Sol Septiembre 08

UNIVERSIDAD POLITCNICA
DE CARTAGENA
Escuela Tcnica Superior de
Ingeniera de Telecomunicacin
UNIVERSIDAD POLITCNICA DE CARTAGENA
TITULACIN: INGENIERO DE TELECOMUNICACIN
CAMPOS ELECTROMAGNTICOS (2
o
CURSO)
Examen nal: 1 de Septiembre de 2008
Profesores: Alejandro lvarez Melcn, Fernando Quesada Pereira
Puntuacin: (10.0 puntos)
No se permite tener en la mesa ningn tipo de apuntes ni libros durante el examen. Deje su carn de estudiante
o DNI en un lugar bien visible sobre la mesa. No olvide poner el nombre en todas las hojas. Tiempo 3 horas.
Problema 1: (3.5 puntos)
Se tienen dos placas paralelas entre un medio magntico semiconductor de permeabilidad ( =
r
) (ver Figura 1). Se aplica a las placas metlicas un generador de continua, por lo que
empieza a circular una corriente constante por la placa inferior (x = 0), igual a (
I = I
0
e
z
). Como
consecuencia de la excitacin, por el medio semiconductor empieza a circular una corriente cuya
densidad volumtrica es:

J
v
= x e
z
. Para las simetras del campo puede suponer que (b ).
Se pide:
0
x
y
a
b
r

J
v
I = I
0
z
Figura 1: Placas paralelas entre un medio semiconductor.

a) Hallar el potencial vector magntico entre las dos placas usando mtodos diferenciales.
Dejar el resultado en funcin de dos constantes desconocidas. Encontrar el campo mag-
ntico en el interior del semiconductor a partir del potencial, y calcular la corriente total
inducida en la placa superior (x = a) (2.0p).
Vemos que por simetra

A = A(x) e
z
. Por tanto, slo hay que resolver la ecuacin para
esta componente. En este caso hay corrientes dentro, por lo que tenemos que resolver la
ecuacin de Poisson:
2
A
z
=
o
J
v
z
r
(1)
d
2
A
z
dx
2
=
o
x
r
dA
z
dx
=
o
r
x
2
2
+ C
A
z
=
o
r
x
3
6
+ Cx + D (2)
Campus Muralla del Mar s/n. 30202 Cartagena
DE CARTAGENA
Para calcular el campo magntico usamos la frmula:
H =
1
(

A) =
e
x
e
y
e
z
x
0 0
0 0 A
z
=
1
( e
y
)
A
z
x
(3)
Luego segn el resultado mostrado en (2):
A
z
x
=
r
2
3x
2
3
+ C =
r
2
x
2
+ C (4)
Finalmente, el campo magntico quedar:
H =
1
r
(+ e
y
)
_
r
2
x
2
C
_
A/m (5)
Para hallar la constante C imponemos las condiciones de contorno para el campo magn-
tico.
0
x
y
a
e
n
= e
x
(1)
(2)
Figura 2: Imposicin de las condiciones de contorno.
En el plano x = 0:
e
n
(
H
2

H
1
..
=0
)
x=0
=

J
S
1
(6)
De la ecuacin anterior, tomando el valor de

H obtenido en (5) y particularizando en
x=0, quedar:
( e
x
e
n
. .
= e
z
)
1
r
(C) =

J
S
1
(7)
J
S
1
=
C
r
e
z
(8)
Pero en la placa de abajo:
I = I
o
e
z
;

J
S
1
=
I
o
b
e
z
A/m (9)
Igualando obtenemos:
I
o
b
e
z
=
C
r
e
z
C =
o
r
I
o
b
(10)
DE CARTAGENA
Luego:

H = e
y
(
x
2
2
+
I
o
b
) A/m
Con el campo magntico, ya podemos imponer la condicin de contorno en la otra placa
(x=a), para calcular la densidad de corriente inducida:
e
n
(

H
2
..
=0
H
1
)
x=a
=

J
S
2
(11)
0
x
y
a
e
x
(1)
(2)
Figura 3: Imposicin de las condiciones de contorno en x=a.
Particularizando el campo magntico en x=a, quedar:
( e
x
e
y
. .
= e
z
)
_
a
2
2
+
I
o
b
_
=

