA 5

24

EXPERIENCIA 6

29

EXPERIENCIA 7

32

EXPERIENCIA 1
DIODO SEMICONDUCTOR
I.

II.

Objetivos: Utilizar las caractersticas de operacin de los diodos semiconductores.

Marco terico
DIODO SEMICONDUCTOR
Ahora que los materiales tanto tipo n como tipo p estn disponibles, podemos construir nuestro
primer dispositivo electrnico de estado slido. El diodo semiconductor, con aplicaciones
demasiado numerosas de mencionar, se crea uniendo un material tipo n a un material tipo p, nada
ms que eso; slo la unin de un material con un portador mayoritario de electrones a uno con un
portador mayoritario de huecos. La simplicidad bsica de su construccin refuerza la importancia
del desarrollo de esta rea de estado slido.

Sin polarizacin aplicada (V = 0 V)

En el momento en que los dos materiales se unen, los electrones y los huecos en la regin de la
unin se combinan y provocan una carencia de portadores libres en la regin prxima a la unin,
como se muestra en la figura 1.12a. Observe en la figura 1.12a que las nicas partculas
mostradas en esta regin son los iones positivos y negativos que quedan una vez que los
portadores libres han sido absorbidos.

Condicin de polarizacin en inversa (VD<0 V)

Si se aplica un potencial externo de V volts a travs de la unin p-n con la terminal positiva
conectada al material tipo n y la negativa conectada al material tipo p como se muestra en la
figura
1.13, el nmero de iones positivos revelados en la regin de empobrecimiento del material tipo n
se incrementar por la gran cantidad de electrones libres atrados por el potencial positivo del

voltaje aplicado. Por las mismas razones, el nmero de iones negativos no revelados se
incrementar en el material tipo p. El efecto neto, por consiguiente, es una mayor apertura de la
regin de empobrecimiento, la cual crea una barrera demasiado grande para que los portadores
mayoritarios la puedan superar, por lo que el flujo de portadores mayoritarios se reduce
efectivamente a cero, como se muestra en la figura 1.13a.
Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que entran a la regin de empobrecimiento no
cambia, y se producen vectores de flujo de portadores minoritarios de la misma magnitud
indicada en la figura 1.12c sin voltaje aplicado.
La corriente en condiciones de polarizacin en inversa se llama corriente de saturacin en inversa
y est representada por Is.

La corriente de saturacin en inversa rara vez es de ms de algunos micro amperes, excepto en el

caso de dispositivos de alta potencia. De hecho, en los ltimos aos su nivel, por lo general, se
encuentra en el intervalo de los nano amperes en dispositivos de silicio. El trmino saturacin se
deriva del hecho de que alcanza su nivel mximo con rapidez y que no cambia de manera
significativa con los incrementos en el potencial de polarizacin en inversa, como se muestra en
las caractersticas de diodo de la figura 1.15 con VD < 0 V. Las condiciones de polarizacin en
inversa se ilustran en la figura 1.13b para el smbolo de diodo y unin p-n. Observe, en
particular, que la direccin de Is se opone a la flecha del smbolo. Observe tambin que el lado
negativo del voltaje aplicado est conectado al material tipo p y el lado positivo al material tipo
n, y la diferencia indicada con las letras subrayadas por cada regin revela una condicin de
polarizacin en inversa.

Condicin de polarizacin en directa (VD>0 V)

La condicin de polarizacin en directa o encendido se establece aplicando el potencial
positivo al material tipo p y el potencial negativo al tipo n como se muestra en la figura 1.14.

La aplicacin de un potencial de polarizacin en directa VD presionar a los electrones en el

material tipo n y a los huecos en el material tipo p para que se recombinen con los iones
prximos al lmite y reducir el ancho de la regin de empobrecimiento como se muestra en la
figura 1.14a.
El flujo de portadores minoritarios de electrones resultante del material tipo p al material tipo n

(Y de huecos del material tipo n al tipo p) no cambia de magnitud (puesto que el nivel de
conduccin es controlado principalmente por el nmero limitado de impurezas en el material),
aunque la reduccin del ancho de la regin de empobrecimiento produjo un intenso flujo de
portadores mayoritarios a travs de la unin. Un electrn del material tipo p ahora ve una
barrera reducida en la unin debido a la regin de empobrecimiento reducida y a una fuerte
atraccin del potencial positivo aplicado al material tipo p. En cuanto se incrementa la magnitud
de la polarizacin aplicada, el ancho de la regin de empobrecimiento continuar reducindose
hasta que un flujo de electrones pueda atravesar la unin, lo que produce un crecimiento
exponencial de la corriente como se muestra en la regin de polarizacin en directa de las
caractersticas de la figura 1.15.
Observe que la escala vertical de la figura 1.15 est en mili amperes (aunque algunos diodos
semiconductores tienen una escala vertical medida en amperes) y la escala horizontal en la regin
de polarizacin en directa tiene un mximo de 1 V. Por consiguiente, en general el voltaje a
travs de un diodo polarizado en directa ser menor de 1 V. Observe tambin cun rpido se
eleva la corriente despus de la rodilla de la curva. Se puede demostrar por medio de la fsica de
estado slido que las caractersticas generales de un diodo semiconductor se pueden definir
mediante la siguiente ecuacin, conocida como ecuacin de Shockley, para las regiones de
polarizacin en directa y en inversa:
(1)
Donde

Is es la corriente de saturacin en inversa

VD es el voltaje de polarizacin en directa aplicado a travs del diodo
n es un factor de idealidad, el cual es una funcin de las condiciones de operacin y
construccin fsica; vara entre 1 y 2 segn una amplia diversidad de factores. (se
supondr n _ 1 en todo este texto a menos que se indique de otra manera).
El voltaje VT en la ecuacin (1) se llama voltaje trmico y est determinado por

(2)
Donde

k es la constante de Boltzmann =1.38 x10^23 J/K

T es la temperatura absoluta en Kelvin _ 273 _ la temperatura

III.

