TIPOS DE DIODOS

Gustavo A. Daz Mena

1
M. Monserrat Sotelo Garca
2
Carlos A. Avils Garca
3
Helio A. Bustamante Sotelo
4
E. Omar Arias Carteo
5
Alejandra Onofre Mazn
6
Ingeniera en Telemtica, Universidad Politcnica del Estado de Guerrero

RESUMEN
Aqu veremos algunos tipos de
diodos sus principales caractersticas,
su smbolo, su manera comercial de
verlos as como las principales
aplicaciones que se le da a cada uno
de ellos.

Palabras claves: DIODO, DIODO
LASER, DIODO TUNEL, DIO
MICROONDAS, FOTODIODO,
DIODO ZENER, DIODO SCHOTTKY,
DIODO EMISOR DE LUZ.

INTRODUCCIN
A manera general y conceptual el
diodo es un dispositivo semiconductor
que, de acuerdo a una configuracin
qumica y elctrica, permite el paso
de la corriente unidireccionalmente.
Aqu veremos especficamente las
caractersticas y usos principales de 9
tipos de diodos que se derivan del
modelo convencional inventado en
1904 por Jhon Ambrose Fleming.
El diodo emisor de luz LED, diodo
laser, foto-diodo, diodo varactor,
diodo Schottky, diodo Zener, diodo de
microondas, diodo detector y diodo
tnel sern los temas en los cuales
nos centraremos.
DESARROLLO
Diodo de microondas
Se denomina microondas a las ondas
electromagnticas definidas en un
rango de frecuencias determinado;
generalmente de entre 300 MHz, y
300 GHz, que supone un perodo de
oscilacin de 3 ns (3109 s) a 3 ps
(31012 s) y una longitud de onda
en el rango de 1 m a 1 mm.
Las microondas pueden ser
generadas de varias maneras,
generalmente divididas en dos
categoras: dispositivos de estado
slido y dispositivos basados en
tubos de vaco. Los dispositivos de
estado slido para microondas estn
basados en semiconductores de
silicio o arseniuro de galio, e incluyen
transistores de efecto campo (FET),
transistores de unin bipolar (BJT),
diodos Gunn y diodos IMPATT. Se
han desarrollado versiones
especializadas de transistores
estndar para altas velocidades que
se usan comnmente en aplicaciones
de microondas. A travs de los
diodos se descarga el condensador.
Se conecta entre condensador y
carcasa [1].
Los diodos utilizados conocidos con
el nombre de diodos de microondas
son:
Diodo IMPATT
Toman su nombre del
acrnimo ingls IMPact
ionization Avalanche Transit
Time (de Tiempo de Trnsito
por Avalancha con Ionizacin
por Choque). Son tambin son
conocidos como "diodo Read".
Funciona por el efecto de
"avalancha" utilizndose en
rgimen pulsante. Se lo
polariza negativamente con
una tensin de corriente
continua (DC) cercana al valor
de ruptura y se le inyecta
superpuesta una seal de
Radio Frecuencia (RF).
Durante los semiciclos
positivos de la seal de RF se
produce el efecto "avalancha".
La corriente de avalancha solo
interrumpe su crecimiento con
la llegada del semiciclo
negativo. Pueden operar
desde los 3GHz hasta ms all
de los 100GHz. Es utilizado
para la generacin de
microondas en radares de
seguridad domiciliaria [2].

