T Senescyt 0055

ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS
INDUSTRIALES Y DE TELECOMUNICACIN

UNIVERSIDAD DE CANTABRIA

Trabajo de Fin de Mster Trabajo de Fin de Mster Trabajo de Fin de Mster Trabajo de Fin de Mster

Nuevas Topologas de Divisores de Potencia
Wilkinson para Frecuencias Duales
(New Topologies Wilkinson Power Divider for Dual
Frequency)

Para acceder al Ttulo de

Mster en Tecnologas de la Informacin y Mster en Tecnologas de la Informacin y Mster en Tecnologas de la Informacin y Mster en Tecnologas de la Informacin y
Comunicaciones en Redes Mviles (TICRM) Comunicaciones en Redes Mviles (TICRM) Comunicaciones en Redes Mviles (TICRM) Comunicaciones en Redes Mviles (TICRM)

Diego Almeida Galrraga

Septiembre 2012

MSTER EN TECNOLOGAS DE LA INFORMACIN Y COMUNICACIONES
EN REDES MVILES (TICRM)

ACTA DE CALIFICACIN

Estudiante (nombre y apellidos): Diego Almeida Galrraga

Director/es del Trabajo de Fin de
Mster (nombre y apellidos):
Alicia Casanueva Lpez

Ttulo:
Nuevas Topologas de Divisores de
Potencia Wilkinson para Frecuencias
Duales.

Title:
New Topologies Wilkinson Power Divider
for Dual Frequency.

Presentado a examen el da: 3 de Septiembre de 2012

COMPOSICIN DEL TRIBUNAL

Presidente (Apellidos, Nombre):

Secretario (Apellidos, Nombre):

Vocal (Apellidos, Nombre):

Este tribunal ha resuelto otorgar la calificacin de:

Fdo.: El Presidente

Fdo.: El Secretario

Fdo.: El Vocal
El Coordinador del mster

En el caso de que el vocal del tribunal asista por
videoconferencia, firmar en su nombre el
coordinador del mster.

Fdo.: El Director del TFM

V B del Subdirector Jefe de
Estudios

RESUMEN

En este trabajo se presentan los resultados tericos y experimentales de
diferentes tipos de divisores de potencia Wilkinson en tecnologa plana que operan en
dos bandas de frecuencia diferentes como un primer paso al estudio de este tipo de
componentes en tecnologa de microondas actualmente. La estructura del divisor de
potencia y las frmulas que se utilizan, se analizan en el proyecto para determinar los
parmetros de diseo. Las simulaciones obtenidas y los resultados experimentales
muestran las caractersticas de trabajo de un divisor de potencia Wilkinson dual. Estos
dispositivos cumplen con ciertas particularidades, como, una potencia dividida igual en
los puertos de salida, adaptacin de impedancia a la entrada como a la salida, un buen
aislamiento entre los puertos y simultneamente dos frecuencias arbitrarias. Adems
se propone algunas estructuras, como esquemas Wilkinson sencillos y divisores de
potencia en banda dual con resonadores de anillos abiertos complementarios CSRRs.

El documento se compone de seis partes importantes, en el primer captulo se
realiza la presentacin del proyecto, a travs de un anlisis completo de estructuras
bsicas relacionadas con esta tecnologa y se establece los objetivos que se desea
alcanzar. A continuacin en el segundo captulo se hace una revisin de las lneas de
transmisin en estructura plana y de resonadores con anillos abiertos en estas
estructuras. En el tercer, cuarto y quinto captulo se exponen consideraciones de
diseo para divisores de potencia Wilkinson y para estructuras que trabajen en bandas
duales de frecuencia. En el sexto capitulo se disean los dispositivos y se analiza los
resultados simulados y medidos en el laboratorio.

DEDICATORIA

Este proyecto que representa la etapa final de mis estudios en el Mster TICRM,
con el cual he alcanzado una meta ms en mi vida profesional e investigativa, se lo
dedico a mi familia que son y sern el apoyo fundamental para alcanzar mis objetivos,
al ngel que siempre me acompaa y es mi fuente de inspiracin y voluntad para seguir
adelante, a mis amigos que estn presentes en cada una de las cosas que me
propongo, a mis profesores y tutora del curso de postgrado. Gracias por la confianza
que depositan en m, para ser una persona grande que quiere cumplir sus sueos.

Diego A. Almeida G.

AGRADECIMIENTOS

Este proyecto tan interesante ha sido realizado gracias en primer lugar a Dios, y
a esa gran inspiracin que tengo en mi vida. Responsables de mi fuerza para crecer
profesionalmente y llegar al trmino de mi carrera.

Un agradecimiento especial y sincero al plan de Becas SENESCYT, por creer en
m y depositar su confianza para capacitarme en este programa de Mster TICRM y de
esta manera ayudar al desarrollo tecnolgico del pas.

A mis padres por su apoyo moral y por ser mi ejemplo de superacin y entrega.
Gracias a mi directora del trabajo de fin de Mster Alicia Casanueva por ser mi gua del
proyecto, con su constante y valiosa orientacin he cumplido los objetivos planteados.
De igual manera siento gratitud con Jessica, David y Jaime por su valiosa colaboracin
y aportacin intelectual en la memoria. As como a todos aquellos profesores y
personas involucradas en mi educacin en ste nuevo perodo post-universitario.

Diego A. Almeida G.

NDICE

CAPTULO I: PRESENTACIN DEL PROYECTO
1.1. Introduccin ...................................................................................................................................... 1
1.2. Objetivos ........................................................................................................................................... 3
1.3. Estado del arte .................................................................................................................................. 4
1.3.1. Trabajos relacionados ............................................................................................................... 4
1.4. Motivacin ........................................................................................................................................ 8

CAPTULO II: ESTUDIO DE LNEAS DE TRANSMISIN EN ESTRUCTURA PLANA
Y RESONADORES DE ANILLOS DIVIDIDOS
2.1. Fundamento Terico ....................................................................................................................... 10
2.1.1. Anlisis cronolgico ................................................................................................................ 10
2.1.2. Tecnologa Microstrip ............................................................................................................. 11
2.1.3. Metamateriales ....................................................................................................................... 13
2.2. Lneas de transmisin en estructura plana. .................................................................................... 14
2.2.1. Microstrip ................................................................................................................................ 16
2.2.2. Lneas Coplanares ................................................................................................................... 19
2.3. Resonadores.................................................................................................................................... 21
2.3.1. SRR .......................................................................................................................................... 22
2.3.2. CSRR ........................................................................................................................................ 23
2.3.3. Lineas basadas en resonadores SRR y CSRR ........................................................................... 24

CAPTULO III: ESTUDIO DE DIVISORES DE POTENCIA WILKINSON
3.1. Introduccin .................................................................................................................................... 26
3.2. Diseo y definicin del divisor de potencia Wilkinson ................................................................... 27

CAPTULO IV: ESTUDIO DE DIVISORES DE POTENCIA WILKINSON DUAL-BAND
4.1. Divisores de Potencia Wilkinson sin Tramos de Lnea de Transmisin (tales como Tramos de Lnea
en Cortocircuito y Tramos de Lnea en Circuito Abierto) y sin los Componentes Reactivos. .................... 35
4.2. Divisor de Potencia Wilkinson con el uso de Lneas de Transmisin en forma de T ...................... 36
4.3. Circuito propuesto .......................................................................................................................... 38
4.3.1. Parmetros de Diseo Normalizados ...................................................................................... 43

CAPTULO V: FUNDAMENTOS DE DISEO DE DIVISORES DE POTENCIA
WILKINSON
5.1. Introduccin .................................................................................................................................... 46
5.2. Parmetros S ................................................................................................................................... 47
5.3. Simulador HFSS ............................................................................................................................... 49
5.4. Matlab ............................................................................................................................................. 50
5.5. Programa grfico AutoCAD ............................................................................................................. 51
5.6. Mtodo de Diseo y fabricacin ..................................................................................................... 52

CAPTULO VI: DISEO, IMPLEMENTACIN Y ANALISIS DE RESULTADOS
EXPERIMENTALES Y TEORICOS
6.1. Introduccin .................................................................................................................................... 53
6.2. Comportamiento de un Wilkinson monobanda de gran ancho de banda. .................................... 55
6.3. Diseo de un Wilkinson monobanda utilizando CSRRs con objeto de optimizar su
comportamiento. ........................................................................................................................................ 59
6.4. Diseo de un divisor de potencia Wilkinson de banda dual (910 MHz y 1740 MHz). .................... 64
6.5. Diseo de un divisor de potencia Wilkinson con frecuencia dual con estructura opcional de
aislamiento. ................................................................................................................................................. 69
6.5.1. Diseo modelo diagonal ......................................................................................................... 69
6.5.2. Diseo modelo diagonal con transformador de impedancias. ............................................... 72
6.5.3. Diseo modelo circular. .......................................................................................................... 76
6.5.4. Diseo del resonador .............................................................................................................. 78
Diseo de un resonador ptimo para los modelos propuestos ......................................................... 78
Resultados del resonador circular obtenidos en las mediciones. ....................................................... 80
6.5.5. Diseo modelo diagonal con resonador CSRRs. .................................................................... 83
6.5.6. Diseo modelo circular con resonador CSRRs. ...................................................................... 85
6.6. Medidas y pruebas experimentales de los modelos diagonal y circular. ....................................... 87
6.6.1. Resultados Obtenidos en las mediciones del diseo Diagonal. .............................................. 87
6.6.2. Resultados Obtenidos en las mediciones del diseo Circular. ................................................ 90

CAPTULO VII: CONCLUSIONES Y LNEAS FUTURAS
7.1. Conclusiones ........................................................................................................................................ 93
7.2. Lneas Futuras ...................................................................................................................................... 96

CAPTULO VII: BIBLIOGRAFA
8. Bibliografa .......................................................................................................................................... 98

NDICE DE TABLAS
Tabla 2.1. Primeros estudios de estructuras planares y resonadores. ....................................................... 10
Tabla 2.2. Investigaciones estructuras planares y resonadores. ................................................................ 11
Tabla 2.3 Regiones de los materiales (Metamateriales trabaja en la regin III) ........................................ 13
Tabla 2.4. Principales caractersticas .......................................................................................................... 14
Tabla 2.5. Caractersticas de las ondas guiadas, reflejadas, de fuga y de superficie. ................................. 15
Tabla 2.7. Clasificacin Finline .................................................................................................................... 20
Tabla 2.6 Carctersticas finline. ................................................................................................................. 21
Tabla 3.1 Caractersticas ideales del divisor de potencia Wilkinson........................................................... 27
Tabla 3.2. Modos par e impar. .................................................................................................................... 29
Tabla 3.3. Caractersticas de Wilkinson ...................................................................................................... 30
Tabla 4.1. Impedancias normalizadas en funcin del cociente entre frecuencias (. . ) ........ 44
Tabla 4.2. Impedancias normalizadas en funcin del cociente entre frecuencias (. . ) ........ 45
Tabla 5.1. Ventajas de los Parmetros S ..................................................................................................... 47
Tabla 5.2. Caractersticas determinas a partir de parmetros S. ................................................................ 48
Tabla 5.3. Significado de cada parmetro S ................................................................................................ 49
Tabla 5.4. Mtodo de diseo y fabricacin del divisor de potencia Wilkinson dual .................................. 52
Tabla 6.1. Dimensiones del modelo Wilkinson monobanda de gran ancho de banda ............................... 56
Tabla 6.2. Dimensiones del modelo Wilkinson monobanda con CSRRs .................................................... 61
Tabla 6.3. Dimensiones del Divisor de Potencia Wilkinson con banda dual de frecuencia. ....................... 67
Tabla 6.4. Consideraciones de diseo ......................................................................................................... 69
Tabla 6.5. Dimensiones del modelo diagonal. ............................................................................................ 71
Tabla 6.6. Dimensiones del modelo diagonal con transformador de impedancias.................................... 73
Tabla 6.7. Dimensiones del modelo Circular. ............................................................................................. 77
Tabla 6.8. Dimensiones del modelo diagonal con transformador de impedancias.................................... 83
Tabla 6.9. Dimensiones del modelo circular con resonador CSRRs. .......................................................... 85

NDICE DE FIGURAS
Figura 1.1. Metamaterial formado por Resonadores de anillos abiertos SRR y lneas microstrip ............... 4
Figura 1.2. Diseo SRR y CSRR ...................................................................................................................... 5
Figura 1.3. Diseo Y. Wu Wilkinson dual con resistencia. ............................................................................ 6
Figura 1.4. Divisor de potencia dual, cara superior e inferior....................................................................... 7
Figura 2.1. Lnea Microstrip ........................................................................................................................ 11
Figura 2.2. Ventajas y desventajas de la tcnica microstrip. ...................................................................... 12
Figura 2.3 Clasificacin de las lneas planares. ........................................................................................... 15
Figura 2.4. Modo cuasi-TEM lnea microsptrip ........................................................................................... 16
Figura 2.5. Lnea microstrip suspendida. .................................................................................................... 17
Figura 2.6. Lnea microstrip acoplada ......................................................................................................... 18
Figura 2.7. Lneas microstrip acopladas y suspendidas .............................................................................. 19
Figura 2.8. Lneas microstrip rentrantes ..................................................................................................... 19
Figura 2.9. Resonador SRR .......................................................................................................................... 22
Figura 2.10. Estructura CSRR ....................................................................................................................... 23
Figura 2.11. Excitacin SRR. ........................................................................................................................ 24
Figura 2.12. Estructura para excitar CSRR ................................................................................................... 25
Figura 3.1. Primer divisor de potencia Wilkinson. ...................................................................................... 27
Figura 3.2. Estructura Wilkinson ................................................................................................................. 28
Figura 3.3. Modelo circuital de Wilkinson. ................................................................................................. 28
Figura 3.4. Modelo Wilkinson con curvatura. ............................................................................................. 30
Figura 3.5. Esquema Wilkinson con transformador y lneas adaptadas. .................................................... 31
Figura 4.1. Topologas bsicas de un divisor Wilkinson. ............................................................................. 36
Figura 4.2 (a). Lnea de transmisin cuarto de onda (b). Circuito equivalente circuito en T ...................... 37
Figura 4.3. Identificacin de la matriz ......................................................................................................... 37
Figura 4.4. Topologas luego de igualar la matriz. ...................................................................................... 38
Figura 4.5. Topologa del circuito propuesto como divisor de potencia Wilkinson en banda dual. ........... 39
Figura 4.6. Circuito correspondiente al modo par. ..................................................................................... 40
Figura 4.7. Circuito correspondiente al modo impar. ................................................................................. 40
Figura 4.8. Impedancias caractersticas, resistencia normalizadas y aislamiento en funcin del cociente P.
de la frecuencia. .......................................................................................................................................... 45
Figura 5.1. Simulador HFSS ......................................................................................................................... 50
Figura 5.2. Respuesta en Matlab................................................................................................................ 51
Figura 5.3. Programa AutoCAD ................................................................................................................... 51
Figura 6.1. Wilkinson monobanda de gran ancho de banda ...................................................................... 55
Figura 6.2. Parmetros S de un Wilkinson Monobanda de gran ancho de banda ..................................... 57
Figura 6.3. Parmetros S del puerto de entrada uno. ................................................................................ 58
Figura 6.4. Parmetros S del puerto de salida dos y tres............................................................................ 59
Figura 6.5. Wilkinson monobanda utilizando CSRRs.................................................................................. 60
Figura 6.6. Parmetros S del puerto de entrada uno. ................................................................................ 61
Figura 6.7. Parmetros S del puerto de salida dos. .................................................................................... 62
Figura 6.8. Fase de Parmetros S. ............................................................................................................... 63
Figura 6.9. Circuito Equivalente Wilkinson T .............................................................................................. 64
Figura 6.10. Divisor de Potencia Wilkinson con banda dual de frecuencia. ............................................... 66
Figura 6.11. Parmetros S del puerto de entrada uno. .............................................................................. 67
Figura 6.12. Parmetros S del puerto de entrada uno. .............................................................................. 68
Figura 6.13. Fase de los parmetros S. ....................................................................................................... 68
Figura 6.14. Diseo modelo diagonal ......................................................................................................... 70
Figura 6.15. Parmetros S modelo diagonal. .............................................................................................. 72
Figura 6.16. Diseo modelo diagonal con transformador de impedancias. ............................................... 73
Figura 6.17. Parmetros S modelo diagonal con transformador de impedancias. .................................... 74
Figura 6.18. Optimizacin de la resistencia modelo con transformador de impedancias ......................... 75
Figura 6.19. Parmetros S Diseo Dual Band Diagonal Adaptado con la resistencia optimizada .............. 75
Figura 6.20. Diseo modelo circular. .......................................................................................................... 76
Figura 6.21. Parmetros S del modelo circular. .......................................................................................... 77
Figura 6.22. Diseo del resonador circular. ................................................................................................ 78
Figura 6.23. Parmetros S Resonador Circular 3.2 mm .............................................................................. 79
Figura 6.24. Diseo del resonador cuadrado. ............................................................................................. 79
Figura 6.25. Parmetros S Resonador Cuadrado ........................................................................................ 80
Figura 6.26. Lnea Microstrip con Resonador Circular de dimetro 3.2 mm .............................................. 81
Figura 6.27. Medida de los parmetros S del Resonador. .......................................................................... 81
Figura 6.28. Parmetros S Resonador Circular ........................................................................................... 82
Figura 6.29. Anlisis comparativo de Parmetros S medido y simulado .................................................... 82
Figura 6.30. Diseo modelo diagonal con resonador de 3.2 mm de radio. ................................................ 83
Figura 6.31. Parmetros S del modelo diagonal con CSRRs. ...................................................................... 84
Figura 6.32. Diseo modelo circular con resonador de 3.2 mm de radio. ................................................. 85
Figura 6.33. Parmetros S del modelo circular con CSRRs. ....................................................................... 86
Figura 6.34. Divisor de Potencia Diagonal con Transformador a la salida. ................................................. 87
Figura 6.35. Medida de los parmetros S Divisor de Potencia Diagonal .................................................... 88
Figura 6.36. Parmetros S Divisor de Potencia Diagonal con Transformador a la Salida. .......................... 88
Figura 6.37. Anlisis comparativo de Parmetros S medido y simulado. ................................................... 89
Figura 6.39. Divisor de Potencia Circular. ................................................................................................... 90
Figura 6.40. Medida de los parmetros S Divisor de Potencia Circular. ..................................................... 91
Figura 6.41. Parmetros S Divisor de Potencia Diagonal con Transformador a la Salida. .......................... 91

CAPTULO I Presentacin del Proyecto

PRESENTACIN DEL PROYECTO

1.1. Introduccin
La electrnica y las comunicaciones evolucionan diariamente, y se plantea
nuevos y complejos sistemas
potencia Wilkinson en el mundo de las telecomunicaciones actuales.
se estudia el comportamiento de divisores, para obtener a partir de una seal de
referencia, varias seales correlacionadas.
esquema Wilkinson para la operacin en
circuito bsico o con resonadores de

Hace pocos aos, los divisores
en una sola banda. En la actualidad
diseo de nuevos divisores de potencia Wilkinson para la aplica
frecuencia.
[1-5]
Se ha visto un esfuerzo mundial
debido a la tendencia de los mviles multibanda
con mtodo analtico est basado en el transformador dual
Monzn
[6]
. Para obtener el efecto de aislamiento ideal se aplica estructuras RLC en
paralelo
[1]
, RLC en serie
[2]
y la combinacin de las dos LC.
modificados de divisores de potencia Wilkinso
funcionan a doble banda.
[4,5]
varias investigaciones de divisores de potencia
una extensin de los divisores iguales.
el diseo de los divisores de potencia multibanda

CAPTULO I

PRESENTACIN DEL PROYECTO
complejos sistemas, por esta razn se realiza investigaciones de divisores de
potencia Wilkinson en el mundo de las telecomunicaciones actuales. En este proyecto
referencia, varias seales correlacionadas. Y principalmente se propone un nuevo
para la operacin en doble banda, cuya estructura
circuito bsico o con resonadores de anillos abiertos complementarios CSRRs
, los divisores de potencia convencionales estaba
. En la actualidad, muchas investigaciones se han realizado en el
vos divisores de potencia Wilkinson para la aplica
visto un esfuerzo mundial para desarrollar estos
encia de los mviles multibanda. El divisor de potencia de
est basado en el transformador dual desarrollado por el
Para obtener el efecto de aislamiento ideal se aplica estructuras RLC en
y la combinacin de las dos LC.
[3]
Se proponen
modificados de divisores de potencia Wilkinson sin componentes reactivos que
]
Con el fin de obtener caractersticas ptimas
divisores de potencia desiguales en banda dual
una extensin de los divisores iguales. Tambin se presentan mtodos novedosos para
el diseo de los divisores de potencia multibanda
[9, 10]
.
Diego Almeida
1

, por esta razn se realiza investigaciones de divisores de
En este proyecto
e propone un nuevo
estructura puede ser un
anillos abiertos complementarios CSRRs.
de potencia convencionales estaban diseados
, muchas investigaciones se han realizado en el
vos divisores de potencia Wilkinson para la aplicacin de doble
para desarrollar estos dispositivos
El divisor de potencia de banda dual
desarrollado por el Dr.
Para obtener el efecto de aislamiento ideal se aplica estructuras RLC en
Se proponen otros tipos
n sin componentes reactivos que
ener caractersticas ptimas se realiza
desiguales en banda dual
[7,8]
, estos son
mtodos novedosos para


Para el estudio de las
proyecto, se parte del modelo presentado por Y. Wu, Y. Liu, y
un anlisis matemtico se obtiene un circuito
y para un mejor desempeo se coloca
estructuras planas con resonadores sobre lneas de transmisin planares, finalmente la
combinacin de estos dispositivos,
resonadores. Se han investigado una serie de proyectos relacionados con
de microondas, y con este estudio se pretende comenzar una nueva lnea de
investigacin sobre divisores de potencia para frecuencias duales
esta manera aportar al desarrollo tecnolgico de las comunicaciones de sistemas de
transmisin.

En este proyecto se pre
en banda dual, que opera en dos frec
salidas. Este divisor de potencia consta de una rama
(Z), despus de dos secciones de lnea de transmi
impedancia caracterstica Z
o

entre la rama superior e inferior
resonadores de anillos abiertos complementarios CSRRs.
importante para diseos de radio frecuencia RF
compacto, ms pequeo y ms eficientes RF

Para el estudio de las nuevas estructuras en banda dual propuestas en este
elo presentado por Y. Wu, Y. Liu, y S. Li.
[11]
donde mediante
mtico se obtiene un circuito que trabaja en dos bandas de frecuencia
ara un mejor desempeo se coloca un transformador a la salida. Adems se estudia
con resonadores sobre lneas de transmisin planares, finalmente la
combinacin de estos dispositivos, dan como resultado un modelo Wilkinson Dual con
Se han investigado una serie de proyectos relacionados con
este estudio se pretende comenzar una nueva lnea de
investigacin sobre divisores de potencia para frecuencias duales con
En este proyecto se presenta un nuevo diseo del divisor de potencia
, que opera en dos frecuencias arbitrarias de inters en cada una de sus
de potencia consta de una rama de transformador de impedancia
dos secciones de lnea de transmisin con diferente Z
y una conexin antes del transformador de un resistor
entre la rama superior e inferior. Adems se incluye en la investigacin pruebas con
llos abiertos complementarios CSRRs. La investigacin es muy
importante para diseos de radio frecuencia RF debido a la tendencia actual de ms
o y ms eficientes RF.
Diego Almeida
2

propuestas en este
donde mediante
que trabaja en dos bandas de frecuencia,
. Adems se estudia
con resonadores sobre lneas de transmisin planares, finalmente la
dan como resultado un modelo Wilkinson Dual con
Se han investigado una serie de proyectos relacionados con las seales
este estudio se pretende comenzar una nueva lnea de
con CSRRs, y de
o del divisor de potencia Wilkinson
uencias arbitrarias de inters en cada una de sus
de transformador de impedancia
sin con diferente Z
i
y antes de la
antes del transformador de un resistor
Adems se incluye en la investigacin pruebas con
La investigacin es muy
debido a la tendencia actual de ms


1.2. Objetivos
El objetivo general del proyecto es realizar un
el rea del electromagnetismo,
Wilkinson en banda dual, que opera en dos frec
una de sus salidas, las mismas que deben ser simtricas,
igual en los puertos, adaptacin de impe
aislamiento.

Por medio de circuitos ya existentes se plantea
modifican y optimizan para alcanzar como objetivo
mismos. Se presenta modelos convencionales
desea alcanzar, estos son lneas planares
Wilkinson bsicos y duales
radiofrecuencia como por ejemplo el divisor de potencia

Se estudia principalmente cuatro mod
comportamiento de un Wilkinson monobanda de gran ancho de banda, luego se disea
un Wilkinson en una sola
comportamiento, a continuacin se realiza un divisor de potencia dual y finalmente se
plantea una estructura Wilkinson con frecuencia dual con estructura opcional de
aislamiento. El ltimo se divid
con y sin transformador, para optimizar se disea un circuito circular semejante,
ltimo se aade resonadores de anillos abiertos complementarios (Complementary
splits resonators, CSRRs),
pretende realizar un anlisis comparativo entre los diseos fabricados y medidos en el
laboratorio y los simulados en HFSS
investigacin y desarrollo en tecnologa de div

El objetivo general del proyecto es realizar un anlisis de nuevas estructuras en
el rea del electromagnetismo, se desea disear un nuevo divisor de potencia
, que opera en dos frecuencias arbitrarias de inters en cada
una de sus salidas, las mismas que deben ser simtricas, con una potencia dividida
, adaptacin de impedancia a la entrada como a la salida, y
ircuitos ya existentes se plantea nuevos modelos los cuales se
modifican y optimizan para alcanzar como objetivo final un buen desempeo de los
mismos. Se presenta modelos convencionales que son la base del diseo que se
, estos son lneas planares, resonadores CSRRs, divisores de potencia
Wilkinson bsicos y duales. La combinacin produce modelos hbr
como por ejemplo el divisor de potencia Wilkinson en banda dual
Se estudia principalmente cuatro modelos, primero se desarrolla el
na sola banda utilizando CSRRs con objeto de optimizar su
aislamiento. El ltimo se divide bsicamente en tres circuitos una estructura diagonal
para optimizar se disea un circuito circular semejante,
resonadores de anillos abiertos complementarios (Complementary
que trabajen en la banda de frecuencia deseada
un anlisis comparativo entre los diseos fabricados y medidos en el
ratorio y los simulados en HFSS. Finalmente se propone lneas futuras de
n tecnologa de divisores Wilkinson duales.
Diego Almeida
3

de nuevas estructuras en
se desea disear un nuevo divisor de potencia
uencias arbitrarias de inters en cada
con una potencia dividida
dancia a la entrada como a la salida, y un buen
nuevos modelos los cuales se
final un buen desempeo de los
que son la base del diseo que se
, divisores de potencia
. La combinacin produce modelos hbridos de
en banda dual.
se desarrolla el
con objeto de optimizar su
e bsicamente en tres circuitos una estructura diagonal
para optimizar se disea un circuito circular semejante, y por
resonadores de anillos abiertos complementarios (Complementary
la banda de frecuencia deseada. Se
Finalmente se propone lneas futuras de


1.3. Estado del arte
Para alcanzar los objetivos planteados
comprensin profunda de
Wilkinson en general, y en especial dispositivos que trabajen en bandas duales. Por
este motivo se analizan brevemente estructuras propuestas por otros autores y que se
ajustan al proyecto que se esta presentando.

