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Respuesta en frecuencia de amplicadores

Huircan J., Carrillo R.
AbstractPara anlizar la respuesta en frecuencia de ampli cadores con transistores se usa un modelo que contenga los efectos capacitivos (hibrido del BJT y modelo de alta frecuencia del FET) correspondientes a C y C o C gs y G gd . Para ampli cadores de una etapa, conviene aproximar la funcin de transferencia a una funcin de primer orden, el polo entregar la frecuencia S 1 de corte inferior o superior. Para multietapas, L = , determinado mediante las Rj Cj constantes de tiempo en cortocircuito con los capacitores 1 de ba ja. En al frecuencia H = S R , se determina enconj Cj trando las constantes de tiempo en circuito abierto con los capacitores de alta. Index TermsRespuesta en frecuencia, Ancho de Banda de Ampli cadores.

En la prctica, si los circuitos son acoplados directamente, BW = fH . Para determinar la respuesta en frecuencia de un amplicador monoetapa, se consideran tanto los efectos producidos por los condesadores de acoplo, como los efectos capacitivos del dispositivo activo. Para el BJT se debe usar un modelo que describa los efectos de alta frecuencia, ste se conoce como modelo hbrido . A. Modelo hbrido La red de la Fig. 2, corresponde al modelo de alta frecuencia del BJT, donde C , es la suma de la capacitancia de difusin en el emisor y la capacitancia de la unin en el emisor [Savant], debido a que el primero es mayor se considera casi igual a la capacitancia de difusin. C , es la capacidad de union del colector, rx ( rb ) representa un efecto resistivo parsito de contacto (llamada resistencia de difusin de la base), r , equivale a la resistencia de la base.
B rx
+

I. Introduction La respuesta en frecuencia en los amplicadores establece el rango en el cual trabajar el sistema sin distorsionar la seal. Este se conoce como ancho de banda (BW, Band Width ) y determina las frecuencias para las cuales se produce el proceso de amplicacin. El valor de este parmetro depende de los dispositivos y de la conguracin amplicadora. En los siguientes apartados, se describen las zonas de trabajo de un amplicador, se analiza la respuesta en frecuencia de conguraciones bsicas y se plantea una metodologa que permite determinar el ancho de banda para un amplicador multietapa. II. Respuesta en frecuencia y modelos La respuesta en frecuencia de un amplicador tiene tres reas: La regin de baja frecuencia, descrita por la respuesta de un ltro pasaalto Una regin independiente de la frecuencia (rea central de la curva) La regin de alta frecuencia, descrita por la respuesta de un ltro pasabajos
H(j f ) A A 2

C r
v
_

C
E

gmv

Fig. 2. Modelo hbrido .

Los parmetros C y C , son llamados Cbe y Cbc respectivamente y en las hojas de especicacin de transistores aparecen como Cib (capacitancia de entrada en base comun) y Cob [Horenstein] (Capacitancia de salida en la conguracin base comn) respectivamente. El modelo puede ser completado usando un resistor ro en paralelo con la fuente de corriente. El parmetro gm , se conoce como transconductancia y se dene en trminos de los parmetros de polarizacin como h e IC gm = V y en trminos de hf e se tiene que gm = rf . T B. Modelo de alta frecuencia del FET

[Hertz]

Fig. 1. Respuesta en frecuencia de un amplicador.

El modelo de alta frecuencia del FET se indica en la Fig. 3, ste describe tanto el JFET como el MOSFET canal n. Por lo general, las capacidades indicadas tienen un valor bajo en pF.
Cgd
+

La regin de baja frecuencia se caracteriza por una frecuencia de corte inferior fL ( L ), la regin de alta frecuencia se describe a travs de la frecuencia de corte superior, fH ( H ). Se dene ancho de banda como BW = fH fL (1)

vgs
_

C gs

v m gs

rds

Documento preperado en el DIE, Universidad de La Frontera. Ver.2.5, 2007

Fig. 3. Modelo del FET para alta frecuencia.

Las capacidades Cgs y Cgd , representan las capacidades distribuidas que atraviesan el xido entre la puerta y el canal [Malik]. En el JFET representan las capacidades de deplexin. El modelo se mejora agregando un resistor ro en la salida (rds ). III. Anlisis bsico de respuesta en frecuencia Sea el circuito de la Fig. 4, luego para ca, reemplazando el modelo hbrido, de acuerdo a la Fig. 5.
Vcc R1 Cc Q RL R2 RE CE RC

v i

Cc

rx
+

Cc v o

R1 R2

v
_
CE

g mv

RC

RL

RE

Fig. 6. Circuito de baja frecuencia

Cc

H (s) =
v o

Vo (s) Ks K1 s = = Vi (s) s + sp Tp s + 1

(2)

v i

Donde sp , establece la frecuencia de corte, es decir L = sp sp o fL = 2 .