Diodo Gunn.
El diodo Gunn es un tipo de
diodo usado en la electrnica
de alta frecuencia. A diferencia
de los diodos ordinarios
construidos con regiones de
dopaje P o N, solamente tiene
regiones del tipo N, razn por
lo que impropiamente se le
conoce como diodo. Existen en
este dispositivo tres regiones;
dos de ellas tienen regiones
tipo N fuertemente dopadas y
una delgada regin intermedia
de material ligeramente
dopado. Cuando se aplica un
voltaje determinado a travs
de sus terminales, en la zona
intermedia el gradiente
elctrico es mayor que en los
extremos. Finalmente esta
zona empieza a conducir esto
significa que este diodo
presenta una zona de
resistencia negativa. La
frecuencia de la oscilacin
obtenida a partir de este
efecto, es determinada
parcialmente por las
propiedades de la capa o zona
intermedia del diodo, pero
tambin puede ser ajustada
exteriormente. Los diodos
Gunn son usados para
construir osciladores en el
rango de frecuencias
comprendido entre los 10 Giga
Hertz y frecuencias an ms
altas (hasta Tera Hertz). Este
diodo se usa en combinacin
con circuitos resonantes
construidos con guas de
ondas, cavidades coaxiales y
resonadores YIG (mono cristal
de granate Itrio y hierro,
Yttrium Iron Garnet por sus
siglas en ingls) y la
sintonizacin es realizada
mediante ajustes mecnicos,
excepto en el caso de los
resonadores YIG en los cuales
los ajustes son elctricos. Los
diodos Gunn suelen fabricarse
de arseniuro de galio para
osciladores de hasta 200 GHz,
mientras que los de nitruro de
galio pueden alcanzar los 3
Terahertz [3].

Figura 1. Diodo de alto voltaje.

Diodo laser
EL lser de semiconductor o diodo
lser es, como su nombre indica, un
diodo que emite luz lser coherente.
Esencialmente, no es ms que un
bloque de material semiconductor
que contiene una unin p-n, con las
regiones p y n muy densamente
dopadas y con una estructura interna
ms o menos compleja que se hace
funcionar a modo de diodo para
producir un efecto lser. En dicha
unin los pares electrn hueco
representan los estados excitados y
la emisin de fotones se debe a la
recombinacin de estos pares. En
estos materiales, el efecto lser no
ocurre por transiciones entre niveles
de energa atmicos o de sistemas
moleculares sino que, por el
contrario, se ha de considerar la
estructura de bandas de energa del
cristal como un todo.



Si el material se halla dopado con
impurezas, tendremos adems,
dentro de la brecha Eg, niveles de
impurezas donadoras cerca del fondo
de la banda C y niveles de impurezas
aceptadas cerca de la parte superior
de la banda V.
Cuando un semiconductor tipo "p" se
asocia a un semiconductor tipo "n ",
tenemos una: Unin p-n.
Se visualizan las bandas de energa
de una unin p-n ideal cuando no se
aplica ningn voltaje externo. Esta
disposicin de las bandas en la unin,
es la base de la accin del lser
diodo.

El nivel de mxima energa ocupado
por electrones se denomina nivel de
Fermi. Cuando el contacto positivo de
la fuente de voltaje se une a la parte
p de la unin p-n, y el contacto
negativo se conecta a la parte n, la
corriente fluye a travs de la unin p-
n. Esta conexin se denomina Voltaje
polarizado hacia adelante.

Aplicacin de Voltaje a la Unin
P - N
Cuando se aplica un voltaje sobre la
unin p-n, cambia la poblacin de las
bandas de energa. Puede aplicarse
el voltaje a la unin en dos
configuraciones posibles:
Voltaje polarizado hacia adelante -
significa que el polo negativo de la
fuente de voltaje est conectado a la
parte "n" de la unin, y la parte
positiva est conectada al
semiconductor tipo " p".

El voltaje polarizado hacia adelante
genera portadores de carga extra en
la unin, disminuye el potencial de
barrera, y provoca la inyeccin de los
portadores de la carga, a travs de la
unin, hasta otro sitio.

Cuando un electrn de la parte "n" de
la banda de conduccin, es inyectado
a travs de la unin a un hueco vaco
de la banda de valencia en la parte
"p", se produce un proceso de
recombinacin (de un electrn ms
un hueco). Como resultado del
proceso de recombinacin, se libera
energa.