1.3.1. Trabajos relacionados
Las investigaciones de circ
en los ltimos aos, y se ha desarrollado gracias al avance que ha tenido las
estructuras de radio frecuencia
de la dcada de los 60, cuando el fsic
publicaciones de la existencia de medios que presentan una permitidad dielctrica y
prmitividad magntica negativa, como se describe en el artculo Soviet Physics
Uspekhi
[12]
. Luego J. B. Pendry
implementar tal metamaterial
direccin de propagacin podra proporcionar
permitividad efectiva negativa (

Figura 1.1. Metamaterial formado por Resonadores de anillos abiertos SRR y lneas microstrip

zar los objetivos planteados es necesario un conocimiento y
divisores en estructura plana, resonadores, divisores
en general, y en especial dispositivos que trabajen en bandas duales. Por
ajustan al proyecto que se esta presentando.
Trabajos relacionados
Las investigaciones de circuitos que utilicen la tcnica de Wilkinson han surgido
structuras de radio frecuencia, por ejemplo los metamateriales, cuyo comienzo data
de la dcada de los 60, cuando el fsico ucraniano Victor G. Veselago realiz algunas
J. B. Pendry fue el primero en teorizar una forma prctica de
implementar tal metamaterial
[13]
, demostr que un anillo con el eje a lo largo de la
agacin podra proporcionar permeabilidad negativa
permitividad efectiva negativa ( <0). En la figura 1.1 se identifica el metamaterial.

. Metamaterial formado por Resonadores de anillos abiertos SRR y lneas microstrip
Diego Almeida
4

es necesario un conocimiento y
, resonadores, divisores
en general, y en especial dispositivos que trabajen en bandas duales. Por
uitos que utilicen la tcnica de Wilkinson han surgido
cuyo comienzo data
o ucraniano Victor G. Veselago realiz algunas
fue el primero en teorizar una forma prctica de
con el eje a lo largo de la
permeabilidad negativa ( <0) y
se identifica el metamaterial.
. Metamaterial formado por Resonadores de anillos abiertos SRR y lneas microstrip


Estas investigaciones aparecen gracias a la contribucin de la tecnologa
miscrostrip (lneas de transmisin en
circuitera de microondas para realizar filtros, acopladores, divisores, entre otros
dispositivos. El uso de lneas de
montaje superficial de componentes pasivos y
con otros elementos, como resonadores o stubs.

Con la llegada de un nuevo milenio, John Pendry present un resonador de
anillos abiertos SRR (Split Ring Resonador)
metlicos con aberturas opuestas en cada uno de los anillos circulares, el mimo que
tiene un radio r y una separacin c y d. De esta manera fue posible obtener valores
negativos de . Ms tarde apareci estudios e investigaciones de resonadores en
anillos abiertos complementarios CSRR (Complementary Split Ring Resonador)
que se parte de una lmina conductora a la que se elimina el metal formando dos
anillos concntricos abiertos en los lados opuestos.
van a utilizar en el proyecto, para aprovechar sus frecuencias resonantes y mejorar las
caractersticas del divisor de potencia. En la figura 1.2
de resonadores. En el capitulo II se analiza las caractersticas de los mismos.

de transmisin en estructura plana) y se pueden aplicar en
El uso de lneas de microstrip se generaliz gracias a la facilidad
omponentes pasivos y activos, y a la disposicin de adaptacin
con otros elementos, como resonadores o stubs.
anillos abiertos SRR (Split Ring Resonador)
[13]
, formado por dos anillos concntricos
icos con aberturas opuestas en cada uno de los anillos circulares, el mimo que
tos complementarios CSRR (Complementary Split Ring Resonador)
se parte de una lmina conductora a la que se elimina el metal formando dos
anillos concntricos abiertos en los lados opuestos. Resonadores complementarios se
royecto, para aprovechar sus frecuencias resonantes y mejorar las
r de potencia. En la figura 1.2 se puede identificar los dos tipos

Figura 1.2. Diseo SRR y CSRR
Diego Almeida
5

) y se pueden aplicar en
a la facilidad de
posicin de adaptacin
, formado por dos anillos concntricos
icos con aberturas opuestas en cada uno de los anillos circulares, el mimo que
tos complementarios CSRR (Complementary Split Ring Resonador) en los
se parte de una lmina conductora a la que se elimina el metal formando dos
Resonadores complementarios se
royecto, para aprovechar sus frecuencias resonantes y mejorar las
se puede identificar los dos tipos


Lo que se pretende con este proyecto es dar un paso ms en la lnea de los
divisores de potencia tradicionales, fabricando modelos Wilkinson con lneas microstrip
circulares, para reducir las prdidas de potencia que pueden producir lneas
transmisin rectas, adems se incluye transformadores a la salida para que los
circuitos estn mejor adaptados. La idea de transformar modelos ya estudiados de
divisores Wilkinson y otros elementos
de microondas.

En esta seccin se mostraran los trabajos previos relaciona
planteado. Se menciona modelos
resonadores de anillos abiertos complementarios
ms complejos e hbridos. Se detallan
base importante para el desarrollo de la investigacin de divisores Wilkinson para
frecuencias duales.

En el 2009 Y. Wu, Y. Liu, y
Research
[11]
, aporto a la comunidad cientfica con una versin diferente del divisor de
potencia Wilkinson sin componentes reactivos ni tramos abiertos de lneas de
transmisin, usando seis secciones de lneas microstrip y un resistor de
tomo como fuente importante para este trabajo tal diseo, pero en este caso se aplican
transformadores a la salida para que el circuito este completamente adaptado, a partir
de estos modelos se proponen cambios en la estructura fsica para
rendimiento. En la figura 1.3. se puede identificar el circuito propuesto por el autor.
Figura 1.3. Diseo Y. Wu Wilkinson dual con resistencia.

circulares, para reducir las prdidas de potencia que pueden producir lneas
divisores Wilkinson y otros elementos, es optimizar el desempeo de dichos circuitos
En esta seccin se mostraran los trabajos previos relacionados con el tema
modelos en los cuales se han utilizado estructuras planares o
resonadores de anillos abiertos complementarios, y finalmente se analizan circuitos
ms complejos e hbridos. Se detallan estas publicaciones con el fin de establecer
Y. Wu, Y. Liu, y S. Li. en el artculo de Progress In Electromagnetics
aporto a la comunidad cientfica con una versin diferente del divisor de
transmisin, usando seis secciones de lneas microstrip y un resistor de
de estos modelos se proponen cambios en la estructura fsica para
. se puede identificar el circuito propuesto por el autor.

. Diseo Y. Wu Wilkinson dual con resistencia.
Diego Almeida
6

circulares, para reducir las prdidas de potencia que pueden producir lneas de
, es optimizar el desempeo de dichos circuitos
dos con el tema
en los cuales se han utilizado estructuras planares o
, y finalmente se analizan circuitos
de establecer una
Electromagnetics
aporto a la comunidad cientfica con una versin diferente del divisor de
aislamiento, se
de estos modelos se proponen cambios en la estructura fsica para un mejor
. se puede identificar el circuito propuesto por el autor.


En el 2008 Eduardo Surez y Raphael Cueva, doctores de la Universidad de
Loja, en su artculo Divisor de Potencia Wilkinson
investigacin de filtros y divisor Wilkinson s
de 2.4 GHz, consta de un puerto de entrada y dos de salida
resistencia comn que ayuda a
de entrada de manera simtrica en ambos puertos de salida.
funcionamiento se limita a banda estrecha
obtener frecuencias duales bajo este mismo principio, incluyendo en los circuitos
resonadores y aprovechando las caractersticas de los elementos adicionales y de esta
manera proponer nuevos diseos a

En el 2007 en la Universidad Autnoma de Barcelona se investig un Divis
potencia en banda dual con estructuras
minucioso diseo de un inversor de impedancias basado en las celdas previam
tratadas, concretamente con
funcionalidad en banda dual. La dualidad de banda se obtuvo mediante una nica lnea
de transmisin microstrip con un CSRR
actual se propone incluir elementos resistivos para alcanzar la dualidad y otros diseos
ms complejos para que el divisor optimice sus c
puede observar el diseo propuesto, se identifica en la grfica de la izquierda el divisor
de potencia compuesto por lneas microstrip mientras que a la derecha se ve el
resonador complementario CSRR.
Figura 1.4. Divisor de potencia dual, cara super

Loja, en su artculo Divisor de Potencia Wilkinson
[14]
realizan una continua
investigacin de filtros y divisor Wilkinson simtrico que trabaja a una frecuencia central
consta de un puerto de entrada y dos de salida adaptados con una
resistencia comn que ayuda a evitar las reflexiones; este dispositivo divide la potencia
de entrada de manera simtrica en ambos puertos de salida. El principio de
a banda estrecha. Con nuestro diseo se quiere llegar a
manera proponer nuevos diseos al mundo tecnolgico.
En el 2007 en la Universidad Autnoma de Barcelona se investig un Divis
con estructuras basadas en CSRRs
[16]
.
minucioso diseo de un inversor de impedancias basado en las celdas previam
tratadas, concretamente con CSRRs, con la importante caracterstica de presentar
de transmisin microstrip con un CSRRs grabado en su plano de masa. En el proyecto
ctual se propone incluir elementos resistivos para alcanzar la dualidad y otros diseos
ms complejos para que el divisor optimice sus caractersticas. En la figura 1.4
resonador complementario CSRR.
. Divisor de potencia dual, cara superior e inferior.
Diego Almeida
7

realizan una continua
a una frecuencia central
adaptados con una
divide la potencia
El principio de
Con nuestro diseo se quiere llegar a
En el 2007 en la Universidad Autnoma de Barcelona se investig un Divisor de
. Se realiz un
minucioso diseo de un inversor de impedancias basado en las celdas previamente
s, con la importante caracterstica de presentar
. En el proyecto
ctual se propone incluir elementos resistivos para alcanzar la dualidad y otros diseos
aractersticas. En la figura 1.4 se


Es importante mencionar tcnicas actuales para r
divisor, se puede aplicar a los diseos propuestos en investigaciones futuras. En el
Centro de Desarrollo Tecnolgico de Santander se ha desarrollado el Diseo de
Divisores/Combinadores de Potencia
objetivo de este proyecto principalmente es reducir el tamao del circuito a travs de
una tcnica de equivalentes con elementos discretos para una lnea de transmisin de
cuarto de onda. Como resultado se obtiene caractersticas de
a las de los originales con lneas de
ahorro de espacio de circuito
y Pi de los tramos de lnea
capacitivos o inductivos.

1.4. Motivacin
Este proyecto contribuye al desarrollo de nuevos diseos
potencia en general y especficamente
estructuras Wilkinson en bandas duales
divisores, y lo que se pretende es mejorar su comportamiento,
conocidos. Esta tecnologa es una ciencia que
mismos que dan como resultado circuitos ms compactos y ptimos

Se desea disear divisores de potencia innovadores con resonadores CSRR
aportar la comunidad cientfica
diferentes. Existen estructuras ya estudiada
investigacin todava es largo, por lo tanto a partir de estudios previos
obtener modelos que presenten las siguientes caractersticas, una potencia dividida
igual en los puertos de salida
un buen aislamiento entre los puertos

ncionar tcnicas actuales para reducir el tam
puede aplicar a los diseos propuestos en investigaciones futuras. En el
e Potencia Wilkinson usando elementos discretos
arto de onda. Como resultado se obtiene caractersticas de funcionamiento similares
de los originales con lneas de transmisin, permitiendo a la vez
y coste. La tcnica se basa en utilizar equivalentes en
y Pi de los tramos de lnea /4 3/4, los mismos que se sustituyen por elementos
Este proyecto contribuye al desarrollo de nuevos diseos de divisores de
en general y especficamente a la optimizacin del comportamiento de
estructuras Wilkinson en bandas duales, se conoce muy poco aun sobre este tipo de
res, y lo que se pretende es mejorar su comportamiento, a partir de modelos
es una ciencia que est sujeta a continuos avances, lo
mismos que dan como resultado circuitos ms compactos y ptimos.
Se desea disear divisores de potencia innovadores con resonadores CSRR
comunidad cientfica nuevas estructuras Wilkinson en bandas de
estructuras ya estudiadas por cientficos, pero el trayecto de
investigacin todava es largo, por lo tanto a partir de estudios previos
ual en los puertos de salida, adaptacin de impedancia a la entrada como a la salida,
un buen aislamiento entre los puertos y dos frecuencias arbitrarias.
Diego Almeida
8

educir el tamao fsico del
puede aplicar a los diseos propuestos en investigaciones futuras. En el
iscretos
[15]
, el
funcionamiento similares
transmisin, permitiendo a la vez un importante
izar equivalentes en T
/4, los mismos que se sustituyen por elementos
de divisores de
a la optimizacin del comportamiento de
, se conoce muy poco aun sobre este tipo de
artir de modelos
sujeta a continuos avances, los
Se desea disear divisores de potencia innovadores con resonadores CSRRs y
bandas de frecuencia
s por cientficos, pero el trayecto de
investigacin todava es largo, por lo tanto a partir de estudios previos se desea
dancia a la entrada como a la salida,


El proyecto propuesto intenta incentivar a nuevos investigadores a analizar y
descubrir elementos que pueden ser de utilidad para el avance de estructuras de
microondas. Algunas ideas y descubrimientos
sociedad tecnolgica en la que vivimos, y
olvidarn, quizs slo temporalment
ser til para volver a emerger.

Las ecuaciones correspondientes
diseo son derivadas de estudios realizados por Y. Wu, Y. Liu, y
presente proyecto se pretende optimizar este trabajo con resonadores CSRRs, se
selecciono a estos autores porque los resultados experimentales son muy semejantes
a los tericos. Para verificar que
fabricados son ptimos, se realiza varias pruebas en HFSS y se comprar con posibles
variantes que presentan los circulitos medidos en una situacin real

El proyecto realizado slo es una muestra de todo lo que se puede conseguir
con esta nueva tecnologa. En
especificas en la ciencia de las comunicaciones mviles o en la identificacin por radio
frecuencia RFID que actualmente se

l proyecto propuesto intenta incentivar a nuevos investigadores a analizar y
pueden ser de utilidad para el avance de estructuras de
ideas y descubrimientos prosperarn y aportarn benefic
sociedad tecnolgica en la que vivimos, y otras se quedarn por el camino y se
olvidarn, quizs slo temporalmente hasta hallar nuevos mecanismos en lo que puede
volver a emerger.
correspondientes y los parmetros normalizados eficaces
de estudios realizados por Y. Wu, Y. Liu, y S. Li.
a los tericos. Para verificar que los parmetros de diseo, y que los modelos
, se realiza varias pruebas en HFSS y se comprar con posibles
variantes que presentan los circulitos medidos en una situacin real.
l proyecto realizado slo es una muestra de todo lo que se puede conseguir
con esta nueva tecnologa. En un futuro estudio, se desea demostrar aplicaciones
frecuencia RFID que actualmente se est utilizando como mecanismo de control.
Diego Almeida
9

l proyecto propuesto intenta incentivar a nuevos investigadores a analizar y
pueden ser de utilidad para el avance de estructuras de
prosperarn y aportarn beneficios a la
otras se quedarn por el camino y se
hasta hallar nuevos mecanismos en lo que puede
y los parmetros normalizados eficaces del
S. Li.
[11]
. En el
y que los modelos
, se realiza varias pruebas en HFSS y se comprar con posibles
l proyecto realizado slo es una muestra de todo lo que se puede conseguir
se desea demostrar aplicaciones
utilizando como mecanismo de control.

CAPTULO II Estudio de Lneas Planares y Resonadores

ESTUDIO DE LNEAS DE TRANSMISIN EN ESTRUCTURA PLANA
RESONADORES

2.1. Fundamento Terico
En los ltimos aos el estudio de estructuras planares y resonadores
importante en el rea del electromagnetismo y las telecomunicaciones, por esta razn
hay elementos bsicos diseados en los aos 60 hasta investigaciones muy complejas
que son estudiadas en la actualidad, en esta parte del captulo II se va a definir algunas
caractersticas generales de los divisores de potencia y sus principales componentes.

2.1.1. Anlisis cronolgico
Se describen investigaciones realizadas a partir de la dc
actualidad, en la tabla 2.1 y 2
tecnologa a lo largo del tiempo.

Tabla 2.1. Prime
Primeras
Investigaciones
APTULO II Estudio de Lneas Planares y Resonadores

CAPTULO II

DE TRANSMISIN EN ESTRUCTURA PLANA
RESONADORES DE ANILLOS DIVIDIDOS

aos el estudio de estructuras planares y resonadores
e son estudiadas en la actualidad, en esta parte del captulo II se va a definir algunas

Se describen investigaciones realizadas a partir de la dcada de los 40 ha
.1 y 2.2 se detalla con claridad los avances que tuvo esta
cnologa a lo largo del tiempo.
.1. Primeros estudios de estructuras planares y resonadores
En la decada de los 40 Kock investiga
dielctricos artificiales orientados a la construccin
de lentes a frecuencias de microondas.
En los 60, se desarrollan los trabajos de
Rotman, sobre simulacin de plasmas
frecuencias de microondas mediante sistemas
hilos y placas conductoras, orientados
simulacin de las condiciones de entrada
naves espaciales en la atmsfera.
Diego Almeida
10

DE TRANSMISIN EN ESTRUCTURA PLANA Y
aos el estudio de estructuras planares y resonadores ha sido
e son estudiadas en la actualidad, en esta parte del captulo II se va a definir algunas
ada de los 40 hasta la
.2 se detalla con claridad los avances que tuvo esta
estructuras planares y resonadores.

investiga sobre
construccin
de Walter
plasmas a
sistemas de
orientados a la
entrada de


Tabla 2.2. Investigaciones

2.1.2. Tecnologa Microstrip

Son lneas de transmisin que son fabricadas en un circuito impreso y son las
ms utilizadas para tcnicas de microonda y es de gran ayuda para propagacin RF
En la figura 2.1. se puede identificar una lnea microsptrip y sus principales
componentes.

Investigaciones
ms recientes
.2. Investigaciones estructuras planares y resonadores
Tecnologa Microstrip
de transmisin que son fabricadas en un circuito impreso y son las
ms utilizadas para tcnicas de microonda y es de gran ayuda para propagacin RF
puede identificar una lnea microsptrip y sus principales

Figura 2.1. Lnea Microstrip

En las investigaciones de Yablonovich sobre
estructuras peridicas tri-dimensionales
presentan bandas prohibidas de propagacin
(photonic band-gaps).
Pero fue en la dcada de los 60 cuando Pendry
Smith presentan estudios sobre medios "zurdos"
gracias a la teora de Veselago.
En la actualidad se realiza proyectos bajo en
lnea pero a frecuencias superiores en temas
electromagnetismo, ptica y teora de la materia
condensada, circuitos pasivos en tecnologa
impresa inspirados en metamateriales.
Diego Almeida
11

planares y resonadores.

de transmisin que son fabricadas en un circuito impreso y son las
ms utilizadas para tcnicas de microonda y es de gran ayuda para propagacin RF.
puede identificar una lnea microsptrip y sus principales
sobre
se
propagacin
Pendry y
"zurdos"
esta
temas de
materia
tecnologa


Principalmente se compone de una franja de conduccin de altura t y ancho W
separada de la capa de masa o plano de tierra por un sustrato dielctrico de
permitividad relativa
r
y altura h. La tcnica microstrip se puede aplicar en divisores de
potencia, acompladores, antenas, filtros entre otros componentes de microonda. En la
figura 2.2. se identifica las ventajas y desventajas de esta tcnica.

Figura 2.2. Ventajas y desventajas de la tcnica microstrip.

Las desventajas de la
nuevos materiales, sin embargo
ser una estructura cerrada. Actualmente se utilizan sobre circuitos digitales, lo que
ocasiona que se optimice sus caractersticas.

Microstrip al ser una estructura abierta las lneas de campo no estn definidas
presentando un medio no homogneo que no soporta el modo Transverso
electromagntico (TEM), eso quiere decir que solo una de las componentes del campo
(elctrico o magntico) se encuentra en la direccin de propagacin, por lo tanto trabaja
en el modo cuasi TEM. En pocos casos se considera los dos casos en la direccin
longitudinal.
Ventajas
compladores, antenas, filtros entre otros componentes de microonda. En la
figura 2.2. se identifica las ventajas y desventajas de esta tcnica.
Figura 2.2. Ventajas y desventajas de la tcnica microstrip.
la microstrip pueden ser superadas con la creacin de
nuevos materiales, sin embargo es susceptible de captar gran cantidad de ruido
ocasiona que se optimice sus caractersticas.
rostrip al ser una estructura abierta las lneas de campo no estn definidas
ncuentra en la direccin de propagacin, por lo tanto trabaja
Ventajas Desventajas
Diego Almeida
12

compladores, antenas, filtros entre otros componentes de microonda. En la
ser superadas con la creacin de
susceptible de captar gran cantidad de ruido, por no
rostrip al ser una estructura abierta las lneas de campo no estn definidas
ncuentra en la direccin de propagacin, por lo tanto trabaja


2.1.3. Metamateriales
Se definen como medios efectivos y homogneos con propiedades
electromagnticas inusuales
estructura que presenta un tamao medio de celda mucho menor al de la longitud de
onda guiada, por lo que para dicha ond
general consisten en estructuras perd
y de microondas.

Se pueden especificar magnitudes e
se podrn ajustar en cierto modo mediante el adecuado diseo de la celda que formar
el medio. Segn estas magnitudes electromagnticas se clasifican en cuatro regiones
que se muestra en la tabla 1.1.

Tabla 2.3 Regiones de los materiales (Metamateriales

II
eff
es positivo pero eff es negativo,
por lo que la constante de
propagacin ser compleja y slo se
admitirn modos evanescentes,
imposibilitando por tanto la
propagacin
III
eff
y
eff
son simultneamente
negativos. En tal caso la propagacin
vuelve a ser posible, con la
consideracin que tal
comportamiento nicamente se
puede dar en materiales artificiales
(zurdo).
n=() n<0
e definen como medios efectivos y homogneos con propiedades
ales. Por regla general, se llama medio efectivo a una
onda guiada, por lo que para dicha onda, el material ser homogneo
general consisten en estructuras perdicas y son muy utilizados en aplicaciones pticas
e pueden especificar magnitudes electromagnticas efectivas (
agnitudes electromagnticas se clasifican en cuatro regiones
que se muestra en la tabla 1.1.
Regiones de los materiales (Metamateriales trabaja en la regin III)
eff es negativo,
por lo que la constante de
propagacin ser compleja y slo se
admitirn modos evanescentes,
imposibilitando por tanto la
I
Tanto
eff
como
eff
son positivos y
esto corresponde a un medio
dielctrico convencional (diestro).
n=+() n>0
son simultneamente
negativos. En tal caso la propagacin
vuelve a ser posible, con la
consideracin que tal
comportamiento nicamente se
puede dar en materiales artificiales
IV
eff
es negativo pero eff es positivo,
de modo que estamos en el mismo
caso que el medio II.
= == = ( ( ( (

) )) )
Diego Almeida
13

e definen como medios efectivos y homogneos con propiedades
. Por regla general, se llama medio efectivo a una
a, el material ser homogneo
[17]
. Por lo
icas y son muy utilizados en aplicaciones pticas
lectromagnticas efectivas (
eff
y
eff
), que
agnitudes electromagnticas se clasifican en cuatro regiones
en la regin III)

son positivos y
esto corresponde a un medio
dielctrico convencional (diestro).
eff es positivo,
de modo que estamos en el mismo


El cuadrante III se denominan medio zurdo
campo elctrico y el campo magntico no siguen la regla de la mano derecha
la ley de Snell se invierte al considera
del ndice de refraccin.

Para obtener un medio zurdo
Metamaterial) es necesario que tanto la permeabilidad magntica como la permitividad
dielctrica sean negativas simultneamente
metamateriales y cumple la ley de
present un resonador con anillos abiertos SRR
extremos opuestos, de esta manera
permeabilidad
[13]
. Para obtener permitividad
conocida como medio de hilos excitados
misma direccin.

2.2. Lneas de transmisin en estructura plana.
Se llama una lnea de transmisin a una red de dos puertos, entrada y salida
compuesta cuyas caractersticas fsicas la componen principalmente su impedancia
caracterstica y la constante de propagacin.
principales caractersticas.

Tabla 2.4. Principales caractersticas
Son aquellas cuyas
caractersticas de
propagacin su impedancia
caracterstica y la constante
de propagacinpueden
determinar a partir de las
dimensiones en un plano.
Son las lneas impresas de
frecuencias de microondas
El cuadrante III se denominan medio zurdo porque el vector de onda junto con el
campo elctrico y el campo magntico no siguen la regla de la mano derecha
la ley de Snell se invierte al considerar el signo negativo que aparece
un medio zurdo (LHM de sus siglas en ingles Left Hended
es necesario que tanto la permeabilidad magntica como la permitividad
dielctrica sean negativas simultneamente, es la principal caracterstica de los
metamateriales y cumple la ley de la mano izquierda. Como se explico antes J.
un resonador con anillos abiertos SRR con unos pequeos
, de esta manera era posible obtener valores negativos de
ara obtener permitividad negativa se usa una estructu
conocida como medio de hilos excitados con un campo elctrico que presente su
de transmisin en estructura plana.
sta cuyas caractersticas fsicas la componen principalmente su impedancia
caracterstica y la constante de propagacin. En la siguiente tabla se identifica las
Tabla 2.4. Principales caractersticas
Caractersticas
Son las lneas impresas de
frecuencias de microondas
Se componen de una o
varias metalizaciones sobre
un
substrato dielctrico de
bajas prdidas (tg
Diego Almeida
14

porque el vector de onda junto con el
campo elctrico y el campo magntico no siguen la regla de la mano derecha, tambin
en la definicin
(LHM de sus siglas en ingles Left Hended
es necesario que tanto la permeabilidad magntica como la permitividad
, es la principal caracterstica de los
la mano izquierda. Como se explico antes J. Pendry
unos pequeos cortes en
btener valores negativos de
se usa una estructura
con un campo elctrico que presente su
sta cuyas caractersticas fsicas la componen principalmente su impedancia
En la siguiente tabla se identifica las

Se componen de una o
varias metalizaciones sobre
substrato dielctrico de
bajas prdidas (tg << 1)


En la figura 2.3 se identifica la clasificacin de estas lneas de transmisin. La
ms utilizadas son las lneas finline y microst
presentar en estructura abierta cerrada
Figura 2.3

Para explicar la transmisin y la radiacin en
de punto fuente de corriente, situado en
tipos de onda segn su ngulo. En la siguiente tabla se puede identificar las
caractersticas de las ondas guiadas
las transmisin que el campo electromagntico de la seal se concentre en torno
conductores. Por esta razn e
y evitar lo ms posible las ondas radiadas,
Tabla 2.5. Caractersticas de las ondas guiadas, reflejadas, de fuga y de superficie
En
guiadas
conductores
deseado
contribuyen
ella,
Ondas Guiadas
Sustratos delgados y de
gran permitividad
En
radiadas
espacio
construir
Ondas Radiadas
Sustrato es grueso y de
baja permitividad
El
superficie
de
transmitidas
Ondas de fugas
Son completamente reflejadas Ondas de superficie
identifica la clasificacin de estas lneas de transmisin. La
neas finline y microstrip. Las lneas planares
abierta cerrada.

