Tipos de Empaquetamiento: Los tipos de empaquetamientos mas comunes son:
Empaquetamiento hexagonal compacto y empaquetamiento, pero tambin puede darse un tercer tipo en algunos metales, este es el empaquetamiento cbico centrado en el cuerpo. Empaquetamiento hexagonal compacto: Los tomos se disponen en capas. La segunda capa (B) se dispone sobre los huecos de la primera capa (A). La tercera capa se coloca sobre los huecos de la segunda de forma que coincida sobre la primera. Ejemplos son el magnesio y el cinc. Empaquetamiento cbico compacto: La tercera capa (C) se dispone sobre los huecos de la segunda que coinciden con huecos de la primera. La cuarta capa coincide con la primera. La estructura resultante est formada por cubos centrados en la cara. Ejemplos son el aluminio, cobre, plata y oro. Empaquetamiento cbico centrado en el cuerpo: Es una tercera estructura que presentan algunos metales como hierro, sodio o potasio y que no es compacta. El nmero de coordinacin es 8. Empaquetamiento Cbica Primitiva: El nmero de coordinacin es de 6 y la compacidad del 52%. Funcin de Espacio Libre en Algunos tipos de Empaquetamiento: Fraccin del espacio de la celda unitaria ocupada por los tomos, suponiendo que stos son esferas slidas. FRACCION DE ESPACIO LIBRE EN ALGUNOS TIPOS DE EMPAQUETAMIENTOS Fraccin de empaquetamiento
La fraccin de empaquetamiento ( fe ) es la fraccin de espacio ocupado en la celdilla. Matemticamente:
Si nicamente existe un tipo de tomos, y stos se consideran esferas perfectas de radio r, entonces la fraccin de empaquetamiento se calcular como:
Siendo n, el nmero de tomos que contiene la celdilla Vc, el volumen de la celdilla unidad
Si existiera ms de un tipo de tomos, entonces la definicin ha de extenderse del modo siguiente:
Siendo ni el nmero de tomos de la especie i ri, el radio atmico de la especie i
El concepto de fraccin de empaquetamiento, referida a un volumen, puede extenderse a una superficie o una direccin, basndonos en las respectivas concentraciones superficiales o lineales. As, definiremos la fraccin de empaquetamiento superficial sobre el plano (h k l) como:
donde n es el nmero de tomos con centro en una regin del plano de rea A.
Del mismo modo, la fraccin de empaquetamiento lineal a lo largo de la direccin [h k l] se definir como:
donde n es el nmero de tomos centrados en un segmento de longitud L sobre la direccin considerada.
DEFECTOS RETICULARES Pueden ser: 1. Puntuales 2. Lineales 3. Superficiales 4. Volumentricos 1. Puntuales. a. Vacancias: Hueco debido a la ausencia del tomo que se encontraba en esa posicin de la red. b. tomo Sustitucional e Intersticial: Se trata de la presencia de tomos extraos (impurezas o aleantes) en puntos reticulares o en huecos de la estructura cristalina de un metal puro, o de un cristal covalente o inico.
2. lineales. Dislocaciones: son defectos asociados a la presencia de planos reticulares anmalos en el cristal, tanto por su ubicacin como por su orientacin.
3. Superficiales. a. Bordes de Grano: Los bordes de grano se crean en los metales durante la solidificacin, cuando los cristales formados a partir de diferentes ncleos crecen simultneamente y se encuentran unos con otros Su aspecto queda determinado por las restricciones impuestas por el crecimiento de los granos vecinos.
b. Lmites de maclas: es un tipo especial de borde de grano respecto al cual existe una simetra de red; los tomos de un lado de ese plano son como imgenes de los tomos que se encuentran al otro lado.
C. Fallas de Apilamiento: Son regiones que presentan una estructura cristalina diferente a la del metal original.
4. Volumtricos: a. Poros b. Grietas. c. Inclusiones. d. Precipitados. a.Poros: d.Los precipitados son segundas fases que se forman en las aleaciones metlicas debido a la disminucin de solubilidad de las soluciones slidas. El precipitado posee una red cristalina propia, distinta de la del cristal.