Materiales y equipos:

IV.

Una fuente de corriente contina variable.

Un multmetro.
Un miliampermetro y Micro ampermetro.
Un diodo semiconductor de Si y Ge.
Un voltmetro de CC.
Resistencia de 100.
Cables conectores.

Procedimiento
1.
2.

Usando el ohmmetro medir las resistencias directas e inversas del diodo.

Anotar en la tabla 1.
Armar el circuito de la figura 1.
a) Ajustando el voltaje con el potencimetro, observar y medir la corriente y el voltaje
directo del diodo, registrar los datos en la tabla 2.
b) Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos
procedentes como en (a), registrando los datos en la tabla 3.

Resistencia Directa
1.6M

Tabla

Resistencia Inversa

1.

Figura 1.

Vcc(V)
Id(mA)
Vd.(V)

0.456
0.1
0.454

Vcc(V)
Vd.(V)
Id(uA)
3.

0.484
0.2
0.479

0
0
0

0.535
0.4
0.522

2
0.748
0.5

0.589
0.8
0.561

0.647
1.6
0.594
Tabla 2.

0.703
2.5
0.617

0.826
5
0.652

1.009
10
0.686

1.194
15
0.706

1.369
20
0.719

6
8
10
12
15
20
0.805
0.817
0.822
0.832
0.837
0.856
105
2.25
2.75
3.5
4.4
6
Tabla 3
Usando el ohmmetro medir la resistencia directa e inversa del diodo de germanio. Poner los
datos en la tabla 4.
Resistencia Directa
9.14k

4
0.788
1

Resistencia Inversa

Vcc(V)
Id(mA)
Vd.(V)

4.

Tabla 4.
Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de germanio de manera similar al paso 2;
proceder a llenar las tablas 5 y 6.

0
0
0

0.221
0.2
0.191

0.261
0.4
0.211

0.343
0.8
0.24

0.467
1.6
0.269

0.612
2.5
0.293

0.972
5
0.34

1.4
8
0.377

4.664
10
0.391

1.874
12
0.408

2.266
15
0.432

18.0
0.860
145mA

20.0
0.903
161mA

2.909
20
0.463

Tabla 5.

Vcc(V)
Vd.(V)
Id(uA)

0.0
0
0

1.0
0.2
280

2.0
0.417
13mA

4.0
0.509
28mA

6.0
0.575
44.3mA

8.0
0.629
61mA

1.0
0.676
77mA

12.0
0.719
94mA

15.0
0.789
119mA

Tabla 6.

Cuestionario
Construir el grafico de Id=F (Vd.) con los datos de la tabla 2 y 3.
Grafico tabla 2

25

20

15

10

0
0

0.2

0.4

0.6

0.8 Vd(v)

Grfico de la tabla 3

Vd(v)
-1

0
-0.5

0
-1
-2
-3
-4

Id(uA)= F(Vd)

1.

I d(mA) = F( Vd)

V.

Series1

-5
-6
-7

2.

Construir so grficos Id=F(Vd.) con las tablas 5 y 6:

Grfico de la tabla 5

25

Id(mA) = F(Vd)

20
15
10
5
0
0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

Vd(v)
Grfico de la tabla 6

Vd(v)
-1

-0.8

-0.6

-0.4

0
-0.2 -2000 0
-4000
-6000
-8000
-10000
-14000
-16000
-18000

VI.

Id(uA) = F(Vd)

-12000

Conclusiones
En esta experiencia se han puesto a prueba dos diodos, el primero de silicio, cuando se polariza
directamente segn los datos obtenidos se puede observar la curva exponencial caracterstica solo
que la tensin umbral en el laboratorio esta en 0.5v aproximadamente y no en 0.6 o 0.7v, esto
puede ser debido a las variaciones y errores propios de la experimentacin; aun con estos datos
se aprecia en la polarizacin inversa la regin zener del diodo de silicio. Para el diodo de
germanio hay una variacin muy grande respecto al grafico correspondiente este es un error que
no se apreci hasta luego de la experiencia, a pesar de eso se mantiene la relacin
ya que el germanio es de aproximadamente 0.2 a 0.3 mientras que del silicio como se
menciono es de 0.5v.
I no se debe olvidar tambin la relacin de la corriente inversa ya que la del silicio es menor.

RECTIFICADORES Y FILTROS
1. MARCO TEORICO.
Rectificador de media Onda
Ahora ampliaremos el anlisis de diodos para incluir funciones que varan con el tiempo, como la
forma de onda sinodal y la onda cuadrada. Sin duda, el grado de dificultad se incrementar, pero
una vez que se entiendan algunas maniobras fundamentales, el anlisis ser directo y seguir una
ilacin comn.
Las ms sencillas de las redes que se van a examinar con una seal que vara con el tiempo,
aparecen en la figura 2.44. Por el momento utilizaremos el modelo ideal (note la ausencia de la
etiqueta Si, Ge o GaAs) para que el mtodo no se empae por la complejidad matemtica
adicional.

A lo largo de un ciclo completo, definido por el periodo T de la figura 2.44, el valor promedio
(La suma algebraica de las reas arriba y debajo del eje) es cero. El circuito de la figura 2.44,
llamado rectificador de media onda, generar una forma de onda vo que tendr un valor
promedio de uso particular en el proceso de conversin ca a cd. Cuando se emplea en el proceso
de rectificacin, un diodo en general se conoce como rectificador. En general, sus capacidades de
potencia y corriente son mucho ms altas que las de los diodos empleados en otras aplicaciones,
como computadoras y sistemas de comunicacin.
Durante el intervalo t=0 T/2 en la figura 2.44 la polaridad del voltaje aplicado vi es tal que
ejerce presin en la direccin indicada y enciende el diodo con la polaridad que aparece arriba
de l. Sustituyendo la equivalencia de cortocircuito en lugar del diodo ideal se tendr el circuito
equivalente de la figura 2.45, donde es muy obvio que la seal de salida es una rplica exacta de
la seal aplicada. Las dos terminales que definen el voltaje de salida estn conectadas
directamente a la seal aplicada por conducto de la equivalencia de corto circuito del diodo.