Figura 2.3 Clasificacin de las lneas planares.
ansmisin y la radiacin en lneas planares se usa el
de punto fuente de corriente, situado en el borde del conductor superior,
ondas guiadas, radiadas, de fuga y de superficie.
[
que el campo electromagntico de la seal se concentre en torno
conductores. Por esta razn es necesario favorecer la excitacin de las ondas guiadas
y evitar lo ms posible las ondas radiadas, de fuga y de superficie. [8]
Tabla 2.5. Caractersticas de las ondas guiadas, reflejadas, de fuga y de superficie
En este tipo de estructuras se presentan las
guiadas que sufren sucesivas reflexiones en
conductores de la lnea, constituyen el modo
deseado de funcionamiento de la lnea, por
contribuyen a la transmisin de potencia a lo
ella, pero tambin a una acumulacin de energa
En este tipo de estructuras se presentan las
radiadas. Son las que se proyectan directamente
espacio y, por lo tanto, tienen gran inters a la
construir antenas.Se tiene que evitar sus prdidas
El plano conductor inferior refleja las ondas
superficie de separacin aire-dielctrico. Dependiendo
de su incidencia, determinadas ondas son parcialmente
transmitidas y otras transmidas
Son completamente reflejadas
Diego Almeida
15

identifica la clasificacin de estas lneas de transmisin. Las
. Las lneas planares se pueden

usa el concepto
rde del conductor superior, tiene varios
[18]
Se desea en
que el campo electromagntico de la seal se concentre en torno a los
s necesario favorecer la excitacin de las ondas guiadas
Tabla 2.5. Caractersticas de las ondas guiadas, reflejadas, de fuga y de superficie.

las ondas
en ambos
normal y
por lo que
lo largo de
energa
as ondas
directamente al
la hora de
prdidas.
ondas hacia la
Dependiendo
parcialmente


2.2.1. Lnea Microstrip

Es una lnea no homognea (lneas de campo elctrico y magntico en el
aire y dielctrico) compuesta por
separados por un material dielctrico. En su forma ms simple es una estructura
abierta. El modo de propagacin es cuasi
identifican los campos.
Figura 2.

A continuacin se describe la

Donde C es la capacidad por unidad de longitud de la lnea microtira con un dielc
de constante dielctrica
r
y C
dielctrico es el vaco. Se presenta las ecuaciones de
longitud de onda y la velocidad de fase en la lnea.

aire y dielctrico) compuesta por una estrecha tira conductora y un plano de tierra
bierta. El modo de propagacin es cuasi-TEM. En la grfica a continuacin se

Figura 2.4. Modo cuasi-TEM lnea microsptrip
A continuacin se describe la constante dielctrica efectiva:
onde C es la capacidad por unidad de longitud de la lnea microtira con un dielc
y C
o
es la capacidad por unidad de longitud cuando el
Se presenta las ecuaciones de la impedancia caracterstica, la
a velocidad de fase en la lnea.
o
eff
C
C
=
eff
carac
Z
Z
0
=
eff
0
=
eff
c
v
0
=
Diego Almeida
16

una estrecha tira conductora y un plano de tierra
TEM. En la grfica a continuacin se
Ecuacin 2.1
onde C es la capacidad por unidad de longitud de la lnea microtira con un dielctrico
es la capacidad por unidad de longitud cuando el
la impedancia caracterstica, la
Ecuacin 2.2

Ecuacin 2.3

Ecuacin 2.4


Clasificacin de lnea microstrip
Segn sus caractersticas fsicas estas lneas se dividen en las siguientes
estructuras:
Lnea microstrip suspendida
Lnea microstrip acoplada
Lneas microstrip acopladas y suspendidas
Lneas microstrip reentrantes

Esta estructura consiste en elevar el sustrato, de modo que esta rodeado de aire
normalmente, por su parte superior e inferior, separando el dielctrico del plano
conductor inferior. En la figura 2.5
altura h y permitividad relativa
conductora sobre el sustrato de anchura W. Todo esto va introduc
dimensiones, donde a es la anchura y b la altura.
Figura 2.5

Este modelo produce
conductor, disminuyendo prdidas hmicas. Adems hay
constante dielctrica efectiva,

Clasificacin de lnea microstrip
acopladas y suspendidas
onsiste en elevar el sustrato, de modo que esta rodeado de aire
En la figura 2.5 se puede observar este modelo, con
tura h y permitividad relativa
r
, rodeado de aire con permitividad
conductora sobre el sustrato de anchura W. Todo esto va introducido en una caja de
, donde a es la anchura y b la altura.

Figura 2.5. Lnea microstrip suspendida.
un acoplo, y los campos estn concentrados entorno al
conductor, disminuyendo prdidas hmicas. Adems hay una disminucin de la
constante dielctrica efectiva, de la longitud de onda y de las dimensiones del circuito.
Diego Almeida
17

onsiste en elevar el sustrato, de modo que esta rodeado de aire
se puede observar este modelo, con un sustrato de
ado de aire con permitividad
o
, y la tira
ido en una caja de
, y los campos estn concentrados entorno al
una disminucin de la
de la longitud de onda y de las dimensiones del circuito.


Es susceptible de algunas
dimensiones del conductor, no solo
velocidad de propagacin. S
rango bajo de frecuencias en el orden de los GHz
considerada como aproximadamente T

Se configura por los parmetros W/H y S/H, junto con
de la tira, h es la altura del substrato y S es el espacio entre los bordes adyacentes de
las tiras. Los modos normales de propagacin tienen simetra par e impar a un
central de biseccin, las velocidades de fase de cada lnea son diferentes
lneas son no homogneas, por lo que los modos par e impar,
fase y valores de impedancia caracterstica diferente. La diferencia entre las
impedancias se hace mayor a medida que el acoplamiento entre las tiras se incrementa
por la reduccin del espacio entre ellas.

Figura 2.6

Para evitar el problema de inhomogeneidad se usa lneas acopladas en
estructura microtira suspendida, de esta manera se reducen las prdidas, reflexiones y
el acoplo parsito. Adems
diferencia entre las velocidades de fase.
ible de algunas propiedades de la gua onda dispersiva, influyen las
dimensiones del conductor, no solo en la impedancia caracterstica sino tambin en la
Se encuentra en el lmite cuasi-esttico, es decir, en el
en el orden de los GHz en el cual la propagacin puede ser
considerada como aproximadamente TEM.
por los parmetros W/H y S/H, junto con
r
, donde W es el ancho
h es la altura del substrato y S es el espacio entre los bordes adyacentes de
s modos normales de propagacin tienen simetra par e impar a un
las velocidades de fase de cada lnea son diferentes
lneas son no homogneas, por lo que los modos par e impar, tienen
por la reduccin del espacio entre ellas. En la figura 2.6 se identifica este modelo.

Figura 2.6. Lnea microstrip acoplada
evitar el problema de inhomogeneidad se usa lneas acopladas en
el acoplo parsito. Adems se puede conseguir una pequea compensacin de la
elocidades de fase. En la figura 2.7. se identifica este modelo.
Diego Almeida
18

propiedades de la gua onda dispersiva, influyen las
en la impedancia caracterstica sino tambin en la
esttico, es decir, en el
en el cual la propagacin puede ser
onde W es el ancho
h es la altura del substrato y S es el espacio entre los bordes adyacentes de
s modos normales de propagacin tienen simetra par e impar a un plano
las velocidades de fase de cada lnea son diferentes. Este tipo de
velocidades de
se identifica este modelo.
evitar el problema de inhomogeneidad se usa lneas acopladas en
se puede conseguir una pequea compensacin de la
. se identifica este modelo.


Figura 2.7. Lneas microstrip acopladas y suspendidas

Estructura multisustrato con lneas acopladas en la que se realiza una ranura en el
plano de masa. Existe un acoplamiento continuo del campo electromagntico de las dos lneas
controlado por una ranura que aparece en un plano conductor situado entre dos dielctricos
la figura 2.8. se identifica esta estructura.
Figura 2.8

2.2.2. Lneas Coplanares
Es una slotline insertada en el plano E de una guaonda r
puede definir tambin como
sustrato dielctrico o puede ser vista como una gua
dielctrico a la que le hemos incorporado unas aletas
finline segn la metalizacin del substrato. Las prdidas en este tipo de lneas se
deben: a las prdidas en el conductor (efecto Skin), en la gua, y
dielctrico (tang ) que se coloca en la parte de la gu

structura multisustrato con lneas acopladas en la que se realiza una ranura en el
xiste un acoplamiento continuo del campo electromagntico de las dos lneas
controlado por una ranura que aparece en un plano conductor situado entre dos dielctricos
. se identifica esta estructura.

Figura 2.8. Lneas microstrip rentrantes
una slotline insertada en el plano E de una guaonda rectangular metlica, se
una gua de onda arrugada con finas arrugas sobre u
puede ser vista como una gua onda cargada con una seccin de
e hemos incorporado unas aletas. Existen distintos tipos de lneas
deben: a las prdidas en el conductor (efecto Skin), en la gua, y a las prdidas en el
) que se coloca en la parte de la gua donde el campo es mximo.
Diego Almeida
19

structura multisustrato con lneas acopladas en la que se realiza una ranura en el
xiste un acoplamiento continuo del campo electromagntico de las dos lneas
controlado por una ranura que aparece en un plano conductor situado entre dos dielctricos. En
ectangular metlica, se
onda arrugada con finas arrugas sobre un
una seccin de
. Existen distintos tipos de lneas
a las prdidas en el
a donde el campo es mximo. En


la tabla 2.6 se identifica la clasificacin
identifica las caractersticas de estas estructuras

se identifica la clasificacin de las estructuras finline y en la tabla 2.7
identifica las caractersticas de estas estructuras.
Tabla 2.7. Clasificacin Finline
Finline unilateral se caracteriza
porque tiene las metalizaciones
situadas en una parte del sustrato
dielctrico
Finline bilateral se caracteriza
porque posee las aletas a ambos
lados del sustrato dielctrico.
Finline aislada incorpora
dielctrico de relleno para aislar
aletas de la guaonda lo que facilita
la aplicacin de la polarizacin a
componentes activos.
Finline antipodal incorpora una aleta
colocada asimtricamente con
respecto a la posicin de la otra en
otra cara del sustrato dielctrico.
Usada para sintetizar bajas
impedancias
Se considera una linea coplanar.
Son estructuras abiertas, tiene prdidas
por radiacin, interferencias desde
hacia otros circuitos.
Son lneas de transmisin inhomognea
(es quasi-TEM). Aparece una dbil
dispersin.
Diego Almeida
20

finline y en la tabla 2.7 se

caracteriza
metalizaciones
sustrato
caracteriza
ambos
un
las
facilita
los
aleta
con
en la
bajas
prdidas
desde y
inhomognea
dbil


2.3. Resonadores de anillos divididos
Como se describi antes, un medio zurdo se obtiene con una permeabilidad
magntica y permitividad dielctrica negativas. Para obtener estructuras con
negativas se estudia resonadores de anillos cortados SRR y anillos SRR
complementarios a los que se les denomina CSRR. Adems p
presente un comportamiento resonante, es necesario
inductivo. A continuacin se describen las caractersticas de estas estructuras.

Falcone y Baena en su investigacin
comporta como un medio equivalente de
esttica, mientras que la frecuencia en la cual
de plasma. Cabe destacar que dicha frecuencia de resonancia viene fijada
fundamentalmente por las dimensiones de los anillos y el espacio de separaci
ellos.
Caractersticas de la Finline
Las dimensiones del
circuito en el rango de
frecuencias de 30 a 100
GHz son compatibles
con las de los
dispositivos chip , por lo
que ofrece variadas y
consistentes
posibilidades de
construccin de circuitos
integrados activos y
pasivos .
Tabla 2.6 Carctersticas finline.
de anillos divididos
dielctrica negativas. Para obtener estructuras con
complementarios a los que se les denomina CSRR. Adems para que un dispositivo
presente un comportamiento resonante, es necesario un efecto capacitivo y otro
A continuacin se describen las caractersticas de estas estructuras.
Falcone y Baena en su investigacin
[20]
dice que la frecuencia
medio equivalente de <0 se llama frecuencia de resonancia cuasi
esttica, mientras que la frecuencia en la cual vuelve a ser positiva se llama frecuencia
fundamentalmente por las dimensiones de los anillos y el espacio de separaci
Caractersticas de la Finline
frecuencias de 30 a 100
dispositivos chip , por lo
construccin de circuitos
La longitud de onda
guiada en la fin line es
mayor que en una
microstrip por lo que esto
permite que las
tolerancias
dimensionales sean
menos exigentes que las
que tenemos en la
guaonda.
Las prdidas de
propagacin en una
finline, expresadas en
db/ , son cerca de tres
veces menores a las
habidas en una
microstrip empleando el
mismo material
dielctrico y la misma
montura de la guaonda.
Diego Almeida
21

dielctrica negativas. Para obtener estructuras con
ara que un dispositivo
un efecto capacitivo y otro
A continuacin se describen las caractersticas de estas estructuras.
a frecuencia en la cual se
resonancia cuasi-
vuelve a ser positiva se llama frecuencia
fundamentalmente por las dimensiones de los anillos y el espacio de separacin entre
Las prdidas de
propagacin en una
finline, expresadas en
, son cerca de tres
veces menores a las
habidas en una
microstrip empleando el
mismo material
dielctrico y la misma
montura de la guaonda.


2.3.1. SRR
Este resonador est formado
pequeas aberturas o cortes en extremos
excitada mediante un campo magntico variable en la direccin de la superficie
definen los anillos, el mismo que puede ser una onda externa o una lnea planar
corrientes que se generarn en cada uno de los anillos no se podrn cerrar sobre el
propio anillo debido a las aberturas que a ste se le han realizado, por lo que
nicamente se podrn cerrar a travs de la corriente de desplazamiento, y esto ser
posible por el gran efecto capacitivo que habr dada la proximidad entre los anillos
como lo dice Jordi Garcia Rincn
banda dual en el 2007.
[16]

El efecto inductivo en SRR
mientras que el efecto capacitivo vendr dado por la separacin entre los conductores
que forman los anillos y las propias aberturas de ambos anillos.
peridico de estas partculas con un
negativos de permeabilidad magntica efectiva dentro de un determinado rango de
frecuencias. Baena propone varios diseos de resonadores SRR en el 2005
figura 2.9. se identifica un SRR y sus cara

(a)
formado por dos anillos concntricos metlicos con unas
pequeas aberturas o cortes en extremos opuestos en un anillo del otro,
excitada mediante un campo magntico variable en la direccin de la superficie
, el mismo que puede ser una onda externa o una lnea planar
icamente se podrn cerrar a travs de la corriente de desplazamiento, y esto ser
posible por el gran efecto capacitivo que habr dada la proximidad entre los anillos
Jordi Garcia Rincn en el proyecto del diseo de un divisor de potencia en
en SRR lo aportan los conductores que crean los anillos
que forman los anillos y las propias aberturas de ambos anillos. Mediante un array
peridico de estas partculas con una excitacin adecuada es posible obtener valores
Baena propone varios diseos de resonadores SRR en el 2005
. se identifica un SRR y sus caractersticas.

Figura 2.9. Resonador SRR
(b)
(c)
Diego Almeida
22

por dos anillos concntricos metlicos con unas
opuestos en un anillo del otro, debe ser
excitada mediante un campo magntico variable en la direccin de la superficie que
, el mismo que puede ser una onda externa o una lnea planar. Las
icamente se podrn cerrar a travs de la corriente de desplazamiento, y esto ser
posible por el gran efecto capacitivo que habr dada la proximidad entre los anillos,
en el proyecto del diseo de un divisor de potencia en
lo aportan los conductores que crean los anillos
ediante un array
a excitacin adecuada es posible obtener valores
Baena propone varios diseos de resonadores SRR en el 2005
[20]
. En la


En la figura 2.9. (a) se identifica el modelo SRR con sus dimensiones donde
el ancho de las tiras metlicas, d separacin entre tiras, r
metlicas y r
ext
radio del anillo exterior.
modelo elctrico del SRR, C
o
de las capacidades de las mitades superior e inferior del SRR.
los campos.
[21]

2.3.2. CSRR
Existen otros resonadores
estructuras es el CSRR (Complementary Split Ring Resonators
anillos abiertos y concntricos, igual que el SRR, pero en este caso los anillos no son
tiras metlicas, sino que de un plano de metal se retira el metal de donde va situado el
resonador, en otras palabras es un SRR complementario.
La estructura presenta la misma frecuencia de resonancia que un SRR para las
mismas dimensiones. Pero por lo contrario, mientras un SRR es excitado por un campo
magntico axial, el CSRR es excitado mediante un campo elctrico axial paralelo al eje
Z. Los resonadores vistos anteriormente se implementan utilizando una sola capa de
metal. Esto hace que el acoplo entre las partculas que forman cada resonador se deba
a la capacidad lateral entre ellas. Este acoplo se denomina edge
se muestra en la figura 2.10 una estructura CSRR.

(a)
se identifica el modelo SRR con sus dimensiones donde
ancho de las tiras metlicas, d separacin entre tiras, r
o
radio medio de ambas tiras
radio del anillo exterior. Mientras en la figura (b) L
S

o
es la capacidad total entre tiras y C
S
es la conexin serie
de las capacidades de las mitades superior e inferior del SRR. La figura (c) se identifica
Existen otros resonadores que fueron propuestos por Baena
[20]
Complementary Split Ring Resonators) que c
en otras palabras es un SRR complementario.
presenta la misma frecuencia de resonancia que un SRR para las
es vistos anteriormente se implementan utilizando una sola capa de
a la capacidad lateral entre ellas. Este acoplo se denomina edge-side. A continuac
una estructura CSRR.
[21]

Figura 2.10. Estructura CSRR
(a)
(b)
(c)
Diego Almeida
23

se identifica el modelo SRR con sus dimensiones donde c es
radio medio de ambas tiras
inductancia del
es la conexin serie
La figura (c) se identifica
0]
, una de estas
) que consiste en dos
presenta la misma frecuencia de resonancia que un SRR para las
es vistos anteriormente se implementan utilizando una sola capa de
. A continuacin


La figura (a) y (b) muestra
mismas dimensiones y caractersticas del SRR. En la figura (c
la inductancia del modelo elctrico del SRR, C
C
S
es la conexin serie de las capacidades de las mitades superior e inferior del CSRR.

2.3.3. Lineas basadas en resonadores SRR y CSRR
Se investiga como implementar
tecnologas planares. Al trabajar con tecnologa planar, la lnea de transmisin d
ser microstrip o coplanar. La mejor opcin es la que
SRR y CSRR. Cuando se trabaja con lneas de
excitados mediante un modo que se propaga por la misma lnea de transmisin, ya que
en sta, las lneas de campo magntico presentan una direccin normal a la superficie
del slot. Por lo tanto, si se graban los anillo
campo magntico de sta los excitar de forma adecuada. Otra posible alternativa
sera grabar los anillos en la parte posterior del sustrato, evitando de este modo
problemas de adaptacin.

En el caso microstrip, los SRRs debern grabarse en la parte superior del metal
y cercanos al conductor que forma la lnea. Si
excitan mejor con una lnea coplanar, por lo que este tipo de resonadores se suelen
combinar con lneas coplanares
dos ejemplos de excitacin de SRR, propuesto por Baena en el 2005.
La figura (a) y (b) muestra de las dimensiones ms relevantes del CSRR
mismas dimensiones y caractersticas del SRR. En la figura (c) se identifica
del modelo elctrico del SRR, C
o
que es la capacidad total entre tiras y
Lineas basadas en resonadores SRR y CSRR
como implementar las estructuras SRR y CSRR
tecnologas planares. Al trabajar con tecnologa planar, la lnea de transmisin d
ser microstrip o coplanar. La mejor opcin es la que aporte un mejor acoplamiento a los
Cuando se trabaja con lneas de transmisin coplanar, los anillos son
del slot. Por lo tanto, si se graban los anillos en la zona del slot de la lnea coplanar, el
ip, los SRRs debern grabarse en la parte superior del metal
y cercanos al conductor que forma la lnea. Sin embargo, generalmente los SRR
combinar con lneas coplanares en lugar de microstrip. En la figura 2.11
dos ejemplos de excitacin de SRR, propuesto por Baena en el 2005.
[20]
Figura 2.11. Excitacin SRR.

Diego Almeida
24

de las dimensiones ms relevantes del CSRR, de las
se identifica L
S
que es
es la capacidad total entre tiras y
SRR y CSRR mediante
tecnologas planares. Al trabajar con tecnologa planar, la lnea de transmisin deber
un mejor acoplamiento a los
transmisin coplanar, los anillos son
s en la zona del slot de la lnea coplanar, el
ip, los SRRs debern grabarse en la parte superior del metal
n embargo, generalmente los SRR se
En la figura 2.11 se propone
0]


Generalmente se consigue u
microstrip. Ya que los CSRR
de conseguir un medio con y
obtener una permeabilidad negativa. La solucin
lnea de transmisin a la que se le realizan pequeas ranuras o gaps para dar un
comportamiento capacitivo. En la siguiente figura se muestra una estructura
la parte inferior se puede ver el plano de masa en color gris al que se le ha eli
metal para formar los anillos y en la parte superior, de color negro se observa la pista
central con los gaps que aportaran el efecto capacitivo esperado para obtener la
permeabilidad negativa.

Figura 2.12
eneralmente se consigue una mejor excitacin de CSRR mediante una lnea
suelen grabarse en los planos de masa. Con la finalidad
con y negativas, en este caso se debe buscar un mtodo de
obtener una permeabilidad negativa. La solucin reside en combinar los CSRR
En la siguiente figura se muestra una estructura
la parte inferior se puede ver el plano de masa en color gris al que se le ha eli

Figura 2.12. Estructura para excitar CSRR
Diego Almeida
25

mediante una lnea
Con la finalidad
negativas, en este caso se debe buscar un mtodo de
reside en combinar los CSRR con una
En la siguiente figura se muestra una estructura donde en
la parte inferior se puede ver el plano de masa en color gris al que se le ha eliminado el

CAPTULO III Estudio de Divisores de Potencia Wilkinson

ESTUDIO DE DIVISORES DE POTENCIA WILKINSON
3. Divisores de Potencia Wilkinson

3.1. Introduccin
En este estudio se analizan los conceptos bsicos de los divisores de potencia
Wilkinson, para iniciar con la investigacin hay que dar una definicin general.
Garcia Rincn en el 2007
[16]
dispositivo capaz de repartir la potencia que recibe por su puerto de entrada entre un
nmero n de salidas, habitualmente de forma equitativa
impedancias adaptadas a fin de tener un b

Divisores de potencia se utilizan ampliamente
microondas (MW), radiofrecuencia (RF), de ondas milimtricas, comunicaciones
pticas, entre otras aplicaciones de telecomunicaciones. Es importante mencionar que
el primer diseo para divisores de potencia
en el ao de 1960
[23]
. Y luego de
dado lugar a futuras investigaciones sobre la mejora del ancho de banda
de circuito plano de divisores de potencia
divisores de potencia de microondas se desarrollan en base a
Normalmente, los divisores de potencia convencionales estn di
banda. Recientemente, muchas investigaciones se han realizado en el diseo de
nuevos divisores de potencia Wilkinson para la aplica

CAPTULO III

DIVISORES DE POTENCIA WILKINSON

Divisores de Potencia Wilkinson
Wilkinson, para iniciar con la investigacin hay que dar una definicin general.
6]
comenta que sobre el divisor de potencia, el
nmero n de salidas, habitualmente de forma equitativa y simtrica, manteniendo las
impedancias adaptadas a fin de tener un bajo nivel de potencia reflejada.
ivisores de potencia se utilizan ampliamente en circuitos desarrollados en
roondas (MW), radiofrecuencia (RF), de ondas milimtricas, comunicaciones
para divisores de potencia de n salidas fue desarrollado po
. Y luego de la aparicin de los divisores de potencia Wilkinson
dado lugar a futuras investigaciones sobre la mejora del ancho de banda
de divisores de potencia de n salidas. Recientemente, los nuevos
microondas se desarrollan en base a meta
, los divisores de potencia convencionales estn diseados en una sola
ente, muchas investigaciones se han realizado en el diseo de
nuevos divisores de potencia Wilkinson para la aplicacin de doble frecuencia
Diego Almeida
26

DIVISORES DE POTENCIA WILKINSON
Wilkinson, para iniciar con la investigacin hay que dar una definicin general. Jordi
comenta que sobre el divisor de potencia, el cual es un
manteniendo las
ajo nivel de potencia reflejada.
en circuitos desarrollados en
roondas (MW), radiofrecuencia (RF), de ondas milimtricas, comunicaciones
de n salidas fue desarrollado por Wilkinson
la aparicin de los divisores de potencia Wilkinson, ha
dado lugar a futuras investigaciones sobre la mejora del ancho de banda y aplicaciones
ecientemente, los nuevos
meta-materiales.
seados en una sola
ente, muchas investigaciones se han realizado en el diseo de
cin de doble frecuencia.
[24]


3.2. Diseo y definicin del divisor de potencia Wilkinson
Como se menciona en el inicio de este captulo Ernest Wi
publica un modelo de un divisor de potencia que trabaja en las frecuencias de 500 MHz
y que soluciona el problema de bajo aislamiento y acople que tena el modelo de unin
T.
[23]
En la tabla 3.1 se identifica las principales caracterstic
Tabla 3.1 Caractersticas ideales del divisor de potencia Wilkinson

El divisor esta formado por una lnea principal que es dividida en n lneas de
longitud de cuarto de onda, se conecta una resistencia de forma radial al final
lnea, unidas en un nodo comn. En la figura 3.1 se presenta el divisor propuesto en
tres dimensiones, para la implementacin en microstrip es llevada a la tecnologa
planar.

Figura 3.1. Primer divisor de potencia Wilkinson.
Seales de
salida con
aplitudes
equitativas
Diseo y definicin del divisor de potencia Wilkinson
Como se menciona en el inicio de este captulo Ernest Wilkinson en 1960
y que soluciona el problema de bajo aislamiento y acople que tena el modelo de unin
En la tabla 3.1 se identifica las principales caractersticas del divisor Wilkinson.

longitud de cuarto de onda, se conecta una resistencia de forma radial al final

Figura 3.1. Primer divisor de potencia Wilkinson.
Caractersticas
ideales de un
divisor de
potencia
Seales de
salida con
desfase
equitativo
Diego Almeida
27

lkinson en 1960
y que soluciona el problema de bajo aislamiento y acople que tena el modelo de unin-
as del divisor Wilkinson.

longitud de cuarto de onda, se conecta una resistencia de forma radial al final de cada

Seales de
salida con
desfase
equitativo


Este modelo de Wilkinson es bsicamente
puertos (hexapolo), que realiza un reparto de potencia de forma
consiguen adaptar todos los puertos,
la que no circula corriente y de ese modo
manteniendo la reciprocidad. Si no se cargan los puer
caracterstica Z
o
(si hay una reflexin en uno de los puertos de salida),
potencia reflejada ser absorbida p
pero nunca a las puertas de salida.
divisor de potencia Wilkinson.

Para separar el circuito de tal forma
el mtodo de la tabla 3.2. Se presenta tambin la figura 3.3. donde se describe el
modelo circuital de Wilkinson.
Figura 3.3. Modelo circuital de Wilkinson
Wilkinson es bsicamente un tipo de divisor de potencia de tres
, que realiza un reparto de potencia de forma
consiguen adaptar todos los puertos, gracias a la impedancia externa de valor 2Z
e y de ese modo no aparecen prdidas disipativas,
reciprocidad. Si no se cargan los puertos con la impedancia
(si hay una reflexin en uno de los puertos de salida),
absorbida por la resistencia y parte ir a la puerta de entrada,
pero nunca a las puertas de salida.
[25]
En la figura 3.2 se identifica la estructura de un
divisor de potencia Wilkinson.
Figura 3.2. Estructura Wilkinson
eparar el circuito de tal forma que el clculo sea ms sencillo
modelo circuital de Wilkinson.