Defectos Intrnsecos: son los defectos naturales, propios del material, salto de los propios tomos. Equilibrio de defectos de Schotty y Frenkel: Este defecto es una combinacin entre el defecto de vacancia e intersticial, donde un tomo que se encuentra en un lugar normal de la estructura cristalina salta hacia un lugar intersticial dejando as una vacancia. Defecto de Schotty: Es un par de vacancias que se presentan en los cristales inicos, donde se debe mantener un equilibrio en la estructura cristalina. Cuando se deja una vacancia de un anin, tambin debe dejarlo un catin para mantener un equilibrio en la red. Debe encontrarse la misma cantidad de aniones que de cationes. La formacin de un defecto requiere un consumo de energa, pero conlleva un aumento de entropa, que puede compensarla. Las concentraciones de defectos Schottky (nS) y Frenkel (nF) pueden calcularse: nS = N exp (-HS/2RT) nF = (N Ni)1/2 exp (-HF/2RT) N = nmero de posiciones reticulares Ni = el nmero de posiciones intersticiales. Defectos extrnsecos: Son generalmente formados por el dopado de un cristal, se decir, provienen de impurezas, precipitados, etc. Efectos del Dopado Sobre el Equilibrio Qumico: Si en un cristal de Si (s2p2) se sustituyen algunos tomos por B (s2p1) la banda de valencia tendr algunos huecos que conducirn. La conductividad ser proporcional al nmero de huecos positivos y por eso se llama un semiconductor tipo p. Si el dopaje se hace con fsforo (s2p3) hay electrones de ms, que ocupan parcialmente la banda de conduccin; la conductividad ser proporcional al nmero de cargas negativas en la banda de conduccin (semiconductor tipo n). Conductividad Inica: En la conductividad inica, la carga es transportada por iones. Como los iones no pueden viajar fcilmente a travs del slido, la conductividad inica slo se da en sales fundidas o en disolucin. Las disoluciones que presentan conductividad inica se llaman electrolticas, y los compuestos que las producen, electrlitos. Defectos Lineales: Son las dislocaciones, alineaciones rectas, quebradas o curvas de tomos en los cuales uno de los enlaces posibles no existe. Se extienden en una direccin, y afectan a una fila de puntos de red. Dislocaciones: son defectos de la red cristalina de dimensin uno, es decir que afectan a una fila de puntos de la red de Bravais. Las dislocaciones estn definidas por el vector de Burgers, el cual permite pasar de un punto de la red al obtenido tras aplicar la dislocacin al mismo. Las dislocaciones suceden con mayor probabilidad en las direcciones compactas de un cristal y son sumamente importantes para explicar el comportamiento elstico de los metales, as como su maleabilidad, puesto que la deformacin plstica puede ocurrir por desplazamiento de dislocaciones. Defectos Planares: Los defectos planares ms importantes son los planos de deslizamiento cristalogrficos (crystallographic shear planes, CS), que es la respuesta de xido superiores de Ti, Mo y W a deficiencia de oxigeno y las estructuras interpenetradas (bronces de wolframio). Superficies e Interfaces: Las superficies de borde se denominan lmites de grano, aunque a veces ese trmino se reserva para cuando los cristales en contacto son del mismo mineral y se llaman entonces interfases a los que son de minerales distintos. Las superficies de dislocacin son superficies con una gran concentracin de dislocaciones que dividen al grano en dos partes denominadas en general subgranos
Slidos amorfos Esto significa que, si pudiramos ver el cristal a escala molecular, veramos que sus molculas estn relativamente fijas en sus posiciones, pero la disposicin no es regular. Algo as como si mezclramos muchas partculas de la misma forma con una melaza muy viscosa. Las partculas tendran poca libertad de movimiento, debido a la viscosidad del medio, pero no estaran dispuestas regularmente. Este comportamiento del vidrio es muy caracterstico, y cuando un slido presenta un comportamiento similar decimos que presenta comportamiento vtreo. Hay que aclarar que no todos los slidos amorfos son vtreos.
Los materiales nanoestructurados Incluso los materiales amorfos tienen un poco de orden de corto alcance en la escala de longitud atmica debido a la naturaleza del enlace qumico. Por otra parte, en cristales muy pequeos de una gran fraccin de los tomos estn situados en o cerca de la superficie del cristal; relajacin de la superficie interfacial y efectos distorsionan las posiciones atmicas, disminuyendo el orden estructural. Forma amorfa tienen una mayor velocidad de disolucin en comparacin con cualquier otra forma. Incluso las ms avanzadas tcnicas de caracterizacin estructural, como la difraccin de rayos X y microscopa electrnica de transmisin, tienen dificultad para distinguir entre las estructuras amorfas y cristalinas de estas escalas de longitud.