Para el periodo T/2 T la polaridad de la entrada vi es como se muestra en la figura 2.46 y la

polaridad resultante a travs del diodo ideal produce un estado de apagado con un equivalente
de circuito abierto. El resultado es que no hay una ruta para que fluya la carga y vi = iR= (0) R=

0 A para el periodo T/2T. La entrada vi y la salida vo aparecen juntas en la figura 2.47 para
propsitos de comparacin. La seal de salida vo ahora tiene un rea neta positiva sobre el eje
durante un periodo completo y un valor promedio determinado por:

El proceso de eliminar la seal de entrada de media onda para establecer un nivel de cd se llama
rectificacin de media onda.
El efecto de utilizar un diodo de silicio con VK= 0.7 V se demuestra en la figura 2.48 para la
regin de polarizacin en directa. La seal aplicada ahora debe ser por lo menos de 0.7 V antes
de que el diodo pueda encenderse. Con niveles de vi menores que 0.7 V, el diodo an
permanece en el estado de circuito abierto y vo = 0 V, como se muestra en la misma figura.
Cuando conduce, la diferencia entre vo y vi es un nivel fijo de VK =0.7 V y vo =vi =VK como se
muestra en la figura. El efecto neto es una reduccin del rea sobre el eje, la cual reduce el nivel
de voltaje de cd resultante.

Rectificador de Onda Completa (Puente)

El nivel de cd obtenido a partir de una entrada sinodal se puede mejorar 100% mediante un
proceso llamado rectificacin de onda completa. La red ms conocida para realizar tal funcin
aparece en la figura 2.53 con sus cuatro diodos en una configuracin de puente. Durante el
periodo t =0 para T/2 la polaridad de la entrada es como se muestra en la figura 2.54. Las
polaridades resultantes a travs de los diodos ideales tambin se muestran en la figura 2.54 para
revelar que D2 y D3 estn conduciendo, mientras que D1 y D4 estn apagados. El resultado
neto es la configuracin de la figura 2.55 con su corriente y polaridad indicadas a travs de R.
Como los diodos son ideales, el voltaje de carga es vo _ vi, como se muestra en la misma figura.

En la regin negativa de la entrada los diodos que conducen son D1 y D4 y la configuracin

Es la que se muestra en la figura 2.56. El resultado importante es que la polaridad a travs del
resistor de carga R es la misma de la figura 2.54, por lo que se establece un segundo pulso

positivo, como se muestra en la figura 2.56. Durante un ciclo completo los voltajes de entrada y
salida aparecern como se muestra en la figura 2.57.

Como el rea sobre el eje durante un ciclo completo ahora es el doble de la obtenida por un
sistema de media onda, el nivel de cd tambin se duplica y
[

2.

MATERIALES Y EQUIPO

3.

Osciloscopio
Multmetro digital
Transformador
Miliampermetro cc
Cables conectores y coaxiales.
Resistencias: 100,1k, 10k.
Diodos: 4x1N4004.

PROCEDIMIENTO
a.

Verificar los componentes con el multmetro digital, llenar las tablas.

Resistores
Tericos
Medido

Diodos
Directa
Inversa

R1
100
98.6

R2
1k
1.33k

D1
33k

R3
10k
9.94k

Capacitores
Terico
Medido

D2
34k

C1
100uF
****

D3
34k

C2
470uF
***

C3
1000uF
***

C4
2200uF
***

D4
34k

(**** Es porque no se pudo medir con el multmetro)

b.

Armar el circuito de la figura 1 y medir lo indicado.

RL
C
Vop-p
Vorms
Vodc
Vsrms
Iodc

RL
C
Vop-p
Vorms
Vodc
Vsrms
Iodc

Sin C
5v
3.53v
2.53v
6.43v
1.9mA

1K
100uF
0.44v
231.1mv
7.62v
6.43v
5.6 mA

2200uF
0.048v
18.6 mv
7.81v
6.43v
3.9 mA

Sin C
5v
3.27v
2.62v
6.43v
0.30 mA

10k
100uF
0.09v
36 mv
8.07v
6.43v
0.8 mA

2200uF
20 mv
6.9 mv
8.12v
6.43v
0.8 mA

c.

Colocar el condensador de 100 y 2200uF y llenar el cuadro anterior. Anotar las observaciones.
Usar la fila Vorms como Vrp-p cuando se usen condensadores (con un voltmetro Ca).
Utilizar el O.R.C en Dc para medir la componente continua y sobre el eje de 0v y en Ac para
las componentes alternas de salida.
Dibujar las formas de onda obtenidas.

d.

Para el rectificador de onda completa de la figura 2 medir:

Sin C
5.09vp
2.688v
4.835v
6.43v
4.9mA

1K
100uF
0.63v
144mv
7.47v
6.43v
7.6 mA

2200uF
0.015v
9.8mv
7.58v
6.43v
7.7 mA

Sin C
5.09vp
2.708
5.012v
6.43v
0.5 mA

10k
100uF
0.0381
18
7.98v
6.43v
0.8 mA

2200uF
2.54
4.4
8v
6.43v
0.8 mA

10

Colocar el condensador de 100 y 2200uF en paralelo a RL y llenar el cuadro anterior.

Anotar las observaciones. Dibujar las formas de Onda Obtenidas.

e.