J
S
2
(12)
J
S
2
= e
z
_
a
2
2
+
I
o
b
_
(13)
Por tanto, la corriente en la placa superior es:
I
2
=
_
L
0
J
S
2
e
z
dy =
_
a
2
2
+
I
o
b
_
b =
_
a
2
b
2
+ I
o
_
Amp (14)
DE CARTAGENA
b) Calcular el campo magntico en el interior del semiconductor usando la ley de Ampere.
(1.0p).
0
x
y
a
b
x
_

H

dl = I
enc
dl
Figura 4: Lnea cerrada de aplicacin de la Ley de Ampere.
Tomamos una supercie de altura variable (x):
I
enc
= I
0
+
_
S
J
V

dS = I
0
+
_
S
x e
z
e
z
dxdy = (15)
= I
0
+
_
b
0
dy
_
x
0
y dy = I
0
+ b
y
2
2
x
0
= I
0
+ b
x
2
2
Amp (16)
Como

H = H
y
(x) e
y
solo queda el camino superior:
_
C
H

dl =
_
b
0
H
y
( e
y
e
y
)dy = H
y
b (17)
Igualando los dos trminos anteriores obtenemos:
I
0
+ b
x
2
2
= H
y
b (18)
Por tanto:

H = e
y
_
I
0
b
+
x
2
2
_
A/m
DE CARTAGENA
c) Calcular la corriente que circula por la placa superior (x = a) utilizando el teorema de
Ampere (no las condiciones de contorno de los campos) (1.5p).
Notar que si cogemos una lnea cerrada que contenga ambas placas, entonces la circulacin
es siempre cero:
0
x
y
a
b
I
o
I
1
_

H

dl = 0 = I
enc
Figura 5: Lnea cerrada de aplicacin de la Ley de Ampere envolviendo ambas placas.
Pero sabemos que: I
enc
= I
0
+ I
1
+ b
a
2
2
= 0
Despejando, la corriente que circula por la segunda placa ser:
I
1
= I
0
b
a
2
2
A (19)
DE CARTAGENA
Se tiene el circuito de la Figura 6 para adaptar impedancias al generador. Se pide (Z
g
= 50 ,
Z
c
= 50 , Z
L
= (75 + j 45) , f = 10 GHz):
+
V
g
Z
g
Z
c
d
L
1
L
2
Z
L
Figura 6: Circuito de adaptacin.
a) Tomando la impedancia de la bobina (L
1
) como Z
1
= j 45,455 , calcular la longitud
de la lnea (d) y la impedancia de la segunda bobina (Z
2
) para adaptar impedancias al
generador. Dar el valor de inductancia de las bobinas. (1.5p).
+
A
B
V
g
Z
g
Z
c
d
L
1
L
2
Z
L
Z
in
Figura 7: Circuito de adaptacin.
Normalizamos impedancias y pasamos a admitancias:
Z
L
=
Z
L
Z
C
= 1, 5 + j0, 9 (20)
En la carta de Smith vemos que:

Y
L
= 0, 5 j0, 3.
La admitancia en B ser:

Y
2
= j

B
2
Y
B
=

Y
2
+

Y
L
= j

B
2
+ (0, 5 j0, 3) (21)
Y
B
= 0, 5 j(0, 3 +

B
2
) (22)
Empezando por el generador tenemos:
Z
in
= Z
g
= 50 ;

Z
in
=
Z
in
Z
C
= 1

Y
in
= 1 (23)
Adems tenemos:
Z
1
=
Z
1
Z
C
= j0, 9091;

Y
1
= j1, 1 (24)
La admitancia de entrada puede expresarse como:
Y
in
=

Y
1
+

Y
A
= j1, 1 +

Y
A
= 1 (25)
DE CARTAGENA
Luego:

Y
A
= 1 + j1, 1
Al moverse por la lnea (direccin hacia carga), el coeciente de reexin gira, hasta
encontrar

Y
B
(ver Fig. 8). Pero vemos que

Y
B
tiene parte real 0, 5; luego debemos girar
hasta encontrar el crculo de parte real 0, 5 (0, 1 ).
En la carta vemos que:

Y
B
= 0, 5 j0, 6
Si comparamos con la ecuacin (22) vemos que

B
2
= 0, 3; ya que identicando:
Y
B
= 0, 5 j0, 6 = 0, 5 j(0, 3 +

B
2
)

B
2
= 0, 6 0, 3 = 0, 3 (26)
Y
2
= j0, 3;

