Practica No. 2 Diodos Rectificadores Objetivos: 1.- Identificar el comportamiento rectificante en el diodo 2.

- Identificar el nodo (regin P) y el ctodo (regin N) en un diodo rectificador 3.- Obtener y comparar las curvas caractersticas (V-I), de diodos rectificadores de silicio y germanio. En cada caso determinar el valor del voltaje umbral y calcular las resistencias estticas y dinmicas en la regin directa de conduccin, para un punto de operacin Q (VB, ID) arbitrario 4.- Observar y reportar las variaciones que se presentan en la curva caracterstica V-I en el voltaje de umbral y en la corriente de fuga de los diodos rectificadores cuando varia la temperatura Desarrollo Experimental: Conceptos Bsicos: El funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente: En la zora directa se puede considerar como un generador de tensin continua, tensin de codo (0.5-0.7 V para el silicio y 0.2-0.4 V para el germanio). Cuando se polariza en inversa se puede considerar como un circuito abierto. Cuando se alcanza la tensin inversa de disrupcin (zona inversa) se produce un aumento drstico de la corriente que puede llegar a destruir al dispositivo. Este diodo tiene un amplio margen de aplicaciones: circuitos amplificadores, limitadores, fijadores de nivel, proteccin contra cortocircuitos, demoduladores, mezcladores, osciladores, bloqueo y bypass en instalaciones fotovoltaicas, etc

Cuando usamos un diodo en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante):

1.- La tensin inversa mxima aplicable al componente, repetitiva o no (VRRR mx o VR ms, respectivamente) ha de ser mayor (del orden de tres veces) que la mxima que este va a soportar 2.- La corriente mxima en sentido directo que puede atravesar al componente, repetitiva o no (IFRM mx o IF mx respectivamente), ha de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar 3.- La potencia mxima que puede soportar el diodo (potencia nominal) ha de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar Material: Osciloscopio de doble trazo Generador de seales Multmetro analgico y/o digital Una pinza de punta Una pinza de corte 6 cables caimn-caimn 6 cables caimn-banana 6 cables banana-banana 4 cables coaxiales que tengan en un extremo terminacin BNC y en el otro caimanes Tablilla de conexiones (Protoboard) 2 diodos de silicio 1N4004 o equivalente 1 diodo de germanio OA81 o equivalente 2 resistencias de 1K a 1/2 watt

Experimentos: 1.- Requisito que para antes de realizar la prctica el alumno presente por escrito y en forma concisa y breve los siguientes puntos sobre el diodo rectificador y del resistor: 1.- Smbolo del Diodo Smbolo electrnico

Configuracin

nodo y Ctodo

2.- Esquema tpico de uniones del diodo

Diodos de "Unin Semiconductor-Semiconductor": son los ms conocidos (comnmente llamados "diodos rectificadores"), constituidos por la unin de un semiconductor dopado tipon con un semiconductor del mismo material pero tipo-p (diodos de "unin n-p"); Diodos de "Barrera Schottky Metal-Semiconductor" o "Diodos Schottky": son los primeros que existieron (llamados "diodos de seal"), constituidos por un metal y un semiconductor dopado tipo-p. Estos 2 materiales suelen estar ligados mediante un contacto puntual o por una unin fsica, como por ejemplo mediante difusin. 3.- Modelo matemtico del Diodo El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:

Donde: I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo VD es la diferencia de tensin entre sus extremos. IS es la corriente de saturacin (aproximadamente 10-12 A) n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio). 4.- Modelo grfico (curva caracterstica V-I) del diodo

5.- Comportamiento rectificador del Diodo

Son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua.

a) Grfica del elemento rectificante (diodo)

6.- Comportamiento resistivo del Diodo

b) Grfica del elemento hmico 7.- Principales parmetro del diodo La resistencia en el punto o regin de operacin, de bloqueo (polarizacin inversa), de conduccin, tiempo de recuperacin inverso, tiempo de recuperacin directo, etc 8.- Su definicin Un componente discreto que permite la circulacin de corriente entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario. 2.- Identificar el comportamiento rectificador de un diodo