Para los lseres de diodo interesan
los casos especficos en los que esta
energa se libera en forma de
radiacin lser. Se produce un
aumento sostenido de la
conductividad cuando el voltaje
polarizado hacia adelante es
aproximadamente igual a la
separacin de energa del
semiconductor.



Radiacin de Salida de un Lser de
Diodo

La radiacin proviene de la forma
rectangular de una capa muy
delgada, y se dispersa con diferentes
ngulos en 2 direcciones.
Despus se describirn las
estructuras especiales que permiten
confinar la capa activa a una pequea
regin, y controlar la forma del perfil
de la radiacin lser.
La aniquilacin de un par electrn
hueco con emisin de un fotn puede
implicar o no, en funcin de la
estructura de bandas del material que
forman la unin p n, la emisin
simultanea de un fotn. Si se da
dicha emisin de un fotn se dice que
sucede transicin indirecta o, en caso
contrario, una transicin directa [4].

Curva del Lser de Diodo
Si la condicin de "Inversin de
Poblacin " (que se requiere para la
accin lser) no existe, los fotones se
emiten por emisin espontnea.
Estos fotones se emiten
aleatoriamente en todas las
direcciones, lo que es la base de
operacin de un diodo emisor de luz
(LED).
La condicin de inversin de
poblacin depende del bombeo.
Incrementando la corriente que se
inyecta a la unin p-n, se llega a un
corriente umbral que cumple esta
condicin.


Dependencia de los Parmetros del
Lser de Diodo con la Temperatura

Los cambios en la temperatura
provocan cambios en la longitud de
onda emitida por el lser de diodo. La
longitud de onda con la temperatura.

En otras palabras un aumento
gradual de la longitud de onda al
aumentar la temperatura, hasta que
se produce un salto a otro modo
longitudinal.

Este salto se denomina "Modo de
Salto"


Debido a las variaciones de
temperatura, se necesitan disear
estructuras especiales para los
lseres de diodo, para poder lograr
radiacin lser contina de alta
potencia.

Diferentes Estructuras de los Lseres
de Diodo Una tpica construccin de
la capa activa es en forma de una
franja estrecha (Geometra de Lnea),
confinada por los dos lados (por
arriba y por abajo) con otro material.

Esta familia de lseres de diodo se
denomina Lseres basados en ndice.

Ejemplos de diferentes estructuras
lser para el confinamiento de la luz
lser a una regin especfica.

Empaquetado del Lser de Diodo
Los tamaos miniaturizados de los
lseres de diodo, requieren de un
empaquetado especial que permita
usarlos cmodamente.
Hay muchos tipos de ensamblajes,
pero el estndar es similar al de un
transistor, e incluye los colimadores
pticos bsicos para producir un haz
aprovechable.


Los diodo lser son muy pequeos un
diodo comercial ya empaquetado
mide de diez a veinticinco milmetros
aproximadamente.


Ventajas de los Lseres de Diodo:
Rendimiento muy alto (ms del
20% de la energa
suministrada es emitida como
radiacin lser).
Alta fiabilidad.
Tiempo de vida muy largo (se
estima que ms de 100 aos
de operacin contina!).
Precio muy barato - Los
lseres de diodo se fabrican
utilizando tcnicas de
produccin a gran escala
utilizadas en la industria
electrnica.
Posibilidad de realizar la
modulacin directa de la
radiacin emitida, controlando
la corriente elctrica a travs
de la unin p-n. La radiacin
emitida es funcin lineal de la
corriente y puede llegar a una
velocidad de modulacin de
decenas de GHz.
Pequeo peso y volumen.
Corriente umbral muy baja.
Bajo consumo de energa.
Bandas espectrales estrechas,
las cuales pueden ser de unos
pocos kilohertzios en lseres
de diodo especiales.
Un sistema experimental,
utilizando fibras pticas de
modo sencillo, transmite la
informacin a una velocidad de
4 [GHz], lo cual es equivalente
a la transmisin simultnea de
alrededor de 50,000 llamadas
telefnicas en una fibra (cada
llamada ocupa una banda de
frecuencia de 64 [KB/s]).

