DEPARTAMENTO DE CIENCIAS EXACTAS

FISICA II PARA ELECTRNICA

INFORME DE EXPOSICIN
NOMBRE: Fernanda Rueda
INSTRUCTOR: Fis. Miguel Chvez
NRC: 1798
FECHA: 24/07/2014
TEMA: Semiconductores
EJERCICIO
Una muestra de Ge tipo N posee una concentracin de impurezas donadoras
dada por ND = 10
15
cm
-3
. Determinar la concentracin de electrones y huecos a
500 K sabiendo que la concentracin intrnseca viene dada por la expresin:

Siendo C = 1.9110
21
m
-3
K
-3/2
, Eg = 0.67 eV.

Datos:
ND = 10
15
cm
-3
C = 1.9110
21
m
-3
K
-3/2

Eg = 0.67 eV

Incgnitas: n,p

Grfico:



Frmulas:
Concentracin intrnseca

=
3
2

2
= .
Concentracin de electrones
=

+

Solucin:
Ge de tipo n
Ley de neutralidad elctrica:
1) =

+
2)

2
= .
Sistema de ecuaciones con dos incgnitas

= 1,91. 10
21
(500)
3
2

0,67
28,610
5
500

= 8,8314 10
21

3

[
1

3
2

3
2
] = [
1

3
]

2
= 7,799 10
43
(

3
)
2


=

+ ;

2
= (

+ ). =

+
2

2
+

2
= 0
=

2
+4

2
2

=
10
21
(10
21
)
2
+ 4 7,799 10
43
2

=
10
21
+1,719 10
22
2

= 8,345 10
21

3



=

=
7,799 10
43
8,345 10
21

= 9,34 10
21