CURSO DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

Profesor :
Ing. Juan F. Tisza Contreras


DESCUBRIMIENTO DE LOS SEMICONDUCTORES Y PRIMERAS APLICACIONES
Programa de bsqueda para sustituir los conmutadores electromecnicos con otros
basados en semiconductores.
1936 Bell T. Laboratories
Propone una teora de bandas del slido y el concepto de impurezas donadoras y
aceptoras.
1931 A. Wilson
Concepto de hueco como quasi-partcula de carga positiva 1931 W. Heisenberg
Postula que la resistividad de los semiconductores depende de T 1903 J. Koenigsberg
Descubre que la corriente elctrica en los metales es debida al movimiento de los
electrones
1901 V. E. Riecke
Descubrimiento del electrn
1897 J.J. Thomson
Primer diodo de vaco 1874 F. Braun
Descubre que la conductividad de algunos materiales aumenta con T 1833 M. Faraday
Introduce la palabra semiconductor 1782 A. Volta
Primer fotodiodo basado en la unin p/n de silicio 1940
Shockley: dispositivo amplificador basado en semiconductores 1939
Primera radio de transistor 1948
Invencin del transistor ( Bardeen, Brattain, Shockley ) 1947
Western Electric: primer transistor comercial (amplificador para auriculares para
sordos)
1951
MARZO-2013
2
ING. J UAN F. TISZA C.
1956
1956
1956
1956
1956 Bardeen, Brattain e Shockley reciben el premio Nobel por la descubrimiento del transistor.
MARZO-2013
3
ING. J UAN F. TISZA C.
Completar este
desarrollo de la evolucin de los
circuitos electrnicos e integrados !!!!
( buscar en internet)

..
MATERIALES SEMICONDUCTORES
Diferencias conductor semiconductor
Semiconductores. Conduccin intrnseca y extrnseca
Modelo de bandas de energa
Ley de accin de masas
Ley de la neutralidad elctrica
Corrientes de desplazamiento
Corrientes de difusin
MARZO-2013
Ms
4
ING. J UAN F. TISZA C.
DIFERENCIAS CONDUCTOR
SEMICONDUCTOR
Influencia de la temperatura en la
resistencia
MARZO-2013
10
8
(Om)
-1

Cu
o
T
Efecto Hall
Fotoresistencia
T
10
6
(Om)
-1

o
Ge
6
ING. JUAN F. TISZA C.
ESTRUCTURA DE UN METAL
MARZO-2013
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
~10
29
e
-
libres/m
3

7
ING. J UAN F. TISZA C.
ESTRUCTURA DE UN SEMICONDUCTOR
MARZO-2013
8
ING. JUAN F. TISZA C.
VARIACIN DE LA CONDUCTIVIDAD POR
ILUMINACIN
MARZO-2013
luz
Frecuencia radiacin
Energa de los fotones
F
o
t
o
c
o
n
d
u
c
t
i
v
i
d
a
d

d
e
l

G
e

A
9
ING. J UAN F. TISZA C.
SEMICONDUCTORES. CONDUCCIN
INTRNSECA
MARZO-2013
T = 0 K
A 300 K: 1e

cada 10
9

tomos, 10
19
e

/m
3
T > 0 K
r
E
Ge
Concentracin de e
-
: (n)
Concentracin de h : (p)
n = p
11
ING. JUAN F. TISZA C.
SEMICONDUCTORES. CONDUCCIN
EXTRNSECA
MARZO-2013
e

poco ligado
(0.03 -0.1 eV)

e

ocupa el hueco
(0.04 -0.12 eV)

Ga
tomo donador P,As,Sb: (N
D
)
A
s
tipo N

E
tomo aceptor B,Al,Ga,In: (N
A
)
tipo P
Portadores mayoritarios: n ~ 10
22
/m
3
Portadores minoritarios: p ~ 10
16
/m
3

