Documenti di Didattica
Documenti di Professioni
Documenti di Cultura
Journal
of
Qafqaz
University
Editor-in-Chief
Niftali Qodjayev
Managing Editor
Elchin Suleymanov
Editorial Board
Member Irada Aliyeva
Member Muharrem Kaplan
Member Murat Erguvan
Member Islam Huseynov
Secretary Ramil Haciyev
Advisory Board
Abdul Aziz Abdul Hafis El Khouli (Egupt, Cairo University) Latif Huseynov (Azerbaijan, National Assembly)
Ali Fuat Bilkan (Turkey, University of Economics and Tekhnology) Oktay Gasimov (USA, California University)
Ajdar Agaev (Azerbaijan Institute of Education Problems) Muhammed Tebrizi (USA, East Carolina University)
Akif Huseynli (Azerbaijan, National Academy of Science) Muhittin Shimshek (Turkey, Sakarya University)
Ali Çelik (Turkey, Karadeniz Technical University) Nadir Alishov (Ukraine, Academy of Science)
Bakhram Asgerov (Azerbaijan, Baku State University) Nazan Bekiroglu (Turkey, Karadeniz Technical University)
Don C. Hines (USA, Troy University) Nadir Seyidov (Azerbaijan, National Academy of Science)
Erhan Birgili (Turkey, Sakarya University) Rasim Alikuliyev (Azerbaijan, National Academy of Science)
Erol Oral (Kyrgyzstan, International Ataturk-Alatoo University) Saim Selvi (Turkey, Ege University)
Farkhad Guseynov (Turkey, Bilkent University) Salih Shimshek (Turkey, Sakarya University)
Firuddin Semenderov (Azerbaijan, Baku State University) Sami Karahan (Turkey, Konya Selchuk University)
Gholam Riza Sabri Tabrizi (London, Edinburg Uni. King College) Shamil Samedzade (Azerbaijan, Technical University)
Gültekin Yildiz (Turkey, Sakarya University) Surkhay Akberov (Turkey, Yildiz Technical University)
Halit Pastaci (Turkey, Yildiz Technical University) Tabriz Aliev (Azerbaijan, Oil Academy)
Halil Gasimov (Azerbaijan, National Academy of Science) Tarlan Afandiyev (Belarus, National Academy of Science)
Hakan Acar (Turkey, Fatih University) Telman Aliyev (Azerbaijan, National Academy of Science)
Hilmi Kirlioglu (Turkey, Sakarya University) Tofiq Hajiyev (Azerbaijan, Baku State University)
James F. Rinehart (USA, Troy University) Tatyana Birshteyn (Russia, National Academy of Science)
Ibrahim El-Rabi (USA) Vasim Mammedaliev (Azerbaijan, Baku State University)
Irada Aliyeva (Azerbaijan, Baku State University) Vladimir Pashenko (Russia, Moskow State University)
Ismail Ozsoy (Turkey, Fatih University) Yaqub Mahmudov (Azerbaijan, National Academy of Science)
Kev Salihov (Tataristan, Kazan University) Yusuf Tuna (Turkey, Istanbul University)
Konstantin Voldemarovich Shaitan (Russia, Moskow State Unıversıty) Zafer Ayvaz (Turkey, Ege University)
Design
Sahìb Kazimov
Corresponding Address
Journal of Qafqaz University
Baku - Sumqayit Road, 16 km., Khirdalan, Baku, AZ0101, Azerbaijan
Tel: 00 994 12 - 448 28 62/66 Fax: 00 994 12 448 28 61/67
e-mail: journal@qafqaz.edu.az
web: http://journal.qafqaz.edu.az
The “Journal of Qafqaz University” is a publication of
Qafqaz University and issue twice a year since 1997
Copyright © Qafqaz University
ISSN 1302-6763
Reyestr No: 670, 09.11.2003
Abonet
The Journal of Qafqaz University is available by subscription for 30 USD a year abroad and
9.2 AZN in Azerbaijan. Bankship and corresponding address must be faxed to Qafqaz University.
Bank Account: T.C. Ziraat Bankasí / Üsküdar-Ìstanbul, Hesap Sahibi: Ömer Okumuå, Hesap Türü/Para Birimi: Vadesiz Hesap/TL
Hesap No: 2426261-5001403, IBAN: TR890001000403024262615001 (Türkiye);
Qafqaz Universiteti: VÖEN: 1300325511, Hesab No: 38090000900001 AZN, 38190066220001 USD, Kod: 506452 Müx. Hes. 0137010031944
“Texnikabank ASC” Abåeron Filialí - VÖEN: 9900000681 SWIFT BIC: TECIAZ22 (Azerbaijan)
ISSN 1302-6763
Qafqaz
Universiteti
Jurnalı
“Journal of Qafqaz University” beynəlxalq jurnalı Russian
Periodicals Catalog, Directory of Open Access Journals,
Middle East Virtual Library, The International Consortium for
the Advancement of Academic Publication, JournalSeek,
Genamics, RefSeek, Dspace, Eprınts, Indexcopernicus
beynəlxalq elmi indekslərinə daxildir.
T bi t Elml ri Seriyas
No 25, 2009
Täsisçi
Ahmet Saniç
Baå Redaktor
Niftalí Qocayev
Näår Redaktoru
Elçin Süleymanov
Näår Redaksìyasí
Üzv Ìradä Äliyeva
Üzv Muharrem Kaplan
Üzv Murat Erguvan
Üzv Ìslam Hüseynov
Katib Ramil Hacíyev
Redaksìya Heyäti
Ahmet Öksüz Mämmädälì Babaålí
Ayhan Erdal Mehmet Ríhtím
Ali Bora Mustafa Akdað
Cihan Bulut Reha Yílmaz
Fäxräddìn Ìsayev Ömer Okumuå
Hämzaða Orucov Xälil Ìsmayílov
Mäslähät Heyäti
Əbdül Əziz Əbdül Hafis Əl Xouli (Misir, Qahirə Universiteti) Oqtay Qasımov (ABŞ, Kaliforniya Universiteti)
Əli Fuat Bilkan (Türkiyə, Ekonomi və Teknoloji Universiteti) Məhəmməd Təbrizi (ABŞ, East Carolina University)
Əjdər Ağayev (Azərbaycan, Təhsil Problemləri İnstitutu) Muhittin Şimşek (Türkiyə, Sakarya Universiteti)
Akif Hüseynli (Azərbaycan, Qafqaz Universiteti) Nadir Əlişov (Ukrayna, Elmlər Akademiyası)
Əli Çelik (Türkiyə, Karadeniz Teknik Universiteti) Nazan Bekiroğlu (Türkiyə, Karadeniz Teknik Universiteti)
Bəhram Əsgərov (Azərbaycan, Bakı Dövlət Universiteti) Nadir Seyidov (Azərbaycan, Milli Elmlər Akademiyası)
Don C. Hines (ABŞ, Troy Universiteti) Rasim Əliquliyev (Azərbaycan, Milli Elmlər Akademiyası)
Erol Oral (Qırğızıstan, Beynəlxalq Atatürk Alatoo Universiteti) Saim Selvi (Türkiyə, Ege Universiteti)
Erhan Birgili (Türkiyə, Sakarya Universiteti) Salih Şimşek (Türkiyə, Sakarya Universiteti)
Fərhad Hüseynov (Türkiyə, Bilkənt Universiteti) Sami Karahan (Türkiyə, Konya Selcuk Universiteti)
Firuddin Səməndərov (Azərbaycan, Bakı Dövlət Universiteti) Şamil Səmədzadə (Azərbaycan, Texniki Universitet)
Gholam Rıza Sabri Təbrizi (London, Edinburg Univ., King College) Surxay Əkbərov (Türkiyə, Yıldız Teknik Universiteti)
Gültəkin Yıldız (Türkiyə, Sakarya Universiteti) Təbriz Əliyev (Azərbaycan, Neft Akademiyası)
Halit Pastacı (Türkiyə, Yıldız Teknik Universiteti) Tofiq Hacıyev (Azərbaycan, Bakı Dövlət Universiteti)
Hakan Acar (Türkiyə, Fatih Universiteti) Tərlan Əfəndiyev (Belarusiya, Elmlər Akademiyası)
Hilmi Kırlıoğlu (Türkiyə, Sakarya Universiteti) Telman Əliyev (Azərbaycan, Milli Elmlər Akademiyası)
James F. Rinehart (ABŞ, Troy Universiteti) Tatyana Birshteyn (Rusiya, Rusiya Elmlər Akademiyası)
İbrahim Əl-Rabi (ABŞ) Vasim Məmmədəliyev (Azərbaycan, Bakı Dövlət Universiteti)
İradə Əliyeva (Azərbaycan, Bakı Dövlət Universiteti) Vladimir Paşenko (Rusiya, Moskva Dövlət Universiteti)
İsmail Özsoy (Türkiyə, Fatih Universiteti) Xəlil Qasımov (Azərbaycan, Milli Elmlər Akademiyası)
Kev Salihov (Tatarıstan, Kazan Universiteti) Yaqub Mahmudov (Azərbaycan, Milli Elmlər Akademiyası)
Konstantin Voldemaroviç Şaitan (Rusiya, Moskva Dövlət Universiteti) Yusuf Tuna (Türkiyə, İstanbul Universitesi)
Lətif Hüsynov (Azərbaycan, Milli Məclis) Zafer Ayvaz (Türkiyə, Ege Universiteti)
Tärtibat
Sahìb Kazímov
Ünvan
“Journal of Qafqaz University”
AZ101, Baký -Sumgayýt yolu, 16-cý km., Xýrdalan - Baký / Azärbaycan
Tel: 00 994 12 - 448 28 62/66 Fax: 00 994 12 448 28 61/67
e-mail: journal@qafqaz.edu.az
web: http://journal.qafqaz.edu.az
“Journal of Qafqaz University” jurnalí Qafqaz Unìversìtetìnìn näårìdìr;
1997-ci il tarixindän etibarän ìldä ìkì däfä därc edìlìr.
Copyright © Qafqaz University
ISSN 1302 - 6763
Reyest: No: 670, 09.11.2003
Abunä
Jurnalín illik abunä qiymäti 9 manat 20 qäpik olub, Azärbaycan xaricindä 30 ABÅ Dollarídír. Abunä olmaq istäyänlärin abunä
qiymätini aåagídakí hesaba köçürüb, qäbzin bir nüsxäsini älaqä ünvaní ilä birlikdä Qafqaz Universitetinä fakslamalarí lazímdír.
Bank Hesabí: T.C. Ziraat Bankasí / Üsküdar-Ìstanbul, Hesap Sahibi: Ömer Okumuå, Hesap Türü/Para Birimi: Vadesiz Hesap/TL
Hesap No: 2426261-5001403, IBAN: TR890001000403024262615001 (Türkiye);
Qafqaz Universiteti: VÖEN: 1300325511, Hesab No: 38090000900001 AZN, 38190066220001 USD, Kod: 506452 Müx. Hes. 0137010031944
“Texnikabank ASC” Abåeron Filialí - VÖEN: 9900000681 SWIFT BIC: TECIAZ22 (Azärbaycan)
ISSN 1302-6763
Qafqaz
Üniversitesi
Dergisi
“Journal of Qafqaz University” Uluslararası Dergisi Russian
Periodicals Catalog, Directory of Open Access Journals,
Middle East Virtual Library , The International Consortium
for the Advancement of Academic Publication, JournalSeek,
Genamics, RefSeek, Dspace, Eprınts, Indexcopernicus
uluslararası bilimsel endeksler tarafından taranmaktadır.
Baå Editör
Niftalí Gocayev
Yayín Editörü
Elçin Süleymanov
Yayín Editörlüðü
Üye Ìrade Aliyeva
Üye Muharrem Kaplan
Üye Murat Erguvan
Üye Ìslam Hüseynov
Sekreter Ramil Hacíyev
Yayín Kurulu
Ahmet Öksüz Halil Ìsmayílov
Ayhan Erdal Memmedalì Babaålí
Ali Bora Mehmet Ríhtím
Cihan Bulut Mustafa Akdað
Fahrettìn Ìsayev Reha Yílmaz
Hämzaða Orucov Ömer Okumuå
Daníåma Kurulu
Abdul Aziz Abdul Hafis El Houli (Mısır, Kahire Üniversitesi) Latif Hüseynov (Azerbaycan, Milli Meclis)
Ali Fuat Bilkan (Türkiye, Ekonomi ve Teknoloji Üniversitesi) Muhammed Tebrizi (ABD, East Carolina University)
Ejder Ağayev (Azerbaycan, Eğitim Problemleri Enstitüsü) Muhittin Şimşek (Türkiye, Sakarya Üniversitesi)
Akif Hüseynli (Azerbaycan, Milli İlmler Akademisi) Nadir Alişov (Ukrayna, İlmler Akademisi)
Ali Çelik (Türkiye, Karadeniz Teknik Üniversitesi) Nazan Bekiroğlu (Türkiye, Karadeniz Teknik Üniversitesi)
Behrem Askerov (Azerbaycan, Bakü Devlet Üniversitesi) Nadir Seyidov (Azerbaycan, Milli İlimler Akademisi)
Don C. Hines (ABD, Troy Üniversitesi) Rasim Alikuliyev (Azerbaycan, Milli İlimler Akademisi)
Erol Oral (Kırgızistan, Uluslararası Atatürk Alatoo Üniversitesi) Saim Selvi (Türkiye, Ege Üniversitesi)
Erhan Birgili (Türkiye, Sakarya Universitesi) Salih Şimşek (Türkiye, Sakarya Üniversitesi)
Ferhat Hüseynov (Türkiye, Bilkent Üniversitesi) Sami Karahan (Türkiye, Konya Selçuk Üniversitesi)
Firuddin Semenderov (Azerbaycan, Bakü Devlet Üniversitesi) Şamil Samedzade (Azerbaycan, Teknik Üniversite)
Gholam Rıza Sabri Tebrizi (London, Edinburg Uni. King College) Surhay Ekberov (Türkiye, Yıldız Teknik Üniversitesi)
Gültekin Yıldız (Türkiye, Sakarya Üniversitesi) Tebriz Aliyev (Azerbaycan, Neft Akademisi)
Oktay Kasımov (ABD, Kaliforniya Üniversitesi) Tofiq Hacıyev (Azerbaycan, Bakü Devlet Üniversitesi)
Halit Pastacı (Türkiye, Yıldız Teknik Üniversitesi) Terlan Efendiyev (Belarusya, İlimler Akademisi)
Hakan Acar (Türkiye, Fatih Üniversitesi) Telman Aliyev (Azerbaycan, Milli İlimler Akademisi)
Hilmi Kırlıoğlu (Türkiye, Sakarya Üniversitesi) Tatyana Birshteyn (Rusiya, Rusiya İlimler Akademisi)
James F. Rinehart (ABD, Troy Üniversitesi) Vasim Memmedaliyev (Azerbaycan, Bakü Devlet Üniversitesi)
İbrahim El-Rabi (ABD) Halil Kasımov (Azerbaycan, Milli İlimler Akademisi)
İrade Aliyeva (Azərbaycan, Bakı Dövlət Universiteti) Vladimir Paşenko (Rusya, Moskova Üniversitesi)
İsmail Özsoy (Türkiye, Fatih Üniversitesi) Yaqub Mahmudov (Azerbaycan, Milli İlimler Akademisi)
Kev Salihov (Tataristan, Kazan Üniversitesi) Yusuf Tuna (Türkiye, İstanbul Üniversitesi)
Konstantin Voldemaroviç Şaitan (Rusya, Moskova Devlet Üniversitesi) Zafer Ayvaz (Türkiye, Ege Üniversitesi)
Dizgi
Sahìb Kazímov
Yazíåma Adresi
“Journal of Qafqaz University”
AZ101, Baký -Sumgayýt yolu, 16. km., Xýrdalan - Baký / Azerbaycan
Tel: 00 994 12 - 448 28 62/66 Fax: 00 994 12 448 28 61/67
e-mail: journal@qafqaz.edu.az
web: http://journal.qafqaz.edu.az
“Journal of Qafqaz University” dergisi Qafqaz Üniversitesi Yayímídír;
1997 senesinden itibaren yílda iki defa yayímlanír.
Copyright © Qafqaz University
ISSN 1302 — 6763
Reyest: No 670, 09.11.2003
Abone
Derginin yıllık bedeli 9.2 Yeni Azerbaycan manatı olup Azerbaycan dışı için 30 ABD Dolarıdır. Abone olacakların abone bedelini
aşağıdaki hesaba yatırıp dekont fotokopisini haberleşme adresi ile beraber Qafqaz Üniversitesi'ne fakslamaları gerekmektedir.
Banka Hesabí: T.C. Ziraat Bankasí / Üsküdar-Ìstanbul, Hesap Sahibi: Ömer Okumuå, Hesap Türü/Para Birimi: Vadesiz Hesap/TL
Hesap No: 2426261-5001403, IBAN: TR890001000403024262615001 (Türkiye);
Qafqaz Üniversitesi: VÖEN: 1300325511, Hesab No: 38090000900001 AZN, 38190066220001 USD, Kod: 506452 Müx. Hes. 0137010031944
“Texnikabank ASC” Abåeron Filialí - VÖEN: 9900000681 SWIFT BIC: TECIAZ22 (Azärbaycan)
ISSN 1302-6763
Журнал
Университета
Кавказ
Журнал “Journal of Qafqaz University” входит в Российский
периодический каталог, Directory of Open Access Journals,
Middle East Virtual Library, The International Consortium for the
Advancement of Academic Publication, JournalSeek, Genamics,
RefSeek, Dspace, Eprints, Indexcopernicus.
Серия Естествознания
и Техники
No 25, 2009
Учредитель
Ахмед Санич
Редактор
Нифтали Годжаев
Издательский Совет
Члены Ирада Алиева
Члены Мугaррам Кaплан
Члены Мурат Эргуван
Члены Иcлам Гусейнов
Секретарь Рамиль Гаджиев
Редакционная Коллегия
Ахмет Оксуз Мамедали Бабашлы
Айхан Ердал Мехмeт Рыхтым
Али Бора Муcтaфa Aкдaг
Джихан Булут Рехa Йылмaз
Фахреддин Исаев Омaр Окумуш
Гамзага Oруджов Xалил Исмаилов
Дизайн
Сахиб Казымов
Адрес
«Journal of Qafqaz University»
AZ0101, Шоссе Баку–Сумгаит, 16 км, Хырдалан - Баку / Азербайджан
Teл: 00 994 12 - 448 28 62/66 Faкс: 00 994 12 448 28 61/67
e-mail: journal@qafqaz.edu.az
web: http://journal.qafqaz.edu.az
Журнал «Journal of Qafqaz University» издание
Университета Кавказ, публикуется два раза в год с 1997 года
Copyright © Qafqaz University
ISSN 1302 - 6763
Reyest: No: 670, 09.11.2003
Абонент
Годовая абонентская плата 9.2 AZN, за рубежом 30 $ (USD). Абоненты должны перечислить
деньги на нижеследующие счета и выслать нам по факсу обратный адресс и счет фактуру.
Банковские Счета: T.C. Ziraat Bankasí / Üsküdar-Ìstanbul, Hesap Sahibi: Ömer Okumuå, Hesap Türü/Para Birimi: Vadesiz Hesap/TL
Hesap No: 2426261-5001403, IBAN: TR890001000403024262615001 (Türkiye);
Qafqaz Üniversitesi: VÖEN: 1300325511, Hesab No: 38090000900001 AZN, 38190066220001 USD, Kod: 506452 Müx. Hes. 0137010031944
“Texnikabank ASC” Abåeron Filialí - VÖEN: 9900000681 SWIFT BIC: TECIAZ22 (Azärbaycan)
Journal of Qafqaz University
An International Journal
Contents
Physics and technics 1
Структурно‐функциональная взаимосвязь кардиоактивных пептидов,
миелопептидов и гликопептидов
Л. И. Исмаилова 3
Nano‐porous silicon for gas sensor and fuel cell applications
Tayyar Dzhafarov, Sureyya Aydın Yuksel 20
İkiölçülü dalğa tənliyinin qrup nəzəriyyəsi metodu ilə tədqiqi
Ə.Q. Ağamalıyev 36
Kompleks konsantrelerdeki bakır ve çinkonun selektif çözeltme
imkânları üzerine bir araştırma
Mustafa Akdağ 40
About structural changes in polyethylene glycol ‐ C4O6H4Na2 ‐ water two‐phase system
E.A. Masimov, H.F. Abbasov, T.O. Bagirov 46
Heptapeptid molekulunun nəzəri konformasiya analizi
N.A. Əhmədov, R.M. Abbaslı, E.M.Həsənov 49
Ser‐Pro‐Leu‐Gly‐Thr‐Met‐Arg‐Phe‐Nh2 molekulunun fəza quruluşu
N.A.Əhmədov, R.M.Abbaslı, İ.T.Məmmədova, Ş.N.Hacıyeva 54
Определение сечения когерентного рассеяния нейтронов на
кристаллах изотопов лития, углерода и никеля кодом MCNP4C
Масти. Д 58
Эффект заполнения зон в кристаллах Gase при
высоких уровнях оптического возбуждения
А.А. Салманова 64
Электронно‐конформационные свойства молекулы вилон
Л.С. Гаджиева, Л.И. Исмаилова 69
Депонирование и транспорт оксида азота в биологических системах
И.С. Курбанов 76
Toz metalürjisi ile üretilmiş iki metal parçanın difüzyon kaynağıyla
birleştirilmesinde sıcaklığın kaynak bölgesine etkisinin irdelenmesi
Yadullah Babayev 92
Конформационные свойства молекулы антимикробного пептида тритрптицина
Г.А. Агаева, Р.Э. Алиев 101
Обобщение экспериментальных данных по изобарной объемной теплоемкости
бинарных растворов метанола и изоспиртов
Махир Баширов, Яшар Назиев, Акиф Бахшиев 111
Электронное строение мономерных и димерных
комплексов молекулы карнозина с цинком
С.Д. Демухамедова, И.Н. Алиева, Н.М. Годжаев, Н.С. Набиев 114
Mathematics 127
New inequalities on triangle areas
Y.N. Aliyev 129
Лифты векторных полей в полутензорное расслоение типа (2,0)
Габил Фаттаев 136
Об отображении двумерных евклидовых пространств
Наджаф Ягуб оглы Алиев 141
Journal of Qafqaz University
An International Journal
№: 25, 2009
Texniki Elmlər
İçindəkilər
Fizika və Texnika 1
Структурно‐функциональная взаимосвязь кардиоактивных пептидов,
миелопептидов и гликопептидов
Л. И. Исмаилова 3
Nano‐porous silicon for gas sensor and fuel cell applications
Tayyar Dzhafarov, Sureyya Aydın Yuksel 20
İkiölçülü dalğa tənliyinin qrup nəzəriyyəsi metodu ilə tədqiqi
Ə.Q. Ağamalıyev 36
Kompleks konsantrelerdeki bakır ve çinkonun selektif çözeltme
imkânları üzerine bir araştırma
Mustafa Akdağ 40
About structural changes in polyethylene glycol ‐ C4O6H4Na2 ‐ water two‐phase system
E.A. Masimov, H.F. Abbasov, T.O. Bagirov 46
Heptapeptid molekulunun nəzəri konformasiya analizi
N.A. Əhmədov, R.M. Abbaslı, E.M.Həsənov 49
Ser‐Pro‐Leu‐Gly‐Thr‐Met‐Arg‐Phe‐Nh2 molekulunun fəza quruluşu
N.A.Əhmədov, R.M.Abbaslı, İ.T.Məmmədova, Ş.N.Hacıyeva 54
Определение сечения когерентного рассеяния нейтронов на
кристаллах изотопов лития, углерода и никеля кодом MCNP4C
Масти. Д 58
Эффект заполнения зон в кристаллах Gase при
высоких уровнях оптического возбуждения
А.А. Салманова 64
Электронно‐конформационные свойства молекулы вилон
Л.С. Гаджиева, Л.И. Исмаилова 69
Депонирование и транспорт оксида азота в биологических системах
И.С. Курбанов 76
Toz metalürjisi ile üretilmiş iki metal parçanın difüzyon kaynağıyla
birleştirilmesinde sıcaklığın kaynak bölgesine etkisinin irdelenmesi
Yadullah Babayev 92
Конформационные свойства молекулы антимикробного пептида тритрптицина
Г.А. Агаева, Р.Э. Алиев 101
Обобщение экспериментальных данных по изобарной объемной теплоемкости
бинарных растворов метанола и изоспиртов
Махир Баширов, Яшар Назиев, Акиф Бахшиев 111
Электронное строение мономерных и димерных
комплексов молекулы карнозина с цинком
С.Д. Демухамедова, И.Н. Алиева, Н.М. Годжаев, Н.С. Набиев 114
Riyaziyyat 127
New inequalities on triangle areas
Y.N. Aliyev 129
Лифты векторных полей в полутензорное расслоение типа (2,0)
Габил Фаттаев 136
Об отображении двумерных евклидовых пространств
Наджаф Ягуб оглы Алиев 141
Journal
of
Qafqaz
University
PHYSICS AND TECHNICS
FİZİKA VƏ TEXNİKA
FİZİK VE TEKNİK
ФИЗИКА И TEXHИКА
СТРУКТУРНО‐ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ ВЗАИМОСВЯЗЬ
КАРДИОАКТИВНЫХ ПЕПТИДОВ, МИЕЛОПЕПТИДОВ И
ГЛИКОПЕПТИДОВ
Л. И. ИСМАИЛОВА
Институт Физических Проблем,
Бакинский Государственный Университет
Баку / АЗЕРБАЙДЖАН
Larisa_Ismailova@yahoo.com
РЕЗЮМЕ
STRUCTURE‐FUNCTIONAL RELATIONSHIP OF THE CARDIO ACTIVE PEPTIDES,
MYELOPEPTIDES AND GLYCOPEPTIDES
ABSTRACT
The spatial structure of the cardioactive peptides, myelopeptides and glycopeptides were investigated using
method of molecular mechanics. By theoretical conformational analysis method has been investigated the low‐
energy conformations, geometric and energetic parameters of these molecules.
Key words: peptide, conformation, structure, molecule
Number 25, 2009 3
Л. И. Исмаилова
4 Journal of Qafqaz University
Структурно‐Функциональная Взаимосвязь Кардиоактивных Пептидов, Миелопептидов и Гликопептидов
цепи χ1, χ2, χ3... При этом индекс 1 ется метод теоретического конформа‐
соответствует значению угла χ в области ционного анализа, который позволяет с
0 −120º, 2 − 120 − ‐120º, 3 − ‐120 − 0º. Отсчет достаточной точностью количественно
двугранных углов вращения проводился описать геометрию молекулы и энергию
согласно стандартной номенклатуре взаимодействия атомов в этой молекуле
IUPAC‐IUB [11]. или между молекулами. Он исходит из
Известно, что пептидные молекулы по‐ механической модели, рассматриваю‐
лифункциональны. Это обусловлено тем, щей молекулу как систему взаимодейс‐
что пространственное строение этих мо‐ твующих атомов, при этом полностью
лекул может принимать в физиологи‐ абстрагируясь от электронов и ядер.
ческих условиях ограниченный набор ст‐ Поэтому метод теоретического конфор‐
руктур. В данной работе для нахожде‐ мационного анализа еще называют ме‐
ния пространственного строения пеп‐ тодом молекулярной механики.
тидных молекул использован теорети‐ Расчет выполнялся в рамках механичес‐
ческий подход, предложенный Поповым кой модели молекул с учетом невалент‐
Е.М.[2, 6, 10]. Этот подход позволяет ных, электростатических, торсионных
решить структурно‐функциональную за‐ взаимодействий и энергии водородных
дачу, разделив ее на несколько этапов: связей. Невалентные взаимодействия
1. Структурный этап–нахождение прос‐ оценивались по потенциалу Леннарда‐
транственной структуры и конформа‐ Джонса с параметрами Скотта и Шераги
ционной динамики пептидной молеку‐ [12]. Электростатические взаимодействия
лы на основании известной аминокис‐ рассчитывались в монопольном прибли‐
лотной последовательности. Использо‐ жении по закону Кулона c с использова‐
вание метода теоретического конформа‐ нием зарядов, предложенных в работе
ционного анализа позволяет по извест‐ [13]. Конформационные возможности
ной химической структуре найти пол‐ пептидов рассчитывались применитель‐
ный набор низкоэнергетических, биоло‐ но к условиям водного окружения, по‐
гически активных конформаций. этому величина диэлектрической про‐
2. Структурно‐функциональный этап– ницаемости принята равной 10. Водо‐
конструирование искусственных анало‐ родные связи, которые оценивались по
гов, пространственное строение которых потенциалам типа Морзе, предполага‐
отвечает набору низкоэнергетических лись ослабленными (максимальная энер‐
конформаций природных пептидных гия образования водородной связи при
молекул. Этот этап позволяет связать ст‐ ro=1,8Å составляла 1,5 ккал/моль). Тор‐
руктуру молекулы с выполняемой функ‐ сионные потенциалы и величины барье‐
цией. ров вращения аналогичны величинам,
3. Этап количественной оценки биоло‐ предложенным в работах [12, 14].
гической активности пептидных моле‐
кул, оценки участков связывания с ре‐ II. Кардиоактивные пептиды.
цептором и сопоставления теоретичес‐ Был проведен расчет пространственной
ких результатов расчетов пространствен‐ структуры молекул кардиоактивных пеп‐
ной структуры пептидных молекул с из‐ тидов, относящихся к классу нейропеп‐
вестными экспериментальными данными. тидов [15‐21]. Выбор объектов исследова‐
Для определения пространственной ст‐ ния был продиктован их актуальностью,
руктуры пептидных молекул использу‐ так как по данным Всемирной организа‐
Number 25, 2009 5
Л. И. Исмаилова
6 Journal of Qafqaz University
Структурно‐Функциональная Взаимосвязь Кардиоактивных Пептидов, Миелопептидов и Гликопептидов
Таблица 1. Шейпы, оптимальные конформации, энергетические вклады невалентных, электростатических,
торсионных взаимодействий нонапептидной молекулы Мet1‐Met9‐NH2
Number 25, 2009 7
Л. И. Исмаилова
Рис.1. Пространственная структура шейпов eeeffeff, eefefeee, fffefeff молекулы нонапептида Мet1‐Met9‐NH2
8 Journal of Qafqaz University
Структурно‐Функциональная Взаимосвязь Кардиоактивных Пептидов, Миелопептидов и Гликопептидов
Остаток Шейп
eeeffeff eefefeee ffffeeff
Met1 ‐169 138 179 ‐171 136 178 ‐47 ‐55 178
‐67 ‐177 180 180 ‐67 ‐178 180 180 ‐178 177 179 180
Asn2 ‐96 113 ‐177 ‐97 114 ‐177 ‐69 ‐57 ‐178
‐176 83 ‐175 91 180 91
Tyr3 ‐153 153 179 ‐98 ‐54 178 ‐79 ‐53 178
58 89 180 ‐60 92 180 ‐59 99 180
Leu4 ‐96 ‐63 176 ‐115 124 ‐176 ‐128 119 ‐177
‐60 171 ‐175 180 177 64 180 175 177 64 180 175
Ala5 ‐86 ‐56 180 ‐87 ‐52 ‐175 ‐86 ‐53 ‐177
180 180 180
Phe6 ‐162 151 177 ‐86 128 176 ‐150 142 ‐179
49 89 ‐177 84 48 89
Pro7 ‐64 ‐174 114 174 ‐61 ‐177
Arg8 ‐118 ‐59 180 ‐115 98 176 ‐117 ‐61 ‐179
‐62 ‐66 ‐174 ‐179 ‐66 ‐67 ‐173 ‐178 ‐63 ‐66 ‐174 ‐179
Met9 ‐131 ‐36 180 ‐121 142 180 ‐133 ‐35 180
‐179 179 179 180 ‐68 ‐69 ‐177 180 ‐58 ‐60 179 180
Uотн, ккал/моль 0 0,7 1,8
Таблица 3. Относительная энергия (ккал/моль) конформаций молекулы Мet1‐Met9‐NH2 и ее аналогов
Number 25, 2009 9
Л. И. Исмаилова
10 Journal of Qafqaz University
Структурно‐Функциональная Взаимосвязь Кардиоактивных Пептидов, Миелопептидов и Гликопептидов
Number 25, 2009 11
Л. И. Исмаилова
12 Journal of Qafqaz University
Структурно‐Функциональная Взаимосвязь Кардиоактивных Пептидов, Миелопептидов и Гликопептидов
Number 25, 2009 13
Л. И. Исмаилова
14 Journal of Qafqaz University
Структурно‐Функциональная Взаимосвязь Кардиоактивных Пептидов, Миелопептидов и Гликопептидов
Таблица 5. Низкоэнергетические конформации миелопептидов
Молекула Uотн Аминокислотная последовательность Конформация
МП‐1 0,0 Phe‐Leu‐Gly‐Phe‐Pro‐Thr‐NH2 R2B21PB2RR11 (fffef)
2,3 R2R21RB3RR11 (fffef)
6,9 B1B21PB3RR11 (effef)
4,5 B1B21PB3 BB31 (effee)
МП‐2 0,0 Leu‐Val‐Val‐Tyr‐Pro‐Trp‐NH2
4,1 R21R2R2B1RR11 (fffef)
R21B2B2B3RR13 (feeef)
МП‐3 0,0 Leu‐Val‐Cys‐Tyr‐Pro‐Gln‐NH2 R21R2R2B1RR313 (fffef)
5,4 R21R2R2B3BB211 (fffee)
Number 25, 2009 15
Л. И. Исмаилова
рами среди других структур. Можно онные возможности этих боковых при‐
предположить, что связь миелопепти‐ весков, мы построили ряд конформа‐
дов с Т‐лимфоцитами осуществляется ционных карт при варьировании одного
именно посредством этих структур. В или двух строго определенных углов
пользу этого говорит тот факт, что боко‐ молекулы моносахарида.
