UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

(Universidad del Per, DECANA DE AMRICA)

FACULTAD DE INGENIERA ELECTRNICA, ELCTRICA Y DE TELECOMUNICACIONES E.A.P. ELECTRNICA 19.1

CURSO: TEMA:

Electrnica de Potencia I Inversor trifsico

CICLO:

IX

DOCENTE: Ing. Roberto Unsihuay Tovar

ALUMNOS: Ambrocio Barrueto Fausto Lpez Sal y Rosas Erick Johnnatan Guzmn Espinoza Csar

CDIGO: 08190001 08190016 08190090

LIMA-PER
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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS (Universidad del Per, decana de amrica) FACULTAD DE INGENIERA ELECTRNICA, ELCTRICA Y DE TELECOMUNICACIONES

INVERSOR TRIFSICO DE CONDUCCIN A 120O I. INTRODUCCION:

En la actualidad, los requerimientos de energa elctrica de corriente alterna de las viviendas y de la industria provienen principalmente de fuentes de energa no renovables. El progreso de la tecnologa ha permitido el uso de fuentes de energa renovables, tales como la elica y la solar, para generar energa elctrica principalmente de corriente continua, que es almacenada en bancos de bateras; estos, mediante el uso de inversores, pueden suministrar la energa elctrica de calidad que las empresas u hogares necesitan. Gracias a los avances tecnolgicos y a las necesidades generadas se han desarrollado nuevos dispositivos de conmutacin que permiten un mejor diseo e implementacin de los inversores. Por otro lado, el incremento del uso de fuentes de energa renovables producir cortes elctricos no previsibles, por lo cual se necesitarn de equipos que prevean estos problemas como los UPS (Fuentes de poder Ininterrumpidas), que son una aplicacin importante de los inversores. Tambin cabe resaltar otra importante aplicacin del inversor, como es el control de velocidad de motores trifsicos de corriente alterna, dado que cada vez se busca que sean ms precisos.

II.

OBJETIVOS:
a. OBJETIVO GENERAL: Se busca disear, simular e implementar un inversor trifsico. b. OBJETIVOS ESPECFICOS: Disear los circuitos de Control y Potencia para lograr un correcto funcionamiento del inversor trifsico y convertir la corriente continua de entrada en corriente alterna. Implementacin del circuito del inversor trifsico.

III.

MARCO TERICO

1. GENERACIN DE ENERGA ELCTRICA La generacin de energa elctrica, en trminos generales, consiste en transformar algn tipo de energa no elctrica, ya sea qumica, mecnica, trmica o luminosa(entre otras), en energa elctrica. La generacin se lleva a cabo mediante tcnicas muy diferentes. Por ejemplo, se tiene la energa elctrica generada por el movimiento rotatorio de una fuente de energa mecnica directa, como la corriente de un salto de agua, la producida por el viento, o atravs de un ciclo termodinmico. Para este ltimo caso, se calienta un fluido al que se hace recorrer un circuito en el que mueve un motor o una turbina; el calor de este proceso se obtiene mediante la quema de combustibles fsiles, reacciones nucleares y otros procesos. Esta tcnica para generar energa elctrica puede suministrar grandes cantidades y potencias de electricidad para generar corriente continua en un dnamo o corriente alterna en un alternador. La generacin de energa elctrica es una actividad humana bsica, ya que est directamente relacionada con los requerimientos actuales del hombre en todas las actividades de su vida (transporte, comunicaciones, servicios, en el hogar, etc.). Todas la formas de utilizacin de las fuentes de energa, tanto las habituales como las denominadas alternativas o no convencionales, agreden en mayor o menor medida elambiente. 2. INVERSOR TRIFSICO 2.1. APLICACIONES

Los inversores se usan usualmente en aplicaciones industriales, como impulsores (variadores, reguladores o controles) de motor de corrientes alterna y velocidad variables, o en calentamiento por induccin, fuentes de alimentacin de reserva y fuentes de alimentacin ininterrumpida. Los inversores han podido sustituir a los reductores de velocidad mecnicos en el campo del control de motores, con muchas ventajas respecto a stos, como por ejemplo: mejor rendimiento, ausencia de elementos mecnicos de desgaste, vibraciones, mayor versatilidad en el control, etc. Otra aplicacin importante esta en las fuentes de alimentacin ininterrumpida, equipos vitales para el funcionamiento y respaldo de
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empresas, hospitales, etc. Los inversores son parte fundamental para el funcionamiento adecuado de estos equipos. Tambin cabe mencionar otras aplicaciones de los inversores como los balastos electrnicos, calentamiento por induccin, etc. 2.2. CARACTERSTICAS