Desventajas de Los Lseres Diodo:
Una baja potencia a
consecuencia de las bandas de
energa ocupadas por los
electrones.
Una alta sensibilidad a los
cambios de temperatura.
Alto calentamiento al pasar
corriente sobre el material diodo.
Poca colimacin en el as
obtenido.
A pesar de las desventajas el
lser de semiconductores es el
segundo ms vendido despus
del lser He-Ne por sus usos en
computadoras, impresoras,
medios de comunicacin,
tratamientos mdicos, etc. [5].



Aplicaciones
El campo de aplicacin para los
diodos lser se ha ampliado
rpidamente y hoy da ya no se
restringe slo a su empleo como
fuente de luz en las comunicaciones
por fibra ptica, si no que incluye
adems muchos otros campos del
tratamiento de informacin.
El inters en las comunicaciones por
fibras pticas fue una motivacin para
el desarrollo de la tecnologa de los
diodos lser durante los 70s y el
comienzo de los 80s. Los primeros
sistemas de fibras pticas operaban
entre .8 y.9 m (lseres de GaAlAs),
pero progresivamente se ha ido
usando sistemas de mayores
longitudes de onda para disminuir la
atenuacin.
Por ejemplo la longitud de onda de
1.3m se usa ampliamente en los
sistemas comerciales habituales ya
que las fibras actuales tienen una
amplia anchura de banda y muy
pocas prdidas sobre dicha longitud.

Detector de envolvente
Un detector de envolvente es un
circuito elctrico que tiene como
entrada una seal de alta frecuencia,
y como salida la envolvente de la
seal de entrada. El condensador en
el circuito de la imagen almacena
carga cuando la seal de entrada
crece, y se descarga muy lentamente
a travs del resistor cuando sta
decrece. El diodo conectado en serie
asegura que la corriente no circule en
sentido contrario hacia la entrada del
circuito.

La mayora de los detectores de
envolvente prcticos usan
rectificacin de media onda o de onda
completa de la seal para convertir la
entrada de AC de audio en la seal
de DC de pulsos. Luego se usa
filtrado para alisar el resultado final.
Dicho filtrado rara vez es perfecta, y
normalmente queda ripple en el
seguidor de envolvente de salida, en
particular con entradas de baja
frecuencia, como por ejemplo notas
de un bajo. Ms filtrado brinda
resultados ms alisados, pero
disminuye la respuesta del diseo,
por lo que soluciones reales crean
una solucin de compromiso [6].
Definicin de la envolvente
Cualquier seal de AM o FM puede
escribirse como sigue:

En el caso de AM, (t), la fase de la
seal, es constante y puede
ignorarse, por lo que toda la
informacin en la seal est
contenida en R (t), llamada la
envolvente de la seal. De esta
manera, una seal de AM est dada
por la ecuacin:

Con m (t) representando el mensaje
de frecuencia de audio original, C la
amplitud de la portadora, y R (t) es
igual a C + m (t). As, si la envolvente
de una seal de AM puede extraerse,
el mensaje original puede
recuperarse.

Diodo detector
El detector de envolvente ms
sencillo es el diodo detector que se
muestra en la imagen. Un diodo
detector es simplemente un diodo
entre la entrada y la salida de un
circuito, conectado a una resistencia
y a un condensador en paralelo de la
salida del circuito a tierra. Si la
resistencia y el condensador se
eligen de manera correcta, la salida
de este circuito debera aproximarse
a una versin corrida en tensin de la
seal original.
Para evitar ciertos efectos negativos,
los componentes de los circuitos
deben cumplir algunas reglas. Para
evitar el efecto de separacin
diagonal, se debe cumplir que:

Donde es el ndice de modulacin, y
es la pulsacin de la seal
moduladora (mensaje).
Para el ataque a la etapa de
amplificacin y audio, se debe
agregar un condensador serie para
filtrar la componente de DC. En este
caso, para evitar el efecto de clipping,
se debe cumplir que:

Donde Z es la impedancia del
conjunto paralelo de R, C y, en su
caso, la resistencia de carga del
demodulador.
Diodo Zener
El diodo Zener es un diodo de cromo
que se ha construido para que
funcione en las zonas de rupturas,
recibe ese nombre por su inventor, el
Dr. Clarence Melvin Zener. El diodo
Zener es la parte esencial de los
reguladores de tensin casi
constantes con independencia de que
se presenten grandes variaciones de
la tensin de red, de la resistencia de
carga y temperatura.
Son mal llamados a veces diodos de
avalancha, pues presentan
comportamientos similares a estos,
pero los mecanismos involucrados
son diferentes. Adems si el voltaje
de la fuente es inferior a la del diodo
ste no puede hacer su regulacin
caracterstica [7].

Caractersticas
Si a un diodo Zener se le aplica una
corriente elctrica del nodo al ctodo
(polarizacin directa) toma las
caractersticas de un diodo
rectificador bsico (la mayora de
casos), pero si se le suministra
corriente elctrica de ctodo a nodo
(polarizacin inversa), el diodo solo
dejara pasar una tensin constante.
En conclusin: el diodo Zener debe
ser polarizado al revs para que
adopte su caracterstica de regulador
de tensin.
Su smbolo es como el de un diodo
normal pero tiene dos terminales a
los lados. Este diodo se comporta
como un diodo convencional en
condiciones de alta corriente porque
cuando recibe demasiada corriente
se quema.
Smbolo


Diodo Schottky
El diodo Schottky o diodo de barrera
Schottky, llamado as en honor del
fsico alemn Walter H. Schottky, es
un dispositivo semiconductor que
proporciona conmutaciones muy
rpidas entre los estados de
conduccin directa e inversa (menos
de 1ns en dispositivos pequeos de 5
mm de dimetro) y muy bajas
tensiones umbral (tambin conocidas
como tensiones de codo, aunque en
ingls se refieren a ella como "knee",
o sea, de rodilla). La tensin de codo
es la diferencia de potencial mnima
necesaria para que el diodo acte
como conductor en lugar de circuito
abierto; esto, dejando de lado la
regin Zener, que es cuando existe
una diferencia de potencial lo
suficientemente negativa para que a
pesar de estar polarizado en inversa
ste opere de forma similar a como lo
hara regularmente.

Funcionamiento
A frecuencias bajas un diodo normal
puede conmutar fcilmente cuando la
polarizacin cambia de directa a
inversa, pero a medida que aumenta
la frecuencia el tiempo de
conmutacin puede llegar a ser muy
bajo, poniendo en peligro el
dispositivo.
El diodo Schottky est constituido por
una unin metal-semiconductor
(barrera Schottky), en lugar de la
unin convencional semiconductor P -
semiconductor N utilizada por los
diodos normales.
As se dice que el diodo Schottky es
un dispositivo semiconductor
"portador mayoritario". Esto significa
que, si el cuerpo semiconductor est
dopado con impurezas tipo N,
solamente los portadores tipo N
(electrones mviles) desempearn
un papel significativo en la operacin
del diodo y no se realizar la
recombinacin aleatoria y lenta de
portadores tipo N y P que tiene lugar
en los diodos rectificadores normales,
con lo que la operacin del dispositivo
ser mucho ms rpida.