вые цепи Phe4 и Tyr4 в низкоэнергети‐
Следует отметить, что N‐ацетильная
ческих структурах обращены в раствори‐
группа и СН2ОН группа находятся по
тель и конформационно свободны. разные стороны от сахарного кольца,
Следует подчеркнуть, что в настоящее поэтому они влиять на конформацион‐
время молекулы миелопептидов пред‐ ные состояния друг друга не могут.
ставляют большой интерес для широ‐ Отсюда следует, что из–за удаленности
кого исследования [28‐33]. эти боковые привески не влияют на кон‐
формационные карты друг друга. При
IV. Гликопептиды. построении конформационных карт од‐
ной группы, положение другой группы
Известно, что биологическая активность
фиксировалось в оптимальных конфор‐
гликанов и гликопептидов существенно
мациях. Конформационный анализ сво‐
зависит от числа и способа присоедине‐
бодного N‐ацетил глюкозамина, постро‐
ния остатков глюкозы, от типа и стерео‐
ение конформационных карт позволил
химии аминокислот, образующих пеп‐
найти два значения угла Q2g (‐30˚, 20˚)
тидные части молекул. Исследования
для N‐ацетильной группы. Для СН2ОН
функциональной активности этих моле‐
группы значения углов Q5,6g= 60, 180, ‐60˚
кул обнаружили их высокую иммуно‐
оказались равновероятными.
стимулирующую и противоопухолевую
активность. Поэтому нами сначала был Низкоэнергетические положения остат‐
выполнен конформационный анализ ка D‐молочной кислоты в молекуле N‐
олигосахаридных молекул, так как они ацетил‐мурамовой кислоты были найде‐
являются ингибиторами и субстратами ны из конформационных карт Qm 3‐ φm
фермента лизоцима и входят в состав и φm ‐ ψm. Для молекулы MurNAc из
гликопептидных молекул, представляю‐ карты φm ‐ ψm были определены пять
щих большой научный интерес. Были низкоэнергетических конформаций, от‐
изучены пространственные структуры личающиеся значениями двугранных уг‐
моно‐, ди‐, тетрасахаридных молекул, лов лактильной группы. Первые две
содержащих N‐ацетил‐глюкозамин отвечают состоянию угла Qm 3=‐30º, а
(GlcNAc) и N‐ацетил‐мурамовую кисло‐ остальные три конформации – состоя‐
ту (MurNAc). нию с Qm3= 0º.
Сначала были изучены конформацион‐ Биологическая активность гликанов и
ные свойства свободной молекулы моно‐ гликопептидных молекул зависит от
сахарида. У молеклы (GlcNAc) имеется числа и способа присоединения остат‐
два боковых привеска, положения кото‐ ков глюкозы, от стереохимии амино‐
рых в пространстве определяются сле‐ кислот в пептидных частях молекул. Экс‐
дующими двугранными углами: поло‐ периментальные исследования функци‐
жение N‐ацетильной группы определя‐ ональной активности гликопептидных
ется двугранным углом Q2g и положение молекул обнаружили их высокую имму‐
группы СН2ОН определяется углами Q5g ностимулирующую и противоопухоле‐
и Q6g.. Чтобы определить конформаци‐ вую активность (табл.6). Важно было со‐
16 Journal of Qafqaz University
Структурно‐Функциональная Взаимосвязь Кардиоактивных Пептидов, Миелопептидов и Гликопептидов
Таблица 6. Адьювантная и противоопухолевая активность гликопептидов
№ Гликопептидная Противо Адьювантная
Молекула опухолевая активность
активность
1 GlcNAc‐MurNAc‐LAla‐DGluNH2 + + + +++
2 GlcNAc‐MurNAc‐DAla‐DGluNH2 + + +
3 GlcNAc‐MurNAc‐LAla‐LGluNH2 ― ―
4 GlcNAc‐MurNAc‐LAla‐DAspNH2 + ―
5 MurNAc‐LAla‐DGluNH2 + + ++
6 MurNAc‐LAla‐LGluNH2 ― ―
7 MurNAc‐DAla‐DGluNH2 + ―
8 MurNAc‐LAla‐DAspNH2 ― ―
9 GlcNAc‐MurNAc‐Lala + ―
10 GlcNAc‐MurNAc ― ―
11 MurNAc ― ―
12 LAla‐DGluNH2 ― ―
По‐видимому, причина снижения актив‐ сутствует. Из этого можно сделать вывод,
ности соединений с D‐Asp кроется в са‐ что аминокислота D‐Glu в наиболее ак‐
мой природе их взаимодействия с ре‐ тивной молекуле GlcNAc–MurNAc‐L‐Ala‐
цептором. Слабо выраженным противо‐ D‐GluNH2, вероятно, не принимает не‐
опухолевым действием обладает и гли‐ посредственное участие в реакции, а
копептид GlcNAc–MurNAc‐L‐Ala, в кото‐ служит для понижения активационного
ром остаток глутаминовой кислоты от‐ барьера. То же можно сказать относи‐
Number 25, 2009 17
Л. И. Исмаилова
18 Journal of Qafqaz University
Структурно‐Функциональная Взаимосвязь Кардиоактивных Пептидов, Миелопептидов и Гликопептидов
Number 25, 2009 19
NANO‐POROUS SILICON FOR GAS SENSOR AND
FUEL CELL APPLICATIONS
Tayyar DZHAFAROV
Institute of Physics,
Azerbaijan National Academy of Sciences,
Baku / AZERBAIJAN
caferov@physics.ab.az
Sureyya Aydın YUKSEL
Department of Physics,
Yildiz Technical University,
Esenler – Istanbul / TURKEY
ABSTRACT
The hydrogen fuel cell has recently attracted attention as a clear source for the future. For this reason, there is
a big demand for reliable and inexpensive hydrogen gas sensors. The nanoporous silicon with a sponge‐like
structure and very large surface‐to‐ volume ration (about to 103 m2/cm3) is attractive for gas sensor and
hydrogen fuel cell applications. In the paper the review of works on fabrication, structure, electrical and optical
properties of porous silicon (PS) is given. The operating principles of different types of gas sensors and hydrogen
fuel cells, specifically Proton Exchange Membrane type cell, were presented. New type sensor, based on metal/PS
Schottky‐type structures and working at room temperature without any power source was considered. Such
structures in the hydrogen‐containing atmosphere produce electricity by themselves, i.e. they exhibit the
properties of both a gas sensor and a hydrogen fuel cell.
Key words: porous silicon, gas sensor, hydrogen fuel cell, metal/porous silicon structure
НАНО‐ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ ДЛЯ ГАЗОВЫХ СЕНСОРОВ И
ВОДОРОДНЫХ ТОПЛИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
РЕЗЮМЕ
Водородные топливные элементы привлекают внимание как источники чистой энергии будущего.
Поэтому имеется большая потребность в разработке надежных и недорогих газовых сенсоров, чувстви‐
тельных к водороду. Нано‐пористый кремний с ʺгубчатойʺ структурой и очень большим соотношением
площади поверхности пор к объему образца (около 103м2/см3) очень подходит для изготовления газовых
сенсоров и водородных элементов. В статье дан обзор данных по изготовлению, структуре и свойствам
пористого кремния. Рассмотрены принципы работы существующих типов газовых сенсоров и водородных
элементов, особенно PEM‐типа элемента. Представлен новый тип газового сенсора, основанного на метал/
пористый кремний барьерной структуре, который работает при комнатной температуре и без внешнего
источника энергии. Такой прибор сам генерирует электричество в водородной атмосфере, т.е. проявляет
свойства и газового сенсора, и водородного элемента.
Ключевые слова: пористый кремний, газовый сенсор, водородный элемент, метал/пористый кремний
структуры
mical etching have been know for many
I. Introduction
years [34,35] in 1958. However, it has been
Porous silicon (PS) layers formed on mono‐ extensively studied in last twenty years. In
crystalline silicon substrates by electroche‐ 1990 Canham reported the discovery signi‐
20 Journal of Qafqaz University
Nano‐Porous Silicon for Gas Sensor and Fuel Cell Applications
ficant visible photoluminscence from porous (defects and impurities) in the surrounding
silicon under UV illumination [7]. Fig. 1 SiOx layers [29].
illustrates the typical red luminescence of a
Quantum wires, quantum dots and quantum
porous silicon layer which was prepared
wells are basis of many modern devices
by a remarkable simple electrochemical
and they are the key to the development of
etching process on silicon wafer. The pho‐
the nanoelectronics. Electrochemical etching
toluminescence characteristics of porous
of Si results in the formation of nano‐
silicon in comparison to bulk mono‐
crystalline Si. The crystalline structure of
crystalline silicon and other silicon‐based
porous silicon presents a network of silicon
compounds is also given in Fig. 1. Typical
in nano‐sized regions surrounded by void
photoluminescence intensity of porous
space with a very large surface‐to‐volume
silicon in the visible region (1.5‐2.0 eV) is
ration (up to 103 m2cm‐3) [21]. The structure
larger by several order of magnitude as
of porous silicon is like a sponge where
compared to the monocrystalline silicon,
quantum effects plays fundamental role (a
which locates in near infrared, correspon‐
quantum sponge) [5]. The pore surfaces are
ding to the 1.1 eV energy of mono‐
covered by silicon hydrides and silicon
crystalline Si [33]. Si, being a indirect semi‐
oxides and therefore they are very chemical
conductor, is the dominant material of
active. These features of porous silicon (a
microelectronics. However, it a poor light
quantum system, a sponge structure and
emitter and therefore can not be used in
an extremely large pore surfaces) ensure
optoelectronics. Porous silicon prepared on
many possible applications, such as light
Si substrate, shows the high external
emitting diode, sensor, hydrogen fuel cell
efficiencies of photo‐and electrolumine‐
and other applications.
scence and suits for photonic applications.
However, the origin of photoluminescence Bellow the review of the crystalline struc‐
in PS is still controversial. A few models ture and properties of nano‐porous silicon,
are suggested for explanation mechanism and characterization of the porous silicon
of photoluminescence. According model based gas sensors and hydrogen fuel cells
proposed by Canham [7] radiative recom‐ have been presented.
bination of electron‐hole pairs occurs within
2. Preparation and Properties of Porous
nanometer silicon wires and their energy
Silicon
gaps become larger than that of bulk Si
(quantum confinement effect). This model Porous silicon layer on monocrystalline Si
modified by Koch et al. [24] suggests that substrate is usually formed by electro‐
electron‐hole pairs are photo‐excided in chemical etching of Si in HF: ethanol or
nanometer silicon particles and radiatively HF:H2O solution. Electrochemical etching
recombined via Si intrinsic surface states. of siliconis attractive because of the
Another model [6] suggests that lumine‐ possibility to tune the pore size from a few
scence from PS was caused by some special nanometers to a few tens of micrometers,
luminescence materials, such as SiHx com‐ just by choosing wafer doping level and
plexes, polysilanes, or SiO2 rather than an etching conditions. The simplest electro‐
intrinsic property of nanometer Si. A third chemical cell is shown in Fig. 2. The Si wafer
model believes that excitation of charge acts as the anode and the the platinum is
carriers occurs in nanometer silicon par‐ the cathode. The thickness of porous silicon
ticles and the photoexcitated carriers layer on Si substrate is determined by
transfer into the luminescence centers duration of etching. The porosity, i.e. the
Number 25, 2009 21
Tayyar Dzhafarov, Sureyya Aydın Yuksel
voig fraction in the porous layer is deter‐ Si + 6HF →H2SiF6 + 4H+ +4e‐ (2)
mined by the current density (about 10‐100
Pores, depending on the its diameter,
mA/cm2), composition electrolyte, resistivity
denoted as micropores (R<2nm), mesopores
and the doping density of Si substrate.
(2 nm < R < 50 nm) and macropores (R > 50
The anodic reaction on the Si substrate can nm). Under illumination the pore size
be written during pore formation as [4] dependent on doping density and anodi‐
zation conditions, with diameters in the
Si + 6HF →H2SiF6 + H2 + 2H+ +2e‐ (1)
range 100 nm – 20 μm (macropores).
Silicon atoms are dissolved as SiF62‐ requires
PS layers with a thickness of 10‐20 μm and
the presence of F‐ ions (from HF solution)
an average porosity of 40 to 80% were
and positively charges holes (from the
silicon wafer) at the silicon interface. Con‐ prepared on n‐type (111) Si substrates (ρ=
centration of holes in p‐Si is sufficiently =1×10‐2 Ω cm) by anodic etching in HF:H2O
high (about 1014 – 1018 cm‐3) and this case = 1:3 solution at a dc current of about 15
the nano‐size pores were formed. Concen‐ mA cm‐2 under white‐light illumination [8].
tration of holes in n‐Si is very small (about For some measurements, the PS films were
102 – 106 cm‐3) and therefore generation of then detached from the Si substrate by
holes is possible due to illumination of n‐Si electro polishing in the same solution with
substrate. a current density of 0.8‐1.0 A cm‐2. The free
standing PS films were characterized by
The structure and size of pores in porous
porosity, thickness and resistivity measure‐
silicon layer formed on n‐Si substrate differ
ments. The average porosity was measured
from those for layer on p‐Si. If electroche‐
by a gravimetry technique. Resistivity and
mical etching was carried out at relatively
charge carrier concentration measurements
low current density (10‐80 mA/cm2), then
were carried out on the free standing PS
the local dissolution of silicon surface takes
layers attached to a dielectric substrate
place. Herewith, pore formation begins on
(glass) by using the Van der Pauw
surface defects of Si and further growth of
technique. In or In‐Ga alloy was used as an
pores into silicon substrate proceeds due to
ohmic contact to the PS layer. Morpholo‐
the holes diffusion to Si‐electrolyte interface.
gical characterizations of the PS surface
In the case of large current density (0.5 –
were performed by scanning electron
0.8 A/cm2) when the amount of holes
microscopy.
moving to Si‐electrolyte interface is very
high, the etching of top regions of Si The average porosity, i.e. the avoid fraction
substrate is preferred. It ensures the unoform in the porous layer, can be obtained by
etching of silicon surface and formation a gravimetry using the equation
smooth surface of substrate (the so‐called P(%) ={ (m1 – m2)/(m1 – m3)}100 (3)
the electropolishing process). Raising the
current density above the critical value at Here m1 is Si sample mass before the
the end of anodization process results in a etching, m2 just after etching and m3 after
detachment of the porous silicon film from the removal of the porous layer by
Si substrates. The behavior at high current electropolishing or after a rapid dissolution
densities turns out to be useful to produce of the whole porous layer in a 3% KOH
porous silicon free‐standing layers. The solution.
anodic reaction during the electropolising One can also get the porous silicon layer
can be written as thickness d using the equation
22 Journal of Qafqaz University
Nano‐Porous Silicon for Gas Sensor and Fuel Cell Applications
d = (m1 – m3)/ρS (4)
eV with rising of porosity of PS films in the
range of 30‐90 % is observed. Data on Fig. 5
where ρ is the Si density ( 2.33 g/cm3) and S
concerning a increase of the energy gap in
is the etched surface.
dependency on porosity of PS films, can be
Fig. 3 shows the SEM micrographs of explained by a model including the
porous silicon/Si structure. quantum confinement of carriers in the PS
The electrical measurements of the free microcrystallites, causing the widening of
the Si band gap.
standing PS layers with 65% porosity
(300 K, 45% RH) gave values of ρ = 1.8×106
Ω cm for resistivity, p = 9.6×1012 cm‐3 for 3. Gas Sensors
hole concentration, and μ = 0.36 cm2/(V s) A chemical sensor is defined as “a small
for hole mobility [9]. device that as the result of a chemical
Fig. 4 illustrate FTIR spectrum of free‐ interaction or process between the analyte
standing PS film of thickness 12 μm gas and the sensor device, transforms
measured at room temperature [10]. The chemical or biochemical information of a
peaks related with absorption on vibration quantitative or qualitative type into an
of Si‐H (2100 cm‐1) and Si‐O bonds (1100 analytically useful signal” [31]. Sensors have
cm‐1) located on pore surfaces were obser‐ been widely used for environmental moni‐
ved from Fig. 3. These bonds play an toring, industrial safety, homeland security,
important role in regulating optical, clinical diagnostics, automotive etc.
electrical and gas sensing properties of Gas sensors were divided on next main
porous silicon. The effect of isothermal categories: resistive, solid electrolyte, capa‐
annealing of free‐standing PS films on citive, infrared and other. The resistive sen‐
changes of absorption coefficient of Si‐H sors were based on Tin Oxide (SnO2) or
(2100 cm‐1) and Si‐O (1100 cm‐1) peaks is similar metal oxide semiconductors (CuO,
used for estimation of diffusion coefficient WO,TiO2, ZnO, MgO). The working
from equation [1] principle of this type sensor is that the
Q = 2 π‐0.5 SNo (Dt)0.5 (5) resistance of the metal oxide semicon‐
ductor changes when it is exposed to the
Here Q is the total quantity of hydrogen (or
ambient gas because the gas reacts with the
oxygen) penetrating from air into PS film
heated metal oxide surface and change its
(or out‐diffusing from PS film), No = N(0,t)
electronic properties. The sensor usually
is the surface concentration on an external
can be produced by coating a metal oxide
surface of PS film and S is the area of
layer on a substrate with two electrodes
sample. In the range of 65 – 185oC the
pre‐embedded on it. Metal oxide sensors
temperature dependence of hydrogen and
are commonly used for the detection of
oxygen diffusion coefficient along the
hazardous gases, such as NH3, CO, NO,
porous surfaces are described as [10]
etc. One limitation of metal oxide gas
D(H) = 5x10‐10 exp (‐0.37 eV/kT) (6) sensors, however, is their high operating
D(O) = 1.3x10‐8 exp (‐0.50 eV/kT) (7) temperature (350 – 500oC) which leads to
high power consumption.
Fig. 5 shows energy gap in dependency on
porosity of the free standing PS films, The solid electrolyte gas sensor is similar to
calculated from extrapolation of the high semiconductor gas sensor but has voltage
energy part of (α2 ‐ hν) spectra [11]. Near output. Solid electrolyte sensor is typically
linear increase of band gap from 1.4 to 1.9 designed to operate at high temperature.
Number 25, 2009 23
Tayyar Dzhafarov, Sureyya Aydın Yuksel
24 Journal of Qafqaz University
Nano‐Porous Silicon for Gas Sensor and Fuel Cell Applications
the adsorbed molecules or change in ties of the Au/PS structures were analysed
dielectric constent, as a result of gas con‐ by measuring the I‐V characteristics in the
densation inside the pores. dark, in daylight, and under tungsten‐
The large surface to volume ratio (about 103 halogen lamp illumination 150 mW cm‐2).
m2/cm3), high chemical reactivity at room All the investigated structures exhibited
temperature and potential compatibility very weak photosensitivity. The value of
with silicon integration technologies allow the open‐circuit photo voltage in daylight
to fabricate porous silicon based gas sensors. and under tungsten‐halogen lamp illumi‐
Below considered metal/porous silicon nation was 1‐3 mV. Therefore, gas‐sensitive
Schottky type structures operating at room measurements were performed under
temperature as humidity‐sensitive sensor daylight illumination.
or sensors sensitive to hydrogen‐containing The current‐voltage characteristics of Au/PS
gases, do not need to operate under external structure at the normal room conditions (45
voltage bias [8,9,10,11,12,13]. Instead, such %RH, T=300K) showed rectifying proper‐
structures in hydrogen‐containing atmos‐ ties. Here the values of current under
phere produce electricity by themselve. In ‘forward’ voltages (the positive polarity on
other words, metal/PS structures exhibit Au film) are larger than those for ‘reverse’
the properties of both a gas sensor and a voltages. It is worth noting that the recti‐
hydrogen fuel cell. fying characteristics of Au‐PS structures as
Sensor fabrication. The Au/PS/Si structures well as Ag/PS [12] and Cu/PS structures [8]
were fabricated by the evaporation of a were depended on ambient humidity.
thin Au film onto the PS surface with a Herewith the reverse I‐V characteristics
porosity of 65% at room temperature by have more considerable humidity‐stimu‐
using the electron‐beam technique. The lated dependencies than the forward I‐V
thickness of the deposited Au film was 150 characteristics.
nm, as obtained by measurements during The typical reverse I‐V characteristics of
the evaporation using a deposition Au/PS structure in air ambient at 45 %RH,
controller (Inficon, Leybold). Current‐ 70 %RH, 83 %RH, 90 %RH and 99 %RH
voltage (I‐V) characteristics, open‐circuit at room temperature are presented in
voltage (Voc), and short‐circuit current (Fig.7). It is seen that the reverse currents
density (Jsc) of the (Au)/PS/Si and PS/Si considerably increase with the rising of
structures were measured at room tempe‐ relative humidity. The value of current at
rature in air (300 K, 45% relative humidity 99 %RH (for 2V) increases in comparison
(RH)) as well as for different gas atmos‐ with that at 45 %RH (for 2V) by factor 12. It
pheres (humid, CO, and H2S) in the measu‐ will be noted that PS/Si structures (without
ring cell. The concentrations of CO and H2S Au film) showed a weak rectifying charac‐
were measured using a BW Defender teristics and the weak humidity‐sensitive
Multi‐Gas Detector. The gas‐stimulated properties.
open circuit voltage (Voc) and short‐circuit The humidity‐voltaic effect i.e. generation
current density (Jsc) for the contacts to the of a voltage between the contacts to Au
Au film and PS layer (or Si substrate) were film and PS layer under humidity expo‐
measured directly by a Thurlby‐1503 digital sition is observed for Au‐PS structures. The
multimeter. (Fig. 6). RH in the cell was similar effect is earlier discovered for
measured with an Extech‐44470 hygro Ag/PS and Cu/PS structures [8, 12]. Fig. 8
thermometer. The photosensitive proper‐ illustrates the open‐circuit voltage in
Number 25, 2009 25
Tayyar Dzhafarov, Sureyya Aydın Yuksel
dependency on the relative humidity for tration of water molecules in air. The
one of such Au/PS structures. It is seen that voltage generated (about 30 mV), at a zero
the Voc approximately linearly increases concentration of CO gas is related to the
from 15 mV to 400 mV with rise of the humidity of air. The relation between
relative humidity from 51 %RH to 95 %RH. open‐circuit voltage and H2S gas concen‐
The humidity‐sensitivity of Au/PS struc‐ tration is similar (Fig. 11) [9].
ture estimated from curve of Fig. 8 is about
The generation of Voc and Jsc was observed
10 mV/(%RH). The PS‐Si structures without
between the contacts to the Au film and PS
Au film on PS surface displayed the low
layer (or Si substrate), but not between the
value of Voc in humid atmosphere (about of
contacts to the PS layer and Si substrate. In
10 mV at 95%RH).
other words, the presence of the Au film on
The I‐V characteristics of the Au/PS/Si the porous Si is a necessary condition for
structure (thickness of PS film, 10 μm; the generation of electricity in the Au/PS/Si
surface area of Au film, 0.04 cm2) in normal cell in humid, CO, and H2S atmospheres.
air (300 K, 45% RH) and in the presence of The sensitivities of the Au/PS sensors to the
H2S gas are indicate good rectifying pro‐ humidity level and the concentrations of
perties (Fig.9). Also, the current under CO gas and H2S gas were about 8.9
reverse voltage (the negative polarity on mV/RH, 3.6 mV/ppm, and 1.8 mV/ppm,
the Au film) in the H2S atmosphere is a respectively.
factor of 103 larger than that in air, while
the current under the forward voltage bias Fig. 12 shows the response‐recovery beha‐
in H2S is only 1.4 times that in air. The vior of the open‐circuit voltage of the Au/PS
increased fragment of I‐V curve (2) in H2S sensor after successive cycles of placing the
is also shown in Fig. 9. The open‐circuit sensor in a H2S atmosphere (45 ppm). It can
voltage and short‐circuit current are 300 be seen that the response time is about 60 s.
mV and 0.075 mA, respectively. The small Sensitivity of Au/PS sensor to H2S gas (45
value of Isc may be caused by the high ppm) defined from the relation
internal electrical resistance of the Au/PS S={Voc(gas) – Voc(0)}/Voc (0) (8)
cell (about 4×105 Ω).
is equal 16.5. Here Voc(gas) and Voc(0) are
The humidity/hydrogen‐containing gas ‐
the open‐circuit voltage for concentration
voltaic effect, i.e., the generation of the
of H2S gas 45 ppm and 0, respectively.
open‐circuit voltage between the contacts
to the Au film and PS (or Si) after an To summarize, the following experimental
increase in humidity (Fig. 8) or by adding a facts related to the change of the electrical
hydrogen‐containing gas [8, 9, 12, 13], was characteristics after placing the Au/PS
also observed for the Au/PS structure in Schottky‐type structures in a humid, CO,
CO and H2S atmospheres (Fig. 10 and Fig. or H2S gas atmosphere were solidly
11) [9]. Fig. 10 illustrates the dependence of established:
the open‐circuit voltage generated in Au/PS
(1) Placing the Au/PS structures in a humid,
structures on the CO concentration at 45
CO, or H2S gas atmosphere results in
and 58% RH. An almost linear increase of
the increase of both the forward and
Voc is observed with increasing CO
reverse currents, but the latter increase
concentration. Voc also increases with rising
is much greater.
RH. The increase of voltage at higher
humidity observed in Fig.10 can be related (2) Simultaneously, the formation of an
to the influence of the increased concen‐ open‐circuit voltage (up to 480 mV) and
26 Journal of Qafqaz University
Nano‐Porous Silicon for Gas Sensor and Fuel Cell Applications
a short‐circuit current (up to 0.08 mA) the cathode (PS/Si interface) region. Water
was observed for these structures. molecules and oxygen from air can easily
penetrate into the PS/Si interface due to the
(3) However, when the PS/Si structures
imperfections in this area. Here the
(without Au film) were placed in a
hydrogen is recombined and reacts with
humid, CO, or H2S atmosphere, electri‐
oxygen to produce water molecules.
city generation was not observed.
Concerning the the operating principle of
(4) Voc is dependent on the relative humi‐
the Au/PS/Si sensor to detect the CO mole‐
dity and the concentration of CO and
cules, one can suppose that at the first
H2S gases.
stage, the water molecules from the humid
(5) This phenomenon is reversible, i.e., for air in the presence of the Au catalyst
Au/PS structures, inserting and remo‐ interact with the CO, resulting in the
ving the structure from the gas is formation of hydrogen, according to the
accompanied by the response and electrode reaction [25]
recovery of Voc, respectively.
CO + H2O → CO2 + H2 (9)
Thus, the above results, i.e., the voltage
H2 → 2H+ + 2e‐. (10)
generation in the Au/PS/Si Schottky‐type
structures in a humid, CO, or H2S atmos‐ After the reaction described by eq. (9), the
phere indicate, both the gas sensor and fuel formation of electricity proceeds in
cell functionalities of these structures. The accordance with eq. (10). Note that in spite
similar effect of the voltage generation was of the absence of hydrogen in the CO gas,
discovered upon dipping the Au(Ag,Cu)/ this gas is, nevertheless, hydrogen‐
PS/Si structures into different hydrogen‐ producing, as shown by eqs. (9) and (10).
containing solutions (KOH (potassium In the case of Au/PS/Si cell at H2S gas + air
hydroxide), CH3CH2OH (ethanol), CH3OH atmosphere the following reactions take
(methanol), C6H12O6 (glucose), H3BO3 (boric place in the presence of Au catalyst [22]
acid), C5H12 – C16H34 (benzine), NaBH4
(sodium borohydride), Black sea‐water etc) At the anode:
[13]. H2S + 2H2O → SO2 +6H+ + 6e‐ (11)
The mechanism of the generation of the At the cathode:
electricity in the metal/PS/Si cells under 6H+ + 6e‐ +3/2O2 → 3H2O (12)
humid conditions has already been
To overall, the voltage generation mecha‐
proposed [8, 12, 13]. We suggest that in
nism in Au/PS/Si structure at H2S atmos‐
Au/PS/Si cell, similar to Proton Exchange
phere is similar with the above‐described
Membrane (PEM) fuel cell [3], the Au film
mechanism for humid and CO ambient.
and PS layer play the role of the catalytic
anode and electrolyte, respectively. The The Ag/PS structure discovered humidity‐
interface region between the porous and sensitive properties due to change of the
crystalline silicon (PS/Si), which is very capacitance under water vapor exposition.
imperfect and stressed, plays the role of the Fig. 13 shows the humidity‐sensitive
cathode. Electrons and protons formed in properties of Au/PS sensor [19].The strong
Au catalyst film after hydrogen splitting dependence the capacitance on relative
(H2 → 2H+ + 2e‐), pass through the external humidity was observed because of the
circuit and along the pore surfaces of PS dielectric constant of pure water (about 80),
layer (electrolyte), respectively and reach that condensed on pores, is significantly
Number 25, 2009 27
Tayyar Dzhafarov, Sureyya Aydın Yuksel
28 Journal of Qafqaz University
Nano‐Porous Silicon for Gas Sensor and Fuel Cell Applications
Hydrogen or a fuel like methanol applications for PEM cells are stationary
containing hydrogen is fed into the anode, power stations, engines of automobiles,
where the hydrogen atoms, encouraged by power sources for portable electronics etc.
a catalyst, split into protons and electrons
Table 1. Types of fuel cells
according to oxidation reaction
_______________________________________________
H2 →2H+ + 2e‐ (15) Fuel Cell types Fuel Efficiency Operating
(%) temp. (oC)
The protons pass through a selective _______________________________________________
electrolyte membrane, while the electrons
PEM H2 40‐50 ~80
are shunted off to another path, creating a
Direct Methanol Methanol 35 ~80
usable electric current. The protons and
(DMFC) Ethanol
electrons rejoin at the cathode, where the
Solid Oxide H2, CO, 45‐55 700
hydrogen reacts with oxygen from the air
(SOFC) CH4
to form water. Oxygen reduction reaction
Molten Carbonate H2, CO, 50‐60 650
on the cathode can be described as
(MCFC) CH4
2H+ + 2e‐ + 1/2O2 → H2O (16) Phosphoric Acid H2 40‐50 190
Fuel cells run on pure hydrogen gas, which (PAFC)
Number 25, 2009 29
Tayyar Dzhafarov, Sureyya Aydın Yuksel
products and abundant natural resources. structure is very sensitive to NaBH4
However, the application of hydrogen for concentration. The Au/PS/Si structure on
power sources has been greatly restrained dipping into NaBH4 solution also exhibited
due to the lack of safe and convenient the short‐circuit current (about of 2.5
generation and storage methods. Hydrogen mA/cm2). pH measuring of NaBH4 solution
can be stored in high pressure tanks or showed that with increase of concentration
liquefied H2, or by adsorption on activated of NaBH4 from 10 to 30 mg/ml, pH of the
carbon, carbon nanotubes or in hydrogen‐ solution increases from 9.3 to 9.5, i.e.
storing alloy [26]. Among hydrogen‐storing increase of pH of NaBH4 solution results in
materials, sodium borohydride (NaBH4) increase of voltage generated in the cell
due to the high hydrogen content (about of (Fig. 15). It should be noted that, as opposed
10% wt or 100 kg/m3) is suggested as new to Au/PS/Si structure, in PS/Si structure
fuel media supplying hydrogen at normal (without the Au film) the marked gene‐
temperatures. The catalyc hydrolysis of ration of electricity on dipping its in NaBH4
sodium borohydride proceeds as solution was not observed.
NaBH4 + 2H2O → NaBO2 + 4H2 (20) The Voc‐N dependence observed in Fig. 15
can be explained by two concurrent pheno‐
As result of this reaction, each mole NaBH4 mena. The increase of NaBH4 concentra‐
can generate 4 moles of hydrogen gas. This tion, for the relative low contents of NaBH4
is a very effective system, since we are (N<30 mg/ml), is accompanied by increasing
getting hydrogen out of the water as well. of proton concentration (up to 2x1011 cm‐3)
We get eight hydrogen atoms (four mole‐ and this results in rising of voltage. On the
cules) from just four atoms of hydrogen in other hand, at large contents of NaBH4
the NaBH4.. The hydrogen is formed right (N>30 mg/ml), products of reaction (17)
there on the anode, and is thus precipitate in pores of Au and porous
immediately used by the fuel cells. NaBH4 silicon and thereby hindering penetration
is a nonreversible chemical hydride for the
of protons to interface. Thus, Schottky‐type
one‐time hydrolysis generation of H2. It is
Au/PS/Si structures sunk in NaBH4 and
shown that NaBO2 byproduct of reaction
other hydrogen‐containing solutions gene‐
(12) can be recycle back to NaBH4 using
rate a voltage up to 550 mV. These data
coke or membrane [27]
indicate on perspectivity of using Au/PS/Si
The effect, similar to humidity‐voltaic effect structures as hydrogen cells.