Figura 3.3. Modelo circuital de Wilkinson.
Diego Almeida
28

sor de potencia de tres
equitativa. Se
a la impedancia externa de valor 2Z
o
, por
rdidas disipativas,
tos con la impedancia
(si hay una reflexin en uno de los puertos de salida), parte de la
la puerta de entrada,
En la figura 3.2 se identifica la estructura de un

clculo sea ms sencillo, se describe


Se calcula la matriz para
nueve parmetros independientes
=

El resultado es la ecuacin 3.4 donde se puede ver que los puertos 2 y 3 estn
aislados y que slo la potencia reflejada por estos puertos es disipada en las
resistencias intermedias, esta teora es estudiada por

El mtodo que se va a describir a continuacin permite separar el circuito de tal
forma que el clculo sea ms sencillo
Modo par:
Se considera que V
g2
= V
g3
V
3
e
, de esta forma no puede fluir corriente
por la rama de resistencia r/2 ni por el
cortocircuito del puerto 1. Teniendo en
cuenta estas consideraciones estamos en
disposicin de calcular el valor de la
tensin en el puerto 1:
V
1
e
= jV 2 Ec. 3.1
Tabla 3.2. Modos par e impar.
Se calcula la matriz para Wilkinson mediante una matriz de parmetros S con
nueve parmetros independientes.
con
,

resistencias intermedias, esta teora es estudiada por
[26]

=

0
0 0
0 0

forma que el clculo sea ms sencillo
g3
= 2V V
2
e
=
, de esta forma no puede fluir corriente
por la rama de resistencia r/2 ni por el
cortocircuito del puerto 1. Teniendo en
cuenta estas consideraciones estamos en
disposicin de calcular el valor de la
tensin en el puerto 1:
Ec. 3.1
Modo impar:
Si ahora V
g2
= -V
g3
= 2V V
2
manera que ahora se tiene un cortocircuito
a la mitad de las ramas r/2 y otro en el
puerto 1. Teniendo en cuenta esto
podemos calcular la tensin en el puerto 1
que ser:
V
1
e
= 0 Ec. 3.2
Esto es debido a cortocircuito que hay en
dicho puerto.
Diego Almeida
29

mediante una matriz de parmetros S con
Ecuacin 3.3
Ecuacin 3.4
2
o
= -V
3
o
, de
manera que ahora se tiene un cortocircuito
a la mitad de las ramas r/2 y otro en el
puerto 1. Teniendo en cuenta esto
podemos calcular la tensin en el puerto 1
= 0 Ec. 3.2
Esto es debido a cortocircuito que hay en


En la tabla 3.3 se puede identificar todas las caractersticas del circuito a partir
del anlisis de la ecuacin 3.4.

En la figura 3.4 se puede apreciar como las ramas
evitar acoplamientos entre la rama superior y l
Figura 3.4. Modelo Wilkinson con curvatura.
Caractersticas de Wilkinson analizadas con la ecuacin 3.4
- Con prdidas, pero si las puertas 2 y 3 se cargan con la misma
impedancia no disipa potencia gracias a la resistencia externa de
- Se trata de una red pasiva ya que cumple S
- Tiene todas sus puertas adaptadas Sii = 0. Ec 3.6
- Existe aislamiento entre las puertas 2 y 3: S23 = S32 = 0. Ec 3.7
- El reparto de potencia es equitativo de 3dB entre las puertas 2 y 3,
siempre que se carguen con dos impedancias iguales.
- El circuito es vlido en un margen estrecho de frecuencia (Banda
- Un divisor ideal Wilkinson dar
del anlisis de la ecuacin 3.4.
Tabla 3.3. Caractersticas de Wilkinson
se puede apreciar como las ramas /4 estn curvadas para
evitar acoplamientos entre la rama superior y la inferior.

Figura 3.4. Modelo Wilkinson con curvatura.

Con prdidas, pero si las puertas 2 y 3 se cargan con la misma
valor 2Z
o
.
Se trata de una red pasiva ya que cumple S
ii
< 1 S
ij
< 1. Ec 3.5
Tiene todas sus puertas adaptadas Sii = 0. Ec 3.6
Existe aislamiento entre las puertas 2 y 3: S23 = S32 = 0. Ec 3.7
El reparto de potencia es equitativo de 3dB entre las puertas 2 y 3,
siempre que se carguen con dos impedancias iguales.
El circuito es vlido en un margen estrecho de frecuencia (Banda
estrecha).
Un divisor ideal Wilkinson dara S
21
= S
31
= -3dB = 10log
10
(0.5)
Diego Almeida
30


n curvadas para
Con prdidas, pero si las puertas 2 y 3 se cargan con la misma
< 1. Ec 3.5
Existe aislamiento entre las puertas 2 y 3: S23 = S32 = 0. Ec 3.7
El reparto de potencia es equitativo de 3dB entre las puertas 2 y 3,
El circuito es vlido en un margen estrecho de frecuencia (Banda
(0.5)


El divisor de Wilkinson satisface que los terminales estn adaptados (S
que la red sea recproca (S
ij

tanto, hay una cierta prdida que ocurre en la red.
cuando las seales en los puertos 2 y 3 estn en fase y tienen igual magnitud.

A continuacin se analiza matemticamente el comportamiento de un divisor de
potencia Wilkinson con un puerto de entrada y dos de salida. Como se mencion antes,
se trata de un dispositivo pasivo, recproco,
2 y 3 no se carguen con la misma impedancia).
pierde potencia por reflexin)
Estos transformadores se colocaran
retardo de -90. Para describir las frmulas matemticas se representa un nuevo
esquema presentado por M. Bodega en el 2007
y el transformador de impedancias. En la figura 3.5 se observa el nuevo circuito.

Figura 3.5. Esquema Wilkinson con transformador y lneas adaptadas.

= S
ji
), no puede satisfacer el ltimo sin prdidas. Por lo
tanto, hay una cierta prdida que ocurre en la red. Circuitos sin prdida se produce
continuacin se analiza matemticamente el comportamiento de un divisor de
dispositivo pasivo, recproco, con prdidas (en el caso de que
guen con la misma impedancia). Para conseguir adaptacin (no se
potencia por reflexin) se trabaja con divisores Wilkinson con transformadores.
os transformadores se colocaran entre la carga y la lnea /4 introduciendo
Para describir las frmulas matemticas se representa un nuevo
esquema presentado por M. Bodega en el 2007
[18]
, donde estn los puertos adaptados
Diego Almeida
31

ii
=0), y
), no puede satisfacer el ltimo sin prdidas. Por lo
Circuitos sin prdida se produce
continuacin se analiza matemticamente el comportamiento de un divisor de
con prdidas (en el caso de que las puertas
seguir adaptacin (no se
con transformadores.
/4 introduciendo un nuevo
Para describir las frmulas matemticas se representa un nuevo
, donde estn los puertos adaptados



Para lograr la adaptacin y el aislamiento se cumplen algunos parmetros
mostrados en las siguientes frmulas:

Donde la ecuacin 8 relaciona la potencia de salida del divisor Wilkinson, la
ecuacin 9 y 10 determinan las impedancias
resistencia que se coloca para que queden aisladas las puertas de salida representa la
ecuacin 11. Finalmente ecuaciones 12 y 13 corresponden a las impedancias de las
secciones /4 luego del transformador
identifique las impedancias adecuadas. Para que
puertas deben tener la misma fracc
Bodega en su artculo.
[28]
C
distinto a 1, por lo que las potencias presentas en a
la suma de ambas igual a la de la puerta de entrada
este anlisis se toma en cuenta la condicin de equilibrio que se cump
por lo tanto las frmulas se representan de la siguiente manera

mostrados en las siguientes frmulas:

ecuacin 9 y 10 determinan las impedancias caractersticas del divisor
oloca para que queden aisladas las puertas de salida representa la
luego del transformador para que a la entrada de dicho transformador se
identifique las impedancias adecuadas. Para que un divisor este equilibrado
la misma fraccin de potencia y K=1. Tal como menciona M.
Cuando un divisor esta desequilibrado K en e
potencias presentas en ambas puertas sern distintas, y son
al a la de la puerta de entrada para el caso de adaptacin.
este anlisis se toma en cuenta la condicin de equilibrio que se cumple cuando K es 1,
por lo tanto las frmulas se representan de la siguiente manera:

2
Diego Almeida
32

Ecuacin 3.8
Ecuacin 3.9
Ecuacin 3.10
Ecuacin 3.11
Ecuacin 3.12
Ecuacin 3.13
visor, el valor de la
oloca para que queden aisladas las puertas de salida representa la
dicho transformador se
este equilibrado ambas
in de potencia y K=1. Tal como menciona M.
un divisor esta desequilibrado K en el diseo es
mbas puertas sern distintas, y son
para el caso de adaptacin. Para
le cuando K es 1,
Ecuacin 3.8
Ecuacin 3.9


Para construir la matriz de parmetros S se toma en cuenta las ecuaciones 3.6 y
3.7 que indican la adaptacin y el aislamiento entre dichas puertas respectivamente.
Para el clculo de S
21
y S
12
se analizan las p

De la misma manera se analiza S

En los parmetros S estudiados el signo negativo se produce al atravesar, dos
lneas de longitud /4 y como cada una introduce un desfase de
un desfase de -180 que corresponde
parmetros S descrita en la ecuacin 3.4.

En el artculo de Alicia Casanueva en 2008 se analizan varias formulas de una
microstrip.
[29]
Para disear el divisor de potencia Wilkinson es necesario otras

2
= 2

se analizan las potencias de entrada y de salida.
= 2
= 2

De la misma manera se analiza S
31
.

/4 y como cada una introduce un desfase de -90, al final se tiene
180 que corresponde -j. Como resultado final se obtiene la matriz de
parmetros S descrita en la ecuacin 3.4.
Diego Almeida
33

Ecuacin 3.10
Ecuacin 3.11
Ecuacin 3.12
Ecuacin 3.13
otencias de entrada y de salida.
Ecuacin 3.8
Ecuacin 3.14
Ecuacin 3.15
Ecuacin 3.16
90, al final se tiene
Como resultado final se obtiene la matriz de


ecuaciones para determinar parmetros importantes, a continuacin se representa la
frmula del ngulo elctrico:
Los otros parmetros de diseo se pueden calcular con un simulador de lneas
de transmisin, se necesita de tres caractersticas del divisor conocidas, que con a
constante dielctrica del sustrato
sustrato (h) y dependiendo de lo que se desea calcular, si no se conoce la impedancia
caracterstica Z
o
se espesor o anchura de la lnea de transmisin (W), y viceversa.
Estos parmetros los podemos calcular matemticamente y a continuacin se detalla
las ecuaciones como nos describe
la microcinta W que esta definida por la frecuencia de trabajo, se emplea la siguiente
formula:
( 1)
Donde el parmetro B se calcula:

Tambin se puede determinar la constante dielctrica efectiva
onda , con estos valores finalmente se obtiene la longitud de la microcinta L. A
continuacin de describen las frmulas:

En la ecuacin 3.22 se expresa la impedancia caracterstica con un transformador
ciones para determinar parmetros importantes, a continuacin se representa la

transmisin, se necesita de tres caractersticas del divisor conocidas, que con a
constante dielctrica del sustrato o permitividad relativa (
r
), el espesor o altura del
las ecuaciones como nos describe I.J. Bahl
[28]
en el ao 2003. Se calcula el ancho de
microcinta W que esta definida por la frecuencia de trabajo, se emplea la siguiente
) ln(2 1) +
ln( 1) + 0.39
.

Donde el parmetro B se calcula: =

Tambin se puede determinar la constante dielctrica efectiva
r

, con estos valores finalmente se obtiene la longitud de la microcinta L. A
continuacin de describen las frmulas:

En la ecuacin 3.22 se expresa la impedancia caracterstica con un transformador

Diego Almeida
34

ciones para determinar parmetros importantes, a continuacin se representa la
Ecuacin 3.17
transmisin, se necesita de tres caractersticas del divisor conocidas, que con a
), el espesor o altura del
en el ao 2003. Se calcula el ancho de
microcinta W que esta definida por la frecuencia de trabajo, se emplea la siguiente
Ecuacin 3.18
Ecuacin 3.19
y la longitud de
, con estos valores finalmente se obtiene la longitud de la microcinta L. A
Ecuacin 3.20
Ecuacin 3.21
En la ecuacin 3.22 se expresa la impedancia caracterstica con un transformador /4:
Ecuacin 3.22

CAPTULO IV Estudio de Divisores de Potencia Wilkinson Duales
ESTUDIO DE DIVISORES DE POTENCIA WILKINSON
4. Divisores de Potencia Wilkinson

4.1. Divisores de Potencia Wilkinson sin Tramos de Lnea de Transmisin (tales
como Tramos de Lnea en Cortocircuito y Tramos de Lnea en Circuito
Abierto) y sin los Componentes Reactivos.

Los modernos sistemas de comunicacin inalmbricos
y bandas mltiples frecuencias. Por lo tanto, muchos trabajos de investigacin se estn
desarrollando para obtener el mximo de prestaciones en doble banda de las
componentes de RF tales como
combinadores de potencia juegan un papel esencial en los sistemas de microondas y
ondas milimtricas. Varios divisores de potencia Wilkinson en doble banda han sido
desarrollados basados en el transformador de doble banda de Monzn transfor
con dos secciones en cascada de transforma
fue extendida a proporcionar multi
de transmisin, que son adems ms utilizados en el diseo de divisores
de potencia. Divisores de potencia duales se pueden lograr tambin utilizando las
secciones en T y estructuras Pi med
Abierto pero el principal inconveniente del uso de estas tcnicas es su gran
fsico, a continuacin se presenta la evolucin de un circuito mono banda a uno en
banda dual mediante este mtodo.


CAPTULO IV

DIVISORES DE POTENCIA WILKINSON DUAL

Divisores de Potencia Wilkinson dual-band
Divisores de Potencia Wilkinson sin Tramos de Lnea de Transmisin (tales
Abierto) y sin los Componentes Reactivos.
Los modernos sistemas de comunicacin inalmbricos funcionan en banda dual
componentes de RF tales como antenas y el poder divisores-combinador
desarrollados basados en el transformador de doble banda de Monzn transfor
con dos secciones en cascada de transformadores de lnea de transmisin
fue extendida a proporcionar multi-banda utilizando transformadores en cascada lneas
de transmisin, que son adems ms utilizados en el diseo de divisores
secciones en T y estructuras Pi mediante la utilizacin de tramos de Lnea en Circuito
Abierto pero el principal inconveniente del uso de estas tcnicas es su gran
banda dual mediante este mtodo.
Diego Almeida
35

DUAL-BAND
Divisores de Potencia Wilkinson sin Tramos de Lnea de Transmisin (tales
funcionan en banda dual
combinadores. Divisores y
desarrollados basados en el transformador de doble banda de Monzn transformador
dores de lnea de transmisin.
[6]
Su teora
banda utilizando transformadores en cascada lneas
de transmisin, que son adems ms utilizados en el diseo de divisores-combinadores
de Lnea en Circuito
Abierto pero el principal inconveniente del uso de estas tcnicas es su gran tamao


4.2. Divisor de Potencia Wilkinson con el uso de Lneas de Transmisin en
forma de T
En la figura 4.1.a se muestra dos de las topologa
Wilkinson. La figura 4.1.a representa a un divisor
muestra el esquema de un divisor de potencia de banda dual.
Figura 4.1. Topologas bsicas de un divisor Wilkinson.

Un diagrama esquemtico del divisor de potencia Wilkinson
cuenta de una divisin igual potencia a dos
figura 4.1. Cada rama de cuarto de onda de un sistema convencional de
potencia Wilkinson est sustituido por dos secciones de lnea de transmisin con
impedancia caracterstica Z
i
y la longitud
salida tienen una conexin
condensador. El divisor de potencia es simtrico, por lo tanto se puede utilizar
concepto de simetra par/impar como
del circuito para la doble frecuencia.

Cada rama /4 del divisor de potencia Wilk
se sustituye por su correspondiente banda dual
cuarto de onda del divisor de potencia Wilkinson conv
4.2.a, la cual se convierte en una
seccin T. La equivalencia entre la impedancia de una seccin de lnea de tra
se muestra en la figura 4.2.b, y la seccin en fo
Divisor de Potencia Wilkinson con el uso de Lneas de Transmisin en
a se muestra dos de las topologas bsicas de u
a representa a un divisor Wilkinson clsico y la figura 4.1.
muestra el esquema de un divisor de potencia de banda dual.
Topologas bsicas de un divisor Wilkinson.
Un diagrama esquemtico del divisor de potencia Wilkinson bsico
al potencia a dos frecuencias albitrarias, se muestra en la
. Cada rama de cuarto de onda de un sistema convencional de
inson est sustituido por dos secciones de lnea de transmisin con
y la longitud elctrica
i
, respectivamente. Los puertos de
en paralelo de una resistencia, una inductancia y un
divisor de potencia es simtrico, por lo tanto se puede utilizar
concepto de simetra par/impar como modo de anlisis para determinar los parmetros
la doble frecuencia.
4 del divisor de potencia Wilkinson convencional de la figura
se sustituye por su correspondiente banda dual (seccin T). Cada seccin de longitud
cuarto de onda del divisor de potencia Wilkinson convencional se muestra en la figura
se convierte en una lnea de transmisin de doble banda en forma de
La equivalencia entre la impedancia de una seccin de lnea de tra
b, y la seccin en forma de T en la figura 4.1.
Diego Almeida
36

Divisor de Potencia Wilkinson con el uso de Lneas de Transmisin en
s bsicas de un divisor
Wilkinson clsico y la figura 4.1.b

bsico, que da
, se muestra en la
. Cada rama de cuarto de onda de un sistema convencional de un divisor de
inson est sustituido por dos secciones de lnea de transmisin con la
, respectivamente. Los puertos de
inductancia y un
divisor de potencia es simtrico, por lo tanto se puede utilizar el
modo de anlisis para determinar los parmetros
inson convencional de la figura 4.1.a
Cada seccin de longitud
encional se muestra en la figura
doble banda en forma de
La equivalencia entre la impedancia de una seccin de lnea de transmisin
rma de T en la figura 4.1.b.


Figura 4.2 (a). Lnea de transmisin

Se investiga la utilizacin de las matrices ABCD de ambas secciones.
ABCD de la lnea (g/4) que es mostrada en la Fig.
4.1.

Como se muestra a partir de la figura 4.3

Figura 4.3. Identificacin de la matriz

La matriz ABCD de la seccin mostrada en figura 4.2.

C
A
nea de transmisin cuarto de onda (b). Circuito equivalente circuito en T
Se investiga la utilizacin de las matrices ABCD de ambas secciones.
g/4) que es mostrada en la Fig. 4.2.a se muestra en la ecuacin
uestra a partir de la figura 4.3

Figura 4.3. Identificacin de la matriz
de la seccin mostrada en figura 4.2.b es
MT = M2M3M2
[ ]
(
=
0 jY
jZ 0
M
1
1
1

Ecuacin 4.1
(
=
(
(
l l jY
l jZ l
D
B

cos sin
sin cos
0
0
Ecuacin 4.2
Ecuacin 4.3
Diego Almeida
37

ircuito equivalente circuito en T
Se investiga la utilizacin de las matrices ABCD de ambas secciones. La matriz
4.2.a se muestra en la ecuacin
Ecuacin 4.1
Ecuacin 4.2
Ecuacin 4.3


Donde M2 y M3 son las matrices ABCD de los e
definidas como:

Igualando las matrices ABCD de las dos topologas se obtiene
de la lneas de transmisin que intervien en

Figura 4.4

4.3. Circuito propuesto
En este apartado, una nueva versin del divisor de potencia Wilkinson
tramos de lnea de transmisin (tales como tramos de lnea en cortocircuito y
tramos de lnea en circuito abierto) y sin los componentes reactivos (como
inductor L de aislamiento y condensador C) se desarrolla para los usos en
frecuencia de banda dual. Este divisor simtrico de potencia consiste en seis
secciones de lneas de la transmisin y de un resistor del aislamiento
ecuaciones no lineales correspondientes del diseo son derivadas usando el anlisis
uniforme y concepto de modo par e i
Donde M2 y M3 son las matrices ABCD de los elementos en serie y en paralelo

Igualando las matrices ABCD de las dos topologas se obtienen los parmetros
de la lneas de transmisin que intervien en el divisor que se muestra en la figura 4.4
Figura 4.4. Topologas luego de igualar la matriz.
este apartado, una nueva versin del divisor de potencia Wilkinson
l. Este divisor simtrico de potencia consiste en seis
secciones de lneas de la transmisin y de un resistor del aislamiento
uniforme y concepto de modo par e impar.
Ecuacin 4.4
Ecuacin 4.5
Diego Almeida
38

lementos en serie y en paralelo
n los parmetros
que se muestra en la figura 4.4.

este apartado, una nueva versin del divisor de potencia Wilkinson sin
l. Este divisor simtrico de potencia consiste en seis
secciones de lneas de la transmisin y de un resistor del aislamiento R, y las
Ecuacin 4.4
Ecuacin 4.5


Por otra parte, solucionando las ecuaciones
datos de diseo numricos exactos junto con diversos cocientes de la frecuencia son
obtenidos, y los parmetros normalizados eficaces se dan simultneamente en los
formatos de la figura y de la tabla para los usos especfic
los parmetros de diseo, un divisor igual ideal de la potencia que
MHz y 5.85 GHz se simula. Finalmente, la estructura y el mtodo de diseo propuestos
son validados por resultados simulados y experimentales
estructura plana de la microcinta tpica que funciona en

La figura 4.5 presenta la estructura del circuito del divisor de pote
para banda dual, por conveniencia, la lnea parmetros de la
en la figura 4.5 tal como impedancias caractersticas (z
aislamiento (R) se normaliza con la impedancia caracterstica terminal (Z
puesta en prctica del circuito, los parmetros de dise
segn la impedancia caracterstica terminal especial Z
las indicaciones de la figura 4. 5
de la entrada y la resistencia de aislamiento co
transformadores doble-banda de impedancia. Dos puertos de salida son extendidos en
vez de adoptar la lnea trozos o componentes reactivos de la transmisin tales como
inductores L y condensadores C. Por lo tanto, para garantizar q
estn emparejados idealmente y el aislamiento entre P2 y P3 es perfecto, es
generalmente aplicar el anlisis uniforme y del modo par

Figura 4.5. Topologa del circuito propuesto como divisor de potencia
Por otra parte, solucionando las ecuaciones no lineales finales del diseo, los
formatos de la figura y de la tabla para los usos especficos. Para verificar tericamente
los parmetros de diseo, un divisor igual ideal de la potencia que funciona en 900
se simula. Finalmente, la estructura y el mtodo de diseo propuestos
son validados por resultados simulados y experimentales de un divisor de potencia en
estructura plana de la microcinta tpica que funciona en 1 GHz y 3.5 GHz
presenta la estructura del circuito del divisor de pote
or conveniencia, la lnea parmetros de la transmisin presentados
tal como impedancias caractersticas (z
1
, z
2
, z
3
) y la resistencia de
del circuito, los parmetros de diseo finales se deben obtener
segn la impedancia caracterstica terminal especial Z
0
(por ejemplo, 50
las indicaciones de la figura 4. 5, las lneas de la transmisin se insertan entre el puerto
de la entrada y la resistencia de aislamiento como piezas principales de
banda de impedancia. Dos puertos de salida son extendidos en
inductores L y condensadores C. Por lo tanto, para garantizar que todos los puertos
generalmente aplicar el anlisis uniforme y del modo par-impar convencional.
Topologa del circuito propuesto como divisor de potencia Wilkinson en banda dual.
Diego Almeida
39

lineales finales del diseo, los
os. Para verificar tericamente
funciona en 900
se simula. Finalmente, la estructura y el mtodo de diseo propuestos
de un divisor de potencia en
1 GHz y 3.5 GHz.
presenta la estructura del circuito del divisor de potencia propuesto
isin presentados
) y la resistencia de
0
). As, en la
o finales se deben obtener
(por ejemplo, 50). Segn
, las lneas de la transmisin se insertan entre el puerto
mo piezas principales de
banda de impedancia. Dos puertos de salida son extendidos en
ue todos los puertos
impar convencional.
Wilkinson en banda dual.


Las estructuras simples del circuito equivalente
y 4.7, respectivamente para el anlisis uniforme mediante el desglose en modo par y
modo impar.

Figura 4.6.

La figura 4.6 muestra un transformador de impedancia de banda dual que incluye
tres secciones de lneas de transmisin.

Figura 4.7.

De la teora de lneas de transmisin se obtiene:

Combinando las ecuaciones (4.6

2
2 2
Z
Z Z
IN
=
Las estructuras simples del circuito equivalente se presentan en la las figuras 4.6
, respectivamente para el anlisis uniforme mediante el desglose en modo par y
.6. Circuito correspondiente al modo par.
muestra un transformador de impedancia de banda dual que incluye
tres secciones de lneas de transmisin.
.7. Circuito correspondiente al modo impar.
neas de transmisin se obtiene:

Combinando las ecuaciones (4.6) y (4.7) se obtiene

( )
( )
tan 1
tan 1
3
3
3 1
j Z
jZ
Z Z
IN
+
+
=
( )
( )
tan
tan
1 2
2 1
2 2
IN
IN
IN
jZ Z
jZ Z
Z Z
+
+
=
( )
( )
. 2
tan
tan
2 1
1 2
1
=
+
+
=
IN
IN
INe
jZ Z
jZ Z
Z Z
Ecuacin 4.6
Ecuacin 4.7
Ecuacin 4.8
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )

tan tan
tan tan
3 2
2 2
3 3 2
3 2 3 2
2 2
2 3
Z Z j Z Z Z
Z Z Z jZ Z Z
+ +
+ +
Ecuacin 4.9
Diego Almeida
40

se presentan en la las figuras 4.6
, respectivamente para el anlisis uniforme mediante el desglose en modo par y
muestra un transformador de impedancia de banda dual que incluye
Ecuacin 4.6
Ecuacin 4.7
Ecuacin 4.8
Ecuacin 4.9


De esta forma la ecuacin (4
Combinando (4.9) y (4.10

Por lo que para el modo impar, la impedancia de entra
figura 4.7 ser:

Donde:

Al separar de estas dos ecuaciones la parte real y la parte imaginaria se
obtienen este par de ecuaciones linealmente independientes:

( )
(
( ) 2
tan
tan
3 2 1
2
3
2
1
2
Z Z Z
Z Z
[ 1
2
2
1
2
3 2 1
+ + Z Z Z Z Z Z Z
= Z Z
INodd
2
Z Z
IN
=
Z
Z r
Z Z
Z Z Z
2
3
1 2
3 2
2 (
tan
(
De esta forma la ecuacin (4.8) se puede rescribir como

4.10) y separando las partes reales e imaginarias se tiene:

Por lo que para el modo impar, la impedancia de entrada correspondiente a la
obtienen este par de ecuaciones linealmente independientes:
( )
( )
tan 2
tan 2
1
1
1 2
j Z
jZ
Z Z
IN
+
=
Ecuacin 4.10
( ) ( )
) ( )
0
tan 2 2
2 2
2 3 2
3 2 3 2 1
3
2
1
2
=
(
(
(
+
+ +
Z Z Z
Z Z Z Z Z Z Z Z
( )] ( ) 0 tan 2 2
2
3 2 3 2
2
3 1 3
= + Z Z Z Z Z Z Z
Ecuacin 4.11
Ecuacin 4.12
( )
( )
1
2
tan
tan
2
3
3
3
=
+
+
+
+
r Z
Z
jr Z
jZ
r Z
r Z
Z
IN
IN
IN
IN
( ) ( )
( ) ( ) [ ]

tan tan
tan tan
1 2
2 1
2
jZ j Z
jZ jZ
+
+
Ecuacin 4.13
Ecuacin 4.14
( )
( )
( )
+
= +
+
r Z
Z
Z Z Z
r Z r
Z Z
2
3
2
2
1
1 2 2
2
3
2
3 2
1 2
tan
tan
) ( )
0 ) 2 (
tan
)
Ecuacin 4.15
Diego Almeida
41

) y separando las partes reales e imaginarias se tiene:

da correspondiente a la


Ecuacin 4.10
Ecuacin 4.11
Ecuacin 4.12
Ecuacin 4.13
Ecuacin 4.14
Ecuacin 4.15


Segn las ecuaciones (
del diseo de impedancias caractersticas y de
aislamiento se simplifican y se resumen como sigue,

Obviamente, hay cuatro variables en las cuatro
antedichas cuando se da el
ecuaciones (4.16) - (4.19) son
totales sern sin cambios mientras que el valor absoluto
elctrico de la longitud depende de la frecuencia de funcionamiento.

