Electrnica Analgica y de Potencia: Tema 7

TEMA 7: EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

M Dolores Borrs

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1. Clasificacin. 2. El transistor JFET:

Tipos y smbolos Estudio cualitativo del JFET Curvas de salida y transconductancia Tipos y smbolos MOSFET de empobrecimiento MOSFET de enriquecimiento RDS (on) e ID (off) El transistor MOSFET de potencia

1. El transistor MOSFET:

1. El transistor FET en conmutacin:

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CLASIFICACIN NPN Bipolares PNP Canal N (JFET-N) Unin (JFET) Transistores Efecto de campo (FET) Canal P (JFET-P) Empobrecimiento Canal N (Deplexin) Canal P Canal N Canal P

Metal-OxidoSemiconductor (MOSFET)

Enriquecimiento (Acumulacin)

* FET : Field Effect Transistor

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EL TRANSISTOR JFET Tipos y Smbolos D G S Canal N G - Puerta (GATE) D - Drenador (DRAIN) S - Fuente (SOURCE) El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde la tensin aplicada a la puerta permite que circule o no corriente entre drenador y fuente. G S Canal P D

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Estudio cualitativo del JFET D D

P N S

N P S

Canal N D G S G

Canal P D

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G D p S p n

VGS

VDS

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Funcionamiento del JFET de canal N

Unin GS polarizada inversamente D Canal G UGS P P Se forma una zona de transicin libre de portadores de carga y un canal La seccin del canal depende de la tensin UGS Zona de transicin Si se aplica una tensin D-S la corriente ID por el canal depender de USG y UDS

N S

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Funcionamiento del JFET de canal N

D ID G UGS P P UDS (baja) N S UGS El canal se estrecha Mayor resistencia UDS

Entre D y S se presenta una resistencia que vara en funcin de UGS (al aumentar la tensin UDS aumenta la corriente ID)

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Funcionamiento del JFET de canal N

D UDS + UGS G UGS UGS N S P P UDS

ID UGS=0 UGS1 UGS2 VP UDS

El ancho del canal depende tambin de la tensin UDS Se estecha el canal y deja pasar menos corriente Pasado un lmite la corriente ID deja de crecer con UDS se compensa el estrechamiento del canal con el comportamiento resistivo

Curvas de salida y transconductancia Caractersticas estticas de un JFET de canal N

Electrnica Analgica y de Potencia: Tema 7 D

IS

G S

UDS

ID (mA) Caracterstica real 30 20 10 2 ID

UGS Zona resistiva Zona de fuente de corriente UGS=0V UGS=-2V UGS=-4V 4 6 8 UDS (V) UGS0 UGS1 UGS2 UDS

Hay una UGS a partir de la cual el canal se cierra y deja de pasar corriente de drenador

Caracterstica linealizada

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Caractersticas estticas de un JFET de canal P Zona resistiva Zona de fuente de corriente UGS=0V UGS=2V UGS=4V -2 -4 -6 -8 UDS (V)

IS G UGS

ID (mA) UDS -30 -20 -10

Curvas idnticas al de canal N pero con tensiones y corrientes de signo opuesto

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Conmutacin de un JFET RD ID + UGS UGS Aplicando una onda cuadrada en los terminales UGS se puede conseguir que el JFET acte como un interruptor B UDS VCC A ID B UGS(B)

UGS(A) UDS

UDS VCC

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El transistor de efecto de campo de unin o JFET

La corriente de drenador se controla mediante tensin (a diferencia de los transistores bipolares donde se controla la corriente de colector mediante la corriente de base) La unin puerta-fuente se polariza en zona inversa y existe un valor lmite de UGS a partir del cual el canal se cierra y deja de pasar corriente de drenador Entre drenador y fuente el JFET se comporta como una resistencia o una fuente de corriente dependiendo de la tensin UDS. Aplicaciones tpicas: amplificadores de audio y de radiofrecuencia

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EL TRANSISTOR MOSFET Tipos y Smbolos ENRIQUECIMIENTO D D EMPOBRECIMIENTO D D

G S Canal N

G S Canal P

G S Canal N

G S Canal P

G - Puerta (GATE) D - Drenador (DRAIN) S - Fuente (SOURCE) El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde la tensin aplicada a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.

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EL TRANSISTOR MOSFET Estructura de un MOSFET de empobrecimiento de canal N D Metal xido Semiconductor SiO2 acta de aislante G N G S S P N sustrato D
sustrato

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EL TRANSISTOR MOSFET Estructura de un MOSFET de empobrecimiento de canal N D N D G VGS G VDS P S N S En los MOSFET de empobrecimiento el canal se forma mediante una difusin adicional durante el proceso de fabricacin Con tensin UGS nula puede haber circulacin de corriente de drenador Es necesario aplicar tensin negativa UGS para cerrar el canal

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Curvas caractersticas Zona de hmica ID (mA) 40 30 20 10 ID 2 4 6 Zona de corriente constante UGS=2V UGS= 0VYa hay canal formado UGS= -2V UGSoff= -Vp curva de corte ID 0 8 UDS (V)

Curva de transferencia

ID = IDSS
IDSS=corriente ID con la puerta en corte UGSoff UGS

U 1 GS U GSoff

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Estructura de un MOSFET de enriquecimiento de canal N D N G P N S sustrato VDS Normalmente el terminal de SUSTRATO se encuentra conectado con la fuente S Los terminales principales del MOSFET son D y S

VGS

Al aplicar tensin UDS la unin drenador-sustrato impide la circulacin de corriente de drenador Al aplicar tensin positiva UGS los electrones libres de la zona P (sustrato) son atrados hacia el terminal de puerta

