Transistor BJT

Estructura interna
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo
cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera
quedan formadas tres regiones:
1. Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. u nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
2. !ase, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
3. "olector, de e#tensin mucho mayor.
POLARIZACIN DEL TRANSISTOR BJT
La seleccin del punto de trabajo de un transistor se realiza a travs de diferentes circuitos de
polarizacin que fijen sus tensiones y corrientes.
La polarizacin con una fuente sin resistencia de emisor es poco recomendable por carecer de
estabilidad; bajo ciertas condiciones se puede producir deriva trmica que autodestruye el transistor.
La polarizacin con una fuente es mucho ms estable aunque el que ms se utiliza con componentes
discretos es el circuito de auto polarizacin.
La polarizacin de colector!base ase"ura que el transistor nunca entra en saturacin al mantener su
tensin colector!base positiva.
# continuacin se muestran esquemas de polarizacin y al"unas formulas para poder implementar estos
circuitos.