[8 ], i.e. the generation a voltage between
Fig. 16 shows the open‐circuit voltage ge‐
the contacts to Au film and Si under
neration for the Au/PS/Si cell in H2S+dH2O
humidity exposition, was also discovered
solution at different concentration of H2S.
on dipping of Au/PS/Si structure into
Almost linear increase of voltage (from 230
NaBH4 solution. Fig. 15 illustrates the
open‐circuit voltage arising in Au/PS/PS to 400 mV) is observed with increasing the
structure dependent on the concentration H2S concentration from 17 to 75 mM. Value
of NaBH4 solution (N) [16,17]. It is seen of Voc in pure water (120 mV) is markedly
that the Voc – N dependence seems to be a lower than that in hydrogen sulphide‐
curve with a maximum (Voc =550 mV) at N containing solution [18]. Fig. 17 shows the
= 30 mg/ml. In the range of concentration of current‐voltage‐power output of Au/PS/Si
NaBH4 solution up to 30 mg/ml gradient of cell in H2S+dH2O solution. Results were
curve (dVoc/dN) is large (about 13 mV.ml/ gained at room temperature with 0.08M
mg), i.e. voltage generated in Au/PS/Si hydrogen sulphide. From the polarization
30 Journal of Qafqaz University
Nano‐Porous Silicon for Gas Sensor and Fuel Cell Applications
Black sea‐water contains significant con‐ [10] T.D. Dzhafarov, B. Can, J. Materials Science
Letters, 19 (2000) 287‐289.
centration of hydrogen sulphide (about
[11] T.D. Dzhafarov, S. Aydin, C. Oruc Lus, Fizika,
0.05‐1.50 mg/ml depending on deep water). 13 (2007) 17‐20.
As can be seen from Table 2, the correlation [12] T. D. Dzhafarov and B. Can: J. Mater. Sci. Lett.
between changes of the Voc and Jsc 19 (2000) 2193‐2195.
parameters of Ag/PS/Si cells and the [13] T. D. Dzhafarov, C. Oruc, and S. Aydin: J. Phys.
conductivity of hydrogen‐containing solu‐ D: 37 (2004) 404‐408.
[14] T.D. Dzhafarov, S. Aydin, D. Oren, Solid State
tion is observed. Such correlation can be
Phenomena, 131‐133 (2008) 189‐194.
tentatively explained by an increase of
[15] T.D. Dzhafarov, S. Aydin, J. Porous Media, 13,
concentration of the charge particles, depo‐ issue 1 (2009).
sited on the pore surfaces with increase of [16] T.D. Dzhafarov, C. Oruc Lus, S.Aydin, Metal/
conductivity of solutions. Porous Silicon Schottky‐type Hydrogen Fuel
Number 25, 2009 31
Tayyar Dzhafarov, Sureyya Aydın Yuksel
Fig. 1. Photoluminescence spectra of the PS film and
bulk Si (300 K).
Fig. 1. Photoluminescence spectra of the PS film and
Fig. 2. Cross‐sectional view of lateral anodization cell. bulk Si (300 K).
32 Journal of Qafqaz University
Nano‐Porous Silicon for Gas Sensor and Fuel Cell Applications
1.8
Eg (eV)
1.6
1.4
1.2
Fig. 2. Cross‐sectional view of lateral anodization cell. 20 40 60 80 100
Gözeneklilik (%)
Fig. 5. Energy band gap in depending on porosity of
PS film (40 %RH, 300K).
Fig. 6. Schematic sketch of Metal/PS/Si structure.
a)
(b)
Fig. 7. Reverse I‐V characteristics of Au/PS structure
Fig. 3. Scanning electron microscopy of porous
in humid ambient ( (1) 45, (2) 70, (3) 83, (4) 90 and (5)
silicon layer (a is top and b is the cross‐section).
99 %RH).
500
400 I
I
300 I
V0C (mV)
200 II
I
II
100
I
0 II
50 60 70 80 90 100
Relative Humidity (%)
Fig. 4. FTIR spectrum of porous silicon film (300 K). Fig. 8. The open‐circuit voltage – RH dependence for
Au/PS structure (300 K).
Number 25, 2009 33
Tayyar Dzhafarov, Sureyya Aydın Yuksel
400
H2S air H 2S air H 2S air H 2S air
Voc(mV)
350
300
250
200
150
100
50
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
t (min)
Fig. 12. Voltage response of the Au/PS/Si sensor
exposed to H2S gas (45 ppm).
Fig. 9. I‐V characteristics of Au/PS structure in (1) air
(45 %RH, 300 K) and (2) H2S (45 ppm).
Fig. 10. Voltage generated by Au/PS/Si sensor as a Fig. 13. Capacitance change with humid ambient for
function of the CO gas concentration in (1) 45 % RH Ag/PS/Si structure (50 Hz, 300 K).
and (2) 58 % RH.
600
Voc(mV)
500
400
300
200
100
0
0 50 100 150
H2 S Concentration (ppm)
Fig. 11. Voltage generated by Au/PS/Si sensor as a Fig. 14. Proton Exchange Membrane type hydrogen
function of the H2S gas concentration. fuel cell.
34 Journal of Qafqaz University
Nano‐Porous Silicon for Gas Sensor and Fuel Cell Applications
600
400
V (mV)
200
0
0 20 40 60 80
N (mg/ml)
Fig. 15. The voltage generation in Au/PS/Si cell as a Fig. 17. (1) The current‐voltage (I‐V) characteristic
function of NaBH4 contains in NaBH4:H2O solution. and corresponding (2) power density curve of
Au/PS/Si cell in H2S+dH2O solution (0.08 M).
Fig. 16. The voltage generation in Au/PS/Si cell as a
function of H2S concentration in distilled water.
Number 25, 2009 35
İKİÖLÇÜLÜ DALĞA TƏNLİYİNİN QRUP NƏZƏRİYYƏSİ
METODU İLƏ TƏDQİQİ
Ə.Q. AĞAMALIYEV
Bakı Dövlət Universiteti
Bakı / AZƏRBAYCAN
XÜLASƏ
Məqalədə ikiölçülü dalğa tənliyinin maksimal invariantlıq qrupu tapılmışdır. Göstərilmişdir ki, həmin qrup
11 parametrli kəsilməz Li qrupundan ibarətdir. Alınmış qrupun elementləri ikiölçülü Lorents qrupu və konform
çevirmələrin elementlərindən ibarətdir.
Açar sözlər: dalğa tənliyi, invariant, Li qrupu
INVESTIGATION OF THE TWEDIMENSIONAL WAVE EQUATION
FROM THE GROUP POINT OF VIEW
SUMMARY
The two dimensional wave equation from the group point of view has been investigated. The maximal
invariable group of the equation founded in this group is 11‐parameters Li group.
Key words: wave equation, invarianse, Li group
Bildiyimiz kimi, hər bir fiziki məsələnin İbraqimov [5] tərəfindən verilmişdir. Həmin
həlli diferensial, inteqral və ya inteqro‐ metod invariantlıq operatorlarının davamı
diferensial tənliklərin qurulması və onların metodu adlanır. Bu metodda göstərilir ki,
həllinə gətirir. Həmin tənliklərin analitik s tərtibli
F ( x, u , u1 , u 2 , K , u s ) = 0
şəkildə həlli isə həmişə mümkün olmur. Bu
səbəbdən də fiziki sistemin hərəkətinin xa‐
şəklində verilmiş tənliyin invariantlıq şərti
(X F )
rakteri haqqında hərəkət tənliklərini həll
etmədən müəyyən informasiya əldə etmək = 0 (1)
s F =0
lazım gəlir. Bunun üçün sistemin hərəkət
inteqrallarını və ya saxlanan kəmiyyətləri tənliyi vasitəsilə ifadə olunur. Buradakı X
s
bilmək kifayət edir. Saxlanan kəmiyyətləri
operatoru tənliyi invariant saxlayan
bilmək üçün isə sistemin simmetriyasını
∂ ∂
bilmək kifayətdir. X = ςi +ηα α
∂x1 ∂u
Sistemin simmetriyası ilə saxlanan kəmiy‐
yətlər arasında əlaqə Nyoter teoremi [1,2,3] operatorun s ‐ci tərtibdən davam operato‐
vasitəsilə ifadə edilir. Bu səbəbdən də siste‐ rudur. s ‐ indeksinin qiyməti verilmiş tən‐
min simmetriyasını, başqa sözlə, sistemin liyin tərtibinə, i ‐ indeksinin qiyməti tənli‐
invariantlıq qrupunu tapmaq mühüm əmə‐ yə daxil olan asılı olmayan dəyişənlərin
liyyat kəsb edir. Belə məsələlərin qoyuluşu sayına, α ‐ indeksinin qiyməti tənlikdəki
və həlli metodu S.Li, Ovsyannikov [4] və funksiyaların sayına bərabərdir.
36 Journal of Qafqaz University
İkiölçülü Dalğa Tənliyinin Qrup Nəzəriyyəsi Metodu ilə Tədqiqi
Bizim tədqiq etdiyimiz dalğa tənliyi (X F )
2
1
F =0
{
= η tt + u tt (η u − 2ξ t1 ) +
u tt − (u xx + u yy ) = 0 (2) + u t (2η ut − ξ tt1 ) − 2u tx ξ t2 − u x ξ tt2 − 2u ty ξ t3 −
şəklində olduğundan s = 2 ; α = 1 ; i = 3
qiymətlər almalıdırlar. Deməli, bizə ikinci
[
u y ξ tt3 + (u t ) 2 η uu − η xz _ u xx (η u − 2ξ x2 ) +
tərtibdən davam operatorunu bilmək la‐ + u x (2η ux − 2ξ xx2 ) − 2u tx ξ x1 − u t ξ xx1 − 2u xy ξ x3 −
zımdır. Həmin operator − u y ξ xx3 + (u x ) 2 η uu + η uu + u yy (η u − 2ξ y3 ) +
∂ ∂ + u y (2η uu − ξ yy3 ) − 2u ty ξ 1y −
X = X + ς iα α
+ ς ijα α (3)
∂u i ∂u ij
]}
2
α
− u t ξ 1yy − 2u xy ξ y2 − u x ξ yy2 + (u y ) 2 η uu =0
kimi təyin olunur. Buraya daxil olan ς i , və F =0
(5)
ς ijα kəmiyyətləri
Alınmış (5) tənliyində, t , x, y, u , u x , u y , u xx ,
ς i = Di (η
α
) − u D (ξ )
α α
j i
j
u xy , u xt və s. ifadələrinin hər biri asılı olma‐
α
ς ij = D (ς ) − u D (ξ )
j
α
i
α
ik j
k
yan kəmiyyətlər sayılır. Ona görə də həmin
∂ ∂ ∂ tənlik eyniyyətlə ödənilməlidir. Bunun
Di = + uiα α + uijα α üçün isə həmin kəmiyyətlərin əmsalları
∂xi ∂u ∂u j
eyniyyətlə sıfıra bərabər olmalıdırlar.
düsturları vasitəsilə təyin olunurlar.
Əvvəlcə, ən yüksək tərtibli törəmə daxil
Hesablamalardan alınır ki, ikiölçülü dalğa olan hədlərin əmsallarından başlayaq:
tənliyinin invariantlıq şərti aşağıdakı for‐
mada olur: u xt ‐nin əmsalı − 2ξ t2 + 2ξ x1 = 0 ;
( )
X F
2 F =0
= [ς 11 − (ς 22 + ς 33 )]F =0 = 0 (4) buradan ξ t2 = ξ x1
u yt ‐nin əmsalı − 2ξ t3 + 2ξ 1y = 0 ;
Deməli ikiölçülü dalğa tənliyinin invariant‐
lıq qrupunu tapmaq üçün (4) tənliyini həll buradan ξ t3 = ξ 1y (6)
etmək lazımdır. Bunun üçün ς 11 , ς 22 və u xy ‐nin əmsalı 2ξ x3 + 2ξ y2 = 0 ;
ς 33 kəmiyyətlərini tapmaq lazımdır. Həmin buradan ξ x3 = −ξ y2
ifadələri tapmaq üçün yuxarıda verilmiş
ümumi düsturlardan istifadə etməliyik. (5) tənliyindəki u xx , u yy ifadələrinin əmsal‐
Hesablamalardan alınır ki, ları qruplaşdırıb sıfıra bərabər etmək üçün
ς 11 = η tt + 2u tη ut + u ttη u + (u t ) η uu 2 əvvəlcə utt ‐nin əvəzinə dalğa tənliyindən
istifadə edərək
− 2u tx ξ t2 − u x ξ tt2 − 2u tt ξ t1 − u t ξ tt1 −
utt = u xx + u yy
− 2u ty ξ t3 − u y ξ tt3 ;
ς 22 = η xx + 2u xη ux + u xxη u + (u x ) 2 η uu − yazaq və alınan ifadədə u xx və u yy əmsal‐
larını sıfıra bərabər qılaq:
− 2u tx ξ x1 − u t ξ xx1 − 2u xx ξ x2 − u x ξ xx2 − 2u xy ξ x3 ;
ς 33 = η yy + u yy (η u − 2ξ y3 ) + u y (2η uy − ξ yy3 ) − u xx ‐nin əmsalı η u − 2ξ t1 − η u + 2ξ x2 = 0 ;
buradan ξ t1 = ξ x2
− 2u ty ξ 1y − u t ξ 1yy − 2u xy ξ y2 − u xξ yy2 + (u y ) 2 η uu ;
ς 11 , ς 22 və ς 33 kəmiyyətlərinin bu ifadə‐ u yy ‐nin əmsalı η u − 2ξ t1 − η u + 2ξ y3 = 0 ;
lərini tənliyin invariantlıq şərtində yerinə buradan ξ t1 = ξ y3 (7)
yazdıqdan sonra invariantlıq şərti aşağıda‐
kı şəkil alır: və ya alarıq ki, ξ t1 = ξ x2 = ξ y3 .
Number 25, 2009 37
Ə.Q. Ağamalıyev
38 Journal of Qafqaz University
İkiölçülü Dalğa Tənliyinin Qrup Nəzəriyyəsi Metodu ilə Tədqiqi
çevirməsi, X 8 , X 9 , X 10 isə konform çevir‐ 4. Oвсянникoв Л.В. «Группoвoй aнaлиз диффe‐
рeнциaльныx урaвнeний» Мoсквa 1978
mənin operatorlarıdır. 5. Ибрaгимoв Н.X. «Группы прeoбрaзoвaний в
Qeyd etməliyəm ki, analoji məsələ «Elastik‐ мaтeмaтичeскoй физикe», Мoсквa 1983
Number 25, 2009 39
KOMPLEKS KONSANTRELERDEKİ BAKIR VE ÇİNKONUN
SELEKTİF ÇÖZELTME İMKÂNLARI ÜZERİNE BİR ARAŞTIRMA
Mustafa AKDAĞ
Qafqaz Üniversitesi, Prof. Dr., Rektör Yrd.
Bakü /AZERBAYCAN
m_akdag@hotmail.com
ÖZET
Bakır, çinko ve kurşun metal minerallerini birlikte içeren konsantrelerin üretimi daha pratik ve yaygındır.
Ancak, bu tür konsantrelerde bulunan bu değerlerin metalürjik kazanımlarında zayiatlara ve çevre kirlenmesine
sebep olan pirometalurjik proseslerden çok hidrometalürjik prosesler tercih edilmektedir. Bu nedenle bu araştır‐
mada sülfürik asitli sulu ortamda selektif çözeltme tekniği uygulanmış ve optimal şartlarda bakırın %6.5 kada‐
rının çözünmesine karşılık çinkonun %98’e yakınının çözelti bünyesine alınması başarılmıştır.
Anahtar kelimeler: Kompleks cevher, hidrometalürji, bakır‐çinko‐kurşun
AN INVESTIGATION INTO THE SELECTIVE SOLUBILIZATION POSSIBILITIES OF
COPPER AND ZINC BEARING BULK CONCENTRATES
ABSTRACT
A bulk concentrate sample had been dissolved in sulphate solutions with function of time, temperature,
agitation speed, acid concentration, oxygen pressure and pulp density. In the paper, only dissolution result is
explained from the leaching programme. After three hours, dissolution of sample under the optimum conditions
6.5% of copper and 98% of zinc recoveries are achieved.
Key words: Complex ores, hydrometallurgy, copper‐zinc‐lead
1. Giriş söz konusudur [2,6]. Bu tür konsantreler‐
deki metalik değerlerin kazanılması yö‐
Cevher tenörlerinin günümüzde düşmeleri
nünde yapılan ve yapılmakta olan araştır‐
karşısında mevcut tesislerin konsantre üre‐
maların yanı sıra, bunların bir kısmı pilot
tim kapasitelerini muhafaza etme bakımın‐
çapta uygulamaya sokulmuştur [7‐9].
dan yeni zenginleştirme alternatiflerinin ve
buna uygun metalürjik proseslerin gelişti‐ Bu araştırmada Doğu Karadeniz Bölgesin‐
rilmesi zorunlu hale gelmiştir. Bunun en den çıkarılan cevherlerden konsantre ha‐
açık örneği, artık selektif konsantrelerin üre‐ line getirilmiş olan bakır‐çinko‐kurşun nu‐
tilmesi ve bunlardaki metalik değerlerin muneleri üzerinde sulu sülfürik asitli or‐
zayi edilmeden kazanılabilmesini esas alan tamda çinkonun bakıra nispetle selektif ola‐
araştırmaların yoğunluğudur[1‐5]. Türki‐ rak çözeltiye alınması üzerinde çalışılmıştır.
ye’nin özellikle Doğu Karadeniz Bölgesin‐
de yoğunlaşan kompleks cevherlerden bir‐ 2. Deneysel Çalışma
kaç metali birlikte içeren bulk konsantre‐
2.1. Deneysel Çalışmaya Esas Olan Ön Bilgi:
lerin üretilmesinde, selektif konsantrelerin
üretilmesine nispeten büyük kolaylıklar, Sulandırılmış sülfüric asitli ortamda önem‐
verim üstünlüğü ve ekonomik avantajlar li bir çinko minerali olan sphalerite’in çö‐
40 Journal of Qafqaz University
Kompleks Konsantrelerdeki Bakır ve Çinkonun Selektif Çözeltme İmkânları Üzerine Bir Araştırma
PbS+H2SO4=PbSO4 +H2S, (7)
Bazen de galenin ferric sülfat ile aşağıdaki
reaksiyonu yaptığı bilinmektedir:
Şekil 2.1. Çözeltme deneylerinin gerçekleştirildiği
PbS + Fe2(SO4)3 =PbSO4 +FeSO4 + S0, (8) otoklav düzeneği
2.2.Malzeme ve Metot: Çözeltme ve numune alma hassasiyetleri göz
Deneysel çalışmalarda Harşit‐Köprübaşı önünde bulundurularak yapılan deneyler‐
cevherlerinden flotasyon yoluyla üretilmiş de kullanılan parametreler ve kullanılma
olan kompleks konsantre kullanılmıştır. aralıkları ayrıca Tablo 2.2’de verilmiştir.
Number 25, 2009 41
Mustafa Akdağ
Tablo 2.2. Deneylerde Kullanılan Parametreler ve Kullanılma Aralıkları
Her deney için öngörülen malzeme ve çö‐ sıcaklığın biraz üzerinde olduğu söylene‐
zücü hazırlandıktan sonra otoklava yerleş‐ bilir.
tirilmiş ve otoklav içerisindeki hava saf
oksijenle dışarıya süpürüldükten sonra,
yine o deney için öngörülen şartlara ulaşıl‐
dığı an deney başlangıcı kabul edilmiştir.
Deney esnasında 30‐60‐90‐120‐150 ve 180.
dakikalarda analiz numuneleri alınmıştır.
3. Sonuçlar ve İrdelemeler
3.1. Sıcaklığın Tesiri:
Oksijen basıncının 5 atm., karıştırma hızının
400 d/d,katı oranının %5 ve sülfürik asidin
konsantredeki bakır ve çinkonun tamamı‐
nın çözeltiye geçmesine yetecek (stokio‐
metrik miktar) kadar kullanıldığı deneyler‐
de, şekil 3.1’den de açıkça görüldüğü üze‐
re, çözeltme süresine bağlı olarak bakır ve
çinkonun çözeltiye geçme miktarı (%si) art‐
makla birlikte, (1) çinkonun bakıra nispetle
daha açık bir farkla, daha yüksek oranlarda
Şekil 3.1. Sıcaklığın bakır ve çinko çözünürlüğü
çözündüğü (2) yüksek sıcaklıklara doğru
üzerinde etkisi
çıkıldıkça bakırın çözünme veriminde düş‐
me, çinkonun çözünme veriminde ise, tam 3.2.Basıncın Tesiri:
aksine, artma söz konusudur. Bu iki sebe‐
Sıcaklığın 600C, karıştırma hızının 400 d/d,
bin, iki farklı mineralin farklı çözünme
katı oranının %5 ve sülfürik asitin kon‐
mekanizmasından ve meydana gelen ele‐
santredeki bakır ve çinkonun tamamının
ment kükürt tarafından her iki mineralin
çözeltiye geçmesine yetecek (stokiometrik
yüzeyinde oluşturduğu koruyucu tabaka‐
miktar)kadar kullanıldığı deneylerde, şekil
nın çözücü difüzyonuna gösterdiği farklı
3.2’de görüldüğü üzere, her iki metalin çö‐
direnç özelliğinden kaynaklandığı sanıl‐
zünme verimleri oksijen basıncı ile doğru
maktadır [14] .
orantılıdır. Ancak, şekil 3.2 ‘de görüldüğü
Araştırmada hedeflenen selektif çözünme üzere, yine çinko minerali olan sphalerite
amacını sağlayan optimal sıcaklığın 1100C ile bakırı bünyesinde barındıran tedrahed‐
42 Journal of Qafqaz University
Kompleks Konsantrelerdeki Bakır ve Çinkonun Selektif Çözeltme İmkânları Üzerine Bir Araştırma
3.4. Karıştırma Hızının Tesiri:
Sıcaklığın 600C, oksijen basıncının 5 atm.,
sülfürik asitin stokiometrik, katı oranının
Şekil 3.2. Oksijen basıncının bakır ve çinko çözünür‐
lüğü üzerinde etkisi
çözünme verimi, basınç bu değerin 4 katına
çıkarılmasına rağmen ancak %22,9 olmuş‐
tur. Buna karşılık gelen çinko değerleri ise,
aynı sıraya göre %45,4 ve %85,3 tür.
3.3. Sülfürik Asit Konsantrasyonunun
Tesiri:
Oksijen basıncının 5 atm, sıcaklığın 600C,
karıştırma hızının 400 d/d, katı oranının %5
olarak kullanıldığı bu deney serisinde, şekil
3.3’te görüldüğü üzere, bakır ve çinkoya
yetecek miktarın (stokiometrik miktar) çok
üzerinde asit kullanmanın faydası yoktur.
Hatta fazla asit kullanmanın bakır çözü‐
nürlüğünü menfi yönde etkilediği de söyle‐
nebilir. Optimal sülfürik asit ihtiyacı olarak
stokiometrik miktarın 1,5‐2 katının yeterli
olduğu açıkça görülmektedir. Bu durumda
bakır çözünürlüğü %11‐12, çinko çözünür‐ Şekil 3.4. Karıştırma hızının bakır ve çinko çö‐
lüğü ise % 54‐65 arasında olmaktadır. zünürlüğü üzerinde etkisi
Number 25, 2009 43
Mustafa Akdağ
44 Journal of Qafqaz University
Kompleks Konsantrelerdeki Bakır ve Çinkonun Selektif Çözeltme İmkânları Üzerine Bir Araştırma
Number 25, 2009 45
ABOUT STRUCTURAL CHANGES IN POLYETHYLENE
GLYCOL ‐ C4O6H4Na2 ‐ WATER TWO‐PHASE SYSTEM
E.A. MASIMOV, H.F. ABBASOV, T.O. BAGIROV
Baku State University,
Institute for Physics Problems
Baku / AZERBAIJAN
hakimabbasov@yahoo.com
ÖZET
The structural changes in the homogeneous and heterogeneous regions of the polyethylene glycol ‐
C4O6H4Na2‐ Н2O two‐phase system have been investigated by low frequency dielectric spectroscopy method. The
influence of molecule mass and concentrations of the polymer and of the salt on the dimension of water
associates, occurring in the considered water solutions has been studied.
Key words: polyethylene glycol, dispersion, relaxator.
POLİETİLENQLİKOL ‐ C4O6H4Na2 ‐ Н2O İKİFAZALI SİSTEMİNDƏ
STRUCTUR DƏYİŞİKLİKLƏRİ BARƏDƏ
XÜLASƏ
Polietilenqlikol ‐ C4O6H4Na2 ‐ Н2O ikifazalı sistemin homogen və heterogen oblastlarında struktur dəyişik‐
likləri aşağı tezlikli dielektrik spektroskopiya metodu ilə tədqiq edilmişdir. Polimerin molekulyar kütləsinin və
konsentrasiyasının, həmçinin, duzun konsentrasiyasının baxılan su məhlullarında mövcud olan su assosiatlarının
ölçülərinə təsiri öyrənilmişdir.
Açar sözlər: polietilenqlikol, dispersiya, relaksator.
It is well known that the functional activity, Cole‐Cole diagram for every water solution
the conformation and the structure of and it was determined the relaxation time
biological objects are strongly depend on corresponding to the relaxator, which reply
the thermodynamic state of containing for the dielectric losses. For estimate of the
inside them water [1]. Recently in our radius of these relaxators it was used the
laboratory it was obtained the two‐phase following formula, on the assumption of
system having great segregation ability in spherical form of the associates [3]:
comparison with the polymer‐polymer
two‐phase systems: water solution of τ 0 kT
a=3
polyethylene glycol (PEG) with the salt 4πη
C4O6H4Na2. 1
Where τ 0 = a relaxation time, k is the
In this work dielectric behavior of both the 2πν 0
bottom and upper phases of the hetero‐ Boltzman constant, T is the absolute
geneous and homogeneous regions have
temperature, η is the dynamic viscosity of
been investigated by low frequency dielectric
spectroscopy [2]. It was constructed the solution and ν 0 is the relaxation frequency.
46 Journal of Qafqaz University
About Structural Changes in Polyethylene Glycol ‐ C4O6H4Na2 ‐ Water Two‐Phase System
Number 25, 2009 47
E.A. Masimov, H.F. Abbasov, T.O. Bagirov
2 45
Relaxator radius, nm
50
30 1 35
10
0 10000 20000 30000 40000 25
8 10 12 14 16
Molecular mass of PEG
Concentration , %
Fig. 1. The dependences of the relaxator radius on Fig. 4. The dependence of the relaxator
the molecular mass of PEG in the hetero‐ radius on the concentration of the salt
geneous region of the two‐phase system PEG‐ C4O6H4Na2. in the case of constant relative
C4O6H4Na2.– H2O; 1 ‐ bottom phase, 2 ‐ upper molecular mass of the PEG (M=3000) in the
phase homogeny region of the two‐phase system
PEG‐ C4O6H4Na2.– H2O
Relaxator radius, nm
60 60
Relaxator radius, nm
40 40
20
20
0
0 10000 20000 30000 40000 0
0 0.2 0.4 0.6
Molecular mass of PEG
Concentration of KOH, mol/l
Fig. 2. The dependence of the relaxator radius on the
relative molecular mass of PEG for the Fig. 5. The dependence of the relaxator radius on the
system 12% PEG – Н2О ‐ 0.1mol/l KOH concentration of KOH for the system Н2О –
KOH
Relaxator radius, nm
250.46
Relaxator radius, nm
60 187.85
125.23
62.62
0.00
40
0 0.2 0.4 0.6
0 2 4
Concetration of NaOH, mol/l
Concentration of PEG, %
Fig. 3. The dependence of the relaxator radius on the Fig. 6. The dependence of the relaxator
concentration of PEG for the system PEG radius on the concentration of NaOH for the
3000 – Н2О ‐ 0.1mol/l NaOH system Н2О ‐ NaOH
48 Journal of Qafqaz University
HEPTAPEPTİD MOLEKULUNUN NƏZƏRİ
KONFORMASİYA ANALİZİ
N.A. ƏHMƏDOV, R.M. ABBASLI, E.M.HƏSƏNOV
Bakı Dövlət Universiteti,
Fizika Problemləri İnstitutu
Bakı / AZƏRBAYCAN
namig.49@bk.ru
XÜLASƏ
Nəzəri konformasiya analizi üsulu ilə kardiofəal peptidlər fəsiləsinə daxil olan Ala1‐Gln2‐Thr3‐Phe4‐Val5‐
Arg6‐Phe7‐NH2 heptapeptid molekulunun fəza quruluşu tədqiq edilmişdir. Hesablamalar nəticəsində müəyyən
edilmişdir ki, heptapeptid molekulun fəza quruluşu əsas zəncirin 12 formasının stabil konformasiyaları ilə tərən‐
nüm olunur.
Açar sözlər: konformasiya, struktur, peptid, kardiofəal, molekul.
SPATIAL STRUCTURE OF THE HEPTAPEPTIDE MOLECULE
ABSTRACT
The spatial structure of the cardioactive heptapeptide molecule Ala1‐Gln2‐Thr3‐Phe4‐Val5‐Arg6‐Phe7‐NH2
has been investigated using theoretical conformational analysis. Conformational fragmental analysis indicates
that the spatial structure of this molecule can be described by set of 12 stable backbone forms.
Key words: conformational analysis, spatial structure, peptide, cardioactive, molecule.
Peptid molekullarının yerinə yetirdikləri gen rabitəsi enerjisinin cəmi şəklində seçil‐
funksiyalar onların fəza quruluşları ilə əla‐ mişdir. Qeyri‐valent qarşılıqlı təsir enerjisi
qədardır. Onların yerinə yetirdikləri funk‐ Lennard‐Cons potensialı ilə Skott və Şera‐
siyaları başa düşmək üçün, quruluş‐funk‐ qanin təklif etdiyi parametrlərlə hesablan‐
siya əlaqələrinin öyrənilməsi üçün fəza qu‐ mişdır [9]. Molekulun konformasiya im‐
ruluşlarının öyrənilməsi zəruridir. Bir necə kanları su mühitində öyrənilmişdir [10].
müddətdir ki, kardiofəal peptidləri quru‐ Hidrogen rabitəsinin enerjisi Morze poten‐
luş‐funksiya əlaqələri tədqiq edilir [1‐8]. sialı ilə hesablanmışdır [11]. Torsion qarşı‐
Ala1‐Gln2‐Thr3‐Phe4‐Val5‐Arg6‐Phe7‐NH2 lıqlı təsir enerjilərini hesablamaq üçün po‐
heptapeptid molekulu kardiofəal peptidlər tensial funksiyalar, atomlardakı parsial yük‐
fəsiləsinə daxildir və aparılan elmi işlərin lərin qiymətləri, valent bucaqlarının qiy‐
davamıdır. mətləri və valent rabitələrinin uzunluqları
Momani və Şeraqanın məqaləsindən götü‐
Heptapeptid Ala1‐Gln2‐Thr3‐Phe4‐Val5‐
rülmüşdür [12]. İkiüzlü fırlanma bucaqla‐
Arg6‐Phe7‐NH2 molekulunun fəza quru‐
rının işarələri və qiymətləri beynəlxalq no‐
luşu nəzəri konformasiya analizi metodu
menklaturaya uyğundur [13].
ilə tədqiq edilmişdir. Molekulun fəza qu‐
ruluşunu öyrənmək üçün sistemin poten‐ Ala1‐Gln2‐Thr3‐Phe4‐Val5‐Arg6‐Phe7‐NH2
sial enerjisi qeyri‐valent, elektrostatik, tor‐ heptapeptid molekulunun fəza quruluşu
sion qarşılıqlı təsir enerjilərinin və hidro‐ onu fragmentlərə ayırmaqla öyrənilmişdir.
Number 25, 2009 49
N.A. Əhmədov, R.M. Abbaslı, E.M.Həsənov
50 Journal of Qafqaz University
Heptapeptid Molekulunun Nəzəri Konformasiya Analizi
enerjisi 2.1 kkal/mol olan RR211 R12 B1 R1 və mütəhərrikliyinə malik olduğunu söy‐
R3222R2 konformasiyasında dördüncu amin‐ ləmək olmaz.
turşu qalığı fenilalanində başqa digərləri Ala1‐Gln2‐Thr3‐Phe4‐Val5‐Arg6‐Phe7‐NH2
əsas zəncirin R formasındadırlar.
molekulunun fəza quruluşunun öyrənil‐
Heptapeptid molekulun N‐ və C‐tərəf tri‐ məsi göstərir ki, molekul elə fəza quruluş‐
peptid fraqmentləri yeddi şeyplə tərənnüm ları yığımına malik olur ki, o müxtəlif bio‐
olunmuşdur. Ona görə də molekulun hansı loji funksiyaları yerinə yetirə bilər.
hissəsinin daha çox konformasiya şərtliyinə
Cədvəl 1. Ala1‐Gln2‐Thr3‐Phe4‐Val5‐Arg6‐Phe7‐NH2 molekulunun stabil konformasiyaları (enerjilər kkal/mol‐la)
Cədvəl 2. Ala2‐Gln2‐Thr3‐Phe4‐Val5‐Arg6‐Phe7‐NH2 molekulunun RB211B22B3B1B3322B3 (Unis=0 kkal/mol, 1 sətr),
RB211R12B1B1B3322B3 (Unis=0 kkal/mol, 2sətr), RB211B12R3B1R2122R3 (Unis=1,3 kkal/mol, 3 sətr) konformasiya‐
larında aminturşu qalıqları arasında və daxilində qarşılıqlı təsir enerjiləri
Number 25, 2009 51
N.A. Əhmədov, R.M. Abbaslı, E.M.Həsənov
Cədvəl 3. Ala1‐Gln2‐Thr3‐Phe4‐Val5‐Arg6‐Phe7‐NH2 molekulunun stabil konformasiyalarının həndəsi parametr‐
ləri (ikiüzlü fırlanma bucaqlarının qiymətləri φ,ψ,ώ,χ11, χ12, ardıcıllığı ilə dərəcələrlə verilmişdir).