RL
C
Vop-p
Vorms
Vodc
Vsrms
Iodc

Armar el circuito de la figura 3, procediendo como en los casos anteriores:

Sin C
9.57v
5.36v
9.94v
6.43v
1mA

f.

1K
100uF
0.076v
54.1mV
15.74v
6.43v
1.6 mA

2200uF
0.09v
3.4mV
15.9v
6.43v
1.6 mA

Sin C
10.82v
5.33v
9.68v
6.43v
9.8 mA

10k
100uF
0.636v
318.7mV
15.08v
6.43v
15.5 mA

2200uF
0.038v
16.5mV
15.2v
6.43v
15.5 mA

Colocar el condensador de 100 y 2200 uf en paralelo a RL y llenar el cuadro anterior. Anotar las
observaciones. Dibujar las formas de onda obtenidas.

11

4. Conclusiones.
En esta oportunidad se han visto 3 tipos de rectificadores de media y doble onda y
puente, en la rectificacin de media onda se observa que el voltaje en la carga aumenta
hasta su tope mximo y disminuye mantenindose en el cuadrante positivo. Para la
doble onda ya se tena una mejor seal as como en el puente pero la diferencia es que
en el puente como se vio en el marco terico, en todo momento hay corriente circulando
por la carga y es debido a que ya no hay interrupciones de 0v que el voltaje se
incrementa y la curva es ms suave adems de producir una mejor rectificacin al
momento de colocar el filtro.

12

EXPERIENCIA 2

I.

Objetivos: proporcionar los conocimientos necesarios a fin de comprender

correctamente la prctica de los LEDs.

II.

Marco Terico
EL DIODO EMISOR DE LUZ
El uso creciente de pantallas digitales en calculadoras, relojes y en todas las formas de
instrumentos, ha contribuido a un gran inters sobre estructuras que emiten luz cuando se
polarizan apropiadamente. Los dos tipos de uso comn que realizan esta funcin son el diodo
emisor de luz (LED, por sus siglas en ingls) y la pantalla de cristal lquido (LCD, por sus siglas
en ingls).
Como el LED queda dentro de la familia de dispositivos de unin pn y aparecen en algunas de
las redes de los siguientes captulos, se presentar en este captulo. La LCD se describe en el
captulo 16.
Como su nombre lo implica, el diodo emisor de luz es un diodo que emite luz visible o invisible
(Infrarroja) cuando se energiza. En cualquier unin pn polarizada en directa se da, dentro de la
estructura y principalmente cerca de la unin, una recombinacin de huecos y electrones.
Esta recombinacin requiere que la energa procesada por los electrones libres se transforme en
otro estado. En todas las uniones p-n semiconductoras una parte de esta energa se libera en
forma de calor y otra en forma de fotones.
En diodos de Si y Ge el mayor porcentaje de la energa convertida durante la recombinacin en la
unin se disipa en forma de calor dentro de la estructura y la luz emitida es insignificante.
Por esta razn, el silicio y el germanio no se utilizan en la construccin de dispositivos LED.
Por otra parte:
Los diodos construidos de GaAs emiten luz en la zona infrarroja (invisible) durante el proceso
de recombinacin en la unin pn. Aun cuando la luz no es visible, los LED infrarrojos tienen
numerosas aplicaciones donde la luz visible no es un efecto deseable. stas incluyen sistemas de
seguridad, procesamiento industrial, acoplamiento ptico controles de seguridad como abre
puertas de cochera y centro de entretenimiento domsticos, donde la luz infrarroja del control
remoto es el elemento de control.
Mediante otras combinaciones de elementos se puede generar una luz visible coherente. La tabla
1.8 proporciona una lista de semiconductores compuestos comunes y la luz que generan.
Adems comprende tambin el intervalo de potenciales de polarizacin en directa de cada uno.

En la figura 1.51 aparece la construccin bsica de un LED con el smbolo estndar utilizado
para el dispositivo. La superficie metlica conductora externa conectada al material tipo
p es ms pequea para permitir la salida del mximo de fotones de energa luminosa cuando el
dispositivo se polariza en directa. Observe en la figura que la recombinacin de los portadores
inyectados producida por la unin polarizada en directa produce luz emitida en el sitio de la
recombinacin. Habr, desde luego, algo de absorcin de los paquetes de energa de fotones en la
estructura misma, pero se puede liberar un gran porcentaje, como se muestra en la figura.
Al igual que los diferentes sonidos tienen espectros de frecuencia diferentes (en general los
sonidos agudos tienen componentes de alta frecuencia y los sonidos bajos tienen varios
componentes de baja frecuencia), lo mismo es cierto para las diferentes emisiones de luz.

13

El espectro de frecuencia de la luz infrarroja se extiende desde 100 THz (T = Tera =1012) hasta
400 THz, con el espectro de luz visible desde aproximadamente 400 hasta 750 THz.
Es interesante sealar que la luz invisible tiene un espectro de menor frecuencia que la visible.
En general, cuando hablamos de la respuesta de dispositivos electroluminiscentes, nos referimos
a sus longitudes de onda y no a su frecuencia.
Las dos cantidades estn relacionadas por la siguiente ecuacin:

Donde
c =3 x108 m/s (es la velocidad de la luz en el vaco)
f= frecuencia en Hertz
l =longitud de onda en metros

III.

Materiales y equipos

Un LED tipo TIL 203.

Un multmetro a pilas.
Un miliampermetro de 10mA.
Un voltmetro de 5v.
Fuente regulable.

14

Procedimiento
1.

Realizar el siguiente circuito.

2.

Variando el voltaje de alimentacin, obtenga el voltaje Vd. de acuerdo con los valores del
cuadroN1; mida y anote el valor de la corriente del diodo (Id).
Cuadro N1
Vd.(v)
0.5
Id(mA)
0

3.