Armar el circuito mostrado en la figura 1, colocar el diodo rectificador y observar el comportamiento de ste elemento en el osciloscopio (en modo XY) en la figura 2.a dibujar la grfica que se obtiene

Figura 1.a Circuito propuesto para observar el comportamiento rectificador de un diodo. El voltaje pico de la seal de excitacin puede elegirse entre 5 y 15 V y la frecuencia entre 60 y 1kHz

Figura 1.b Grfica (caractersticas elctricas) que muestra el comportamiento rectificador de un diodo

Figura 1

Figura 2.a Grfica del elemento rectificador (diodo)

Figura 2 grfica que se obtiene en el osciloscopio para el circuito de la figura 1.a, donde V es el voltaje en el elemento bajo prueba medido en el canal 1 del osciloscopio (canal X), e I es la corriente que circula en el elemento (corresponde al voltaje en la resistencia mostrada dividido entre el valor de sta resistencia), medida en el canal 2 (canal Y) del osciloscopio.

Distinguir el comportamiento hmico para diferentes elementos electrnicos, mediante el uso de un multmetro en su funcin de hmetro. Cuando un multmetro en su funcin de hmetro, se usa para identificar las terminales de un dispositivo, requiere que se conozca previamente cul de sus terminales es positiva (voltaje de la batera interna del mismo) y cul de ellas es negativa, ya que en base a esto, podremos saber cundo un par de terminales de algn dispositivo, se polariza directa o inversamente y de esta manera conocer en forma indirecta el tipo de regiones semiconductoras (P o N), que dicho dispositivo contiene entre esas terminales. Para saber cul terminal es la positiva y cual es la negativa en el hmetro, use un multmetro en su funcin de voltmetro, tal como se ilustra en la figura 3.

Figura 3 Circuito equivalente de un hmetro analgico y la forma de medir cul terminal es positiva y cual es negativa

Despus de realizar las mediciones que se indican en la figura 3, lleve a cabo las mostradas en la figura 4 y reporte las lecturas que se indican en la tabla 1. Para este punto se recomienda al alumno el uso de un multmetro analgico y que elija la misma escala para la realizacin de todas las mediciones que haga, con el fin de que pueda hacer una adecuada comparacin entre las lecturas tomadas. Figura 4. Mediciones que permiten identificar con ayuda del hmetro, el comportamiento rectificante (diodo) Elemento bajo prueba Diodo (Comportamiento rectificante) Resistencia medida entre las terminales T1(+) y T2(-) 1.89 M Resistencia medida entre las terminales T1(-) y T2(+)

Tabla 1. Mediciones de resistencia realizadas con el hmetro para el caso de un resistor y diodo rectificador.

3.- Identificar el nodo (regin P) y el ctodo (regin N), en un diodo rectificador. Para la identificacin de las terminales de un diodo rectificador, se pueden emplear diferentes mtodos, se sugiere que se haga usando un hmetro analgico y se llene la tabla 2. Debido a que un diodo rectificador presenta comportamiento rectificante, si el nodo se polariza con voltaje positivo (mayor al voltaje de umbral) con respecto al ctodo, el diodo conduce corriente apreciable, comportndose como una pequea resistencia (a esto se le conoce como polarizacin directa) y cuando se invierte esa polaridad en el diodo, la corriente que circula es despreciable, comportndose como una resistencia muy grande (polarizacin inversa). Tomando en cuenta estos conceptos, la polarizacin del hmetro y las mediciones ede la tabla 1 es posible saber en cul terminal est la regin semiconductora P (nodo) y en cul terminal est la regin N (ctodo) de un diodo semiconductor. Diodo De Silicio 1N4004 De Germanio OA81 Resistencia medida entre las terminales A(+) y K(-) 1.89 M 7.28 K Resistencia medida entre las terminales A(-) y K(+) 239.6 K

