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de drenador del transistor T1 . Datos: del transistor se sabe que VT H Calcular la corriente RS 150, RG 2 2k, RD 180.
3 4V , K
20 mA . VDC V2
24V ,
RS VDC T1 RG
RD
Solucin
Para resolver este problema no es necesario suponer nada, basta con observar la topologa del circuito y razonar sobre el comportamiento del transistor. Al ser un transistor de efecto de campo de puerta aislada, de canal N (N-MOSFET), la corriente que entra o sale por la puerta es despreciable, siendo a todos los efectos I 0. Consecuentemente con este hecho, la caida de G tensin en la resistencia RG es VRG 0 y, consecuentemente las tensiones entre drenador y fuente y entre puerta y fuente son iguales, lo que expresado matemticamente es : VDS Si se cumple la ecuacin
VGS
(1)
VDS
VGS VT H
(2)
el MOSFET tipo N de enriquecimiento est en saturacin. Uniendo las ecuaciones 1 y 2 se concluye que el transistor estar en saturacin mientras el valor de la tensin entre drenador y fuente sea mayor que la tensin umbral del transistor. En el circuito del enunciado esto se cumple, luego nuestro transistor est en saturacin y no es posible suponer ningn otro estado para el mismo. Slo resta calcular los valores numricos del problema. Al estar el transistor en saturacin es vlida la ecuacin : ID Tambin podemos cerrar la malla: VDC VDC Uniendo las ecuaciones 3 y 4:
1 Resuelto
K VGS VTH
20
mA VGS 3 4V V2
(3)
ID RS RD VDS
ID RS RD VGS
ID 330 VGS
(4)
20 operando y despejando:
mA VGS 3 4V V2
2 52 296 43 88VGS 6 6VGS 0 (5) Resolviendo se obtienen dos valores de la ecuacin 5: VGS1 1 55592V y VGS2 5 09256V . El primero no es vlido como solucin, ya que es menor que VT H . Esto hara que el transistor no estuviera conduciendo, es decir, que estuviera en corte. Empleando el valor VGS2 en la ecuacin 3 obtenemos:
K VGS VTH
20
mA 5 09256 3 4V V2
57 29519mA