Informe Fsica Experimental V: Efecto Hall

Pea Pollastri Hctor Martn

Resumen

Se investiga el llamado efecto Hall en el tungsteno y la plata. Se utiliza el mismo para determinar los signos de los portadores de carga en cada material, obtenindose negativo para la plata y positivo para el tungsteno. Se determino adems la dependencia lineal del voltaje Hall con la induccin magntica aplicada, calculndose explcitamente el coeciente Hall para estos materiales. Se utiliz este dato para obtener la cantidad de portadores de carga por unidad de volumen en los mismos.

Figura 2.1: Esquema del Efecto Hall Donde el voltaje aplicado a la placa es UDC . Se aplica un campo magntico uniforme B perpendicular a la placa, los portadores de carga experimentan una fuerza de Lorentz que tienden a desviarlos, esto produce una diferencia de potencial transversal UH , conocida como voltaje Hall, y un campo elctrico transversal EH . La fuerza ejercida por este campo equilibra la producida por el campo magntico, permitiendo a los portadores de carga seguir su camino sin problema. Es posible mostrar que UH cumple la siguiente relacin:
UH = 1 BI ne d

1.

Introduccin

Se propone un experimento para medir la polaridad de los portadores de carga en la plata y el tungsteno, as como la cantidad de portadores por unidad de volumen. La tcnica utilizada ser la del efecto Hall, que consiste brevemente, en una diferencia de potencial que aparece en los extremos de una placa conductora debido a la incidencia normal a la misma de un campo magntico uniforme. Se estudiar la dependencia del voltaje Hall con el campo magntico aplicado, y se determinar la constante de Hall.

(2.1)

Donde:
B : Densidad de ujo magntico.
2. Enfoque terico

I : Corriente circulando a travs del conductor. d : Ancho de la placa conductora. n : nmero de portadores por unidad de volumen. e : carga elemental de los portadores.

Se proceder a una explicacin ms detallada del efecto Hall, para ms informacin consultar [1] . El fenmeno consiste en colocar un placa conductora a una fuente para que circule una corriente por la misma, como muestra la siguiente gura:

Donde el factor n1e recibe el nombre de constante Hall, RH , y su signo queda determinado por el de los portadores de carga.
3. Descripcin del experimento

3.1. Conguracin del experimento

Se conecta una fuente de corriente continua a dos bobinas con un ncleo comn ferromagntico. De forma que entre las dos placas salientes del ncleo se forme un campo magntico uniforme.

Figura 3.2: Esquema experimental para medir el efecto Hall As uno ja una corriente ja que circular por el material (tungsteno o plata), y mide el voltaje Hall para diferentes valores de campo magntico. Est ser variado con la fuente de corriente conectada a las bobinas, y se conocer su valor mediante una calibracin previa. Resulta importante conocer tambin el espesor d de la lmina de tungsteno y plata para usarla en la ecuacin 2.1. Con un calibre se mide la misma obteFigura 3.1: Dos bobinas unidas por un ncleo ferro- niendo d = 5,0(1) 105 m para ambas. magntico comn. La corriente se puede controlar desde la fuente, y con ello el campo magntico entre las placas. Se coloca un ampermetro en serie entre ambos para medir la corriente que circula. Las bobinas son conectadas en paralelo, pues cada una soporta como un mximo de 5 A, y de est forma se puede utilizar un rango de corrientes mayor en la fuente (pues llegar menos corriente a cada una). Las bobinas son de 250 vueltas cada una, y con una resistencia de 0,6 segn el fabricante. Entre las placas se coloca el material conductor donde se producir el efecto Hall, se le hace circular una corriente con otra fuente controlada, y se conecta las secciones transversales de la misma a un micro voltmetro. Este ltimo medir el voltaje Hall amplicandolo, pues resulta del orden de los microvolios.

3.2. Calibracin y ajuste de los equipos de medicin

Se utilizar un sensor de punta Hall conectado a un teslmetro para medir el campo magntico entre las bobinas a una corriente dada. Se coloca la punta del sensor entre las placas con el campo magntico, se cambia los valores de corriente y se registran las lecturas del campo para cada una. La precisin del teslmetro es de un 1 % 0,01 mT (ver [2]). Es importante desmagnetizar adecuadamente el ferromagneto antes de cada medida, haciendo circular corriente alterna en la bobinas. Con estos datos es posible determinar el campo magntico midiendo solamente la corriente que circula por las bobinas. Se debe ajustar tambin el micro voltmetro, conectando las puntas de medida entre s y cong-

urando el oset para que la medida resulte nula.