E nisbi 0 0 1,3
Şəkil 1. Ala1‐Gln2‐Thr3‐Phe4‐Val5‐Arg6‐Phe7‐NH2 Şəkil 2. Ala1‐Gln2‐Thr3‐Phe4‐Val5‐Arg6‐Phe7‐NH2
molekulunun stabil konformasiası molekulunun stabil konformasiası
RB211 B22B3B1B3322B3 (Unis=0 kkal/mol) RB211 R22B1B1B3322B3 (Unis=0 kkal/mol)
52 Journal of Qafqaz University
Heptapeptid Molekulunun Nəzəri Konformasiya Analizi
Şəkil 3. Ala1‐Gln2‐Thr3‐Phe4‐Val5‐Arg6‐Phe7‐NH2
molekulunun stabil konformasiası
BB211B12R3B1R2122R3 (Unis=1.3 kkal/mol)
ƏDƏBİYYAT
1. Исмаилова Л.И., Ахмедов Н.А., Ахмедова С.Р.
// Биофизика, 1997, т.42, Вып.4, с.796‐805.
2. Исмаилова Л.И., Ахмедов Н.А., Ахмедова С.Р.
// Биофизика, 2007, т.52, Вып.6, с.1141‐1147.
3. Исмаилова Л.И., Ахмедов Н.А., Ахмедова С.Р.
// Биофизика, 2008, т.53, Вып.1, с.14‐21.
4. Akhmedov N.A., Tagiyev Z.H., Hasanov E.M.,
Akverdieva G.A. J. Molecular Structure, 2003,
v.646, p.75‐80.
5. Ахмедов Н.А., Исмаилова А.И., Аббаслы Р.М.,
Ахмедов Н.Ф., Годжаев Н.М. Биоорган. химия,
2005, т.31, №1, с.31‐38.
6. Исмаилова Л.И., Ахмедов Н.А., Аббаслы Р.М.,
Годжаев Н.М. Биоорган.химия, 2005, т.31, №2,
с.140‐146.
7. Hacıyeva Ş., Əhmədov N., Abbaslı R. Qafqaz
Universiteti Jurnalı, 2007, №9, s.95‐99.
8. Исмаилова Л.И., Ахмедов Н.А., Аббаслы Р.М.
//Биофизика, 2008,т.53,вып.1,с.14‐21.
9. Skott R.A., Sheraga H.A. // Chem. Phys., 1966,
v.45, p.2091.
10. Липкинд Г.М., Архипова С.Ф., Попов Е.М.
//Журнал структурной химии, 1970, т.11, с.121‐
126.
Number 25, 2009 53
SER‐PRO‐LEU‐GLY‐THR‐MET‐ARG‐PHE‐NH2
MOLEKULUNUN FƏZA QURULUŞU
N.A.ƏHMƏDOV, R.M.ABBASLI, İ.T.MƏMMƏDOVA, Ş.N.HACIYEVA
Bakı Dövlət Universiteti,
Fizika Problemləri İnstitutu
Bakı / AZƏRBAYCAN
namig.49@bk.ru
XÜLASƏ
Kardiofəal Ser‐Pro‐Leu‐Gly‐Thr‐Met‐Arg‐Phe‐NH2 oktapeptid molekulunun fəza quruluşu nəzəri konforma‐
siya analizi üsulu ilə tədqiq edilmişdir. Molekulun fəza quruluşu onu fraqmentlərə ayırmaqla öyrənilmiş və
hesablamalar nəticəsində müəyyən edilmişdir ki, oktapeptid molekulun fəza quruluşu əsas zəncirin 12 forması‐
nın stabil konformasiyaları ilə tərənnüm olunur.
Açar sözlər: molekul, peptid, kardiofəal, quruluş, konformasiya analizi.
SPATIAL STRUCTURE OF THE MOLECULE
SER‐PRO‐LEU‐GLY‐THR‐MET‐ARG‐PHE‐NH2
ABSTRACT
The spatial structure of the octapeptide molecule Ser‐Pro‐Leu‐Gly‐Thr‐Met‐Arg‐Phe‐NH2 were investigated
using theoretical conformational analysis. It is revealed that spatial structure of each molecule can exist in 12
stable backbone forms.
Key words: molecule, peptide, cardioactive, structure, conformational analysis.
Peptid hormonları canlı orqanizmlərdə sistemin potensial enerjisi qeyri‐valent, elek‐
müxtəlif bioloji funksiyaları yerinə yetirir‐ trostatik, torsion qarşılıqlı təsir enerjilərinin
lər. Onların yerinə yetirdikləri funksiyaları və hidrogen rabitəsi enerjisinin cəmi şək‐
başa düşmək üçün molekulların üçölçülü lində seçilmişdir. Potensial funksiyalar, isti‐
fəza quruluşlarını atom səviyyəsində təyin fadədilən işarələr əvvəlki məqalələrdə ol‐
etmək lazımdır. duğu kimi seçilmişdir. İkiüzlü fırlanma bu‐
caqlarının qiymətləri Beynəlxalq nomenk‐
Kardiofəal peptidlər əsasən orqanizmlərin
laturaya uyğundur [9].
ürək fəaliyyətinin düzgün rejimini tənzim‐
ləyir. Bir çox orqanizmlərdən kardiofəal Ser‐Pro‐Leu‐Gly‐Thr‐Met‐Arg‐Phe‐NH2 mo‐
peptidlər ayrılmış, onların analoqları sintez lekulunun fəza quruluşu onu fraqmentlərə
edilmiş, yerinə yetirdikləri funksiyaları öy‐ ayırmaqla öyrənilmişdir. İlkin mərhələdə
rənilmişdir [1‐3]. N‐tərəf Ser1‐Thr5 pentapeptid və C‐tərəf
tetrapeptid fraqmentlərinin fəza quruluş‐
Kardiofəal peptidlərin quruluş‐funksiya
ları onları əmələ gətirən uyğun aminturşu
əlaqələri çoxdandır ki,tədqiq olunur və bu
qalıqlarının stabil konformasiyaları əsasın‐
iş də həmin tədqiqatların davamıdır [4‐8].
da hesablanmışdır. İkinci mərhələdə okta‐
Ser‐Pro‐Leu‐Gly‐Thr‐Met‐Arg‐Phe‐NH2 mo‐ peptid Ser1‐Phe8‐NH2 molekulun fəza qu‐
lekulunun fəza quruluşunu öyrənmək üçün ruluşu N‐tərəf pentapeptid və C‐tərəf tet‐
54 Journal of Qafqaz University
Ser‐Pro‐Leu‐Gly‐Thr‐Met‐Arg‐Phe‐Nh2 Molekulunun Fəza Quruluşu
rapeptid molekulların stabil konformasi‐ həm də elektrostatik qarşılıqlı təsir ener‐
yaları əsasında öyrənilmişdir. İlk mərhələ‐ jilərinə görə əlverişlidir. Cədvəl 1‐dən gö‐
də oktapeptid molekulun yüzdən çox kon‐ ründüyü kimi qeyri‐valent qarşılıqlı təsir
formasiyası hesablanmışdır. Hesablanmış enerjisi ümumi enerjiyə (‐42.7) kkal/mol,
konformasiyaların bir hissəsi yüksəkener‐ elektrostatik qarşılıqlı təsir enerjisi (5.7)
jili, bir hissəsi isə sterik cəhətdən mümkün kkal/mol qədər pay verir. Bu konformasi‐
olmamışdır.İkinci mərhələdə nisbi enrjisi 0‐ yada Ser1‐in yan zəncirindəki O atomu ilə
20.0 kkal/mol intervalına düşən konforma‐ Gly4‐ün əsas zəncirindəki H atomu arasın‐
siyalar seçilmiş və yenidən daha kiçik ad‐ dakı məsafə 0.2nm, Ser1‐in əsas zəncirin‐
dımlarla enerjinin qiyməti minumumlaş‐ dəki O atomu ilə Thr5‐in əsas zəncirindəki
dırılmışdır. H atomu arasındakı məsafə 0.19nm, Pro2‐
nin əsas zəncirindəki O atomu ilə Met6‐nın
Hesablamaların nəticələri göstərir ki, 0‐10.0 əsas zəncirindəki H atomu arasındakı mə‐
kkal/mol enerji intervalına Ser‐Pro‐Leu‐Gly safə 0.18nm‐dir.Ona görə bu atomlar ara‐
‐Thr‐Met‐Arg‐Phe‐NH2 molekulunun 12 sında hidrogen rabitəsi yaranmışdır və
konformasiyası düşür. Həmin stabil kon‐ molekulun quruluşunu stabilləşdirmişdir.
formasiyalar, onlara qeyri‐valent, elektro‐
statik, torsion qarşılıqlı təsir enerjilərinin Qlobal konformasiyanın stabilləşməsinə
verdikləri pay, ümumi və nisbi enerjiləri Ser1‐in digər aminturşu qalıqları ilə qarşı‐
cədvəl 1‐də göstərilmişdir. Cədvəl 2‐də lıqlı təsir enerjisi (‐10.7) kkal/mol, Pro2
Ser‐Pro‐Leu‐Gly‐Thr‐Met‐Arg‐Phe‐NH2 (‐9.0) kkal/mol, Leu3 (‐7.9) kkal/mol, Met6
molekulunun üç ən stabil konformasiya‐ (‐7.1) kkal/mol qədər pay verir (cədvəl 2).
sında aminturşu qalıqları arasında və da‐ Ser‐Pro‐Leu‐Gly‐Thr‐Met‐Arg‐Phe‐NH2 mo‐
xilində qarşılıqlı təsir enerjiləri, cədvəl3‐də lekulunun ikinci stabil konformasiyası 2.5
isə həmin konformasiyaların həndəsi para‐ kkal/mol nisbi enerjili B1BB32RR3B222B3322B3.
metrləri göstərilmişdir. Şəkil1‐də moleku‐ Bu konformasiyada N‐tərəf tripeptid fraq‐
lun iki stabil konformasiyasında aminturşu mentin əsas zəncirinin forması qlobal kon‐
qalıqlarının fəzada yerləşməsi göstərilmiş‐ formasiyanın əsas zəncirinin formasından
dir. Cədvəl 1‐dən göründüyü kimi okta‐ fərqlənir, C‐tərəf pentapeptid fraqmentin ‐
peptid molekulun stabilləşməsinə qeyri‐
valent qarşılıqlı təsir enerjisinin verdiyi pay Cədvəl 1. Ser‐Pro‐Leu‐Gly‐Thr‐Met‐Arg‐Phe‐NH2
molekulunun stabil konformasiyaları
(‐42.7) – (‐32.0) kkal/mol enerji intervalında,
elektrostatik qarşılıqlı təsir enerjisinin ver‐ № Konformasiya Uqv Uel Utors Uum Unis
diyi pay (5.6) – (11.0) kkal/mol enerji inter‐ 1 B1RR31RR3B222B3322B3 ‐42.7 5.7 4.9 ‐32.1 0
valında, torsion qarşılıqlı təsir enerjisinin 2 B1RR11RR1R122R3222R2 ‐42.3 7.3 7.7 ‐27.4 4.7
verdiyi pay (3.3) – (7.7) kkal/mol enerji 3 B1RR11RR1B222R2222R3 ‐38.7 6.5 4.8 ‐27.4 4.7
intervalında dəyişir.
4 B1RR31RR3R122B2222B1 ‐36.9 6.5 5.5 ‐24.8 7.3
Ser‐Pro‐Leu‐Gly‐Thr‐Met‐Arg‐Phe‐NH2 mo‐ 5 B1BB32RR3B222B3322B3 ‐40.1 6.1 4.6 ‐29.6 2.5
lekulun stabil konformasiyalarında N‐tərəf 6 B1RB31RR3B222B3322B3 ‐36.4 5.8 5.4 ‐25.2 6.9
pentapeptid fraqment əsas zəncirin altı for‐ 7 B3BB32BB1R122R3222R2 ‐37.0 7.5 4.7 ‐25.0 7.1
masının, S‐tərəf tripeptid fraqment isə əsas
8 B1RR31BB3B222B3322B3 ‐34.4 6.5 3.9 ‐24.1 8.0
zəncirin dörd formasının konformasiyaları
9 B1RR31BB3R122R3322R2 ‐36.8 7.9 5.5 ‐23.4 8.7
ilə tərənnüm olunmuşdur.
10 B1RR31BB3B222B2222R3 ‐32.0 6.5 3.4 ‐22.1 10.0
Oktapeptid molekulun ən stabil konforma‐
11 B2RR21LR1B222B3322B3 ‐33.0 6.9 3.3 ‐22.9 9.2
siyası B1RR31RR3B222B3222B3‐dür. Bu konfor‐
12 B2RR21LR1R122B3222R2 ‐38.3 11.0 4.4 ‐22.9 9.2
masiya eyni zamanda həm qeyri‐valent,
Number 25, 2009 55
N.A.Əhmədov, R.M.Abbaslı, İ.T.Məmmədova, Ş.N.Hacıyeva
əsas zəncirinin forması isə eynidir. Konfor‐
masiyaya qeyri‐valent qaşılıqlı təsir enerjisi
(‐40.1) kkal/mol, elektrostatik qarşılıqlı təsir
enerjisi (6.1) kkal/mol, torsion qarşılıqlı
təsir enerjisi (4.6) kkal/mol qədər pay verir.
Konformasiyanın stabilləşməsinə Ser1‐in
digər aminturşu qalıqları ilə qarşılıqlı təsir
enerjisi (‐6.7) kkal/mol, Pro2‐ninki (‐6.2)
kkal/mol, Leu3‐ünkü isə (‐9.7) kkal/mol qə‐
dər pay verir (cədvəl 2).
Ser‐Pro‐Leu‐Gly‐Thr‐Met‐Arg‐Phe‐NH2 mo‐
lekulunun N‐tərəf pentapeptid fraqmentin
əsas zəncirinin formalarına görə fərqlənən
stabil konformasiyalarının üçüncüsü
B1RB31RR3B222B3322B3‐dür. Onun nisbi ener‐
jisi 6.9 kkal/moldur. Cədvəl 1‐də göstəril‐
Şək.1b. Ser‐Pro‐Leu‐Gly‐Thr‐Met‐Arg‐Phe‐NH2 mole‐
miş sonrakı stabil konformasiyaların nisbi
kulunun B1BB32RR3B222B3322B3 (Unis=2,5kkal/
enerjiləri 7.0 kkal/moldan çoxdur. mol) stabil konformasiyası
Arg7 və Phe8‐in yan zəncirləri molekuldan
mühitə doğru yönəlmişdir və digər mole‐
kullarla müxtəlif qarşılıqlı təsirlərdə asan‐
lıqla iştirak edə bilərlər və molekulun müx‐
təlif bioloji funksiyaları yerinə yetirdikdə
iştirak edə bilərlər.
ƏDƏBİYYAT
1. Wasielevvski O., Skoneeszno M.//J.Comp. Physiol.
2008, v .178, №7,p.877‐885.
2. Hatami L.,Valojerdi M.R., Movvla S.J.//Int.J.
Cardiol. 2007,v.117,№1,p.80‐89.
3. Fort I.J.,Brerina V., Miller M.W.//J.Neurophysiol/
2007, v.98, №5,p.2887‐2902.
4. Исмаилова Л.И., Ахмедов Н.А., Ахмедова
С.Р.// Биофизика,1997,т.42,вып.4,с.796‐805.
5. Akhmedov N.A., Tagıyev Z.H.. Hasanov E.M.,
Akverdieva G.A.//J.Molecular Structure, 2003,
v.646, p.75‐80
Şək.1a. Ser‐Pro‐Leu‐Gly‐Thr‐Met‐Arg‐Phe‐NH2 mole‐
kulunun B1RR31RR3B222B3322B3 (Unis=0kkal/mol) 6. Ахмедов Н.А., Исмаилова Л.И., Аббаслы Р.М.,
stabil konformasiyası Ахмедов Н.Ф., Годжаев Н.М.// Биоорган. Хи‐
мия, т.31,№1,с.31‐38.
Oktapeptid molekulun ən stabil konforma‐ 7. Исмаилова Л.И., Аббаслы Р.М., Ахмедов Н.А.
// Биофизика,2007,т.52,вып.6,с.1141‐1147.
siyasında aminturşu qalıqlarının yan zən‐
8. Исмаилова Л.И., Ахмедов Н.А., Аббаслы
cirlərin ikiüzlü fırlanma bucaqları ətrafında
Р.М.// Биофизика,т.53,вып.1,с.14‐21.
konformasiya xəritələri qurulmaqla onların
9. 9.IUPAC‐IUB Commission on Biochemical
konformasiya mütəhərrikliyi öyrənilmişdir. Nomenclature// Biochem.et Biophys.Acta, 1971,
Stabil konformasiyalarda Ser1‐in,Thr5‐in, v.229,p.1‐17.
56 Journal of Qafqaz University
Ser‐Pro‐Leu‐Gly‐Thr‐Met‐Arg‐Phe‐Nh2 Molekulunun Fəza Quruluşu
Cədvəl3. Ser‐Pro‐Leu‐Gly‐Thr‐Met‐Arg‐Phe‐NH2 molekulunun stabil konformasiyalarının həndəsi parametrləri.
(ikiüzlü bucaqların qiymətləri φ,ψ,ω,χ11,χ21 ardıcıllığı ilə dərəcələrlə verilmişdir)
Amin turşusu B1RR31RR3B222B3322B3 B1BB32RR3B222B3322B3 B1RB31RR3B222B3322B3
‐89 151 175 ‐60 151 173 ‐94 148 ‐179
Ser
57 ‐178 56 179 57 179
Pro ‐60 ‐38 180 ‐60 131 ‐177 ‐60 ‐37 ‐177
‐74 ‐43 178 ‐107 148 ‐174 ‐73 113 ‐177
Leu ‐75 65 180 ‐51 179 ‐175 ‐75 67 179
172 180 172
Gly ‐59 ‐40 ‐177 ‐49 ‐45 ‐176 ‐73 ‐40 ‐166
‐77 ‐52 ‐173 ‐71 ‐60 ‐177 ‐73 ‐52 ‐176
Thr
‐59 179 178 ‐57 178 175 ‐59 179 179
‐122 139 ‐178 ‐128 143 ‐175 ‐126 144 ‐178
Met 178 174 177 180 173 178 ‐177 172 180
‐179 ‐179 ‐179
‐103 123 ‐172 ‐101 117 ‐177 ‐107 119 180
Arg ‐50 ‐62 176 ‐50 ‐66 176 ‐51 ‐64 176
180 180 178
‐104 154 180 ‐109 154 180 ‐107 154 180
Phe
‐52 95 ‐59 91 ‐60 90
Unisbi 0 2.5 6.9
Number 25, 2009 57
ОПРЕДЕЛЕНИЕ СЕЧЕНИЯ КОГЕРЕНТНОГО РАССЕЯНИЯ
НЕЙТРОНОВ НА КРИСТАЛЛАХ ИЗОТОПОВ ЛИТИЯ,
УГЛЕРОДА И НИКЕЛЯ КОДОМ MCNP4C
МАСТИ. Д
Бакинский Государственный Университет
Баку / АЗЕРБАЙДЖАН
mastidarush@yahoo.com
РЕЗЮМЕ
Представлен разработанный метод расчета эффективных сечений когерентного рассеяния нейтронов
на кристаллах лития, углерода и никеля с помощью кода MCNP4C. Создана точная трехмерная геомет‐
рическая модель гетерогенной активной зоны реактора, и cмоделированы геометрические конструкции
внутри и вне активной зоны. Подобраны необходимые параметры для задания области регистрации,
послужившие входными данными для расчета числа нейтронов при расчете по коду MCNP4С. Получен‐
ные результаты и сравнение с экспериментальными данными, представленные в настоящей статье, свиде‐
тельствуют о возможности применения методики кода MCNP4С для практических расчетов характерис‐
тик рассеянных нейтронов на кристаллах для лабораторных реакторов.
Ключевые слова: Метод Монте‐Карло; водо‐водяной энергетический реактор; тепловыделяющая
сборка реактора; когерентное рассеяние; кристалл; дифракция нейтронов.
DEFINITION OF COHERENT NEUTRON SCATTERING CROSS SECTION IN ISOTOPES OF
ELEMENTS: LITHIUM, CARBON AND NICKEL BY MCNP4C CODE
ABSTRACT
This paper presents design method of calculation coherent neutron scattering cross section in crystals: lithium,
carbon and nickel, by MCNP4C code. Three‐dimensional geometric model of heterogeneous reactor core is made,
and modeled geometric constructions inside and outside reactor core. Necessary parameters for the computation
of number of neutrons in calculations of MCNP4С code, are selected. Received results and comparison with
experimental data presented in this paper, introduced the possibility of applying of MCNP4C code for the
practical calculations of neutron scattering in crystals for laboratory reactors.
Key words: Monte‐ Carlo method; water‐water energetic reactor; fuel assembly; coherent scattering; crystal;
neutrons diffraction.
Absorber rods), интенсивности потока
1. Введение
нейтронов, Keff (эффективный коэффи‐
Для ядерных реакторов одним из силь‐ циент размножения) и т.д. в активной
нейших вычислительных методов явля‐ зоне реактора. Кроме того, код MCNP
ется код MCNP4С (Monte Carlo N‐Particle, позволяет решать широкий спектр
version 4C). Он развит на базе метода задач по взаимодействию частиц с ве‐
Монте‐Карло и широко используется ществом, охватывая практически все об‐
для вычисления и определения физичес‐ ласти применения. Однако, для расчет‐
ких параметров нейтронов: таких как ных обоснований потока нейтронов в
реактивность поглощающих стержней реакторах, необходима разработка соот‐
(CPS‐AR:Control and protection system‐ ветствующей методики с созданием
58 Journal of Qafqaz University
Определение Сечения Когерентного Рассеяния Нейтронов на Кристаллах
Изотопов Лития, Углерода и Никеля Кодом MCNP4C
Number 25, 2009 59
Масти. Д
Рис.1. Горизонтальное сечение расчетной модели:
реактор, кристалл и металлическая сфера:
1–активная зона; 2–кассеты‐экраны; 3–выго‐
родка; 4–вода; 5–корзина; 6–шахта; 7–экран;
8–корпус; 9–воздушный зазор; 10–наплав‐
ка; 11–теплоизоляция; 12–стенка бака; 13–
биологическая защита (вода); 14– монок‐
ристалл; 15– типовой кристалл; 16‐метал‐
лическая сфера. Рис. 2. Визуальный фрагмент гетерогенной моде‐
ли активной зоны: 1–кассета‐экран; 2–вы‐
4. Моделирование активной зоны и городка; 3–чехол ТВС; 4–вода в активной
зоне; 5–твэл.
дифракции нейтронов на
кристаллах Поток нейтронов из активной зоны реак‐
Модель активной зоны набирается из тора, с помощью алюминиевой трубки
шестигранников, имеющих вид попе‐ (диаметр 15 см, толщина 3 мм, длина 300
речного сечения по центру реальной см) проходит через корпус реактора (за‐
тепловыделяющей сборки (ТВС) реак‐ медлителя). Далее через коллимирую‐
тора ВВЭР (рис.2). ТВС – это пучок щую систему, формирующую узконап‐
тепловыделяющих элементов (твэл), равленный пучок, они попадают на
собранных по треугольной решетке и монокристалл, в котором и происходит
зафиксированных в несущей конструк‐ дифракция. После прохождения через
ции, обеспечивающей возможность монокристалл монохроматический по‐
транспортных операций с ТВС и сборки ток нейтронов попадает на нейтронную
активной зоны. При создании модели кристаллографию [7‐11,14‐17].
активной зоны учитываются все харак‐
5. Выбор области регистрации
терные геометрические размеры реаль‐
ной конструкции реакторов ВВЭР. Мо‐ Оценка числа нейтронов проводится с
дель ТВС представляет собой чехловую помощью металлической сферы. Для
60 Journal of Qafqaz University
Определение Сечения Когерентного Рассеяния Нейтронов на Кристаллах
Изотопов Лития, Углерода и Никеля Кодом MCNP4C
этого необходимо выбрать соответствую‐ расположение‐должно быть точно опре‐
щий объем, в котором будут регистри‐ делено и задано, так как изменение рас‐
роваться частицы, и по которому будет положения требует нового расчета с
усредняться конечный результат. подготовкой новых весовых окон;
Задаваемый для регистрации частиц размер‐не должен быть слишком ма‐
объем представляет собой точно задан‐ леньким для набора достаточной статис‐
ную ячейку, которую можно назвать об‐ тики и не должен быть слишком боль‐
ластью регистрации (металлическая шим для получения конкретного рас‐
сфера). В расчетах по коду MCNP4С, пределения.
особое место стоит уделять выбору и В данной задаче выбраны область регис‐
заданию области регистрации частиц. трации нейтронов на типовом кристал‐
Это связано с необходимостью подго‐ ле и на металлической сфере за корпу‐
товки отдельного весового окна для об‐ сом реактора.
ласти регистрации (металлическая сфе‐
Исходными данными для MCNP4C, в
ра, часть 12, 13 рис.3 А, Б) и проведения
том числе по источнику нейтронов, по
соответствующего расчета с набором
составу материалов реактора служили
достаточной статистики. В связи с этим
подготовленные данные и были исполь‐
область регистрации должна быть оп‐
зованы мировой опыт –ротация крис‐
тимизирована по следующим показа‐
талла [6,18,19,21] и расчеты по MCNP4C.
телям:
A B
Рис. 3. Реактор, металлическая сфера и кристалл, подготовленные для расчета по коду MCNP4C: 1–тепло‐
изоляция; 2– нижний отражатель; 3–выгородка; 4–активная зона; 5–верхний отражатель; 6–корпус
реактора; 7–защита; 8–кольцо опорное; 9–бак с водой; 10–ребра бака; 11–зоны регистрации; 12–
монокристалл; 13–металлическая сфера; 14–типовой кристалл.
Number 25, 2009 61
Масти. Д
80000
70000 В этом выражении Fhkl структурная
60000
50000 некогерентное рассеяние
амплитуда, а Rhkl геометрическая часть
40000
30000
20000
структурной амплитуды. Эти величины
10000
0
определяются экспериментально по
9 14 19 24 29 34
формуле:
θ(градус )
V λ3 2
Рис. 4. Зависимость числа рассеянных на графите Phkl = ⋅ P0 ⋅ Fhkl , (3)
ν 02 sin θ
нейтронов от угла.
Р0‐ интенсивность нейтронов во входном
Алмаз типовом кристалле;Phkl‐ интенсивность
100000
луча в дифракционном пике; λ‐ ней‐
Число нейтронов
90000
80000
70000
60000
когерентное рассеяние тронная длина волны; V‐ объем типовой
50000 некогерентное рассеяние
40000 кристапл θ‐ угол между гранью крис‐
30000
20000
10000
талла и лучом; ν0‐ объем единичной
0
8 13 18 23 28 33 38 43 48 53 58
ячейки.
θ(градус)
На таблице 1 представлены сечения ко‐
Рис. 5. Зависимость числа рассеянных на алмазе герентного рассеяния нейтронов (σког)mcnp
нейтронов от угла. на рассмотренных изотопах по методу
Литий
кода MCNP4С и экспериментальные
70000
(σког)лаб [6,11,12,13,18]. Как видно из таб‐
Числo нейтронов
60000
50000 Li7
когерентное рассеяние
лицы, экспериментальные данные подт‐
40000
30000 Li
верждает правильность проведенных
20000
10000
расчетов и созданных моделей.
0
15 17 19 21 23 25 27 29
θ(градус) 7. Основные выводы
Применение кода MCNP4С дает воз‐
Рис. 6. Зависимость числа рассеянных на литии
нейтронов от угла.
можность точного трехмерного модели‐
рования всех геометрических особен‐
Никель
ностей конструкции реактора и часть
60000
50000 NI58
кристаллографии для получения диф‐
Число нейтронов
40000
когерентное рассеяние NI ракции нейтронов. Эта возможность ко‐
30000
0
NI60 работе, и полученная геометрическая
20 22 24 26 28 30 32 34
модель может применяться для даль‐
θ(градус)
нейших расчетов дифракции нейтронов
Рис. 7. Зависимость числа рассеянных на никеле и для моделирования когерентного рас‐
нейтронов от угла. сеяния нейтронов [20].
Сечение когерентного рассеяния связано Таблица 1.
с амплитудой когерентного рассеяни
Элемент Графит Алмаз 60
Ni 58
Ni Ni 7
Li Li
следующим образом:
(σког)mcnp
σког=4π.f0 . (1) (Барн)
5.60 4.98 1.04 26.76 13.68 0.69 0.52
62 Journal of Qafqaz University
Определение Сечения Когерентного Рассеяния Нейтронов на Кристаллах
Изотопов Лития, Углерода и Никеля Кодом MCNP4C
Number 25, 2009 63
ЭФФЕКТ ЗАПОЛНЕНИЯ ЗОН В КРИСТАЛЛАХ GASE ПРИ
ВЫСОКИХ УРОВНЯХ ОПТИЧЕСКОГО ВОЗБУЖДЕНИЯ
А.А. САЛМАНОВА
Бакинский Государственный Университет
Баку / АЗЕРБАЙДЖАН
РЕЗЮМЕ
Экспериментально исследовано нелинейное поглощение света в кристаллах GaSe в области фундамен‐
тального поглощения при высоких уровнях оптического возбуждения. Просветление края полосы погло‐
щения, с одновременным его сдвигом в высокоэнергетическую область спектра, может быть объяснено
заполнением энергетических зон при высоких уровнях оптического возбуждения. Экспериментальное
значение изменения коэффициента поглощения находится в хорошем согласии с теоретически вычис‐
ленными значениями. На основании соотношения Крамерса‐Кронига по изменению коэффициента пог‐
лощения определено изменение показателя преломления GaSe. Показано, что наблюдаемый эффект
заполнения зон позволяет на основе кристаллов GaSe создать полупроводниковый лазер.
Ключевые слова: поглощение, фундаментальное поглощение, коэффициент поглощения
BANDFILLING EFFECT IN GASE CRYSTALS UNDER HIGH OPTICAL EXCITATION
ABSTRACT
The nonlinear light absorption in GaSe crystals at the fundamental absorption edge for high excitation
intensities has been investigated experimentally. The bleaching of band‐edge absorption which manifests itself as
an apparent blue shift of the absorption edge can be interpreted on the base of bandfilling nonlinearities. The
obtained experimentally change in the absorption coefficient (Δα) is in good agreement which is calculated
theoretically. In the base of Kramers‐Kronig relation the change in refractive index (Δn) is defined by (Δα). It is
shown that the observed negative absorption change in GaSe crystal is the basis of optical amplification and the
semiconductor laser.
Key words: absorption, band‐edge absorption, absorption coefficient
1. Введение няют зоны, начиная от дна, поэтому
сперва заполняются наинизшие энерге‐
Известно, что в полупроводниках при
тические состояния. В результате этого
высоких уровнях оптического возбужде‐
окрестности зоны проводимости запол‐
ния генерируется большое количество
няются электронами, а потолок валент‐
электронно‐дырочных пар. Так как элек‐
ной зоны дырками. Заполнение зон, в
троны и дырки являются фермионами,
конечном итоге приводит к нелинейно‐
то согласно принципу Паули на каждом
му поглощению в области края полосы
квантовом состоянии может быть не бо‐
поглощения.
лее двух электронов с разными спинами
(±1/2). Занятые носителями состояния В данной работе экспериментально ис‐
являются, как бы конечными состояния‐ следуется нелинейное поглощение света
ми в процессе оптического поглощения. в области фундаментального поглоще‐
Согласно принципу минимизации энер‐ ния. Показано, что наблюдаемый сдвиг
гии, носители в квазиравновесии запол‐ края полосы поглощения в коротковол‐
64 Journal of Qafqaz University
Эффект Заполнения Зон в Кристаллах GASE при Высоких Уровнях Оптического Возбуждения
Number 25, 2009 65
А.А. Салманова
3. Экспериментальные Результаты По нашему мнению, наблюдаемое нели‐
и их Обсуждение нейное поглощение около запрещенной
зоны может быть обусловлено эффектом
На рис.1,а приведены спектры поглоще‐ оптического заполнения в GaSe, т.е.
ния кристаллов GaSe при низких (кри‐ электроны и дырки, генерированные ла‐
вая 1) и высоких (кривая 2) уровнях зерным светом, в результате быстрой
оптического возбуждения. Как видно из релаксации до термического распреде‐
рисунка, при высоких уровнях возбуж‐ ления, блокируют дальнейшее поглоще‐
дения происходит уменьшение погло‐ ние на краю полосы поглощения. Это
щения около запрещенной зоны и од‐ приводит к просветлению края погло‐
новременно сдвиг края полосы поглоще‐ щения и его сдвигу в сторону высоких
ния в сторону высоких энергий. Измене‐ энергий.
ние коэффициента поглощения (Δα)
было найдено прямым вычитанием кри‐ Заполнение состояний электронами и
вых 1 и 2, результаты которого предс‐ дырками определяется так называемым
тавлены на рис.1,б. Видно, что макси‐ фактором заполнения [7]:
мальное изменение поглощения имеет A(ε)= 1 ‐ fe(ε) ‐ fh(ε) (1)
место в непосредственной близости от
запрещенной зоны. здесь fe и fh являются функциями Ферми
для электронов и дырок, соответственно.
Фактор заполнения означает, что между
валентной зоной и зоной проводимости
имеет место переход (v→c), валентная
зона заполнена электронами (∼fv), зона
проводимости пустая (∼1‐fc). Интенсив‐
ность перехода пропорциональна их
произведению
Av→c = fv (1‐ fc ) (2)
Интенсивность обратного перехода (т.е.