Tabla 2. Mediciones de resistencia en un diodo de Si y en uno de Ge. Polarizados directa e inversamente usando la pila interna del hmetro

Mediante las mediciones repostadas en la tabla 2. Diga; Cul de las terminales (T1 y T2) corresponde al ctodo y cul al nodo? R: En los diodos el ctodo corresponde a la lnea que est dibujada en el diodo, y tomando en cuenta las terminales correspondera a la terminal 1, T1 positiva En la figura 5 dibuje con detalle la forma fsica y las indicaciones (letras, nmeros, rayas, etc.) de cada uno de los diodos, indicando cul de las terminales es en nodo y cul es el ctodo.

Ctodo

nodo

Figura 5.a Diodo de Silicio

nodo

Ctodo

Figura 5.b Diodo de Germanio

Figura 5 Dibujos de las presentaciones fsicas e indicaciones de los diodos 1N4004 y OA81

4.- Obtener y comparar la curva caracterstica (V-I), de un diodo rectificador de silicio y una de germanio. En cada caso, determinar el valor del voltaje de umbral y calcular la resistencia esttica y dinmica en la regin directa de conduccin, para un punto de operacin Q (VD, ID) arbitrario. Armar el circuito de la figura 6, colocar las terminales del osciloscopio como se muestra (usndolo en su modo XY) y obtener la curva caracterstica V-I, primero para el diodo de silicio, y posteriormente para el diodo de germanio, reportar ambas grficas en la figura 7 y llenar con los datos solicitados la tabla 3

Figura 6.a Circuito propuesto para obtener la curva caracterstica de los diodos. El voltaje pico de la seal de excitacin puede estar entre 5 y 15 V y la frecuencia entre 60 y 1kHz

Figura 6.b Curva caracterstica de un diodo de Silicio

Figura 6.c Curva caracterstica de un diodo de Germanio

Figura 7.a Curva caracterstica del diodo de Silicio

Figura 7.b Curva caracterstica del diodo de Germanio

Figura 7. Grficas de V-I para el diodo de Si y Ge, que se obtienen en el osciloscopio usando el circuito de la figura 6.a

Diodo bajo prueba De Silicio 1N4004 De Germanio OA81

Voltaje de umbral medido en (V) 7 7

Voltaje mx medido en la curva en (V) 10 10

Corriente mx medida en la curva en (mA) 10 10

Tabla 3. Mediciones de voltaje de umbral y de voltaje corriente para el punto de operacin mximo que permite el circuito 6, para el diodo de Si y para el diodo de Ge a temperatura ambiente

5.- Observe y reporte las variaciones que se presentan en la curva caracterstica, en el voltaje de umbral y en la corriente de fuga de los diodos rectificadores cuando aumenta la temperatura ambiente 5.1 Utilizando el mismo circuito de la figura 6.a, acercar un cerillo encendido (por un tiempo no mayor a cinco segundos) al diodo bajo prueba y reportar en la figura 8 lo que observa. Para el diodo de Silicio aumentar la temperatura ambiente acercando el cerillo encendido el tiempo que sea necesario para que observe como la curva caracterstica del dispositivo se modifica al grado de que el diodo se comporta como una resistencia de algunos cuantos ohms (al aumentar la temperatura el voltaje de umbral disminuye y la corriente de saturacin inversa crece, si este aumento de temperatura es considerable puede hacer que el diodo se comporte casi como un corto circuito). Despus de observar esto, retirar el cerillo encendido y esperar que el diodo recupere su caracterstica normal. Puede suceder que el diodo ya no se recupere, esto significa que ha quedado daado definitivamente, en el caso de que si se recupere, es preferible ya no utilizarlo en otras aplicaciones, debido a que en la mayora de los casos en que se presentan estos calentamientos excesivos el dispositivo queda con algunas alteraciones que pueden dar problemas en el momento de su aplicacin en otro circuito.