Z
2
=
1
Y
2
= j3, 33 (27)
Z
2
=

Z
2
Z
C
= j166, 66 (28)
Por tanto, Z
1
y Z
2
son ambas bobinas, ya que las reactancias son positivas.
Z
1
= jL
1
= j45, 455 ; L
1
=
45, 455
=
45, 455
2f
= 0, 723 nH (29)
Z
2
= jL
2
= j166, 66 ; L
2
=
166, 66
=
166, 66
2f
= 2, 65 nH (30)
(31)
d
= 0, 1645 + 0, 100 = 0, 2645 (32)

=
30
f(GHz)
(cm) =
30
10
= 3 cm = 30 mm (33)
d = 0, 2645 30 = 7, 93 mm (34)
0,5
0,5
0,6
Z
L
Y
L
Y
A
= 1 + j1, 1
Y
B
0, 3355
0, 1
0, 5
Figura 8: Carta de Smith. Desplazamiento (hacia carga) desde

Y
A
hasta cruce con Re[
Y
B
] = 0, 5
DE CARTAGENA
b)
?
Cual es el lmite en la parte real de la admitancia de carga en la que podra utilizar el
circuito para adaptar impedancias en estas condiciones? (0.5p)
Los lmites en la parte real de la admitancia de carga que se podrn adaptar se encontrarn
en los valores mximo y mnimo de la parte real de la admitancia que se encuentran en
el crculo de giro de la admitancia de carga. Mirando en la Carta de Smith (Fig. 8) estos
valores se producen cuando la parte imaginaria de la admitancia se anula. Por tanto, se
observa (Fig. 8) que 0, 35 < Re[
Y
L
] no podramos cortar el crculo de

Y
A
. Tambin si
Re[
Y
L
] > 2, 9 tampoco podemos cortar el crculo.
c) Ahora tomamos la longitud de la lnea ja, y de valor (d = /4). Hallar el valor de las
bobinas (L
1
, L
2
) para adaptar impedancias al generador (1.5p).
Tenemos:

Y
1
= j

B
1

Y
2
= j

B
2
.
En el punto B se siguen cumpliendo:

Y
B
= 0, 5 j(0, 3 +

B
2
).
En la entrada tenemos:
Y
in
=

Y
1
+

Y
A
= j

B
1
+

Y
A
= 1
Y
A
= 1 + j

B
1
(35)
Ahora no conocemos

Y
A
, luego no podemos mover un nico punto. Movemos /4 en
direccin hacia carga todo el crculo de la parte real 1 ya que en cualquier parte del
crculo puede estar

Y
A
(mostrado en trazo discontinuo, ver Fig. 9).
Y
B
debera estar en el crculo trasladado, para que al moverse por la lnea acabe en

Y
A
que
est en el crculo de parte real 1. Ademas,

Y
B
tendr parte real 0, 5, por lo que miramos
el corte con el crculo trasladado de parte real 0, 5 (ver Fig. 9), teniendo en cuenta el
carcter inductivo de la admitancia (parte inferior de la Carta de Smith).
Y
L
Y
A
= 1 + j
Y
B
= 0, 5 j0, 5
0, 25 0, 5
Figura 9: Carta de Smith.
En la carta de Smith tenemos:

Y
B
= 0, 5 j0, 5.
DE CARTAGENA
Por tanto,
0, 5 = 0, 3 +

B
2

B
2
= 0, 5 0, 3 = 0, 2 (36)
Al girar

Y
B
hacia generador /4 (inversor de impedancias) obtenemos

Y
A
. En la carta
leemos (Fig. 9):
Y
A
= 1 + j1;

B
1
= 1 (37)
Desnormalizamos las impedancias:
Y
1
= j1;

Z
1
=
1
Y
1
= +j (38)
Z
1
=

Z
1
Z
C
= +j50 (39)
Y
2
= j0, 2;

Z
2
=
1
Y
2
= +j5 (40)
Z
2
=

Z
2
Z
C
= +j250 (41)
Finalmente, obtenemos el valor de las bobinas:
jL
1
= j50; L
1
=
50
2f
= 0, 79 nH (42)
jL
2
= j250; L
2
=
250
2f
= 4 nH (43)
DE CARTAGENA
Se tiene una onda con polarizacin TE
z
respecto del plano de incidencia, tal y como muestra
la Figura 10.
x
z
k
1
k
2
k
3
E
1
E
2
E
3
H
1
H
2
H
3
2