переход зона проводимости ‐ валентная
зона (c → v), описывающая рекомбина‐
цию носителей)
Ac→v = fc (1‐ fv ) (3)
Вычитав уравнение (3) из (2) и используя
fv=1‐ fh получим (1).
Как известно, Ферми функция может из‐
меняться только между 0 и 1, где 0
означает, что вероятность заполнения
равна нулю и 1 указывает, что состояние
заполнено полностью. Когда оба fe и fh
Рис.1. (а) спектры поглощения кристаллов GaSe равны нулю (т.е. для невозбужденного
при низких (3,5 МВт/см2, кривая 1) и высо‐ полупроводника), А становится равным
ких (12МВт/см2, кривая 2) интенсивностях единице и все состояния способны для
возбуждения; (б) изменение коэффициента
оптического поглощения. Для высоких
поглощения (Δα); (с) изменение показателя
преломления (Δn). плотностей носителей, fe и fh отличны от
66 Journal of Qafqaz University
Эффект Заполнения Зон в Кристаллах GASE при Высоких Уровнях Оптического Возбуждения
нуля, и при достаточно высокой плот‐ усилению света прошедшего через об‐
ности существует энергия, для которой разец
сумма обоих Ферми функции равна
I(x) = I0 exp(‐αx) (5)
единице, т.е. А=0; это имеет место для
энергии равной Для α<0, интенсивность прошедшего
света больше, чем интенсивность падаю‐
ε = μe + μh = μxп. (4)
щего. Это оптическое приращение явля‐
т.е. сумме квази ‐ химических потенциа‐ ется предпосылкой создания полупро‐
лов электронов и дырок (рис.2.). водникового лазера на основе крис‐
таллов GaSe.
Экспериментально найденные значения
(Δα) были сопоставлены с теоретичес‐
кими. Согласно [8 ] изменение коэффи‐
циента поглощения можно вычислить
по формуле
πh
Δα (hω ' ) = −α 0 (hω ' )21 / 2 ( )3/ 2 ⋅
k BT
[
⋅ ne me
−3 / 2
exp(− ΔE c / k B T ) + (6)
+ nh mh
−3 / 2
exp(− ΔE v / k B T ) ]
где
Number 25, 2009 67
А.А. Салманова
рое составляет 15%. Незначительная раз‐ 4. Заключение
ница между теоретическими и экспери‐
Показано, что наблюдаемое в слоистых
ментальными результатами может быть
кристаллах GaSe нелинейное поглоще‐
обусловлена тем фактом, что в формуле
ние в области фундаментального погло‐
(6) не учитывается экситонное взаимо‐
щения обусловлено эффектом заполне‐
действие, хотя в широкозонных полуп‐
ния зон. Изменение коэффициента пог‐
роводниках, таких как GaSe, кулонов‐
лощения и связанное с ним изменение
ский электронно‐дырочный корреляци‐ показателя преломления в GaSe дает
онный эффект должен быть учтен. Учет возможность создание на их основе по‐
экситонного взаимодействия в конечном лупроводниковых лазеров.
итоге приведет к более точному опреде‐
лению нелинейного поглощения. ЛИТЕРАТУРА
Эффект заполнения зон наряду с нели‐ 1. E.Bringuier, A. Bourdon, N. Piccioli, A. Chevy //
нейным поглощением ведет также к Phys. Rev.B 49, 16971 (1994).
сильной зависимости показателя пре‐ 2. М.Мау, S.Debrus, K.Zakrzewska, H.Benisty,
A.Chevy // J.Opt. Soc. Amer.B 14,1048(1997).
ломления GaSe от интенсивности света.
3. В.Ю.Рудь, Ю.В.Рудь // Письма в ЖЭТФ 23, 13
На основе соотношения Крамерса– (1997).
Кронига, зная изменение коэффициента 4. L.E.Rumanev, A.M.Olmstead, F.S.Ohuchi // J. of
поглощения (Δα), можно определить Vacuum Science and Technology B:
изменение показателя преломления (Δn) Microelectronics and Nanometer structures 16,
977 (1998).
для энергии фотонов hω [12]
5. M.Caraman, E.Cuculescu, I. Evtodiev // J.
∞
hc Δα ( h ω )
' Optoelect.Advanced Materials 7, 805 (2005).
Δn(hω ) =
π ∫ ( hω )
0
' 2
− ( hω ) 2
d (hω ' ) (9) 6. W.Shi, Y.J.Ding // Opt. Lett., 30, 1861 (2005).
7. М.К.Керимов, А.Ш.Мехтиев, В.М.Салманов
«Современная оптика полупроводников» Изд.
Вставив экспериментально найденные
Элм, Баку, 2006, 298 c.
значении Δα (см. рис.1б) в формулу (9)
8. A.Мiller, G.Parry, R.Daley // J. Quantum
определим Δn, результаты которого Electron. QE‐20, 710 (1984).
приведены на рис.1,в. Kак видно из 9. P.Vashista, R.K.Kalia // Phys. Rev. B 25, 6492
рисунка изменение показателя прелом‐ (1982).
ления ведет к нелинейным эффектам: 10. R.Minder, G.Ottaviani, C.Canali // J. Phys. Chem.
Solids 37, 417 (1976).
Δn(ω) отрицательно при частотах мень‐
11. F.E.Hilinski, P.A.Lucas, Ying Wang // J. Chem.
ших, чем край полосы поглощения и Phys. 89, 3435 (1988).
положительно в высокоэнергетической 12. N.Peyghambarian, S.W.Koch, A.Mysyrovicz
области. Отрицательное изменение по‐ «Introduction to Semiconductor optics», Series in
казателя преломления под действием Solid State physical Electronics, New Jersey,1993,
p. 325.
лазерного света относится к самодефо‐
кусирующим оптическим нелинейност‐
ям, тогда как положительные значения
Δn(ω) в высокоэнергетической области
запрещенной зоны соответствует само‐
фокусирующим оптическим нелиней‐
ностям.
68 Journal of Qafqaz University
Электронно‐Конформационные Свойства Молекулы Вилон
ЭЛЕКТРОННО‐КОНФОРМАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА
МОЛЕКУЛЫ ВИЛОН
Л.С. ГАДЖИЕВА, Л.И. ИСМАИЛОВА
Бакинский Государственный Университет
Институт Физических Проблем,
Баку / АЗЕРБАЙДЖАН
Larisa_Ismailova@yahoo.com
РЕЗЮМЕ
Полуэмпирическими расчетными методами была изучена пространственная и электронная структура
молекулы Вилон (Lys‐Glu). С помощью метода конформационного анализа найдены низкоэнергетические
конформации молекулы, ее энергетические и геометрические параметры. С помощью квантово‐химичес‐
кого метода AM1 определены распределения электронной плотности и величины дипольных моментов
молекулы в ее стабильных конформационных состояниях.
Ключевые слова: конформация, пептид, электронная структура, молекула
ELECTRON‐CONFORMATIONAL PROPERTIES OF THE VILON MOLECULE
ABSTRACT
The spatial and electron structures of the Vilon molecule (Lys‐Glu) were investigated using semiempirical
methods. By theoretical conformational analysis method has been investigated the low‐energy conformations,
geometric and energetic parameters of this molecule. By quantum‐chemical method of AM1 has been determined
sharing electronic density and value of dipole moments of Vilon molecule in stable conformational states.
Key words: conformation, peptide, electron structure, molecule
работки сигнальных пептидных моле‐
Введение
кул, которые регулируют созревание Т‐
Иммунная система играет основную лимфоцитов. Поэтому актуальным ста‐
роль в защите организма от любых чу‐ новится исследование пространственной
жеродных агентов. В настоящее время структуры пептидов с высокой биологи‐
известны 3 класса пептидов, участвую‐ ческой активностью. Известно, что био‐
щих в процессах иммунорегуляции – логические свойства пептидных молекул
нейропептиды, пептиды тимуса и пеп‐ определяются их химическим, простран‐
тиды костного мозга. ственным и электронным строением.
Конформационные изменения, флуктуа‐
Тимус, являясь ключевым органом им‐
ции заряда отдельных полярных групп
мунной системы, играет важную роль в
молекулы играют важную роль в струк‐
ослаблении системы клеточного и гумо‐
туре и связывании пептидных молекул.
рального иммунитета в процессе старе‐
ния организма. Возрастная инволюция Синтетические пептиды Вилон (Lys‐Glu)
тимуса сопровождается сильными функ‐ и Эпиталон (Ala‐Glu‐Asp‐Gly) обладают
циональными изменениями клеток ти‐ выраженными иммуногеропротектор‐
муса. Это влечет за собой ослабление вы‐ ными свойствами. Они относятся к клас‐
Number 25, 2009 69
Л.С. Гаджиева, Л.И. Исмаилова
70 Journal of Qafqaz University
Электронно‐Конформационные Свойства Молекулы Вилон
двугранных углов основной цепи φ‐ψ. ранных углов боковой цепи χ1, χ2, χ3
При расчете были рассмотрены все раз‐ задавались три возможных значения 60,
вернутые формы дипептидной молеку‐ 180 и ‐60º, а для углов χ4 и χ5‐180º. Угол
лы (BB, BR, LB, LR) и свернутые формы χ1 боковой цепи глутаминовой кислоты
основной цепи (RB, RR, BL). В развер‐ задавался 60, 180 и ‐60º, для угла χ2
нутых формах основной цепи боковые задавалось значение 180º, а для угла χ3
цепи остатков Lys и Glu находятся по значение 90º. Расчет всех семи возмож‐
разные стороны, поэтому эффективны‐ ных форм основной цепи дипептидной
ми оказываются взаимодействия боко‐ молекулы позволил определить низко‐
вых цепей аминокислотных остатков с энергетические структуры молекулы.
участками основной цепи молекулы. В Все конформации попадают в энергети‐
случае же свернутых структур, сближен‐ ческий интервал от ‐11ккал/моль до 4
ными оказываются боковые цепи амино‐ ккал/моль.
кислотных остатков, входящих в эту мо‐
Энергетические параметры, вклады не‐
лекулу, поэтому здесь эффективными
валентных, электростатических, торсион‐
являются взаимодействия между боко‐
ных взаимодействий, а также вклады
выми цепями и взаимодействия боковых
внутри и межостаточных взаимодейст‐
цепей между собой.
вий для некоторых низкоэнергетических
Конформационное состояние каждого конформаций молекулы Вилон пред‐
аминокислотного остатка обозначалось ставлены в таблице 2, а значения гео‐
символом Xіј , где X означает одну из метрических параметров (значения двуг‐
возможных форм основной цепи B, R, L, ранных углов основной и боковых цепей
P, а индексы іј = 11…, 12…,13…, 21…и молекулы) приведены в таблице 3.
т.д. обозначают положение углов боко‐
Таблица 1. Начальные приближения аминокис‐
вой цепи χ1, χ2, χ3... При этом индекс 1
лотных остатков Lys и Glu молекулы
соответствует значению угла χ в области Вилон
0 −120º, 2 − 120 − ‐120º, 3 − ‐120 ‐ 0º. В
LYS φ ψ χ1
качестве начальных приближений при
R ‐110 ‐50 60
расчете конформационных возможнос‐
‐110 ‐60 180
тей молекулы рассматривались извест‐
‐115 ‐60 ‐60
ные значения двугранных углов основ‐ B ‐120 150 60
ной цепи и боковых цепей молекулы, ‐120 115 180
соответствующих низкоэнергетическим ‐120 100 ‐60
состояниям монопептидов Lys и Glu L 40 60 60
(табл.1). Отсчет двугранных углов прово‐ 60 70 180
дился согласно общепринятой номен‐ 60 70 ‐60
клатуре [4]. В проведенном расчете была GLU φ ψ χ1
использована сервисная программа для R ‐90 ‐40 60
‐100 ‐60 180
изучения пространственного строения
‐100 ‐60 ‐60
биомолекул [5].
B ‐150 150 60
Исходные приближения для расчета кон‐ ‐100 140 180
формационных состояний молекулы ‐100 140 ‐60
Вилон составили свыше 500 различных L 50 50 60
вариантов. При расчете конформацион‐ 60 60 180
60 60 ‐60
ных возможностей остатка Lys для двуг‐
Number 25, 2009 71
Л.С. Гаджиева, Л.И. Исмаилова
Таблица 2. Энергетические характеристики низкоэнергетических конформаций молекулы Вилон
Таблица 3. Геометрические параметры низкоэнергетических конформаций молекулы Вилон
72 Journal of Qafqaz University
Электронно‐Конформационные Свойства Молекулы Вилон
Таблица 4. Энергетические характеристики (ккал/моль) конформаций молекулы Вилон
Number 25, 2009 73
Л.С. Гаджиева, Л.И. Исмаилова
74 Journal of Qafqaz University
Электронно‐Конформационные Свойства Молекулы Вилон
Number 25, 2009 75
ДЕПОНИРОВАНИЕ И ТРАНСПОРТ ОКСИДА АЗОТА В
БИОЛОГИЧЕСКИХ СИСТЕМАХ
И.С. КУРБАНОВ
Губинский Региональный Центр Аграрной науки,
Баку / АЗЕРБАЙДЖАН
qubatimiryazev@mail.ru
РЕЗЮМЕ
На основе обзора работ, посвященных биологической роли оксида азота проанализированы биохими‐
ческие механизмы его образования, депонирования и транспорта в биосистемах. Приведены данные по
исследованию пространственной и электронной структуры динитрозильных комплексов негемового
железа (комплексов 2,03), фрагмента внеклеточного каталитического домена фермента гуанилатциклазы и
описаны квантово‐химические аспекты взаимодействия оксида азота с гемовым компонентом белков.
Ключевые слова: оксид азота; комплексы 2,03; гуанилатциклаза; каталитический домен; структура;
молекулярная динамика; квантово‐химические расчеты
NITROGEN OXIDE DEPOSITION AND TRANSPORT IN BIOLOGICAL SYSTEMS
ABSTRACT
Investigations dedicated to biological role and description of the physiological effects of the action of the
nitrogen oxide are briefly reviewed. The biochemical mechanisms of formation and the methods of the nitrogen
oxide deposition in the cell are examined. Data on a study of the three‐dimensional and electron structure of
complexes 2,03, the extracellular catalytic domain of the guanylate cyclase ferment are cited and the quantum‐
chemical aspects of interaction of the nitrogen oxide with the heme components of proteins are described.
Key words: nitrogen oxide; complexes 2,03; guanylate cyclase; catalytic domain; structure; molecular dynamics
simulations; quantum‐chemical calculations
Оксид азота (NO)‐небольшое газообраз‐ клеточные мембраны. Время жизни ок‐
ное соединение, которое является внутри‐ сида азота составляет ~6‐10 сек, после
и межклеточным мессенджером и участ‐ чего он превращается в нитраты и нит‐
вует в регуляции разнообразных мета‐ риты при участии кислорода и воды.
болических реакций, обеспечивающих Радиус действия NO в тканях не превы‐
жизнеспособность и функциональную шает 500 мкм. Однако при определен‐
активность клеток и всего организма в ных условиях оксид азота способствует
целом [1‐15]. Благодаря наличию неспа‐ формированию патологических процес‐
ренного электрона на 2ρ‐π орбитали, сов и возникновению ряда серьезных
оксид азота проявляет высокую реак‐ заболеваний. Двоякое действие оксида
ционную способность. NO хорошо раст‐ азота реализуется в зависимости от его
ворим в воде и липидах, имеет наиболее концентрации, времени воздействия и
высокий по сравнению с другими моле‐ условий обмена в различных типах кле‐
кулами коэффициент диффузии, легко ток и тканей организма (рис.1). Чрез‐
и беспрепятственно проникает через мерное накопление NO в организме иг‐
76 Journal of Qafqaz University
Депонирование и Транспорт Оксида Азота в Биологических Системах
Number 25, 2009 77
И.С. Курбанов
живается в течение от нескольких часов действие NO реализуется через S‐, N‐ и
до нескольких дней, что зависит от дли‐ O‐нитрозирование, при котором катион
тельности стимула. Синтез NO значи‐ нитрозония (NO+) присоединяется к
тельно усиливается под влиянием гор‐ аминам, тиолам или гидроксильным
монов, нейромедиаторов, в ответ на дей‐ группам ароматических соединений, че‐
ствие микроорганизмов, вирусов и дру‐ рез нитрование, осуществляемое путем
гих чужеродных агентов. присоединения нитро группы (NO2) к
биомолекулам (наиболее чувствительны
Условно характер влияния NO на раз‐
к нитрованию ароматические кольца, в
личные биохимические и физиологичес‐
частности, тирозина), а также через
кие процессы разделяют на прямое и
окисление или гидроксилирование био‐
непрямое. Прямое влияние осуществл‐
молекул. Соотношение между перечис‐
яется при непосредственном взаимодей‐
ленными типами модификаций биосуб‐
ствии NO с биомолекулами. Основной
стратов и их выраженность зависит от
мишенью при этом служит гемовое же‐
условий метаболизма, прежде всего
лезо гемопротеинов (гемоглобина, мио‐
окислительно‐восстановительного потен‐
глобина, гуанилатциклазы, цитохрома
циала, рН и баланса между образова‐
Р‐450, NO‐синтаз (NOS) и др.). NO взаи‐
нием NO и ROS в клеточных компарт‐
модействует также с негемовым желе‐
ментах.
зом, входящим в состав железосерных
белков и нуклеиновых кислот и свобод‐ Прямое и непрямое действие NO в кле‐
ным железом (Fe3+). Мишенями прямого точных компартментах происходит од‐
действия NO являются Cu и Zn, входя‐ новременно, но выражено неодинаково
щие в состав ферментов, и высокоэнер‐ из‐за различий в синтезе NO и О2‐, а
гетические свободные радикалы (ради‐ также потому, что О2‐ в силу различия
калы с углеродным центром, липидные, заряда плохо диффундирует сквозь мем‐
диоксида азота). Прямые эффекты NO браны.
доминируют в организме при физиоло‐ Молекула NO может существовать в раз‐
гических условиях, когда эта молекула ных электронных состояниях: 1) относи‐
синтезируется, преимущественно конс‐ тельно стабильный нейтрально заряжен‐
титутивными формами NOS в низких ный радикал (NO•); 2) при присоедине‐
количествах. Благодаря прямому дейст‐ нии одного электрона он восстанавли‐
вию NO, осуществляются главным об‐
вается до (NO–) нитроксил‐аниона; 3)
разом его регуляторные и сигнальные
при потере одного электрона он может
функции.
трансформироваться в ион нитрозония
Непрямое действие оксида азота опосре‐ (NO+) [17]. Каждая из описанных форм
дуется через его реактивные формы NO имеет свои клеточные мишени и,
(RNOS), являющиеся продуктом реак‐ соответственно, играет различные роли в
ции NO с О2, О2‐ или Н2О2. В образова‐ клеточных процессах.
нии RNOS могут принимать также учас‐
В настоящее время считается установлен‐
тие переходные металлы. Непрямое
ным, что существуют три типа химичес‐
влияние NO проявляется при увеличе‐
ких мишеней оксида азота в клетках и
нии его синтеза, связанного с индукцией
тканях [17]:
NOS2, которая наблюдается при воспа‐
лительных процессах различной этиоло‐ 1. Гемовые группы белков, связываю‐
гии и сочетается с образованием реак‐ щие NO с образованием гем‐нитрозиль‐
тивных форм кислорода. Непрямое ных комплексов;
78 Journal of Qafqaz University
Депонирование и Транспорт Оксида Азота в Биологических Системах
Number 25, 2009 79
И.С. Курбанов
80 Journal of Qafqaz University
Депонирование и Транспорт Оксида Азота в Биологических Системах
ется за счет эндоцитоза Fe3+‐трансфер‐ лов снижается количество как ДНКЖ,
рина в эндосомы клеток с помощью ре‐ так и RS‐NO.
цептора трансферрина [33]. Рецептор
ДНКЖ и S‐нитрозотиолы могут быть
трансферрина–трансмембранный белок,
низкомолекулярными или высокомоле‐
состоящий из двух молекул, соединен‐
кулярными, т.е. связанными с белками.
ных дисульфидной связью. Ацильная
Обычно белковые комплексы более ста‐
группа, присоединенная к цитоплазма‐ бильны, чем низкомолекулярные. К низ‐
тической части белка, заякоривает комп‐ комолекулярным нитрозотиолам относ‐
лекс к плазматической мембране (рис.4). ятся S‐нитрозоцистеин и S‐нитрозоглю‐
татион. Последний был предложен в ка‐
честве промежуточного соединения
между активацией NOS и образованием
свободного NO. По‐видимому, NOS по
неизвестному пока механизму нитрози‐
лирует глютатион, а образовавшийся S‐
нитрозоглютатион в присутствии ионов
Cu+ высвобождает NO. Низкомолекуляр‐
ные RS‐NO не только высвобождают NO,
но и могут передавать его на цистеино‐
вые остатки белков. S‐нитрозилирова‐
нию может подвергаться практически
любое тиол‐содержащее соединение в
организме.
Низкомолекулярные ДНКЖ являются
более стабильными образованиями, чем
NO, так как устойчивы в течение минут
[29]. Биологическая активность низкомо‐
лекулярных ДНКЖ: 1) Высокая гипотен‐
зивная и вазодилататорная активности;
2) Способность подавлять агрегацию
тромбоцитов; 3) Антиапоптотическая
активность на клеточных культурах; 4)
Защита миокарда от губительного дей‐
ствия вируса C; 5) Cтимуляция усвоения
железа растениями при хлорозе; 6) Экс‐
прессия генов антиоксидантной защиты
Рис. 4. Схематическое изображение рецептора у бактерий. Таким образом, образование
трансферрина
динитрозильных комплексов железа спо‐
собствует депонированию, транспорти‐
Другой формой депонирования оксида
ровке на значительные расстояния ок‐
азота являются S‐нитрозотиолы (RS‐NO)
сида азота, что снижает возможность его
[28,31,34‐39]. Известно, что ДНКЖ и S‐
локального токсического воздействия на
нитрозотиолы способны к взаимопрев‐
функцию и жизнеспособность клеток.
ращению в зависимости от уровня в
клетке Fe2+, низкомолекулярных тиолов В данной работе методами теоретичес‐
и NO. При снижении содержания тио‐ кого моделирования исследованы элек‐
Number 25, 2009 81
И.С. Курбанов
82 Journal of Qafqaz University
Депонирование и Транспорт Оксида Азота в Биологических Системах
Таблица 1. Геометрические параметры комплекса 2,03 поданным метода ММ+
C‐N 1.44
Таблица 2. Результаты расчета по данным метода PM3
Энергетические параметры, ккал/моль Дипольный
Комплекс Полная Электронная Энергия Энергия момент,
энергия энергия отталкивания ядер связывания Дебай
Комплекс ‐42429.01 ‐142803.52 100374.51 ‐750.08 2.89
2,03 (в
отсутствии
лиганда)
Комплекс ‐96138.41 ‐567008.42 470869.99 ‐2697.69 4.45
2,03 (с
цистеином)
Number 25, 2009 83
И.С. Курбанов
Для изучения влияния двух SH ‐ содер‐ вывод был сделан на основе результатов
жащих лигандов рассматривались вели‐ оптимизации геометрии координацион‐
чины параметров, характеризующих ного центра комплекса. Изменение ме‐
электронную структуру как в отсутствии жатомного расстояния позволяет судить
двух остатков цистеина, так и в комп‐ об изменении силы химической связи
лексе с ними. Мерой изменения элек‐ между атомами комплекса. Наблюдае‐
тронного распределения служит обычно мое в комплексах увеличение длины свя‐
изменение заряда на атомах, коорди‐ зи Fe‐N (0,1 Å) и уменьшение связи Fe‐S
нирующихся с металлом. Кроме того, по (0,2 Å) свидетельствует об ослаблении
изменению электронного распределения взаимодействия между железом и окси‐
в области атома металла при замещении дом азота. В результате увеличивается
лигандов можно судить о прочности как суммарный положительный заряд
связи металл‐лиганд. Такое замещение на NO группах, так и уменьшается ве‐
может менять характер взаимодействия личина энергии диссоциации NO групп.
и функциональные свойства комплекс‐
ных соединений. При этом следует от‐
метить, что рассматривается та часть
электронной плотности, которая расхо‐
дуется на образование координацион‐
ных связей, играющих важную роль при
участии комплексов железа в биохими‐
ческих процессах. Согласно результатам
расчетов существенное изменение элек‐
тронной плотности при введении цис‐
теиновых лигандов наблюдается на ато‐
ме железа и атомах азотов NO групп. Об
этом свидетельствуют также и рельеф‐
ные карты перераспределения валент‐
ной плотности при замещении. Распре‐
деления плотности построены в сече‐
ниях, проходящих через плоскость комп‐
лекса и на расстоянии 0,5Å от нее, где
изменения плотности максимальны. Раз‐
ность электронных плотностей в коорди‐
национном центре максимальна, в то
время как уже на расстоянии более
одной химической связи от места вве‐
дения лиганда не превышает нескольких
процентов (рис.6). Несмотря на неболь‐
шую величину подобных эффектов было
бы ошибочным игнорировать их вооб‐
ще. Как следует из результатов расчета
суммарный заряд, локализованный на
NO группах комплекса положителен и
Рис. 6. Распределение электростатического потен‐
свидетельствует об ионизации этих циала и спиновой плотности комплекса
групп при связывании лигандов. Этот 2,03 на плоскости XY
84 Journal of Qafqaz University
Депонирование и Транспорт Оксида Азота в Биологических Системах
Number 25, 2009 85
И.С. Курбанов
86 Journal of Qafqaz University
Депонирование и Транспорт Оксида Азота в Биологических Системах
Number 25, 2009 87
И.С. Курбанов
Остаются не до конца выясненными цию данной белковой молекулы, кото‐
природа химической связи и характер рая находится либо в цитоплазме клет‐
изменений электронной структуры ге‐ ки, либо встроена в клеточную мембра‐
мопротеинов при образовании комп‐ ну. С трех сторон порфириновый цикл
лексов с NO. Для решения подобных гема содержит гидрофобные замести‐
задач в теоретической молекулярной тели–метильные и винильные группы, а
биологии все большее распространение с четвертой стороны–две гидрофильные
получают квантово‐химические методы карбоксильные группы, которые в нейт‐
расчета, поскольку именно электронные ральной среде находятся в анионной
аспекты процессов, протекающих в био‐ форме СОО−. В работе [45] были иссле‐
логических системах, привлекают вни‐ дованы структурные изменения в струк‐
мание исследователей. К сожалению, туре гема из состава гемопротеинов при
расчеты электронной структуры комп‐ связывании оксида азота. Несмотря на
лексов гема с лигандами встречаются в то, что природа лиганд‐индуцированных
литературе достаточно редко и авторы, в изменений остается неясной и по сей
большинстве случаев, не делают попы‐ день, было установлено, что отклонение
ток связать полученные результаты с от планарной структуры при связыва‐
биологическими свойствами изучаемых нии лиганда варьирует в пределах от 10
объектов. Целью настоящей работы яви‐ до 100 в окси‐миоглобине и от 120 до 200 в
лось сравнительное теоретическое кван‐ цитохроме С3. В работе [25] было оха‐
тово‐химическое и молекулярно‐дина‐ рактеризовано окружение гема в составе
мическое исследование электронной и каталитического домена ГЦ (рис.8).
атомной структур комплексов гема из
состава гуанилатциклазы с оксидом азо‐
та и динамики их атомного остова при
физиологической температуре. Геомет‐
рию построенных молекулярных струк‐
тур оптимизировали методом молекул‐
ярной механики (на основе алгоритма
Polak‐Ribiere в методе ММ+) с точностью
0,001 ккал/моль. Квантово‐химические
расчеты проводили полуэмпирическим
методом РМ3, параметризированным
для атомов переходных металлов. Из‐
вестно, что гем состоит из 36 атомов и
лишь несколько аминокислот, ковалент‐
но связанных с углеродами, находящи‐
Рис. 8. Структурные изменения, связанные с раз‐
мися на периферии порфиринового
личными конформационными состояния‐
кольца, а также аминокислоты, связан‐ ми каталитического домена ГЦ [25].
ные непосредственно с железом гема,
имеют определенное влияние на степень Нами были рассчитаны комплексы гема
функциональной активности гемопро‐ с His в 5‐ом и с молекулой NO в шестом
теина. Остальная же аминокислотная координационном положении. Полуэм‐
цепь благодаря водородным связям и пирические квантово‐химические расче‐
силам гидрофобного взаимодействия ты методом РМ3 проводились без огра‐
поддерживает уникальную конформа‐ ничения по симметрии соединений,
88 Journal of Qafqaz University
Депонирование и Транспорт Оксида Азота в Биологических Системах
Number 25, 2009 89
И.С. Курбанов
90 Journal of Qafqaz University
Депонирование и Транспорт Оксида Азота в Биологических Системах
32. Васильева C.В., Мошковская Е.Ю., Санина Н.А. Properties of These Complexes // J. Am. Chem.
и др. Формирование динитрозильных комп‐ Soc., 2008, v.130 (46), p.15288–15303
лексов железа–необходимый этап в реализа‐ 44. Winger J.A., Derbyshire E.R., Marletta M.A.
ции генетической активности тетранитрозиль‐ Dissociation of nitric oxide from soluble
ного комплекса с тиосульфатом // Докл. РАН., guanylate and h‐nox domain constructs // JBC
2005, т.402, № 5, с. 1–4 papers in press, www.jbc.org by on april 19, 2009
33. Thakurta P.G., Choudhury D., Dasgupta R., 45. Pellicena P., Karow D.S., Boon E.M., Marletta
Dattagupta J.K. Tertiary structural changes M.A., Kuriyan J. Crystal structure of an oxygen‐
associated with iron binding and release in hen binding heme domain related to soluble
serum transferrin: a crystallographic and guanylate cyclases // PNAS, 2004, v. 101, No.35,
spectroscopic study // Biochem. Biophys. Res. p.12854‐12859.
Commun.. 2004, v. 316, p.1124‐1131
34. Zhang Y., Hogg N. S‐nitrosothiols:Cellular
formation and transport //Free Radical Biol.Med.,
2005, v.38, p.831‐838
35. Foster M.W., Pawloski J.R., Singel D.J., Stamler
J.S. Role of circulating S‐nitrosothiols in control of
blood pressure // Hypertension, 2005, v. 45, p. 15‐
17
36. Foster M.W., Stamler J.S. New insights into
protein S‐nitrosylation. Mitochondria as a model
system // J.Biol.Chem., 2004, v. 279, p. 25891–
25897
37. Jourdʹheuil D., Jourdʹheuil F.L., Feelisch M.
Oxidation and nitrosation of thiols at low
micromolar exposure to nitric oxide. Evidence for
a free radical mechanism // J.Biol.Chem., 2003, v.
278, p. 15720–15726
38. Liu L. Essential roles of S‐nitrosothiols in vascular
homeostasis and endotoxic shock // Cell, 2004, v.
116, p. 617–628
39. Severina I.S., Bussygina O.G., Pyatakova N.V.,
Malenkova I.V., Vanin A.F. Activation of soluble
guanylate cyclase by NO donors‐S‐nitrosothiols,
and dinitrosyl‐iron complexes with thiol‐
containing ligands // Nitric oxide. Biology and
Chemistry, Academic Press, 2003, v.8, p.155‐163
40. Алиев Д.И., Алиева И.Н., Годжаев Н.М. Элек‐
тронное и пространственное строение динит‐
розильного комплекса закисного железа с
цистеином // Ж.физ.химии, 1989, т.LXIII, № 10,
c.2656‐2660
41. Allinger N.L.,Yuh Y. QCPE 395, Quantum
chemistry program exchange, Indiana Univ.,
Indiana, 1982
42. Russwurm M., Koesling D. NO activation of
guanylyl cyclase // The EMBO Journal, 2004, v.23,
p.4443–4450
43. Praneeth V.K.K., Paulat F., Berto T.C., S. DeBeer
George, Nther C., Sulok C.D., Lehnert N.L.
Electronic Structure of Six‐Coordinate Iron(III) −
Porphyrin NO Adducts: The Elusive Iron(III) −
NO (radical) State and Its Influence on the
Number 25, 2009 91
TOZ METALÜRJİSİ İLE ÜRETİLMİŞ İKİ METAL PARÇANIN
DİFÜZYON KAYNAĞIYLA BİRLEŞTİRİLMESİNDE SICAKLIĞIN
KAYNAK BÖLGESİNE ETKİSİNİN İRDELENMESİ
Yadullah BABAYEV
Qafqaz Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi
Endüstri Mühendisliği Bölümü
Bakü / AZERBAYCAN
ybabayev@qafqaz.edu.az
ÖZET
Bu çalışmada Fe‐Cu‐C ve Fe‐Zn‐C toz metal karışımlarından soğuk şekillendirme uygulanarak toz metalden
üretilmiş numunelere ham mukavemet kazandırılmıştır. Daha sonra silindirik şekilli bu parçalara vakumlu fırın
içerisinde değişik sıcaklıklarda difüzyon kaynağı yapılmıştır. Kaynak edilen bu numuneler üzerinde sıcaklığın
kaynaklı birleştirmenin mekanik özelliklerine etkisi incelenmiştir. Çalışmada yapılan difüzyon kaynağının en
önemli özelliği birleştirilecek parçalara dış basıncın uygulanmaması ve tozlara gerekli olan sinterleme işleminin
de kaynak işlemi ile birlikte gerçekleştirilmiş olmasıdır. Yapılan incelemeler sonucunda sıcaklığın yükselmesiyle
kaynak dikişinin kesme dayanımının yükseldiği ve sertlik değerlerinin yükseldiği tespit edilmiştir.