3.3. Desarrollo de las mediciones

3.3.1. Calibracin del campo magntico

Se mide el valor del campo magntico para diversos valores de corrientes. Antes de cada medicin es necesario desmagnetizar adecuadamente los imanes, se les hace circular una corriente alterna de 2,410(4) A durante 10 s aproximadamente. La calibracin se realiza dos veces para asegurar la reproducibilidad de la misma.

N 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15

I [A] 0.485 0.984 1.570 2.035 2.510 3.100 3.441 4.350 4.559 5.150 5.534 6.203 7.078 7.721 8.522

I [A]

0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005

B [mT] 11.1 21.9 34.0 46.0 55.7 70.5 77.7 98.4 104 117 125 142 161 175 193

B [mT]

0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1 1 1 1 1 2

Cuadro 4.1: Primera calibracin del campo magntico

3.3.2.

Medicin del voltaje Hall

Antes de tomar cada medida de voltaje Hall, se espera a que se estabilice la lectura. Pues al calentarse las junturas se produce una diferencia de potencial en las mismas por el gradiente trmico, por lo que resulta conveniente esperar al equilibrio. Se evitan adems las corrientes de aire alrededor de la placa de metal colocando una pequea caja protectora a su alrededor. Las medidas tanto para la plata como para el tungsteno se realizan con 15 A y 20 A de corriente sobre el material.

4.

Mediciones y Resultados

4.1. Calibracin del campo magntico

Se presentan a continuacin los datos obtenidos durante las dos calibraciones realizadas del campo magCuadro 4.2: Segunda calibracin del campo magntico ntico en funcin de la corriente aplicada.

N 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19

I [A] 0.559 1.052 1.503 2.052 2.523 3.015 3.501 4.047 4.503 5.059 5.578 6.061 6.555 7.055 7.538 8.005 8.501 9.052 9.519

I [A]

0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005

B [mT] 12.3 22.5 33.6 47.3 57.8 69.1 79.1 93.4 104 116 129 138 151 160 172 184 194 204 214

B [mT]

0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1 1 1 1 1 1 1 2 2 2

200 180 160 140 120 B [mT] 100 80 60 40 20 0 0 1 2 3 4 I [A] 5 6 7 8 9

Ambas calibraciones resultas compatibles entre si, lo que asegura la reproducibilidad y conanza en la misma. La asignacin de incertidumbres fue estadstica, y los ajustes fueron pesados con la incertidumbre en el campo magntico. Para las mediciones de efecto Hall se usarn los datos de la segunda calibracin, debido al mayor rango de valores en que fue realizada.

Figura 4.1: Primera calibracin del campo magntico

4.2. Efecto Hall en plata

La diferencia de potencial Hall medida resulta negativa, de donde se deduce que los portadores de carga son principalmente electrones. Por comodidad sin embargo se toman valores absolutos de las medidas, trabajando solo con magnitudes positivas, luego el valor de la constante Hall calculado ser en valor absoluto, conociendo ya que el signo de la misma es negativo.

250

200

150 B [mT] 100 50

0 0 1 2 3 4 5 I [A] 6 7 8 9 10

Figura 4.2: Segunda calibracin del campo magntico Se observa un comportamiento lineal en el rango de campos y corrientes trabajado, los resultados de los correspondientes ajustes se sumarizan en la siguiente tabla: Calibracin 1 Calibracin 2 Pendiente [mT/A] 22.7(1) 22.9(1) Ordenada [mT] -0.3(2) -0.3(2)
Uh [microV]

0 0 20 40 60 80 B [mT] 100 120 140 160 180

Cuadro 4.3: Resultados de la calibracin

Figura 4.3: Voltaje Hall para la plata a I=15.0(1) A

n(I = 20,0(1)A) = 5,1(3) 1028 1/m3

Uh [microV]

El valor de la literatura (ver [3]) es de n = 6,6(1) 1028 1/m3 . Estando en discrepancia con los valores medidos, nuevamente se atribuye la misma a la impureza del material con que se trabaj.

0 10 20 30 40 50 60 B [mT] 70 80 90 100 110

4.3. Efecto Hall en tungsteno

La diferencia de potencial Hall resulta positiva en este caso, luego los portadores de carga son en su mayora huecos. Se observan igualmente los fenmenos de incremento de UH con la corriente, y se comprueba la dependencia lineal entre la induccin magntica y el voltaje Hall. Una de las diferencias signicativas al medir el tungsteno con la plata es el aumento en la incertidumbre al medir el voltaje. Esto es debido a que haba muchas ms uctuaciones en las medidas, pues el tungsteno demora ms en termalizar que la plata.