Caractersticas
La alta velocidad de conmutacin
permite rectificar seales de muy
altas frecuencias y eliminar excesos
de corriente en circuitos de alta
intensidad.
A diferencia de los diodos
convencionales de silicio, que tienen
una tensin umbral valor de la
tensin en directa a partir de la cual el
diodo conduce de 0,7 V, los diodos
Schottky tienen una tensin umbral
de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V
emplendose, por ejemplo, como
proteccin de descarga de clulas
solares con bateras de plomo cido.
La limitacin ms evidente del diodo
de Schottky es la dificultad de
conseguir resistencias inversas
relativamente elevadas cuando se
trabaja con altos voltajes inversos
pero el diodo Schottky encuentra una
gran variedad de aplicaciones en
circuitos de alta velocidad para
computadoras donde se necesiten
grandes velocidades de conmutacin
y mediante su poca cada de voltaje
en directo permite poco gasto de
energa, otra utilizacin del diodo
Schottky es en variadores de
frecuencia (inverters) para que la
corriente que vuelve desde el motor
al variador no pase por los
transistores IGBT del chopper, lo cual
conducira a su rpido deterioro.
Cuando el motor se comporta como
generador, la corriente circula hacia
el bus de continua a travs de los
diodos y no es absorbida por los
IGBTs.
El diodo Schottky se emplea en
varios circuitos integrados de lgica
TTL.

Smbolo


Diodo emisor de luz
El LED (Light-Emitting Diode: Diodo
Emisor de Luz), es un dispositivo
semiconductor que emite luz
incoherente de espectro reducido
cuando se polariza de forma directa
la unin PN en la cual circula por l
una corriente elctrica. Este
fenmeno es una forma de
electroluminiscencia, el LED es un
tipo especial de diodo que trabaja
como un diodo comn, pero que al
ser atravesado por la corriente
elctrica, emite luz.

Este dispositivo semiconductor est
comnmente encapsulado en una
cubierta de plstico de mayor
resistencia que las de vidrio que
usualmente se emplean en las
lmparas incandescentes.
Aunque el plstico puede estar
coloreado, es slo por razones
estticas, ya que ello no influye en el
color de la luz emitida. Usualmente
un LED es una fuente de luz
compuesta con diferentes partes,
razn por la cual el patrn de
intensidad de la luz emitida puede ser
bastante complejo.

Para obtener una buena intensidad
luminosa debe escogerse bien la
corriente que atraviesa el LED y
evitar que este se pueda daar; para
ello, hay que tener en cuenta que el
voltaje de operacin va desde 1,8
hasta 3,8 voltios aproximadamente (lo
que est relacionado con el material
de fabricacin y el color de la luz que
emite) y la gama de intensidades que
debe circular por l vara segn su
aplicacin.
Los Valores tpicos de corriente
directa de polarizacin de un LED
estn comprendidos entre los 10 y 20
miliamperios (mA) en los diodos de
color rojo y de entre los 20 y 40
miliamperios (mA) para los otros LED.
Los diodos LED tienen enormes
ventajas sobre las lmparas
indicadoras comunes, como su bajo
consumo de energa, su
mantenimiento casi nulo y con una
vida aproximada de 100,000 horas.
Para la proteccin del LED en caso
haya picos inesperados que puedan
daarlo. Se coloca en paralelo y en
sentido opuesto un diodo de silicio
comn.
En general, los LED suelen tener
mejor eficiencia cuanto menor es la
corriente que circula por ellos, con lo
cual, en su operacin de forma
optimizada, se suele buscar un
compromiso entre la intensidad
luminosa que producen (mayor
cuanto ms grande es la intensidad
que circula por ellos) y la eficiencia
(mayor cuanto menor es la intensidad
que circula por ellos) [9].

Los parmetros que caracterizan el
funcionamiento de un LED y que
sirven de base para la eleccin del
modelo ms adecuado para la
aplicacin concreta a que se le va a
destinar, son los siguientes:
Eficiencia
Es la relacin entre la intensidad
luminosa emitida, medida en mili
candelas (mcd), y la corriente
elctrica en mA que produce dicha
radiacin. Se representa por Iv. Los
valores normales oscilan entre los 0.5
y 2 mcd a 20 mA. Pero los de alta
eficiencia alcanzan hasta las 20 mcd
a 10 mA.
Directividad
Est definida por el mximo ngulo
de observacin de luz que permite un
tipo concreto de LED, respecto al eje
geomtrico del mismo. Este
parmetro depende de la forma del
encapsulado, as como de la
existencia o no de una lente
amplificadora incluida en el mismo.
En los modelos de mayor directividad
este ngulo es pequeo y tienen la
apariencia de producir una intensidad
luminosa ms elevada que los otros,
en los que la luz se reparte sobre una
superficie mucho mayor. Cada
modelo de LED dispone de una curva
de directividad en la que se
representa el nivel de intensidad
luminosa en funcin del ngulo de
observacin. Esta curva resulta de
mucha utilidad para la eleccin de un
modelo determinado [10].