Anahtar sözler: Toz metalürjisi, difüzyon kaynağı, kesme mukavemeti
ANALYSIS OF THE HEAT IMPACT ON WELD AREA DURING CONNECTING WITH DIFFUSION
WELDING OF TWO METAL POWDER PIECES
SUMMARY
In this study, pure resistance for metal powder samples were gained from Fe‐Cu‐C and Fe‐Zn‐C metal
powder composites with applying cold forming. Later, on these cylindric formed pieces was applied diffusion
welding in a different temprature in the vacuum oven. The welded samples were analyzed in the aspect of the
heat impact on mechanical features of welded connection. The main feature of diffusion welding in this study
was non‐use of outside pressure on connecting pieces and realizing of welding process with sintering process. As
a result of analysis, it was defined that the weld cutting resistanse and solidity values are increased with the
increasing of the heat.
Key words: Powder metallurgy, diffusion welding, cutting resistance
kompakt olmak üzere iki çeşittir. Son iş‐
1. Giriş
lemden sonra malzemede %10‐30 arasında
Parçanın şekil ve boyutlarına uygun olarak gözenek mevcutsa, buna gözenekli, %1‐3
metal esaslı tozları presleyip, (0.75‐0.86)Tm arasında gözenek varsa bu ürüne kompakt
sıcaklığında vakum veya koruyucu gaz at‐ malzeme denilir (Avci, 1993; Bishop, 1998).
mosferinde sinterlenmesine toz metalürjisi Sıkıştırılmış toz parçalar arasındaki bağ,
adı verilir (Şükürov, 2002). Toz metalürjisi yapışma, mekanik kilitleme ve benzeri tür‐
metal, seramik tozlarının üretimi ve bu toz‐ den zayıf bağlar olup kristal kafes içerisin‐
ların mekanik ve termik etkilerle birleştiri‐ deki bağ dayanımına göre çok zayıftır. Sı‐
lerek parça üretimi yöntemidir. Toz meta‐ kıştırılmış tozlar bir birleriyle temas etseler
lürjisi ile elde edilen parçalar gözenekli ve bile bir birlerinden bağımsıdırlar. Sinterle‐
92 Journal of Qafqaz University
Toz Metalürjisi ile Üretilmiş İki Metal Parçanın Difüzyon Kaynağıyla Birleştirilmesinde
Sıcaklığın Kaynak Bölgesine Etkisinin İrdelenmesi
mede sıcaklığın etkisi ile bu tozlar arasın‐ için çeşitli yöntemler vardır. Bu yöntem‐
daki temas noktaları artırılmakta, atom ve lerden en önemlisi çeşitli alaşım element‐
iyonlar arasında bir bağ oluşturulmaktadır. lerinin ilavesi ile malzemelerin alaşımlan‐
Tek bileşenli sistemlerde sinterleme tama‐ dırılmasıdır (Skoroxod, 1995; Zavolotnıy,
men katı fazda gerçekleşir. Çok bileşenli Şevçuk, Begun, Koliniçenko, ve Varçenko,
sistemlerde sinterleme işlemi sıkıştırılmış 1994). Daha karmaşık şekillere ve özellik‐
parçanın katı formunu (iskeletini) koruya‐ lere sahip olan parçaların üretimi, toz me‐
cak şekilde katı veya sıvı fazda gerçekleşir talürjisinin presleme, pişirme (sinterleme)
(Kurt, 2005). Gerçekte sinterleme işlemi de ve ısıl işlem operasyonlarından başka ek
bir sıcak basınç kaynağı işlemi olup, toz‐ işlemlerin yapılmasını zorunlu kılar. Bu
ların birbirleriyle birleşmesi difüzyon me‐ parçaların malzemelerinin fiziksel, meka‐
kanizmasıyla olmaktadır. nik ve diğer özelliklerinin iyileştirilmesi için
malzeme yoğunluğunun uygun şekilde
Toz metalürjisi, ana imalat yöntemleri olan ayarlanması, yeterli alaşımlamanın ve ısıl
döküm, plastik şekil verme, talaşlı imalat işlemin yapılması gereklidir. Bununla bir‐
ve kaynaklı imalata (ergitme kaynağı) göre likte, ergime sıcaklığı düşük olan metaller
daha farklı bir imalat yöntemidir ve bu sayesinde üretilecek parçaların gözenekle‐
yöntemin kendine has özellikleri vardır. rinin yeterli derecede doldurulması da sağ‐
Bunlar, üretimi zor olan alaşımların daha lanmalıdır.
kolay üretilebilmesi, karmaşık şekilli parça‐
ların imalatının kolaylığı, yoğunluk kontro‐ Karmaşık şekle sahip bir ürünün elde edil‐
lünün yapılabilmesi ve ekonomiklik gibi mesi, bazen büyük boyutlardaki hammad‐
özelliklerdir. Toz metalürjisi genelde kalite deden diğer imalat yöntemleri kullanılarak,
ve maliyet açısından diğer yöntemlerle üre‐ bazen de toz metalürjisi yöntemi kullanı‐
tilemeyen parçaların imalatında yaygın ola‐ larak yapılır. Toz metalürjisi yönteminde
rak kullanılır (Babayev, Karadeniz, ve presleme, pişirme (sinterleme) ve az sayıda
Memmedov, 2005). Toz metalürjisi ile elde talaşlı imalat gerekebilir. Karmaşık şekilli
edilmesi düşünülen bir parçanın malze‐ elemanlar iki veya daha fazla parçalı üre‐
mesi ve elde edilecek parça, kalite ve mali‐ tilerek daha sonra birleştirilebilirler. Parça‐
yet açısından diğer yöntemlerdekilerle kar‐ nın bütün olarak hazırlanması gerekli za‐
şılaştırılmalı ve elde edilen sonuca göre toz manı arttırmakta, daha büyük boyutlu
metalürjisinin uygulanıp, uygulanmama‐ preslere ve pres kalıplarına ihtiyaç gerek‐
sına karar verilmelidir. Toz metalürjisi tek‐ tirmekte ve bunların yanında bir çok teknik
nolojisi, makine ve elemanlarının yapımın‐ ve ekonomik zorluklara neden olmaktadır
da istifade edilen önceki teknolojilerden (Ordenko, 1987). Bu nedenle de, bu tip ele‐
farklıdır. En önemli farklılığı, istenilen manların, bir kaç basit parçaya ayrılarak bu
özellik ve şekle sahip ürünlerin elde edil‐ parçaların soğuk presleme yöntemiyle elde
mesine imkan vermesidir. Kaliteli ve kar‐ edildikten sonra birleştirilerek, son şekle
maşık parçaların ekonomik olarak üretile‐ getirilmesi yalnızca fırın içerisinde difüz‐
bilmesi toz metalurjisini daha da cazip kıl‐ yon kaynağı (sıcak basınç kaynağı) ile
maktadır (Federçenko ve Pugına, 1980; mümkün olmaktadır.
Radomıselskiy, 1985).
Toz metalürjisi ile elde edilen malzemele‐
Toz metalurjisi malzemeleri içerisinde de‐ rin kaynağı veya birleştirilmeleri, haddele‐
mir esaslı toz metal malzemeler önemli bir me veya diğer üretim yöntemleri ile üre‐
yere sahiptirler. Bu malzemelerin çeşidini tilmiş malzemelerin kaynağından farklıdır.
arttırmak ve uygulama alanını genişletmek Preslenmiş toz malzemeler pişirilerek kay‐
Number 25, 2009 93
Yadullah Babayev
nak edildiğinde ergiyen malzemenin ha‐ Ergitme ve nokta kaynağı ile toz metal
cimsel büzülme ve ısıl genleşme miktar‐ malzemeler kaynak edildiğinde toz parça‐
larının kaynaktan önce tam olarak belirlen‐ cıklarının iyi özellikleri (örneğin mekanik
mesi gerekmektedir. Bunun dışında parça‐ mukavemet değerleri) değişerek, yok ol‐
ların montajında parçaların arasındaki ara maktadır. Bu nedenle toz metal malzeme‐
boşlukların dikkate alınması gerekmekte‐ lerin kaynağında bu yöntemlerin kullanıl‐
dir. Bu ara boşlukların optimal değerleri ması uygun değildir. Ayrıca ergitme kay‐
ana malzemeye ve bu malzeme içerisindeki nağı yöntemlerinin kullanılması durumun‐
ergiyen metallere bağlıdır. da gözenekli yapı çeşitli kaynak problem‐
leri oluşturmaktadır. Kaynak işlemi sırasın‐
2. Toz Metalürjisi ile Üretilmiş da sinterlenmiş metalin ergime bölgesinde
Parçaların Kaynağı gözeneklerin tamamen ortadan kalkması,
kaynak dikişinde büyük boşlukların oluş‐
Farklı kimyasal bileşime sahip malzeme‐
ma riskini artırmaktadır. Özellikle iki toz
lerin difüzyon kaynağında ve gözenekli
metal parçanın kaynaklanmasında bu risk
malzemelerin kaynağında kaynak işlemin‐
daha önemli duruma gelmektedir. Bu du‐
de çeşitli zorluklar ile karşılaşılmaktadır.
rumda, ortadan kalkan gözeneklerin oluş‐
Toz metalürjisi yöntemiyle elde edilen par‐ turduğu hacimsel boşluk oluşumunu en‐
çaların kaynak işlemi fırında gerçekleştiril‐ gellemek için özel dolgu malzemelerinin
diğinde kaliteli bir kaynak dikişinin elde kullanılması gerekmektedir (Varol, Tunay,
edilebilmesi için malzeme bileşiminin ve Tüfekçi, 2002). Yapılan deneyler bu tip
sinterleme süresinin uygun seçilmesi gere‐ malzemelerin difüzyon kaynağı vasıtasıyla
kir. Ayrıca bu birleştirme işleminde kons‐ birleştirilmesinin daha uygun bir yöntem
trüktif faktörlerin de dikkate alınması ge‐ olduğunu göstermektedir. Pratikte, toz me‐
rekir (Demyanenko ve Polikov, 1998). talürjisi ile üretilen parçaların kaynağı hak‐
Toz metal malzemeler haddeleme, döküm kında pek fazla bilimsel çalışma yapılma‐
gibi geleneksel imalat yöntemleri ile üre‐ mıştır. Kaynaklı bir toz metalürjisi ile
tilen malzemelere göre bazı değişik ve üretilen parçanın yapısı ve özelliklerinin
avantajlı özelliklere sahiptir. Bu avantajlar, bilinmesi bu malzemelerin kaynağında bü‐
üretimi zor olan alaşımları daha kolay üre‐ yük önem arz eder. Toz metalürjisi yönte‐
tme, karmaşık şekilli parçaların imalat ko‐ miyle üretilmiş malzemelerin difüzyon
laylığı, yoğunluk kontrolü (uygulanan pres‐ kaynağı yöntemiyle birleştirilmesi, hem toz
leme basıncı değiştirilerek arzu edilen yo‐ metalürjisi ile üretilen malzemelerin oriji‐
ğunluk değeri elde edilebilir) ve ekono‐ nal yapısının korunması ve hem de oluştu‐
rulacak malzeme çiftinin difüzyon kaynağı
miklik gibi olanaklardır. Bununla birlikte
davranışlarının anlaşılması açısından çok
toz metal malzemelerin kaynağı veya bir‐
önemlidir (Ozan ve diğerleri, 2006).
leştirilmeleri hadde veya diğer üretim yön‐
temleri ile üretilmiş malzemelerin kayna‐ 3. Deneysel Çalışma
ğından biraz farklı olmaktadır. Preslenmiş
3.1. Malzeme ve Deney Numunelerinin
toz parçaların pişirilme ile kaynaklanma‐
Hazırlanması
sında ergiyen malzemenin büzülme ve ısıl
genleşme ölçülerinin tam olarak tayin edil‐ Kaynatılacak parçaların üretiminde Fe, Cu,
mesi gerekmektedir. Bunun dışında parçala‐ Zn ve C olmak üzere 4 farlı toz malzeme
rın montajında ara boşlukların dikkate alın‐ kullanılmıştır. Bu toz malzemelere sıkıştır‐
ması gerekir. Bu ara boşlukların optimal ma sırasında toz taneleri arasında ve toz
değeri ana ve ergiyen metallere bağlıdır. taneleri ile kalıp duvarı arasında sürtün‐
94 Journal of Qafqaz University
Toz Metalürjisi ile Üretilmiş İki Metal Parçanın Difüzyon Kaynağıyla Birleştirilmesinde
Sıcaklığın Kaynak Bölgesine Etkisinin İrdelenmesi
Number 25, 2009 95
Yadullah Babayev
45
1100, 1150 ve 1200OC sıcaklık değerlerinde
40
bir vakumlu fırın içerisinde difüzyon kay‐
35
nağı işlemi uygulanmıştır. Buradaki kay‐
nak işleminde dıştan her hangi bir basınç 30
uygulanmamıştır. Kaynak edilecek parçala‐ 25
rın kimyasal içeriği, kaynak dikişinin ka‐ 20
liteli olmasını sağlayabilecek şekilde seçil‐ 1050 1100 1150 1200
miştir. Sıcaklık, C
İç silindirik parçanın boyutlarında, bileşi‐ Şekil 2. Kesme mukavemetinin sinterleme sıcaklığı‐
minde bulunan Cu yüzdesine bağlı olarak na göre değişimi
sinterleme sonrası bir artış meydana gel‐
mektedir. Yapılan literatür araştırmasına Şekil 2’den de görülüğü gibi kaynak sıcak‐
göre karışıma katılan %0.8 karbonun 900OC lığı artışına bağlı olarak kaynaklı birleştir‐
civarındaki sıcaklıklarda Fe içerisinde çö‐ menin kesmeye karşı dayanımı da artmak‐
zünmeye başlayarak perlit oluşturduğu tadır. 1050OC’de mukavemetin düşük ol‐
tespit edilmiştir. 1083OC sıcaklığa kadar Fe‐ masının sebebinin, bu sıcaklıkta meydana
Cu‐C karışımında olan toz metal parçada gelen katı hal difüzyonu sonucu, Cu atom‐
katı hal sinterlenmesi meydana gelmekte‐ larının katı halde Fe ve C’la tane sınırla‐
dir. Bakırın ergime sıcaklığının üzerine çı‐ rında daha düşük kuvvette bağ oluşturma‐
96 Journal of Qafqaz University
Toz Metalürjisi ile Üretilmiş İki Metal Parçanın Difüzyon Kaynağıyla Birleştirilmesinde
Sıcaklığın Kaynak Bölgesine Etkisinin İrdelenmesi
300 lıkta yapılan difüzyon kaynağında, kaynak
250
200
bölgesinin çeşitli bölgelerinden alınan fo‐
150 toğraflar görülmektedir. Fotoğraflardan da
100
50 anlaşılacağı üzere 1050OC’de yapılmış di‐
0
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 füzyon kaynağında, difüzyonun yeterli dü‐
Mesafe, mm zeyde olmadığı ara kesitlerde (şekil 4 a, b
ve c’de) belirgin olarak gözükmektedir.
Şekil 3. Kaynaklı birleşmenin sertlik değerinin kay‐
Şekil 4 d’de ise bir miktar difüzyonun ger‐
nak sıcaklığına göre değişimi
çekleştiği görülmektedir. Burada difüzyo‐
Şekil 3’te, kesme mukavemetinde olduğu nun yeterli derecede olmamasının sebebi
gibi sertlik değerlerinde de sıcaklık yüksel‐ sıcaklığın yeterli olmamasıdır.
Number 25, 2009 97
Yadullah Babayev
Fe-Zn-C Fe-Cu-C
Fe-Zn-C Fe-Cu-C
(a) (b)
Ara kesit
Ara kesit
(c) (d)
Şekil 4. 1050OC sıcaklık 60 dakika sinterleme süresinde yapılmış difüzyon kaynak bölgesi (x400); birleşme
yüzeyinden (a) 2 mm, (b) 6 mm, (c) 10 mm, (d) 14 mm
98 Journal of Qafqaz University
Toz Metalürjisi ile Üretilmiş İki Metal Parçanın Difüzyon Kaynağıyla Birleştirilmesinde
Sıcaklığın Kaynak Bölgesine Etkisinin İrdelenmesi
Ara kesit
Ara kesit
(c) (b)
Ara kesit
Ara kesit
(c) (d)
Şekil 5. 1200 C sıcaklık 60 dakika sinterleme süresinde yapılmış difüzyon kaynak bölgesi (x400); birleşme
O
yüzeyinden (a) 2 mm, (b) 6 mm, (c) 10 mm, (d) 14 mm
Number 25, 2009 99
Yadullah Babayev
yayınma katsayısına sahip olmasından do‐ − Ozan S., Çaligülü U., Taşkin M., Gür A. K.,
Dikbaş H. ve Çay V.V. (2006). Sicak Presleme
layı Cu yüzdesi birleşmenin sertliğine ve
Yöntemiyle İmal Edilmiş SiCp Takviyeli Alümin‐
difüzyon kaynağının iyi düzeyde gerçek‐ yum Esasli Kompozitlerin Difüzyon Kaynağinda
leşmesine olumlu yönde etki etmiştir. Bakı‐ Sicakliğin Birleşme Üzerindeki Etkisinin İncelen‐
rın tane sınırlarına ve gözeneklere yerleş‐ mesi. 11. Denizli Malzeme Sempozyumu, 19‐21
Nisan, s.233‐236.
mesi sonucu iyi bir bağ kuvveti oluştur‐
− Demyanenko V.L. ve Polikov V.N. (1998). Sosto‐
duğu bilinmektedir (Zavoltnıy, 1994). Kay‐
yanie i perispektivı razvitiya poroşkovoy metal‐
nak sıcaklığının artmasına bağlı olarak sert‐ lurgii v otrasli priborostroyaniya. Priborı i şstvmı
lik değerlerinde artış elde edilmiştir. upravleniya, (4), s. 27‐28.
Bileşiğe eklenmiş %0.8 oranındaki grafit − Varol R., Tunay R.F. ve Tüfekçi K. (2002) Toz
metal (T/M) parçaların elektron ışın kaynağı ile
yapıda perlit oluşturmuştur. Oluşan perlit‐
birleştirilmesi. Mühendis ve Ma‐kine, 45(513),
ten dolayı bileşimin mekanik özelliklerinde s.32‐55.
iyileşme olmuştur. − Yılmaz R. (2005). Fe‐Cu‐C kompaktlarda presle‐
me basıncı ve toz karışım oranlarının sertliğe ve
çekme mukavemetine etkisi. 4. Uluslararası Toz
KAYNAKLAR Metalürjisi Konferansı, 18‐22 Mayıs, s.795‐806.
− Şükürov R.İ. (2002). Metalşünaslıq. Bakü: Çaşıoğlu
Yayınevi.
− Avcı A.U. (1993). Toz metalürjisi ders notları.
Yıldız Teknik Üniversitesi, İstanbul.
− Bishop D.P. (1998). Diffusion‐based micro‐alloying
via reaction sintering. Ph.D. Thesis, Dalhousie
University.
− Kurt A.O. (2005). Toz üretim yöntemleri ve sin‐
terleme. Sakarya Üniversitesi, Mühendislik Fa‐
kültesi, Metalürji ve Malzeme Mühendisliği Bö‐
lümü Ders Notları, s. 19‐20. Sakarya.
− Babayev Y., Karadeniz S. ve Memmedov A.
(2005). Fe‐Cu karışımı toz malzemenin tribolojik
özelliklerinin incelenmesi. 3. Makina Tasarım ve
İmalat Teknolojileri Kongresi, 16‐17 Eylül, s. 127‐
130.
− Federçenko İ.M. ve Pugina L.İ. (1980). Kompozi‐
çionnıe speçennıe antifrikçionnıe materialı. Kiev:
Nauk
− Radomıselskiy İ.D. (1985). Poroşkovıe konstruk‐
çionnıe detali. Sovremennoe sostoyanıe, peres‐
pektnıe razvitiya. Poroşkovaya Metallurgiya,
(10), s. 37‐41.
100 Journal of Qafqaz University
КОНФОРМАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА МОЛЕКУЛЫ
АНТИМИКРОБНОГО ПЕПТИДА ТРИТРПТИЦИНА
Г.А. АГАЕВА, Р.Э. АЛИЕВ
Бакинский государственный университет
Баку / АЗЕРБАЙДЖАН
gulshen@mail.ru
РЕЗЮМЕ
Методом молекулярной механики исследовано пространственное строение антимикробного пептида
тритрптицина в условиях полярной среды и среды, имитирующей окружение мембраны. Исследование
пространственного строения пептида на основе его фрагментарного конформационного анализа показало,
что он обладает способностью формировать целый ряд низкоэнергетических конформаций, которые
можно сгруппировать в четыре семейства конформаций, обладающих идентичной конформацией цент‐
рального фрагмента Phe4‐Phe10.
Ключевые слова: Конформация, пептид, тритрптицин
CONFORMATIONAL PROPERTIES OF THE ANTIMICROBIAL PEPTIDE TRITRPTICIN
ABSTRACT
The spatial structure of the antimicrobial peptide tritrpticin has been investigated by molecular mechanics
method at the polar and membrane simulated conditions. It is showed that tritrpticin has possibility to form a
series of low‐energy conformation, which may be presented by four structure families with identical backbone
forms of the central fragment Phe4‐Phe10.
Key words: Conformation, peptide, tritrpticin
шинство природных пептидов наряду с
Введение
антимикробным обладают некоторым
Антимикробные пептиды в живых су‐ гемолитическим действием, то есть раз‐
ществах, включая человека, эффективно рушают человеческие эритроциты [1‐5].
борются с бактериями и грибками, что Поэтому становится актуальной пробле‐
создает перспективы для их практичес‐ ма создания таких искусственных анало‐
кого применения в качестве лекарствен‐ гов природных антимикробных пепти‐
ного препарата. Антимикробные пепти‐ дов, которые бы обладали антибакте‐
ды, хотя несколько уступают антибиоти‐ риальной, но не имели гемолитической
кам по эффективности, но действуют активности. Однако механизм действия
намного быстрее и, что самое главное, этих пептидов до сих пор детально не
уничтожают бактерии, устойчивые к из‐ изучен, а потому направленный моле‐
вестным антибиотикам. Однако примен‐ кулярный дизайн весьма затруднителен.
ять в клинике в качестве антибиотиков и К таким антимикробным пептидам
антигрибковых средств можно только те относится тритрптицин молекула, ко‐
пептиды, которые не разрушают клетки торого состоит из 13 аминокислотных
млекопитающих. Как оказалось, боль‐ остатков с последовательностью
Number 25, 2009 101
Г.А. Агаева, Р.Э. Алиев
102 Journal of Qafqaz University
Конформационные Свойства Молекулы Антимикробного Пептида Тритрптицина
H-Val1-Arg2-Arg3-Phe4-Pro5-Trp6-Trp7-Trp8-Pro9-Phe10-Leu11-Arg12-Arg13-COOH
1-4 5-8 10-13
3-6
6-9
8-11
1-9
1-11
1-13
Рис. 1. Схема расчета молекулы тритрптицина
C C
N N N N
H-Val1-Arg2-Arg3-Phe4-Pro5-Trp6-Trp7-Trp8-Pro9-Phe10-Leu11-Arg12-Arg13-COOH
Рис. 2. Атомная модель молекулы тритрптицина
Number 25, 2009 103
Г.А. Агаева, Р.Э. Алиев
104 Journal of Qafqaz University
Конформационные Свойства Молекулы Антимикробного Пептида Тритрптицина
Таблица 1. Величины энергетических параметров (ккал/моль) оптимальных конформаций
фрагмента молекулы тритрптицина Val1‐Pro9
Number 25, 2009 105
Г.А. Агаева, Р.Э. Алиев
Таблица 2. Величины двугранных углов стабильных конформационных состояний фрагмента молекулы
тритрптицина Val1‐Pro9 : I ‐ B2B3R2B3RB1R2B2B (Eотн. =0ккал/моль), II ‐ B2R3R2B3 RB2B3B2B (Eотн= 1.4
ккал/моль) и III ‐ B2R3R2B3RR2B2B2B (Eотн. =1.7ккал/моль)
.
Аминокислотная Конформация Величины двугранных углов (ϕ, ψ, ω, χ1, χ2, χ3, χ4)
последовательность
Остаток, № I II III
Val1 ‐103,140,180,170,183,180 ‐103,141,180,171,183,180 ‐104,141,179,165,184,178
Arg2 ‐100,141,180, 181,179,180,180 ‐100,141,180, 183,178,182,179 ‐100,137,175,178,180,178,180
Arg3 ‐99,140,180,180,180,180,180 ‐97, ‐60,189,‐60,180,180,180 ‐102,135,179,181,179,179,180
Phe4 ‐100,136,180,57,88 ‐100,134,182,55,91 ‐106,143,176, ‐61,90
Pro5 64,184 ‐56,185 ‐57,177
Trp6 ‐116, ‐67,176,182,72 ‐121, ‐64,175,184,73 ‐100,140,185,180,79
Trp7 ‐125, ‐65,183,180,70 ‐129, ‐62,179,181,71 ‐98,137,181,177,81
Trp8 ‐100,134,176,171,82 ‐100,134,178,171,83 ‐101,126,175,175,80
Pro9 117,180 117,180 115,180
ЕОТН. 0.0 ккал/моль 1.4 ккал/моль 1.7 ккал/моль
На завершающей стадии исследования цепями и остаток лейцина (Leu) с боль‐
на основе стабильных структур N‐ шой разветвленной боковой цепью.
концевого нонапептида и тетрапептида Поэтому в оптимальных конформациях
Trp8‐Pro9‐Phe10‐Leu11 были определены фрагмента межостаточные взаимодей‐
энергетически предпочтительные кон‐ ствия могут вносить существенный вклад
формационные состояния для N‐конце‐ в стабильность этих структур. При вы‐
вого ундекапептида. И, наконец, на ос‐ боре начальных приближений учитыва‐
нове стабильных структур N‐концевого лись различные ориентации боковых це‐
ундекапептида и перекрывающегося с пей остатков. Энергетически предпочти‐
ним по двум остаткам С‐концевого тет‐ тельными конформациями оказались ст‐
рапептида Phe10‐Leu11‐Arg12‐Arg13 было руктуры только одного шейпа еее , в ко‐
исследовано пространственное строение тором благодаря развернутой (ВВВB)
целой молекулы. Для этого сначала был форме образуются эффективные взаи‐
проведен конформационный анализ двух модействия между боковыми цепями
перекрывающихся по двум остаткам тет‐ остатков Trp и Phe. В интервал относи‐
рапептидов Trp8‐Pro9‐Phe10‐Leu11 и Phe10‐ тельной энергии 0‐5 ккал/моль попада‐
Leu11‐Arg12‐Arg13. Рассматриваемый тет‐ ют оптимальные конформации четырех
рапептид Trp8‐Pro9‐Phe10‐Leu11, как видно шейпов. Для последующего расчета бы‐
из последовательности пептида, содер‐ ли отобраны конформации всех форм
жит один остаток пролина, который ог‐ тетрапептида Trp8‐Pro9‐Phe10‐Leu11, вход‐
раничивает конформационные особен‐ ящие в интервал относительной энергии
ности предстоящего ему остатка. Поэто‐ 0‐5 ккал/моль. На следующей стадии
му для данного фрамента из 8 возмож‐ конформационного анализа были сос‐
ных для тетрапептида структурных ти‐ тавлены структурные варианты N‐конце‐
пов стерически допустимыми являются вого ундекапептида на основе стабиль‐
только четыре: eee, eef, fee и fef. В данном ных конформаций N‐концевого нона‐
фрагменте расположены остатки трип‐ пептида и тетрапептида Trp8‐Pro9‐Phe10‐
тофана (Trp) и фенилаланина (Phe) с Leu11. Всего было рассчитано около 200
громоздкими циклическими боковыми структурных вариантов ундекапептида
106 Journal of Qafqaz University
Конформационные Свойства Молекулы Антимикробного Пептида Тритрптицина
Number 25, 2009 107
Г.А. Агаева, Р.Э. Алиев
Таблица 3. Энергетические вклады внутри‐ и межостаточных взаимодействий в двух наиболее низкоэнер‐
гетических конформациях тритрптицина B2B2R2B3RB2B2B3RB3B3B3B (ЕОТН.=0 ккал/моль) и
B2R3B2B3RB2B2B3RR2B3R3R3(ЕОТН.=0.5 ккал/моль)
Val Arg Arg Phe Pro Trp Trp Trp Pro Phe Leu Arg Arg №
5.5 0.7 1.6 0.2 0.1 ‐0.1 ‐0.0 ‐0.1 0.0 ‐0.1 0.1 1.3 0.5 Val
5.4 1.1 0.2 ‐2.6 ‐0.1 ‐0.2 ‐0.1 ‐0.1 0.0 0.0 0.1 1.4 ‐0.1
0.1 1.2 2.3 2.2 0.4 ‐0.2 ‐0.2 0.0 ‐0.1 0.1 1.7 0.4 Arg
‐0.5 1.4 ‐1.5 ‐1.5 ‐0.1 0.0 ‐0.1 0.0 0.0 0.0 1.5 0.1
0.0 ‐6.4 0.6 0.3 0.0 ‐0.1 0.0 ‐0.1 0.2 1.0 ‐1.9 Arg
0.0 ‐2.8 ‐1.0 ‐0.3 ‐0.1 ‐0.2 0.0 0.0 0.0 1.7 ‐0.5
‐0.1 3.0 1.9 0.5 2.5 0.0 0.0 ‐0.3 ‐0.5 0.0 Phe
‐0.1 ‐3.1 ‐2.1 ‐0.3 ‐2.6 0.0 0.0 ‐1.8 ‐0.1 0.1
0.3 1.5 0.3 0.1 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 Pro
0.3 ‐1.6 ‐0.3 ‐0.1 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0
‐0.5 ‐3.8 ‐3.8 0.9 0.0 0.0 ‐0.2 0.0 Trp
‐0.5 ‐3.7 ‐5.4 ‐1.2 0.0 ‐0.1 0.1 0.1
‐0.7 ‐4.0 2.7 0.2 ‐1.8 ‐0.1 0.0 Trp
‐0.6 ‐4.0 ‐2.6 ‐0.2 ‐1.8 ‐1.6 ‐0.2
‐0.4 3.4 2.0 2.0 ‐0.4 ‐0.1 Trp
‐0.3 ‐3.4 ‐1.6 ‐3.7 ‐0.2 0.1
0.3 ‐1.5 0.7 1.1 ‐0.1 Pro
0.2 ‐0.9 ‐1.2 ‐0.4 0.0
‐0.1 3.5 3.0 0.1 Phe
‐0.3 ‐2.6 ‐1.4 ‐0.1
‐0.8 1.4 0.8 Leu
‐0.4 ‐1.0 ‐0.9
‐0.5 1.6 Arg
‐0.5 ‐0.3
‐2.3 Arg
‐2.4
Рис.3. Проекции четырех энергетически предпочтительных конформаций
тритрптицина из каждого семейства
108 Journal of Qafqaz University
Конформационные Свойства Молекулы Антимикробного Пептида Тритрптицина
Таблица 4. Величины двугранных углов двух наиболее стабильных конформационных состояний молеку‐
лы тритрптицина.
Аминокислотная Конформация
Последовательность Величины двугранных углов (ϕ, ψ, ω, χ1, χ2, χ3, χ4)
Остаток, № B2B2R2B3RB2B2B3RB3B3B3B B2R3B2B3RB2B2B3RR2B3R3R3
Val1 ‐103,142,179,164,83,178 ‐102,144,180,164,183,178
Arg2 ‐100,136,180,182,179,‐69,179 ‐95,‐60,181,‐62,180,180,180
Arg3 ‐102,‐60,177,176,174,174,182 ‐100,134,182,181,179,180,180
Phe4 ‐100,142,177,‐62,99 ‐96,146,185,182,79
Pro5 ‐57,172 ‐53,178
Trp6 ‐100,146,190,185,77 ‐96,146,185,182,79
Trp7 ‐90,135,183,180,87 ‐89,134,184,176,89
Trp8 ‐98,145,174,‐65,83 ‐100,147,176,‐65,79
Pro9 ‐54,173 ‐37,187
Phe10 ‐100,138,179,180,90 ‐78,‐38,179,187,85
Leu11 ‐104,134,183,‐52,176,186,180 ‐82,132,180,‐55,174,185,180
Arg12 ‐101,140,180,‐60,180,180,180 ‐105,‐56,179,‐61,180,180,180
Arg13 ‐102,140,‐61,180,180,180 ‐105,‐55,‐63,182,179,180
ЕОТН. 0.0 ккал/моль 0.5 ккал/моль
Number 25, 2009 109
Г.А. Агаева, Р.Э. Алиев
ЛИТЕРАТУРА
1. D.J. Shibli, P.M. Hwang, H.J. Vogel, Biochemistry,
1999, 38, p.16749‐16755.
2. S.Nagpal , V.Gupta, K.J.Kaur, J.Biol.Chem, 1999,
274, p.23296‐23304.
3. S.T.Yang, S.Y.Shin., Y.C.Kim, Y.Kim, K.S.Hahm,
J.I.Kim., Biochem. Biophys. Res. Commun., 2002,
296, p.1044‐1050.
4. P.M. Hwang, H.J. Vogel , Biochem.Cell.Biol.,
1998, 76, p.235‐246.
5. D.J. Shibli, L.T. Nguen, S.D. Kernaghan, O.
Rekdal , H.J.Vogel, Biophys. J., 2006, 91, p.
4413‐4426.
6. Г.М. Липкинд, С.Ф. Архипова, Е.М. Попов.
Молек. биол., 1970, т.4, с.331‐334.
7. E.V. Popov, Int. J. Quant. Chem., 1979, v.16, p.707‐
710.