3
Z
0
1
Z
0
2
r
Figura 10: Onda TE
z
incidiendo sobre un medio.
a) Expresin del campo elctrico y magntico de las ondas incidente, reejada y transmitida,
sabiendo que la onda incidente lleva una densidad de potencia de (9/(2 Z
0
1
)) Watt/m
2
.
Dejar el resultado en funcin del coeciente de reexin () y transmisin () en la
interfaz.
De los datos del problema, tenemos la siguiente expresin del campo elctrico incidente
en el medio:
E
1
=

Ce
j
k
1
r
= C e
y
e
j
k
1
r
V/m (44)
A partir del dato de la densidad de potencia podemos calcular C:
S
1
=
1
2
(
E
1
1
) =
1
2Z
01
|
E
1
|
2
=
1
2Z
01
|C|
2
=
1
2Z
01
9 W/m
2
(45)
|C| = 3 (46)
La expresin para el campo elctrico indicente, reejado y transmitido quedar:
E
1
= 3 e
y
e
j
k
1
r
V/m (47)
E
2
= 3 e
y
e
j
k
2
r
V/m (48)
E
3
= 3 e
y
e
j
k
3
r
V/m (49)
donde se puede ver en la Fig. 10 que
1
=
2
; adems:
e
k1
= cos
1
e
z
+ sin
1
e
x
(50)
e
k2
= cos
1
e
z
+ sin
1
e
x
(51)
e
k3
= cos
3
e
z
+ sin
3
e
x
(52)
DE CARTAGENA
Para el campo magntico, quedarn las siguientes expresiones:
H
1
=
1
Z
01
( e
k1

E
1
) =
1
Z
01
e
x
e
y
e
z
sin
1
0 cos
1
0 E
y1
0
=
1
Z
01
[ e
x
(E
y1
cos
1
) + e
z
E
y1
sin
1
] =
E
y1
Z
01
( e
x
cos
1
+ e
z
sin
1
) =
3
Z
01
( e
z
sin
1
e
x
cos
1
)e
j
k
1
r
(53)
H
2
=
1
Z
01
( e
k2

E
1
) =
1
Z
01
e
x
e
y
e
z
sin
1
0 cos
1
0 E
y2
0
=
1
Z
01
[ e
x
E
y2
cos
1
+ e
z
E
y2
sin
1
] =
E
y1
Z
01
( e
x
cos
1
+ e
z
sin
1
) =
3
Z
01
( e
x
cos
1
+ e
z
sin
1
)e
j
k
2
r
(54)
H
3
=
1
Z
02
( e
k3

E
3
) =
1
Z
02
e
x
e
y
e
z
sin
3
0 cos
3
0 E
y3
0
=
1
Z
02
[ e
x
(E
y3
cos
3
) + e
z
E
y3
sin
3
] =
E
y3
Z
02
( e
z
sin
3
e
x
cos
3
) =
3
Z
02
( e
z
sin
3
e
x
cos
3
)e
j
k
3
r
(55)
DE CARTAGENA
b) Deducir las expresiones de los coecientes de Fresnel imponiendo las condiciones de con-
torno para las componentes tangenciales en los campos hallados. Detallar todos los pasos
(1.0p).
Imponiendo la continuidad del campo elctrico en la supercie de separacin entre medios:
E
t1
+

E
t2
=

E
t3
z=0
(56)
Donde las exponencias son iguales entre si e iguales a la unidad, por lo que se pueden
cancelar:
3 e
y
+ 3 e
y
= 3 e
y
1 + = (57)
La componente tangencial del campo magntico es la componente x:
3 e
x
cos
1
Z
01
+
3 e
x
cos
1
Z
01
=
3 e
x
cos
3
Z
02
cos
1
Z
01
+
cos
1
Z
01
=
cos
3
Z
02
cos
1
Z
01
(1 ) =
cos
3
Z
02
cos
1
Z
01
(1 ) =
cos
3
Z
02
(1 + ) (58)
Operando despejamos la expresin para el coeciente de reexin:
Z
02
cos
1
(1 ) = Z
01
cos
3
(1 + )
Z
02
cos
1
Z
02
cos
1
= Z
01
cos
3
+ Z
01
cos
3
Z
02
cos
1
Z
01
cos
3
= (Z
01
cos
3
+ Z
02
cos
1
)
=
Z
02
cos
1
Z
01
cos
3
Z
02
cos
1
+ Z
01
cos
3
(59)
A partir de la ecuacin (57) y (59), se calcula el coeciente de transmisin:
= 1 +
Z
02
cos
1
Z
01
cos
3
Z
02
cos
1
+ Z
01
cos
3
=
2Z
02
cos
1
Z
02
cos
1
+ Z
01
cos
3
(60)
DE CARTAGENA
c) Demostrar la ley de Snell para un medio genrico dielctrico y magntico (
0
r
,
0
r
)
imponiendo la condicin de contorno para la componente normal del campo magntico
hallado. Detallar todos los pasos (1.0p).
La condicin de contorno para la componente normal del campo magntico es:
e
n
(
B
2