1
0

1.6
0.01

1.7
0.23

1.8
1.43

1.9
4.2

2.0
8.6

Con los datos obtenidos en el cuadro N1, trazar la curva correspondiente considerando Id=F
(Vd.).

10
9
8
7

Id(mA)

IV.

6
5
4
3
2
1
0
-1 0

0.5

1.5

2.5

Vd(v)

4.

Disminuya el voltaje de alimentacin a 0v, luego invierta el LED y repita la medidas

anteriores de acuerdo al cuadro N2.
+Vd.(v)
Id(mA)

0.5
0

1
0

1.4
0

1.5
0

1.6
0

1.7
0

1.8
0

15

Corriente

0.8
0.6
0.4
0.2
0
0

0.5

1.5

Voltaje

5.
6.

V.

Qu pasa con el LED? se ilumina? No

Cundo trabaja correctamente el LED?
Cuando esta polarizado directamente.

Conclusiones
Aunque este dispositivo tenga uno de los funcionamientos ms sencillos, sus aplicaciones se
expanden a todos los campos. En el primer grafico se observa que mientras se le aplica
aumentando en forma progresiva el voltaje al diodo, este no empieza a conducir hasta que
sobrepasa el umbral de 1.6-1.7v aprox. Y para el caso de la polarizacin inversa simplemente no
conduce o la corriente que circula es I<< 0. En resumen el led solo va a conducir y emitir luz
cuando este polarizado directamente.
Para identificar como polarizar el LED se aprecia que el terminal positivo es ms largo que el
negativo.

16

EXPERIENCIA 3

I.

Objetivos
Dar los conocimientos necesarios para la comprensin practica del funcionamiento
del diodo Zener.

II.

Marco terico.
La regin Zener de la figura 1.45 se analiz con algn detalle en la seccin 1.6. La caracterstica
Cae casi verticalmente con un potencial de polarizacin en inversa denotado VZ. El hecho de
Que la curva caiga y se aleje del eje horizontal en vez de elevarse y alejarse en la regin de VD
positivo, revela que la corriente en la regin Zener tiene una direccin opuesta a la de un diodo
polarizado en directa. La ligera pendiente de la curva en la regin Zener revela que existe un
nivel de resistencia que tiene que ser asociado al diodo Zener en el modo de conduccin.

Esta regin de caractersticas nicas se emplea en el diseo de diodos Zener, cuyo smbolo
grfico aparece en la figura 1.46a. El diodo semiconductor y el diodo Zener se presentan uno al
lado del otro en la figura 1.46 para asegurarse de que la direccin de conduccin de cada uno se
entienda con claridad junto con la polaridad requerida del voltaje aplicado. En el caso del diodo
semiconductor el estado encendido soportar una corriente en la direccin de la flecha del
smbolo.
Para el diodo Zener la direccin de conduccin es opuesta a la de la flecha del smbolo, como se
seal en la introduccin de esta seccin. Observe tambin que la polaridad de VD y VZ es la
misma que se obtendra si cada uno fuera un elemento resistivo como se muestra en la figura
1.46c.

La ubicacin de la regin Zener se controla variando los niveles de dopado. Un incremento del
dopado que aumenta la cantidad de impurezas agregadas reducir el potencial Zener. Estn
disponibles diodos Zener con potenciales de 1.8 V a 200 V y coeficientes de potencia de 1/4W a
50 W. Por sus excelentes capacidades de corriente y temperatura, el silicio es el material
preferido en la fabricacin de diodos Zener.
Sera fantstico suponer que el diodo Zener es ideal con una lnea vertical recta en el potencial

17

Zener. Sin embargo, hay una ligera inclinacin de las caractersticas que requieren el modelo por
segmentos que aparece en la figura 1.47 de esa regin. En la mayora de las aplicaciones que
aparecen en este texto el elemento resistivo en serie puede ser ignorado y se emplea el modelo
equivalente reducido de slo una batera de cd de VZ volts. Como algunas aplicaciones de los
diodos Zener oscilan entre la regin Zener y la regin de polarizacin en directa, es importante
entender la operacin del diodo Zener en todas las regiones. Como se muestra en la figura 1.47,
el modelo equivalente de un diodo Zener en la regin de polarizacin en inversa por debajo de
VZ es un resistor muy grande (como en el caso del diodo estndar). Para la mayora de las
aplicaciones esta resistencia en tan grande que puede ser ignorada y se emplea el equivalente de
circuito abierto.

III.

Materiales y equipos

Diodo Zener para 6.3v.

Un Multmetro a pilas.
Un miliampermetro de 50mA.
Un Voltmetro de 20v.
Una resistencia de 1k.

18

IV.

Procedimiento
1. Realizar el circuito de la figura 1A.

2.
Val(v)
Iz
(mA)
Vz (v)

3.

Variando el voltaje de alimentacin, completar los datos solicitados en la tabla N 1.

0.5

1.2

1.4

2.5

0.0005
0.499

0.044
0.642

0.0669
0.654

0.0918
0.663

0.7
0.722

1.39
0.725

1.7
0.747

2.4
0.758

3.2
0.766

3.9
0.772

4.6
0.778

5.4
0.783

Qu comportamiento tiene el diodo zener para la figura 1A?

En la figura 1 el comportamiento del zener es como si fuera un diodo semiconductor comn
as como lo podemos comprobar en la grfica:

5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
4.

0.2

0.4

0.6

0.8

Invierta la posicin del diodo zener de acuerdo a la figura 1B y completar la tabla N2

variando los valores del voltaje de alimentacin.
Val(v)

10

12

15

20

25

30

19

Iz(mA)
Vz(v)

5.

0
9.99

0.02
11.84

2
11.94

5.9
12.08

9.5
12.17

13.5
12.29

Qu comportamiento tiene el diodo zener en la figura N 1B?