El Inversor Trifsico es un dispositivo utilizado para convertir una corriente continua en una corriente alterna, con la magnitud y frecuencia deseadas. En aplicaciones de potencia baja e intermedia se pueden aceptar voltajes de onda cuadrada o cuasi-cuadrada; en cambio, para aplicaciones para alta potencia se requieren formas de onda senoidal con poca distorsin. Los inversores se utilizan en aplicaciones tales como en el control de motores de corriente alterna de velocidad ajustable, en los sistemas de alimentacin ininterrumpida o en los variadores de frecuencia, entre otras. El mtodo ms extendido para efectuar el control de los dispositivos semiconductores de un circuito inversor de potencia es la conmutacin basada en la modulacin por ancho de pulso. Estos equipos usan dispositivos de conmutacin como BJT, MOSFET, IGBT y GTO. Usan generalmente seales de control por modulacin por ancho de pulso (PWM) para producir un voltaje de salida CA. 2.3. TIPOS DE INVERSORES TRIFSICOS

Existen dos configuraciones para realizar un Inversor Trifsico. Primero, se puede conectar tres puentes inversores monofsicos medios o completos en paralelo para formar la configuracin de un inversor Trifsico. Las seales de control de los inversores monofsicos deben adelantarse o atrasarse 120 entre s para obtener voltajes trifsicos balaceados. Segundo, se puede obtener una salida trifsica mediante la configuracin de tres semipuentes donde en cada uno de ellos se dispone de dos semiconductores de potencia (teniendo un total de seis), como lo muestra la figura 2.1. Se puede aplicar dos clases de seales de control a estos semiconductores: conduccin a 180 o conduccin a 120. La conduccin a 180 utiliza mejor los interruptores y es el mtodo que se prefiere. Cabe mencionar que esta es la configuracin que se utiliza:

Figura 2.1 Comparacin de seis semiconductores de potencia 2.4. DISPOSITIVOS DE CONMUTACIN

2.4.1. MOSFET DE POTENCIA Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje que solo requiere una corriente pequea de entrada. Los MOSFETs tienen una alta impedancia de entrada, la velocidad de conmutacin es muy alta, los tiempos de conmutacin estn en el orden de los nanosegundos (bajas prdidas de conmutacin) y requieren de poca energa de compuerta (entrada). Los MOSFETs de potencia estn encontrando aplicaciones cada vez ms numerosas en convertidores de baja potencia y alta frecuencia. Estos dispositivos no sufren del problema destructivo que causan las fugas trmicas localizadas producidas por altas concentraciones de corriente (segunda avalancha), como sucede con los transistores BJT. Sin embargo, los MOSFETs tienen el problema de descargas electrostticas y requieren de un cuidado especial en su manejo. Adems, es relativamente difcil protegerlos en condiciones de falla por cortocircuito. Existen dos tipos de MOSFET: Los Mosfet decrementales y los Mosfet incrementales. Cada tipo de MOSFET presenta dos clases de canales, canal n y canal p. Los tres terminales de este semiconductor son Compuerta, Drenaje y Fuente. 2.4.2. IGBT Los IGBTs combinan las ventajas de los BJTs y los MOSFETs. Tienen una alta impedancia de entrada como los MOSFETs, bajas prdidas de conmutacin, y, adems, pocas prdidas por conduccin en estado activo, como los BJTs. Sin embargo, no presenta problemas de segunda avalancha, como estos ltimos. Por el diseo y la estructura del dispositivo, se controla la resistencia equivalente de drenaje a fuente (Rds), para que se comporte como
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la de un BJT. Un IGBT es un semiconductor controlado por voltaje, parecido a un MOSFET. Comparte ciertas caractersticas con estos, como son: facilidad de excitacin de compuerta (disparo), picos de corriente, capacidad, sensibilidad y robustez. Adems, requiere de un circuito de control muy simple. Cabe mencionar que el rendimiento de un IGBT se parece ms al de un BJT que al de un MOSFET; pero, en forma inherente, el IGBT es ms rpido que un BJT. Las desventajas del IGBT, frente al MOSFET, es que su velocidad de conmutacin es menor y su precio es mayor. A continuacin se resume las caractersticas importantes de los dos dispositivos de potencia planteados:

3. DIAGRAMAS DE BLOQUES 3.1. DIAGRAMA DE BLOQUES GENERAL

A continuacin se presenta el Diagrama de Bloques General que muestra las diversas etapas del Inversor Trifsico a disear y se detalla la funcin de cada uno de ellas.

Figura 3.1 Diagrama de Bloques Del Inversor Trifsico 3.1.1. FUENTE Esta etapa representa las Bateras y el Circuito de adaptacin de tensin que energizar las diversas partes del Inversor, como son el Microcontrolador, la Etapa deseparacin de las etapas de control y potencia, el Driver y el Circuito de interruptores. Cada etapa recibir el voltaje necesario para su funcionamiento. 3.1.2. MICROCONTROLADOR Este bloque representa la unidad de procesamiento. El Microcontrolador ejecutar el algoritmo de control para la generacin de las seales de control. Esto consiste en que a partir de un valor de referencia, obtenido de tres seales sinusoidales, se adquiera los datos y se efecte el procesamiento adecuado para generar la secuencia de pulsos necesarios para la conmutacin de los interruptores (Dispositivos de conmutacin). La salida de esta etapa entra al bloque de Separacin de Etapas de Control y de Potencia. 3.1.3. SEPARACIN DE ETAPAS DE CONTROL Y DE POTENCIA En esta etapa se encuentra el dispositivo que separa las etapas de Control y de Potencia. La funcin del dispositivo es la de aislar elctricamente estas etapas por medidas de seguridad. As se logra que una etapa no afecte a la otra, en caso de que haya alguna falla elctrica.
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3.1.4. DRIVER Este bloque representa el circuito que permite la activacin y desactivacin de los interruptores mediante la seal de control del microcontrolador (secuencia de pulsos). Recibe como seal de entrada la secuencia de pulsos generada por el Microcontrolador, que permitir que el Driver deje o no pasar la corriente para realizarla conmutacin del bloque del circuito de interruptores. 3.1.5. CIRCUITO DE INTERRUPTORES Esta etapa representa al arreglo de los dispositivos de conmutacin que forman al Inversor. Mediante las diversas conmutaciones se generara la seal de salida sinusoidal. La entrada de este bloque son las seales del Driver, que permiten la activacin del arreglo de interruptores; y la salida es la seal sinusoidal que se aplica a la carga trifsica. 3.1.6. CARGA TRIFSICA Este bloque representa la carga trifsica, a la cual se le entrega la tensin trifsica sinusoidal que proviene del bloque del circuito de interruptores. Esta carga puede ser configuracin Estrella (Y) o Delta (D). 3.2. DIAGRAMA DE BLOQUES DE LA ETAPA DE CONTROL

A continuacin se presenta el Diagrama de Bloques de la Etapa de Control y el respectivo nmero de entradas y salidas.

Figura 3.2 Diagrama de bloques de la etapa de control del inversor trifsico. En la figura 3.2 se puede observar que las entradas son seis seales de control provenientes del microcontrolador (secuencia de pulsos) y las salidas tambin son seis seales que se dirigen al Driver del Inversor. El bloque se Separacin de Etapas de control y de potencia divide el sistema, de modo que ninguna etapa afecte a la otra cuando suceda alguna falla.

3.3.

DIAGRAMA DE BLOQUES DE LA ETAPA DE POTENCIA

Se presenta el Diagrama de Bloques de la Etapa de Potencia y el respectivo nmero de entradas y salidas.