H(j f ) K K 2

Fig. 4. Ampli cador bsico Multietapa.

La respuesta en frecuencia se encuentra obteniendo la funcin de transferencia H (s), luego haciendo s = j, se determina el mdulo y la fase.
Ci vi R1 R2 rx
+
C C

[Hertz]

Fig. 7. Frecuencia de corte inferior.

Co vo gm v RC RL

A.1 Anlisis del efecto de CE Sea ahora CCi y CCo se tiene el circuito de la Fig. 8. Vo (s) = gm V (RC ||RL ) Por LVK en la entrada se tiene V +V + Vi (s) = rx r V + gm V r 1 RE || sCE (3)

v
_

RE

CE

Fig. 5. Reemplazo del modelo hibrido .

(4)

La determinacin de H (s) puede ser compleja, por lo tanto el anlisis se puede dividir en dos partes, la zona de baja y la zona de alta frecuencia. A. Anlisis en baja frecuencia Para el anlisis a baja frecuencia los capacitores C y C , se reemplazan por un circuito abierto, quedando slo el efecto de los capacitores de baja frecuencia, de acuerdo a la Fig. 6. Como fL depende de Cci , Cco y CE , la funcion de transferencia ser de orden superior. Esto se podra simplicar suponiendo que fL slo depende de una sola de las capacidades, considerando la otra mucho mayor, luego: fL depender slo de CE , haciendo CCi y CCo un cortocircuito (CCo , CCi >> CE ). fL depender slo de CCi y CCo si CE se reemplaza por un cortocircuito (CE >> CCo , CCi ). As, la funcin de transferencia ser de la forma

Despejando V de (4) y reemplazando en (3), se tiene Vo (s) = Vi (s) 1+ gm (RC ||RL ) 1 + r1 + gm RE || sC E (5)

rx r

Desarrollando el paralelo se tiene que

v i R1 R2

rx
+
v o

v
_

gmv

RC

RL

RE

CE

Fig. 8. Efecto de CE .

RESPUESTA EN FRECUENCIA DE AMPLIFICADORES

v i

Cc

rx
+

Cc v o

R1 R2

v
_

gmv

RC

RL

Note que (11) es una funcin de 2o orden. Para simplicar el anlisis y tener una funcin de acuerdo a (2), se considera el capacitor de salida CCo >> CCi , luego se tiene ( ! ) Req Vo (s) r gm RL RL 1 Vi (s) r + rx Req + sC RC + 1 Ci r m RL s g RL r + r x RC +1 = 1 s + CC Req
i

Fig. 9. Efecto de CC.

Vo (s) = Vi (s) =

gm (RC ||RL ) RE ( r1 +gm ) rx 1+ r + sCE RE +1 gm (RC ||RL ) (sCE RE + 1) rx 1 (sCE RE + 1) 1 + r + g + R E m r

gm (RC ||RL ) rx CE RE (1+ r )

g R r CCi Req   s m L R (r +rx ) R L +1

C

CCi Req s + 1

(12)

(sCE RE + 1)
RE r

s+

rx 1+ r +

+RE gm

(6)

De la cual se desprende que L = CC1 Req . Otra opcin seria hacer CCi >> CCo luego se tiene que Vo (s) Vi (s) sC r gm RL RL 1 +R + 1 r + rx Co RC C gm RL rr +rx sCCo RC = RL 1 + sCCo RC R + 1 C L = CCo RC 1 +1 (13)

rx CE RE (1+ r )

En forma cannica
gm (RC ||RL ) (sCE RE + 1) RE rx 1+ r + r +RE gm Vo (s) = rx CE RE (1+ r ) Vi (s) s+1 RE rx 1+ r +
r

(7)

(14)

+RE gm

Donde L =

rx 1+ r

RE + r

De esta forma se obtiene

+RE gm

rx CE RE (1+ r )

A.2 Anlisis del efecto de CCi y CCo Haciendo CE en el circuito de la Fig. 6, se obtiene el circuito de la Fig. 9, planteando la LVK gm V (s)
1 RC 1 +RL

RL RC

A.3 Anlisis determinando la funcin de transferencia Para el anlisis completo se puede encontrar H (s) del circuito de la Fig. 6. Por LCK en RC , se encuentra Vo ser RC !