8. Н.М. Годжаев, И.С. Максумов, Л.И. Исмаилова,
Ж. Структ. Химии, 1983, т.24, с.147‐150.
9. Г.А. Агаева, Н.А. Ахмедов, Е.М. Попов, Молек.
биол. т.21, 1987, №1, с.164‐173.
10. Е.М. Попов, В.Г. Дашевский, Г.М. Липкинд,
С.Ф. Архипова. Молек. биол. 1968, т.2, с. 612‐
620.
11. Н.М. Годжаев, И.С. Максумов. Уч. записки
АГУ, серия физ.‐мат., 1979, №5, с.157‐162.
12. IUPAC‐IUB Commision on Biochemical Nomen‐
clature Abbreviations and symbols for descrip‐
tion of conformation of polypeptide chainsʺ,
Pure Appl. Chem., 1974, v. 40, p.291‐308.
13. P.R. Schimmel, P.J. Flory. J. Mol. Biol., 1968, v.34,
p. 105‐111.
110 Journal of Qafqaz University
ОБОБЩЕНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ ПО
ИЗОБАРНОЙ ОБЪЕМНОЙ ТЕПЛОЕМКОСТИ БИНАРНЫХ
РАСТВОРОВ МЕТАНОЛА И ИЗОСПИРТОВ
Махир БАШИРОВ, Яшар НАЗИЕВ, Акиф БАХШИЕВ
Азербайджанский Технический Университет
Баку / АЗЕРБАЙДЖАН
mahirbashirov@yahoo.com
РЕЗЮМЕ
Проведено экспериментальное исследование изобарной объемной теплоемкости смесей метанола‐изо‐
спиртов при концентрациях 25, 50 и 75 масс.% при высоких параметрах состояния. Предложено обоб‐
щенное уравнение по изобарной объемной теплоемкости смесей метанола‐изоспиртов при различных
температурах и давлениях.
Ключевые слова: аддитивности, бинарных растворов.
GENERALIZATION OF EXPERIMENTAL ISOBARIC HEAT CAPACITY VALUES OF BINARY
SOLUTIONS OF METHYL AND IZOALCOHOLS
ABSTRACT
In the presented paper the empirical equation describing of concentration, temperature and pressure
dependences of experimental isobaric heat capacity (ж′ ) values of binary solutions of methyl and izoalcohols
п
with 2,2% is offered. On the base this equation the general equation for the methyl and izoalcohols solutions is
offered.
Key words: additivity, binary solutions.
В связи с широким применением одно‐ С3Н7ОН до С5Н11ОН). Для исследования
атомных спиртов и их смесей в различ‐ были использованы образцы спиртов
ных отраслях народного хозяйства, изу‐ квалификации ″ХЧ″ производства России
чение их тепловых свойств, в частности со степенью чистоты 98,3‐99,9 %. Изме‐
изобарной теплоемкости, приобретает рение изобарной объемной теплоемкос‐
особый интерес. Единственным путем ти проводилось на установке, осуществ‐
получения достоверной информации о ленной по методу импульсно‐регуляр‐
изобарной объемной теплоемкости ж′п ( ) ного режима, подробно описанной в [4].
Максимальная относительная погреш‐
одноатомных спиртов и их смесей в нас‐
ность определения изобарной объемной
тоящее время является эксперимент.
теплоемкости исследованных растворов
В предыдущих работах [1‐3] были вы‐ находилась в пределах 2,2% (при довери‐
полнены экспериментальные исследова‐ тельной вероятности α=0,95). Экспери‐
ния изобарной объемной теплоемкос‐ менты проведены в интервале темпера‐
ти растворов метанол‐изоспиртов (от тур 295‐525 К, давлений 0,101‐50МПа и
Number 25, 2009 111
Махир Баширов, Яшар Назиев, Акиф Бахшиев
при концентрациях 0,25; 0,50 и 0,75 ное по форме эмпирическое уравнения,
массовых долях метанола. Настоящая отражающие зависимость ж′п от Р, Т и х.
работа является продолжением указан‐
ных исследований и посвящена обобще‐ ж′п = ж′п1 х1 + ж′п2 х2 + х1 х2(αΔТ − βП + γ ) , (1)
нию результатов исследования экспери‐
где ж′п ‐ изобарная объемная теплоем‐
ментальных данных по изобарной объ‐
емной теплоемкости бинарных смесей кость раствора, кДж/(м3К), ж′п1 , ж′п2 – изо‐
метанола с изоспиртами при различных барные объемные теплоемкости первого
температурах и давлениях. и второго компонентов, кДж/(м3К); х1, х2
Полученный нами богатый эксперимен‐ – концентрации первого и второго ком‐
тальный материал позволяет составлять понентов, в массовых долях; α, β, γ ‐ пос‐
более точные уравнения для расчета ж′п тоянние для каждой системы веществ;
ΔТ=Т–Т0; Т0 – базовая температура,
Т 0 = (Т кун ′′ ) 2 , Т кун
исследованных бинарных смесей мети‐
′ + Т кун ′′ – темпера‐
′ , Т кун
лового и изоспиртов. Как следует из это‐
туры кипения первого и второго ком‐
го материала ж′п исследованных бинар‐
понентов, К; Р – давления раствора, МПа;
ных смесей зависит не только от давле‐ Т – абсолютная температура, К.
ния (Р) и температуры (Т), но и от кон‐
центрации (х). Таким образом, перед на‐ Значения постоянных α, β и γ входящих
ми ставилась задача составления новых в уравнение (1) найдены на компьютере
уравнений для описания зависимости на основе экспериментальных данных по
ж п′ = ф( П , Т , х) бинарных смесей конк‐ ж′п [1‐3] и приведены в табл.1.
ретной системы, а также по возможнос‐ Уравнение (1) описывает эксперимен‐
ти обобщить их. тальные данные по ж′п исследованных
Как показали результаты и анализ экс‐ систем в пределах погрешности опытов.
периментов по качественному измене‐
Большой интерес представляет исполь‐
нию и по ходу, концентрационные зави‐
зование коэффициентов α, β и γ урав‐
симости изобарной объемной теплоем‐
нения (1) в обобщении эксперименталь‐
кости исследованных систем метанола с
ных данных по ж′п смесей метанола с
изоспиртами, одинаковы.
изоспиртами при различных температу‐
При обработке и аналитическом обоб‐
рах и давлениях. Подобное обобщение
щении экспериментальных данных по
нами выполнено по изобарной тепло‐
ж′п для исследованных систем метанола + емкости бинарных растворов одноатом‐
изоспиртов можно рекомендовать еди‐ ных спиртов в работе [5].
Таблица 1. Значения коэффициентов уравнения (1)
Постоянные коэффициенты Базовая температура,
Наименование системы
α β γ Т0, К
Метиловый + изопропиловый 3,186 0,160 86,467 346,545
Метиловый + изобутиловый 2,96706 0,180 59,1995 355,20
Метиловый + изоамиловый 2,754 0,200 51,9421 371,025
Для обобщения опытных данных по ж′п ноатомными изоспиртами при высоких
жидких бинарных смесей метанола с од‐ давлениях предложено уравнение в виде
112 Journal of Qafqaz University
Обобщение Экспериментальных Данных по Изобарной Объемной
Теплоемкости Бинарных Растворов Метанола и Изоспиртов
ж′п = ж′п1 х1 + ж′п2 х2 + ЛИТЕРАТУРА
Number 25, 2009 113
ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ МОНОМЕРНЫХ И ДИМЕРНЫХ
КОМПЛЕКСОВ МОЛЕКУЛЫ КАРНОЗИНА С ЦИНКОМ
1С.Д. ДЕМУХАМЕДОВА, 1И.Н. АЛИЕВА, 1,2Н.М. ГОДЖАЕВ, 3Н.С. НАБИЕВ
1
Институт Проблем физики и 3Кафедра химической физики наноматериалов,
Бакинский Государственный Университет
Баку / АЗЕРБАЙДЖАН
2
Университет Qafqaz,
Баку / АЗЕРБАЙДЖАН
svetlanabest@mail.ru; iradanur@mail.ru; nifbiophys@yahoo.com
РЕЗЮМЕ
Методом молекулярной механики в потенциалах полуэмпирического поля ММ+ и методом квантовой
химии в приближении РМ3 рассчитаны энергетические параметры молекулы карнозина в двух таутомер‐
ных формах имидазольного кольца, изучены электронные структуры мономерных и димерных комплек‐
сов обоих форм карнозина с цинком и проведен анализ заселенностей атомных орбиталей.
Ключевые слова: карнозин, комплекс карнозина с цинком, метод молекулярной механики, квантово‐
химические расчеты, заселенности атомных орбиталей
ELECTRONIC STRUCTURE OF THE MONOMERIC AND DIMERIC COMPLEXES OF THE
CARNOSINE MOLECULE WITH ZINC
ABSTRACT
The geometrical and energy parameters of the carnosine molecule with two forms of imidazole ring and their
monomeric and dimeric complexes with zinc were calculated by the semiempirical methods of molecular
mechanics ММ+ and РМ3 method of quantum chemistry. The electronic structures and atomic orbital populations
of monomeric and dimeric complexes of the both carnosine two forms with zinc were analyzed.
Key words: biocarnosine, zinc complex of carnosine; molecular mechanics method; quantum‐chemistry
calculations, atomic orbitals populations
выживают и пролиферируют, повышает
Введение устойчивость животных к воздействию
Карнозин (L‐CA,β–аланил–L–гистидин)– ионизирующего облучения, гипобари‐
природный антиоксидант, который мо‐ ческой гипоксии и переохлаждения,
жет служить ловушкой пероксильных и снижая гибель животных и улучшая реа‐
гидроксильных радикалов, синглетного билитационный процесс. Терапевтичес‐
и супероксид–аниона кислорода, а так‐ кое применение карнозина в экспери‐
же может нейтрализовать гипохлорит– менте и в клинике позволило охаракте‐
анион, образуя с ним стабильные хлора‐ ризовать его, как эффективный имму‐
миновые комплексы [1‐4]. Карнозин об‐ номодулятор и противовоспалительный
ладает мембранопротекторным дейст‐ агент . Карнозин оказался селективным
вием, оказывает цитотоксический эффект ингибитором NО–зависимой активации
на опухолевые клетки в культуре в усло‐ гуанилатциклазы [5]. В связи с этим воз‐
виях, при которых эти клетки обычно никает возможность использования кар‐
114 Journal of Qafqaz University
Электронное Строение Мономерных и Димерных Комплексов Молекулы Карнозина с Цинком
Number 25, 2009 115
С.Д. Демухамедова, И.Н. Алиева, Н.М. Годжаев, Н.С. Набиев
116 Journal of Qafqaz University
Электронное Строение Мономерных и Димерных Комплексов Молекулы Карнозина с Цинком
Таблица 1. Заселенности атомных орбиталей для карнозина N3H и его комплексов с Zn
Number 25, 2009 117
С.Д. Демухамедова, И.Н. Алиева, Н.М. Годжаев, Н.С. Набиев
Таблица 2. Заселенности атомных орбиталей для карнозина N1H и его комплексов с Zn
118 Journal of Qafqaz University
Электронное Строение Мономерных и Димерных Комплексов Молекулы Карнозина с Цинком
при котором электроны с рх орби‐ ти орбиталей, либо электронная плот‐
тали(0.1↓) переходят на рy(0.07↑) и ность перераспределяется только между
рz(0.05↑) орбитали. Но в обоих формах орбиталями самого атома. Небольшое
суммарная заселенность на атоме О15 перетекание электронной плотности на
увеличивается на 0.03. При образовании атом С7 происходит с атома С8(0.05), а
мономерного комплекса N3H на атоме также с атома N9(0.11), с атома О16(0.07)
С6, валентно связанном с атомом С7 ни‐ на атом С10 и дальше с атома С10(0.03) на
каких изменений в суммарной атомной атом N9, а также на атом С12 с атома N13
популяции не наблюдается, также прак‐ (0.08).
тически нет изменений и на атоме С11,
Рассмотрим заселенность имидазольно‐
валентно связанном с атомами С10 и С12,
го кольца при образовании мономерно‐
суммарная атомная популяция умень‐
го комплекса карнозина N3H с цинком.
шается на этом атоме всего на 0.01. Аб‐
На атоме N1, пространственно сближен‐
солютно никаких изменений не наблю‐
ном с атомом кислорода О16, незначи‐
дается и в суммарной популяции атома
тельно повышается суммарная заселен‐
С11 мономерного комплекса N1H, но на
ность р‐орбиталей (0.03↑), в основном, за
атоме С6 этого комплекса заселенность
счет повышения популяций на рх‐орби‐
незначительно уменьшается на 0.03. В
тали (0.05↑). На атоме N3 суммарная
обоих случаях все изменения на атоме С6
заселенность не меняется, хотя проис‐
происходят перетеканием электронной
ходит перераспределение между р‐ор‐
плотности с орбитали рх на рy и рz ор‐
биталями – электронная плотность
битали атома, а на атоме С11–с орби‐
переходит с рz‐орбитали (0.28↓) на рy
талей рх и рy–на рz орбитали. На атоме
кислорода О14 заселенность немного (0.18↑) и рх (0.1↑) орбитали. На атоме С5
уменьшается на 0.02 в комплексе N3H и хотя и происходит обмен электронной
на 0.05 в комплексе N1H, причем все плотностью между рy и рz орбиталями
электроны перетекают с рy(0.38↓ в N3H на 0.04, но суммарная популяция прак‐
и 0.48↓ в N1H) орбитали в основном на тически не меняется. На атоме С2 сум‐
свои же рх и pz орбитали. марная заселенность р‐орбиталей нез‐
начительно повышается на 0.02, а на
Таким образом, мы можем предполо‐ атоме С4 понижается на 0.04. Предпола‐
жить, что при образовании мономер‐ гаемое перераспределение электронной
ного комплекса карнозина N3H с цинком
плотности имидазольного кольца пред‐
в образовавшихся хелатных кольцах
ставлено на рис.1,б.
происходит перераспределение элек‐
тронной плотности согласно схеме, пред‐ При образовании мономерного комп‐
ставленной на рис.1,а. Основная элек‐ лекса N1H имидазольное кольцо прос‐
тронная плотность на атом цинка Zn транственно сближено с атомом кисло‐
переходит с атомов азота N13 (0.45) и N9 рода О14 и происходит понижение элек‐
(0.20). Причем участвуют в этом перерас‐ тронной заселенности на всех атомах уг‐
пределении электронной плотности лерода имидазольного кольца. Поэтому
атомные орбитали рx (0.31) и рz (0.22), а можно предположить перетекание элек‐
также s‐орбиталь (0.24) атома N13 и рy‐ тронной плотности с кольца по цепочке
орбиталь атома N9. На остальных атомах через атомы С6, С7 и N9 на атом цинка
при образовании мономерного комп‐ происходит согласно рис.1,а. Согласно
лекса происходит незначительное пере‐ представленной схеме на атом цинка с
распределение электронной заселеннос‐ атома N9 может перейти электронная
Number 25, 2009 119
С.Д. Демухамедова, И.Н. Алиева, Н.М. Годжаев, Н.С. Набиев
120 Journal of Qafqaz University
Электронное Строение Мономерных и Димерных Комплексов Молекулы Карнозина с Цинком
Number 25, 2009 121
С.Д. Демухамедова, И.Н. Алиева, Н.М. Годжаев, Н.С. Набиев
(а) Димерный комплекс карнозина N1H по срав‐ (с) Димерный комплекс карнозина N1H по срав‐
нению со свободным карнозином нению с мономерным комплексом
(б) Димерный комплекс карнозина N3H по срав‐ (д) Димерный комплекс карнозина N3H по срав‐
нению со свободным карнозином нению с мономерным комплексом
122 Journal of Qafqaz University
Электронное Строение Мономерных и Димерных Комплексов Молекулы Карнозина с Цинком
Таблица 3. Энергетические характеристики 2‐х таутомерных форм карнозина и его мономерных и димер‐
ных комплексов с цинком
Энергетические параметры, ккал/моль μ, D
Карнозин и его комплексы с Zn
Е полн.* Еэл. Еот. Есв.
Карнозин N1H ‐64839.5 ‐402729.6 337890.1 ‐2976.7 2.6
Карнозин N3H ‐64839.6 ‐403028.3 338188.7 ‐2976.8 5.8
Карнозин N H с Zn
1 ‐65031.8 ‐421131.8 356099.9 ‐2838.9 10.6
Карнозин N3H с Zn ‐65057.3 ‐431151.0 366093.6 ‐2864.4 11.3
Димер карнозина N H с Zn
1 ‐129783.1 ‐1225173.3 1095390.1 ‐5698.8 13.6
Димер карнозина N H с Zn
3 ‐129765.0 ‐1247666.9 1117901.8 ‐5680.6 19.5
* Примечание: Еполн.–полная энергия; Еэл.– электронная энергия; Еот.–энергия отталкивания атомных осто‐
вов; Есв.–энергия связывания; μ –дипольный момент
Как видно, энергетически более выгод‐ Приходим к выводу, что даже если в
ной (на 18.18 ккал/моль) становится реа‐ свободной форме могут реализоваться
лизация димерного комплекса карнози‐ оба таутомера карнозина, димерный
на с цинком с таутомерной формой N1H. комплекс с цинком энергетически более
Энергетическое преимущество первого предпочтителен для одной из форм, а
димерного комплекса N1H с цинком именно N1H. Дипольный момент этого
обеспечивается эффективным экраниро‐ комплекса на 5.9 ккал/моль меньше ди‐
ванием атомных остовов электронным польного момента димерного комплекса
облаком. За счет такого благоприятного N3H. Следовательно, вполне возможно,
экранирования отталкивание атомных
что при создании полимерного цинко‐
остовов ослабляется на 22511.7 ккал/
вого комплекса карнозина происходит
моль.
валентная переизомеризация имида‐
Несмотря на то, что такое перераспре‐ зольных колец формы N3H свободного
деление электронной плотности умень‐ карнозина в форму N1H твердофазного
шает и электронную энергию, в итоге и комплекса карнозина с цинком. Энергия
полная энергия и энергия связывания ионизации, которая соответствует отри‐
дает выигрыш в полной энергии 18 ккал/ цательным значениям энергии ВЗМО
моль. Это может объяснить предраспо‐ комплекса карнозина N1H+Zn равна 9.17
ложенность существования комплекса эв (по теореме Купманса энергия ВЗМО
карнозина с цинком в димерной форме. молекулы приближенно равна потенци‐
Number 25, 2009 123
С.Д. Демухамедова, И.Н. Алиева, Н.М. Годжаев, Н.С. Набиев
124 Journal of Qafqaz University
Электронное Строение Мономерных и Димерных Комплексов Молекулы Карнозина с Цинком
a)
b)
Рис. 4. Энергетические диаграммы и графическое изображение ВЗМО и НВМО в димерных комплексах
карнозина N1H (а) и N3H (б) с цинком по данным метода РМ3
Number 25, 2009 125
С.Д. Демухамедова, И.Н. Алиева, Н.М. Годжаев, Н.С. Набиев
126 Journal of Qafqaz University
Journal
of
Qafqaz
University
MATHEMATICS
RİYAZİYYAT
MATEMATİK
МАТЕМАТИКА
NEW INEQUALITIES ON TRIANGLE AREAS
Y.N. ALIYEV
Department of Mathematics,
Faculty of Pedagogy, Qafqaz University,
Khyrdalan –Baku / AZERBAIJAN
yaliyev@qafqaz.edu.az
ABSTRACT
In this paper we prove a new inequality with the best constant for the areas of triangles formed by the lines
through a point M in a triangle ABC, parallel to the sides of Cevian triangle of ΔABC with respect to the point M.
Unexpectedly, this result lead us to a new refinement of Euler’s inequality on the ratio of circumradius and
inradius of a triangle. Using a generalization of the familiar fact in plane geometry, we prove also a new
inequality for reciprocals of triangle areas formed by the sides of polygon A0A1…An‐1 and by the sides and
diagonals of inscribed polygon B0B1…Bn‐1. We note that even in special cases when n=3 and n=4 the obtained
results are new and interesting. At the end of the paper we prove a new inequality for quadrilaterals.
Key words: inequality, best constant, Cevian triangle, refinement, Euler’s triangle inequality, circumradius,
inradius, plane geometry, triangle areas, reciprocal, polygon, quadrilateral.
ÜÇBUCAQ SAHƏLƏRINƏ AID YENI BƏRABƏRSIZLIKLƏR
XÜLASƏ
Məqalədə ABC üçbucağının daxilində götürülmüş M nöqtəsindən bu nöqtənin ΔABC‐yə nəzərən Çevian
üçbucağının tərəflərinə çəkilmiş paralel düz xəttlərin əmələ gətirdiyi üçbucaqların sahələri haqqında dəqiq
bərabərsizlik isbat olunur. Gözlənilmədən, bu nəticə bizi, üçbucağın xaricinə və daxilinə çəkilmiş çevrələrin
radiusları nisbəti haqqında olan Eyler bərabərsizliyinin yeni ümumiləşməsinə gətirir. Müstəvi həndəsəsindən
məlum faktın ümumiləşməsini istifadə edərək, A0A1…An‐1 çoxbucaqlısının tərəfləri və bu çoxbucaqlının daxilinə
çəkilmiş B0B1…Bn‐1 çoxbucaqlısının tərəfləri və diaqonallarının əmələ gətirdiyi üçbucaqların sahələrinin tərs
qiymətləri haqqında yeni bərabərsizlik isbat olunur. Hətta n=3 və n=4 xüsusi hallarında da bu bərabərsizlik yeni
və maraqlı nəticələrə gətirir. Məqalənin sonunda dördbucaqlılar üçün yeni bərabərsizlik isbat olunur.
Açar sözlər: dəqiq bərabərsizlik, Çevian üçbucağı, ümumiləşmə, Eyler bərabərsizliyi, xaricə və daxilə çəkilmiş
çevrələr, müstəvi həndəsəsi, üçbucağın sahəsi, tərs qiymət, çoxbucaqlı, dördbucaqlı.
Introduction angle measures, areas, and all other com‐
Every geometric figure in plane or space parisons of parts of the figure in the context
can be studied in two different ways. In the of Geometric Inequalities. Usually, studies in
first approach one find formulas, equalities these two directions complete each other.
involving the elements of the geometric Let us demonstrate our words by the
figure, establish collinearity or concurrency following.
theorems, and determine all other relation‐ Example 1. Given two concentric circles
ships in the context of Classic Euclidean with center O and let A be a fixed point
Geometry. The second somewhat modern different from O in the interior of the
approach is about finding inequalities circles. A ray through A intersects the
between the elements of geometric figure, circles at the points B and C . Let tangents
estimating the length of line segments, to corresponding circles at the points B
Number 25, 2009 129
Y.N. Aliyev
and C intersect at the point D. Let E be a intersects BA and BC at C1 and A2,
point on the line BC such that DE is respectively. Analogously, draw the paral‐
perpendicular to BC. Then lel through M to B0A0 (and to B0C0) to find
A1 and B2 (and B1 and C2). It was proved
1) the equality AB = EC holds if and only
in [1] that A1B2||A2B1, B1C2||B2C1 and
if the line OA is perpendicular to the line
C1A2||C2A1.
BC,
Areas in this and subsequent section will
2) the length of line segment BC is
be denoted by square brackets. Denote
maximal if and only if the line OA is
T1=[MC1B2], T2=[MA1C2], T3=[MB1A2],
perpendicular to the line BC.
S1=[MA1A2], S2=[MB1B2], S3=[MC1C2],
Although these two results look as inde‐ P1=[AB2C1], P2=[BC2A1], P3=[CA2B1],
pendent, they are closely related to each U1=[MBC], U2=[MAC], U3=[MAB] (Figure
other. However, they can be proved sepa‐ 1.2).
rately. As in Example 1 interplay between
2U iU jU k
the two approaches is very fruitful for Lemma 1.1. S i = ,
finding new geometric facts. Similar (U j + U k )(U i + U j + U k )
situation appear in many places and one of for {i, j , k} = {1,2,3} .
such problems was discussed in [1]. Section
Proof. Note that |BA0|/|A0C|=U3/U2,
1 of the present paper continues and in a
|CB0|/|B0A|=U1/U3, |AC0|/|C0B|=U2/U1.
certain sense completes the study of triangle
Then [BMA0]=U1|A0B|/|BC|=U1U3/(U3+U2).
areas developed in [1]. Section 2 and
Similarly, [CMA0]=U1U2/(U3+U2). We have
Section 3 contain new inequalities for
convex polygons, with many interesting [MB0A0]=[CMA0]|AB0|/|AC|=
corollaries. =U1U2U3/((U3+U2)(U1+U3)).
Then
1. Geometric inequality with the best
constant and a refinement of Euler’s [BB0A0]=[BMA0]+[MB0A0]=
triangle inequality. =U1U3(U1+U2+U3)/((U3+U2)(U1+U3)).
130 Journal of Qafqaz University
New Inequalities on Triangle Areas
Noting that [ABC]=U1+U2+U3 and using Proof. Let inscribed circle of the triangle
Lemma 1.1 and Lemma 1.2 we obtain, after with sides a, b, c divide these sides into
simplifications, parts u1, u2, u3, that is a=u2+u3, b=u1+u3,
c=u1+u2. The inequality (1.2), which is true
(U 1 + U 2 )(U 2 + U 3 )(U 3 + U 1 )
≥ for all real numbers U1=u1, U2=u2, U3=u3, can
8U 1U 2U 3 be written in terms of a, b, c as follows
≥
( 2 2
3 U1 + U 2 + U 3
2
) (1.2)
abc
≥
(U 1 + U 2 + U 3 ) 2
(a + b − c)(b + c − a )(c + a − b)
Number 25, 2009 131
Y.N. Aliyev
≥
( )
R 9 a 2 + b 2 + c 2 − 6(ab + bc + ca )
, O
2r (a + b + c) 2
132 Journal of Qafqaz University
New Inequalities on Triangle Areas
A''4 A4 C'0 the triangle KLM (see [8, Problem 19] and
B4 A''0
C'4 [12, Problem 10.61]).
A'4 A0
A'0
Corollary 2.2. Let K, L, M, N be arbitrary
C0 B0
C4 points on corresponding sides AB, BC, CD,
B3
A''1 and DA of a convex quadrilateral ABCD.
C1 Let the lines KM and LN meet at the point
A3 C3 A1 C'1
A'3 O. Then
A''3 C2
C'3
A'1 1/[AKN]+1/[BLK]+1/[CML]+1/[DNM] ≥
B1 ≥ 1/[OKN]+1/[OLK]+1/[OML]+1/[ONM].
B2
C'2
Corollaries 2.1‐2.2 are special cases n=3 and
A'2 n=4 of Theorem 2.1.
A''2
A2
3. Inequality on reciprocals of triangle
Figure 2.2. areas in quadrilaterals.
1/[ALM]+1/[BMK]+1/[CKL] ≥ 3/[KLM].
Proof: Denote the areas of triangles AKO,
In particular, it follows from Corollary 2.1 BKO, BLO, CLO, CMO, DMO, DNO, and
that at least one of the triangles ALM, BMK, ANO by S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, and S8
CKL has an area not greater than the area of (Figure 3.1). We must prove that
Number 25, 2009 133
Y.N. Aliyev
1 1 1 1 1 1 1 1 C
+ + + + + + + ≥ B c
S1 S 2 S 3 S 4 S 5 S 6 S 7 S8 b G
F
⎛ 1 1 1 1 ⎞ z
≥ 2⎜⎜ + + + ⎟⎟ + y
⎝ S1 + S 2 S 3 + S 4 S 5 + S 6 S 7 + S 8 ⎠ K M
O t
1 x
⎛ 1 1 1 1 ⎞2
+ 4⎜⎜ + + + ⎟
2⎟
⎝ (S1 + S2 ) (S3 + S4 ) (S5 + S6 ) (S7 + S8 ) ⎠ E a H
2 2 2
A d D
(3.1)
Figure 3.2.
Let OA=a, OB=b, OC=c, OD=d (Figure 3.2).
Denote the angles ∠AOB = ∠COD = α , Using (3.2) and (3.3) we obtain that,
∠AOK = ∠COM = β , then
⎛ 1
1 1 1 1 1 1 1⎞
∠KOB = ∠MOD = α − β . Drop perpen‐ + + + = 2⎜⎜ + + + ⎟⎟ =
S1 S 2 S 5 S 6 ⎝ xa yb zc td ⎠
diculars KE=x, KF=y, MG=z, MH=t to the
⎛ xa + yb zc + td ⎞ ⎛ 1 1⎞
corresponding lines OA, OB, OC, OD. By = 2⎜⎜ + ⎟⎟ = 2 sin α ⎜⎜ + ⎟⎟
the formula for the area of triangles ⎝ xyab ztcd ⎠ ⎝ xy zt ⎠
ax by ab sin α Using (3.4), (3.5), (3.6), (3.7) we obtain that
+ = S1 + S 2 = .
2 2 2 1 1 1 1 2 sin α ⎛ 1 1 ⎞
+ + + = ⎜ 2 + 2⎟=
Then S1 S 2 S 5 S 6 f ⎝x z ⎠
ax + by = ab sin α . (3.2) 2 sin α ⎛⎜ ⎛ a + bf ⎞ ⎛ c + df ⎞ ⎞⎟
2 2
= ⎜ ⎟ +⎜ ⎟ =
Similarly, f ⎜⎝ ⎝ ab sin α ⎠ ⎝ cd sin α ⎠ ⎟⎠
cz + dt = cd sin α . (3.3) 2 ⎛ 1 ⎛ 1 1 ⎞ ⎛ 1 1 ⎞ ⎛ 1 1 ⎞⎞
= ⎜ ⎜ + ⎟ + f ⎜ + ⎟ + 2⎜ + ⎟⎟
sinα ⎜⎝ f ⎝ b2 d 2 ⎠ ⎝ a2 c2 ⎠ ⎝ ab cd ⎠⎟⎠
On the other hand OK sin β = x and
OK sin(α − β ) = y then By AM‐GM inequality and noting that f>0,
x y 1 1 1 1
= . (3.4) + + + ≥
sin β sin(α − β ) S1 S2 S5 S6
Similarly, 2 ⎛⎜ ⎛ 1 1 ⎞⎛ 1 1 ⎞ ⎛ 1 1 ⎞⎞⎟
≥ 2 ⎜ 2 + 2 ⎟⎜ 2 + 2 ⎟ + 2⎜ + ⎟⎟ =
z t sinα ⎜⎝ ⎝ b d ⎠⎝ a c ⎠ ⎝ ab cd ⎠⎠
= . (3.5)
sin β sin(α − β ) 4 4 4 4
=2 + 22 + 2 2 + 22 +
From (3.2) and (3.3) it follows that b a sinα b c sinα d a sinα d c sinα
2 2
ab sin α ⎛ 2 2 ⎞
+ 2⎜ + ⎟
x= . (3.6) ⎝ absinα cdsinα ⎠
a + bf
Since
where f = sin(α − β ) / sin β .
1 1
Similarly, S1 + S 2 = ab sin α , S 3 + S 4 = bc sin α ,
2 2
cd sin α 1 1
z= . (3.7) S 5 + S 6 = cd sin α , S 7 + S 8 = da sin α ,
c + df 2 2
then we can write
134 Journal of Qafqaz University
New Inequalities on Triangle Areas
f = ⎝
b d ⎠ 15. Y.N. Aliyev, Problem 127, La Gaceta de la RSME,
(3.9)
⎛ 1 1 ⎞ 12(2), (2009), 315.
⎜ 2 + 2⎟
⎝a c ⎠ 16. Y.N. Aliyev, Problem 11441, Amer. Math. Month.,
116(6), (2009), 547 .
But f = sin(α − β ) / sin β as a positive
function of β ∈ (0, α ) is strictly decreasing
and attains all values in the interval
(0,+∞ ) . Thus equality holds in (3.1) for
some concrete positions of the lines KM
and LN. It is therefore interesting to find
explicit geometric meaning for the equality
condition (3.9) of the inequality (3.8).
REFERENCES
Number 25, 2009 135
ЛИФТЫ ВЕКТОРНЫХ ПОЛЕЙ В ПОЛУТЕНЗОРНОЕ
РАССЛОЕНИЕ ТИПА (2,0)
Габил ФАТТАЕВ
Университет Кавказ,
Бакинский Государственный Университет,
Механико‐математический факультет
Баку ‐ АЗЕРБАЙДЖАН
gabil_dovlatoglu@yahoo.com
РЕЗЮМЕ
В работе определяется полутензорное расслоение типа (2,0) дифференцируемого многообразия. Стро‐
ятся полный и горизонтальный лифты проектируемых векторных полей в это расслоение. Исследуется
соотношение между полным и горизонтальным лифтами. Вычисляются компоненты коммутатора двух
проектируемых векторных полей в полутензорное расслоение типа (2,0).
Ключевые слова: полутензорное расслоение, полный лифт, аффинная связность, коммутатор.
THE LIFTS OF VECTOR FIELDS TO THE SEMITENSOR BUNDLE OF THE TYPE (2, 0)
ABSTRACT
In this article the semitensor bundle of the type (2,0) of differentiable manifold is determined. Complete and
horizontal lifts of the projectiable vector fields to this bundle are constructed. The relation between complete and
horizontal lifts is investigated. The components of complete lifts of the commutator of two projectiable vector
fields to semitensor bundle of the type (2,0) are calculated.
Key words: semitensor bundle, complete lift, affine connection, commutator.