Para este circuito en el cual el diodo zener esta polarizado inversamente, se puede ver que el
voltaje entre sus terminales no vara aun cuando la corriente aumenta, esto se puede
observar en la siguiente grfica:

16
14
12
10
8
6
4
2
0
-2

V.

10

12

14

CONCLUSIONES.
Hemos observado como el zener polarizado en forma inversa puede servir como un
regulador de voltaje, y este voltaje dependera de las caractersticas propias del zener y esto
puede ser aprovechado para circuitos electrnicos ya que los dispositivos como algunos
integrados requieren un voltaje especfico para funcionar. En la polarizacin directa
observamos el comportamiento de la funcin exponencial como cualquier diodo, incluso el
voltaje umbral de 0.7v a ms.

20

EXPERIENCIA 4
I.

Objetivos.
Ver cmo se comporta el Diac ante un voltaje externo y su posible aplicacin.

II.

Marco terico
El Diac
El diac es bsicamente una combinacin inversa en paralelo de dos terminales de capas
semiconductoras
Que permite la activacin o disparo en cualquier direccin. Las caractersticas del dispositivo
presentadas en la figura 17.30a demuestran con claridad que hay un voltaje de conduccin en
cualquiera de las dos direcciones. Se puede aprovechar al mximo la condicin de encendido en
cualquiera de las dos direcciones en aplicaciones de ca.

La disposicin bsica de las capas semiconductoras del diac se muestra en la figura 17.30b, junto
con su smbolo grfico. Observe que ninguna de las terminales se designa como ctodo.
En cambio, hay un nodo 1 (o electrodo 1) y un nodo (o electrodo 2). Cuando el nodo 1 es
positivo con respecto al nodo 2, las capas semiconductoras de inters particular son p1n2p2 y
n3.
Para el nodo 2 positivo con respecto al nodo 1, las capas aplicables son p2n2p1 y n1.
Para la unidad que aparece en la figura 17.30, los voltajes de ruptura son muy parecidos en
cuanto a magnitud aunque pueden variar desde un mnimo de 28 V hasta un mximo de 42 V.
Estn relacionados por la siguiente ecuacin provista en hoja de especificaciones:

III.

Materiales y equipos.

Un Diac DO3.
Un multmetro a pilas.
Un miliampermetro de 20mA.
Una resistencia de 4.7k.

21

IV.

Procedimiento.
1.

Realizar el siguiente circuito:

2.

Variando la tensin de alimentacin partiendo de cero, determinar los valores de V2 e I con

cada valor de V1.
En correspondencia de largas variaciones de la intensidad I variar esmeradamente el voltaje
v1. Anotar los valores obtenidos en la tabla correspondiente.

3.

4.

Vcc
Vd.
I(mA)

24
21.01
0

26
23.65
0.05

28
24
0.2

Vcc
Vd.
I(mA)

36
24.98
1.6

38
24.74
2.1

40
24.57
2.58

46
24.07
4.01

30.5
25.2
0.41
50
23.82
4.87

31.6
25.5
0.58

32
25.33
0.67

33
25.36
0.88

33.4
25.26
1

34
25.17
1.18

54
23.6
5.8

Invierta las conexiones del DIAC y repetir las mediciones llevando los valores a la parte
correspondiente de la tabla.
Vcc
24
26
28
30
30.5 31.6 32
33
33.4
34
Vd.
-21
-23.5
-24
-25
-25.1 -25.4 -25.3
-25.3
-25.3
-25.1
I(mA) 0
-0.05
-0.2 -0.35
-0.41 -0.58 -0.67
-0.88
-1
-1.18

Vcc
Vd.
I(mA)

5.

30
25.04
0.35

36
-24.9
-1.6

38
-24.7
-2.1

40
-24.6
-2.58

46
-24
-4.01

50
-23.8
-4.87

54
-23.6
-5.8

Trazar la grfica I=F (v) y observe el comportamiento general de la curva.

22

8
6

Corriente zener

-30

2
0
-20

-10

10

20

30

-2
-4
-6
-8
Voltaje zener

V.

Conclusiones.
Se concluye con esta experiencia que el Diac conduce cuando llega a superar su voltaje de pico
ya sea polarizado en cualquier sentido. Efectivamente este dispositivo puede ser utilizado como
arranque ya que depende del voltaje que le apliquemos, para nuestro Diac el voltaje es de 26v
aprox. Para agregar una forma de comprobar si nuestro Diac funciona basta con el ohmmetro, ya
que en ambos sentidos debe marcar una resistencia muy alta.

23

EXPERIENCIA 5
I.

II.

Objetivos
Proporcionar el conocimiento sobre la polarizacin del BJT
Marco terico.
TRANSISTOR BIPOLAR.
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas
de material tipo n y una de material tipo p o de dos capas de material tipo p y una de
material tipo n. El primero se llama transistor npn y el segundo transistor pnp.
Ambos se muestran en la figura 3.2 con la polarizacin de cd apropiada. En el
captulo 4 veremos que la polarizacin de cd es necesaria para establecer la regin
de operacin apropiada para la amplificacin de ca. La capa del emisor est muy
dopada, la base ligeramente, y el colector slo un poco dopado. Los grosores de las
capas externas son mucho mayores que las del material tipo p o n emparedado. Para
los transistores mostrados en la figura 3.2 la relacin entre el grosor total y el de la
capa central es de 0.150/0.001=150:1. El dopado de la capa emparedada tambin es
considerablemente menor que el de las capas externas (por lo comn de 10:1 o
menor). Este menor nivel de dopado reduce la conductividad (incrementa la
resistencia) de este material al limitar el nmero de portadores libres.
Con la polarizacin mostrada en la figura 3.2, las terminales se identificaron por
medio de las letras maysculas E para emisor, C para colector y B para base. La
conveniencia de esta notacin se pondr de manifiesto cuando analicemos la
operacin bsica del transistor. La abreviatura BJT (de bipolar junction transistor) se
suele aplicar a este dispositivo de tres terminales. El trmino bipolar refleja el hecho
de que huecos y electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el material
opuestamente polarizado. Si se emplea slo un portador (electrn o hueco), se
considera que es un dispositivo unipolar. El diodo Schottky del captulo 16
pertenece a esa clase.
Operacin del transistor.