Aqu, se asume que las frecuencias del centro de
y f
2
= pf1, donde p es la frecuencia de radio y
elctricas correspondientes
f1

Para asegurarse de q
constantes, podemos finalmente o

( )[ tan 1
2
3
1
2 2
3
2
1 + + Z Z Z Z Z Z Z
tan ) )( 1 (
2
1 3
2
2
+ Z Z Z Z
( 2
2
1
3
1
2
3
2
1 + + Z Z Z Z Z Z Z Z Z
r
Segn las ecuaciones (4.11), (4.12), y (4.15), las ecuaciones no lineales finales
del diseo de impedancias caractersticas y de la resistencia normalizada
aislamiento se simplifican y se resumen como sigue,

y cuatro variables en las cuatro expresiones independientes
antedichas cuando se da el elctrico de la longitud. Puede ser observado que las
(4.19) son funciones de tan (), a saber, las ecuaciones no lineales
totales sern sin cambios mientras que el valor absoluto de tan () es fijo. Adem
ctrico de la longitud depende de la frecuencia de funcionamiento.
las frecuencias del centro de la banda dual arbitraria son f
p es la frecuencia de radio y p 1. Por lo tanto, l
f1
y
f2
satisfacen la relacin como sigue,

ara asegurarse de que los valores absolutos de tan(
f1
) y de tan
constantes, podemos finalmente obtener la siguiente ecuacin:

] 0 2 2 2
1
2
3 2
2
3 3
2
2 2
= Z Z Z Z Z Z Z
( ) ( ) ( ) [ ] 0 tan 1 ] tan [ tan
2 2
3
2
1
2
3
2
= + Z Z Z Z
( )[ ] 0 2 tan ) (
2
2
2
3
1
2 2
3
2
1
3
= + + + Z Z Z Z Z Z Z
( ) [ ]
( )
2
2 2
3
tan 1
tan 1 2
+
+
=
Z
( ) ( )
2 1
f p f =
( ) ( )
1 2
tan tan f f =
Diego Almeida
42

), las ecuaciones no lineales finales
la resistencia normalizada del

expresiones independientes
observado que las
), a saber, las ecuaciones no lineales
) es fijo. Adems, el
la banda dual arbitraria son f
1

Por lo tanto, las longitudes
) y de tan(
f2
) sean
Ecuacin 4.16
Ec. 4.17
Ecuacin 4.20
Ecuacin 4.21
Ecuacin 4.17
Ecuacin 4.18
Ecuacin 4.19


As, bajo condiciones (4.19) y (4.11
ser derivado directamente como:

En implementaciones prcticas
(4.21), el positivo y el mnimo terico de longitud elctrica se elige como

Observe que la ecuacin del diseo (4.22
elegida solamente para ser discu
ecuaciones no lineales (4.16)
derivar analticamente. Sin embargo, para este tipo de divisor de potencia propuesto,
los parmetros de diseo normalizados se pueden obtener fcilmente a travs del
mtodo de optimizacin numrica en lugar de forma cerrada ecuaciones de diseo. Por
lo tanto, los parmetros de diseo normalizado ilustrados en la siguiente seccin seran
tiles para aplicaciones futuras.

4.3.1. Parmetros de Diseo Normalizados
Solucionando las ecuaciones
las impedancias caractersticas normalizadas (z1, z2, z3) y de la resistencia del
aislamiento (r) que vara con el cociente p de la frecuencia son mostrados en la figura
4.4 Segn lo representado en la fig
cociente de la frecuencia que se extiende a partir del 2.5 a 6.5, con impedancias
caractersticas en la gama de 0.5143 a 2.9769 (estas impedancias caractersticas
pueden satisfacer usos comunes de la microcinta). El valor normalizado mximo
resistencia de aislamiento (r)
As, bajo condiciones (4.19) y (4.11), la longitud elctrica positiva final
ser derivado directamente como:
En implementaciones prcticas, la estructura compacta es preferible. Segn
), el positivo y el mnimo terico de longitud elctrica se elige como
e que la ecuacin del diseo (4.22) para las estructuras compactas est
elegida solamente para ser discutida en la presente investigacin. De acuerdo con la
lineales (4.16) - (4.19) y (4.22), las ecuaciones del diseo no se pueden
Sin embargo, para este tipo de divisor de potencia propuesto,
mizacin numrica en lugar de forma cerrada ecuaciones de diseo. Por
para aplicaciones futuras.
Parmetros de Diseo Normalizados
Solucionando las ecuaciones (4.16) - (4.19) numricamente, los resultados de
.4 Segn lo representado en la figura 4.8, el divisor potencia pueden funcionar en el
la frecuencia que se extiende a partir del 2.5 a 6.5, con impedancias
pueden satisfacer usos comunes de la microcinta). El valor normalizado mximo
lamiento (r) en la figura 4.8 es 4.9509 para p = 2.5.
( ) { } ,.. 3 , 2 , 1 ,
1
1

+
= n
p
n
f

Ecuacin 4.22
( )
1
1
+
=
p
f

Ecuacin 4.23
Diego Almeida
43

), la longitud elctrica positiva final
f1
puede
pacta es preferible. Segn

) para las estructuras compactas est
. De acuerdo con las
), las ecuaciones del diseo no se pueden
Sin embargo, para este tipo de divisor de potencia propuesto,
mizacin numrica en lugar de forma cerrada ecuaciones de diseo. Por
) numricamente, los resultados de
pueden funcionar en el
la frecuencia que se extiende a partir del 2.5 a 6.5, con impedancias
pueden satisfacer usos comunes de la microcinta). El valor normalizado mximo de la
Ecuacin 4.22
Ecuacin 4.23


Se puede considerar que el
para dos sistemas de bandas separadas muy altas
normalizados exactos con cocientes tpicos de la
4.1 y la tabla 4.2 que garantiza que la repeticin futura del uso
ecuacin 4.22 se puede utilizar fcilmente para calcular la longitud elctrica,
presentado en la figura 4.8, tabla
est cerca de 6.5, el tamao del divisor de potencia es muy pequeo
propuesta tiene la funcin de la miniaturizacin. Es interesante que e
en la tabla 1 es similar a un divisor convencio

Tabla 4.1. Impedancias normalizadas en funcin del cociente entre frecuencias (
Caso 1
Caso 2
Se puede considerar que el divisor propuesto de potencia es muy conveniente
de bandas separadas muy altas. Adems, los parmetros
normalizados exactos con cocientes tpicos de la frecuencia se enumeran en la tabla
2 que garantiza que la repeticin futura del uso si es conveniente.
se puede utilizar fcilmente para calcular la longitud elctrica,
, tabla 4.1 y tabla 4.2. Cuando el cociente de la frecuencia
est cerca de 6.5, el tamao del divisor de potencia es muy pequeo
propuesta tiene la funcin de la miniaturizacin. Es interesante que el caso 1 marcado
divisor convencional de potencia de Wilkinson [17].
1. Impedancias normalizadas en funcin del cociente entre frecuencias (

Diego Almeida
44

es muy conveniente
. Adems, los parmetros
frecuencia se enumeran en la tabla
es conveniente. La
se puede utilizar fcilmente para calcular la longitud elctrica,
Cuando el cociente de la frecuencia
est cerca de 6.5, el tamao del divisor de potencia es muy pequeo, la estructura
l caso 1 marcado
de Wilkinson [17].
1. Impedancias normalizadas en funcin del cociente entre frecuencias (. . )

Figura 4.8. Impedancias caractersticas,
Tabla 4.2. Impedancias normalizadas en funcin del cociente entre frecuencias (
Caso 3

8. Impedancias caractersticas, resistencia normalizadas y aislamiento en funcin del
cociente P. de la frecuencia.
. Impedancias normalizadas en funcin del cociente entre frecuencias (

Diego Almeida
45

resistencia normalizadas y aislamiento en funcin del
. Impedancias normalizadas en funcin del cociente entre frecuencias (. . )

CAPTULO V Fundamento de Diseo de Divisores de Potencia Wilkinson
FUNDAMENTOS DE DISEO DE DIVISORES DE POTENCIA
5.1. Introduccin

En este captulo se estudia los elementos necesarios para obtener resultados
experimentales y comparar con los simulados con el programa HFSS. Adems se
realiza un repaso de los parmetros S, ya que ms adelante se van a generar las
grficas dependientes de este parmetro con respecto a la frecuencia y a la fase.
Tambin se investiga una metodologa para el diseo, fabricacin y anlisis de
resultados del divisor de potencia Wilkinson.

La tcnica para medir datos experimentales en el laboratorio con analiz
de espectros y de redes es una revolucin que tuvo la tecnologa para circuitos de alta
potencia, ya que aos atrs las medidas de los circuitos se realizaban con sensores de
potencia, puentes de impedancia y cavidades microondas, en la actualidad s
dispositivos que trabajan de manera adecuada en baja y alta frecuencia y adems las
prdidas son mnimas, lo que genera ptimos resultados.


CAPTULO V

WILKINSON

e este parmetro con respecto a la frecuencia y a la fase.
resultados del divisor de potencia Wilkinson.
La tcnica para medir datos experimentales en el laboratorio con analiz
potencia, puentes de impedancia y cavidades microondas, en la actualidad s
prdidas son mnimas, lo que genera ptimos resultados.
Diego Almeida
46

e este parmetro con respecto a la frecuencia y a la fase.
La tcnica para medir datos experimentales en el laboratorio con analizadores
potencia, puentes de impedancia y cavidades microondas, en la actualidad se utilizan

5.2. Parmetros S
Son parmetros de dispersin
electrnica, e ingeniera de sistemas de comunicacin y se utilizan para describir el
comportamiento elctrico de redes elctricas lineales cuando se someten a varios
estmulos de rgimen permanente por pequeas seales.

Los parmetros S son muy importantes para analiz
y describen la transferencia de energa
circuito que opera a altas frecuencias.
ventajas de utilizar estos parmetros.

Tabla 5.1

Se define los parmetros S como:

Donde
Ventajas de los parmetros S frente a cualquier otro conjunto
La principal ventaja de usar estos
parmetros es que resultan mucho ms
sencillos de medir en altas frecuencias
que cualquier otro tipo de parmetros ya
que no es necesario imponer
condiciones de cortocircuito o circuito
abierto.
armetros de dispersin se usan en ingeniera elctrica, ingeniera
ingeniera de sistemas de comunicacin y se utilizan para describir el
estmulos de rgimen permanente por pequeas seales.
Los parmetros S son muy importantes para analizar los circuitos de microondas
ben la transferencia de energa o potencia entre los distintos
circuito que opera a altas frecuencias. En la siguiente tabla se presentan las principales
ventajas de utilizar estos parmetros.
Tabla 5.1. Ventajas de los Parmetros S
metros S como:

Donde
= 1
La principal ventaja de usar estos
parmetros es que resultan mucho ms
sencillos de medir en altas frecuencias
que cualquier otro tipo de parmetros ya
que no es necesario imponer
condiciones de cortocircuito o circuito
Las ondas de potencia no sufren
variaciones de magnitud al propagarse
por una lnea de transmision sin
perdidas. Esto permite medir los
parametros de un dispositivo situado a
una cierta distancia de los terminales del
equipo de medida.
Diego Almeida
47

en ingeniera elctrica, ingeniera
ingeniera de sistemas de comunicacin y se utilizan para describir el
ar los circuitos de microondas
entre los distintos puertos de un
En la siguiente tabla se presentan las principales

Ecuacin 5.1
Ecuacin 5.2
Las ondas de potencia no sufren
variaciones de magnitud al propagarse
por una lnea de transmision sin
perdidas. Esto permite medir los
parametros de un dispositivo situado a
una cierta distancia de los terminales del
equipo de medida.

David Pozar en el 2005 describe las frmulas y teora de los parmetros S.
las ecuaciones a y b representan ondas de voltaje para una impedancia caracterstica
Z
ci
con la que se conecta cada puerto, su valor absoluto representa la potencia
asociada a la onda. Utilizando parmetros S se puede determinar caractersticas del
divisor, en la tabla 1.2 se analizan algunas ecuaciones.

Tabla 5.2. Caractersticas determinas a partir de parmetros S

Cada parmetro S de un circuito tiene
divisor de potencia Wilkinson con dos puertos de salida simtricos, se cumplen que las
caractersticas del primer puerto son similares a la del segundo puerto de salida cuando
estn adaptadas y existe simtrica, por lo tanto si se analiza la
Coeficiente de reflexin
Coeficiente de onda
estacionaria (ROE)
Prdidas de retorno (RL)
Ganancia de transmisin
(G
T
)
Prdidas de insercin (IL):
en el 2005 describe las frmulas y teora de los parmetros S.
Utilizando parmetros S se puede determinar caractersticas del
divisor, en la tabla 1.2 se analizan algunas ecuaciones.
Tabla 5.2. Caractersticas determinas a partir de parmetros S.
Cada parmetro S de un circuito tiene descripciones genricas, en
estn adaptadas y existe simtrica, por lo tanto si se analiza la relacin entre el puerto
Relaciona la amplitud de la onda reflejada con la
amplitud de la onda incidente donde _ es la
carga del puerto.
==(
)/(
i
+
i
)
Ecuacin
Coeficiente de reflexin
Relacin entre el valor mximo y mnimo de
una onda estacionaria.
=|
|/|
| =(1+|
|)/(1|
|)/(1| | ) Ecuacin. 5.4
Informan de la proporcin de potencia que se
pierde en las reflexiones.
=20 log |_ |=20 log |_ |
Ecuacin 5.5
rdidas de retorno (RL)
Relacin entre la potencia incidente por un
puerto y la recibida por otro, cuando la salida
se carga con una carga adaptada y a la
entrada se emplea una impedancia de
referencia.
_=|_2/_1 |=_21^2
Ecuacin 5.6
Ganancia de transmisin
Informan sobre la reduccin de potencia que
sufre la seal al atravesar el circuito.
=20 log |_21 |
Ecuacin 5.7
rdidas de insercin (IL):
Diego Almeida
48

en el 2005 describe las frmulas y teora de los parmetros S.
[30]
En
Utilizando parmetros S se puede determinar caractersticas del

, en el caso de un
relacin entre el puerto
Relaciona la amplitud de la onda reflejada con la
es la
Ecuacin. 5.3
entre el valor mximo y mnimo de
| )=(1+|
Ecuacin. 5.4
Informan de la proporcin de potencia que se
Ecuacin 5.5
Relacin entre la potencia incidente por un
puerto y la recibida por otro, cuando la salida
se carga con una carga adaptada y a la
entrada se emplea una impedancia de
Ecuacin 5.6
Informan sobre la reduccin de potencia que
Ecuacin 5.7

uno que sera la entrada con el puerto dos que sera la salida, se utiliza la misma lgica
matemtica para el puerto uno en relacin con el tres, gracias a la descripcin anterior.
Por lo tanto en la siguiente tabla se define la re
uno y dos:
Tabla 5.3. Significado de cada parmetro S

5.3. Simulador HFSS
Se estudia el funcionamiento del software interactivo HFSS (High Frequency
Structure Simulator), ya que sirve para disear el divisor de potencia Wilkinson dual y
luego se utiliza para determinar los parmetros S del circuito desarrollado. En general
HFSS es un simulador de alto rendimiento que se usa para calcular el comportamiento
electromagntico de una estructura, los dispositivos representados son volumtricos
(3D).

Otman en el 2005
[31]
, realiz un tutorial donde se detallan las caractersticas del
programa para el desarrollo de una circuito en 3D. S
Es el coeficiente
de reflexin de la
tensin del
puerto de
entrada
Es la ganancia
de la tensin en
directa.
Por lo tanto en la siguiente tabla se define la relacin de parmetros S entre el puerto
Tabla 5.3. Significado de cada parmetro S
Simulator), ya que sirve para disear el divisor de potencia Wilkinson dual y
tromagntico de una estructura, los dispositivos representados son volumtricos
programa para el desarrollo de una circuito en 3D. Se puede estudiar mejor el
S
11
Es el coeficiente
de reflexin de la
tensin del
puerto de
entrada
S
12
Es la ganancia
de la tensin en
reversa
S
21
Es la ganancia
de la tensin en
directa.
S
22
Es el coeficiente
de reflexin de la
tensin del
puerto de salida.
Diego Almeida
49

lacin de parmetros S entre el puerto

Simulator), ya que sirve para disear el divisor de potencia Wilkinson dual y
tromagntico de una estructura, los dispositivos representados son volumtricos
e puede estudiar mejor el

comportamiento de un divisor en HFSS ya que la simulacin integra visualizacin,
modelado de los campos, un ambiente fcil para hallar los resultados de manera rpida
y precisa. Se puede identificar con este software impedancias caractersticas del puerto
y constantes de propagacin, parmetros S generalizados y normalizados, resonancia
de una estructura. En la siguiente grfica se identifica el programa HFSS con un diseo
y todas sus herramientas.

5.4. Matlab
En esta investigacin se utiliza el
bsicamente se utiliza esta herramienta para realizar las grficas de los parmetros S,
luego de simular el circuito con HFSS se
cdigo programado en el lenguaje matemtico se obtiene las grficas.
fabricar la estructura y realizar las medidas experimentales en el laboratorio el software
es til tambin, se exporta los valores a Matlab y se compara los resultados con
sencillas instrucciones de programacin en el simulador matemtico. En la figura 5.2 se
identifica el simulador, el cdigo y los resultados.

tamiento de un divisor en HFSS ya que la simulacin integra visualizacin,
Se puede identificar con este software impedancias caractersticas del puerto
stantes de propagacin, parmetros S generalizados y normalizados, resonancia
Figura 5.1. Simulador HFSS
En esta investigacin se utiliza el programa Matlab (Matrix Laboratory)
con HFSS se exporta la informacin hacia Matlab y con un
programado en el lenguaje matemtico se obtiene las grficas.
strucciones de programacin en el simulador matemtico. En la figura 5.2 se
identifica el simulador, el cdigo y los resultados.
Diego Almeida
50

tamiento de un divisor en HFSS ya que la simulacin integra visualizacin,
Se puede identificar con este software impedancias caractersticas del puerto
stantes de propagacin, parmetros S generalizados y normalizados, resonancia

(Matrix Laboratory) que
exporta la informacin hacia Matlab y con un
programado en el lenguaje matemtico se obtiene las grficas. Luego de
strucciones de programacin en el simulador matemtico. En la figura 5.2 se

Figura 5.2.

5.5. Programa grfico AutoCAD
Es una herramienta que permite de manera grfica obtener los dia
de la estructura, tanto de la masa como de la lnea de transmisin que se desea
fabricar. De manera general Aut
computadora para dibujo en dos o tres dimensiones. El programa nos permite obtener
de manera exacta las dimensiones de la estructura que se desea fabricar, y se lo utiliza
con la intencin de realizar un circuito ptimo. En la figura 5.3 se identifica el programa.
Figura 5.2. Respuesta en Matlab.
Programa grfico AutoCAD
Es una herramienta que permite de manera grfica obtener los dia
general AutoCAD es un programa de diseo a
manera exacta las dimensiones de la estructura que se desea fabricar, y se lo utiliza

Figura 5.3. Programa AutoCAD
Diego Almeida
51

Es una herramienta que permite de manera grfica obtener los diagramas fsicos
oCAD es un programa de diseo asistido por
manera exacta las dimensiones de la estructura que se desea fabricar, y se lo utiliza

5.6. Mtodo de Diseo y fabricacin
Para fabricar la estructura, se sigue un proceso que se describe en el siguiente
diagrama, bsicamente se utiliza todos los programas que se muestra en este captulo.
En la tabla 5.4 se representa

Tabla 5.4. Mtodo de diseo y fabricacin del divisor de potencia Wilkinson
Mtodo de Diseo y fabricacin
a estructura, se sigue un proceso que se describe en el siguiente
se representa el mtodo de anlisis de un divisor Wilkinson dual.
diseo y fabricacin del divisor de potencia Wilkinson
Diego Almeida
52

a estructura, se sigue un proceso que se describe en el siguiente
el mtodo de anlisis de un divisor Wilkinson dual.
diseo y fabricacin del divisor de potencia Wilkinson dual

CAPTULO VI Diseo, Implementacin y Anlisis de Resultados Experimentales y Tericos
DISEO, IMPLEMENTACIN
6.1. Introduccin
La investigacin revisada en
estructura que se adapte a las caracter
estos innovadores circuitos creados
nuevas particularidades, tales como transfo
una mejor adaptacin, cambio de la forma fsica de las
resonadores para optimizar la frecuencia dual que se desea.

En este captulo, primero se desarrolla el comportamiento de un Wilkinson
monobanda de gran ancho de banda, luego se disea un Wilkinson en una sola banda
utilizando CSRRs con objeto de optimizar su comportamiento, a continuacin se
realiza un divisor de potencia dual y finalmente se plantea una estructura Wilkinson con
frecuencia dual con estructura opcional de aislamiento. El ltimo se divide bsicamente
en tres circuitos una estructura diagonal con y sin transformador, para optimizar se
disea un circuito circular semejante, y por ltimo se aade
abiertos complementarios, que trabajen en la banda de frecuencia deseada. Se
pretende realizar un anlisis com
laboratorio y los simulados en HFSS


CAPTULO VI

DISEO, IMPLEMENTACIN Y ANALISIS DE RESULTADOS

n revisada en captulos anteriores es til para disear una mejor
a las caractersticas de los divisores de potencia Wilkinson. A
creados a partir de proyectos ya estudiados
particularidades, tales como transformadores de impedancia a la salida para
una mejor adaptacin, cambio de la forma fsica de las lneas microstrip
la frecuencia dual que se desea.
tulo, primero se desarrolla el comportamiento de un Wilkinson
bjeto de optimizar su comportamiento, a continuacin se
structura diagonal con y sin transformador, para optimizar se
disea un circuito circular semejante, y por ltimo se aade resonadores de anillos
que trabajen en la banda de frecuencia deseada. Se
laboratorio y los simulados en HFSS.
Diego Almeida
53

Y ANALISIS DE RESULTADOS
tulos anteriores es til para disear una mejor
potencia Wilkinson. A
iados se incorpora
madores de impedancia a la salida para
lneas microstrip e insercin de
tulo, primero se desarrolla el comportamiento de un Wilkinson
bjeto de optimizar su comportamiento, a continuacin se
structura diagonal con y sin transformador, para optimizar se
resonadores de anillos
que trabajen en la banda de frecuencia deseada. Se
parativo entre los diseos fabricados y medidos en el

En este captulo se muestra
mediante principios bsicos, primero se selecciona un modelo de divisor de potencia
Wilkinson dual, para esta investigacin se tom en cuenta
2009.
[11]
El autor pone en manifiesto el funcionamiento de un divisor de potencia
Wilkinson en banda dual sin ranuras de lneas de transmisin y sin componentes
reactivos. A continuacin se realiza una prueba de la estructura en el simulador HFSS,
y se compara los resultados obtenidos en la simulacin con el artculo

Luego del anlisis del modelo de Y. Wu se estudia el comportamiento de
estructuras similares, la primera q
impedancias para una mejor adaptacin, luego se cambia su estructura fsica, y se
transforma geomtricamente a un modelo circular con las mismas impedancias
caractersticas y parmetros de microondas.

Es importante emplear nuevas estructuras como resonadores en los modelos
propuestos, por esta razn se incorpora resonadores de anillos abiertos CSRR a
estructuras Wilkinson, tanto en el diseo monobanda como en los circuitos
transformador de impedancias y circular. Se analizan los resultados y se compara el
comportamiento de los dispositivos.

Se selecciono tres estructuras para realizar su fabricacin, es importante saber
el funcionamiento de un resonador de anillos abi
frecuencias de resonancia que tienen que ser similares a la banda dual
este es el primer circuito que se analiza experimentalmente. De la misma manera se
estudia en el laboratorio el modelo general con transfor
elaboracin de estas estructuras, se miden los parmetros S con el analizador de
espectros y para concluir se compara con los simulados en HFSS.
En este captulo se muestra como se debe implementar un divisor de potencia
principios bsicos, primero se selecciona un modelo de divisor de potencia
Wilkinson dual, para esta investigacin se tom en cuenta el modelo de
realiza una prueba de la estructura en el simulador HFSS,
y se compara los resultados obtenidos en la simulacin con el artculo.
estructuras similares, la primera que se emplea es un circuito con transformador de
caractersticas y parmetros de microondas.
propuestos, por esta razn se incorpora resonadores de anillos abiertos CSRR a
estructuras Wilkinson, tanto en el diseo monobanda como en los circuitos
rtamiento de los dispositivos.
tres estructuras para realizar su fabricacin, es importante saber
el funcionamiento de un resonador de anillos abiertos CSRR para identificar las
frecuencias de resonancia que tienen que ser similares a la banda dual
estudia en el laboratorio el modelo general con transformador y el circular. Con la
espectros y para concluir se compara con los simulados en HFSS.
Diego Almeida
54

implementar un divisor de potencia
principios bsicos, primero se selecciona un modelo de divisor de potencia
el modelo de Y. Wu en el
realiza una prueba de la estructura en el simulador HFSS,
ue se emplea es un circuito con transformador de
propuestos, por esta razn se incorpora resonadores de anillos abiertos CSRR a las
estructuras Wilkinson, tanto en el diseo monobanda como en los circuitos con
tres estructuras para realizar su fabricacin, es importante saber
ertos CSRR para identificar las
frecuencias de resonancia que tienen que ser similares a la banda dual, por lo tanto
mador y el circular. Con la

Existen otros circuitos como el de
diseo de divisores de potencia dual usando secciones T
plantea transformar las lneas de transmisin de un cuarto de longitud de onda a su
equivalente T. Se analiza experimentalmente este circuito y se estudia los parmetros
S obtenidos en la simulacin.

6.2. Comportamiento de un Wilkinson monobanda de gran ancho de banda.
El primer circuito que se propone, es un modelo que trabaja
31.5 GHz, estudiado y diseado en la Universidad de Cantabria,
que consta de lneas acopladas a la entrada y a la salida a 50
circuitos Wilkinson est compuesto de
resistencia, las mismas que estn curvadas para evitar acoplamientos
se incorpora un transformador
retardo. Se consiguen adaptar todos los puertos,
valor 2Z
o
de 100 , por la que no circula corriente y de ese modo
disipativas, manteniendo la reciprocidad.
estructura planteada.
Figura 6.1. Wilkinson monobanda de gran ancho de banda
Port1
Existen otros circuitos como el de Ashraf S. Mohra que en el 2008 propone un
o de divisores de potencia dual usando secciones T
[32]
, en este caso el autor

Comportamiento de un Wilkinson monobanda de gran ancho de banda.
El primer circuito que se propone, es un modelo que trabaja en la frecuencia de
GHz, estudiado y diseado en la Universidad de Cantabria, es un circuito
que consta de lneas acopladas a la entrada y a la salida a 50 , como todos los
compuesto de ramas /4 (L1) entre la lnea de entrada y la
estn curvadas para evitar acoplamientos, en este circuito
se incorpora un transformador (L2) entre la carga y la lnea /4 introduciendo
consiguen adaptar todos los puertos, gracias a la impedancia externa de
, por la que no circula corriente y de ese modo no aparecen p
reciprocidad. En el siguiente grfico se puede observar la

. Wilkinson monobanda de gran ancho de banda
R1
L2
Port2
Port3
Diego Almeida
55

que en el 2008 propone un
, en este caso el autor
Comportamiento de un Wilkinson monobanda de gran ancho de banda.
en la frecuencia de
es un circuito circular
como todos los
la lnea de entrada y la
, en este circuito
/4 introduciendo un nuevo
a la impedancia externa de
no aparecen prdidas
En el siguiente grfico se puede observar la
R1
L2

En la figura 6.1 la numeraci
funcional como divisor indicado en captulos anteriores (donde puerta 1 es la entrada, 2
y 3 son las salidas del divisor).
para evitar acoplamientos entre la rama superior y l
previamente. Por el mismo motivo se han colocado de esta forma
de los puertos 2 y 3.