1. Понятие полукасательного расслоения слоение типа ( p, q ) . В настоящей работе
введено В.В.Вишневским в начале вось‐ будут рассмотрены некоторые вопросы
мидесятых годов XX столетия [1,2]. Осно‐ теории лифтов векторных полей в полу‐
вываясь на естественную интегрируемую тензорное расслоение типа (2,0 ).
аффинорную структуру, имеющуюся на
данном расслоении, В.В.Вишневским и 2. На дифференцируемом многообразии
его учениками построена и развита тео‐ M n класса C ∞ рассмотрим дифферен‐
цируемое расслоение L (n − m ) − мерных
рия лифтов дифференциально‐геомет‐
рических структур в полукасательном
расслоении. Тензорные расслоения, так‐ подмногообразий. На M n введем адап‐
же полутензорные расслоения, являю‐ тированные к расслоению L локальные
щиеся обобщениями полукасательного ( )
координаты x i = x a , xα , где xα − коорди‐
наты на базе расслоения L (α = 1, K m ), x a
расслоения, рассмотрены в работах А.А.
Салимова и Г.Д.Фаттаева [3‐5]. В работе
[3] А.А.Салимовым построен полный ‐ слоевые координаты (a = 1,K n − m ) .
лифт так называемого проектируемого Адаптированные локальные координаты
тензорного поля в полутензорное рас‐ определяются с точностью до преобра‐
136 Journal of Qafqaz University
Лифты Векторных Полей в Полутензорное Расслоение Типа (2,0)
( )
det Aaa ′ ≠ 0, det Aαα ′ ≠ 0. ( ) (3) 3. Пусть на многообразии M n задано
проектируемое относительно
Введем в рассмотрение многообразие
троек (x , x
b β
)
, x β , где x β = t β1β 2 , а
расслоения
( (
L
) ( ))
V = v a x a , xα , vα xα . Полный лифт
векторное поле
β1β 2
t − координаты контравариантного
векторного поля V в полутензорное
тензора t на базе расслоения L . При
расслоение τ 0 (M n ) опреде‐лим как
2
допус‐тимом преобразовании (1) эти
величины преобразуются векторное поле:
дифференцируемым об‐разом: c
( ) (
V = c v A = c v a , c vα , c vα = )
⎧x = x x , x ,
b′
⎪⎪ ′
b′
( )
b β
(
= v a , v α , t σα 2 ∂ σ v α1 + t α1σ ∂ σ v α 2 . (5) )
β β′ β
⎨x = x x , ( ) (4)
⎪ β′ β ′β ′ β1′ β 2′ β β Покажем, что полный лифт в виде (5)
⎪⎩ x = t 1 2 = Aβ1 Aβ 2 t 1 2 . определяется инвариантно, т.е.
Якобиева матрица преобразования (4) необходимо установить, что при
имеет следующее строение:
⎛ Abb′ Aβb′ 0 ⎞
переходе (x , x b β
) (
, x β → x b′ , x β ′ , x β ′ )
⎜ ⎟ объект (5) пре‐образуется по закону
~ ⎜ β′ ⎟ .
A= 0 Aβ 0 c B′
v = ABB ′ c v B .
⎜ ⎟
⎜0
⎝ t β1β 2 β1′ β 2′
∂ β Aβ1 Aβ 2 (
β1′ β 2′ ⎟
Aβ1 Aβ 2 ⎠ ) Возможны следующие случаи:
Имея в виду, что матрица (A β1′ β 2′
β1 Aβ 2 ) 1) B′ = b′, так как
является матрицей перехода от одного ( ) (
V ′ = v b′ , v β ′ = Abb ′v b + Aβb ′v β , Aββ ′v β , )
векторного базиса к другому в вектор‐ то в данном случае
ном пространстве T02 (Q ) размерностью c b′
2 v = Abb ′v b + Aβb′v β ,
m , приходим к следующему выводу:
′
( ′
)
det Aββ11 Aββ22 ≠ 0 . Учитывая этот факт, а ABb c v B = Abb c v b + Aβb c v β + Aβb c v β =
′ ′ ′ ′
′ ′ ′
также соотношения (3), заключаем: = Abb v b + Aβb v β = c v b .
Number 25, 2009 137
Габил Фаттаев
′ ′ ′
ABβ c v B = Abβ c v b + Aββ c v β + Доказательство. Возможны следующие
+ Aββ ′ c v β = Aββ ′ v β c β′
= v . случаи:
1) B = b, при этом
3) B′ = β ′, в данном случае
c
[v, w]b = v a ∂ a wb + vα ∂α wb −
c B′
v = v c β′
=t σ ′α 2′
(∂ σ ′v
α1
) ′
Aαα11 +
− w a ∂ a v b − wα ∂α v b = [v, w]b ,
(
+ t σ ′α 2′ ∂σ ′ Aαα11 vα1 + t α1′σ ′
′
) (∂ σ ′v
α2
)A α 2′
+
α2
[ v , w] = v ∂
c c b c a c
wb + c v α ∂ α c wb +
(∂ )v
a
α1′σ ′
4
α 2′ α2
+t σ ′ Aα 2 = ∑ cp, + c vα ∂ α c wb − c w a ∂ a c v b − c wα ∂α c v b −
p =1
где − c wα ∂ α c v b = vα ∂ α wb + vα ∂ α wb −
′ ′
( )
c1 = t σ α 2 ∂σ ′ vα1 Aαα11 , c3 = t α1σ ∂σ ′ vα 2 Aαα22 ,
′ ′ ′
( ) ′ − w a ∂ a v b − wα ∂α v b = c [v, w]b .
c2 = t σ α 2
′
(∂ α1′
σ ′ Aα1 )v α1
, c4 = t
α1′σ ′
(∂ α 2′
σ ′ Aα 2 )v α2
.
2) B = β , при этом
( )
= v β t β1β 2 ∂ β Aββ11 Aββ22 + v β t β1β 2 Aββ11 ∂ β Aββ22 +
′ ′ ′ ′ [ v , w] = v ∂
c c β c a
a
c
w β + c vα ∂ α c w β +
′ ′ ′ ′ + c vα ∂ α c w β − c w a ∂ a c v β − c wα ∂ α c v β −
+ Aββ11 Aββ22 t σβ 2 ∂ σ v β1 + Aββ11 Aββ22 t β1σ ∂ σ v β 2 =
− c wα ∂ α c v β = vα ∂ α w β − wα ∂ α v β = [v, w] .
c β
4
= ∑ dq , 3) B = β , при этом пользуясь (5), нахо‐
q =1
дим:
где
8
d1 = v β t β1β2
′ ′
(
∂ β Aββ11 Aββ22 , )
c
[v, w]β = ∑ bs , где
s =1
′ ′
d2 = v β t β1β2 Aββ11 ∂ β Aββ22 , b1 = t σβ 2 ∂ σ v α ∂ α w β1 , b5 = t β1σ ∂ σ v α ∂ α w β 2 ,
d 3 = Aββ11 Aββ22 t σβ2 ∂ σ v β1
′ ′
b2 = t σβ 2 v α ∂ σ ∂ α w β1 , b6 = t β1σ v α ∂ σ ∂ α w β 2 ,
′ ′
d 4 = Aββ11 Aββ22 t β1σ ∂σ v β 2 b3 = −t σβ 2 ∂ σ wα ∂ α v β1 , b7 = −t β1σ ∂ σ wα ∂ α v β 2 ,
Легко проверяется, что b4 = −t σβ 2 wα ∂ σ ∂ α v β1 , b8 = −t β1σ wα ∂ σ ∂ α v β 2 ,
c1 = d3 , c2 = d1 , c3 = d 2 , c4 = d 4 , [ v , w]
c c β 12
= ∑ al ,
l =1
т.е. полный лифт векторного поля опре‐
делен инвариантно. Имеет место где
a1 = t σβ2 vα ∂ α ∂ σ w β1 , a7 = − wα t σβ 2 ∂ α ∂ σ v β1 ,
Теорема 1. Для произвольных проектиру‐
емых векторных полей a2 = t β1σ vα ∂ α ∂ σ w β 2 , a8 = − wα t β1σ ∂ α ∂ σ v β 2 ,
( ( ) ( ))
v = v a x a , xα , vα x α , a3 = t γβ 2 ∂ γ vσ ∂ σ w β1 , a9 = −t γβ 2 ∂ γ wσ ∂ σ v β1 ,
w = (w (x , x β ), w β (x β )),
b b
138 Journal of Qafqaz University
Лифты Векторных Полей в Полутензорное Расслоение Типа (2,0)
a5 = t σγ ∂ γ v β 2 ∂ σ w β1 , a11 = −t σγ ∂ γ w β 2 ∂ σ v β1 , H
v B′ = H v β ′ = −Γμβ′1σ ′ t σ β 2 v μ ′ − Γμβ′σ2 ′ t β1α v μ ′ =
′ ′ ′ ′ ′ ′
[ v, w] = ( [v, w]) ,
c c β c β
− Aμβσ2 ′ v μ t β1σ Aββ11 Aββ22 Aσσ ′ ,
′ ′
с другой стороны ′ ′
k 2 = v β t β1β2 Aββ11 ∂ β Aββ22 ,
ABb′ c v B = Abb′ H v b + Aβb′ H v β + Aβb′ H v β = ′ ′
k3 = −Γμσ1 t
β σβ 2 μ
v Aββ11 Aββ22 ,
= Abb′ v b + Aβb′ v β = H v b′ . β 2 β1σ μ β1 β 2 ′ ′
k 4 = −Γμσ t v Aβ1 Aβ2 .
2) B′ = β ′, при этом
Очевидно, что
B′ H β′ β′
H
v = v =v = Aββ ′v β , l1 = k 3 , l 2 = k1 , l3 = k 4 , l4 = k 2 ,
β′
ABB′ H v B = ABβ ′ H v B = A b H v b + Aββ ′ H v β + ′
т.е. H v β = ABβ
′H
v B , тем самым инва‐
+ Aββ ′ H v β = Aββ ′ v β = H v B′ . риантность объекта (6) установлена.
Справедлива
Number 25, 2009 139
Габил Фаттаев
ного поля v = v x , x , v( (
a a α
) (x )), заданного
α α
1. Вишневский В.В. Многообразия над плюраль‐
на многообразии M n , ными числами // Итоги науки и техники.
Проблемы геометрии. ВИНИТИ АН СССР,
c
v −H v = v, 1988, т.20, с.35‐74.
2. Вишневский В.В., Пантелеева Т.А. Голоморф‐
⎛ ⎞ ное продолжение объектов в полукасательное
здесь v = ⎜ 0,...,0,v β ⎟ ‐вертикальное вектор‐ расслоение второго порядка. Изв.вузов, Мате‐
⎜ 123 ⎟
⎝ n ⎠ матика, 1988, N 9, с. 3‐10.
ное поле на расслоении τ 02 (M n ) такое, что
3. Салимов А.А. Полиаффинорные структуры на
дифференцируемом многообразии и его тен‐
v β = t σβ2 ∇ σ (
ˆ v β1 + t β1σ ∇
σ)
ˆ v β2 , ( ) а ˆ −
∇ зорном расслоении. Дисс. докт. физ.‐мат. наук,
1998, Казань, 260 с.
аффинная связность с коэффициентами 4. Фаттаев Г.Д. Горизонтальный лифт тензорных
α α
Γˆσμ = Γμσ . полей в чистое аффинорное расслоение. М.,
1992, 19 с, Деп. В ВИНИТИ 25.09.92, N 2852‐В
Доказательство. Вводим обозначение 92.
ниями (5) и (6), получим:
v B = v b = c v b − H v b = v b − v b = 0, b = 1, n − m
2) Пусть B = β . Тогда согласно (5) и (6)
имеем:
v B = v β = c v β − H v β = v β − v β = 0,
β = n − m + 1, n.
3) B = β . В этом случае векторное поле
v имеет следующую серию компонен‐
тов:
v B = v β =cv β − H v β =
= t σβ 2 ∂ σ v β1 +t β1σ ∂ σ v β 2 +
β1 σβ 2 μ β 2 β1σ μ
+ Γμσ t v + Γμσ t v =
(
= t σβ 2 ∂ σ v β1 + Γμσ
α μ
v + )
+ t β1σ (∂ v
σ
β2 β2
+ Γμσ v )=μ
= t σβ 2 (∂ v
σ
β1 β1
+ Γˆ σμ v )+ μ
+ t β1σ (∂ v
σ
β2 β2
+ Γˆσμ v )= t
μ σβ2 ˆ v β1 +
∇ σ
β1σ ˆ v β2 , β = n + 1, n + m 2 .
+t ∇ σ
140 Journal of Qafqaz University
ОБ ОТОБРАЖЕНИИ ДВУМЕРНЫХ ЕВКЛИДОВЫХ
ПРОСТРАНСТВ
Наджаф Ягуб оглы АЛИЕВ
Кафедра Алгебры и Геометрии, Механико математический факультет,
Бакинский Государственный Университет,
Баку / АЗЕРБАЙДЖАН
АННОТАЦИЯ
В работе исследуется две случаи взаимного однозначного отображения двумерных поверхностей в
четырехмерном евклидовом пространтве. В первом случае отображение изучаеться как функция действи‐
тельного переменного, во втором случае отображение изучаеться как аналитическая функция комплекс‐
ного переменного. Используется методы подвижного репера и внешних форм.
Ключевые слова: Отображение двумерных поверхностей, четырехмерное евклидово пространтво.
ON MAPPING OF TWO DIMENSIONAL EUCLIDEAN SPACES
ABSTRACT
In paper we study two cases of one‐to‐one mapping of two dimensional planes in four dimensional euclidean
space. In the first case we replace the mapping by real valued functions, but in the second case we use analitic
functions of complex variable. In the paper we used the method of moving reper and exterior forms.
Keywords: Mapping of two dimensional planes, Four dimensional euclidean space.
Пусть в евклидовом пространстве E 4 разующие базис ортогонального дополь‐
даны две вполне ортогональные плос‐ нения N 2 ( x) касателной плоскости
r r
кости E 2 и E 2 с общей точкой O и T ‐ T2 ( x) = [ x, ε 1 , ε 2 ] к поверхности V2 в
r r r r
дифференцируемое отображение облас‐ точке x . Через η ij = ei ⋅ e j , η ij = e2+i ⋅ e2+ j ,
ти Ω ⊂ E 2 на область Ω ⊂ E 2 . Если
r r
g ij = ε i ⋅ ε j обозначены компоненты мет‐
точка x1 описывает область Ω , а рических тензоров плоскостей E 2 и E 2
x 2 = T ( x1 ) ∈ Ω то точка x с радиус век‐ и поверхности V2 , соответсвенно. Учиты‐
тором Ox = Ox1 + Ox 2 опишет некото‐ вая, что плоскости E 2 и E 2 вполне
рую двумерную поверхность V2 , назы‐ ортогональны, находим
ваемую графиком отображения T [1].
g ij = η ij + η ij . (1)
Присоединим к плоскостям E 2 и E 2 и
поверхности V2 подвижные репери Деривационные формулы этих реперов
r r имеют вид:
R x1 = {x1 , ei } , R x2 = {x 2 , e2+i } , r r
r r dx1 = ω i ei , (2)
R x1 = {x1 , ε i , ε 2+i } ,
r r
r r r dei = ω i j e j , (3)
где i, j , k , e, s, t = 1,2 , ε i = ei + e2 +i ∈ T2 ( x) ,
r r r r r r
а ε 2 +i = ei − η ikη kt e2 +t . ε 2+i ‐ векторы, об‐ dx 2 = ω i e2+i , (4)
Number 25, 2009 141
Наджаф Ягуб оглы Алиев
r r
de2+i = ω i j e2+ j , (5) ортогональному реперу. Тогда уравне‐
r r ния (11), (12), (13) примут вид:
dx = θ i ε i , (6)
ω ii = 0 , ω i j + ω ij = 0 (i ≠ j ) , (15)
r r r
dε i = θ i j ε j + θ i2+ j ε 2+ j , (7) ω i = θ i − η θ ,
j j jj 2+ j
(16)
i
r r r θ ii + θ i2+ j = 0,
d ε 2 + i = θ 2j+ i ε j + θ 2+ j
2+i ε 2+ j , (8) (17)
θ i2+ j g jj + θ 2i + j g ii = 0 (18)
где формы ω i , ω i , θ i , θ i j , θ i2+ j , θ 22++i j ,
ω i j , ω i j , θ 2j+i удовлетворяют соотноше‐ (по i, j не суммировать).
ниям В плоскости N 2 ( x) рассмотрим систему
r
ω i = ω i = θ i , (9) трех векторов bij = bij2 + k ⋅ ε 2+ k , bii ‐вектор
вынужденной кривизны линии, проход‐
θ i2+ k = bij2+ k θ j , bij2+ k = b 2ji+ k , (10)
ящей через точку x в направлении
r
ω i j = θ i j + θ i2+ j , (11) ветора ε i . bij (i ≠ j ) ‐вектор вынужден‐
r r
ной кривизны направлений ε i , ε j по
ω i = θ i +η tkη θ
j j kj
i
2+t
, (12)
отношению друг к другу.
r r
θ i2+ k g kj + θ 2k+i g kj = 0 , g kj = ε 2+ k ⋅ ε 2+ j , (13)
Будем предполагать, что в каждой точке
θ i j + θ i2+ j = θ 2j+i + θ 22++i j , (14) x1 ∈ Ω главные полуоси эллипсоида
деформации различны: η 11 ≠ η 22 . В.Т.
В каждой точке x ∈ V2 можно инва‐
Базылев называет отображение указан‐
риантным образом определить вектор
ного типа простым [1]. Направление e и
1 ij 2+ k r
M = g bij ε 2+ k . Его называют векто‐ прямая [ x, e] в плоскости E 2 называется
2
характеристическими если для каждой
ром средней кривизны поверхности V2 в
кривой η , проходящей через точку x1 и
точке x .
касающейся в этой точке прямой [ x1 , e]
Если отбражение T : Ω → Ω переводит ее прообразы при отображении T и
ортогональную сеть σ 2 в ортогональную любой из гомографий, касательных к T
сеть σ 2 = T (σ 2 ) , то сеть σ 2 (как и σ 2 ) в паре точек x1 , x 2 = T ( x1 ) имеют гео‐
называется основанием отображения T метрическое касание второго (по край‐
[1]. ней мере) порядка.
r r
Направим векторы e1 , e2 по касатель‐ Характеристические направленияопре‐
ным в точке x1 к линиям основания σ 2 деляются уравнениями
отбражения T . Тогда η12 = η12 = 0 , а зна‐ (1 + η kk )bij2+ k ω i ω j = λω k . (19)
чит, и g12 = 0 , т.е. сеть σ ∗
2 , соответству‐
Если η ii = αη ii , то отображение
ющая на графике V2 основанию σ 2 , ор‐
тогональная.
T : E 2 → E 2 называется конформным,
r r т.к. η ij = η ij = 0 (i ≠ j ) .
Векторы e1 , e2 выберем единичными.
Тогда η11 = 1 , g ii = 1 + η ii , ηij = ηij = gij = 0 Зафиксируем сеть σ 2 ⊂ E 2 (а значит и
r r r
(i ≠ j) . Нетрудно проверить, что ε 3 ⋅ ε 4 = 0 , сеть σ 2 = T (σ 2 ) ⊂ E 2 ). Векторы ε i будут
т.е. график V2 отображения T отнесем к касательными к линиям соответствую‐
142 Journal of Qafqaz University
Об Отображении Двумерных Евклидовых Пространств
T : x1 ( x , x ) → x 2 ( x , x ) определяется
1 2 3 4
Number 25, 2009 143
Наджаф Ягуб оглы Алиев
r r r ∂u r ∂v где
a1 = J 1 + J 3 + J4 , −1
∂x ∂x ⎡ ⎛ ∂u ⎞ 2 ⎛ ∂u ⎞ 2 ⎤
r r r ∂u r ∂v A = − ⎢1 + ⎜ ⎟ + ⎜⎜ ⎟⎟ ⎥ ,
a2 = J 2 + J 3 + J4 . (33) ⎢⎣ ⎝ ∂x ⎠ ⎝ ∂y ⎠ ⎥⎦
∂y ∂y
−1
Нормальная плоскость N 2 ( x) к графику
⎡ ⎛ ∂v ⎞ 2 ⎛ ∂v ⎞ 2 ⎤
B = − ⎢1 + ⎜ ⎟ + ⎜⎜ ⎟⎟ ⎥ .
V2 отображения Ts в точке x есть плос‐ ⎢⎣ ⎝ ∂x ⎠ ⎝ ∂y ⎠ ⎥⎦
r r
кость N 2 ( x) = [ x, b1 , b2 ] , где
Так как формы θ i2+ k главные, то
r ∂u r ∂u r r
b1 = J1 + J 2 − J 3 , θ i2+ k = bi21+ k dx + bi22+ k dy . Следовательно,
∂x ∂y второй основной тензор графика имеет
r ∂v r ∂v r r
b2 = J1 + J 2 − J 4 . (34) координаты:
∂x ∂y
∂ 2u 3 ∂ 2u ∂ 2v
Отнесем поверхность V2 к подвижному b113 = A , b12 = A , b 4
12 = B ,
r r ∂x 2 ∂x∂y ∂x∂y
реперу R x = {x, ai , bi } . Обозначим ∂ 2v 3 ∂ 2u ∂ 2v
r r
g ij = ai ⋅ a j . Мы с помощью формул (33) b114 = B 2 , b22 = A 2 , b224 = B 2 . (37)
∂x ∂y ∂y
находим
2 2 Для вектора средной кривизны поверх‐
⎛ ∂u ⎞ ⎛ ∂v ⎞ ности V2 получим координаты
g11 = 1 + ⎜ ⎟ + ⎜ ⎟ ,
⎝ ∂x ⎠ ⎝ ∂x ⎠
1 3 ij 1 11 3
2
⎛ ∂u ⎞ ⎛ ∂v ⎞
2
M3 = bij g = g (b11 + b22 3
) ,
g 22 = 1 + ⎜⎜ ⎟⎟ + ⎜⎜ ⎟⎟ , (35) 2 2
⎝ ∂y ⎠ ⎝ ∂y ⎠ 1 1
∂u ∂u ∂v ∂v M 4 = bij4 g ij = g 11 (b114 + b224 ) ,
g12 = + . 2 2
∂x ∂y ∂x ∂y
1 11 1 11
или M3 = g AΔu , M4 = g BΔv .
Как известно, условия аналитичности 2 2
функции T имеют вид: Учитывая условия аналитичности функ‐
∂u ∂v ∂v ∂u ции T имеем Δu = 0 , Δv = 0 . Следова‐
= , = − . (36)
тельно, M = 0 . Таким образом графи‐
∂x ∂y ∂x ∂y
ком любой аналитической функции
Из (35) и (36) находим: g12 = 0 , g11 = g 22 .
w = T (z ) , где T : E 2 → E 2 является ми‐
r r r
Пусть dai = θ i j a j + θ i2 + j b j . Используя нимальная поверхность V2 ⊂ E 4 .
формулы (33), (34), получим: Имеем
r r r r
⎛ ∂ 2u ∂ 2u ⎞ d oz = J1dx + J 2 dy , d ow = J 3 du + J 4 dv . (38)
θ13 = A ⎜⎜ 2 dx + dy ⎟⎟ ,
⎝ ∂x ∂x∂y ⎠ Используя формулы (2), (38), получим
r
⎛ ∂ 2v ∂ 2v ⎞ ei = J i . Из формул (4), (29), получим
θ14 = B ⎜⎜ 2 dx + dy ⎟⎟ ,
⎝ ∂x ∂x∂y ⎠ ∂u r ∂v r ∂u r ∂v r
e3 = J 3 + J 4 , e4 = J 3 + J 4 . (39)
⎛ ∂ 2u ∂ 2u ⎞ ∂x ∂x ∂y ∂y
θ 23 = A ⎜⎜ dx + 2 dy ⎟⎟ ,
⎝ ∂x∂y ∂y ⎠ Используя формулы (39), находим
⎛ ∂ 2v ∂ 2v ⎞ η11 = η 22 . Следовательно, отображение
θ 24 = B ⎜⎜ dx + 2 dy ⎟⎟ ,
⎝ ∂x∂y ∂y ⎠ T : E2 → E2 является конформным.
144 Journal of Qafqaz University
Об Отображении Двумерных Евклидовых Пространств
r r r r
Итак, любая аналитическая функция b11 = −b22 , b11 ⋅ b12 = 0 .
комплексного переменного w = T (z ) по‐
Поверхность V2 в E4 отнесем к реперу
рождает конформное отображение
r r r
T : Ω ⊂ E 2 → Ω ⊂ E 2 с минимальным R x = {x, a i , bi } , где ai векторы касатель‐
графиком V2 ⊂ E 4 . ных к линиям ортогональной сети σ 2 .
Пусть Система уравнений
j
η11 = η 22 = α . (40) bijα ω i ω = 0 , (49)
Итак одним из интересных свойств отоб‐
3
b22 = 0 . (52)
ражений Ts является то, что векторы Из (52), (26), (27), (37) получим
вынужденной кривизны линии сети ∂ 2u ∂ 2u ∂ 2v
= 0 , 2 = 0 , = 0 . (53)
σ 2 ⊂ V2 удовлетворют условиям ∂x 2 ∂y ∂x∂y
Number 25, 2009 145
Наджаф Ягуб оглы Алиев
146 Journal of Qafqaz University
YAZI QAYDALARI
1. “Qafqaz Universiteti” jurnalí ictimai, elmi vä texniki (Kompüter vä Ìstehsalín ìdarä edìlmäsì) sahädä ävvällär heç bir
yerdä näår olunmamíå orijinal tädqiqat äsärläri vä materiallarí qäbul edir.
2. Mäqalälär Azärbaycan, türk, ingilis vä rus dilindä yazíla bilär.
3. Mäqalälär A4 kaõízínín bir üzündä, üç nüsxädä kompüter yazí sähifäsindä, müällifin imzaladíõí ärizäsi ilä birlikdä
göndärilmälidir.
4. Yazílar IBM uyumlu kompüterin Microsoft Word yazí programínda, CD-dä göndärilmälidir.
5. Göndärilän äsärlär bu bölümlärdän ibarät olmalídír: baålíq, müällifìn adí vä soyadí, ünvaní, xülasä, açar sözlär, mätn
vä qaynaqlar.
6. Baålíq ortada, qara vä böyük härflä yazílmalídír. Baålíq häm türk, rus vä ya Azärbaycan dilindä, häm dä ingilis
dilindä olmalídír.
7. Müällifin adí baålíõín altínda (ortada olmaqla) yazílmalí, ünvaní vä varsa e-mail bildirilmälidir.
8. Xülasä yüz sözü keçmämäk åärtilä, 9 punto yazí tipi böyüklüyündä häm türk, rus vä ya Azärbaycan dilindä, häm dä
ingilis dilindä olmalídír. Här iki dildä dä än azí üç açar söz yazílmalídír.
9. Åäkil, räsm, grafik vä cädvällär çapda düzõün, aydín çíxacaq väziyyätdä olmalídír. Åäkil, räsm vä grafiklärin yazí-
larí onlarín altínda yazílmalídír. Cädvällärdä isä baålíq cädvälin üstündä yazílmalídír.
10. Qaynaqlar mätn içärisindä (vä ya sähifänin altínda) verilmäli vä än sonda älifba sírasí ilä düzülmälidir. Qaynaqlar 9
punto yazí tipi böyüklüyündä olmalídír.
11. Sähifä ölçüläri: üstdän 2.8 sm, altdan 2.8 sm, soldan 2.5 sm vä saõdan 2.5 sm olmalídír. Mätn 11 punto yazí tipi
böyüklüyündä, Times New Roman yazí tipi ilä vä täk simvol aralíõínda yazílmalídír. Paraqraflar arasínda 6 punto
yazí tipi aralíõínda mäsafä olmalídír.
12. Mäqalänin tam mätni 10 sähifädän artíq olmamalídír.
13. Mäqalälär elmi redaktorlarín vä jurnalín redaksiya hey’ätinin qärarí ilä çap olunur. Elmi redaktorlar lazím bilsälär
düzäliålär etmäk üçün mäqaläni müällifä qaytara bilärlär. Yazíya görä bütün cavabdehlik müällifin üzärinä düåür.
14. Jurnalda därc olunmayan mäqalälär geri qaytarílmír.
YAZIM KURALLARI
1. Qafqaz Üniversitesi Dergisi, Sosyal Bilimlerde ve Mühendislik sahasínda (Bilgisayar ve Endüstri Mühendisliõi) daha
önce yayímlanmamíå orijinal çalíåmalarí ve derlemeleri kabul etmek-tedir.
2. Makaleler; Azerbaycan, Türk, Ìngiliz ve Rus dillerinde yazílabilir.
3. Çalíåmalar A4 kaõídínín tek yüzüne, üç nüsha bilgisayar çíktísí alínarak, yazarlarín imzasíní taåíyan bir ön dilekçe ile
birlikte gönderilmelidir.
4. Yazílar IBM uyumlu bilgisayarda Microsoft Word yazím programínda dizilip CD’de gönderilmelidir.
5. Gönderilen makaleler åu åekilde düzenlenmelidir: Makalenin Adí, Yazarín Adí, Adresi, Çalíåmanín Özeti, Anah-tar
Kelimeler, Metin ve Kaynaklar.
6. Makalenin adí ortada, siyah ve büyük harfle yazílmalídír. Baålík hem Ìngiliz hem de Türk/Azerbaycan/Rus dilinde
olmalídír.
7. Yazarín adí baålíõín altína bir boåluk bírakílmíå åekilde, ortaya, adres ve e-postayla birlikte, yazílmalídír.
8. Özet yüz kelimeyi geçmeyecek åekilde, 9 font büyüklüõünde hem Türkiye Türkçesinde (veya Azerbaycan Türkçesinde)
hem de Ìngilizce olarak yazílmalí, her iki dilde de en az üç anahtar kelime belirtilmelidir.
9. Åekil, Resim, Grafik ve Tablolar baskída düzgün çíkacak nitelikte olmalídír. Åekil, Resim ve Grafiklerin yazílarí alt
kísímda yer almalídír. Tablolar’da ise baålík, tablonun üst kísmínda bulunmalídír.
10. Kaynaklar, metin içinde veya sayfanín altínda dipnot åeklinde verilmeli ve en sonda alfabetik olarak síralanmalídír.
Kaynaklarín büyüklüõü 9 font olmalídír.
11. Sayfa ölçüleri; üst: 2.8 cm, alt: 2.8 cm, sol: 2.5 cm, saõ: 2.5 cm åeklinde olmalídír. Metin 11 punto büyüklükte Times New
Roman fontu ile ve tek aralíkta yazílmalídír. Paragraflar arasínda 6 puntoluk mesafe olmalídír.
12. Makalenin tamamí 10 sayfayí geçmemelidir.
13. Makalenin yayímlanmasína, Hakemlerin görüåleri doõrultusunda Dergi Daníåma Kurulu karar verir. Hakemlerden
gelen rapora baõlí olarak gerek görüldüõü takdirde makale düzeltme için yazara geri gönderilebilir. Çalíåmanín her
türlü ilmi ve yasal sorumluluõu yazarína aittir.
14. Yayíma kabul edilmeyen yazílar iade edilmez.
15. Azerbaycan díåíndan gönderilen ve yayímlanacak olan makaleler için, 30 ABD Dolarí veya karåílíõí TL, T.C. Ziraat
Bankasí / Üsküdar-Ìstanbul 0403 0050 5917 No’lu hesaba yatírílmalí ve makbuzu üniversitemize fakslanmalídír.
INSTRUCTIONS FOR AUTHORS
1. The Qafqaz University Journal accepts original unpublished articles and book reviews in the following fields: - social sciences,
engineering, which includes computer engineering and industrial engineering.
2. Articles can be written in any of the following languages: - Azerbaijani, English, Turkish or Russian.
3. Articles should be submitted in triplicate, typed on one side of A4 white paper. A submission letter, signed by the author of the
article, should accompany the submission.
4. The submission should also be accom-panied by a CD file compatible with IBM PC formats. File format should be compatible
with Microsoft Word.
5. The submitted article should follow the following format: - Article title, author's name, address, article abstract, list of key
words, article main text and references.
6. The article title should be centred on the page and in bold capitals. The title should be one or the other of these, English and
Azeri, English and Russian or English and Turkish.
7. The writer's name should be centred on the page under the article title with one space between the two, followed by the author's
address and email.
8. The abstract should be written in 9 point type size and not exceed 100 words. The abstract and key words should be written in
either of the following: - English and Azeri, English and Russian or English and Turkish.
9. Figures, pictures, graphics and tables must be of publishing quality. Figures, pictures and graphics should be captioned
underneath, tables should be captioned above.
10. References must be numbered in the in article to refer to a footnote. The reference list at the end of the article must be in
alphabetic order. These should be in 9-point type size.
11. The following margin sizes should be used: - Top 2.8 cm. bottom 2.8 cm. left 2.5 cm, right 2.5 cm. The article main text should be
written in Times New Roman 11 point type size single-spaced. Paragraph spacing should be 6 point.
12. The maximum number of pages for an article should not exceed 10 pages.
13. The decision to publish a given article is made by the Journal advisory board through recommendations taken from referees.
The referees may ask the author of the article to make amendments to the article prior to publication. Publication of the article
will be dependant upon the relevant amendments being made by the author. The scientific and legal integrity of the article is
the responsibility of the author.
14. Unpublished articles will not be returned to the authors.
15. Articles submitted from outside Azer-baijan, which are published, carry a pub-lishing charge of 30 American dollars. This
payment can be to one or other of following bank accounts: - T.C. Ziraat Bankasi / Üsküdar-Istanbul 0403 0050 5917 Proof of
payment should be faxed to the university.