Estructura de un MOSFET de enriquecimiento de canal N

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Por efecto del campo elctrico se forma un canal de tipo n (zona rica en electrones) que permite el paso de la corriente entre drenador y fuente D N G
-+ -+ -+ -+ -+

PPP N S VDS

VGS

Cuando UGS< UGSTh ID=0 Si UGS> UGSTh ID0 Cuanto mayor sea UGS mayor ser el canal ID crece muy rpidamente

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Formado el canal entre drenador y fuente puede circular la corriente de drenador ID Incrementar la tensin UDS tiene un doble efecto: Ohmico: mayor tensin = mayor corriente ID El canal se estrecha por uno de los lados = ID se reduce A partir de un cierto valor de UDS ambos efectos se compensan y la corriente se estabiliza hacindose prcticamente independiente de UDS

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Curvas caractersticas Zona de hmica ID (mA) 40 30 20 10 2 IS G S UGS D UDS ID UGS2 UGS1 UGS0 UDS Caracterstica linealizada 4 6 Zona de corriente constante UGS=10V UGS=8V UGS=6V UGSTh 8 UDS (V) Caracterstica real A partir de un cierto valor de UGS se forma el canal entre drenador y fuente. Por debajo de este lmite el transistor est en corte.

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Circuto equivalente en zona hmica VDS

VGS ID IDon

Caracterstica de transferencia

ID = K ( UGS UGSTh )
Constante que depende del MOSFET

UGSTh

UGSon UGS

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ID

En la regin de corriente cte UGS2 U >U U

DS GS GSTh

UGS1 UGS0 UDS Valor lmite: UDSlim = UGS - VT IDlim = KU2DS

VT

La capa de xido es muy fina, ya que permite mejor control sobre ID, por lo que UGS tiene un valor mximo por encima del cual se puede destruir dicha capa

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Curvas caractersticas de un MOSFET de canal P

ID (mA) IS G S UGS D UDS -40 -30 -20 -10 -2

Zona resistiva Zona de fuente de corriente UGS=-10V UGS=-8V UGS=-6V -4 -6 UGS=-4V -8 UDS (V)

Curvas idnticas al de canal N pero con tensiones y corrientes de signo opuesto Al ser la conduccin debida a huecos son ms lentos

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El transistor JFET Metal-oxido-semiconductor o MOSFET Limitaciones Tensin de ruptura Corriente mxima Tensin mxima de puerta Potencia mxima Caractersticas Resistencia en conduccin Tensin umbral rea de operacin segura (Safety Operation Area) SOAR PMAX ID IDMAX

VDC-MAX VDS

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MODELO EQUIVALENTE PARA PEQUEA SEAL G UGS S

gmUGS

ID
rds

UDS

2 ID = gmUGS + UDS rds

gm = transconductancia en directo o conductancia mutua rds = resistencia dinmica en inverso o resistencia de salida

ID gm = UGS

UDS = 2

UDS rds = ID

UGS =cte

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MODELO EQUIVALENTE PARA PEQUEA SEAL G

gmUGS rd

ID
rds

UGS S =rdgm

UDS

factor de amplificacin

UDS 2 ID = 2 gmUGS + UDS = = gmrds rds UGS

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El transistor JFET Metal-oxido-semiconductor o MOSFET Resumen La corriente de drenador se controla mediante la tensin UGS En los MOSFET de enriquecimiento a partir de un cierto valor umbral de UGS se forma el canal y puede circular la corriente de drenador En los MOSFET de empobrecimiento una difusin adicional permite la circulacin de la corriente de drenador incluso para tensin UGS nula Aplicaciones tpicas: convertidores y accionadores electrnicos de potencia, etapas amplificadoras, circuitos digitales, ...

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OTROS TIPOS DE MOSFET MOSFET de doble puerta D D G1 G2 G1

S G2

Para aumentar la ganancia en tensin aplicacin amplificador cascodo

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VMOS La estructura fsica de los MOSFET es: D N G n P S N 125m

SUSTRATO El canal es muy estrecho con un espesor limitado la R que presenta al paso de la corriente es muy alta. La intensidad y la potencia por tanto es pequea.

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VMOS La estructura fsica de los VMOS es: S n+ G S n+ n n+ D La forma en V de G canal de longitud pequea y mayor ancho efectivo se reduce la R y aumenta la corriente. La corriente circula casi vertical al plano de las capas de semiconductor con una seccin ms ancha canal

Ventajas del VMOS

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1.POSIBILIDAD DE CONEXIN EN PARALELO En aplicaciones de potencia se consigue ms intensidad conectando varios VMOS en paralelo

2. AUSENCIA DE AVALANCHA TRMICA La conexin con BJT no es posible ya que tienen un coeficiente de temperatura positivo. Con VMOS: T ID P Q 3. MAYOR RAPIDEZ DE CONMUTACIN

IGBT

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Isolated Gate Bipolar Transistor (transistor bipolar de puerta aislada) Smbolo C Circuito equivalente D G E C

B E

Es un transistor muy usado en potencia ya que une las ventajas del BJT y MOSFET: Impedancia de entrada alta del MOSFET las caractersticas de conduccin son como las del BJT: Capacidad de sobrecarga mayor. Tiempo de conmutacin bajo Mayor disipacin

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Estructura de un IGBT de canal n ctodo E n+ p n p+ C nodo n+ n+ SiO2 S del MOSFET B del Bipolar C del Bipolar S

En estado de conduccin es cualitativamente similar a un BJT controlado por tensin La caracterstica por puerta es equivalente a un MOSFET