Portadores mayoritarios: p ~ 10
22
/m
3
Portadores minoritarios: n ~ 10
16
/m
3

12
ING. JUAN F. TISZA C.
DONADORES Y ACEPTORES PARA EL
SILICIO
MARZO-2013
1
H
1,008
2
He
4,003
3
Li
6,941
4
Be
9,012
5
B
10,811
6
C
12,011
7
N
14,007
8
O
15,999
9
F
18,998
10
Ne
20,183
11
Na
22,990
12
Mg
24,305
13
Al
26,982
14
Si
28,086
15
P
30,974
16
S
32,064
17
Cl
35,453
18
Ar
39,948
19
K
39,10
20
Ca
40,08
...
30
Zn
65,37
31
Ga
69,72
32
Ge
72,59
33
As
74,92
34
Se
78,96
35
Br
79,91
36
Kr
83,80
37
Rb
85,47
38
Sr
87,62
...
48
Cd
112,40
49
In
114,82
50
Sn
118,89
51
Sb
121,75
52
Te
127,60
53
I
126,90
54
Xe
131,30
55
Cs
132,91
56
Ba
137,33
...
80
Hg
200,59
81
Tl
204,37
82
Pb
207,19
83
Bi
208,98
84
Po
(210)
85
At
(210)
86
Rn
(222)
13
ING. JUAN F. TISZA C.
DONADORES Y ACEPTORES PARA EL
GERMANIO
MARZO-2013
1
H
1,008
2
He
4,003
3
Li
6,941
4
Be
9,012
5
B
10,811
6
C
12,011
7
N
14,007
8
O
15,999
9
F
18,998
10
Ne
20,183
11
Na
22,990
12
Mg
24,305
13
Al
26,982
14
Si
28,086
15
P
30,974
16
S
32,064
17
Cl
35,453
18
Ar
39,948
19
K
39,10
20
Ca
40,08
...
30
Zn
65,37
31
Ga
69,72
32
Ge
72,59
33
As
74,92
34
Se
78,96
35
Br
79,91
36
Kr
83,80
37
Rb
85,47
38
Sr
87,62
...
48
Cd
112,40
49
In
114,82
50
Sn
118,89
51
Sb
121,75
52
Te
127,60
53
I
126,90
54
Xe
131,30
55
Cs
132,91
56
Ba
137,33
...
80
Hg
200,59
81
Tl
204,37
82
Pb
207,19
83
Bi
208,98
84
Po
(210)
85
At
(210)
86
Rn
(222)
14
ING. JUAN F. TISZA C.
ESTRUCTURA ELECTRNICA
MARZO-2013
Estados o niveles de
energa permitidos
E
N
E
R
G

A

D
E
L

e
-

+
p
Hidrgeno
+6
6
Carbono: 1s
2
2s
2
2p
2
aislante
14
Silicio: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
2
32
Germanio: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
3d
10
4s
2
4p
2
semiconductores

50
Estao: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
3d
10
4s
2
4p
6
4d
10
5s
2
5p
2
conductor
15
ING. JUAN F. TISZA C.
MODELO DE BANDAS DE ENERGA
MARZO-2013
X
3
X
2
X
1
Grafito tomos aislados
Diamante
2s
2p
Niveles vacos
Niveles ocupados
d
E
BANDA
PROHIBIDA
BANDA
DE
CONDUCCIN
BANDA
DE
VALENCIA
16
ING. JUAN F. TISZA C.
MODELO DE BANDAS DE ENERGA
(CONTINUACIN)
MARZO-2013
BV
BC
E
g
= 10 eV
BV
BC
E
g
= 1 eV
BV
BC
Aislante Semiconductor Conductor
E
g
(Si) = 1,12 eV
E
g
(Ge) = 0,66 eV
T = 300 K
17
ING. JUAN F. TISZA C.
MODELO DE BANDAS DE ENERGA.
CONDUCCIN INTRNSECA
MARZO-2013
E
g
(Si) ~ 1,1 eV
E
g
(Ge) ~ 0,7 eV
E
g