Fotodiodo
Los fotodiodos son diodos de unin
PN cuyas caractersticas elctricas
dependen de la cantidad de luz que
incide sobre la unin [11].
El efecto fundamental bajo el cual
opera un fotodiodo es la generacin
de pares electrn - hueco debido a la
energa luminosa. Este hecho es lo
que le diferencia del diodo rectificador
de silicio en el que, solamente existe
generacin trmica de portadores de
carga. La generacin luminosa, tiene
una mayor incidencia en los
portadores minoritarios, que son los
responsables de que el diodo
conduzca ligeramente en inversa.
El comportamiento del fotodiodo en
inversa se ve claramente influenciado
por la incidencia de luz. Conviene
recordar que el diodo real presenta
unas pequeas corrientes de fugas
de valor IS.

Las corrientes de fugas son debidas a
los portadores minoritarios,
electrones en la zona P y huecos en
la zona N. La generacin de
portadores debido a la luz provoca un
aumento sustancial de portadores
minoritarios, lo que se traduce en un
aumento de la corriente de fuga en
inversa.

El comportamiento del fotodiodo en
directa apenas se ve alterado por la
generacin luminosa de portadores.
Esto es debido a que los portadores
provenientes del dopado (portadores
mayoritarios) son mucho ms
numerosos que los portadores de
generacin luminosa.

Para caracterizar el funcionamiento
del fotodiodo se definen los
siguientes parmetros:

Se denomina corriente oscura
(dark current), a la corriente en
inversa del fotodiodo cuando
no existe luz incidente.
Se define la sensibilidad del
fotodiodo al incremento de
intensidad al polarizar el
dispositivo en inversa por
unidad de intensidad de luz,
expresada en luxes o en
mW/cm2.

Esta relacin es constante para un
amplio intervalo de iluminaciones.


El modelo circuital del fotodiodo en
inversa est formado por un
generador de intensidad cuyo valor
depende de la cantidad de luz. En
directa, el fotodiodo se comporta
como un diodo normal. Si est
fabricado en silicio, la tensin que cae
en el dispositivo ser
aproximadamente 0,7 V.

Los fotodiodos son ms rpidos que
las fotorresistencias, es decir, tienen
un tiempo de respuesta menor, sin
embargo solo pueden conducir en
una polarizacin directa corrientes
relativamente pequeas.

Un fotodiodo presenta una
construccin anloga a la de un diodo
LED.
Imgenes de los tipos de foto diodos:





Diodo Varactor, Varicap o de
capacitancia variable

Trabajando para Pacific
Semiconductors, Sanford Barnes,
Sherman Oaks y John Mann
inventaron este dispositivo en el ao
1958, pero solo hasta 1961 fue
registrado ante la oficina de patentes
de los estados unidos. [12]

Smbolo del Diodo Varactor



Los Varactor son fabricados de
manera tal que el ancho de la barrera
de potencial de la unin PN sea
variable de acuerdo al voltaje inverso
que se aplica en sus bornes externos,
si aumenta este voltaje, aumenta la
barrera y por consiguiente disminuye
la capacitancia del diodo. Esto
concibe lo que se puede considerar
como un condensador variable que
depende de la tensin aplicada.

