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MOSFET (Metal-OxideSemiconductor FET)

Prof. Alexander Hoyo

MOSFET
MOSFET tipo Incremental (Enriquecimiento)
Canal N Canal P

MOSFET tipo Decremental (Deplexin)


Canal N Canal P

MOSFET INCREMENTAL
Drenaje (D) N

Sin Canal
P Sustrato

Compuerta (G) Metal N Fuente (S)

Sustrato (SS)

Dixido de Silicio (SiO2)

MOSFET INCREMENTAL
La base de material tipo P se le conoce como sustrato (SS). El sustrato (SS) se interconecta con el terminal de la fuente (S). La compuerta (G) esta aislada por un dielctrico (Dioxido de Silicio SiO2). Entre el Drenaje (D) y la Fuente (S) no existe un canal de Conduccin.

MOSFET INCREMENTAL
Con VDS positivo y sin polarizacin en VGS no existe corriente entre el Drenaje y la Fuente:
ID=IS=0mA

Los electrones necesitan mucha energa porque no existe un canal de conduccin entre D y S como ocurre el los JFET.

MOSFET INCREMENTAL
La Compuerta (G) y el Sustrato (SS) forman un Condensador de lminas paralelas con Dixido de Silicio como Dielctrico. Si se polariza VGS con un voltaje positivo, se carga el condensador. El Campo Elctrico en el Condensador forma el canal de conduccin

MOSFET INCREMENTAL
Si VGS > VT ID > 0
+ VGS _ N + P Sustrato VDS _

IS = ID

MOSFET INCREMENTAL
El Resultado que se obtiene es una resistencia lineal controlada por la tensin de entrada VGS. Para VDS muy grandes el canal formado se estrangula y la corriente permanece constante.

MOSFET INCREMENTAL
No se puede aplicar la ecuacin de Shockley. Si VGS >= VT ID = k(VGS VT)2 k VT constante Voltaje Umbral

MOSFET INCREMENTAL

SMBOLOS
MOSFET Incremental Canal P
G S D

Sustrato (SS) conectado internamente al terminal de Fuente (S)

MOSFET Incremental Canal N

D G S

MOSFET DECREMENTAL
Drenaje (D) N

Canal N
P Sustrato

Compuerta (G) Metal

Sustrato (SS)

N Fuente (S) Dixido de Silicio (SiO2)

MOSFET DECREMENTAL
Si existe un canal de conduccin entre el Drenaje (D) y la Fuente (S). Funciona muy similar al JFET, se utiliza la ecuacin de Schokley. Este dispositivo tiene una zona incremental.

MOSFET DECREMENTAL
D N VDS SS G VGS = 0V S N N P

ID=IS=IDSS

MOSFET DECREMENTAL
ID disminuye si se aumenta negativamente VGS

MOSFET DECREMENTAL
Modo Decremental Si VGS es positivo Modo Incremental

Se aplica le ecuacin de Shockley

SMBOLOS
MOSFET Canal P
G S D

MOSFET Canal N
G

Sustrato (SS) conectado internamente al terminal de Fuente (S)

Referencias
Horenstein, Mark. Circuitos y Dispositivos Microelectrnicos. Malik, Norbert. Circuitos Electrnicos, Anlisis, Simulacin y Diseo. Boylestad, R. Electrnica, Teora de Circuitos.