A continuacin describiremos la operacin bsica del transistor utilizando el

transistor pnp de la figura 3.2a. La operacin del transistor npn es exactamente la
misma con los roles de los electrones y huecos intercambiados. En la figura 3.3 se
volvi a dibujar el transistor pnp sin polarizacin entre la base y el emisor. Observe
las semejanzas entre esta situacin y la del diodo polarizado en directa en el captulo
1. El ancho de la regin de empobrecimiento se redujo a causa de la polarizacin
aplicada y el resultado fue un intenso flujo de portadores mayoritarios del material
tipo p al material tipo n. Eliminemos ahora la polarizacin de la base al emisor del
transistor pnp de la figura 3.2a como se muestra en la figura 3.4. Considere las
semejanzas entre esta situacin y la del diodo polarizado en inversa de la seccin
1.6. Recuerde que el flujo de portadores mayoritarios es cero, y el resultado es slo un flujo de
portadores minoritarios, como se indica en la figura 3.4. En suma, por consiguiente:
La unin p-n de un transistor se polariza en inversa en tanto que la otra se
polariza en directa.

En la figura 3.5 se aplicaron ambos potenciales de polarizacin a un transistor pnp, con los flujos
de portadores mayoritarios y minoritarios resultantes indicados. Observe en la figura 3.5 los
anchos de las regiones de empobrecimiento donde se ve con claridad cul unin es polarizada en

24

directa y cual lo est polarizada en inversa. Como se indica en la figura 3.5, una gran cantidad de
portadores mayoritarios se difundir a travs de la unin pn polarizada en directa hacia el
material tipo n. La pregunta es entonces si estos portadores contribuirn directamente con la
corriente de base IB o si pasarn directamente al material tipo p. Como el material tipo n
emparedado es muy delgado y su conductividad es baja, un nmero muy pequeo de estos
portadores tomarn esta ruta de alta resistencia hacia la base. La magnitud de la corriente de base
es por lo general del orden de micro amperes, en comparacin con los mili amperes de las
corrientes del emisor y el colector. El mayor nmero de estos portadores mayoritarios se
difundir a travs de la unin polarizada en inversa hacia el material tipo n conectado al colector
como se indica en la figura 3.5. La razn de la facilidad relativa con que los portadores
mayoritarios pueden atravesar la unin polarizada en inversa es fcil de entender si consideramos
que en el caso del diodo polarizado en inversa los portadores mayoritarios inyectados aparecern
como portadores minoritarios en el material tipo p. En otras palabras, ha habido una inyeccin de
portadores minoritarios en el material tipo n de la regin de la base. Si se combina esto con el
hecho de que todos los portadores minoritarios de la regin de empobrecimiento atravesarn la
unin polarizada en inversa de un diodo explica el flujo indicado en la figura 3.5.

Aplicando la ley de las corrientes de Kirchhoff al transistor de la figura 3.5 como si fuera un
nodo nico obtenemos.

Configuraciones del transistor

25

Recta de carga:
Al aplicar la 2 Ley de Kirchhoff a la malla formada por la tensin de
alimentacin, resistencia de colector, colector y emisor, se obtiene la relacin
entre la corriente de colector y la tensin colector emisor, dependiendo de la
resistencia de carga (Rc). Refleja todos los puntos posibles de funcionamiento
que pueden darse cumpliendo la ecuacin de malla del colector.
Para definir la recta de carga, se hallan los dos puntos de interseccin de la
recta con los ejes.

III.

Material.
Transistor 2N3904.
Resistencias 3k, 500k, 1k, 10k.
Multmetro.
Fuente de CC.
Cables conectores.
Mili y micro ampermetro.

IV.

Procedimiento.
1.

Implemente el siguiente circuito:

26

2.
Vcc
12v

Vcc
12v

VBE
0.712v

VBE
0.654

Vcc
12v

VE
0

VE
0.425

VBE
0.724

Vc
0.477v

Vc
0.425

VE
3.54

Llene la tabla 1:

VB
0.712v

VB
0.299

Vc
-3.47

VCE
0.447v

VCB
-0.23v

VRc
11.52

3.

Implemente la figura 2:

4.

Llene la tabla N2.

VR1
1.079v

VC
9.885

VRc
1.266

VRb
11.3

VCE
10.31

Ic
3.82mA

VR2
10.92

VCB
9.63

Ib
22.5uA

Ic
425uA

Ie
3.9mA

Ib
2.3uA

Ie
66uA

5. En la figura 2 cambie R2 por R1 y llenar otra tabla igual que la 2.

VB
VR1
VRc
VCE VR2
VCB
Ic
Ib
-2.8
4.265
8.4
0.061 7.74
-0.664 2.82mA
0.7mA
6.

VBC
0.251v

Ie
3.58mA

Para todos los casos anteriores Hallar el punto de trabajo del transistor y
ubicar en la recta de carga.
Para el primer circuito segn lo observado en la recta de carga podemos
apreciar que est trabajando el transistor pero que se encuentra muy cerca
de la zona de corte.

4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-2

10

12

14

Series1

27

Ic(uA)

Para el segundo circuito se puede apreciar la segunda recto de carga:

4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
-500 0

Series1

10

15

Vce

Para el ltimo circuito invirtiendo las resistencias

V.