En la tabla 6.1 se presenta las dimensiones del modelo Wilkinson monobanda
de gran ancho de banda, en la simulacin
constante dielctrica (
r
) de 9.9. Como se puede observar en la tabla sus dimensiones
son reducidas.

Tabla 6.1. Dimensiones del modelo Wilkinson monobanda de gran ancho de

El diseo se realiza con el programa de simulacin HFSS,
central de trabajo de 31.5 GHz.
que se utiliza es almina sobre tecnologa microstrip con las especifi
mencionaron en el apartado en la tabla 6.1.
lneas de transmisin que lo forman
elctrica definidos en la figura
Sustrato
Parmetros Dimension
Sustrato
(Lsub x Wsub x H)
r = 9.9 (Al
Leyenda Microstrip
L0
W0
L1
W1
L2
W2
Resistencia
R1
numeracin de las puertas corresponde a su comportamiento
divisor indicado en captulos anteriores (donde puerta 1 es la entrada, 2
y 3 son las salidas del divisor). Se puede apreciar como las ramas /4 est
entre la rama superior y la inferior, tal como se coment
motivo se han colocado de esta forma curvilnea las ramas
6.1 se presenta las dimensiones del modelo Wilkinson monobanda
de gran ancho de banda, en la simulacin se trabaja con un sustrato de a
9.9. Como se puede observar en la tabla sus dimensiones
Tabla 6.1. Dimensiones del modelo Wilkinson monobanda de gran ancho de
za con el programa de simulacin HFSS, para una
GHz. Como ya se explico en el prrafo anterior e
que se utiliza es almina sobre tecnologa microstrip con las especificaciones que se
en la tabla 6.1. Se ha dimensionado el circuito para que las
lneas de transmisin que lo forman presenten los valores de impedancia y longitud
en la figura 3.2 que representa una estructura Wilkinson. Para las
Sustrato
Dimensiones (mm)
r = 9.9 (Almina)
6 x 8 x 0.254
Microstrip
3.646
0.250
1.850
0.155
0.500
0.100
Resistencia
100
Diego Almeida
56

corresponde a su comportamiento
divisor indicado en captulos anteriores (donde puerta 1 es la entrada, 2
/4 estn curvadas
a inferior, tal como se coment
curvilnea las ramas
6.1 se presenta las dimensiones del modelo Wilkinson monobanda
se trabaja con un sustrato de almina de
9.9. Como se puede observar en la tabla sus dimensiones
Tabla 6.1. Dimensiones del modelo Wilkinson monobanda de gran ancho de banda
para una frecuencia
Como ya se explico en el prrafo anterior el sustrato
caciones que se
ado el circuito para que las
es de impedancia y longitud
2 que representa una estructura Wilkinson. Para las

lneas de 50 slo se especi
de la misma se puede variar sin afectar a la respuesta en frecuencia
valor de 3.6 mm aproximadamente, tal como se observa en la tabla 6.1

En la figura 6.2 se puede
empleado funciona de manera ptima
Para comprobar el correcto comportamiento del ci
simulaciones en HFSS y se obtiene las grficas mostradas a continuacin, las mismas
que definen el reparto de potencia cuando
puerto 2 y 3 respectivamente.

Figura 6.2. Parmetros S de un Wilkinson Monobanda de gran ancho de

En figura 6.3 se identifica los par
observa como se ha producido una cada de
que incide por el puerto 1, hacia los puertos 2 y
Los parmetros S
21
S
31
son similares ya que existe simetra en el diseo.
24 26
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
S

[
d
B
]
Parameter S Wilkinson Design 24 GHz to 38 MHz

especifica el valor W para el ancho de la cinta ya
de la misma se puede variar sin afectar a la respuesta en frecuencia, pero se utiliza un
valor de 3.6 mm aproximadamente, tal como se observa en la tabla 6.1.
En la figura 6.2 se puede identificar los parmetros S en decibelios
funciona de manera ptima para la frecuencia monobanda
Para comprobar el correcto comportamiento del circuito resultante, se realiz
en HFSS y se obtiene las grficas mostradas a continuacin, las mismas
nen el reparto de potencia cuando la entrada es el puerto 1 o cuando es e
puerto 2 y 3 respectivamente.
Figura 6.2. Parmetros S de un Wilkinson Monobanda de gran ancho de
n figura 6.3 se identifica los parmetros S correspondientes al
a como se ha producido una cada de -3.5 dB aproximadamente
, hacia los puertos 2 y 3 para una frecuencia de
28 30 32 34 36 38
Frequency [GHz]
Parameter S Wilkinson Design 24 GHz to 38 MHz

S
11
S
22
S
23
S
21
Diego Almeida
57

W para el ancho de la cinta ya que la longitud
, pero se utiliza un

en decibelios, el modelo
para la frecuencia monobanda de 31.5 GHz.
rcuito resultante, se realiz
en HFSS y se obtiene las grficas mostradas a continuacin, las mismas
la entrada es el puerto 1 o cuando es el

Figura 6.2. Parmetros S de un Wilkinson Monobanda de gran ancho de banda
al puerto 1. Se
aproximadamente de la potencia
3 para una frecuencia de 31.5 GHz.

En cuanto a las prdidas de retorno que vienen definidas por la expresin 5.5, a
partir del parmetro S
11
, toman un valor por debajo de
se ha conseguido para el puerto 1. El circuito tiene
banda entorno a la frecuencia

Figura 6.3. Parmetros S del puerto d
En la figura 6.4 se representa el valor de las
para el caso de los puertos de salida d
puerto tres ya que existe simetra con el dos
1 sigue siendo prxima a -3.5

El diseo propuesto por su tamao es idneo para proyectos de microelectrnica
por su tamao reducido. Entre las principales aplicaciones, de esta estructura y si se
agregan otros elementos se puede realizar:
acoplamiento arbitrario, resonadores de orden cero o
compacta, y con ciertas modificaciones tambin operacin en banda dual
24 26
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
S

[
d
B
]
Parameter S

, toman un valor por debajo de -25 dB, que es la adaptacin
a el puerto 1. El circuito tiene el funcionamiento desea
entorno a la frecuencia de trabajo. Esta banda, aproximadamente,
Figura 6.3. Parmetros S del puerto de entrada uno.

En la figura 6.4 se representa el valor de las prdidas de inserci
para el caso de los puertos de salida dos y tres en este caso se trabaja solo con el
puerto tres ya que existe simetra con el dos. La transmisin de potencia hacia el puerto
.5 dB y la adaptacin y aislamiento, superior a
agregan otros elementos se puede realizar: mejora del ancho de banda, un nivel de
io, resonadores de orden cero o una arquitectura multicapa
, y con ciertas modificaciones tambin operacin en banda dual
28 30 32 34 36 38
Frequency [GHz]
Parameter S
11
and S
21
Wilkinson Design 24 GHz to 38 MHz

S
11
S
21
Diego Almeida
58

, que es la adaptacin que
funcionamiento deseado en una
Esta banda, aproximadamente, es de 2 GHz.

insercin y de retorno
s y tres en este caso se trabaja solo con el
n de potencia hacia el puerto
n y aislamiento, superior a -25 dB.
del ancho de banda, un nivel de
una arquitectura multicapa
, y con ciertas modificaciones tambin operacin en banda dual.

Figura 6.4. Parmetros S del puerto d
6.3. Diseo de un Wilkinson monobanda utilizando CSRR
optimizar su comportamiento.
En esta investigacin se propone una serie de circuitos Wilkinson diferentes, en
la universidad de Cantabria se investiga una estructura monobanda utilizando
resonadores de anillos abiertos complementarios CSRRs con el objetivo de optimizar
el comportamiento del modelo. Para el presente diseo se utiliza el programa de
simulacin HFSS, el mismo que nos sirve para construir un nuevo prototipo, que es
circuito bsico Wilkinson optimi
circuito consta de lneas acopladas a la entrada y a la salida de 50
el valor W para el ancho de la cinta ya
afectar a la respuesta en frecuencia
compuesto de ramas /4 (L1) entre la lnea de entrada y la resistencia, las mismas que
estn cortadas para evitar acoplamientos
24 26
-25
-20
-15
-10
-5
0
S

[
d
B
]
Parameter S

. Parmetros S del puerto de salida dos y tres.

un Wilkinson monobanda utilizando CSRRs con objeto de
optimizar su comportamiento.
anillos abiertos complementarios CSRRs con el objetivo de optimizar
el mismo que nos sirve para construir un nuevo prototipo, que es
nson optimizado, para lo cual se coloca resonadores CSRRs.
circuito consta de lneas acopladas a la entrada y a la salida de 50 , s
W para el ancho de la cinta ya que la longitud de la misma se puede variar sin
respuesta en frecuencia como todas las estructuras Wilkinson. Esta
(L1) entre la lnea de entrada y la resistencia, las mismas que
para evitar acoplamientos, en estos cortes se aade stubs
28 30 32 34 36 38
Frequency [GHz]
Parameter S
31
and S
32
Wilkinson Design 24 GHz to 38 MHz

S
31
S
32
Diego Almeida
59

s con objeto de
anillos abiertos complementarios CSRRs con el objetivo de optimizar
el mismo que nos sirve para construir un nuevo prototipo, que es un
, para lo cual se coloca resonadores CSRRs. El
, slo se especifica
que la longitud de la misma se puede variar sin
como todas las estructuras Wilkinson. Esta
(L1) entre la lnea de entrada y la resistencia, las mismas que
, en estos cortes se aade stubs (L2) de

longitud 11.2 mm y finalmente
por cada lado L2. En la figura 6.5

Figura 6.5.
funcional como divisor, indicado en captulos anteriores (donde puerta 1 es la entrada,
2 y 3 son las salidas del divisor).
y L0 estn cortadas para evitar
tabla 6.2 se presenta las dimensiones del modelo Wilkinson monobanda
en la simulacin se trabaja con un sustrato de fibra de vidrio
(
r
) de 2.65.

El diseo se realiza con el programa de simulacin HFSS,
central de trabajo de 1 GHz.
se utiliza es fibra de vidrio FR4 sobre tecnologa microstrip con las especificaciones
se mencionan en la tabla 6.2
respectivamente. Se utiliza un resonador abierto cuadrado complementario compuesto
Port3
longitud 11.2 mm y finalmente un resonador cuadrado CSRRs de la misma dimensin
figura 6.5 se identifica el circuito.

Figura 6.5. Wilkinson monobanda utilizando CSRRs.

numeracin de las puertas corresponde a su comportamiento
divisor, indicado en captulos anteriores (donde puerta 1 es la entrada,
2 y 3 son las salidas del divisor). Se puede apreciar como las esquinas de las lneas L1
para evitar acoplamientos entre la rama superior y l
se presenta las dimensiones del modelo Wilkinson monobanda
se trabaja con un sustrato de fibra de vidrio de constante dielctrica
za con el programa de simulacin HFSS, para una
GHz. Como ya se explico en el prrafo anterior e
se utiliza es fibra de vidrio FR4 sobre tecnologa microstrip con las especificaciones
se mencionan en la tabla 6.2. Adems L0, L1 tienen impedancias de 50
Se utiliza un resonador abierto cuadrado complementario compuesto
Diego Almeida
60

de la misma dimensin
uede apreciar como las esquinas de las lneas L1
entre la rama superior y la inferior. En la
se presenta las dimensiones del modelo Wilkinson monobanda con CSRRs,
de constante dielctrica
para una frecuencia
Como ya se explico en el prrafo anterior el sustrato que
se utiliza es fibra de vidrio FR4 sobre tecnologa microstrip con las especificaciones que
. Adems L0, L1 tienen impedancias de 50 y 70
Se utiliza un resonador abierto cuadrado complementario compuesto
Port2
Port3

de dos anillos, la dimensin del lado del cuadrado del CSRRs es igual a L2 y el ancho
es igual a W2, el anillo interior es un 10 % menor al anillo exterior. La dimensin final
del resonador se toma luego de realizar algunas pruebas con otros resonadores.

Tabla 6.2. Dimensiones del modelo Wilkinson monobanda con CSRRs

Se ha dimensionado el circuito para que las lneas de transmisin que lo forman
presenten los valores de impedancia y longitud elctrica defi
representa una estructura Wilkinson y que se estudio en el captulo 3.
identifica los parmetros S correspondiente
Figura 6.6
0.5 1
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0

X: 0.9153
Y: -19.71
S

[
d
B
]
X: 0.908
Y: -3.672
Sustrato
Parmetros Dimension
Sustrato
(Lsub x Wsub x H)
r = 9.9 (Fibra
Leyenda Microstrip
W0
L1
W1
L2
W2
Resistencia
R1
a W2, el anillo interior es un 10 % menor al anillo exterior. La dimensin final
Dimensiones del modelo Wilkinson monobanda con CSRRs
ado el circuito para que las lneas de transmisin que lo forman
es de impedancia y longitud elctrica definidos en la figura
representa una estructura Wilkinson y que se estudio en el captulo 3. E
metros S correspondientes al puerto 1.
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5

X: 0.9153
Y: -19.71
Frequency [GHz]
Parametros S puerta de entrada 1
S
11
S
21
Sustrato
Dimensiones (mm)
r = 9.9 (Fibra ptica)
57 x 42.75 x 1
Microstrip
2.730
23.94
1.540
11.20
0.600
Resistencia
100
Diego Almeida
61

a W2, el anillo interior es un 10 % menor al anillo exterior. La dimensin final
Dimensiones del modelo Wilkinson monobanda con CSRRs
ado el circuito para que las lneas de transmisin que lo forman
en la figura 3.2 que
En figura 6.6 se

Se observa como se ha producido una cada de
potencia que incide por el puerto 1
GHz. Los parmetros S
21
S
3
prdidas de retorno toman un valor superior a los
ha conseguido para el puerto 1, con esto se comprueba que el circuito tiene el
funcionamiento deseado en la banda de 1 GHz aproximadamente.

En la figura 6.7 se representa el valor de las p
ya que por ser simtricos el tres es semejante
puerto 1 sigue siendo prxima a
dB, para una frecuencia de 0.91 GHz

Figura 6.7
0.5 1
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0

S

[
d
B
]
X: 0.908
Y: -3.672
X: 0.9153
Y: -19.99
incide por el puerto 1, hacia los puertos 2 y 3 para una frecuencia de
31
son similares ya que existe simetra en el diseo. Las
toman un valor superior a los -19 dB, que es la adaptacin
a el puerto 1, con esto se comprueba que el circuito tiene el
ncionamiento deseado en la banda de 1 GHz aproximadamente.
para el caso de los puertos de salida dos y tres, se representa el caso de la puerta dos
el tres es semejante. La transmisin de potencia hacia el
xima a -3.7 dB y la adaptacin y aislamiento, superior a
, para una frecuencia de 0.91 GHz.
Figura 6.7. Parmetros S del puerto de salida dos.

1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5

Frequency [GHz]
Parametros S puerta de entrada 2
X: 0.9153
Y: -19.99
S
12
S
22
S
32
Diego Almeida
62

aproximadamente de la
3 para una frecuencia de 0.91
son similares ya que existe simetra en el diseo. Las
, que es la adaptacin que se
a el puerto 1, con esto se comprueba que el circuito tiene el
s y tres, se representa el caso de la puerta dos
n de potencia hacia el
n y aislamiento, superior a -19

En la grfica de la figura 6.8
fase entre el puerto 1 y el 2 coincide con la di
son los siguientes:
= (S21) (S11) = (
Se aproxima a la diferencia de fase requerida,
se introdujo en los valores de la l
manera significativa en la diferencia de fase.

Figura 6.
Finalmente se puede concluir que el diseo propuesto con resonadores para un
divisor de potencia monobanda es adecuado y su funcionamiento es ptimo para la
frecuencia de trabajo que se necesita.

0.5 1
-200
-150
-100
-50
0
50
100
150
200

X: 0.9007
Y: 118.1
S

[
d
e
g
]
X: 0.908
Y: 36.79
figura 6.8 se representa el valor de la fase. La diferencia de
entre el puerto 1 y el 2 coincide con la diferencia entre el puerto 1 y 3 los valores

(S31) (S11) = 36.79 118.1 = 81.31

a la diferencia de fase requerida, -90 grados, luego la variaci
trodujo en los valores de la lnea para conseguir mejor adaptacin no
ativa en la diferencia de fase.
Figura 6.8. Fase de Parmetros S.

que se necesita.
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5

X: 0.9007
Y: 118.1
Frequencia [GHz]
Fase de Parametros S
X: 0.908
Y: 36.79
S
11
S
21
Diego Almeida
63

se representa el valor de la fase. La diferencia de
ferencia entre el puerto 1 y 3 los valores
Ecuacin 6.1.
grados, luego la variacin que
n no ha influido de


6.4. Diseo de un divisor de potencia Wilkinson de banda dual (
MHz).
Se presenta el anlisis y diseo de un
aplicaciones inalmbricas de banda dual
/4 en secciones tipo T de banda dividida diferentes
circuito equivalente T, para luego disear en el programa de simulacin

Figura 6.9. Circuito Equivalente Wilkinson T

Para calcular los valores de las impedancias y longitudes elctricas del circuito
equivalente se utilizan las siguientes frmulas.
se tiene dos frecuencias, f
1
y f
valores de las impedancias Z
2

= 0.5
tan
(

Diseo de un divisor de potencia Wilkinson de banda dual (9
enta el anlisis y diseo de un divisor de potencia Wilkinson para
ones inalmbricas de banda dual. En el diseo se logra transformar las
en secciones tipo T de banda dividida diferentes. En la figura 6.9 se
circuito equivalente T, para luego disear en el programa de simulacin.

Figura 6.9. Circuito Equivalente Wilkinson T
siguientes frmulas. Como es una estructura de banda dual
y f
2
que corresponden a la frecuencia inferior y superior. Los
2
y Z
3
se calculan en la ecuacin 6.2 y 6.3.
Ecuacin 6.2
Ecuacin 6.3
Diego Almeida
64

910 MHz y 1740
divisor de potencia Wilkinson para
En el diseo se logra transformar las ramas
En la figura 6.9 se muestra el
.

Como es una estructura de banda dual
que corresponden a la frecuencia inferior y superior. Los

Ecuacin 6.2
Ecuacin 6.3

Donde las longitudes elctricas
ecuaciones:

(
)
=

()

(
)
=
(
)

(
)
=

()
= 2

(
)
=
(
)
=

Los valores de las longitudes elctricas deben estar en los siguientes rangos:
/4
/2 y /2

de la ecuacin 6.8.
=

(
)
=

(

Con las ecuaciones presentadas se puede desarrollar el circuito equivalente
un divisor de potencia en banda dual diferente,
de trabajo son 910 MHz y 1740
muestra en la figura 6.9, luego se realizan las respectivas simulaciones con HFSS y se
optimiza para que funcione adecuadamente, se trabaja con sustrato
constante dielctrica (
r
) 2.2.

En la grfica 6.10 L0 representa la lnea mi
como a la salida del sistema Wilkinson, el valor de la longitud L0 es independiente, ya
que su tamao no modifica la estructura y solo depende de su ancho W0.
compuesto de ramas /4 transformadas a su equivalente T, por lo tanto existe una lnea
Z2 (L2) entre la lnea de entrada y la resistencia, las mismas que
Donde las longitudes elctricas
2
y
3
se calculan a partir de las siguientes
Ecuacin 6.4
Ecuacin 6.5
2
(
)
Ecuacin 6.6
= 2
(
)
Ecuacin 6.7
, respectivamente. R que es el ratio se calcula a partir
)
=

Ecuacin 6.4
Con las ecuaciones presentadas se puede desarrollar el circuito equivalente
un divisor de potencia en banda dual diferente, en este caso las frecuencias centrales
910 MHz y 1740 MHz respectivamente, el diseo queda tal como se
luego se realizan las respectivas simulaciones con HFSS y se
ue funcione adecuadamente, se trabaja con sustrato DiClad 880

L0 representa la lnea microstrip de 50 tanto a la entrada
que su tamao no modifica la estructura y solo depende de su ancho W0.
transformadas a su equivalente T, por lo tanto existe una lnea
(L2) entre la lnea de entrada y la resistencia, las mismas que estn cortadas en sus
Diego Almeida
65

se calculan a partir de las siguientes
Ecuacin 6.4
Ecuacin 6.5
Ecuacin 6.6
Ecuacin 6.7
, respectivamente. R que es el ratio se calcula a partir
Ecuacin 6.4
Con las ecuaciones presentadas se puede desarrollar el circuito equivalente de
en este caso las frecuencias centrales
eo queda tal como se
luego se realizan las respectivas simulaciones con HFSS y se
DiClad 880 con
tanto a la entrada
que su tamao no modifica la estructura y solo depende de su ancho W0. Est
transformadas a su equivalente T, por lo tanto existe una lnea
estn cortadas en sus

esquinas para evitar acoplamientos
T. En esta estructura, L3
resonadores, los cuales optimizan el funcionamiento de la estructura Wilkinson
consiguen adaptar todos los puertos,
100 , por la que no circula corriente y de ese modo
manteniendo la reciprocidad.

Figura 6.10. Divisor de Potencia

funcional como divisor, indicado en captulos anteriores (donde puerta 1 es la entrada,
2 y 3 son las salidas del divisor).
diseo adecuado en las bandas de 910 MHz y
igual a 1.912, y los valores de las longitudes elctricas y las impedancias son de
)
= 58.75
,
(
)
= 117.51
las ecuaciones descritas en anteriormente.

Port1
s para evitar acoplamientos, y lneas Z3 (L3) que forman parte del circuito tipo
tambin hace la funcin de stubs como sustitucin de
resonadores, los cuales optimizan el funcionamiento de la estructura Wilkinson
consiguen adaptar todos los puertos, gracias a la impedancia externa de valor 2Z
circula corriente y de ese modo no aparecen prdidas disipativas,

Divisor de Potencia Wilkinson con banda dual de frecuencia
En la figura 6.10 la numeracin de las puertas corresponde a su comportamiento
2 y 3 son las salidas del divisor). En la tabla 6.3 se puede identificar los valores para un
o adecuado en las bandas de 910 MHz y 1740 MHz. La frecuencia de radio R es
, y los valores de las longitudes elctricas y las impedancias son de
51
= 42.91 ,
= 79.102 , calculados a partir de

las ecuaciones descritas en anteriormente.
Port2
Port3
Diego Almeida
66

y lneas Z3 (L3) que forman parte del circuito tipo
como sustitucin de
resonadores, los cuales optimizan el funcionamiento de la estructura Wilkinson. Se
a la impedancia externa de valor 2Z
o
de
rdidas disipativas,

con banda dual de frecuencia.
puede identificar los valores para un
ecuencia de radio R es
, y los valores de las longitudes elctricas y las impedancias son de
, calculados a partir de
Port2
Port3

Tabla 6.3. Dimensiones del Divisor de Potencia Wilkinson con banda dual de frecuencia.

observa como se ha producido una cada de
que incide por el puerto 1, hacia
1740 MHz. Los parmetros S
Las prdidas de retorno toman un valor por debajo de
frecuencia de trabajo respectivamen
para el puerto 1, con esto se comprueba que el circuito tiene el funcionamiento
deseado en la banda deseada.
Figura 6.11
0
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0

S

[
d
B
]
Sustrato
Parmetros Dimension
Sustrato
(Lsub x Wsub x H) 111.4 x 43 x 1.57
Leyenda Microstrip
L1
W1
Z1
L2
W2
Z2
W50
Z50
Resistencia
R1
bla 6.3. Dimensiones del Divisor de Potencia Wilkinson con banda dual de frecuencia.
n figura 6.11 se identifica los parmetros S correspondientes al
, hacia los puertos 2 y 3 para una frecuencia de 910 M
Los parmetros S
21
y S
31
toman un valor por debajo de -24 dB y los -18 dB para cada
frecuencia de trabajo respectivamente, que es la adaptacin que se ha conseguido
a el puerto 1, con esto se comprueba que el circuito tiene el funcionamiento
deseado en la banda deseada.
0.5 1 1.5 2 2.5

X: 0.9108
Y: -24.57
Frequencia [GHz]
Parametros S Divisor de Potencia Wilkinson Dual
X: 0.9108
Y: -3.265
X: 1.739
Y: -18.46
S
11
S
21
Dimensiones (mm)
r = 2.2
111.4 x 43 x 1.57
Microstrip
24.590
2.113
42.910
24.943
1.174
79.102
2.450
50
Resistencia
100
Diego Almeida
67

bla 6.3. Dimensiones del Divisor de Potencia Wilkinson con banda dual de frecuencia.
al puerto 1. Se
aproximadamente de la potencia
3 para una frecuencia de 910 MHz y
18 dB para cada
que se ha conseguido
a el puerto 1, con esto se comprueba que el circuito tiene el funcionamiento

En la figura 6.12 se representa el valor de
ya que por ser simtricos el tres es semejante
puerto 1 sigue siendo prxima a
dB y -23 dB respectivamente para cada frecuencia (f
Figura 6.12
Figura 6.1
0 0.5
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0

S

[
d
B
]
0
-200
-150
-100
-50
0
50
100
150
200

S

[
d
e
g
]
para el caso de los puertos de salida dos y tres, se representa el caso de la puerta dos
ya que por ser simtricos el tres es semejante. La transmisin de potencia hacia el
xima a -3.3 dB y la adaptacin y aislamiento, superior a
23 dB respectivamente para cada frecuencia (f
1
y f
2
).
2. Parmetros S del puerto de entrada uno.
Figura 6.13. Fase de los parmetros S.
0.5 1 1.5 2 2.5

X: 0.9108
Y: -29.71
Frequencia [GHz]
X: 1.739
Y: -23.45
X: 0.9108
Y: -29.71
X: 0.9108
Y: -3.265
X: 0.9108
Y: -26.92
S
12
S
22
S
32
0.5 1 1.5 2 2.5

X: 0.9108
Y: -134.8
Frequencia [GHz]
Fase de Parametros S
X: 0.9108
Y: -101.5
S
11
S
21
Diego Almeida
68

s y tres, se representa el caso de la puerta dos
n de potencia hacia el
n y aislamiento, superior a -26

A medida que se aproxima a la frecuencia de trabajo la
S
11
y S
21
se aproxima a -30
valores de la lnea para conseguir mejor adaptacin. Se puede identificar esta
caracterstica en la figura 6.13.

6.5. Diseo de un divisor de potencia Wilkinson con frecuencia dual con
estructura opcional de aislamiento

6.5.1. Diseo modelo diagonal
Las investigaciones realizadas por Y. Wu en el 2009
para desarrollar el presente diseo,
se cambian los parmetros principales
permitividad dielctrica (
r
),
principales, las mismas se cumplen a lo largo de este captulo. En l
presenta las consideraciones
Tabla 6.4
Consideraciones que deben cumplirse para disear el Divisor
de Potencia Wilkinson
El circuito divisor de potencia dual tiene que funcionar en las
frecuencias de 1 GHz y 3.5 GHz.
La impedancia caracterstica Z
del puerto de entrada y para los puertos de salida.
Se usa sustrato Cuclad 217 con una permitividad relativa
El espesor del material dielctrico h es de 0.8 mm.
El ancho de la lnea de transmisin depende de la altura del sustrato
El largo de la lnea de transmisin depende de la longitud de onda y
A medida que se aproxima a la frecuencia de trabajo la diferencia de fase entre
grados, esto es por la variacin que se in
a para conseguir mejor adaptacin. Se puede identificar esta
caracterstica en la figura 6.13.
de un divisor de potencia Wilkinson con frecuencia dual con
estructura opcional de aislamiento.
agonal
Las investigaciones realizadas por Y. Wu en el 2009
[11]
es de gran importancia
para desarrollar el presente diseo, se toma en cuenta el mismo modelo, sin embargo
los parmetros principales de microonda, como el tipo de sustrato
), entre otros, a continuacin se plantean directrices
se cumplen a lo largo de este captulo. En l
que se deben cumplir para los siguientes diseos.