Figura 8.a Curva caracterstica del diodo de Silicio

Figura 8.b Curva caracterstica del diodo de Germanio

Figura 8. Grficas de V-I para el diodo de Si y el de Ge, que se obtienen en el osciloscopio usando el circuito de la figura 6.a, con un incremento de temperatura Figura 5.2 Con el diodo que ha quedado daado o afectado por el aumento de temperatura, usando pinzas con todo cuidado, rompa su encapsulado y observe usando una lupa como est construido internamente y con todo detalle dibuje en la figura 9.

Figura 9 Diodo (Construccin Interna)

Cuestionario: 1.- Para la figura 1. Cul elemento presenta comportamiento rectificante? Por qu? R: El elemento que se comporta como rectificante es el Diodo, ya que cuando se polariza el diodo de manera directa solo permite el paso de la corriente en un solo sentido y si se polariza de manera inversa no permite el paso de la corriente 2.- Para el circuito de la figura 1, determine: Cul sera la corriente mxima que podra tener el circuito si usa un voltaje pico de 10V y una resistencia muestreada de 100? R: Aplicando ley de Ohm tendramos: 3.- Establezca un mtodo general para identificar un diodo (comportamiento rectificante), usando un hmetro R: Solo midiendo su resistencia, de esta manera podemos identificar cual es el nodo y cual el ctodo ya que si presenta una resistencia infinita sabemos que el positivo del hmetro est conectado al ctodo

4.- Investigue de qu forma se puede identificar el nodo y el ctodo de un diodo usando los multmetros digitales y explique R: En los multmetro digitales de ahora, viene una opcin en la cual cuando conectamos nuestro diodo de manera directa nos aparece un valor, en cambio cuando lo conectamos de manera inversa no nos aparece ningn valor, tomando en cuenta esto podemos saber cul es nuestro nodo y cul nuestro ctodo 5.- Cuando se polariza directamente un diodo con un voltaje menor al voltaje umbral. De qu orden espera medir el valor de la resistencia equivalente que presenta el diodo? R: El Diodo no entrar en su etapa conductora, por lo tanto su resistencia ser infinita 6.- Determinar el valor de la resistencia esttica en la regin directa de conduccin (para el punto de operacin con corriente de 2mA) tanto para el diodo de silicio como para el de germanio, indique: Cul de los dos presenta mayor resistencia esttica? (Usando los resultados de la figura 7) R: Mediante Ley de Ohm, obtenemos que la resistencia para ambos sea 7.- Determine el valor de la resistencia dinmica en la regin directa de conduccin (para el punto de operacin con corriente de 2mA) tanto para el diodo de silicio como para el de germanio, indique: Cul de ellas es mayor? (Usando los resultados de la figura 7) R: 8.- Qu parmetro se debera de modificar en el circuito de la figura 6, para poder observar el voltaje de ruptura de los diodos rectificadores? R: La amplitud de el voltaje de entrada 9.- Cmo es el coeficiente de temperatura del voltaje umbral de un diodo rectificador? R: Se va acercando a cero el voltaje umbral, el coeficiente de temperatura afecta de manera significativa al voltaje umbral 10.- Cmo es el coeficiente de temperatura de la corriente de fuga de un diodo rectificador? R: Ser ms estable 11.- Explique a que se debe la variacin, en la corriente de fuga de un diodo rectificador cuando se eleva la temperatura R: Cuando se eleva la temperatura, los electrones de los materiales N y P comienzan a liberarse por el exceso de energa por lo tanto producir una conduccin en la polarizacin directa e inversa.

Conclusiones: En esta prctica nos pudimos dar cuenta de la manera en que se comporta un diodo rectificador de Silicio y de Germanio, tambin aprendimos los dos tipos de conexiones para un diodo que son inversa y directa, aprendimos como identificar el ctodo y el nodo con un multmetro y tambin que la temperatura puede alterar nuestras mediciones ya que al momento de aumentar nuestra temperatura del Diodo, este libera energa dejando pasar la corriente aun cuando se conecta de forma inversa.