Vo (s) = RL
o

1 sCC o

1 sCC o

1 +RL

gm RL V (s) = RL 1 sCC RC + RC + 1

Vo = gm V

Por otro lado

g R sCCo RC m L = V (s) RL 1+ R + 1 C R s C C o C r r + rx R1 ||R2 || (r + rx ) = Vi (s) 1 R1 ||R2 || (r + rx ) + sC C

(8)

RL 1 RC + sC + RL Co sCCo RC = gm RL V sCCo (RC + RL ) + 1

(15)

Haciendo transformacin de fuentes en la entrada y luego planteando la LCK, se tiene

1 sCci

V (s) = VR1 ||R2 VR1 ||R2

(9) (10)

Vi sCciRB

rx
+

RB

V
_
1 sCE

g mV

Haciendo Req = R1 ||R2 || (r + rx ), reemplazando (10) en (9) y luego en (8), se llega a Vo (s) = Vi (s) sC gm RL RL 1 +R +1 C RC C
o

RE

Req 1 Req + sC C

) r r + rx (11)

Fig. 10. Modicacin del circuito.

Por LVK, se tiene

V r V 1 + V + gm V + RE || r sCE RB V Vi (s) = + rx sCi RB + 1 r V RE gm V + r +V + sCE RE + 1 RB R gm + r1 E + r x sCi RB +1 +1+ Vi (s) = V r sCE RE + 1 1 RB + R g m E r rx r = V +1+ + sCi RB + 1 r sCE RE + 1 Vi (s) = as reemplazando () en () se tiene gm RL Vo (s) = =
sCCo RC sCCo (RC +RL )+1

1 ||RB + rx sCi

Vo (s) =

Reemplazando V , se tiene
0

V (sC gm ) RL 0 1 + sC RL Vi (s) + Vo sC rx V = rx + s ( C + C ) r + 1 x r

Vo (s)

Finalmente

1 + sC RL Vi (s) + Vo sC rx = 0 rx (sC gm ) RL + s ( C + C ) r + 1 x r Vo (s) = Vi (s)

rx r

RB r sCi RB +1

RE (gm + r1 ) rx +r + 1 + sCE RE +1 sCCo RC gm RL sCCo (RC +RL )+1

RB r sCi RB +1

(sC gm ) RL 0 C R 0 + 1 + s (C + C ) rx + rx L 1 + s2 C C rx RL ( r +rx gm +1) (sC gm ) RL 0 rx (C +C )rx +C RL ( r +rx gm +1)

0 C C rx RL 0

Vi (s)

= s2 + s

0 C C rx RL

rx r

+1

(18)

Donde (18) corresponde a una funcin de la forma H (s) = K (s + a) s2 + Bs + 2 H (19)

rx r

+1+

RE gm + r1 sCE RE +1

Como se observa, es una funcin de orden superior, la cual se hace bastante engorroso su desarrollo. El siguiente paso es dibujar el diagrama de bode para determinar el L . IV. Anlisis en Alta frecuencia Sea el circuito en alta frecuencia de la Fig. 11. correspondiente al circuito de la Fig. 4
rx
+
R1 R2

El ltimo trmino del denominador representa 2 H , de esta forma se tiene 2 H =

rx r

+1
0

C C rx RL

(20)

v i

C
vo

Si se cumple que |sC | << gm y |sC | << gm , entonces, 2 s C C << gm , la funcin ser de primer orden
L gm rx Vo (s) = 0 1 Vi (s) sC RL gm + r1 + rx +

v C
_

g mv

RC

RL

1 r

1 rx

(21)

Donde H =
Fig. 11. Circuito de alta frecuencia.

Sea RL = RL ||RC , planteando la LCK en el dominio s, se tiene Vo (s) + gm V = (V Vo ) sC 0 RL Vi (s) V V = + V sC + (V Vo ) sC rx r Reordenando

La respuesta en frecuencia exacta estar dada por la funcin de transferencia (18) de segundo orden. La aproximacin mostrada permitir obtener un valor cercano a la frecuencia real de corte superior. V. Respuesta en frecuencia para amplificadores multietapa Cuando la cantidad de transistores aumenta, aumenta la cantidad de capacitores, haciendo que la determinacin de la funcin de transferencia se torne inmanejable. Un mtodo sencillo basado en aproximaciones permitir encontrar la respuesta en frecuencia.

C RL (gm + r1 + r1 ) x

+ r1 ( r1 ) x

( fH =

H 2 ).

(16) (17)

RESPUESTA EN FRECUENCIA DE AMPLIFICADORES

H(j f ) K K 2
v in

0.05 [

F]

mv

C
+
_

C
5 [pF]
+

vout

r
v rx

10K

[Hertz]

Fig. 12. Respuesta de primer orden.

Fig. 14. Reemplazo del Modelo.

