Lista de exerccios 1:

(1) (Baseado no P. 2.6 Mat. e Disp. Eletronicos) Considere uma rede linear com ons de massa
atmica 56 e constante elstica C=10Kg/s
2
. Calcule a velocidade de propagao de ondas
elsticas para ka<<1. Obtenha o valor mximo de frequncia de vibrao da cadeia em Hz.
Obtenha o comprimento de onda de radiao eletromagntica no vcuo que teria esta
frequncia. Faa um modelo em que um on esta h uma distncia a = 0,5 nm de dois outros
ons, todos com carga +e. Os ons da extremidade esto presos e repelem o on central. Na
aproximao de pequenas oscilaes, aproximao linear, qual deveria ser a constante elstica
do sistema. Compare este valor com o valor dado de C.
(2) Considere U0=0 e U1=0,5 eV. Obtenha numericamente as trs bandas da pgina 16 das notas de
aula 1.
(3) (P. 4.1 e 4.2 Mat. e Disp. Eletrnicos) A prta cristaliza na estrutura fcc, tendo quatro tomos por
clula unitria, cada um deles com um eltron 5s. Sabendo que o parmetro de rede da prata
0,4086 nm, calcule a concentrao de eltrons livres; Considerando a banda 5s parablica,
calcule o nvel de Fermi da prata considerando que a massa igual massa do eltron no vcuo.
(4) Obtenha a quantidade de portadores livres em Si, Ge e GaAs puros numa temperatura de T =
300K.
(5) Explique detalhadamente como deve ser a dependncia da densidade de portadores livres num
semicondutor dopado em funo da temperatura desde valores prximos a T = 0 at valores
T>>E
G
/K
B
.
(6) Calcule a distncia entre o nvel de Fermi e o meio do gap para o silcio.
(7) Calcule a densidade de impurezas que fazem o nvel de Fermi (EF) ser igual ao fundo da banda
de conduo (EC) para Si e GaAs a 300K (considere que todas as impurezas estejam ionizadas).
Repita o mesmo para o caso de aceitadores. Compare os valores da concentrao de impurezas
e a densidade de tomos do Si e do GaAs por unidade de volume.
(8) Problema da pgina 17 da nota de aula 3.