E
T = 0 K
Banda de valencia
Banda prohibida
Banda de conduccin
n = p = n
i

T > 0 K
18
ING. JUAN F. TISZA C.
MODELO DE BANDAS DE ENERGA.
CONDUCCIN EXTRNSECA (TIPO N)
MARZO-2013
0.01 eV
T > 0 K
Nivel donante
T = 0 K
E
In de
impureza
donante
19
ING. JUAN F. TISZA C.
MODELO DE BANDAS DE ENERGA.
CONDUCCIN EXTRNSECA (TIPO P)
MARZO-2013
Nivel aceptor
E
0,01 eV
T = 0 K T > 0 K
In de
impureza
aceptora
Huecos en la BV
20
ING. JUAN F. TISZA C.
LEY DE ACCIN DE MASAS
n
i
(Ge, 300 K) = 2,410
19
port./m
3

n
i
(Si, 300 K) = 1,510
16
port./m
3

MARZO-2013
np = n
i
2

kT 2
E
2
3
i
g
e AT ) t ( f n

= =
n: nmero de electrones por unidad de volumen
p: nmero de huecos por unidad de volumen
n
i
: concentracin intrnseca
21
ING. JUAN F. TISZA C.
LEY DE LA NEUTRALIDAD ELCTRICA
N
A
+ n = N
D
+ p
Intrnseco N
A
= N
D
= 0 p = n = n
i

Tipo n N
A
= 0; n ~ N
D

Tipo p N
D
= 0; p ~ N
A

MARZO-2013
D
2
i
N
n
p ~
A
2
i
N
n
n ~
23
ING. JUAN F. TISZA C.
CONCENTRACIONES DE PORTADORES
MARZO-2013
N
A
+ n = p ; p >>>>> n; N
A
~ p
P
N
Iones de impureza aceptora INMVIL
Hueco dejado por electrn MVIL
Electrn trmico MVIL
Hueco trmico MVIL
N
D
+ p = n ; n >>>>> p; N
D
~ n
Iones de impureza dadora
INMVIL
Electrn liberado por dador MVIL
Electrn trmico MVIL
Hueco trmico MVIL
24
ING. J UAN F. TISZA C.
P
R
O
P
I
E
D
A
D
E
S

D
E
L

G
E
R
M
A
N
I
O

Y

E
L

S
I
L
I
C
I
O

(

C
A
M
B
I
A
R

D
E


S
I
S
T
E
M
A

M
K
S


A


S
I
S
T
E
M
A

C
G
S
)

MARZO-2013
Ge Si
Nmero atmico 32 14
Masa atmica (g/mol) 72,6 28,08
Radio atmico (nm) 0,137 0,132
Estructura electrnica [Ar]4s
2
3d
10
4p
2
[Ne]3s
2
3p
2
Densidad kg/m
3
5323 2330
Temperatura de fusin 937,4 C 1410 C
Calor especfico J/kgC 309 677
Concentracin atmica at/m
3
4,4210
28
4,9610
28
Concentracin intrnseca (300 K) 2,3610
19
m
-3
1,510
16
m
-3
Constante A m
-3
K
-3/2
1,9110
21
4,9210
21
Anchura banda prohibida (300 K) 0,67 eV 1,1 eV
Movilidad electrones (300 K) 0,39 m
2
/Vs 0,135 m
2
/Vs
Movilidad huecos (300 K) 0,182 m
2
/Vs 0,05 m
2
/Vs
Resistividad intrnseca (300 K) 0,47 Om 2300 Om
Difusividad electrones 10,110
-3
m
2
/s 3,510
-3
m
2
/s
Difusividad huecos 4,910
-3
m
2
/s 1,310
-3
m
2
/s
Permitividad elctrica 15,7 12
Masa efectiva electrones 0,5 m
0
1,1 m
0
Masa efectiva huecos 0,37 m
0
0,59 m
0
25
CONDUCTIVIDAD DE SEMICONDUCTORES
MARZO-2013
0
5
10
15
20
25
30
250 270 290 310 330 350 370
T (K)
C
o
n
d
u
c
t
i
v
i
d
a
d