Tabla 6.4. Consideraciones de diseo
de Potencia Wilkinson
El circuito divisor de potencia dual tiene que funcionar en las
frecuencias de 1 GHz y 3.5 GHz.
La impedancia caracterstica Z
o
es 50, para la lnea de transmisin
del puerto de entrada y para los puertos de salida.
Se usa sustrato Cuclad 217 con una permitividad relativa
r
de 2.17.
El espesor del material dielctrico h es de 0.8 mm.
yla constante dielctrica.
del ngulo elctrico
Diego Almeida
69

diferencia de fase entre
se introdujo en los
a para conseguir mejor adaptacin. Se puede identificar esta
de un divisor de potencia Wilkinson con frecuencia dual con
es de gran importancia
l mismo modelo, sin embargo
el tipo de sustrato, la
entre otros, a continuacin se plantean directrices
se cumplen a lo largo de este captulo. En la tabla 6.4 se
que se deben cumplir para los siguientes diseos.

lnea de transmisin
de 2.17.

A continuacin se presenta el diseo simulado en HFSS del modelo propuesto
por Y. Wu, las ecuaciones para encontrar los valores de cada impedancia y ngulo
elctrico se describen en el captulo IV, el cambio que se genera se produce por utilizar
un sustrato con diferente constante dielctrica y alt
puede identificar el circuito propuesto.

Figura 6
Este divisor simtrico de potencia consiste en
transmisin y de un resistor del aislamiento
correspondientes del diseo son derivadas usando el anlisis uniforme y concepto de
modo par e impar, estudiado en el captulo anterior

La longitud elctrica para las lneas de transmisin a 1 GHz es equivalente a
/4.5, se trabaja con sustrato
Adems las impedancias caractersticas de la entrada y de las salidas son de 50
para que exista un mejor acoplamiento las impedancias Z
acopladas a este valor. De los resultados de la tabla 5.1 se toma en cuenta el caso 2,
donde la relacin de frecuencias y longitud elctrica es de 3.5, a partir de estos
parmetros se calcula las impedancias del circuito, de esta manera
55.210,
= 1.5682 50 =
Port1
r Y. Wu, las ecuaciones para encontrar los valores de cada impedancia y ngulo
un sustrato con diferente constante dielctrica y altura. Finalmente en la figura 6.14
puede identificar el circuito propuesto.
Figura 6.14. Diseo modelo diagonal

Este divisor simtrico de potencia consiste en seis secciones de lneas de la
transmisin y de un resistor del aislamiento R, y las ecuaciones no lineales
, estudiado en el captulo anterior.
, se trabaja con sustrato Cuclad 217 con una permitividad relativa
Adems las impedancias caractersticas de la entrada y de las salidas son de 50
para que exista un mejor acoplamiento las impedancias Z
1
, Z
2
y

Z
3
tienen que estar
parmetros se calcula las impedancias del circuito, de esta manera
=
= 78.410,
= 0.8217 50 = 41.085 y
Port2
Port3
Diego Almeida
70

r Y. Wu, las ecuaciones para encontrar los valores de cada impedancia y ngulo
ra. Finalmente en la figura 6.14. se
seis secciones de lneas de la
R, y las ecuaciones no lineales
Cuclad 217 con una permitividad relativa
r
de 2.17.
Adems las impedancias caractersticas de la entrada y de las salidas son de 50 y
tienen que estar
= 1.1042 50 =
y = 1.7315
Port2
Port3

50 = 86.575. Con estos parmetros se puedo calcular L
presenta las dimensiones del modelo.
Tabla 6.5

Luego de construir el circuito Wilkinson dual en HFSS se realiza las respectivas
simulaciones y se obtiene los
comportamiento del divisor.

y tres. Se observa como se ha producido una cada de
MHz y 3500 MHz. Los parmetros S
diseo, al igual que S
12
y S
13
.
dB y los -20 dB para cada frecuencia de trabajo respectivamente, que es la adaptacin
que se ha conseguido para el puerto 1
S
23
), superior a -30 dB y -20
f
2
).
Sustrato
Parmetros Dimension
Sustrato
(Lsub x Wsub x H) 76.17 x 43 x 0.8
Leyenda Microstrip
L0
W0
Z0
L1
W1
Z1
L2
W2
Z2
L3
W3
Z3
Resistencia
R1
. Con estos parmetros se puedo calcular L
1
,

L
2
y L
3
. En la tabla 6.5
resenta las dimensiones del modelo.

Tabla 6.5. Dimensiones del modelo diagonal.
simulaciones y se obtiene los parmetros S, de esta manera se puede comprobar el
se identifica los parmetros S correspondientes al puerto uno, dos
incide por el puerto 1, hacia los puertos 2 y 3 para una frecuencia de 1000
Los parmetros S
21
y S
31
son similares ya que existe simetra en el
Las prdidas de retorno S
11
toman un valor superior a
20 dB para cada frecuencia de trabajo respectivamente, que es la adaptacin
a el puerto 1. La adaptacin (S
22
y S
33
) y aislamiento
dB para cada frecuencia de trabajo respectivamente

Dimensiones (mm)
r = 2.17
76.17 x 43 x 0.8
Microstrip
24.468
2.450
50
24.590
2.113
55.21
24.943
1.174
78.41
24.257
3.255
41.085
Resistencia
86.575
Diego Almeida
71

En la tabla 6.5 se
, de esta manera se puede comprobar el
puerto uno, dos
3 para una frecuencia de 1000
similares ya que existe simetra en el
toman un valor superior a -30
20 dB para cada frecuencia de trabajo respectivamente, que es la adaptacin
y aislamiento (S
32
y
para cada frecuencia de trabajo respectivamente (f
1
y

Figura 6

Se puede identificar fcilmente que los valores de los parmetros S son
por lo tanto se concluye que el modelo empleado por Y. Wu
para las frecuencias de 1 GHz y 3.5 GHz
diseo como material y medidas fsicas
funcionamiento deseado en la banda deseada.

6.5.2. Diseo modelo diagonal
Para el diseo de este modelo se tomo en cuenta las especificaciones del
circuito anterior, por lo tanto el puerto de entrada y los puertos de sa
potencia deben tener una impedancia caracterstica
investigacin colocar un transformador de impedancias a la salida de las lneas L3
superior e inferior. La resistencia
la ecuacin de transformacin de impedancias se obtiene
se identifica el modelo en HFSS que se realiza p

Figura 6.15. Parmetros S modelo diagonal.
Se puede identificar fcilmente que los valores de los parmetros S son
por lo tanto se concluye que el modelo empleado por Y. Wu funciona de manera ptima
para las frecuencias de 1 GHz y 3.5 GHz, y con los nuevos parmetros modificados de
diseo como material y medidas fsicas. Con esto se comprueba que el circuito
funcionamiento deseado en la banda deseada.
o modelo diagonal con transformador de impedancias.
el puerto de entrada y los puertos de salida del divisor de
potencia deben tener una impedancia caracterstica Z
o
de 50 . Se propone en esta
La resistencia de entrada es de 41.085 y Z
o
a la salida, aplicando
de transformacin de impedancias se obtiene 45.324 . En la figura 6.
se identifica el modelo en HFSS que se realiza para una mejor adaptacin
Diego Almeida
72

Se puede identificar fcilmente que los valores de los parmetros S son buenos,
funciona de manera ptima
, y con los nuevos parmetros modificados de
Con esto se comprueba que el circuito tiene el

lida del divisor de
. Se propone en esta
la salida, aplicando
. En la figura 6.16
ara una mejor adaptacin, se puede

identificar en la grfica las lneas microstrip y la parte del
6.6 se describe sus dimensiones y parmetros elctricos.


Tabla 6.6. Dimensiones del modelo

Sustrato
Parmetros Dimension
Sustrato
(Lsub x Wsub x H) 92.05
Leyenda Microstrip
L0
W0
Z0
L1
W1
Z1
L2
W2
Z2
L3
W3
Z3
Resistencia
R1
Transformador
LAdap
WAdap
ZAdap
Port1
identificar en la grfica las lneas microstrip y la parte del transformador. Y en la tabla
se describe sus dimensiones y parmetros elctricos.
modelo diagonal con transformador de impedancias.
Dimensiones del modelo diagonal con transformador de impedancias.

Dimensiones (mm)
r = 2.17
92.05 x 43 x 0.8
Microstrip
24.468
2.450
50
24.590
2.113
55.21
24.943
1.174
78.41
24.257
3.255
41.085
Resistencia
86.575
Transformador
27.390
2.83
45.324
Diego Almeida
73

formador. Y en la tabla

con transformador de impedancias.
Port2
Port3

En la figura 3.17 se identifica los parmetros S del modelo
transformador de impedancias
similar al anterior estructura, sin embargo se adapta mejor, pero existe un
desplazamiento en la frecuencia superior, por lo que los nuevos valores de las
frecuencias duales son 1 GHz y 4 GHz

Figura 6.17. Parmetros S

GHz y 4 GHz. Los parmetros S
12
y S
13
. Las prdidas de retorno S
dB para cada frecuencia de trabajo respectivamente, que es la adaptacin
conseguido para el puerto 1. La a
el aislamiento (S
32
y S
23
)
respectivamente (f
1
y f
2
).

Al diseo con transformador de impedancias
resultados que se produce son pequeos,
se identifica los parmetros S del modelo
transformador de impedancias propuesto. Se observa fcilmente el comportamiento es
frecuencias duales son 1 GHz y 4 GHz.

armetros S modelo diagonal con transformador de impedancias

Los parmetros S
21
y S
31
11
para cada frecuencia de trabajo respectivamente, que es la adaptacin
22
y S
33
) es aproximadamente de
superior a -35 dB para cada frecuencia de trabajo
formador de impedancias se optimiza la resistencia, pero los
son pequeos, en la figura 6.18 observa el cambio
Diego Almeida
74

se identifica los parmetros S del modelo diagonal con
. Se observa fcilmente el comportamiento es
para cada frecuencia de trabajo respectivamente, que es la adaptacin que se ha
) es aproximadamente de -25 dB y
para cada frecuencia de trabajo
se optimiza la resistencia, pero los
observa el cambio.


Figura 6.18. Optimizacin de la

Como se puede observar en la figura a continuacin, el desplazamiento entre
cada curva es mnimo por lo tanto no genera un gran cambi
identificar que a medida que la resisten
la frecuencia. Al aumentar la resistencia mejora
embargo preferentemente se trabaja con la resistencia de diseo inicial de

Figura 6.19. Parmetros S Diseo Dual Band Diagonal Adaptado con la resistencia
Port1
Curve Info
dB(S(2,1))
Setup1 : Sweep1
Resistencia='0.553mm'
dB(S(2,1))
Setup1 : Sweep1
dB(S(2,1))
Setup1 : Sweep1
dB(S(2,1))
Setup1 : Sweep1
dB(S(2,1))
Setup1 : Sweep1
dB(S(2,1))
Setup1 : Sweep1
dB(S(2,1))
Setup1 : Sweep1
dB(S(2,1))
Optimizacin de la resistencia modelo con transformador de impedancias
observar en la figura a continuacin, el desplazamiento entre
cada curva es mnimo por lo tanto no genera un gran cambio en el diseo,
la resistencia aumenta, se hace ms dominante el valle de
r la resistencia mejora un poco el modelo
e trabaja con la resistencia de diseo inicial de
. Parmetros S Diseo Dual Band Diagonal Adaptado con la resistencia
Para Optimizar se varia la resistencia desde 70
R=70
Diego Almeida
75

con transformador de impedancias
observar en la figura a continuacin, el desplazamiento entre
o en el diseo, se puede
cia aumenta, se hace ms dominante el valle de
el modelo dual-band. Sin
e trabaja con la resistencia de diseo inicial de 86.575 .

. Parmetros S Diseo Dual Band Diagonal Adaptado con la resistencia optimizada
Port2
Port3
Para Optimizar se varia la resistencia desde 70-
R=110

6.5.3. Diseo modelo circular.
En este trabajo se propone
Wilkinson dual, a partir del modelo de Y. Wu con transformador de impedancias a la
salida, se plantea un modelo circular con las mismas caracterstic
disea un cambio fsico de la estructura, por lo tanto todas las lneas de transmisin
rectas se cambian a curvilneas, en el caso de L1
de 55.21 , con un ancho de
mm . Todas las medidas son similares al modelo bsico propuesto en el inicio de este
captulo, la diferencia es su geometra. De igual manera L2 y la lnea del transformador
de impedancias son semicircunf
una separacin de 3 mm entre
solapamiento e interferencias
de disear la geometra del nuevo modelo se simul
identificar en la figura 6.20. Se investiga esta opcin para
los otros circuitos y seleccionar el que tenga mejor desempeo
Figura 6.20
En la tabla 6.7 se observa los valores de las dimensiones de cada rama del
modelo planteado.
Port1
modelo circular.
En este trabajo se propone una nueva estructura del divisor de potencia
dual, a partir del modelo de Y. Wu con transformador de impedancias a la
salida, se plantea un modelo circular con las mismas caractersticas elctricas, se
rectas se cambian a curvilneas, en el caso de L1 es un arco circular con impedancia
, con un ancho de 2.113 mm y longitud de la lnea de transmisin de 24.59
Todas las medidas son similares al modelo bsico propuesto en el inicio de este
de impedancias son semicircunferencias. Se mantiene L3 como una lnea recta con
una separacin de 3 mm entre L3 superior y L3 inferior para que no exista
solapamiento e interferencias que puede causar el campo elctrico-magntico
de disear la geometra del nuevo modelo se simula con HFSS, el resultado se pu
. Se investiga esta opcin para comparar los resultados
los otros circuitos y seleccionar el que tenga mejor desempeo.
Figura 6.20. Diseo modelo circular.

Diego Almeida
76

una nueva estructura del divisor de potencia
dual, a partir del modelo de Y. Wu con transformador de impedancias a la
as elctricas, se
es un arco circular con impedancia
mm y longitud de la lnea de transmisin de 24.59
Todas las medidas son similares al modelo bsico propuesto en el inicio de este
erencias. Se mantiene L3 como una lnea recta con
L3 superior y L3 inferior para que no exista
magntico. Luego
a con HFSS, el resultado se puede
comparar los resultados de

Port2
Port3

Tabla 6.

Finalmente se simula el diseo circular
modelo funciona de mejor manera, el comportamiento es similar al propuesto por Y.
Wu, pero se adapta de mejor manera, adems es ms especfico en las frecuencias de
trabajo que se desea. El divisor circular Wilkinson dual funciona en las frecuencias
GHz y 3.5 GHz. En la figura 6.21
Figura 6
Sustrato
Parmetros Dimension
Sustrato
(Lsub x Wsub x H) 111.4 x 43 x 0.8
Leyenda Microstrip
L50
W50
Z50
L1
W1
Z1
L2
W2
Z2
L3
W3
Z3
Resistencia
R1
Tabla 6.7. Dimensiones del modelo Circular.
Finalmente se simula el diseo circular y se analiza los parmetros S
trabajo que se desea. El divisor circular Wilkinson dual funciona en las frecuencias
GHz y 3.5 GHz. En la figura 6.21 se observa el comportamiento del circuito.
Figura 6.21. Parmetros S del modelo circular.
Sustrato
Dimensiones (mm)
r = 2.17
111.4 x 43 x 0.8
Microstrip
24.468
2.450
50
24.590
2.113
55.21
24.943
1.174
78.41
24.257
3.255
41.085
Resistencia
86.575
Diego Almeida
77

os parmetros S, este
trabajo que se desea. El divisor circular Wilkinson dual funciona en las frecuencias de 1
se observa el comportamiento del circuito.

GHz y 3.5 GHz. Los parmetros S
12
y S
13
dB para cada frecuencia de trabajo respectiv
conseguido para el puerto 1. La adaptaci
-20 dB; el aislamiento (S
32
y S
respectivamente (f
1
y f
2
).

6.5.4. Diseo del resonador

Diseo de un resonador ptimo para los modelos propuestos
Se disea y analiza un resonador que funcione correcta
se desea, luego de realizar varias simulaciones, se propone 2 modelos de resonadores
un circular y otro cuadrado. A continuacin

Modelo Resonador Circular
En la figura a continuacin se observa el diseo del resonador circular
propuesto, en este modelo se varia la dimensin de a y el radio R.
Figura 6

Los parmetros S
21
y S
31
11
22
y S
33
y S
23
) superior a -35 dB para cada frecuencia de trabajo
resonador
Diseo de un resonador ptimo para los modelos propuestos
Se disea y analiza un resonador que funcione correctamente en las bandas que
, luego de realizar varias simulaciones, se propone 2 modelos de resonadores
ado. A continuacin se presenta cada uno de ellos.
Modelo Resonador Circular
propuesto, en este modelo se varia la dimensin de a y el radio R.

Figura 6.22. Diseo del resonador circular.
Diego Almeida
78

amente, que es la adaptacin que se ha
) es aproximadamente de -35 dB y
mente en las bandas que
, luego de realizar varias simulaciones, se propone 2 modelos de resonadores
se presenta cada uno de ellos.

Se realizo algunas simulaciones
su radio las frecuencias de resonancia cambian, a mayor radio la frecuencia de
resonancia es ms corta, y todo lo contrario sucede con un radio menor. Se
esta caracterstica en el simulador HFSS
3.2 mm y a igual a 0.5 mm.
comprueba que funciona correctamente hasta los 4 GHz.

Figura 6.23

Modelo Resonador Cuadrado
En la figura 6.24 se observa el diseo del resonador cuadrado propuesto, se
estudia un solo modelo.
Figura 6
Se realizo algunas simulaciones, y se puede identificar finalmente que variando
resonancia es ms corta, y todo lo contrario sucede con un radio menor. Se
en el simulador HFSS. Se presenta el resonador con radio igual a
En la figura 6.23 se observa los parmetros S
comprueba que funciona correctamente hasta los 4 GHz.

.23. Parmetros S Resonador Circular 3.2 mm
Modelo Resonador Cuadrado
se observa el diseo del resonador cuadrado propuesto, se

Figura 6.24. Diseo del resonador cuadrado.
Diego Almeida
79

se puede identificar finalmente que variando
resonancia es ms corta, y todo lo contrario sucede con un radio menor. Se analiz
Se presenta el resonador con radio igual a
parmetros S donde se

se observa el diseo del resonador cuadrado propuesto, se

Los parmetros S que se obtienen para este modelo se puede
figura 6.25 donde se puede identificar que la frecuencia de resonancia es ms corta en
comparacin con el primer modelo circular de 3.2 mm de radio. Esta caracterstica se
debe a las dimensiones y forma del resonador.

Figura 6

Para continuar con el anlisis de los divisores de potencia dual
se utiliza el resonador circular que funciona de manera ptima

Resultados del resonador circular o
Para un anlisis ms completo se fabrica un resonador con el menor radio r =
3.2 mm. Cabe tomar en cuenta que el resonador medido en el laboratorio, tiene
caractersticas idnticas a los simulados en HFSS, por lo t
tipo de sustrato entre otros son los mismos. A continuacin se muestra el resonador
fabricado.
Los parmetros S que se obtienen para este modelo se puede
donde se puede identificar que la frecuencia de resonancia es ms corta en
dimensiones y forma del resonador.

Figura 6.25. Parmetros S Resonador Cuadrado
Para continuar con el anlisis de los divisores de potencia dual con resonadores,
se utiliza el resonador circular que funciona de manera ptima.
dor circular obtenidos en las mediciones.
caractersticas idnticas a los simulados en HFSS, por lo tanto los parmetros h, w, t,
Diego Almeida
80

Los parmetros S que se obtienen para este modelo se puede analizar en la
donde se puede identificar que la frecuencia de resonancia es ms corta en
con resonadores,
anto los parmetros h, w, t,

Figura 6.26. Lnea Microstrip con Resonador Circular de dimetro 3.2 mm

En el laboratorio se miden los parmetros S en dB y en
muestras obtenidas, se utiliza analizadores de espectros que trabaje
GHz. Para obtener estas grficas se utilizo un dispositivo que trabaja adecuadamente
hasta los 9 GHz, en la siguiente figura se muestra el proce
resultados.
Figura 6.27. Medida de los parmetros S del Resonador.

Con una calibracin adecuada del equipo y tomando en cuenta las diferentes
prdidas que pueden existir se miden los parmetros S y se puede observar fcilmente
que el resonador trabaja de forma correcta para las frecuencias deseadas. En las
siguientes figuras se analizan los par
fase.

. Lnea Microstrip con Resonador Circular de dimetro 3.2 mm
En el laboratorio se miden los parmetros S en dB y en grados para analizar las
muestras obtenidas, se utiliza analizadores de espectros que trabajen a frecuencias en
obtener estas grficas se utilizo un dispositivo que trabaja adecuadamente
hasta los 9 GHz, en la siguiente figura se muestra el proceso para obtener los

. Medida de los parmetros S del Resonador.
n los parmetros S en dB y en grados para identificar su
Diego Almeida
81

. Lnea Microstrip con Resonador Circular de dimetro 3.2 mm
grados para analizar las
n a frecuencias en
obtener estas grficas se utilizo un dispositivo que trabaja adecuadamente
so para obtener los
metros S en dB y en grados para identificar su

Figura 6

Finalmente comparando los resultados medidos con los simulados, se identifica
que son similares con un desplazamiento del resonador fabricado de 1 GHz con
respecto al simulado, debido al mismo se observa una frecuencia adicional de
resonancia en el diseo fabricado a 1.1 GHz aproximadamente, y puede ser de ayuda
que para futuros diseos a esa frecuencia. Las frecuencias resonantes de este diseo
son 1.1 GHz y 2.9 GHz.

Figura 6.29. Anlisis comparativo de Parmetros S medido y simulado

Figura 6.28. Parmetros S Resonador Circular

fabricado a 1.1 GHz aproximadamente, y puede ser de ayuda
. Anlisis comparativo de Parmetros S medido y simulado

0 1 2 3 4 5 6
-200
-150
-100
-50
0
50
100
150
200
Frequency [GHz]
S

[
d
e
g
]
Phase Parameter S Resonator Circular 3.2 mm

S
11
S
21
0 1 2 3 4 5 6
-200
-150
-100
-50
0
50
100
150
200
Frequency [GHz]
S

[
d
e
g
]

Diego Almeida
82

fabricado a 1.1 GHz aproximadamente, y puede ser de ayuda

. Anlisis comparativo de Parmetros S medido y simulado
7 8 9

7 8 9 10

S
11
S
21
S
11
medido
S
21
medido

6.5.5. Diseo modelo diagonal con resonador CSRRs.
Se realiza un anlisis comparativo del diseo diagonal al cual se adapta
resonadores en distintas posiciones y dimetros diferentes, de esta manera se optimiza
el diseo. La base de este nuevo modelo son los diseos ya estudia
tienen el mismo material. Luego de analizar varios circuitos
modelo diagonal con un resonador de 3.2 mm de radio y en la posicin
en la figura 3.30, ya que trabaja en mejores condiciones

Sustrato
Parmetros Dimension
Sustrato
(Lsub x Wsub x H)
r = 2.17
92.05
Leyenda Microstrip
L0
W0
L1
W1
L2
W2
L3
W3
Transformador
LAdap
WAdap
ZAdap
Port1
iagonal con resonador CSRRs.
el diseo. La base de este nuevo modelo son los diseos ya estudiados, los cuales
uego de analizar varios circuitos se decide trabajar con
modelo diagonal con un resonador de 3.2 mm de radio y en la posicin que se muestra
trabaja en mejores condiciones.
Diseo modelo diagonal con resonador de 3.2 mm de radio.

Tabla 6.8. Dimensiones del modelo diagonal con transformador de impedancias.

Dimensiones (mm)
r = 2.17 (CuClad)
92.05 x 43 x 0.8
Microstrip
24.468
2.450
24.590
2.113
24.943
1.174
24.257
3.255
Transformador
27.390
2.83
45.324
Diego Almeida
83

dos, los cuales
decide trabajar con el
que se muestra

con resonador de 3.2 mm de radio.
Port2
Port3

Finalmente se simula el diseo diagonal con resonador y se analiza l
parmetros S. El divisor circular Wilkinson dual funciona en las frecuencias de 1
3.5 GHz. En la figura 6.31 se observa el comportamiento del circuito.
Figura 6.31. Parme

Se observa como se ha producido una
GHz y 3.5 GHz. Los parmetros S
12
y S
13
. Las prdidas de
dB para cada frecuencia de trabajo respectivamente, que es la adaptacin
aislamiento (S
32
y S
23
) superior a
respectivamente (f
1
y f
2
). Mejora su comportamiento comparando
modelo diagonal sencillo y con transformador, pero
modelo circular no es tan bueno.

0 0.5
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
S

[
d
B
]
Parametros S Dual-Band Diagonal con Resonador

Finalmente se simula el diseo diagonal con resonador y se analiza l
. El divisor circular Wilkinson dual funciona en las frecuencias de 1
se observa el comportamiento del circuito.
. Parmetros S del modelo diagonal con CSRRs.

Los parmetros S
21
y S
31
11
22
y S
33
) superior a -25 dB para cada frecuencia de trabajo
Mejora su comportamiento comparando su resultado con el
nal sencillo y con transformador, pero en comparacin con el ltimo
modelo circular no es tan bueno.
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
Frequency [GHz]
Parametros S Dual-Band Diagonal con Resonador

S
11
S
22
S
23
S
21
Diego Almeida
84

Finalmente se simula el diseo diagonal con resonador y se analiza los
. El divisor circular Wilkinson dual funciona en las frecuencias de 1 GHz y

para cada frecuencia de trabajo respectivamente, que es la adaptacin que se ha
) es aproximadamente de -25 y el
su resultado con el
comparacin con el ltimo

6.5.6. Diseo modelo circular con
Se muestra el diseo de un modelo de divisor Wilkinson
donde la base es el mismo diseo circular
de 3.2 mm de radio y la distancia entre anillo interior y exterior es de
figura 6.32 se puede identificar la estructura. Lo que se pretende es
circular colocando resonadores en las
tabla 6.9 se identifica las dimensiones de la modelo.
Figura 6.32. Diseo modelo circular


Sustrato
Parmetros Dimension
Sustrato
(Lsub x Wsub x H) 111.4 x 43 x 0.8
Leyenda Microstrip
L50
W50
Z50
L1
W1
Z1
L2
W2
Z2
L3
W3
Z3
Resistencia
R1
Diseo modelo circular con resonador CSRRs.
de un modelo de divisor Wilkinson circular con resonador,
donde la base es el mismo diseo circular mostrado anteriormente pero con resonador
de 3.2 mm de radio y la distancia entre anillo interior y exterior es de
se puede identificar la estructura. Lo que se pretende es optimiza
o resonadores en las posiciones que se muestra en la grfica
tabla 6.9 se identifica las dimensiones de la modelo.
Diseo modelo circular con resonador de 3.2 mm de radio.
Tabla 6.9. Dimensiones del modelo circular con resonador CSRRs
Sustrato
Dimensiones (mm)
r = 2.17
111.4 x 43 x 0.8
Microstrip
24.468
2.450
50
24.590
2.113
55.21
24.943
1.174
78.41
24.257
3.255
41.085
Resistencia
86.575
Diego Almeida
85

circular con resonador,
o con resonador
de 3.2 mm de radio y la distancia entre anillo interior y exterior es de 0.5 mm. En la
optimizar el diseo
en la grfica. En la

con resonador de 3.2 mm de radio.
CSRRs.