Figura 3.3 Diagrama de bloques de la etapa de potencia del inversor trifsico. La figura 3.3 representa la Etapa de Potencia, donde se puede observar los distintos bloques que intervienen. El Driver enva seis seales a la etapa del Circuito de Interruptores, y estos, segn las seales, conmutan para generar la seal de salida senoidal trifsica que alimentar a la carga trifsica. 4. ETAPA DE CONTROL 4.1 CONDUCCIN A 120o Este tipo de control conduce cada transistor durante 120 o. En cualquier instante del tiempo slo conducen dos transistores. Las seales de excitacin se muestran en la siguiente figura:

Para el perodo se elegi T=1/60=16.667ms para que la frecuencia de las seales de salida sea de 60 Hz. Para poder generar las seales de control con el uso de un microcontrolador PIC 16F877A, se dividi el perodo en 6 partes. Cada parte representa un sexto del perodo total es decir 2.788 milisegundos. Los valores binarios de cada parte se usaron para elaborar un contador, para as poder mostrar las seales en las salidas. Luego se elabor un contador con el pic para mostrar los valores en las salidas digitales de ste. Debido a que el pic trabaja con valores hexadecimales se realiz la conversin de los valores binarios a valores hexadecimales. PROGRAMA EN LENGUAJE C PARA LAS SEALES DE CONTROL

El compilador se encarga de pasar el programa en lenguaje C a lenguaje Assembler para poder grabar el programa en el PIC.

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4.2 OCTOACOPLADOR PARA AISLAR LAS ETAPAS DE CONTROL Y POTENCIA MS DRIVER PARA MOSFET

El driver es un inversor por lo que se debe usar un inversor a la entrada del optoacoplador para invertir la seal. O en todo caso usar un optoacoplador inversor. 5. 5.1. CIRCUITO INVERSOR TRIFSICO CIRCUITO DE INTERRUPTORES (INVERSOR)

Componentes: 6 transistores MOSFET 2n6660 2n60B 6 diodos 1n4007 2 bateras de 9 voltios o de 12 voltios 3 resistencias de 10 ohmios

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CIRCUITO DE INTERRUPTORES (PARTE DE POTENCIA)

Para la simulacin se utilizaron las siguientes seales de control: Seales de control en S1 y S4

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Seales de control en S3 y S6

Seales de control en S2 y S5

Luego se obtuvieron los siguientes resultados en las salidas: Seales en las Salidas

Se puede observar el desfasaje de 120o en las salidas.

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Seales en las salidas (Terico)

Al comparar la simulacin con el resultado terico se puede apreciar que es idntico. 5.2. FILTRO PASA-BAJO RLC. Componentes: 3 bobinas de 50mH 3 condensadores variables 3 resistencias de 10 ohmios Como filtro usaremos uno pasa-bajo RLC para obtener salidas senoidales.

Tomando el valor del inductor como L=50mH. Aplicamos la frmula de la frecuencia de corte para hallar el valor del condensador.

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Luego aplicamos el filtro RLC cada salida del circuito de potencia.

Las salidas filtradas obtenidas son senoidales ahora.

Las seales son senoidales con frecuencia de 60Hz y con 120 grados de desfase entre ellas. Presentan distorsin por fase en un comienzo y luego se estabilizan en el tiempo; esto muy inherente a los filtros RLC.
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IV.

CONCLUSIONES:
El usar un control de conduccin a 120o permite evitar el peligro de un cortocircuito al no funcionar dos transistores MOSFET de una misma fase del inversor al mismo tiempo. El uso de un filtro RLC paso bajo permite eliminar las armnicas y as mostrar una seal senoidal. El uso de un apropiado cristal para el microcontrolador PIC es crucial en la correcta obtencin de las seales de salida digitales.

El uso de un optoacoplador hace necesario el uso de un driver para adaptar la seal de salida de ste. Asimismo, al usar un driver se invierte la seal, por lo que es necesario el uso de otro driver a la entrada del optoacoplador. Es decir, la seal que sale del PIC se invierte dos veces (al pasar por el primer driver a la entrada del optoacoplador y al pasar por el segundo driver a la salida del optoacoplador) pero aumenta en nivel de voltaje para poder hacer funcionar a los MOSFET. Si se desea acoplar un transformador en serie a las cargas del inversor para lograr un voltaje de 220V, se debe usar una fuente para el inversor que brinde una apropiada alimentacin de corriente al circuito y al transformador. Asimismo tener en cuenta que los optoacopladores tambin deben dar buena alimentacin de corriente.

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