Loa valores capacitivos que se
pueden obtener en un diodo Varactor
oscilan entre 1 a 500 pF. El voltaje
inverso debe ser como mnimo de 1
voltio. En este orden de ideas nos
damos cuenta que este diodo trabaja
en polarizacin inversa.

La grafica siguiente muestra la
relaciona del voltaje inverso con la
capacitancia, el manuscrito
corresponde a sus inventores. [13]

Aplicaciones
La capacidad de variar su
capacitancia mediante una tensin
inversa, permite que sean usados
frecuentemente en sistemas de
sintonizacin de seales, como
televisin, o la modulacin de
transmisiones va radio para los
cuales se necesite variar la
frecuencia.
La Imagen siguiente muestra la
apariencia fsica de un diodo varactor
de silicio BB811 del fabricante
SIEMENS


Diodo Tnel o de efecto Tnel
Tambin conocido como Diodo de
Esaki en honor su inventor, el fsico
japons Leo Esaki quien en la dcada
de los 70 descubri, junto a los fsicos
Ivar Giaever y Brian David
Josephson, el efecto tnel del
electrn. [14]

Smbolo del Diodo Tnel [15]



Antes de entender las caractersticas
del diodo tnel debemos saber lo que
significa el efecto tnel, que en
mecnica cuntica es: un fenmeno
nanoscpico por el que una partcula
viola los principios de la mecnica
clsica penetrando una barrera de
potencial o impedancia mayor que la
energa cintica de la propia
partcula [16]

El diodo tnel basa su funcionamiento
en este concepto, tiene una unin de
tipo PN donde se produce dicho
efecto, producto de esto, se origina
una conductividad con una diferencia
de potencial negativa , pero que solo
se da en un determinado intervalo la
corriente versus voltaje.
Grafica caracterstica del Diodo

Tnel, voltaje versus corriente. [17]
Aprovechando esta caracterstica del
efecto tnel los diodos esaki son
utilizados como componentes activos,
ya sea amplificadores u osciladores.

Apariencia fsica de un diodo tnel
[18]







CONCLUSIN

1
En el buen funcionamiento de los
equipos electrodomsticos los diodos
siempre estarn presentes, ya que
gracias a ellos se puede regular la
energa del condensador de dichos
aparatos. Los diodos son los que se
encargan de regular la energa que
usara un equipo electrodomstico.

2
Estos componentes son muy
importantes en la evolucin de la
electrnica ya que facilitan muchos
procesos en menos tiempo.
Tanto a sido el xito de este
componente que hay diodos con un
propsito en especfico como los son
los LEDS.

3
Los diodos son muy tiles ya que han
ayudado a la electrnica a simplificar
muchas tareas, al igual que su uso
especfico de cada uno hace que
tenga mayor utilidad ya que como
solo cumple una funcin hace que
desempeo sea al mximo.
Como lo son los diodos tnel ya que
como tiene una mayor conductividad
hace que se utilicen en osciladores o
amplificadores.
4
Como los vimos los diodos son muy
tiles y hay casos especficos como
lo son los fotodiodos ya que ellos
tienen una mayor conductividad
aunque sea limitada a espacios
cortos y a una sola direccin.
Son un gran avance en ese aspecto.

5
Este dispositivo ha llevado una gran
evolucin mejorando aspecto y
cubriendo casi todas las necesidades
que se requieren ya que hay diodos
que se ocupan de las rupturas de la
tensin y la temperatura y son ideales
para los reguladores.
Es por eso que los diodos han hecho
que haiga un gran avance en la
electrnica.

6
Los diodos son un componente que
desde su elaboracin hasta hoy en
da han trado una gran ventaja y
evolucin para lo que es la
electrnica.
Ya que a medida que avanzado
cubriendo casi todos los factores en
los que la electrnica los ha
necesitado se tiene una gran
variedad de ellos con un uso ya
especifico, como es el ejemplo del
diodo varactor ya que a pesar de que
es un diodo puede ser variable
dependiendo de la capacitancia que
se la aplique

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