B
1
)
S
= 0 B
2n
= B
1n
(61)
o
H
1n
=
o
r
H
2n
H
1n
=
r
H
2n
(62)
La componente normal del campo magntico es la z. A partir de la expresin del campo
magntico mostrada en las ecuaciones (53)-(55), tomamos la componente normal en la
supercie de separacin entre medios:
3
Z
01
sin
1
+
3
Z
01
sin
1
=
r
3
Z
02
sin
3
(63)
sin
1
Z
01
(1 + ) =
r
Z
02
sin
3
(64)
Pero hemos visto que 1 + = , por tanto sustituimos en la ecuacin anterior, queda:
sin
1
Z
01
=

r
Z
02
sin
3
(65)
Z
02
sin
1
= Z
01
r
sin
3
(66)
Z
0
_
r
sin
1
= Z
o
r
sin
3
(67)
Finalmente, operando se obtiene: sin
1
=
r
sin
3
, la Ley de Snell que relaciona los
ngulos de incidencia y transmisin cuando se produce un cambio de medio.
DE CARTAGENA
d) Conrmar el resultado del coeciente de reexin de Fresnel usando el equivalente en
lnea de transmisin a lo largo del eje ( z). Detallar todos los pasos (0.5p).
z
Z
in
1
, X
TE
C1
2
, X
TE
C2
(1)
(2)
Figura 11: Circuito equivalente en lneas de transmisin.
La Fig. 11 muestra el circuito equivalente en lneas de transmisin para un cambio de
medio. Sabemos que la impedancia de entrada equivalente en la separacin entre medios
y el coeciente de reexin son:
Z
in
= Z
TE
C
2
; =
Z
in
Z
TE
C
1
Z
in
+ Z
TE
C
1
(68)
Z
TE
C
1
=

0
1
=

0
k
o
cos
1
=

0
0
cos
1
=
Z
01
cos
1
(69)
La impedancia caracterstica de la lnea de transmisin (2) tambin se puede calcular
como:
Z
TE
C
2
=

0
2
=

0
r
k
2
cos
3
=
r
1
cos
3
=
_
0
_
r
1
cos
3
=
Z
02
cos
3
(70)
Sustituyendo los resultados anteriores en la expresin del coeciente de reexin y ope-
rando:
=
Z
02
cos
3
Z
01
cos
1
Z
02
cos
3
+
Z
01
cos
1
=
Z
02
cos
1
Z
01
cos
3
Z
02
cos
1
+ Z
01
cos
3
(71)
DE CARTAGENA
e) Si el medio (2) es un conductor perfecto, calcular la densidad de corriente inducida en su
supercie. Detallar todos los pasos (0.5p).
En este caso la condicin de contorno es:
z
(1)
e
n
= e
z
e
n
(

H
2
..
=0
H
1
)
z=0
=

J
S
(2)
Figura 12: Condicin de cortorno para medio (2) conductor perfecto.
Quedar la suma de campo magntico incidente y reejado:
e
z

H
1
z=0
=

J
S
(72)
En el caso de un conductor perfecto, tenemos: = 1. Por tanto, los campos quedan:
H
1
=
3
Z
01
( e
z
sin
1
e
x
cos
1
)e
j
k
1
r
(73)
H
2
=
3
Z
01
( e
x
cos
1
+ e
z
sin
1
)e
j
k
2
r
(74)
En z = 0 se ve que la componente normal se hace 0. La componente tangencial (en z = 0)
queda:
_
3
Z
01
cos
1
3
Z
01
cos
1
_
( e
z
e
x
) e
jk
o
sin
1
x
=

J
S
(75)
k
1
r = k
o
(cos
1
z + sin
1
x) (76)
k
2
r = k
o
(cos
1
z + sin
1
x) (77)
Por tanto tenemos:
J
S
= e
y
6
Z
01
cos
1
e
jk
o
sin
1
x
A/m (78)

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Figura 1: Placas paralelas entre un medio semiconductor.

= 0, 1645 + 0, 100 = 0, 2645 (32)

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