Figura 4.4: Voltaje Hall para la plata a I=20.0(1) A En ellas se puede comprobar la dependencia lineal entre la induccin magntica y el voltaje Hall. Adems tambin se observa el incremento de UH con I , consistente con la ecuacin 2.1. Del ajuste lineal de los datos experimentales, se obtiene que la pendiente I AH = n1e d toma los valores:
AH (I = 15,0(1)A) = 30(1) V/T AH (I = 20,0(1)A) = 49(2) V/T

De donde es posible calcular el coeciente Hall, RH , obteniendo:

RH (I = 15,0(1)A) = 10,0(6)
3 1011 m /C

18

16

14

12 Uh [microV]

10

RH (I = 20,0(1)A) = 12(1)
3 1011 m /C

3 1011 m /C

El valor de referencia (ver [3]) es de RH = 8,9(1) , estando en discrepancia con el valor medido para ambas corrientes. Esto puede ser debido a impurezas en el material, es decir, no se trabaj con plata pura. Utilizando el valor aceptado para la carga del electrn, e = 1,602(1) 1019 C [4], es posible obtener la densidad de los portadores de carga:
n(I = 15,0(1)A) = 6,2(4) 1028 1/m3

0 10 20 30 40 50 60 B [mT] 70 80 90 100 110

Figura 4.5: Voltaje Hall para el tungsteno a I=15.0(1) A

30

n(I = 20,0(1)A) = 7,6(4) 1027 1/m3

25

El valor de la literatura (ver [5]) es de n = 5,29(1) 1028 1/m3 . Estando en discrepancia con el mismo, de la misma forma que el coeciente Hall. Es interesante resaltar que el valor de la constante de Hall para este material resulta mayor que el de la plata.
5. Conclusiones

20

Uh [microV]

15

10

Se comprueba que la mayora de los portadores de carga en la plata (tungsteno) son negativos (positivos). Se determin el valor de la constante Hall para estos materiales, obtenindose RH = 10,0(6) 3 3 1011 m /C para la plata y RH = 5,6(5) 1010 m /C Figura 4.6: Voltaje Hall para el tungsteno a I=20.0(1) para el tungsteno. Se observa que el coeciente de A Hall para el tungsteno es mayor que el de la plata. Se veric la dependencia lineal del voltaje Hall con la inDel ajuste lineal de los datos experimentales, se ob- duccin magntica aplicada y se observo que adems I tiene que la pendiente AH = n1e d toma los valores: aumenta al aumentar la corriente que circula por el material. Se determin que el nmero de portadores AH (I = 15,0(1)A) = 170(10) V/T de carga para ambos materiales se encontraba del orden de 1028 portadores por metro cbico.
0 -5 0 10 20 30 40 B [mT] 50 60 70 80

AH (I = 20,0(1)A) = 327(9) V/T

De donde es posible calcular el coeciente Hall, RH , obteniendo:

RH (I = 15,0(1)A) = 5,6(5) 1010 m /C
3

Referencias

[1] [2]

Robert Resnick, David Halliday, Kenneth S. Krane. Physics, Volume 2. Fifth edition. Leybold Didactic GMBH. Instrucciones de servicio. Tslametro. Pg 2. Solid State physics. LD physics Leaets P7.2.1.1 . Investigating the Hall eect in silver. "CODATA Value: elementary charge". The NIST Reference on Constants, Units, and Uncertainty. US National Institute of Standards and Technology. June 2011. Retrieved 2011-06-23. Solid State physics. LD physics Leaets P7.2.1.2 . Investigating the anomalous Hall eect in tungsten.

RH (I = 20,0(1)A) = 8,2(4) 1010 m /C

3

[3]

El valor de referencia (ver [5]) es de RH = 1,18(1) 3 1010 m /C. Est en desacuerdo con el valor medido,

posibles errores sistemticos estn en no esperar lo su- [4] ciente para que se termalice el tungsteno, es importante para prximas experiencias tener un control de la temperatura del material, y un aislamiento mejor, para lograr el equilibrio trmico. Tambin es posible que haya variaciones debido a las impurezas del material. Se obtiene la siguiente densidad de portadores [5] de carga:
n(I = 15,0(1)A) = 1,1(1) 1028 1/m3