Conclusiones
Hemos visto como las distintas formas de polarizacin producen efectos
distintos, como en el primer circuito que el punto de operacin se acerca a la
zona de saturacin, mientras que en la polarizacin tipo H tiende a la zona de
corte.
Cuando invertimos las resistencias claramente se observa que el transistor no
trabaja ya que se encuentra fuera de la lnea de carga esto debido a que la
corriente de B es mayor que la de C.

28

EXPERIENCIA 6
I.

II.

Objetivos
Proporcionar todo lo necesario a fin de lograr los conocimientos del UJT como
generador de pulsos.
Marco terico
El reciente inters en el transistor monunin (UJT), al igual que en el SCR, ha
estado aumentando a un ritmo notable. Aunque se present por primera vez en
1948, el dispositivo estuvo disponible hasta 1952. El bajo costo por unidad
combinado con las excelentes caractersticas del dispositivo han asegurado su
uso en una amplia variedad de aplicaciones, como osciladores, circuitos de
disparo, generadores de diente de sierra, control de fase y circuitos
temporizadores, redes biestables y fuentes reguladas por corriente o voltaje. El
hecho de que este dispositivo sea, en general, un dispositivo que absorbe poca
potencia en condiciones de operacin normales, es una gran ayuda en el
esfuerzo continuado de disear sistemas relativamente eficientes.
El UJT es un dispositivo de tres terminales cuya construccin bsica se
muestra en la figura 17.35. Una pastilla de material de silicio tipo n levemente
dopado (caracterstica de resistencia incrementada) tiene dos contactos base
fijados a los dos extremos de una superficie y una barra de aluminio ligada a
la superficie opuesta. La unin tipo p-n se forma en el lmite de la barra de
aluminio y la pastilla de silicio tipo n. La unin p-n nica explica la
terminologa monounin. Originalmente se llamaba diodo de base de base
doble (duo) por la presencia de dos contactos de base. Observe en la figura
17.35 que la barra de aluminio est ligada a la pastilla de silicio en un punto
ms cercano al contacto de base 2 que el contacto de base 1 y que la terminal
de base 2 se hizo ms positiva con respecto a la terminal de base 1 por VBB
volts. El efecto de cada uno se constatar en los prrafos siguientes.

29

Grficos del oscilador.

III.

Materiales y equipos

IV.

Un UJT tipo 2N2160

Un multmetro a pilas
Osciloscopio.
Resistencias
Condensador 1pF.

Procedimiento
a. Monte el circuito de la figura.

a)

Observar la forma de onda e el ORC:

Para el voltaje de la base 1 se observa:

30

Para la base 2 podemos observar:

b)
c)
V.

Variar el potencimetro y observar

Variar el condensador y observar.

Conclusiones
Hemos visto cmo se puede generar pulsos a travs de un UJT, se observa que para la base 1 los
pulsos son positivos y para la base 2 son negativos. El periodo de los pulsos depende del valor de
resistencia R3 que le asignemos, mientras que la amplitud depende del condensador usado.
Efectivamente estos pulsos pueden servir para disparar otros dispositivos, ya que tienen la
caracterstica de poder controlar su amplitud y frecuencia con lo ya mencionado.

31

Oscilador Practico con PUT

I. OBJETIVOS:

Proporcionar las caractersticas y la prueba de los PUT para poder emplear

correctamente.

II. MATERIALES Y EQUIPOS:

Un PUT tipo 2N6027.
Una fuente de alimentacin.
Resistencias de 180K, 16K y 56 ohm.
Un potencimetro de 20K.
Osciloscopio.
Un condensador de 2200nF

III. CARACTERISTICAS DE UN PUT:

El PUT (Transistor Uniunin programable) es un dispositivo que, a
diferencia del transistor bipolar comn que tiene 3 capas (NPN o PNP), tiene 4 capas.
El PUT tiene 3 terminales como otros transistores y sus nombres son:
ctodo K, nodo A, puerta G.
A diferencia del UJT, este transistor permite que se puedan controlar los
valores de RBB y VP que en el UJT son fijos. Los parmetros de conduccin del PUT
son controlados por la terminal G
Este transistor tiene dos estados: Uno de conduccin (hay corriente entre A y
K y la cada de voltaje es pequea) y otro de corte cuando la corriente de A a K es
muy pequea.
Este transistor se polariza de la siguiente manera:
Cuando IG = 0,
VG = VBB * [ RB2 / (RB1+RB2) ]
VG = n x VBB
donde: n = RB2 / (RB1+RB2)

32

La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que las

resistencias: RB1 + RB2 son resistencias internas en el UJT, mientras que el PUT estas
resistencias estn en el exterior y pueden modificarse.
Aunque el UJT y el PUT son similares, El Ip es ms dbil que en el UJT y la
tensin mnima de funcionamiento es menor en el PUT.

IV. PROCEDIMIENTOS:
1. Implementamos el siguiente circuito:
VCC

R1

R3

180k

10k

PUT
2N6028

RV1

C1

R2
56

220nF
47K

2. Ajustando el amplificador vertical del osciloscopio para operar en modo cd,

tambin ajustamos la deflexin vertical y el barrido horizontal segn sea
necesario. Conectamos las puntas de entrada vertical entre el nodo y ctodo del
PUT.

33

3. Ahora conectamos las puntas de entrada vertical entre

34

V. CONCLUSIONES:

Observamos que el condensador se carga a travs de la R=180K ohm hasta

alcanzar un voltaje de pico (Vp). Al alcanzar Vp, el PUT dispara y fluye la
corriente de nodo. Entonces el condensador se descarga a travs del
circuito de baja impedancia de nodo-ctodo. Cuando el condensador se
descarga en forma suficiente, la corriente de nodo cae por debajo del valor
necesario para mantenerla en conduccin, lo que hace que el PUT se apague
y la accin se repita continuamente.

35

36