En la figura 6.33 se observa
identifica como se ha producido una
que incide por el puerto 1, hacia los puertos 2 y
GHz. Los parmetros S
21
y S
igual que S
12
y S
13
. Las prdidas de
cada frecuencia de trabajo respectivamente, que es la adaptacin
la frecuencia inferior y de -27 dB para superior, el
dB y 20 dB para cada frecuencia de trabajo respectivamente (f
comportamiento comparando
conclusin que este modelo funciona de mejor manera, en comparacin con la
estructura diagonal con resonador.

Figura 6.33. Parme

se observa el comportamiento de este nuevo modelo, se
como se ha producido una cada de -3.3 dB aproximadamente de la potencia
, hacia los puertos 2 y 3 para una frecuencia de 1 G
y S
31
son similares ya que existe simetra en el diseo, al
11
cada frecuencia de trabajo respectivamente, que es la adaptacin
22
y S
33
27 dB para superior, el aislamiento (S
32
y S
23
para cada frecuencia de trabajo respectivamente (f
1
y f
comportamiento comparando su resultado con los modelos anteriores
estructura diagonal con resonador.

. Parmetros S del modelo circular con CSRRs.

Diego Almeida
86

el comportamiento de este nuevo modelo, se
3.3 dB aproximadamente de la potencia
3 para una frecuencia de 1 GHz y 3.5
son similares ya que existe simetra en el diseo, al
toman un valor superior a -30 dB para
cada frecuencia de trabajo respectivamente, que es la adaptacin que se ha
) es aproximadamente de -40 para
23
) superior a -30
y f
2
). Mejora su
elos anteriores. Se llega a la

6.6. Medidas y pruebas experimentales de los modelos
Las estructuras y los mtodos de diseo propuestos son validados por
resultados simulados y experimentales, y se desea que el comportamiento del
fabricado sea similar al simulado.

6.6.1. Resultados Obtenidos en las mediciones del diseo Diag
Para analizar el diseo diagonal, se s
impedancias ya que sus parmetros S presentan un buen comportamiento
un divisor de potencia Wikilson diagonal con transformador a la salida. De igual manera
como se menciono en el diseo de la microstrip con resonador, el diseo medido en el
laboratorio, tiene caractersticas idnticas a los simulados en HFSS, pero con la
diferencia que se incorporan prdidas ya que no se trabaja con diseos ideales. A
continuacin se muestra el resonador fabricado.

Figura 6.34. Divisor de Potencia Diagonal con Transformador a la salida.

muestras obtenidas con el diseo diagonal, se utiliza un analizador de espectros que
trabaje a frecuencias en GHz, para este caso 9 GHz. Para medir de manera ptima se
utilizo una carga de 50 , para que la salida que no se analice en ese instante este
adaptada y no haya prdidas. En la
resultados.
Medidas y pruebas experimentales de los modelos diagonal y circular.
fabricado sea similar al simulado.
Resultados Obtenidos en las mediciones del diseo Diagonal.
Para analizar el diseo diagonal, se selecciona el modelo con transformador de
impedancias ya que sus parmetros S presentan un buen comportamiento
mo se menciono en el diseo de la microstrip con resonador, el diseo medido en el
cin se muestra el resonador fabricado.
. Divisor de Potencia Diagonal con Transformador a la salida.
, para que la salida que no se analice en ese instante este
o haya prdidas. En la figura 6.35 se muestra el proceso para obtener los
Diego Almeida
87

diagonal y circular.
onal.
elecciona el modelo con transformador de
impedancias ya que sus parmetros S presentan un buen comportamiento, se fabrica
mo se menciono en el diseo de la microstrip con resonador, el diseo medido en el

. Divisor de Potencia Diagonal con Transformador a la salida.
, para que la salida que no se analice en ese instante este
se muestra el proceso para obtener los

Figura 6.35. Medida de los parmetros S Divisor de Potencia Diagonal

En la figura 6.36 se analiza los parmetros S en dB y en grados para identificar
su fase. Antes de realizar cualquier medida hay que calibrar bien el equipo para
disminuir las prdidas. Se puede observar en las grficas que el diseo fabricado
trabaja de forma correcta.

Figura 6.36. Parmetros S Divisor de Potencia Diagonal con Transformador a la Salida.


. Medida de los parmetros S Divisor de Potencia Diagonal
se analiza los parmetros S en dB y en grados para identificar
. Parmetros S Divisor de Potencia Diagonal con Transformador a la Salida.

0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
-200
-150
-100
-50
0
50
100
150
200
Frequency [GHz]
S

[
d
e
g
]
Parameter S Dual-Band Diagonal Design

Diego Almeida
88

. Medida de los parmetros S Divisor de Potencia Diagonal
se analiza los parmetros S en dB y en grados para identificar

3.5 4 4.5 5
Parameter S Dual-Band Diagonal Design

S
11
S
22
S
23
S
33

Las frecuencias reales de funcionamiento son de 1 G
6.36 se observa una cada de
el puerto 1, hacia los puertos 2 y
variacin de 0.5 dB. Los parmetros S
el diseo, al igual que S
12
y S
25 dB para la frecuencia inferior y de
es la adaptacin que se ha conseguido par
aproximadamente de -15 dB y el
frecuencia de trabajo respectivamente (f
de la variacin de 0.5 GHz en la frecuencia superior,
puede ser utilizado de manera prctica para las comunicaciones ina
banda dual en este caso es de 1 GHz y 3 GHz.

Finalmente en la figura 6.37 y 6.38
resultados medidos con los simulados, se identifica que son similares con un
desplazamiento del resonador fabricado de 1 GH
frecuencias duales son 1 GHz y 3

Figura 6.37. Anlisis comparativo de Parmetros S medido y simulado.

0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
Frequency [GHz]
S
1
1

[
d
B
]
Parmetros S
11
Dual-Band Diagonal

Las frecuencias reales de funcionamiento son de 1 GHz y de 3 GHz. En la figura
se observa una cada de -3.3 dB aproximadamente de la potencia que
hacia los puertos 2 y 3 para una frecuencia de 1 GHz y 3 GHz, con una
Los parmetros S
21
y S
31
son similares ya que existe simetra en
y S
13
11
para la frecuencia inferior y de -30 dB para la frecuencia de trabajo superior, S
que se ha conseguido para el puerto 1. La adaptacin
15 dB y el aislamiento (S
32
y S
23
) superior a -20
frecuencia de trabajo respectivamente (f
1
y f
2
). Su comportamiento es ptimo a pesar
de la variacin de 0.5 GHz en la frecuencia superior, el circuito comprobado y medido
manera prctica para las comunicaciones ina
banda dual en este caso es de 1 GHz y 3 GHz.
en la figura 6.37 y 6.38 se hace un anlisis, comparando los
desplazamiento del resonador fabricado de 1 GHz con respecto al simulado. Las
uencias duales son 1 GHz y 3 GHz.
. Anlisis comparativo de Parmetros S medido y simulado.

3.5 4 4.5 5
Dual-Band Diagonal

D. Diagonal
D. con Tranformador
D. con Resonador
Medidas D. T.
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
Frequency [GHz]
S
1
1

[
d
B
]
Parameter S
22
Dual-Band Diagonal

D. Diagonal
D. con Tranformador
D. con Resonador
Medidas D. T.
Diego Almeida
89

Hz y de 3 GHz. En la figura
de la potencia que incide por
y 3 GHz, con una
son similares ya que existe simetra en
alor superior a -
30 dB para la frecuencia de trabajo superior, S
11

n (S
22
y S
33
) es
0 dB para cada
es ptimo a pesar
el circuito comprobado y medido
manera prctica para las comunicaciones inalmbricas. La
comparando los
z con respecto al simulado. Las

3.5 4 4.5 5
Dual-Band Diagonal


6.6.2. Resultados Obtenidos en las
De igual manera como en el diseo diagonal, se toma en cuenta el modelo ms
sencillo para su fabricacin en este caso sin resonadores. El diseo medido en el
laboratorio, tiene caractersticas idnticas a los simulados en
cuenta que las medidas sean exactas a las simuladas, que los conectores estn bien
soldados para una medida ptima. A continuacin se muestra el resonador fabricado.

Figura 6.39

Para medir los parmetros S, hay que tomar en cuenta una carga de 50
que la salida que no se analice en ese instante este adaptada y no haya prdidas. En la
siguiente figura se muestra el proceso para obtener los resultados.
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
Frequency [GHz]
S
1
1

[
d
B
]
Parameter S
23
Dual-Band Diagonal

D. Diagonal
D. con Tranformador
D. con Resonador
Medidas D. T.
Resultados Obtenidos en las mediciones del diseo Circular.
laboratorio, tiene caractersticas idnticas a los simulados en HFSS, hay que tomar en
Figura 6.39. Divisor de Potencia Circular.
etros S, hay que tomar en cuenta una carga de 50
siguiente figura se muestra el proceso para obtener los resultados.
3.5 4 4.5 5
Dual-Band Diagonal

D. con Tranformador
D. con Resonador
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
-7.5
-7
-6.5
-6
-5.5
-5
-4.5
-4
-3.5
-3
-2.5
Frequency [GHz]
S
1
1

[
d
B
]
Parameter S
21
Dual-Band

D. Diagonal
D. con Tranformador
D. con Resonador
Medidas D. T.
Diego Almeida
90


HFSS, hay que tomar en

etros S, hay que tomar en cuenta una carga de 50 , para
3.5 4 4.5 5

D. Diagonal
D. con Tranformador
D. con Resonador
Medidas D. T.

Figura 6.40. Medida de los parmetros S D

De igual manera como los otros casos hay que calibrar bien el equipo para
trabaja de forma correcta. Y es ms ptimo que el modelo diagonal.

Figura 6.41. Parmetros S Divisor de Potencia Diagonal con Transformador a la Salida.

que son similares con un desplazamiento en frecuencia del diseo fabricado de 1 GHz
con respecto al simulado. Pero la forma de las curvas y los valores de los parmetros S

. Medida de los parmetros S Divisor de Potencia Circular.
trabaja de forma correcta. Y es ms ptimo que el modelo diagonal.

0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
-200
-150
-100
-50
0
50
100
150
200
Frequency [GHz]
S

[
d
e
g
]
Parameter S Dual-Band Circular Design

Diego Almeida
91

ivisor de Potencia Circular.

3.5 4 4.5 5
Parameter S Dual-Band Circular Design

S
11
S
22
S
23
S
33

son semejantes. Las frecuencias duales en las que trabajara el diseo circular son 0.9
GHz y 2.9 GHz aproximadamente.

Analizando las grficas se llega a la conclusin que los valores
circular fabricado con el simulado son casi iguales, con un desplazamiento ya que hay
que tomar en cuenta que los simuladores trabajan en condiciones ideales. Adems en
futuros proyectos, se puede fabricar diseos de divisores circulares con res
Podra ser un caso de estudio la fabricacin de este modelo sencillo con resonadores a
3.2 mm de radio ya que sus frecuencias resonantes con ese radio estn a 0.9 GHz y
2.9 GHz y de esta manera se puede optimizar el diseo. Tambin comparando las
grficas el mejor diseo circular es el que tiene un resonador con dimetro 3.2 mm,
presenta un mejor rendimiento, y es semejante al modelo fabricado.

mejantes. Las frecuencias duales en las que trabajara el diseo circular son 0.9
GHz y 2.9 GHz aproximadamente.
Analizando las grficas se llega a la conclusin que los valores
futuros proyectos, se puede fabricar diseos de divisores circulares con res
presenta un mejor rendimiento, y es semejante al modelo fabricado.
Diego Almeida
92

mejantes. Las frecuencias duales en las que trabajara el diseo circular son 0.9

Analizando las grficas se llega a la conclusin que los valores del modelo
futuros proyectos, se puede fabricar diseos de divisores circulares con resonadores.

CAPTULO VII Conclusiones y Recomendaciones

CONCLUSIONES Y LNEAS FUTURAS

7.1. Conclusiones
En el estudio se present
tipos de divisores de potencia Wilkinson
de frecuencia diferentes. Se analiz en el proyecto frmulas y tcnicas que utilizan
autores para optimizar el comportamiento de los divisores de potencia Wilkinson dual
Las simulaciones obtenidas y los r
caractersticas de trabajo de los circuitos. E
de cada modelo propuesto, evaluando
es ptimo o necesita alguna modificacin. Po
Wilkinson con banda dual con estructura opcional de aislamiento
estructura diagonal cuyo comportamiento es aceptable
circuito circular con CSRRs.

El proyecto se cumple con
de divisores de potencia propuestos en un inicio
de un Wilkinson monobanda de gran ancho de banda, luego se dise un Wilkinson en
una sola banda utilizando CSRR
continuacin se realiz un divisor de potencia dual y finalmente se plantea una
estructura Wilkinson con frecuencia dual con estructura opcional de aislamiento. El
ltimo se divide bsicamente en tres circuitos
transformador, para optimizar se disea un circuito circular semejante, y por ltimo se
aade resonadores CSRRs, que trabajen en la banda de frecuencia deseada.
CAPTULO VII

CONCLUSIONES Y LNEAS FUTURAS
En el estudio se present los resultados tericos y experimentales de diferentes
de potencia Wilkinson en tecnologa plana que operan
Se analiz en el proyecto frmulas y tcnicas que utilizan
autores para optimizar el comportamiento de los divisores de potencia Wilkinson dual
Las simulaciones obtenidas y los resultados experimentales muestran
de los circuitos. Es necesario el estudio de los parmetros S
de cada modelo propuesto, evaluando estas caractersticas se determin
es ptimo o necesita alguna modificacin. Por ejemplo en el caso de la estr
dual con estructura opcional de aislamiento, se propone
cuyo comportamiento es aceptable, para optimizar

El proyecto se cumple con satisfaccin ya que se analizaron los
propuestos en un inicio, primero se estudio el comportamiento
una sola banda utilizando CSRRs con objeto de optimizar su comportam
un divisor de potencia dual y finalmente se plantea una
ltimo se divide bsicamente en tres circuitos una estructura diagonal con y sin
que trabajen en la banda de frecuencia deseada.
Diego Almeida
93

los resultados tericos y experimentales de diferentes
tecnologa plana que operan en dos bandas
Se analiz en el proyecto frmulas y tcnicas que utilizan
autores para optimizar el comportamiento de los divisores de potencia Wilkinson dual.
rimentales muestran las
s necesario el estudio de los parmetros S
se determina si el diseo
r ejemplo en el caso de la estructura
, se propone una
optimizar se dise el
los cuatro modelos
, primero se estudio el comportamiento
con objeto de optimizar su comportamiento, a
un divisor de potencia dual y finalmente se plantea una
una estructura diagonal con y sin
que trabajen en la banda de frecuencia deseada.

Los dos primeros diseos propuestos Wilkinson monobanda, t
ancho de banda como el que incluye resonadores CSRRs con objeto de optimizar su
comportamiento, son idneos por su tamao reducido para proyectos de
microelectrnica. Entre las principales aplicaciones
mejora del ancho de banda, un nivel de acoplamiento arbitrar
cero, una arquitectura multicapa compacta, y con ciertas modificaciones tambin
operacin en banda dual.

La investigacin es importante para aportar a la tecnologa nuev
divisores de potencia Wilkinson en banda dual, de todos los circuitos presentados, el
que mejor comportamiento experimental tiene es el diseo de un divisor de potencia
Wilkinson en banda dual circular,
inters en cada una de sus salidas,
los cuales existe simetra, posee
a la salida, un buen aislamiento,
frecuencia inferior y de 3 GHz para la superior.

Al inicio de este documento se introdujeron todos los conceptos bsicos cuyo
conocimiento era necesario para la comprensin de la investigacin. Se definieron el
significado de divisores de potencia, los principales componentes y las propiedades
que presentan este tipo de estructuras. Tras repasar brevemente su historia, se han
demostrado las propiedades fsicas y los fen
monobanda y en banda dual. Gracias a esta teora y a partir de las expresiones
obtenidas, se llega a la conclusi
sencillo se puede obtener su equivalente en banda dual. Esto es debido a
transmisin equivalentes que se agregan para transformar el circuito

Los dos primeros diseos propuestos Wilkinson monobanda, tanto el de gran
microelectrnica. Entre las principales aplicaciones y rendimiento, de estas estructuras:
mejora del ancho de banda, un nivel de acoplamiento arbitrario, resonadores de orden
una arquitectura multicapa compacta, y con ciertas modificaciones tambin
investigacin es importante para aportar a la tecnologa nuev
Wilkinson en banda dual circular, el mismo que opera en dos frecuencias
inters en cada una de sus salidas, tiene una potencia dividida igual en los puertos
posee tambin adaptacin de impedancia a la entrada como
a la salida, un buen aislamiento, y la banda de frecuencia es de 1 GHz para la
frecuencia inferior y de 3 GHz para la superior.
de divisores de potencia, los principales componentes y las propiedades
demostrado las propiedades fsicas y los fenmenos que aparecen en las estructuras
anda y en banda dual. Gracias a esta teora y a partir de las expresiones
obtenidas, se llega a la conclusin, que si se tiene un divisor Wilkinson monobanda
se puede obtener su equivalente en banda dual. Esto es debido a
equivalentes que se agregan para transformar el circuito.
Diego Almeida
94

anto el de gran
, de estas estructuras:
io, resonadores de orden
una arquitectura multicapa compacta, y con ciertas modificaciones tambin
investigacin es importante para aportar a la tecnologa nuevos modelos de
opera en dos frecuencias arbitrarias de
una potencia dividida igual en los puertos en
adaptacin de impedancia a la entrada como
la banda de frecuencia es de 1 GHz para la
de divisores de potencia, los principales componentes y las propiedades
en las estructuras
anda y en banda dual. Gracias a esta teora y a partir de las expresiones
divisor Wilkinson monobanda
se puede obtener su equivalente en banda dual. Esto es debido a las lneas de

Realizando un anlisis
los modelos tienen caractersticas aceptables
otros, pero en general todos trabajan de manera adecuada.
producido una cada de -3.3
puerto 1, hacia los puertos 2 y
banda dual. Es un valor esperado para el funcionamiento del divisor de potencia. Los
parmetros S
21
y S
31
son similares ya que existe simetra en todos los diseos, al igual
que S
12
y S
13
. El coeficiente
aproximadamente para cada frecuencia de trabajo respectivamente,
experimentalmente se considera una adaptacin satisfactoria
es aproximadamente de -25 y el
mnimo para todos los modelos
los casos, se ha observado un desplazamiento en
pero los valores de los parmetros S son muy parecidos a los tericos

Los modelos variados que se proponen en este proyecto se desea que sean
simtricos, y acoplados tanto a la entrada como a la salida. Con un anlisis
comparativo de las estructuras diseadas, se obtiene el circuito que se comporta de
mejor manera en las bandas deseadas. Por lo tanto la iniciativa de investigar varios
modelos sirve para tener un conjunto de seleccin, y determinar el comportamiento
ms ptimo.

El divisor de Wilkinson dual es una forma ideal de divisor / separador para
muchas aplicaciones de RF. Se proporciona un bajo nivel de prdida y mantiene un alto
nivel de aislamiento entre los puertos de salida. Una ventaja adicional es que a menudo
se puede hacer muy barata cuando se utiliza en frecuencias de microondas porque los
elementos de lnea de transmisin puede ser impreso en la tarjeta de circuitos. Esto
significa que el nico componente requerido para el divisor de Wilkinson es una
resistencia.
general de los parmetros S, se puede concluir que todos
los modelos tienen caractersticas aceptables, unos poseen mejor comportamiento que
otros, pero en general todos trabajan de manera adecuada. Se observ
.3 dB aproximadamente de la potencia que
, hacia los puertos 2 y 3 para una frecuencia de trabajo en monobanda y en
Es un valor esperado para el funcionamiento del divisor de potencia. Los
. El coeficiente de reflexin S
11
esta por debajo de
ente se considera una adaptacin satisfactoria. La adaptaci
25 y el aislamiento (S
32
y S
23
) superior a -25 dB
mnimo para todos los modelos. En cuanto a las medidas experimentales, para todos
observado un desplazamiento en la frecuencia de funcionamiento,
pero los valores de los parmetros S son muy parecidos a los tericos.
bandas deseadas. Por lo tanto la iniciativa de investigar varios
de RF. Se proporciona un bajo nivel de prdida y mantiene un alto
de transmisin puede ser impreso en la tarjeta de circuitos. Esto
Diego Almeida
95

general de los parmetros S, se puede concluir que todos
, unos poseen mejor comportamiento que
Se observa como se ha
de la potencia que incide por el
3 para una frecuencia de trabajo en monobanda y en
Es un valor esperado para el funcionamiento del divisor de potencia. Los
esta por debajo de -30 dB
. La adaptacin (S
22
y S
33
)
25 dB, como valor
medidas experimentales, para todos
recuencia de funcionamiento,
bandas deseadas. Por lo tanto la iniciativa de investigar varios
de RF. Se proporciona un bajo nivel de prdida y mantiene un alto
de transmisin puede ser impreso en la tarjeta de circuitos. Esto

7.2. Lneas Futuras
El mundo de los divisores de potencia Wilkinson
razn existen nuevos descubrimientos, solamente tienen que cumplir con c
particularidades como puta
adaptacin de impedancia a la entrada como a la salida,
puertos y simultneamente do
ya diseado y que funcione correctamente, si se cambia la forma fsica o sus
componentes se puede obtener
proponen varios modelos para que se estudie en un futuro, ya que este proyecto es el
inicio de una amplia investigacin.

En la memoria se presento el diseo de un divisor de potencia dual, que se
obtiene a partir de su equivalente en secciones T
modelo dual-band presentado en captulo VI en la figura 6.10,
complementario CSRRs es posible que su comportamiento sea parecido, ya que la
rama Z
3
, es equivalente a un stubs, el mismo que tiene un
un resonador. Se realiz simulaciones, donde dependiendo del tamao del stubs y la
forma, sus parmetros S son similares a un CSRRs.

Se desarrollo varios modelos de divisores de potencia Wilkinson dual que
trabajan en dos bandas de frecuencia diferentes, se plantea modernos sistemas de
comunicacin inalmbricos donde intervienen ms de dos frecuencias, a lo que se
llama bandas de mltiples frecuencias.
gracias al transformador de doble
varios transformadores en cascada con algunas secciones de impedancia, longitud
elctrica y frecuencia diferentes entre s.
prestaciones en banda mltiple, y se puede
componentes de RF tales como antenas y divisores de potencia.
pueden lograr utilizando las secciones en T y estructuras Pi mediante la utilizacin de
El mundo de los divisores de potencia Wilkinson dual tiene pocos aos, po
razn existen nuevos descubrimientos, solamente tienen que cumplir con c
una potencia dividida igual en los puertos de salida
dancia a la entrada como a la salida, un buen aislamiento entre los
dos frecuencias arbitrarias, es por esto que con un modelo
obtener una estructura ms ptima. Por esta
inicio de una amplia investigacin.
obtiene a partir de su equivalente en secciones T. Sustituyendo la seccin Z
band presentado en captulo VI en la figura 6.10, por un resonador abierto
, es equivalente a un stubs, el mismo que tiene un comportamiento parecido a
sus parmetros S son similares a un CSRRs.
s de frecuencia diferentes, se plantea modernos sistemas de
iples frecuencias. Estos nuevos modelos se pueden desarrollar
gracias al transformador de doble banda de Monzn,
[6]
el mismo que podra tener
elctrica y frecuencia diferentes entre s. Esto ayudara a obtener el mximo de
mltiple, y se puede aplicar para mejorar el comportamiento de
componentes de RF tales como antenas y divisores de potencia. Estructuras duales se
Diego Almeida
96

tiene pocos aos, por esta
razn existen nuevos descubrimientos, solamente tienen que cumplir con ciertas
una potencia dividida igual en los puertos de salida,
un buen aislamiento entre los
s frecuencias arbitrarias, es por esto que con un modelo
Por esta razn se
. Sustituyendo la seccin Z
3
del
por un resonador abierto
comportamiento parecido a
s de frecuencia diferentes, se plantea modernos sistemas de
Estos nuevos modelos se pueden desarrollar
el mismo que podra tener
obtener el mximo de
aplicar para mejorar el comportamiento de
Estructuras duales se

tramos de Lnea en Circuito Abierto, y s
multi-banda utilizando secciones en cascada de lneas de transmisin

Por otro lado, para desarrollar una funcionalidad dual
propone que los dos primeros modelos Wilkinson monobanda
VI sean transformados a su equivalente dual, para analizar los parmetros y el
comportamiento en doble banda
tcnicas definidas en el captulo IV
por su equivalente en secciones T o par
frecuencias de trabajo diferentes, el nico inconveniente sera el tamao que ocupa, ya
que al ser dual-band las dimensiones a
estructura consta de dos o tres lneas adicionales.

Adems es importante investigar nuevas
ms sencillos, compactos, y que su tamao sea mnimo. El material que se utiliza para
el sustrato como la geometra
divisor de potencia dual, tambin los
CSRRs, mejoran el comportamiento del circuito.

Como ya se explico, los CSRR
complejo encontrar un resonador especfico para que la estructura funcione
correctamente, ya que el tamao, forma geomtrica y material modifican su frecuencia
de resonancia. Por ejemplo para encontrar un CSRR
potencia dual en la investigacin, se realiz varias pruebas y con ayuda de potentes
simuladores se encontr el resonador ms ptimo, sin embargo realizar todas las
pruebas es invertir gran cantidad de tiempo en el estudio. Por esta razn sera
conveniente disear un programa o mtodo que
resonador para un circuito especfico.
tramos de Lnea en Circuito Abierto, y su teora puede ser extendida para proporcionar
banda utilizando secciones en cascada de lneas de transmisin.
Por otro lado, para desarrollar una funcionalidad dual en todos los circuitos
propone que los dos primeros modelos Wilkinson monobanda estudiados en el captulo
a su equivalente dual, para analizar los parmetros y el
comportamiento en doble banda. Se puede elaborar esta investigacin utilizando las
tcnicas definidas en el captulo IV, donde se han sustituido las lneas convencionales
por su equivalente en secciones T o par-impar. Estos modelos depen
diferentes, el nico inconveniente sera el tamao que ocupa, ya
band las dimensiones aumentan considerablemente por
dos o tres lneas adicionales.
Adems es importante investigar nuevas estructuras, como esquemas Wilkinson
, compactos, y que su tamao sea mnimo. El material que se utiliza para
el sustrato como la geometra fsica de la estructura ayudan a reducir el tamao del
divisor de potencia dual, tambin los resonadores de anillos abiertos complementarios
, mejoran el comportamiento del circuito.
Como ya se explico, los CSRRs mejoran el comportamiento del circu
de resonancia. Por ejemplo para encontrar un CSRRs que se adapte al divisor de
dual en la investigacin, se realiz varias pruebas y con ayuda de potentes
un programa o mtodo que determine el tamao y posicin del
resonador para un circuito especfico.
Diego Almeida
97

u teora puede ser extendida para proporcionar
en todos los circuitos, se
estudiados en el captulo
a su equivalente dual, para analizar los parmetros y el
esta investigacin utilizando las
neas convencionales
impar. Estos modelos dependeran de dos
diferentes, el nico inconveniente sera el tamao que ocupa, ya
umentan considerablemente porque la
estructuras, como esquemas Wilkinson
, compactos, y que su tamao sea mnimo. El material que se utiliza para
fsica de la estructura ayudan a reducir el tamao del
anillos abiertos complementarios
mejoran el comportamiento del circuito. Es
que se adapte al divisor de
dual en la investigacin, se realiz varias pruebas y con ayuda de potentes
determine el tamao y posicin del

CAPITULO VII Bibliografa

8. Bibliografa
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CAPITULO VIII

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K. M. and C. Law, A novel approach to the design and implementation of
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