(
S
/
m
)
Ge
Semiconductor extrnseco
0
1
2
0 100 200 300 400 500
T (K)
C
o
n
d
u
c
t
i
v
i
d
a
d

(
S
/
m
)
Si puro
N
D
=510
19
m
-3
N
D
=10
20
m
-3
A poca temperatura,
las impurezas se ionizan
rpidamente.
Los portadores procedentes de las
impurezas, ya ionizadas, no
aumentan sensiblemente.
A temperaturas altas, la
conduccin intrnseca se
hace significativa.
26
ING. JUAN F. TISZA C.
CORRIENTES DE DESPLAZAMIENTO
J = J
p
+ J
n
= q
e
(n
n
+ p
p
)E =
oE
o = q
e
(n
n
+ p
p
)
MARZO-2013
E nq ) E )( q ( n v nq J
n e n e n n
r r
r
r
= = =
E pq v pq J
p e p p
r
r
r
= =
v
n
= -
n
E
r
r
J
n

r
J
p

r
v
p
=
p
E
r
r

E
ext

27
ING. JUAN F. TISZA C.
CORRIENTES DE DESPLAZAMIENTO EN SC
Intrnsecos
MARZO-2013
p = n = n
i


o = q
e
(n
n
+ p
p
)

o = q
e
n
i
(
n
+
p
)
p
p >> n
o ~ qp
p

n >> p
o ~ qn
n

n
Extrnsecos
28
ING. JUAN F. TISZA C.
C
O
R
R
I
E
N
T
E
S

D
E

D
I
F
U
S
I

N

Ley de Fick
D
n
Difusividad de electrones (D
n
Si = 3,510
-3

m
2
/s)
D
p
Difusividad de huecos (D
p
Si = 1,3110
-3
m
2
/s)
MARZO-2013
Vn = 0
r
J
dif
= -qDVn
Relacin de Einstein:
T
p
p
n
n
V
q
kT
D
D
= =

k (Constante de Boltzmann) = 1,3810

-23
JK
-1
V
T
(300 K) = 25,85 mV

dx
n d
n
r
= V
Ley de Ohm
r
J = -oVV
29
ING. JUAN F. TISZA C.
CORRIENTES DE DIFUSIN (CONTINUACIN)
MARZO-2013
J
n

N
Vn
r
r
J
n
= q
e
D
n
Vn
P
J
p

Vp
r
J
p
= -q
e
D
p
Vp
r
30
ING. JUAN F. TISZA C.
VARIACIN DE POTENCIAL EN UN SEMICONDUCTOR CON DOPADO NO
UNIFORME Y CON LA PRESENCIA DE UN CAMPO ELECTRICO EXTERNO
MARZO-2013
p = p(x)
x
2
x
1

0 x
en circuito abierto J
dif
+ J
desp
= 0
p(x
2
) p(x
1
)
0 E q p
dx
p d
qD
p p
= +
r
r
Relacin de Einstein:
p T p p
V
q
kT
D = =
sigue
r
E
31
ING. J UAN F. TISZA C.
VARIACIN DE POTENCIAL EN UN
SEMICONDUCTOR CON DOPADO NO
UNIFORME (CONTINUACIN)
MARZO-2013
dV Edx
p
dp
V
T
= =
V
T
(300 K) = 25.85 mV
p
2
1
T 1 2
p
p
ln V V - V =
T
1 2
V
V V
2 1
e p p

=
n
2
1
T 1 2
n
n
ln V V - V =
T
1 2
V
V V
2 1
e n n

=
Ejemplo: p
1
= 10
16
huecos/m
3
; p
2
= 10
22
huecos/m
3
Tema siguiente
32
ING. JUAN F. TISZA C.
CONTINUAR..
MARZO-2013 ING. J UAN F. TISZA C.
33
EFECTO HALL EN LOS SEMICONDUCTORES
MARZO-2013
V
H

J
v
a

F
B

-V
H

J
v
a

F
B
En semiconductores: silicio dopado con galio
En conductores
34
ING. JUAN F. TISZA C.