A. Mtodo de la constante de tiempo en circuito abierto Para estimar la frecuencia de corte superior, H , en un circuito equivalente en alta frecuencia con k capacitores, se determinan las k constantes de tiempo de acuerdo a (22). Rj Cj = j (22)

Donde Cj es el capacitor del circuito equivalente y Rj es la resistencia equivalente que ve Cj cuando los dems capacitores estn en circuito abierto. As, la frecuencia de corte superior se estima como H = 1 1 = k k P P j Rj Cj
j =1

Reemplazando el modelo hbrido del transistor, en el circuito de la Fig. 13, se obtiene la red de la Fig. 14. Se observa que el capacitor de 5 [pF ] es comparable a los capacitores del modelo del transistor por lo tanto, dicho capacitor ser tratado como de alta frecuencia. En baja frecuencia, se anula la fuente de excitacin, se reemplaza el capacitor por una fuente de prueba.
vp + ip g mv vout

(23)

10K rx

j =1

Cj , ser C o C de la etapa bajo anlisis.

Fig. 15. Circuito de baja frecuencia.

B. Mtodo de las constantes de tiempo en cortocicuito Para estimar la frecuencia de corte inferior L , de un circuito equivalente en baja frecuencia que contenga n capacitores, se calculan Lj 1 = Rj Cj Se determina un Req visto desde el condensador v 1 = v gm + ip = gm v r r v rx vp = v rx = v 1 + r r Luego Req = L =
vp ip

(25) (26)

Donde Rj es la resistencia de salida vista por Cj , cuando los dems capacitores estn en cortocircuito. L
n X j =1

Lj =

n X

rx 1+ r gm + r1

, nalmente

1 R C j =1 j j

(24)

VI. Problema desarrollado Sea el siguiente circuito

Vcc 10K 0.05 [ + 5 [pF] 5 [mA]

1 1 = = 204, 9 [Krad/seg ] rx 50 1+ (1+ r ) ( ) 2000 0 . 05 [ F ] C 1 (0.01+ 2000 ) (gm + r1 ) (27) fL 32 [KHz ] (28)

F]

vout

En alta frecuencia Considerando el capacitor C , ste se reemplaza por una fuente de prueba y se determina la resistencia equivalente.

vin

Fig. 13. Circuito en base comn.

Considerando que rb = rx = 50 [], g1 = 100 [], m r = 2 [K ] , C = 8 [pF ] y C = 1.5 [pF ]. Determinar la respuesta en frecuencia de circuito.

v v 1 1 = v + ip = r rx r rx (vp + v ) ip = gm v + RL 1 gm + R L Luego Req = 1 + 1 + 1 RL , por lo tanto

r rx

(29) (30)

gm v ip + vout v p 10K rx

VII. Conclusiones La determinacin de la respuesta en frecuencia de un amplicador se describe a travs del BW, L y H . La determinacin exacta de dicha respuesta se realiza reemplazando el modelo de los dispositivos activos que consideran el efecto de la variacin de la frecuencia, luego, mediante la funcin de transferencia se obtiene el diagrama de bode. Este mtodo puede resultar inmanejable cuando se tienen ms de dos capacitores. Se recomienda para amplicadores multietapas, determinar las constantes de tiempo introducidas por cada capacitor, luego el inverso de la sumatoria de dichas constantes determinar la frecuencia superior del amplicador. Para determinar la frecuencia inferior, se calculan los inversos de cada contante de tiempo con los capacitores en corto circuito, las que se suman para obtener la freceuncia de corte inferior. References

r
_

Fig. 16. Calculando el efecto de C .

1 =

1+

gm +
1 r

1 RL 1 rx

RL C = 22.4 [nseg ]

(31)

Considerando C
gm v vp
_

vout + ip 10K rx

v +

[1] Savat, C., Roden, M., 1992. Diseo Electrnico. Addison-Wesley [2] Horenstein, M. 1996. Microelectronics Circuits and Device . Prentice-Hall [3] Malik, R. 1996. Circuitos Electrnicos. Anlisis, Diseo y Simulacin . Prentice- Hall. [4] Sedra, A. Smith, K, 1998. Microelectronics Circuits. Oxford Press.

Fig. 17. Efecto de C .

v v + =v r rx vp = v ip = Luego Req =
1 r

1 1 + r rx

(32) (33)

1 + r1 x

, nalmente 1 C = 0.39 [nseg ] (34)

Considerando 5 [pF ]

2 =

1 r

1 rx

ip =

vp + gm v 10K v = 0

(35) (36)

As Req = 10 [K ] , luego 3 = 10 [K ] 5 [pF ] = 50 [nseg ] De acuerdo a la ecuacin (23), se tiene que 1 22.4 [nseg ] + 0.39 [nseg ] + 50 [nseg ] (37)

H = o

(38)

fH = 2.19 [M Hz ]

(39)